JP7254144B2 - 基板処理装置及び方法 - Google Patents

基板処理装置及び方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7254144B2
JP7254144B2 JP2021175230A JP2021175230A JP7254144B2 JP 7254144 B2 JP7254144 B2 JP 7254144B2 JP 2021175230 A JP2021175230 A JP 2021175230A JP 2021175230 A JP2021175230 A JP 2021175230A JP 7254144 B2 JP7254144 B2 JP 7254144B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pressure
side wall
substrate
substrate processing
gap
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2021175230A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2022074061A (ja
Inventor
オウ バン，ジャエ
セオ アン，ヨン
ハン リー，スン
ファン リー，スン
ミン キム，ヒュン
Original Assignee
セメス カンパニー，リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by セメス カンパニー，リミテッド filed Critical セメス カンパニー，リミテッド
Publication of JP2022074061A publication Critical patent/JP2022074061A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7254144B2 publication Critical patent/JP7254144B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any preceding group
    • F27B17/0016—Chamber type furnaces
    • F27B17/0025—Especially adapted for treating semiconductor wafers
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D7/00—Forming, maintaining, or circulating atmospheres in heating chambers
    • F27D7/02—Supplying steam, vapour, gases, or liquids
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • F27D99/0073—Seals
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D19/00—Arrangements of controlling devices
    • F27D2019/0084—Controlling closure systems, e.g. doors
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D5/00—Supports, screens, or the like for the charge within the furnace
    • F27D5/0037—Supports specially adapted for semi-conductors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

本発明は、基板を処理する装置及び方法に関するものである。
一般に、半導体素子を製造するためには洗浄、蒸着、フォトリソグラフィ、エッチング、そしてイオン注入などのような多様な工程が遂行される。パターンを形成するために遂行されるフォトリソグラフィ工程は、半導体素子の高集積化を成すのに重要な役割を遂行する。フォトリソグラフィ工程はシリコンでなされた半導体基板上にフォトレジストパターンを形成するために遂行される。フォトリソグラフィ工程は基板上にフォトレジスト膜を形成するためのコーティング及びソフトベーク工程、フォトレジスト膜からフォトレジストパターンを形成するための露光及び現像工程、フォトレジスト膜またはパターンのエッジ部位をとり除くためのエッジビード除去(edge bead removal、以下、'ＥＢＲ'と称する)工程及びエッジ露光(edge exposure of wafer：ＥＥＷ)工程、フォトレジストパターンを安定化及び緻密化させるためのハードベーク工程などを含む。
ベーク工程は基板を加熱する工程である。ベーク工程には内部に基板が処理される処理空間を形成するチャンバが提供される。一般に、ベーク工程に利用されるチャンバは二つのボディーを有して、二つのボディーが組合されて内部に処理空間を形成する。基板が処理空間に搬入または搬出される時にチャンバが開放され、処理空間でベーク工程が進行されるうちにチャンバは閉鎖される。但し、チャンバが開放されてから再び閉鎖される時にチャンバが正位置にあるかの如何が分かり難い。
特に、それぞれのボディーをお互いに離隔させた状態でベーク工程を進行する場合、各ボディーが既設定された間隔程度離隔されたかの如何と、各ボディーがある一側を傾いているか、または偏らなかったかの如何が分かり難い。
本発明は、工程チャンバの間の間隔が期設定間隔であるかの如何を確認することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供するためのものである。
また、本発明は、工程チャンバの間の間隔が均一であるかの如何を確認することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供するためのものである。
本発明は、これに制限されないし、言及されなかったまた他の目的らは下の記載から当業者に明確に理解されることができるであろう。
本発明は、基板を処理する装置を提供する。一実施例で、基板を処理する装置は、お互いに組合されて内部に処理空間を有する第１ボディーと第２ボディーを有する工程チャンバと、処理空間内に位置して基板を支持する支持ユニットと、支持ユニットに置かれた基板を加熱するように提供された加熱ユニットと、第１ボディーと第２ボディーとのうちで何れか一つを移動させ、第１ボディーと第２ボディーを工程位置と開放位置との間に移動させる駆動器と、そして、第１ボディーと第２ボディーが工程位置に置かれる時、第１ボディーの側壁と第２ボディーの側壁間の間隔状態を検出する間隔状態検出ユニットと、駆動器そして、検出ユニットを制御する制御機を含み、間隔状態検出ユニットは、第１ボディーの側壁と第２ボディーの側壁間に正圧または負圧を提供する圧力提供ラインと、圧力提供ラインの圧力変化を測定する圧力測定部材を含み、制御機は、圧力測定部材によって測定された圧力に根拠して間隔状態を判断して間隔状態が不良であるかの如何を判断することができる。
一実施例で、制御機は、間隔状態が不良であると判断される場合第１ボディーまたは第２ボディーが移動されるように駆動器そして、検出ユニットを制御することができる。
一実施例で、圧力提供ラインは、圧力供給源と連結されるメインラインと、メインラインに分岐されてメインラインと第１ボディーの側壁に形成された流体ホールを連結する分岐ラインを含むことができる。
一実施例で、分岐ラインそれぞれに流れる流体の圧力は等しく提供されることができる。
一実施例で、圧力供給源はメインラインで流体を供給することができる。
一実施例で、間隔状態検出ユニットは第１ボディーと第２ボディーの側壁がお互いに対向する面を向けて鉛直方向に流体を噴射することができる。
一実施例で、圧力供給源は減圧部材であることがある。
一実施例で、間隔状態検出ユニットは、第１ボディーの側壁のうちで第２ボディーの側壁と対向する面に設置される間隔感知板をさらに含み、圧力提供ラインは間隔感知板に形成された流体ホールを通じて第１ボディーの側壁と第２ボディーの側壁との間に正圧または負圧を提供することができる。
一実施例で、間隔感知板の厚さは工程位置でお互いに対向する第１ボディーの側壁及び第２ボディーの側壁との間の間隔と等しく提供されることができる。
一実施例で、間隔感知板は第１ボディーの側壁に沿って複数個が提供されることができる。
一実施例で、圧力測定部材は、圧力提供ラインと外気間の圧力差を測定する差圧計を含むことができる。
一実施例で、制御機は、第１ボディーと第２ボディーは、処理空間内で基板が処理されるうちに、第１ボディーの側壁と第２ボディーの側壁間の間隔が期設定間隔を維持するように駆動器を制御することができる。
一実施例で、第１ボディーまたは第２ボディーに第１ボディーと第２ボディーがお互いに対向される側面を向けてガスを噴射してガス窓卦けを形成するガス供給ユニットをさらに含み、ガス供給ユニットは、第１ボディーまたは第２ボディーの側面に形成される複数個のガス供給ホールと、ガス供給源に連結されてガス供給ホールにガスを供給するガス供給ラインを含むことができる。
一実施例で、基板の処理はベーク処理であることがある。
また、本発明は基板処理方法を提供する。一実施例で、基板を処理する方法において、基板を第２ボディー内部に提供し、第１ボディーの側壁と第２ボディーの側壁間の間隔を期設定間隔で維持させた工程位置で基板を加熱処理する基板処理段階と、基板処理段階以前に間隔感知段階を含み、間隔感知段階で、間隔状態検出ユニットが第１ボディーと第２ボディーが対向する面を向けて流体を噴射するが、流体の圧力を測定して圧力に根拠して第１ボディーと第２ボディーが工程位置に置かれる時、第１ボディーの側壁と第２ボディーの側壁間の間隔状態を判断して間隔状態が不良であると判断される場合第１ボディーまたは第２ボディーを移動させることができる。
一実施例で、間隔状態検出ユニットは、第１ボディーの側壁と第２ボディーの側壁が対向する面に流体を提供する圧力提供ラインと、圧力提供ラインの圧力変化を測定する圧力測定部材を含み、圧力提供ラインは、圧力供給源と連結されるメインラインと、メインラインから分岐されてメインラインと第１ボディーの側壁に形成された流体ホールを連結する分岐ラインを含むことができる。
一実施例で、間隔状態検出ユニットは、第１ボディーの側壁のうちで第２ボディーの側壁と対向する面に設置される間隔感知板をさらに含み、圧力提供ラインは間隔感知板に形成された流体ホールを通じて第１ボディーの側壁と第２ボディーの側壁間に流体を提供し、間隔感知板の厚さは工程位置でお互いに対向する第１ボディーの側壁及び第２ボディーの側壁間の間隔と等しく提供されることができる。
一実施例で、基板処理段階で加熱処理の間に第１ボディーの側壁と第２ボディーの側壁が対向する面の間で外部の気体が基板が提供される領域に流入されることを防止するガス窓卦けを形成することができる。
一実施例で、基板の加熱処理はベーク処理であることがある。
また、本発明は基板処理装置を提供する。基板を処理する装置において、お互いに組合されて内部に基板をベーク処理するための処理空間を有する上部ボディーと下部ボディーを有する工程チャンバと、処理空間内に位置して基板を支持する支持ユニットと、支持ユニットに置かれた基板を加熱するように提供された加熱ユニットと、上部ボディーと下部ボディーのうちで何れか一つを移動させ、上部ボディーと下部ボディーを工程位置と開放位置の間に移動させる駆動器と、そして、上部ボディーと下部ボディーが工程位置に置かれる時、上部ボディーの側壁と下部ボディーの側壁間の間隔状態を検出する間隔状態検出ユニットと、駆動器そして、検出ユニットを制御する制御機を含み、間隔状態検出ユニットは、上部ボディーの側壁と下部ボディーの側壁が対向する面を向けて鉛直方向に流体を提供する圧力提供ラインと、圧力提供ラインの圧力変化を測定する圧力測定部材を含み、圧力提供ラインは、圧力供給源と連結されるメインラインと、メインラインから分岐されてメインラインと上部ボディーの側壁に形成された流体ホールを連結する分岐ラインをさらに含み、圧力測定部材は分岐ラインの圧力変化を測定し、間隔状態検出ユニットは、上部ボディーの側壁のうちで下部ボディーの側壁と対向する面に設置される間隔感知板をさらに含み、圧力提供ラインは間隔感知板に形成された流体ホールを通じて上部ボディーの側壁と下部ボディーの側壁間に流体を提供し、間隔感知板の厚さは工程位置でお互いに対向する上部ボディーの側壁及び下部ボディーの側壁間の間隔と等しく提供され、制御機は、上部ボディーと下部ボディーは処理空間内で基板が処理されるうちに、上部ボディーと下部ボディーが期設定間隔を維持するようにし、圧力測定部材によって測定された圧力に根拠して間隔状態を判断して間隔状態が不良であると判断される場合上部ボディーまたは下部ボディーが移動されるように駆動器そして、検出ユニットを制御することができる。
本発明の実施例によれば、工程チャンバ間の間隔が期設定間隔であるかの如何を確認することができる利点がある。
また、本発明は、工程チャンバの間の間隔が均一であるかの如何を確認することができる利点がある。
前述した効果らで限定されるものではなくて、言及されない効果らは本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解されることができるであろう。
本発明の一実施例による基板処理装置を概略的に示してくれる斜視図である。 図１の塗布ブロックまたは現像ブロックを示してくれる基板処理装置の断面図である。 図１の基板処理装置の平面図である。 本発明の一実施例による基板処理装置を示す断面図である。 本発明の一実施例による第１ボディーを上部から眺めた姿を示す平面図である。 本発明の一実施例による基板処理方法の流れ図を示す。 本発明の一実施例による基板処理方法を順に示す図面である。 同じく、本発明の一実施例による基板処理方法を順に示す図面である。 同じく、本発明の一実施例による基板処理方法を順に示す図面である。 本発明の他の実施例による第１ボディーを上部から眺めた姿を示す図面である。 同じく、本発明の他の実施例による第１ボディーを上部から眺めた姿を示す図面である。
以下、本発明の実施例を添付された図面らを参照してより詳細に説明する。本発明の実施例はさまざまな形態で変形することができるし、本発明の範囲が下の実施例らに限定されることとして解釈されてはいけない。本実施例は当業界で平均的な知識を有した者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面での要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張されたものである。
図１は、本発明の一実施例による基板処理装置を概略的に示してくれる斜視図であり、図２は図１の塗布ブロックまたは現像ブロックを示してくれる基板処理装置の断面図であり、図３は図１の基板処理装置の平面図である。
図１乃至図３を参照すれば、基板処理装置１はインデックスモジュール２０、index module)、処理モジュール(treating module)３０、そして、インターフェースモジュール(interface module)４０を含む。一実施例によれば、インデックスモジュール２０、処理モジュール３０、そして、インターフェースモジュール４０は順次に一列で配置される。以下、インデックスモジュール２０、処理モジュール３０、そして、インターフェースモジュール４０が配列された方向を第１方向１２といって、上部から眺める時に第１方向１２と垂直した方向を第２方向１４といって、第１方向１２及び第２方向１４にすべて垂直した方向を第３方向１６という。
インデックスモジュール２０は基板(W)が収納された容器１０から基板(W)を処理モジュール３０に返送し、処理が完了された基板(W)を容器１０に収納する。インデックスモジュール２０の長さ方向は第２方向１４に提供される。インデックスモジュール２０はロードポート２２とインデックスフレーム２４を有する。インデックスフレーム２４を基準でロードポート２２は処理モジュール３０の反対側に位置される。基板(W)らが収納された容器１０はロードポート２２に置かれる。ロードポート２２は複数個が提供されることができるし、複数のロードポート２２は第２方向１４に沿って配置されることができる。
容器１０としては前面開放一体式ポッド(Front Open Unified Pod:ＦＯＵＰ)のような密閉用容器１０が使用されることができる。容器１０はオーバーヘッドトランスファー(Overhead Transfer)、オーバーヘッドコンベヤー(Overhead Conveyor)、または自動案内車両(Automatic Guided Vehicle)のような移送手段(図示せず)や作業者によってロードポート２２に置かれることができる。
インデックスフレーム２４の内部にはインデックスロボット２２００が提供される。インデックスフレーム２４内には長さ方向が第２方向１４に提供されたガイドレール２３００が提供され、インデックスロボット２２００はガイドレール２３００上で移動可能に提供されることができる。インデックスロボット２２００は基板(W)が置かれるハンド２２２０を含み、ハンド２２２０は前進及び後退移動、第３方向１６を軸にした回転、そして、第３方向１６に沿って移動可能に提供されることができる。
処理モジュール３０は基板(W)に対して塗布工程及び現像工程を遂行する。処理モジュール３０は塗布ブロック３０a及び現像ブロック３０bを有する。塗布ブロック３０aは基板(W)に対して塗布工程を遂行し、現像ブロック３０bは基板(W)に対して現像工程を遂行する。塗布ブロック３０aは複数個が提供され、これらはお互いに積層されるように提供される。現像ブロック３０bは複数個が提供され、現像ブロックら３０bはお互いに積層されるように提供される。図１の実施例によれば、塗布ブロック３０aは２個が提供され、現像ブロック３０bは２個が提供される。塗布ブロックら３０aは現像ブロックら３０bの下に配置されることができる。一例によれば、２個の塗布ブロックら３０aはお互いに等しい工程を遂行し、お互いに等しい構造で提供されることができる。また、２個の現像ブロックら３０bはお互いに等しい工程を遂行し、お互いに等しい構造で提供されることができる。
図３を参照すれば、塗布ブロック３０aは熱処理チャンバ３２００、返送チャンバ３４００、液処理チャンバ３６００、そしてバッファーチャンバ３８００を有する。熱処理チャンバ３２００は基板(W)に対して熱処理工程を遂行する。熱処理工程は冷却工程及び加熱工程を含むことができる。液処理チャンバ３６００は基板(W)上に液を供給して液膜を形成する。液膜はフォトレジスト膜または反射防止膜であることがある。返送チャンバ３４００は塗布ブロック３０a内で熱処理チャンバ３２００と液処理チャンバ３６００の間に基板(W)を返送する。
返送チャンバ３４００はその長さ方向が第１方向１２と平行に提供される。返送チャンバ３４００には返送ロボット３４２２が提供される。返送ロボット３４２２は熱処理チャンバ３２００、液処理チャンバ３６００、そして、バッファーチャンバ３８００の間に基板を返送する。一例によれば、返送ロボット３４２２は基板(W)が置かれるハンド３４２０を有して、ハンド３４２０は前進及び後退移動、第３方向１６を軸にした回転、そして、第３方向１６に沿って移動可能に提供されることができる。返送チャンバ３４００内にはその長さ方向が第１方向１２と平行に提供されるガイドレール３３００が提供され、返送ロボット３４２２はガイドレール３３００上で移動可能に提供されることができる。
熱処理チャンバ３２００は複数個で提供される。熱処理チャンバら３２００らは第１方向１２に沿って羅列されるように配置される。熱処理チャンバら３２００は返送チャンバ３４００の一側に位置される。
図４は、本発明の一実施例による基板処理装置を示す断面図である。図４の基板処理装置は図１の熱処理チャンバら３２００のうちで一部の熱処理チャンバに提供された加熱ユニット３２３０のうちで一つであることがある。
図４を参考すれば、基板処理装置５００は工程チャンバ５１０、支持ユニット５３０、加熱ユニット５４０、ガス導入ユニット５５０、排気部材(図示せず)、ガス供給ユニット５７０そして、間隔状態検出ユニット５６０を含む。
工程チャンバ５１０は内部に処理空間５０１を提供する。工程チャンバ５１０は円筒形状で提供されることができる。または、これとは異なり、直方体形状で提供されることができる。工程チャンバ５１０は第１ボディー５１３と第２ボディー５１１を含む。第１ボディー５１３と第２ボディー５１１はお互いに組合されて内部に処理空間５０１を有する。一例で、第１ボディー５１３と第２ボディー５１１はお互いに間に上下方向で配置されることができる。例えば、第２ボディー５１１は第１ボディー５１３より上に位置する上部ボディーで、第１ボディー５１３は第２ボディー５１１より下に位置する下部ボディーで提供されることができる。一例で、第１ボディー５１３は上部から眺める時、円形の形状で提供される。同じく、第２ボディー５１１は上部から眺める時、円形の形状で提供される。
駆動器５１５は第１ボディー５１３または第２ボディー５１１を移動させる。駆動器５１５は第１ボディー５１３または第２ボディー５１１のうちで何れか一つを移動させて第１ボディー５１３と第２ボディー５１１との間の相対距離を変更させることができる。選択的に、駆動器５１５は第１ボディー５１３と第２ボディー５１１両方を移動させて第１ボディー５１３と第２ボディー５１１との間の相対距離を変更させることができる。一例で、駆動器５１５は第２ボディー５１１と連結される。駆動器５１５は第２ボディー５１１を上下で昇下降させることができる。一例で、駆動器５１５は第２ボディー５１１の高さと水平を調節できるように提供される。一例で、駆動器５１５は工程チャンバ５１０を工程位置と開放位置の間に移動させる。例えば、駆動器５１５は第２ボディー５１１を下降させて工程位置に位置させ、第２ボディー５１１を昇降させて開放位置に位置させる。一例で、工程位置は工程チャンバ５１０内部で基板(W)がベーク処理される時の位置である。一例で、工程位置は第１ボディー５１３と第２ボディー５１１が所定の間隔を置いて離隔された位置であることができる。例えば、工程位置で第１ボディー５１３と第２ボディー５１１の対向される側面は１mmないし１０mmの間隔を有することができる。一例で、開放位置は駆動器５１５は工程チャンバ５１０内部で基板(W)を搬入または搬出時第２ボディー５１１を上部に移動させて工程チャンバ５１０内部を開放する位置である。本実施例では駆動器５１５が第２ボディー５１１と連結されて提供されることを例であげたが、これとは異なり駆動器５１５は第１ボディー５１３と連結されて第１ボディー５１３を昇下降させることができる。
支持ユニット５３０は基板(W)を支持する。支持ユニット５３０は処理空間５０１内に位置する。支持ユニット５３０は上部から眺める時、円形の形状で提供される。支持ユニット５３０の上面は基板(W)より大きい断面積を有することができる。支持ユニット５３０は熱伝導性が良い材質で提供されることができる。支持ユニット５３０は耐熱性が優秀な材質で提供されることができる。
加熱ユニット５４０は支持ユニット５３０に置かれた基板(W)を加熱する。加熱ユニット５４０は支持ユニット５３０の内部に位置することができる。一例で、加熱ユニット５４０はヒーターで提供されることができる。一例で、ヒーターは支持ユニット５３０内部でパターンを形成する熱線で提供されることができる。これと他にヒーターはランプなどで提供されることができる。
排気部材(図示せず)は処理空間５０１または処理空間５０１の周辺を排気する。ここで、処理空間５０１の周辺部は第１ボディー５１３と第２ボディー５１１との間の空間で定義する。排気部材(図示せず)は第１ボディー５１３または第２ボディー５１１に形成されたホールと、ホールに減圧を提供する減圧部材を含むことができる。一例で、ホールは第１ボディー５１３にガス供給ホール５７５と重畳されないように複数個配置されることができる。選択的に、ホールは第２ボディー５１１に提供されることができる。一例で、ホールはガス供給ホール５７５と支持ユニット５３０の中心を基準で等しい距離に配置されることができる。
ガス供給ユニット５７０は処理空間５０１内部の雰囲気が流出され、処理空間５０１に外気が流入されることを防止する。一例で、ガス供給ユニット５７０はガス供給ライン５７１、ガス供給ホール５７２そして、ガス供給源５７３を含む。ガス供給ライン５７１はガス供給源５７３から気体の供給を受けてガス供給ホール５７２に供給する。ガス供給ライン５７１にはガス調節バルブ５７７が設置される。ガス調節バルブ５７７はガス供給ホール５７２に提供されるガスの供給如何及び供給流量を調節する。ガス供給ホール５７２は第１ボディー５１３と第２ボディー５１１との間の空間で気体を噴射する。一例で、ガス供給ホール５７２は第１ボディー５１３と第２ボディー５１１がお互いに対向される側面を向けて気体を噴射する。一例で、ガス供給ホール５７２は第１ボディー５１３に複数個提供されることができる。選択的に、ガス供給ホール５７２は第２ボディー５１１に複数個提供されることができる。一例で、気体は非活性ガスで提供される。例えば、気体は窒素に提供される。一例で、ガス供給ホール５７２は支持ユニット５３０の中心を基準で、等しい距離に複数個配置されることができる。
間隔状態検出ユニット５６０は第１ボディー５１３と第２ボディー５１１が工程位置に置かれる時、第１ボディー５１３の側壁と第２ボディー５１１の側壁間の間隔状態を検出する。図４乃至図５を参照すれば、間隔状態検出ユニット５６０は、圧力提供ライン５６１、圧力測定部材５６５そして、間隔感知板５８０を含む。一例で、圧力提供ライン５６１は、第１ボディー５１３の側壁と第２ボディー５１１の側壁間に正圧または負圧を提供する。一例で、第１ボディー５１３または第２ボディー５１１に圧力提供ライン５６１と連結される流体ホール５６２が形成される。例えば、第２ボディー５１１に流体ホール５６２が形成される。
圧力提供ライン５６１は、メインライン５６１１と分岐ライン５６１２を含む。メインライン５６１１は圧力供給源５６７と連結される。圧力供給源５６７はメインライン５６１１に圧力を提供する。一例で、圧力供給源５６７はメインライン５６１１で流体を供給することができる。一例で、流体は気体に提供されることができる。例えば、流体は空気に提供されることができる。選択的に圧力供給源５６７は減圧部材に提供されてメインライン５６１１に減圧力を提供することができる。以下、圧力供給源５６７はメインライン５６１１と分岐ライン５６１２で空気を供給することで説明する。
分岐ライン５６１２はメインライン５６１１で分岐されてメインライン５６１１と第１ボディー５１３の側壁に形成された流体ホール５６２を連結する。選択的に、流体ホール５６２は単一個で提供され、メインライン５６１１が流体ホール５６２に直接連結されることができる。一例で、分岐ライン５６１２それぞれは等しい長さと直径を有するように提供され、分岐ライン５６１２それぞれに流れる流体の圧力は等しく提供されることができる。
圧力測定部材５６５は、圧力提供ライン５６１の圧力変化を測定または感知する。一例で、圧力測定部材５６５は分岐ライン５６１２の圧力変化を感知する。一例で、圧力測定部材５６５はメインライン５６１１に提供される差圧計を含む。一例で、差圧計はメインライン５６１１と外気間の圧力差を測定することができる。または、差圧計はメインライン５６１１と分岐ライン５６１２との間の圧力差を測定することができる。選択的に、流体ホール５６２は単一個で提供され、メインライン５６１１が流体ホール５６２に直接連結され、圧力測定部材５６５はメインライン５６１１の圧力変化を測定または感知するように提供されることができる。
間隔感知板５８０は第１ボディー５１３の側壁のうちで第２ボディー５１１の側壁と対向する面に設置される。一例で、間隔感知板５８０は第１ボディー５１３上に置かれる。例えば、間隔感知板５８０は第１ボディー５１３と結合されることができる。選択的に、間隔感知板５８０は第２ボディー５１１と結合されることができる。一例で、第１ボディー５１３に形成された流体ホール５６２は間隔感知板５８０まで延長形成される。一例で、圧力提供ライン５６１は間隔感知板５８０に形成された流体ホール５６２を通じて第１ボディー５１３の側壁と第２ボディー５１１との側壁間に正圧または負圧を提供する。例えば、圧力提供ライン５６１は間隔感知板５８０に形成された流体ホール５６２に空気を供給することができる。圧力提供ライン５６１は第１ボディー５１３と第２ボディー５１１の側壁がお互いに対向する面を向けて鉛直方向に空気を噴射する。
一例で、間隔感知板５８０の厚さは工程位置でお互いに対向する第１ボディー５１３の側壁及び第２ボディー５１１の側壁間の間隔と等しく提供される。例えば、第１ボディー５１３と第２ボディー５１１は処理空間内で基板が処理されるうちに工程位置に置かれ、工程位置で第１ボディー５１３の側壁と第２ボディー５１１の側壁間の間隔が期設定間隔を維持する。そして、間隔感知板５８０の厚さは期設定間隔と等しく提供される。これに、工程位置で間隔感知板５８０は第１ボディー５１３そして、第２ボディー５１１間の隙間に密着される。これに、工程位置で、メインライン５６１１と分岐ライン５６１２内部には所定の圧力が形成されることができる。
分岐ライン５６１２は等しい直径と長さを有して等しい圧力で提供される。これに、間隔感知板５８０と第２ボディー５１１との側壁間の間隔がすべての位置で等しければ、分岐ライン５６１２内部に形成される圧力も等しい。一例で、間隔感知板５８０は第１ボディー５１３の側壁に沿って複数個が提供されることができる。例えば、間隔感知板５８０は等しい間隔で第１ボディー５１３上に４個提供されることができる。選択的に、間隔感知板５８０はこれより少ないか、または多くの数で提供されることができる。
以下では図６乃至図８を参照し、本発明の一実施例による基板処理装置５００で基板(W)を処理する方法を説明する。
図６は、本発明の一実施例による基板処理方法の流れ図を示し、図７乃至図９は本発明の一実施例による基板処理方法を順に示す図面である。図６を参照すれば、本発明の基板処理方法は、間隔感知段階(Ｓ１０)と基板処理段階(Ｓ２０を含む。間隔感知段階(Ｓ１０)以前に、図７に示されたように工程チャンバ５１０を開放し、処理空間５０１の外部から移送された基板(W)を支持ユニット５３０に安着させる。
基板(W)の移送後第２ボディー５１１が下降されて工程チャンバ５１０は、図８に示されたように工程位置に置かれる。工程チャンバ５１０が工程位置に置かれれば、間隔感知段階(Ｓ１０)が始まる。選択的に、第２ボディー５１１が下降されるうちに間隔感知段階(Ｓ１０)が始まることがある。間隔感知段階(Ｓ１０)で、第１ボディー５１３と第２ボディー５１１が期設定間隔で離隔されたかの如何と、第１ボディー５１３と第２ボディー５１１が対向される側面で、第１ボディー５１３と第２ボディー５１１間の間隔が均一であるかの如何を判断する。
間隔感知段階(Ｓ１０)が始まれば、図８乃至図９に示されたように、駆動器５１５は、第１ボディー５１３と第２ボディー５１１との間隔が期設定間隔になるまで第２ボディー５１１を下降させる。間隔感知段階(Ｓ１０)が始まれば、圧力提供ライン５６１に空気が供給される。間隔感知段階(Ｓ１０)が遂行される前に、制御機には、第１ボディー５１３と第２ボディー５１１が期設定間隔である時、メインライン５６１１または分岐ライン５６１２に形成される圧力に対する情報が入力される。一例で、制御機には第１ボディー５１３と第２ボディー５１１が期設定間隔である時、メインライン５６１１に形成される期設定圧力に対する情報が入力される。
第１ボディー５１３と第２ボディー５１１が期設定間隔で離隔されたかの如何は下記のように判断される。制御機は、メインライン５６１１に形成される圧力が期設定圧力になるまで第２ボディー５１１の位置が調節されるように駆動器５１５を制御する。一例で、既設定圧力情報は差圧計によって測定された圧力情報であることがある。例えば、メインライン５６１１に提供された差圧計がメインライン５６１１と外気との間の圧力差を測定する。制御機には第１ボディー５１３と第２ボディー５１１が期設定間隔である時、メインライン５６１１と外気との間の圧力差に対する情報が入力される。制御機は、メインライン５６１１と外気との間の圧力差が期設定圧力差ではない場合、これを間隔状態が不良状態であると判断する。一例で、測定されたメインライン５６１１と外気との間の圧力差が期設定された圧力差と所定範囲の誤差範囲外である場合、これを不良状態で判断する。制御機は、間隔状態が不良状態であると判断されれば、メインライン５６１１と外気との間の圧力差が期設定圧力差になるまで第２ボディー５１１の位置が調節されるように駆動器５１５を制御する。これに、第２ボディー５１１は所望の高さに位置するようになる。
第１ボディー５１３と第２ボディー５１１との間の間隔が均一かの如何は下記のように判断される。分岐ライン５６１２に供給される空気の圧力は等しくて、各分岐ライン５６１２の直径と長さは等しい。これに、第１ボディー５１３と第２ボディのうちでー５１１間の間隔が、第１ボディー５１３と第２ボディー５１１が対向される側面で均一であったら、分岐ライン５６１２それぞれの内部圧力は等しく形成される。仮に、第１ボディー５１３と第２ボディー５１１が対向される側面で何れか一部分でも間隔が同じではなくなれば、分岐ライン５６１２のうちで一部の内部圧力に変動が生ずる。分岐ライン５６１２のうちで何れか一つでも圧力変動が発生すれば、メインライン５６１１の圧力も変動される。制御機は、差圧計によって測定されたメインライン５６１１と外気との間の圧力差が期設定圧力差とは変動がある場合、これを不良状態で判断する。一例で、測定されたメインライン５６１１と外気との間の圧力差が期設定圧力差と所定範囲の誤差範囲外である場合、これを不良状態で判断する。制御機は、メインライン５６１１と外気との間の圧力差が期設定圧力差になるまで第２ボディー５１１の位置が調節されるように駆動器５１５を制御する。一例で、駆動器５１５は空圧を提供する複数個のシリンダーで提供され、制御機は各シリンダーの空圧を調節することができる。これに、第１ボディー５１３と第２ボディー５１１との間隔は均一になる。
一例で、間隔感知段階(Ｓ１０)は、基板処理段階(Ｓ２０)が遂行されるうちにも続くことができる。すなわち、基板(W)が工程チャンバ５１０内で処理されるうちに第１ボディー５１３と第２ボディー５１１との位置が適切であるかを継続的に判断する。
前述した例では、駆動器５１５が制御機の命令に従って第２ボディー５１１の位置を調節することで説明した。しかし選択的に、駆動器５１５の代わりに作業者が第１ボディー５１３または２ボディー５１１の位置を調整することができる。
前述した例では、間隔状態検出ユニット５６０は第１ボディー５１３に提供されることで説明した。しかし他の例で、間隔状態検出ユニット５６０は第２ボディー５１１に提供されることができる。
前述した例では、メインライン５６１１に差圧計が提供されることで説明した。しかし、これと他に分岐ライン５６１２それぞれの圧力を測定する圧力計が提供されることができる。または、メインライン５６１１の圧力を測定する圧力計が提供されることができる。
前述した例では、流体ホール５６２と支持ユニット５３０の中心間の距離、そしてガス供給ホールと支持ユニット５３０の中心間の距離は相異に提供されることで説明した。しかし、これと他に図１０に示されたように流体ホール５６２と支持ユニット５３０との中心間の距離、そして、ガス供給ホールと支持ユニット５３０の中心間の距離は等しく提供されることができる。
前述した例には、間隔感知板５８０が提供されることで説明した。しかし、これと他に図１１に示されたように間隔感知板５８０が提供されないこともある。図１１に示された実施例で、第１ボディー５１３と第２ボディー５１１は上述したように離隔されたまま基板処理段階(Ｓ２０)を遂行することができる。選択的に、第１ボディー５１３と第２ボディー５１１は密着されたまま基板処理段階(Ｓ２０)を遂行することができる。
本発明によれば、工程チャンバ５１０間の間隔が期設定間隔であるかの如何を確認することができる。また、工程チャンバ５１０間の間隔が均一であるかの如何を確認することができる。
再び図２及び図３を参照すれば、液処理チャンバ３６００は複数個で提供される。液処理チャンバら３６００のうちで一部はお互いに積層されるように提供されることができる。液処理チャンバら３６００は返送チャンバ３４０２の一側に配置される。液処理チャンバら３６００は第１方向１２に沿って並んで配列される。液処理チャンバら３６００のうちで一部はインデックスモジュール２０と隣接した位置に提供される。以下、これら液処理チャンバを前端液処理チャンバ３６０２(front liquid treating chamber)だと称する。液処理チャンバら３６００のうちで他の一部はインターフェースモジュール４０と隣接した位置に提供される。以下、これら液処理チャンバを後端液処理チャンバ３６０４(rear heat treating chamber)と称する。
前端液処理チャンバ３６０２は基板(W)上に第１液を塗布し、後端液処理チャンバ３６０４は基板(W)上に第２液を塗布する。第１液と第２液はお互いに相異な種類の液であることがある。一実施例によれば、第１液は反射防止膜であり、第２液はフォトレジストである。フォトレジストは反射防止膜が塗布された基板(W)上に塗布されることができる。選択的に第１液はフォトレジストであり、第２液は反射防止膜であることができる。この場合、反射防止膜はフォトレジストが塗布された基板(W)上に塗布されることができる。選択的に第１液と第２液は等しい種類の液であり、これらはすべてフォトレジストであることができる。
バッファーチャンバ３８００は複数個で提供される。バッファーチャンバら３８００のうちで一部は、インデックスモジュール２０と返送チャンバ３４００との間に配置される。以下、これらバッファーチャンバを前端バッファー３８０２(front buffer)と称する。前端バッファーら３８０２は複数個で提供され、上下方向に沿ってお互いに積層されるように位置される。バッファーチャンバら３８０２、３８０４のうちで他の一部は、返送チャンバ３４００とインターフェースモジュール４０との間に配置される。以下、これらのバッファーチャンバを後端バッファー３８０４(rear buffer)と称する。後端バッファーら３８０４は複数個で提供され、上下方向に沿ってお互いに積層されるように位置される。前端バッファーら３８０２及び後端バッファーら３８０４それぞれは複数の基板ら(W)を一時的に保管する。前端バッファー３８０２に保管された基板(W)はインデックスロボット２２００及び返送ロボット３４２２によって搬入または搬出される。後端バッファー３８０４に保管された基板(W)は返送ロボット３４２２及び第１ロボット４６０２によって搬入または搬出される。
現像ブロック３０bは熱処理チャンバ３２００、返送チャンバ３４００、そして液処理チャンバ３６００を有する。現像ブロック３０bの熱処理チャンバ３２００、返送チャンバ３４００、そして液処理チャンバ３６００は塗布ブロック３０aの熱処理チャンバ３２００、返送チャンバ３４００、そして液処理チャンバ３６００と概して類似な構造及び配置にで提供されることができる。但し、現像ブロック３０bで液処理チャンバら３６００はすべて等しく現像液を供給して基板を現像処理する現像チャンバ３６００で提供される。
インターフェースモジュール４０は処理モジュール３０を外部の露光装置５０と連結する。インターフェースモジュール４０はインターフェースフレーム４１００、付加工程チャンバ４２００、インターフェースバッファー４４００、そして、返送部材４６００を有する。
インターフェースフレーム４１００の上端には内部に下降気流を形成するファンフィルターユニット(図示せず)が提供されることができる。付加工程チャンバ４２００、インターフェースバッファー４４００、そして返送部材４６００はインターフェースフレーム４１００の内部に配置される。付加工程チャンバ４２００は塗布ブロック３０aで工程が完了された基板(W)が露光装置５０に搬入される前に所定の付加工程を遂行することができる。選択的に付加工程チャンバ４２００は露光装置５０で工程が完了された基板(W)が現像ブロック３０bに搬入される前に所定の付加工程を遂行することができる。一例によれば、付加工程は基板(W)のエッジ領域を露光するエッジ露光工程、または基板(W)の上面を洗浄する上面洗浄工程、または基板(W)の下面を洗浄する下面洗浄工程であることができる。付加工程チャンバ４２００は複数個が提供され、これらはお互いに積層されるように提供されることができる。付加工程チャンバ４２００はすべて等しい工程を遂行するように提供されることができる。選択的に付加工程チャンバ４２００らのうちで一部はお互いに異なる工程を遂行するように提供されることができる。
インターフェースバッファー４４００は塗布ブロック３０a、付加工程チャンバ４２００、露光装置５０、そして現像ブロック３０bの間に返送される基板(W)が返送途中に一時的にとどまる空間を提供する。インターフェースバッファー４４００は複数個が提供され、複数のインターフェースバッファーら４４００はお互いに積層されるように提供されることができる。
一例によれば、返送チャンバ３４００の長さ方向の延長線を基準で一側面には付加工程チャンバ４２００が配置され、他の側面にはインターフェースバッファー４４００が配置されることができる。
返送部材４６００は塗布ブロック３０a、付加工程チャンバ４２００、露光装置５０、そして現像ブロック３０bの間に基板(W)を返送する。返送部材４６００は１個または複数個のロボットで提供されることができる。一例によれば、返送部材４６００は第１ロボット４６０２及び第２ロボット４６０６を有する。第１ロボット４６０２は塗布ブロック３０a、付加工程チャンバ４２００、そしてインターフェースバッファー４４００の間に基板(W)を返送し、インターフェースロボット４６０６はインターフェースバッファー４４００と露光装置５０の間に基板(W)を返送し、第２ロボット４６０４はインターフェースバッファー４４００と現像ブロック３０bとの間に基板(W)を返送するように提供されることができる。
第１ロボット４６０２及び第２ロボット４６０６はそれぞれ基板(W)が置かれるハンドを含み、ハンドは前進及び後退移動、第３方向１６に平行な軸を基準にした回転、そして第３方向１６に沿って移動可能に提供されることができる。
インデックスロボット２２００、第１ロボット４６０２、そして第２ロボット４６０６のハンドはすべて返送ロボット３４２２、３４２４のハンド３４２０と等しい形状で提供されることができる。選択的に熱処理チャンバの返送プレート３２４０と直接基板(W)を取り交わすロボットのハンドは返送ロボット３４２２、３４２４のハンド３４２０と等しい形状で提供され、残りロボットのハンドはこれと相異な形状で提供されることができる。
一実施例によれば、インデックスロボット２２００は塗布ブロック３０aに提供された前端熱処理チャンバ３２００の加熱ユニット３２３０と直接基板(W)を取り交わすことができるように提供される。
また、塗布ブロック３０a及び現像ブロック３０bに提供された返送ロボット３４２２は熱処理チャンバ３２００に位置された返送プレート３２４０と直接基板(W)を取り交わすことができるように提供されることができる。
以上の詳細な説明は、本発明を例示するものである。また、上述した内容は本発明の望ましい実施形態を示して説明するものであり、本発明は多様な他の組合、変更及び環境で使用することができる。すなわち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、著わした開示内容と均等な範囲及び/または当業界の技術または知識の範囲内で変更または修正が可能である。著わした実施例は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明するものであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態で本発明を制限しようとする意図ではない。また、添付された請求範囲は他の実施状態も含むものとして解釈されなければならない。
５００ 基板処理装置
５０１ 処理空間
５１０ 工程チャンバ
５１１ 第２ボディー
５１３ 第１ボディー
５１５ 駆動器
５３０ 支持ユニット
５４０ 加熱ユニット
５５０ ガス導入ユニット
５６０ 間隔状態検出ユニット
５７０ ガス供給ユニット

Claims (20)

  1. 基板を処理する装置において、
    お互いに組合されて内部に処理空間を有する第１ボディーと第２ボディーを有する工程チャンバと、
    前記処理空間内に位置して基板を支持する支持ユニットと、
    前記支持ユニットに置かれた基板を加熱するように提供された加熱ユニットと、
    前記第１ボディーと前記第２ボディーのうちで何れか一つを移動させ、前記第１ボディーと前記第２ボディーを工程位置と開放位置との間に移動させる駆動器と、そして、
    前記第１ボディーと前記第２ボディーが前記工程位置に置かれる時、前記第１ボディーの側壁の下端面と前記第２ボディーの側壁の上端面との間の間隔状態を検出する間隔状態検出ユニットと、
    前記駆動器、そして前記間隔状態検出ユニットを制御する制御機を含み、
    前記間隔状態検出ユニットは、
    前記第１ボディーの側壁と前記第２ボディーの側壁間に正圧または負圧を提供する圧力提供ラインと、
    前記圧力提供ラインの圧力変化を測定する圧力測定部材を含み、
    前記制御機は、
    前記圧力測定部材によって測定された前記圧力に根拠して前記間隔状態を判断して前記間隔状態が不良であるかどうかを判断することを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記制御機は、
    前記間隔状態が不良であると判断される場合前記第１ボディーまたは前記第２ボディーが移動されるように前記駆動器、そして、前記間隔状態検出ユニットを制御することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記圧力提供ラインは、
    圧力供給源と連結されるメインラインと、
    前記メインラインから分岐されて前記メインラインと前記第１ボディーの側壁に形成された流体ホールを連結する分岐ラインを含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  4. 前記分岐ラインそれぞれに流れる流体の圧力は等しく提供されることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 前記圧力供給源は前記メインラインに前記流体を供給することを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 前記間隔状態検出ユニットは前記第１ボディーと前記第２ボディーとの側壁がお互いに対向する面を向けて鉛直方向に前記流体を噴射することを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 前記第１ボディーまたは前記第２ボディーに形成されたホールと、ホールに減圧を提供する減圧部材とを含む、前記処理空間または処理空間の周辺を排気する排気部材をさらに含み、
    前記圧力供給源は前記減圧部材であることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
  8. 前記間隔状態検出ユニットは、
    前記第１ボディーの側壁のうちで前記第２ボディーの側壁と対向する面に設置される間隔感知板をさらに含み、
    前記圧力提供ラインは前記間隔感知板に形成された流体ホールを通じて前記第１ボディーの側壁と前記第２ボディーの側壁間に正圧または負圧を提供することを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
  9. 前記間隔感知板の厚さは前記工程位置でお互いに対向する前記第１ボディーの側壁の下端面と前記第２ボディーの側壁の上端面との間の間隔と等しく提供されることを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
  10. 前記間隔感知板は前記第１ボディーの側壁に沿って複数個が提供されることを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
  11. 前記圧力測定部材は、
    前記圧力提供ラインと外気との間の圧力差を測定する差圧計を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  12. 前記制御機は、
    前記第１ボディーと前記第２ボディーは前記処理空間内で前記基板が処理されるうちに、前記第１ボディーの側壁の下端面と前記第２ボディーの側壁の上端面との間の間隔が既設定間隔を維持するように前記駆動器を制御することを特徴とする請求項１乃至請求項１１のうちでいずれか一つに記載の基板処理装置。
  13. 前記第１ボディーまたは前記第２ボディーに前記第１ボディーと前記第２ボディーがお互いに対向される側面を向けてガスを噴射してガス窓掛けを形成するガス供給ユニットをさらに含み、
    前記ガス供給ユニットは、
    前記第１ボディーまたは前記第２ボディーの側面に形成される複数個のガス供給ホールと、
    ガス供給源に連結されて前記ガス供給ホールに前記ガスを供給するガス供給ラインを含むことを特徴とする請求項１２に記載の基板処理装置。
  14. 前記基板の処理はベーク処理であることを特徴とする請求項１２に記載の基板処理装置。
  15. 基板を処理する方法において、
    基板を第２ボディー内部に提供し、第１ボディーの側壁の下端面と前記第２ボディーの側壁の上端面との間の間隔を既設定間隔で維持させた工程位置で前記基板を加熱処理する基板処理段階と、
    前記基板処理段階以前に間隔感知段階と、を含み、
    前記間隔感知段階で、
    間隔状態検出ユニットが前記第１ボディーと前記第２ボディーが対向する面を向けて流体を噴射するが、前記流体の圧力を測定して前記圧力に根拠して前記第１ボディーと前記第２ボディーが前記工程位置に置かれる時第１ボディーの側壁の下端面と前記第２ボディーの側壁の上端面との間の間隔状態を判断して前記間隔状態が不良であると判断される場合前記第１ボディーまたは前記第２ボディーを移動させる基板処理方法。
  16. 前記間隔状態検出ユニットは、
    前記第１ボディーの側壁と前記第２ボディーの側壁が対向する面に流体を提供する圧力提供ラインと、
    前記圧力提供ラインの圧力変化を測定する圧力測定部材を含み、
    前記圧力提供ラインは、
    圧力供給源と連結されるメインラインと、
    前記メインラインから分岐されて前記メインラインと前記第１ボディーの側壁に形成された流体ホールを連結する分岐ラインを含むことを特徴とする請求項１５に記載の基板処理方法。
  17. 前記間隔状態検出ユニットは、
    前記第１ボディーの側壁のうちで前記第２ボディーの側壁と対向する面に設置される間隔感知板をさらに含み、
    前記圧力提供ラインは前記間隔感知板に形成された流体ホールを通じて前記第１ボディーの側壁と前記第２ボディーの側壁間に流体を提供し、
    前記間隔感知板の厚さは前記工程位置でお互いに対向する前記第１ボディーの側壁の下端面と前記第２ボディーの側壁の上端面との間の間隔と等しく提供されることを特徴とする請求項１６に記載の基板処理方法。
  18. 前記基板処理段階で前記加熱処理の間に前記第１ボディーの側壁と前記第２ボディーの側壁が対向する面の間に外部の気体が、前記基板が提供される領域に流入されることを防止するガス窓掛けを形成することを特徴とする請求項１５乃至請求項１７に記載の基板処理方法。
  19. 前記基板の加熱処理はベーク処理であることを特徴とする請求項１５乃至請求項１７のうちでいずれか一つに記載の基板処理方法。
  20. 基板を処理する装置において、
    お互いに組合されて内部に基板をベーク処理するための処理空間を有する上部ボディーと下部ボディーを有する工程チャンバと、
    前記処理空間内に位置して前記基板を支持する支持ユニットと、
    前記支持ユニットに置かれた基板を加熱するように提供された加熱ユニットと、
    前記上部ボディーと前記下部ボディーのうちで何れか一つを移動させ、前記上部ボディーと前記下部ボディーを工程位置と開放位置との間に移動させる駆動器と、そして、
    前記上部ボディーと前記下部ボディーが前記工程位置に置かれる時、前記上部ボディーの側壁の下端面と前記下部ボディーの側壁の上端面との間の間隔状態を検出する間隔状態検出ユニットと、
    前記駆動器、そして前記間隔状態検出ユニットを制御する制御機を含み、
    前記間隔状態検出ユニットは、
    前記上部ボディーの側壁と前記下部ボディーの側壁が対向する面を向けて鉛直方向に流体を提供する圧力提供ラインと、
    前記圧力提供ラインの圧力変化を測定する圧力測定部材を含み、
    前記圧力提供ラインは、
    圧力供給源と連結されるメインラインと、
    前記メインラインから分岐されて前記メインラインと前記上部ボディーの側壁に形成された流体ホールを連結する分岐ラインをさらに含み、
    前記圧力測定部材は前記分岐ラインの圧力変化を測定し、
    前記間隔状態検出ユニットは、
    前記上部ボディーの側壁のうちで前記下部ボディーの側壁と対向する面に設置される間隔感知板をさらに含み、
    前記圧力提供ラインは前記間隔感知板に形成された流体ホールを通じて前記上部ボディーの側壁と前記下部ボディーの側壁間に流体を提供し、
    前記間隔感知板の厚さは前記工程位置でお互いに対向する前記上部ボディーの側壁の下端面と前記下部ボディーの側壁の上端面との間の間隔と等しく提供され、
    前記制御機は、
    前記上部ボディーと前記下部ボディーは前記処理空間内で前記基板が処理されるうちに、前記上部ボディーの側壁の下端面と前記下部ボディーの側壁の上端面が既設定間隔を維持するようにし、
    前記圧力測定部材によって測定された前記圧力に根拠して前記間隔状態を判断して前記間隔状態が不良であると判断される場合、前記上部ボディーまたは前記下部ボディーが移動されるように前記駆動器、そして前記間隔状態検出ユニットを制御することを特徴とする基板処理装置。
JP2021175230A 2020-11-02 2021-10-27 基板処理装置及び方法 Active JP7254144B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200144342A KR102548764B1 (ko) 2020-11-02 2020-11-02 기판 처리 장치 및 방법
KR10-2020-0144342 2020-11-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022074061A JP2022074061A (ja) 2022-05-17
JP7254144B2 true JP7254144B2 (ja) 2023-04-07

Family

ID=81362601

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021175230A Active JP7254144B2 (ja) 2020-11-02 2021-10-27 基板処理装置及び方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20220139738A1 (ja)
JP (1) JP7254144B2 (ja)
KR (1) KR102548764B1 (ja)
CN (1) CN114446825A (ja)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001358049A (ja) 2000-06-13 2001-12-26 Fujitsu Ltd 近接距離制御装置及び近接距離制御方法
JP2002280282A (ja) 2001-03-16 2002-09-27 Union Optical Co Ltd ウェハのキャリブレーション方法及び装置
US20150227050A1 (en) 2014-02-10 2015-08-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and apparatus for baking photoresist patterns
JP2019161087A (ja) 2018-03-15 2019-09-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10223516A (ja) * 1997-01-31 1998-08-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板の熱処理装置
JP4598463B2 (ja) * 2004-09-21 2010-12-15 芝浦メカトロニクス株式会社 真空装置、基板貼り合わせ装置、及び基板貼り合わせ方法
KR102397846B1 (ko) * 2015-07-09 2022-05-13 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102378336B1 (ko) * 2015-11-13 2022-03-24 세메스 주식회사 베이크 장치 및 베이크 방법
KR101856611B1 (ko) * 2016-03-14 2018-05-14 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR102455643B1 (ko) * 2018-01-26 2022-10-19 주식회사 케이씨텍 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001358049A (ja) 2000-06-13 2001-12-26 Fujitsu Ltd 近接距離制御装置及び近接距離制御方法
JP2002280282A (ja) 2001-03-16 2002-09-27 Union Optical Co Ltd ウェハのキャリブレーション方法及び装置
US20150227050A1 (en) 2014-02-10 2015-08-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and apparatus for baking photoresist patterns
JP2019161087A (ja) 2018-03-15 2019-09-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022074061A (ja) 2022-05-17
US20220139738A1 (en) 2022-05-05
KR20220059997A (ko) 2022-05-11
CN114446825A (zh) 2022-05-06
KR102548764B1 (ko) 2023-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4899879B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
KR101433391B1 (ko) 기판의 처리방법, 컴퓨터 기억매체 및 기판처리 시스템
KR101878992B1 (ko) 소수화 처리 장치, 소수화 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체
US20110117492A1 (en) Photoresist coating and developing apparatus, substrate transfer method and interface apparatus
US11282720B2 (en) Apparatus for treating substrate
WO2006085527A1 (ja) 熱処理板の温度設定方法，熱処理板の温度設定装置，プログラム及びプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP7254144B2 (ja) 基板処理装置及び方法
KR20180083804A (ko) 기판 처리 장치
KR102303593B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
WO2020209067A1 (ja) 成膜装置、成膜方法、および成膜システム
TWI808450B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
KR102343638B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP4024980B2 (ja) 加熱処理方法及び加熱処理装置
KR102175073B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP7305735B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
US11923212B2 (en) Apparatus and method for treating substrate
US20240222165A1 (en) Substrate treating apparatus
KR102298086B1 (ko) 가스 공급 유닛 및 방법, 그리고 기판 처리 장치 및 방법
KR102243242B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102277549B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20220094754A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
US20230160768A1 (en) Differential pressure measuring device and substrate treating facility including the same
JP2011210814A (ja) 基板処理ユニット、基板処理方法および基板処理装置
JP2022189772A (ja) 基板処理装置
KR20230028151A (ko) 감압 건조 장치, 감압 건조 방법 및 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체에 기억된 컴퓨터 프로그램

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20211027

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20220826

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220920

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20221216

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230314

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230328

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7254144

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150