KR20230004712A - 가공 장치 및 방법 - Google Patents

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마사키 카나자와
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가부시키가이샤 토쿄 세이미쯔
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Abstract

본 발명은, 표면에 범프가 형성된 웨이퍼를 안전하게 가공하는 가공 장치 및 방법을 제공한다.
가공 장치(10)는, 웨이퍼(20)의 범프 영역(24)을 유지 가능한 척(40)과, 범프 영역(24)으로부터 외주 영역(25)에 걸쳐 필름(20)이 만곡하는 만곡 영역(26)을 지지하는 서포트면(32)을 구비하고, 웨이퍼(20)의 외주 영역(25)을 지지 가능한 서포트 링(30)과, 척(40)을 대략 중앙에 수용하고, 척(40)의 외주에 서포트 링(30)을 수용하는 척 테이블(16)을 구비하고 있다.

Description

가공 장치 및 방법
본 발명은, 복수의 범프가 표면에 형성된 웨이퍼를 얇게 가공하는 가공 장치 및 방법에 관한 것이다.
[0002]
반도체 제조 분야에서는, 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 웨이퍼(이하, "웨이퍼"라고 함)를 얇고 평탄하게 연삭하는 것으로서, 회전하는 연삭 숫돌의 연삭면을 웨이퍼에 꽉 눌러, 웨이퍼의 이면을 연삭하는 가공 장치가 알려져 있다. 웨이퍼의 이면 연삭 시에, 웨이퍼 표면에 형성된 칩, 범프를 보호하기 위해, 표면을 보호하는 필름이 웨이퍼 표면에 부착되어 있다.
[0003]
웨이퍼의 이면 연삭이 종료되면, 다이싱 필름 부착 장치에 있어서 다이싱 필름이 웨이퍼의 이면에 부착되어, 웨이퍼와 마운트 프레임이 일체화된다. 다음에, 웨이퍼의 표면에 부착된 표면 보호 필름이 박리된 후에, 웨이퍼는 주사위 형상으로 다이싱된다. 다이싱에 의해 형성된 칩은 픽업되어 리드 프레임에 마운트된다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
[0004]
도 8은, 웨이퍼의 이면 연삭을 행하는 가공 장치의 일례이다. 웨이퍼(90)는 표면(91)의 칩(92) 위에 범프(93)가 형성됨과 더불어 범프(B)를 덮도록 필름(94)이 부착되어 있다. 웨이퍼(90)는 그 이면(95)이 상방을 향하도록 테이블(96)에 흡착 유지됨과 더불어, 통체(97)가 웨이퍼(90)의 외주를 지지하고 있는 상태로, 연삭 숫돌(98)이 이면(95)를 연삭한다.
일본 공개특허공보 2009-206475호
[0006]
그러나, 도 8에 나타내는 가공 장치에서는, 테이블(96)과 통체(97) 사이의 단차가 범프(93)의 높이에 따라 높아져, 범프(93)의 높이가 100μm를 넘는 고범프가 부착된 웨이퍼(90)에서는, 필름(94)이 단차를 다 흡수하지 못하고, 필름(94)이 테이블(96)로부터 간극을 두고 떠있어 평면에서 볼 때 링 형상의 간극이 발생하여, 얇은 웨이퍼(90)가 이면 연삭 시에 간극에서 지지를 받지 않은 부분으로부터 갈라질 우려가 있었다.
[0007]
따라서, 표면에 범프가 형성된 웨이퍼를 안전하게 가공하기 위하여 해결해야 할 기술적 과제가 발생하는 것이며, 본 발명은 이 과제를 해결하는 것을 목적으로 한다.
[0008]
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 가공 장치는 표면에 범프가 형성된 범프 영역과 상기 범프 영역 둘레의 외주 영역을 포함하고 상기 표면에 필름이 부착되어 있는 웨이퍼의 이면을 연삭하는 가공 장치로서, 상기 웨이퍼의 범프 영역을 유지할 수 있는 척과, 상기 범프 영역으로부터 상기 외주 영역에 걸쳐 상기 필름이 만곡하는 만곡 영역을 지지하는 서포트면을 구비하고, 상기 웨이퍼의 외주 영역을 지지할 수 있는 서포트 부재와, 상기 척을 수용하여, 상기 척의 외주에 상기 서포트 부재를 수용하는 척 테이블을 구비하고 있다.
[0009]
이 구성에 의하면, 서포트 부재가 범프의 높이만큼 척으로부터 뜨도록 만곡하는 필름의 만곡 영역을 지지함으로써, 필름이 서포트 부재 및 척에 간극 없이 지지되기 때문에, 범프가 부착된 웨이퍼를 파손시키지 않고 안전하게 가공할 수 있다.
[0010]
또한, 본 발명에 따른 가공 장치는, 상기 서포트 부재는 상기 척의 외주에 형성된 링 형상 홈에 끼워 넣어져 있는 것이 바람직하다.
[0011]
이 구성에 의하면, 서포트 부재가, 척을 둘러싸도록 링 형상으로 형성됨으로써, 웨이퍼를 광범위에 걸쳐 지지하기 때문에, 범프가 부착된 웨이퍼를 파손시키지 않고 안전하게 가공할 수 있다.
[0012]
또한, 본 발명에 따른 가공 장치는, 상기 서포트 부재 및 척 테이블은 대략 동일한 열 팽창 계수를 나타내는 재료에 의해 구성되어 있는 것이 바람직하다.
[0013]
이 구성에 의하면, 웨이퍼 가공 시에 생기는 마찰열로 서포트 부재 및 척 테이블이 대략 일정하게 열 팽창하기 때문에, 웨이퍼를 정밀도 좋게 가공할 수 있다.
[0014]
또한, 본 발명에 따른 가공 장치는, 상기 척 테이블에는 상기 링 형상 홈과 상기 척 테이블의 둘레면에 형성된 개구부를 연이어 통하는 배수 구멍이 형성되어 있는 것이 바람직하다.
[0015]
이 구성에 의하면, 링 형상 홈 내의 연삭수 등을 외부로 배수할 수 있다.
[0016]
또한, 본 발명에 따른 가공 장치는, 상기 척 테이블의 표면을 향하여 2 유체를 분사시키는 세정 수단을 더 구비하고 있는 것이 바람직하다.
[0017]
이 구성에 의하면, 경질의 세정 스톤 등을 척 테이블에 꽉 누르는 세정 장치에서는 서포트 부재가 척으로부터 돌출되어 있기 때문에, 척 표면을 세정할 수 없는 것에 비해, 2 유체를 이용하여 서포트 부재 및 척을 포함하는 척 테이블 전면을 효율적으로 세정할 수 있다.
[0018]
또한, 상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 가공 방법은, 표면에 범프가 형성된 범프 영역과 상기 범프 영역의 둘레의 외주 영역을 포함하고 상기 표면에 필름이 부착되어 있는 웨이퍼의 이면을 연삭하는 가공 방법으로서, 상기 필름 중 상기 범프 영역으로부터 상기 외주 영역에 걸쳐 상기 필름이 만곡하는 만곡 영역의 형상을 측정하는 공정과, 상기 만곡 영역의 형상에 따른 서포트면을 서포트 부재의 상단면 내주 가장자리에 형성하는 공정과, 상기 웨이퍼의 범프 영역을 유지할 수 있는 척의 표면 및 상기 척을 수용하는 척 테이블의 표면을 대략 평탄하게 연삭하는 공정과, 상기 척의 외주에 형성된 상기 척 테이블의 링 형상 홈에 상기 서포트 부재의 하단면을 상방을 향한 상태로 상기 서포트 부재를 끼워 넣는 공정과, 상기 서포트 부재의 하단면을 상기 척 테이블의 표면으로부터 소정 높이까지 연삭하는 공정과, 상기 서포트 부재를 상하 반전시키는 공정과, 상기 서포트면이 상기 만곡 영역을 지지함과 더불어 상기 상단면이 상기 외주 영역을 지지한 상태로, 상기 척이 상기 웨이퍼를 유지하는 공정을 포함한다.
[0019]
이 구성에 의하면, 서포트 부재가 범프의 높이만큼 척으로부터 뜨도록 만곡하는 필름의 만곡 영역을 지지함으로써, 필름이 서포트 부재 및 척에 간극 없이 지지되기 때문에, 범프가 부착된 웨이퍼를 파손시키지 않고 안전하게 가공할 수 있다.
[0020]
또한, 본 발명에 따른 가공 방법은, 상기 서포트 부재의 하단면을 연삭하는 공정에 있어서, 상기 척 테이블의 표면에 대한 상기 서포트 부재의 하단면의 높이를 측정하면서 연삭하는 것이 바람직하다.
[0021]
이 구성에 의하면, 연삭 가공 중에 척 테이블의 표면에 대한 하단면의 높이를 리얼타임으로 측정함으로써, 서포트 부재를 고정밀도로 가공할 수 있다.
[0022]
본 발명은, 필름이 서포트 부재 및 척에 간극 없이 지지되기 때문에, 범프가 부착된 웨이퍼를 파손시키지 않고 안전하게 가공할 수 있다.
[0023]
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 가공 장치의 개요를 나타내는 모식도이다.
도 2(a)는 웨이퍼의 평면도이다. 도 2(b)는 웨이퍼의 종단면도이다. 도 2(c)는 웨이퍼의 주요부 확대도이다.
도 3(a)는 척 테이블 및 서포트 부재의 조립도이다. 도 3(b)는 서포트 부재가 끼워 넣어진 상태의 척 테이블을 나타내는 사시도이다.
도 4는 서포트 부재의 종단면도이다.
도 5는 척 테이블의 종단면도이다.
도 6(a)는 척 및 척 테이블의 각 표면을 연삭하는 양태를 나타내는 모식도이다. 도 6(b)는 서포트 부재의 하단면을 연삭하는 양태를 나타내는 모식도이다. 도 6(c)는 2 유체로 세정하는 양태를 나타내는 모식도이다.
도 7(a)는 웨이퍼가 척에 유지되고 있는 양태를 나타내는 모식도이다. 도 7(b)는 필름이 서포트면에 지지되고 있는 양태를 나타내는 주요부 확대도이다. 도 7(c)는 웨이퍼의 이면을 연삭하는 양태를 나타내는 모식도이다.
도 8은 종래의 가공 장치의 구성을 나타내는 종단면도이다.
[0024]
본 발명의 일 실시형태에 대하여 도면에 기초하여 설명한다. 또한, 이하에서는, 구성 요소의 수, 수치, 양, 범위 등을 언급하는 경우, 특별히 명시한 경우 및 원리적으로 명확하게 특정의 수로 한정되는 경우를 제외하고, 그 특정의 수로 한정되는 것은 아니고, 특정의 수 이상이어도 이하여도 상관없다.
[0025]
또한, 구성 요소 등의 형상, 위치 관계를 언급할 때는, 특별히 명시한 경우 및 원리적으로 분명하게 그렇지 않다고 생각할 수 있는 경우 등을 제외하고, 실질적으로 그 형상 등에 근사 또는 유사한 것 등을 포함한다.
[0026]
또한, 도면은 특징을 알기 쉽게 하기 위해 특징적인 부분을 확대하는 등 하여 과장하는 경우가 있으며, 구성 요소의 치수 비율 등이 실제와 같다고는 한정되지 않는다. 또한, 단면도에서는, 구성 요소의 단면 구조를 알기 쉽게 하기 위해, 일부 구성 요소의 해칭을 생략하는 경우가 있다.
[0027]
도 1에 나타내는 가공 장치(10)에는, 도 2(a), (b)에 나타내는 범프(B)를 구비한 복수의 칩(C)이 표면(23)에 형성된 실리콘제의 웨이퍼(20)가 공급된다. 가공 장치(10)는 웨이퍼(20)에 BG 필름(21)을 부착하는 필름 부착부(11)와, 웨이퍼(20)의 이면(22)을 연삭하는 이면 연삭부(12)를 구비하고 있다.
[0028]
이면 연삭부(12)는 삽입 유닛(13)과, 단면 연삭 유닛(14)과, 이면 연삭 유닛(15)을 구비하고 있다.
[0029]
삽입 유닛(13)은 서포트 링(30)을 척 테이블(16)에 미리 형성된 링 형상 홈(17)에 삽입한다. 또한, 삽입 유닛(13)을 사용하는 대신에, 조작자가 서포트 링(30)을 링 형상 홈(17)에 삽입해도 상관없다.
[0030]
단면 연삭 유닛(14)은 척 테이블(16)에 장착된 서포트 링(30)의 단면을 연삭 숫돌(14a)로 연삭한다. 단면 연삭 유닛(14)은 후술하는 인 프로세스 게이지(14b)를 구비하고 있다.
[0031]
이면 연삭 유닛(15)은 연삭 숫돌(15a)로 웨이퍼(20)의 이면(22)을 연삭한다. 이면 연삭 유닛(15)은 척 테이블(16)을 향하여 액체를 고속 기체로 미세화한 2 유체를 분사하는 공지의 구성으로 이루어지는 2 유체 노즐(15b)을 구비하고 있다. 또한, 이면 연삭 유닛(15)은 웨이퍼(20)의 이면 연삭 중에 웨이퍼(20)의 두께 측정을 행하는 인 프로세스 게이지(15c)를 구비하고 있다. 이면 연삭 유닛(15)은 단면 연삭 유닛(14)을 겸하도록 구성되어도 상관없다. 또한, 부호 18은, 필름 부착부(11)에서 BG 필름(21)이 부착된 웨이퍼(20)를 이면 연삭 유닛(15)으로 반송하는 로봇 핸드이다.
[0032]
도 2(a), (b)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(20)는 복수의 칩(C)이 웨이퍼(20)의 표면(23)에서의 중앙 영역(24)에만 형성되어 있고, 각 칩(C)에는, 전기 접점으로서의 범프(B)가 형성되어 있다. 즉, 칩(C) 및 범프(B)는 웨이퍼(20)의 외주 영역(25)에는 형성되어 있지 않다. 이하, 중앙 영역(24)을 범프 영역(24)이라고 한다.
[0033]
웨이퍼(20)의 표면(23) 측에는, 전면을 덮도록 BG 필름(21)이 부착되어 있다. BG 필름(21)은 후술하는 이면 연삭 시에, 칩(C) 및 범프(B)를 보호함과 더불어, 연삭수가 웨이퍼(20)와 BG 필름(21)과의 사이에 유입하여 칩(C) 및 범프(B)를 오염하는 것을 억제한다.
[0034]
도 2(b), (c)에 도시하는 바와 같이, BG 필름(21)은 범프 영역(24)과 외주 영역(25) 사이에서 범프(B)의 높이에 따라 매끄럽게 만곡한다. 이하, BG 필름(21)이 만곡하는 영역을 만곡 영역(26)이라고 한다. BG 필름(21)의 만곡 영역(26)에서의 테이퍼각(θ1)은 약 1∼10도의 범위 내에서, 범프(B)의 높이, BG 필름(21)의 경도 및 외주 영역(25)의 폭 등에 따라 설정된다.
[0035]
도 3(a), (b)에 도시하는 바와 같이, 척 테이블(16)의 표면 대략 중앙에는, 알루미나 등의 다공질 재료로 이루어지는 척(40)이 매설되어 있다. 척 테이블(16)은 내부를 통과하여 표면으로 연장되는 도시하지 않은 관로를 구비하고 있다. 관로는 도시하지 않은 진공원, 압축 공기원 또는 급수원에 접속되어 있다. 진공원이 기동하면, 척 테이블(16)에 재치된 웨이퍼(20)가 척(40)에 흡착 유지된다. 또한, 압축 공기원 또는 급수원이 기동하면, 웨이퍼(20)와 척(40)과의 흡착이 해제된다.
[0036]
서포트 링(30)은 척(40)의 외주에 형성된 링 형상 홈(17)에 끼워 넣을 수 있다. 서포트 링(30)은 대략 원통 형상으로 형성되어 있고, 그 내경이 웨이퍼(20)의 외경보다 작게 설정되어 있다. 서포트 링(30)의 축 방향의 높이 치수는 서포트 링(30)이 링 형상 홈(17)에 끼워 넣어진 상태로 서포트 링(30)의 상단면(31)이 척 테이블(16)의 표면으로부터 범프(B)의 높이만큼 돌출하도록 설정되어 있다. 또한, 서포트 링(30)의 형상은 원통 형상으로 한정되는 것은 아니고, 후술하는 웨이퍼(20)의 이면 연삭 시에 웨이퍼(20)가 파손되지 않을 정도로 만곡 영역(26)을 지지하 수 있다면, 어떤 형상이어도 상관없다.
[0037]
도 4에 도시하는 바와 같이, 서포트 링(30)은 상단면(31)의 내주 가장자리를 테이퍼 형상으로 노치한 서포트면(32)이 형성되어 있다. 서포트면(32)의 형상은 BG 필름(21)의 만곡 영역(26)의 형상에 따라 형성되어 있다. 구체적으로는, 서포트면(32)의 직경 방향의 폭 치수는 BG 필름(21)의 만곡 영역(26)의 직경 방향의 폭 치수에 따라 설정되고, 서포트면(32)의 테이퍼각(θ2)은 실측된 BG 필름(21)의 테이퍼각(θ1)에 따라 설정된다. 또한, 서포트 링(30)의 하단면(33)은 상단면(31)에 대략 평행하게 형성되어 있다.
[0038]
서포트 링(30)은 단면 연삭 유닛(14)의 연삭 숫돌(14a)에 의해 연삭 가능한 재료, 예를 들면 실리콘 또는 플라스틱으로 이루어지고, 특히, 척 테이블(16)과 대략 동일한 열 팽창 계수를 나타내는 재료인 것이 바람직하고, 예를 들면, 알루미나 세라믹스 등을 생각할 수 있다. 이것에 의해, 척 테이블(16)과 서포트 링(30)이 연삭 시의 마찰열로 대략 일정하게 열 팽창하기 때문에, 가공 정밀도를 확보할 수 있다. 또한, 서포트 링(30)을 링 형상 홈(17)으로부터 떼어내는 데에 T 렌치를 이용하는 경우에는, 서포트 링(30)의 상단면(31)에 도시하지 않은 탭 구멍을 형성하는 것이 바람직하다.
[0039]
도 5에 도시하는 바와 같이, 링 형상 홈(17)에 끼워 넣어진 서포트 링(30)은 척 테이블(16)의 둘레면으로부터 직경 방향 내측을 향하여 형성된 나사 구멍(16b)에 나사 결합된 나사(50)에 의해 고정되어 있다. 또한, 나사(50)는 척 테이블(16)의 둘레 방향으로 등간격으로 형성되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 링 형상 홈(17)은 배수 구멍(16b)를 통하여 척 테이블(16)의 둘레면에 형성된 개구부(16c)에 연이어 통하고 있다. 이것에 의해, 이면 연삭 시에, 연삭수가 링 형상 홈(17) 내에 잔류하지 않고 외부로 배수된다.
[0040]
다음에, 가공 장치(10)를 이용하여 웨이퍼(20)를 이면 연삭하는 순서에 대하여, 도면에 기초하여 설명한다.
[0041]
〔연삭 준비〕
우선, 필름 부착부(11)가 웨이퍼(20)에 BG 필름(21)을 부착한다. 그리고, 웨이퍼(20) 전면(全面)에 부착된 BG 필름(21) 중 만곡 영역(26)의 형상(직경 방향의 길이, 테이퍼각(θ1) 등)을 도시하지 않은 표면 거칠기 측정기 등을 이용하여 측정한다.
[0042]
다음에, 측정한 만곡 영역(26)의 형상에 대응하도록, 서포트 링(30)의 상단면(31)의 내주 가장자리를 도시하지 않은 연삭 장치를 이용하여 연삭하여, 서포트면(32)을 형성한다. 또한, 서포트 링(30)에 서포트면(32)을 형성하는 연삭 장치는, 예를 들면, 서포트면(32)의 형상에 따른 테이퍼면을 가지는 숫돌을 구비하고, 서포트 링(30) 및 숫돌을 각각 회전시키면서, 숫돌의 테이퍼면을 서포트 링(30)의 상단면(31)의 내주 가장자리에 꽉 눌러 내경 가공함으로써, 서포트면(32)을 형성하는 로터리 연삭반 등을 생각할 수 있지만, 이것으로 한정되는 것은 아니다.
[0043]
다음에, 도 6(a)에 도시하는 바와 같이, 연삭 숫돌(15a) 및 척 테이블(16)을 회전시키면서, 연삭 숫돌(15a)을 하방으로 소정 시간 동안 꽉 누름으로써, 척(40)의 표면 및 척 테이블(16)의 표면을 대략 평탄하게 연삭한다.
[0044]
척(40)의 표면 및 척 테이블(16)의 표면을 소정 시간 동안 연삭시키면, 연삭 숫돌(15a) 및 척 테이블(16)을 정지시키고, 연삭 숫돌(15a)을 퇴피시킨다. 그 후, 필요에 따라 링 형상 홈(17) 내를 세정한 후에, 삽입 유닛(13)이 하단면(33)을 상방을 향한 상태로 서포트 링(30)을 링 형상 홈(17)에 끼워 넣는다.
[0045]
다음에, 도 6(b)에 도시하는 바와 같이, 연삭 숫돌(14a) 및 척 테이블(16)을 회전시키면서, 연삭 숫돌(14a)을 하단면(33)에 꽉 누름으로써, 서포트 링(30)이 연삭된다.
[0046]
서포트 링(30)의 연삭량은 척 테이블(16)의 표면에 대하여 하단면(33)의 높이가 웨이퍼(20)의 표면(23)과 범프(B)의 꼭대기부 사이의 거리, 즉, 범프 영역(24)과 외주 영역(25) 사이에서의 BG 필름(21)의 단차의 높이와 대략 같아지도록 설정된다. 따라서, 범프(B)의 높이가 다른 웨이퍼(20)를 처리하는 경우에는, 범프(B)의 치수에 따라 서포트 링(30)의 연삭량이 변경된다.
[0047]
또한, 인 프로세스 게이지(14b)를 이용하여, 하단면(33) 및 척 테이블(16)의 표면의 높이를 측정하고, 그들의 차로부터 척 테이블(16)의 표면에 대한 하단면(33)의 높이를 가공 중에 측정함으로써, 범프(B)의 높이에 따라 서포트 링(30)을 고정밀도로 가공할 수 있다.
[0048]
하단면(33)이 척 테이블(16)의 표면에 대하여 소정의 높이까지 연삭되면, 연삭 숫돌(14a) 및 척 테이블(16)을 정지시키고, 연삭 숫돌(14a)을 퇴피시킨다. 그리고, 삽입 유닛(13)이 서포트 링(30)을 링 형상 홈(17)으로부터 떼어낸 후에, 서포트 링(30)을 상하 반전시켜 상단면(31)을 상방을 향한 상태로 서포트 링(30)을 링 형상 홈(17)에 다시 끼워 넣는다.
[0049]
도 6(c)에 도시하는 바와 같이, 이면 연삭 전에, 2 유체 노즐(15b)로부터 토출된 2 유체를, 척 테이블(16)을 회전시키면서, 척(40)의 표면, 척 테이블(16)의 표면 및 서포트 링(30)의 상단면(31)을 향해 분사하여 서포트 링(30)의 연삭 시에 발생한 슬러지 등을 세정한다. 이것에 의해, 예를 들면 경질의 세정 스톤 등을 척 테이블(16)에 꽉 누르는 세정 장치를 이용한 경우, 상단면(31)이 척 테이블(16)의 표면보다 높기 때문에, 세정 잔재가 생길 우려가 있는 것에 비해, 2 유체를 이용한 세정은, 상단면(31)과 척 테이블(16)의 표면과의 약간의 높낮이차에 상관없이, 2 유체가 척 테이블(16) 전면에 비산되어 효율 좋게 세정할 수 있다.
[0050]
〔웨이퍼 연삭〕
로봇 핸드(18)가 BG 필름(21)이 부착된 웨이퍼(20)를 필름 부착부(11)로부터 이면 연삭부(12)로 반송하여, 도 7(a)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(20)가, 이면(22)이 상방을 향하도록 척 테이블(16) 위에 재치된다.
[0051]
웨이퍼(20)와 척(40) 사이에 부압이 공급되면, 웨이퍼(20)가 척(40)에 흡착 유지된다. 이 때, 범프 영역(24)이 척(40)에 지지되고, 외주 영역(25)이 상단면(31)에 지지되고, 또한, 도 7(b)에 도시하는 바와 같이, 만곡 영역(26)이 서포트면(32)에 밀착하여 지지되고 있다. 즉, BG 필름(21)이, 서포트 링(30) 및 척(40)과의 사이에 전면에 걸쳐 간극 없이 지지된다.
[0052]
그리고, 도 7(c)에 도시하는 바와 같이, 연삭 숫돌(15a) 및 척 테이블(16)을 회전시키면서, 연삭 숫돌(15a)을 하방으로 꽉 누름으로써, 연삭 숫돌(15a)이 웨이퍼(20)의 이면(22)을 연삭한다. 웨이퍼(20)의 이면 연삭 시에서, BG 필름(21)이, 서포트 링(30) 및 척(40) 사이에 전면에 걸쳐 간극 없이 지지되고 있기 때문에, 웨이퍼(20)를 파손시키지 않고 연삭할 수 있다.
[0053]
상술한 실시형태에서는, 웨이퍼(20)를 이면 연삭하는 가공 장치(10)을 예로 본 발명을 설명했지만, 웨이퍼(20)를 연마하는 장치 등에도 적용 가능하다.
[0054]
또한, 서포트 링(30)은 외주 영역(25)을 지지하는 상단면(31)과 만곡 영역(26)을 지지하는 서포트면(32)과 일체로 겸비한 구성에 한정되지 않고, 상단면(31)과 서포트면(32)을 별체로 형성해도 상관없다.
[0055]
또한, 본 발명은, 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 한, 상기 이외에도 다양한 개변(改變)을 할 수 있고, 또한, 본 발명이 상기 개변된 것에 미치는 것은 당연하다.
10: 가공 장치
11: 필름 부착부
12: 이면 연삭부
13: 삽입 유닛
14: 단면 연삭 유닛
14a: 연삭 숫돌
14b: 인 프로세스 게이지
15: 이면 연삭 유닛
15a: 연삭 숫돌
15b: 2 유체 노즐(세정 수단)
15c: 인 프로세스 게이지
16: 척 테이블
16a: 개구부
16b: 배수 구멍
16c: 나사 구멍
17: 링 형상 홈
18: 로봇 핸드
20: 웨이퍼
21: BG 필름
22: (웨이퍼의) 이면
23: (웨이퍼의) 표면
24: 범프 영역
25: 외주 영역
26: 만곡 영역
30: 서포트 링(서포트 부재)
31: 상단면
32: 서포트면
33: 하단면
40: 척
50: 나사
B: 범프
C: 칩

Claims (7)

  1. 표면에 범프가 형성된 범프 영역과 상기 범프 영역의 둘레의 외주 영역을 포함하고 상기 표면에 필름이 부착되어 있는 웨이퍼의 이면을 연삭하는 가공 장치로서,
    상기 웨이퍼의 범프 영역을 유지 가능한 척과,
    상기 범프 영역으로부터 상기 외주 영역에 걸쳐 상기 필름이 만곡하는 만곡 영역을 지지하는 서포트면을 구비하고, 상기 웨이퍼의 외주 영역을 지지 가능한 서포트 부재와,
    상기 척을 수용하여, 상기 척의 외주에 상기 서포트 부재를 수용하는 척 테이블을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 가공 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 서포트 부재는 상기 척의 외주에 형성된 링 형상 홈에 끼워 넣어져 있는 것을 특징으로 하는 가공 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 서포트 부재 및 척 테이블은 대략 동일한 열 팽창 계수를 나타내는 재료에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 가공 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 척 테이블에는, 상기 링 형상 홈과 상기 척 테이블의 둘레면에 형성된 개구부를 연이어 통하는 배수 구멍이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 가공 장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 척 테이블의 표면을 향하여 2 유체를 분사시키는 세정 수단을 더 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 가공 장치.
  6. 표면에 범프가 형성된 범프 영역과 상기 범프 영역의 둘레의 외주 영역을 포함하고 상기 표면에 필름이 부착되어 있는 웨이퍼의 이면을 연삭하는 가공 방법으로서,
    상기 필름 중 상기 범프 영역으로부터 상기 외주 영역에 걸쳐 상기 필름이 만곡하는 만곡 영역의 형상을 측정하는 공정과,
    상기 만곡 영역의 형상에 따른 서포트면을 서포트 부재의 상단면 내주 가장자리에 형성하는 공정과,
    상기 웨이퍼의 범프 영역을 유지 가능한 척의 표면 및 상기 척을 수용하는 척 테이블의 표면을 대략 평탄하게 연삭하는 공정과,
    상기 척의 외주에 형성된 상기 척 테이블의 링 형상 홈에 상기 서포트 부재의 하단면을 상방을 향한 상태로 상기 서포트 부재를 끼워 넣는 공정과,
    상기 서포트 부재의 하단면을 상기 척 테이블의 표면으로부터 소정 높이까지 연삭하는 공정과,
    상기 서포트 부재를 상하 반전시키는 공정과,
    상기 서포트면이 상기 만곡 영역을 지지함과 더불어, 상기 상단면이 상기 외주 영역을 지지한 상태로, 상기 척이 상기 웨이퍼를 유지하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 가공 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 서포트 부재의 하단면을 연삭하는 공정에 있어서, 상기 척 테이블의 표면에 대한 상기 서포트 부재의 하단면의 높이를 측정하면서 연삭하는 것을 특징으로 하는 가공 방법.
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