JPH11333719A - 半導体ウェ―ハのグラインディング装置 - Google Patents
半導体ウェ―ハのグラインディング装置Info
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- JPH11333719A JPH11333719A JP3942199A JP3942199A JPH11333719A JP H11333719 A JPH11333719 A JP H11333719A JP 3942199 A JP3942199 A JP 3942199A JP 3942199 A JP3942199 A JP 3942199A JP H11333719 A JPH11333719 A JP H11333719A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
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- B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は半導体ウェーハのグラインディング
装置に関する。 【解決手段】 本発明による半導体ウェーハのグライン
ディング装置は、グラインディングさせるウェーハを固
定して回転することができるスピンチャック、スピンチ
ャック上部でスピンチャックに固定されたウェーハと接
触、回転してウェーハをグラインディングするグライン
ダー、グラインディングされるウェーハの表面とグライ
ンダーの間に冷却水を供給することができる第１冷却水
供給手段、スピンチャックに固定されたウェーハの所定
領域に接触体を位置させて接触体の変位によって発生す
る電気的信号を利用して基準点からウェーハの上部表面
までの垂直距離を測定することができる第１ハイトゲー
ジ及び第１ハイトゲージを保護することができるように
第１ハイトゲージの上面及び側面をカバーするカバーを
備えてなることを特徴とする。
装置に関する。 【解決手段】 本発明による半導体ウェーハのグライン
ディング装置は、グラインディングさせるウェーハを固
定して回転することができるスピンチャック、スピンチ
ャック上部でスピンチャックに固定されたウェーハと接
触、回転してウェーハをグラインディングするグライン
ダー、グラインディングされるウェーハの表面とグライ
ンダーの間に冷却水を供給することができる第１冷却水
供給手段、スピンチャックに固定されたウェーハの所定
領域に接触体を位置させて接触体の変位によって発生す
る電気的信号を利用して基準点からウェーハの上部表面
までの垂直距離を測定することができる第１ハイトゲー
ジ及び第１ハイトゲージを保護することができるように
第１ハイトゲージの上面及び側面をカバーするカバーを
備えてなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェーハのグ
ラインディング装置に関するもので、より詳しくは、ハ
イトゲージ（Height Gauge）を使用してウェーハの厚さ
を測定しながらウェーハをグラインディング（Grindin
g）する半導体ウェーハのグラインディング装置に関す
る。
ラインディング装置に関するもので、より詳しくは、ハ
イトゲージ（Height Gauge）を使用してウェーハの厚さ
を測定しながらウェーハをグラインディング（Grindin
g）する半導体ウェーハのグラインディング装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】通常、半導体装置製造工程では、ウェー
ハが成膜設備、拡散設備及びエッチング設備等の複数の
半導体装置製造設備に順次的に移動しながら半導体装置
製造工程が進行されることによりウェーハ上には、複数
のチップ（Chip）が形成される。そして、前記複数のチ
ップが形成されたウェーハは、ＥＤＳ（Electrical Die
Sorting）設備に移動され、前記ＥＤＳ設備に移動され
たウェーハは、上部に形成されたチップの正常及び非正
常の有無をテストした後、非正常チップをリペアー（Re
pair）するＥＤＳ工程が進行される。
ハが成膜設備、拡散設備及びエッチング設備等の複数の
半導体装置製造設備に順次的に移動しながら半導体装置
製造工程が進行されることによりウェーハ上には、複数
のチップ（Chip）が形成される。そして、前記複数のチ
ップが形成されたウェーハは、ＥＤＳ（Electrical Die
Sorting）設備に移動され、前記ＥＤＳ設備に移動され
たウェーハは、上部に形成されたチップの正常及び非正
常の有無をテストした後、非正常チップをリペアー（Re
pair）するＥＤＳ工程が進行される。
【０００３】また、前記ＥＤＳ工程が遂行されたウェー
ハは、バック−グラインディング（Back−grinding）装
置に移動されてウェーハの裏面を所定の厚さにグライン
ディングするバック−グラインディング工程が進行され
る。図１は、ウェーハの裏面をバックグラインディング
する従来の半導体ウェーハのグラインディング装置の概
略的な平面図で、図２は、図１に図示されたテーブルの
粗研削領域及び微研削領域上に設置された第１ハイトゲ
ージ、第２ハイトゲージ、グラインダー及び冷却水供給
手段の構成を説明するための断面図で、図３は図１に図
示されたハイトゲージの模式図である。
ハは、バック−グラインディング（Back−grinding）装
置に移動されてウェーハの裏面を所定の厚さにグライン
ディングするバック−グラインディング工程が進行され
る。図１は、ウェーハの裏面をバックグラインディング
する従来の半導体ウェーハのグラインディング装置の概
略的な平面図で、図２は、図１に図示されたテーブルの
粗研削領域及び微研削領域上に設置された第１ハイトゲ
ージ、第２ハイトゲージ、グラインダー及び冷却水供給
手段の構成を説明するための断面図で、図３は図１に図
示されたハイトゲージの模式図である。
【０００４】従来の半導体ウェーハのグラインディング
装置には、図１に図示されたように一方向に９０°ずつ
回転することができる円形のテーブル１０によって構成
されている。前記テーブル１０は、扇形形状のローディ
ング領域１２、粗研削領域１４、微研削領域１６及びア
ンローディング領域１８に分割されている。前記各領域
１２、１４、１６、１８のテーブル１０上には、ウェー
ハ２を吸着固定して所定の速度で回転することができる
スピンチャック（Spin chuck）２０が設置されている。
装置には、図１に図示されたように一方向に９０°ずつ
回転することができる円形のテーブル１０によって構成
されている。前記テーブル１０は、扇形形状のローディ
ング領域１２、粗研削領域１４、微研削領域１６及びア
ンローディング領域１８に分割されている。前記各領域
１２、１４、１６、１８のテーブル１０上には、ウェー
ハ２を吸着固定して所定の速度で回転することができる
スピンチャック（Spin chuck）２０が設置されている。
【０００５】前記スピンチャック２０の上部表面には、
複数の真空ホール（図示しない）が形成されている。前
記真空ホールを通じてスピンチャック２０の周辺部の気
体が、スピンチャック２０の内部にポンピングされるこ
とで、ウェーハ２がスピンチャック２０に吸着固定され
るようになっている。
複数の真空ホール（図示しない）が形成されている。前
記真空ホールを通じてスピンチャック２０の周辺部の気
体が、スピンチャック２０の内部にポンピングされるこ
とで、ウェーハ２がスピンチャック２０に吸着固定され
るようになっている。
【０００６】そして、図２に図示されたように、前記テ
ーブル１０の粗研削領域１４及び微研削領域１６に設置
されたスピンチャック２０上部には、スピンチャック２
０に吸着固定されたウェーハ２と接触、回転して前記ウ
ェーハ２をグラインディングさせることができるグライ
ンダー（Grinder）３０が備えられている。前記グライ
ンダー３０の下部面には、ダイヤモンドディスク（Diam
ond disk）３２が備えられている。また、前記グライン
ダー３０の一側には、グラインダー３０のダイヤモンド
ディスク３２とウェーハ２の間に冷却水の供給ができる
冷却水供給手段３４が設置されている。
ーブル１０の粗研削領域１４及び微研削領域１６に設置
されたスピンチャック２０上部には、スピンチャック２
０に吸着固定されたウェーハ２と接触、回転して前記ウ
ェーハ２をグラインディングさせることができるグライ
ンダー（Grinder）３０が備えられている。前記グライ
ンダー３０の下部面には、ダイヤモンドディスク（Diam
ond disk）３２が備えられている。また、前記グライン
ダー３０の一側には、グラインダー３０のダイヤモンド
ディスク３２とウェーハ２の間に冷却水の供給ができる
冷却水供給手段３４が設置されている。
【０００７】そして、テーブル１０の粗研削領域１４及
び微研削領域１６の周辺部には、第１ハイトゲージ４及
び第２ハイトゲージ６が設置されている。前記第１ハイ
トゲージ４は、スピンチャック２０に固定されたウェー
ハ２上に接触体４６を位置させることで、スピンチャッ
ク２０の下部の基準点（図示しない）からウェーハ２の
上部表面までの垂直距離（以下、第１垂直距離とする）
を測定することができるようになっており、前記第２ハ
イトゲージ６は、前記スピンチャック２０上に接触体４
６を位置させることで、前記基準点から前記スピンチャ
ック２０上部表面までの垂直距離（以下、第２垂直距離
とする）を測定することができるようになっている。
び微研削領域１６の周辺部には、第１ハイトゲージ４及
び第２ハイトゲージ６が設置されている。前記第１ハイ
トゲージ４は、スピンチャック２０に固定されたウェー
ハ２上に接触体４６を位置させることで、スピンチャッ
ク２０の下部の基準点（図示しない）からウェーハ２の
上部表面までの垂直距離（以下、第１垂直距離とする）
を測定することができるようになっており、前記第２ハ
イトゲージ６は、前記スピンチャック２０上に接触体４
６を位置させることで、前記基準点から前記スピンチャ
ック２０上部表面までの垂直距離（以下、第２垂直距離
とする）を測定することができるようになっている。
【０００８】前記第１ハイトゲージ４及び第２ハイトゲ
ージ６には、図３に図示されたように六面体形状のベッ
ド（Bed）４０が備えられている。前記ベッド４０の内
部には、ベッド４０の内部温度を特定温度に維持し、ベ
ッド４０の内面が腐食されることを防止するための一定
量のオイル（Oil：図示しない）が入っている。
ージ６には、図３に図示されたように六面体形状のベッ
ド（Bed）４０が備えられている。前記ベッド４０の内
部には、ベッド４０の内部温度を特定温度に維持し、ベ
ッド４０の内面が腐食されることを防止するための一定
量のオイル（Oil：図示しない）が入っている。
【０００９】そして、前記ベッド４０の下部には、ピス
トン４２が備えられており、前記ピストン４２の端部に
接触体４６が固定されたフィンガー（Finger）４４が上
下移動が可能であるように連結されている。また、前記
ピストン４２とフィンガー４４が連結される連結地点に
第１連結体４８が連結されることで、フィンガー４４の
上下移動によって第１連結体４８が連結されることで、
フィンガー４４の上下移動によって第１連結体４８が上
下移動されるようになっている。
トン４２が備えられており、前記ピストン４２の端部に
接触体４６が固定されたフィンガー（Finger）４４が上
下移動が可能であるように連結されている。また、前記
ピストン４２とフィンガー４４が連結される連結地点に
第１連結体４８が連結されることで、フィンガー４４の
上下移動によって第１連結体４８が連結されることで、
フィンガー４４の上下移動によって第１連結体４８が上
下移動されるようになっている。
【００１０】そして、第１連結体４８とベッド４０の内
部の差動変圧器５４が、第２連結体５０によって互いに
連結されることで、第１連結体４８の上下移動が第２連
結体５０を通じて差動変圧器５４に伝達されるようにな
っている。前記第１連結体４８は、ベッド４０の側壁に
設置されたゴムラバー５２に形成された貫通ホール（図
示しない）を通じて、第２連結体５０と互いに連結され
ている。
部の差動変圧器５４が、第２連結体５０によって互いに
連結されることで、第１連結体４８の上下移動が第２連
結体５０を通じて差動変圧器５４に伝達されるようにな
っている。前記第１連結体４８は、ベッド４０の側壁に
設置されたゴムラバー５２に形成された貫通ホール（図
示しない）を通じて、第２連結体５０と互いに連結され
ている。
【００１１】そして、前記差動変圧器５４は、第１連結
体４８と連結された第２連結体５０の移動による電気的
信号を外部に出力することで、所定の位置の基準点から
接触体４６の端部までの垂直距離を測定することができ
るようになっている。前述したような前記ハイトゲージ
４、６は、当該技術分野で通常の知識を有する者には、
通常供給されるものを購入して使用することができるく
らいに公知されたものであることは自明なことである。
体４８と連結された第２連結体５０の移動による電気的
信号を外部に出力することで、所定の位置の基準点から
接触体４６の端部までの垂直距離を測定することができ
るようになっている。前述したような前記ハイトゲージ
４、６は、当該技術分野で通常の知識を有する者には、
通常供給されるものを購入して使用することができるく
らいに公知されたものであることは自明なことである。
【００１２】従って、移動手段によってテーブル１０の
ローディング領域１２上に設置されたスピンチャック２
０上にウェーハ２が裏返されて安着されると、スピンチ
ャック２０の周辺部の気体は、スピンチャック２０上部
表面の真空ホールを通じてスピンチャック２０内部にポ
ンピングされてウェーハ２はスピンチャック２０に吸着
固定される。
ローディング領域１２上に設置されたスピンチャック２
０上にウェーハ２が裏返されて安着されると、スピンチ
ャック２０の周辺部の気体は、スピンチャック２０上部
表面の真空ホールを通じてスピンチャック２０内部にポ
ンピングされてウェーハ２はスピンチャック２０に吸着
固定される。
【００１３】次に、前記テーブル１０は、一側に９０°
回転することによって、テーブル１０のローディング領
域１２のウェーハ２は、テーブル１０の粗研削領域１４
に移動するようになる。以後、前記粗研削領域１４のウ
ェーハ２上には、第１ハイトゲージ４の接触体４６が位
置するようになり、前記粗研削領域１４のスピンチャッ
ク２０上には、第２ハイトゲージ６の接触体４６が位置
するようになる。
回転することによって、テーブル１０のローディング領
域１２のウェーハ２は、テーブル１０の粗研削領域１４
に移動するようになる。以後、前記粗研削領域１４のウ
ェーハ２上には、第１ハイトゲージ４の接触体４６が位
置するようになり、前記粗研削領域１４のスピンチャッ
ク２０上には、第２ハイトゲージ６の接触体４６が位置
するようになる。
【００１４】これによって、第１ハイトゲージ４及び第
２ハイトゲージ６の各フィンガー４４が上下に移動する
ようになり、前記フィンガー４４の上下移動によって、
第１連結体４８及び第２連結体５０が移動するようにな
り、前記第２連結体５０の移動によって、第１ハイトゲ
ージ４及び第２ハイトゲージ６のベッド４０内部の各差
動変圧器５４は、第２連結体５０の移動による電気的信
号をそれぞれ外部に出力する。
２ハイトゲージ６の各フィンガー４４が上下に移動する
ようになり、前記フィンガー４４の上下移動によって、
第１連結体４８及び第２連結体５０が移動するようにな
り、前記第２連結体５０の移動によって、第１ハイトゲ
ージ４及び第２ハイトゲージ６のベッド４０内部の各差
動変圧器５４は、第２連結体５０の移動による電気的信
号をそれぞれ外部に出力する。
【００１５】これによって、第１垂直距離と第２垂直距
離が測定され、前記第１垂直距離で第２垂直距離を減算
することでウェーハの厚さが測定される。続いて、テー
ブル１０の粗研削領域１４のスピンチャック２０に固定
されたウェーハ２とグラインダー３０のダイヤモンドデ
ィスク３２が接触するようにグラインダー３０が下降す
る。
離が測定され、前記第１垂直距離で第２垂直距離を減算
することでウェーハの厚さが測定される。続いて、テー
ブル１０の粗研削領域１４のスピンチャック２０に固定
されたウェーハ２とグラインダー３０のダイヤモンドデ
ィスク３２が接触するようにグラインダー３０が下降す
る。
【００１６】以後、前記グラインダー３０及びスピンチ
ャック２０が高速で回転することによってウェーハ２の
裏面がグラインディングされる。前記グラインディング
工程が進行される間、冷却水供給手段３４は、ウェーハ
２とグラインダー３０のダイヤモンドディスク３２の間
に冷却水を供給することで、ウェーハ２とダイヤモンド
ディスク３２の間に摩擦による過熱が発生することを防
止し、ウェーハがグラインディングされながら発生され
たシリコン粉塵を洗浄する役割を遂行する。
ャック２０が高速で回転することによってウェーハ２の
裏面がグラインディングされる。前記グラインディング
工程が進行される間、冷却水供給手段３４は、ウェーハ
２とグラインダー３０のダイヤモンドディスク３２の間
に冷却水を供給することで、ウェーハ２とダイヤモンド
ディスク３２の間に摩擦による過熱が発生することを防
止し、ウェーハがグラインディングされながら発生され
たシリコン粉塵を洗浄する役割を遂行する。
【００１７】そして、前記グラインディング工程が進行
される間、第１ハイトゲージ４及び第２ハイトゲージ６
は、ウェーハ２の厚さを継続的に測定するようになり、
前記厚さ測定によってウェーハ２が目標の厚さまでグラ
インディングされると、スピンチャック２０及びグライ
ンダー３０は回転を止めるようになる。
される間、第１ハイトゲージ４及び第２ハイトゲージ６
は、ウェーハ２の厚さを継続的に測定するようになり、
前記厚さ測定によってウェーハ２が目標の厚さまでグラ
インディングされると、スピンチャック２０及びグライ
ンダー３０は回転を止めるようになる。
【００１８】次に、前記テーブル１０は、再び一側に９
０°回転することで、テーブル１０の粗研削領域１４の
ウェーハ２は、テーブル１０の微研削領域１６に移動す
るようになり、前記微研削領域１６では、粗研削領域１
４で遂行されたグラインディング工程と同様に微研削領
域１６の周辺部の第１ハイトゲージ４及び第２ハイトゲ
ージ６を使用してウェーハ２の厚さを測定しながら、微
研削領域１６上部のグラインダーを使用してウェーハ２
の裏面を所定の厚さに精密にグラインディングする研削
工程が進行される。
０°回転することで、テーブル１０の粗研削領域１４の
ウェーハ２は、テーブル１０の微研削領域１６に移動す
るようになり、前記微研削領域１６では、粗研削領域１
４で遂行されたグラインディング工程と同様に微研削領
域１６の周辺部の第１ハイトゲージ４及び第２ハイトゲ
ージ６を使用してウェーハ２の厚さを測定しながら、微
研削領域１６上部のグラインダーを使用してウェーハ２
の裏面を所定の厚さに精密にグラインディングする研削
工程が進行される。
【００１９】前記テーブル１０の微研削領域１６でウェ
ーハ２の研削工程が進行される間、グラインダー３０の
一側の冷却水供給手段３４は、ウェーハ２とグラインダ
ーのダイヤモンドディスクの間に冷却水を供給すること
で、ウェーハ２とダイヤモンドディスク３２の間に摩擦
による過熱が発生することを防止し、ウェーハがグライ
ンディングされながら発生されたシリコン粉塵を洗浄す
る役割を遂行する。
ーハ２の研削工程が進行される間、グラインダー３０の
一側の冷却水供給手段３４は、ウェーハ２とグラインダ
ーのダイヤモンドディスクの間に冷却水を供給すること
で、ウェーハ２とダイヤモンドディスク３２の間に摩擦
による過熱が発生することを防止し、ウェーハがグライ
ンディングされながら発生されたシリコン粉塵を洗浄す
る役割を遂行する。
【００２０】最後に前記テーブル１０が再び一側に９０
°回転することによってテーブル１０の微研削領域１６
のウェーハ２は、テーブルのアンローディング領域１８
に移動するようになり、前記アンローディング領域１８
のウェーハ２は、移送手段によってカセットに入れられ
るようになる。そして、前述したようにテーブル１０が
９０°ずつ回転する間テーブル１０のローディング領域
１２には、グラインディングされる新しいウェーハ２が
連続的にローディングされるので、前述したようなグラ
インディング工程は連続的に進行される。
°回転することによってテーブル１０の微研削領域１６
のウェーハ２は、テーブルのアンローディング領域１８
に移動するようになり、前記アンローディング領域１８
のウェーハ２は、移送手段によってカセットに入れられ
るようになる。そして、前述したようにテーブル１０が
９０°ずつ回転する間テーブル１０のローディング領域
１２には、グラインディングされる新しいウェーハ２が
連続的にローディングされるので、前述したようなグラ
インディング工程は連続的に進行される。
【００２１】しかし、前記グラインダー３０を使用して
ウェーハ２の裏面をバックグラインディングする過程に
発生されたウェーハ２の構成成分であるシリコン粉塵
は、冷却水供給手段３４で放出された冷却水と混合され
た後、グラインダー３０及びスピンチャック２０の回転
による遠心力によって、イトゲージ４、６に散乱され
た。
ウェーハ２の裏面をバックグラインディングする過程に
発生されたウェーハ２の構成成分であるシリコン粉塵
は、冷却水供給手段３４で放出された冷却水と混合され
た後、グラインダー３０及びスピンチャック２０の回転
による遠心力によって、イトゲージ４、６に散乱され
た。
【００２２】ここで、冷却水と混合したシリコン粉塵が
ハイトゲージ４、６のゴムラバー５２に散乱されると、
前記冷却水と混合したシリコン粉塵は時間の経過によっ
て硬化された後、ゴムラバー５２の貫通ホールを通じて
ベッド４０内部に流入されることで、ベッド４０内部の
オイルが汚染された。従って、前記オイルの汚染によっ
てベッド４０の内部温度に異常が発生してハイトゲージ
４、６が誤動作され、前記ベッド４０の内部が腐食され
る問題点があった。
ハイトゲージ４、６のゴムラバー５２に散乱されると、
前記冷却水と混合したシリコン粉塵は時間の経過によっ
て硬化された後、ゴムラバー５２の貫通ホールを通じて
ベッド４０内部に流入されることで、ベッド４０内部の
オイルが汚染された。従って、前記オイルの汚染によっ
てベッド４０の内部温度に異常が発生してハイトゲージ
４、６が誤動作され、前記ベッド４０の内部が腐食され
る問題点があった。
【００２３】そして、冷却水と混合されたシリコン粉塵
がハイトゲージ４、６の接触体４６に散乱されると、前
記冷却水と混合されたシリコン粉塵は、時間の経過によ
って硬化されて接触体４６の長さを変化させるようにな
り、前記接触体４６の長さの変化によってハイトゲージ
４、６を利用したウェーハ２の厚さ測定結果値の信頼性
が低下するという問題点があった。
がハイトゲージ４、６の接触体４６に散乱されると、前
記冷却水と混合されたシリコン粉塵は、時間の経過によ
って硬化されて接触体４６の長さを変化させるようにな
り、前記接触体４６の長さの変化によってハイトゲージ
４、６を利用したウェーハ２の厚さ測定結果値の信頼性
が低下するという問題点があった。
【００２４】また、グラインディングされるウェーハ２
とグラインダー３０のダイヤモンドディスク３２の間に
は、冷却水が供給されるが、ウェーハ２またはスピンチ
ャック２０とハイトゲージ４、６の接触体４６の間には
冷却水が供給されず、ハイトゲージ４、６の接触体４６
が摩擦によって熱が発生し容易に摩耗されるという問題
点があった。
とグラインダー３０のダイヤモンドディスク３２の間に
は、冷却水が供給されるが、ウェーハ２またはスピンチ
ャック２０とハイトゲージ４、６の接触体４６の間には
冷却水が供給されず、ハイトゲージ４、６の接触体４６
が摩擦によって熱が発生し容易に摩耗されるという問題
点があった。
【００２５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ウェ
ーハグラインディング過程で発生した冷却水と混合され
たシリコーン粉塵がハイトゲージの方向に散乱されてハ
イトゲージが汚染されることを防止することができる半
導体ウェーハのグラインディング装置を提供することに
ある。
ーハグラインディング過程で発生した冷却水と混合され
たシリコーン粉塵がハイトゲージの方向に散乱されてハ
イトゲージが汚染されることを防止することができる半
導体ウェーハのグラインディング装置を提供することに
ある。
【００２６】本発明の他の目的は、スピンチャックに吸
着固定されたウェーハと接触するかスピンチャックと接
触するハイトゲージの接触体が摩擦によって容易に摩耗
されることを防止することができる半導体装置製造用ウ
ェーハのグラインディング装置を提供することにある。
着固定されたウェーハと接触するかスピンチャックと接
触するハイトゲージの接触体が摩擦によって容易に摩耗
されることを防止することができる半導体装置製造用ウ
ェーハのグラインディング装置を提供することにある。
【００２７】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めの本発明による半導体ウェーハのグラインディング装
置は、グラインディングさせるウェーハを固定して回転
することができるスピンチャック、前記スピンチャック
の上部で前記スピンチャックに固定されたウェーハと接
触、回転して前記ウェーハをグラインディングさせるグ
ラインダー、前記グラインディングされるウェーハの表
面と前記グラインダーの間に冷却水を供給することがで
きる第１冷却水供給手段、前記スピンチャックに固定さ
れたウェーハの上部表面の所定の領域に接触体を位置さ
せて前記接触体の変位によって発生する電気的信号を利
用して基準点から前記ウェーハの上部表面までの垂直距
離を測定することができる第１ハイトゲージ及び前記第
１ハイトゲージを保護することができるように前記第１
ハイトゲージの上面及び側面をカバーする第１カバーを
備えてなることを特徴とする。
めの本発明による半導体ウェーハのグラインディング装
置は、グラインディングさせるウェーハを固定して回転
することができるスピンチャック、前記スピンチャック
の上部で前記スピンチャックに固定されたウェーハと接
触、回転して前記ウェーハをグラインディングさせるグ
ラインダー、前記グラインディングされるウェーハの表
面と前記グラインダーの間に冷却水を供給することがで
きる第１冷却水供給手段、前記スピンチャックに固定さ
れたウェーハの上部表面の所定の領域に接触体を位置さ
せて前記接触体の変位によって発生する電気的信号を利
用して基準点から前記ウェーハの上部表面までの垂直距
離を測定することができる第１ハイトゲージ及び前記第
１ハイトゲージを保護することができるように前記第１
ハイトゲージの上面及び側面をカバーする第１カバーを
備えてなることを特徴とする。
【００２８】前記第１ハイトゲージの接触体と前記スピ
ンチャックによって回転するウェーハの表面の間に摩擦
による過熱が発生することを防止するために前記第１ハ
イトゲージの接触体と前記ウェーハの表面の間に冷却水
を供給する第２冷却水供給手段がさらに備えられる。前
記第２冷却水供給手段は、前記冷却水が供給される冷却
水供給管と前記冷却水供給管の端部と連結されたノズル
からなり得る。前記第２冷却水供給手段は前記第１カバ
ーの内側に備えられる。
ンチャックによって回転するウェーハの表面の間に摩擦
による過熱が発生することを防止するために前記第１ハ
イトゲージの接触体と前記ウェーハの表面の間に冷却水
を供給する第２冷却水供給手段がさらに備えられる。前
記第２冷却水供給手段は、前記冷却水が供給される冷却
水供給管と前記冷却水供給管の端部と連結されたノズル
からなり得る。前記第２冷却水供給手段は前記第１カバ
ーの内側に備えられる。
【００２９】そして、前記スピンチャックの上部表面の
所定の領域に接触体を位置させて前記接触体の変位によ
って発生される電気的信号を利用して基準点から前記ス
ピンチャックの上部表面までの垂直距離を測定すること
ができる第２ハイトゲージ及び前記第２ハイトゲージを
保護することができるように前記第２ハイトゲージの上
面及び側面をカバーする第２カバーをさらに備えること
ができる。
所定の領域に接触体を位置させて前記接触体の変位によ
って発生される電気的信号を利用して基準点から前記ス
ピンチャックの上部表面までの垂直距離を測定すること
ができる第２ハイトゲージ及び前記第２ハイトゲージを
保護することができるように前記第２ハイトゲージの上
面及び側面をカバーする第２カバーをさらに備えること
ができる。
【００３０】前記第２ハイトゲージの接触体と前記スピ
ンチャックの上部表面の間に冷却水を供給することがで
きるように前記冷却水が供給される冷却水供給管と前記
冷却水供給管の端部と連結されたノズルからなる第３冷
却水供給手段が前記第２カバーの内側にさらに備えられ
る。また、前記第１ハイトゲージ及び前記第２ハイトゲ
ージをカバーする第１及び第２カバーは、アクリル酸樹
脂（Acrylic acid resin）等の透明性プラスチック材質
からなり得るし、前記第１及び第２カバーは、前記第１
ハイトゲージ及び前記第２ハイトゲージに着脱が可能に
設置され得る。
ンチャックの上部表面の間に冷却水を供給することがで
きるように前記冷却水が供給される冷却水供給管と前記
冷却水供給管の端部と連結されたノズルからなる第３冷
却水供給手段が前記第２カバーの内側にさらに備えられ
る。また、前記第１ハイトゲージ及び前記第２ハイトゲ
ージをカバーする第１及び第２カバーは、アクリル酸樹
脂（Acrylic acid resin）等の透明性プラスチック材質
からなり得るし、前記第１及び第２カバーは、前記第１
ハイトゲージ及び前記第２ハイトゲージに着脱が可能に
設置され得る。
【００３１】また、本発明による他の半導体ウェーハの
グラインディング装置は、グラインディングさせるウェ
ーハがローディングされるローディング領域、グライン
ディングされたウェーハがアンローディングされるアン
ローディング領域及び一連のグラインディング工程が進
行される複数の工程領域に分割されている。所定の角度
分回転することができる円形のテーブル、前記テーブル
の前記ローディング領域、アンローディング領域及び工
程領域上にそれぞれ設置されており、前記ウェーハを固
定して回転することができる複数のスピンチャック、前
記テーブルの各工程領域上に設置されたスピンチャック
に固定されたウェーハと接触、回転して前記ウェーハを
グラインディングさせる複数のグラインダー、前記ウェ
ーハとグラインダーの間に冷却水を供給することができ
る第１冷却水供給手段、前記テーブルの工程領域上に設
置されたスピンチャックに固定されたウェーハの上部表
面の所定の領域に接触体を位置させ、前記接触体の変位
によって発生する電気的信号を利用して基準点から前記
ウェーハの上部表面までの垂直距離を測定することがで
きる第１ハイトゲージ、前記テーブルの工程領域上に設
置されたスピンチャックの上部表面の所定の領域に接触
体を位置させて前記接触体の変位によって発生する電気
的信号を利用して基準点から前記スピンチャックの上部
表面までの垂直距離を測定することができる第２ハイト
ゲージ、前記第１ハイトゲージを保護することができる
ように前記第１ハイトゲージの上面及び側面をカバーす
る第１カバー及び第２ハイトゲージを保護することがで
きるように前記第２ハイトゲージの上面及び側面をカバ
ーする第２カバーを備えてなることを特徴とする。
グラインディング装置は、グラインディングさせるウェ
ーハがローディングされるローディング領域、グライン
ディングされたウェーハがアンローディングされるアン
ローディング領域及び一連のグラインディング工程が進
行される複数の工程領域に分割されている。所定の角度
分回転することができる円形のテーブル、前記テーブル
の前記ローディング領域、アンローディング領域及び工
程領域上にそれぞれ設置されており、前記ウェーハを固
定して回転することができる複数のスピンチャック、前
記テーブルの各工程領域上に設置されたスピンチャック
に固定されたウェーハと接触、回転して前記ウェーハを
グラインディングさせる複数のグラインダー、前記ウェ
ーハとグラインダーの間に冷却水を供給することができ
る第１冷却水供給手段、前記テーブルの工程領域上に設
置されたスピンチャックに固定されたウェーハの上部表
面の所定の領域に接触体を位置させ、前記接触体の変位
によって発生する電気的信号を利用して基準点から前記
ウェーハの上部表面までの垂直距離を測定することがで
きる第１ハイトゲージ、前記テーブルの工程領域上に設
置されたスピンチャックの上部表面の所定の領域に接触
体を位置させて前記接触体の変位によって発生する電気
的信号を利用して基準点から前記スピンチャックの上部
表面までの垂直距離を測定することができる第２ハイト
ゲージ、前記第１ハイトゲージを保護することができる
ように前記第１ハイトゲージの上面及び側面をカバーす
る第１カバー及び第２ハイトゲージを保護することがで
きるように前記第２ハイトゲージの上面及び側面をカバ
ーする第２カバーを備えてなることを特徴とする。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施形態
を添付した図面を参照に詳しく説明する。図４は本発明
による半導体ウェーハのグラインディング装置の一実施
形態を説明するための平面図で、図５は図４に図示され
た半導体ウェーハのグラインディング装置のカバー及び
冷却水供給手段が備えられたハイトゲージの模式図で、
図４及び図５の構成において図１乃至図３に図示された
部品と同一部品は同一符号で表示する。本発明による半
導体ウェーハのグラインディング装置には、図４に図示
されたように一方向に９０°ずつ回転することができる
円形のテーブル１０が備えられている。
を添付した図面を参照に詳しく説明する。図４は本発明
による半導体ウェーハのグラインディング装置の一実施
形態を説明するための平面図で、図５は図４に図示され
た半導体ウェーハのグラインディング装置のカバー及び
冷却水供給手段が備えられたハイトゲージの模式図で、
図４及び図５の構成において図１乃至図３に図示された
部品と同一部品は同一符号で表示する。本発明による半
導体ウェーハのグラインディング装置には、図４に図示
されたように一方向に９０°ずつ回転することができる
円形のテーブル１０が備えられている。
【００３３】前記テーブル１０は、グラインディングさ
せるウェーハ２がローディングされるローディング領域
１２、前記ローディングされたウェーハ２を荒く研削す
る粗研削領域１４、前記荒く研削されたウェーハ２を所
定の厚さに精密に研削する微研削領域１６及び前記研削
されたウェーハ２を所定の位置にアンローディングする
アンローディング領域１８に分割されている。そして、
前記テーブル１０のローディング領域１２、粗研削領域
１４、微研削領域１６及びアンローディング領域１８に
は、それぞれスピンチャック２０が設置されている。
せるウェーハ２がローディングされるローディング領域
１２、前記ローディングされたウェーハ２を荒く研削す
る粗研削領域１４、前記荒く研削されたウェーハ２を所
定の厚さに精密に研削する微研削領域１６及び前記研削
されたウェーハ２を所定の位置にアンローディングする
アンローディング領域１８に分割されている。そして、
前記テーブル１０のローディング領域１２、粗研削領域
１４、微研削領域１６及びアンローディング領域１８に
は、それぞれスピンチャック２０が設置されている。
【００３４】前記スピンチャック２０上部表面には、複
数の真空ホール（図示しない）が形成されており、前記
真空ホールを通じてスピンチャック２０の周辺部の気体
がスピンチャック２０の内部にポンピングされることに
より、スピンチャック２０にウェーハ２が吸着固定され
るようになっている。そして、前記テーブル１０の粗研
削領域１４及び微研削領域１６の上部には、図２に図示
されたように、スピンチャック２０に吸着固定されたウ
ェーハ２と接触、回転して前記ウェーハ２をグラインデ
ィングさせることができるグラインダー３０が設置され
ている。
数の真空ホール（図示しない）が形成されており、前記
真空ホールを通じてスピンチャック２０の周辺部の気体
がスピンチャック２０の内部にポンピングされることに
より、スピンチャック２０にウェーハ２が吸着固定され
るようになっている。そして、前記テーブル１０の粗研
削領域１４及び微研削領域１６の上部には、図２に図示
されたように、スピンチャック２０に吸着固定されたウ
ェーハ２と接触、回転して前記ウェーハ２をグラインデ
ィングさせることができるグラインダー３０が設置され
ている。
【００３５】前記グラインダー３０の下部面には、一定
の大きさのダイヤモンドが所定の間隔に離隔されていて
付着されたダイヤモンドディスク３２が備えられてい
る。また、前記グラインダー３０の一側には、前記ウェ
ーハ２とグラインダー３０のダイヤモンドディスク３２
の間に脱イオン水（Deionized water）等の冷却水を供
給することができる冷却水供給手段３４が設置されてい
る。
の大きさのダイヤモンドが所定の間隔に離隔されていて
付着されたダイヤモンドディスク３２が備えられてい
る。また、前記グラインダー３０の一側には、前記ウェ
ーハ２とグラインダー３０のダイヤモンドディスク３２
の間に脱イオン水（Deionized water）等の冷却水を供
給することができる冷却水供給手段３４が設置されてい
る。
【００３６】そして、前記テーブル１０の粗研削領域１
４及び微研削領域１６の周辺部には、スピンチャック２
０の下部の基準点（図示しない）からスピンチャック２
０に固定されたウェーハ２の上部表面までの垂直距離
（以下、第１垂直距離とする）を測定することができる
第１ハイトゲージ４が設置されている。
４及び微研削領域１６の周辺部には、スピンチャック２
０の下部の基準点（図示しない）からスピンチャック２
０に固定されたウェーハ２の上部表面までの垂直距離
（以下、第１垂直距離とする）を測定することができる
第１ハイトゲージ４が設置されている。
【００３７】また、前記テーブル１０の粗研削領域１４
及び微研削領域１６の周辺部には、前記の基準点から前
記スピンチャック２０上部表面までの垂直距離（以下、
第２垂直距離とする）を測定することができる第２ハイ
トゲージ６が設置されることで、前記第１垂直距離から
前記第２垂直距離を減らすことで、ウェーハ２の厚さを
測定しながらグラインディング工程を進行することがで
きるようになっている。
及び微研削領域１６の周辺部には、前記の基準点から前
記スピンチャック２０上部表面までの垂直距離（以下、
第２垂直距離とする）を測定することができる第２ハイ
トゲージ６が設置されることで、前記第１垂直距離から
前記第２垂直距離を減らすことで、ウェーハ２の厚さを
測定しながらグラインディング工程を進行することがで
きるようになっている。
【００３８】製作者によって、前記テーブルの粗研削領
域１４及び微研削領域１６の周辺部に前記第１ハイトゲ
ージ４のみを、設置して第１ハイトゲージ４によって測
定された第１垂直距離でいくつかの方法によって、すで
に測定された第２垂直距離を減算することで、ウェーハ
２の厚さを測定しながらグラインディング工程を進行す
ることもできる。
域１４及び微研削領域１６の周辺部に前記第１ハイトゲ
ージ４のみを、設置して第１ハイトゲージ４によって測
定された第１垂直距離でいくつかの方法によって、すで
に測定された第２垂直距離を減算することで、ウェーハ
２の厚さを測定しながらグラインディング工程を進行す
ることもできる。
【００３９】前記ハイトゲージ４、６には、図５に図示
されたように六面体形状のベッド４０が備えられてい
る。前記ベッド４０の内部には、ベッド４０の内部の温
度を特定温度に維持し、ベッド４０の内部が腐食される
ことを防止するための一定量のオイル（図示しない）が
入っている。
されたように六面体形状のベッド４０が備えられてい
る。前記ベッド４０の内部には、ベッド４０の内部の温
度を特定温度に維持し、ベッド４０の内部が腐食される
ことを防止するための一定量のオイル（図示しない）が
入っている。
【００４０】そして、前記ベッド４０の下部には、ピス
トン４２が備えられており、前記ピストン４２の端部に
接触体４６が固定されたフィンガー４４が上下移動が可
能であるように連結されている。また、前記ピストン４
２とフィンガー４４が、連結される連結地点に第１連結
体４８が連結されてフィンガー４４が上下に移動される
ことによって第１連結体４８が上下移動されるようにな
っている。
トン４２が備えられており、前記ピストン４２の端部に
接触体４６が固定されたフィンガー４４が上下移動が可
能であるように連結されている。また、前記ピストン４
２とフィンガー４４が、連結される連結地点に第１連結
体４８が連結されてフィンガー４４が上下に移動される
ことによって第１連結体４８が上下移動されるようにな
っている。
【００４１】そして、第１連結体４８と差動変圧器５４
が第２連結体５０によって互いに連結されることで、第
１連結体４８の移動が第２連結体５０を通じて差動変圧
器５４に伝達されるようになっている。前記第１連結体
４８は、ベッド４０の側壁に設置されたゴムラバー５２
に形成された貫通ホール（図示しない）を通じて第２連
結体５０と互いに連結されている。そして、前記差動変
圧器５４は、第１連結体４８と連結された第２連結体５
０の移動による電気的信号を外部に出力することで、前
記第１垂直距離または第２垂直距離を測定することがで
きるようになっている。
が第２連結体５０によって互いに連結されることで、第
１連結体４８の移動が第２連結体５０を通じて差動変圧
器５４に伝達されるようになっている。前記第１連結体
４８は、ベッド４０の側壁に設置されたゴムラバー５２
に形成された貫通ホール（図示しない）を通じて第２連
結体５０と互いに連結されている。そして、前記差動変
圧器５４は、第１連結体４８と連結された第２連結体５
０の移動による電気的信号を外部に出力することで、前
記第１垂直距離または第２垂直距離を測定することがで
きるようになっている。
【００４２】前述したような前記ハイトゲージ４、６
は、当該技術分野で通常の知識を有するものには、通常
供給されるものを購入して使用することができるくらい
公知されたものであることは自明なことである。そし
て、前記第１ハイトゲージ４及び第２ハイトゲージ６に
は、上面及び側面を被せることができるカバー（Cove
r）６０がそれぞれ備えられることで、前記第１は、イ
トゲージ４及び第２ハイトゲージ６が外部の汚染源から
汚染されることが防止されている。
は、当該技術分野で通常の知識を有するものには、通常
供給されるものを購入して使用することができるくらい
公知されたものであることは自明なことである。そし
て、前記第１ハイトゲージ４及び第２ハイトゲージ６に
は、上面及び側面を被せることができるカバー（Cove
r）６０がそれぞれ備えられることで、前記第１は、イ
トゲージ４及び第２ハイトゲージ６が外部の汚染源から
汚染されることが防止されている。
【００４３】前記カバー６０は、第１ハイトゲージ４及
び第２ハイトゲージ６で着脱が可能であるようになって
おり、前記カバー６０は、アクリル酸樹脂（Acrylic ac
id resin）等の透明性プラスチック材質で形成されてい
る。また、第１ハイトゲージ４のカバー６０の内側に前
記ウェーハ２と接触体４６の間に脱イオン水等の冷却水
を供給することができるように端部にノズル６４が設置
された冷却水供給管６２が備えられ、前記第２ハイトゲ
ージ６のカバー６０の内側にも第１ハイトゲージ４と同
様に前記スピンチャック２０と接触体４６の間に冷却水
を供給することができるように端部にノズル６４が設置
された冷却水供給管６２が備えられている。
び第２ハイトゲージ６で着脱が可能であるようになって
おり、前記カバー６０は、アクリル酸樹脂（Acrylic ac
id resin）等の透明性プラスチック材質で形成されてい
る。また、第１ハイトゲージ４のカバー６０の内側に前
記ウェーハ２と接触体４６の間に脱イオン水等の冷却水
を供給することができるように端部にノズル６４が設置
された冷却水供給管６２が備えられ、前記第２ハイトゲ
ージ６のカバー６０の内側にも第１ハイトゲージ４と同
様に前記スピンチャック２０と接触体４６の間に冷却水
を供給することができるように端部にノズル６４が設置
された冷却水供給管６２が備えられている。
【００４４】製作者によって前記端部にノズル６４が設
置された冷却水供給管６２は、第１ハイトゲージ４及び
第２ハイトゲージ６のカバー６０の外側に設置すること
もできる。従って、ウェーハ２が移動手段によってテー
ブル１０のローディング領域１２のスピンチャック２０
上に裏返されて安着されると、前記スピンチャック２０
の周辺部の気体は、前記真空ホールを通じてスピンチャ
ック２０内部にポンピングされることでウェーハ２は、
スピンチャック２０に吸着固定される。次に、前記テー
ブル１０は、一側に９０°回転することによってテーブ
ル１０のローディング領域１２のウェーハ２は、テーブ
ル１０の粗研削領域１４に移動するようになる。
置された冷却水供給管６２は、第１ハイトゲージ４及び
第２ハイトゲージ６のカバー６０の外側に設置すること
もできる。従って、ウェーハ２が移動手段によってテー
ブル１０のローディング領域１２のスピンチャック２０
上に裏返されて安着されると、前記スピンチャック２０
の周辺部の気体は、前記真空ホールを通じてスピンチャ
ック２０内部にポンピングされることでウェーハ２は、
スピンチャック２０に吸着固定される。次に、前記テー
ブル１０は、一側に９０°回転することによってテーブ
ル１０のローディング領域１２のウェーハ２は、テーブ
ル１０の粗研削領域１４に移動するようになる。
【００４５】以後、前記粗研削領域１４のウェーハ２上
には、第１ハイトゲージ４の接触体４６が位置するよう
になり、前記粗研削領域１４のスピンチャック２０上に
は、第２ハイトゲージ６の接触体４６が位置するように
なる。これによって、ハイトゲージ４、６の各フィンガ
ー４４が上下に移動するようになり、前記フィンガー４
４の移動によって、第１連結体４８及び第２連結体５０
が移動するようになり、前記第２連結体５０の移動によ
ってベッド４０の内部の差動変圧器５４は、第２連結体
５０の移動による電気的信号を外部に出力する。
には、第１ハイトゲージ４の接触体４６が位置するよう
になり、前記粗研削領域１４のスピンチャック２０上に
は、第２ハイトゲージ６の接触体４６が位置するように
なる。これによって、ハイトゲージ４、６の各フィンガ
ー４４が上下に移動するようになり、前記フィンガー４
４の移動によって、第１連結体４８及び第２連結体５０
が移動するようになり、前記第２連結体５０の移動によ
ってベッド４０の内部の差動変圧器５４は、第２連結体
５０の移動による電気的信号を外部に出力する。
【００４６】これによって、第１垂直距離及び第２垂直
距離が測定され、前記第１垂直距離から第２垂直距離を
減らすことで、ウェーハ２の厚さが測定される。続い
て、テーブル１０の粗研削領域１４の上部のグラインダ
ー３０が下降してスピンチャック２０上に固定されたウ
ェーハ２と接触するようになる。以後、前記グラインダ
ー３０及びスピンチャック２０が高速で回転することに
よってウェーハ２の裏面はグラインディングされる。
距離が測定され、前記第１垂直距離から第２垂直距離を
減らすことで、ウェーハ２の厚さが測定される。続い
て、テーブル１０の粗研削領域１４の上部のグラインダ
ー３０が下降してスピンチャック２０上に固定されたウ
ェーハ２と接触するようになる。以後、前記グラインダ
ー３０及びスピンチャック２０が高速で回転することに
よってウェーハ２の裏面はグラインディングされる。
【００４７】前記グラインディング工程が進行される
間、第１ハイトゲージ４及び第２ハイトゲージ６は、ウ
ェーハ２の厚さを継続的に測定するようになり、前記厚
さ測定によってウェーハ２が目標の厚さまでグラインデ
ィングされると、スピンチャック２０及びグラインダー
３０の回転は止まるようになる。そして、前記粗研削領
域１４でグラインディング工程が進行される間に、グラ
インダー３０の一側の冷却水供給手段３４は、ウェーハ
２とグラインダー３０のダイヤモンドディスク３２の間
に冷却水を供給し、ウェーハ２とダイヤモンドディスク
３２が互いに接触、回転して摩擦による過熱が発生する
ことを防止する。
間、第１ハイトゲージ４及び第２ハイトゲージ６は、ウ
ェーハ２の厚さを継続的に測定するようになり、前記厚
さ測定によってウェーハ２が目標の厚さまでグラインデ
ィングされると、スピンチャック２０及びグラインダー
３０の回転は止まるようになる。そして、前記粗研削領
域１４でグラインディング工程が進行される間に、グラ
インダー３０の一側の冷却水供給手段３４は、ウェーハ
２とグラインダー３０のダイヤモンドディスク３２の間
に冷却水を供給し、ウェーハ２とダイヤモンドディスク
３２が互いに接触、回転して摩擦による過熱が発生する
ことを防止する。
【００４８】ここで、前記第１ハイトゲージ４及び第２
ハイトゲージ６の上には、カバー６０が設置されること
で、ウェーハ２のグラインディング過程で発生された冷
却水と混合されたシリコン粉塵がハイトゲージ４、６方
向に散乱されてもハイトゲージ４、６のゴムラバー５２
及び接触体４６は汚染されない。また、前記カバー６０
がアクリル酸樹脂等の透明性プラスチック材質で製作さ
れることで、作業者がハイトゲージ４、６の外部表面の
汚染程度を容易に観察することができ、前記カバー６０
がハイトゲージ４、６に着脱が可能であるように製作さ
れることで、カバー６０を容易に交換することができ
る。
ハイトゲージ６の上には、カバー６０が設置されること
で、ウェーハ２のグラインディング過程で発生された冷
却水と混合されたシリコン粉塵がハイトゲージ４、６方
向に散乱されてもハイトゲージ４、６のゴムラバー５２
及び接触体４６は汚染されない。また、前記カバー６０
がアクリル酸樹脂等の透明性プラスチック材質で製作さ
れることで、作業者がハイトゲージ４、６の外部表面の
汚染程度を容易に観察することができ、前記カバー６０
がハイトゲージ４、６に着脱が可能であるように製作さ
れることで、カバー６０を容易に交換することができ
る。
【００４９】また、ウェーハ２と第１ハイトゲージ４の
接触体４６の間に冷却水が供給され、前記スピンチャッ
ク２０と第２ハイトゲージ６の接触体４６の間に冷却水
が供給されることで、ハイトゲージ４、６の接触体４６
がウェーハ２及びスピンチャック２０と接触し、摩擦に
よって摩耗されることが防止される。
接触体４６の間に冷却水が供給され、前記スピンチャッ
ク２０と第２ハイトゲージ６の接触体４６の間に冷却水
が供給されることで、ハイトゲージ４、６の接触体４６
がウェーハ２及びスピンチャック２０と接触し、摩擦に
よって摩耗されることが防止される。
【００５０】継続して、前記テーブル１０は、再び一側
に９０°回転することによってテーブル１０の粗研削領
域１４のウェーハ２は、テーブル１０の微研削領域１６
に移動するようになり、前記微研削領域１６では、粗研
削領域１４で遂行されたグラインディング工程と同様に
微研削領域１６の周辺部の第１ハイトゲージ４及び第２
ハイトゲージ６を使用してウェーハ２の厚さを測定す
る。グラインダー３０を使用してウェーハ２の裏面を所
定の厚さに精密にグラインディングする研削工程が進行
される。
に９０°回転することによってテーブル１０の粗研削領
域１４のウェーハ２は、テーブル１０の微研削領域１６
に移動するようになり、前記微研削領域１６では、粗研
削領域１４で遂行されたグラインディング工程と同様に
微研削領域１６の周辺部の第１ハイトゲージ４及び第２
ハイトゲージ６を使用してウェーハ２の厚さを測定す
る。グラインダー３０を使用してウェーハ２の裏面を所
定の厚さに精密にグラインディングする研削工程が進行
される。
【００５１】前記テーブル１０の微研削領域１６でウェ
ーハ２の研削工程が進行される間にはグラインダー３０
一側の冷却水供給手段３４は、ウェーハ２とグラインダ
ー３０のダイヤモンドディスク３２の間に冷却水を供給
することで、ウェーハ２とダイヤモンドディスク３２が
互いに接触して回転することで、摩擦による過熱が発生
することを防止し、ウェーハ２がグラインディングしな
がら発生したシリコン粉塵を洗浄する。
ーハ２の研削工程が進行される間にはグラインダー３０
一側の冷却水供給手段３４は、ウェーハ２とグラインダ
ー３０のダイヤモンドディスク３２の間に冷却水を供給
することで、ウェーハ２とダイヤモンドディスク３２が
互いに接触して回転することで、摩擦による過熱が発生
することを防止し、ウェーハ２がグラインディングしな
がら発生したシリコン粉塵を洗浄する。
【００５２】そして、前記テーブル１０の微研削領域１
６の周辺部に設置された第１ハイトゲージ４及び第２ハ
イトゲージ６にも粗研削領域１４の周辺部に設置された
ハイトゲージ４、６と同様にカバー６０が設置されるこ
とで、ウェーハ２のグラインディング過程で発生された
冷却水と混合されたシリコン粉塵がハイトゲージ４、６
の方向に散乱されてハイトゲージ４、６のゴムラバー５
２及び接触体４６が汚染されることが防止される。
６の周辺部に設置された第１ハイトゲージ４及び第２ハ
イトゲージ６にも粗研削領域１４の周辺部に設置された
ハイトゲージ４、６と同様にカバー６０が設置されるこ
とで、ウェーハ２のグラインディング過程で発生された
冷却水と混合されたシリコン粉塵がハイトゲージ４、６
の方向に散乱されてハイトゲージ４、６のゴムラバー５
２及び接触体４６が汚染されることが防止される。
【００５３】また、前記テーブル１０の微研削領域１６
のウェーハ２と第１ハイトゲージ４の接触体４６の間に
冷却水が供給され、前記微研削領域１６のスピンチャッ
ク２０と第２ハイトゲージ６の接触体４６の間に冷却水
が供給されることで、ハイトゲージ４、６の接触体４６
がウェーハ２及びスピンチャック２０と接触して摩擦に
よって摩耗されることが防止される。
のウェーハ２と第１ハイトゲージ４の接触体４６の間に
冷却水が供給され、前記微研削領域１６のスピンチャッ
ク２０と第２ハイトゲージ６の接触体４６の間に冷却水
が供給されることで、ハイトゲージ４、６の接触体４６
がウェーハ２及びスピンチャック２０と接触して摩擦に
よって摩耗されることが防止される。
【００５４】次に、前記テーブル１０が再び一側に９０
°回転することによって、テーブル１０の微研削領域１
６のウェーハ２は、テーブル１０のアンローディング領
域１８に移動するようになり、前記テーブル１０のアン
ローディング領域１８のウェーハ２は、移送手段によっ
てカセットに入れられるようになる。前記テーブル１０
が９０°ずつ回転する間、テーブル１０のローディング
領域１２には、新しいウェーハ２が連続的にローディン
グされることで、前述したようなグラインディング工程
は連続的に進行される。
°回転することによって、テーブル１０の微研削領域１
６のウェーハ２は、テーブル１０のアンローディング領
域１８に移動するようになり、前記テーブル１０のアン
ローディング領域１８のウェーハ２は、移送手段によっ
てカセットに入れられるようになる。前記テーブル１０
が９０°ずつ回転する間、テーブル１０のローディング
領域１２には、新しいウェーハ２が連続的にローディン
グされることで、前述したようなグラインディング工程
は連続的に進行される。
【００５５】
【発明の効果】従って、本発明によると、ハイトゲージ
にカバーを設置してハイトゲージが、冷却水と混合され
たシリコン粉塵によって汚染されることを防止すること
で、冷却水と混合されたシリコン粉塵がハイトゲージの
ゴムラバーを通じて、ベッド内部に流入され、オイルが
汚染され、ベッドの内部を腐食することを防止すること
ができる効果がある。そして、冷却水と混合されたシリ
コン粉塵が接触体に吸着硬化されて接触体の長さを変化
させることで、ウェーハの厚さの測定結果の値の信頼性
が低下することを防止することができる効果がある。
にカバーを設置してハイトゲージが、冷却水と混合され
たシリコン粉塵によって汚染されることを防止すること
で、冷却水と混合されたシリコン粉塵がハイトゲージの
ゴムラバーを通じて、ベッド内部に流入され、オイルが
汚染され、ベッドの内部を腐食することを防止すること
ができる効果がある。そして、冷却水と混合されたシリ
コン粉塵が接触体に吸着硬化されて接触体の長さを変化
させることで、ウェーハの厚さの測定結果の値の信頼性
が低下することを防止することができる効果がある。
【００５６】また、ハイトゲージ接触体の周辺部に冷却
水を供給することができるようにすることで、接触体が
容易に摩耗されることを防止することができる効果があ
る。以上で本発明は記載された具体例に対してのみ詳し
く説明したが、本発明の技術思想範囲内で多様な変形及
び修正が可能であることは、当業者にとって明白なこと
であり、このような変形及び修正が特許請求の範囲に属
することは当然なことである。
水を供給することができるようにすることで、接触体が
容易に摩耗されることを防止することができる効果があ
る。以上で本発明は記載された具体例に対してのみ詳し
く説明したが、本発明の技術思想範囲内で多様な変形及
び修正が可能であることは、当業者にとって明白なこと
であり、このような変形及び修正が特許請求の範囲に属
することは当然なことである。
【図１】 従来の半導体ウェーハのグラインディング装
置の概略的な平面図である。
置の概略的な平面図である。
【図２】 図１に図示されたテーブルの粗研削領域及び
微研削領域上に設置された第１ハイトゲージ、第２ハイ
トゲージ、グラインダー及び冷却水供給手段の構成関係
を説明するための断面図である。
微研削領域上に設置された第１ハイトゲージ、第２ハイ
トゲージ、グラインダー及び冷却水供給手段の構成関係
を説明するための断面図である。
【図３】 図１に図示されたハイトゲージの模式図であ
る。
る。
【図４】 本発明による半導体ウェーハのグラインディ
ング装置の一実施形態を説明するための平面図である。
ング装置の一実施形態を説明するための平面図である。
【図５】 図４に図示された半導体ウェーハのグライン
ディング装置の一実施形態によってカバー及び冷却水供
給手段が備えられたハイトゲージの模式図である。
ディング装置の一実施形態によってカバー及び冷却水供
給手段が備えられたハイトゲージの模式図である。
２ ウェーハ ４ 第１ハイトゲージ ６ 第２ハイトゲージ １０ テーブル １２ ローディング領域 １４ 粗研削領域 １６ 微研削領域 １８ アンローディング領域 ２０ スピンチャック ３０ グラインダー ３２ ダイヤモンドディスク ３４ 冷却水供給手段 ４０ 測定ベッド ４２ ピストン ４４ フィンガー ４６ 接触体 ４８ 第１連結体 ５０ 第２連結体 ５２ ゴムラバー ５４ 差動変圧器 ６０ カバー ６２ 冷却水供給管 ６４ ノズル
Claims (13)
- 【請求項１】 グラインディング（Grinding）させるウ
ェーハを固定して回転することができるスピンチャック
（Spin chuck）；前記スピンチャックの上部で前記スピ
ンチャックに固定されたウェーハと接触、回転して前記
ウェーハをグラインディングさせるグラインダー（Grin
der）；前記グラインディングされるウェーハの表面と
前記グラインダーの間に冷却水を供給することができる
第１冷却水供給手段；前記スピンチャックに固定された
ウェーハの上部表面の所定の領域に接触体を位置させて
前記接触体の変位によって発生する電気的信号を利用し
て基準点から前記ウェーハの上部表面までの垂直距離を
測定することができる第１ハイトゲージ；及び前記第１
ハイトゲージを保護することができるように前記第１ハ
イトゲージの上面及び側面をカバーする第１カバー（Co
ver）；を備えてなることを特徴とする半導体ウェーハ
のグラインディング装置。 - 【請求項２】 前記第１ハイトゲージの接触体と前記ウ
ェーハの表面の間に冷却水を供給することができるよう
に冷却水供給管と、前記冷却水供給管の端部と連結され
たノズルからなる第２冷却水供給手段がさらに備えられ
ることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハの
グラインディング装置。 - 【請求項３】 前記第２冷却水供給手段は、前記第１カ
バーの内側に備えられることを特徴とする請求項２に記
載の半導体ウェーハのグラインディング装置。 - 【請求項４】 前記スピンチャック上部表面の所定の領
域に接触体を位置させて、前記接触体の変位によって発
生される電気的信号を利用して基準点から前記スピンチ
ャックの上部表面までの垂直距離を測定することができ
る第２ハイトゲージ及び前記第２ハイトゲージを保護す
ることができるように前記第２ハイトゲージの上面及び
側面をカバーする第２カバーをさらに備えることを特徴
とする請求項１に記載の半導体ウェーハのグラインディ
ング装置。 - 【請求項５】 前記第２ハイトゲージの接触体と前記ス
ピンチャックの上部表面の間に冷却水を供給することが
できるように冷却水供給管と前記冷却水供給管の端部と
連結されたノズルからなる第３冷却水供給手段がさらに
備えられることを特徴とする請求項４に記載の半導体ウ
ェーハのグラインディング装置。 - 【請求項６】 前記第３冷却水供給手段は、前記第２カ
バーの内側に備えられることを特徴とする請求項５に記
載の半導体ウェーハのグラインディング装置。 - 【請求項７】 前記第１ハイトゲージ及び前記第２ハイ
トゲージをカバーする第１及び第２カバーは、透明性プ
ラスチック材質からなることを特徴とする請求項４に記
載の半導体ウェーハのグラインディング装置。 - 【請求項８】 前記カバーはアクリル酸樹脂（Acrylic
acid resin）材質からなることを特徴とする請求項７に
記載の半導体ウェーハのグラインディング装置。 - 【請求項９】 前記第１ハイトゲージ及び前記第２ハイ
トゲージをカバーする前記第１及び第２カバーは、前記
第１ハイトゲージ及び前記第２ハイトゲージに着脱可能
になっていることを特徴とする請求項４に記載の半導体
ウェーハのグラインディング装置。 - 【請求項１０】 前記グラインディング装置は、ウェー
ハの裏面をグラインディングするバックグラインディン
グ装置であることを特徴とする請求項１に記載の半導体
ウェーハのグラインディング装置。 - 【請求項１１】 グラインディングさせるウェーハがロ
ーディングされるローディング領域、グラインディング
されたウェーハがアンローディングされるアンローディ
ング領域及び一連のグラインディング工程が進行される
複数の工程領域に分割されており、所定の角度ずつ回転
することができる円形のテーブル；前記テーブルの前記
ローディング領域、アンローディング領域及び工程領域
上にそれぞれ設置されており、前記ウェーハを固定して
回転することができる複数のスピンチャック；前記テー
ブルの各工程領域上に設置されたスピンチャックに固定
されたウェーハと接触、回転して前記ウェーハをグライ
ンディングさせる複数のグラインダー；前記ウェーハと
グラインダーの間に冷却水を供給することができる第１
冷却水供給手段；前記テーブルの工程領域上に設置され
たスピンチャックに固定されたウェーハの上部表面の所
定の領域に接触体を位置させて、前記接触体の変位によ
って発生される電気的信号を利用して基準点から前記ウ
ェーハの上部表面までの垂直距離を測定することができ
る第１ハイトゲージ；前記テーブルの工程領域上に設置
されたスピンチャックの上部表面の所定の領域に接触体
を位置させて前記接触体の変位によって発生される電気
的信号を利用して基準点から前記スピンチャックの上部
表面までの垂直距離を測定することができる第２ハイト
ゲージ；前記第１ハイトゲージを保護することができる
ように前記第１ハイトゲージの上面及び側面をカバーす
る第１カバー；及び前記第２ハイトゲージを保護するこ
とができるように前記第２ハイトゲージの上面及び側面
をカバーする第２カバー；を備えてなることを特徴とす
る半導体ウェーハのグラインディング装置。 - 【請求項１２】 前記第１ハイトゲージの接触体と前記
ウェーハの表面の間に冷却水を供給することができるよ
うに冷却水供給管と冷却水供給管の端部と連結されたノ
ズルからなる第２冷却水供給手段及び前記第２ハイトゲ
ージの接触体と前記スピンチャックの上部表面の間に冷
却水を供給することができるように冷却水供給管と前記
冷却水供給管の端部と連結されたノズルからなる第３冷
却水供給手段がさらに備えられることを特徴とする請求
項１１に記載の半導体ウェーハのグラインディング装
置。 - 【請求項１３】 前記第２冷却水供給手段及び前記第３
冷却水供給手段は、前記各カバーの内側に備えられるこ
とを特徴とする請求項１２に記載の半導体ウェーハのグ
ラインディング装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR199819113 | 1998-05-26 | ||
| KR1019980019113A KR100303396B1 (ko) | 1998-05-26 | 1998-05-26 | 반도체장치제조용웨이퍼그라인딩장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11333719A true JPH11333719A (ja) | 1999-12-07 |
Family
ID=19537775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3942199A Pending JPH11333719A (ja) | 1998-05-26 | 1999-02-18 | 半導体ウェ―ハのグラインディング装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6168499B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11333719A (ja) |
| KR (1) | KR100303396B1 (ja) |
Cited By (10)
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| JP2007222986A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置 |
| CN103722494A (zh) * | 2012-10-16 | 2014-04-16 | 株式会社迪思科 | 磨削装置 |
| JP2015098074A (ja) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
| JP2017047510A (ja) * | 2015-09-03 | 2017-03-09 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
| JP2017164823A (ja) * | 2016-03-14 | 2017-09-21 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
| JP2018085401A (ja) * | 2016-11-22 | 2018-05-31 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
| JP2021030394A (ja) * | 2019-08-28 | 2021-03-01 | 株式会社ディスコ | ウェーハの研削方法 |
| JPWO2022054641A1 (ja) * | 2020-09-14 | 2022-03-17 | ||
| JP2023522434A (ja) * | 2020-04-24 | 2023-05-30 | ベイジン・ナウラ・マイクロエレクトロニクス・イクイップメント・カンパニー・リミテッド | 半導体加工装置及びマグネトロン機構 |
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| TW484184B (en) * | 1998-11-06 | 2002-04-21 | Canon Kk | Sample separating apparatus and method, and substrate manufacturing method |
| JP2000150836A (ja) * | 1998-11-06 | 2000-05-30 | Canon Inc | 試料の処理システム |
| JP2000260738A (ja) * | 1999-03-10 | 2000-09-22 | Hitachi Ltd | 半導体基板の研削加工方法ならびに半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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| JP2002353423A (ja) * | 2001-05-25 | 2002-12-06 | Canon Inc | 板部材の分離装置及び処理方法 |
| JP2002353081A (ja) | 2001-05-25 | 2002-12-06 | Canon Inc | 板部材の分離装置及び分離方法 |
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| US7163441B2 (en) * | 2004-02-05 | 2007-01-16 | Robert Gerber | Semiconductor wafer grinder |
| JP5025200B2 (ja) * | 2006-09-19 | 2012-09-12 | 株式会社ディスコ | 研削加工時の厚さ測定方法 |
| JP2013184276A (ja) * | 2012-03-09 | 2013-09-19 | Disco Corp | バイト切削方法 |
| JP2013184277A (ja) * | 2012-03-09 | 2013-09-19 | Disco Corp | バイト切削装置 |
| KR101530269B1 (ko) * | 2014-01-15 | 2015-06-23 | 주식회사 엘지실트론 | 웨이퍼 그라인딩 장치 |
| KR20160125585A (ko) * | 2015-04-21 | 2016-11-01 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
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| JP2022040984A (ja) * | 2020-08-31 | 2022-03-11 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
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-
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-
1999
- 1999-02-18 JP JP3942199A patent/JPH11333719A/ja active Pending
- 1999-05-18 US US09/313,651 patent/US6168499B1/en not_active Expired - Lifetime
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