TWI681844B - 乾式硏磨裝置 - Google Patents

Abstract

防止研磨屑或粉塵等異物對測量晶圓之狀態的測量器的 附著。

乾式研磨裝置具備保持台、研磨機構與研磨加工進 給機構，該保持台保持晶圓，該研磨機構具有主軸單元，該主軸單元是使研磨晶圓的研磨墊之中心、與旋轉軸之中心一致而裝設，該研磨加工進給機構將研磨機構與保持台在相對地接近及遠離的方向上進行研磨進給，並構成以下之構成：將形成於主軸單元之貫通孔連通於形成於研磨墊之中心之空孔，且藉由堵塞貫通孔之上端之罩蓋構件而形成與貫通孔連通的閉塞空間，並藉由配設於閉塞空間之測量器通過貫通孔來測量晶圓之狀態。

Description

乾式研磨裝置 發明領域

本發明是有關於一種在乾燥環境之加工室研磨晶圓的乾式研磨裝置。

發明背景

在研磨加工中，是藉由研磨磨削後之晶圓在被磨削面上所殘存的磨削應變，以使其提升抗曲強度。以往，作為研磨裝置而在不使用研磨液下研磨晶圓的乾式研磨裝置是已知的(例如參照專利文獻1)。在專利文獻1所記載之乾式研磨裝置中，是將研磨加工所產生之研磨屑或因研磨墊的磨耗造成的粉塵等微細異物，以排氣(吸氣)方式從加工室排出，並將從加工室排出之異物弄濕而作為廢液處理。因為是在將加工室形成乾燥環境之狀態下將異物做成廢液，故加工室內不會有異物飛散的情形，而設置有研磨裝置之無塵室內也不會被污染。

又，作為乾式研磨裝置而使用比晶圓的外徑還大徑之研磨墊來研磨晶圓之裝置也是已知的(例如參照專利文獻2)。專利文獻2所記載之乾式研磨裝置，是在將研磨墊中心與晶圓中心錯開的狀態下，使研磨墊接觸晶圓，藉此 變得可更具效率地以研磨墊研磨晶圓。在這些專利文獻1、2所記載之乾式研磨裝置中，為了防止因晶圓研磨時的摩擦熱所造成的表面燒焦而進行研磨中之晶圓的表面溫度之測量、或為了更高精度的研磨加工而進行研磨中的晶圓厚度之測量都被視為是必要的。

先前技術文獻 專利文獻

專利文獻1：日本專利特許第4464113號公報

專利文獻2：日本專利特許第4754870號公報

發明概要

然而，在專利文獻2之乾式研磨裝置中，因為整個半導體晶圓被研磨墊所覆蓋，故並無配置如上述之晶圓的溫度測量用之測量器與晶圓厚度測量用之測量器的地方。此時所考量到的構成是：在研磨墊的中心形成空孔，並於主軸單元上形成與此空孔相連的貫通孔，而從主軸單元的上方通過貫通孔來測量晶圓的狀態。但是，當研磨墊的空孔中有微細的異物進入時，會有異物通過主軸單元的貫通孔附著到測量器上而污染了測量器的問題。

本發明即是有鑒於所述的問題點而作成的發明，其目的在於提供一種可以防止研磨屑或粉塵等異物附著在測量晶圓之狀態的測量器上之乾式研磨裝置。

本發明之乾式研磨裝置具備：保持台，保持晶圓；研磨機構，具有主軸單元，該主軸單元是使用以研磨被保持於該保持台之晶圓的研磨墊之中心、與旋轉軸之中心一致而裝設；以及研磨加工進給機構，將該研磨機構與該保持台在相對地接近及遠離的方向上進行研磨進給，其中，該研磨機構具備圓柱狀的空孔、貫通孔與罩蓋構件，該圓柱狀的空孔是以該研磨墊之中心作為中心；該貫通孔是於該主軸單元之該旋轉軸之中在延伸方向上貫通且其中一端與該空孔連通；該罩蓋構件形成與該貫通孔之另一端連通的閉塞空間，且於該閉塞空間內配設測量研磨中之晶圓的狀態之測量器。

依據此構成，因研磨機構之貫通孔的另一端藉由罩蓋構件的閉塞空間而被堵塞，故使相對於空孔及貫通孔的空氣之出入受到抑制。因此，因為貫通孔中的空氣流動不存在，所以即使附著在研磨墊或晶圓上之研磨屑或粉塵等微細異物被捲起，微細異物仍難以進入空孔及貫通孔內。因為微細異物不易進入與貫通孔之另一端相連的閉塞空間中，所以可以防止異物附著到已配設於閉塞空間中之測量器上之情形。藉此，可一邊以乾式研磨裝置妥善地測量晶圓的狀態一邊研磨。

又，在上述乾式研磨裝置中，具備連通該閉塞空間與供給空氣之空氣供給源的空氣供給機構，且至少在使該研磨墊之研磨面接近晶圓之上表面的研磨進給動作時，藉該空氣供給機構供給空氣而使該閉塞空間為正壓。

依據本發明，研磨機構之貫通孔的另一端因罩蓋構件的閉塞空間而被堵塞，而使相對於空孔及貫通孔的空氣的出入受到抑制，所以可以防止微細異物附著到測量晶圓之狀態的測量器上。

1‧‧‧乾式研磨裝置

11‧‧‧基台

12‧‧‧工作台罩蓋

13‧‧‧防塵罩蓋

14‧‧‧支柱

21‧‧‧保持台

22‧‧‧旋轉機構

23‧‧‧保持面

24‧‧‧移動機構

31‧‧‧研磨加工進給機構

33‧‧‧Z軸基台

34、53‧‧‧滾珠螺桿

35、54‧‧‧驅動馬達

40‧‧‧旋轉軸

41‧‧‧研磨機構

42‧‧‧轉軸殼體

43‧‧‧主軸單元

44‧‧‧安裝座

45‧‧‧凸緣

46‧‧‧研磨墊

47‧‧‧空孔

48‧‧‧貫通孔

49‧‧‧研磨面

51‧‧‧導軌

52‧‧‧X軸基台

60、61‧‧‧測量器

62‧‧‧罩蓋構件

63‧‧‧閉塞空間

64‧‧‧空氣供給機構

65‧‧‧空氣供給源

70‧‧‧異物

81‧‧‧上表面

W‧‧‧晶圓

X、Y、Z‧‧‧方向

圖1為第1實施形態之乾式研磨裝置的立體圖。

圖2之2A-2B為顯示因異物而污染測量器之情形的說明圖。

圖3之3A-3C為顯示第1實施形態之研磨機構的研磨動作的一例之圖。

圖4之4A-4C為顯示第2實施形態之研磨機構的研磨動作的一例之圖。

用以實施發明之形態

參照附圖，說明本實施形態之乾式研磨裝置。圖1為第1實施形態之乾式研磨裝置的立體圖。圖2為顯示因異物而污染測量器之情形的說明圖。再者，本實施形態之乾式研磨裝置，並不限定於如圖1所示之研磨專用的裝置，也可以被安裝到例如以全自動的方式實施磨削、研磨、洗淨等的一連串之加工的全自動化型(Full Auto Type)的加工裝置中。

如圖1所示，乾式研磨裝置1是構成為：藉由使用研磨機構41將磨削後的晶圓W研磨，以將殘存於晶圓W之 被磨削面(上表面81)的磨削應變去除。乾式研磨裝置1是在乾燥環境的加工室(圖未示)於不使用研磨液的情形下研磨晶圓W的裝置，並從加工室對研磨屑或因研磨墊之磨耗所造成的粉塵等的微細異物進行吸引排氣。再者，晶圓W可以是矽、砷化鎵等半導體基板，也可以是藍寶石、碳化矽等之硬質的無機材料基板。又，晶圓W也可以是器件形成後之半導體基板或無機材料基板。

在乾式研磨裝置1之基台11的上表面形成有於X軸方向上延伸的矩形開口，此開口被可與保持台21一起移動之工作台罩蓋12及伸縮囊狀的防塵罩蓋13所覆蓋。在防塵罩蓋13的下方設有使保持台21在X軸方向上移動之移動機構24、與使保持台21連續旋轉之旋轉機構22。在保持台21的表面形成有以多孔質的多孔材來吸附晶圓W之保持面23。保持面23是通過保持台21內的流路而與吸引源(圖未示)連接，且藉由於保持面23上產生的負壓使晶圓W被吸引保持。

移動機構24具有配置於基台11上之與X軸方向平行的一對導軌51、和被設置成可在一對導軌51上滑動之馬達驅動的X軸基台52。在X軸基台52的背面側形成有螺帽部(圖未示)，在此螺帽部中螺合有滾珠螺桿53。並且，藉由將連結於滾珠螺桿53的一端部之驅動馬達54旋轉驅動，以使保持台21沿一對導軌51在X軸方向上移動。旋轉機構22是設置於X軸基台52上，並將保持台21以可繞Z軸旋轉的方式支撐著。

基台11上的支柱14上設置有將研磨機構41與保持台21在使其相對地接近及遠離之Z軸方向上研磨進給的研磨加工進給機構31。研磨加工進給機構31具有配置在支柱14上之與Z軸方向平行的一對導軌32、和被設置成可在一對導軌32上滑動之馬達驅動的Z軸基台33。Z軸基台33的背面側形成有螺帽部(圖未示)，並於此螺帽部中螺合有滾珠螺桿34。藉由連結於滾珠螺桿34之一端部的驅動馬達35將滾珠螺桿34旋轉驅動，以將研磨機構41沿導軌32研磨進給。

研磨機構41是透過殼體42而被安裝於Z軸基台33的前面，且在主軸單元43的下部設置研磨墊46而構成。主軸單元43上設有凸緣45，研磨機構41透過凸緣45而被殼體42所支撐。主軸單元43的下部為安裝座44，安裝座44的下表面裝設有研磨被保持於保持台21上之晶圓W的研磨墊46。研磨墊46是以發泡材料或纖維質等所形成，且以使研磨墊46的中心與旋轉軸的中心一致的方式裝設在研磨機構41之主軸單元43。

乾式研磨裝置1上設置有整合控制裝置各部之控制部(圖未示)。控制部是由執行各種處理之處理器與記憶體等所構成。記憶體是因應用途而由ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)等的一個或複數個儲存媒體所構成。以此種方式構成之乾式研磨裝置1中，是藉由主軸單元43使研磨墊46一邊繞著Z軸旋轉一邊接近保持台21。並且，藉由研磨墊46旋轉接觸晶圓W，使得晶圓W的被磨削面被研磨。

又，在乾式研磨裝置1的研磨中，會實施溫度測量以防止摩擦熱造成的表面燒焦、及實施晶圓W的厚度測量以進行高精度的研磨加工。但是，像是本實施形態之乾式研磨裝置1，在使用外徑比晶圓W的外徑大之研磨墊46而使晶圓W被研磨墊46所覆蓋的狀態下，並沒有用於溫度測量及厚度測量的測量器之設置空間。因此，所考慮的構成為：如圖2A的比較例所示，於研磨墊46的中心形成空孔47，並在主軸單元43中形成與此空孔47相連的貫通孔48，以將測量器60、61設置成可自主軸單元43的上方通過貫通孔48來進行測量。

但是，如圖2B所示，因主軸單元43之貫通孔48的正上方存在有測量器60、61，故產生了下列的問題：研磨加工所產生之研磨屑與因研磨墊46之磨耗所形成的粉塵等微細異物70附著到測量器60、61上，而使得測量精度劣化。在此，本案之發明人在詳細地觀察了測量器60、61因異物70而被污染的情形後，確認到以下之情形：相較於晶圓W的研磨中，在研磨動作開始時更會因研磨機構41靠近晶圓W時的力道而使異物70被捲起，並通過貫通孔48而附著到測量器60、61。

經考慮，這是因為研磨墊46在靠近晶圓W時，研磨墊46的研磨面49與晶圓W上表面81之間的間隙的空氣被壓縮，並透過空孔47流入貫通孔48，而形成自貫通孔48的上端(另一端)噴出之空氣的流動。於是，在本實施形態中是做成以罩蓋構件62(參照圖3)堵塞貫通孔48的上端，以阻斷 此空氣的流動。並且，在罩蓋構件62中設置與貫通孔48的上端相連的閉塞空間63，並在此閉塞空間63內配設測量器60、61，藉此消除在貫通孔48中的空氣的流動，並抑制異物70對測量器60、61之附著。

以下，參照圖3，詳細地說明研磨機構之構成以及研磨動作。圖3是顯示第1實施形態之研磨機構的研磨動作之一例。再者，在以下的說明中，為了方便說明，而省略主軸單元之主軸箱，並以旋轉軸露出的狀態為例示來加以說明。

如圖3A所示，在主軸單元43內之旋轉軸40的下部設有安裝座44，安裝座44上裝設有外徑比保持台21上之晶圓W的外徑大的研磨墊46。於研磨墊46的中心開口形成空孔47，且於主軸單元43的旋轉軸40的中心在延伸方向(上下方向)上貫通形成有貫通孔48。貫通孔48的一端(下端)與研磨墊46的空孔47連通。亦即，研磨機構41具備有以研磨墊46的中心作為中心之圓柱狀的空孔47、和於旋轉軸40中在延伸方向上貫通的貫通孔48。

又，研磨機構41具備有藉由堵塞貫通孔48之另一端(上端)，以抑制貫通孔48內之空氣的流動的罩蓋構件62。罩蓋構件62上形成有與貫通孔48的另一端連通之閉塞空間63，在閉塞空間63內配設有測量研磨中之晶圓W的狀態的測量器60、61。測量器60、61是配設於貫通孔48的正上方，並透過貫通孔48及空孔47而從正上方測量晶圓W的狀態。此時，因為貫通孔48之另一端被罩蓋構件62堵塞，故使通 過貫通孔48而朝向閉塞空間63內之測量器60、61的空氣的流動受到抑制。

在此，研磨中之晶圓W的狀態，如上所述，可列舉出晶圓W的表面溫度、晶圓W的厚度等。測量器60為所謂的輻射溫度計，並以非接觸方式測量晶圓W的表面溫度。測量器61為干涉光譜儀等之光感測器，並以非接觸方式測量晶圓W的厚度。從測量器60、61的測量結果，測量出研磨中之晶圓W的表面溫度及研磨量，可以防止因摩擦熱所形成的表面燒焦，並且能以高精度研磨晶圓W。這些測量器60、61的測量結果，會在研磨中被輸出到控制部(圖未示)，並由控制部根據測量結果來控制研磨機構41的動作。

在此研磨機構41中，當將晶圓W載置在保持台21上時，晶圓W即被保持台21的保持面23所保持。保持台21被移動到研磨機構41的下方，以將晶圓W定位於研磨墊46的正下方。此時，因為將研磨機構41停止在使研磨墊46充分遠離晶圓W的待機位置上，故於晶圓W的上表面81與研磨墊46的研磨面49之間及貫通孔48內並未產生空氣的流動。然後，研磨機構41一邊旋轉研磨墊46，一邊從待機位置朝向晶圓W的上表面81而被移動。

如圖3B所示，當研磨墊46的研磨面49靠近晶圓W的上表面81時，研磨墊46的研磨面49與晶圓W的上表面81的間隙之空氣會被壓縮。雖然形成使間隙內的空氣沿晶圓W的上表面81逃散，但因貫通孔48另一端(亦即上端)被罩蓋構件62堵塞，所以在晶圓W的徑向內側並無空氣的逃散道。 因此，間隙內的空氣會向晶圓W的徑向外側流動，而防止空氣於空孔47及貫通孔48內流動。藉由使經由貫通孔48朝上方逃散之空氣的逃散道被罩蓋構件62所阻斷，使空氣的流動受到控制。

此時，因為空氣朝向晶圓W的徑向外側流動，故可防止附著在研磨墊46與晶圓W之微細異物70的捲起。即使是在已被捲起的情況下，因貫通孔48內並無空氣的流動，故異物70會變得難以進入貫通孔48內。藉此，使異物70變得難以通過貫通孔48而進入閉塞空間63，而可防止異物70對配設於閉塞空間63中的測量器60、61之附著。像這樣，藉由以罩蓋構件62將空氣的流動誘導向晶圓W的徑向外側，而以簡易的構成防止異物70對測量器60、61之附著。

如圖3C所示，當研磨墊46的研磨面49接觸晶圓W的上表面81時，晶圓W的上表面81會因研磨墊46而被研磨。此時，會藉由閉塞空間63內的測量器60、61即時測量晶圓W的表面溫度與厚度，並根據測量器60、61的測量結果控制研磨機構41。由測量器60所測量之溫度，在低於產生表面燒焦的溫度之期間，會繼續晶圓W的研磨，當形成為產生表面燒焦的溫度時，即中止晶圓W的研磨。並且，會將研磨機構41研磨進給到於測量器61所測量到的晶圓W的厚度成為去除研磨應變之目標的厚度為止。

以上，在第1實施形態之乾式研磨裝置1中，研磨機構41的貫通孔48的上端因罩蓋構件62的閉塞空間63而被堵塞，故使空氣相對於空孔47及貫通孔48的出入受到抑制。 因此，因為並沒有貫通孔48中的空氣的流動，故即使附著於研磨墊46及晶圓W之研磨屑與粉塵等微細異物70被捲起，微細異物70仍難以進入空孔47及貫通孔48內。因為微細異物70難以進入與貫通孔48之上端相連的閉塞空間63，故可以防止異物70附著於已被配設於閉塞空間63的測量器60、61。藉此，可用乾式研磨裝置1一邊妥善地測量晶圓W的狀態一邊研磨。

其次，參照圖4說明第2實施形態之乾式研磨裝置的研磨機構。圖4是顯示第2實施形態之研磨機構的研磨動作的一例之圖。再者，第2實施形態中，在一邊於貫通孔內形成正壓一邊使研磨墊接近晶圓這一點上，與第1實施形態是不同的。因此，主要是針對不同點作詳細的說明。又，在以下的說明中，為了方便說明，而省略主軸單元之主軸箱，並以旋轉軸露出的狀態為例示來加以說明。

如圖4A所示，第2實施形態之研磨機構41，除了設置有連通閉塞空間63與供給空氣之空氣供給源65的空氣供給機構64以外，與第1實施形態的研磨機構41為相同的構成。空氣供給機構64是構成為至少在使研磨墊46之研磨面49接近晶圓W的上表面81的研磨進給動作時，將空氣供給到閉塞空間63而將閉塞空間63形成正壓。再者，空氣供給源65只要是能將空氣透過空氣供給機構64供給到閉塞空間63之構成即可，例如，亦可設在設置有乾式研磨裝置1的工廠內，也可以設於裝置本身。

在此研磨機構41中，當將晶圓W載置於保持台21 上時，晶圓W即被保持台21的保持面23所保持。保持台21被移動到研磨機構41的下方，以將晶圓W定位於研磨墊46的正下方。此時，因為將研磨機構41停止在使研磨墊46充分遠離晶圓W的待機位置上，故於晶圓W的上表面81與研磨墊46的研磨面49之間及貫通孔48內並未產生空氣的流動。並且，研磨機構41一邊旋轉研磨墊46，一邊從待機位置朝向晶圓W的上表面81而被移動。

如圖4B所示，當將研磨墊46從待機位置朝向晶圓W降下時，會藉由空氣供給機構64將空氣從空氣供給源65供給到閉塞空間63。此時，對閉塞空間63之空氣的供給是藉由設於空氣供給機構64之管路上的開關閥(圖未示)而受到控制。當將空氣供給到閉塞空間63時，會使閉塞空間63形成正壓，而使與閉塞空間63連通之貫通孔48及空孔47也成為正壓。藉此，研磨墊46之研磨面49與晶圓W之上表面81的間隙的空氣即使被壓縮，間隙內的空氣還是會向晶圓W的徑向外側流動。

此時，因為空氣朝向晶圓W的徑向外側流動，故可防止附著在研磨墊46及晶圓W上之微細異物70的捲起。即使是在已被捲起的情況下，因貫通孔48內並無空氣的流動，故異物70會變得難以進入貫通孔48內。藉此，使異物70變得難以通過貫通孔48而進入閉塞空間63，而不會有異物70附著在配設於閉塞空間63的測量器60、61上之情形。像這樣，藉由以空氣供給機構64製作出朝向晶圓W的徑向外側之空氣的流動，而確實地防止異物70對測量器60、61 之附著。

如圖4C所示，當研磨墊46的研磨面49接觸於晶圓W的上表面81時，即停止來自空氣供給源65的空氣的供給，並藉由研磨墊46研磨晶圓W的上表面81。此時，會藉由閉塞空間63內的測量器60、61即時測量晶圓W的表面溫度與厚度，並根據測量器60、61的測量結果控制研磨機構41。由測量器60所測量之溫度，在低於產生表面燒焦的溫度之期間，會繼續晶圓W的研磨，當形成為產生表面燒焦的溫度時，即中止晶圓W的研磨。並且，會將研磨機構41研磨進給到於測量器61所測量到的晶圓W的厚度成為目標的厚度為止。

以上，在第2實施形態之乾式研磨裝置1中，藉由將配設有測量器60、61之閉塞空間63形成正壓，而將空氣通過貫通孔48從空孔47朝向晶圓W噴出。藉此，在研磨機構41的研磨進給動作時，不會有空氣進入空孔47及貫通孔48之情形，且不會有異物70附著在配設於閉塞空間63的測量器60、61上之情形。藉此，可用乾式研磨裝置1一邊妥善地測量晶圓W的狀態一邊研磨。

再者，本發明並不受限於上述實施之形態，且可進行各種變更而實施。在上述實施形態中，關於在附圖中所圖示之大小或形狀等，並不受限於此，且可在發揮本發明的效果的範圍內作適當的變更。另外，只要不脫離本發明之目的之範圍，均可以作適當的變更而實施。

例如，在第1、第2實施形態中，雖然做成研磨墊 46具有可以覆蓋整個晶圓W的大小之構成，但並不受限於此構成。研磨墊46也可形成為比晶圓W小。

又，在第1、第2實施形態中，雖然做成以研磨加工進給機構31相對於保持台21研磨進給研磨墊46之構成，但並不受限於此構成。研磨加工進給機構31只要是將研磨機構41與保持台21在使其相對地接近及遠離的方向上研磨進給的構成即可，做成相對於研磨墊46研磨進給保持台21的構成亦可。

又，在第1、第2實施形態中，雖然在研磨墊46上形成有圓柱狀的空孔47，但並不受限於此構成。研磨墊46的空孔47的形狀並無特定限制，只要形成為不阻礙測量器60、61之測量即可。

又，在第1、第2實施形態中，雖然針對將罩蓋構件62設成堵塞貫通孔48的上端的構成進行了說明，但並不受限於此構成。罩蓋構件62並不限定於完全堵塞貫通孔48的上端之構成，以不致使異物70進入到閉塞空間63的程度而形成有空氣的逃散道亦可。亦即，閉塞空間63並不限定於完全沒有空氣的逃散道的狀態。

又，在第1、第2實施形態中，雖然針對乾式研磨裝置1以測量器60、61同時測量晶圓W的表面溫度與厚度的構成進行了說明，但並不受限於此構成。乾式研磨裝置1亦可藉由測量器60或測量器61而測量晶圓W的表面溫度與厚度的任一項。又，乾式研磨裝置1也可以具備有測量晶圓W的表面溫度及厚度以外的研磨中之晶圓W的狀態的測量 器。

又，在第2實施形態中，雖然做成下列構成：以空氣供給機構64將空氣供給到閉塞空間63直到研磨墊46之研磨面49接觸到晶圓W的上表面81為止，但並不受限於此構成。空氣供給機構64只要是至少在使研磨墊46之研磨面49接近晶圓W之上表面81的研磨進給動作時，將空氣供給到閉塞空間63的構成即可。例如，空氣供給機構64在研磨中仍不斷地將空氣繼續供給到閉塞空間63亦可，僅在研磨墊46的研磨面49與晶圓W的上表面81將接觸前的一瞬間將空氣供給到閉塞空間63亦可。

產業上之可利用性

如以上所說明，本發明具有可以防止研磨屑或粉塵等異物對測量晶圓之狀態的測量器的附著之效果，特別是對於在乾燥環境之加工室研磨晶圓的乾式研磨裝置是有用的。

21‧‧‧保持台

22‧‧‧旋轉機構

23‧‧‧保持面

40‧‧‧旋轉軸

41‧‧‧研磨機構

43‧‧‧主軸單元

44‧‧‧安裝座

46‧‧‧研磨墊

47‧‧‧空孔

48‧‧‧貫通孔

49‧‧‧研磨面

60、61‧‧‧測量器

62‧‧‧罩蓋構件

63‧‧‧閉塞空間

70‧‧‧異物

81‧‧‧上表面

W‧‧‧晶圓

Claims (2)

1. 一種乾式研磨裝置，其具備：保持台，保持晶圓；研磨機構，具有主軸單元，該主軸單元是使用以研磨被保持於該保持台之晶圓的研磨墊的中心、與旋轉軸的中心一致而裝設；以及研磨加工進給機構，將該研磨機構與該保持台在相對地接近及遠離的方向上進行研磨進給，其中，該研磨機構具備圓柱狀的空孔、貫通孔與罩蓋構件，該圓柱狀的空孔是以該研磨墊之中心作為中心；該貫通孔是於該主軸單元之該旋轉軸之中在延伸方向上貫通且其中一端與該空孔連通；該罩蓋構件形成與該貫通孔之另一端連通的閉塞空間，且於該閉塞空間內配設測量研磨中之晶圓的狀態之測量器，在該研磨墊之研磨面朝接近晶圓之上表面的方向進行研磨進給時，抑制在該研磨墊與晶圓之間被壓縮的空氣進入該空孔及該貫通孔內的量，並且抑制空氣在該空孔及該貫通孔的流動，防止加工屑附著於在該閉塞空間配設的該測量器。
2. 如請求項1之乾式研磨裝置，其具備連通該閉塞空間與供給空氣之空氣供給源的空氣供給機構，且至少在使該研磨墊之研磨面接近晶圓之上表面的研磨進給動作時，藉該空氣供給機構供給空氣而使該閉塞空間為正壓，阻 斷空氣在該空孔及該貫通孔的流動。

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