KR102548764B1 - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 예에서, 기판 처리 장치는, 서로 조합되어 내부에 처리 공간을 가지는 제1바디와 제2바디를 가지는 공정 챔버와; 처리 공간 내에 위치하며 기판을 지지하는 지지 유닛과; 지지 유닛에 놓인 기판을 가열하도록 제공된 가열 유닛과; 제1바디와 제2바디 중 어느 하나를 이동시켜, 제1바디와 제2바디를 공정 위치와 개방 위치 간으로 이동시키는 구동기; 그리고, 제1바디와 제2바디가 공정 위치에 놓일 때, 제1바디의 측벽과 제2바디의 측벽 간의 간격 상태를 검출하는 간격 상태 검출 유닛과; 구동기 그리고 검출 유닛을 제어하는 제어기를 포함하고, 간격 상태 검출 유닛은, 제1바디의 측벽과 제2바디의 측벽 사이에 양압 또는 부압을 제공하는 압력 제공 라인과; 압력 제공 라인의 압력 변화를 측정하는 압력 측정 부재를 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 포토 리소그래피, 에칭, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 패턴을 형성하기 위해 수행되는 포토 리소그래피 공정은 반도체 소자의 고집적화를 이루는데 중요한 역할을 수행한다. 포토리소그래피 공정은 실리콘으로 이루어진 반도체 기판 상에 포토레지스트패턴을 형성하기 위해 수행된다. 포토리소그래피 공정은 기판 상에 포토레지스트 막을 형성하기 위한 코팅 및 소프트 베이크 공정, 포토레지스트막으로부터 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 노광 및 현상 공정, 포토레지스트 막 또는 패턴의 에지 부위를 제거하기 위한 에지 비드 제거(edge bead removal; 이하 'EBR'라 한다) 공정 및 에지 노광(edgeexposure of wafer;EEW)공정, 포토레지스트 패턴을 안정화 및 치밀화시키기 위한 하드 베이크 공정 등을 포함한다.
베이크 공정은 기판을 가열하는 공정이다. 베이크 공정에는 내부에 기판이 처리되는 처리 공간을 형성하는 챔버가 제공된다. 일반적으로, 베이크 공정에 이용되는 챔버는 두 개의 바디를 가지고, 두 개의 바디가 조합되어 내부에 처리 공간을 형성한다. 기판이 처리 공간으로 반입 또는 반출될 때에 챔버가 개방되고, 처리 공간에서 베이크 공정이 진행되는 동안 챔버는 폐쇄된다. 다만, 챔버가 개방되었다가 다시 폐쇄될 때에 챔버가 정 위치에 있는지 여부를 알기 어렵다.
특히, 각각의 바디를 서로 이격시킨 상태에서 베이크 공정을 진행하는 경우, 각 바디가 기 설정된 간격만큼 이격되었는지 여부와, 각 바디가 어느 한쪽을 기울어져 있거나 치우치지 않았는지 여부를 알기 어렵다.
본 발명은, 공정 챔버 간의 간격이 기 설정 간격인지 여부를 확인할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은, 공정 챔버 간의 간격이 균일한지 여부를 확인할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 일 실시 예에서, 기판을 처리하는 장치는, 서로 조합되어 내부에 처리 공간을 가지는 제1바디와 제2바디를 가지는 공정 챔버와; 처리 공간 내에 위치하며 기판을 지지하는 지지 유닛과; 지지 유닛에 놓인 기판을 가열하도록 제공된 가열 유닛과; 제1바디와 제2바디 중 어느 하나를 이동시켜, 제1바디와 제2바디를 공정 위치와 개방 위치 간으로 이동시키는 구동기; 그리고, 제1바디와 제2바디가 공정 위치에 놓일 때, 제1바디의 측벽과 제2바디의 측벽 간의 간격 상태를 검출하는 간격 상태 검출 유닛과; 구동기 그리고 검출 유닛을 제어하는 제어기를 포함하고, 간격 상태 검출 유닛은, 제1바디의 측벽과 제2바디의 측벽 사이에 양압 또는 부압을 제공하는 압력 제공 라인과; 압력 제공 라인의 압력 변화를 측정하는 압력 측정 부재를 포함하고, 제어기는, 압력 측정 부재에 의해 측정된 압력에 근거하여 간격 상태를 판단하여 간격 상태가 불량인지 여부를 판단할 수 있다.
일 실시 예에서, 제어기는, 간격 상태가 불량이라고 판단되는 경우 제1바디 또는 제2바디가 이동되도록 구동기 그리고 검출 유닛을 제어할 수 있다.
일 실시 예에서, 압력 제공 라인은, 압력 공급원과 연결되는 메인 라인과; 메인 라인에서 분기되어 메인 라인과 제1바디의 측벽에 형성된 유체홀을 연결하는 분기 라인을 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 분기 라인 각각에 흐르는 유체의 압력은 동일하게 제공될 수 있다.
일 실시 예에서, 압력 공급원은 메인 라인으로 유체를 공급할 수 있다.
일 실시 예에서, 간격 상태 검출 유닛은 제1바디와 제2바디의 측벽이 서로 대향하는 면을 향해 연직 방향으로 유체를 분사할 수 있다.
일 실시 예에서, 압력 공급원은 감압 부재일 수 있다.
일 실시 예에서, 간격 상태 검출 유닛은, 제1바디의 측벽 중 제2바디의 측벽과 대향하는 면에 설치되는 간격 감지판을 더 포함하고, 압력 제공 라인은 간격 감지판에 형성된 유체홀을 통해 제1바디의 측벽과 제2바디의 측벽 사이에 양압 또는 부압을 제공할 수 있다.
일 실시 예에서, 간격 감지판의 두께는 공정 위치에서 서로 대향하는 제1바디의 측벽 및 제2바디의 측벽 간의 간격과 동일하게 제공될 수 있다.
일 실시 예에서, 간격 감지판은 제1바디의 측벽을 따라 복수 개가 제공될 수 있다.
일 실시 예에서, 압력 측정 부재는, 압력 제공 라인과 외기 간의 압력차를 측정하는 차압계를 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 제어기는, 제1바디와 제2바디는 처리 공간 내에서 기판이 처리되는 동안, 제1바디의 측벽과 제2바디의 측벽 간의 간격이 기 설정 간격을 유지하도록 구동기를 제어할 수 있다.
일 실시 예에서, 제1바디 또는 제2바디에 제1바디와 제2바디가 서로 대향되는 측면을 향해 가스를 분사하여 가스 커튼을 형성하는 가스 공급 유닛을 더 포함하고, 가스 공급 유닛은, 제1바디 또는 제2바디의 측면에 형성되는 복수 개의 가스 공급홀과; 가스 공급원에 연결되어 가스 공급홀로 가스를 공급하는 가스 공급 라인을 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 기판의 처리는 베이크 처리일 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 일 실시 예에서, 기판을 처리하는 방법에 있어서, 기판을 제2바디 내부에 제공하고, 제1바디의 측벽과 제2바디의 측벽 간의 간격을 기 설정 간격으로 유지시킨 공정 위치에서 기판을 가열 처리하는 기판 처리 단계와; 기판 처리 단계 이전에 간격 감지 단계를 포함하며, 간격 감지 단계에서, 간격 상태 검출 유닛이 제1바디와 제2바디가 대향하는 면을 향해 유체를 분사하되 유체의 압력을 측정하여 압력에 근거하여 제1바디와 제2바디가 공정 위치에 놓일 때 제1바디의 측벽과 제2바디의 측벽 간의 간격 상태를 판단하여 간격 상태가 불량이라고 판단되는 경우 제1바디 또는 제2바디를 이동시킬 수 있다.
일 실시 예에서, 간격 상태 검출 유닛은, 제1바디의 측벽과 제2바디의 측벽이 대향하는 면에 유체를 제공하는 압력 제공 라인과; 압력 제공 라인의 압력 변화를 측정하는 압력 측정 부재를 포함하고, 압력 제공 라인은, 압력 공급원과 연결되는 메인 라인과; 메인 라인에서 분기되어 메인 라인과 제1바디의 측벽에 형성된 유체홀을 연결하는 분기 라인을 포함할 수 있다.
일 실시 예에서, 간격 상태 검출 유닛은, 제1바디의 측벽 중 제2바디의 측벽과 대향하는 면에 설치되는 간격 감지판을 더 포함하고, 압력 제공 라인은 간격 감지판에 형성된 유체홀을 통해 제1바디의 측벽과 제2바디의 측벽 사이에 유체를 제공하며, 간격 감지판의 두께는 공정 위치에서 서로 대향하는 제1바디의 측벽 및 제2바디의 측벽 간의 간격과 동일하게 제공될 수 있다.
일 실시 예에서, 기판 처리 단계에서 가열 처리 동안에 제1바디의 측벽과 제2바디의 측벽이 대향하는 면 사이로 외부의 기체가 기판이 제공되는 영역으로 유입되는 것을 방지하는 가스 커튼을 형성할 수 있다.
일 실시 예에서, 기판의 가열 처리는 베이크 처리일 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치에 있어서, 서로 조합되어 내부에 기판을 베이크 처리하기 위한 처리 공간을 가지는 상부 바디와 하부 바디를 가지는 공정 챔버와; 처리 공간 내에 위치하며 기판을 지지하는 지지 유닛과; 지지 유닛에 놓인 기판을 가열하도록 제공된 가열 유닛과; 상부 바디와 하부 바디 중 어느 하나를 이동시켜, 상부 바디와 하부 바디를 공정 위치와 개방 위치 간으로 이동시키는 구동기; 그리고, 상부 바디와 하부 바디가 공정 위치에 놓일 때, 상부 바디의 측벽과 하부 바디의 측벽 간의 간격 상태를 검출하는 간격 상태 검출 유닛과; 구동기 그리고 검출 유닛을 제어하는 제어기를 포함하고, 간격 상태 검출 유닛은, 상부 바디의 측벽과 하부 바디의 측벽이 대향하는 면을 향해 연직 방향으로 유체를 제공하는 압력 제공 라인과; 압력 제공 라인의 압력 변화를 측정하는 압력 측정 부재를 포함하고, 압력 제공 라인은, 압력 공급원과 연결되는 메인 라인과; 메인 라인에서 분기되어 메인 라인과 상부 바디의 측벽에 형성된 유체홀을 연결하는 분기 라인을 더 포함하고, 압력 측정 부재는 분기 라인의 압력 변화를 측정하며, 간격 상태 검출 유닛은, 상부 바디의 측벽 중 하부 바디의 측벽과 대향하는 면에 설치되는 간격 감지판을 더 포함하고, 압력 제공 라인은 간격 감지판에 형성된 유체홀을 통해 상부 바디의 측벽과 하부 바디의 측벽 사이에 유체를 제공하며, 간격 감지판의 두께는 공정 위치에서 서로 대향하는 상부 바디의 측벽 및 하부 바디의 측벽 간의 간격과 동일하게 제공되며, 제어기는, 상부 바디와 하부 바디는 처리 공간 내에서 기판이 처리되는 동안, 상부 바디와 하부 바디가 기 설정 간격을 유지하도록 하고, 압력 측정 부재에 의해 측정된 압력에 근거하여 간격 상태를 판단하여 간격 상태가 불량이라고 판단되는 경우 상부 바디 또는 하부 바디가 이동되도록 구동기 그리고 검출 유닛을 제어할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 공정 챔버 간의 간격이 기 설정 간격인지 여부를 확인할 수 있는 이점이 있다.
또한, 본 발명은, 공정 챔버 간의 간격이 균일한지 여부를 확인할 수 있는 이점이 있다.
상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1바디를 상부에서 바라본 모습을 나타내는 평면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법의 프로우 차트를 나타낸다.
도 7 내지 도 9는 각각 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 순서대로 나타내는 도면이다.
도 10 내지 도 11은 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 제1바디를 상부에서 바라본 모습을 나타내는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20, index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하면, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 제1 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(12)과 수직한 방향을 제2 방향(14)이라 하고, 제1 방향(12) 및 제2 방향(14)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(16)이라 한다.
인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 제2 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 제2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다.
용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic GuidedVehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다.
인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 제2 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.
처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 1의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.
도 3을 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다.
반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 로봇(3422)이 제공된다. 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 로봇(3422)은 기판(W)이 놓이는 핸드(3420)를 가지며, 핸드(3420)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 제1 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 로봇(3422)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다.
열처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 열처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3200)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타내는 단면도이다. 도 4의 기판 처리 장치는 도 1의 열처리 챔버들(3200) 중 일부의 열처리 챔버에 제공된 가열 유닛(3230) 중 하나 일 수 있다.
도 4를 참고하면, 기판 처리 장치(500)는 공정 챔버(510), 지지 유닛(530), 가열 유닛(540), 가스 도입 유닛(550), 배기 부재(미도시), 가스 공급 유닛(570) 그리고 간격 상태 검출 유닛(560)을 포함한다.
공정 챔버(510)는 내부에 처리 공간(501)을 제공한다. 공정 챔버(510)는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 또는, 이와는 달리, 직육면체 형상으로 제공될 수 있다. 공정 챔버(510)는 제1바디(513)와 제2바디(511)를 포함한다. 제1바디(513)와 제2바디(511)는 서로 조합되어 내부에 처리 공간(501)을 가진다. 일 예에서, 제1바디(513)와 제2바디(511)는 서로 간에 상하 방향으로 배치될 수 있다. 예컨대, 제2바디(511)는 제1바디(513)보다 위에 위치하는 상부 바디로, 제1바디(513)는 제2바디(511)보다 아래에 위치하는 하부 바디로 제공될 수 있다. 일 예에서, 제1바디(513)는 상부에서 바라볼 때, 원형의 형상으로 제공된다. 마찬가지로, 제2바디(511)는 상부에서 바라볼 때, 원형의 형상으로 제공된다.
구동기(515)는 제1바디(513) 또는 제2바디(511)을 이동시킨다. 구동기(515)는 제1바디(513) 또는 제2바디(511) 중 어느 하나를 이동시켜 제1바디(513)와 제2바디(511) 간의 상대 거리를 변경시킬 수 있다. 선택적으로, 구동기(515)는 제1바디(513)와 제2바디(511) 모두를 이동시켜 제1바디(513)와 제2바디(511) 간의 상대 거리를 변경시킬 수 있다. 일 예에서, 구동기(515)는 제2바디(511)와 연결된다. 구동기(515)는 제2바디(511)를 상하로 승하강시킬 수 있다. 일 예에서, 구동기(515)는 제2바디(511)의 높이와 수평을 조절할 수 있도록 제공된다. 일 예에서, 구동기(515)는 공정 챔버(510)를 공정 위치와 개방 위치 간으로 이동시킨다. 예컨대, 구동기(515)는 제2바디(511)를 하강시켜 공정 위치에 위치시키고, 제2바디(511)를 승강시켜 개방 위치에 위치시킨다. 일 예에서, 공정 위치는 공정 챔버(510) 내부로 기판(W)이 베이크 처리될 때의 위치이다. 일 예에서, 공정 위치는 제1바디(513)와 제2바디(511)가 소정의 간격을 두고 이격된 위치일 수 있다. 예컨대, 공정 위치에서 제1바디(513)와 제2바디(511)의 대향되는 측면은 1mm 내지 10mm의 간격을 가질 수 있다. 일 예에서, 개방 위치는 구동기(515)는 공정 챔버(510) 내부로 기판(W)을 반입 또는 반출 시 제2바디(511)를 상부로 이동시켜 공정 챔버(510) 내부를 개방하는 위치이다. 본 실시 예에서는 구동기(515)가 제2바디(511)와 연결되어 제공되는 것을 예로 들었으나, 이와는 달리 구동기(515)는 제1바디(513)와 연결되어 제1바디(513)를 승하강시킬 수 있다.
지지 유닛(530)은 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(530)은 처리 공간(501) 내 위치한다. 지지 유닛(530)은 상부에서 바라볼 때, 원형의 형상으로 제공된다. 지지 유닛(530)의 상면은 기판(W)보다 큰 단면적을 가질 수 있다. 지지 유닛(530)은 열전도성이 좋은 재질로 제공될 수 있다. 지지 유닛(530)은 내열성이 우수한 재질로 제공될 수 있다.
가열 유닛(540)은 지지 유닛(530)에 놓인 기판(W)을 가열한다. 가열 유닛(540)은 지지 유닛(530)의 내부에 위치할 수 있다. 일 예로 가열 유닛(540)은 히터로 제공될 수 있다. 일 예에서, 히터는 지지 유닛(530) 내부에서 패턴을 형성하는 열선으로 제공될 수 있다. 이와 달리 히터는 램프 등으로 제공될 수 있다.
배기 부재(미도시)는 처리 공간(501) 또는 처리 공간(501)의 주변을 배기한다. 여기서 처리 공간(501)의 주변부는 제1바디(513)와 제2바디(511) 사이의 공간으로 정의한다. 배기 부재(미도시)는 제1바디(513) 또는 제2바디(511)에 형성된 홀과, 홀에 감압을 제공하는 감압부재를 포함할 수 있다. 일 예에서, 홀은 제1바디(513)에 가스 공급홀(575)과 중첩되지 않도록 복수 개 배치될 수 있다. 선택적으로, 홀은 제2바디(511)에 제공될 수 있다. 일 예에서, 홀은 가스 공급홀(575)과 지지 유닛(530)의 중심을 기준으로 동일한 거리에 배치될 수 있다.
가스 공급 유닛(570)는 처리 공간(501) 내부의 분위기가 유출되고, 처리 공간(501)으로 외기가 유입되는 것을 방지한다. 일 예에서, 가스 공급 유닛(570)는 가스 공급 라인(571), 가스 공급홀(572) 그리고 가스 공급원(573)을 포함한다. 가스 공급 라인(571)은 가스 공급원(573)으로부터 기체를 공급받아 가스 공급홀(572)에 공급한다. 가스 공급 라인(571)에는 가스 조절 밸브(577)이 설치된다. 가스 조절 밸브(577)는 가스 공급홀(572)로 제공되는 가스의 공급 여부 및 공급 유량을 조절한다. 가스 공급홀(572)은 제1바디(513)와 제2바디(511) 사이의 공간으로 기체를 분사한다. 일 예에서, 가스 공급홀(572)은 제1바디(513)와 제2바디(511)가 서로 대향되는 측면을 향해 기체를 분사한다. 일 예에서 가스 공급홀(572)는 제1바디(513)에 복수 개 제공될 수 있다. 선택적으로, 가스 공급홀(572)은 제2바디(511)에 복수 개 제공될 수 있다. 일 예에서, 기체는 비활성 가스로 제공된다. 예컨대, 기체는 질소로 제공된다. 일 예에서, 가스 공급홀(572)은 지지 유닛(530)의 중심을 기준으로, 동일한 거리에 복수 개 배치될 수 있다.
간격 상태 검출 유닛(560)은 제1바디(513)와 제2바디(511)가 공정 위치에 놓일 때, 제1바디(513)의 측벽과 제2바디(511)의 측벽 간의 간격 상태를 검출한다. 도 4 내지 도 5를 참조하면, 간격 상태 검출 유닛(560)은, 압력 제공 라인(561), 압력 측정 부재(565) 그리고 간격 감지판(580)을 포함한다. 일 예에서, 압력 제공 라인(561)은, 제1바디(513)의 측벽과 제2바디(511)의 측벽 사이에 양압 또는 부압을 제공한다. 일 예에서, 제1바디(513) 또는 제2바디(511)에 압력 제공 라인(561)과 연결되는 유체홀(562)이 형성된다. 예컨대, 제2바디(511)에 유체홀(562)이 형성된다.
압력 제공 라인(561)은, 메인 라인(5611)과 분기 라인(5612)을 포함한다. 메인 라인(5611)은 압력 공급원(567)과 연결된다. 압력 공급원(567)은 메인 라인(5611)에 압력을 제공한다. 일 예에서, 압력 공급원(567)은 메인 라인(5611)으로 유체를 공급할 수 있다. 일 예에서, 유체는 기체로 제공될 수 있다. 예컨대, 유체는 공기로 제공될 수 있다. 선택적으로 압력 공급원(567)은 감압 부재로 제공되어 메인 라인(5611)에 감압력을 제공할 수 있다. 이하, 압력 공급원(567)은 메인 라인(5611)과 분기 라인(5612)으로 공기를 공급하는 것으로 설명한다.
분기 라인(5612)은 메인 라인(5611)에서 분기되어 메인 라인(5611)과 제1바디(513)의 측벽에 형성된 유체홀(562)을 연결한다. 선택적으로, 유체홀(562)은 단일 개로 제공되고, 메인 라인(5611)이 유체홀(562)에 직접 연결될 수 있다. 일 예에서, 분기 라인(5612) 각각은 동일한 길이와 직경을 가지도록 제공되며, 분기 라인(5612) 각각에 흐르는 유체의 압력은 동일하게 제공될 수 있다.
압력 측정 부재(565)는, 압력 제공 라인(561)의 압력 변화를 측정 또는 감지한다. 일 예에서, 압력 측정 부재(565)는 분기 라인(5612)의 압력 변화를 감지한다. 일 예에서, 압력 측정 부재(565)는 메인 라인(5611)에 제공되는 차압계를 포함한다. 일 예에서, 차압계는 메인 라인(5611)과 외기 간의 압력 차이를 측정할 수 있다. 또는, 차압계는 메인 라인(5611)과 분기 라인(5612)간의 압력 차이를 측정할 수 있다. 선택적으로, 유체홀(562)은 단일 개로 제공되고, 메인 라인(5611)이 유체홀(562)에 직접 연결되며, 압력 측정 부재(565)는 메인 라인(5611)의 압력 변화를 측정 또는 감지하도록 제공될 수 있다.
간격 감지판(580)은 제1바디(513)의 측벽 중 제2바디(511)의 측벽과 대향하는 면에 설치된다. 일 예에서, 간격 감지판(580)은 제1바디(513) 상에 놓인다. 예컨대, 간격 감지판(580)은 제1바디(513)와 결합될 수 있다. 선택적으로, 간격 감지판(580)은 제2바디(511)와 결합될 수 있다. 일 예에서, 제1바디(513)에 형성된 유체홀(562)은 간격 감지판(580)까지 연장 형성된다. 일 예에서, 압력 제공 라인(561)은 간격 감지판(580)에 형성된 유체홀(562)을 통해 제1바디(513)의 측벽과 제2바디(511)의 측벽 사이에 양압 또는 부압을 제공한다. 예컨대, 압력 제공 라인(561)은 간격 감지판(580)에 형성된 유체홀(562)에 공기를 공급할 수 있다. 압력 제공 라인(561)은 제1바디(513)와 제2바디(511)의 측벽이 서로 대향하는 면을 향해 연직 방향으로 공기를 분사한다.
일 예에서, 간격 감지판(580)의 두께는 공정 위치에서 서로 대향하는 제1바디(513)의 측벽 및 제2바디(511)의 측벽 간의 간격과 동일하게 제공된다. 예컨대, 제1바디(513)와 제2바디(511)는 처리 공간 내에서 기판이 처리되는 동안 공정 위치에 놓이고, 공정 위치에서 제1바디(513)의 측벽과 제2바디(511)의 측벽 간의 간격이 기 설정 간격을 유지한다. 그리고, 간격 감지판(580)의 두께는 기 설정 간격과 동일하게 제공된다. 이에, 공정 위치에서 간격 감지판(580)은 제1바디(513) 그리고 제2바디(511) 간의 틈에 밀착된다. 이에, 공정 위치에서, 메인 라인(5611)과 분기 라인(5612) 내부에는 소정의 압력이 형성될 수 있다.
분기 라인(5612)은 동일한 직경과 길이를 가지며 동일한 압력에 제공된다. 이에, 간격 감지판(580)과 제2바디(511)의 측벽 간의 간격이 모든 위치에서 동일하다면, 분기 라인(5612) 내부에 형성되는 압력 역시 동일하다. 일 예에서, 간격 감지판(580)은 제1바디(513)의 측벽을 따라 복수 개가 제공될 수 있다. 예컨대, 간격 감지판(580)은 동일한 간격으로 제1바디(513) 상에 4개 제공될 수 있다. 선택적으로, 간격 감지판(580)은 이보다 적거나 많은 수로 제공될 수 있다.
이하에서는 도 6 내지 도 8을 참조하여, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치(500)로 기판(W)을 처리하는 방법을 설명한다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법의 플로우 차트를 나타내고, 도 7 내지 도 9은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 방법을 순서대로 나타내는 도면이다. 도 6을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 방법은, 간격 감지 단계(S10)와 기판 처리 단계(S20)를 포함한다. 간격 감지 단계(S10) 이전에, 도 7에 도시된 바와 같이 공정 챔버(510)를 개방하고, 처리 공간(501)의 외부로부터 이송된 기판(W)을 지지 유닛(530)에 안착시킨다.
기판(W)의 이송 후 제2바디(511)가 하강되어 공정 챔버(510)는 도 8에 도시된 바와 같이 공정 위치에 놓인다. 공정 챔버(510)가 공정 위치에 놓이면, 간격 감지 단계(S10)가 시작된다. 선택적으로, 제2바디(511)가 하강되는 동안 간격 감지 단계(S10)가 시작될 수 있다. 간격 감지 단계(S10)에서, 제1바디(513)와 제2바디(511)가 기 설정 간격으로 이격되었는지 여부와, 제1바디(513)와 제2바디(511)가 대향되는 측면에서, 제1바디(513)와 제2바디(511) 간의 간격이 균일한지 여부를 판단한다.
간격 감지 단계(S10)가 시작되면, 도 8 내지 도 9에 도시된 바와 같이, 구동기(515)는, 제1바디(513)와 제2바디(511)와의 간격이 기 설정 간격이 될 때까지 제2바디(511)를 하강시킨다. 간격 감지 단계(S10)가 시작되면, 압력 제공 라인(561)에 공기가 공급된다. 간격 감지 단계(S10)가 수행되기 전에, 제어기에는, 제1바디(513)와 제2바디(511)가 기 설정 간격일 때, 메인 라인(5611) 또는 분기 라인(5612)에 형성되는 압력에 대한 정보가 입력된다. 일 예에서, 제어기에는 제1바디(513)와 제2바디(511)가 기 설정 간격일 때, 메인 라인(5611)에 형성되는 기 설정 압력에 대한 정보가 입력된다.
제1바디(513)와 제2바디(511)가 기 설정 간격으로 이격되었는지 여부는 아래와 같이 판단된다. 제어기는, 메인 라인(5611)에 형성되는 압력이 기 설정 압력이 될 때까지 제2바디(511)의 위치가 조절되도록 구동기(515)를 제어한다. 일 예에서, 기 설정 압력 정보는 차압계에 의해 측정된 압력 정보일 수 있다. 예컨대, 메인 라인(5611)에 제공된 차압계가 메인 라인(5611)과 외기 간의 압력 차이를 측정한다. 제어기에는 제1바디(513)와 제2바디(511)가 기 설정 간격일 때, 메인 라인(5611)과 외기 간의 압력 차이에 대한 정보가 입력된다. 제어기는, 메인 라인(5611)과 외기 간의 압력 차이가 기 설정 압력 차이가 아닌 경우, 이를 간격 상태가 불량 상태인 것으로 판단한다. 일 예에서, 측정된 메인 라인(5611)과 외기 간의 압력 차이가 기 설정 압력 차이와 소정 범위의 오차 범위 외인 경우 이를 불량 상태로 판단한다. 제어기는, 간격 상태가 불량 상태인 것으로 판단되면, 메인 라인(5611)과 외기 간의 압력 차이가 기 설정 압력 차이가 될 때까지 제2바디(511)의 위치가 조절되도록 구동기(515)를 제어한다. 이에, 제2바디(511)는 원하는 높이에 위치하게 된다.
제1바디(513)와 제2바디(511) 간의 간격이 균일한지 여부는 아래와 같이 판단된다. 분기 라인(5612)으로 공급되는 공기의 압력은 동일하고, 각 분기 라인(5612)의 직경과 길이는 동일하다. 이에, 제1바디(513)와 제2바디(511)의 간의 간격이, 제1바디(513)와 제2바디(511)가 대향되는 측면에서 균일하다면, 분기 라인(5612) 각각의 내부 압력은 동일하게 형성된다. 만약, 제1바디(513)와 제2바디(511)가 대향되는 측면에서 어느 한 부분이라도 간격이 동일하지 않게 되면, 분기 라인(5612) 중 일부의 내부 압력에 변동이 생긴다. 분기 라인(5612) 중 어느 하나라도 압력 변동이 발생하면 메인 라인(5611)의 압력도 변동된다. 제어기는, 차압계에 의해 측정된 메인 라인(5611)과 외기 간의 압력 차이가 기 설정 압력 차이와는 변동이 있는 경우 이를 불량 상태로 판단한다. 일 예에서, 측정된 메인 라인(5611)과 외기 간의 압력 차이가 기 설정 압력 차이와 소정 범위의 오차 범위 외인 경우 이를 불량 상태로 판단한다. 제어기는, 메인 라인(5611)과 외기 간의 압력 차이가 기 설정 압력 차이가 될 때까지 제2바디(511)의 위치가 조절되도록 구동기(515)를 제어한다. 일 예에서, 구동기(515)는 공압을 제공하는 복수 개의 실린더로 제공되고, 제어기는 각 실린더의 공압을 조절할 수 있다. 이에, 제1바디(513)와 제2바디(511)의 간격은 균일하게 된다.
일 예에서, 간격 감지 단계(S10)는, 기판 처리 단계(S20)가 수행되는 동안에도 계속될 수 있다. 즉, 기판(W)이 공정 챔버(510) 내에서 처리되는 동안 제1바디(513)와 제2바디(511)의 위치가 적절한지 계속적으로 판단한다.
상술한 예에서는, 구동기(515)가 제어기의 명령에 따라 제2바디(511)의 위치를 조절하는 것으로 설명하였다. 그러나 선택적으로, 구동기(515) 대신 작업자가 제1바디(513) 또는 2바디(511)의 위치를 조정할 수 있다.
상술한 예에서는, 간격 상태 검출 유닛(560)은 제1바디(513)에 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나 다른 예에서, 간격 상태 검출 유닛(560)은 제2바디(511)에 제공될 수 있다.
상술한 예에서는, 메인 라인(5611)에 차압계가 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 분기 라인(5612) 각각의 압력을 측정하는 압력계가 제공될 수 있다. 또는, 메인 라인(5611)의 압력을 측정하는 압력계가 제공될 수 있다.
상술한 예에서는, 유체홀(562)과 지지 유닛(530)의 중심 간의 거리 그리고 가스 공급홀과 지지 유닛(530)의 중심 간의 거리는 상이하게 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나, 이와 달리 도 10에 도시된 바와 같이 유체홀(562)과 지지 유닛(530)의 중심 간의 거리 그리고 가스 공급홀과 지지 유닛(530)의 중심 간의 거리는 동일하게 제공될 수 있다.
상술한 예에는, 간격 감지판(580)이 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나, 이와 달리 도 11에 도시된 바와 같이 간격 감지판(580)이 제공되지 않을 수 있다. 도 11에 도시된 실시예에서, 제1바디(513)와 제2바디(511)는 상술한 바와 같이 이격된 채 기판 처리 단계(S20)를 수행할 수 있다. 선택적으로, 제1바디(513)와 제2바디(511)는 밀착된 채 기판 처리 단계(S20)를 수행할 수 있다.
본 발명에 의하면, 공정 챔버(510) 간의 간격이 기 설정 간격인지 여부를 확인할 수 있다. 또한, 공정 챔버(510) 간의 간격이 균일한지 여부를 확인할 수 있다.
다시 도 2 및 도 3를 참조하면, 액처리 챔버(3600)는 복수 개로 제공된다. 액처리 챔버들(3600) 중 일부는 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 액 처리 챔버들(3600)은 반송 챔버(3402)의 일측에 배치된다. 액 처리 챔버들(3600)은 제1방향(12)을 따라 나란히 배열된다. 액 처리 챔버들(3600) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 전단 액처리 챔버(3602)(front liquid treating chamber)라 칭한다. 액 처리 챔버들(3600)은 중 다른 일부는 인터페이스 모듈(40)과 인접한 위치에 제공된다. 이하, 이들 액처리 챔버를 후단 액처리 챔버(3604)(rear heat treating chamber)라 칭한다.
전단 액처리 챔버(3602)는 기판(W)상에 제1액을 도포하고, 후단 액처리 챔버(3604)는 기판(W) 상에 제2액을 도포한다. 제1액과 제2액은 서로 상이한 종류의 액일 수 있다. 일 실시예에 의하면, 제1액은 반사 방지막이고, 제2액은 포토레지스트이다. 포토레지스트는 반사 방지막이 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액은 포토레지스트이고, 제2액은 반사방지막일 수 있다. 이 경우, 반사방지막은 포토레지스트가 도포된 기판(W) 상에 도포될 수 있다. 선택적으로 제1액과 제2액은 동일한 종류의 액이고, 이들은 모두 포토레지스트일 수 있다.
버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3422)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3422) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다.
현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공될 수 있다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.
인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다.
인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬 필터 유닛(미도시)이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.
인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.
일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.
반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.
제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제3 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.
인덱스 로봇(2200), 제1로봇(4602), 그리고 제2 로봇(4606)의 핸드는 모두 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공될 수 있다. 선택적으로 열처리 챔버의 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받는 로봇의 핸드는 반송 로봇(3422, 3424)의 핸드(3420)와 동일한 형상으로 제공되고, 나머지 로봇의 핸드는 이와 상이한 형상으로 제공될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 인덱스 로봇(2200)은 도포 블럭(30a)에 제공된 전단 열처리 챔버(3200)의 가열 유닛(3230)과 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공된다.
또한, 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)에 제공된 반송 로봇(3422)은 열처리 챔버(3200)에 위치된 반송 플레이트(3240)와 직접 기판(W)을 주고받을 수 있도록 제공될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 상술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.

Claims (20)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    서로 조합되어 내부에 처리 공간을 가지는 제1바디와 제2바디를 가지는 공정 챔버와;
    상기 처리 공간 내에 위치하며 기판을 지지하는 지지 유닛과;
    상기 지지 유닛에 놓인 기판을 가열하도록 제공된 가열 유닛과;
    상기 제1바디와 상기 제2바디 중 어느 하나를 이동시켜, 상기 제1바디와 상기 제2바디를 공정 위치와 개방 위치 간으로 이동시키는 구동기; 그리고,
    상기 제1바디와 상기 제2바디가 상기 공정 위치에 놓일 때, 상기 제1바디의 측벽과 상기 제2바디의 측벽 간의 간격 상태를 검출하는 간격 상태 검출 유닛과;
    상기 구동기 그리고 상기 검출 유닛을 제어하는 제어기를 포함하고,
    상기 간격 상태 검출 유닛은,
    상기 제1바디의 측벽과 상기 제2바디의 측벽 사이에 양압 또는 부압을 제공하는 압력 제공 라인과;
    상기 압력 제공 라인의 압력 변화를 측정하는 압력 측정 부재를 포함하고,
    상기 제어기는,
    상기 압력 측정 부재에 의해 측정된 상기 압력에 근거하여 상기 간격 상태를 판단하여 상기 간격 상태가 불량인지 여부를 판단하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 간격 상태가 불량이라고 판단되는 경우 상기 제1바디 또는 상기 제2바디가 이동되도록 상기 구동기 그리고 상기 검출 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 압력 제공 라인은,
    압력 공급원과 연결되는 메인 라인과;
    상기 메인 라인에서 분기되어 상기 메인 라인과 상기 제1바디의 측벽에 형성된 유체홀을 연결하는 분기 라인을 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 분기 라인 각각에 흐르는 유체의 압력은 동일하게 제공되는 기판 처리 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 압력 공급원은 상기 메인 라인으로 상기 유체를 공급하는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 간격 상태 검출 유닛은 상기 제1바디와 상기 제2바디의 측벽이 서로 대향하는 면을 향해 연직 방향으로 상기 유체를 분사하는 기판 처리 장치.
  7. 제3항에 있어서,
    상기 압력 공급원은 감압 부재인 기판 처리 장치.
  8. 제3항에 있어서,
    상기 간격 상태 검출 유닛은,
    상기 제1바디의 측벽 중 상기 제2바디의 측벽과 대향하는 면에 설치되는 간격 감지판을 더 포함하고,
    상기 압력 제공 라인은 상기 간격 감지판에 형성된 유체홀을 통해 상기 제1바디의 측벽과 상기 제2바디의 측벽 사이에 양압 또는 부압을 제공하는 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 간격 감지판의 두께는 상기 공정 위치에서 서로 대향하는 상기 제1바디의 측벽 및 상기 제2바디의 측벽 간의 간격과 동일하게 제공되는 기판 처리 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 간격 감지판은 상기 제1바디의 측벽을 따라 복수 개가 제공되는 기판 처리 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 압력 측정 부재는,
    상기 압력 제공 라인과 외기 간의 압력차를 측정하는 차압계를 포함하는 기판 처리 장치.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 제1바디와 상기 제2바디는 상기 처리 공간 내에서 상기 기판이 처리되는 동안, 상기 제1바디의 측벽과 상기 제2바디의 측벽 간의 간격이 기 설정 간격을 유지하도록 상기 구동기를 제어하는 기판 처리 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1바디 또는 상기 제2바디에 상기 제1바디와 상기 제2바디가 서로 대향되는 측면을 향해 가스를 분사하여 가스 커튼을 형성하는 가스 공급 유닛을 더 포함하고,
    상기 가스 공급 유닛은,
    상기 제1바디 또는 상기 제2바디의 측면에 형성되는 복수 개의 가스 공급홀과;
    가스 공급원에 연결되어 상기 가스 공급홀로 상기 가스를 공급하는 가스 공급 라인을 포함하는 기판 처리 장치.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 기판의 처리는 베이크 처리인 기판 처리 장치.
  15. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    기판을 제2바디 내부에 제공하고, 제1바디의 측벽과 상기 제2바디의 측벽 간의 간격을 기 설정 간격으로 유지시킨 공정 위치에서 상기 기판을 가열 처리하는 기판 처리 단계와;
    상기 기판 처리 단계 이전에 간격 감지 단계를 포함하며,
    상기 간격 감지 단계에서,
    간격 상태 검출 유닛이 상기 제1바디와 상기 제2바디가 대향하는 면을 향해 유체를 분사하되 상기 유체의 압력을 측정하여 상기 압력에 근거하여 상기 제1바디와 상기 제2바디가 상기 공정 위치에 놓일 때 제1바디의 측벽과 상기 제2바디의 측벽 간의 간격 상태를 판단하여 상기 간격 상태가 불량이라고 판단되는 경우 상기 제1바디 또는 상기 제2바디를 이동시키는 기판 처리 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 간격 상태 검출 유닛은,
    상기 제1바디의 측벽과 상기 제2바디의 측벽이 대향하는 면에 유체를 제공하는 압력 제공 라인과;
    상기 압력 제공 라인의 압력 변화를 측정하는 압력 측정 부재를 포함하고,
    상기 압력 제공 라인은,
    압력 공급원과 연결되는 메인 라인과;
    상기 메인 라인에서 분기되어 상기 메인 라인과 상기 제1바디의 측벽에 형성된 유체홀을 연결하는 분기 라인을 포함하는 기판 처리 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 간격 상태 검출 유닛은,
    상기 제1바디의 측벽 중 상기 제2바디의 측벽과 대향하는 면에 설치되는 간격 감지판을 더 포함하고,
    상기 압력 제공 라인은 상기 간격 감지판에 형성된 유체홀을 통해 상기 제1바디의 측벽과 상기 제2바디의 측벽 사이에 유체를 제공하며,
    상기 간격 감지판의 두께는 상기 공정 위치에서 서로 대향하는 상기 제1바디의 측벽 및 상기 제2바디의 측벽 간의 간격과 동일하게 제공되는 기판 처리 방법.
  18. 제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 처리 단계에서 상기 가열 처리 동안에 상기 제1바디의 측벽과 상기 제2바디의 측벽이 대향하는 면 사이로 외부의 기체가 상기 기판이 제공되는 영역으로 유입되는 것을 방지하는 가스 커튼을 형성하는 기판 처리 방법.
  19. 제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판의 가열 처리는 베이크 처리인 기판 처리 방법.
  20. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    서로 조합되어 내부에 기판을 베이크 처리하기 위한 처리 공간을 가지는 상부 바디와 하부 바디를 가지는 공정 챔버와;
    상기 처리 공간 내에 위치하며 상기 기판을 지지하는 지지 유닛과;
    상기 지지 유닛에 놓인 기판을 가열하도록 제공된 가열 유닛과;
    상기 상부 바디와 상기 하부 바디 중 어느 하나를 이동시켜, 상기 상부 바디와 상기 하부 바디를 공정 위치와 개방 위치 간으로 이동시키는 구동기; 그리고,
    상기 상부 바디와 상기 하부 바디가 상기 공정 위치에 놓일 때, 상기 상부 바디의 측벽과 상기 하부 바디의 측벽 간의 간격 상태를 검출하는 간격 상태 검출 유닛과;
    상기 구동기 그리고 상기 검출 유닛을 제어하는 제어기를 포함하고,
    상기 간격 상태 검출 유닛은,
    상기 상부 바디의 측벽과 상기 하부 바디의 측벽이 대향하는 면을 향해 연직 방향으로 유체를 제공하는 압력 제공 라인과;
    상기 압력 제공 라인의 압력 변화를 측정하는 압력 측정 부재를 포함하고,
    상기 압력 제공 라인은,
    압력 공급원과 연결되는 메인 라인과;
    상기 메인 라인에서 분기되어 상기 메인 라인과 상기 상부 바디의 측벽에 형성된 유체홀을 연결하는 분기 라인을 더 포함하고,
    상기 압력 측정 부재는 상기 분기 라인의 압력 변화를 측정하며,
    상기 간격 상태 검출 유닛은,
    상기 상부 바디의 측벽 중 상기 하부 바디의 측벽과 대향하는 면에 설치되는 간격 감지판을 더 포함하고,
    상기 압력 제공 라인은 상기 간격 감지판에 형성된 유체홀을 통해 상기 상부 바디의 측벽과 상기 하부 바디의 측벽 사이에 유체를 제공하며,
    상기 간격 감지판의 두께는 상기 공정 위치에서 서로 대향하는 상기 상부 바디의 측벽 및 상기 하부 바디의 측벽 간의 간격과 동일하게 제공되며,
    상기 제어기는,
    상기 상부 바디와 상기 하부 바디는 상기 처리 공간 내에서 상기 기판이 처리되는 동안, 상기 상부 바디와 상기 하부 바디가 기 설정 간격을 유지하도록 하고,
    상기 압력 측정 부재에 의해 측정된 상기 압력에 근거하여 상기 간격 상태를 판단하여 상기 간격 상태가 불량이라고 판단되는 경우 상기 상부 바디 또는 상기 하부 바디가 이동되도록 상기 구동기 그리고 상기 검출 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006091127A (ja) * 2004-09-21 2006-04-06 Shibaura Mechatronics Corp 真空装置、基板貼り合わせ装置、及び基板貼り合わせ方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10223516A (ja) * 1997-01-31 1998-08-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板の熱処理装置
JP2001358049A (ja) * 2000-06-13 2001-12-26 Fujitsu Ltd 近接距離制御装置及び近接距離制御方法
JP2002280282A (ja) * 2001-03-16 2002-09-27 Union Optical Co Ltd ウェハのキャリブレーション方法及び装置
US9541836B2 (en) * 2014-02-10 2017-01-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and apparatus for baking photoresist patterns
KR102397846B1 (ko) * 2015-07-09 2022-05-13 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102378336B1 (ko) * 2015-11-13 2022-03-24 세메스 주식회사 베이크 장치 및 베이크 방법
KR101856611B1 (ko) * 2016-03-14 2018-05-14 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR102455643B1 (ko) * 2018-01-26 2022-10-19 주식회사 케이씨텍 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7074514B2 (ja) * 2018-03-15 2022-05-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006091127A (ja) * 2004-09-21 2006-04-06 Shibaura Mechatronics Corp 真空装置、基板貼り合わせ装置、及び基板貼り合わせ方法

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