TW201937585A - 加工裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明的課題在於：使加工裝置之顯示部中的易辨性提高，並使加工條件之輸入的操作性提高。
依本發明之加工基板的加工裝置，包含：基板固持部，固持基板；加工部，將固持於基板固持部之基板的加工面進行加工；及顯示部，顯示基板的概略圖，並同時將加工基板時的加工資訊賦予關連而顯示於概略圖。顯示部包含用於輸入加工條件的條件輸入畫面，在條件輸入畫面中，係將已輸入的加工條件賦予關連而顯示於概略圖。
依本發明之加工基板的加工裝置，包含：基板固持部，固持基板；加工部，將固持於基板固持部之基板的加工面進行加工；及顯示部，顯示基板的概略圖，並同時將加工基板時的加工資訊賦予關連而顯示於概略圖。顯示部包含用於輸入加工條件的條件輸入畫面，在條件輸入畫面中，係將已輸入的加工條件賦予關連而顯示於概略圖。
Description
本發明係關於一種加工基板的加工裝置。
近年來，在半導體元件的製程中，係對於在表面形成有複數電子電路等元件的半導體晶圓(以下，稱為晶圓)，進行研磨該晶圓的背面，以薄化晶圓。
晶圓之背面的研磨，例如藉由加工裝置進行，其包含：夾頭，固持晶圓之表面並自由旋轉；研磨輪，呈環狀且自由旋轉，並具備研磨固持於夾頭之晶圓背面的研磨磨石。在此加工裝置中，係藉由一邊使夾頭(晶圓)及研磨輪(研磨磨石)旋轉，一邊使研磨磨石按壓至晶圓之背面，以研磨該晶圓之背面。
又，例如，在專利文獻1已提出更包含有用於輸入加工條件的觸碰操作面板的加工裝置。此觸碰操作面板至少顯示加工條件設定畫面，其配置有輸入加工條件之數値資料的一個或複數輸入欄。接著，若操作員觸碰在觸碰操作面板上所顯示之期望輸入數値資料的輸入欄，則在輸入欄的附近會顯示數値輸入用的圓形影像，操作員係觸碰圓形影像的外周部並藉由沿著外周往第一方向滑動而增加輸入欄的數値，藉由往與第一方向相反之第二方向滑動而減少輸入欄的數値。
[習知技術文獻]
[專利文獻]
[習知技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2016-15042號公報
[發明所欲解決之問題]
然而，在上述專利文獻1所記載之觸碰操作面板中僅顯示了輸入項目的名稱，故難以知曉該名稱與實際加工處理的關聯性，因而會有操作員將錯誤的條件輸入至輸入欄的疑慮。並且，輸入項目係以複數並列的方式顯示，故因操作員而造成之輸入錯誤的可能性較高。因此，以往的觸碰操作面板尚有改善的餘地。
本發明係鑑於上述情事而完成者，其目的在於使加工裝置之顯示部中的易辨性提高，並使輸入加工條件的操作性提高。
[解決問題之技術手段]
[解決問題之技術手段]
解決上述課題之本發明的一態樣係加工基板的加工裝置，包含：基板固持部，固持基板；加工部，將固持於該基板固持部之基板的加工面進行加工；及顯示部，顯示基板的概略圖，並同時將加工基板時的加工資訊賦予關連而顯示於該概略圖。
[對照先前技術之功效]
[對照先前技術之功效]
若依本發明，則在加工裝置的顯示部中，可將加工基板時的加工資訊賦予關連並視覺化而顯示於基板的概略圖。因此，變得容易知曉加工資訊與加工處理的關聯性，並且可提高顯示部中的易辨性，例如可使輸入加工條件時的操作性提高。
以下，參照圖式說明本發明之實施態樣。又，在本說明書及圖式中，係藉由將實質上具有相同之功能構成的要素賦予相同的符號，而省略其重複說明。
首先，說明依本發明之實施態樣之加工裝置的構成。圖1係示意地顯示加工裝置1之構成概略的俯視圖。又，以下，為了明確地定義位置關係，故將互相垂直的X軸方向、Y軸方向及Z軸方向加以界定，並將Z軸正方向設為垂直向上的方向。
在本發明之實施態樣的加工裝置1中，係將圖2所示之作為基板的晶圓W薄化。晶圓W例如為矽晶圓的半導體晶圓，其具有將矽層S、元件層D、膠帶層P依此順序疊設之三層構造。矽層S係構成晶圓W本體的層。元件層D係具備複數電子電路等元件的層。膠帶層P係為了保護元件而在元件層D貼附有保護膠帶的層。又，在以下的說明中，將晶圓W中被加工的面(亦即矽層S的表面)稱為「加工面W1」，將與加工面W1相反側的面(亦即膠帶層P的表面)稱為「非加工面W2」。
如圖1所示，加工裝置1具有將搬入搬出站2及處理站3連接成一體的構成；該搬入搬出站2，例如在與外部之間將可收納複數晶圓W的晶圓匣盒C搬入搬出，該處理站3，係對晶圓W實施既定處理。搬入搬出站2與處理站3係在Y軸方向上並列配置。
在搬入搬出站2設有晶圓匣盒載置台10。在圖示的例子中，晶圓匣盒載置台10係在X軸方向上呈一列地自由載置複數例如四個晶圓匣盒C。
又，在搬入搬出站2中，例如在晶圓匣盒載置台10之Y軸負方向側的側面，設有作為顯示部的顯示面板20。顯示面板20係顯示用於輸入加工晶圓W時之加工條件(加工處理程序)的條件輸入畫面，或顯示加工中之晶圓W之狀態的狀態顯示畫面。
再者，在搬入搬出站2中，例如晶圓搬運區域30係在晶圓匣盒載置台10的Y軸正方向上與晶圓匣盒載置台10鄰接而設置。在晶圓搬運區域30設有在沿X軸方向延伸之搬運路31上自由移動的晶圓搬運裝置32。作為固持晶圓W的晶圓固持部，晶圓搬運裝置32包含搬運叉具33及搬運板34。搬運叉具33於其前端分支成2支，並吸附固持晶圓W。搬運叉具33例如搬運研磨處理前的晶圓W。搬運板34在俯視觀察下具有直徑長於晶圓W之直徑的圓形，並吸附固持晶圓W。搬運板34例如搬運研磨處理後的晶圓W。接著，該等搬運叉具33及搬運板34係分別在水平方向上、在垂直方向上、繞著水平軸及繞著垂直軸而自由移動。
在處理站3中係對晶圓W進行研磨或清洗等加工處理。處理站3包含：旋轉平台40、搬運單元50、對準單元60、第一清洗單元70、第二清洗單元80、作為加工部的粗研磨單元90、作為加工部的中研磨單元100及作為加工部的精研磨單元110。
旋轉平台40係藉由旋轉機構(未圖示)而自由旋轉。在旋轉平台40上設有四個作為吸附固持晶圓W之基板固持部的夾頭41。夾頭41係以均等亦即每隔90度的方式配置在與旋轉平台40同一圓周上。四個夾頭41可藉由旋轉平台40旋轉，而移動至傳遞位置A0及加工位置A1～A3。
在本發明之實施態樣中，傳遞位置A0係在旋轉平台40之X軸正方向側且Y軸負方向側的位置，第二清洗單元80、對準單元60及第一清洗單元70係並列配置於傳遞位置A0的Y軸負方向側。對準單元60與第一清洗單元70係從上方以此順序疊設而配置。第一加工位置A1係在旋轉平台40之X軸正方向側且Y軸正方向側的位置，並配置粗研磨單元90。第二加工位置A2係在旋轉平台40之X軸負方向側且Y軸正方向側的位置，並配置中研磨單元100。第三加工位置A3係在旋轉平台40之X軸負方向側且Y軸負方向側的位置，並配置精研磨單元110。
夾頭41被固持於夾頭基座42。夾頭41及夾頭基座42可藉由旋轉機構(未圖示)而旋轉。
搬運單元50係包含複數例如三個臂部51的多關節型機械臂。三個臂部51係分別自由迴旋。在前端的臂部51安裝有吸附固持晶圓W的搬運板52。又，基端的臂部51係安裝於使臂部51在垂直方向上移動的垂直移動機構53。接著，包含如此之構成的搬運單元50可對傳遞位置A0、對準單元60、第一清洗單元70、及第二清洗單元80搬運晶圓W。
在對準單元60中，係調節研磨處理前之晶圓W在水平方向上的方向。例如，一邊使固持於旋轉夾頭(未圖示)的晶圓W旋轉，一邊藉由偵測部(未圖示)偵測晶圓W之切口部的位置，藉此調節該切口部的位置，乃至調節晶圓W在水平方向上的方向。
在第一清洗單元70中，係清洗研磨處理後之晶圓W的加工面W1，更具體而言，係進行旋轉清洗。例如，一邊使固持於旋轉夾頭(未圖示)之晶圓W旋轉，一邊將清洗液從清洗液噴嘴(未圖示)供給至晶圓W的加工面W1。如此一來，供給之清洗液會在加工面W1上擴散，以清洗該加工面W1。
在第二清洗單元80中，係在研磨處理後之晶圓W被固持於搬運板52之狀態下，清洗晶圓W之非加工面W2亦即膠帶層P，並同時清洗搬運板52。
在粗研磨單元90中，係粗研磨晶圓W的加工面W1。粗研磨單元90包含粗研磨部91，其具備呈環狀且自由旋轉的粗研磨磨石(未圖示)。又，粗研磨部91可沿著支柱92在垂直方向及水平方向上移動。接著，在使固持於夾頭41之晶圓W的加工面W1與粗研磨磨石抵接的狀態下，分別使夾頭41及粗研磨磨石旋轉，並藉由進一步使粗研磨磨石下降，而粗研磨晶圓W的加工面W1。又，此時，研磨液例如水會被供給至晶圓W的背面。
在中研磨單元100中，係中研磨晶圓W的加工面W1。中研磨單元100包含中研磨部101，其具備呈環狀且自由旋轉的中研磨磨石(未圖示)。又，中研磨部101可沿著支柱102而在垂直方向及水平方向上移動。又，中研磨磨石之磨粒的粒度小於粗研磨磨石之磨粒的粒度。接著，在使固持於夾頭41之晶圓W的加工面W1與中研磨磨石抵接的狀態下，分別使夾頭41及中研磨磨石旋轉，並藉由進一步使中研磨磨石下降，而中研磨加工面W1。又，此時，研磨液例如水會被供給至晶圓W的背面。
在精研磨單元110中，係精研磨晶圓W的加工面W1。精研磨單元110包含精研磨部111，其具備呈環狀且自由旋轉的精研磨磨石(未圖示)。又，精研磨部111可沿著支柱112而在垂直方向及水平方向上移動。又，精研磨磨石之磨粒的粒度小於中研磨磨石之磨粒的粒度。接著，在使固持於夾頭41之晶圓W的加工面W1與精研磨磨石抵接的狀態下，分別使夾頭41及精研磨磨石旋轉，並藉由進一步使精研磨磨石下降，而精研磨加工面W1。又，此時，研磨液例如水會被供給至晶圓W的背面。
在加工裝置1設有控制部120。控制部120例如為電腦，其具有程式儲存部(未圖示)。在程式儲存部中，係將控制加工裝置1中之晶圓W處理的程式加以儲存。又，在程式儲存部中，亦將用於控制上述各種處理單元或搬運裝置等驅動系統的動作，而使加工裝置1中之後述的加工處理實現的程式加以儲存。又，該程式可儲存於例如：電腦可讀取之硬碟(HD)、軟性磁碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)及記憶卡等電腦可讀取之記錄媒體H，亦可從該記錄媒體H安裝至控制部120。
又，在處理站3更設有：膠帶厚測量單元(未圖示)，測量晶圓W之膠帶層P的厚度；及總厚度測量單元(未圖示)，測量晶圓W的總厚度。
膠帶厚測量單元例如設於對準單元60與傳遞位置A0之間，並測量從該對準單元60搬運至傳遞位置A0中的固持於搬運單元50之搬運板52的晶圓W之膠帶層P的厚度。在膠帶厚測量單元可使用習知的測量器，例如，使用白光共焦(confocal)式的光學系統感測器。
總厚度測量單元例如分別設於各研磨單元90、100、110。在總厚度測量單元可使用習知的測量器，例如，使用接觸式的測量器。在各研磨單元90、100、110中，可從藉由總厚度測量單元所測得之晶圓W的總厚度，減去藉由膠帶厚測量單元所測得之膠帶層P的厚度及預先已知的元件層D的厚度，而計算矽層S的厚度。又，在各研磨單元90、100、110中，亦可使用例如非接觸式的測量器，而直接測量矽層S的厚度。
接著，說明使用如上述般構成之加工裝置1而進行的加工處理。
首先，收納有複數晶圓W的晶圓匣盒C係載置於搬入搬出站2的晶圓匣盒載置台10。在晶圓匣盒C中，為了抑制膠帶層P變形之情形，係以將設有該膠帶層P之晶圓W的非加工面W2朝向上側的方式收納晶圓W。
接著，藉由晶圓搬運裝置32的搬運叉具33取出晶圓匣盒C內的晶圓W，並搬運至處理站3。此時，以藉由搬運叉具33將晶圓W之加工面W1朝向上側的方式，翻轉表面及背面。
搬運至處理站3的晶圓W會傳遞至對準單元60。接著，在對準單元60中，調節晶圓W在水平方向上的方向(圖3的步驟T1)。
接著，在晶圓W藉由搬運單元50搬運中。藉由膠帶厚測量單元測量膠帶層P的厚度。膠帶厚測量單元的測量結果係輸出至控制部120。
接著，晶圓W係藉由搬運單元50從對準單元60搬運至傳遞位置A0，再傳遞至該傳遞位置A0的夾頭41。其後，使夾頭41移動至第一加工位置A1。接著，藉由粗研磨單元90，粗研磨晶圓W的加工面W1(圖3的步驟T2)。
在步驟T2中，粗研磨部91(粗研磨磨石)的下降及藉由該粗研磨部91所進行之加工面W1的研磨係分成複數步驟進行。在各步驟中粗研磨磨石的下降速度不同。步驟數並未特別限定，例如可從1～5任意選擇。例如，第一步驟係包含所謂安全進刃(air cut)的步驟，第二步驟以後，係使粗研磨磨石的下降速度變化而加以進行。又，使粗研磨磨石下降之該等複數步驟進行後，其後，繼續進行所謂的表面修整(spark out)(粗研磨磨石的下降停止，但該粗研磨磨石持續旋轉的狀態)及安全退刃(escape cut)(粗研磨磨石上升，但該粗研磨磨石持續旋轉的狀態)。又，在後述之步驟T3的中研磨及步驟T4的精研磨中，亦進行該等複數步驟、表面修整及安全退刃。
又，在步驟T2中，藉由總厚度測量單元測量晶圓W的總厚度，並將該總厚度測量單元的測量結果輸出至控制部120。在控制部120中，係基於晶圓W的總厚度、膠帶層P的厚度及元件層D的厚度，而計算矽層S的厚度。又，在後述之步驟T3的中研磨及步驟T4的精研磨中，亦測量晶圓W的總厚度，以計算矽層S的厚度。
之後，使夾頭41移動至第二加工位置A2。接著，藉由中研磨單元100而中研磨晶圓W的加工面W1(圖3的步驟T3)。
之後，使夾頭41移動至第三加工位置A3。接著，藉由精研磨單元110而精研磨晶圓W 加工面W1(圖3的步驟T4)。
之後，使夾頭41移動至傳遞位置A0。此處係使用清洗液噴嘴(未圖示)而藉由清洗液粗清洗晶圓W的加工面W1(圖3的步驟T5)。在此步驟T5中，係進行使加工面W1的污漬脫落至一定程度的清洗。
之後，藉由搬運單元50將晶圓W從傳遞位置A0搬運至第二清洗單元80。接著，在第二清洗單元80中，係在晶圓W固持於搬運板52的狀態下，清洗晶圓W的非加工面W2(膠帶層P)並加以乾燥(圖3的步驟T6)。
之後，藉由搬運單元50將晶圓W從第二清洗單元80搬運至第一清洗單元70。接著，在第一清洗單元70中，係使用清洗液噴嘴(未圖示)而藉由清洗液精清洗晶圓W的加工面W1(圖3的步驟T7)。在此步驟T7中，係將加工面W1清洗至所期望的潔淨度並加以乾燥。
其後，藉由晶圓搬運裝置32的搬運板34將實施完所有處理的晶圓W，搬運至晶圓匣盒載置台10的晶圓匣盒C。如此一來，便完成加工裝置1中之一系列的加工處理。
接著，說明顯示於上述顯示面板20的條件輸入畫面及狀態顯示畫面。
首先，說明顯示於顯示面板20的條件輸入畫面。條件輸入畫面係用於輸入加工晶圓W時之加工條件的畫面。在本發明之實施態樣中，係包含兩種畫面作為條件輸入畫面，亦即包含：用於輸入在加工位置A1～A3(粗研磨～精研磨)之共通加工條件的共通條件輸入畫面、及用於輸入在各加工位置A1～A3(粗研磨～精研磨)之加工條件的個別條件輸入畫面。
首先，說明共通條件輸入畫面。如圖4～圖7所示，在共通條件輸入畫面係顯示輸入項目的一覽表(畫面左側)、及晶圓的概略圖(畫面右側)。又，表與概略圖的輸入値係互相鏈接，輸入至其中任一者的値會反映至另一方。亦即，概略圖中，係將加工條件的輸入値賦予關連而顯示。
在晶圓直徑中，係選擇(例如下拉)例如“8”吋或是“12”吋而進行輸入。在矽層厚度基準値、元件層厚度基準値、膠帶層厚度基準値的每一個中，係輸入加工前之晶圓的厚度。
在研磨量指定方法中例如有四個方法。第一個係以矽層的厚度為基準而指定研磨量的方法，如圖4所示，輸入欄中係輸入“Si厚度”。第二個係以晶圓的總厚度為基準而指定研磨量的方法，如圖5所示，輸入欄中係輸入“總厚度”。第三個係以矽層的頂面為基準而指定研磨量的方法，如圖6所示，輸入欄中係輸入“Si頂面”。第四個係以研磨磨石的進給量為基準而指定研磨量的方法，如圖7所示，輸入欄中係輸入“進給量”。在共通條件輸入畫面中，若在畫面左側之表的輸入欄輸入“Si厚度”、“總厚度”、“Si頂面”、“進給量”，則在畫面右側之晶圓的概略圖中，會顯示因應研磨量指定方法之圖4～圖7中的任一概略圖。又，輸入可從“Si厚度”、“總厚度”、“Si頂面”、“進給量”中選擇(例如下拉)。
根據上述研磨量指定方法，最終厚度、A1研磨量、A2研磨量、A3研磨量的輸入方法會有所不同。又，A1研磨量係在第一加工位置A1進行粗研磨時的研磨量，A2研磨量係在第二加工位置A2進行中研磨時的研磨量，A3研磨量係在第三加工位置A3進行精研磨時的研磨量。
例如，如圖4所示，在將研磨量指定方法設為“Si厚度”的情況下，係輸入最終厚度、A2研磨量及A3研磨量。此處的最終厚度係在加工位置A1～A3進行完粗研磨～精研磨後之最後的矽層厚度。各項目的輸入可在畫面左側之表的輸入欄進行，亦可在畫面右側之概略圖的輸入欄進行。如下式(1)所示，A1研磨量係從矽層厚度基準値減去最終厚度、A2研磨量及A3研磨量而自動計算。
A1研磨量=矽層厚度基準値-(最終厚度+A2研磨量+A3研磨量)・・・(1)
A1研磨量=矽層厚度基準値-(最終厚度+A2研磨量+A3研磨量)・・・(1)
例如，如圖5所示，在將研磨量指定方法設為“總厚度”的情況下，係輸入最終厚度、A2研磨量及A3研磨量。此處的最終厚度係將在加工位置A1～A3進行完粗研磨～精研磨後之最後的矽層厚度、元件層的厚度及膠帶層的厚度相加後的厚度。各輸入可在畫面左側之表的輸入欄進行，亦可在畫面右側之概略圖的輸入欄進行。如下式(2)所示，A1研磨量係從將矽層厚度基準値、元件層厚度基準値及膠帶層厚度基準值相加後的晶圓總厚度，減去最終厚度、A2研磨量及A3研磨量而自動計算。
A1研磨量=(矽層厚度基準値+元件層厚度基準値+膠帶層厚度基準値)-(最終厚度+A2研磨量+A3研磨量)・・・(2)
A1研磨量=(矽層厚度基準値+元件層厚度基準値+膠帶層厚度基準値)-(最終厚度+A2研磨量+A3研磨量)・・・(2)
例如，如圖6所示，在將研磨量指定方法設為“Si頂面”的情況下，係輸入A1研磨量、A2研磨量及A3研磨量。藉此，由於設定各研磨量，故不需輸入最終厚度。
例如，如圖7所示，在將研磨量指定方法設為“進給量”的情況下，係輸入最終厚度、A2研磨量及A3研磨量。所謂進給量，係指定使研磨磨石從該研磨磨石的設置位置下降至幾μm的位置為止。在圖示的例子中，例如為與圖5所示之“總厚度”之情況相同的方法。
接著，說明個別條件輸入畫面。個別條件輸入畫面係顯示各加工位置A1～A3(粗研磨～精研磨)的條件輸入畫面，例如，藉由點擊在圖4～圖7所示之共通條件輸入畫面右側之概略圖中的“A1”、“A2”、“A3”而顯示。
圖8係顯示在將共通條件輸入畫面的研磨量指定方法指定為“Si層”之情況下的加工位置“A1”的個別條件輸入畫面。又，實際上作為個別條件輸入畫面，係將研磨量指定方法(4個)與加工位置(3個)之組合(合計12個)的每個畫面加以顯示，但由於該等畫面係與圖8相同，故此處省略說明。
如圖8所示，在個別條件輸入畫面中係顯示：輸入項目的一覽表(畫面左側)、表示研磨磨石與夾頭之旋轉方向之關係的概略圖(畫面右上側)、及晶圓的概略圖(畫面右下側)。又，表與概略圖的輸入値係互相鏈接，輸入至其中任一者的値會反映至另一方。亦即，在概略圖中，加工條件的輸入値係賦予關連而顯示於概略圖。
在晶圓直徑中，會自動地顯示共通條件輸入畫面所輸入之晶圓直徑。在加工預定時間中，係將後述之步驟1～3、表面修整及安全退刃的時間相加並自動計算而顯示。在研磨水流量中，係輸入研磨中之研磨水的流量。此研磨水流量的輸入可在畫面左側之表的輸入欄進行，亦可在畫面右下側之概略圖的輸入欄進行。在研磨磨石轉速中，係輸入研磨磨石的轉速。在研磨磨石旋轉方向中，係輸入CW(順時針方向，從軸側觀察為右旋轉)或是CCW(逆時針方向，從軸側觀察為左旋轉)中之任一者。此研磨磨石旋轉方向的輸入可在畫面左側之表的輸入欄進行，亦可藉由點擊畫面右上側之概略圖的箭頭而進行。
在研磨步驟中，係如上述般進行包含安全進刃的複數步驟、表面修整及安全退刃。在個別條件輸入畫面中，係將各條件輸入。
在步驟數中，例如輸入1～5的値。接著，此輸入之步驟數會反映至畫面右下側的概略圖。在圖8的例子中，由於係輸入 “3”作為步驟數，故在概略圖中係圖示步驟1～3。又，步驟1係包含安全進刃的步驟。
作為各步驟1～3的條件，係分別輸入安全進刃位置、步驟2的研磨量、步驟3的研磨量。該等條件的輸入可在畫面左側之表的輸入欄進行，亦可在畫面右下側之概略圖的輸入欄進行。步驟1的研磨量係從安全進刃位置、步驟2的研磨量及步驟3的研磨量而自動計算，並顯示於表及概略圖。又，範圍(Area)係表示將矽層底面設為0時的高度位置，此範圍亦從安全進刃位置、步驟2的研磨量及步驟3的研磨量而自動計算，並顯示於表及概略圖。
作為各步驟1～3的條件，係另外輸入研磨磨石的下降速度、夾頭轉速及夾頭旋轉方向。處理時間係從研磨量與下降速度而自動計算。又，在夾頭旋轉方向中，係輸入CW或是CCW中的任一者。此夾頭旋轉方向的輸入可在畫面左側之表的輸入欄進行，亦可藉由點擊畫面右上側之概略圖的箭頭而進行。
作為表面修整的條件，係輸入時間及夾頭轉速。夾頭旋轉次數係從時間及夾頭轉速而自動計算。又，時間及夾頭轉速的輸入可在畫面左側之表的輸入欄進行，亦可在畫面右下側之概略圖的輸入欄進行。
作為安全退刃的條件，係輸入研磨磨石的移動量、研磨磨石的上升速度及夾頭轉速。時間係從移動量及上升速度而自動計算。又，移動量的輸入可在畫面左側之表的輸入欄進行，亦可在畫面右下側之概略圖的輸入欄進行。
又，上述共通條件輸入畫面及個別條件輸入畫面僅為一例，輸入的加工條件並非限定於此。又，在圖4～圖8的例子中，雖然將概略圖中的輸入欄指定在一部分的加工條件，但概略圖的輸入欄並非限定於此，而係可適當設定。再者，雖然在本發明之實施態樣中，係將共通條件輸入畫面與個別條件輸入畫面設為不同的畫面，但亦可將該等畫面設為同一畫面。
依本發明之實施態樣之條件輸入畫面，係將輸入用的表與概略圖一起顯示，並且一部分的輸入値會顯示於表及概略圖雙方。因此，操作員能以視覺確認輸入的値，並且變得容易知曉加工條件與實際的加工處理的關聯性。其結果，可提高條件輸入畫面中的易辨性，並使輸入加工條件時的操作性提高，而可抑制輸入錯誤之情形。又，在條件輸入畫面中，亦可在概略圖的輸入欄直接輸入加工條件，藉此，可更進一步抑制輸入錯誤之情形。
又，在條件輸入畫面中，有加工條件的輸入失誤之情況下，亦可顯示警告。關於警告，例如亦可將有輸入失誤的項目進行重點標示等強調顯示，又，亦能以訊息顯示輸入失誤的內容。關於輸入失誤，吾人考量了各種情況，例如在輸入研磨量時，若輸入了多於目標値研磨的値，則判斷為輸入失誤。又，例如，在研磨磨石及夾頭之旋轉方向的輸入中，若該等研磨磨石及夾頭的旋轉方向為相同方向，則判斷為輸入失誤。藉由顯示這般警告，可進一步抑制加工條件之輸入錯誤之情形。
接著，說明顯示於顯示面板20的狀態顯示畫面。狀態顯示畫面係顯示加工中之晶圓W的狀態的畫面。在本發明之實施態樣中，係包含兩種畫面作為狀態顯示畫面，亦即包含：全體狀態顯示畫面，顯示在加工位置A1～A3(粗研磨～精研磨)中，目前正進行哪些處理步驟；及個別狀態顯示畫面，顯示在各加工位置A1～A3(粗研磨～精研磨)加工中之晶圓W的狀態。
首先，說明全體狀態顯示畫面。如圖9所示，在全體狀態顯示畫面係顯示：表示處理站中之旋轉平台之各位置A0～A3的概略圖、及表示在各加工位置A1～A3之加工處理的進行程度的一覽表。在各表中，作為項目係顯示步驟1～3、表面修整及安全退刃，並在已完成處理的項目中顯示“○”。圖9的例子中，在第一加工位置A1中於步驟1、2係顯示“○”，即表示該等步驟1、2已經完成。
接著，說明個別狀態顯示畫面。在個別狀態顯示畫面中，係顯示各加工位置A1～A3中，更詳細的加工處理之進行程度。個別狀態顯示畫面係顯示各加工位置A1～A3(粗研磨～精研磨)的狀態，例如，藉由點擊圖9所示之全體狀態顯示畫面之概略圖中的“A1”、“A2”、“A3”而加以顯示。
圖10係顯示第一加工位置A1中的個別狀態顯示畫面。又，對於其他加工位置A2、A3而言，亦會顯示相同的個別狀態顯示畫面。在個別狀態顯示畫面中，係顯示一覽表(畫面左側)及晶圓的概略圖(畫面右側)。
在表中，係針對步驟1的研磨量、步驟2的研磨量、步驟3的研磨量、及安全退刃中之研磨磨石的移動量中的每一個，顯示其設定値(目標値)及測量値。設定値係在條件輸入畫面所輸入而設定的値。測量値係從膠帶厚測量單元及總厚度測量單元之測量結果所計算的値。
在晶圓的概略圖中，係基於測量値而顯示各層的狀態。亦即，雖然隨著研磨進行各層的厚度會減少，但能即時地以畫面顯示該厚度減少的狀態。在圖10的例子中，由於步驟1、2已經結束，故與該步驟1、2對應之矽層係以虛線顯示，在與步驟3對應之矽層中，研磨完成的部分係以虛線顯示，而未研磨的部分係以實線顯示。又，測量値亦賦予關連而顯示於晶圓的概略圖。
又，上述全體狀態顯示畫面及個別狀態顯示畫面僅為一例，顯示畫面並非限定於此。又，在本發明之實施態樣中，係將全體狀態顯示畫面與個別狀態顯示畫面設為不同的畫面，但亦可將該等畫面設為同一畫面。
依本發明之實施態樣的狀態顯示畫面，由於加工中之晶圓的狀態(測量値)會一起顯示於表及概略圖，故可提高易辨性。接著，操作員能以視覺確認加工處理的進行程度。
在以上的實施態樣中，係說明在顯示面板20中顯示條件輸入畫面及狀態顯示畫面的情況，但在顯示面板20中，亦可進一步顯示其他圖式。例如，在顯示面板20中，亦可顯示用於確認在條件輸入畫面所輸入之加工條件的條件確認畫面。例如，條件確認畫面可為如圖4～圖8所示之畫面，但該畫面無法編集。
在以上的實施態樣中，係為了保護元件層D而在晶圓W設有膠帶層P，但元件層D的保護材並不限定於此。例如，亦可將支撐晶圓或玻璃基板等支撐基板貼合於晶圓W，即使在此情況下，亦可適用本發明。
又，加工裝置1的構成亦非限定於上述實施態樣。例如，亦可將處理站3的一個研磨單元替換成拋光單元。或是，亦可在加工裝置1設有對研磨加工後之晶圓W進行後處理的後處理裝置。
以上，雖說明了本發明的實施態樣，但本發明並非限定於此例。吾人應瞭解到，只要係該技術領域中具通常知識者，顯然能在發明申請專利範圍所記載之技術思想的範疇內，想到各種變更例或是修正例，而該等例子當然亦屬於本發明的技術範圍。
1‧‧‧加工裝置
2‧‧‧搬入搬出站
3‧‧‧處理站
10‧‧‧晶圓匣盒載置台
20‧‧‧顯示面板
30‧‧‧晶圓搬運區域
31‧‧‧搬運路
32‧‧‧晶圓搬運裝置
33‧‧‧搬運叉具
34、52‧‧‧搬運板
40‧‧‧旋轉平台
41‧‧‧夾頭
42‧‧‧夾頭基座
50‧‧‧搬運單元
51‧‧‧臂部
53‧‧‧垂直移動機構
60‧‧‧對準單元
70‧‧‧第一清洗單元
80‧‧‧第二清洗單元
90‧‧‧粗研磨單元
91‧‧‧粗研磨部
92、102、112‧‧‧支柱
100‧‧‧中研磨單元
101‧‧‧中研磨部
110‧‧‧精研磨單元
111‧‧‧精研磨部
120‧‧‧控制部
A0‧‧‧傳遞位置
A1～A3‧‧‧加工位置
C‧‧‧晶圓匣盒
D‧‧‧元件層
H‧‧‧記錄媒體
P‧‧‧膠帶層
S‧‧‧矽層
T1～T7‧‧‧步驟
W‧‧‧晶圓
W1‧‧‧加工面
W2‧‧‧非加工面
圖1係示意地顯示依本發明之實施態樣之加工裝置之構成概略的俯視圖。
圖2係顯示晶圓之構成概略的側視圖。
圖3係顯示加工處理之主要步驟的流程圖。
圖4係共通條件輸入畫面之一例。
圖5係共通條件輸入畫面之一例。
圖6係共通條件輸入畫面之一例。
圖7係共通條件輸入畫面之一例。
圖8係個別條件輸入畫面之一例。
圖9係全體狀態顯示畫面之一例。
圖10係個別狀態顯示畫面之一例。
Claims (8)
- 一種加工裝置，係將基板進行加工，包含： 基板固持部，用以固持基板； 加工部，將固持於該基板固持部之基板的加工面進行加工；及 顯示部，顯示基板的概略圖，並同時將加工基板時的加工資訊賦予關連而顯示於該概略圖。
- 如請求項第1項所述之加工裝置，其中， 該顯示部除了基板的概略圖之外，亦至少顯示該基板固持部或是該加工部的概略圖。
- 如請求項第1或2項所述之加工裝置，其中， 該加工資訊係加工基板時所設定的加工條件； 該顯示部具有用於輸入該加工條件的條件輸入畫面； 在該條件輸入畫面中，係將已輸入之該加工條件賦予關連而顯示於該概略圖。
- 如請求項第3項所述之加工裝置，其中， 該加工部為複數設置； 該條件輸入畫面包含：共通條件輸入畫面，用於對複數該加工部輸入共通的該加工條件；及個別條件輸入畫面，用於輸入該加工部之個別的該加工條件。
- 如請求項第3或4項所述之加工裝置，其中， 在該條件輸入畫面中，可在該概略圖輸入該加工條件。
- 如請求項第3至5項中任一項所述之加工裝置，其中， 在該條件輸入畫面中，存在該加工條件之輸入失誤的情況下，顯示警告。
- 如請求項第1至6項中任一項所述之加工裝置，其中， 該加工資訊係測量出加工中之基板的狀態的測量値； 該顯示部包含：狀態顯示畫面，將該測量値賦予關連而顯示於該概略圖。
- 如請求項第7項所述之加工裝置，其中， 該加工部係以複數步驟將基板的加工面進行加工； 該狀態顯示畫面係於各該等複數步驟中將該測量値賦予關連而顯示於該概略圖。
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