CN114121768A - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置及基板处理方法，其可适当地矫正基板的两种翘曲，同时保持基板并对基板进行处理。所述基板处理装置1包括：翘曲计量部、搬送机构、第一载台、以及第二载台。第一载台通过多个吸附槽吸附并保持基板的下表面。第二载台通过包含弹性材料的多个吸附垫吸附并保持基板的下表面。翘曲计量部计量基板的翘曲状态。搬送机构根据翘曲计量部的计量结果，将基板搬送至第一载台或者第二载台。由此，可选择第一载台及第二载台中适合于基板的翘曲状态的载台来使用。因此，可适当地矫正基板的翘曲，同时进行对基板的处理。

Description

基板处理装置及基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种对基板进行规定的处理的基板处理装置及基板处理方法。
背景技术
以往，在半导体封装等基板的制造工序中，为了光刻处理，在基板的上表面涂布抗蚀剂液。在所述工序中，首先，在载台的上表面载置基板。在载台的上表面设置有多个吸附槽。基板的下表面通过被所述吸附槽吸附而保持于载台的上表面。然后，在载台的上表面上所保持的基板的上表面涂布抗蚀剂液。关于进行此种处理的现有的装置，例如记载于专利文献1。
[现有技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利特开2017-112197号公报
发明内容
[发明所要解决的问题]
然而，作为处理对象的基板并非完全平坦，而是具有轻微的翘曲(弯曲)。因此，为了使基板正常地吸附于载台的上表面，需要矫正基板的翘曲。但是，在作为处理对象的多个基板中，有时混合存在具有中央部比周缘部低的凹状的翘曲的基板、与具有中央部比周缘部高的凸状的翘曲的基板。因此，在包括单一的矫正机构的一个载台中，难以适当地矫正所述两种翘曲。
本发明是鉴于此种情况而成，其目的在于提供一种基板处理装置及基板处理方法，其可适当地矫正基板的两种翘曲，同时保持基板并对基板进行处理。
[解决问题的技术手段]
为了解决所述问题，本申请的第一发明是一种基板处理装置，其是对基板进行规定的处理的基板处理装置，包括：第一载台，具有平坦的上表面以及设置于所述上表面的多个吸附槽，并通过所述多个吸附槽吸附并保持基板的下表面；第二载台，具有平坦的上表面以及包含弹性材料的多个吸附垫，并通过所述多个吸附垫吸附并保持基板的下表面；翘曲计量部，计量基板的翘曲状态；以及搬送机构，根据所述翘曲计量部的计量结果，将基板搬送至所述第一载台或者所述第二载台。
本申请的第二发明是一种基板处理装置，其是对基板进行规定的处理的基板处理装置，包括：第一载台，具有平坦的上表面以及设置于所述上表面的多个吸附槽，并通过所述多个吸附槽吸附并保持基板的下表面；第二载台，具有平坦的上表面以及设置于所述上表面的多个吸附槽，并通过所述多个吸附槽吸附并保持基板的下表面；腔室，覆盖所述第二载台的所述上表面上所载置的基板，并且向在与基板之间所形成的空间供给高压的气体；翘曲计量部，计量基板的翘曲状态；以及搬送机构，根据所述翘曲计量部的计量结果，将基板搬送至所述第一载台或者所述第二载台。
本申请的第三发明是第一发明或第二发明的基板处理装置，其中，所述翘曲计量部包括激光位移计，所述激光位移计在计量与基板的表面的距离的同时沿着基板的表面移动。
本申请的第四发明是第三发明的基板处理装置，其中，所述翘曲计量部包括沿着基板的表面相互平行地移动的多个所述激光位移计。
本申请的第五发明是第一发明至第四发明中任一发明的基板处理装置，其中，所述翘曲计量部包括定位机构，所述定位机构在计量载台上对基板进行定位。
本申请的第六发明是第一发明至第五发明中任一发明的基板处理装置，其中，根据所述翘曲计量部的计量结果，在基板具有凹状的翘曲的情况下，所述搬送机构将基板搬送至所述第一载台，根据所述翘曲计量部的计量结果，在基板具有凸状的翘曲的情况下，所述搬送机构将基板搬送至所述第二载台。
本申请的第七发明是第一发明至第六发明中任一发明的基板处理装置，其中，所述第一载台包括夹具，所述夹具将基板的周缘部推压于所述第一载台的上表面。
本申请的第八发明是第一发明至第七发明中任一发明的基板处理装置，还包括狭缝喷嘴，所述狭缝喷嘴沿着由所述第一载台或者所述第二载台保持的基板的上表面移动，同时从狭缝状的喷出口向基板的上表面喷出处理液。
本申请的第九发明是第一发明至第八发明中任一发明的基板处理装置，还包括吸附检测部，所述吸附检测部检测在所述第一载台或者所述第二载台中，相对于基板的下表面的吸附是否正常地进行。
本申请的第十发明是第一发明至第九发明中任一发明的基板处理装置，还包括载台移动机构，所述载台移动机构根据所述翘曲计量部的计量结果，使所述第一载台或者所述第二载台移动至基于所述搬送机构的基板的搬送目的地。
本申请的第十一发明是一种基板处理方法，其是对基板进行规定的处理的基板处理方法，包括：a)计量基板的翘曲状态的工序；以及b)根据所述工序a)的计量结果，将基板搬送至第一载台或者第二载台的工序，所述第一载台是具有平坦的上表面以及设置于所述上表面的多个吸附槽，并通过所述多个吸附槽吸附并保持基板的下表面的载台，所述第二载台是具有平坦上表面以及包含弹性材料的多个吸附垫，并通过所述多个吸附垫吸附并保持基板的下表面的载台。
本申请的第十二发明是一种基板处理方法，其是对基板进行规定的处理的基板处理方法，执行以下工序，a)计量基板的翘曲状态的工序；以及b)根据所述工序a)的计量结果，将基板搬送至第一载台或者第二载台的工序，所述第一载台是具有平坦的上表面以及设置于所述上表面的多个吸附槽，并通过所述多个吸附槽吸附并保持基板的下表面的载台，所述第二载台是具有平坦的上表面以及设置于所述上表面的多个吸附槽，并通过所述多个吸附槽吸附并保持基板的下表面的载台，在基板被搬送至所述第二载台的情况下，进一步执行c)利用腔室覆盖所述第二载台的所述上表面上所载置的基板，并且向在与基板之间所形成的空间供给高压的气体的工序。
本申请的第十三发明是第十一发明或第十二发明的基板处理方法，其中，在所述工序a)中，利用激光位移计来计量与基板的表面的距离，同时使所述激光位移计沿着基板的表面移动。
本申请的第十四发明是第十三发明的基板处理方法，在所述工序a)中，使多个所述激光位移计沿着基板的表面相互平行地移动。
本申请的第十五发明是第十一发明至第十四发明中任一发明的基板处理方法，其中，在所述工序a)中，在计量载台上对基板进行定位。
本申请的第十六发明是第十一发明至第十五发明中任一发明的基板处理方法，其中，根据所述工序a)的计量结果，在基板具有凹状的翘曲的情况下，在所述工序b)中，将基板搬送至所述第一载台，根据所述工序a)的计量结果，在基板具有凸状的翘曲的情况下，在所述工序b)中，将基板搬送至所述第二载台。
本申请的第十七发明是第十一发明至第十六发明中任一发明的基板处理方法，其中，在基板被搬送至所述第一载台的情况下，进一步执行d)利用夹具将基板的周缘部推压于所述第一载台的上表面的工序。
本申请的第十八发明是第十一发明至第十七发明中任一发明的基板处理方法，其中，进一步执行以下工序：e)在将基板保持于所述第一载台或者所述第二载台之后，使狭缝喷嘴沿着基板的上表面移动，同时从所述狭缝喷嘴所具有的狭缝状的喷出口向基板的上表面喷出处理液。
本申请的第十九发明是第十一发明至第十八发明中任一发明的基板处理方法，其中，进一步执行以下工序：f)检测在所述第一载台或者所述第二载台中，相对于基板的下表面的吸附是否正常地进行。
本申请的第二十发明是第十一发明至第十九发明中任一发明的基板处理方法，其中，在所述工序b)中，根据所述工序a)的计量结果，使所述第一载台或者所述第二载台移动至基板的搬送目的地。
[发明的效果]
根据本申请的第一发明～第二十发明，可选择第一载台及第二载台中适合于基板的翘曲状态的载台来使用。因此，可适当地矫正基板的翘曲，同时进行对基板的处理。
特别是根据本申请的第三发明及第十三发明，通过利用激光位移计进行扫描，能够以非接触方式计量基板的翘曲状态。
特别是根据本申请的第四发明及第十四发明，可计量基板的两个方向的翘曲状态。
特别是根据本申请的第五发明及第十五发明，可在对基板进行了定位的状态下，高精度地计量基板的翘曲状态。
特别是根据本申请的第六发明及第十六发明，可将具有难以通过吸附槽矫正的凸状的翘曲的基板搬送至第二载台，并在矫正翘曲的同时加以保持。
特别是根据本申请的第八发明及第十八发明，可在通过由第一载台或者第二载台保持而矫正了翘曲的基板的上表面涂布处理液。
特别是根据本申请的第九发明及第十九发明，可探测是否可正常地吸附并保持基板的下表面。
特别是根据本申请的第十发明及第二十发明，可在不变更基板的搬送目的地的位置的情况下，选择性地将基板搬送至第一载台或者第二载台。
附图说明
图1是基板处理装置的概略平面图。
图2是表示控制部与基板处理装置内的各部的电连接的方块图。
图3是翘曲计量部的俯视图。
图4是翘曲计量部20的侧面图。
图5是第一载台及第二载台的俯视图。
图6是第一载台的纵剖面图。
图7是第一载台的纵剖面图。
图8是第二载台的纵剖面图。
图9是第二载台的纵剖面图。
图10是表示基板处理装置中的处理的流程的流程图。
图11是第二实施方式的第二载台的纵剖面图。
图12是第二实施方式的第二载台的纵剖面图。
图13是第二实施方式的第二载台的纵剖面图。
图14是表示第三实施方式的基板处理装置的一部分的平面图。
[符号的说明]
1：基板处理装置
9：基板
10：基板收纳部
20：计量部(翘曲计量部)
21：计量载台
22：激光位移计
23：定位机构
24：扫描机构
30：搬送机构
31：搬送机器人
40：涂布部
41：第一载台
42、45：第二载台
43：狭缝喷嘴
44：待机部
46：腔室
47：升降机构
48：载台移动机构
50：减压干燥部
51：减压室
60：烘烤部
61：烘烤室
62：加热板
70：控制部
71：处理器
72：存储器
73：存储部
211、410、420、450：上表面
212：支撑销
231、232、233、234：气缸
411、421、451：升降销
412、452：吸附孔
413、425、453：抽吸配管
414、426、454、464：开闭阀
415、455：吸附槽
416、427：夹具
422：纵孔
423：抽吸管
424：吸附垫
456：压力计
460：密闭空间
461：O形环
462：供气配管
463：高压气体供给源
P0：处理位置
P1：第一待机位置
P2：第二待机位置
S1～S9：步骤
x、y：方向
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。
＜1.第一实施方式＞
＜1-1.基板处理装置的整体结构＞
图1是本发明第一实施方式的基板处理装置1的概略平面图。所述基板处理装置1是在半导体封装的制造工序中所使用的装置。基板处理装置1对半导体封装用的矩形的基板9进行抗蚀剂液的涂布、减压干燥及烘烤处理。如图1所示，基板处理装置1包括：基板收纳部10、翘曲计量部20、搬送机构30、涂布部40、减压干燥部50、烘烤部60、及控制部70。
基板收纳部10是收纳处理前及处理后的基板9的单元。在基板收纳部10配置多个收容多个基板9的载体。另外，基板收纳部10包括省略了图示的搬出搬入机器人。搬出搬入机器人从基板收纳部10内的载体搬出处理前的基板9，并移送至翘曲计量部20。另外，搬出搬入机器人从后述的搬送机器人31接收处理后的基板，并搬入至基板收纳部10内的载体。
翘曲计量部20是用以计量基板9的翘曲状态的单元。如图1所示，翘曲计量部20包括计量载台21以及三个激光位移计22。基板9通过上文所述的搬出搬入机器人从基板收纳部10搬出，并载置于计量载台21上。翘曲计量部20利用三个激光位移计22来计量载置于计量载台21上的基板9的翘曲状态。激光位移计22的计量结果从翘曲计量部20发送至控制部70。
关于翘曲计量部20的更详细的结构，将在之后叙述。
搬送机构30是在翘曲计量部20、涂布部40、减压干燥部50、及烘烤部60之间搬送基板9的机构。搬送机构30包括搬送机器人31。搬送机器人31配置于由翘曲计量部20、涂布部40、减压干燥部50、及烘烤部60包围的搬送空间。搬送机器人31例如包括保持基板9的机械手、以及使机械手沿上下方向及水平方向移动的机械臂。
搬送机器人31将在翘曲计量部20中完成了计量的基板9从翘曲计量部20搬送至涂布部40。另外，搬送机器人31将涂布部40中的完成了处理的基板9从涂布部40搬送至减压干燥部50。另外，搬送机器人31将减压干燥部50中的完成了处理的基板9从减压干燥部50搬送至烘烤部60。另外，搬送机器人31将烘烤部60中的完成了处理的基板9从烘烤部60再次搬送至翘曲计量部20，并交接至基板收纳部10的搬出搬入机器人。
涂布部40是在基板9的上表面涂布作为处理液的抗蚀剂液的单元。如图1所示，涂布部40包括：第一载台41、第二载台42及狭缝喷嘴43。第一载台41及第二载台42包含具有平坦的上表面的一体的石材。搬送机器人31根据在翘曲计量部20中计量的翘曲状态，将基板9搬送至第一载台41及第二载台42的任一者。基板9载置于第一载台41或者第二载台42的上表面，并通过吸附于第一载台41或者第二载台42的上表面而被保持。
关于第一载台41及第二载台42的更详细的结构，将在之后叙述。
狭缝喷嘴43是向由第一载台41或者第二载台42保持的基板9的上表面喷出抗蚀剂液的喷嘴。狭缝喷嘴43在以夹着第一载台41及第二载台42的方式设置的一对待机部44之间，沿着第一载台41及第二载台42的上表面移动。另外，在狭缝喷嘴43的下端部设置有狭缝状的喷出口，所述狭缝状的喷出口沿与狭缝喷嘴43的移动方向正交的方向延伸。狭缝喷嘴43沿着由第一载台41或者第二载台42保持的基板9的上表面移动，同时从喷出口向基板9的上表面喷出抗蚀剂液。由此，在基板9的上表面涂布抗蚀剂液。
减压干燥部50是用以使基板9的上表面上所涂布的抗蚀剂液干燥的单元。减压干燥部50包括能够密闭的减压室51、以及与减压室51连接的减压机构(省略图示)。当将基板9搬入至减压室51内，并使减压机构运行时，从减压室51的内部吸出气体，从而减压室51内的气压下降。由此，基板9的上表面上所涂布的抗蚀剂液中的溶剂气化。其结果，抗蚀剂液干燥，从而在基板9的上表面形成抗蚀剂膜。
烘烤部60是通过加热而使基板9的上表面上所形成的抗蚀剂膜固化的单元。烘烤部60包括烘烤室61、以及配置于烘烤室61内的加热板62。加热板62保持于比环境温度高的规定的温度。搬入至烘烤室61内的基板9载置于加热板62的上表面。由此，将基板9加热，将残留于抗蚀剂膜中的溶剂成分去除。另外，抗蚀剂膜相对于基板9的密接性提高。
控制部70是用以对基板处理装置1内的各部进行动作控制的单元。图2是表示控制部70与基板处理装置1内的各部的电连接的方块图。如图2中概念性地所示，控制部70包括计算机，所述计算机包括中央处理器(Center Processing Unit，CPU)等处理器71、随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)等存储器72及硬盘驱动器等存储部73。
另外，控制部70分别与上文所述的基板收纳部10(包括搬出搬入机器人)、翘曲计量部20(包括激光位移计22、后述的扫描机构24、及后述的气缸231～气缸234)、搬送机构30(包括搬送机器人31)、涂布部40(包括狭缝喷嘴43、后述的升降销411、升降销421、后述的开闭阀414、开闭阀426及后述的夹具416、夹具427)、减压干燥部50(包括减压机构)及烘烤部60(包括加热板62)电连接。控制部70通过根据计算机程序及各种数据使CPU运行，来对所述各部进行动作控制。由此，进行基板处理装置1的基板9的处理。
＜1-2.翘曲计量部的结构＞
继而，对翘曲计量部20的更详细的结构进行说明。图3是翘曲计量部20的俯视图。图4是翘曲计量部20的侧面图。如图3及图4所示，翘曲计量部20包括：计量载台21、三个激光位移计22、及定位机构23。此外，在图3中，以箭头示出了x方向及y方向。x方向及y方向均是水平方向。另外，x方向与y方向相互正交。
计量载台21是具有平坦的上表面211的矩形形状的台。计量载台21包括从上表面211向上方突出的多个支撑销212。多个支撑销212沿x方向及y方向等间隔地排列。基板9载置于这些支撑销212上。
定位机构23是将由多个支撑销212支撑的基板9定位于一定的位置及姿势的机构。定位机构23包括四个气缸231～234。四个气缸231～234中的两个气缸231、232在矩形形状的基板9的一个顶点附近，将基板9分别向+x方向及+y方向按压。另外，其他两个气缸233、234在基板9的位于与所述顶点为对角位置的其他顶点附近，将基板9分别向-x方向及-y方向按压。由此，基板9沿x方向及y方向被定位。
激光位移计22是以非接触方式计量基板9的上表面的高度的传感器。激光位移计22向基板9的上表面射出激光，并检测从基板9的上表面反射的光的位移量。由此，根据三角测量的原理，计量激光位移计22与基板9的上表面之间的上下方向上的距离。
另外，翘曲计量部20包括使激光位移计22移动的扫描机构24。扫描机构24使激光位移计22沿着基板9的表面在y方向上移动。在计量基板9的翘曲状态时，利用激光位移计22执行计量，同时利用扫描机构24使激光位移计22沿y方向移动。由此，计量基板9的上表面的高度在y方向上的变化。因此，可计量基板9在y方向上的翘曲状态。
另外，本实施方式的翘曲计量部20包括三个激光位移计22。三个激光位移计22沿x方向等间隔地配置。三个激光位移计22计量与基板9的上表面的距离，同时沿着y方向相互平行地移动。因此，通过比较三个激光位移计22的计量值，可知基板9的上表面的高度在x方向上的变化。即，可计量基板9在x方向上的翘曲状态。如此，本实施方式的翘曲计量部20可在x方向及y方向这两个方向上，计量基板9的翘曲状态。
＜1-3.第一载台及第二载台的结构＞
继而，对第一载台41及第二载台42的更详细的结构进行说明。图5是第一载台41及第二载台42的俯视图。图6及图7是第一载台41的纵剖面图。图8及图9是第二载台42的纵剖面图。此外，在图5～图9中，与图3～图4同样地，以箭头示出了x方向及y方向。
首先，对第一载台41的结构进行说明。如图6及图7所示，第一载台41具有平坦的上表面410。另外，第一载台41包括多个升降销411(在图5中省略图示)。多个升降销411沿x方向及y方向等间隔地配置。另外，多个升降销411在图6所示的上升位置与图7所示的下降位置之间升降移动。在上升位置，升降销411的上端部向比第一载台41的上表面410更靠上方处突出。在下降位置，升降销411的上端部向比第一载台41的上表面410更靠下方处退避。
在将基板9配置于第一载台41上时，首先，如图6那样，搬送机器人31将基板9载置于上升位置的多个升降销411上。其后，如图7那样，多个升降销411从上升位置移动至下降位置。由此，将基板9载置于第一载台41的上表面410。
另外，第一载台41具有多个吸附孔412。多个吸附孔412沿x方向及y方向等间隔地配置。各吸附孔412沿上下方向贯通第一载台41。如图6及图7所示，多个吸附孔412经由抽吸配管413连接于图外的真空源。另外，在抽吸配管413的路径上设置有开闭阀414。因此，当将开闭阀414开放时，气体从多个吸附孔412经由抽吸配管413被抽吸至真空源。由此，在各吸附孔412产生比大气压低的负压。
另外，第一载台41在上表面具有多个吸附槽415。多个吸附槽415沿着x方向及y方向呈格栅状设置。即，多个吸附槽415包括沿x方向延伸的多个吸附槽415、以及沿y方向延伸的多个吸附槽415。上文所述的吸附孔412的上端部在沿x方向延伸的吸附槽415与沿y方向延伸的吸附槽415交叉的位置开口。因此，当开闭阀414开放时，不仅在多个吸附孔412，而且在多个吸附槽415也产生负压。
第一载台41的上表面410上所载置的基板9由于所述负压而被吸附槽415吸附。而且，基板9的下表面与第一载台41的上表面410密接。由此，将基板9保持于第一载台41的上表面410。
另外，第一载台41包括四个夹具416。在将基板9载置于第一载台41的上表面410之后，四个夹具416接近基板9的周缘部。具体而言，四个夹具416分别接近矩形形状的基板9的四个边。然后，各夹具416将基板9的周缘部推压于第一载台41的上表面410。由此，可抑制基板9的周缘部从第一载台41浮起。
继而，对第二载台42的结构进行说明。如图8及图9所示，第二载台42具有平坦的上表面420。另外，第二载台42包括多个升降销421(在图5中省略图示)。多个升降销421沿x方向及y方向等间隔地配置。另外，多个升降销421在图8所示的上升位置与图9所示的下降位置之间升降移动。在上升位置，升降销421的上端部向比第二载台42的上表面420更靠上方处突出。在下降位置，升降销421的上端部向比第二载台42的上表面420更靠下方处退避。
在将基板9配置于第二载台42上时，首先，如图8那样，搬送机器人31将基板9载置于上升位置的多个升降销421上。其后，如图9那样，多个升降销421从上升位置移动至下降位置。由此，将基板9载置于第二载台42的上表面420。
另外，第二载台42具有多个纵孔422、多个抽吸管423、及多个吸附垫424。多个纵孔422沿x方向及y方向等间隔地配置。各纵孔422沿上下方向贯通第二载台42。抽吸管423是沿上下方向延伸的圆筒状的管。抽吸管423分别插入至多个纵孔422。
多个吸附垫424是包含橡胶等弹性材料的圆环状的构件。吸附垫424分别安装于多个抽吸管423的上端部。吸附垫424具有蛇腹状的侧面。因此，吸附垫424能够沿上下方向伸缩。在未保持基板9的状态下，如图7那样，吸附垫424的上端向比第二载台42的上表面420稍靠上方处突出。
如图8及图9所示，多个抽吸管423的下端部经由抽吸配管425连接于图外的真空源。另外，在抽吸配管425的路径上设置有开闭阀426。因此，当将开闭阀426开放时，气体从抽吸管423经由抽吸配管425被抽吸至真空源。由此，在各抽吸管423及吸附垫424的内部产生比大气压低的负压。
第二载台42的上表面420上所载置的基板9由于所述负压而被吸附垫424吸附。另外，吸附垫424通过吸附于基板9，而沿上下方向收缩。其结果，如图9那样，基板9的下表面与第二载台42的上表面420接触。由此，将基板9保持于第二载台42的上表面420。
另外，第二载台42包括四个夹具427。在将基板9载置于第二载台42的上表面420之后，四个夹具427接近基板9的周缘部。具体而言，四个夹具427分别接近矩形形状的基板9的四个边。然后，各夹具427将基板9的周缘部推压于第二载台42的上表面420。由此，可抑制基板9的周缘部从第二载台42浮起。
＜1-4.基板处理装置中的处理的流程＞
继而，对上文所述的基板处理装置1中的处理的流程进行说明。图10是表示所述处理的流程的流程图。此外，以下，说明对一块基板9的处理的流程。基板处理装置1对多个基板9依次执行此种处理。
基板处理装置1首先利用搬出搬入机器人取出收纳于基板收纳部10的基板9(步骤S1)。所取出的基板9配置于翘曲计量部20。具体而言，搬出搬入机器人将基板9载置于计量载台21上的多个支撑销212上。另外，定位机构23将由多个支撑销212支撑的基板9定位于一定的位置及姿势。
继而，翘曲计量部20利用三个激光位移计22来计量基板9的翘曲状态(步骤S2)。具体而言，使三个激光位移计22沿着基板9的上表面移动，同时计量从激光位移计22至基板9的上表面的距离。激光位移计22的计量结果被发送至控制部70。控制部70基于三个激光位移计22的计量结果，判别作为处理对象的基板9是具有中央部比周缘部低的凹状的翘曲的基板(以下称为“凹状基板”)，还是具有中央部比周缘部高的凸状的翘曲的基板(以下称为“凸状基板”)。
当翘曲计量部20的计量完成后，搬送机器人31从翘曲计量部20取出基板9。然后，搬送机器人31将基板9搬送至涂布部40的第一载台41或者第二载台42(步骤S3)。此时，控制部70对搬送机器人31进行控制，以便根据步骤S2的计量结果将基板9搬送至第一载台41及第二载台42的任一者。具体而言，在判别为基板9是凹状基板的情况下，利用搬送机器人31将所述基板9搬送至第一载台41。另外，在判别为基板9是凸状基板的情况下，利用搬送机器人31将所述基板9搬送至第二载台42。
搬送至第一载台41的基板9首先载置于位于上升位置的多个升降销411上。然后，通过多个升降销411从上升位置移动至下降位置，而将基板9载置于第一载台41的上表面410。然后，基板9的下表面被多个吸附槽415吸附并保持。另外，基板9的周缘部被四个夹具416推压于第一载台41的上表面410。
如此，在第一载台41中，基板9的周缘部由夹具416固定。因此，在基板9是凹状基板的情况下，所述基板9的周缘部下降至与基板9的中央部相同的高度。因此，可矫正基板9的凹状的翘曲，同时保持基板9。另外，多个吸附槽415整体的面积比多个吸附垫424的开口面积大。因此，基板9的周缘部以外的部分通过多个吸附槽415中产生的缓慢的负压而被保持。因此，即便在基板9的刚性低的情况下，也可在抑制基板9的破裂的同时保持基板9。
搬送至第二载台42的基板9首先载置于位于上升位置的多个升降销421上。然后，通过多个升降销421从上升位置移动至下降位置，基板9的下表面被多个吸附垫424吸附。然后，通过吸附垫424沿上下方向收缩，基板9的下表面与第二载台42的上表面420接触。另外，基板9的周缘部通过四个夹具427固定于第二载台42的上表面420。
如此，在第二载台42中，基板9的周缘部以外的部分被吸附垫424吸附，并被向下方引入。因此，在基板9是凸状基板的情况下，所述基板9的中央部下降至与基板9的周缘部相同的高度。因此，可矫正基板9的凸状的翘曲，同时保持基板9。特别是第二载台42上的吸附垫424的数量比第一载台41上的吸附孔412的数量少。另外，多个吸附垫424的开口面积比多个吸附槽415的面积小。因此，在各吸附垫424产生强抽吸力。因此，即便在基板9的刚性高的情况下，也可矫正基板9的翘曲。
在将基板9保持于第一载台41或者第二载台42之后，狭缝喷嘴43沿着基板9的上表面移动，同时从狭缝状的喷出口向基板9的上表面喷出抗蚀剂液。由此，在基板9的上表面涂布抗蚀剂液(步骤S4)。
当抗蚀剂液的涂布结束后，搬送机器人31从涂布部40取出基板9，并将基板9搬送至减压干燥部50(步骤S5)。然后，减压干燥部50进行通过减压而使基板9的上表面上所涂布的抗蚀剂液干燥的减压干燥处理(步骤S6)。由此，在基板9的上表面形成抗蚀剂膜。
当减压干燥处理结束后，搬送机器人31从减压干燥部50取出基板9，并将基板9搬送至烘烤部60(步骤S7)。然后，烘烤部60进行利用加热板62对基板9进行加热的烘烤处理(步骤S8)。由此，将抗蚀剂膜中残留的溶剂成分去除。另外，抗蚀剂膜相对于基板9的密接性提高。
当烘烤处理结束后，搬送机器人31从烘烤部60取出基板9，并再次将基板9搬送至翘曲计量部20。然后，基板收纳部10的搬出搬入机器人从搬送机器人31接收基板9，并将基板9收纳至基板收纳部10(步骤S9)。
如以上所述，在所述基板处理装置1中，根据翘曲计量部20的计量结果，选择涂布部40的第一载台41及第二载台42中适合于翘曲状态的载台来使用。因此，可在各载台中，适当地矫正基板9的翘曲，并在矫正了翘曲的基板9的上表面涂布抗蚀剂液。特别是可在具有多个吸附垫424的第二载台42中，矫正难以通过第一载台41的吸附槽415矫正的凸状的翘曲。
另外，在本实施方式的基板处理装置1中，在翘曲计量部20中利用定位机构23对基板9进行了定位，然后计量翘曲状态。因此，可高精度地计量基板9的翘曲状态。另外，通过利用激光位移计22进行扫描，能够以非接触方式计量基板9的翘曲状态。另外，通过使用三个激光位移计22，可在x方向及y方向此两个方向上，计量基板9的翘曲状态。因此，可高精度地选择第一载台41及第二载台42中适合于基板9的载台。
＜2.第二实施方式＞
继而，对本发明的第二实施方式进行说明。第二实施方式与上文所述的第一实施方式的不同之处在于：涂布部的第二载台的结构、以及涂布部具有腔室。以下，以与第一实施方式的不同点为中心进行说明，关于与第一实施方式同等的结构及处理，省略重复说明。
图11～图13是第二实施方式的第二载台45的纵剖面图。如图11～图13所示，第二实施方式的第二载台45具有平坦的上表面450。另外，第二载台45包括多个升降销451。多个升降销451沿x方向及y方向等间隔地配置。另外，多个升降销451在图11所示的上升位置与图12及图13所示的下降位置之间升降移动。在上升位置，升降销451的上端部向比第二载台45的上表面450更靠上方处突出。在下降位置，升降销451的上端部向比第二载台45的上表面450更靠下方处退避。
在将基板9配置于第二载台45上时，首先，如图11那样，搬送机器人31将基板9载置于上升位置的多个升降销451上。其后，如图12那样，多个升降销451从上升位置移动至下降位置。由此，将基板9载置于第二载台45的上表面450。
另外，第二载台45具有多个吸附孔452。多个吸附孔452沿x方向及y方向等间隔地配置。各吸附孔452沿上下方向贯通第二载台45。如图11～图13所示，多个吸附孔452经由抽吸配管453连接于图外的真空源。另外，在抽吸配管453的路径上设置有开闭阀454。因此，当将开闭阀454开放时，气体从多个吸附孔452经由抽吸配管453被抽吸至真空源。由此，在各吸附孔452产生比大气压低的负压。
另外，第二载台45在上表面具有多个吸附槽455。多个吸附槽455沿着x方向及y方向呈格栅状设置。即，多个吸附槽455包括沿x方向延伸的多个吸附槽455、以及沿y方向延伸的多个吸附槽455。上文所述的吸附孔452的上端部在沿x方向延伸的吸附槽455与沿y方向延伸的吸附槽455交叉的位置开口。因此，当开闭阀454开放时，不仅在多个吸附孔452，而且在多个吸附槽455也产生负压。第二载台45的上表面450上所载置的基板9由于所述负压而被吸附槽455吸附。
如此，第二实施方式的第二载台45不包括四个夹具416，除此方面以外，具有与第一实施方式的第一载台41同等的结构。
另外，第二实施方式的涂布部40包括位于第二载台45的上方的腔室46、以及使腔室46升降移动的升降机构47。腔室46是向下方打开的杯状的耐压容器。腔室46在其下端部具有矩形形状的开口。另外，腔室46在所述开口的周围具有矩形形状的O形环461。O形环461包含橡胶等具有弹性的材料。
升降机构47例如包括气缸。升降机构47由控制部70进行动作控制。当使升降机构47运行时，腔室46在图11～图12所示的上位置与图13所示的下位置之间升降移动。在上位置，腔室46位于比由上升位置的多个升降销451支撑的基板9更靠上方处。在搬送机器人31将基板9搬送至第二载台45时，腔室46在上位置处待机。
在升降销451下降并将基板9载置于第二载台45的上表面450之后，利用升降机构47，腔室46从上位置移动至下位置。于是，如图13那样，基板9的上表面被腔室46覆盖。而且，腔室46的O形环461与基板9的周缘部的上表面接触。由此，在基板9与腔室46之间形成密闭空间460。
另外，如图11～图13所示，腔室46经由供气配管462连接于高压气体供给源463。另外，在供气配管462的路径上设置有开闭阀464。因此，当在如图13那样形成了密闭空间460的状态下将开闭阀464开放时，从高压气体供给源463经由供气配管462向密闭空间460供给比大气压高压的气体。因此，在基板9是凸状基板的情况下，通过基板9的上表面被高压的气体按压，来矫正基板9的凸状的翘曲。此外，高压的气体可为清洁干燥空气，或者也可为氮气等惰性气体。
在所述第二实施方式中，基板9的周缘部并非被夹具，而是被腔室46的O形环461推压于第二载台45的上表面。因此，基板9的周缘部的下表面良好地吸附于吸附槽455。另外，基板9的中央部被高压的气体向基板9的上表面推压。因此，基板9的中央部的下表面也良好地吸附于吸附槽455。其结果，可使基板9的下表面整体与第二载台45的上表面密接。
如图11～图13所示，在抽吸配管453的路径上设置有压力计456。压力计456的计量值被发送至控制部70。若基板9的下表面被吸附槽455正常地吸附，则压力计456的计量值比预先设定的阈值低。由此，控制部70检测到基板9的下表面被吸附槽455正常地吸附。即，压力计456作为“吸附检测部”发挥功能，所述“吸附检测部”检测在第二载台45中，吸附槽455相对于基板9的下表面的吸附是否正常地进行。
控制部70当检测到基板9的下表面被吸附槽455正常地吸附时，再次将开闭阀464封闭。然后，利用升降机构47使腔室46从下降位置上升至上升位置。即便腔室46移动至上升位置，暂时正常地吸附于吸附槽455的基板9也维持于正常的吸附状态。其后，与第一实施方式同样地，利用狭缝喷嘴43进行抗蚀剂液的涂布处理。
在所述第二实施方式中，将根据翘曲计量部20的计量结果而判别为凸状基板的基板9搬送至上文所述的第二载台45。然后，在第二载台45中，通过高压的气体来矫正基板9的凸状的翘曲。因此，可在矫正了翘曲的基板9的上表面涂布抗蚀剂液。
＜3.第三实施方式＞
继而，对本发明的第三实施方式进行说明。图14是表示第三实施方式的基板处理装置1的一部分的平面图。
在上文所述的第一实施方式中，涂布部40的第一载台41及第二载台42的位置被固定。而且，搬送机器人31能够将基板9搬送至第一载台41的位置与第二载台42的位置。
相对于此，在第三实施方式中，第一载台41与第二载台42由分体的石材形成。而且，如图14所示，涂布部40包括使第一载台41及第二载台42各别地移动的载台移动机构48。载台移动机构48由控制部70进行动作控制。载台移动机构48可使第一载台41在供搬送基板9的处理位置P0与第一待机位置P1之间移动。另外，载台移动机构48可使第二载台42在所述处理位置P0与第二待机位置P2之间移动。
在所述第三实施方式中，根据翘曲计量部20的计量结果，载台移动机构48选择性地将第一载台41与第二载台42中的任一者配置于处理位置P0。然后，搬送机器人31将基板9搬送至配置于处理位置P0的载台。若如此，则可在不变更基于搬送机器人31的基板9的搬送目的地的位置的情况下，选择性将基板9搬送至第一载台41或者第二载台42。
＜4.变形例＞
以上，对第一实施方式～第三实施方式进行了说明，但本发明并不限定于所述实施方式。
在所述实施方式中，翘曲计量部20包括三个激光位移计22。然而，翘曲计量部20所包括的激光位移计22的数量也可为三个以外。另外，翘曲计量部20也可利用激光位移计22以外的部件来计量基板9的翘曲状态。另外，在所述实施方式中，通过计量基板9的上表面的高度，计量了基板9的翘曲状态。然而，也可通过计量基板9的下表面的高度来计量基板9的翘曲状态。
另外，在所述例子中，在第二实施方式的第二载台45连接有作为吸附检测部的压力计456。然而，也可在第一实施方式的第一载台41及第二载台42也连接有同样的压力计456。而且，控制部70也可基于所述压力计456的计量值，检测相对于基板9的下表面的吸附是否正常地进行。
另外，在所述实施方式中，第一载台41及第二载台42、第二载台45用于对基板9涂布抗蚀剂液的工序。然而，第一载台41及第二载台42、第二载台45也可用于对基板9涂布抗蚀剂液以外的处理液的工序、或进行涂布以外的处理的工序。
另外，在所述实施方式中，说明了对半导体封装用的基板9进行处理的装置。然而，本发明的基板处理装置及基板处理方法也可对半导体晶片、液晶显示装置用基板、光掩模等其他基板进行处理。
另外，基板处理装置的细节部分也可与本申请的各图所示的结构不同。另外，也可在不产生矛盾的范围内，将所述实施方式或变形例中出现的各元件适宜地组合。

Claims (20)

1.一种基板处理装置，其是对基板进行规定的处理的基板处理装置，包括：
第一载台，具有平坦的上表面以及设置于所述上表面的多个吸附槽，并通过所述多个吸附槽吸附并保持基板的下表面；
第二载台，具有平坦的上表面以及包含弹性材料的多个吸附垫，并通过所述多个吸附垫吸附并保持基板的下表面；
翘曲计量部，计量基板的翘曲状态；以及
搬送机构，根据所述翘曲计量部的计量结果，将基板搬送至所述第一载台或者所述第二载台。
2.一种基板处理装置，其是对基板进行规定的处理的基板处理装置，包括：
第一载台，具有平坦的上表面以及设置于所述上表面的多个吸附槽，并通过所述多个吸附槽吸附并保持基板的下表面；
第二载台，具有平坦的上表面以及设置于所述上表面的多个吸附槽，并通过所述多个吸附槽吸附并保持基板的下表面；
腔室，覆盖所述第二载台的所述上表面上所载置的基板，并且向在与基板之间所形成的空间供给高压的气体；
翘曲计量部，计量基板的翘曲状态；以及
搬送机构，根据所述翘曲计量部的计量结果，将基板搬送至所述第一载台或者所述第二载台。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其中，
所述翘曲计量部包括激光位移计，
所述激光位移计在计量与基板的表面的距离的同时沿着基板的表面移动。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，
所述翘曲计量部包括沿着基板的表面相互平行地移动的多个所述激光位移计。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述翘曲计量部包括定位机构，
所述定位机构在计量载台上对基板进行定位。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置，其中，
根据所述翘曲计量部的计量结果，在基板具有凹状的翘曲的情况下，所述搬送机构将基板搬送至所述第一载台，
根据所述翘曲计量部的计量结果，在基板具有凸状的翘曲的情况下，所述搬送机构将基板搬送至所述第二载台。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的基板处理装置，其中，
所述第一载台包括夹具，
所述夹具将基板的周缘部推压于所述第一载台的上表面。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的基板处理装置，还包括狭缝喷嘴，
所述狭缝喷嘴沿着由所述第一载台或者所述第二载台保持的基板的上表面移动，同时从狭缝状的喷出口向基板的上表面喷出处理液。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的基板处理装置，还包括吸附检测部，
所述吸附检测部检测在所述第一载台或者所述第二载台中，相对于基板的下表面的吸附是否正常地进行。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的基板处理装置，还包括载台移动机构，
所述载台移动机构根据所述翘曲计量部的计量结果，使所述第一载台或者所述第二载台移动至基于所述搬送机构的基板的搬送目的地。
11.一种基板处理方法，其是对基板进行规定的处理的基板处理方法，包括：
a)计量基板的翘曲状态的工序；以及
b)根据所述工序a)的计量结果，将基板搬送至第一载台或者第二载台的工序，
所述第一载台是具有平坦的上表面以及设置于所述上表面的多个吸附槽，并通过所述多个吸附槽吸附并保持基板的下表面的载台，
所述第二载台是具有平坦上表面以及包含弹性材料的多个吸附垫，并通过所述多个吸附垫吸附并保持基板的下表面的载台。
12.一种基板处理方法，其是对基板进行规定的处理的基板处理方法，执行以下工序，
a)计量基板的翘曲状态的工序；以及
b)根据所述工序a)的计量结果，将基板搬送至第一载台或者第二载台的工序，
所述第一载台是具有平坦的上表面以及设置于所述上表面的多个吸附槽，并通过所述多个吸附槽吸附并保持基板的下表面的载台，
所述第二载台是具有平坦的上表面以及设置于所述上表面的多个吸附槽，并通过所述多个吸附槽吸附并保持基板的下表面的载台，
在基板被搬送至所述第二载台的情况下，
进一步执行c)利用腔室覆盖所述第二载台的所述上表面上所载置的基板，并且向在与基板之间所形成的空间供给高压的气体的工序。
13.根据权利要求11或12所述的基板处理方法，其中，
在所述工序a)中，利用激光位移计来计量与基板的表面的距离，同时使所述激光位移计沿着基板的表面移动。
14.根据权利要求13所述的基板处理方法，
在所述工序a)中，使多个所述激光位移计沿着基板的表面相互平行地移动。
15.根据权利要求11至14中任一项所述的基板处理方法，其中，
在所述工序a)中，在计量载台上对基板进行定位。
16.根据权利要求11至15中任一项所述的基板处理方法，其中，
根据所述工序a)的计量结果，在基板具有凹状的翘曲的情况下，在所述工序b)中，将基板搬送至所述第一载台，
根据所述工序a)的计量结果，在基板具有凸状的翘曲的情况下，在所述工序b)中，将基板搬送至所述第二载台。
17.根据权利要求11至16中任一项所述的基板处理方法，其中，
在基板被搬送至所述第一载台的情况下，
进一步执行d)利用夹具将基板的周缘部推压于所述第一载台的上表面的工序。
18.根据权利要求11至17中任一项所述的基板处理方法，其中，
进一步执行以下工序：
e)在将基板保持于所述第一载台或者所述第二载台之后，使狭缝喷嘴沿着基板的上表面移动，同时从所述狭缝喷嘴所具有的狭缝状的喷出口向基板的上表面喷出处理液。
19.根据权利要求11至18中任一项所述的基板处理方法，其中，
进一步执行以下工序：
f)检测在所述第一载台或者所述第二载台中，相对于基板的下表面的吸附是否正常地进行。
20.根据权利要求11至19中任一项所述的基板处理方法，其中，
在所述工序b)中，根据所述工序a)的计量结果，使所述第一载台或者所述第二载台移动至基板的搬送目的地。
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