JP6215602B2 - 研磨装置および研磨状態監視方法 - Google Patents
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Description
ΔT=TL0−TS0 (2)
以後、処理部45は、研磨中各時点のインサイチュウ分光式膜厚モニタ39により得られた膜厚TSに対し、次の補正式で補正して監視膜厚Tを定める。
T=TS+ΔT (3)
なお、好ましくは、各時点での膜厚TSも、図11に示すように膜厚センサ40がウェーハ全周の膜厚を反映していると見なせる条件で測定し平均する。
2 ロード/アンロード部
3 研磨部
3A,3B,3C,3D 研磨ユニット
4 洗浄部
5 動作制御部
6 第1リニアトランスポータ
7 第2リニアトランスポータ
10 研磨パッド
11 リフタ
12 スイングトランスポータ
16 トップリングシャフト
17 連結手段
18 トップリングモータ
19 テーブルモータ
20 フロントロード部
21 走行機構
22 搬送ロボット
30A,30B,30C,30D 研磨テーブル
31A,31B,31C,31D トップリング
32A,32B,32C,32D 研磨液供給機構
33A,33B,33C,33D ドレッサ
34A,34B,34C,34D アトマイザ
39 インサイチュウ分光式膜厚モニタ
40 膜厚センサ
42 投光部
43 受光部(光ファイバー)
44 分光光度計
45 処理部
47 光源
48 光ファイバー
50A 第1の孔
50B 第2の孔
51 通孔
53 液体供給路
54 液体排出路
55 液体供給源
72 仮置き台
73 一次洗浄機
74 二次洗浄機
75 乾燥機
77 第1搬送ロボット
78 第2搬送ロボット
80 インライン膜厚測定器
84 膜厚測定ヘッド
85 オリエンテーション検出器
87 基板ステージ
92 ヘッド移動機構
100 光源
101 集光レンズ
103 ビームスプリッター
105 結像レンズ
110 分光光度計
117 リレーレンズ
120 処理部
Claims (4)
- 研磨パッドを支持する研磨テーブルと、
基板を前記研磨パッドに押し付けるトップリングと、
静止状態にある基板の膜厚を測定するインライン膜厚測定器と、
前記研磨テーブル内に配置された膜厚センサを有するインサイチュウ分光式膜厚モニタとを備え、
前記インサイチュウ分光式膜厚モニタは、
前記基板の研磨前に前記インライン膜厚測定器により測定された初期膜厚から、前記基板の研磨前に前記インサイチュウ分光式膜厚モニタによって測定された初期膜厚を引き算することで補正値を決定し、
前記基板の研磨中に測定した膜厚に前記補正値を加算することで監視膜厚を取得し、
前記監視膜厚に基づいて前記基板の研磨の進捗を監視することを特徴とする研磨装置。 - 静止状態にある基板の初期膜厚をインライン膜厚測定器により測定し、
研磨テーブルに支持された研磨パッド上の前記基板の初期膜厚をインサイチュウ分光式膜厚モニタにより測定し、
前記インライン膜厚測定器により測定された前記初期膜厚から、前記インサイチュウ分光式膜厚モニタによって測定された前記初期膜を引き算することで補正値を決定し、
研磨液を前記研磨パッド上に供給しながら前記基板を前記研磨パッドに押し付けて該基板を研磨し、
前記基板の研磨中に前記インサイチュウ分光式膜厚モニタによって測定された膜厚に前記補正値を加算することで監視膜厚を取得し、
前記監視膜厚に基づいて前記基板の研磨の進捗を監視することを特徴とする研磨状態監視方法。 - 前記初期膜厚が測定される基板は、1つのロット内の最初の基板であることを特徴とする請求項2に記載の研磨状態監視方法。
- 前記初期膜厚は、1つのロット内の各基板の研磨前に測定されることを特徴とする請求項2に記載の研磨状態監視方法。
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