WO2019159735A1 - 加工装置 - Google Patents

加工装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2019159735A1
WO2019159735A1 PCT/JP2019/003814 JP2019003814W WO2019159735A1 WO 2019159735 A1 WO2019159735 A1 WO 2019159735A1 JP 2019003814 W JP2019003814 W JP 2019003814W WO 2019159735 A1 WO2019159735 A1 WO 2019159735A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
processing
grinding
wafer
unit
substrate
Prior art date
Application number
PCT/JP2019/003814
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
信貴 福永
正和 鎗光
彰史 鈴木
満史 片岡
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東京エレクトロン株式会社 filed Critical 東京エレクトロン株式会社
Priority to JP2020500398A priority Critical patent/JP7261786B2/ja
Priority to CN201980012389.2A priority patent/CN111712768B/zh
Publication of WO2019159735A1 publication Critical patent/WO2019159735A1/ja

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
    • B24B49/02—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent
    • B24B49/04—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent involving measurement of the workpiece at the place of grinding during grinding operation
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Programme-control systems
    • G05B19/02—Programme-control systems electric
    • G05B19/18—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form
    • G05B19/409—Numerical control [NC], i.e. automatically operating machines, in particular machine tools, e.g. in a manufacturing environment, so as to execute positioning, movement or co-ordinated operations by means of programme data in numerical form characterised by using manual data input [MDI] or by using control panel, e.g. controlling functions with the panel; characterised by control panel details or by setting parameters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Definitions

  • the present invention relates to a processing apparatus for processing a substrate.
  • a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) having a plurality of devices such as electronic circuits formed on the surface, the back surface of the wafer is ground to thin the wafer. Has been done.
  • Grinding of the back surface of the wafer includes, for example, a rotatable chuck that holds the front surface of the wafer, and a grinding wheel that is configured to be annular and rotatable with a grinding wheel for grinding the back surface of the wafer held by the chuck.
  • a processing device In this processing apparatus, the back surface of the wafer is ground by pressing the grinding wheel against the back surface of the wafer while rotating the chuck (wafer) and the grinding wheel (grinding wheel).
  • Patent Document 1 proposes a processing apparatus further including a touch operation panel for inputting processing conditions.
  • This touch operation panel displays at least a processing condition setting screen in which one or a plurality of input fields for inputting numerical data of processing conditions are arranged. Then, when the operator touches the input field on the touch operation panel where numerical data is desired to be input, a circular image for numerical input is displayed near the input field, and the operator touches the outer periphery of the circular image. Then, the numerical value in the input field is increased by tracing in the first direction along the outer periphery, and the numerical value in the input field is decreased by tracing in the second direction opposite to the first direction. .
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to improve visibility in a display unit of a processing apparatus and improve operability of inputting processing conditions.
  • One aspect of the present invention that solves the above problems is a processing apparatus that processes a substrate, a substrate holding unit that holds the substrate, a processing unit that processes the processing surface of the substrate held by the substrate holding unit, And a display unit that displays a schematic diagram of the substrate and displays processing information for processing the substrate in association with the schematic diagram.
  • processing information when processing a substrate can be visualized and displayed in association with the schematic diagram of the substrate on the display unit of the processing apparatus. For this reason, it becomes easy to understand the relation between the machining information and the machining process, the visibility in the display unit is improved, and for example, the operability when inputting the machining conditions can be improved.
  • FIG. 1 is a plan view schematically showing the outline of the configuration of the processing apparatus 1.
  • the X-axis direction, the Y-axis direction, and the Z-axis direction that are orthogonal to each other are defined, and the positive direction of the Z-axis is the vertically upward direction.
  • the wafer W as a substrate shown in FIG. 2 is thinned.
  • the wafer W is a semiconductor wafer such as a silicon wafer, for example, and has a three-layer structure in which a silicon layer S, a device layer D, and a tape layer P are laminated in this order.
  • the silicon layer S is a layer that forms the main body of the wafer W.
  • the device layer D is a layer including a plurality of devices such as electronic circuits.
  • the tape layer P is a layer of a protective tape attached to the device layer D in order to protect the device.
  • processing surface W1 the surface processed on the wafer W
  • non-machined surface W2 the surface opposite to the processed surface W1
  • non-machined surface W2 the surface opposite to the processed surface W1
  • the processing apparatus 1 includes, for example, a loading / unloading station 2 where a cassette C capable of accommodating a plurality of wafers W is loaded / unloaded, and a processing station 3 which performs a predetermined process on the wafers W.
  • a loading / unloading station 2 where a cassette C capable of accommodating a plurality of wafers W is loaded / unloaded
  • a processing station 3 which performs a predetermined process on the wafers W.
  • the carry-in / out station 2 and the processing station 3 are arranged side by side in the Y-axis direction.
  • the cassette loading table 10 is provided at the loading / unloading station 2.
  • a plurality of, for example, four cassettes C can be placed on the cassette mounting table 10 in a line in the X-axis direction.
  • the loading / unloading station 2 is provided with a display panel 20 as a display unit on the side surface of the cassette mounting table 10 on the Y axis negative direction side, for example.
  • the display panel 20 displays a condition input screen for inputting processing conditions (processing recipe) for processing the wafer W and a state display screen for displaying the state of the wafer W being processed.
  • a wafer transfer area 30 is provided adjacent to the cassette mounting table 10 in the positive Y-axis direction.
  • the wafer transfer area 30 is provided with a wafer transfer device 32 that can move on a transfer path 31 extending in the X-axis direction.
  • the wafer transfer device 32 includes a transfer fork 33 and a transfer pad 34 as a wafer holding unit that holds the wafer W.
  • the front end of the transfer fork 33 branches into two to hold the wafer W by suction.
  • the transfer fork 33 transfers, for example, the wafer W before the grinding process.
  • the transfer pad 34 has a circular shape with a diameter longer than the diameter of the wafer W in plan view, and holds the wafer W by suction.
  • the transfer pad 34 transfers the wafer W after the grinding process, for example.
  • the transport fork 33 and the transport pad 34 are configured to be movable in the horizontal direction, the vertical direction, the horizontal axis, and the vertical axis, respectively.
  • the processing station 3 processing such as grinding and cleaning is performed on the wafer W.
  • the processing station 3 includes a rotary table 40, a transport unit 50, an alignment unit 60, a first cleaning unit 70, a second cleaning unit 80, a rough grinding unit 90 as a processing unit, a medium grinding unit 100 as a processing unit, and A finish grinding unit 110 is provided as a processing section.
  • the rotary table 40 is configured to be rotatable by a rotation mechanism (not shown).
  • a rotation mechanism not shown
  • four chucks 41 are provided as substrate holding units that hold the wafer W by suction.
  • the chucks 41 are arranged on the same circumference as the rotary table 40, that is, every 90 degrees.
  • the four chucks 41 can be moved to the delivery position A0 and the processing positions A1 to A3 as the rotary table 40 rotates.
  • the delivery position A0 is a position on the X-axis positive direction side and the Y-axis negative direction side of the turntable 40, and the second cleaning unit 80 and the alignment unit are located on the Y-axis negative direction side of the delivery position A0.
  • 60 and the first cleaning unit 70 are arranged side by side.
  • the alignment unit 60 and the first cleaning unit 70 are stacked in this order from above.
  • the first machining position A1 is a position on the X-axis positive direction side and the Y-axis positive direction side of the turntable 40, and the rough grinding unit 90 is disposed.
  • the second machining position A2 is a position on the X-axis negative direction side and the Y-axis positive direction side of the rotary table 40, and the intermediate grinding unit 100 is disposed.
  • the third machining position A3 is a position on the X-axis negative direction side and the Y-axis negative direction side of the turntable 40, and the finish grinding unit 110 is disposed.
  • the chuck 41 is held on the chuck base 42.
  • the chuck 41 and the chuck base 42 are configured to be rotatable by a rotation mechanism (not shown).
  • the transport unit 50 is an articulated robot including a plurality of, for example, three arms 51. Each of the three arms 51 is configured to be rotatable. A transfer pad 52 for attracting and holding the wafer W is attached to the tip arm 51. The proximal arm 51 is attached to a vertical movement mechanism 53 that moves the arm 51 in the vertical direction.
  • the transfer unit 50 having such a configuration can transfer the wafer W to the delivery position A0, the alignment unit 60, the first cleaning unit 70, and the second cleaning unit 80.
  • Alignment unit 60 adjusts the horizontal direction of wafer W before grinding. For example, the position of the notch portion of the wafer W is detected by a detection unit (not shown) while rotating the wafer W held by a spin chuck (not shown), thereby adjusting the position of the notch portion of the wafer. Adjust the horizontal direction of W.
  • the processed surface W1 of the wafer W after the grinding process is cleaned, more specifically, spin cleaning.
  • the cleaning liquid is supplied from the cleaning liquid nozzle (not shown) to the processing surface W1 of the wafer W while rotating the wafer W held on the spin chuck (not shown). Then, the supplied cleaning liquid diffuses on the processing surface W1, and the processing surface W1 is cleaned.
  • the processing surface W1 of the wafer W is roughly ground.
  • the rough grinding unit 90 has a rough grinding portion 91 provided with a circular grinding wheel (not shown) that is rotatable in an annular shape. Further, the rough grinding portion 91 is configured to be movable in the vertical direction and the horizontal direction along the support column 92. Then, with the processing surface W1 of the wafer W held by the chuck 41 being in contact with the rough grinding wheel, the chuck 41 and the rough grinding wheel are respectively rotated, and the rough grinding wheel is further lowered, whereby the wafer W The processing surface W1 is roughly ground. At this time, a grinding liquid, for example, water is supplied to the back surface of the wafer W.
  • a grinding liquid for example, water is supplied to the back surface of the wafer W.
  • the intermediate grinding unit 100 includes an intermediate grinding part 101 including an annular grinding wheel (not shown) that is rotatable in an annular shape. Further, the middle grinding part 101 is configured to be movable in the vertical direction and the horizontal direction along the support column 102. The grain size of the medium grinding wheel is smaller than the grain size of the coarse grinding wheel. Then, in a state where the processing surface W1 of the wafer W held by the chuck 41 is in contact with the intermediate grinding wheel, the chuck 41 and the intermediate grinding wheel are respectively rotated, and further, the intermediate grinding wheel is lowered, thereby processing the surface W1. Grind inside. At this time, a grinding liquid, for example, water is supplied to the back surface of the wafer W.
  • a grinding liquid for example, water is supplied to the back surface of the wafer W.
  • the processing surface W1 of the wafer W is finish ground.
  • the finish grinding unit 110 includes a finish grinding unit 111 having a ring-shaped and rotatable finish grinding wheel (not shown). Further, the finish grinding part 111 is configured to be movable in the vertical direction and the horizontal direction along the support column 112. The grain size of the finish grinding wheel is smaller than the grain size of the medium grinding wheel. Then, in a state where the processing surface W1 of the wafer W held by the chuck 41 is in contact with the finishing grinding wheel, the chuck 41 and the finishing grinding wheel are respectively rotated, and the finishing grinding wheel is further lowered, whereby the processing surface W1. Finish grinding. At this time, a grinding liquid, for example, water is supplied to the back surface of the wafer W.
  • a grinding liquid for example, water is supplied to the back surface of the wafer W.
  • the processing apparatus 1 is provided with a control unit 120.
  • the control unit 120 is a computer, for example, and has a program storage unit (not shown).
  • the program storage unit stores a program for controlling the processing of the wafer W in the processing apparatus 1.
  • the program storage unit also stores a program for controlling the operation of drive systems such as the above-described various processing units and the conveyance device so as to realize machining processing described later in the machining apparatus 1.
  • the program is recorded in a computer-readable storage medium H such as a computer-readable hard disk (HD), flexible disk (FD), compact disc (CD), magnetic optical desk (MO), memory card, or the like. May have been installed in the control unit 120 from the storage medium H.
  • the processing station 3 further includes a tape thickness measuring unit (not shown) for measuring the thickness of the tape layer P of the wafer W and a total thickness measuring unit (not shown) for measuring the total thickness of the wafer W. Is provided.
  • the tape thickness measuring unit is provided, for example, between the alignment unit 60 and the delivery position A0, and the tape layer P of the wafer W held on the transport pad 52 of the transport unit 50 that is being transported from the alignment unit 60 to the delivery position A0. Measure the thickness.
  • a known measuring device can be used for the tape thickness measuring unit, for example, a white confocal optical sensor.
  • the total thickness measuring unit is provided in each of the grinding units 90, 100, 110, for example.
  • a known measuring device can be used for the total thickness measuring unit, for example, a contact-type measuring device is used.
  • the thickness of the tape layer P measured by the tape thickness measurement unit and the device layer D that is known in advance are calculated from the total thickness of the wafer W measured by the total thickness measurement unit.
  • the thickness of the silicon layer S can be calculated by subtracting the thickness.
  • the thickness of the silicon layer S may be directly measured using, for example, a non-contact type measuring device.
  • a cassette C storing a plurality of wafers W is placed on the cassette placing table 10 of the carry-in / out station 2.
  • the cassette C stores the wafer W so that the non-processed surface W2 of the wafer W provided with the tape layer P faces upward.
  • the wafer W in the cassette C is taken out by the transfer fork 33 of the wafer transfer device 32 and transferred to the processing station 3.
  • the front and back surfaces are reversed by the transfer fork 33 so that the processing surface W1 of the wafer W faces upward.
  • the wafer W transferred to the processing station 3 is delivered to the alignment unit 60. Then, in the alignment unit 60, the horizontal direction of the wafer W is adjusted (step T1 in FIG. 3).
  • the thickness of the tape layer P is measured by the tape thickness measuring unit.
  • the measurement result of the tape thickness measurement unit is output to the control unit 120.
  • the wafer W is transferred from the alignment unit 60 to the delivery position A0 by the transfer unit 50, and is transferred to the chuck 41 at the delivery position A0. Thereafter, the chuck 41 is moved to the first processing position A1. Then, the processing surface W1 of the wafer W is roughly ground by the rough grinding unit 90 (step T2 in FIG. 3).
  • step T2 the lowering of the rough grinding portion 91 (rough grinding wheel) and the grinding of the work surface W1 by the rough grinding portion 91 are performed in a plurality of steps.
  • the descending speed of the rough grinding wheel is different.
  • the number of steps is not particularly limited, but is arbitrarily selected from 1 to 5, for example.
  • the first step is a step including so-called air cut
  • the second and subsequent steps are performed by changing the descending speed of the rough grinding wheel.
  • spark-out the rough grinding wheel stops falling but the rough grinding wheel continues to rotate
  • escape cut valley grinding wheel
  • step T2 the total thickness of the wafer W is measured by the total thickness measurement unit, and the measurement result of the total thickness measurement unit is output to the control unit 120.
  • the thickness of the silicon layer S is calculated based on the total thickness of the wafer W, the thickness of the tape layer P, and the thickness of the device layer D. Note that the total thickness of the wafer W is also measured and the thickness of the silicon layer S is calculated in medium grinding in step T3 and finish grinding in step T4, which will be described later.
  • the chuck 41 is moved to the second processing position A2. Then, the processing surface W1 of the wafer W is ground by the middle grinding unit 100 (step T3 in FIG. 3).
  • the chuck 41 is moved to the third processing position A3. Then, the processing surface W1 of the wafer W is finish-ground by the finish grinding unit 110 (step T4 in FIG. 3).
  • the chuck 41 is moved to the delivery position A0.
  • the processing surface W1 of the wafer W is roughly cleaned with the cleaning liquid using a cleaning liquid nozzle (not shown) (step T5 in FIG. 3).
  • cleaning is performed to remove dirt on the processed surface W1 to some extent.
  • the wafer W is transferred from the delivery position A0 to the second cleaning unit 80 by the transfer unit 50.
  • the non-processed surface W2 (tape layer P) of the wafer W is cleaned and dried in a state where the wafer W is held on the transfer pad 52 (step T6 in FIG. 3).
  • the wafer W is transferred from the second cleaning unit 80 to the first cleaning unit 70 by the transfer unit 50.
  • the processing surface W1 of the wafer W is finish-cleaned with the cleaning liquid using a cleaning liquid nozzle (not shown) (step T7 in FIG. 3).
  • the processed surface W1 is washed to a desired cleanliness and dried.
  • the condition input screen displayed on the display panel 20 is a screen for inputting processing conditions when processing the wafer W.
  • two types of screens are provided as condition input screens, that is, a common condition input screen for inputting machining conditions common to machining positions A1 to A3 (rough grinding to finish grinding), and each machining position A1 to And an individual condition input screen for inputting processing conditions in A3 (rough grinding to finish grinding).
  • the common condition input screen will be described. As shown in FIGS. 4 to 7, a list of input items (left side of the screen) and a schematic diagram of the wafer (right side of the screen) are displayed on the common condition input screen.
  • the input values in the table and the schematic diagram are linked to each other, and the value input to one of them is reflected in the other. That is, the schematic diagram displays the input values of the processing conditions in association with each other.
  • the wafer diameter for example, “8” inches or “12” inches are selected and input (for example, drop-down).
  • the thickness of the wafer before processing is input.
  • the first is a method of designating the grinding amount based on the thickness of the silicon layer. As shown in FIG. 4, “Si thickness” is entered in the input field. The second is a method of specifying the grinding amount based on the total thickness of the wafer. As shown in FIG. 5, “total thickness” is input in the input field. The third method is to designate the grinding amount with reference to the upper surface of the silicon layer. As shown in FIG. 6, “Si upper surface” is input in the input field. The fourth is a method of specifying the grinding amount based on the feed amount of the grinding wheel. As shown in FIG. 7, “Feed amount” is entered in the input field.
  • the input method of finishing thickness, A1 grinding amount, A2 grinding amount, and A3 grinding amount differs depending on the grinding amount designation method described above.
  • the A1 grinding amount is a grinding amount when rough grinding is performed at the first processing position A1
  • the A2 grinding amount is a grinding amount when middle grinding is performed at the second processing position A2, and A3 grinding is performed.
  • the amount is a grinding amount when finish grinding is performed at the third processing position A3.
  • the finish thickness is the final thickness of the silicon layer after rough grinding to finish grinding at the processing positions A1 to A3.
  • the input of each item may be performed in the input column of the table on the left side of the screen, or may be performed in the input column of the schematic diagram on the right side of the screen.
  • the A1 grinding amount is automatically calculated by subtracting the finishing thickness, the A2 grinding amount, and the A3 grinding amount from the silicon layer thickness reference value as shown in the following formula (1).
  • A1 grinding amount silicon layer thickness reference value-(finishing thickness + A2 grinding amount + A3 grinding amount) (1)
  • the finish thickness, the A2 grinding amount, and the A3 grinding amount are input.
  • the finished thickness is the sum of the final thickness of the silicon layer after rough grinding to finish grinding at the processing positions A1 to A3, the thickness of the device layer, and the thickness of the tape layer.
  • Each input may be performed in the input field of the table on the left side of the screen, or may be performed in the input field of the schematic diagram on the right side of the screen.
  • the A1 grinding amount is determined based on the total thickness of the wafer obtained by adding the silicon layer thickness reference value, the device layer thickness reference value, and the tape layer thickness reference value, and the finished thickness, A2 grinding amount, and A3 grinding amount. Is automatically calculated by subtracting.
  • A1 grinding amount (silicon layer thickness reference value + device layer thickness reference value + tape layer thickness reference value) ⁇ (finishing thickness + A2 grinding amount + A3 grinding amount) (2)
  • the grinding amount designation method is “Si upper surface” as shown in FIG. 6, the A1 grinding amount, the A2 grinding amount, and the A3 grinding amount are input. Thereby, since each grinding amount is set, it is not necessary to input the finishing thickness.
  • the grinding amount designation method is “feed amount” as shown in FIG. 7, the finish thickness, A2 grinding amount, and A3 grinding amount are input.
  • the feed amount it is specified how many ⁇ m the grinding wheel is to be lowered from the setup position of the grinding wheel.
  • the method is the same as that in the case of “total thickness” shown in FIG.
  • the individual condition input screen is displayed for each processing position A1 to A3 (rough grinding to finish grinding). For example, “A1” and “A2” in the schematic diagram on the right side of the common condition input screen shown in FIGS. , “A3” is clicked to display.
  • FIG. 8 shows an individual condition input screen for the machining position “A1” when the grinding amount designation method on the common condition input screen is designated as “Si layer”.
  • the individual condition input screen a screen for each combination (12 pieces in total) of the grinding amount designation method (4 pieces) and the machining position (3 pieces) is displayed. These screens are the same as in FIG. Therefore, the description is omitted here.
  • the individual condition input screen includes a list of input items (left side of the screen), a schematic diagram showing the relationship between the grinding wheel and chuck rotation direction (upper right side of the screen), and a schematic diagram of the wafer (screen). Is displayed on the lower right).
  • the input values in the table and the schematic diagram are linked to each other, and the value input to one of them is reflected in the other. That is, the schematic diagram displays the input values of the processing conditions in association with each other.
  • the wafer diameter displayed on the common condition input screen is automatically displayed as the wafer diameter.
  • the scheduled processing time is automatically calculated and displayed by adding the steps 1 to 3 described later, spark-out time, and escape cut time.
  • the grinding water flow rate is input with the grinding water flow rate during grinding.
  • the grinding water flow rate may be input in the input field of the table on the left side of the screen or in the input field of the schematic diagram on the lower right side of the screen.
  • the grinding wheel rotation speed the rotation speed of the grinding wheel is input.
  • CW clockwise, clockwise rotation when viewed from the shaft side
  • CCW counterclockwise direction, left rotation when viewed from the shaft side
  • the grinding wheel rotation direction may be input in the input field of the table on the left side of the screen or by clicking the arrow in the schematic diagram on the upper right side of the screen.
  • Step 1 is a step including air cut.
  • the air cut position, the grinding amount in step 2 and the grinding amount in step 3 are entered. These inputs may be performed in the input field of the table on the left side of the screen, or may be performed in the input field of the schematic diagram on the lower right side of the screen.
  • the grinding amount in Step 1 is automatically calculated from the air cut position, the grinding amount in Step 2, and the grinding amount in Step 3, and is displayed in a table and a schematic diagram.
  • the area indicates the height position when the lower surface of the silicon layer is set to 0 (zero). This area is also automatically calculated from the air cut position, the grinding amount in step 2, and the grinding amount in step 3. Displayed in the schematic.
  • steps 1 to 3 enter the grinding wheel lowering speed, chuck rotation speed, and chuck rotation direction.
  • the processing time is automatically calculated from the grinding amount and the descending speed.
  • CW or CCW is input in the chuck rotation direction.
  • the chuck rotation direction may be input in the input field in the table on the left side of the screen or by clicking the arrow in the schematic diagram on the upper right side of the screen.
  • ⁇ Enter time and chuck rotation speed as conditions for spark-out.
  • the chuck rotation speed is automatically calculated from the time and the chuck rotation speed. Note that the time and chuck rotation speed may be entered in the entry field of the table on the left side of the screen or in the entry field of the schematic diagram on the lower right side of the screen.
  • the common condition input screen and the individual condition input screen described above are examples, and the processing conditions to be input are not limited to this.
  • the input field in the schematic diagram is specified as a part of the machining conditions, but the input field in the schematic diagram is not limited to this and can be set as appropriate.
  • the common condition input screen and the individual condition input screen are separate screens, but these may be a single screen.
  • condition input screen of this embodiment a schematic diagram is displayed together with an input table, and some input values are displayed in both the table and the schematic diagram. For this reason, the operator can confirm the visually input value, and the relationship between the processing conditions and the actual processing becomes easy to understand. As a result, the visibility on the condition input screen is improved, the operability when inputting the machining conditions can be improved, and erroneous input can be suppressed. Further, on the condition input screen, the machining conditions can be directly input in the input field of the schematic diagram, thereby further suppressing erroneous input.
  • a warning may be displayed if there is an input error in the machining conditions.
  • the warning may be highlighted, for example, by highlighting an item with an input error, or a message indicating the content of the input error may be displayed.
  • There are various input mistakes For example, when inputting a grinding amount, if a value for grinding more than the target value is input, it is determined that there is an input error. Further, for example, when inputting the rotation direction of the grinding wheel and the chuck, if the rotation direction of the grinding wheel and the chuck is the same, it is determined that an input error has occurred. By displaying the warning in this way, erroneous input of machining conditions can be further suppressed.
  • the state display screen is a screen that displays the state of the wafer W being processed.
  • two types of screens are provided as status display screens, that is, an overall status display screen showing which processing steps are currently being performed at processing positions A1 to A3 (rough grinding to finish grinding), and each processing And an individual state display screen for displaying the state of the wafer W being processed at positions A1 to A3 (rough grinding to finish grinding).
  • FIG. 9 on the overall state display screen, a schematic diagram showing the positions A0 to A3 of the rotary table in the processing station and a list showing the progress of the processing at the processing positions A1 to A3 are displayed. .
  • steps 1 to 3, spark-out, and escape cut are displayed as items, and “ ⁇ ” is displayed for the items for which processing has been completed.
  • “ ⁇ ” is displayed in steps 1 and 2 at the first machining position A1, indicating that these steps 1 and 2 have been completed.
  • the individual status display screen will be described.
  • the progress of further detailed processing is shown at each processing position A1 to A3.
  • the individual status display screen is displayed for each processing position A1 to A3 (rough grinding to finish grinding). For example, “A1”, “A2”, and “A3” in the schematic diagram of the overall status display screen shown in FIG. Displayed by clicking.
  • FIG. 10 shows an individual state display screen at the first machining position A1.
  • a similar individual state display screen is displayed for the other processing positions A2 and A3.
  • On the individual status display screen a list (left side of the screen) and a schematic view of the wafer (right side of the screen) are displayed.
  • set values (target values) and measured values are displayed for each of the grinding amount in step 1, the grinding amount in step 2, the grinding amount in step 3, and the movement amount of the grinding wheel in escape cut.
  • the set value is a value that is input and set on the condition input screen.
  • the measurement value is a value calculated from the measurement results of the tape thickness measurement unit and the total thickness measurement unit.
  • each layer is displayed based on the measured value. That is, the thickness of each layer decreases as grinding progresses, but the state in which the thickness decreases is shown in real time.
  • the silicon layer corresponding to steps 1 and 2 is indicated by a dotted line
  • the ground portion of the silicon layer corresponding to step 3 is indicated by a dotted line.
  • the unground part is displayed with a solid line.
  • the measurement values are also displayed in association with each other.
  • the overall status display screen and the individual status display screen described above are examples, and the display screen is not limited to this.
  • the overall state display screen and the individual state display screen are separate screens, but these may be one screen.
  • the state (measured value) of the wafer being processed is displayed in the schematic diagram together with the table, so that the display property is improved. The operator can visually confirm the progress of the processing.
  • condition input screen and the status display screen are displayed on the display panel 20 .
  • another screen may be displayed on the display panel 20.
  • the display panel 20 may display a condition confirmation screen for confirming the machining conditions input on the condition input screen.
  • the condition confirmation screen may be a screen as shown in FIGS. 4 to 8, for example, but cannot be edited.
  • the tape layer P is provided on the wafer W in order to protect the device layer D, but the protective material for the device layer D is not limited to this.
  • a support substrate such as a support wafer or a glass substrate may be bonded to the wafer W, and even in such a case, the present invention can be applied.
  • the configuration of the processing apparatus 1 is not limited to the above embodiment.
  • one of the grinding units of the processing station 3 may be replaced with a polishing unit.
  • the processing apparatus 1 may be provided with a post-processing apparatus that performs post-processing on the wafer W after grinding.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Numerical Control (AREA)
  • Machine Tool Sensing Apparatuses (AREA)
  • Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)

Abstract

基板を加工する加工装置は、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板の加工面を加工する加工部と、基板の概略図を表示すると共に、基板を加工する際の加工情報を前記概略図に関連付けて表示する表示部と、を有する。表示部は、加工条件を入力するための条件入力画面を有し、条件入力画面では、入力された加工条件を概略図に関連付けて表示する。

Description

加工装置
　本願は、２０１８年２月１６日に日本国に出願された特願２０１８－０２５７０２号に基づき、優先権を主張し、その内容をここに援用する。
　本発明は、基板を加工する加工装置に関する。
　近年、半導体デバイスの製造工程においては、表面に複数の電子回路等のデバイスが形成された半導体ウェハ（以下、ウェハという）に対し、当該ウェハの裏面を研削して、ウェハを薄化することが行われている。
　ウェハの裏面の研削は、例えばウェハの表面を保持し回転自在のチャックと、チャックに保持されたウェハの裏面を研削する研削砥石を備え環状で回転自在に構成された研削ホイールと、を備えた加工装置で行われる。この加工装置では、チャック（ウェハ）と研削ホイール（研削砥石）を回転させながら、研削砥石をウェハの裏面に押圧させることによって、当該ウェハの裏面が研削される。
　また、例えば特許文献１には、加工条件を入力するためのタッチ操作パネルをさらに備えた加工装置が提案されている。このタッチ操作パネルは、加工条件の数値データが入力される一または複数の入力欄を配置した加工条件設定画面を少なくとも表示する。そして、タッチ操作パネル上に表示された、数値データの入力を所望する入力欄をオペレーターがタッチすると、入力欄の近傍に数値入力用の円形画像が表示され、円形画像の外周部をオペレーターがタッチして外周に沿って第一の方向になぞることによって入力欄の数値が増加し、第一の方向と反対の第二の方向になぞることによって入力欄の数値が減少するように構成されている。
日本国特開２０１６－１５０４２号公報
　しかしながら、上述した特許文献１に記載されたタッチ操作パネルには、入力項目の名称のみが示されており、実際の加工処理との関連が分かり難く、オペレーターは入力欄に誤った条件を入力するおそれがある。しかも、入力項目は複数並べて表示されており、オペレーターによる誤入力の可能性は高い。したがって、従来のタッチ操作パネルには改善の余地がある。
　本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、加工装置の表示部におけるに視認性を向上させ、加工条件の入力の操作性を向上させることを目的とする。
　上記課題を解決する本発明の一態様は、基板を加工する加工装置であって、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板の加工面を加工する加工部と、基板の概略図を表示すると共に、基板を加工する際の加工情報を前記概略図に関連付けて表示する表示部と、を有する。
　本発明の一態様によれば、加工装置の表示部において、基板を加工する際の加工情報を、基板の概略図に関連付けて視覚化して表示することができる。このため、加工情報と加工処理の関連が分かりやすくなり、表示部における視認性が向上し、例えば加工条件を入力する際の操作性を向上させることができる。
本実施形態にかかる加工装置の構成の概略を模式的に示す平面図である。 ウェハの構成の概略を示す側面図である。 加工処理の主な工程を示すフローチャートである。 共通条件入力画面の一例である。 共通条件入力画面の一例である。 共通条件入力画面の一例である。 共通条件入力画面の一例である。 個別条件入力画面の一例である。 全体状態表示画面の一例である。 個別状態表示画面の一例である。
　以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
　先ず、本実施形態にかかる加工装置の構成について説明する。図１は、加工装置１の構成の概略を模式的に示す平面図である。なお、以下においては、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
　本実施形態の加工装置１では、図２に示す、基板としてのウェハＷを薄化する。ウェハＷは、例えばシリコンウェハの半導体ウェハであり、シリコン層Ｓ、デバイス層Ｄ、テープ層Ｐがこの順で積層された３層構造を有している。シリコン層Ｓは、ウェハＷの本体をなす層である。デバイス層Ｄは、複数の電子回路等のデバイスを備えた層である。テープ層Ｐは、デバイスを保護するためにデバイス層Ｄに貼り付けられた保護テープの層である。なお、以下の説明においては、ウェハＷにおいて加工される面（すなわちシリコン層Ｓの表面）を「加工面Ｗ１」といい、加工面Ｗ１と反対側の面（すなわちテープ層Ｐの表面）を「非加工面Ｗ２」という。
　図１に示すように加工装置１は、例えば外部との間で複数のウェハＷを収容可能なカセットＣが搬入出される搬入出ステーション２と、ウェハＷに対して所定の処理を施す処理ステーション３とを一体に接続した構成を有している。搬入出ステーション２と処理ステーション３は、Ｙ軸方向に並べて配置されている。
　搬入出ステーション２には、カセット載置台１０が設けられている。図示の例では、カセット載置台１０には、複数、例えば４つのカセットＣをＸ軸方向に一列に載置自在になっている。
　また、搬入出ステーション２には、例えばカセット載置台１０のＹ軸負方向側の側面において、表示部としての表示パネル２０が設けられている。表示パネル２０は、ウェハＷを加工する際の加工条件（加工レシピ）を入力するための条件入力画面や、加工中のウェハＷの状態を表示する状態表示画面が表示される。
　さらに、搬入出ステーション２には、例えばカセット載置台１０のＹ軸正方向に隣接してウェハ搬送領域３０が設けられている。ウェハ搬送領域３０には、Ｘ軸方向に延伸する搬送路３１上を移動自在なウェハ搬送装置３２が設けられている。ウェハ搬送装置３２は、ウェハＷを保持するウェハ保持部として、搬送フォーク３３と搬送パッド３４を有している。搬送フォーク３３は、その先端が２本に分岐し、ウェハＷを吸着保持する。搬送フォーク３３は、例えば研削処理前のウェハＷを搬送する。搬送パッド３４は、平面視においてウェハＷの径より長い径を備えた円形状を有し、ウェハＷを吸着保持する。搬送パッド３４は、例えば研削処理後のウェハＷを搬送する。そして、これら搬送フォーク３３と搬送パッド３４はそれぞれ、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸周りに移動自在に構成されている。
　処理ステーション３では、ウェハＷに対して研削や洗浄などの加工処理が行われる。処理ステーション３は、回転テーブル４０、搬送ユニット５０、アライメントユニット６０、第１の洗浄ユニット７０、第２の洗浄ユニット８０、加工部としての粗研削ユニット９０、加工部としての中研削ユニット１００、及び加工部としての仕上研削ユニット１１０を有している。
　回転テーブル４０は、回転機構（図示せず）によって回転自在に構成されている。回転テーブル４０上には、ウェハＷを吸着保持する基板保持部としてのチャック４１が４つ設けられている。チャック４１は、回転テーブル４０と同一円周上に均等、すなわち９０度毎に配置されている。４つのチャック４１は、回転テーブル４０が回転することにより、受渡位置Ａ０及び加工位置Ａ１～Ａ３に移動可能になっている。
　本実施形態では、受渡位置Ａ０は回転テーブル４０のＸ軸正方向側且つＹ軸負方向側の位置であり、受渡位置Ａ０のＹ軸負方向側には、第２の洗浄ユニット８０、アライメントユニット６０及び第１の洗浄ユニット７０が並べて配置される。アライメントユニット６０と第１の洗浄ユニット７０は上方からこの順で積層されて配置される。第１の加工位置Ａ１は回転テーブル４０のＸ軸正方向側且つＹ軸正方向側の位置であり、粗研削ユニット９０が配置される。第２の加工位置Ａ２は回転テーブル４０のＸ軸負方向側且つＹ軸正方向側の位置であり、中研削ユニット１００が配置される。第３の加工位置Ａ３は回転テーブル４０のＸ軸負方向側且つＹ軸負方向側の位置であり、仕上研削ユニット１１０が配置される。
　チャック４１はチャックベース４２に保持されている。チャック４１及びチャックベース４２は、回転機構（図示せず）によって回転可能に構成されている。
　搬送ユニット５０は、複数、例えば３つのアーム５１を備えた多関節型のロボットである。３つのアーム５１は、それぞれが旋回自在に構成されている。先端のアーム５１には、ウェハＷを吸着保持する搬送パッド５２が取り付けられている。また、基端のアーム５１は、アーム５１を鉛直方向に移動させる鉛直移動機構５３に取り付けられている。そして、かかる構成を備えた搬送ユニット５０は、受渡位置Ａ０、アライメントユニット６０、第１の洗浄ユニット７０、及び第２の洗浄ユニット８０に対して、ウェハＷを搬送できる。
　アライメントユニット６０では、研削処理前のウェハＷの水平方向の向きを調節する。例えばスピンチャック（図示せず）に保持されたウェハＷを回転させながら、検出部（図示せず）でウェハＷのノッチ部の位置を検出することで、当該ノッチ部の位置を調節してウェハＷの水平方向の向きを調節する。
　第１の洗浄ユニット７０では、研削処理後のウェハＷの加工面Ｗ１を洗浄し、より具体的にはスピン洗浄する。例えばスピンチャック（図示せず）に保持されたウェハＷを回転させながら、洗浄液ノズル（図示せず）からウェハＷの加工面Ｗ１に洗浄液を供給する。そうすると、供給された洗浄液は加工面Ｗ１上を拡散し、当該加工面Ｗ１が洗浄される。
　第２の洗浄ユニット８０では、研削処理後のウェハＷが搬送パッド５２に保持された状態のウェハＷの非加工面Ｗ２、すなわちテープ層Ｐを洗浄するとともに、搬送パッド５２を洗浄する。
　粗研削ユニット９０では、ウェハＷの加工面Ｗ１を粗研削する。粗研削ユニット９０は、環状形状で回転自在な粗研削砥石（図示せず）を備えた粗研削部９１を有している。また、粗研削部９１は、支柱９２に沿って鉛直方向及び水平方向に移動可能に構成されている。そして、チャック４１に保持されたウェハＷの加工面Ｗ１を粗研削砥石に当接させた状態で、チャック４１と粗研削砥石をそれぞれ回転させ、さらに粗研削砥石を下降させることによって、ウェハＷの加工面Ｗ１を粗研削する。またこのとき、ウェハＷの裏面に研削液、例えば水が供給される。
　中研削ユニット１００では、ウェハＷの加工面Ｗ１を中研削する。中研削ユニット１００は、環状形状で回転自在な中研削砥石（図示せず）を備えた中研削部１０１を有している。また、中研削部１０１は、支柱１０２に沿って鉛直方向及び水平方向に移動可能に構成されている。なお、中研削砥石の砥粒の粒度は、粗研削砥石の砥粒の粒度より小さい。そして、チャック４１に保持されたウェハＷの加工面Ｗ１を中研削砥石に当接させた状態で、チャック４１と中研削砥石をそれぞれ回転させ、さらに中研削砥石を下降させることによって、加工面Ｗ１を中研削する。またこのとき、ウェハＷの裏面に研削液、例えば水が供給される。
　仕上研削ユニット１１０では、ウェハＷの加工面Ｗ１を仕上研削する。仕上研削ユニット１１０は、環状形状で回転自在な仕上研削砥石（図示せず）を備えた仕上研削部１１１を有している。また、仕上研削部１１１は、支柱１１２に沿って鉛直方向及び水平方向に移動可能に構成されている。なお、仕上研削砥石の砥粒の粒度は、中研削砥石の砥粒の粒度より小さい。そして、チャック４１に保持されたウェハＷの加工面Ｗ１を仕上研削砥石に当接させた状態で、チャック４１と仕上研削砥石をそれぞれ回転させ、さらに仕上研削砥石を下降させることによって、加工面Ｗ１を仕上研削する。またこのとき、ウェハＷの裏面に研削液、例えば水が供給される。
　加工装置１には、制御部１２０が設けられている。制御部１２０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、加工装置１におけるウェハＷの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理ユニットや搬送装置などの駆動系の動作を制御して、加工装置１における後述の加工処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御部１２０にインストールされたものであってもよい。
　なお、処理ステーション３には、ウェハＷのテープ層Ｐの厚みを測定するテープ厚測定ユニット（図示せず）と、ウェハＷの総厚みを測定する総厚測定ユニット（図示せず）とがさらに設けられている。
　テープ厚測定ユニットは、例えばアライメントユニット６０と受渡位置Ａ０の間に設けられ、当該アライメントユニット６０から受渡位置Ａ０に搬送中の、搬送ユニット５０の搬送パッド５２に保持されたウェハＷのテープ層Ｐの厚みを測定する。テープ厚測定ユニットには公知の測定器を用いることができ、例えば白色共焦点（コンフォーカル）式の光学系センサが用いられる。
　総厚測定ユニットは、例えば各研削ユニット９０、１００、１１０にそれぞれ設けられる。総厚測定ユニットには公知の測定器を用いることができ、例えば接触式の測定器が用いられる。各研削ユニット９０、１００、１１０では、総厚測定ユニットで測定されたウェハＷの総厚みから、テープ厚測定ユニットで測定されたテープ層Ｐの厚みと、予め既知となっているデバイス層Ｄの厚みとを差し引いて、シリコン層Ｓの厚みを算出することができる。なお、各研削ユニット９０、１００、１１０では、例えば非接触式の測定器を用いて、シリコン層Ｓの厚みを直接測定してもよい。
　次に、以上のように構成された加工装置１を用いて行われる加工処理について説明する。
　先ず、複数のウェハＷを収納したカセットＣが、搬入出ステーション２のカセット載置台１０に載置される。カセットＣには、テープ層Ｐが変形するのを抑制するため、当該テープ層Ｐが設けられたウェハＷの非加工面Ｗ２が上側を向くようにウェハＷが収納されている。
　次に、ウェハ搬送装置３２の搬送フォーク３３によりカセットＣ内のウェハＷが取り出され、処理ステーション３に搬送される。この際、搬送フォーク３３によりウェハＷの加工面Ｗ１が上側に向くように、表裏面が反転される。
　処理ステーション３に搬送されたウェハＷは、アライメントユニット６０に受け渡される。そして、アライメントユニット６０において、ウェハＷの水平方向の向きが調節される（図３の工程Ｔ１）。
　次に、ウェハＷが搬送ユニット５０によって搬送中、テープ厚測定ユニットによって、テープ層Ｐの厚みが測定される。テープ厚測定ユニットの測定結果は、制御部１２０に出力される。
　次に、ウェハＷは搬送ユニット５０により、アライメントユニット６０から受渡位置Ａ０に搬送され、当該受渡位置Ａ０のチャック４１に受け渡される。その後、チャック４１を第１の加工位置Ａ１に移動させる。そして、粗研削ユニット９０によって、ウェハＷの加工面Ｗ１が粗研削される（図３の工程Ｔ２）。
　工程Ｔ２において、粗研削部９１（粗研削砥石）の下降及び当該粗研削部９１による加工面Ｗ１の研削は、複数のステップに分けて行われる。各ステップでは、粗研削砥石の下降速度が異なる。ステップ数は特に限定されるものではないが、例えば１～５から任意に選択される。例えば第１のステップはいわゆるエアカットを含むステップであり、第２のステップ以降は粗研削砥石の下降速度を変化させて行われる。また、粗研削砥石が下降するこれら複数のステップが行われると、その後、いわゆるスパークアウト（粗研削砥石の下降が停止するが、当該粗研削砥石が回転し続ける状態）とエスケープカット（粗研削砥石が上昇するが、当該粗研削砥石が回転し続ける状態）が続けて行われる。なお、後述する工程Ｔ３の中研削と工程Ｔ４の仕上研削においても、これら複数のステップ、スパークアウト、エスケープカットが行われる。
　また、工程Ｔ２では、総厚測定ユニットによってウェハＷの総厚みが測定され、当該総厚測定ユニットの測定結果は制御部１２０に出力される。制御部１２０では、ウェハＷの総厚みと、テープ層Ｐの厚み及びデバイス層Ｄの厚みとに基づいて、シリコン層Ｓの厚みが算出される。なお、後述する工程Ｔ３の中研削と工程Ｔ４の仕上研削においても、ウェハＷの総厚みが測定され、シリコン層Ｓの厚みが算出される。
　次に、チャック４１を第２の加工位置Ａ２に移動させる。そして、中研削ユニット１００によって、ウェハＷの加工面Ｗ１が中研削される（図３の工程Ｔ３）。
　次に、チャック４１を第３の加工位置Ａ３に移動させる。そして、仕上研削ユニット１１０によって、ウェハＷの加工面Ｗ１が仕上研削される（図３の工程Ｔ４）。
　次に、チャック４１を受渡位置Ａ０に移動させる。ここでは、洗浄液ノズル（図示せず）を用いて、ウェハＷの加工面Ｗ１が洗浄液によって粗洗浄される（図３の工程Ｔ５）。この工程Ｔ５では、加工面Ｗ１の汚れをある程度まで落とす洗浄が行われる。
　次に、ウェハＷは搬送ユニット５０により、受渡位置Ａ０から第２の洗浄ユニット８０に搬送される。そして、第２の洗浄ユニット８０では、ウェハＷが搬送パッド５２に保持された状態で、ウェハＷの非加工面Ｗ２（テープ層Ｐ）が洗浄し、乾燥される（図３の工程Ｔ６）。
　次に、ウェハＷは搬送ユニット５０によって、第２の洗浄ユニット８０から第１の洗浄ユニット７０に搬送される。そして、第１の洗浄ユニット７０では、洗浄液ノズル（図示せず）を用いて、ウェハＷの加工面Ｗ１が洗浄液によって仕上洗浄される（図３の工程Ｔ７）。この工程Ｔ７では、加工面Ｗ１が所望の清浄度まで洗浄し乾燥される。
　その後、すべての処理が施されたウェハＷは、ウェハ搬送装置３２の搬送パッド３４によってカセット載置台１０のカセットＣに搬送される。こうして、加工装置１における一連の加工処理が終了する。
　次に、上述した表示パネル２０に表示される条件入力画面と状態表示画面について説明する。
　先ず、表示パネル２０に表示される条件入力画面について説明する。条件入力画面は、ウェハＷを加工する際の加工条件を入力するための画面である。本実施形態では、条件入力画面として２種類の画面を備え、すなわち加工位置Ａ１～Ａ３（粗研削～仕上研削）に共通の加工条件を入力するための共通条件入力画面と、各加工位置Ａ１～Ａ３（粗研削～仕上研削）での加工条件を入力するための個別条件入力画面とを備える。
　先ず、共通条件入力画面について説明する。図４～図７に示すように共通条件入力画面には、入力項目の一覧表（画面左側）と、ウェハの概略図（画面右側）とが表示される。なお、表と概略図の入力値は互いにリンクしており、いずれか一方に入力された値は、他方に反映される。すなわち、概略図には、加工条件の入力値が関連付けて表示される。
　ウェハ径には、例えば“８”インチ又は“１２”インチを選択（例えばドロップダウン）して入力する。シリコン層厚み基準値、デバイス層厚み基準値、テープ層厚み基準値のそれぞれには、加工前のウェハにおける厚みを入力する。
　研削量指定方法には、例えば４つの方法がある。１つ目は、シリコン層の厚みを基準に研削量を指定する方法であり、図４に示すように入力欄には“Ｓｉ厚”と入力する。２つ目は、ウェハの総厚みを基準に研削量を指定する方法であり、図５に示すように入力欄には“総厚”と入力する。３つ目は、シリコン層の上面を基準に研削量を指定する方法であり、図６に示すように入力欄には“Ｓｉ上面”と入力する。４つ目は、研削砥石の送り量を基準に研削量を指定する方法であり、図７に示すように入力欄には“送り量”と入力する。共通条件入力画面では、画面左側の表の入力欄に“Ｓｉ厚”、“総厚”、“Ｓｉ上面”、“送り量”を入力すると、画面右側のウェハの概略図には、研削量指定方法に応じた図４～図７のいずれかの概略図が表示される。なお、入力は、“Ｓｉ厚”、“総厚”、“Ｓｉ上面”、“送り量”から選択（例えばドロップダウン）できるようになっている。
　上述した研削量指定方法によって、仕上げ厚、Ａ１研削量、Ａ２研削量、Ａ３研削量の入力方法が異なる。なお、Ａ１研削量は、第１の加工位置Ａ１で粗研削を行う際の研削量であり、Ａ２研削量は、第２の加工位置Ａ２で中研削を行う際の研削量であり、Ａ３研削量は、第３の加工位置Ａ３で仕上研削を行う際の研削量である。
　例えば図４に示すように研削量指定方法を“Ｓｉ厚”とした場合、仕上げ厚、Ａ２研削量、Ａ３研削量を入力する。ここでの仕上げ厚は、加工位置Ａ１～Ａ３で粗研削～仕上研削を行った後の、最終的なシリコン層の厚みである。各項目の入力は、画面左側の表の入力欄に行ってもよいし、画面右側の概略図の入力欄に行ってもよい。Ａ１研削量は、下記式（１）のとおり、シリコン層厚み基準値みから、仕上げ厚、Ａ２研削量及びＡ３研削量を差し引いて、自動計算される。
Ａ１研削量＝シリコン層厚み基準値－（仕上げ厚＋Ａ２研削量＋Ａ３研削量）　・・・（１）
　例えば図５に示すように研削量指定方法を“総厚”とした場合、仕上げ厚、Ａ２研削量、Ａ３研削量を入力する。ここでの仕上げ厚は、加工位置Ａ１～Ａ３で粗研削～仕上研削を行った後の最終的なシリコン層の厚みと、デバイス層の厚み及びテープ層の厚みとを足し合わせたものである。それぞれの入力は、画面左側の表の入力欄に行ってもよいし、画面右側の概略図の入力欄に行ってもよい。Ａ１研削量は、下記式（２）のとおり、シリコン層厚み基準値、デバイス層厚み基準値及びテープ層厚み基準値を足し合わせたウェハの総厚みから、仕上げ厚、Ａ２研削量及びＡ３研削量を差し引いて、自動計算される。
Ａ１研削量＝（シリコン層厚み基準値＋デバイス層厚み基準値＋テープ層厚み基準値）－（仕上げ厚＋Ａ２研削量＋Ａ３研削量）　・・・（２）
　例えば図６に示すように研削量指定方法を“Ｓｉ上面”とした場合、Ａ１研削量、Ａ２研削量、Ａ３研削量を入力する。これにより、各研削量が設定されるため、仕上げ厚の入力は不要である。
　例えば図７に示すように研削量指定方法を“送り量”とした場合、仕上げ厚、Ａ２研削量、Ａ３研削量を入力する。送り量としては、研削砥石のセットアップ位置から何μｍの位置まで、当該研削砥石を下降させるかを指定する。図示の例では、例えば図５に示した“総厚”の場合と同様の方法となる。
　次に、個別条件入力画面について説明する。個別条件入力画面は、加工位置Ａ１～Ａ３（粗研削～仕上研削）毎に表示され、例えば図４～図７に示した共通条件入力画面の右側の概略図における、“Ａ１”、“Ａ２”、“Ａ３”をクリックすることで表示される。
　図８は、共通条件入力画面の研削量指定方法を“Ｓｉ層”と指定した場合の、加工位置“Ａ１”の個別条件入力画面を示している。なお、実際には個別条件入力画面として、研削量指定方法（４個）と加工位置（３個）の組み合わせ（合計１２個）毎の画面が表示されるが、これらの画面は図８と同様であるので、ここでは説明を省略する。
　図８に示すように個別条件入力画面には、入力項目の一覧表（画面左側）と、研削砥石とチャックの回転方向の関係を示す概略図（画面右上側）と、ウェハの概略図（画面右下側）とが表示される。なお、表と概略図の入力値は互いにリンクしており、いずれか一方に入力された値は、他方に反映される。すなわち、概略図には、加工条件の入力値が関連付けて表示される。
　ウェハ径には、共通条件入力画面されたウェハ径が自動で表示される。加工予定時間には、後述するステップ１～３、スパークアウト、エスケープカットの時間を足し合わせて自動計算されて表示される。研削水流量には、研削中の研削水の流量を入力する。この研削水流量の入力は、画面左側の表の入力欄に行ってもよいし、画面右下側の概略図の入力欄に行ってもよい。研削砥石回転数には、研削砥石の回転数を入力する。研削砥石回転方向には、ＣＷ（時計方向、軸側から見て右回転）又はＣＣＷ（反時計方向、軸側から見て左回転）のいずれかを入力する。この研削砥石回転方向の入力は、画面左側の表の入力欄に行ってもよいし、画面右上側の概略図の矢印をクリックすることで行ってもよい。
　研削工程では、上述したようにエアカットを含む複数のステップ、スパークアウト、エスケープカットが行われる。個別条件入力画面では、それぞれの条件を入力する。
　ステップ数には、例えば１～５の値を入力する。そして、この入力されたステップ数は、画面右下図の概略図に反映される。図８の例では、ステップ数として“３”が入力されたため、概略図には、ステップ１～３が図示される。なお、ステップ１は、エアカットを含むステップである。
　各ステップ１～３の条件としては、エアカット位置、ステップ２の研削量、ステップ３の研削量をそれぞれ入力する。これらの入力は、画面左側の表の入力欄に行ってもよいし、画面右下側の概略図の入力欄に行ってもよい。ステップ１の研削量は、エアカット位置、ステップ２の研削量、ステップ３の研削量から自動計算されて、表と概略図に表示される。また、エリアは、シリコン層の下面を０（ゼロ）とした場合の高さ位置を示し、このエリアもエアカット位置、ステップ２の研削量、ステップ３の研削量から自動計算されて、表と概略図に表示される。
　各ステップ１～３の条件としては、他に、研削砥石の下降速度、チャック回転数、チャック回転方向を入力する。処理時間は、研削量と下降速度から自動計算される。なお、チャック回転方向には、ＣＷ又はＣＣＷのいずれかを入力する。このチャック回転方向の入力は、画面左側の表の入力欄に行ってもよいし、画面右上側の概略図の矢印をクリックすることで行ってもよい。
　スパークアウトの条件としては、時間とチャック回転数を入力する。チャック回転数は、時間とチャック回転数から自動計算される。なお、時間とチャック回転数の入力は、画面左側の表の入力欄に行ってもよいし、画面右下側の概略図の入力欄に行ってもよい。
　エスケープカットの条件としては、研削砥石の移動量、研削砥石の上昇速度、チャック回転数を入力する。時間は、移動量と上昇速度から自動計算される。なお、移動量の入力は、画面左側の表の入力欄に行ってもよいし、画面右下側の概略図の入力欄に行ってもよい。
　なお、上述した共通条件入力画面と個別条件入力画面は一例であり、入力する加工条件はこれに限定されるものではない。また、図４～図８の例においては、概略図における入力欄を一部の加工条件に特定したが、概略図の入力欄はこれに限定されるものではなく、適宜設定することができる。さらに、本実施形態では、共通条件入力画面と個別条件入力画面を別の画面としたが、これらを１つの画面としてもよい。
　本実施形態の条件入力画面によれば、入力用の表とともに概略図を表示し、一部の入力値は表と概略図の両方に表示されるようになっている。このため、オペレーターは視覚的に入力された値を確認することができ、加工条件と実際の加工処理の関連が分かりやすくなる。その結果、条件入力画面における視認性が向上し、加工条件を入力する際の操作性を向上させることができ、誤入力を抑制することができる。また、条件入力画面では、概略図の入力欄に加工条件を直接入力することもでき、これにより誤入力をさらに抑制することができる。
　なお、条件入力画面において、加工条件の入力ミスがあった場合には、警告が表示されるようにしてもよい。警告としては、例えば入力ミスがあった項目をハイライトするなど強調表示してもよいし、また入力ミスの内容をメッセージ表示してもよい。入力ミスとしては種々考えられるが、例えば研削量の入力では、目標値より多く研削するような値が入力されると、入力ミスと判断される。また、例えば研削砥石とチャックの回転方向の入力では、これら研削砥石とチャックの回転方向が同じ方向であると、入力ミスと判断される。このように警告を表示することで、加工条件の誤入力をさらに抑制することができる。
　次に、表示パネル２０に表示される状態表示画面について説明する。状態表示画面は、加工中のウェハＷの状態を表示する画面である。本実施形態では、状態表示画面として２種類の画面を備え、すなわち加工位置Ａ１～Ａ３（粗研削～仕上研削）において、現状どの処理工程が行われているかを示す全体状態表示画面と、各加工位置Ａ１～Ａ３（粗研削～仕上研削）で加工中のウェハＷの状態を表示する個別状態表示画面とを備える。
　先ず、全体状態表示画面について説明する。図９に示すように全体状態表示画面には、処理ステーションにおける回転テーブルの各位置Ａ０～Ａ３を示す概略図と、各加工位置Ａ１～Ａ３における加工処理の進行度合いを示す一覧表が表示される。各表には、項目としてステップ１～３、スパークアウト、エスケープカットが表示され、処理が終了した項目には“○”が表示される。図９の例においては、第１の加工位置Ａ１においてステップ１、２に“○”が表示されており、これらステップ１、２が終了したことを示す。
　次に、個別状態表示画面について説明する。個別状態表示画面では、各加工位置Ａ１～Ａ３において、さらに詳細な加工処理の進行度合いを示す。個別状態表示画面は、加工位置Ａ１～Ａ３（粗研削～仕上研削）毎に表示され、例えば図９に示した全体状態表示画面の概略図における、“Ａ１”、“Ａ２”、“Ａ３”をクリックすることで表示される。
　図１０は、第１の加工位置Ａ１における個別状態表示画面を示している。なお、他の加工位置Ａ２、Ａ３に対しても、同様の個別状態表示画面が表示される。個別状態表示画面には、一覧表（画面左側）とウェハの概略図（画面右側）とが表示される。
　表には、ステップ１の研削量、ステップ２の研削量、ステップ３の研削量、及びエスケープカットにおける研削砥石の移動量のそれぞれについて、設定値（目標値）と測定値が表示される。設定値は、条件入力画面で入力されて設定された値である。測定値は、テープ厚測定ユニットと総厚測定ユニットの測定結果から算出される値である。
　ウェハの概略図には、測定値に基づいて各層が表示される。すなわち、研削が進むにしたがって各層の厚みは小さくなるが、その厚みが小さくなる状態がリアルタイムで図示される。図１０の例においては、ステップ１、２が終了しているため、当該ステップ１、２に対応するシリコン層は点線で表示され、ステップ３に対応するシリコン層のうち研削済みの部分は点線で表示され、未研削の部分は実線で表示されている。また、ウェハの概略図には、測定値も関連付けて表示される。
　なお、上述した全体状態表示画面と個別状態表示画面は一例であり、表示画面はこれに限定されるものではない。また、本実施形態では、全体状態表示画面と個別状態表示画面を別の画面としたが、これらを１つの画面としてもよい。
　本実施形態の状態表示画面によれば、加工中のウェハの状態（測定値）が、表とともに概略図に表示されるので、表示性が向上する。そしてオペレーターは、視覚的に加工処理の進行度合いを確認することができる。
　以上の実施形態では、表示パネル２０において条件入力画面と状態表示画面を表示する場合について説明したが、表示パネル２０では、さらに別の画面を表示するようにしてもよい。例えば表示パネル２０では、条件入力画面で入力された加工条件を確認するための条件確認画面を表示してもよい。条件確認画面は、例えば図４～図８に示したような画面であればよく、但し編集はできない画面である。
　以上の実施形態では、ウェハＷにはデバイス層Ｄを保護するためにテープ層Ｐが設けられていたが、デバイス層Ｄの保護材はこれに限定されない。例えばウェハＷには、支持ウェハやガラス基板などの支持基板が貼り合せられていてもよく、かかる場合でも本発明を適用することができる。
　また、加工装置１の構成も上記実施形態に限定されない。例えば処理ステーション３の研削ユニットの１つを研磨ユニットに代えてもよい。あるいは、加工装置１には、研削加工後のウェハＷに後処理を行う後処理装置が設けられていてもよい。
　以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
　　１　　　加工装置
　　２　　　搬入出ステーション
　　３　　　処理ステーション
　　２０　　表示パネル
　　４１　　チャック
　　９０　　粗研削ユニット
　　１００　中研削ユニット
　　１１０　仕上研削ユニット
　　１２０　制御部
　　Ｄ　　　デバイス層
　　Ｐ　　　テープ層
　　Ｓ　　　シリコン層
　　Ｗ　　　ウェハ

Claims (8)

  1. 基板を加工する加工装置であって、
    基板を保持する基板保持部と、
    前記基板保持部に保持された基板の加工面を加工する加工部と、
    基板の概略図を表示すると共に、基板を加工する際の加工情報を前記概略図に関連付けて表示する表示部と、を有する。
  2. 請求項１に記載の加工装置において、
    前記表示部は、基板の概略図に加え、少なくとも前記基板保持部又は前記加工部の概略図を表示する。
  3. 請求項１に記載の加工装置において、
    前記加工情報は、基板を加工する際に設定される加工条件であって、
    前記表示部は、前記加工条件を入力するための条件入力画面を有し、
    前記条件入力画面では、入力された前記加工条件を前記概略図に関連付けて表示する。
  4. 請求項３に記載の加工装置において、
    前記加工部は複数設けられ、
    前記条件入力画面は、複数の前記加工部に共通の前記加工条件を入力するための共通条件入力画面と、前記加工部の個別の前記加工条件を入力するための個別条件入力画面と、を有する。
  5. 請求項３に記載の加工装置において、
    前記条件入力画面において、前記概略図に前記加工条件を入力可能である。
  6. 請求項３に記載の加工装置において、
    前記条件入力画面において、前記加工条件の入力ミスがあった場合に警告が表示される。
  7. 請求項１に記載の加工装置において、
    前記加工情報は、加工中の基板の状態を測定した測定値であって、
    前記表示部は、前記測定値を前記概略図に関連付けて表示する状態表示画面を有する。
  8. 請求項７に記載の加工装置において、
    前記加工部は、複数のステップで基板の加工面を加工し、
    前記状態表示画面は、前記複数のステップ毎に前記測定値を前記概略図に関連付けて表示する。
PCT/JP2019/003814 2018-02-16 2019-02-04 加工装置 WO2019159735A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020500398A JP7261786B2 (ja) 2018-02-16 2019-02-04 加工装置
CN201980012389.2A CN111712768B (zh) 2018-02-16 2019-02-04 加工装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018025702 2018-02-16
JP2018-025702 2018-11-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019159735A1 true WO2019159735A1 (ja) 2019-08-22

Family

ID=67619914

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2019/003814 WO2019159735A1 (ja) 2018-02-16 2019-02-04 加工装置

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP7261786B2 (ja)
TW (1) TWI816749B (ja)
WO (1) WO2019159735A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111843675A (zh) * 2020-07-15 2020-10-30 郑州龙华机电工程有限公司 一种电力设备在线监测系统
KR102593254B1 (ko) * 2023-02-27 2023-10-25 주식회사 베셀 반도체 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 제조 방법

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000326223A (ja) * 1999-05-14 2000-11-28 Hitachi Ltd 半導体基板の研磨装置、および研磨条件設定方法
JP2002126975A (ja) * 2000-10-26 2002-05-08 Hitachi Seiki Co Ltd 固定サイクル指令作成支援方法およびｎｃ装置
JP2009206206A (ja) * 2008-02-26 2009-09-10 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置
JP2010251524A (ja) * 2009-04-15 2010-11-04 Disco Abrasive Syst Ltd 洗浄機構
JP2011218450A (ja) * 2010-04-05 2011-11-04 Disco Corp 加工装置
JP2013056388A (ja) * 2011-09-08 2013-03-28 Disco Corp 加工装置
JP2015016529A (ja) * 2013-07-11 2015-01-29 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨状態監視方法
JP2016015042A (ja) * 2014-07-02 2016-01-28 株式会社ディスコ 加工装置
JP2017140657A (ja) * 2016-02-08 2017-08-17 株式会社ディスコ 研削装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6334052A (ja) * 1986-07-25 1988-02-13 Okuma Mach Works Ltd 数値制御研削盤における加工状態表示方式
TW309503B (ja) * 1995-06-27 1997-07-01 Tokyo Electron Co Ltd
JP2003140716A (ja) 2001-10-29 2003-05-16 Okamoto Machine Tool Works Ltd 対話型数値制御装置への加工条件データ入力方法
KR102044617B1 (ko) * 2015-03-31 2019-11-13 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기록 매체
JP6611652B2 (ja) * 2016-03-30 2019-11-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の管理方法、及び基板処理システム

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000326223A (ja) * 1999-05-14 2000-11-28 Hitachi Ltd 半導体基板の研磨装置、および研磨条件設定方法
JP2002126975A (ja) * 2000-10-26 2002-05-08 Hitachi Seiki Co Ltd 固定サイクル指令作成支援方法およびｎｃ装置
JP2009206206A (ja) * 2008-02-26 2009-09-10 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置
JP2010251524A (ja) * 2009-04-15 2010-11-04 Disco Abrasive Syst Ltd 洗浄機構
JP2011218450A (ja) * 2010-04-05 2011-11-04 Disco Corp 加工装置
JP2013056388A (ja) * 2011-09-08 2013-03-28 Disco Corp 加工装置
JP2015016529A (ja) * 2013-07-11 2015-01-29 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨状態監視方法
JP2016015042A (ja) * 2014-07-02 2016-01-28 株式会社ディスコ 加工装置
JP2017140657A (ja) * 2016-02-08 2017-08-17 株式会社ディスコ 研削装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111843675A (zh) * 2020-07-15 2020-10-30 郑州龙华机电工程有限公司 一种电力设备在线监测系统
CN111843675B (zh) * 2020-07-15 2021-09-07 郑州龙华机电工程有限公司 一种电力设备在线监测系统
KR102593254B1 (ko) * 2023-02-27 2023-10-25 주식회사 베셀 반도체 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN111712768A (zh) 2020-09-25
JP7261786B2 (ja) 2023-04-20
TWI816749B (zh) 2023-10-01
TW201937585A (zh) 2019-09-16
JPWO2019159735A1 (ja) 2021-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102607483B1 (ko) 기판 처리 시스템, 기판 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체
JP6937370B2 (ja) 研削装置、研削方法及びコンピュータ記憶媒体
WO2019159735A1 (ja) 加工装置
JP2018122421A (ja) 加工装置
JP5357477B2 (ja) 研削方法および研削装置
JP2013193156A (ja) 研削装置、及び、研削方法
JP6707357B2 (ja) 研削装置
JP2011143516A (ja) 加工装置
WO2019151041A1 (ja) 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体
CN111712768B (zh) 加工装置
JP6968201B2 (ja) 基板処理システム、基板処理方法及びコンピュータ記憶媒体
JP7469903B2 (ja) 加工装置
JP2018117003A (ja) ウェーハ加工装置
WO2021095586A1 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP5473736B2 (ja) 研削装置の運転方法
JP2020009849A (ja) 基板処理システム及び基板処理方法
US20230060918A1 (en) Processing method and processing apparatus
JP2022032755A (ja) 加工システム及び加工方法
JP2016127118A (ja) 加工装置
CN117995713A (zh) 加工装置
KR20240064527A (ko) 가공 장치
KR20210102336A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2022116649A (ja) 加工装置
JP2022097831A (ja) 研削装置及び研削装置の駆動方法
JP2022073032A (ja) 加工装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19755251

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2020500398

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19755251

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1