JP4402011B2

JP4402011B2 - 基板の処理システム及び基板の処理方法

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Publication number: JP4402011B2
Application number: JP2005159069A
Authority: JP
Inventors: 健司清田
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2005-05-31
Filing date: 2005-05-31
Publication date: 2010-01-20
Anticipated expiration: 2025-05-31
Also published as: JP2006339227A

Description

本発明は，基板の処理を行う基板の処理システム及び基板の処理方法に関する。

従来より，例えば半導体ウェハなどの基板に対する処理は，複数工程にわたるものが多く，当該処理は，複数の処理ユニットを用いて連続的に行われている。したがって，基板の処理は，通常複数の処理ユニットが集約的に搭載された基板の処理システムにおいて行われている。

例えばフォトリソグラフィー工程を行う基板の処理システムは，基板の搬入出を行うローダ・アンローダ部と，基板の処理を行う処理ステーションと，露光装置に基板を搬送するためのインターフェイス部を備えている。処理ステーションの中央部には，中央搬送装置が設けられ，その周りに複数の処理ユニット群が円周状に配置されている。処理ユニット群は，異なる種類或いは同じ種類の複数の処理ユニットが多段に積層されて構成されている。

そして，基板の処理の際には，ローダ・アンローダ部の未処理の複数の基板が，順次処理ステーションに搬入される。処理ステーションに搬入された基板は，中央搬送装置によって複数の処理ユニット群の所定の処理ユニットに順次搬送され，レジスト塗布処理やプリベーキング処理が施される。例えばプリベーキング処理の終了した基板は，インターフェイス部を介して露光装置に搬送され，露光処理が施された後，処理ステーションに戻される。処理ステーションに戻された基板は，再び中央搬送装置によって，複数の処理ユニット群の所定の処理ユニットに順次搬送され，ポストエクスポージャーベーキング処理や現像処理，ポストベーキング処理が施される。その後，基板は，ローダ・アンローダ部に戻される。かかる基板の処理システムによれば，中央搬送装置によって基板が搬送される処理ユニットの種類や順番を変更することによって，多様な基板の処理レシピに柔軟に対応できる（例えば，特許文献１参照。）。

特許第２９１９９２５号公報

しかしながら，上述した基板の処理システムによれば，一つの中央搬送装置を用いて多くの基板の搬送を行っているため，一の基板の搬送を行っている間，他の基板の搬送を行うことができないことがある。このため，常に理想のタイミングで処理ユニットから基板を搬出することは難しく，一部の基板の処理ユニット内の滞在時間が長くなり，基板相互間に処理時間差が生じる場合がある。例えば熱処理時間差は，基板の処理結果に大きな影響を与えるものであり，品質のばらつきを招く恐れがある。また，基板の搬送待ち時間が長くなると，その分基板処理全体にかかる時間が長くなり，スループットの低下を招く恐れがある。

さらに，従来の基板の処理システムでは，処理ステーションの中央に大型の中央搬送装置が配置され，その周りに，搬送アームの稼動スペースが確保されるように各処理ユニット群が配置されている。このため，処理ステーションには比較的大きなスペースが必要になり，基板の処理システム全体が大型になっていた。

本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，従来のような中央搬送装置を用いずに，多様な基板の処理レシピに柔軟に対応し，なおかつ基板間の処理時間差や基板の搬送待ち時間を低減し，さらに基板の処理システムを小型化することをその目的とする。

上記目的を達成するための本発明によれば，基板を収容可能な第１のユニット，第２のユニット及び第３のユニットをこの順に並べて備えた処理ステーションを有し，前記第１のユニット，第２のユニット及び第３のユニットは，それぞれ複数備えられ，各第１のユニット，第２のユニット及び第３のユニットの少なくともいずれかには，基板の処理を行う処理ユニットが含まれ，前記各第１のユニットは，上下動可能であり，前記各第２のユニットは，水平移動可能であり，前記各第３のユニットは，上下動可能であり，前記第１のユニット，第２のユニット又は第３のユニットの少なくともいずれかが移動して，少なくともある第１のユニットと少なくともある第２のユニットとの間及び少なくともある第２のユニットと少なくともある第３のユニットとの間で基板の授受が可能になることを特徴とする基板の処理システムが提供される。

本発明によれば，処理ステーションに第１〜第３のユニットが並列され，第１のユニットと第３のユニットが上下移動し，第２のユニットが水平移動して，これらのユニット間の基板の搬送を行うことができる。それ故，従来のような中央搬送装置がなくても，基板の多様な処理レシピに柔軟に対応できる。また，従来のような中央搬送装置がないので，基板間の処理時間差や基板の搬送待ち時間を低減できる。また，中央搬送装置がない分，基板の処理システムを小型化できる。

別の観点による本発明によれば，請求項１に記載の基板の処理システムを用いた基板の処理方法であって，搬入部から処理ステーションの第１のユニットに基板を搬入し，その後前記第１のユニットと第２のユニットが相対的に移動して前記第１のユニットの基板を第２のユニットに搬送し，その後前記第２のユニットと第３のユニットが相対的に移動して第２のユニットの基板を第３のユニットに搬送することを特徴とする。なお，ここでいう相対な移動には，搬送先と搬送元の２つのユニットのいずれか一方が移動する場合と，両方が移動する場合が含まれる。

本発明によれば，第１〜第３のユニットを移動させて基板を搬送することによって，各ユニットにおける基板の処理を行うことができる。したがって，従来のような中央搬送装置がなくても，多様な工程を有する基板処理を行うことができる。また，従来のような中央搬送装置がないので，基板間の処理時間差や基板の搬送待ち時間を低減できる。

別の観点による本発明によれば，請求項１に記載の基板の処理システムを用いた基板の処理方法であって，搬入部から処理ステーションの第１のユニットに基板を搬入し，その後前記第１のユニットの基板を第２のユニットに搬送し，その後基板を第２のユニットと第１のユニットとの間又は第２のユニットと第３のユニットとの間の少なくともいずれかで往復させ，その後第３のユニットに搬送し，前記第１のユニットと前記第２のユニットとの間で基板を搬送する場合には，前記第１のユニットと前記第２のユニットが相対的に移動し，前記第２のユニットと前記第３のユニットとの間で基板を搬送する場合には，前記第２のユニットと前記第３のユニットが相対的に移動することを特徴とする。

他の搬入部から処理ステーションの第３のユニットに基板を搬入し，その後前記第３のユニットと第２のユニットが相対的に移動して前記第３のユニットの基板を第２のユニットに搬送し，その後前記第２のユニットと第１のユニットが相対的に移動して第２のユニットの基板を第１のユニットに搬送するようにしてもよい。

他の搬入部から処理ステーションの第３のユニットに基板を搬入し，その後前記第３のユニットの基板を第２のユニットに搬送し，その後基板を第２のユニットと第３のユニットとの間又は第２のユニットと第１のユニットとの間の少なくともいずれかで往復させ，その後第１のユニットに搬送し，前記第３のユニットと前記第２のユニットとの間で基板を搬送する場合には，前記第３のユニットと前記第２のユニットが相対的に移動し，前記第２のユニットと前記第１のユニットとの間で基板を搬送する場合には，前記第２のユニットと前記第１のユニットが相対的に移動するようにしてもよい。

少なくとも前記第１のユニット又は第３のユニットには，基板の熱処理を行う熱処理ユニットが含まれ，前記第２のユニットには，基板の液処理を行う液処理ユニットが含まれていてもよい。

本発明によれば，多様な基板の処理レシピに柔軟に対応できる。また，基板相互間の処理時間差が低減され，品質のばらつきを低減できる。さらに，基板の搬送待ち時間が低減され，スループットを向上できる。基板の処理システムの小型化を図ることができる。

以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる基板の処理システム１の構成の概略を示す平面図である。

基板の処理システム１は，図１に示すように例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から基板の処理システム１に対して搬入出したり，カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりする搬入部又はローダ・アンローダ部としてのカセットステーション２と，当該カセットステーション２に隣接して設けられ，フォトリソグラフィー工程中の各種処理が行われる複数のユニットを備えた処理ステーション３と，この処理ステーション３に隣接して設けられ，露光装置（図示せず）との間でウェハＷの受け渡しを行う他の搬入部としてのインターフェイス部４とを一体に接続した構成を有している。カセットステーション２，処理ステーション３及びインターフェイス部４は，Ｙ方向（図１の左右方向）に向けて直列的に接続されている。

カセットステーション２には，複数のカセットＣをＸ方向（図１の上下方向）に向けて載置できるカセット載置台１０が設けられている。カセットＣは，複数のウェハＷを上下方向に配列して収容できる。カセットステーション２の処理ステーション３側には，カセットＣと処理ステーション３との間でウェハＷを搬送するウェハ搬送体１１が設けられている。ウェハ搬送体１１は，例えばＸ方向に沿って形成された搬送路１２上を移動自在である。ウェハ搬送体１１は，例えばウェハＷを保持する保持部１１ａを有し，当保持部１１ａは，上下方向に移動自在で，かつ水平方向に伸縮自在である。これにより，ウェハ搬送体１１は，Ｘ方向に配列された各カセットＣと，後述する処理ステーション３の第１のブロックＢ１のユニットに対してアクセスして，ウェハＷを搬送できる。

カセットステーション２に隣接する処理ステーション３は，例えば複数のユニットを備えた３つのブロックＢ１，Ｂ２，Ｂ３を備えている。例えば処理ステーション３には，カセットステーション２側からインターフェイス部４側に向けて順に，第１のブロックＢ１，第２のブロックＢ２及び第３のブロックＢ３が並設されている。

第１のブロックＢ１には，例えばＸ方向に沿って並設された２つのユニット群Ｇ１，Ｇ２が配置されている。

図２に示すように第１のユニット群Ｇ１には，例えば複数の第１のユニットとしての熱処理ユニットが積層されている。例えば第１のユニット群Ｇ１には，ウェハＷの加熱処理と冷却処理を行う加熱・冷却ユニット２０，２１，２２，２３，２４と，ウェハＷのアドヒージョン処理と冷却処理を行うアドヒージョン・冷却ユニット２５が下から順に６段に重ねられている。例えば上下方向に隣り合う２つのユニット，つまり加熱・冷却ユニット２０及び２１と，加熱・冷却ユニット２２及び２３と，加熱・冷却ユニット２４及びアドヒージョン・冷却ユニット２５がそれぞれ組になって一体化されている。

第２のユニット群Ｇ２には，例えば第１のユニット群Ｇ１と同様に，図３に示すように第１のユニットとしての加熱・冷却ユニット３０，３１，３２，３３，３４と，アドヒージョン・冷却ユニット３５が下から順に６段に重ねられている。

ここで，第１のユニット群Ｇ１の加熱・冷却ユニット２０の構成について説明する。加熱・冷却ユニット２０は，図４に示すように筐体４０内に，ウェハＷの加熱処理を行う加熱部４１と，ウェハＷの冷却処理を行う冷却部４２を備えている。加熱部４１と冷却部４２は，Ｘ方向に沿って並設され，例えば図１に示すように冷却部４２が処理ステーション３の内側（Ｘ方向正方向側）に配置され，加熱部４１が処理ステーション３の外側（Ｘ方向負方向側）に配置されている。

加熱部４１は，図４に示すように上側に位置して上下動自在な蓋体５０と，下側に位置して蓋体５０と一体となって処理室Ｓを形成する熱板収容部５１を備えている。蓋体５０は，下面が開口した略円筒状に形成され，蓋体５０の中央部には，排気部５０ａが形成されている。

熱板収容部５１の中央には，ウェハＷを載置して加熱する加熱板５２が設けられている。加熱板５２は，厚みのある略円盤形状を有している。加熱板５２の内部には，給電により発熱するヒータ５３が内蔵されている。このヒータ５３の熱により，加熱板５２上のウェハＷを加熱できる。加熱板５２は，環状の支持リング５４によって支持され，当該支持リング５４を介して熱板収容部５１に固定されている。

支持リング５４の上面には，処理室Ｓ内に向けて例えば不活性ガスを噴出する吹き出し口５４ａが形成されている。

加熱板５２の中央部付近には，厚み方向に貫通する貫通孔５５が形成されている。貫通孔５５内には，シリンダなどの昇降駆動機構５６により昇降する第１の昇降ピン５７が配置され，第１の昇降ピン５７は，加熱板５２の上方まで突出できる。

加熱部４１に隣接する冷却部４２には，例えばウェハＷを載置して冷却する冷却板６０が設けられている。冷却板６０は，例えば図５に示すように略方形の平板形状を有し，加熱部４１側の端面が円弧状に湾曲している。冷却板６０の内部には，例えばペルチェ素子などの冷却部材（図示せず）が内蔵されており，冷却板６０を所定の設定温度に調整できる。

冷却板６０は，図４に示すように加熱部４１側に向かって延伸するレール６１に取付けられている。冷却板６０は，駆動部６２によりレール６１上を移動できる。冷却板６０は，加熱板５２の上方と冷却部４２との間を往復移動できる。

冷却板６０には，例えば図５に示すようにＸ方向に沿った２本のスリット６３が形成されている。このスリット６３により，加熱部４１側に移動した冷却板６０と第１の昇降ピン５７との干渉が防止され，第１の昇降ピン５７は，その冷却板６０の上方まで突出できる。これにより，冷却板６０上のウェハＷを第１の昇降ピン５７に受け渡し，第１の昇降ピン５７から加熱板５２にウェハＷを載置することができる。また，加熱板５２上のウェハＷを第１の昇降ピン５７に受け渡し，第１の昇降ピン５７から冷却板６０にウェハＷを載置することができる。

図４に示すように冷却板６０のスリット６３には，第２の昇降ピン６４が設けられている。第２の昇降ピン６４は，昇降駆動部６５によって昇降し，冷却板６０の上方に突出できる。この第２の昇降ピン６４により，冷却板６０のウェハＷを浮かせて，後述する搬送装置８０に受け渡すことができる。

例えば図５に示すように冷却板６０を挟んだ筐体４０のＹ方向の両側面には，ウェハＷを搬入出するための搬入出口７０が形成されている。

加熱板５２の冷却板６０を挟んだ反対側には，冷却板６０と後述する第２のブロックＢ２内のユニットとの間でウェハＷを搬送する搬送装置８０が設けられている。搬送装置８０は，例えば中央よりもＹ方向正方向側，つまり第２のブロックＢ２寄りの位置に配置されている。搬送装置８０は，例えば多関節型の搬送ロボットである。例えば搬送装置８０は，水平方向に伸縮自在な２本のアーム８０ａと，当該アーム８０ａが取り付けられた回転駆動軸８０ｂを備えている。搬送装置８０は，２本アーム８０ａによりウェハＷを把持し，回転駆動軸８０ｂによりウェハＷを搬送先の方向に向け，アーム８０ａによりウェハＷを水平方向に進退させることにより，ウェハＷを所定の搬送先に搬送できる。

第１のユニット群Ｇ１の他の加熱・冷却ユニット２１，２２，２３，２４は，例えば上述の加熱・冷却ユニット２０と同様の構成を有している。アドヒージョン・冷却ユニット２５は，例えば上述した加熱・冷却ユニット２０とほぼ同じ構成を有している。例えばアドヒージョン・冷却ユニット２５は，蓋体５０の排気口５０ａに代えて，レジスト液の密着性を向上するための密着強化剤，例えばＨＭＤＳの蒸気を処理室Ｓ内に供給する供給口を備えている。またアドヒージョン・冷却ユニット２５は，支持リング５４の吹き出し口５４ａに代えて，処理室Ｓ内の雰囲気を排気する排気口を備えている。その他の部分は，加熱・冷却ユニット２０と同じであり，アドヒージョン・冷却ユニット２５は，加熱板５２，冷却板６０や搬送装置８０などを備えている。なお，第１のユニット群Ｇ１の熱処理ユニットの構成部材には，上述の加熱・冷却ユニット２０と同じ名称と符号を用いる。

第１のユニット群Ｇ１内の熱処理ユニットは，例えば図６に示すように各組（加熱・冷却ユニット２０，２１／加熱・冷却ユニット２２，２３／加熱・冷却ユニット２４及びアドヒージョン・冷却ユニット２５）毎に，保持部材９０により保持され，上下方向に延びるガイド９１に取り付けられている。ユニット各組は，例えば駆動機構９２によって，ガイド９１に沿って上下方向に移動できる。これにより，第１のユニット群Ｇ１の各熱処理ユニットは，第２のブロックＢ２内の液処理ユニットに対し，所定の高さに上下動できる。なお，第１のユニット群Ｇ１の熱処理ユニットの可動範囲は，後述する第２のブロックＢ２の各液処理ユニットが上下方向の複数の熱処理ユニットに対しウェハＷを搬送できるように設定されている。

第２のユニット群Ｇ２の加熱・冷却ユニット３０〜３４及びアドヒージョン・冷却ユニット３５は，上述の第１のユニット群Ｇ１の熱処理ユニットと同じ構成を有している。また，それらの第２のユニット群Ｇ２の各熱処理ユニットは，第１のユニット群Ｇ１と同様の図６に示す移動機構を有しており，隣り合う２つのユニット毎に保持部材９０に保持され，駆動機構９２によってガイド９１に沿って所定の高さに上下動できる。なお，第２のユニット群Ｇ２の熱処理ユニットの構成部材には，上述の加熱・冷却ユニット２０と同じ名称と符号を用いる。

第１のユニット群Ｇ１と第２のユニット群Ｇ２の熱処理ユニットは，例えば図１に示すように互いの冷却板６０が処理ステーション３の中央付近で近接し対向するように配置されている。

処理ステーション３の第２のブロックＢ２には，図２に示すように上下方向に積層された例えば３つのユニット層Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３が配置されている。各ユニット層Ｈ１〜Ｈ３には，ウェハＷの液処理の行う複数の第２のユニットとしての液処理ユニットが設けられている。

例えば最下段の第１のユニット層Ｈ１には，図７に示すようにウェハＷに現像液を供給して現像処理する現像処理ユニット１００，１０１，１０２がＸ方向の水平方向に向けて並べて設けられている。中段の第２のユニット層Ｈ２には，例えばレジスト膜の上層に反射防止膜を形成するトップコーティングユニット１１０，１１１，１１２がＸ方向の水平方向に向けて並べて設けられている。最上段の第３のユニット層Ｈ３には，例えばウェハＷにレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニット１２０と，レジスト膜の下層に反射防止膜を形成するボトムコーティングユニット１２１と，レジスト塗布ユニット１２２がＸ方向の水平方向に向けて並べて設けられている。第２のブロックＢ２の各液処理ユニットには，ウェハＷを収容し，液体の飛散を防止するカップＰが設けられている。

第１のユニット層Ｈ１の現像処理ユニット１００〜１０２は，例えば図１及び図７に示すように一つの筐体１３０内に収容されている。筐体１３０は，例えば基台１３１上にＸ方向に向けて形成されたレール１３２上に載置されている。筐体１３０は，例えば駆動機構１３３によってレール１３２上を移動自在である。これにより，第１のユニット層Ｈ１の各現像処理ユニット１００〜１０２は，図１に示すように隣接する第１のブロックＢ１や第３のブロックＢ３の熱処理ユニットに対して，Ｘ方向の水平方向に移動できる。現像処理ユニット１００〜１０２の可動範囲は，例えば第１及び第３のブロックＢ１，Ｂ３の各熱処理ユニットが複数の現像処理ユニットに対してウェハＷを搬送できるように設定されている。なお，筐体１３０のＹ方向の両側には，ウェハＷの搬入出口（図示せず）が形成されている。

図７に示すように第２のユニット層Ｈ２と第３のユニット層Ｈ３も，第１のユニット層Ｈ１と同じ構成を有しており，第２のユニット層Ｈ２と第３のユニット層Ｈ３のそれぞれの複数の液処理ユニットは，筐体１３０に収容され，駆動機構１３３によってレール１３２上をＸ方向に向けて水平移動できる。

図１に示すように処理ステーション３の第３のブロックＢ３には，Ｘ方向に並設された２つのユニット群Ｉ１，Ｉ２が設けられている。各ユニット群Ｉ１，Ｉ２には，例えば複数の第３のユニットとしての熱処理ユニットが積層されている。

例えば第１のユニット群Ｉ１には，図２に示すように加熱・冷却ユニット１４０，１４１，１４２，１４３，１４４，１４５が下から順に６段に重ねられている。例えば第２のユニット群Ｉ２には，図３に示すように加熱・冷却ユニット１５０，１５１，１５２，１５３，１５４，１５５が下から順に６段に重ねられている。

第１のユニット群Ｉ１と第２のユニット群Ｉ２の各加熱・冷却ユニット１４０〜１４５，１５０〜１５５は，上述の第１のブロックＢ１の加熱・冷却ユニット２０と同様の構成を有し，加熱板５２，冷却板６０及び搬送装置８０を備えている。この搬送装置８０によって，第１のユニット群Ｉ１と第２のユニット群Ｉ２の各加熱・冷却ユニットは，第２のブロックＢ２の液処理ユニットとの間でウェハＷを搬送できる。なお，第１のユニット群Ｉ１と第２のユニット群Ｉ２の各加熱・冷却ユニットの構成部材には，上述の加熱・冷却ユニット２０と同じ名称と符号を用いる。

第１のユニット群Ｉ１と第２のユニット群Ｉ２の加熱・冷却ユニットは，例えば図１に示すように互いの冷却板６０が近接し対向するように配置されている。

第１のユニット群Ｉ１と第２のユニット群Ｉ２の加熱・冷却ユニットは，例えば図２及び図３に示すように上下に隣接する２つのユニット同士がそれぞれ組みになって一体化されている。

また，第１のユニット群Ｉ１と第２のユニット群Ｉ２の加熱・冷却ユニットは，図６に示すように第１のブロックＢ１の熱処理ユニットと同様の移動機構を有しており，隣り合う２つのユニット毎に保持部材９０に保持され，駆動機構９２によってガイド９１に沿って所定の高さに上下動できる。第１及び第２のユニット群Ｉ１，Ｉ２の熱処理ユニットの可動範囲は，第２のブロックＢ２の各液処理ユニットが上下方向の複数の熱処理ユニットに対しウェハＷを搬送できるように設定されている。

以上のように，処理ステーション３内において，図８に示すように第１のブロックＢ１の熱処理ユニットと，第３のブロックＢ３の熱処理ユニットが上下動できる。また，第２のブロックＢ２の液処理ユニットが各層Ｈ１〜Ｈ３の筐体１３０単位でＸ方向に水平移動できる。第１のブロックＢ１と第３のブロックＢ３の熱処理ユニットには，第２のブロックＢ２の液処理ユニットとの間でウェハＷを搬送するための搬送装置８０が設けられている。これにより，隣り合うブロックのユニット同士が相対的に移動し，その可動範囲内において，第１のブロックＢ１と第２のブロックＢ２との間と，第２のブロックＢ２と第３のブロックＢ３との間の任意のユニット間でウェハＷの搬送を行うことができる。

処理ステーション３の底部には，図２に示すように第２のブロックＢ２の各液処理ユニットに供給される各種処理液の供給源や，各ブロックＢ１〜Ｂ３の各ユニットの電源などが収容された電装・ケミカル室１６０が設けられている。

インターフェイス部４の処理ステーション３側には，例えば図１に示すようにウェハ搬送体１７０が設けられている。インターフェイス部４のＹ方向正方向側には，ウェハＷのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光ユニット１７１，１７２と，露光装置（図示せず）とウェハＷの受け渡しを行うための受け渡しカセット１７３がＸ方向に並べて設けられている。受け渡しカセット１７３は，周辺露光ユニット１７１，１７２の間に設けられている。

ウェハ搬送体１７０は，例えばＸ方向に向けて延伸する搬送路１７４上を移動自在である。ウェハ搬送体１７０は，ウェハＷを保持する保持部１７０ａを有し，保持部１７０ａは，上下方向に移動自在で，かつ水平方向に伸縮自在である。ウェハ搬送体１７０は，処理ステーション３の第３のブロックＢ３の熱処理ユニットと，周辺露光ユニット１７１，１７２及び受け渡しカセット１７３に対してアクセスし，ウェハＷを搬送できる。

次に，以上のように構成された基板の処理システム１で行われるウェハＷの処理プロセスについて説明する。

先ず，カセットＣの未処理のウェハＷは，図１に示すようにウェハ搬送体１１によって処理ステーション３の第１のブロックＢ１内に順次搬入される。例えばウェハＷは，第１のユニット群Ｇ１のアドヒージョン・冷却ユニット２５か，或いは第２のユニット群Ｇ２のアドヒージョン・冷却ユニット３５に搬送される。なお，ウェハＷは，その搬送時点に空いているアドヒージョン・冷却ユニットに搬送されるようにしてもよい。

例えばアドヒージョン・冷却ユニット２５に搬入されたウェハＷは，先ず冷却板６０において所定の温度に調整され，冷却板６０から加熱板５２に搬送される。ウェハＷは，加熱板５２上において所定の温度に加熱され，ウェハＷにＨＭＤＳの蒸気が塗布される。その後，ウェハＷは，冷却板６０に戻され，搬送装置８０によって，第２のブロックＢ２の上段にある第３のユニット層Ｈ３の例えばレジスト塗布ユニット１２０に搬送される（図２の矢印に示す）。なお，ウェハＷは，同じ第３のユニット層Ｈ３のレジスト塗布ユニット１２２に搬送されてもよい。また，ウェハＷは，その搬送時点で空いているレジスト塗布ユニットに搬送されるようにしてもよい。

搬送の際に，搬送先の例えばレジスト塗布ユニット１２０とアドヒージョン・冷却ユニット２５との位置がずれている場合には，図２に示すようにアドヒージョン・冷却ユニット２５が上下方向に移動したり，図１に示すようにレジスト塗布ユニット１２０が水平方向に移動して，搬送装置８０によるウェハＷの搬送可能範囲内に入るように，アドヒージョン・冷却ユニット２５とレジスト塗布ユニット１２０が相対的に移動する。なお，これらのユニット間の相対移動は，一方のユニットのみが移動してもよいし，両方のユニットが移動してもよい。

ウェハＷが第２のユニット群Ｇ２のアドヒージョン・冷却ユニット３５に搬送された場合も同様に，アドヒージョン処理が終了した後，ウェハＷは，第２ブロックＢ２のレジスト塗布ユニット１２０又は１２２に搬送される。

例えばレジスト塗布ユニット１２０に搬送されたウェハＷには，レジスト液が塗布される。その後ウェハＷは，図２に示すようにレジスト塗布ユニット１２０から第３のブロックＢ３の第１のユニット群Ｉ１の例えば上段にある加熱・冷却ユニット１４４に搬送される。なお，ウェハＷは，レジスト塗布ユニット１２０に対してアクセス可能な他の加熱・冷却ユニット，例えば第１のユニット群Ｉ１の加熱・冷却ユニット１４３，１４５や，第２のユニット群Ｉ２の加熱・冷却ユニット１５３〜１５５などに搬送されてもよい。また，ウェハＷは，その搬送時点で空いている第３のブロックＢ３の加熱・冷却ユニットに搬送されるようにしてもよい。

レジスト塗布ユニット１２０から加熱・冷却ユニット１４４へのウェハＷの搬送は，加熱・冷却ユニット１４４の搬送装置８０によって行われる。また，搬送先の例えば加熱・冷却ユニット１４４とレジスト塗布ユニット１２０の位置がずれている場合には，加熱・冷却ユニット１４４とレジスト塗布ユニット１２０が相対的に移動して，加熱・冷却ユニット１４４とレジスト塗布ユニット１２０が互いに近接されて，搬送装置８０によりウェハＷが搬送される。

例えば加熱・冷却ユニット１４４に搬送されたウェハＷは，冷却板６０から加熱板５２に搬送され，プリベーキングされる。プリベーキングの終了したウェハＷは，冷却板６０に戻され，その後インターフェイス部４のウェハ搬送体１７０により例えば周辺露光ユニット１７１に搬送される。周辺露光ユニット１７１では，ウェハＷの外周部が露光される。その後，ウェハＷは，ウェハ搬送体１７０によって受け渡しカセット１７３に搬送され，インターフェイス部４に近接した露光装置（図示せず）に搬送され，露光される。

露光処理の終了したウェハＷは，受け渡しカセット１７３に戻され，ウェハ搬送体１７０によって第３のブロックの第１のユニット群Ｉ１の下段側にある例えば加熱・冷却ユニット１４０に搬送される。なお，ウェハＷは，次の処理が行われる現像処理ユニットにウェハＷを搬送可能な第３のブロックＢ３の他の加熱・冷却ユニット１４１，１５０，１５１などに搬送されてもよい。また，ウェハＷは，その搬送時点で空いている第３のブロックＢ３の加熱・冷却ユニットに搬送されるようにしてもよい。

例えば加熱・冷却ユニット１４０に搬送されたウェハＷは，冷却板６０から加熱板５２に搬送され，ポストエクスポージャーベーキングが施される。ポストエクスポージャーベーキングが終了したウェハＷは，冷却板６０に戻され，搬送装置８０によって第２のブロックＢ２の第１のユニット層Ｈ１の例えば現像処理ユニット１００に搬送される。なお，ウェハＷは，第１のユニット層Ｈ１の他の現像処理ユニット１０１，１０２に搬送されてもよい。また，ウェハＷは，その搬送時点で空いている現像処理ユニットに搬送されるようにしてもよい。

搬送の際，搬送元の例えば加熱・冷却ユニット１４０と現像処理ユニット１００の位置がずれている場合には，加熱・冷却ユニット１４０と現像処理ユニット１００が上下方向と水平方向に相対的に移動して，加熱・冷却ユニット１４０と現像処理ユニット１００が互いに近接されて，搬送装置８０によりウェハＷが搬送される。

例えば現像処理ユニット１００に搬送されたウェハＷは，現像される。現像処理が終了したウェハＷは，第１のブロックＢ１の第１のユニット群Ｇ１の下段側にある例えば加熱・冷却ユニット２０に搬送される。なお，ウェハＷは，現像処理ユニット１１０に対しアクセス可能な他のユニット，例えば第１のユニット群Ｇ１の下段側にある加熱・冷却ユニット２１や第２のユニット群Ｇ２の下段側にある加熱・冷却ユニット３０，３１などに搬送されてもよい。また，ウェハＷは，その搬送時点で空いている第１のブロックＢ３の加熱・冷却ユニットに搬送されるようにしてもよい。

現像処理ユニット１１０から加熱・冷却ユニット２０へのウェハＷの搬送は，加熱・冷却ユニット２０の搬送装置８０によって行われる。また，搬送先の加熱・冷却ユニット２０と現像処理ユニット１００の位置がずれている場合には，加熱・冷却ユニット２０と現像処理ユニット１００が相対的に移動して，加熱・冷却ユニット２０と現像処理ユニット１００が互いに近接して，搬送装置８０によりウェハＷが搬送される。

例えば加熱・冷却ユニット２０に搬送されたウェハＷは，冷却板６０から加熱板５２に搬送され，ポストベーキングが施される。ポストベーキングが終了したウェハＷは，冷却板６０に戻され，カセットステーション２のウェハ搬送体１１によってカセットＣに戻される。こうして一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。

以上の実施の形態によれば，処理ステーション３の第１のブロックＢ１と第３のブロックＢ３の熱処理ユニットを上下方向に移動可能にし，第２のブロックＢ２の液処理ユニットを水平方向に移動可能にした。さらに第１のブロックＢ１と第３のブロックＢ３の熱処理ユニットに，搬送装置８０を設けて，第１のブロックＢ１と第２のブロックＢ２のユニット同士と，第２のブロックＢ２と第３のブロックＢ３のユニット同士を相対的に移動させて，第１のブロックＢ１と第２のブロックＢ２間と，第２のブロックＢ２と第３のブロックＢ３間でウェハＷを搬送可能にした。これにより，第１のブロックＢ１と第２のブロックＢ２との多数の組み合わせのユニット間において，ウェハＷの搬送が可能になる。また，第２のブロックＢ２と第３のブロックＢ３との多数の組み合わせのユニット間において，ウェハＷの搬送が可能になる。この結果，処理ステーション３内に，ウェハＷの多数の搬送経路が形成され，ウェハＷの多様な処理レシピに柔軟に対応できる。また，従来のような中央搬送装置がなくなり，ユニット間の搬送が柔軟かつ円滑に行われるので，ウェハＷ間の処理時間差やウェハＷの搬送待ち時間差が減少し，ウェハ処理の均質化やスループットの向上が図られる。さらに中央搬送装置を設置するための大きなスペースが必要なく，基板の処理システム１がその分小型化できる。

また，第１及び第３のブロックＢ１，Ｂ３のユニットが上下動し，その間に挟まれた第２のブロックＢ２のユニットが水平移動するので，上下方向に移動する複数のユニットと水平方向に移動する複数のユニットが搬送経路上で交互に配置されている。これにより，処理ステーション３において複数のユニットの移動に必要なスペースが小さくて済み，その分処理ステーション３をコンパクト化できる。

上記実施の形態によれば，ウェハＷがカセットステーション２から第１のブロックＢ１の熱処理ユニットに搬送され，第１のブロックＢ１の熱処理ユニットから第２のブロックＢ２の液処理ユニットに搬送され，その後第３のブロックＢ３の熱処理ユニットに搬送され，インターフェイス部４に搬送されている。また，露光処理が終了した後は，インターフェイス部４から第３のブロックＢ３の熱処理ユニットに搬送され，第３のブロックＢ３の熱処理ユニットから第２のブロックＢ２の液処理ユニットに搬送され，その後第１のブロックＢ１の熱処理ユニットに搬送され，カセットステーション２に戻されている。このように，ウェハＷが直線的に搬送されるので，ウェハＷのトータルの移動距離が低減され，スループットの向上が図られる。

次に，基板の処理システム１で行われるウェハＷの他の処理プロセスについて説明する。

先ず，カセットＣの未処理のウェハＷは，図９に示すようにウェハ搬送体１１によって処理ステーション３の第１のユニット群Ｇ１のアドヒージョン・冷却ユニット２５に搬送される。なお，上記実施の形態と同様にウェハＷは，第２のユニット群Ｇ２のアドヒージョン・冷却ユニット３５に搬送されてもよい。

例えばアドヒージョン・冷却ユニット２５に搬入されたウェハＷは，冷却板６０において所定の温度に調整され，冷却板６０から加熱板５２に搬送されて，ウェハＷにＨＭＤＳの蒸気が塗布される。その後，ウェハＷは，冷却板６０に戻され，搬送装置８０によって，第２のブロックＢ２の第３のユニット層Ｈ３の例えばレジスト塗布ユニット１２０に搬送される。なお，ウェハＷは，同じ第３のユニット層Ｈ３のレジスト塗布ユニット１２２に搬送されてもよい。このとき，アドヒージョン・冷却ユニット２５と搬送先の例えばレジスト塗布ユニット１２０は，必要に応じて相対的に移動し近接され，その後搬送装置８０によりウェハＷが搬送される。

例えばレジスト塗布ユニット１２０に搬送されたウェハＷには，レジスト液が塗布される。その後ウェハＷは，レジスト塗布ユニット１２０から第１のブロックＢ１の第１のユニット群Ｇ１の上段側にある例えば加熱・冷却ユニット２４に搬送される。なお，ウェハＷは，次の処理が行われるトップコーティングユニットにウェハＷを搬送可能な他の加熱・冷却ユニット，例えば第１のユニット群Ｇ１の中段にある加熱・冷却ユニット２３や，第２のユニット群Ｇ２の加熱・冷却ユニット３３，３４などに搬送されてもよい。また，ウェハＷは，その搬送時点で空いている第１のブロックＢ１の加熱・冷却ユニットに搬送されるようにしてもよい。

例えばレジスト塗布ユニット１２０から加熱・冷却ユニット２４へのウェハＷの搬送は，加熱・冷却ユニット２４の搬送装置８０によって行われる。また，搬送先の加熱・冷却ユニット２４とレジスト塗布ユニット１２０の位置がずれている場合には，加熱・冷却ユニット２４とレジスト塗布ユニット１２０が相対的に移動して，加熱・冷却ユニット２４とレジスト塗布ユニット１２０が互いに近接された後，搬送装置８０によりウェハＷが搬送される。

例えば加熱・冷却ユニット２４に搬送されたウェハＷは，冷却板６０から加熱板５２に搬送され，プリベーキングされる。プリベーキングの終了したウェハＷは，冷却板６０に戻される。その後ウェハＷは，搬送装置８０によって，第２のブロックＢ２の中段にある第２のユニット層Ｈ２の例えばトップコーティングユニット１１０に搬送される。なお，ウェハＷは，第２のユニット層Ｈ２の他のトップコーティングユニット１１１，１１２に搬送されてもよい。また，ウェハＷは，その搬送時点で空いているトップコーティングユニットに搬送されるようにしてもよい。

搬送の際，加熱・冷却ユニット２４は，例えば第１のユニット層Ｈ１の高さから第２のユニット層Ｈ２の高さに下降する。また，第２のユニット層Ｈ２では，搬送先の例えばトップコーティングユニット１１０が加熱・冷却ユニット２４の正面に水平移動され，その後搬送装置８０によりウェハＷが搬送される。

例えばトップコーティングユニット１１０に搬送されたウェハＷには，反射防止液が塗布され，反射防止膜が形成される。その後，ウェハＷは，トップコーティングユニット１１０から第３のブロックＢ３の第１のユニット群Ｉ１の例えば中段にある加熱・冷却ユニット１４２に搬送される。なお，ウェハＷは，トップコーティングユニット１１０に対してアクセス可能な他の加熱・冷却ユニット，例えば第１のユニット群Ｉ１の中段にある加熱・冷却ユニット１４３や，第２のユニット群Ｉ２の加熱・冷却ユニット１５２，１５３などに搬送されてもよい。また，ウェハＷは，その搬送時点で空いている第３のブロックＢ３の加熱・冷却ユニットに搬送されるようにしてもよい。

トップコーティングユニット１１０から加熱・冷却ユニット１４２へのウェハＷの搬送は，加熱・冷却ユニット１４２の搬送装置８０によって行われる。また，搬送先の例えば加熱・冷却ユニット１４２とトップコーティングユニット１１０の位置がずれている場合には，加熱・冷却ユニット１４２とトップコーティングユニット１１０が相対的に移動して，加熱・冷却ユニット１４２とトップコーティングユニット１１０が互いに近接されて，搬送装置８０によりウェハＷが搬送される。

例えば加熱・冷却ユニット１４２に搬送されたウェハＷは，冷却板６０から加熱板５２に搬送され，加熱される。加熱の終了したウェハＷは，冷却板６０に戻され，その後上記実施の形態と同様にインターフェイス部４のウェハ搬送体１７０により例えば周辺露光ユニット１７１に搬送される。その後，ウェハＷは，ウェハ搬送体１７０によって受け渡しカセット１７３に搬送され，露光装置（図示せず）に搬送されて露光される。

露光処理の終了したウェハＷは，受け渡しカセット１７３に戻され，ウェハ搬送体１７０によって第３のブロックＢ３の例えば加熱・冷却ユニット１４０に搬送される。加熱・冷却ユニット１４０においてウェハＷは，ポストエクスポージャーベーキングされる。ポストエクスポージャーベーキングが終了したウェハＷは，搬送装置８０によって第２のブロックＢ２の例えば現像処理ユニット１００に搬送され，現像される。現像処理が終了したウェハＷは，第１のブロックＢ１の例えば加熱・冷却ユニット２０に搬送される。加熱・冷却ユニット２０に搬送されたウェハＷは，冷却板６０から加熱板５２に搬送され，ポストベーキングが施される。ポストベーキングが終了したウェハＷは，冷却板６０に戻され，カセットステーション２のウェハ搬送体１１によってカセットＣに戻される。こうして一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。

以上の実施の形態によれば，カセットステーション２から第１のブロックＢ１に搬送されたウェハＷを，第１のブロックＢ１と第２のブロックＢ２との間でウェハＷを往復させて，その後第３のブロックＢ３に搬送し，インターフェイス部４に搬送している。このように，必要に応じてウェハＷを，第１のブロックＢ１と第２のブロックＢ２との間で往復させることにより，ウェハＷの搬送距離が短い直線上の搬送を維持しながら，工程数の多いウェハ処理を行うことができる。なお，ウェハＷの往復回数は，ウェハＷの処理レシピに応じて任意に選択できる。

前記実施の形態では，第１のブロックＢ１と第２のブロックＢ２との間でウェハＷを往復させていたが，必要に応じて第２のブロックＢ２と第３のブロックＢ３との間でウェハＷを往復させてもよい。例えば，上述の実施の形態において，レジスト塗布ユニット１２０においてレジスト塗布が終了したウェハＷを第１のブロックＢ１の熱処理ユニットを経由してトップコーティングユニット１１０に搬送していたが，第３のブロックＢ３の熱処理ユニットを経由してトップコーティングユニット１１０に搬送してもよい。

また，第１のブロックＢ１と第２のブロックＢ２との間と，第２のブロックＢ２と第３のブロックＢ３との間の両方でウェハＷを往復させてもよい。例えば，レジスト膜の下層と上層に反射防止膜が形成される場合には，ウェハＷがカセットステーション２から第１のブロックＢ１の加熱・冷却ユニットに搬送され，その加熱・冷却ユニットから第２のブロックＢ２のボトムコーティングユニット１２１に搬送される。このボトムコーティングユニット１２１において反射防止膜が塗布されたウェハＷは，例えば第１のブロックＢ１の加熱・冷却ユニットに搬送され，その後例えば第２のブロックＢ２のレジスト塗布ユニット１２０に搬送される。その後，レジスト塗布ユニット１２０においてレジスト塗布が終了したウェハＷは，第３のブロックＢ３の加熱・冷却ユニットを経由して第２のブロックＢ２の例えばトップコーティングユニット１１０に搬送される。その後ウェハＷは，上述した実施の形態と同様に例えば第３のブロックＢ３の加熱・冷却ユニット１４２に搬送される。

また，前記実施の形態では，カセットステーション２からインターフェイス部４にウェハＷが搬送される際に，ウェハＷを往復させていたが，インターフェイス部４からカセットステーション２にウェハＷが搬送される際に，必要に応じて第３のブロックＢ３と第２のブロックＢ２との間や第２のブロックＢ２と第１のブロックＢ１との間でウェハＷを往復させてもよい。

以上の実施の形態で記載した第２のブロックＢ２の液処理ユニットは，水平移動可能であったが，さらに上下動できてもよい。かかる場合，例えば図１０に示すように各ユニット層Ｈ１〜Ｈ３の筐体１３０の基台１３１が保持部材２００により保持され，上下方向に延伸するガイド２０１に取り付けられている。筐体１３０の基台１３１は，駆動機構２０２によってガイド２０１に沿って上下動できる。これにより，各ユニット層Ｈ１〜Ｈ３の液処理ユニットがそれぞれ上下動できる。そして，第１のブロックＢ１と第２のブロックＢ２との間，若しくは第２のブロックＢ２と第３のブロックＢ３との間でウェハＷを搬送する際には，必要に応じて図１１に示すように第２のブロックＢ２内の液処理ユニットを上下動させる。こうすることにより，例えば第１及び第３のブロックＢ１，Ｂ３のより多くの熱処理ユニットが，第２のブロックＢ２の液処理ユニットにアクセスできるようになり，より多くのウェハＷの搬送経路が形成される。

例えば，以上の実施の形態では，第１のブロックＢ１と第３のブロックＢ３の熱処理ユニットには，搬送装置８０が設けられていたが，図１２に示すように第２のブロックＢ２の液処理ユニットに搬送装置８０が設けられていてもよい。この場合，第１のブロックＢ１と第３のブロックＢ３側に搬送装置８０を設けなくてもよい。かかる場合，第１のブロックＢ１と第２のブロックＢ２との間と，第２のブロックＢ２と第３のブロックＢ３との間のウェハＷの搬送を，第２のブロックＢ２の搬送装置８０により行うことができる。

なお，搬送装置８０は，第１のブロックＢ１と第３のブロックＢ３の熱処理ユニットと第２のブロックＢ２の液処理ユニットの両方に設けられていてもよい。第２のブロックＢ２の液処理ユニットに搬送装置８０を設ける場合，総ての液処理ユニットに搬送装置８０を設けなくてもよく，特定の液処理ユニットにのみ搬送装置８０を設けてもよい。また，以上の実施の形態で記載した第１のブロックＢ１と第３のブロックＢ３のユニットに関しても同様に，総てのユニットに搬送装置８０を設けなくてもよく，特定のユニットにのみ搬送装置８０を設けてもよい。

また，熱処理ユニットの冷却板６０に搬送機能を設け，冷却板６０が回転し，第２のブロックＢ２の液処理ユニットに対して進退して，液処理ユニットに直接アクセスできるようにしてもよい。

処理ステーション２の隣り合う各ブロック間には，図１３に示すように仕切り板２２０が設けられていてもよい。かかる場合，仕切り板２２０は，空冷式又は水冷式の断熱構造を有している。こうすることにより，第１及び第３のブロックＢ１，Ｂ３の熱処理ユニットの熱が第２のブロックＢ２の液処理ユニットに悪影響を与えることがない。なお，仕切り板２２０には，図示しないウェハ搬送口が形成されている。

以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において，各種の変更例または修正例に相到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

以上の実施の形態では，第１及び第３のブロックＢ１，Ｂ３の２つの熱処理ユニットがそれぞれ組みになって上下動していたが，各熱処理ユニット毎に上下移動してもよい。また，第２のブロックＢ２の各層の液処理ユニットは，筐体１３０毎に一体となって水平移動していたが，各液処理ユニット毎に個別に水平移動してもよい。

ウェハＷの搬送経路は，上記実施の形態のものに限られるものではない。ウェハＷの搬送経路は，ウェハＷの処理レシピに応じて任意に選択できる。第１のブロックＢ１内のユニット間のウェハＷの搬送をカセットステーション２のウェハ搬送体１１によって行なってもよい。例えば，未処理のウェハＷがウェハ搬送体１１によって第１のブロックＢ１の加熱・冷却ユニットに搬送され，その後，当該加熱・冷却ユニットのウェハＷがウェハ搬送体１１によってアドヒージョン・冷却ユニットに搬送されるようにしてもよい。また，第１のブロックＢ３内のユニット間のウェハＷの搬送をインターフェイス部４のウェハ搬送体１７０によって行なってもよい。

以上の実施の形態で記載した処理ステーション３内には，ウェハＷの処理を行う処理ユニットのみが設けられていたが，ウェハＷの処理を行わない，例えばウェハＷの受け渡しを行う受け渡しユニットや位置合わせを行うアライメントユニットを必要に応じて設けるようにしてもよい。

以上の実施の形態で記載した処理ステーション３の第１及び第３のブロックＢ１，Ｂ３には，それぞれ２つのユニット群が設けられていたが，そのユニット群の数は，任意に選択できる。また，第２のブロックＢ２のユニット層の数も任意に選択できる。

第１のブロックＢ１と第３のブロックＢ３の各ユニット群には，６つの熱処理ユニットが積層されていたが，その数や種類は任意に選択できる。また，第２のブロックＢ２の各ユニット層には，３つの液処理ユニットが並列されていたが，その数や種類も任意に選択できる。

以上の実施の形態では，一枚のウェハＷの処理プロセスを説明したが，基板の処理システム１では，複数枚のウェハ処理が同時期に連続して行われる。この際，第２のブロックＢ２のユニット層Ｈ１〜Ｈ３において，一の液処理ユニットにおいてウェハＷが処理されている最中であっても，筐体１３０が移動し，他の液処理ユニットに対するウェハＷの搬入出を行ってもよい。また，第１のブロックＢ１と第２のブロックＢ２において，二つ一組になった熱処理ユニットのうちの一の熱処理ユニットでウェハＷの処理が行われているときに，一組の熱処理ユニット全体が移動し，他の熱処理ユニットに対するウェハＷの搬送を行ってもよい。

以上の実施の形態では，複数のユニットが処理ステーション３の各ブロックに配置されていたが，本発明の複数のユニットの配置は，それに限られるものではない。以上の実施の形態では，本発明を，フォトリソグラフィー工程を行う基板の処理システム１に適用していたが，他の処理，例えばウェハＷの洗浄処理を行う洗浄処理，ウェハＷに成膜する成膜処理，ウェハＷをエッチングするエッチング処理，ウェハＷ上の膜厚，線幅，パーティクル又は欠陥などを検査する検査処理などを行う基板の処理システムに適用してもよい。つまり，本発明におけるユニットは，洗浄ユニット，成膜ユニット，エッチングユニット，検査ユニットなどであってもよい。本発明は，ウェハＷ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ），フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板の処理システムにも適用できる。

本発明は，基板の処理システムにおいて，多様な処理レシピに柔軟に対応し，基板間の処理時間差や基板の搬送待ち時間を低減し，さらに省スペース化を図る際に有用である。

本発明の基板の処理システムの構成の概略を示す平面図である。図１の基板の処理システムの構成の概略を示す側面図である。図１の基板の処理システムの構成の概略を示す背面図である。加熱・冷却ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。加熱・冷却ユニットの構成の概略を示す横断面図である。第１及び第３のブロックの熱処理ユニットの移動機構を示す説明図である。第２のブロックの液処理ユニットの移動機構を示す説明図である。第１〜第３のブロックのユニットの移動方向を示す説明図である。他の処理プロセスの搬送経路を示すための基板の処理システムの側面図である。上下方向にも移動できる第２のブロックの液処理ユニットの移動機構を示す説明図である。上下動可能な第２のブロックの液処理ユニットを備えた基板の処理システムの側面図である。搬送装置を第２のブロックに備えた基板の処理システムの平面図である。仕切り板を備えた基板の処理システムの構成を示す平面図である。

符号の説明

１基板の処理システム
３処理ステーション
Ｂ１〜Ｂ３ブロック
Ｗウェハ

Claims

基板を収容可能な第１のユニット，第２のユニット及び第３のユニットをこの順に並べて備えた処理ステーションを有し，
前記第１のユニット，第２のユニット及び第３のユニットは，それぞれ複数備えられ，
各第１のユニット，第２のユニット及び第３のユニットの少なくともいずれかには，基板の処理を行う処理ユニットが含まれ，
前記各第１のユニットは，上下動可能であり，
前記各第２のユニットは，水平移動可能であり，
前記各第３のユニットは，上下動可能であり，
前記第１のユニット，第２のユニット又は第３のユニットの少なくともいずれかが移動して，少なくともある第１のユニットと少なくともある第２のユニットとの間及び少なくともある第２のユニットと少なくともある第３のユニットとの間で基板の授受が可能になることを特徴とする，基板の処理システム。
請求項１に記載の基板の処理システムを用いた基板の処理方法であって，
搬入部から処理ステーションの第１のユニットに基板を搬入し，その後前記第１のユニットと第２のユニットが相対的に移動して前記第１のユニットの基板を第２のユニットに搬送し，その後前記第２のユニットと第３のユニットが相対的に移動して第２のユニットの基板を第３のユニットに搬送することを特徴とする，基板の処理方法。
請求項１に記載の基板の処理システムを用いた基板の処理方法であって，
搬入部から処理ステーションの第１のユニットに基板を搬入し，その後前記第１のユニットの基板を第２のユニットに搬送し，その後基板を第２のユニットと第１のユニットとの間又は第２のユニットと第３のユニットとの間の少なくともいずれかで往復させ，その後第３のユニットに搬送し，
前記第１のユニットと前記第２のユニットとの間で基板を搬送する場合には，前記第１のユニットと前記第２のユニットが相対的に移動し，
前記第２のユニットと前記第３のユニットとの間で基板を搬送する場合には，前記第２のユニットと前記第３のユニットが相対的に移動することを特徴とする，基板の処理方法。
他の搬入部から処理ステーションの第３のユニットに基板を搬入し，その後前記第３のユニットと第２のユニットが相対的に移動して前記第３のユニットの基板を第２のユニットに搬送し，その後前記第２のユニットと第１のユニットが相対的に移動して第２のユニットの基板を第１のユニットに搬送することを特徴とする，請求項２又は３のいずれかに記載の基板の処理方法。
他の搬入部から処理ステーションの第３のユニットに基板を搬入し，その後前記第３のユニットの基板を第２のユニットに搬送し，その後基板を第２のユニットと第３のユニットとの間又は第２のユニットと第１のユニットとの間の少なくともいずれかで往復させ，その後第１のユニットに搬送し，
前記第３のユニットと前記第２のユニットとの間で基板を搬送する場合には，前記第３のユニットと前記第２のユニットが相対的に移動し，
前記第２のユニットと前記第１のユニットとの間で基板を搬送する場合には，前記第２のユニットと前記第１のユニットが相対的に移動することを特徴とする，請求項２又は３のいずれかに記載の基板の処理方法。
少なくとも前記第１のユニット又は第３のユニットには，基板の熱処理を行う熱処理ユニットが含まれ，
前記第２のユニットには，基板の液処理を行う液処理ユニットが含まれることを特徴とする，請求項２〜５のいずれかに記載の基板の処理方法。