JP6271322B2 - 基板処理システム - Google Patents

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Description

本発明は、複数の基板に所定の処理を施す基板処理システムに関する。
例えば半導体デバイスなどの製造プロセスにおいては、基板としての半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）に対してイオン注入処理、エッチング処理、成膜処理などの各種処理が行われる。ウェハに対して成膜処理を行う、いわゆるＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）やＭＬＤ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）と呼ばれる処理は、例えば真空に排気された処理チャンバ内で複数のウェハに対して処理を行うバッチ処理システムで行われる。
このようなバッチ処理システムとしては、例えば特許文献１に開示されるようなシステムが用いられる。例えば図１３に示すように、このバッチ処理システム２００は、各ウェハ処理の面内均一性向上やウェハＷ間の処理の均一性の向上を図るために、複数のウェハＷを同心円状に載置する、例えば円形の載置台２１０と、当該載置台２１０を収容する円筒形状の処理チャンバ２１１を備えている。
処理チャンバ２１１には、真空搬送室２１２が隣接して設けられ、大気側に配置されたカセットステーション２０１のカセットＣに収容されたウェハＷは、大気側に配置された搬送アーム２１３と、真空搬送室２１２に隣接するロードロック室２１４を介して、真空搬送室２１２に設けられた搬送アーム２１５により処理チャンバ２１１内に搬送される。
特開２０１０−２４５４４９号公報
ところで、ウェハＷを同心円状に載置する載置台２１０においては、図１３の処理チャンバ２１１内に破線で示すように、その中心にウェハＷが載置されない空間Ａが生じる。そして、載置台２１０に載置するウェハＷの枚数、換言すれば、処理チャンバ２１１内に収容するウェハＷの枚数が増えるほど、この空間Ａは漸次的に増加してゆく。したがって、図１３に示すような、ウェハＷを同心円状に載置して処理する処理チャンバ２１１においては、ウェハＷの処理枚数を増加させるほど、ウェハＷ１枚当たりの処理に要する処理チャンバ２１１の容積（以下、この容積を「必要処理容積」ということがある。）が増加してしまう。そうすると、ウェハＷを１枚処理するために排気する空間の容積が増加するため、処理チャンバ２１１内を所定の真空度まで排気するための時間が増加し、その結果、ウェハ処理のスループットが低下してしまうという問題がある。
そのため、ウェハＷ１枚あたりの処理チャンバ２１１の容積が過剰に大きくならないように、通常は、処理チャンバ２１１で処理するウェハＷの枚数を６枚程度とし、そのように構成した処理チャンバ２１１が真空搬送室２１２に隣接して複数台設けられる。
しかしながら、複数の処理チャンバ２１１を真空搬送室２１２を介して設置すると、真空搬送室２１２そのものが大きくなり、バッチ処理システム２００全体としてのフットプリントが増大してしまうという問題も生じてしまう。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、複数の基板に所定の処理を施す基板処理システムにおいて、処理チャンバで処理するウェハＷの枚数の増加に伴う、処理チャンバの容積の増加を最小限にすることを目的としている。
前記の目的を達成するため、本発明は、複数枚の基板を収容する円環状の処理チャンバと、複数枚の基板を収容するカセットを載置するカセット載置部と、前記処理チャンバと前記カセット載置部との間で基板を搬送する基板搬送機構と、を有し、前記処理チャンバ内には、前記複数の基板が平面視において同心円状に配置され、前記基板搬送機構は、前記円環状の処理チャンバの中心部の空間に配置され、処理チャンバにおける前記基板搬送機構と対向する面にはゲートバルブが設けられていることを特徴としている。
本発明によれば、処理チャンバが円環状に形成され、基板が当該処理チャンバ内で同心円状に配置されるので、従来の円筒形状の処理チャンバにおいて、基板の収容枚数の増加と共に漸次的に増加した空間Ａが生じることがない。したがって、処理チャンバで処理する基板の枚数を増加させても、処理チャンバの容積の増加を最小限にすることができる。
前記円環状の処理チャンバの中心部の空間には、当該処理チャンバに隣接して真空搬送室が設けられ、前記基板搬送機構は、前記真空搬送室内に配置されていてもよい。
前記真空搬送室と前記カセット載置部は、ロードロック室を介して接続されていてもよい。
前記ロードロック室は、平面視において前記処理チャンバの上方または前記処理チャンバの下方を跨いで配置されていてもよい。
前記処理チャンバ内には、前記複数の基板を載置する円環状の載置台と、前記載置台を前記処理チャンバ内で回転させる駆動機構が設けられていてもよい。
本発明によれば、複数の基板に所定の処理を施す基板処理システムにおいて、処理チャンバで処理するウェハＷの枚数の増加に伴う、処理チャンバの容積の増加を最小限にできる。
本実施の形態にかかるウェハ処理システムの構成の概略を示す平面図である。 本実施の形態にかかるウェハ処理システムの構成の概略を示す縦断面図である。 処理チャンバの構成の概略を示す説明図である。 他の実施の形態にかかるウェハ処理システムの構成の概略を示す縦断面図である。 処理チャンバでのウェハの処理枚数と処理チャンバの容積との関係を示すグラフである。 処理チャンバにおける必要処理容積についての説明図である。 ウェハ処理システムのフットプリントを示す説明図である。 従来のバッチ処理システムのフットプリントを示す説明図である。 他の実施の形態にかかるウェハ処理システムの構成の概略を示す平面図である。 従来のバッチ処理システムの構成の概略を示す平面図である。 他の実施の形態にかかるウェハ処理システムの構成の概略を示す縦断面図である。 他の実施の形態にかかるウェハ処理システムの構成の概略を示す縦断面図である。 従来のバッチ処理システムの構成の概略を示す平面図である。
以下、本発明の実施の形態の一例について説明する。本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。図１は、本実施の形態にかかる基板処理システムとしてのウェハ処理システム１の構成の概略を示す平面図である。図２は、本実施の形態にかかるウェハ処理システム１の構成の概略を示す縦断面図である。なお、本実施の形態のウェハＷとしては、例えば半導体ウェハが用いられ、ウェハ処理システム１ではウェハに対して成膜処理を行う、いわゆるＡＬＤが行われる場合を例にして説明する。
ウェハ処理システム１は、図１に示すように複数のウェハＷをカセット単位で搬入出するカセットステーション２と、例えば複数のウェハＷをバッチ式に処理する処理ステーション３と、処理ステーション３におけるウェハＷの処理の制御を行う制御装置４とを有している。カセットステーション２と処理ステーション３とは、ロードロック室５を介して一体に接続された構成となっている。
カセットステーション２は、カセット載置部１０と、カセット載置部１０に隣接して設けられた搬送室１１を備えている。カセット載置部１０には、複数のウェハＷを収容可能なカセットＣをＸ方向（図１中の左右方向）に複数、例えば３つ並べて載置できる。搬送室１１には、ウェハ搬送アーム１２が設けられている。ウェハ搬送アーム１２は、上下方向、左右方向及び鉛直軸周り（θ方向）に移動自在であり、カセット載置部１０のカセットＣと、ロードロック室５との間でウェハＷを搬送できる。なお、図１では搬送室１１にウェハ搬送アーム１２を１基配置した状態を描図しているが、ウェハ搬送アーム１２の配置や設置数などは本実施の形態の内容に限定されるものではなく、任意に設定できる。
処理ステーション３は、複数のウェハＷをバッチ式に処理する略円環状の処理チャンバ２０と、円環状の処理チャンバ２０に囲まれた内側の空間に、処理チャンバ２０と隣接して設けられた真空搬送室２１を備えている。例えば図２に示すように、処理チャンバ２０の断面の幅Ｓは、ウェハＷを水平に収容できるように、ウェハＷの直径よりも大きく構成されている。処理チャンバ２０の内部には、複数のウェハＷを載置する載置台２２が設けられている。なお、図２では、処理チャンバ２０の断面を矩形状に描図しているが、処理チャンバ２０の断面形状は、その内部に円環状の載置台２２を配置できるものであれば本実施の形態の内容に限定されるものではなく、任意に設定が可能である。
載置台２２は、例えば図１に示すように、処理チャンバ２０と同様に円環状に形成されており、処理チャンバ２０と同心円状に配置されている。載置台２２には、複数のウェハＷが当該載置台２２の周方向に沿って同一円周上に配置される。図１では、載置台２２上に例えば１４枚のウェハＷが載置された状態を描図しているが、ウェハＷの設置枚数や載置台２２の大きさについては、任意に設定が可能である。
載置台２２の例えば下面には、載置台２２を当該載置台２２の中心軸を回転軸として水平方向に回転させる駆動機構２３が設けられている。駆動機構２３としては、例えば回動自在なローラなどにより構成されている。また、載置台２２には、図示しない昇降ピンが内蔵されており、後述するウェハ搬送機構４０との間でウェハＷの受け渡しができるように構成されている。
処理チャンバ２０には、例えば図２に示すように、排気機構２４が排気管２５を介して接続されており、この排気機構２４により内部を減圧可能に構成されている。排気管２５には、排気機構２４による排気量を調整する調整弁２６が設けられている。処理チャンバ２０の真空搬送室２１と対向する側面には、換言すれば、処理チャンバ２０と真空搬送室２１との間には、例えば図３に示すように、ゲートバルブ２７が複数箇所に設けられている。このゲートバルブ２７は、通常状態では閉じた状態になっており、開操作することで、真空搬送室２１と処理チャンバ２０との間でウェハＷの搬送が可能となる。なお、図３では、ゲートバルブ２７が３か所に等間隔で設けられている状態を描図しているが、ゲートバルブ２７の配置や設置数については任意に設定できる。なお、図２では、例えば処理チャンバ２０の側面の一箇所にのみ排気管２５が接続された状態を描図しているが、処理チャンバ２０内を均一に排気して偏流を防止するという観点からは、処理チャンバ２０の複数箇所に排気管２５を設けることが好ましい。
また、処理チャンバ２０の例えば天井面には、当該処理チャンバ２０の内部に所定の処理ガスを供給するガス供給機構３０が、ガス供給管３１を介して接続されている。ガス供給管３１には、処理ガスの供給量を調整する流量調整機構３２が設けられている。なお、図２では、例えば処理チャンバ２０の天井面の一箇所にのみガス供給管３１が接続された状態を描図しているが、処理チャンバ２０内に均一に処理ガスを供給し、均一なウェハ処理を行うという観点からは、排気管２５の場合と同様に、処理チャンバ２０の複数箇所にガス供給管３１を設けることが好ましい。また、ガス供給管３１の接続箇所は、処理チャンバ２０の天井面に限られるものでもなく、処理チャンバ２０の側面などであってもよい。特に、処理チャンバ２０の上面や側面には、ウェハＷへの成膜をアシストするためのプラズマを処理チャンバ２０内に導入するためのプラズマ源が配置される場合がある。したがって、処理チャンバ２０外部における機器の配置については、ウェハ処理システム１で行う処理の内容などに応じて任意に設定できる。
ロードロック室５は、例えば図２に示すように、処理チャンバ２０の下方に配置されている。換言すれば、平面視において処理チャンバ２０の下方を跨いで配置されている。ロードロック室５は、真空搬送室２１と搬送室１１とを接続している。ロードロック室５と搬送室１１との間、及びロードロック室５と真空搬送室２１との間には、図示しないゲートバルブが設けられており、ウェハＷの搬送の際に当該ゲートバルブを開操作することで、ウェハＷがロードロック室５を通過可能となる。
真空搬送室２１は、上部がゲートバルブ２７を介して処理チャンバ２０と接続されており、下部が図示しないゲートバルブを介してロードロック室５と接続されている。したがって、真空搬送室２１は、例えば処理チャンバ２０の底面より下方に延伸しており、例えば底面がロードロック室５の底面と同程度の高さに構成されている。なお、図２では、処理チャンバ２０の下方にロードロック室５が設けられている状態を描図しているが、例えば図４に示すように、処理チャンバ２０の上方にロードロック室５を設けてもよい。換言すれば、ロードロック室５を平面視において処理チャンバ２０の上方を跨いで配置してもよい。
真空搬送室２１には、処理チャンバ２０と同様に排気機構（図示せず）が接続されており、この排気機構により内部を減圧可能に構成されている。真空搬送室２１の内部には、ロードロック室５と処理チャンバ２０との間でウェハＷを搬送するウェハ搬送機構４０が設けられている。
ウェハ搬送機構４０は、旋回及び伸縮自在な多関節の搬送アーム４１を複数備えている。各搬送アーム４１は、例えば真空搬送室２１の中心部に鉛直方向に延伸して設けられた支持部材４２により支持されている。また、各搬送アーム４１は図示しない昇降機構により、支持部材４２に沿って昇降自在に構成されロードロック室５と処理チャンバ２０との間でウェハＷを搬送できる。なお、図１では、例えば３つの搬送アーム４１が設けられた状態を描図しているが、搬送アーム４１の設置数については任意に設定が可能である。また、ウェハ搬送機構４０の構成についても本実施の形態の内容に限定されるものではなく、ロードロック室５と処理チャンバ２０との間でウェハＷを搬送できるものであれば、その構造や形式は任意に設定できる。
制御装置４は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、ウェハ処理システム１におけるウェハＷの処理を制御するプログラムが格納されている。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータに読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４にインストールされたものであってもよい。
本実施の形態にかかるウェハ処理システム１は以上のように構成されている。次に、このウェハ処理システム１で行われるウェハ処理について説明する。
ウェハＷの処理を行う際には、先ず、複数の未処理のウェハＷがウェハ搬送アーム１２によってカセットステーション２のカセットＣから取り出され、ロードロック室５内に順次搬送される。その後、ロードロック室５内を排気して、内部を所定の圧力まで減圧する。
次いで、ロードロック室５と、内部が予め減圧状態に維持されている真空搬送室２１との間のゲートバルブ（図示せず）を開けて、ロードロック室５内のウェハＷを、ウェハ搬送機構４０の搬送アーム４１により順次真空搬送室２１を介して、予め減圧状態に維持された処理チャンバ２０内に搬入する。
処理チャンバ２０内に搬送されたウェハＷは、昇降ピン（図示せず）を介して順次載置台２２上に載置される。
処理チャンバ２０内に全てのウェハＷが搬入されると、ゲートバルブ２７が閉じられ、制御装置４によりウェハＷの処理が実行される。ウェハＷの処理にあたっては、排気機構２４により処理チャンバ２０内が所定の圧力まで減圧される。この際、処理チャンバ２０は円環状に形成されているので、速やかに排気が行われる。即ち、従来の円筒形の処理チャンバ２１１においては、図１３の空間Ａの部分についても排気を行う必要があった。そして、この空間Ａは、処理チャンバ２１１に配置するウェハＷの枚数の増加に伴い増加するが、ウェハＷの増加と共に空間Ａの直径が増加するため、ウェハＷ１枚当たりの処理に要する処理チャンバ２１１の容積（必要処理容積）も、空間Ａの半径の二乗に比例して漸次的に増加してしまっていた。そのため、処理チャンバ２１１の容積は線形に増加するのではなく、例えば図５の線Ｐに示すように、漸次的に増加するものとなっていた。したがって、ウェハＷの増加に伴い、処理チャンバ２１１内を排気する時間が増加してしまうという問題があった。なお、図５の横軸は、ウェハＷの設置枚数、縦軸は処理チャンバ内の容積である。また、図５は、ウェハＷの直径が３００ｍｍである場合についてのものである。
その一方、本実施の形態の処理チャンバ２０においては、処理チャンバ２０内に設置するウェハＷの枚数を増やす場合、処理チャンバ２０の幅Ｓを一定に保った状態で、図２に示す処理チャンバ２０の直径Ｒのみを拡大すれば足りる。換言すれば、処理チャンバ２０内に設置するウェハＷの枚数を増やしても、処理チャンバ２０における必要処理容積である、例えば図６の斜線で囲まれた空間Ｂの容積は一定のままである。そのため、例えばウェハＷの設置枚数を１枚増やした場合、処理チャンバ２０の容積はウェハ１枚分の空間Ｂ分だけ増加させれば足り、従来の処理チャンバ２１１のように、空間Ａの直径の変化に伴う処理チャンバ２１１の容積の増加は生じない。その結果、ウェハＷの枚数の増加に対する処理チャンバ２０の容積の増加は、図５の線Ｑに示すように線形なものとなる。したがって、処理チャンバ２０内に設置するウェハＷの枚数を増やしても、従来の処理チャンバ２１１と比較して、排気時間を大幅に短縮することができる。より具体的には、例えば図５に示すように、１２枚のウェハＷを配置可能な処理チャンバ２０を構成した場合、従来の処理チャンバ２１１では、同一の容積で概ねウェハＷ８枚しか配置できず、ウェハ１枚当たりに要する排気時間が長くなってしまう。
処理チャンバ２０内が所定の圧力まで減圧されると、ガス供給機構３０から所定の処理ガスが供給されて、ウェハＷに対して成膜処理が行われる。この際、上述のように本実施の形態の処理チャンバ２０においては、従来の処理チャンバ２１１よりも必要処理容積が小さいため、ウェハＷ１枚あたりを処理するために供給する処理ガスの流量も低減することができ、ウェハ処理システム１のランニングコストを低減することができる。処理チャンバ２０内での成膜処理が終了すると、ゲートバルブ２７が開けられる。次いで、ウェハ搬送機構４０の搬送アーム４１により、処理済のウェハＷが処理チャンバ２０から真空搬送室２１に順次搬出される。その後ウェハＷは、ロードロック室５を介してカセットステーション２のカセットＣ内に順次収容される。そして、全てのウェハＷがカセットＣに収容されると、カセットＣがカセットステーション２の外部に搬送されると共に、未処理のウェハＷを収容した新たなカセットＣがカセットステーション２に搬送される。そして、この未処理のウェハＷが順次処理チャンバ２０に搬送され、この一連の処理が繰り返し行われる。
以上の実施の形態によれば、処理チャンバ２０が円環状に形成され、ウェハＷが当該処理チャンバ２０内で同心円状に配置されるので、従来の円筒形状の処理チャンバ２１１において、ウェハＷの収容枚数の増加と共に漸次的に増加した空間Ａが生じることがない。したがって、処理チャンバ２０で処理するウェハの枚数を増加させても、処理チャンバの容積の増加を最小限に抑えることができる。
また、従来のバッチ処理システム２００においては、処理チャンバ２１１の設置数を増やした場合、搬送アーム２１５の増加に伴い処理チャンバ２１１の外部に設けられた真空搬送室２１２を拡大する必要が生じていた。そのため、処理チャンバ２１１の増加に伴うフットプリントの増加以外に、真空搬送室２１２を拡大することに伴うフットプリントの増加も生じてしまっていた。
これに対して本実施の形態においては、円環状の処理チャンバ２０の内側の空間に真空搬送室２１を設けているので、ウェハ処理システム１のフットプリントの増加は、処理チャンバ２０の増加分のみに抑えることができる。即ち、本実施の形態のウェハ処理システム１におけるウェハＷの処理枚数に対するフットプリントの増加は、真空搬送室２１の外部に設けられる搬送系である、カセットステーション２やロードロック室５の大きさに変化がなければ、概ね線形なものとなる。したがって、本実施の形態によれば、同一のフットプリント当たりのウェハＷの処理枚数を従来と比較して向上させることができる。
なお、従来のバッチ処理システム２００と本実施の形態にかかるウェハ処理システム１において、カセットステーション２、２０１やロードロック室５、２１４の構成が概ね同じであるとすると、図７に示す本実施の形態のウェハ処理システムのフットプリントＦは、例えば図８に示すように、従来のバッチ処理システム２００の、概ねカセットステーション２０１、ロードロック室２１４及び真空搬送室２１２を覆う程度の領域に収まったものとなる。本発明者らによれば、本実施の形態にかかるウェハ処理システム１のフットプリントは、例えばウェハ処理システム１で１２枚のウェハＷをバッチ式に処理する場合、従来のバッチ処理システム２００と比較してフットプリントが約３割削減できることが確認されている。
また、本実施の形態にかかるウェハ処理システム１では、ロードロック室５を処理チャンバ２０の上方または下方を跨いで設けているので、平面視においてロードロック室５と処理チャンバ２０とが重なる部分についてもフットプリントを削減することができる。
なお、以上の実施の形態では、真空搬送室２１を円環状の処理チャンバ２０の内側に配置したが、処理チャンバ２０の必要処理容積を増加させないという観点からは、処理チャンバ２０を円環状に形成すれば足りるため、真空搬送室２１は必ずしも処理チャンバ２０の内側に設ける必要はない。かかる場合、ゲートバルブ２７は、処理チャンバ２０の外側に設けるようにしてもよい。
但し、真空搬送室２１を処理チャンバ２０の内側に設けた場合、ゲートバルブ２７を処理チャンバ２０の内側のどの位置に設けても搬送アーム４１はゲートバルブ２７にアクセス可能である。換言すれば、真空搬送室２１を処理チャンバ２０の内側に設けた場合、ゲートバルブ２７の配置は自由に設定できる。したがって、真空搬送室２１を処理チャンバ２０の内側に設けることが好ましい。特に、ウェハ搬送機構４０を真空搬送室２１の中心部に配置することで、各搬送アーム４１から処理チャンバ２０への距離が等しくなり、搬送距離の違いによる搬送遅れが生じることがなくなるため、ウェハＷの搬送時間の管理が容易となり、また、搬送アーム４１の設置数を増やすほど単位時間あたりの搬送枚数を増やすことができる。
以上の実施の形態では、１つの処理チャンバ２０を有するウェハ処理システム１について説明したが、処理チャンバ２０は複数設けてもよい。例えば処理チャンバ２０を２つ設ける場合、図９に示すように、カセットステーション２を挟んで、換言すればカセットステーション２の両側に処理チャンバ２０を配置してもよい。こうすることで、フットプリントの増加を最小限に抑えることができる。なお、図９では、搬送室１１を２つの処理チャンバ２０に対して共通で設け、カセットＣを搬送室１１側方に配置するようにカセットステーション２を構成しているが、その他の構成については上述の内容と同様である。
その一方、従来のバッチ処理システム２００においてカセットステーション２の両側に処理チャンバ２１１を配置すると、大幅なフットプリントの増加を招いてしまう。一例として、図１０は、カセットステーション２の両側に処理チャンバ２１１を配置した従来のバッチ処理システム２００であり、図１０中に示す一点鎖線の領域は、図９に示すウェハ処理システム１のフットプリントＦである。このように、本実施の形態にかかる処理チャンバ２０を用いることで、ウェハＷの処理枚数に伴うフットプリントの増加を最小限に抑えることができる。
以上の実施の形態では、ロードロック室５を、処理チャンバ２０の上方、または下方の一方のみに配置していたが、例えば図１１に示すように、処理チャンバ２０の上方及び下方の両方を跨ぐように２つのロードロック室５ａ、５ｂを設けてもよい。かかる場合、真空搬送室２１は、ロードロック室５ａ、５ｂの双方とウェハＷの搬送が行えるような高さに構成されることが好ましい。一般に、真空搬送室２１とカセットＣとの間の搬送速度は、ロードロック室５で律速される場合があるが、図１１に示すように、ロードロック室５ａ、５ｂを上下方向に多段に配置することで、ロードロック室がボトルネックとなることを解消できる。
また、図１１では、ロードロック室５を多段に設ける場合について示したが、処理チャンバ２０についても、例えば図１２に示すように、上下方向に多段に配置するようにしてもよい。かかる場合についても、真空搬送室２１は上下方向に設けられる処理チャンバ２０の段数に応じた高さに構成されることが好ましい。このように、処理チャンバ２０を上下方向に多段に設けることで、ウェハ処理システム１のフットプリントを増加させることなく、ウェハ処理システム１におけるウェハＷ処理のスループットを向上させることができる。
以上の実施の形態では、複数のウェハＷを処理チャンバ２０内で一括して処理するバッチ式の処理を行う場合を例として説明したが、本実施の形態にかかる処理チャンバの適用は、バッチ処理のみに限定されない。例えば、図６に示す空間Ｂ毎に処理チャンバ２０内が区切られ、各空間Ｂ毎に個別にウェハＷの処理が行われるような枚葉式のウェハ処理システムにおいても適用が可能である。また、２つ以上の空間Ｂをつなげた空間で２枚以上のウェハＷが同時に処理されるような場合、換言すれば、例えば隣接する空間Ｂを複数つなげて一つの空間として区切り、当該区切られた空間で複数枚のウェハＷに同時に処理が行われる方式のウェハ処理システムにおいても適用が可能である。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。また、本発明は、処理装置で行われる処理が成膜処理以外の、例えばエッチング処理などの他の処理にも適用できる。
１ ウェハ処理システム
２ カセットステーション
３ 処理ステーション
４ 制御装置
５ ロードロック室
１０ カセット載置部
１１ 搬送室
１２ ウェハ搬送アーム
２０ 処理チャンバ
２１ 真空搬送室
２２ 載置台
２３ 駆動機構
２４ 排気機構
２７ ゲートバルブ
３０ ガス供給機構
４０ ウェハ搬送機構
Ｃ カセット

Claims (5)

  1. 複数の基板に対して処理を施す基板処理システムであって、
    複数枚の基板を収容して所定の処理を施す円環状の処理チャンバと、
    複数枚の基板を収容するカセットを載置するカセット載置部と、
    前記処理チャンバと前記カセット載置部との間で基板を搬送する基板搬送機構と、を有し、
    前記処理チャンバ内には、前記複数の基板が平面視において同心円状に配置され、
    前記基板搬送機構は、前記円環状の処理チャンバの中心部の空間に配置され、
    処理チャンバにおける前記基板搬送機構と対向する面にはゲートバルブが設けられていることを特徴とする、基板処理システム。
  2. 前記円環状の処理チャンバの中心部の空間には、当該処理チャンバに隣接して真空搬送室が設けられ、
    前記基板搬送機構は、前記真空搬送室内に配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の基板処理システム。
  3. 前記真空搬送室と前記カセット載置部は、ロードロック室を介して接続されていることを特徴とする、請求項２に記載の基板処理システム。
  4. 前記ロードロック室は、平面視において前記処理チャンバの上方、前記処理チャンバの下方、又は前記処理チャンバの上方及び下方の両方を跨いで配置されていることを特徴とする、請求項３に記載の基板処理システム。
  5. 前記処理チャンバ内には、前記複数の基板を載置する円環状の載置台と、前記載置台を前記処理チャンバ内で回転させる駆動機構が設けられていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理システム。
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