JP6112898B2 - 基板製造装置 - Google Patents

Description

本発明は、ステージに保持した基板に薄膜材料の液滴を吐出して薄膜を形成する基板製造装置に関する。

ノズルヘッドから薄膜材料を含んだ液滴を吐出して、基板の表面に、薄膜パターンを形成する技術が知られている（例えば、特許文献１）。薄膜を形成すべき対象物は、例えばプリント基板であり、薄膜形成材料はソルダーレジストである。

液滴を塗布する際には、プリント基板が、可動ステージ上に真空チャック等によって固定される。液滴の着弾点の位置精度を高めるために、プリント基板とノズルヘッドとの間隔を狭めることが好ましい。例えば、両者の間隔は、０．５ｍｍ〜１ｍｍ程度に設定される。基板の縁が反って、可動ステージの上面から浮き上がると、基板がノズルヘッドに接触することが懸念される。

レーザ光線を用いて、ステージに保持されたウエハの高さを検出する処理装置が公知である（例えば、特許文献２）。この装置では、ウエハの上面と平行に、高さの異なる経路に沿って複数のレーザ光線を伝搬させ、受光装置でレーザ光線を検出する。ウエハがレーザ光線を遮ると、レーザ光線が受光装置まで到達しなくなる。受光装置でレーザ光線が検出されるか否かを判別することにより、ウエハの高さを検出することができる。

特開２００４−１０４１０４号公報 特開２００１−２３０２３９号公報

可動ステージに配置した基板の反りを検出するために、レーザ光線を用いる従来方法を適用した場合について考察する。レーザ光線がステージの保持面に平行に伝搬するように、レーザダイオード及び受光素子を配置すると、レーザダイオード及び受光素子の筐体の下端は、レーザ光線の光軸よりも低い位置に配置される。一例として、０．５ｍｍ〜１ｍｍ程度の基板の反りを検出するためには、ステージの上面からレーザ光線の光軸までの高さを、基板の厚さに０．５ｍｍ〜１ｍｍ程度を加えた値にしなければならない。一般的に、レーザダイオード及び受光装置の筐体の下端からレーザ光線の光軸までの高さは、基板の厚さに０．５ｍｍ〜１ｍｍを加えた高さよりも高い。このため、レーザダイオード及び受光装置を、ステージの移動経路上に配置すると、レーザダイオード及び受光装置の筐体の下端がステージに接触してしまう。レーザダイオード及び受光装置を、ステージの移動経路上に配置することは困難である。

レーザダイオード及び受光装置をステージの移動経路上に配置することが困難であるため、移動経路の両脇に、それぞれレーザダイオード及び受光素子を配置しなければならない。この配置を採用したとき、ステージの移動経路の幅が広くなると、レーザダイオードから受光装置までの光路長が長くなる。レーザ光線の光路長が長くなると、検出すべき基板の高さのわずかな違いを検出することが困難になる。基板の反りの検出精度が低下し、許容値以上の反りを検出できなかった場合、ステージを移動したときに、基板の反った縁がノズルヘッドに接触してしまう。

本発明の目的は、ステージの移動経路の幅が広くなっても、許容値を超える高さの基板を精度よく検出し、基板がノズルヘッドに接触することを回避することができる基板製造装置を提供することである。

本発明の一観点によると、
上面に基板を保持する第１のステージと、
前記第１のステージを移動させる第１の移動機構と、
前記第１の移動機構を制御する制御装置と、
前記第１のステージが移動する経路の上方に配置され、前記第１のステージに保持された基板に向けて薄膜材料の液滴を吐出するノズルヘッドと、
前記経路の上方に配置されて姿勢が仮止めされるとともに、前記第１のステージに保持された基板に接触すると仮止めの状態が解放されて姿勢を変化させる接触部材を含み、該接触部材の姿勢の変化を検知すると、前記制御装置に接触検知信号を送信する接触検出装置と
を有し、
前記第１のステージの上面を高さの基準として、前記接触部材の下端が、前記ノズルヘッドの下端よりも低く、
前記制御装置は、前記接触検出装置から前記接触検知信号を受信すると、前記第１の移動機構を制御して、前記第１のステージの、前記ノズルヘッドの下方への進入を回避する基板製造装置が提供される。

接触部材が基板に接触することにより、接触検出装置が、許容高さを越えている基板を検出する。第１のステージの移動経路の幅が広くなっても、接触部材を、第１のステージの上方に配置して、許容値を超える高さの基板を精度よく検出することができる。第１のステージからノズルヘッドの下端までの高さに応じて、第１のステージから接触部材の下端までの高さを調整することにより、第１のステージからノズルヘッドまでの高さがわずかである場合でも、許容値を超える高さの基板を検出することが可能である。

図１は、実施例１による基板製造装置の平面図である。 図２は、実施例１による基板製造装置の平面図である。 図３は、実施例１による基板製造装置の平面図である。 図４は、実施例１による基板製造装置の平面図である。 図５は、実施例１による基板製造装置の平面図である。 図６は、実施例１による基板製造装置の正面図である。 図７は、実施例１による基板製造装置の側面図である。 図８は、実施例１による基板製造装置の接触検出装置、ノズルヘッド、及び第１のステージの側面図である。 図９は、実施例１による基板製造装置の接触検出装置、ノズルヘッド、及び第１のステージの側面図である。 図１０は、実施例１による基板製造装置の接触検出装置、ノズルヘッド、及び第１のステージの側面図である。 図１１は、実施例２による基板製造装置の接触検出装置、ノズルヘッド、及び第１のステージの側面図である。

以下に説明する実施例による基板製造装置は、ノズルヘッドと、ノズルヘッドに対して処理対象物を相対的に移動させる移動装置とを有する基板製造装置に適用される。特に、
製造工程で変形することがある基板（例えばプリント基板）を処理対象物とする基板製造装置に適用される。この基板製造装置は、ノズルヘッドから液滴を吐出させることにより、基板の表面に液滴を着弾させる。

液滴の着弾点の位置精度を許容範囲内に収めるために、ノズルヘッドと処理対象物との間隔が適切な値に設定される。位置精度を高めるためには、ノズルヘッドと処理対象物との間隔を狭くすることが好ましい。その反面、間隔を狭くしすぎると、ノズルヘッドの処理対象物とが接触する危険性が高まる。

処理対象物が保持される保持面を高さの基準としたとき、ノズルヘッドの下端よりも低い位置に接触部材を用意し、この接触部材を処理対象物の移動経路上に配置すれば、処理対象物がノズルヘッドに接触する前に、接触部材に接触する。以下の実施例においては、処理対象物と接触部材との接触を契機として、処理対象物がノズルヘッドに接触することを回避することが可能である。

［実施例１］
図１に、実施例１による基板製造装置の平面図を示す。水平面をｘｙ面とし、鉛直上方をｚ軸の正の方向とするｘｙｚ直交座標系を定義する。実施例１による基板製造装置は、第１の処理系２０Ａと第２の処理系２０Ｂとを有する。

以下、第１の処理系２０Ａの構造について説明する。第１のｙ方向リニアガイド２１Ａに案内されて、第１の中間テーブル２２Ａがｙ方向に移動する。第１の中間テーブル２２Ａに第１のｘ方向リニアガイド２３Ａが取り付けられている。第１のステージ２５Ａが、第１のｘ方向リニアガイド２３Ａに案内されてｘ方向に移動する。第１のステージ２５Ａは、第１のｙ方向リニアガイド２１Ａのストロークの範囲内でｙ方向に移動すると共に、第１のｘ方向リニアガイド２３Ａのストロークの範囲内でｘ方向に移動する。第１のステージ２５Ａの上面に基板３５が保持される。基板３５は、例えば真空チャックにより、第１のステージ２５Ａの上面に固定される。第１の移動機構２６Ａが、第１の中間テーブル２２Ａ及び第１のステージ２５Ａを、それぞれｙ方向及びｘ方向に移動させる。制御装置３０が第１の移動機構２６Ａを制御する。

第２の処理系２０Ｂは、ｘ軸に垂直な仮想平面に関して、第１の処理系２０Ａと面対称の構造を有する。すなわち、第２の処理系２０Ｂは、第２のｙ方向リニアガイド２１Ｂ、第２の中間テーブル２２Ｂ、第２のｘ方向リニアガイド２３Ｂ、第２のステージ２５Ｂ、及び第２の移動機構２６Ｂを含む。第２の移動機構２６Ｂは、制御装置３０によって制御される。

第１の中間テーブル２２Ａと第２の中間テーブル２２Ｂとは、ｘ方向に相互に隔てられた平行な経路に沿って移動する。第１のステージ２５Ａがｘ方向に関して定位置に配置されているとき、第１のステージ２５Ａ及び第１の中間テーブル２２Ａは、第２の中間テーブル２２Ｂと接触することなく、ｙ方向にすれ違うことができる。同様に、第２のステージ２５Ｂが定位置に配置されているとき、第２のステージ２５Ｂ及び第２の中間テーブル２２Ｂは、第１の中間テーブル２２Ａと接触することなく、ｙ方向にすれ違うことができる。図１においては、第１のステージ２５Ａ及び第２のステージ２５Ｂが、共に定位置に配置された状態を示している。

第１のステージ２５Ａがｙ方向に関して受け渡し位置に配置され、ｘ方向に関して定位置に配置されているとき（図１の状態）、第１のステージ２５Ａと基板搬送装置（図示せず）との間で基板３５の受け渡しが行われる。同様に、第２のステージ２５Ｂがｙ方向に関して受け渡し位置に配置され、ｘ方向に関して定位置に配置されているとき（図１の状
態）、第２のステージ２５Ｂと基板搬送装置（図示せず）との間で基板３５の受け渡しが行われる。

第１のステージ２５Ａが定位置に配置されているときの、第１のステージ２５Ａの経路の上方に、第１の撮像装置３１Ａが配置されている。同様に、第２のステージ２５Ｂが定位置に配置されているときの、第２のステージ２５Ｂの経路の上方に、第２の撮像装置３１Ｂが配置されている。

図２に、第１のステージ２５Ａが第１の撮像装置３１Ａの下方に配置された状態を示す。第１の撮像装置３１Ａは、その下方に配置された基板３５に形成されているアライメントマークを撮像する。第２の撮像装置３１Ｂは、第２のステージ２５Ｂに保持されている基板３５に形成されたアライメントマークを撮像する。

図３に、第１のステージ２５Ａがｘ方向に関して処理位置に配置された状態の平面図を示す。処理位置は、ｘ方向に関して、第１のステージ２５Ａの定位置と第２のステージ２５Ｂの定位置との中間に位置する。第１のステージ２５Ａは、定位置と処理位置との間で、ｘ方向に移動可能である。第２のステージ２５Ｂも、同様に、第２のステージ２５Ｂの定位置と処理位置との間でｘ方向に移動可能である。第１のステージ２５Ａの処理位置と、第２のステージ２５Ｂの処理位置とは、ｘ方向に関して同じ位置に画定される。

第１のステージ２５Ａが処理位置に配置されているときの、第１のステージ２５Ａの経路の上方に、接触検出装置４０及びノズルヘッド５０が配置されている。第１のステージ２５Ａは、受け渡し位置から、ｘ方向に関して定位置に配置された状態で第１の撮像装置３１Ａの下方を通過した後、ｘ方向に関して処理位置に配置された状態で、接触検出装置４０の下方を通過し、ノズルヘッド５０の下方に進入する。

図４に、第１のステージ２５Ａがノズルヘッド５０の下方に配置された状態を示す。ノズルヘッド５０は、その下方に配置された基板３５に向けて、薄膜材料の液滴を吐出する。第１のステージ２５Ａをｙ方向に移動させながら、ノズルヘッド５０から薄膜材料の液滴を吐出することにより、基板３５に薄膜パターンが形成される。

図５に、第２のステージ２５Ｂが、ｘ方向に関して処理位置に配置されて、接触検出装置４０の下方に配置された状態を示す。

接触検出装置４０は、第１のステージ２５Ａに保持された基板３５と、第２のステージ２５Ｂに保持された基板３５とに対して、共通に使用される。ノズルヘッド５０も、第１のステージ２５Ａに保持された基板３５への薄膜パターンの形成と、第２のステージ２５Ｂに保持された基板３５への薄膜パターンの形成とに共通に使用される。

図６に、接触検出装置４０及び第１のステージ２５Ａの正面図を示す。定盤３７の上に、第１のｙ方向リニアガイド２１Ａ及び第２のｙ方向リニアガイド２１Ｂが固定されている。第１の中間テーブル２２Ａが第１のｙ方向リニアガイド２１Ａに、ｙ方向に移動可能に支持されている。第１の中間テーブル２２Ａの上に、第１のｘ方向リニアガイド２３Ａが固定されている。第１のステージ２５Ａが、第１のｘ方向リニアガイド２３Ａに、ｘ方向に移動可能に支持されている。第１のステージ２５Ａの上面に基板３５が保持される。図６では、第１のステージ２５Ａが処理位置に配置されている状態を示している。

接触検出装置４０が、処理位置に配置された第１のステージ２５Ａの上方に、門形フレーム３８（支持部材）により支持されている。門形フレーム３８は、第１のｙ方向リニアガイド２１Ａにより画定される第１のステージ２５Ａの経路と、第２のｙ方向リニアガイ
ド２１Ｂにより画定される第２のステージ２５Ｂの経路とを跨ぐように配置されている。

図７に、第１のステージ２５Ａ、接触検出装置４０、及びノズルヘッド５０の側面図を示す。定盤３７の上に、第１のｙ方向リニアガイド２１Ａが固定されている。第１の中間テーブル２２Ａが、第１のｙ方向リニアガイド２１Ａに案内されてｙ方向に移動する。第１の中間テーブル２２Ａに第１のｘ方向リニアガイド２３Ａが固定されている。第１のステージ２５Ａが、第１のｘ方向リニアガイド２３Ａに案内されてｘ方向に移動する。第１のステージ２５Ａの経路の上方に接触検出装置４０及びノズルヘッド５０が配置されている。

昇降機構４５が接触検出装置４０を昇降させる。他の昇降機構５５が、ノズルヘッド５０を昇降させる。なお、１つの昇降機構で、接触検出装置４０及びノズルヘッド５０の両方を昇降させる構成としてもよい。

接触検出装置４０から制御装置３０に、接触検知信号が送られる。第１の移動機構２６Ａが、制御装置３０からの指示を受けて、第１の中間テーブル２２Ａ及び第１のステージ２５Ａを移動させる。

図８に、第１のステージ２５Ａ、接触検出装置４０、及びノズルヘッド５０の、より詳細な側面図を示す。第１のステージ２５Ａの経路の上方に、接触部材４１が吊るされている。接触部材４１は、例えば板状の外形を有し、ｙ方向に垂直な姿勢で静止している。接触部材４１は、その上端において、ｘ方向に平行な回転軸４２を介して昇降機構４５（図７）に揺動可能に支持されている。

仮止め機構４４が、接触部材４１を、ｙ方向に対して垂直な姿勢で、すなわち接触部材４１の下端が最も低い位置に配置される姿勢で、仮止めする。接触部材４１の下端に、接触検出装置４０からノズルヘッド５０に向かう向きの力が加わると、接触部材４１は、仮止め機構４４によって仮止めされた状態から解放され、下端がノズルヘッド５０に向かって変位するように振れる（姿勢を変化させる）。一例として、接触部材４１が磁性材料で形成され、仮止め機構４４が永久磁石で構成される。仮止め機構４４と接触部材４１との間に働く磁気力により、接触部材４１の姿勢が仮止めされる。

センサ４３が、接触部材４１の姿勢の変化を検出し、検出結果を制御装置３０に送信する。センサ４３として、例えば接触式変位センサを用いることができる。

第１のステージ２５Ａの移動方向（ｙ方向）に関して、ノズルヘッド５０の前方と後方とに、それぞれ防御板５１が配置されている。防御板５１は、ノズルヘッド５０に対して相対位置が固定されている。第１のステージ２５Ａの上面を高さの基準としたとき、仮止めされた状態の接触部材４１の下端までの高さをＨ１、防御板５１の下端までの高さをＨ２、ノズルヘッド５０の底面までの高さをＨ３とする。これらの高さの大小関係は、Ｈ１≦Ｈ２≦Ｈ３である。

高さＨ１は、処理対象である基板３５を第１のステージ２５Ａに保持したときの基板３５の上面までの高さより高い。このため、反り等の無い正常な基板３５は、接触部材４１及び防御板５１の下方を通過して、ノズルヘッド５０の下方に進入する。

図９に、基板３５の縁が上方に反り、第１のステージ２５Ａの上面から浮き上がっている場合の第１のステージ２５Ａ、接触検出装置４０、及びノズルヘッド５０の側面図を示す。第１のステージ２５Ａの上面から、基板３５の浮き上がった部分の上端までの高さが、接触部材４１の下端の高さＨ１より高い場合について説明する。第１のステージ２５Ａ
をノズルヘッド５０に向かって移動させると、基板３５の縁が接触部材４１の下端に接触する。第１のステージ２５Ａをさらにノズルヘッド５０に向かって移動させると、接触部材４１の下端がノズルヘッド５０の方向に押されて、接触部材４１が傾く。センサ４３が、接触部材４１の姿勢の変化を検知すると、センサ４３から制御装置３０に、接触検知信号が送信される。

制御装置３０は、センサ４３からの接触検知信号を受信すると、第１のステージ２５Ａがノズルヘッド５０の下方に進入しないように、第１の移動機構２６Ａを制御する。例えば、制御装置３０は、第１のステージ２５Ａを停止させる。このように、基板３５が、高さの許容値（実施例１においては高さＨ１）よりも高い部分を含んでいる場合には、第１のステージ２５Ａがノズルヘッド５０の下方に進入しない。基板３５がノズルヘッド５０の下方まで到達しないため、基板３５の浮き上がり部分がノズルヘッド５０に接触することによるノズルヘッド５０の損傷を防止することができる。

仮止め機構４４は、基板３５が損傷を受けない程度の弱い力で、接触部材４１を仮止めしている。このため、基板３５が接触部材４１に接触したとしても、基板３５は損傷を受けない。第１のステージ２５Ａが停止した場合、オペレータは、基板３５の浮き上がり部分を粘着テープ等で第１のステージ２５Ａの上面に密着させて、浮き上がりを解消する。その後、薄膜形成処理を続行させることができる。

図１０を参照して、接触検出装置４０の不具合により、基板３５が接触部材４１の下端に接触しても、接触検知信号が制御装置３０に送信されなかった場合について説明する。第１のステージ２５Ａの上面から基板３５の浮き上がり部分の上端までの高さが、防御板５１の下端の高さＨ２より高い場合、基板３５の浮き上がり部分が防御板５１の下端に接触する。防御板５１の剛性は、基板３５の剛性に比べて十分大きい。このため、第１のステージ２５Ａがノズルヘッド５０に向かって移動すると、基板３５は防御板５１から受ける力によって塑性変形する。防御板５１は、ノズルヘッド５０の底面の高さＨ３を超える部分を含む基板３５が、ノズルヘッド５０の下方に進入することを防止する。

塑性変形した基板３５は廃棄処分となるが、基板３５よりも高価なノズルヘッド５０の損傷を防止することができる。第１のステージ２５Ａがノズルヘッド５０の下方を通過した後、ｙ方向に逆向きに移動するときにも、ノズルヘッド５０の損傷を回避するために、ｙ方向に関して、ノズルヘッド５０の両側に防御板５１を取り付けておくことが好ましい。また、接触検出装置４０（図７）も、ノズルヘッド５０の両側に取り付けてもよい。

縁が反っている基板３５の廃棄処分を少なくなくするために、接触部材４１の下端の高さＨ１を、防御板５１の下端の高さＨ２（図８）より低くすることが好ましい。ノズルヘッド５０の損傷を防止するために、高さＨ１及び高さＨ２を、ノズルヘッド５０の底面の高さＨ３（図８）より低くすることが好ましい。防御板５１の下端の高さＨ２とノズルヘッド５０の底面の高さＨ３とは、両者の相対位置を固定する際に調整される。接触部材４１の下端の高さＨ１と、防御板５１の下端の高さＨ２とは、昇降機構４５、５５（図７）を動作させることにより調整される。なお、接触検出装置４０及びノズルヘッド５０を、１つの昇降装置で昇降させる構成とする場合には、接触部材４１の下端の高さＨ１と、防御板５１の下端の高さＨ２とは、両者を昇降装置に取り付ける際に、調整される。

ノズルヘッド５０の底面の高さＨ３は、液滴の着弾点の目標とする位置精度に応じて設定される。高い位置精度が求められる場合には、高さＨ３を低くしなければならない。高さＨ３が低くなると、防御板５１の高さＨ２、及び接触部材４１の高さＨ１も、高さＨ３に応じて低くなる。

図８〜図１０では、第１のステージ２５Ａに保持された基板３５の処理手順について説明したが、第２のステージ２５Ｂ（図１）に保持された基板３５の処理手順も、第１のステージ２５Ａに保持された基板３５の処理手順と同様である。

実施例１では、第１の処理系２０Ａと第２の処理系２０Ｂとの２つの処理系を含む基板製造装置を例に取り上げたが、実施例１による接触検出装置４０（図７）は、１つの処理系を有する基板製造装置にも適用することができる。例えば、第１の処理系２０Ａ（図１）のみを有する基板製造装置においては、第１のステージ２５Ａが、直接第１のｙ方向リニアガイド２１Ａに案内されてｙ方向に移動する構成とすればよい。

［実施例２］
図１１を参照して、実施例２による基板製造装置について説明する。以下、実施例１との相違点について説明し、同一の構成については説明を省略する。

図１１に、実施例２による基板製造装置の接触検出装置４０、ノズルヘッド５０、及び第１のステージ２５Ａの側面図を示す。実施例２では、接触部材４１が弾性材料、例えばゴムで形成されている。基板３５の浮き上がり部分が接触部材４１の下端に接触すると、接触部材４１が弾性変形する。接触部材４１が弾性変形したことがセンサ４３で検知されると、接触検知信号が制御装置３０に送信される。

接触部材４１に外力が加わっていないとき、接触部材４１は、その復元力によって中立位置に静止する。このため、実施例１の仮止め機構４４（図８）は不要である。

実施例２においても、実施例１と同様に、ノズルヘッド５０の損傷を回避することができる。また、反りが生じている基板３５の損傷を防止することができる。

図１及び図６に示したように、上記実施例１及び実施例２による基板製造装置では、第１のステージ２５Ａの経路と第２のステージ２５Ｂの経路とが、ｘ方向に相互に隔てられて配置される。ノズルヘッド５０（図１）は、第１のステージ２５Ａを含む第１の処理系２０Ａと、第２のステージ２５Ｂを含む第２の処理系２０Ｂとで、共用される。このため、一方の処理系で、ノズルヘッド５０を用いた薄膜パターンの形成を行なってときに、他方の処理系で、基板の受け渡しや、アライメントマークの撮像等を行うことができる。

レーザ光線を用いてステージ上の基板の高さを検出する構成を採用する場合、レーザ光源及び受光素子を、ステージの経路上に配置することは困難である。レーザ光源及び受光素子は、レーザ光線の光軸の高さから上方及び下方にはみ出しているため、レーザ光源及び受光素子をステージの経路上に配置すると、レーザ光源及び受光素子自体がステージと接触してしまうためである。

実施例１及び実施例２のように、２系統の処理系を有する基板製造装置において、レーザ光線を用いて、ステージ上の基板の高さを検出する場合には、図６に示した第１の処理系２０Ａの経路及び第２の処理系２０Ｂの経路よりも外側に、レーザ光源及び受光素子を配置しなければならない。このため、レーザ光線の光路長が長くなってしまう。光路長が長くなると、基板の高さの検出精度が低下する。

実施例１及び実施例２においては、門形フレーム３８（図６）が、第１の処理系２０Ａの経路と第２の処理系２０Ｂの経路との両方を跨ぐように配置されている。接触部材４１（図８、図１１）の下端よりも低い位置には、接触検出装置４０の他の部品が配置されていない。このため、接触検出装置４０を第１のステージ２５Ａ及び第２のステージ２５Ｂの経路と重なる位置に配置しても、接触検出装置４０は、第１のステージ２５Ａ及び第２
のステージ２５Ｂと接触することはない。接触検出装置４０は、第１のステージ２５Ａ及び第２のステージ２５Ｂの移動を妨げることなく、高精度に、許容値を超えた高さの基板３５を検出することができる。

以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。

２０Ａ 第１の処理系
２０Ｂ 第２の処理系
２１Ａ 第１のｙ方向リニアガイド
２１Ｂ 第２のｙ方向リニアガイド
２２Ａ 第１の中間テーブル
２２Ｂ 第２の中間テーブル
２３Ａ 第１のｘ方向リニアガイド
２３Ｂ 第２のｘ方向リニアガイド
２５Ａ 第１のステージ
２５Ｂ 第２のステージ
２６Ａ 第１の移動機構
２６Ｂ 第２の移動機構
３０ 制御装置
３１Ａ 第１の撮像装置
３１Ｂ 第２の撮像装置
３５ 基板
３７ 定盤
３８ 門形フレーム（支持部材）
４０ 接触検出装置
４１ 接触部材
４２ 揺動中心
４３ センサ
４４ 仮止め機構
４５ 昇降機構
５０ ノズルヘッド
５１ 防御板
５５ 昇降機構

Claims (7)

1. 上面に基板を保持する第１のステージと、
   前記第１のステージを移動させる第１の移動機構と、
   前記第１の移動機構を制御する制御装置と、
   前記第１のステージが移動する経路の上方に配置され、前記第１のステージに保持された基板に向けて薄膜材料の液滴を吐出するノズルヘッドと、
   前記経路の上方に配置されて姿勢が仮止めされるとともに、前記第１のステージに保持された基板に接触すると仮止めの状態が解放されて姿勢を変化させる接触部材を含み、該接触部材の姿勢の変化を検知すると、前記制御装置に接触検知信号を送信する接触検出装置と
   を有し、
   前記第１のステージの上面を高さの基準として、前記接触部材の下端が、前記ノズルヘッドの下端よりも低く、
   前記制御装置は、前記接触検出装置から前記接触検知信号を受信すると、前記第１の移動機構を制御して、前記第１のステージの、前記ノズルヘッドの下方への進入を回避する基板製造装置。
2. さらに、前記ノズルヘッドと前記接触部材との間の前記経路の上方に配置された防御板を有し、
   前記第１のステージの上面を高さの基準として、前記防御板の下端が、前記接触部材の下端よりも高いか、または前記接触部材の下端と同一の高さであり、前記防御板は、前記ノズルヘッドに対して相対位置が固定されている請求項１に記載の基板製造装置。
3. 前記接触部材は、前記第１のステージに保持された基板に接触すると、姿勢が変化し、
   前記接触検出装置は、さらに、前記接触部材の姿勢の変化を検出するセンサを含む請求項１または２に記載の基板製造装置。
4. 前記接触部材は、前記経路の上方に吊るされており、下端が前記基板に接触すると、前記第１のステージの移動方向に振れる請求項３に記載の基板製造装置。
5. 前記接触部材は、前記第１のステージに保持された基板に接触すると、弾性変形し、
   前記接触検出装置は、さらに、前記接触部材の変形を検出するセンサを含む請求項１または２に記載の基板製造装置。
6. 前記接触部材は、前記経路の上方に吊るされており、下端が前記基板に接触すると、前記下端が前記第１のステージの移動方向に変位するように弾性変形する請求項５に記載の基板製造装置。
7. さらに、
   基板を保持する第２のステージと、
   前記第２のステージを移動させる第２の移動機構と、
   前記接触検出装置を、前記第１のステージの経路及び前記第２のステージの経路の上方に支持する支持部材と
   を有し、
   前記第１の移動機構及び前記第２の移動機構は、前記第１のステージと前記第２のステージとを、相互に隔てられた平行な経路に沿って移動させるとともに、前記ノズルヘッドの下方において、前記第１のステージと前記第２のステージとを、同一の経路に沿って移動させ、
   前記支持部材は、前記第１のステージ及び前記第２のステージの、相互に隔てられた平行な２本の経路を跨ぐように配置されている請求項１乃至６のいずれか１項に記載の基板製造装置。
   

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