JP2000150836A - 試料の処理システム - Google Patents

試料の処理システム

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JP2000150836A
JP2000150836A JP10316577A JP31657798A JP2000150836A JP 2000150836 A JP2000150836 A JP 2000150836A JP 10316577 A JP10316577 A JP 10316577A JP 31657798 A JP31657798 A JP 31657798A JP 2000150836 A JP2000150836 A JP 2000150836A
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Kazutaka Yanagida
一隆 柳田
Kiyobumi Sakaguchi
清文 坂口
Kazuaki Omi
和明 近江
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902—Semiconductor wafer

Abstract

(57)【要約】 【課題】ＳＯＩ基板の製造等に好適な処理システムを提
供する。 【解決手段】この処理システム７０００は、貼り合わせ
基板５０を保持する保持機構７１００を円上に略等間隔
に搭載したターンテーブル７０６０と、ターンテーブル
７０６０を所定角度ずつ回動させて各保持機構７１００
により保持された貼り合わせ基板又は分離後の基板を各
作業位置７１１０〜７１５０に移動させるための駆動機
構と、保持機構７１００により保持された貼り合わせ基
板又は分離後の基板に対して各作業位置７１１０〜７１
５０で処理を施すための芯出し装置７４００、分離装置
７２００及び洗浄／乾燥装置７５００とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体基板
等の製造に好適な試料の処理システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】絶縁層上に単結晶Ｓｉ層を有する基板と
して、ＳＯＩ（silicon on insulator）構造を有する基
板（ＳＯＩ基板）が知られている。このＳＯＩ基板を採
用したデバイスは、通常のＳｉ基板では達成し得ない数
々の優位点を有する。この優位点としては、例えば、以
下のものが挙げられる。 （１）誘電体分離が容易で高集積化に適している。 （２）放射線耐性に優れている。 （３）浮遊容量が小さく、素子の動作速度の高速化が可
能である。 （４）ウェル工程が不要である。 （５）ラッチアップを防止できる。 （６）薄膜化による完全な空乏型電解効果トランジスタ
の形成が可能である。
【０００３】ＳＯＩ構造は、上記のような様々な優位点
を有するため、ここ数十年、その形成方法に関する研究
が進められてきた。
【０００４】ＳＯＩ技術としては、古くは、単結晶サフ
ァイア基板上にＳｉをＣＶＤ（化学気層成長）法でヘテ
ロエピタキシ成長させて形成するＳＯＳ（silicon on s
apphire）技術が知られている。このＳＯＳ技術は、最
も成熟したＳＯＩ技術として一応の評価を得たものの、
Ｓｉ層と下地のサファイア基板との界面における格子不
整合による大量の結晶欠陥の発生、サファイア基板を構
成するアルミニウムのＳｉ層への混入、基板の価格、大
面積化への遅れ等の理由により実用化が進んでいない。
【０００５】ＳＯＳ技術に次いで各種ＳＯＩ技術が登場
した。このＳＯＩ技術に関して、結晶欠陥の低減や製造
コストの低減等を目指して様々な方法が試みられてき
た。この方法としては、基板に酸素イオンを注入して埋
め込み酸化層を形成する方法、酸化膜を挟んで２枚のウ
ェハを貼り合わせて一方のウェハを研磨又はエッチング
して、薄い単結晶Ｓｉ層を酸化膜上に残す方法、更に
は、酸化膜が形成されたＳｉ基板の表面から所定の深さ
に水素イオンを打ち込み、他方の基板と貼り合わせた後
に、加熱処理等により該酸化膜上に薄い単結晶Ｓｉ層を
残して、貼り合わせた基板（他方の基板）を剥離する方
法等が挙げられる。
【０００６】本出願人は、特開平５−２１３３８号にお
いて、新たなＳＯＩ技術を開示した。この技術は、多孔
質層が形成された単結晶半導体基板上に非多孔質単結晶
層（単結晶Ｓｉ層を含む）を形成した第１の基板を、絶
縁層を介して第２の基板に貼り合わせ、その後、多孔質
層で両基板を分離し、第２の基板に非多孔質単結晶層を
移し取るものである。この技術は、ＳＯＩ層の膜厚均一
性が優れていること、ＳＯＩ層の結晶欠陥密度を低減し
得ること、ＳＯＩ層の表面平坦性が良好であること、高
価な特殊仕様の製造装置が不要であること、数１００Å
〜１０μｍ程度の範囲のＳＯＩ膜を有するＳＯＩ基板を
同一の製造装置で製造可能なこと等の点で優れている。
【０００７】更に、本出願人は、特開平７−３０２８８
９号において、上記の第１の基板と第２の基板とを貼り
合わせた後に、第１の基板を破壊することなく第２の基
板から分離し、その後、分離した第１の基板の表面を平
滑にして再度多孔質層を形成し、これを再利用する技術
を開示した。この技術は、第１の基板を無駄なく使用で
きるため、製造コストを大幅に低減することができ、製
造工程も単純であるという優れた利点を有する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記の本出願人の提案
に係るＳＯＩ基板の製造方法によれば、良質のＳＯＩ基
板を製造することが可能である。しかしながら、ＳＯＩ
基板を量産するためには、例えば、一連の処理を高速化
する必要がある。
【０００９】本発明は、上記の背景に鑑みてなされたも
のであり、例えばＳＯＩ基板の製造等に好適な処理シス
テムを提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る試料の処理
システムは、試料を保持する保持機構を円上に略等間隔
に搭載したターンテーブルと、前記ターンテーブルを所
定角度ずつ回動させて各保持機構により保持された各試
料を各作業位置に移動させるための駆動機構と、前記保
持機構により保持された試料に対して所定の作業位置で
処理を施すための少なくとも１つの処理装置とを備える
ことを特徴とする。
【００１１】上記の処理システムにおいて、前記作業位
置には、例えば、処理を開始すべき試料を受け取るため
の入口位置と、処理が終了した試料を引き渡すための出
口位置が含まれることが好ましい。
【００１２】上記の処理システムにおいて、例えば、前
記入口位置としての作業位置に位置する保持機構に処理
対象の試料を引き渡し、前記出口位置としての作業位置
に位置する保持機構から処理済みの試料を受け取るため
の搬送機構を更に備えることが好ましい。
【００１３】上記の処理システムにおいて、前記搬送機
構は、例えば、板状試料を水平な状態で前記入口位置に
位置する保持機構に引き渡すと共に、前記出口位置に位
置する保持機構から処理済みの板状試料を水平な状態で
受け取ることが好ましい。
【００１４】上記の処理システムにおいて、前記搬送機
構は、例えば、スカラーロボットを含むことが好まし
い。
【００１５】上記の処理システムにおいて、前記保持機
構は、例えば、板状試料を下方から保持する下方保持機
構を有することが好ましい。
【００１６】上記の処理システムにおいて、前記保持機
構は、例えば、板状試料を下方から保持する下方保持機
構と、板状試料を上方から保持する上方保持機構とを有
することが好ましい。
【００１７】上記の処理システムにおいて、処理対象の
試料は、例えば内部に分離用の層を有し、前記複数の処
理装置には、例えば、該分離用の層で該試料を分離する
分離装置が含まれることが好ましい。
【００１８】上記の処理システムにおいて、前記分離装
置は、例えば、試料を分離するための作業位置に位置す
る前記保持機構により保持された試料の前記分離用の層
に向けて束状の流体を噴射することにより、該試料を該
分離用の層で分離することが好ましい。
【００１９】上記の処理システムにおいて、前記保持機
構は、例えば、前記分離用の層に直交する軸を中心とし
て試料を回転させるための駆動源を有し、前記分離装置
は、前記回転源により試料が回転された状態で該試料を
分離することが好ましい。
【００２０】上記の処理システムにおいて、前記処理装
置には、例えば、試料の芯出しを行う芯出し装置が含ま
れることが好ましい。
【００２１】上記の処理システムにおいて、前記芯出し
装置は、例えば、芯出し処理を行うための作業位置に位
置する前記保持機構により保持された試料に対して芯出
し処理を施すことが好ましい。
【００２２】上記の処理システムにおいて、前記処理装
置には、例えば、前記分離装置により分離して得られる
板状試料を洗浄する洗浄装置が含まれることが好まし
い。
【００２３】上記の処理システムにおいて、前記洗浄装
置は、洗浄処理を行うための作業位置に位置する前記保
持機構により保持された試料に対して洗浄処理を施すこ
とが好ましい。
【００２４】上記の処理システムにおいて、前記処理装
置には、例えば、前記分離装置により分離して得られる
試料を洗浄し乾燥させる洗浄／乾燥装置が含まれること
が好ましい。
【００２５】上記の処理システムにおいて、前記洗浄／
乾燥装置は、例えば、洗浄／乾燥処理を行うための作業
位置に位置する前記保持機構により保持された試料に対
して洗浄／乾燥処理を施すことが好ましい。
【００２６】上記の処理システムにおいて、各作業位置
で処理を並行して実行することが好ましい。
【００２７】上記の処理システムにおいて、例えば、試
料の芯出しを行う芯出し装置と、前記芯出し装置により
芯出し処理がなされた試料を受け取って前記入口位置に
位置する保持機構に引き渡すための搬送機構とを更に備
えることが好ましい。
【００２８】上記の処理システムにおいて、例えば、試
料を洗浄する洗浄装置と、前記出口位置の位置する保持
機構により保持された試料を受け取って前記洗浄装置に
引き渡すための搬送機構とを備えることが好ましい。
【００２９】上記の処理システムにおいて、例えば、試
料を洗浄し乾燥させる洗浄／乾燥装置と、前記出口位置
の位置する保持機構により保持された試料を受け取って
前記洗浄／乾燥装置に引き渡すための搬送機構とを備え
ることが好ましい。
【００３０】上記の処理システムにおいて、例えば、試
料の芯出しを行う芯出し装置と、前記芯出し装置により
芯出し処理がなされた試料を受け取って前記入口位置に
位置する保持機構に引き渡すための第１の搬送機構と、
試料を洗浄する洗浄装置と、前記出口位置の位置する保
持機構により保持された試料を受け取って前記洗浄装置
に引き渡すための第２の搬送機構とを備えることが好ま
しい。
【００３１】上記の処理システムにおいて、例えば、試
料の芯出しを行う芯出し装置と、前記芯出し装置により
芯出し処理がなされた試料を受け取って前記入口位置に
位置する保持機構に引きための渡す第１の搬送機構と、
試料を洗浄し乾燥させる洗浄／乾燥装置と、前記出口位
置の位置する保持機構により保持された試料を受け取っ
て前記洗浄／乾燥装置に引き渡すための第２の搬送機構
とを備えることが好ましい。
【００３２】上記の処理システムにおいて、例えば、前
記芯出し装置に試料を引き渡し、前記洗浄装置から試料
を受け取るための第３の搬送機構を更に備えることが好
ましい。
【００３３】上記の処理システムにおいて、例えば、前
記芯出し装置に試料を引き渡し、前記洗浄／乾燥装置か
ら試料を受け取るための第３の搬送機構を更に備えるこ
とが好ましい。
【００３４】上記の処理システムにおいて、例えば、前
記入口位置に位置する前記保持機構に試料を引き渡す前
に該試料に処理を施す装置を更に備えることが好まし
い。
【００３５】上記の処理システムにおいて、例えば、前
記出口位置に位置する前記保持機構から試料を受け取っ
た後に該試料に対して処理を施す装置を更に備えること
が好ましい。
【００３６】上記の処理システムにおいて、前記分離用
の層は、例えば、脆弱な構造の層であることが好まし
い。
【００３７】上記の処理システムにおいて、前記脆弱な
構造の層は、例えば、多孔質層であることが好ましい。
【００３８】上記の処置システムにおいて、前記脆弱な
構造の層は、例えば、微小気泡層であることが好まし
い。
【００３９】上記の処理システムにおいて、処理対象の
板状試料は、例えば、半導体基板であることが好まし
い。
【００４０】上記の処理システムにおいて、処理対象の
板状試料は、例えば、第１の基板と第２の基板とを貼り
合わせてなり、分離用の層として脆弱な構造の層を有す
ることが好ましい。
【００４１】上記の処理システムにおいて、処理対象の
板状試料は、例えば、第１の半導体基板の表面を多孔質
化した後にその上に非多孔質層を形成し、該非多孔質層
に第２の基板を貼り合わせてなることが好ましい。
【００４２】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら本
発明の好適な実施の形態を説明する。
【００４３】図１は、本発明の好適な実施の形態に係る
ＳＯＩ基板の製造方法を工程順に説明する図である。
【００４４】図１（ａ）に示す工程では、単結晶Ｓｉ基
板１１を準備して、その表面に陽極化成等により多孔質
Ｓｉ層１２を形成する。次いで、図１（ｂ）に示す工程
では、多孔質Ｓｉ層１２上に非多孔質単結晶Ｓｉ層１３
をエピタキシャル成長法により形成し、その上に絶縁層
（例えば、ＳｉＯ２層）１５を形成する。これにより、
第１の基板１０が形成される。
【００４５】図１（ｃ）に示す工程では、第２の基板２
０を準備し、絶縁層１５が面するようにして第１の基板
１０と第２の基板２０とを室温で密着させる。その後、
陽極接合、加圧若しくは熱処理又はこれらを組合わせた
処理により第１の基板１０と第２の基板２０とを貼り合
わせる。この処理により、絶縁層１５と第２の基板２０
とが強固に結合される。なお、絶縁層１５は、上記のよ
うに非多孔質単結晶Ｓｉ層１３の上に形成しても良い
が、第２の基板２０の上に形成しても良く、両者に形成
しても良く、結果として、第１の基板と第２の基板を密
着させた際に、図１（ｃ）に示す状態になれば良い。
【００４６】図１（ｄ）に示す工程では、貼り合わせた
２枚の基板を、多孔質Ｓｉ層１２の部分で分離する。こ
れにより、第２の基板側（１０''＋２０）は、多孔質Ｓ
ｉ層１２''／単結晶Ｓｉ層１３／絶縁層１５／単結晶Ｓ
ｉ基板２０の積層構造となる。一方、第１の基板側（１
０'）は、単結晶Ｓｉ基板１１上に多孔質Ｓｉ層１２’
を有する構造となる。
【００４７】分離後の基板（１０’）は、残留した多孔
質Ｓｉ層１２’を除去し、必要に応じて、その表面を平
坦化することにより、再び第１の基板（１０）を形成す
るための単結晶Ｓｉ基板１１として使用される。
【００４８】貼り合わせた基板を分離した後、図１
（ｅ）に示す工程では、第２の基板側（１０''＋２０）
の表面の多孔質層１２''を選択的に除去する。これによ
り、単結晶Ｓｉ層１３／絶縁層１５／単結晶Ｓｉ基板２
０の積層構造、すなわち、ＳＯＩ構造を有する基板が得
られる。
【００４９】第２の基板としては、例えば、単結晶Ｓｉ
基板の他、絶縁性基板（例えば、石英基板）や光透過性
基板（例えば、石英基板）等が好適である。
【００５０】なお、上記の製造工程では、２枚の基板を
貼り合わせた後にこれを分離する処理（図１（ｄ））を
容易にするために、分離用の領域に脆弱な構造の多孔質
層１２を形成するが、この多孔質層の代わりに、例え
ば、微小気泡層を形成してもよい。微小気泡層は、例え
ば、半導体基板にイオンを注入することにより形成する
ことができる。
【００５１】以下、上記のＳＯＩ基板等の製造工程にお
ける貼り合わせ基板の分離工程（図１（ｄ））に好適な
処理システムに関して説明する。なお、以下の処理シス
テムは、貼り合わせ基板の分離工程のみならず、他の試
料の分離工程にも適用することができる。
【００５２】［第１の実施の形態］図２は、本発明の第
１の実施の形態に係る処理システムの概略的な構成を示
す平面図である。この処理システム７０００は、カセッ
トから貼り合わせ基板を取り出して、該貼り合わせ基板
を分離し、分離後の各基板を洗浄すると共に乾燥させ
て、処理後の各基板を分類してカセットに収容する。
【００５３】この処理システム７０００は、貼り合わせ
基板又は分離後の基板を保持するための複数の保持機構
７１００を円上に略等間隔に搭載したターンテーブル７
０６０を有する。このターンテーブル７０６０上には、
各保持機構７１００を仕切るための仕切り板７１６０が
設けられている。
【００５４】また、このターンテーブル７０６０は、図
３に示すように、支持台７００１に固定されたモータ７
６００の回転軸７１７０に連結されている。モータ７６
００は、ターンテーブル７０６０を所定角度ずつ回動さ
せて、各保持機構７１００により保持された貼り合わせ
基板５０又は分離後の基板を各作業位置７１１０〜７１
５０に移動させる。
【００５５】作業位置７１１０は、スカラーロボット７
０５０から処理対象の貼り合わせ基板５０を保持機構７
１００が受け取るための入口位置、作業位置７１２０
は、芯出し装置７４００により貼り合わせ基板５０の芯
出し処理を行うための位置、作業位置７１３０は、分離
装置７２００により貼り合わせ基板５０を多孔質層で分
離する分離処理を行う位置、作業位置７１４０は、洗浄
／乾燥装置７５００により分離後の各基板を洗浄し乾燥
させる洗浄／乾燥処理を行う位置、作業位置７１５０
は、処理済みの基板をスカラーロボット７０５０に引き
渡すための出口位置である。
【００５６】ターンテーブル７０６０は、入口位置７１
１０及び出口位置７１５０の部分を除いて、チャンバ７
３００内に収容されている。
【００５７】また、この処理装置７０００は、ローダ７
０４０、第１アンローダ７０３０、第２アンローダ７０
２０及び第３アンローダ７０１０を有する。ローダ７０
４０には、処理に先立って、１又は複数枚の貼り合わせ
基板を収容した第１カセット７０４１が載置される。ま
た、処理に先立って、第１アンローダ７０３０には、空
の第２カセット７０３１が載置され、第２アンローダ７
０２０には、空の第３カセット７０２１が載置され、第
３アンローダ７０１０には、空の第４カセット７０１１
が載置される。
【００５８】スカラーロボット７０５０は、所定の回転
軸を中心としてロボットハンドを回転させると共に該ロ
ボットハンドを該回転軸から遠ざけたり近づけたりする
ことにより、貼り合わせ基板又は分離後の基板を搬送す
る。
【００５９】分離装置７２００は、保持機構７１００に
より保持された貼り合わせ基板５０の多孔質層付近に向
けてノズル７２２０からジェットを噴射することによ
り、貼り合わせ基板５０を多孔質層で２枚の基板に分離
する。即ち、この分離装置７２００は、ウォータージェ
ット法を適用したものである。
【００６０】一般に、ウォータジェット法は、水を高
速、高圧の束状の流れにして対象物に対して噴射して、
セラミックス、金属、コンクリート、樹脂、ゴム、木材
等の切断、加工、表面の塗膜の除去、表面の洗浄等を行
う方法である（「ウォータージェット」第１巻１号（１
９８４年）第４ページ参照）。
【００６１】この分離装置は、脆弱な構造部分である貼
り合わせ基板の多孔質層（分離用の層）に対して、基板
の面方向に、高速、高圧の流体を束状の流れにして噴射
して、多孔質層を選択的に崩壊させることにより、多孔
質層の部分で基板を分離するものである。以下では、こ
の束状の流れを「ジェット」という。ジェットを構成す
る流体としては、水、アルコール等の有機溶媒、弗酸、
硝酸その他の酸、水酸化カリウムその他のアルカリ、空
気、窒素ガス、炭酸ガス、希ガス、エッチングガスその
他の気体、或いはプラズマ等であってもよい。
【００６２】この分離装置を半導体装置の製造工程、例
えば、貼り合わせ基板の分離工程に適用する場合、ジェ
ットを構成する流体としては、不純物金属やパーティク
ル等を極力除去した純水を使用することが好ましい。
【００６３】ジェットの噴射条件は、例えば、分離領域
（例えば、多孔質層）の種類、貼り合わせ基板の外周部
の形状等に応じて決定すればよい。ジェットの噴射条件
として、例えば、ジェット構成媒体に加える圧力、ジェ
ットの走査速度、ノズルの幅又は径（ジェットの径と略
同一）、ノズル形状、ノズルと分離領域との距離、ジェ
ット構成媒体の流量等は、重要なパラメータとなる。
【００６４】以上のようなウォータージェット法を応用
した分離方法によれば、貼り合わせ基板に特段の損傷を
与えることなく、該貼り合わせ基板を２枚の基板に分離
することができる。
【００６５】この分離装置は、貼り合わせ基板等の試料
をその試料面が実質的に水平になるようにして保持し、
その状態で該試料を脆弱な構造部（例えば、多孔質層）
で分離する。このように、試料面が水平になるような状
態で試料を保持することにより、例えば、（１）試料の
落下を防止し、（２）試料の保持を容易にし、（３）試
料の搬送を容易にし、（４）分離装置と他の装置とにお
ける試料の受け渡しを効率化し、（５）各構成要素を上
下方向に配置することができるため、分離装置の投影面
積（占有面積）を小さくすることができる。
【００６６】図８は、ターンテーブル７０６０に搭載さ
れる保持機構７１００の概略的な構成を示す図である。
また、図９は、図８に示す保持機構７１００の一部を示
す図である。
【００６７】この保持機構７１００は、一対の基板保持
部１９０９及び１９０１を備え、該基板保持部１９０９
及び１９０１により貼り合わせ基板５０を上下から挟む
ようにして水平に保持する。
【００６８】下側の基板保持部１９０１は、貼り合わせ
基板５０と基板保持部１９０１の表面との間にスカラー
ロボット７０５０のロボットハンドを挿入するための間
隙を形成するための凸状の支持部１９０３を有する。こ
の支持部１９０３には、貼り合わせ基板５０を真空吸着
するための吸引孔１９０２が設けられている。また、こ
の基板保持部１９０１は、支持部１９０３の外周に、ず
れ防止部材１９１１を有する。ずれ防止部材１９１１
は、例えばゴムや樹脂等で構成され、貼り合わせ基板５
０が面方向に移動することを防止する。このずれ防止部
材１９１１を設けることにより、小さな押圧力又は吸引
力で貼り合わせ基板５０を保持することが可能になる。
【００６９】また、基板保持部１９０１は、回転軸１９
０４の一端に連結されている。回転軸１９０４は、ベア
リング１９０６を介して支持台１９２０により支持され
ている。ベアリング１９０６の上部には、回転軸１９０
４を通すために支持台１９２０に設けられた開口部をシ
ールするためのシール部材１９０５が設けられている。
回転軸１８０４の内部には真空ライン１９０７が設けら
れており、この真空ライン１９０７は、基板保持部１９
０１の複数の吸引孔１９０２に連結されている。また、
この真空ライン１９０７は、リング１９０８を介して外
部の真空ラインに連結されている。回転軸１９０４は、
不図示の回転源に連結されており、該回転源から与えら
れる回転力により回転する。
【００７０】基板保持部１９０１の上方には、基板保持
部１９０９が配置されている。この基板保持部１９０９
は、駆動機構１９３０の駆動軸１９１０に連結されてお
り、駆動機構１９３０により昇降される。また、駆動軸
１９１０は、駆動機構１９３０により回転可能に軸支さ
れている。
【００７１】上側の基板保持部１９０９は、貼り合わせ
基板５０と基板保持部１９０９の表面との間にスカラー
ロボット７０５０のロボットハンドを挿入するための間
隙を形成するための凸状の支持部１９１２を有する。こ
の支持部１９１２には、貼り合わせ基板５０を真空吸着
するための吸引孔１９１４が設けられている。また、こ
の基板保持部１９０９は、支持部１９１２の外周に、ず
れ防止部材１９１３を有する。ずれ防止部材１９１３
は、例えばゴムや樹脂等で構成され、貼り合わせ基板５
０が面方向に移動することを防止する。このずれ防止部
材１９１３を設けることにより、小さな押圧力又は吸引
力で貼り合わせ基板５０を保持することが可能になる。
【００７２】例えば、この保持機構７１００が分離処理
の作業位置７１３０に位置する時は、図８に示すよう
に、分離装置７２００のノズル７２２０が位置する。ノ
ズル７２２０は、前述の直交ロボット７２１０により制
御される。ノズル７２２０と基板保持部１９０１との間
には、ノズル７２２０から噴射されるジェットを必要に
応じて遮断するためのシャッタを設けてもよい。
【００７３】以下、分離装置７２００による分離処理の
手順を説明する。分離処理の作業位置７１３０には、タ
ーンテーブル７０６０の回動により、芯出し処理の作業
位置７１２０において芯出しを終えた貼り合わせ基板５
０を保持した保持機構７１００が移動してくる。
【００７４】分離処理の作業位置７１３０では、まず、
駆動機構１９３０により基板保持部１９０９を降下させ
て、基板保持部１９０９に貼り合わせ基板５０を押圧さ
せる。これにより、貼り合わせ基板５０は、基板保持部
１９０９及び１９０１により両側から押圧されて保持さ
れる。
【００７５】次いで、不図示の回転源を動作させること
により回転軸１９０４に回転力を伝達させる。これによ
り、回転軸１９０４、基板保持部１９０１、貼り合わせ
基板５０及び基板保持部１９０９は、一体的に回転す
る。
【００７６】次いで、不図示のポンプからノズル７２２
０に高圧のジェット構成媒体（例えば、水）を送り込
む。これにより、貼り合わせ基板５０の多孔質層付近に
向けてノズル７２２０から高圧のジェットが噴射され、
貼り合わせ基板５０の分離が開始される。
【００７７】貼り合わせ基板５０の分離が完了したら、
ノズル７２２０に連結されているポンプの動作を停止さ
せて、貼り合わせ基板５０に対するジェットの打ち込み
を停止させる。また、回転軸１９０４の駆動を停止する
ことにより、貼り合わせ基板５０の回転を停止させる。
【００７８】次いで、基板保持部１９０１及び１９０９
の各真空吸着機構を動作させる。これにより、分離され
た上側の基板が基板保持部１９０９に吸着されると共
に、分離された下側の基板が基板保持部１９０１に吸着
される。次いで、駆動機構１９３０により基板保持部１
９０９を上昇させる。これにより、分離された２枚の基
板は、互いに引き離される。
【００７９】ここで、貼り合わせ基板５０が２枚に分離
された後において、２枚の基板の間には流体が存在す
る。この流体が液体（例えば、水）である場合には、表
面張力が相当に大きい。従って、分離された２枚の基板
を小さな力で引き離すためには、２枚の基板間にノズル
７２２０からジェットを供給することが好ましい。この
場合、２枚の基板を引き離した後に、ノズル７２２０か
らのジェットを停止させることになる。なお、その代わ
りに、２枚の基板を引き離すために使用するジェットを
噴射する機構を別個に設けてもよい。
【００８０】なお、図２に示す処理システム７０００
は、ターンテーブル７０６０、芯出し装置７４００、分
離装置７２００、洗浄／乾燥装置７５００、スカラーロ
ボット７０５０、ローダ７０４０、第１アンローダ７０
３０、第２アンローダ７０２０及び第３アンローダ７０
１０を支持台７００１上に一体化した構成を有する。し
かしながら、他の実施の形態においては、これらの構成
要素をユニット化し、使用に際して各ユニットを結合し
て処理システムを組み立ててもよい。例えば、ターンテ
ーブル７０６０、芯出し装置４００、分離装置７２００
及び洗浄／乾燥装置７５００を一体化して第１ユニット
とし、スカラーロボット７０５０を第２ユニットとし、
ローダ７０４０、第１アンローダ７０３０、第２アンロ
ーダ７０２０及び第３アンローダ７０１０を一体化して
第３ユニットとし、使用に際して第１乃至第３ユニット
を一体化して１つの処理システムを構成する如きであ
る。
【００８１】図１０は、１枚の貼り合わせ基板に着目し
た場合の処理システム７０００における処理の流れを示
す図である。まず、手動又は自動で、処理対象の貼り合
わせ基板を収容した第１カセット７０４１をローダ７０
４０上の所定位置に載置すると共に、空の第２カセット
７０３１、第３カセット７０２１、第４カセット７０１
１を第１アンローダ７０３０、第２アンローダ７０２
０、第３アンローダ７０１０上に夫々載置する。
【００８２】この実施の形態では、第２カセット７０３
１は、分離された後の上側の基板を収容するために使用
され、第３カセット７０２１は、分離された後の下側の
基板を収容するために使用され、第４カセット７０１１
は、分離に失敗した貼り合わせ基板（又は分離後の基
板）が収容される。
【００８３】ここで、第１カセット７０４１は、収容さ
れた貼り合わせ基板が水平になるようにローダ７０４０
上に載置される。また、第２カセット７０３１、第３カ
セット７０２１、第４カセット７０１１は、各基板を水
平に収容できるように第１アンローダ７０３０、第２ア
ンローダ７０２０、第３アンローダ７０１０上に夫々載
置される。
【００８４】まず、ステップＳ１０１では、スカラーロ
ボット７０５０により、ローダ７０４０上の第１カセッ
ト７０４１から貼り合わせ基板を取り出して、入口位置
７１１０に位置する保持機構７１００に引き渡す。図３
は、入口位置７１１０に位置する保持機構７１００に貼
り合わせ基板を引き渡した状態を模式的に示す図であ
る。具体的には、ステップＳ１０１では、スカラーロボ
ット７０５０により貼り合わせ基板５０を下方から支持
して、保持機構７１００の下側の基板保持部１９０１の
上に載置する。
【００８５】ステップＳ１０２では、ターンテーブル７
０６０を所定の回転角度（ここでは、７２度）だけ時計
回りに回動させて、ステップＳ１０１で保持機構７１０
０に引き渡した貼り合わせ基板を芯出し処理の作業位置
７１２０に移動させる。
【００８６】ステップＳ１０３では、芯出し装置７４０
０により、芯出し処理の作業位置に位置する貼り合わせ
基板５０の位置合わせをする。図４は、芯出し処理の作
業位置７１２０に位置する保持機構７１００により保持
された貼り合わせ基板５０の芯出しを行う様子を模式的
に示す図である。
【００８７】具体的には、ステップＳ１０３では、図４
に示すように、支持機構７４５０に回動可能に軸支され
た回転軸７４４０を回動させることにより駆動機構７４
３０を回動させ、ガイド部材７４１０とガイド部材７４
２０との間に貼り合わせ基板５０が位置するようにす
る。そして、駆動機構７４３０によりガイド部材７４１
０とガイド部材７４２０との間隔を狭めることにより、
ガイド部材７４１０及び７４２０の側壁を貼り合わせ基
板５０のエッジ部に当接させ、これにより貼り合わせ基
板５０の芯出しを行う。
【００８８】ステップＳ１０４では、ターンテーブル７
０６０を所定の回転角度（ここでは、７２度）だけ時計
回りに回動させて、ステップＳ１０３で芯出し装置７４
００により芯出しした貼り合わせ基板５０を分離処理の
作業位置７１３０に移動させる。
【００８９】ステップＳ１０５では、分離装置７２００
により、分離処理の作業位置に位置する貼り合わせ基板
５０を多孔質層で分離する。図５は、分離処理の作業位
置７１３０に位置する保持機構７１００により保持され
た貼り合わせ基板５０を分理する様子を模式的に示す図
である。
【００９０】具体的には、ステップＳ１０５では、保持
機構７１００により貼り合わせ基板５０を回転させなが
ら、分離装置７２００のノズル７２２０から該貼り合わ
せ基板５０の多孔質層付近に向けてジェットを噴射し、
これにより該貼り合わせ基板５０を多孔質層で上下２枚
に分離する。そして、上下の基板保持部１９０１及び１
９０９の各真空吸着機構を動作させて、基板保持部１９
０９を上方に移動させることにより、分離された２枚の
基板を互いに引き離す。なお、分離処理の詳細は、前述
の通りである。
【００９１】ステップＳ１０６では、ターンテーブル７
０６０を所定の回転角度（ここでは、７２度）だけ時計
回りに回動させて、ステップＳ１０５で分離装置７２０
０により分離された２枚の基板を洗浄／乾燥処理の作業
位置７１４０に移動させる。
【００９２】ステップＳ１０７では、洗浄／乾燥装置７
１５０により、分離後の各基板を洗浄し乾燥させる。図
６は、洗浄／乾燥処理の作業位置に位置する２枚の基板
を洗浄し乾燥させる処理を模式的に示す図である。
【００９３】具体的には、ステップＳ１０７では、ま
ず、保持機構７１００により各基板を回転させながら、
供給ライン７５２０を通して供給される洗浄液（例え
ば、水）を洗浄／乾燥ノズル７５１０から各基板５０ａ
及び５０ｂに向けて噴射して、これにより各基板５０ａ
及び５０ｂを洗浄する。次いで、洗浄／乾燥ノズル７５
１０から各基板５０ａ及び５０ｂに向けて気体（例え
ば、空気）を噴射して、これにより各基板５０ａ及び５
０ｂを乾燥させる。ここで、洗浄用のノズルと乾燥用の
ノズルとを別体とすることもできる。また、保持機構７
１００により各基板５０ａ及び５０ｂを高速で回転させ
ることにより、各基板５０ａ及び５０ｂを乾燥させるこ
とも有効である。
【００９４】ステップＳ１０８では、ターンテーブル７
０６０を所定の回転角度（ここでは、７２度）だけ時計
回りに回動させて、ステップＳ１０７で洗浄／乾燥処理
を施した各基板５０ａ及び５０ｂを出口位置７１５０に
移動させる。
【００９５】ステップＳ１０９では、スカラーロボット
７０５０により、出口位置７１５０に位置する保持機構
７１００の上側の基板保持部１９０９から基板５０ａを
受け取って第１アンローダ７０３０上の第２カセット７
０３１に収容する。ここで、スカラーロボット７０５０
に、基板を１８０度回転させて該基板の上下を逆にする
機構を備え、上側の基板保持部１９０９から受け取った
基板５０ａを該機構により１８０度回転させた後に第２
カセット７０３１に収容することも有効である。
【００９６】ステップＳ１１０では、スカラーロボット
７０５０により、出口位置７１５０に位置する保持機構
７１００の下側の基板保持部１９０１から基板５０ｂを
受け取って第２アンローダ７０２０上の第３カセット７
０２１に収容する。
【００９７】以上の説明は、１枚の貼り合わせ基板に着
目した場合の処理システム７０００の動作である。この
処理システム７０００では、各作業位置７１１０〜７１
５０において、貼り合わせ基板又は分離後の基板の操作
又は処理を並行して実行することができる。即ち、この
処理システム７０００では、芯出し装置７４００による
芯出し処理、分離装置７２００による分離処理、洗浄／
乾燥装置７５００による洗浄／乾燥処理、並びに、スカ
ラーロボット７０５０による貼り合わせ基板又は分離後
の基板の搬送を並行して実行することができる。また、
この処理システムによれば、ターンテーブル７０６０を
回動させることにより、作業位置を変更することができ
るため、１つの処理から次の処理に高速に以降させるこ
とができる。従って、この処理システムによれば、一連
の処理を高速化することができる。
【００９８】この処理システム７０００では、例えば、
不図示の操作パネルを介してオペレータから与えられる
指示に従って、分離に失敗した基板をスカラーロボット
７０５０により、第３アンローダ７０１０上の第４カセ
ット７０１１内に収容する。ここで、分離の失敗の発生
をオペレータからの指示に従って認識するのではなく、
分離状況の監視装置を設けて、該監視装置により分離の
失敗を検知してもよい。
【００９９】[第２の実施の形態]図７は、本発明の第２
の実施の形態に係る処理システムの概略的な構成を示す
平面図である。この処理システム８０００は、カセット
から貼り合わせ基板を取り出して、該貼り合わせ基板を
分離し、分離後の書く基板を洗浄すると共に乾燥させ
て、処理後の各基板を分類してカセットに収容する。
【０１００】この処理システム８０００は、貼り合わせ
基板又は分離後の基板を保持するための複数の保持機構
７１００を円上に略等間隔で搭載したターンテーブル８
２００を有する。このターンテーブル８２００上には、
各保持機構７１００を仕切るための仕切り板８２５０が
設けられている。
【０１０１】また、ターンテーブル８２００は、例え
ば、下方に配置されたモータ８３００の回転軸に連結さ
れている。モータ８３００は、ターンテーブル８２００
を所定角度ずつ回転させて、各保持機構７１００により
保持された貼り合わせ基板５０又は分離後の各基板を各
作業位置８２１０〜８２３０に移動させる。
【０１０２】作業位置８２１０は、芯出し装置８１３０
により芯出しされた貼り合わせ基板を搬送ロボット８１
４０から受け取るための位置（入口位置）、作業位置８
２２０は、分離装置７２００により貼り合わせ基板５０
を多孔質層で分離する分離処理を行う位置、作業位置８
２３０は、洗浄／乾燥装置８１６０に対して搬送ロボッ
ト８１５０により分離後の基板を引き渡すための位置
（出口位置）である。
【０１０３】芯出し装置８１３０、ターンテーブル８２
００、洗浄／乾燥装置８１６０、搬送ロボット８１４０
及び８１５０は、チャンバ８１００内に配置されてい
る。チャンバ８１００には、２つのシャッタ８１１０及
び８１２０が設けられており、スカラーロボット８０５
０は、シャッタ８１１０を開いた状態で、貼り合わせ基
板を芯出し装置８１３０に引渡し、シャッタ８１２０を
開いた状態で、洗浄／乾燥が完了した基板を洗浄／乾燥
装置８１６０から受け取る。
【０１０４】この処理システム８０００は、ローダ８０
１０、第１アンローダ８０２０、第２アンローダ８０３
０及び第４アンローダ８０４０を有する。ローダ８０１
０には、処理に先立って、１又は複数枚の貼り合わせ基
板を収容した第１カセット８０１１が載置される。ま
た、処理に先立って、第１アンローダ８０２０には、空
の第２カセット８０２１が載置され、第２アンローダ８
０３０には、空の第３カセット８０３１が載置され、第
３アンローダ８０４０には、空の第４カセット８０４１
が載置される。
【０１０５】なお、この実施の形態においても、第１の
実施の形態と同様に、処理システム８０００の構成要素
をユニット化し、使用に際して各ユニットを結合して処
理システムを組み立ててもよい。
【０１０６】スカラーロボット８０５０は、所定の回転
軸を中心としてロボットハンドを回転させると共に該ロ
ボットハンドを該回転軸から遠ざけたり近づけたりする
ことにより、貼り合わせ基板又は分離後の基板を搬送す
る。
【０１０７】図１１は、１枚の貼り合わせ基板に着目し
た場合の処理システム８０００における処理の流れを示
す図である。まず、手動又は自動で、処理対象の貼り合
わせ基板を収容した第１カセット８０１１をローダ８０
１０上の所定位置に載置すると共に、空の第２カセット
８０２１、第３カセット８０３１、第４カセット８０４
１を第１アンローダ８０２０、第２アンローダ８０３
０、第３アンローダ８０４０上に夫々載置する。
【０１０８】この実施の形態では、第２カセット８０２
１は、分離された後の上側の基板を収容するために使用
され、第３カセット８０３１は、分離された後の下側の
基板を収容するために使用され、第４カセット８０４１
は、分離に失敗した貼り合わせ基板（又は分離後の基
板）が収容される。
【０１０９】ここで、第１カセット８０１１は、収容さ
れた貼り合わせ基板が水平になるようにローダ８０１０
上に載置される。また、第２カセット８０２１、第３カ
セット８０３１、第４カセット８０４１は、各基板を水
平に収容できるように第１アンローダ８０２０、第２ア
ンローダ８０３０、第３アンローダ８０４０上に夫々載
置される。
【０１１０】まず、ステップＳ２０１では、シャッタ８
１１０を開いて、スカラーロボット８０５０により、ロ
ーダ８０１０上の第１カセット８０１１から貼り合わせ
基板５０を取り出して、芯出し装置８１３０に引き渡
す。ステップＳ２０２では、芯出し装置８１３０により
貼り合わせ基板の芯出しを行う。ステップＳ２０３で
は、搬送ロボット８１４０により、芯出しを終えた貼り
合わせ基板を作業位置８２１０に位置する保持機構７１
００に引き渡す。
【０１１１】ステップＳ２０４では、ターンテーブル８
２００を所定の回転角度（ここでは、１２０度）だけ反
時計回りに回動させて、ステップＳ２０３で作業位置８
２１０に位置する保持機構７１００に引き渡した貼り合
わせ基板５０を分離処理の作業位置８２２０に移動させ
る。
【０１１２】ステップＳ２０５では、分離装置７２００
により、分離処理の作業位置８２２０に位置する貼り合
わせ基板５０を多孔質層で分離する。図５は、分離処理
の作業位置８２２０に位置する保持機構７１００により
保持された貼り合わせ基板５０を分理する様子を模式的
に示す図である。
【０１１３】具体的には、ステップＳ２０５では、保持
機構７１００により貼り合わせ基板５０を回転させなが
ら、分離装置７２００のノズル７２２０から該貼り合わ
せ基板５０の多孔質層付近に向けてジェットを噴射し、
これにより該貼り合わせ基板５０を多孔質層で上下２枚
に分離する。そして、上下の基板保持部１９０１及び１
９０９の各真空吸着機構を動作させて、基板保持部１９
０９を上方に移動させることにより、分離された２枚の
基板を互いに引き離す。なお、分離処理の詳細は、前述
の通りである。
【０１１４】ステップＳ２０６では、ターンテーブル８
２００を所定の回転角度（ここでは、１２０度）だけ反
時計回りに回動させて、ステップＳ２０５で分離した各
基板を作業位置８２３０に移動させる。
【０１１５】ステップＳ２０７では、搬送ロボット８１
５０により、分離された上側の基板を作業位置８２３０
の保持機構７１００から洗浄／乾燥装置８１６０に引き
渡し、ステップＳ２０８では、該上側の基板を洗浄／乾
燥装置８１６０により洗浄し乾燥させる。ステップＳ２
０９では、シャッタ８１２０を開いて、スカラーロボッ
ト８０５０により、洗浄／乾燥装置８１６０から上側の
基板を受け取って第１アンローダ８０２０上の第２カセ
ット８０２１に収容する。ここで、スカラーロボット８
０５０に、基板を１８０度回転させて該基板の上下を逆
にする機構を備え、洗浄／乾燥装置８１６０から受け取
った上側の基板を該機構により１８０度回転させた後に
第２カセット８０２１に収容することも有効である。
【０１１６】ステップＳ２１０では、搬送ロボット８１
５０により、分離された下側の基板を作業位置８２３０
の保持機構７１００から洗浄／乾燥装置８１６０に引き
渡し、ステップＳ２１１では、該上側の基板を洗浄／乾
燥装置８１６０により洗浄し乾燥させる。ステップＳ２
１２では、シャッタ８１２０を開いて、スカラーロボッ
ト８０５０により、洗浄／乾燥装置８１６０から下側の
基板を受け取って第２アンローダ８０３０上の第３カセ
ット８０３１に収容する。
【０１１７】以上の説明は、１枚の貼り合わせ基板に着
目した場合の処理システム８０００の動作である。この
処理システム８０００では、芯出し装置８１３０による
芯出し処理、分離装置７２００による分離処理、洗浄／
乾燥装置８１５０による洗浄／乾燥処理を並行して実行
することができる。また、この処理システムによれば、
ターンテーブル８２００を回動させることにより、高速
に作業位置を変更することができる。従って、この処理
システムによれば、一連の処理を高速化することができ
る。
【０１１８】この処理システム８０００では、例えば、
不図示の操作パネルを介してオペレータから与えられる
指示に従って、分離に失敗した基板をスカラーロボット
８０５０により、第３アンローダ８０４０上の第４カセ
ット８０４１内に収容する。ここで、分離の失敗の発生
をオペレータからの指示に従って認識するのではなく、
分離状況の監視装置を設けて、該監視装置により分離の
失敗を検知してもよい。
【０１１９】［スカラーロボットのロボットハンドの他
の構成例］次に、スカラーロボット７０５０のロボット
ハンドの他の構成例を説明する。図１３は、スカラーロ
ボット７０５０のロボットハンドの他の構成例を示す図
である。図１３（ａ）は、平面図、図１３（ｂ）は、図
１３（ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面図である。図１３
に示すロボットハンドは、Ｕ字型の本体９００４と、貼
り合わせ基板又は分離後の基板をその端部で保持する保
持部９００１乃至９００３を有する。保持部９００１乃
至９００３の材質としては、例えばＰＴＦＥが好適であ
る。
【０１２０】この構成例に係るロボットハンドは、貼り
合わせ基板又は分離後の基板の端部とのみ接触するた
め、貼り合わせ基板又は分離後の基板の面に傷等を付け
る可能性が極めて低い。
【０１２１】また、この構成例に係るロボットハンド
は、分離後の基板の端部とのみ接触するため、分離面が
上側であるか下側であるかに拘らず、分離後の基板を下
方から保持した場合においても、切削屑等により基板の
面に傷等を付ける可能性が低い。
【０１２２】また、この構成例に係るロボットハンド
は、貼り合わせ基板又は分離後の基板が面方向に移動す
ることを規制した状態で該貼り合わせ基板又は分離後の
基板を保持するため、貼り合わせ基板又は分離後の基板
が落下することを防止することができる。
【０１２３】この構成例に係るロボットハンドでは、各
保持部９００１乃至９００３の全部又は一部に吸着機構
を設けることも有効であり、この場合、貼り合わせ基板
又は分離後の基板の落下をより効果的に防止することが
できる他、例えば基板を上方から支持することも可能に
なる。
【０１２４】また、この構成例に係るロボットハンドで
は、分離後の基板を吸着した状態で本体９００４を１８
０度回転させて、これにより分離後の基板の上下を逆に
する機構を更に設けてもよい。
【０１２５】
【発明の効果】本発明によれば、例えば、ターンテーブ
ルの回動により作業位置を変更することができるため、
一連の処理を高速化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好適な実施の形態に係るＳＯＩ基板の
製造方法を工程順に説明する図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る処理システム
の概略的な構成を示す平面図である。
【図３】入口位置に位置する保持機構に貼り合わせ基板
を引き渡した状態を模式的に示す図である。
【図４】芯出し処理の作業位置に位置する保持機構によ
り保持された貼り合わせ基板の芯出しを行う様子を模式
的に示す図である。
【図５】分離処理の作業位置に位置する保持機構により
保持された貼り合わせ基板を分理する様子を模式的に示
す図である。
【図６】洗浄／乾燥処理の作業位置に位置する２枚の基
板を洗浄し乾燥させる処理を模式的に示す図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係る処理システム
の概略的な構成を示す平面図である。
【図８】ターンテーブルに搭載される保持機構の概略的
な構成を示す図である。
【図９】図８に示す保持機構の一部を示す図である。
【図１０】１枚の貼り合わせ基板に着目した場合の第１
の実施の形態に係る処理システムにおける処理の流れを
示す図である。
【図１１】１枚の貼り合わせ基板に着目した場合の第１
の実施の形態に係る処理システムにおける処理の流れを
示す図である。
【図１２】スカラーロボットのロボットハンドの他の構
成例を示す図である。
【符号の説明】
１０ 第１の基板 １１ 単結晶Ｓｉ基板 １２ 多孔質Ｓｉ層 １３ 非多孔質単結晶Ｓｉ層 １５ 絶縁層 ２０ 第２の基板 ５０ 貼り合わせ基板 １９０１ 基板保持部 １９０２ 吸引孔 １９０３ 支持部 １９０４ 回転軸 １９０５ シール部材 １９０６ ベアリング １９０７ 真空ライン １９０８ リング １９０９ 基板保持部 １９１０ 駆動軸 １９１１ ずれ防止部材 １９１２ 支持部 １９１３ ずれ防止部材 １９１４ 吸引孔 １９２０ 支持台 １９２１ ノズル １９２２ シャッタ １９３０ 駆動機構 ７０００ 処理システム ７００１ 支持台 ７０１０ 第３アンローダ ７０１１ 第４カセット ７０２０ 第２アンローダ ７０２１ 第３カセット ７０３０ 第１アンローダ ７０３１ 第２カセット ７０４０ ローダ ７０４１ 第１カセット ７０５０ スカラーロボット ７０６０ ターンテーブル ７１００ 保持機構 ７１１０ 入口位置 ７１２０ 芯出し処理の作業位置 ７１３０ 分離処理の作業位置 ７１４０ 洗浄／乾燥処理の作業位置 ７１５０ 洗浄／乾燥装置 ７１６０ 仕切り板 ７１７０ 回転軸 ７２００ 分離装置 ７２１０ 直交ロボット ７２２０ ノズル ７３００ チャンバ ７４００ 芯出し装置 ７４１０ ガイド部材 ７４２０ ガイド部材 ７４３０ 駆動機構 ７４４０ 回転軸 ７４５０ 支持機構 ７５００ 洗浄／乾燥装置 ７５１０ 洗浄／乾燥ノズル ７５２０ 供給ライン ７６００ モータ ８０００ 処理システム ８０１０ ローダ ８０１１ 第１カセット ８０２０ 第１アンローダ ８０２１ 第２カセット ８０３０ 第２アンローダ ８０３１ 第３カセット ８０４０ 第３アンローダ ８０４１ 第４カセット ８０５０ スカラーロボット ８１００ チャンバ ８１１０ シャッタ ８１２０ シャッタ ８１３０ 芯出し装置 ８１４０ 搬送ロボット ８１５０ 搬送ロボット ８１６０ 洗浄／乾燥装置 ８２００ ターンテーブル ８２１０ 入口位置 ８２２０ 分離処理の作業位置 ８２３０ 出口位置 ８２５０ 仕切り板 ８３００ モータ ９００２ 保持部 ９００３ 保持部 ９００４ ロボットハンドの本体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 近江 和明 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 Ｆターム(参考） 5F031 CA02 FA01 FA11 FA12 GA24 GA43 GA54 HA13 KA11 MA23 MA28 MA31 5F043 AA09 BB30 DD13 DD23 DD30 EE07 EE08 EE35 EE36 EE40 GG10

Claims (32)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 試料を処理する処理システムであって、 試料を保持する保持機構を円上に略等間隔に搭載したタ
    ーンテーブルと、 前記ターンテーブルを所定角度ずつ回動させて各保持機
    構により保持された各試料を各作業位置に移動させるた
    めの駆動機構と、 前記保持機構により保持された試料に対して所定の作業
    位置で処理を施すための少なくとも１つの処理装置と、 を備えることを特徴とする処理システム。
  2. 【請求項２】 前記作業位置には、処理を開始すべき試
    料を受け取るための入口位置と、処理が終了した試料を
    引き渡すための出口位置が含まれることを特徴とする請
    求項１に記載の処理システム。
  3. 【請求項３】 前記入口位置としての作業位置に位置す
    る保持機構に処理対象の試料を引き渡し、前記出口位置
    としての作業位置に位置する保持機構から処理済みの試
    料を受け取るための搬送機構を更に備えることを特徴と
    する請求項２に記載の処理システム。
  4. 【請求項４】 前記搬送機構は、板状試料を水平な状態
    で前記入口位置に位置する保持機構に引き渡すと共に、
    前記出口位置に位置する保持機構から処理済みの板状試
    料を水平な状態で受け取ることを特徴とする請求項３に
    記載の処理システム。
  5. 【請求項５】 前記搬送機構は、スカラーロボットを含
    むことを特徴とする請求項４に記載の処理システム。
  6. 【請求項６】 前記保持機構は、板状試料を下方から保
    持する下方保持機構を有することを特徴とする請求項５
    に記載の処理システム。
  7. 【請求項７】 前記保持機構は、板状試料を下方から保
    持する下方保持機構と、板状試料を上方から保持する上
    方保持機構とを有することを特徴とする請求項５に記載
    の処理システム。
  8. 【請求項８】 処理対象の試料は、内部に分離用の層を
    有し、前記複数の処理装置には、該分離用の層で該試料
    を分離する分離装置が含まれることを特徴とする請求項
    １乃至請求項７のいずれか１項に記載の処理システ
    ム。。
  9. 【請求項９】 前記分離装置は、試料を分離するための
    作業位置に位置する前記保持機構により保持された試料
    の前記分離用の層に向けて束状の流体を噴射することに
    より、該試料を該分離用の層で分離することを特徴とす
    る請求項８に記載の処理システム。
  10. 【請求項１０】 前記保持機構は、前記分離用の層に直
    交する軸を中心として試料を回転させるための駆動源を
    有し、前記分離装置は、前記回転源により試料が回転さ
    れた状態で該試料を分離することを特徴とする請求項９
    に記載の処理システム。
  11. 【請求項１１】 前記処理装置には、試料の芯出しを行
    う芯出し装置が含まれることを特徴とする請求項１乃至
    請求項１０のいずれか１項に記載の処理システム。
  12. 【請求項１２】 前記芯出し装置は、芯出し処理を行う
    ための作業位置に位置する前記保持機構により保持され
    た試料に対して芯出し処理を施すことを特徴とする請求
    項１１に記載の処理システム。
  13. 【請求項１３】 前記処理装置には、前記分離装置によ
    り分離して得られる板状試料を洗浄する洗浄装置が含ま
    れることを特徴とする請求項１乃至請求項１２のいずれ
    か１項に記載の処理システム。
  14. 【請求項１４】 前記洗浄装置は、洗浄処理を行うため
    の作業位置に位置する前記保持機構により保持された試
    料に対して洗浄処理を施すことを特徴とする請求項１３
    に記載の処理システム。
  15. 【請求項１５】 前記処理装置には、前記分離装置によ
    り分離して得られる試料を洗浄し乾燥させる洗浄／乾燥
    装置が含まれることを特徴とする請求項１乃至請求項１
    ４のいずれか１項に記載の処理システム。
  16. 【請求項１６】 前記洗浄／乾燥装置は、洗浄／乾燥処
    理を行うための作業位置に位置する前記保持機構により
    保持された試料に対して洗浄／乾燥処理を施すことを特
    徴とする請求項１５に記載の処理システム。
  17. 【請求項１７】 各作業位置で処理を並行して実行する
    ことを特徴とする請求項１乃至請求項１６のいずれか１
    項に記載の処理システム。
  18. 【請求項１８】 試料の芯出しを行う芯出し装置と、 前記芯出し装置により芯出し処理がなされた試料を受け
    取って前記入口位置に位置する保持機構に引き渡すため
    の搬送機構と、 を更に備えることを特徴とする請求項２に記載の処理シ
    ステム。
  19. 【請求項１９】 試料を洗浄する洗浄装置と、 前記出口位置の位置する保持機構により保持された試料
    を受け取って前記洗浄装置に引き渡すための搬送機構
    と、 を備えることを特徴とする請求項２に記載の処理システ
    ム。
  20. 【請求項２０】 試料を洗浄し乾燥させる洗浄／乾燥装
    置と、 前記出口位置の位置する保持機構により保持された試料
    を受け取って前記洗浄／乾燥装置に引き渡すための搬送
    機構と、 を備えることを特徴とする請求項２に記載の処理システ
    ム。
  21. 【請求項２１】 試料の芯出しを行う芯出し装置と、 前記芯出し装置により芯出し処理がなされた試料を受け
    取って前記入口位置に位置する保持機構に引き渡すため
    の第１の搬送機構と、 試料を洗浄する洗浄装置と、 前記出口位置の位置する保持機構により保持された試料
    を受け取って前記洗浄装置に引き渡すための第２の搬送
    機構と、 を備えることを特徴とする請求項２に記載の処理システ
    ム。
  22. 【請求項２２】 試料の芯出しを行う芯出し装置と、 前記芯出し装置により芯出し処理がなされた試料を受け
    取って前記入口位置に位置する保持機構に引きための渡
    す第１の搬送機構と、 試料を洗浄し乾燥させる洗浄／乾燥装置と、 前記出口位置の位置する保持機構により保持された試料
    を受け取って前記洗浄／乾燥装置に引き渡すための第２
    の搬送機構と、 を備えることを特徴とする請求項２に記載の処理システ
    ム。
  23. 【請求項２３】 前記芯出し装置に試料を引き渡し、前
    記洗浄装置から試料を受け取るための第３の搬送機構を
    更に備えることを特徴とする請求項２１に記載の処理シ
    ステム。
  24. 【請求項２４】 前記芯出し装置に試料を引き渡し、前
    記洗浄／乾燥装置から試料を受け取るための第３の搬送
    機構を更に備えることを特徴とする請求項２２に記載の
    処理システム。
  25. 【請求項２５】 前記入口位置に位置する前記保持機構
    に試料を引き渡す前に該試料に処理を施す装置を更に備
    えることを特徴とする請求項２に記載の処理システム。
  26. 【請求項２６】 前記出口位置に位置する前記保持機構
    から試料を受け取った後に該試料に対して処理を施す装
    置を更に備えることを特徴とする請求項２又は請求項２
    ５に記載の処理システム。
  27. 【請求項２７】 前記分離用の層は、脆弱な構造の層で
    あることを特徴とする請求項１乃至請求項２６のいずれ
    か１項に記載の処理システム。
  28. 【請求項２８】 前記脆弱な構造の層は、多孔質層であ
    ることを特徴とする請求項２７に記載の処理システム。
  29. 【請求項２９】 前記脆弱な構造の層は、微小気泡層で
    あることを特徴とする請求項２７に記載の処理システ
    ム。
  30. 【請求項３０】 処理対象の板状試料は、半導体基板で
    あることを特徴とする請求項１乃至請求項２６のいずれ
    か１項に記載の処理システム。
  31. 【請求項３１】 処理対象の板状試料は、第１の基板と
    第２の基板とを貼り合わせてなり、分離用の層として脆
    弱な構造の層を有することを特徴とする請求項１乃至請
    求項２６のいずれか１項に記載の処理システム。
  32. 【請求項３２】 処理対象の板状試料は、第１の半導体
    基板の表面を多孔質化した後にその上に非多孔質層を形
    成し、該非多孔質層に第２の基板を貼り合わせてなるこ
    とを特徴とする請求項１乃至請求項２６のいずれか１項
    に記載の処理システム。
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