JP7183223B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

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Description

本発明は、基板に対して所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。
従来、半導体パッケージ等の基板の製造工程では、フォトリソグラフィ処理のために、基板の上面にレジスト液を塗布する。当該工程では、まず、ステージの上面に基板を載置する。ステージの上面には、複数の吸着溝が設けられている。基板の下面は、この吸着溝に吸着されることにより、ステージの上面に保持される。そして、ステージの上面に保持された基板の上面に、レジスト液が塗布される。この種の処理を行う従来の装置については、例えば、特許文献１に記載されている。
特開２０１７－１１２１９７号公報
しかしながら、処理対象となる基板は、完全に平坦ではなく、僅かな反り（湾曲）を有する。このため、ステージの上面に基板を正常に吸着させるためには、基板の反りを矯正する必要がある。ただし、処理対象となる複数の基板の中には、周縁部よりも中央部が低い凹状の反りを有するものと、周縁部よりも中央部が高い凸状の反りを有するものとが、混在する場合がある。このため、単一の矯正機構を備えた１つのステージで、これらの２種類の反りを適切に矯正することは、困難であった。
本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、基板の２種類の反りを適切に矯正しつつ、基板を保持して、基板に処理を行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本願の第１発明は、基板に対して所定の処理を行う基板処理装置であって、平坦な上面と、前記上面に設けられた複数の吸着溝とを有し、前記複数の吸着溝により、基板の下面を吸着して保持する第１ステージと、平坦な上面と、弾性材料からなる複数の吸着パッドとを有し、前記複数の吸着パッドにより、基板の下面を吸着して保持する第２ステージと、基板の反りの状態を計測する反り計測部と、前記反り計測部の計測結果に応じて、基板を前記第１ステージまたは前記第２ステージへ搬送する搬送機構と、を備える。
本願の第２発明は、基板に対して所定の処理を行う基板処理装置であって、平坦な上面と、前記上面に設けられた複数の吸着溝とを有し、前記複数の吸着溝により、基板の下面を吸着して保持する第１ステージと、平坦な上面と、前記上面に設けられた複数の吸着溝とを有し、前記複数の吸着溝により、基板の下面を吸着して保持する第２ステージと、前記第２ステージの前記上面に載置された基板を覆うとともに、基板との間に形成される空間に高圧の気体を供給するチャンバと、基板の反りの状態を計測する反り計測部と、前記反り計測部の計測結果に応じて、基板を前記第１ステージまたは前記第２ステージへ搬送する搬送機構と、を備えた。
本願の第３発明は、第１発明または第２発明の基板処理装置であって、前記反り計測部は、基板の表面との距離を計測しつつ基板の表面に沿って移動するレーザ変位計を有する。
本願の第４発明は、第３発明の基板処理装置であって、前記反り計測部は、基板の表面に沿って互いに平行に移動する複数の前記レーザ変位計を有する。
本願の第５発明は、第１発明から第４発明までのいずれか１発明の基板処理装置であって、前記反り計測部は、計測ステージ上において基板を位置決めする位置決め機構を有する。
本願の第６発明は、第１発明から第５発明までのいずれか１発明の基板処理装置であって、前記反り計測部の計測結果により、基板が凹状の反りを有する場合、前記搬送機構は、基板を前記第１ステージへ搬送し、前記反り計測部の計測結果により、基板が凸状の反りを有する場合、前記搬送機構は、基板を前記第２ステージへ搬送する。
本願の第７発明は、第１発明から第６発明までのいずれか１発明の基板処理装置であって、前記第１ステージは、基板の周縁部を前記第１ステージの上面に押さえ付けるクランパを有する。
本願の第８発明は、第１発明から第７発明までのいずれか１発明の基板処理装置であって、前記第１ステージまたは前記第２ステージに保持された基板の上面に沿って移動しつつ、スリット状の吐出口から基板の上面に向けて処理液を吐出するスリットノズルをさらに備える。
本願の第９発明は、第１発明から第８発明までのいずれか１発明の基板処理装置であって、前記第１ステージまたは前記第２ステージにおいて、基板の下面に対する吸着が正常に行われているか否かを検出する吸着検出部をさらに備える。
本願の第１０発明は、第１発明から第９発明までのいずれか１発明の基板処理装置であって、前記反り計測部の計測結果に応じて、前記搬送機構による基板の搬送先に、前記第１ステージまたは前記第２ステージを移動させるステージ移動機構をさらに備える。
本願の第１１発明は、基板に対して所定の処理を行う基板処理方法であって、ａ）基板の反りの状態を計測する工程と、ｂ）前記工程ａ）の計測結果に応じて、基板を第１ステージまたは第２ステージへ搬送する工程と、を有し、前記第１ステージは、平坦な上面と、前記上面に設けられた複数の吸着溝とを有し、前記複数の吸着溝により、基板の下面を吸着して保持するステージであり、前記第２ステージは、平坦な上面と、弾性材料からなる複数の吸着パッドとを有し、前記複数の吸着パッドにより、基板の下面を吸着して保持するステージである。
本願の第１２発明は、基板に対して所定の処理を行う基板処理方法であって、ａ）基板の反りの状態を計測する工程と、ｂ）前記工程ａ）の計測結果に応じて、基板を第１ステージまたは第２ステージへ搬送する工程と、を実行し、前記第１ステージは、平坦な上面と、前記上面に設けられた複数の吸着溝とを有し、前記複数の吸着溝により、基板の下面を吸着して保持するステージであり、前記第２ステージは、平坦な上面と、前記上面に設けられた複数の吸着溝とを有し、前記複数の吸着溝により、基板の下面を吸着して保持するステージであり、基板が前記第２ステージへ搬送された場合、ｃ）前記第２ステージの前記上面に載置された基板をチャンバで覆うとともに、基板との間に形成される空間に高圧の気体を供給する工程をさらに実行する。
本願の第１３発明は、第１１発明または第１２発明の基板処理方法であって、前記工程ａ）では、レーザ変位計により基板の表面との距離を計測しつつ、前記レーザ変位計を基板の表面に沿って移動させる。
本願の第１４発明は、第１３発明の基板処理方法であって、前記工程ａ）では、複数の前記レーザ変位計を、基板の表面に沿って互いに平行に移動させる。
本願の第１５発明は、第１１発明から第１４発明までのいずれか１発明の基板処理方法であって、前記工程ａ）では、計測ステージ上において基板を位置決めする。
本願の第１６発明は、第１１発明から第１５発明までのいずれか１発明の基板処理方法であって、前記工程ａ）の計測結果により、基板が凹状の反りを有する場合、前記工程ｂ）において、基板を前記第１ステージへ搬送し、前記工程ａ）の計測結果により、基板が凸状の反りを有する場合、前記工程ｂ）において、基板を前記第２ステージへ搬送する。
本願の第１７発明は、第１１発明から第１６発明までのいずれか１発明の基板処理方法であって、基板が前記第１ステージへ搬送された場合、ｄ）基板の周縁部をクランパにより前記第１ステージの上面に押さえ付ける工程をさらに実行する。
本願の第１８発明は、第１１発明から第１７発明までのいずれか１発明の基板処理方法であって、ｅ）前記第１ステージまたは前記第２ステージに基板が保持された後、基板の上面に沿ってスリットノズルを移動させつつ、前記スリットノズルが有するスリット状の吐出口から基板の上面に向けて処理液を吐出する工程をさらに実行する。
本願の第１９発明は、第１１発明から第１８発明までのいずれか１発明の基板処理方法であって、ｆ）前記第１ステージまたは前記第２ステージにおいて、基板の下面に対する吸着が正常に行われているか否かを検出する工程をさらに実行する。
本願の第２０発明は、第１１発明から第１９発明までのいずれか１発明の基板処理方法であって、前記工程ｂ）では、前記工程ａ）の計測結果に応じて、基板の搬送先に、前記第１ステージまたは前記第２ステージを移動させる。
本願の第１発明～第２０発明によれば、第１ステージおよび第２ステージのうち、基板の反りの状態に適したステージを選択して使用できる。したがって、基板の反りを適切に矯正しつつ、基板に対する処理を行うことができる。
特に、本願の第３発明および第１３発明によれば、レーザ変位計で走査することにより、基板の反りの状態を非接触で計測できる。
特に、本願の第４発明および第１４発明によれば、基板の２方向の反りの状態を計測できる。
特に、本願の第５発明および第１５発明によれば、基板を位置決めした状態で、基板の反りの状態を精度よく計測できる。
特に、本願の第６発明および第１６発明によれば、吸着溝により矯正することが難しい凸状の反りを有する基板を、第２ステージに搬送して、反りを矯正しつつ保持できる。
特に、本願の第８発明および第１８発明によれば、第１ステージまたは第２ステージに保持されることにより、反りが矯正された基板の上面に、処理液を塗布することができる。
特に、本願の第９発明および第１９発明によれば、基板の下面を正常に吸着して保持できているか否かを検知できる。
特に、本願の第１０発明および第２０発明によれば、基板の搬送先の位置を変更することなく、基板を第１ステージまたは第２ステージへ、選択的に搬送できる。
基板処理装置の概略平面図である。 制御部と基板処理装置内の各部との電気的接続を示したブロック図である。 反り計測部の上面図である。 反り計測部２０の側面図である。 第１ステージおよび第２ステージの上面図である。 第１ステージの縦断面図である。 第１ステージの縦断面図である。 第２ステージの縦断面図である。 第２ステージの縦断面図である。 基板処理装置における処理の流れを示したフローチャートである。 第２実施形態の第２ステージの縦断面図である。 第２実施形態の第２ステージの縦断面図である。 第２実施形態の第２ステージの縦断面図である。 第３実施形態に係る基板処理装置の一部分を示した平面図である。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
＜１．第１実施形態＞
＜１－１．基板処理装置の全体構成＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１の概略平面図である。この基板処理装置１は、半導体パッケージの製造工程に使用される装置である。基板処理装置１は、半導体パッケージ用の矩形の基板９に対して、レジスト液の塗布、減圧乾燥、およびベーク処理を行う。図１に示すように、基板処理装置１は、基板収納部１０、反り計測部２０、搬送機構３０、塗布部４０、減圧乾燥部５０、ベーク部６０、および制御部７０を備える。
基板収納部１０は、処理前および処理後の基板９を収納するユニットである。基板収納部１０には、複数の基板９を収容するキャリアが、複数配置される。また、基板収納部１０は、図示を省略した搬出入ロボットを有する。搬出入ロボットは、基板収納部１０内のキャリアから処理前の基板９を搬出して、反り計測部２０へ移送する。また、搬出入ロボットは、後述する搬送ロボット３１から処理後の基板を受け取って、基板収納部１０内のキャリアへ搬入する。
反り計測部２０は、基板９の反りの状態を計測するためのユニットである。図１に示すように、反り計測部２０は、計測ステージ２１と、３つのレーザ変位計２２とを有する。基板９は、上述した搬出入ロボットにより、基板収納部１０から搬出されて、計測ステージ２１上に載置される。反り計測部２０は、３つのレーザ変位計２２により、計測ステージ２１上に載置された基板９の反りの状態を計測する。レーザ変位計２２の計測結果は、反り計測部２０から制御部７０へ送信される。
反り計測部２０のより詳細な構成については、後述する。
搬送機構３０は、反り計測部２０、塗布部４０、減圧乾燥部５０、およびベーク部６０の間で、基板９を搬送する機構である。搬送機構３０は、搬送ロボット３１を有する。搬送ロボット３１は、反り計測部２０、塗布部４０、減圧乾燥部５０、およびベーク部６０に囲まれた搬送空間に配置されている。搬送ロボット３１は、例えば、基板９を保持するハンドと、ハンドを上下方向および水平方向に移動させるアームとを有する。
搬送ロボット３１は、反り計測部２０において計測が完了した基板９を、反り計測部２０から塗布部４０へ搬送する。また、搬送ロボット３１は、塗布部４０における処理が完了した基板９を、塗布部４０から減圧乾燥部５０へ搬送する。また、搬送ロボット３１は、減圧乾燥部５０における処理が完了した基板９を、減圧乾燥部５０からベーク部６０へ搬送する。また、搬送ロボット３１は、ベーク部６０における処理が完了した基板９を、ベーク部６０から再び反り計測部２０へ搬送し、基板収納部１０の搬出入ロボットへ受け渡す。
塗布部４０は、基板９の上面に、処理液であるレジスト液を塗布するユニットである。図１に示すように、塗布部４０は、第１ステージ４１、第２ステージ４２、およびスリットノズル４３を有する。第１ステージ４１および第２ステージ４２は、平坦な上面を有する一体の石材により構成される。搬送ロボット３１は、反り計測部２０において計測された反りの状態に応じて、第１ステージ４１および第２ステージ４２のいずれかへ、基板９を搬送する。基板９は、第１ステージ４１または第２ステージ４２の上面に載置され、第１ステージ４１または第２ステージ４２の上面に吸着されることにより保持される。
第１ステージ４１および第２ステージ４２のより詳細な構成については、後述する。
スリットノズル４３は、第１ステージ４１または第２ステージ４２に保持された基板９の上面に、レジスト液を吐出するノズルである。スリットノズル４３は、第１ステージ４１および第２ステージ４２を挟むように設けられた一対の待機部４４の間で、第１ステージ４１および第２ステージ４２の上面に沿って移動する。また、スリットノズル４３の下端部には、スリットノズル４３の移動方向に対して直交する方向に延びる、スリット状の吐出口が設けられている。スリットノズル４３は、第１ステージ４１または第２ステージ４２に保持された基板９の上面に沿って移動しつつ、吐出口から基板９の上面に向けてレジスト液を吐出する。これにより、基板９の上面にレジスト液が塗布される。
減圧乾燥部５０は、基板９の上面に塗布されたレジスト液を乾燥させるためのユニットである。減圧乾燥部５０は、密閉可能な減圧室５１と、減圧室５１に接続された減圧機構（図示省略）とを有する。減圧室５１内に基板９を搬入し、減圧機構を動作させると、減圧室５１の内部から気体が吸い出され、減圧室５１内の気圧が低下する。これにより、基板９の上面に塗布されたレジスト液中の溶媒が気化する。その結果、レジスト液が乾燥して、基板９の上面にレジスト膜が形成される。
ベーク部６０は、基板９の上面に形成されたレジスト膜を、加熱により固化させるユニットである。ベーク部６０は、ベーク室６１と、ベーク室６１内に配置された加熱プレート６２とを有する。加熱プレート６２は、環境温度よりも高い所定の温度に保たれる。ベーク室６１内に搬入された基板９は、加熱プレート６２の上面に載置される。これにより、基板９が加熱され、レジスト膜中に残存する溶媒成分が除去される。また、基板９に対するレジスト膜の密着性が向上する。
制御部７０は、基板処理装置１内の各部を動作制御するためのユニットである。図２は、制御部７０と、基板処理装置１内の各部との電気的接続を示したブロック図である。図２中に概念的に示したように、制御部７０は、ＣＰＵ等のプロセッサ７１、ＲＡＭ等のメモリ７２、およびハードディスクドライブ等の記憶部７３を有するコンピュータにより構成される。
また、制御部７０は、上述した基板収納部１０（搬出入ロボットを含む）、反り計測部２０（レーザ変位計２２、後述する走査機構２４、および後述するエアシリンダ２３１～２３４を含む）、搬送機構３０（搬送ロボット３１を含む）、塗布部４０（スリットノズル４３、後述するリフトピン４１１，４２１、後述する開閉弁４１４，４２６、および後述するクランパ４１６，４２７を含む）、減圧乾燥部５０（減圧機構を含む）、およびベーク部６０（加熱プレート６２を含む）と、それぞれ電気的に接続されている。制御部７０は、コンピュータプログラムおよび各種データに従ってＣＰＵを動作させることにより、これらの各部を動作制御する。これにより、基板処理装置１における基板９の処理が進行する。
＜１－２．反り計測部の構成＞
続いて、反り計測部２０のより詳細な構成について、説明する。図３は、反り計測部２０の上面図である。図４は、反り計測部２０の側面図である。図３および図４に示すように、反り計測部２０は、計測ステージ２１、３つのレーザ変位計２２、および位置決め機構２３を有する。なお、図３には、ｘ方向およびｙ方向が矢印で示されている。ｘ方向およびｙ方向は、いずれも水平方向である。また、ｘ方向とｙ方向とは、互いに直交する。
計測ステージ２１は、平坦な上面２１１を有する矩形状の台である。計測ステージ２１は、上面２１１から上方へ向けて突出する複数の支持ピン２１２を有する。複数の支持ピン２１２は、ｘ方向およびｙ方向に等間隔に配列されている。基板９は、これらの支持ピン２１２の上に載置される。
位置決め機構２３は、複数の支持ピン２１２に支持された基板９を、一定の位置および姿勢に位置決めする機構である。位置決め機構２３は、４つのエアシリンダ２３１～２３４を有する。４つのエアシリンダ２３１～２３４のうち、２つのエアシリンダ２３１，２３２は、矩形状の基板９の１つの頂点の付近において、基板９を＋ｘ方向および＋ｙ方向にそれぞれ押圧する。また、他の２つのエアシリンダ２３３，２３４は、基板９の上記頂点とは対角位置にある他の頂点の付近において、基板９を－ｘ方向および－ｙ方向にそれぞれ押圧する。これにより、基板９が、ｘ方向およびｙ方向に位置決めされる。
レーザ変位計２２は、基板９の上面の高さを非接触で計測するセンサである。レーザ変位計２２は、基板９の上面に向けてレーザ光を出射し、基板９の上面から反射する光の変位量を検出する。これにより、三角測量の原理で、レーザ変位計２２と基板９の上面との間の上下方向の距離を計測する。
また、反り計測部２０は、レーザ変位計２２を移動させる走査機構２４を有する。走査機構２４は、レーザ変位計２２を、基板９の表面に沿ってｙ方向に移動させる。基板９の反りの状態を計測するときには、レーザ変位計２２による計測を実行しつつ、走査機構２４により、レーザ変位計２２をｙ方向に移動させる。これにより、基板９の上面の高さのｙ方向における変化が計測される。したがって、ｙ方向における基板９の反りの状態を計測できる。
また、本実施形態の反り計測部２０は、３つのレーザ変位計２２を有する。３つのレーザ変位計２２は、ｘ方向に等間隔に配置されている。３つのレーザ変位計２２は、基板９の上面との距離を計測しつつ、ｙ方向に沿って互いに平行に移動する。このため、３つのレーザ変位計２２の計測値を比較することにより、基板９の上面の高さのｘ方向における変化を知ることができる。すなわち、ｘ方向における基板９の反りの状態を計測できる。このように、本実施形態の反り計測部２０は、ｘ方向およびｙ方向の２方向において、基板９の反りの状態を計測できる。
＜１－３．第１ステージおよび第２ステージの構成＞
続いて、第１ステージ４１および第２ステージ４２のより詳細な構成について説明する。図５は、第１ステージ４１および第２ステージ４２の上面図である。図６および図７は、第１ステージ４１の縦断面図である。図８および図９は、第２ステージ４２の縦断面図である。なお、図５～図９には、図３～図４と同様に、ｘ方向およびｙ方向が矢印で示されている。
まず、第１ステージ４１の構成について説明する。図６および図７に示すように、第１ステージ４１は、平坦な上面４１０を有する。また、第１ステージ４１は、複数のリフトピン４１１（図５では図示省略）を有する。複数のリフトピン４１１は、ｘ方向およびｙ方向に等間隔に配置されている。また、複数のリフトピン４１１は、図６に示す上昇位置と、図７に示す下降位置との間で、昇降移動する。上昇位置では、リフトピン４１１の上端部が、第１ステージ４１の上面４１０よりも上方に突出する。下降位置では、リフトピン４１１の上端部が、第１ステージ４１の上面４１０よりも下方に退避する。
第１ステージ４１上に基板９を配置するときには、まず、搬送ロボット３１が、図６のように、上昇位置の複数のリフトピン４１１の上に基板９を載置する。その後、図７のように、複数のリフトピン４１１が、上昇位置から下降位置へ移動する。これにより、第１ステージ４１の上面４１０に基板９が載置される。
また、第１ステージ４１は、複数の吸着孔４１２を有する。複数の吸着孔４１２は、ｘ方向およびｙ方向に等間隔に配置されている。各吸着孔４１２は、第１ステージ４１を上下方向に貫通する。図６および図７に示すように、複数の吸着孔４１２は、吸引配管４１３を介して図外の真空源に接続されている。また、吸引配管４１３の経路上には、開閉弁４１４が設けられている。このため、開閉弁４１４を開放すると、複数の吸着孔４１２から吸引配管４１３を介して真空源へ、気体が吸引される。これにより、各吸着孔４１２に、大気圧よりも低い負圧が生じる。
また、第１ステージ４１は、上面に複数の吸着溝４１５を有する。複数の吸着溝４１５は、ｘ方向およびｙ方向に沿って、グリッド状に設けられている。すなわち、複数の吸着溝４１５は、ｘ方向に延びる複数の吸着溝４１５と、ｙ方向に延びる複数の吸着溝４１５とを含む。上述した吸着孔４１２の上端部は、ｘ方向に延びる吸着溝４１５と、ｙ方向に延びる吸着溝４１５とが交差する位置に開口する。このため、開閉弁４１４が開放されると、複数の吸着孔４１２だけではなく、複数の吸着溝４１５にも、負圧が生じる。
第１ステージ４１の上面４１０に載置された基板９は、この負圧によって、吸着溝４１５に吸着される。そして、基板９の下面が、第１ステージ４１の上面４１０に密着する。これにより、第１ステージ４１の上面４１０に基板９が保持される。
また、第１ステージ４１は、４つのクランパ４１６を有する。４つのクランパ４１６は、第１ステージ４１の上面４１０に基板９が載置された後、基板９の周縁部に接近する。具体的には、４つのクランパ４１６が、矩形状の基板９の４つの辺に、それぞれ接近する。そして、各クランパ４１６が、基板９の周縁部を、第１ステージ４１の上面４１０に押さえ付ける。これにより、基板９の周縁部が、第１ステージ４１から浮くことを抑制できる。
続いて、第２ステージ４２の構成について説明する。図８および図９に示すように、第２ステージ４２は、平坦な上面４２０を有する。また、第２ステージ４２は、複数のリフトピン４２１（図５では図示省略）を有する。複数のリフトピン４２１は、ｘ方向およびｙ方向に等間隔に配置されている。また、複数のリフトピン４２１は、図８に示す上昇位置と、図９に示す下降位置との間で、昇降移動する。上昇位置では、リフトピン４２１の上端部が、第２ステージ４２の上面４２０よりも上方に突出する。下降位置では、リフトピン４２１の上端部が、第２ステージ４２の上面４２０よりも下方に退避する。
第２ステージ４２上に基板９を配置するときには、まず、搬送ロボット３１が、図８のように、上昇位置の複数のリフトピン４２１の上に基板９を載置する。その後、図９のように、複数のリフトピン４２１が、上昇位置から下降位置へ移動する。これにより、第２ステージ４２の上面４２０に基板９が載置される。
また、第２ステージ４２は、複数の縦孔４２２、複数の吸引パイプ４２３、および複数の吸着パッド４２４を有する。複数の縦孔４２２は、ｘ方向およびｙ方向に等間隔に配置されている。各縦孔４２２は、第２ステージ４２を上下方向に貫通する。吸引パイプ４２３は、上下方向に延びる円筒状のパイプである。吸引パイプ４２３は、複数の縦孔４２２に、それぞれ挿入されている。
複数の吸着パッド４２４は、ゴム等の弾性材料からなる円環状の部材である。吸着パッド４２４は、複数の吸引パイプ４２３の上端部に、それぞれ取り付けられている。吸着パッド４２４は、蛇腹状の側面を有する。このため、吸着パッド４２４は、上下方向に伸縮可能となっている。基板９を保持していない状態では、図７のように、吸着パッド４２４の上端は、第２ステージ４２の上面４２０よりもやや上方に突出している。
図８および図９に示すように、複数の吸引パイプ４２３の下端部は、吸引配管４２５を介して図外の真空源に接続されている。また、吸引配管４２５の経路上には、開閉弁４２６が設けられている。このため、開閉弁４２６を開放すると、吸引パイプ４２３から吸引配管４２５を介して真空源へ、気体が吸引される。これにより、各吸引パイプ４２３および吸着パッド４２４の内部に、大気圧よりも低い負圧が生じる。
第２ステージ４２の上面４２０に載置された基板９は、この負圧によって、吸着パッド４２４に吸着される。また、吸着パッド４２４は、基板９に吸着することにより、上下方向に収縮する。その結果、図９のように、基板９の下面が、第２ステージ４２の上面４２０に接触する。これにより、第２ステージ４２の上面４２０に基板９が保持される。
また、第２ステージ４２は、４つのクランパ４２７を有する。４つのクランパ４２７は、第２ステージ４２の上面４２０に基板９が載置された後、基板９の周縁部に接近する。具体的には、４つのクランパ４２７が、矩形状の基板９の４つの辺に、それぞれ接近する。そして、各クランパ４２７が、基板９の周縁部を、第２ステージ４２の上面４２０に押さえ付ける。これにより、基板９の周縁部が、第２ステージ４２から浮くことを抑制できる。
＜１－４．基板処理装置における処理の流れ＞
続いて、上述した基板処理装置１における処理の流れについて説明する。図１０は、当該処理の流れを示したフローチャートである。なお、以下では、１枚の基板９に対する処理の流れを説明する。基板処理装置１は、このような処理を、複数の基板９に対して順次に実行する。
基板処理装置１は、まず、基板収納部１０に収納された基板９を、搬出入ロボットにより取り出す（ステップＳ１）。取り出した基板９は、反り計測部２０へ配置される。具体的には、搬出入ロボットが、計測ステージ２１上の複数の支持ピン２１２の上に、基板９を載置する。また、位置決め機構２３が、複数の支持ピン２１２に支持された基板９を、一定の位置および姿勢に位置決めする。
続いて、反り計測部２０は、３つのレーザ変位計２２により、基板９の反りの状態を計測する（ステップＳ２）。具体的には、３つのレーザ変位計２２を、基板９の上面に沿って移動させつつ、レーザ変位計２２から基板９の上面までの距離を計測する。レーザ変位計２２の計測結果は、制御部７０へ送信される。制御部７０は、３つのレーザ変位計２２の計測結果に基づいて、処理対象の基板９が、周縁部よりも中央部が低い凹状の反りを有する基板（以下「凹状基板」と称する）であるか、それとも、周縁部よりも中央部が高い凸状の反りを有する基板（以下「凸状基板」と称する）であるかを、判別する。
反り計測部２０における計測が完了すると、搬送ロボット３１が、反り計測部２０から基板９を取り出す。そして、搬送ロボット３１は、塗布部４０の第１ステージ４１または第２ステージ４２へ、基板９を搬送する（ステップＳ３）。このとき、制御部７０は、ステップＳ２の計測結果に応じて、第１ステージ４１および第２ステージ４２のいずれかへ、基板９を搬送するように、搬送ロボット３１を制御する。具体的には、基板９が凹状基板であると判別された場合には、当該基板９を、搬送ロボット３１により、第１ステージ４１へ搬送する。また、基板９が凸状基板であると判別された場合には、当該基板９を、搬送ロボット３１により、第２ステージ４２へ搬送する。
第１ステージ４１に搬送された基板９は、まず、上昇位置にある複数のリフトピン４１１の上に載置される。そして、複数のリフトピン４１１が上昇位置から下降位置へ移動することにより、第１ステージ４１の上面４１０に基板９が載置される。そして、基板９の下面が、複数の吸着溝４１５に吸着して保持される。また、４つのクランパ４１６により、基板９の周縁部が、第１ステージ４１の上面４１０に押さえ付けられる。
このように、第１ステージ４１では、基板９の周縁部が、クランパ４１６により固定される。このため、基板９が凹状基板である場合に、その基板９の周縁部が、基板９の中央部と同じ高さまで下降する。したがって、基板９の凹状の反りを矯正しつつ、基板９を保持できる。また、複数の吸着溝４１５全体の面積は、複数の吸着パッド４２４の開口面積よりも、大きい。このため、基板９の周縁部以外の部分は、複数の吸着溝４１５に生じる緩やかな負圧によって、保持される。このため、基板９の剛性が低い場合でも、基板９の割れを抑制しながら、基板９を保持できる。
第２ステージ４２に搬送された基板９は、まず、上昇位置にある複数のリフトピン４２１の上に載置される。そして、複数のリフトピン４２１が上昇位置から下降位置へ移動することにより、基板９の下面が、複数の吸着パッド４２４に吸着される。そして、吸着パッド４２４が上下方向に収縮することにより、基板９の下面が、第２ステージ４２の上面４２０に接触する。また、４つのクランパ４２７により、基板９の周縁部が、第２ステージ４２の上面４２０に固定される。
このように、第２ステージ４２では、基板９の周縁部以外の部分が、吸着パッド４２４に吸着されて、下方へ引き込まれる。このため、基板９が凸状基板である場合に、その基板９の中央部が、基板９の周縁部と同じ高さまで下降する。したがって、基板９の凸状の反りを矯正しつつ、基板９を保持できる。特に、第２ステージ４２における吸着パッド４２４の数は、第１ステージ４１における吸着孔４１２の数よりも少ない。また、複数の吸着パッド４２４の開口面積は、複数の吸着溝４１５の面積よりも小さい。このため、各吸着パッド４２４に強い吸引力が生じる。したがって、基板９の剛性が高い場合でも、基板９の反りを矯正できる。
第１ステージ４１または第２ステージ４２に基板９が保持された後、スリットノズル４３が基板９の上面に沿って移動しつつ、スリット状の吐出口から基板９の上面に向けて、レジスト液を吐出する。これにより、基板９の上面にレジスト液が塗布される（ステップＳ４）。
レジスト液の塗布が終了すると、搬送ロボット３１は、塗布部４０から基板９を取り出し、減圧乾燥部５０へ基板９を搬送する（ステップＳ５）。そして、減圧乾燥部５０が、基板９の上面に塗布されたレジスト液を減圧により乾燥させる、減圧乾燥処理を行う（ステップＳ６）。これにより、基板９の上面にレジスト膜が形成される。
減圧乾燥処理が終了すると、搬送ロボット３１は、減圧乾燥部５０から基板９を取り出して、ベーク部６０へ基板９を搬送する（ステップＳ７）。そして、ベーク部６０が、加熱プレート６２により基板９を加熱する、ベーク処理を行う（ステップＳ８）。これにより、レジスト膜中に残存する溶媒成分が除去される。また、基板９に対するレジスト膜の密着性が向上する。
ベーク処理が終了すると、搬送ロボット３１は、ベーク部６０から基板９を取り出して、再び反り計測部２０へ基板９を搬送する。そして、基板収納部１０の搬出入ロボットが、搬送ロボット３１から基板９を受け取って、基板収納部１０へ基板９を収納する（ステップＳ９）。
以上のように、この基板処理装置１では、反り計測部２０の計測結果に応じて、塗布部４０の第１ステージ４１および第２ステージ４２のうち、反りの状態に適したステージを選択して使用する。このため、各ステージにおいて、基板９の反りを適切に矯正し、反りが矯正された基板９の上面に、レジスト液を塗布することができる。特に、第１ステージ４１の吸着溝４１５により矯正することが難しい凸状の反りを、複数の吸着パッド４２４を有する第２ステージ４２において、矯正することができる。
また、本実施形態の基板処理装置１では、反り計測部２０において、位置決め機構２３により基板９を位置決めした上で、反りの状態を計測する。このため、基板９の反りの状態を、精度よく計測できる。また、レーザ変位計２２で走査することにより、基板９の反りの状態を、非接触で計測できる。また、３つのレーザ変位計２２を使用することにより、ｘ方向およびｙ方向の２方向において、基板９の反りの状態を計測できる。したがって、第１ステージ４１および第２ステージ４２のうち、基板９に適したステージを、精度よく選択できる。
＜２．第２実施形態＞
続いて、本発明の第２実施形態について説明する。第２実施形態は、塗布部における第２ステージの構成と、塗布部がチャンバを有する点とが、上述した第１実施形態と異なる。以下では、第１実施形態との相違点を中心に説明し、第１実施形態と同等の構成および処理については、重複説明を省略する。
図１１～図１３は、第２実施形態の第２ステージ４５の縦断面図である。図１１～図１３に示すように、第２実施形態の第２ステージ４５は、平坦な上面４５０を有する。また、第２ステージ４５は、複数のリフトピン４５１を有する。複数のリフトピン４５１は、ｘ方向およびｙ方向に等間隔に配置されている。また、複数のリフトピン４５１は、図１１に示す上昇位置と、図１２および図１３に示す下降位置との間で、昇降移動する。上昇位置では、リフトピン４５１の上端部が、第２ステージ４５の上面４５０よりも上方に突出する。下降位置では、リフトピン４５１の上端部が、第２ステージ４５の上面４５０よりも下方に退避する。
第２ステージ４５上に基板９を配置するときには、まず、搬送ロボット３１が、図１１のように、上昇位置の複数のリフトピン４５１の上に基板９を載置する。その後、図１２のように、複数のリフトピン４５１が、上昇位置から下降位置へ移動する。これにより、第２ステージ４５の上面４５０に基板９が載置される。
また、第２ステージ４５は、複数の吸着孔４５２を有する。複数の吸着孔４５２は、ｘ方向およびｙ方向に等間隔に配置されている。各吸着孔４５２は、第２ステージ４５を上下方向に貫通する。図１１～図１３に示すように、複数の吸着孔４５２は、吸引配管４５３を介して図外の真空源に接続されている。また、吸引配管４５３の経路上には、開閉弁４５４が設けられている。このため、開閉弁４５４を開放すると、複数の吸着孔４５２から吸引配管４５３を介して真空源へ、気体が吸引される。これにより、各吸着孔４５２に、大気圧よりも低い負圧が生じる。
また、第２ステージ４５は、上面に複数の吸着溝４５５を有する。複数の吸着溝４５５は、ｘ方向およびｙ方向に沿って、グリッド状に設けられている。すなわち、複数の吸着溝４５５は、ｘ方向に延びる複数の吸着溝４５５と、ｙ方向に延びる複数の吸着溝４５５とを含む。上述した吸着孔４５２の上端部は、ｘ方向に延びる吸着溝４５５と、ｙ方向に延びる吸着溝４５５とが交差する位置に開口する。このため、開閉弁４５４が開放されると、複数の吸着孔４５２だけではなく、複数の吸着溝４５５にも、負圧が生じる。第２ステージ４５の上面４５０に載置された基板９は、この負圧によって、吸着溝４５５に吸着される。
このように、第２実施形態の第２ステージ４５は、４つのクランパ４１６を有していない点を除いて、第１実施形態の第１ステージ４１と同等の構成を有する。
また、第２実施形態の塗布部４０は、第２ステージ４５の上方に位置するチャンバ４６と、チャンバ４６を昇降移動させる昇降機構４７とを有する。チャンバ４６は、下方へ向けて開いたカップ状の耐圧容器である。チャンバ４６は、その下端部に、矩形状の開口を有する。また、チャンバ４６は、当該開口の周囲に、矩形状のＯリング４６１を有する。Ｏリング４６１は、ゴム等の弾性を有する材料からなる。
昇降機構４７は、例えば、エアシリンダにより構成される。昇降機構４７は、制御部７０により動作制御される。昇降機構４７を動作させると、チャンバ４６は、図１１～図１２に示す上位置と、図１３に示す下位置との間で、昇降移動する。上位置では、チャンバ４６は、上昇位置の複数のリフトピン４５１に支持される基板９よりも上方に位置する。搬送ロボット３１が、基板９を第２ステージ４５へ搬送するときには、チャンバ４６は、上位置において待機する。
リフトピン４５１が下降して、第２ステージ４２の上面４５０に基板９が載置された後、昇降機構４７により、チャンバ４６が上位置から下位置へ移動する。そうすると、図１３のように、基板９の上面が、チャンバ４６に覆われる。そして、基板９の周縁部の上面に、チャンバ４６のＯリング４６１が接触する。これにより、基板９とチャンバ４６との間に、密閉空間４６０が形成される。
また、図１１～図１３に示すように、チャンバ４６は、給気配管４６２を介して高圧気体供給源４６３に接続されている。また、給気配管４６２の経路上には、開閉弁４６４が設けられている。このため、図１３のように密閉空間４６０を形成した状態で、開閉弁４６４を開放すると、高圧気体供給源４６３から給気配管４６２を介して密閉空間４６０へ、大気圧よりも高圧の気体が供給される。したがって、基板９が凸状基板である場合に、基板９の上面が高圧の気体に押されることによって、基板９の凸状の反りが矯正される。なお、高圧の気体は、クリーンドライエアであってもよく、あるいは、窒素ガス等の不活性ガスであってもよい。
この第２実施形態では、基板９の周縁部は、クランパではなく、チャンバ４６のＯリング４６１により、第２ステージ４５の上面に押さえ付けられる。したがって、基板９の周縁部の下面は、吸着溝４５５に良好に吸着する。また、基板９の中央部は、高圧の気体により、基板９の上面に向けて押さえ付けられる。したがって、基板９の中央部の下面も、吸着溝４５５に良好に吸着する。その結果、基板９の下面の全体を、第２ステージ４５の上面に密着させることができる。
図１１～図１３に示すように、吸引配管４５３の経路上には、圧力計４５６が設けられている。圧力計４５６の計測値は、制御部７０へ送信される。基板９の下面が吸着溝４５５に正常に吸着されると、圧力計４５６の計測値が、予め設定された閾値よりも低くなる。これにより、制御部７０は、基板９の下面が吸着溝４５５に正常に吸着されたことを検出する。すなわち、圧力計４５６は、第２ステージ４５において、基板９の下面に対する吸着溝４５５の吸着が、正常に行われているか否かを検出する「吸着検出部」として機能する。
制御部７０は、基板９の下面が吸着溝４５５に正常に吸着されたことを検出すると、再び開閉弁４６４を閉鎖する。そして、昇降機構４７により、チャンバ４６を下降位置から上昇位置へ上昇させる。吸着溝４５５に一旦正常に吸着した基板９は、チャンバ４６が上昇位置へ移動しても、正常な吸着状態に維持される。その後、第１実施形態と同様に、スリットノズル４３によるレジスト液の塗布処理を行う。
この第２実施形態では、反り計測部２０の計測結果により、凸状基板と判別された基板９が、上述した第２ステージ４５へ搬送される。そして、第２ステージ４５において、高圧の気体により、基板９の凸状の反りが矯正される。したがって、反りが矯正された基板９の上面に、レジスト液を塗布することができる。
＜３．第３実施形態＞
続いて、本発明の第３実施形態について説明する。図１４は、第３実施形態に係る基板処理装置１の一部分を示した平面図である。
上述した第１実施形態では、塗布部４０における第１ステージ４１および第２ステージ４２の位置が固定されていた。そして、搬送ロボット３１が、第１ステージ４１の位置と、第２ステージ４２の位置とに、基板９を搬送可能であった。
これに対し、第３実施形態では、第１ステージ４１と第２ステージ４２とが、別体の石材により形成されている。そして、図１４に示すように、塗布部４０が、第１ステージ４１および第２ステージ４２を個別に移動させるステージ移動機構４８を有する。ステージ移動機構４８は、制御部７０により動作制御される。ステージ移動機構４８は、基板９が搬送される処理位置Ｐ０と、第１待機位置Ｐ１との間で、第１ステージ４１を移動させることができる。また、ステージ移動機構４８は、上記の処理位置Ｐ０と、第２待機位置Ｐ２との間で、第２ステージ４２を移動させることができる。
この第３実施形態では、反り計測部２０の計測結果に応じて、ステージ移動機構４８が、第１ステージ４１と第２ステージ４２とのうちのいずれか一方を、選択的に処理位置Ｐ０に配置する。そして、搬送ロボット３１は、処理位置Ｐ０に配置されたステージへ、基板９を搬送する。このようにすれば、搬送ロボット３１による基板９の搬送先の位置を変更することなく、基板９を第１ステージ４１または第２ステージ４２へ、選択的に搬送することができる。
＜４．変形例＞
以上、第１実施形態～第３実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではない。
上記の実施形態では、反り計測部２０が、３つのレーザ変位計２２を有していた。しかしながら、反り計測部２０が有するレーザ変位計２２の数は、３つ以外であってもよい。また、反り計測部２０は、レーザ変位計２２以外の手段で、基板９の反りの状態を計測してもよい。また、上記の実施形態では、基板９の上面の高さを計測することにより、基板９の反りの状態を計測していた。しかしながら、基板９の下面の高さを計測することにより、基板９の反りの状態を計測してもよい。
また、上記の例では、第２実施形態の第２ステージ４５に、吸着検出部としての圧力計４５６が接続されていた。しかしながら、第１実施形態の第１ステージ４１および第２ステージ４２にも、同様の圧力計４５６が接続されていてもよい。そして、当該圧力計４５６の計測値に基づいて、制御部７０が、基板９の下面に対する吸着が正常に行われているか否かを検出するようにしてもよい。
また、上記の実施形態では、第１ステージ４１および第２ステージ４２，４５は、基板９に対してレジスト液を塗布する工程に、使用されるものであった。しかしながら、第１ステージ４１および第２ステージ４２，４５は、基板９に対してレジスト液以外の処理液を塗布する工程や、塗布以外の処理を行う工程に、使用されるものであってもよい。
また、上記の実施形態では、半導体パッケージ用の基板９に対して処理を行う装置について説明した。しかしながら、本発明の基板処理装置および基板処理方法は、半導体ウェハ、液晶表示装置用基板、フォトマスク等の他の基板に対して処理を行うものであってもよい。
また、基板処理装置の細部については、本願の各図に示された構成と、相違していてもよい。また、上記の実施形態や変形例に登場した各要素を、矛盾が生じない範囲で、適宜に組み合わせてもよい。
１ 基板処理装置
９ 基板
１０ 基板収納部
２０ 計測部
２１ 計測ステージ
２２ レーザ変位計
２３ 位置決め機構
２４ 走査機構
３０ 搬送機構
３１ 搬送ロボット
４０ 塗布部
４１ 第１ステージ
４２ 第２ステージ
４３ スリットノズル
４４ 待機部
４５ 第２ステージ
４６ チャンバ
４７ 昇降機構
４８ ステージ移動機構
５０ 減圧乾燥部
６０ ベーク部
７０ 制御部
２１２ 支持ピン
２３１ エアシリンダ
２３２ エアシリンダ
２３３ エアシリンダ
２３４ エアシリンダ
４１１ リフトピン
４１２ 吸着孔
４１５ 吸着溝
４１６ クランパ
４２１ リフトピン
４２２ 縦孔
４２３ 吸引パイプ
４２４ 吸着パッド
４２７ クランパ
４５１ リフトピン
４５２ 吸着孔
４５５ 吸着溝
４５６ 圧力計
４６１ Ｏリング

Claims (20)

  1. 基板に対して所定の処理を行う基板処理装置であって、
    平坦な上面と、前記上面に設けられた複数の吸着溝とを有し、前記複数の吸着溝により、基板の下面を吸着して保持する第１ステージと、
    平坦な上面と、弾性材料からなる複数の吸着パッドとを有し、前記複数の吸着パッドにより、基板の下面を吸着して保持する第２ステージと、
    基板の反りの状態を計測する反り計測部と、
    前記反り計測部の計測結果に応じて、基板を前記第１ステージまたは前記第２ステージへ搬送する搬送機構と、
    を備えた、基板処理装置。
  2. 基板に対して所定の処理を行う基板処理装置であって、
    平坦な上面と、前記上面に設けられた複数の吸着溝とを有し、前記複数の吸着溝により、基板の下面を吸着して保持する第１ステージと、
    平坦な上面と、前記上面に設けられた複数の吸着溝とを有し、前記複数の吸着溝により、基板の下面を吸着して保持する第２ステージと、
    前記第２ステージの前記上面に載置された基板を覆うとともに、基板との間に形成される空間に高圧の気体を供給するチャンバと、
    基板の反りの状態を計測する反り計測部と、
    前記反り計測部の計測結果に応じて、基板を前記第１ステージまたは前記第２ステージへ搬送する搬送機構と、
    を備えた、基板処理装置。
  3. 請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
    前記反り計測部は、
    基板の表面との距離を計測しつつ基板の表面に沿って移動するレーザ変位計
    を有する、基板処理装置。
  4. 請求項３に記載の基板処理装置であって、
    前記反り計測部は、基板の表面に沿って互いに平行に移動する複数の前記レーザ変位計を有する、基板処理装置。
  5. 請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載の基板処理装置であって、
    前記反り計測部は、
    計測ステージ上において基板を位置決めする位置決め機構
    を有する、基板処理装置。
  6. 請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載の基板処理装置であって、
    前記反り計測部の計測結果により、基板が凹状の反りを有する場合、前記搬送機構は、基板を前記第１ステージへ搬送し、
    前記反り計測部の計測結果により、基板が凸状の反りを有する場合、前記搬送機構は、基板を前記第２ステージへ搬送する、基板処理装置。
  7. 請求項１から請求項６までのいずれか１項に記載の基板処理装置であって、
    前記第１ステージは、
    基板の周縁部を前記第１ステージの上面に押さえ付けるクランパ
    を有する、基板処理装置。
  8. 請求項１から請求項７までのいずれか１項に記載の基板処理装置であって、
    前記第１ステージまたは前記第２ステージに保持された基板の上面に沿って移動しつつ、スリット状の吐出口から基板の上面に向けて処理液を吐出するスリットノズル
    をさらに備える、基板処理装置。
  9. 請求項１から請求項８までのいずれか１項に記載の基板処理装置であって、
    前記第１ステージまたは前記第２ステージにおいて、基板の下面に対する吸着が正常に行われているか否かを検出する吸着検出部
    をさらに備える、基板処理装置。
  10. 請求項１から請求項９までのいずれか１項に記載の基板処理装置であって、
    前記反り計測部の計測結果に応じて、前記搬送機構による基板の搬送先に、前記第１ステージまたは前記第２ステージを移動させるステージ移動機構
    をさらに備える、基板処理装置。
  11. 基板に対して所定の処理を行う基板処理方法であって、
    ａ）基板の反りの状態を計測する工程と、
    ｂ）前記工程ａ）の計測結果に応じて、基板を第１ステージまたは第２ステージへ搬送する工程と、
    を有し、
    前記第１ステージは、平坦な上面と、前記上面に設けられた複数の吸着溝とを有し、前記複数の吸着溝により、基板の下面を吸着して保持するステージであり、
    前記第２ステージは、平坦な上面と、弾性材料からなる複数の吸着パッドとを有し、前記複数の吸着パッドにより、基板の下面を吸着して保持するステージである、基板処理方法。
  12. 基板に対して所定の処理を行う基板処理方法であって、
    ａ）基板の反りの状態を計測する工程と、
    ｂ）前記工程ａ）の計測結果に応じて、基板を第１ステージまたは第２ステージへ搬送する工程と、
    を実行し、
    前記第１ステージは、平坦な上面と、前記上面に設けられた複数の吸着溝とを有し、前記複数の吸着溝により、基板の下面を吸着して保持するステージであり、
    前記第２ステージは、平坦な上面と、前記上面に設けられた複数の吸着溝とを有し、前記複数の吸着溝により、基板の下面を吸着して保持するステージであり、
    基板が前記第２ステージへ搬送された場合、
    ｃ）前記第２ステージの前記上面に載置された基板をチャンバで覆うとともに、基板との間に形成される空間に高圧の気体を供給する工程
    をさらに実行する、基板処理方法。
  13. 請求項１１または請求項１２に記載の基板処理方法であって、
    前記工程ａ）では、レーザ変位計により基板の表面との距離を計測しつつ、前記レーザ変位計を基板の表面に沿って移動させる、基板処理方法。
  14. 請求項１３に記載の基板処理方法であって、
    前記工程ａ）では、複数の前記レーザ変位計を、基板の表面に沿って互いに平行に移動させる、基板処理方法。
  15. 請求項１１から請求項１４までのいずれか１項に記載の基板処理方法であって、
    前記工程ａ）では、計測ステージ上において基板を位置決めする、基板処理方法。
  16. 請求項１１から請求項１５までのいずれか１項に記載の基板処理方法であって、
    前記工程ａ）の計測結果により、基板が凹状の反りを有する場合、前記工程ｂ）において、基板を前記第１ステージへ搬送し、
    前記工程ａ）の計測結果により、基板が凸状の反りを有する場合、前記工程ｂ）において、基板を前記第２ステージへ搬送する、基板処理方法。
  17. 請求項１１から請求項１６までのいずれか１項に記載の基板処理方法であって、
    基板が前記第１ステージへ搬送された場合、
    ｄ）基板の周縁部をクランパにより前記第１ステージの上面に押さえ付ける工程
    をさらに実行する、基板処理方法。
  18. 請求項１１から請求項１７までのいずれか１項に記載の基板処理方法であって、
    ｅ）前記第１ステージまたは前記第２ステージに基板が保持された後、基板の上面に沿ってスリットノズルを移動させつつ、前記スリットノズルが有するスリット状の吐出口から基板の上面に向けて処理液を吐出する工程
    をさらに実行する、基板処理方法。
  19. 請求項１１から請求項１８までのいずれか１項に記載の基板処理方法であって、
    ｆ）前記第１ステージまたは前記第２ステージにおいて、基板の下面に対する吸着が正常に行われているか否かを検出する工程
    をさらに実行する、基板処理方法。
  20. 請求項１１から請求項１９までのいずれか１項に記載の基板処理方法であって、
    前記工程ｂ）では、前記工程ａ）の計測結果に応じて、基板の搬送先に、前記第１ステージまたは前記第２ステージを移動させる、基板処理方法。
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