CN113314448B - 半导体传输设备及其控制方法 - Google Patents

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CN113314448B CN202110523240.XA CN202110523240A CN113314448B CN 113314448 B CN113314448 B CN 113314448B CN 202110523240 A CN202110523240 A CN 202110523240A CN 113314448 B CN113314448 B CN 113314448B
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Abstract

本申请公开了一种半导体传输设备及半导体传输设备的控制方法。半导体传输设备包括传输室和处理室,传输室内设有M个传输臂,M为大于2的整数,传输臂用于传输晶圆;处理室与传输室连通,处理室用于对晶圆进行处理,处理室的数量为N个,N为小于M的正整数,且N个处理室彼此间隔设置。本申请提供的半导体传输设备中传输臂的数量多于处理室的数量,提高了晶圆的传输效率,从而扩大了半导体传输设备的产能。

Description

半导体传输设备及其控制方法
技术领域
本申请涉及半导体制造领域,尤其涉及一种半导体传输设备及其控制方法。
背景技术
在半导体领域中,反应腔是常用的设备,可用于化学气相沉淀、物理气相沉淀、以及刻蚀等工艺过程。目前,在工艺过程中,传输室内通常设有用于传输晶圆的传输臂,传输臂不仅将晶圆传输到反应腔以处理晶圆,而且用于将处理的晶圆自反应腔取出。传统技术中,半导体传输设备中存在反应腔中的晶圆没有足够的传输臂进行传输,影响了半导体传输设备的产能。
发明内容
本申请提供了一种半导体传输设备及半导体传输设备的控制方法。本申请提供的半导体传输设备中传输臂的数量多于处理室的数量,提高了晶圆的传输效率,从而扩大了半导体传输设备的产能。
第一方面,本申请提供一种半导体传输设备。半导体传输设备包括传输室和处理室,所述传输室内设有M个传输臂,M为大于2的整数,所述传输臂用于传输晶圆;所述处理室与所述传输室连通,所述处理室用于对所述晶圆进行处理,所述处理室的数量为N个,N为小于M的正整数,且N个所述处理室彼此间隔设置。
在一些可能的实现方式中,所述传输室包括底座及固定于所述底座的M个所述传输臂,M个所述传输臂相对所述底座滑动连接或旋转连接,且一个所述传输臂的运动带动另一个所述传输臂运动。
在一些可能的实现方式中,M个所述传输臂轴对称排布。
在一些可能的实现方式中,M与N相差1。
在一些可能的实现方式中,所述传输室连接所述处理室,所述传输室设有N个输送口,N个所述输送口与N个所述处理室一一对应。
在一些可能的实现方式中,所述半导体传输设备还包括储备室,所述储备室用于储备待处理的晶圆,并与所述传输室连接,所述传输室设有输出口,所述输出口连通所述储备室与所述传输室。
在一些可能的实现方式中,所述传输臂的表面设有防滑垫,所述防滑垫用于增加所述晶圆与所述传输臂之间的摩擦力。
在一些可能的实现方式中,所述半导体传输设备还包括检测装置和校正装置,所述检测装置用于检测所述晶圆相对所述传输臂的相对位置,每个所述传输臂均设有所述检测装置;所述校正装置用于校正所述晶圆相对所述传输臂的相对位置。
第二方面,本申请还提供一种半导体传输设备的控制方法。其中,所述半导体传输设备包括多个处理室及多个传输臂,多个所述处理室用于对所述晶圆进行处理,多个所述传输臂用于传输晶圆;其中,多个处理室包括第一处理室和第二处理室,所述第一处理室或所述第二处理室包括至少一个承载台,所述承载台用于承载所述晶圆,多个传输臂包括第一传输臂、第二传输臂和第三传输臂。
所述半导体传输设备的控制方法包括:
检测到所述第一处理室中的至少一个所述承载台未承载所述晶圆,及所述第二处理室中的至少一个所述晶圆已完成处理;
控制所述第一传输臂向所述第一处理室传输待处理的晶圆,控制所述第二传输臂传输自第二处理室输出的已处理的晶圆,及控制所述第三传输臂向所述第二处理室传输待处理的晶圆。
在一些可能的实现方式中,所述第一传输臂的运动,带动所述第二传输臂或所述第三传输臂一起运动。
在一些可能的实现方式中,所述第一传输臂、所述第二传输臂或所述第三传输臂在传输所述晶圆的运动过程中,所述第一传输臂与所述第二传输臂之间的间距、所述第二传输臂与所述第三传输臂之间的间距,及所述第三传输臂与所述第一传输臂之间的间距保持不变。
在本实施例中,传输室内传输臂的数量多于处理室的数量,每个处理室不仅有对应的传输臂来传输待处理的晶圆,还额外多出传输臂能够作为单独的备用程序,来后备进行转移晶圆,以避免晶圆没有传输臂进行转移而降低半导体传输设备的产能,提高了晶圆的传输效率,从而扩大半导体传输设备的产能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请的技术方案,下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以如这些附图获得其他的附图。
图1是本申请提供的半导体传输设备的结构示意图;
图2是图1所示传输室的部分结构示意图;
图3是图2所示传输室的俯视图;
图4是本申请提供的半导体传输设备的控制方法流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施方式中的附图,对本申请实施方式中的技术方案进行描述,显然,所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式,而不是全部的实施方式。在不冲突的情况下,本申请的实施方式及实施方式中的特征可以相互组合。基于本申请中的实施方式,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式,都属于本申请保护的范围。
传统技术中,半导体传输设备中的传输室内设有两个传输臂,一个传输臂负责接收处理室已经处理完的晶圆,并将已处理的晶圆传输回前端腔室,另一个传输臂负责接收前端腔室中待处理的晶圆,以将待处理的晶圆传递至后端的处理室,使得处理室连续不断的对晶圆进行处理。可以理解的,两个传输臂同时负责同一个处理室中晶圆的接送。但是,半导体传输设备中设有两个间隔设置的处理室,如果两个处理室正在进行不同的工艺制程,而两个传输臂只能接收或送出同一个处理室的晶圆,使得另一个处理室的晶圆没有传输臂去传输,从而影响了半导体传输设备产能。
请一并参阅图1与图2,图1是本申请提供的半导体传输设备100的结构示意图;图2是图1所示传输室的部分结构示意图。半导体传输设备100可以但不仅限于用于制备三维(3Dimension,3D)存储器。
半导体传输设备100包括传输室10和处理室20。传输室10用于将待处理的晶圆(wafer)传输至处理室20。处理室20用于对待处理的晶圆进行处理。处理室20和传输室10连通,以使传输室10内的晶圆能够被传送至处理室20。本申请并不限定,处理室20具体用于对晶圆处理的形式,例如处理室20可以采用气相沉淀在晶圆的表面沉积层结构,也可以用于刻蚀待处理的晶圆,或者用于研磨待处理的晶圆。本领域技术人员能够根据实际需求,设计处理室20的用途。示例性的,在本实施例中,以处理室对待处理的晶圆进行镀钨薄膜的工艺制程。半导体传输设备100可以是但不仅限于LAM_ALTUS_MAX。
其中,处理室20的数量为N个,N为大于1的正整数。N个处理室20均与传输室10连接,以使传输室10能够分别向N个处理室20传输待处理的晶圆。在本实施例中,处理室20的数量为多个,且多个处理室20均与传输室10连接,以使半导体传输设备100能够同时对多个晶圆进行处理,从而提高了半导体传输设备100的产能。
示例性的,在本申请实施例中,以处理室20的数量为2个为例来进行描写。N个处理室20包括第一处理室21和第二处理室22。在其他实施例中,处理室20的数量也能够为一个,三个或三个以上,本申请对此并不限定。
其中,每个处理室20设有多个用于承载晶圆的承载台201,使得单个处理室20能够同时对多个晶圆进行处理。本申请并不限定承载台201的数量,本领域技术人员能够根据实际需求对此进行设计。如图1所示,示例性的,每个处理室20内设4个承载台201。
在一些实施例中,N个处理室20彼此间隔设置,以使每个处理室20能够单独处理晶圆。其中,N个处理室20能够对待处理的晶圆进行相同的工艺制程,也能够对待处理的晶圆进行不同的工艺制程,本申请对此并不限定。
在本实施例中,以N个处理室20对待处理的晶圆进行相同的工艺制程为例来进行描写,例如在待处理的晶圆的表面沉积绝缘层。在其他实施例中,N个处理室20能够对待处理的晶圆进行不同的工艺制程,例如一个处理室20用于在待处理的晶圆的表面形成层结构,另一个处理室20用于对待处理的晶圆进行刻蚀。
请继续参阅图1和图2,传输室10内设有M个传输臂101,M为大于2的整数。传输臂101用于传输晶圆,以转移晶圆至不同的腔室。其中,M为大于N的正整数。也即,传输臂101的数量大于处理室20的数量。如图2所示,在本实施例中,以传输室10内传输臂101的数量为3个为例来进行描写。在其他实施例中,传输室10内传输臂101的数量也可以为其他数量,本申请对此并不严格限定。图中,传输臂101的形状及大小等仅为示例,本申请对此并不限定。
在本实施例中,传输室10内传输臂101的数量多于处理室20的数量,每个处理室20不仅有对应的传输臂101来传输待处理的晶圆,还额外多出传输臂101能够作为单独的备用程序,来后备进行转移晶圆,以避免晶圆没有传输臂101进行转移而降低半导体传输设备100的产能,提高了晶圆的传输效率,从而扩大半导体传输设备100的产能。
示例性的,N个处理室20包括第一处理室21和与第一处理室21间隔设置的第二处理室22。M个传输臂101包括第一传输臂、第二传输臂和第三传输臂。当第一处理室21内的待处理晶圆处理完后,第一传输臂将处理完后的晶圆转移,与此同时第二传输臂将另一个的待处理的晶圆传输至第一处理室21,以使第一处理室21继续对下一个待处理的晶圆进行处理。此时,如果第二处理室22内的待处理晶圆已经处理完,第三传输臂能够将第二处理室22内处理完后的晶圆转移,以使半导体传输设备100不间断的运转,从而提高半导体设备的产能。可以理解的,当第一传输臂与第二传输臂均在转移第一处理室21的晶圆,半导体传输设备100若没有第三传输臂,则第二处理室22已经处理完的晶圆需要等待空闲的传输臂101将其进行转移,晶圆等待的时间将会耽误半导体传输设备100的产能。
在一些实施例中,传输室10包括底座11及固定于底座11的M个传输臂101。M个传输臂101相对底座11滑动连接,且M个传输臂101联动。可以理解的,一个传输臂101的运动,带动另一个传输臂101运动。示例性的,一个传输臂101的运动,带动其他的传输臂101一起运动。其中,M个传输臂101相对底座11滑动连接,M个传输臂101沿着设定好的轨道运动,M个传输臂101之间的间距保持不变。
在本申请实施例中,M个传输臂101相对底座11滑动连接,且M个传输臂101联动,M个传输臂101一起相对底座11滑动,使得M个传输臂101之间的相互距离保持不变,避免M个传输臂101传输过程中发生碰撞的情况,从而提高半导体传输设备100的可靠性。
在其他实施例中,M个传输臂101与也可以相对底座11旋转连接,且M个传输臂101联动,M个传输臂101一起相对底座11旋转,M个传输臂101之间的相互距离保持不变,避免M个传输臂101传输过程中发生碰撞的情况。
请一并参阅图2和图3,图3是图2所示传输室10的俯视图。在一些实施例中,M个传输臂101轴对称排布。示例性的,传输臂101的数量为三个,三个传输臂101轴对称排布,任意相邻两个传输臂101之间的形成的角度为120度。
在本实施例中,M个传输臂101轴对称排布,M个传输臂101在相对滑动的过程中,任意相邻的两个传输臂101之间的间距相同,使得任意两个传输臂101能够同时接或送两个处理室20的晶圆,保证了半导体传输设备100中M个传输臂101连续性的传输晶圆,从而提高了半导体传输设备100的可靠性。
在一些实施例中,传输臂101背离底座11的一侧设有防滑垫102。防滑垫102用于增加晶圆与传输臂101之间的摩擦力。防滑垫102的附着力较强,用来吸附晶圆。与此同时,防滑垫102还具有较大的疲劳强度,不易断裂,避免了断裂的防滑垫102随着传送的晶圆进入处理室20或储备室内而引入新的污染源。本申请并不限定防滑垫102的材质,本领域技术人员能够根据实际需求对此进行设计。例如,防滑垫102可以模仿壁虎、蜘蛛等动物脚掌的绒毛(也称刚毛),也可以采用硅树脂橡胶或聚酯树胶。
在本实施例中,当晶圆放置在传输臂101的表面上以进行传送时,晶圆与防滑垫102接触,借助晶圆与防滑垫102之间的范德华力,晶圆被稳稳地附着在机械手臂上,不易发生平移,不仅可以避免晶圆自传输臂101滑落的风险,还可以适当提高晶圆的传送速度以提高半导体传输设备100的生产效率。
在其他实施例中,传输臂101背离底座11的一侧也能够不设防滑垫102,本申请对此并不限定,本领域技术人员能够根据实际需求,对此进行设计。例如,三维存储器的制备过程中,在一些工艺制程中晶圆的正面与背面均设有层结构,此时传输臂101背离底座11的一侧也可以不设防滑垫102,避免防滑垫102损坏晶圆背面的层结构。
请继续参阅图1和图2,在一些实施例中,传输室10连接处理室20。传输室10设有N个输送口103。N个输送口103与N个处理室20一一对应。在本实施例中,传输室10设有与处理室20数量相同的输送口103,N个处理室20分别通过N个输送口103与传输室10连通,N个处理室20内的晶圆均通过同一个传输室10传输,避免了一个处理室20对应设置一个传输室10,从而有利于减小半导体传输设备100的体积。
在一些实施例中,M与N相差1。也即,传输臂101的数量相比输送口103的数量多一个。
在本申请实施例中,传输臂101的数量相比输送口103的数量多一个,不仅能够保证,以提高制备三维存储器的效率,也能够避免传输室10内设传输臂101的数量过多,而在传输室10空间有限的情况下,限制传输臂101的运动,降低了多个传输臂101相互碰撞的风险,从而有利于提高半导体传输设备100的可靠性。
在一些实施例中,半导体传输设备100还包括储备室30。储备室30用于储备晶圆,并与传输室10连接。储备室30是指一部分抽真空,真空度不高的前端腔室(antechamber)。储备室30可以但不仅限于装填-闭锁(load-lock)腔室。传输室10设有输出口104,输出口104连通储备室30与传输室10。输出口104用于供待处理的晶圆进入传输室10。储备室30设有机械手301,机械手301用于抓取或放置晶圆。
示例性的,机械手301用于将抓取的待处理的晶圆,通过输出口104放置于传输室10的机械臂上,以使传输臂101将待处理的晶圆传递至处理室20;与此同时,机械手301也能够抓取传输臂101上经过处理室20处理的晶圆。
在一些实施例中,输出口104的数量为两个。一个输出口104用于向传输室10输出待处理的晶圆,另一个输出口104用于向储备室30输入已处理的晶圆。
在本实施例中,待处理的晶圆与已处理的晶圆分别经过传输室10不同的输出口104,使得储备室30内的机械手301能够根据输送口103的位置来判断晶圆的放置位置,避免待处理的晶圆与已处理的晶圆混淆,从而提高了半导体传输设备100的可靠性。在其他实施例中,输出口104的数量也可以为其他正整数,本申请对此并不限定。本领域技术人员能够根据实际情况,设计半导体传输设备100中输出口104的数量。
在一些实施例中,半导体传输设备100还包括检测装置(图中未示意出)和校正装置(图中未示意出)。检测装置用于检测晶圆相对传输臂101的位置。每个传输臂101均设有检测装置。校正装置用于校正晶圆相对传输臂101的位置。当检查装置检测出晶圆相对传输臂101的位置发生变化时,控制装置能够控制校正装置,以使校正装置校正晶圆相对传输臂101的位置,从而保证晶圆相对传输臂101的位置不变。其中,本申请并不限定检查装置及校正装置位于半导体传输设备100中的具体位置,本领域技术人员能够根据实际情况对此进行设计。
在本实施例中,半导体传输设备100还包括检测装置及对应的校正装置,避免晶圆相对传输臂101的位置发生变化而导致传输至处理室20的待处理的晶圆的位置发生偏移,从而提高半导体传输设备100的可靠性。
可以理解的,在用于运输晶圆的传输臂101运动过程中,检测装置能够将晶圆实际运动的位置反馈给控制装置,控制装置根据反馈信号调整传输臂101到达预设位置,记录调整过程中的调整量,再将晶圆运送到反应腔中时,根据调整量调整传输臂101,使晶圆到达反应腔中的预设位置,从而提高传输臂101臂运动的准确性。
请继续参阅图4,图4是本申请提供的半导体传输设备的控制方法流程示意图。半导体传输设备的控制方法可以但不仅限于应用于上述半导体传输设备100。半导体传输设备的控制方法应用的半导体传输设备包括多个处理室及多个传输臂。多个处理室用于对晶圆进行处理。多个传输臂用于传输晶圆。其中,多个处理室包括第一处理室和第二处理室。第一处理室与第二处理室可以对待处理的晶圆采用相同的工艺制程,也可以对待处理的晶圆采用不同的工艺制程,本申请对此并不限定。多个传输臂包括第一传输臂、第二传输臂和第三传输臂。第一传输臂、第二传输臂和第三传输臂分别用于传输晶圆。其中,第一处理室或第二处理室包括至少一个用于承载晶圆的承载台。可以理解的,在本实施例中,第一处理室或第二处理室能够对多个晶圆进行处理,以提高半导体传输设备的产能。在其他实施例中,第一处理室或第二处理室也可以仅包括一个用于承载晶圆的承载台,本申请对此并不限定。
半导体传输设备的控制方法,包括但不仅限于S110至S120。S110至S120详细介绍如下。
S110:检测到第一处理室中的至少一个承载台未承载晶圆,及第二处理室中的至少一个晶圆已完成处理。
可以理解的,第一处理室中的多个承载台中存在一个承载台未承载晶圆时,表明第一处理室可以输入待处理的晶圆,此时如果向第一处理室传输待处理的晶圆可以避免第一处理室中的承载台空闲,从而有利于提高半导体传输设备的产能。第二处理室中的至少一个晶圆已完成处理时,表明第二处理室中至少一个晶圆需要被输出,以供待处理的晶圆输入,避免已经处理的晶圆占用承载台,从而有利于提高半导体传输设备的产能。其中,待处理的晶圆是自储备室传送至处理室需要进行处理的晶圆。已处理的晶圆是经过处理室处理,需要自处理室传输至储备室的晶圆。可以理解的,处理室需要接受待处理的晶圆,也需要将已处理的晶圆送出处理室,以使处理室处理下一个待处理的晶圆。
本申请并不限定半导体传输设备如何检测承载台是否承载晶圆的方式,本领域技术人员能够根据实际情况对此进行设计。示例性的,半导体传输设备包括传感器,传感器用于感应承载台上是否有晶圆,以使半导体传输设备检测到第一处理室中的承载台是否承载晶圆。半导体传输设备能够根据第二处理室中的处理程序判定第二处理室中的晶圆是否已经完成处理,本申请对此并不限定。
S120:控制第一传输臂向第一处理室传输待处理的晶圆,控制第二传输臂传输自第二处理室输出的已处理的晶圆,及控制第三传输臂向第二处理室传输待处理的晶圆。
可以理解的,第一处理室需要输入待处理的晶圆,与此同时第二处理室需要输出已处理的晶圆,以使处理室能够正常连续运转,此时若第二处理室需要输出的已处理的晶圆没有传输臂进行传输,此已处理的晶圆则需要等待下一个空闲的传输臂进行传输,此晶圆等待的时间降低了半导体传输设备的产能。
而在本实施例中,控制第一传输臂向第一处理室传输待处理的晶圆的同时,控制第二传输臂自第二处理室输出已处理的晶圆,避免第二处理室已处理的晶圆无传输臂传输的情况,提高了晶圆的传输效率,从而扩大半导体传输设备的产能。与此同时,控制第三传输臂向第二处理室传输待处理的晶圆,以使第二处理室能够连续不断的对待处理的晶圆进行处理,避免了第二处理室的工艺制程停顿,从而提高半导体传输设备的控制方法的产出效率。
在一些可能的实现方式中,第一传输臂的运动,带动第二传输臂或第三传输臂一起运动。
在本申请实施例中,第一传输臂的运动,带动第二传输臂或第三传输臂一起运动,各传输臂相互协同作用,以实现第一传输臂向第一处理室传输待处理的晶圆,同时控制第二传输臂传输自第二处理室输出的已处理的晶圆,及控制第三传输臂向第二处理室传输待处理的晶圆,保证了半导体传输设备的控制方法的可靠性。
在一些可能的实现方式中,第一传输臂、第二传输臂或第三传输臂在传输晶圆的运动过程中,第一传输臂与第二传输臂之间的间距、第二传输臂与第三传输臂之间的间距,及第三传输臂与第一传输臂之间的间距保持不变。可以理解的,第一传输臂、第二传输臂或第三传输臂在传输晶圆的运动过程中,第一传输臂、第二传输臂或第三传输臂相对处理室运动,以实现晶圆的输入或输出;此时,各传输臂相互之间的间距保持不变,表明各传输臂之间相对静止。
在本申请实施例中,第一传输臂、第二传输臂及第三传输臂在传输晶圆的运动过程中,任意两个传输臂之间的相互距离保持不变,也即各传输臂之间相对静止,避免第一传输臂向第一处理室传输待处理的晶圆,同时控制第二传输臂传输自第二处理室输出的已处理的晶圆,及控制第三传输臂向第二处理室传输待处理的晶圆时,任意两个传输臂之间相对运动存在发生碰撞的风险,从而提高半导体传输设备的控制方法的可靠性。
以上对本申请实施方式进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施方式的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本申请的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上,本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (11)

1.一种半导体传输设备,其特征在于,包括:
传输室,所述传输室内设有M个传输臂,M为大于2的整数,所述传输臂用于传输晶圆;M个所述传输臂包括第一传输臂、第二传输臂和第三传输臂;
处理室,所述处理室与所述传输室连通,所述处理室用于对所述晶圆进行处理,所述处理室的数量为N个,N为小于M的正整数,且N个所述处理室彼此间隔设置;N个所述处理室包括第一处理室和第二处理室,所述第一处理室或所述第二处理室包括至少一个承载台,所述承载台用于承载所述晶圆;
当所述第一处理室中的至少一个所述承载台未承载所述晶圆,且所述第二处理室中的至少一个所述晶圆已完成处理时:所述第一传输臂向所述第一处理室传输待处理的晶圆,所述第二传输臂传输自所述第二处理室输出的已处理的晶圆;在所述第二处理室内已处理的晶圆被所述第二传输臂取出后,所述第三传输臂向所述第二处理室传输待处理的晶圆。
2.如权利要求1所述的半导体传输设备,其特征在于,所述传输室包括底座及固定于所述底座的M个所述传输臂,M个所述传输臂相对所述底座滑动连接或旋转连接,且一个所述传输臂的运动带动另一个所述传输臂运动。
3.如权利要求2所述的半导体传输设备,其特征在于,M个所述传输臂轴对称排布。
4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体传输设备,其特征在于,M与N相差1。
5.如权利要求4所述的半导体传输设备,其特征在于,所述传输室连接所述处理室,所述传输室设有N个输送口,N个所述输送口与N个所述处理室一一对应。
6.如权利要求4所述的半导体传输设备,其特征在于,所述半导体传输设备还包括储备室,所述储备室用于储备待处理的晶圆,并与所述传输室连接,所述传输室设有输出口,所述输出口连通所述储备室与所述传输室。
7.如权利要求4所述的半导体传输设备,其特征在于,所述传输臂的表面设有防滑垫,所述防滑垫用于增加所述晶圆与所述传输臂之间的摩擦力。
8.如权利要求4所述的半导体传输设备,其特征在于,所述半导体传输设备还包括检测装置和校正装置,所述检测装置用于检测所述晶圆相对所述传输臂的相对位置,每个所述传输臂均设有所述检测装置;所述校正装置用于校正所述晶圆相对所述传输臂的相对位置。
9.一种半导体传输设备的控制方法,其特征在于,所述半导体传输设备包括多个处理室及多个传输臂,多个所述处理室用于对晶圆进行处理,多个所述传输臂用于传输所述晶圆;其中,多个处理室包括第一处理室和第二处理室,所述第一处理室或所述第二处理室包括至少一个承载台,所述承载台用于承载所述晶圆,多个传输臂包括第一传输臂、第二传输臂和第三传输臂;
所述半导体传输设备的控制方法包括:
检测到所述第一处理室中的至少一个所述承载台未承载所述晶圆,及所述第二处理室中的至少一个所述晶圆已完成处理;
控制所述第一传输臂向所述第一处理室传输待处理的晶圆,控制所述第二传输臂传输自第二处理室输出的已处理的晶圆,及控制所述第三传输臂向所述第二处理室传输待处理的晶圆。
10.如权利要求9所述的半导体传输设备的控制方法,其特征在于,所述第一传输臂的运动,带动所述第二传输臂或所述第三传输臂一起运动。
11.如权利要求9或10所述的半导体传输设备的控制方法,其特征在于,所述第一传输臂、所述第二传输臂或所述第三传输臂在传输所述晶圆的运动过程中,所述第一传输臂与所述第二传输臂之间的间距、所述第二传输臂与所述第三传输臂之间的间距,及所述第三传输臂与所述第一传输臂之间的间距保持不变。
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