TWI808450B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種基板處理裝置及基板處理方法，其可適當地矯正基板的兩種翹曲，同時保持基板並對基板進行處理。所述基板處理裝置1包括：翹曲計量部20、搬送機構30、第一載台41、以及第二載台42。第一載台41藉由多個吸附槽吸附並保持基板9的下表面。第二載台42藉由包含彈性材料的多個吸附墊吸附並保持基板的下表面。翹曲計量部20計量基板9的翹曲狀態。搬送機構30根據翹曲計量部20的計量結果，將基板9搬送至第一載台41或者第二載台42。由此，可選擇第一載台41及第二載台42中適合於基板9的翹曲狀態的載台來使用。因此，可適當地矯正基板9的翹曲，同時進行對基板9的處理。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明關於一種對基板進行規定的處理的基板處理裝置及基板處理方法。
以往，在半導體封裝等基板的製造步驟中，為了微影處理，在基板的上表面塗布抗蝕劑液。在所述步驟中，首先，在載台的上表面載置基板。在載台的上表面設置有多個吸附槽。基板的下表面藉由被所述吸附槽吸附而保持於載台的上表面。然後，在載台的上表面上所保持的基板的上表面塗布抗蝕劑液。關於進行此種處理的現有的裝置，例如記載於專利文獻1。 [現有技術文獻] [專利文獻]
日本專利特開2017-112197號公報
[發明所要解決的問題] 然而，作為處理對象的基板並非完全平坦，而是具有輕微的翹曲（彎曲）。因此，為了使基板正常地吸附於載台的上表面，需要矯正基板的翹曲。但是，在作為處理對象的多個基板中，有時混合存在具有中央部比周緣部低的凹狀的翹曲的基板、與具有中央部比周緣部高的凸狀的翹曲的基板。因此，在包括單一的矯正機構的一個載台中，難以適當地矯正所述兩種翹曲。
本發明是鑒於此種情況而成，其目的在於提供一種基板處理裝置及基板處理方法，其可適當地矯正基板的兩種翹曲，同時保持基板並對基板進行處理。 [解決問題的技術手段]
為了解決所述問題，本申請的第一發明是一種基板處理裝置，其是對基板進行規定的處理的基板處理裝置，包括：第一載台，具有平坦的上表面以及設置於所述上表面的多個吸附槽，並藉由所述多個吸附槽吸附並保持基板的下表面；第二載台，具有平坦的上表面以及包含彈性材料的多個吸附墊，並藉由所述多個吸附墊吸附並保持基板的下表面；翹曲計量部，計量基板的翹曲狀態；以及搬送機構，根據所述翹曲計量部的計量結果，將基板搬送至所述第一載台或者所述第二載台。
本申請的第二發明是一種基板處理裝置，其是對基板進行規定的處理的基板處理裝置，包括：第一載台，具有平坦的上表面以及設置於所述上表面的多個吸附槽，並藉由所述多個吸附槽吸附並保持基板的下表面；第二載台，具有平坦的上表面以及設置於所述上表面的多個吸附槽，並藉由所述多個吸附槽吸附並保持基板的下表面；腔室，覆蓋所述第二載台的所述上表面上所載置的基板，並且向在與基板之間所形成的空間供給高壓的氣體；翹曲計量部，計量基板的翹曲狀態；以及搬送機構，根據所述翹曲計量部的計量結果，將基板搬送至所述第一載台或者所述第二載台。
本申請的第三發明是第一發明或第二發明的基板處理裝置，其中，所述翹曲計量部包括雷射位移計，所述雷射位移計在計量與基板的表面的距離的同時沿著基板的表面移動。
本申請的第四發明是第三發明的基板處理裝置，其中，所述翹曲計量部包括沿著基板的表面相互平行地移動的多個所述雷射位移計。
本申請的第五發明是第一發明至第四發明中任一發明的基板處理裝置，其中，所述翹曲計量部包括定位機構，所述定位機構在計量載台上對基板進行定位。
本申請的第六發明是第一發明至第五發明中任一發明的基板處理裝置，其中，根據所述翹曲計量部的計量結果，在基板具有凹狀的翹曲的情況下，所述搬送機構將基板搬送至所述第一載台，根據所述翹曲計量部的計量結果，在基板具有凸狀的翹曲的情況下，所述搬送機構將基板搬送至所述第二載台。
本申請的第七發明是第一發明至第六發明中任一發明的基板處理裝置，其中，所述第一載台包括夾具，所述夾具將基板的周緣部推壓於所述第一載台的上表面。
本申請的第八發明是第一發明至第七發明中任一發明的基板處理裝置，還包括狹縫噴嘴，所述狹縫噴嘴沿著由所述第一載台或者所述第二載台保持的基板的上表面移動，同時從狹縫狀的噴出口向基板的上表面噴出處理液。
本申請的第九發明是第一發明至第八發明中任一發明的基板處理裝置，還包括吸附檢測部，所述吸附檢測部檢測在所述第一載台或者所述第二載台中，相對於基板的下表面的吸附是否正常地進行。
本申請的第十發明是第一發明至第九發明中任一發明的基板處理裝置，還包括載台移動機構，所述載台移動機構根據所述翹曲計量部的計量結果，使所述第一載台或者所述第二載台移動至基於所述搬送機構的基板的搬送目的地。
本申請的第十一發明是一種基板處理方法，其是對基板進行規定的處理的基板處理方法，包括：a）計量基板的翹曲狀態的步驟；以及b）根據所述步驟a）的計量結果，將基板搬送至第一載台或者第二載台的步驟，所述第一載台是具有平坦的上表面以及設置於所述上表面的多個吸附槽，並藉由所述多個吸附槽吸附並保持基板的下表面的載台，所述第二載台是具有平坦上表面以及包含彈性材料的多個吸附墊，並藉由所述多個吸附墊吸附並保持基板的下表面的載台。
本申請的第十二發明是一種基板處理方法，其是對基板進行規定的處理的基板處理方法，執行以下步驟，a）計量基板的翹曲狀態的步驟；以及b）根據所述步驟a）的計量結果，將基板搬送至第一載台或者第二載台的步驟，所述第一載台是具有平坦的上表面以及設置於所述上表面的多個吸附槽，並藉由所述多個吸附槽吸附並保持基板的下表面的載台，所述第二載台是具有平坦的上表面以及設置於所述上表面的多個吸附槽，並藉由所述多個吸附槽吸附並保持基板的下表面的載台，在基板被搬送至所述第二載台的情況下，進一步執行c）利用腔室覆蓋所述第二載台的所述上表面上所載置的基板，並且向在與基板之間所形成的空間供給高壓的氣體的步驟。
本申請的第十三發明是第十一發明或第十二發明的基板處理方法，其中，在所述步驟a）中，利用雷射位移計來計量與基板的表面的距離，同時使所述雷射位移計沿著基板的表面移動。
本申請的第十四發明是第十三發明的基板處理方法，在所述步驟a）中，使多個所述雷射位移計沿著基板的表面相互平行地移動。
本申請的第十五發明是第十一發明至第十四發明中任一發明的基板處理方法，其中，在所述步驟a）中，在計量載台上對基板進行定位。
本申請的第十六發明是第十一發明至第十五發明中任一發明的基板處理方法，其中，根據所述步驟a）的計量結果，在基板具有凹狀的翹曲的情況下，在所述步驟b）中，將基板搬送至所述第一載台，根據所述步驟a）的計量結果，在基板具有凸狀的翹曲的情況下，在所述步驟b）中，將基板搬送至所述第二載台。
本申請的第十七發明是第十一發明至第十六發明中任一發明的基板處理方法，其中，在基板被搬送至所述第一載台的情況下，進一步執行d）利用夾具將基板的周緣部推壓於所述第一載台的上表面的步驟。
本申請的第十八發明是第十一發明至第十七發明中任一發明的基板處理方法，其中，進一步執行以下步驟：e）在將基板保持於所述第一載台或者所述第二載台之後，使狹縫噴嘴沿著基板的上表面移動，同時從所述狹縫噴嘴所具有的狹縫狀的噴出口向基板的上表面噴出處理液。
本申請的第十九發明是第十一發明至第十八發明中任一發明的基板處理方法，其中，進一步執行以下步驟：f）檢測在所述第一載台或者所述第二載台中，相對於基板的下表面的吸附是否正常地進行。
本申請的第二十發明是第十一發明至第十九發明中任一發明的基板處理方法，其中，在所述步驟b）中，根據所述步驟a）的計量結果，使所述第一載台或者所述第二載台移動至基板的搬送目的地。 [發明的效果]
根據本申請的第一發明～第二十發明，可選擇第一載台及第二載台中適合於基板的翹曲狀態的載台來使用。因此，可適當地矯正基板的翹曲，同時進行對基板的處理。
特別是根據本申請的第三發明及第十三發明，藉由利用雷射位移計進行掃描，能夠以非接觸方式計量基板的翹曲狀態。
特別是根據本申請的第四發明及第十四發明，可計量基板的兩個方向的翹曲狀態。
特別是根據本申請的第五發明及第十五發明，可在對基板進行了定位的狀態下，高精度地計量基板的翹曲狀態。
特別是根據本申請的第六發明及第十六發明，可將具有難以藉由吸附槽矯正的凸狀的翹曲的基板搬送至第二載台，並在矯正翹曲的同時加以保持。
特別是根據本申請的第八發明及第十八發明，可在藉由由第一載台或者第二載台保持而矯正了翹曲的基板的上表面塗布處理液。
特別是根據本申請的第九發明及第十九發明，可探測是否可正常地吸附並保持基板的下表面。
特別是根據本申請的第十發明及第二十發明，可在不變更基板的搬送目的地的位置的情況下，選擇性地將基板搬送至第一載台或者第二載台。
以下，參照附圖對本發明的實施方式進行說明。
＜1.第一實施方式＞ ＜1-1.基板處理裝置的整體結構＞ 圖1是本發明第一實施方式的基板處理裝置1的概略平面圖。所述基板處理裝置1是在半導體封裝的製造步驟中所使用的裝置。基板處理裝置1對半導體封裝用的矩形的基板9進行抗蝕劑液的塗布、減壓乾燥及烘烤處理。如圖1所示，基板處理裝置1包括：基板收納部10、翹曲計量部20、搬送機構30、塗布部40、減壓乾燥部50、烘烤部60、及控制部70。
基板收納部10是收納處理前及處理後的基板9的單元。在基板收納部10配置多個收容多個基板9的載體。另外，基板收納部10包括省略了圖示的搬出搬入機器人。搬出搬入機器人從基板收納部10內的載體搬出處理前的基板9，並移送至翹曲計量部20。另外，搬出搬入機器人從後述的搬送機器人31接收處理後的基板，並搬入至基板收納部10內的載體。
翹曲計量部20是用以計量基板9的翹曲狀態的單元。如圖1所示，翹曲計量部20包括計量載台21以及三個雷射位移計22。基板9藉由上文所述的搬出搬入機器人從基板收納部10搬出，並載置於計量載台21上。翹曲計量部20利用三個雷射位移計22來計量載置於計量載台21上的基板9的翹曲狀態。雷射位移計22的計量結果從翹曲計量部20發送至控制部70。
關於翹曲計量部20的更詳細的結構，將在之後敘述。
搬送機構30是在翹曲計量部20、塗布部40、減壓乾燥部50、及烘烤部60之間搬送基板9的機構。搬送機構30包括搬送機器人31。搬送機器人31配置於由翹曲計量部20、塗布部40、減壓乾燥部50、及烘烤部60包圍的搬送空間。搬送機器人31例如包括保持基板9的機械手、以及使機械手沿上下方向及水平方向移動的機械臂。
搬送機器人31將在翹曲計量部20中完成了計量的基板9從翹曲計量部20搬送至塗布部40。另外，搬送機器人31將塗布部40中的完成了處理的基板9從塗布部40搬送至減壓乾燥部50。另外，搬送機器人31將減壓乾燥部50中的完成了處理的基板9從減壓乾燥部50搬送至烘烤部60。另外，搬送機器人31將烘烤部60中的完成了處理的基板9從烘烤部60再次搬送至翹曲計量部20，並交接至基板收納部10的搬出搬入機器人。
塗布部40是在基板9的上表面塗布作為處理液的抗蝕劑液的單元。如圖1所示，塗布部40包括：第一載台41、第二載台42及狹縫噴嘴43。第一載台41及第二載台42包含具有平坦的上表面的一體的石材。搬送機器人31根據在翹曲計量部20中計量的翹曲狀態，將基板9搬送至第一載台41及第二載台42的任一者。基板9載置於第一載台41或者第二載台42的上表面，並藉由吸附於第一載台41或者第二載台42的上表面而被保持。
關於第一載台41及第二載台42的更詳細的結構，將在之後敘述。
狹縫噴嘴43是向由第一載台41或者第二載台42保持的基板9的上表面噴出抗蝕劑液的噴嘴。狹縫噴嘴43在以夾著第一載台41及第二載台42的方式設置的一對待機部44之間，沿著第一載台41及第二載台42的上表面移動。另外，在狹縫噴嘴43的下端部設置有狹縫狀的噴出口，所述狹縫狀的噴出口沿與狹縫噴嘴43的移動方向正交的方向延伸。狹縫噴嘴43沿著由第一載台41或者第二載台42保持的基板9的上表面移動，同時從噴出口向基板9的上表面噴出抗蝕劑液。由此，在基板9的上表面塗布抗蝕劑液。
減壓乾燥部50是用以使基板9的上表面上所塗布的抗蝕劑液乾燥的單元。減壓乾燥部50包括能夠密閉的減壓室51、以及與減壓室51連接的減壓機構（省略圖示）。當將基板9搬入至減壓室51內，並使減壓機構運行時，從減壓室51的內部吸出氣體，從而減壓室51內的氣壓下降。由此，基板9的上表面上所塗布的抗蝕劑液中的溶劑氣化。其結果，抗蝕劑液乾燥，從而在基板9的上表面形成抗蝕劑膜。
烘烤部60是藉由加熱而使基板9的上表面上所形成的抗蝕劑膜固化的單元。烘烤部60包括烘烤室61、以及配置於烘烤室61內的加熱板62。加熱板62保持於比環境溫度高的規定的溫度。搬入至烘烤室61內的基板9載置於加熱板62的上表面。由此，將基板9加熱，將殘留於抗蝕劑膜中的溶劑成分去除。另外，抗蝕劑膜相對於基板9的密接性提高。
控制部70是用以對基板處理裝置1內的各部進行動作控制的單元。圖2是表示控制部70與基板處理裝置1內的各部的電連接的方塊圖。如圖2中概念性地所示，控制部70包括電腦，所述電腦包括中央處理器（Center Processing Unit，CPU）等處理器71、隨機存取存儲器（Random Access Memory，RAM）等存儲器72及硬碟驅動器等存儲部73。
另外，控制部70分別與上文所述的基板收納部10（包括搬出搬入機器人）、翹曲計量部20（包括雷射位移計22、後述的掃描機構24、及後述的氣缸231～氣缸234）、搬送機構30（包括搬送機器人31）、塗布部40（包括狹縫噴嘴43、後述的升降銷411、升降銷421、後述的開閉閥414、開閉閥426及後述的夾具416、夾具427）、減壓乾燥部50（包括減壓機構）及烘烤部60（包括加熱板62）電連接。控制部70藉由根據電腦程式及各種數據使CPU運行，來對所述各部進行動作控制。由此，進行基板處理裝置1的基板9的處理。
＜1-2.翹曲計量部的結構＞ 繼而，對翹曲計量部20的更詳細的結構進行說明。圖3是翹曲計量部20的俯視圖。圖4是翹曲計量部20的側面圖。如圖3及圖4所示，翹曲計量部20包括：計量載台21、三個雷射位移計22、及定位機構23。此外，在圖3中，以箭頭示出了x方向及y方向。x方向及y方向均是水平方向。另外，x方向與y方向相互正交。
計量載台21是具有平坦的上表面211的矩形形狀的台。計量載台21包括從上表面211向上方突出的多個支撐銷212。多個支撐銷212沿x方向及y方向等間隔地排列。基板9載置於這些支撐銷212上。
定位機構23是將由多個支撐銷212支撐的基板9定位於一定的位置及姿勢的機構。定位機構23包括四個氣缸231～234。四個氣缸231～234中的兩個氣缸231、232在矩形形狀的基板9的一個頂點附近，將基板9分別向+x方向及+y方向按壓。另外，其他兩個氣缸233、234在基板9的位於與所述頂點為對角位置的其他頂點附近，將基板9分別向-x方向及-y方向按壓。由此，基板9沿x方向及y方向被定位。
雷射位移計22是以非接觸方式計量基板9的上表面的高度的傳感器。雷射位移計22向基板9的上表面射出雷射，並檢測從基板9的上表面反射的光的位移量。由此，根據三角測量的原理，計量雷射位移計22與基板9的上表面之間的上下方向上的距離。
另外，翹曲計量部20包括使雷射位移計22移動的掃描機構24。掃描機構24使雷射位移計22沿著基板9的表面在y方向上移動。在計量基板9的翹曲狀態時，利用雷射位移計22執行計量，同時利用掃描機構24使雷射位移計22沿y方向移動。由此，計量基板9的上表面的高度在y方向上的變化。因此，可計量基板9在y方向上的翹曲狀態。
另外，本實施方式的翹曲計量部20包括三個雷射位移計22。三個雷射位移計22沿x方向等間隔地配置。三個雷射位移計22計量與基板9的上表面的距離，同時沿著y方向相互平行地移動。因此，藉由比較三個雷射位移計22的計量值，可知基板9的上表面的高度在x方向上的變化。即，可計量基板9在x方向上的翹曲狀態。如此，本實施方式的翹曲計量部20可在x方向及y方向這兩個方向上，計量基板9的翹曲狀態。
＜1-3.第一載台及第二載台的結構＞ 繼而，對第一載台41及第二載台42的更詳細的結構進行說明。圖5是第一載台41及第二載台42的俯視圖。圖6及圖7是第一載台41的縱剖面圖。圖8及圖9是第二載台42的縱剖面圖。此外，在圖5～圖9中，與圖3～圖4同樣地，以箭頭示出了x方向及y方向。
首先，對第一載台41的結構進行說明。如圖6及圖7所示，第一載台41具有平坦的上表面410。另外，第一載台41包括多個升降銷411（在圖5中省略圖示）。多個升降銷411沿x方向及y方向等間隔地配置。另外，多個升降銷411在圖6所示的上升位置與圖7所示的下降位置之間升降移動。在上升位置，升降銷411的上端部向比第一載台41的上表面410更靠上方處突出。在下降位置，升降銷411的上端部向比第一載台41的上表面410更靠下方處退避。
在將基板9配置於第一載台41上時，首先，如圖6那樣，搬送機器人31將基板9載置於上升位置的多個升降銷411上。其後，如圖7那樣，多個升降銷411從上升位置移動至下降位置。由此，將基板9載置於第一載台41的上表面410。
另外，第一載台41具有多個吸附孔412。多個吸附孔412沿x方向及y方向等間隔地配置。各吸附孔412沿上下方向貫通第一載台41。如圖6及圖7所示，多個吸附孔412經由抽吸配管413連接於圖外的真空源。另外，在抽吸配管413的路徑上設置有開閉閥414。因此，當將開閉閥414開放時，氣體從多個吸附孔412經由抽吸配管413被抽吸至真空源。由此，在各吸附孔412產生比大氣壓低的負壓。
另外，第一載台41在上表面具有多個吸附槽415。多個吸附槽415沿著x方向及y方向呈格柵狀設置。即，多個吸附槽415包括沿x方向延伸的多個吸附槽415、以及沿y方向延伸的多個吸附槽415。上文所述的吸附孔412的上端部在沿x方向延伸的吸附槽415與沿y方向延伸的吸附槽415交叉的位置開口。因此，當開閉閥414開放時，不僅在多個吸附孔412，而且在多個吸附槽415也產生負壓。
第一載台41的上表面410上所載置的基板9由於所述負壓而被吸附槽415吸附。而且，基板9的下表面與第一載台41的上表面410密接。由此，將基板9保持於第一載台41的上表面410。
另外，第一載台41包括四個夾具416。在將基板9載置於第一載台41的上表面410之後，四個夾具416接近基板9的周緣部。具體而言，四個夾具416分別接近矩形形狀的基板9的四個邊。然後，各夾具416將基板9的周緣部推壓於第一載台41的上表面410。由此，可抑制基板9的周緣部從第一載台41浮起。
繼而，對第二載台42的結構進行說明。如圖8及圖9所示，第二載台42具有平坦的上表面420。另外，第二載台42包括多個升降銷421（在圖5中省略圖示）。多個升降銷421沿x方向及y方向等間隔地配置。另外，多個升降銷421在圖8所示的上升位置與圖9所示的下降位置之間升降移動。在上升位置，升降銷421的上端部向比第二載台42的上表面420更靠上方處突出。在下降位置，升降銷421的上端部向比第二載台42的上表面420更靠下方處退避。
在將基板9配置於第二載台42上時，首先，如圖8那樣，搬送機器人31將基板9載置於上升位置的多個升降銷421上。其後，如圖9那樣，多個升降銷421從上升位置移動至下降位置。由此，將基板9載置於第二載台42的上表面420。
另外，第二載台42具有多個縱孔422、多個抽吸管423、及多個吸附墊424。多個縱孔422沿x方向及y方向等間隔地配置。各縱孔422沿上下方向貫通第二載台42。抽吸管423是沿上下方向延伸的圓筒狀的管。抽吸管423分別插入至多個縱孔422。
多個吸附墊424是包含橡膠等彈性材料的圓環狀的構件。吸附墊424分別安裝於多個抽吸管423的上端部。吸附墊424具有蛇腹狀的側面。因此，吸附墊424能夠沿上下方向伸縮。在未保持基板9的狀態下，如圖7那樣，吸附墊424的上端向比第二載台42的上表面420稍靠上方處突出。
如圖8及圖9所示，多個抽吸管423的下端部經由抽吸配管425連接於圖外的真空源。另外，在抽吸配管425的路徑上設置有開閉閥426。因此，當將開閉閥426開放時，氣體從抽吸管423經由抽吸配管425被抽吸至真空源。由此，在各抽吸管423及吸附墊424的內部產生比大氣壓低的負壓。
第二載台42的上表面420上所載置的基板9由於所述負壓而被吸附墊424吸附。另外，吸附墊424藉由吸附於基板9，而沿上下方向收縮。其結果，如圖9那樣，基板9的下表面與第二載台42的上表面420接觸。由此，將基板9保持於第二載台42的上表面420。
另外，第二載台42包括四個夾具427。在將基板9載置於第二載台42的上表面420之後，四個夾具427接近基板9的周緣部。具體而言，四個夾具427分別接近矩形形狀的基板9的四個邊。然後，各夾具427將基板9的周緣部推壓於第二載台42的上表面420。由此，可抑制基板9的周緣部從第二載台42浮起。
＜1-4.基板處理裝置中的處理的流程＞ 繼而，對上文所述的基板處理裝置1中的處理的流程進行說明。圖10是表示所述處理的流程的流程圖。此外，以下，說明對一塊基板9的處理的流程。基板處理裝置1對多個基板9依次執行此種處理。
基板處理裝置1首先利用搬出搬入機器人取出收納於基板收納部10的基板9（步驟S1）。所取出的基板9配置於翹曲計量部20。具體而言，搬出搬入機器人將基板9載置於計量載台21上的多個支撐銷212上。另外，定位機構23將由多個支撐銷212支撐的基板9定位於一定的位置及姿勢。
繼而，翹曲計量部20利用三個雷射位移計22來計量基板9的翹曲狀態（步驟S2）。具體而言，使三個雷射位移計22沿著基板9的上表面移動，同時計量從雷射位移計22至基板9的上表面的距離。雷射位移計22的計量結果被發送至控制部70。控制部70基於三個雷射位移計22的計量結果，判別作為處理對象的基板9是具有中央部比周緣部低的凹狀的翹曲的基板（以下稱為“凹狀基板”），還是具有中央部比周緣部高的凸狀的翹曲的基板（以下稱為“凸狀基板”）。
當翹曲計量部20的計量完成後，搬送機器人31從翹曲計量部20取出基板9。然後，搬送機器人31將基板9搬送至塗布部40的第一載台41或者第二載台42（步驟S3）。此時，控制部70對搬送機器人31進行控制，以便根據步驟S2的計量結果將基板9搬送至第一載台41及第二載台42的任一者。具體而言，在判別為基板9是凹狀基板的情況下，利用搬送機器人31將所述基板9搬送至第一載台41。另外，在判別為基板9是凸狀基板的情況下，利用搬送機器人31將所述基板9搬送至第二載台42。
搬送至第一載台41的基板9首先載置於位於上升位置的多個升降銷411上。然後，藉由多個升降銷411從上升位置移動至下降位置，而將基板9載置於第一載台41的上表面410。然後，基板9的下表面被多個吸附槽415吸附並保持。另外，基板9的周緣部被四個夾具416推壓於第一載台41的上表面410。
如此，在第一載台41中，基板9的周緣部由夾具416固定。因此，在基板9是凹狀基板的情況下，所述基板9的周緣部下降至與基板9的中央部相同的高度。因此，可矯正基板9的凹狀的翹曲，同時保持基板9。另外，多個吸附槽415整體的面積比多個吸附墊424的開口面積大。因此，基板9的周緣部以外的部分藉由多個吸附槽415中產生的緩慢的負壓而被保持。因此，即便在基板9的剛性低的情況下，也可在抑制基板9的破裂的同時保持基板9。
搬送至第二載台42的基板9首先載置於位於上升位置的多個升降銷421上。然後，藉由多個升降銷421從上升位置移動至下降位置，基板9的下表面被多個吸附墊424吸附。然後，藉由吸附墊424沿上下方向收縮，基板9的下表面與第二載台42的上表面420接觸。另外，基板9的周緣部藉由四個夾具427固定於第二載台42的上表面420。
如此，在第二載台42中，基板9的周緣部以外的部分被吸附墊424吸附，並被向下方引入。因此，在基板9是凸狀基板的情況下，所述基板9的中央部下降至與基板9的周緣部相同的高度。因此，可矯正基板9的凸狀的翹曲，同時保持基板9。特別是第二載台42上的吸附墊424的數量比第一載台41上的吸附孔412的數量少。另外，多個吸附墊424的開口面積比多個吸附槽415的面積小。因此，在各吸附墊424產生強抽吸力。因此，即便在基板9的剛性高的情況下，也可矯正基板9的翹曲。
在將基板9保持於第一載台41或者第二載台42之後，狹縫噴嘴43沿著基板9的上表面移動，同時從狹縫狀的噴出口向基板9的上表面噴出抗蝕劑液。由此，在基板9的上表面塗布抗蝕劑液（步驟S4）。
當抗蝕劑液的塗布結束後，搬送機器人31從塗布部40取出基板9，並將基板9搬送至減壓乾燥部50（步驟S5）。然後，減壓乾燥部50進行藉由減壓而使基板9的上表面上所塗布的抗蝕劑液乾燥的減壓乾燥處理（步驟S6）。由此，在基板9的上表面形成抗蝕劑膜。
當減壓乾燥處理結束後，搬送機器人31從減壓乾燥部50取出基板9，並將基板9搬送至烘烤部60（步驟S7）。然後，烘烤部60進行利用加熱板62對基板9進行加熱的烘烤處理（步驟S8）。由此，將抗蝕劑膜中殘留的溶劑成分去除。另外，抗蝕劑膜相對於基板9的密接性提高。
當烘烤處理結束後，搬送機器人31從烘烤部60取出基板9，並再次將基板9搬送至翹曲計量部20。然後，基板收納部10的搬出搬入機器人從搬送機器人31接收基板9，並將基板9收納至基板收納部10（步驟S9）。
如以上所述，在所述基板處理裝置1中，根據翹曲計量部20的計量結果，選擇塗布部40的第一載台41及第二載台42中適合於翹曲狀態的載台來使用。因此，可在各載台中，適當地矯正基板9的翹曲，並在矯正了翹曲的基板9的上表面塗布抗蝕劑液。特別是可在具有多個吸附墊424的第二載台42中，矯正難以藉由第一載台41的吸附槽415矯正的凸狀的翹曲。
另外，在本實施方式的基板處理裝置1中，在翹曲計量部20中利用定位機構23對基板9進行了定位，然後計量翹曲狀態。因此，可高精度地計量基板9的翹曲狀態。另外，藉由利用雷射位移計22進行掃描，能夠以非接觸方式計量基板9的翹曲狀態。另外，藉由使用三個雷射位移計22，可在x方向及y方向此兩個方向上，計量基板9的翹曲狀態。因此，可高精度地選擇第一載台41及第二載台42中適合於基板9的載台。
＜2.第二實施方式＞ 繼而，對本發明的第二實施方式進行說明。第二實施方式與上文所述的第一實施方式的不同之處在於：塗布部的第二載台的結構、以及塗布部具有腔室。以下，以與第一實施方式的不同點為中心進行說明，關於與第一實施方式同等的結構及處理，省略重複說明。
圖11～圖13是第二實施方式的第二載台45的縱剖面圖。如圖11～圖13所示，第二實施方式的第二載台45具有平坦的上表面450。另外，第二載台45包括多個升降銷451。多個升降銷451沿x方向及y方向等間隔地配置。另外，多個升降銷451在圖11所示的上升位置與圖12及圖13所示的下降位置之間升降移動。在上升位置，升降銷451的上端部向比第二載台45的上表面450更靠上方處突出。在下降位置，升降銷451的上端部向比第二載台45的上表面450更靠下方處退避。
在將基板9配置於第二載台45上時，首先，如圖11那樣，搬送機器人31將基板9載置於上升位置的多個升降銷451上。其後，如圖12那樣，多個升降銷451從上升位置移動至下降位置。由此，將基板9載置於第二載台45的上表面450。
另外，第二載台45具有多個吸附孔452。多個吸附孔452沿x方向及y方向等間隔地配置。各吸附孔452沿上下方向貫通第二載台45。如圖11～圖13所示，多個吸附孔452經由抽吸配管453連接於圖外的真空源。另外，在抽吸配管453的路徑上設置有開閉閥454。因此，當將開閉閥454開放時，氣體從多個吸附孔452經由抽吸配管453被抽吸至真空源。由此，在各吸附孔452產生比大氣壓低的負壓。
另外，第二載台45在上表面具有多個吸附槽455。多個吸附槽455沿著x方向及y方向呈格柵狀設置。即，多個吸附槽455包括沿x方向延伸的多個吸附槽455、以及沿y方向延伸的多個吸附槽455。上文所述的吸附孔452的上端部在沿x方向延伸的吸附槽455與沿y方向延伸的吸附槽455交叉的位置開口。因此，當開閉閥454開放時，不僅在多個吸附孔452，而且在多個吸附槽455也產生負壓。第二載台45的上表面450上所載置的基板9由於所述負壓而被吸附槽455吸附。
如此，第二實施方式的第二載台45不包括四個夾具416，除此方面以外，具有與第一實施方式的第一載台41同等的結構。
另外，第二實施方式的塗布部40包括位於第二載台45的上方的腔室46、以及使腔室46升降移動的升降機構47。腔室46是向下方打開的杯狀的耐壓容器。腔室46在其下端部具有矩形形狀的開口。另外，腔室46在所述開口的周圍具有矩形形狀的O形環461。O形環461包含橡膠等具有彈性的材料。
升降機構47例如包括氣缸。升降機構47由控制部70進行動作控制。當使升降機構47運行時，腔室46在圖11～圖12所示的上位置與圖13所示的下位置之間升降移動。在上位置，腔室46位於比由上升位置的多個升降銷451支撐的基板9更靠上方處。在搬送機器人31將基板9搬送至第二載台45時，腔室46在上位置處待機。
在升降銷451下降並將基板9載置於第二載台45的上表面450之後，利用升降機構47，腔室46從上位置移動至下位置。於是，如圖13那樣，基板9的上表面被腔室46覆蓋。而且，腔室46的O形環461與基板9的周緣部的上表面接觸。由此，在基板9與腔室46之間形成密閉空間460。
另外，如圖11～圖13所示，腔室46經由供氣配管462連接於高壓氣體供給源463。另外，在供氣配管462的路徑上設置有開閉閥464。因此，當在如圖13那樣形成了密閉空間460的狀態下將開閉閥464開放時，從高壓氣體供給源463經由供氣配管462向密閉空間460供給比大氣壓高壓的氣體。因此，在基板9是凸狀基板的情況下，藉由基板9的上表面被高壓的氣體按壓，來矯正基板9的凸狀的翹曲。此外，高壓的氣體可為清潔乾燥空氣，或者也可為氮氣等惰性氣體。
在所述第二實施方式中，基板9的周緣部並非被夾具，而是被腔室46的O形環461推壓於第二載台45的上表面。因此，基板9的周緣部的下表面良好地吸附於吸附槽455。另外，基板9的中央部被高壓的氣體向基板9的上表面推壓。因此，基板9的中央部的下表面也良好地吸附於吸附槽455。其結果，可使基板9的下表面整體與第二載台45的上表面密接。
如圖11～圖13所示，在抽吸配管453的路徑上設置有壓力計456。壓力計456的計量值被發送至控制部70。若基板9的下表面被吸附槽455正常地吸附，則壓力計456的計量值比預先設定的閾值低。由此，控制部70檢測到基板9的下表面被吸附槽455正常地吸附。即，壓力計456作為“吸附檢測部”發揮功能，所述“吸附檢測部”檢測在第二載台45中，吸附槽455相對於基板9的下表面的吸附是否正常地進行。
控制部70當檢測到基板9的下表面被吸附槽455正常地吸附時，再次將開閉閥464封閉。然後，利用升降機構47使腔室46從下降位置上升至上升位置。即便腔室46移動至上升位置，暫時正常地吸附於吸附槽455的基板9也維持於正常的吸附狀態。其後，與第一實施方式同樣地，利用狹縫噴嘴43進行抗蝕劑液的塗布處理。
在所述第二實施方式中，將根據翹曲計量部20的計量結果而判別為凸狀基板的基板9搬送至上文所述的第二載台45。然後，在第二載台45中，藉由高壓的氣體來矯正基板9的凸狀的翹曲。因此，可在矯正了翹曲的基板9的上表面塗布抗蝕劑液。
＜3.第三實施方式＞ 繼而，對本發明的第三實施方式進行說明。圖14是表示第三實施方式的基板處理裝置1的一部分的平面圖。
在上文所述的第一實施方式中，塗布部40的第一載台41及第二載台42的位置被固定。而且，搬送機器人31能夠將基板9搬送至第一載台41的位置與第二載台42的位置。
相對於此，在第三實施方式中，第一載台41與第二載台42由分體的石材形成。而且，如圖14所示，塗布部40包括使第一載台41及第二載台42各別地移動的載台移動機構48。載台移動機構48由控制部70進行動作控制。載台移動機構48可使第一載台41在供搬送基板9的處理位置P0與第一待機位置P1之間移動。另外，載台移動機構48可使第二載台42在所述處理位置P0與第二待機位置P2之間移動。
在所述第三實施方式中，根據翹曲計量部20的計量結果，載台移動機構48選擇性地將第一載台41與第二載台42中的任一者配置於處理位置P0。然後，搬送機器人31將基板9搬送至配置於處理位置P0的載台。若如此，則可在不變更基於搬送機器人31的基板9的搬送目的地的位置的情況下，選擇性將基板9搬送至第一載台41或者第二載台42。
＜4.變形例＞ 以上，對第一實施方式～第三實施方式進行了說明，但本發明並不限定於所述實施方式。
在所述實施方式中，翹曲計量部20包括三個雷射位移計22。然而，翹曲計量部20所包括的雷射位移計22的數量也可為三個以外。另外，翹曲計量部20也可利用雷射位移計22以外的部件來計量基板9的翹曲狀態。另外，在所述實施方式中，藉由計量基板9的上表面的高度，計量了基板9的翹曲狀態。然而，也可藉由計量基板9的下表面的高度來計量基板9的翹曲狀態。
另外，在所述例子中，在第二實施方式的第二載台45連接有作為吸附檢測部的壓力計456。然而，也可在第一實施方式的第一載台41及第二載台42也連接有同樣的壓力計456。而且，控制部70也可基於所述壓力計456的計量值，檢測相對於基板9的下表面的吸附是否正常地進行。
另外，在所述實施方式中，第一載台41及第二載台42、第二載台45用於對基板9塗布抗蝕劑液的步驟。然而，第一載台41及第二載台42、第二載台45也可用於對基板9塗布抗蝕劑液以外的處理液的步驟、或進行塗布以外的處理的步驟。
另外，在所述實施方式中，說明了對半導體封裝用的基板9進行處理的裝置。然而，本發明的基板處理裝置及基板處理方法也可對半導體晶片、液晶顯示裝置用基板、光掩模等其他基板進行處理。
另外，基板處理裝置的細節部分也可與本申請的各圖所示的結構不同。另外，也可在不產生矛盾的範圍內，將所述實施方式或變形例中出現的各元件適宜地組合。
1:基板處理裝置 9:基板 10:基板收納部 20:計量部（翹曲計量部） 21:計量載台 22:雷射位移計 23:定位機構 24:掃描機構 30:搬送機構 31:搬送機器人 40:塗布部 41:第一載台 42、45:第二載台 43:狹縫噴嘴 44:待機部 46:腔室 47:升降機構 48:載台移動機構 50:減壓乾燥部 51:減壓室 60:烘烤部 61:烘烤室 62:加熱板 70:控制部 71:處理器 72:存儲器 73:存儲部 211、410、420、450:上表面 212:支撐銷 231、232、233、234:氣缸 411、421、451:升降銷 412、452:吸附孔 413、425、453:抽吸配管 414、426、454、464:開閉閥 415、455:吸附槽 416、427:夾具 422:縱孔 423:抽吸管 424:吸附墊 456:壓力計 460:密閉空間 461:O形環 462:供氣配管 463:高壓氣體供給源 P0:處理位置 P1:第一待機位置 P2:第二待機位置 S1～S9:步驟 x、y:方向
圖1是基板處理裝置的概略平面圖。 圖2是表示控制部與基板處理裝置內的各部的電連接的方塊圖。 圖3是翹曲計量部的俯視圖。 圖4是翹曲計量部20的側面圖。 圖5是第一載台及第二載台的俯視圖。 圖6是第一載台的縱剖面圖。 圖7是第一載台的縱剖面圖。 圖8是第二載台的縱剖面圖。 圖9是第二載台的縱剖面圖。 圖10是表示基板處理裝置中的處理的流程的流程圖。 圖11是第二實施方式的第二載台的縱剖面圖。 圖12是第二實施方式的第二載台的縱剖面圖。 圖13是第二實施方式的第二載台的縱剖面圖。 圖14是表示第三實施方式的基板處理裝置的一部分的平面圖。
1:基板處理裝置
9:基板
10:基板收納部
20:計量部(翹曲計量部)
21:計量載台
22:雷射位移計
30:搬送機構
31:搬送機器人
40:塗布部
41:第一載台
42:第二載台
43:狹縫噴嘴
44:待機部
50:減壓乾燥部
51:減壓室
60:烘烤部
61:烘烤室
62:加熱板
70:控制部

Claims (20)

  1. 一種基板處理裝置，其是對基板進行規定的處理的基板處理裝置，包括：第一載台，具有平坦的上表面以及設置於所述上表面的多個吸附槽，並藉由所述多個吸附槽吸附並保持基板的下表面；第二載台，具有平坦的上表面以及包含彈性材料的多個吸附墊，並藉由所述多個吸附墊吸附並保持基板的下表面；翹曲計量部，計量基板的翹曲狀態；以及搬送機構，根據所述翹曲計量部的計量結果，將基板搬送至所述第一載台或者所述第二載台。
  2. 一種基板處理裝置，其是對基板進行規定的處理的基板處理裝置，包括：第一載台，具有平坦的上表面以及設置於所述上表面的多個吸附槽，並藉由所述多個吸附槽吸附並保持基板的下表面；第二載台，具有平坦的上表面以及設置於所述上表面的多個吸附槽，並藉由所述多個吸附槽吸附並保持基板的下表面；腔室，覆蓋所述第二載台的所述上表面上所載置的基板，並且向在與基板之間所形成的空間供給高壓的氣體；翹曲計量部，計量基板的翹曲狀態；以及搬送機構，根據所述翹曲計量部的計量結果，將基板搬送至所述第一載台或者所述第二載台。
  3. 如請求項1或2所述的基板處理裝置，其中，所述翹曲計量部包括雷射位移計，所述雷射位移計在計量與基板的表面的距離的同時沿著基板的表面移 動。
  4. 如請求項3所述的基板處理裝置，其中，所述翹曲計量部包括沿著基板的表面相互平行地移動的多個所述雷射位移計。
  5. 如請求項1或2所述的基板處理裝置，其中，所述翹曲計量部包括定位機構，所述定位機構在計量載台上對基板進行定位。
  6. 如請求項1或2所述的基板處理裝置，其中，根據所述翹曲計量部的計量結果，在基板具有凹狀的翹曲的情況下，所述搬送機構將基板搬送至所述第一載台，根據所述翹曲計量部的計量結果，在基板具有凸狀的翹曲的情況下，所述搬送機構將基板搬送至所述第二載台。
  7. 如請求項1或2所述的基板處理裝置，其中，所述第一載台包括夾具，所述夾具將基板的周緣部推壓於所述第一載台的上表面。
  8. 如請求項1或2所述的基板處理裝置，還包括狹縫噴嘴，所述狹縫噴嘴沿著由所述第一載台或者所述第二載台保持的基板的上表面移動，同時從狹縫狀的噴出口向基板的上表面噴出處理液。
  9. 如請求項1或2所述的基板處理裝置，還包括吸附檢測部，所述吸附檢測部檢測在所述第一載台或者所述第二載台中，相對於基板的下表面的吸附是否正常地進行。
  10. 如請求項1或2所述的基板處理裝置，還包括載台移動機構，所述載台移動機構根據所述翹曲計量部的計量結果，使所述第一載台或者所述第二載台移動至基於所述搬送機構的基板的搬送目的地。
  11. 一種基板處理方法，其是對基板進行規定的處理的基板處理方法，包括：a)計量基板的翹曲狀態的步驟；以及b)根據所述步驟a)的計量結果，將基板搬送至第一載台或者第二載台的步驟，所述第一載台是具有平坦的上表面以及設置於所述上表面的多個吸附槽，並藉由所述多個吸附槽吸附並保持基板的下表面的載台，所述第二載台是具有平坦上表面以及包含彈性材料的多個吸附墊，並藉由所述多個吸附墊吸附並保持基板的下表面的載台。
  12. 一種基板處理方法，其是對基板進行規定的處理的基板處理方法，執行以下步驟，a)計量基板的翹曲狀態的步驟；以及b)根據所述步驟a)的計量結果，將基板搬送至第一載台或者第二載台的步驟，所述第一載台是具有平坦的上表面以及設置於所述上表面的多個吸附槽，並藉由所述多個吸附槽吸附並保持基板的下表面的載台，所述第二載台是具有平坦的上表面以及設置於所述上表面的多個吸附槽，並藉由所述多個吸附槽吸附並保持基板的下表面的載台，在基板被搬送至所述第二載台的情況下，進一步執行c)利用腔室覆蓋所述第二載台的所述上表面上所載置的基板，並且向在與基板之間所形成的空間供給高壓的氣體的步驟。
  13. 如請求項11或12所述的基板處理方法，其中，在所述步驟a)中，利用雷射位移計來計量與基板的表面的距離，同時使所述雷射位移計沿著基板的表面移動。
  14. 如請求項13所述的基板處理方法，在所述步驟a)中，使多個所述雷射位移計沿著基板的表面相互平行地移動。
  15. 如請求項11或12所述的基板處理方法，其中，在所述步驟a)中，在計量載台上對基板進行定位。
  16. 如請求項11或12所述的基板處理方法，其中，根據所述步驟a)的計量結果，在基板具有凹狀的翹曲的情況下，在所述步驟b)中，將基板搬送至所述第一載台，根據所述步驟a)的計量結果，在基板具有凸狀的翹曲的情況下，在所述步驟b)中，將基板搬送至所述第二載台。
  17. 如請求項11或12所述的基板處理方法，其中，在基板被搬送至所述第一載台的情況下，進一步執行d)利用夾具將基板的周緣部推壓於所述第一載台的上表面的步驟。
  18. 如請求項11或12所述的基板處理方法，其中，進一步執行以下步驟：e)在將基板保持於所述第一載台或者所述第二載台之後，使狹縫噴嘴沿著基板的上表面移動，同時從所述狹縫噴嘴所具有的狹縫狀的噴出口向基板的上表面噴出處理液。
  19. 如請求項11或12所述的基板處理方法，其中，進一步執行以下步驟：f)檢測在所述第一載台或者所述第二載台中，相對於基板的下表面的吸附是否正常地進行。
  20. 如請求項11或12所述的基板處理方法，其中， 在所述步驟b)中，根據所述步驟a)的計量結果，使所述第一載台或者所述第二載台移動至基板的搬送目的地。
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