JP6968201B2 - 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents
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Description
本願は、2017年12月22日に日本国に出願された特願2017−246732号に基づき、優先権を主張し、その内容をここに援用する。
先ず、本実施形態にかかる基板処理システムの構成について説明する。図1は、基板処理システム1の構成の概略を模式的に示す平面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸方向、Y軸方向及びZ軸方向を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。
次に、上述した加工装置4の構成について説明する。図3〜図6に示すように加工装置4は、回転テーブル100、搬送ユニット110、アライメントユニット120、第1の洗浄ユニット130、第2の洗浄ユニット140、研削部としての粗研削ユニット150、研削部としての中研削ユニット160、研削部としての仕上研削ユニット170、保護材厚み測定部としての保護テープ厚み測定ユニット180、全体厚み測定部としての全体厚み測定ユニット190、及び基板本体厚み測定部としてのウェハ本体厚み測定ユニット200を有している。なお、本実施形態では、粗研削ユニット150が本発明における第1の研削部に相当し、中研削ユニット160と仕上研削ユニット170がそれぞれ本発明における第2の研削部に相当する。
次に、以上のように構成された基板処理システム1を用いて行われるウェハ処理について、図7のフローチャートに沿って説明する。
G1=Twp0−Tp−H1 ・・・・(1)
G2=Twp1−Tp−H2 ・・・・(2)
G3=Tm2+Td−H3 ・・・・(3)
Td=Twp2−Tm2−Tp ・・・・(4)
G1=Twp0−Tp−H1 ・・・・(1)
G2=Twp1−Tp−H2 ・・・・(2)
G3=Tm2+Td−H3 ・・・・(3)
以上の実施形態において、ステップS5の粗研削は、複数ステップに分けて行われてもよい。ステップS5の粗研削は、例えば低速で粗研削部151(粗研削砥石)を下降させるエアカットから、高速で粗研削を行うステップS51、低速で粗研削を行うステップS52などのステップに分かれて行われる。
2 搬入ステーション
3 搬出ステーション
4 加工装置
5 後処理装置
6 搬送ステーション
40 制御部
150 粗研削ユニット
160 中研削ユニット
170 仕上研削ユニット
180 保護テープ厚み測定ユニット
190 全体厚み測定ユニット
200 ウェハ本体厚み測定ユニット
D デバイス
M ウェハ本体
P 保護テープ
W ウェハ
W1 加工面
W2 非加工面
Wp 保護ウェハ
Claims (12)
- 非加工面に保護材が設けられた基板の加工面を加工する基板処理システムであって、
前記保護材の厚みを測定する保護材厚み測定部と、
前記基板と前記保護材の全体厚みを測定する全体厚み測定部と、
前記保護材の厚み及び前記全体厚みを測定した後に、前記基板の加工面を複数の研削処理工程で研削する研削部と、
制御部と、を有し、
前記制御部は、
複数の前記研削処理工程のうち、第1の研削処理工程で前記基板を研削することに先立ち、前記第1の研削処理工程における第1の研削量を、前記保護材厚み測定部で測定された保護材厚みと、前記全体厚み測定部で測定された全体厚みと、前記第1の研削処理工程で研削された後の前記基板の目標厚みと、に基づいて、前記第1の研削処理工程以降の第2の研削処理工程における第2の研削量が基板毎に一定になるように算出する制御を実行する。 - 請求項1に記載の基板処理システムにおいて、
前記第1の研削処理工程では、複数ステップに分けて前記基板の加工面を研削し、
前記制御部は、
前記複数ステップの研削のうち、前記基板の加工面を研削する第1のステップ以降の第2のステップにおける研削量を設定し、
前記全体厚み測定部で測定された全体厚みと、前記保護材厚み測定部で測定された保護材厚みと、前記第2のステップで設定された研削量と、に基づいて、前記第1のステップにおける研削量を算出する制御を実行する。 - 請求項1に記載の基板処理システムにおいて、
前記制御部は、前記第2の研削処理工程で前記基板が研削される前に前記全体厚み測定部で測定された全体厚みと、前記保護材厚み測定部で測定された保護材厚みと、前記第2の研削処理工程で研削された後の前記基板の目標厚みと、に基づいて、前記第2の研削処理工程における第2の研削量を算出する制御を実行する。 - 請求項1に記載の基板処理システムにおいて、
前記基板処理システムは、
前記基板と前記保護材の全体厚みが所定厚みに到達するまで、全体厚みを測定する全体厚み測定部と、
全体厚みが前記所定厚みに到達した後、前記基板の厚みを測定する基板厚み測定部と、を有し、
前記制御部は、
前記第2の研削処理工程で前記基板が研削される前に前記全体厚み測定部で測定された全体厚みと、前記保護材厚み測定部で測定された保護材厚みと、前記所定厚みとに基づいて、前記第2の研削処理工程における第2の前半研削量を算出し、
その後、全体厚みが前記所定厚みに到達した後、前記基板厚み測定部で測定された基板厚みに基づいて、前記第2の研削処理工程で研削された後の前記基板の目標厚みまで研削するように前記研削部を制御する。 - 請求項1に記載の基板処理システムにおいて、
前記基板は、基板本体と、前記基板本体の非加工面側に形成され、前記保護材に保護されたデバイスとを備え、
前記基板処理システムは、前記基板本体の厚みを測定する基板本体厚み測定部を有し、
前記制御部は、前記第2の研削処理工程で前記基板が研削される前に前記基板本体厚み測定部で測定された基板本体厚みと、前記基板本体厚みから算出される前記デバイスの厚みと、前記第2の研削処理工程で研削された後の前記基板の目標厚みと、に基づいて、前記第2の研削処理工程における第2の研削量を算出する制御を実行する。 - 請求項1に記載の基板処理システムにおいて、
前記研削部は、前記第1の研削処理工程を行う第1の研削部と、前記第2の研削処理工程を行う第2の研削部とを有する。 - 非加工面に保護材が設けられた基板の加工面を加工する基板処理方法であって、
前記保護材の厚みを測定する保護材厚み測定工程と、
前記基板と前記保護材の全体厚みを測定する全体厚み測定工程と、
前記保護材の厚み及び前記全体厚みの測定後、前記基板の加工面を研削する複数の研削処理工程と、を有し、
複数の前記研削処理工程のうち、第1の研削処理工程で前記基板を研削することに先立ち、前記第1の研削処理工程における第1の研削量を、前記保護材厚み測定工程で測定された保護材厚みと、前記全体厚み測定工程で測定された全体厚みと、複数の前記研削処理工程のうち第1の研削処理工程で研削された後の前記基板の目標厚みと、に基づいて、前記第1の研削処理工程以降の第2の研削処理工程における第2の研削量が基板毎に一定になるように算出することと、
算出された前記第1の研削量で、前記基板の加工面に前記第1の研削処理工程を行うことと、を含む。 - 請求項7に記載の基板処理方法において、
前記第1の研削処理工程では、複数ステップに分けて前記基板の加工面を研削し、
前記複数ステップの研削のうち、前記基板の加工面を研削する第1のステップ以降の第2のステップにおける研削量を設定し、
前記第1の全体厚み測定工程で測定された全体厚みと、前記保護材厚み測定工程で測定された保護材厚みと、前記第2のステップで設定された研削量と、に基づいて、前記第1のステップにおける研削量を算出する。 - 請求項7に記載の基板処理方法において、
前記第2の研削処理工程において前記基板と前記保護材の全体厚みを測定する第2の全体厚み測定工程を有し、
前記第2の研削処理工程で前記基板が研削される前に前記第2の全体厚み測定工程で測定された全体厚みと、前記保護材厚み測定工程で測定された保護材厚みと、前記第2の研削処理工程で研削された後の前記基板の目標厚みと、に基づいて、前記第2の研削処理工程における第2の研削量を算出する。 - 請求項7に記載の基板処理方法において、
前記基板処理方法は、
前記第2の研削処理工程において前記基板と前記保護材の全体厚みが所定厚みに到達するまで、全体厚みを測定する第2の全体厚み測定工程と、
前記第2の研削処理工程において全体厚みが前記所定厚みに到達した後、前記基板の厚みを測定する基板厚み測定工程と、を有し、
前記第2の研削処理工程で前記基板が研削される前に前記第2の全体厚み測定工程で測定された全体厚みと、前記保護材厚み測定工程で測定された保護材厚みと、前記所定厚みとに基づいて、前記第2の研削処理工程における第2の前半研削量を算出し、
その後、全体厚みが前記所定厚みに到達した後、前記基板厚み測定工程で測定された基板厚みに基づいて、前記第2の研削処理工程で研削された後の前記基板の目標厚みまで研削する。 - 請求項7に記載の基板処理方法において、
前記基板は、基板本体と、前記基板本体の非加工面側に形成され、前記保護材に保護されたデバイスとを備え、
前記基板処理方法は、前記第2の研削処理工程において前記基板本体の厚みを測定する基板本体厚み測定工程を有し、
前記第2の研削処理工程で前記基板が研削される前に前記基板本体厚み測定工程で測定された基板本体厚みと、前記基板本体厚みから算出される前記デバイスの厚みと、前記第2の研削処理工程で研削された後の前記基板の目標厚みと、に基づいて、前記第2の研削処理工程における第2の研削量を算出する。 - 非加工面に保護材が設けられた基板の加工面を加工する基板処理方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体であって、
前記基板処理方法は、
前記保護材の厚みを測定する保護材厚み測定工程と、
前記基板と前記保護材の全体厚みを測定する全体厚み測定工程と、
前記保護材の厚み及び前記全体厚みの測定後、前記基板の加工面を研削する複数の研削処理工程と、を有し、
複数の前記研削処理工程のうち、第1の研削処理工程で前記基板を研削することに先立ち、前記第1の研削処理工程における第1の研削量を、前記保護材厚み測定工程で測定された保護材厚みと、前記全体厚み測定工程で測定された全体厚みと、複数の前記研削処理工程のうち第1の研削処理工程で研削された後の前記基板の目標厚みと、に基づいて、前記第1の研削処理工程以降の第2の研削処理工程における第2の研削量が基板毎に一定になるように算出することと、
算出された前記第1の研削量で、前記基板の加工面に前記第1の研削処理工程を行うことと、を含む。
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