JP6503280B2 - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6503280B2
JP6503280B2 JP2015222106A JP2015222106A JP6503280B2 JP 6503280 B2 JP6503280 B2 JP 6503280B2 JP 2015222106 A JP2015222106 A JP 2015222106A JP 2015222106 A JP2015222106 A JP 2015222106A JP 6503280 B2 JP6503280 B2 JP 6503280B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
block
heat treatment
unit
processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015222106A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017092305A (ja
Inventor
稲垣　幸彦
幸彦 稲垣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2015222106A priority Critical patent/JP6503280B2/ja
Priority to CN201611009746.4A priority patent/CN107017184B/zh
Priority to US15/347,316 priority patent/US10269598B2/en
Priority to KR1020160149551A priority patent/KR101946117B1/ko
Priority to TW105136863A priority patent/TWI644381B/zh
Publication of JP2017092305A publication Critical patent/JP2017092305A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6503280B2 publication Critical patent/JP6503280B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67225—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682—Mask-wafer alignment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基板、光ディスク用の基板など（以下、単に基板と称する）に処理を行う基板処理装置に関する。
従来、この種の装置として、基板に処理を行う処理部を備える基板処理装置がある。処理部の前面は、インデクサ部と接続される。処理部の背面は、インターフェースと接続される。インターフェース部は、さらに、露光機と接続される。インデクサ部は、処理部に基板を供給する。処理部は、基板に処理を行う。インターフェース部は、処理部と露光機との間で基板を搬送する。（例えば、特許文献１参照）。
特開２００９−０１０２９１号公報
しかしながら、従来の装置では、インデクサ部を処理部の前面にしか接続できない。すなわち、処理部とインデクサ部との配置の自由度が低い。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、処理部とインデクサ部との配置の自由度を高めることができる基板処理装置を提供することを目的とする。
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、本発明は、基板処理装置であって、基板に処理を行う処理部を備え、前記処理部の前面および背面のいずれも、前記処理部に基板を供給するインデクサ部と接続可能である基板処理装置である。
［作用・効果］本発明に係る基板処理装置によれば、処理部の前方にインデクサ部を配置することも可能であり、かつ、処理部の後方にインデクサ部を配置することも可能である。すなわち、処理部とインデクサ部との配置の自由度を高めることができる。
このため、処理部の仕様さえ決まっていれば、インデクサ部が処理部の前面および背面のどちらに接続されるかが決まっていなくても、処理部を製造することができる。これにより、処理部の納期を短縮できる。
上述した発明において、前記処理部の前記前面および前記背面のいずれも、インターフェース部または露光機の少なくともいずれかと接続可能であることが好ましい。処理部の前方にインターフェース部／露光機を配置することも可能であり、かつ、処理部の後方にインターフェース部／露光機を配置することも可能である。すなわち、処理部とインターフェース部／露光機との配置の自由度を高めることができる。
上述した発明において、前記処理部の前記前面が前記インデクサ部と接続しているときに前記処理部が基板に行う処理は、前記処理部の前記背面が前記インデクサ部と接続しているときに前記処理部が基板に行う処理と同じであることが好ましい。換言すれば、前記処理部の前記背面が前記インデクサ部と接続しているとき、前記処理部は、前記処理部の前記前面が前記インデクサ部と接続している場合に前記処理部が基板に行う処理と同じ処理を行うことが好ましい。処理部の前方にインデクサ部を配置する場合であっても、処理部の後方にインデクサ部を配置する場合であっても、処理部は基板に同じ処理を行うことができる。すなわち、処理部とインデクサ部の配置が変わっても、処理部が基板に行う処理は変わらない。よって、処理部とインデクサ部との配置の自由度を一層高めることができる。
上述した発明において、前記処理部は、基板を載置する載置部と、を備え、載置部は、前記処理部の前方に開放されている前部載置部と、前記処理部の後方に開放されている後部載置部と、を含み、正面視における前記前部載置部の位置は、背面視における前記後部載置部の位置と、同じであることが好ましい。換言すれば、処理部を正面から見たときの処理部の前面に対する前部載置部の位置は、処理部を背面から見たときの処理部の背面に対する後部載置部の位置と、同じであることが好ましい。よって、インデクサ部を処理部の前面に接続する場合であっても、インデクサ部を処理部の背面に接続する場合であっても、インデクサ部は、同じ位置で処理部に基板を供給できる。
上述した発明において、前記処理部は、基板に処理を行う処理ユニットと、前記処理ユニットおよび前記載置部に基板を搬送する搬送機構と、を備え、前記処理部の前記前面と、前記処理ユニット、前記載置部および前記搬送機構との相対的な位置関係は、前記処理部の前記背面と、前記処理ユニット、前記載置部および前記搬送機構との相対的な位置関係と、同じであることが好ましい。換言すれば、前記処理部の前から見たときの、前記処理ユニット、前記載置部および前記搬送機構の各位置は、前記処理部の後から見たときの、前記処理ユニット、前記載置部および前記搬送機構の各位置と、と同じであることが好ましい。よって、処理部の前面を通じて処理部に入った基板であっても、処理部の背面を通じて処理部に入った基板であっても、基板の搬送条件（例えば、搬送距離、搬送方向または搬送時間）を実質的に等しくできる。これにより、処理部の前面がインデクサ部と接続している場合であっても、処理部の背面がインデクサ部と接続している場合であっても、処理部における処理品質を好適に等しくできる。
上述した発明において、前記処理部における前記処理ユニット、前記載置部および前記搬送機構は、平面視で、点対称に配置されていることが好ましい。処理部の前面と、処理ユニット、載置部および搬送機構との相対的な位置関係を、処理部の背面と、処理ユニット、載置部および搬送機構との相対的な位置関係と、好適に一致させることができる。
上述した発明において、前記処理ユニット、前記載置部および前記搬送機構は、前記処理部の前部と前記処理部の後部とで対称に配置されていることが好ましい。換言すれば、前記処理ユニット、載置部および搬送機構は、平面視で、処理部の前面と背面とを結ぶ前後方向と平行で、かつ、処理部の中心を通る仮想面に対して線対称に配置されていることが好ましい。処理部の前面から背面に向かう処理ユニット、載置部および搬送機構の配列は、処理部の背面から前面に向かう処理ユニット、載置部および搬送機構の配列と、等しい。よって、処理部の前面がインデクサ部と接続している場合であっても、処理部の背面がインデクサ部と接続している場合であっても、処理部における処理品質を好適に等しくできる。
上述した発明において、前記処理ユニット、前記載置部および前記搬送機構は、前記処理部の右部と前記処理部の左部とで対称に配置されていることが好ましい。換言すれば、処理ユニット、載置部および搬送機構は、平面視で、前後方向と直交し、かつ、処理部の中心を通る仮想面に対して線対称に配置されていることが好ましい。処理部の右部にも左部にも、処理ユニット、載置部および搬送機構が同じように配置されているので、処理部の右部におけるメンテナンスと処理部の左部におけるメンテナンスとを同じにすることができる。
上述した発明において、前記処理部は、前記処理部の前記前面と前記背面とを結ぶ前後方向に一列に並ぶように設置される複数のブロックを備え、前記処理部の前からｉ番目（但し、ｉは１以上の整数）に配置されるブロックは、前記処理部の後からｉ番目に配置されるブロックと同じ機能を有することが好ましい。これにより、処理部の前面がインデクサ部と接続している場合であっても、処理部の背面がインデクサ部と接続している場合であっても、処理部における処理品質を好適に等しくできる。
なお、処理部の前から１番目に配置されるブロックは、処理部の前端部に位置し、処理部の後から１番目に配置されるブロックは、処理部の後端部に位置する。また、「機能」とは、基板を処理する機能や基板を搬送する機能などを含む意味である。
上述した発明において、前記ブロックは、基板を熱処理する熱処理ブロック、基板を液処理する液処理ブロック、および、前記熱処理ブロックと前記液処理ブロックの間で基板を中継する中継ブロックのいずれかであり、前記処理部の前記前面から前記背面に向かう液処理ブロック、熱処理ブロックおよび中継ブロックの配列は、前記処理部の前記背面から前記前面に向かう液処理ブロック、熱処理ブロックおよび中継ブロックの配列と、同じであることが好ましい。これにより、処理部の前面がインデクサ部と接続している場合であっても、処理部の背面がインデクサ部と接続している場合であっても、処理部における熱処理および液処理の処理品質を好適に等しくできる。
上述した発明において、前記処理部の前記前面から前記背面に向かって、熱処理ブロック、中継ブロック、液処理ブロック、中継ブロック、熱処理ブロックがこの順番で並ぶことが好ましい。このような構造によれば、熱処理ブロックと液処理ブロックの間に、中継ブロックが配置されている。中継ブロックは、熱処理ブロックと液処理ブロックとの間における基板の搬送効率を好適に向上できる。また、中継ブロックは、前部熱処理ブロックが液処理ブロックに及ぼす影響を低減できる。
また、本発明は、基板処理装置であって、基板に処理を行う処理部を備え、前記処理部は、前記処理部の前端部に配置され、基板に熱処理を行う前部熱処理ブロックと、前記処理部の後端部に配置され、基板に熱処理を行う後部熱処理ブロックと、前記前部熱処理ブロックと前記後部熱処理ブロックの間に配置され、基板に液処理を行う液処理ブロックと、を備え、前記前部熱処理ブロックおよび前記後部熱処理ブロックはそれぞれ、前記処理部に基板を供給するインデクサ部と接続可能である基板処理装置である。
［作用・効果］本発明に係る基板処理装置によれば、処理部の前方にインデクサ部を配置することも可能であり、かつ、処理部の後方にインデクサ部を配置することも可能である。すなわち、処理部とインデクサ部との配置の自由度を高めることができる。
また、処理部の前端部と後端部にはそれぞれ、基板に熱処理を行うブロックが配置されている。よって、処理部の前方にインデクサ部を配置する場合であっても、処理部の後方にインデクサ部を配置する場合であっても、処理部は基板を同じように処理できる。
上述した発明において、前記液処理ブロックは、液処理が行われた一部の基板を前記前部熱処理ブロックに送り、かつ、液処理が行われた他の基板を前記後部熱処理ブロックに送り、前部熱処理ブロックおよび前記後部熱処理ブロックはそれぞれ、前記液処理ブロックから受け取った基板に液処理後熱処理を行うことが好ましい。液処理ブロックは、基板に液処理を行った後、基板を前部熱処理ブロックおよび後部熱処理ブロックに振り分ける（分散させる）。そして、前部熱処理ブロックと後部熱処理ブロックとはそれぞれ、液処理に続いて行われる加熱処理、すなわち、液処理後熱処理を並行して行う。これにより、液処理後熱処理を効率良く実施できる。
上述した発明において、前記液処理ブロックは、前記液処理として、基板に塗膜材料を塗布する塗布処理を行い、前記液処理ブロックは、前記塗布処理が行われた一部の基板を前記前部熱処理ブロックに送り、かつ、前記塗布処理が行われた他の基板を前記後部熱処理ブロックに送り、前部熱処理ブロックおよび前記後部熱処理ブロックはそれぞれ、前記塗布処理が行われた基板に塗布後熱処理を行うことが好ましい。液処理ブロックは、基板に塗布処理を行った後、基板を前部熱処理ブロックおよび後部熱処理ブロックに振り分ける（分散させる）。そして、前部熱処理ブロックと後部熱処理ブロックとはそれぞれ、塗布処理に続いて行われる熱処理、すなわち、塗布後熱処理を並行して行う。これにより、塗布後熱処理を効率良く実施できる。
上述した発明において、前記液処理ブロックは、前記液処理として、基板に塗膜材料を塗布する塗布処理を行い、前記液処理ブロックは、前記塗布処理が行われた一部の基板を前記前部熱処理ブロックに送り、かつ、前記塗布処理が行われた他の基板を前記後部熱処理ブロックに送り、前部熱処理ブロックおよび前記後部熱処理ブロックはそれぞれ、前記塗布処理が行われた基板に塗布後熱処理を行うことが好ましい。液処理ブロックは、基板に現像処理を行った後、基板を前部熱処理ブロックおよび後部熱処理ブロックに振り分ける（分散させる）。そして、前部熱処理ブロックと後部熱処理ブロックとはそれぞれ、現像処理に続いて行われる熱処理、すなわち、現像後熱処理を並行して行う。これにより、現像後熱処理を効率良く実施できる。
上述した発明において、前記処理部は、前記前部熱処理ブロックと前記液処理ブロックとの間に配置され、基板を中継する前部中継ブロックと、前記液処理ブロックと前記後部熱処理ブロックとの間に配置され、基板を中継する後部中継ブロックと、を備え、前記前部熱処理ブロックは、基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、前記前部熱処理ブロックの前記熱処理ユニットに基板を搬送する搬送機構と、を備え、前記前部中継ブロックは、基板を載置する載置部と、前記前部中継ブロックの前記載置部に基板を搬送する搬送機構と、を備え、前記液処理ブロックは、基板に液処理を行う液処理ユニットと、前記液処理ユニットに基板を搬送する搬送機構と、を備え、前記後部中継ブロックは、基板を載置する載置部と、前記後部中継ブロックの前記載置部に基板を搬送する搬送機構と、を備え、前記後部熱処理ブロックは、基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、前記後部熱処理ブロックの前記熱処理ユニットに基板を搬送する搬送機構と、を備えることが好ましい。前部熱処理ブロック、前部中継ブロック、液処理ブロック、後部中継ブロック、後部熱処理ブロックは、処理部の前端部から後端部に向かって、この順番に並ぶ。ブロックの機能に着目すると、ブロックの配列は、処理部の前端部から見ても、後端部から見ても、同じである。よって、処理部の前端部がインデクサ部と接続している場合であっても、処理部の後端部がインデクサ部と接続している場合であっても、処理部における熱処理および液処理の処理品質を好適に等しくできる。また、前部熱処理ブロックと液処理ブロックの間に、中継ブロックが配置されている。中継ブロックは、熱処理ブロックと液処理ブロックとの間における基板の搬送効率を好適に向上できる。また、中継ブロックは、前部熱処理ブロックが液処理ブロックに及ぼす影響を低減できる。
上述した発明において、前記前部中継ブロックの複数の前記載置部は、互いに上下方向に並び、前記前部中継ブロックの複数の前記搬送機構は、前記前部中継ブロックの前記載置部の側方に配置され、前記液処理ブロックの複数の前記搬送機構は、互いに上下方向に並び、前記後部中継ブロックの複数の前記載置部は、互いに上下方向に並び、前記後部中継ブロックの複数の前記搬送機構は、前記後部中継ブロックの前記載置部の側方に配置され、前記液処理ブロックの前記搬送機構のそれぞれが前記前部中継ブロックの少なくとも１つ以上の前記載置部と向かい合うように、前記前部中継ブロックの前記載置部は配置され、前記液処理ブロックの前記搬送機構のそれぞれが前記後部中継ブロックの少なくとも１つ以上の前記載置部と向かい合うように、前記後部中継ブロックの前記載置部は配置されることが好ましい。液処理ブロックの搬送機構のそれぞれは、前部中継ブロックの載置部を介して、前部中継ブロックの搬送機構に基板を渡すことができ、また、前部中継ブロックの搬送機構から基板を受けることができる。同様に、液処理ブロックの搬送機構のそれぞれは、後部中継ブロックの載置部を介して、後部中継ブロックの搬送機構に基板を渡すことができ、また、後部中継ブロックの搬送機構から基板を受けることができる。
上述した発明において、前記前部熱処理ブロックの複数の前記搬送機構は、上下方向および横方向のいずれかの方向に並び、前記前部熱処理ブロックの前記搬送機構のそれぞれが前記前部中継ブロックの少なくとも１つ以上の前記載置部と向かい合うように、前記前部中継ブロックの前記載置部は配置され、前記後部熱処理ブロックの複数の前記搬送機構は、前記前部熱処理ブロックの複数の前記搬送機構と同じ方向に並び、前記後部熱処理ブロックの前記搬送機構のそれぞれが前記後部中継ブロックの少なくとも１つ以上の前記載置部と向かい合うように、前記後部中継ブロックの前記載置部は配置されることが好ましい。前部熱処理ブロックの複数の搬送機構が上下方向に並ぶ場合であっても、横方向に並ぶ場合であっても、前部熱処理ブロックの搬送機構のそれぞれは、前部中継ブロックの載置部を介して、前部中継ブロックの搬送機構に基板を渡すことができ、また、前部中継ブロックの搬送機構から基板を受けることができる。同様に、後部熱処理ブロックの搬送機構のそれぞれは、後部中継ブロックの載置部を介して、後部中継ブロックの搬送機構に基板を渡すことができ、また、後部中継ブロックの搬送機構から基板を受けることができる。
上述した発明において、前記前部熱処理ブロックは、基板を載置する複数の載置部を備え、前記前部熱処理ブロックの複数の前記載置部は、前記前部熱処理ブロックの前記搬送機の側方において、互いに上下方向に並び、前記前部中継ブロックの前記搬送機構のそれぞれが前記前部熱処理ブロックの少なくとも１つ以上の前記載置部と向かい合うように、前記前部熱処理ブロックの前記載置部は配置され、前記後部熱処理ブロックは、基板を載置する複数の載置部を備え、前記後部熱処理ブロックの複数の前記載置部は、前記後部熱処理ブロックの前記搬送機の側方において、互いに上下方向に並び、前記後部中継ブロックの前記搬送機構のそれぞれが前記後部熱処理ブロックの少なくとも１つ以上の前記載置部と向かい合うように、前記後部熱処理ブロックの前記載置部は配置されることが好ましい。前部熱処理ブロックの搬送機構と前部中継ブロックの搬送機構は、前部中継ブロックの載置部を介して基板を相互に搬送することができるのみならず、前部熱処理ブロックの載置部を介して基板を相互に搬送することができる。よって、前部熱処理ブロックと前部中継ブロックとの間における基板搬送の信頼性を高めることができる。同様に、後部熱処理ブロックの搬送機構と後部中継ブロックの搬送機構は、後部中継ブロックの載置部を介して基板を相互に搬送することができるのみならず、後部熱処理ブロックの載置部を介して基板を相互に搬送することができる。よって、後部熱処理ブロックと後部中継ブロックとの間における基板搬送の信頼性を高めることができる。
本発明に係る基板処理装置によれば、処理部とインデクサ部との配置の自由度を高めることができる。
図１（ａ）は、実施例１に係る基板処理装置の側面図であり、図１（ｂ）は、実施例１に係る基板処理装置の正面図であり、図１（ｃ）は、実施例１に係る基板処理装置の背面図である。 図２（ａ）は、実施例１に係る処理部と他の機器との接続の一例を示す側面図であり、図２（ｂ）は、実施例１に係る処理部と他の機器との接続の他の一例を示す側面図である。 実施例１に係る基板処理装置１の平面図である。 図３における矢視ａ−ａの側面図である。 図３における矢視ｂ−ｂの側面図である。 搬送機構と載置部の関係を模式的に示す概念図である。 インデクサ部から見た前部熱処理ブロックの正面図である インデクサ部から見た前部中継ブロックの正面図である インデクサ部から見た液処理ブロックの正面図である。 インデクサ部から見た後部中継ブロックの正面図である。 インデクサ部から見た後部熱処理ブロックの正面図である。 図１２（ａ）、１２（ｂ）、１２（ｃ）、１２（ｄ）、１２（ｅ）はそれぞれ、図４における矢視ａ−ａ、ｂ−ｂ、ｃ−ｃ、ｄ−ｄ、ｅ−ｅの平面図である。 実施例１に係る基板処理装置の制御ブロック図である。 基板の搬送経路を模式的に示す図である。 基板に行う処理の手順を例示するフローチャートである。 動作例１において基板がブロックの間を移動する様子を模式的に示す概念図である。 動作例１における基板の搬送経路を示す図である。 動作例２において基板がブロックの間を移動する様子を模式的に示す概念図である。 動作例２における基板の搬送経路を示す図である。 動作例３において基板がブロックの間を移動する様子を模式的に示す概念図である。 動作例３における基板の搬送経路を示す図である。 動作例４において基板がブロックの間を移動する様子を模式的に示す概念図である。 動作例４における基板の搬送経路を示す図である。 図２３（ａ）は、実施例２に係る処理部と他の機器との接続の一例を示す側面図であり、図２３（ｂ）は、実施例２に係る処理部と他の機器との接続の他の一例を示す側面図である。 実施例２に係る基板処理装置の平面図である。 図２４における矢視ａ−ａの側面図である。 図２４における矢視ｂ−ｂの側面図である。 インデクサ部から見た前部熱処理ブロックの正面図である。 インデクサ部から見た前部中継ブロックの正面図である。 インデクサ部から見た液処理ブロックの正面図である。 インデクサ部から見た後部中継ブロックの正面図である。 インデクサ部から見た後部熱処理ブロックの正面図である。 インデクサ部から見たインターフェースブロックの前部の正面図である。 図３４（ａ）、３４（ｂ）、３４（ｃ）、３４（ｄ）は、図２５における矢視ａ−ａ、ｂ−ｂ、ｃ−ｃ、ｄ−ｄの側面図である。 図３５（ａ）、３５（ｂ）、３５（ｃ）、３５（ｄ）は、図２５における矢視ｅ−ｅ、ｆ−ｆ、ｇ−ｇ、ｈ−ｈの側面図である。 基板に行う処理の手順を例示するフローチャートである。 動作例１における基板の搬送経路を示す図である。 動作例２における基板の搬送経路を示す図である。 図３９（ａ）、３９（ｂ）、３９（ｃ）はそれぞれ、変形実施例に係る液処理ブロックの構成を模式的に示す側面図である。 変形実施例に係る基板処理装置の平面図である。
以下、図面を参照してこの発明の実施例１を説明する。
＜基板処理装置の概要＞
図１（ａ）は、実施例１に係る基板処理装置の側面図であり、図１（ｂ）は、実施例１に係る基板処理装置の正面図であり、図１（ｃ）は、実施例１に係る基板処理装置の背面図である。実施例１は、基板（例えば、半導体ウエハ）Ｗに処理を行う基板処理装置１である。
基板処理装置１は、処理部１７を備えている。処理部１７の外形は、略直方体である。処理部１７は、平面視、側面視および正面視のいずれでも略矩形である。処理部１７の前面１７ｆと背面１７ｂは、同じ形状（矩形）で、同じ大きさを有する。
ここで、前面１７ｆと背面１７ｂとを結ぶ方向を「前後方向Ｘ」と呼ぶ。前後方向Ｘは水平である。特に、背面１７ｂから前面１７ｆに向かう方向を「前方ＸＦ」と呼び、前方ＸＦとは反対の方向を「後方ＸＢ」と呼ぶ。前後方向Ｘと直交する水平な方向を、「横方向Ｙ」または単に「側方」と呼ぶ。さらに、「横方向Ｙ」の一方向を適宜に「右方ＹＲ」とよび、右方ＹＲとは反対の他方向を「左方ＹＬ」と呼ぶ。垂直な方向を「上下方向Ｚ」と呼ぶ。
処理部１７は載置部Ｐを備えている。載置部Ｐは、処理部１７の前方ＸＦに開放されている前部載置部Ｐｆと、処理部１７の後方ＸＢに開放されている後部載置部Ｐｂと、を含む。前面１７ｆには、前部載置部Ｐｆを開放するための開口１７ｆａが形成されている。背面１７ｂには、後部載置部Ｐｂを開放するための開口１７ｂａが形成されている。図１（ｂ）、１（ｃ）に示すように、前面１７ｆに対する前部載置部Ｐｆの位置は、背面１７ｂに対する後部載置部Ｐｂの位置と同じである。
図２（ａ）は、実施例１に係る処理部と他の機器との接続の一例を示す側面図である。図２（ａ）では、処理部１７の前面１７ｆはインデクサ部１１と接続している。インデクサ部１１は、処理部１７に基板Ｗを供給する。処理部１７の背面１７ｂは露光機ＥＸＰと接続している。露光機ＥＸＰは、基板Ｗに露光処理を行う。インデクサ部１１と処理部１７と露光機ＥＸＰは、この順番で後方ＸＢに向かって一列に並ぶ。
本実施例１では、インデクサ部１１は、基板処理装置１の要素であり（すなわち、基板処理装置１の内部に設けられる内部機器であり）、露光機ＥＸＰは基板処理装置１の外部に設けられる外部機器である。
図２（ａ）の場合、基板処理装置１および露光機ＥＸＰは、例えば、次のように動作する。すなわち、インデクサ部１１は、処理部１７に基板Ｗを搬送する。具体的には、インデクサ部１１は、前部載置部Ｐｆを介して、処理部１７に基板Ｗを供給する。処理部１７は、基板Ｗに処理を行う。この際、処理部１７から後部載置部Ｐｂを介して露光機ＥＸＰに基板Ｗを搬送し、露光機ＥＸＰで基板Ｗを露光処理する。処理部１７による処理が終了すると、処理部１７から前部載置部Ｐｆを介してインデクサ部１１に基板Ｗを搬送する。
図２（ｂ）は、実施例１に係る処理部と他の機器との接続の他の一例を示す側面図である。図２（ｂ）では、背面１７ｂがインデクサ部１１と接続している。前面１７ｆは露光機ＥＸＰと接続している。インデクサ部１１と処理部１７と露光機ＥＸＰは、この順番で前方ＸＦに向かって一列に並ぶ。この場合、基板処理装置１と露光機ＥＸＰは、例えば、次のように動作する。すなわち、インデクサ部１１は、処理部１７に基板Ｗを搬送する。具体的には、インデクサ部１１は、後部載置部Ｐｂを介して、処理部１７に基板Ｗを供給する。処理部１７は、基板Ｗに処理を行う。この際、処理部１７から前部載置部Ｐｆを介して露光機ＥＸＰに基板Ｗを搬送し、露光機ＥＸＰで基板Ｗを露光処理する。処理部１７による処理が終了すると、処理部１７から後部載置部Ｐｂを介してインデクサ部１１に基板Ｗを搬送する。
このように、本実施例１に係る基板処理装置１によれば、前面１７ｆおよび背面１７ｂのいずれも、インデクサ部１１に接続可能である。よって、処理部１７の前にインデクサ部１１を配置することも可能であり、かつ、処理部１７の後にインデクサ部１１を配置することも可能である。すなわち、処理部１７とインデクサ部１１の配置の自由度を高めることができる。
このため、インデクサ部１１が処理部１７の前面１７ｆおよび背面１７ｂのどちらに接続されるかが決まる前に、処理部１７の製造を開始できる。これにより、処理部１７の納期を退縮できる。
前面１７ｆおよび背面１７ｂのいずれも、露光機ＥＸＰと接続可能である。よって、処理部１７の前に露光機ＥＸＰを配置することも可能であり、かつ、処理部１７の後に露光機ＥＸＰを配置することも可能である。すなわち、処理部１７と露光機ＥＸＰの配置の自由度も高めることができる。
処理部１７を正面から見たときの前面１７ｆに対する前部載置部Ｐｆの位置は、処理部１７を背面から見たときの背面１７ｂに対する後部載置部Ｐｂの位置と、同じである。よって、インデクサ部１１を前面１７ｆに接続する場合であっても、インデクサ部１１を背面１７ｂに接続する場合であっても、インデクサ部１１は、同じ位置で処理部１７に基板Ｗを供給できる。
以下では、基板処理装置１の構造について、さらに詳しく説明する。
＜基板処理装置１の全体構造＞
図３は、実施例１に係る基板処理装置１の平面図である。図４は、図３における矢視ａ−ａの側面図である。図５は、図３における矢視ｂ−ｂの側面図である。なお、図３乃至５では、便宜上、処理部１７の前面１７ｆがインデクサ部１１と接続し、かつ、処理部１７の背面１７ｂが露光機ＥＸＰと接続している例を示す。
処理部１７は、２つの熱処理ブロックＢＨと２つの中継ブロックＢＴと１つの液処理ブロックＢＣとを備えている。熱処理ブロックＢＨは基板Ｗに熱処理を行う。中継ブロックＢＴはそれぞれ、基板Ｗを中継する。液処理ブロックＢＣは、基板Ｗに液処理を行う。液処理は、基板Ｗに処理液を供給する処理である。処理液は、例えば塗膜材料や現像液である。すなわち、液処理は、例えば塗布処理や現像処理である。
熱処理ブロックＢＨと中継ブロックＢＴと液処理ブロックＢＣは、前後方向Ｘに一列に並ぶ。前方ＸＦに向かうブロックＢＨ、ＢＴ、ＢＣの配列ＡｒＦ、および、後方ＸＢに向かうブロックＢＨ、ＢＴ、ＢＣの配列ＡｒＢはそれぞれ、次のようになる。
配列ＡｒＦ：ＢＨ→ＢＴ→ＢＣ→ＢＴ→ＢＨ
配列ＡｒＢ：ＢＨ→ＢＴ→ＢＣ→ＢＴ→ＢＨ
このように、配列ＡｒＦは、配列ＡｒＢと同じである。
一方の熱処理ブロックＢＨは処理部１７の前端部に位置する。一方の熱処理ブロックＢＨの前面は、処理部１７の前面１７ｆに相当し、インデクサ部１１と接続している。他方の熱処理ブロックＢＨは処理部１７の後端部に位置する。他方の熱処理ブロックＢＨの背面は、処理部１７の背面１７ｂに相当し、露光機ＥＸＰと接続している。
処理部１７の前からｉ番目（但し、ｉは１以上の整数）に配置されるブロックは、処理部１７の後からｉ番目に配置されるブロックと同じ機能を有する。
具体的には、処理部１７の前から１番目に配置されるブロック、および、処理部１７の後から１番目に配置されるブロックはいずれも、熱処理ブロックＢＨである。よって、処理部１７の前から１番目に配置されるブロックと、後から１番目に配置されるブロックとは、同じ機能を有する。
処理部１７の前から２番目に配置されるブロック、および、処理部１７の後から２番目に配置されるブロックはいずれも、中継ブロックＢＤである。よって、処理部１７の前から２番目に配置されるブロックと、後から２番目に配置されるブロックとは、同じ機能を有する。
処理部１７の前から３番目に配置されるブロックは、処理部１７の後から３番目に配置されるブロックであり、具体的には、液処理ブロックＢＣである。当然ながら、処理部１７の前から３番目に配置されるブロックも、後から３番目に配置されるブロックも、同じ機能を有する。
以下では、便宜上、処理部１７の前端部に位置する熱処理ブロックＢＨを「前部熱処理ブロックＢＡ」と呼び、処理部１７の後端部に位置する熱処理ブロックＢＨを「後部熱処理ブロックＢＥ」と呼ぶ。また、前部熱処理ブロックＢＡと液処理ブロックＢＣとの間に配置される中継ブロックＢＴを「前部中継ブロックＢＢ」と呼び、後部熱処理ブロックＢＥと液処理ブロックＢＣとの間に配置される中継ブロックＢＴを「後部中継ブロックＢＤ」と呼ぶ。
各ブロックＢＡ、ＢＢ、ＢＣ、ＢＤ、ＢＥの外形はそれぞれ、略直方体である。各ブロックＢＡ、ＢＢ、ＢＣ、ＢＤ、ＢＥはそれぞれ、平面視、側面視、正面視のいずれでも略矩形である。各ブロックＢＡ、ＢＢ、ＢＣ、ＢＤ、ＢＥの横方向Ｙの長さは、略同じである。
ブロックＢＡ−ＢＢは、直接的に接続されており、相互に基板Ｗを搬送可能である。同様に、ブロックＢＢ−ＢＣ、ＢＣ−ＢＤ、ＢＤ−ＢＥはそれぞれ、直接的に接続されており、相互に基板Ｗを搬送可能である。ただし、ブロックＢＡは、ブロックＢＣ、ＢＤ、ＢＥと直接的に接続されていない。ブロックＢＢは、ブロックＢＤ、ＢＥと直接的に接続されていない。ブロックＢＣは、ブロックＢＡ、ＢＥと直接的に接続されていない。
＜インデクサ部１１＞
図３−５を参照する。インデクサ部１１は、キャリア載置部１２と、インデクサ用搬送機構１３と、搬送スペース１６を備えている。
キャリア載置部１２はキャリアＣを載置する。キャリアＣは、複数枚の基板Ｗを収容する。キャリアＣは、例えば、ＦＯＵＰ（front opening unified pod）である。キャリアＣは、例えば不図示の外部搬送機構によって、キャリア載置部１２上に載置される。
搬送スペース１６は、キャリア載置部１２の後方ＸＢに設けられている。搬送スペース１６には、インデクサ用搬送機構１３が設置されている。インデクサ用搬送機構１３は、キャリアＣに基板Ｗを搬送する。インデクサ用搬送機構１３は、さらに、前部熱処理ブロックＢＡに基板Ｗを搬送可能である。
例えば、インデクサ用搬送機構１３は、基板Ｗを保持する２つのハンド１４と、各ハンド１４を駆動するハンド駆動機構１５とを備えている。各ハンド１４は、それぞれ１枚の基板Ｗを保持する。ハンド駆動機構１５は、前後方向Ｘ、横方向Ｙおよび上下方向Ｚにハンド１４を移動させ、かつ、上下方向Ｚを中心にハンド１４を回転させる。これにより、インデクサ用搬送機構１３は、キャリアＣおよび前部熱処理ブロックＢＡに基板Ｗを搬送する。
＜前部熱処理ブロックＢＡの構造＞
図３乃至７を参照する。図６は、搬送機構と載置部の関係を模式的に示す概念図である。矢印付の線は、搬送機構がアクセスする載置部を示す。なお、「アクセスする」とは、載置部／処理ユニットに基板Ｗを搬入したり、載置部／処理ユニットから基板Ｗを搬出する位置に搬送機構が移動することを言う。図７は、インデクサ部１１から前部熱処理ブロックＢＡを見た正面図である。
前部熱処理ブロックＢＡは、熱処理ユニットＨＡと載置部ＰＡと搬送機構ＴＡと搬送スペースＡＡとを備えている。熱処理ユニットＨＡは、基板Ｗに熱処理を行う。熱処理は、例えば加熱処理や冷却処理である。載置部ＰＡは、基板Ｗを載置する。載置部ＰＡは、上述した前部載置部Ｐｆに相当する。搬送機構ＴＡは、熱処理ユニットＨＡと載置部ＰＡに基板Ｗを搬送する。搬送機構ＴＡは、いわゆるローカル搬送機構（熱処理ユニットごとに設置され、専ら１つの熱処理ユニットに対して基板を搬入／搬出するための機構）を意味しない。搬送スペースＡＡは、搬送機構ＴＡを設置するための空間である。
本明細書では、例えば、「熱処理ユニットＨＡ」と単に記載したときは、前部熱処理ブロックＢＡの熱処理ユニットを意味し、前部熱処理ブロックＢＡ以外のブロックの熱処理ユニットを意味しない。他の同じ名称の部材についても、同様に、符号によって区別するものとする。
平面視において、搬送スペースＡＡは前部熱処理ブロックＢＡの横方向Ｙ中央に配置されている。換言すれば、平面視において、搬送スペースＡＡは、前後方向Ｘに平行で、かつ、処理部１７の中心を通る中心面ＣＸ上に配置されている。中心面ＣＸは、仮想面である。平面視で、搬送スペースＡＡは、前後方向Ｘに延びる。搬送スペースＡＡは、前部熱処理ブロックＢＡの前面および背面に達している。
前部熱処理ブロックＢＡは、さらに、搬送スペースＡＡに清浄な気体を供給する給気ユニットＳＡＡと、搬送スペースＡＡから気体を排出する排気ユニットＥＸＡとを備える。給気ユニットＳＡＡは、搬送スペースＡＡの上部に配置され、気体を下方に吹き出す。排気ユニットＥＸＡは、搬送スペースＡＡの下部に配置されている。これにより、搬送スペースＡＡには、下向きの気体の流れ（ダウンフロー）が形成される。
搬送機構ＴＡは、搬送スペースＡＡに設置されている。搬送機構ＴＡは、搬送機構ＴＡＲと搬送機構ＴＡＬを含む。搬送機構ＴＡＲと搬送機構ＴＡＬは、互いに横方向Ｙに並ぶように配置されている。
熱処理ユニットＨＡと載置部ＰＡは、搬送スペースＡＡの両側方にそれぞれ配置されている。熱処理ユニットＨＡは、搬送スペースＡＡの右方ＹＲに配置される２つの熱処理ユニットＨＡＲと、搬送スペースＡＡの左方ＹＬに配置される２つの熱処理ユニットＨＡＬを含む。載置部ＰＡは、搬送スペースＡＡの右方ＹＲに配置される載置部ＰＡＲと、搬送スペースＡＡの左方ＹＬに配置される載置部ＰＡＬとを含む。
熱処理ユニットＨＡＲおよび載置部ＰＡＲは、搬送機構ＴＡＲの右方ＹＲに位置する。搬送機構ＴＡＲは、２つの熱処理ユニットＨＡＲおよび１つの載置部ＰＡＲと向かい合う。２つの熱処理ユニットＨＡＲと１つの載置部ＰＡＲとは、互いに上下方向Ｚに並ぶように配置されている。搬送機構ＴＡＲは、上下方向Ｚに昇降可能に構成され、熱処理ユニットＨＡＲおよび載置部ＰＡＲにアクセスする。
熱処理ユニットＨＡＬおよび載置部ＰＡＬは、搬送機構ＴＡＬの左方ＹＬに位置する。搬送機構ＴＡＬは、２つの熱処理ユニットＨＡＬおよび１つの載置部ＰＡＬと向かい合う。２つの熱処理ユニットＨＡＬと１つの載置部ＰＡＬとは、互いに上下方向Ｚに並ぶように配置されている。搬送機構ＴＡＬは、上下方向Ｚに昇降可能に構成され、熱処理ユニットＨＡＬおよび載置部ＰＡＬにアクセスする。
＜前部中継ブロックＢＢの構造＞
図３−６、８を参照する。図８は、前部中継ブロックＢＢをインデクサ部１１から見た正面図である。
前部中継ブロックＢＢは、載置部ＰＢと搬送機構ＴＢを備える。載置部ＰＢは、基板Ｗを載置する。搬送機構ＴＢは、載置部ＰＢに基板Ｗを搬送する。
平面視において、載置部ＰＢは前部中継ブロックＢＢの横方向Ｙ中央に配置されている。換言すれば、平面視において、載置部ＰＢは、中心面ＣＸ上に配置されている。
複数の載置部ＰＢは、互いに上下方向Ｚに並ぶように配置されている。より具体的には、載置部ＰＢは、載置部ＰＢ１、ＰＢ２、ＰＢ３、ＰＢ４を含む。載置部ＰＢ１、ＰＢ１、ＰＢ３、ＰＢ４は、互いに上下方向Ｚに並ぶ。載置部ＰＢ１、ＰＢ２、ＰＢ３、ＰＢ４は、下から上に向かってこの順番に並ぶ。
搬送機構ＴＢは、載置部ＰＢの両側方にそれぞれ配置されている。具体的には、搬送機構ＴＢは、載置部ＰＢの右方ＹＲに配置される搬送機構ＴＢＲと、載置部ＰＢの左方ＹＬに配置される搬送機構ＴＢＬを含む。搬送機構ＴＢＲ、ＴＢＬはそれぞれ、載置部ＰＢと向かい合う。
換言すれば、前部中継ブロックＢＢは、載置部ＰＢの右方ＹＲに形成される搬送スペースＡＢＲと、載置部ＰＢの左方ＹＬに形成される搬送スペースＡＢＬとを備える。搬送スペースＡＢＲには搬送機構ＴＢＲが設置される。搬送スペースＡＢＬには搬送機構ＴＢＬが設置される。
なお、搬送スペースＡＢＲ、ＡＢＬの上部にはそれぞれ、給気ユニットＳＡＢＲ、ＳＡＢＬが設置される。搬送スペースＡＢＲ、ＡＢＬの下部にはそれぞれ、排気ユニットＥＸＢＲ、ＥＸＢＬが設置されている。
搬送機構ＴＢＲ、ＴＢＬはそれぞれ、載置部ＰＢと向かい合う。搬送機構ＴＢＲ、ＴＢＬはそれぞれ、上下方向Ｚに昇降可能に構成され、載置部ＰＢ１−ＰＢ４にアクセスする。
＜液処理ブロックＢＣの構造＞
図３−６、９を参照する。図９は、液処理ブロックＢＣをインデクサ部１１から見た正面図である。
液処理ブロックＢＣは、液処理ユニットＳＣと搬送機構ＴＣを備える。液処理ユニットＳＣは、基板Ｗに液処理を行う。搬送機構ＴＣは、液処理ユニットＳＣに基板Ｗを搬送する。
液処理ブロックＢＣは、上下方向に並ぶ複数の階層Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３、Ｋ４を含む階層構造を有する。各階層Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３、Ｋ４はそれぞれ、１つの搬送機構ＴＣと、その搬送機構ＴＣが基板Ｗを搬送する１つ以上の液処理ユニットＳＣを有する。階層Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３、Ｋ４は、下から上に向かってこの順番で並ぶ。以下、具体的に説明する。
液処理ブロックＢＣは、液処理ユニットＳＣと搬送機構ＴＣのほか、搬送スペースＡＣを備えている。平面視において、搬送スペースＡＣは液処理ブロックＢＣの横方向Ｙ中央に配置されている。換言すれば、平面視において、搬送スペースＡＣは、中心面ＣＸ上に配置されている。平面視で、搬送スペースＡＣは、前後方向Ｘに延びる。搬送スペースＡＣは、液処理ブロックＢＣの前面および背面に達している。
搬送スペースＡＣは、複数（例えば４つ）の分割搬送スペースＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４に区分されている。分割搬送スペースＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４は、互いに上下方向Ｚに並ぶ。分割搬送スペースＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４は、下から上に向かってこの順番で並ぶ。
分割搬送スペースＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４の上部にはそれぞれ、給気ユニット（不図示）が設置され、分割搬送スペースＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４の下部にはそれぞれ、排気ユニット（不図示）が設置されている。
液処理ブロックＢＣは、複数（例えば３つ）の遮蔽板４０を備えてもよい。遮蔽板４０は、上下方向に隣り合う２つの分割スペースの間に設置され、２つの分割スペースの雰囲気を遮断する。例えば、遮蔽板４０は、分割搬送スペースＡＣ１と分割搬送スペースＡＣ２との間、分割搬送スペースＡＣ２と分割搬送スペースＡＣ３との間、および、分割搬送スペースＡＣ３と分割搬送スペースＡＣ４との間に設置されている。
分割搬送スペースＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４には、搬送機構ＴＣが１つずつ設置されている。各搬送機構ＴＣは、互いに上下方向Ｚに並ぶように配置されている。
より具体的には、搬送機構ＴＣは、搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２、ＴＣ３、ＴＣ４を含む。搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２、ＴＣ３、ＴＣ４はそれぞれ、分割搬送スペースＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４に設置される。各搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２、ＴＣ３、ＴＣ４は、互いに上下方向に並ぶ。各搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２、ＴＣ３、ＴＣ４は、下から上に向かってこの順番で並ぶ。搬送機構ＴＣ１は、分割搬送スペースＡＣ１内を動き、他の分割搬送スペースＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４に及ばない。他の搬送機構ＴＣ２、ＴＣ３、ＴＣ４も、同様である。
液処理ユニットＳＣは、分割搬送スペースＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４の側方にそれぞれ配置されている。より具体的には、液処理ユニットＳＣは、液処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２、ＳＣ３、ＳＣ４を含む。液処理ユニットＳＣ１は、分割搬送スペースＡＣ１の両側方にそれぞれ配置される。本実施例１では、１つの液処理ユニットＳＣ１が搬送機構ＴＣ１の右方ＹＲに配置され、他の１つの液処理ユニットＳＣ１が搬送機構ＴＣ１の左方ＹＬに配置される。同様に、液処理ユニットＳＣ２は、分割搬送スペースＡＣ２の両側方にそれぞれ配置される。液処理ユニットＳＣ３は、分割搬送スペースＡＣ３の両側方にそれぞれ配置される。液処理ユニットＳＣ４は、分割搬送スペースＡＣ４の両側方にそれぞれ配置される。
搬送スペースＡＣの右方ＹＲに配置される液処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２、ＳＣ３、ＳＣ４は、互いに上下方向Ｚに並ぶ。搬送スペースＡＣの左方ＹＬに配置される液処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２、ＳＣ３、ＳＣ４も、互いに上下方向Ｚに並ぶ。
搬送機構ＴＣ１は、両側方に設けられる２つの液処理ユニットＳＣ１と向かい合う。搬送機構ＴＣ１は、上下方向Ｚを中心に回転可能に構成され、２つの液処理ユニットＳＣ１にアクセスする。ただし、搬送機構ＴＣ１は、他の階層に設けられる液処理ユニットＳＣ２、ＳＣ３、ＳＣ４にアクセスしない。同様に、搬送機構ＴＣ２、ＴＣ３、ＴＣ４はそれぞれ、液処理ユニットＳＣ２、ＳＣ３、ＳＣ４にアクセスする。
上述した分割搬送スペースＡＣｊ、搬送機構ＴＣｊ、液処理ユニットＳＣｊは、それぞれ階層Ｋｊを構成する要素である（但し、ｊは、１、２、３、４のいずれかである）。
＜後部中継ブロックＢＤの構造＞
図３−６、１０を参照する。図１０は、後部中継ブロックＢＤをインデクサ部１１から見た正面図である。
後部中継ブロックＢＤは、載置部ＰＤと搬送機構ＴＤを備える。載置部ＰＤは、基板Ｗを載置する。搬送機構ＴＤは、載置部ＰＤに基板Ｗを搬送する。
後部中継ブロックＢＤは、前部中継ブロックＢＢと同じ構造を有する。すなわち、後部中継ブロックＢＤは、載置部ＰＤと搬送機構ＴＤと搬送スペースＡＤＲ、ＡＤＬと給気ユニットＳＡＤＲ、ＳＡＤＬと排気ユニットＥＸＤＲ、ＥＸＤＬを備えている。載置部ＰＤは、載置部ＰＤ１、ＰＤ２、ＰＤ３、ＰＤ４を含み、搬送機構ＴＤは、搬送機構ＴＤＲ、ＴＤＬを含む。これら後部中継ブロックＢＤの各要素の相対的な位置関係は、前部中継ブロックＢＢの各要素の相対的な位置関係と同じである。
具体的には、後部中継ブロックＢＤの構造については、上述した＜前部中継ブロックＢＢの構造＞の説明において、前部中継ブロックＢＢを後部中継ブロックＢＤに読み替え、搬送機構ＴＢ、ＴＢＲ、ＴＢＬをそれぞれ、搬送機構ＴＤ、ＴＤＲ、ＴＤＬに読み替え、載置部ＰＢ、ＰＢ１、ＰＢ２、ＰＢ３、ＰＢ４をそれぞれ、載置部ＰＤ、ＰＤ１、ＰＤ２、ＰＤ３、ＰＤ４に読み替え、搬送スペースＡＢＲ、ＡＢＬを搬送スペースＡＤＲ、ＡＤＬに読み替え、給気ユニットＳＡＢＲ、ＳＡＢＬを給気ユニットＳＡＤＲ、ＳＡＤＬに読み替え、排気ユニットＥＸＢＲ、ＥＸＢＬを排気ユニットＥＸＤＲ、ＥＸＤＬに読み替えるものとする。
＜後部熱処理ブロックＢＥの構造＞
図３−６、１１を参照する。図１１は、後部熱処理ブロックＢＥをインデクサ部１１から見た正面図である。
後部熱処理ブロックＢＥは、前部熱処理ブロックＢＡと同じ構造を有する。すなわち、後部熱処理ブロックＢＥは、熱処理ユニットＨＥと搬送機構ＴＥと搬送スペースＡＥと載置部ＰＥと給気ユニットＳＡＥと排気ユニットＥＸＥを備えている。なお、載置部ＰＥは、上述した後部載置部Ｐｂに相当する。熱処理ユニットＨＥは、熱処理ユニットＨＥＲと熱処理ユニットＨＥＬを含み、載置部ＰＥは、載置部ＰＥＲと載置部ＰＥＬを含み、搬送機構ＴＥは搬送機構ＴＥＲと搬送機構ＴＥＬを含む。後部熱処理ブロックＢＥの各要素の相対的な位置関係は、前部熱処理ブロックＢＡの各要素の相対的な位置関係と同じである。例えば、搬送機構ＴＥＲと搬送機構ＴＥＬは、搬送機構ＴＡＲと搬送機構ＴＡＬが並ぶ方向（横方向Ｙ）と同じ方向に並ぶ。
具体的には、後部熱処理ブロックＢＥの構造については、上述した＜前部熱処理ブロックＢＡの構造＞の説明において、前部熱処理ブロックＢＡを後部熱処理ブロックＢＥに読み替え、搬送機構ＴＡ、ＴＡＲ、ＴＡＬをそれぞれ、搬送機構ＴＥ、ＴＥＲ、ＴＥＬに読み替え、熱処理ユニットＨＡ、ＨＡＲ、ＨＡＬをそれぞれ、熱処理ユニットＨＥ、ＨＥＲ、ＨＥＬに読み替え、載置部ＰＡ、ＰＡＲ、ＰＡＬをそれぞれ、載置部ＰＥ、ＰＥＲ、ＰＥＬに読み替え、搬送スペースＡＡを搬送スペースＡＥに読み替え、給気ユニットＳＡＡを給気ユニットＳＡＥに読み替え、排気ユニットＥＸＡを排気ユニットＥＸＡに読み替えるものとする。
＜処理ユニットと載置部と搬送機構の配置＞
図１２（ａ）−１２（ｅ）を参照する。図１２（ａ）は、図４における矢視ａ−ａの平面図である。同様に、図１２（ｂ）−１２（ｅ）はそれぞれ、図４における矢視ｂ−ｂ、ｃ−ｃ、ｄ−ｄ、ｅ−ｅの平面図である。
図１２（ａ）−１２（ｅ）に示すように、処理ユニット、載置部および搬送機構と処理部１７の前面１７ｆとの相対的な位置関係は、処理ユニット、載置部および搬送機構と処理部１７の背面１７ｂとの相対的な位置関係と、同じである。換言すれば、前から処理部１７を見たときの処理ユニット、載置部および搬送機構の各位置は、後から処理部１７を見たときの処理ユニット、載置部および搬送機構の各位置と同じである。
具体的には、熱処理ユニットＨＡＲ、ＨＡＬ、ＨＥＲ、ＨＥＬを「熱処理ユニットＨ」として同一視すると、前面１７ｆと熱処理ユニットＨの相対的な位置関係は、背面１７ｂと熱処理ユニットＨの相対的な位置関係と同じである。同様に、前面１７ｆと液処理ユニットＳＣ１−ＳＣ４の相対的な位置関係は、背面１７ｂと液処理ユニットＳＣ１−ＳＣ４の相対的な位置関係と同じである。載置部ＰＡＲ、ＰＡＬ、ＰＢ１−ＰＢ４、ＰＤ１−ＰＤ４、ＰＥＲ、ＰＥＬを「載置部Ｐ」として同一視すると、前面１７ｆと載置部Ｐの相対的な位置関係は、背面１７ｂと載置部Ｐの相対的な位置関係と同じである。搬送機構ＴＡＲ、ＴＡＬ、ＴＢＲ、ＴＢＬ、ＴＣ１―ＴＣ４、ＴＤＲ、ＴＤＬ、ＴＥＲ、ＴＥＬを「搬送機構Ｔ」として同一視すると、前面１７ｆと搬送機構Ｔの相対的な位置関係は、背面１７ｂと搬送機構Ｔの相対的な位置関係と同じである。
処理ユニットＨ、ＳＣ１−ＳＣ４、載置部Ｐおよび搬送機構Ｔは、平面視で、点対称に配置されている。
具体的には、熱処理ユニットＨは、平面視で、処理部１７の中心点ＰＣに対して点対称に配置されている（図１２（ｃ）参照）。液処理ユニットＳＣ１−ＳＣ４も、平面視で、処理部１７の中心点ＰＣの位置に配置されている（図１２（ａ）−１２（ｅ）参照）。載置部Ｐも、平面視で、処理部１７の中心点ＰＣに対して点対称に配置されている（図１２（ａ）−１２（ｅ）参照）。搬送機構Ｔも、平面視で、処理部１７の中心点ＰＣに対して点対称に配置されている（図１２（ａ）−１２（ｅ）参照）。
処理ユニットＨ、ＳＣ１−ＳＣ４、載置部Ｐおよび搬送機構Ｔは、処理部１７の右部と処理部１７の左部とで対称に配置されている。
具体的には、処理ユニットＨ、ＳＣ１―ＳＣ４は、平面視で、中心面ＣＸに対して線対称に配置されている。載置部Ｐも、平面視で、中心面ＣＸに対して線対称に配置されている。搬送機構Ｔも、中心面ＣＸに対して線対称に配置されている。なお、中心面ＣＸは、中心点ＰＣを通る。処理部１７の右部とは、例えば処理部１７のうち、中心面ＣＸよりも右方ＹＲの部分であり、処理部１７の左部とは、例えば処理部１７のうち、中心面ＣＸよりも左方ＹＬの部分である。
ちなみに、処理ユニットＨ、ＳＣ１−ＳＣ４、載置部Ｐおよび搬送機構Ｔが処理部１７の右部と処理部１７の左部とで対称に配置されていることは、図７−１１にも明示されている。
処理ユニットＨ、ＳＣ１−ＳＣ４、載置部Ｐおよび搬送機構Ｔは、処理部１７の前部と処理部１７の後部とで対称に配置されている。
具体的には、前後方向Ｘに直交し、かつ、処理部１７の中心点ＰＣを通る仮想面を中心面ＣＹとして、処理ユニットＨ、ＳＣ１―ＳＣ４は、平面視で、中心面ＣＹに対して線対称に配置されている。載置部Ｐも、平面視で、中心面ＣＹに対して線対称に配置されている。搬送機構Ｔも、平面視で、中心面ＣＹに対して線対称に配置されている。なお、処理部１７の前部とは、例えば処理部１７のうち、中心面ＣＹよりも前方ＸＦの部分であり、処理部１７の後部とは、例えば処理部１７のうち、中心面ＣＹよりも後方ＸＢの部分である。
ちなみに、処理ユニットＨ、ＳＣ１−ＳＣ４、載置部Ｐおよび搬送機構Ｔが処理部１７の前部と処理部１７の後部とで対称に配置されていることは、図４−５にも明示されている。
＜インデクサ部１１とブロックＢＡとの関係＞
図３−６を参照する。インデクサ部１１と搬送機構ＴＡとは相互に基板Ｗを搬送する。具体的には、載置部ＰＡ（載置部ＰＡＲおよび載置部ＰＡＬ）は、インデクサ部１１（搬送スペース１６）に対して開放されている。インデクサ用搬送機構１３は、載置部ＰＡにアクセスする。これにより、インデクサ用搬送機構１３と搬送機構ＴＡＲは、載置部ＰＡＲを介して基板Ｗを相互に搬送する。インデクサ用搬送機構１３と搬送機構ＴＡＬは、載置部ＰＡＬを介して基板Ｗを相互に搬送する。
＜前部熱処理ブロックＢＡと前部中継ブロックＢＢとの関係＞
搬送機構ＴＡと搬送機構ＴＢは、前部熱処理ブロックＢＡの載置部ＰＡを介して、基板Ｗを相互に搬送する。
具体的には、搬送機構ＴＢＲと載置部ＰＡＲは、前後方向Ｘに並ぶ。載置部ＰＡＲは、搬送スペースＡＢＲに開放されている。搬送機構ＴＢＲと載置部ＰＡＲは、向かい合う。搬送機構ＴＢＲは、上下方向Ｚを中心に回転可能に構成され、載置部ＰＡＲにアクセスする。これにより、搬送機構ＴＡＲと搬送機構ＴＢＲは、載置部ＰＡＲを介して、相互に基板Ｗを搬送可能である。
同様に、搬送機構ＴＢＬと載置部ＰＡＬは、前後方向Ｘに並ぶ。載置部ＰＡＬは、搬送スペースＡＢＬに開放されている。搬送機構ＴＢＬと載置部ＰＡＬは、向かい合う。搬送機構ＴＢＬは、上下方向Ｚを中心に回転可能に構成され、載置部ＰＡＬにアクセスする。これにより、搬送機構ＴＡＬと搬送機構ＴＢＬは、載置部ＰＡＬを介して、相互に基板Ｗを搬送可能である。
さらに、搬送機構ＴＡと搬送機構ＴＢは、前部中継ブロックＢＢの載置部ＰＢを介して、基板Ｗを相互に搬送する。
具体的には、載置部ＰＢと搬送スペースＡＡは、前後方向Ｘに並ぶ。すなわち、搬送機構ＴＡＲと載置部ＰＢは略前後方向に並び、搬送機構ＴＡＬと載置部ＰＢは略前後方向に並ぶ。各載置部ＰＢは、搬送スペースＡＡに開放されている。搬送機構ＴＡＲは、載置部ＰＢに向かい合う。搬送機構ＴＡＬも、載置部ＰＢに向かい合う。搬送機構ＴＡＲ、ＴＡＬはそれぞれ、上下方向Ｚに昇降し、上下方向Ｚを中心に回転することによって、載置部ＰＢ１―ＰＢ４にアクセスする。これにより、搬送機構ＴＡＲと搬送機構ＴＢＲは、載置部ＰＢ１−ＰＢ４を介して、相互に基板Ｗを搬送可能である。搬送機構ＴＡＬと搬送機構ＴＢＬは、載置部ＰＢ１−ＰＢ４を介して、相互に基板Ｗを搬送可能である。
＜インデクサ部１１とブロックＢＡとブロックＢＢの関係＞
インデクサ用搬送機構１３と搬送機構ＴＢは、搬送機構ＴＡを使用せずに、基板Ｗを相互に搬送可能である。
具体的には、載置部ＰＡＲは、インデクサ用搬送機構１３および搬送機構ＴＢＲの両方と向かい合う。インデクサ用搬送機構１３と搬送機構ＴＢＲは、載置部ＰＡＲを介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。すなわち、インデクサ用搬送機構１３と搬送機構ＴＢＲは、搬送機構ＴＡをスキップして、基板Ｗを相互に搬送できる。
同様に、載置部ＰＡＬはインデクサ用搬送機構１３と搬送機構ＴＢＬの両方と向かい合う。インデクサ用搬送機構１３と搬送機構ＴＢＬは、載置部ＰＡＬを介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。すなわち、インデクサ用搬送機構１３と搬送機構ＴＢＬは、搬送機構ＴＡをスキップして、基板Ｗを相互に搬送できる。
＜ブロックＢＢとブロックＢＣの関係＞
搬送機構ＴＢと搬送機構ＴＣは、相互に基板Ｗを搬送する。以下、具体的に説明する。
搬送スペースＡＣと載置部ＰＢは前後方向Ｘに並ぶ。載置部ＰＢ１、ＰＢ２、ＰＢ３、ＰＢ４はそれぞれ、分割搬送スペースＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４と向かい合う位置に配置されている。載置部ＰＢ１、ＰＢ２、ＰＢ３、ＰＢ４はそれぞれ、分割搬送スペースＡＣ１、ＡＣ２、ＡＣ３、ＡＣ４に開放されている。各搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２、ＴＣ３、ＴＣ４はそれぞれ、載置部ＰＢ１、ＰＢ２、ＰＢ３、ＰＢ４と向かい合う。
各搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２、ＴＣ３、ＴＣ４はそれぞれ、前後方向Ｘに移動可能に構成され、載置部ＰＢ１、ＰＢ２、ＰＢ３、ＰＢ４にアクセスする。これにより、搬送機構ＴＣ１と搬送機構ＴＢＲ、ＴＢＬは、載置部ＰＢ１を介して基板Ｗを相互に搬送する。搬送機構ＴＣ２と搬送機構ＴＢＲ、ＴＢＬは、載置部ＰＢ２を介して基板Ｗを相互に搬送する。搬送機構ＴＣ３と搬送機構ＴＢＲ、ＴＢＬは、載置部ＰＢ３を介して基板Ｗを相互に搬送する。搬送機構ＴＣ４と搬送機構ＴＢＲ、ＴＢＬは、載置部ＰＢ４を介して基板Ｗを相互に搬送する。
＜ブロックＢＡとブロックＢＢとブロックＢＣの関係＞
搬送機構ＴＡと搬送機構ＴＣは、搬送機構ＴＢを使用せずに、基板Ｗを相互に搬送可能である。
具体的には、載置部ＰＢ１は、搬送機構ＴＣ１と搬送機構ＴＡＲ，ＴＡＬと向かい合う。搬送機構ＴＣ１と搬送機構ＴＡＲ、ＴＡＬは、載置部ＰＢ１を介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。すなわち、搬送機構ＴＣ１と搬送機構ＴＡＲ、ＴＡＬは、搬送機構ＴＢＲ、ＴＢＬをスキップして、基板Ｗを相互に搬送できる。
同様に、搬送機構ＴＣ２と搬送機構ＴＡＲ、ＴＡＬは、載置部ＰＢ２を介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。搬送機構ＴＣ３と搬送機構ＴＡＲ、ＴＡＬは、載置部ＰＢ３を介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。搬送機構ＴＣ４と搬送機構ＴＡＲ、ＴＡＬは、載置部ＰＢ４を介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。
＜ブロックＢＣとブロックＢＤの関係＞
液処理ブロックＢＣと後部中継ブロックＢＤの関係は、前部中継ブロックＢＢと液処理ブロックＢＣとの関係と同じである。すなわち、搬送機構ＴＣと搬送機構ＴＤは、載置部ＰＤを介して基板Ｗを相互に搬送する。具体的には、搬送機構ＴＣ１と搬送機構ＴＤＲ、ＴＤＬは、載置部ＰＤ１を介して基板Ｗを相互に搬送する。搬送機構ＴＣ２と搬送機構ＴＤＲ、ＴＤＬは、載置部ＰＤ２を介して基板Ｗを相互に搬送する。搬送機構ＴＤ３と搬送機構ＴＤＲ、ＴＤＬは、載置部ＰＤ３を介して基板Ｗを相互に搬送する。搬送機構ＴＣ４と搬送機構ＴＤＲ、ＴＤＬは、載置部ＰＤ４を介して基板Ｗを相互に搬送する。
＜ブロックＢＤとブロックＢＥの関係＞
後部中継ブロックＢＤと後部熱処理ブロックＢＥの関係は、前部中継ブロックＢＢと前部熱処理ブロックＢＡの関係と同じである。
すなわち、搬送機構ＴＤと搬送機構ＴＥは、後部中継ブロックＢＤの載置部ＰＤを介して、基板Ｗを相互に搬送する。具体的には、搬送機構ＴＤＲと搬送機構ＴＥＲ、ＴＥＬは、載置部ＰＤ１−ＰＤ４を介して、相互に基板Ｗを搬送する。
さらに、搬送機構ＴＤと搬送機構ＴＥは、後部熱処理ブロックＢＥの載置部ＰＥを介して、基板Ｗを相互に搬送する。具体的には、搬送機構ＴＤＲと搬送機構ＴＥＲは、載置部ＰＥＲを介して、相互に基板Ｗを搬送する。搬送機構ＴＤＬと搬送機構ＴＥＬは、載置部ＰＥＬを介して、相互に基板Ｗを搬送する。
＜ブロックＢＣとブロックＢＤとブロックＢＥの関係＞
液処理ブロックＢＣと後部中継ブロックＢＤと後部熱処理ブロックＢＥの関係は、液処理ブロックＢＣと前部中継ブロックＢＢと前部熱処理ブロックＢＡの関係と同じである。すなわち、搬送機構ＴＣと搬送機構ＴＥとは、搬送機構ＴＤを使用せずに、基板Ｗを相互に搬送可能である。
具体的には、搬送機構ＴＣ１と搬送機構ＴＥＲ、ＴＥＬは、載置部ＰＤ１を介して、基板Ｗを相互に搬送する。搬送機構ＴＣ２と搬送機構ＴＥＲ、ＴＥＬは、載置部ＰＤ２を介して、基板Ｗを相互に搬送する。搬送機構ＴＣ３と搬送機構ＴＥＲ、ＴＥＬは、載置部ＰＤ３を介して、基板Ｗを相互に搬送する。搬送機構ＴＣ４と搬送機構ＴＥＲ、ＴＥＬは、載置部ＰＤ４を介して、基板Ｗを相互に搬送する。
＜後部熱処理ブロックＢＥと露光機ＥＸＰの関係＞
搬送機構ＴＥと露光機ＥＸＰは、相互に基板Ｗを搬送する。具体的には、各載置部ＰＥは、露光機ＥＸＰに開放されている。露光機ＥＸＰは、載置部ＰＥＲと載置部ＰＥＬにアクセスする。これにより、搬送機構ＴＥＲと露光機ＥＸＰとは、載置部ＰＥＲを介して基板Ｗを相互に搬送する。搬送機構ＴＥＬと露光機ＥＸＰとは、載置部ＰＥＬを介して基板Ｗを相互に搬送する。
＜前部熱処理ブロックＢＡの各要素の構造＞
図３−５、７−１１を参照して、処理部１７の各要素（例えば、処理ユニット、載置部、搬送機構など）を説明する。本明細書では、異なる要素が同じ構造を有する場合には、その構造に共通の符号を付すことで詳細な説明を省略する。
熱処理ユニットＨＡは、プレート２１とチャンバー２３とシャッター２４とを備えている。熱処理プレート２１は、基板Ｗを載置する。プレート２１の内部または外部には、プレート２１の温度を調節する温調機器（例えば、ヒータなどの発熱機器やヒートシンクなどの吸熱機器）が取り付けられている。プレート２１はプレート２１上の基板Ｗに熱を与え、または、プレート２１上の基板Ｗから熱を奪い、基板Ｗを所定の温度に調整する（すなわち、熱処理する）。チャンバー２３は、プレート２１を収容する。チャンバー２３は、チャンバー２３の表面に形成される基板搬送口２３ａを有する。基板搬送口２３ａは、搬送機構ＴＡと向かい合う（換言すれば、搬送スペースＡＡと接する）位置に配置されている。シャッター２４は、基板搬送口２３ａを開閉する。図７では、熱処理ユニットＨＡＲのチャンバー２３は閉塞されており、熱処理ユニットＨＡＬのチャンバー２３は開放されている。
載置部ＰＡは、基板Ｗを載置するプレート２６を備えている。プレート２６は、棚２７上に設置されている。プレート２６はチャンバーなどで閉塞されておらず、基本的に水平方向（前後方向Ｘおよび横方向Ｙ）に開放されている。このため、搬送機構ＴＡのみならず、インデクサ用搬送機構１３や搬送機構ＴＢなども、載置部ＰＡに容易にアクセスできる。
搬送機構ＴＡは、ガイド軸部３１と駆動機構３２と一対のハンド３３を備えている。ガイド軸部３１は、上下方向Ｚに延びている。駆動機構３２は、ガイド軸部３１に取り付けられている。駆動機構３２は、ガイド軸部３１に沿って昇降し、かつ、ガイド軸部３１回りに回転する。さらに、駆動機構３２は、ガイド軸部３１に対して水平方向に進退移動（伸縮）する。例えば、駆動機構３２は、屈伸可能なリンク機構（不図示）を備えてもよい。一対のハンド３３は、駆動機構３２に取り付けられている。各ハンド３３は１枚の基板Ｗを水平姿勢で保持する。
＜前部中継ブロックＢＢの各要素の構造＞
載置部ＰＢは、載置部ＰＡと略同じ構造を有する。すなわち、載置部ＰＢは、棚２７に取り付けられるプレート２６を備えている。
搬送機構ＴＢは、搬送機構ＴＡと略同じ構造を有する。すなわち、搬送機構ＴＢは、ガイド軸部３１と駆動機構３２とハンド３３とを備えている。
＜液処理ブロックＢＣの各要素の構造＞
液処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２は、塗布処理を基板Ｗに行う。液処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２は略同じ構造を有する。具体的には、液処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２はそれぞれ、回転保持部４１とカップ４２とノズル４３とチャンバー４４とシャッター４５を備えている。回転保持部４１は、基板Ｗを回転可能に保持する。カップ４２は、回転保持部４１の周囲に設けられ、飛散された処理液を回収する。ノズル４３は、塗膜材料を処理液として基板Ｗに吐出する。塗膜材料は、例えば、レジスト膜材料である。ノズル４３は、回転保持部４１の上方の処理位置と、カップ４２の上方から外れた退避位置との間にわたって移動可能に設けられる。チャンバー４４は、回転保持部４１とカップ４２とノズル４３を収容する。チャンバー４４は、チャンバー４４の表面に形成される基板搬送口４４ａを有する。基板搬送口４４ａは、搬送機構ＴＣ１又はＴＣ２と向かい合う（換言すれば、分割搬送スペースＡＣ１又はＡＣ２と接する）位置に配置されている。シャッター４５は、基板搬送口４４ａを開閉する。図９では、液処理ユニットＳＣ１のチャンバー４４は閉塞されており、液処理ユニットＳＣ２のチャンバー４４は開放されている。
液処理ユニットＳＣ３、ＳＣ４は、現像処理を基板Ｗに行う。液処理ユニットＳＣ３、ＳＣ４は略同じ構造を有する。液処理ユニットＳＣ３、ＳＣ４はそれぞれ、回転保持部５１とカップ５２とノズル５３とチャンバー５４とシャッター５５を備える。回転保持部５１は、基板Ｗを回転可能に保持する。カップ５２は、回転保持部５１の周囲に配置され、飛散された処理液を回収する。ノズル５３は、現像液（処理液）を基板Ｗに吐出する。ノズル５３は、回転保持部５１の上方の処理位置と、カップ５２の上方から外れた退避位置との間にわたって移動可能に設けられる。チャンバー５４は、回転保持部５１とカップ５２とノズル５３を収容する。チャンバー５４は、チャンバー５４の表面に形成される基板搬送口５４ａを有する。基板搬送口５４ａは、搬送機構ＴＣ３又はＴＣ４と向かい合う（換言すれば、分割搬送スペースＡＣ３又はＡＣ４と接する）位置に配置されている。シャッター５５は、基板搬送口５４ａを開閉する。図９では、液処理ユニットＳＣ３のチャンバー５４は閉塞されており、液処理ユニットＳＣ４のチャンバー５４は開放されている。
搬送機構ＴＣは、駆動機構６１と１対のハンド６２を備えている。駆動機構６１は、例えば、遮蔽板４０に取り付けられている。ハンド６２は、駆動機構６１に取り付けられている。駆動機構６１は、各種方向Ｘ、Ｙ、Ｚに各ハンド６２を移動させ、上下方向Ｚを中心に各ハンド６２を回転させる。各ハンド６２は基板Ｗを保持する。
＜後部中継ブロックＢＤの各要素の構造＞
載置部ＰＤは、載置部ＰＡと略同じ構造を有する。すなわち、載置部ＰＤは、棚２７に取り付けられるプレート２６を備えている。
搬送機構ＴＤは、搬送機構ＴＡと略同じ構造を有する。すなわち、搬送機構ＴＤは、ガイド軸部３１と駆動機構３２とハンド３３とを備えている。
＜後部熱処理ブロックＢＥの各要素の構造＞
熱処理ユニットＨＥは、熱処理ユニットＨＡと略同じ構造を有する。すなわち、熱処理ユニットＨＥは、プレート２１とチャンバー２３とシャッター２４とを備えている。
載置部ＰＥは、載置部ＰＡと略同じ構造を有する。すなわち、載置部ＰＥは、棚２７に取り付けられるプレート２６を備えている。
搬送機構ＴＥは、搬送機構ＴＡと略同じ構造を有する。すなわち、搬送機構ＴＥは、ガイド軸部３１と駆動機構３２とハンド３３とを備えている。
＜ブロックの接続構造＞
図２−４、図６−１０を参照する。前部熱処理ブロックＢＡは、さらに、フレームＦＡを備える。フレームＦＡは、熱処理ユニットＨＡと搬送機構ＴＡと載置部ＰＡを支持する。フレームＦＡは、略箱形状を有し、熱処理ユニットＨＡと載置部ＰＡと搬送機構ＴＡとを収容する。フレームＦＡは、載置部ＰＡを処理部１７の前に開放に開放するための開口１７ｆａを有する（図１（ｂ）参照）。さらに、フレームＦＡは、載置部ＰＡを前部中継ブロックＢＢにそれぞれ開放するための開口（不図示）を有する。
同様に、他のブロックＢＢ、ＢＣ、ＢＤ、ＢＥはそれぞれ、フレームＦＢ、ＦＣ、ＦＤ、ＦＥを備える。各フレームＦＢ−ＦＥはそれぞれ、ブロックＢＢ−ＢＥの処理ユニット、載置部、搬送機構などを支持する。各フレームＦＢ−ＦＥはそれぞれ、略箱形状を有し、ブロックＢＢ−ＢＥの要素を収容する。各フレームＦＢ、ＦＣ、ＦＤ、ＦＥはそれぞれ、載置部ＰＢ、ＰＤ、ＰＥを隣接するブロックに開放するための開口（不図示）を有する。さらに、フレームＦＥは、載置部ＰＥを処理部１７の後に開放に開放するための開口１７ｂａを有する（図１（ｂ）参照）。
ブロックＢＡ−ＢＢの接続は、フレームＦＡ−ＦＢの連結によって実現される。ブロックＢＢ−ＢＣ、ＢＣ−ＢＤ、ＢＤ−ＢＥの接続はそれぞれ、フレームＦＢ−ＦＣ、ＦＣ−ＦＤ、ＦＤ−ＦＥの連結によって実現される。
基板処理装置１を製造するときには、まず、ブロックＢＡ、ＢＢ、ＢＣ、ＢＤ、ＢＥを組み立てる。例えばブロックＢＡの場合、フレームＦＡに熱処理ユニットＨＡと搬送機構ＴＡと載置部ＰＡを取り付ける。続いて、各ブロックＢＡ、ＢＢ、ＢＣ、ＢＤ、ＢＥを相互に接続するとともに、ブロックＢＡにインデクサ部１１を接続する。
＜制御系の構成＞
図１３は、基板処理装置１の制御ブロック図である。基板処理装置１は、さらに、制御部６７を備えている。
制御部６７は、例えば、処理部１７に設置されている。制御部６７は、インデクサ部１１および処理部１７を統括的に制御する。具体的には、インデクサ部１１のインデクサ用搬送機構１３の動作を制御し、ブロックＢＡ−ＢＥに設けられる各搬送機構およびブロックＢＡ、ＢＣ、ＢＥに設けられる各処理ユニットの動作を制御する。
制御部６７は、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）、固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。記憶媒体には、基板Ｗを処理するための処理レシピ（処理プログラム）や、各基板Ｗを識別するための情報など各種情報を記憶されている。
＜処理部１７が基板Ｗに行う処理例＞
図１４は、基板に行う処理の手順を例示するフローチャートである。
処理部１７は、例えば、塗布処理、塗布後熱処理、現像処理、現像後熱処理をこの順番に基板Ｗに対して行う。この際、塗布後熱処理の後で、かつ、現像処理の前には、露光機ＥＸＰが露光処理を基板Ｗに行う。塗布後熱処理は、塗布処理に続いて行われる熱処理である。現像後熱処理は、現像処理に続いて行われる熱処理である。塗布後熱処理と現像後熱処理はそれぞれ、本発明における液処理後熱処理の例である。
処理部１７の前面１７ｆがインデクサ部１１と接続している場合であっても、処理部１７の背面１７ｂがインデクサ部１１と接続している場合であっても、処理部１７は上述した一連の処理を基板Ｗに行うことができる。すなわち、処理部１７の前面１７ｆがインデクサ部１１と接続しているときに処理部１７が基板Ｗに行う処理は、処理部１７の背面１７ｂがインデクサ部１１と接続しているときに処理部１７が基板Ｗに行う処理と同じである。
以下では、前面１７ｆがインデクサ部１１と接続している場合における２つの動作例と、背面１７ｂがインデクサ部１１と接続している場合における２つの動作例を、説明する。
＜基板処理装置１の動作例１＞
動作例１は、前面１７ｆがインデクサ部１１と接続している場合における動作例である。図１５は、動作例１において基板ＷがブロックＢＡ−ＢＥの間を移動する様子を模式的に示す概念図である。図１５では、便宜上、液処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２に塗布処理を意味する「ＣＯＡＴ」を付記し、液処理ユニットＳＣ３、ＳＣ４に現像処理を意味する「ＤＥＶ」を付記する。図１６は、動作例１における基板Ｗの搬送経路を示す図である。
図１５、１６に示すように、動作例１では、一部の基板Ｗを第１経路に沿って搬送し、他の基板Ｗを第１経路とは異なる第２経路に沿って搬送する。以下、動作例１を、インデクサ部１１、処理部１７および露光機ＥＸＰの各動作に分けて説明する。
［インデクサ部１１の動作（基板Ｗの供給）］
インデクサ用搬送機構１３は、キャリアＣから１枚の基板Ｗを搬出し、その基板Ｗを載置部ＰＡＲ上に載置する。続いて、インデクサ用搬送機構１３は、キャリアＣから１枚の基板Ｗを搬出し、その基板Ｗを載置部ＰＡＬ上に載置する。その後、インデクサ用搬送機構１３は、再び、キャリアＣから載置部ＰＡＲに基板Ｗを搬送する。このように、インデクサ用搬送機構１３は、載置部ＰＡＲと載置部ＰＡＬに交互に、基板Ｗを１枚ずつ搬送する。
［処理部１７の動作（往路）］
往路は、基板Ｗがインデクサ部１１から処理部１７に入ってから処理部１７から露光機ＥＸＰに出るまでの経路である。第１経路に関連する動作と第２経路に関連する動作は類似しているので、便宜上、第１経路に関連する動作を説明する。なお、第２経路に関連する動作は、以下の説明において、搬送機構ＴＢＲ、ＴＣ１、ＴＥＲをそれぞれ、搬送機構ＴＢＬ、ＴＣ２、ＴＥＬに読み替え、載置部ＰＡＲ、ＰＢ１、ＰＤ１、ＰＥＲをそれぞれ、載置部ＰＡＬ、ＰＢ２、ＰＤ２、ＰＥＬに読み替え、処理ユニットＳＣ１、ＨＥＲを、処理ユニットＳＣ２、ＨＥＬに読み替えたものに相当する。
搬送機構ＴＢＲは、載置部ＰＡＲ上の基板Ｗを取り、その基板Ｗを載置部ＰＢ１に搬送する。搬送機構ＴＣ１は、載置部ＰＢ１上の基板Ｗを取り、その基板Ｗを液処理ユニットＳＣ１に搬送する。ここで、搬送機構ＴＣ１は、２つの液処理ユニットＳＣ２に交互に基板Ｗを搬送する。
搬送機構ＴＣ１が液処理ユニットＳＣ１に基板Ｗを搬送するとき、シャッター４５が基板搬送口４４ａを一時的に開放する。これにより、ハンド６２がチャンバー４４内に進入することを許容する。ハンド６２がチャンバー４４の外部に退出した後、再び、シャッター４５は基板搬送口４４ａを閉塞する。これにより、液処理ユニットＳＣ１は、チャンバー４４が閉塞された状態で、液処理を行う。
液処理ユニットＳＣ１は、基板Ｗに塗膜材料を塗布する（ステップＳ１）。具体的には、回転保持部４１が基板Ｗを保持する。ノズル４３が退避位置から処理位置に移動する。回転保持部４１が基板Ｗを回転させ、ノズル４３が塗膜材料を吐出する。塗膜材料が基板Ｗの表面に塗布される。塗膜材料の一部は基板Ｗから振り切られてカップ４２に回収される。
塗布処理が終了すると、搬送機構ＴＣ１は、液処理ユニットＳＣ１から基板Ｗを搬出する。この際も、チャンバー４４は分割搬送スペースＡＣ１に開放される。そして、搬送機構ＴＣ１は、その基板Ｗを載置部ＰＤ１に搬送する。
なお、搬送機構ＴＣ１は、載置部ＰＢ１から取った未処理の基板Ｗを保持した状態で、液処理ユニットＳＣ１から処理済みの基板Ｗを搬出し、続けて、未処理の基板Ｗを液処理ユニットＳＣ１に搬入してもよい。
搬送機構ＴＥＲは、載置部ＰＤ１から基板Ｗを取り、熱処理ユニットＨＥＲに搬送する。ここで、搬送機構ＴＥＲは、２つの熱処理ユニットＨＥＲに交互に基板Ｗを搬送する。搬送機構ＴＥＲが熱処理ユニットＨＥＲに基板Ｗを搬送するとき、シャッター２４が基板搬送口２３ａを一時的に開放する。これにより、搬送機構ＴＥＲのハンド３３がチャンバー２３内に進入することを許容する。ハンド３３がチャンバー２３の外部に退出した後、再び、シャッター２４は基板搬送口２３ａを閉塞する。これにより、熱処理ユニットＨＥＲは、チャンバー２３が閉塞された状態で、熱処理を行う。
熱処理ユニットＨＥＲは、基板Ｗに塗布後熱処理を行う（ステップＳ２）。
塗布後熱処理が終了すると、搬送機構ＴＥＲは、熱処理ユニットＨＥＲから基板Ｗを搬出する。この際も、チャンバー２３は搬送スペースＡＥに開放される。そして、搬送機構ＴＥＲは、その基板Ｗを載置部ＰＥＲに搬送する。
以上が、第１経路の往路に関する動作である。第１経路の往路および第２経路の往路に関する各動作を、並行して行ってもよい。
［露光機ＥＸＰの動作］
載置部ＰＥＲおよび載置部ＰＥＬ上の基板Ｗは、露光機ＥＸＰに搬送される。露光機ＥＸＰは、基板Ｗに露光処理を行う（ステップＳ３）。露光処理が終了すると、露光機ＥＸＰから載置部ＰＥＲおよび載置部ＰＥＬに基板Ｗは搬送される。
［処理部１７の動作（復路）］
復路は、基板Ｗが露光機ＥＸＰから処理部１７に入ってから処理部１７からインデクサ部１１に出るまでの基板Ｗの経路である。第１経路に関連する動作と第２経路に関連する動作は類似しているので、便宜上、第１経路に関連する動作を説明する。なお、第２経路に関連する動作は、以下の説明において、搬送機構ＴＡＲ、ＴＣ３、ＴＤＲをそれぞれ、搬送機構ＴＡＬ、ＴＣ４、ＴＤＬに読み替え、載置部ＰＡＲ、ＰＢ３、ＰＤ３、ＰＥＲをそれぞれ、載置部ＰＡＬ、ＰＢ４、ＰＤ４、ＰＥＬに読み替え、処理ユニットＳＣ３、ＨＡＲを、処理ユニットＳＣ４、ＨＡＬに読み替えたものに相当する。
搬送機構ＴＤＲは、載置部ＰＥＲから載置部ＰＤ３に搬送する。搬送機構ＴＣ３は、載置部ＰＤ３から液処理ユニットＳＣ３に基板Ｗを搬送する。ここで、搬送機構ＴＣ３は、２つの液処理ユニットＳＣ３に交互に基板Ｗを搬送する。
搬送機構ＴＣ３が液処理ユニットＳＣ３に基板Ｗを搬送するとき、シャッター５５が基板搬送口５４ａを一時的に開放する。
液処理ユニットＳＣ３は、基板Ｗに現像液を供給する（ステップＳ４）。具体的には、回転保持部５１が基板Ｗを保持する。ノズル５３が退避位置から処理位置に移動する。ノズル５３が現像液を吐出する。現像液は基板Ｗの表面を覆う。このとき、回転保持部５１が基板Ｗを回転させてもよい。所定の時間が経過すると、基板Ｗ上から現像液を除去する。例えば、回転保持部５１が基板Ｗを回転させることによって基板Ｗ上から現像液を振り切ってもよい。あるいは、ノズル５３とは異なるノズル（不図示）が洗浄液を基板Ｗに供給し、基板Ｗ上の現像液を洗浄液に置換してもよい。現像液等は、カップ５２に回収される。
現像処理が終了すると、搬送機構ＴＣ３は、液処理ユニットＳＣ３から基板Ｗを搬出する。この際も、チャンバー５４は分割搬送スペースＡＣ３に開放される。そして、搬送機構ＴＣ３は、その基板Ｗを載置部ＰＢ３に搬送する。
搬送機構ＴＡＲは、載置部ＰＢ３から熱処理ユニットＨＡＲに搬送する。ここで、搬送機構ＴＡＲは、２つの熱処理ユニットＨＡＲに交互に基板Ｗを搬送する。搬送機構ＴＡＲが熱処理ユニットＨＥＲに基板Ｗを搬送するとき、シャッター２４は熱処理ユニットＨＥＲのチャンバー２３を開閉する。
熱処理ユニットＨＡＲは、基板Ｗに現像後熱処理を行う（ステップＳ５）。
現像後熱処理が終了すると、搬送機構ＴＡＲは、熱処理ユニットＨＡＲから基板Ｗを搬出する。この際も、チャンバー２３は搬送スペースＡＡに開放される。そして、搬送機構ＴＡＲは、その基板Ｗを載置部ＰＡＲに搬送する。
以上が、復路における第１経路に関連する動作である。復路における第１経路および第２経路に関連する各動作を、並行して行ってもよい。
［インデクサ部１１の動作（基板Ｗの回収）］
インデクサ用搬送機構１３は、載置部ＰＡＲからキャリアＣに基板Ｗを搬送する。続いて、インデクサ用搬送機構１３は、載置部ＰＡＬからキャリアＣに基板Ｗを搬送する。その後、インデクサ用搬送機構１３は、再び、載置部ＰＡＲからキャリアＣに基板Ｗを搬送する。このように、インデクサ用搬送機構１３は、載置部ＰＡＲと載置部ＰＡＬから交互に、基板Ｗを１枚ずつ搬出する。
なお、インデクサ用搬送機構１３は、載置部ＰＡＲ上の基板Ｗを取る動作に続いて、別の基板Ｗを載置部ＰＡＲに載置してもよい。同様に、インデクサ用搬送機構１３は、載置部ＰＡＬ上の基板Ｗを取る動作に続いて、別の基板Ｗを載置部ＰＡＬに載置してもよい。
＜基板処理装置１の動作例２＞
動作例２は、背面１７ｂがインデクサ部１１と接続している場合における動作例である。図１７は、動作例２において基板ＷがブロックＢＡ−ＢＥの間を移動する様子を模式的に示す概念図である。図１８は、動作例２における基板Ｗの搬送経路を示す図である。
図１７、１８に示すように、動作例２では、一部の基板Ｗを第３経路に沿って搬送し、他の基板Ｗを第３経路とは異なる第４経路に沿って搬送する。以下、動作例２を、インデクサ部１１、処理部１７および露光機ＥＸＰの各動作に分けて説明する。なお、動作例１と共通する動作については適宜に説明を省略する。
［インデクサ部１１の動作（基板Ｗの供給）］
インデクサ用搬送機構１３は、キャリアＣから載置部ＰＥＲ、ＰＥＬに基板Ｗを搬送する。
［処理部１７の動作（往路）］
第３経路に関連する動作と第４経路に関連する動作は類似しているので、便宜上、第３経路に関連する動作を説明する。
搬送機構ＴＤＲは、載置部ＰＥＲから載置部ＰＤ１に基板Ｗを搬送する。搬送機構ＴＣ１は、載置部ＰＤ１から液処理ユニットＳＣ１に基板Ｗを搬送する。
液処理ユニットＳＣ１は、基板Ｗに塗膜材料を塗布する（ステップＳ１）。
塗布処理が終了すると、搬送機構ＴＣ１は、液処理ユニットＳＣ１から載置部ＰＢ１に基板Ｗを搬送する。搬送機構ＴＡＲは、載置部ＰＢ１から熱処理ユニットＨＡＲに基板Ｗを搬送する。
熱処理ユニットＨＡＲは、基板Ｗに塗布後熱処理を行う（ステップＳ２）。
塗布後熱処理が終了すると、搬送機構ＴＡＲは、熱処理ユニットＨＡＲから載置部ＰＡＲに基板Ｗを搬送する。
［露光機ＥＸＰの動作］
基板Ｗは、載置部ＰＡＲ、ＰＡＬから露光機ＥＸＰに搬送される。露光機ＥＸＰは、基板Ｗに露光処理を行う（ステップＳ３）。露光処理が終了すると、基板Ｗは露光機ＥＸＰから載置部ＰＡＲ、ＰＡＬに搬送される。
［処理部１７の動作（復路）］
第３経路に関連する動作と第４経路に関連する動作は類似しているので、便宜上、第３経路に関連する動作を説明する。
搬送機構ＴＢＲは、載置部ＰＡＲから載置部ＰＢ３に搬送する。搬送機構ＴＣ３は、載置部ＰＢ３から液処理ユニットＳＣ３に基板Ｗを搬送する。
液処理ユニットＳＣ３は、基板Ｗに現像液を供給する（ステップＳ４）。
現像処理が終了すると、搬送機構ＴＣ３は、液処理ユニットＳＣ３から載置部ＰＤ３に基板Ｗを搬送する。搬送機構ＴＥＲは、載置部ＰＤ３から熱処理ユニットＨＥＲに搬送する。
熱処理ユニットＨＥＲは、基板Ｗに現像後熱処理を行う（ステップＳ５）。
現像後熱処理が終了すると、搬送機構ＴＡＲは、熱処理ユニットＨＡＲから載置部ＰＡＲに基板Ｗを搬送する。
［インデクサ部１１の動作（基板Ｗの回収）］
インデクサ用搬送機構１３は、載置部ＰＥＲ、ＰＥＬからキャリアＣに基板Ｗを搬送する。
＜基板処理装置１の動作例３＞
動作例３は、前面１７ｆがインデクサ部１１と接続している場合における動作例である。図１９は、動作例３において基板ＷがブロックＢＡ−ＢＥの間を移動する様子を模式的に示す概念図である。図２０は、動作例３における基板Ｗの搬送経路を示す図である。
図１９、２０に示すように、動作例３では、一部の基板Ｗを第５経路に沿って搬送し、他の基板Ｗを第５経路とは異なる第６経路に沿って搬送する。以下、動作例３を、インデクサ部１１、処理部１７および露光機ＥＸＰの各動作に分けて説明する。なお、動作例１、２と共通する動作については適宜に説明を省略する。
［インデクサ部１１の動作（基板Ｗの供給）］
インデクサ用搬送機構１３は、キャリアＣから載置部ＰＡＲ、ＰＡＬに基板Ｗを搬送する。
［処理部１７の動作（往路）］
説明の便宜上、第５経路を移動する基板Ｗを「基板Ｗ１」と表記し、第６経路を移動する基板Ｗを「基板Ｗ２」と表記する。
搬送機構ＴＢＲは、載置部ＰＡＲから載置部ＰＢ１に基板Ｗ１を搬送する。搬送機構ＴＣ１は、載置部ＰＢ１から液処理ユニットＳＣ１に基板Ｗ１を搬送する。液処理ユニットＳＣ１は、基板Ｗ１に塗布処理を行う（ステップＳ１）。同様に、搬送機構ＴＢＬは、載置部ＰＡＬから載置部ＰＢ２に基板Ｗ２を搬送する。搬送機構ＴＣ２は、載置部ＰＢ２から液処理ユニットＳＣ２に基板Ｗ２を搬送する。液処理ユニットＳＣ２は、基板Ｗ２に塗布処理を行う（ステップＳ１）。
塗布処理が終了すると、基板Ｗ１を前部熱処理ブロックＢＡに搬送し、基板Ｗ２を後部熱処理ブロックＢＥに搬送する。これにより、前部熱処理ブロックＢＡは基板Ｗ１に塗布後熱処理を行い、後部熱処理ブロックＢＥは基板Ｗ２に塗布後熱処理を行う。
具体的には、搬送機構ＴＣ１は、液処理ユニットＳＣ１から載置部ＰＢ１に基板Ｗ１を搬送する。搬送機構ＴＡＬは、載置部ＰＢ１から熱処理ユニットＨＡＬに基板Ｗを搬送する。熱処理ユニットＨＡＬは、基板Ｗ１に塗布後熱処理を行う（ステップＳ２）。他方、搬送機構ＴＣ２は、液処理ユニットＳＣ２から載置部ＰＤ２に基板Ｗ２を搬送する。搬送機構ＴＥＬは、載置部ＰＤ２から熱処理ユニットＨＥＲに基板Ｗ２を搬送する。熱処理ユニットＨＥＲは、基板Ｗ２に塗布後熱処理を行う（ステップＳ２）。
塗布後熱処理が終了すると、搬送機構ＴＡＬは、熱処理ユニットＨＡＬから載置部ＰＢ１に基板Ｗ１を搬送する。搬送機構ＴＣ１は、載置部ＰＢ１から載置部ＰＤ１に基板Ｗ１を搬送する。搬送機構ＴＥＬは、載置部ＰＤ１から載置部ＰＥＬに基板Ｗ１を搬送する。他方、搬送機構ＴＥＲは、熱処理ユニットＨＥＲから載置部ＰＥＲに基板Ｗ２を搬送する。
［露光機ＥＸＰの動作］
基板Ｗは、載置部ＰＥＲ、ＰＥＬから露光機ＥＸＰに搬送され、露光機ＥＸＰで露光処理を受ける（ステップＳ３）。露光処理が終了すると、基板Ｗは、露光機ＥＸＰから載置部ＰＥＲ、ＰＥＬに搬送される。
［処理部１７の動作（復路）］
搬送機構ＴＤＬは、載置部ＰＥＬから載置部ＰＤ３に基板Ｗ１を搬送する。搬送機構ＴＣ３は、載置部ＰＤ３から液処理ユニットＳＣ３に基板Ｗを搬送する。液処理ユニットＳＣ３は、基板Ｗ１に現像処理を行う（ステップＳ４）。同様に、搬送機構ＴＤＲは、載置部ＰＥＲから載置部ＰＤ４に基板Ｗ２を搬送する。搬送機構ＴＣ４は、載置部ＰＤ４から液処理ユニットＳＣ４に基板Ｗ２を搬送する。液処理ユニットＳＣ４は、基板Ｗ２に現像処理を行う（ステップＳ４）。
現像処理が終了すると、基板Ｗ１を前部熱処理ブロックＢＡに搬送し、基板Ｗ２を後部熱処理ブロックＢＥに搬送する。これにより、前部熱処理ブロックＢＡは基板Ｗ１に現像後熱処理を行い、後部熱処理ブロックＢＥは基板Ｗ２に現像後熱処理を行う。
具体的には、搬送機構ＴＣ３は、液処理ユニットＳＣ３から載置部ＰＢ３に基板Ｗ１を搬送する。搬送機構ＴＡＲは、載置部ＰＢ３から熱処理ユニットＨＡＲに基板Ｗ１を搬送する。熱処理ユニットＨＡＲは、基板Ｗ１に現像後熱処理を行う（ステップＳ５）。他方、搬送機構ＴＣ４は、液処理ユニットＳＣ４から載置部ＰＤ４に基板Ｗ２を搬送する。搬送機構ＴＥＬは、載置部ＰＤ４から熱処理ユニットＨＥＬに基板Ｗ２を搬送する。熱処理ユニットＨＥＬは、基板Ｗ２に現像後熱処理を行う（ステップＳ５）。
現像後熱処理が終了すると、搬送機構ＴＡＲは、熱処理ユニットＨＡＲから載置部ＰＡＲに基板Ｗ１を搬送する。他方、搬送機構ＴＥＬは、熱処理ユニットＨＥＬから載置部ＰＤ４に基板Ｗ２を搬送する。搬送機構ＴＣ４は、載置部ＰＤ４から載置部ＰＢ４に基板Ｗ２を搬送する。搬送機構ＴＡＬは、載置部ＰＢ４から載置部ＰＡＬに基板Ｗ２を搬送する。
［インデクサ部１１の動作（基板Ｗの回収）］
インデクサ用搬送機構１３は、載置部ＰＡＲ、ＰＡＬからキャリアＣに基板Ｗを搬送する。
＜基板処理装置１の動作例４＞
動作例４は、背面１７ｂがインデクサ部１１と接続している場合における動作例である。図２１は、動作例４において基板ＷがブロックＢＡ−ＢＥの間を移動する様子を模式的に示す概念図である。図２２は、動作例４における基板Ｗの搬送経路を示す図である。
図２１、２２に示すように、動作例４では、一部の基板Ｗを第７経路に沿って搬送し、他の基板Ｗを第７経路とは異なる第８経路に沿って搬送する。以下、動作例４を、インデクサ部１１、処理部１７および露光機ＥＸＰの各動作に分けて説明する。なお、動作例１−３と共通する動作については適宜に説明を省略する。
［インデクサ部１１の動作（基板Ｗの供給）］
インデクサ用搬送機構１３は、キャリアＣから載置部ＰＥＲ、ＰＥＬに基板Ｗを搬送する。
［処理部１７の動作（往路）］
以下では、第７経路を移動する基板Ｗと第８経路を移動する基板Ｗを区別するときは、便宜上、前者を「基板Ｗ１」と表記し、後者を「基板Ｗ２」と表記する。
搬送機構ＴＤＲは、載置部ＰＥＲから載置部ＰＤ１に基板Ｗ１を搬送する。搬送機構ＴＣ１は、載置部ＰＤ１から液処理ユニットＳＣ１に基板Ｗ１を搬送する。液処理ユニットＳＣ１は、基板Ｗ１に塗布処理を行う（ステップＳ１）。同様に、搬送機構ＴＤＬは、載置部ＰＥＬから載置部ＰＤ２に基板Ｗ２を搬送する。搬送機構ＴＣ２は、載置部ＰＤ２から液処理ユニットＳＣ２に基板Ｗ２を搬送する。液処理ユニットＳＣ２は、基板Ｗ２に塗布処理を行う（ステップＳ１）。
塗布処理が終了すると、基板Ｗ１を後部熱処理ブロックＢＥに搬送し、基板Ｗ２を前部熱処理ブロックＢＡに搬送する。これにより、後部熱処理ブロックＢＥは基板Ｗ１に塗布後熱処理を行い、前部熱処理ブロックＢＡは基板Ｗ２に塗布後熱処理を行う。
具体的には、搬送機構ＴＣ１は、液処理ユニットＳＣ１から載置部ＰＤ１に基板Ｗ１を搬送する。搬送機構ＴＥＬは、載置部ＰＤ１から熱処理ユニットＨＥＬに基板Ｗ１を搬送する。熱処理ユニットＨＥＬは、基板Ｗ１に塗布後熱処理を行う（ステップＳ２）。他方、搬送機構ＴＣ２は、液処理ユニットＳＣ２から載置部ＰＢ２に基板Ｗ２を搬送する。搬送機構ＴＡＲは、載置部ＰＢ２から熱処理ユニットＨＡＲに基板Ｗ２を搬送する。熱処理ユニットＨＡＲは、基板Ｗ２に塗布後熱処理を行う（ステップＳ２）。
塗布後熱処理が終了すると、搬送機構ＴＥＬは、熱処理ユニットＨＥＬから載置部ＰＤ１に基板Ｗ１を搬送する。搬送機構ＴＣ１は、載置部ＰＤ１から載置部ＰＢ１に基板Ｗ１を搬送する。搬送機構ＴＡＬは、載置部ＰＢ１から載置部ＰＡＬに基板Ｗ１を搬送する。他方、搬送機構ＴＡＲは、熱処理ユニットＨＡＲから載置部ＰＡＲに基板Ｗを搬送する。
［露光機ＥＸＰの動作］
基板Ｗは、載置部ＰＡＲ、ＰＡＬから露光機ＥＸＰに搬送され、露光機ＥＸＰで露光処理を受ける（ステップＳ３）。露光処理が終了すると、基板Ｗは、露光機ＥＸＰから載置部ＰＡＲ、ＰＡＬに搬送される。
＜処理部１７の動作（復路）＞
搬送機構ＴＢＬは、載置部ＰＡＬから載置部ＰＢ３に搬送する。搬送機構ＴＣ３は、載置部ＰＤ３から液処理ユニットＳＣ３に基板Ｗを搬送する。液処理ユニットＳＣ３は、基板Ｗに現像液を供給する（ステップＳ４）。同様に、搬送機構ＴＢＲは、載置部ＰＡＲから載置部ＰＢ４に基板Ｗ２を搬送する。搬送機構ＴＣ４は、載置部ＰＢ４から液処理ユニットＳＣ４に基板Ｗ２を搬送する。液処理ユニットＳＣ４は、基板Ｗ２に現像液を供給する（ステップＳ４）。
現像処理が終了すると、基板Ｗ１を後部熱処理ブロックＢＥに搬送し、基板Ｗ２を前部熱処理ブロックＢＡに搬送する。これにより、後部熱処理ブロックＢＥは基板Ｗ１に現像後熱処理を行い、前部熱処理ブロックＢＡは基板Ｗ２に現像後熱処理を行う。
具体的には、搬送機構ＴＣ３は、液処理ユニットＳＣ３から載置部ＰＤ３に基板Ｗ１を搬送する。搬送機構ＴＥＲは、載置部ＰＤ３から熱処理ユニットＨＥＲに基板Ｗ１を搬送する。熱処理ユニットＨＥＲは、基板Ｗ１に現像後熱処理を行う（ステップＳ５）。他方、搬送機構ＴＣ４は、液処理ユニットＳＣ４から載置部ＰＢ４に基板Ｗ２を搬送する。搬送機構ＴＡＬは、載置部ＰＤ４から熱処理ユニットＨＡＬに基板Ｗ２を搬送する。熱処理ユニットＨＡＬは、基板Ｗ２に現像後熱処理を行う（ステップＳ５）。
現像後熱処理が終了すると、搬送機構ＴＥＲは、熱処理ユニットＨＥＲから載置部ＰＥＲに基板Ｗ１を搬送する。他方、搬送機構ＴＡＬは、熱処理ユニットＨＡＬから載置部ＰＢ４に基板Ｗ２を搬送する。搬送機構ＴＣ４は、載置部ＰＢ４から載置部ＰＤ４に基板Ｗ２を搬送する。搬送機構ＴＥＬは、載置部ＰＤ４から載置部ＰＥＬに基板Ｗ２を搬送する。
［インデクサ部１１の動作（基板Ｗの回収）］
インデクサ用搬送機構１３は、載置部ＰＥＲ、ＰＥＬからキャリアＣに基板Ｗを搬送する。
＜実施例１の効果＞
上述したとおり、前面１７ｆおよび背面１７ｂのいずれも、インデクサ部１１に接続可能であるので、処理部１７とインデクサ部１１との配置の自由度を高めることができる。
前面１７ｆおよび背面１７ｂのいずれも、露光機ＥＸＰと接続可能であるので、処理部１７と露光機ＥＸＰの配置の自由度も高めることができる。
処理部１７の前面１７ｆがインデクサ部１１と接続している場合、処理部１７は図１４に示す一連の処理を行う（動作例１、３参照）。処理部１７の背面１７ｂがインデクサ部１１と接続している場合も、処理部１７は図１４に示す一連の処理を行う（動作例２、４参照）。すなわち、背面１７ｂがインデクサ部１１と接続している場合であっても、処理部１７は、前面１７ｆがインデクサ部１１と接続している場合に処理部１７が基板Ｗに行う処理と同じ処理を行うことができる。よって、処理部１７とインデクサ部１１の配置が変わっても、処理部１７が基板Ｗに行う処理は変わらない。このため、処理部１７とインデクサ部１１の配置の自由度を一層高めることができる。
図１２（ａ）−１２（ｅ）に示すように、処理ユニットＨ、ＳＣ１―ＳＣ４、載置部Ｐおよび搬送機構Ｔと前面１７ｆとの相対的な位置関係は、処理ユニットＨ、ＳＣ１―ＳＣ４、載置部Ｐおよび搬送機構Ｔと背面１７ｂとの相対的な位置関係と、同じである。よって、前面１７ｆを通じて処理部１７に入った基板Ｗに対しても、背面１７ｂを通じて処理部１７に入った基板Ｗに対しても、実質的に同じ搬送条件（例えば、搬送距離、搬送方向、搬送時間など）で基板Ｗを搬送できる。よって、処理部１７の前面１７ｆがインデクサ部１１と接続している場合における処理部１７の処理品質と、処理部１７の前面１７ｆがインデクサ部１１と接続している場合における処理部１７の処理品質とを、好適に等しくできる。
処理ユニットＨ、ＳＣ１−ＳＣ４、載置部Ｐおよび搬送機構Ｔは、平面視で、点対称に配置されている。よって、処理ユニットＨ、ＳＣ１―ＳＣ４、載置部Ｐおよび搬送機構Ｔと前面１７ｆとの相対的な位置関係を、処理ユニットＨ、ＳＣ１―ＳＣ４、載置部Ｐおよび搬送機構Ｔと背面１７ｂとの相対的な位置関係と、好適に一致させることができる。
処理ユニットＨ、ＳＣ１−ＳＣ４、載置部Ｐおよび搬送機構Ｔは、処理部１７の前部と処理部１７の後部とで対称に配置されている。このため、処理部１７の前面１７ｆがインデクサ部１１と接続している場合における処理部１７の処理品質と、処理部１７の前面１７ｆがインデクサ部１１と接続している場合における処理部１７の処理品質とを、一層好適に等しくできる。
処理ユニットＨ、ＳＣ１−ＳＣ４、載置部Ｐおよび搬送機構Ｔは、処理部１７の右部と処理部１７の左部とで対称に配置されている。すなわち、処理部１７の右側面における処理ユニットＨ、ＳＣ１−ＳＣ４、載置部Ｐおよび搬送機構Ｔの配置は、処理部１７の左側面における処理ユニットＨ、ＳＣ１−ＳＣ４、載置部Ｐおよび搬送機構Ｔの配置と同じである。よって、処理部１７の左右両側面におけるメンテナンスを、共通化できる。
処理部１７の前からｉ番目（但し、ｉは１以上の整数）に配置されるブロックは、処理部１７の後からｉ番目に配置されるブロックと同じ機能を有する。このため、処理部１７の前面１７ｆがインデクサ部１１と接続している場合における処理部１７の処理品質と、処理部１７の前面１７ｆがインデクサ部１１と接続している場合における処理部１７の処理品質とを、一層好適に等しくできる。
処理部１７の背面１７ｂから前面１７ｆに向かうブロックＢＨ、ＢＴ、ＢＣの配列ＡｒＦは、処理部１７の前面１７ｆから背面１７ｂに向かうブロックＢＨ、ＢＴ、ＢＣの配列ＡｒＢと同じである。このため、処理部１７の前面１７ｆがインデクサ部１１と接続している場合における処理部１７の熱処理および液処理の品質と、処理部１７の前面１７ｆがインデクサ部１１と接続している場合における処理部１７の熱処理および液処理の品質とを、好適に等しくできる。
処理部１７の前面１７ｆから背面１７ｂに向かって、熱処理ブロックＢＨ、中継ブロックＢＴ、液処理ブロックＢＣ、中継ブロックＢＴ、熱処理ブロックＢＨがこの順番で並ぶ。中継ブロックＢＴが熱処理ブロックＢＨと液処理ブロックＢＣとの間に配置されているので、熱処理ブロックＢＨと液処理ブロックＢＣとの間における基板Ｗの搬送効率を好適に向上できる。また、中継ブロックＢＴは、熱処理ブロックＢＨが液処理ブロックＢＣに与える熱的影響を低減できる。具体的には、熱処理ユニットＨから放出される熱や雰囲気が液処理ユニットＳＣに到達することを、中継ブロックＢＴに設置される載置部Ｐまたは搬送機構Ｔが好適に妨げる。ここで、熱は、例えば、熱処理ユニットＨのチャンバー２３の表面から放射される熱であり、雰囲気は、例えば、チャンバー２３が開閉する時にチャンバー２３内から熱処理ユニットＨの外部に流出する熱処理ガスである。その結果、液処理ユニットＳＣは液処理を品質良く行うことができる。
処理部１７の前端部と後端部のいずれにも、熱処理ブロックＢＨが配置されている。よって、処理部１７の前方にインデクサ部１１を配置する場合であっても、処理部１７の後方にインデクサ部１１を配置する場合であっても、インデクサ部１１を処理部１７に好適に接続できる。
動作例３、４では、液処理ブロックＢＣは、塗布処理が行われた基板Ｗ１、Ｗ２を前部熱処理ブロックＢＡおよび後部熱処理ブロックＢＥに振り分ける（分散させる）。これにより、前部熱処理ブロックＢＡおよび後部熱処理ブロックＢＥで塗布後熱処理を並行して行うことができる。
また、液処理ブロックＢＣは、現像処理が行われた基板Ｗ１、Ｗ２を前部熱処理ブロックＢＡおよび後部熱処理ブロックＢＥに振り分ける（分散させる）。これにより、前部熱処理ブロックＢＡおよび後部熱処理ブロックＢＥで現像後熱処理を並行して行うことができる。すなわち、現像後熱処理を効率良く実施できる。
載置部ＰＢ１―ＰＢ４は互いに上下方向に並び、搬送機構ＴＢＲ、ＴＢＬは載置部ＰＢ１−ＰＢ４の側方に配置さる。搬送機構ＴＣ１−ＴＣ４は互いに上下方向に並ぶ。さらに、載置部ＰＢ１は、搬送機構ＴＣ１と向かい合う位置に配置されている。同様に、載置部ＰＢ２、ＰＢ３、ＰＢ４はそれぞれ、搬送機構ＴＣ２、ＴＣ３、ＴＣ４と向かい合う位置に配置されている。このような構造によれば、搬送機構ＴＣ１−ＴＣ４と搬送機構ＴＢＲ、ＴＢＬとは、載置部ＰＢ１−ＰＢ４を介して、基板Ｗを相互に搬送できる。
載置部ＰＤ１―ＰＤ４は互いに上下方向に並び、搬送機構ＴＤＲ、ＴＤＬは載置部ＰＤ１−ＰＤ４の側方に配置される。さらに、載置部ＰＤ１−ＰＤ４はそれぞれ、搬送機構ＴＣ１―ＴＣ４と向かい合う位置に配置されている。このような構造によれば、搬送機構ＴＣ１−ＴＣ４と搬送機構ＴＤＲ、ＴＤＬとは、載置部ＰＤ１−ＰＤ４を介して、基板Ｗを相互に搬送できる。
搬送機構ＴＡＲ、ＴＡＬは横方向Ｙに並ぶ。載置部ＰＢ１―ＰＢ４はそれぞれ、搬送機構ＴＡＲ、ＴＡＬの両方と向かい合う位置に配置されている。このような構造によれば、搬送機構ＴＡＲ、ＴＡＬは搬送機構ＴＢＲ、ＴＢＬと基板Ｗを相互に搬送できる。
搬送機構ＴＥＲ、ＴＥＬは横方向Ｙに並ぶ。載置部ＰＤ１―ＰＤ４はそれぞれ、搬送機構ＴＥＲ、ＴＥＬの両方と向かい合う位置に配置されている。このような構造によれば、搬送機構ＴＥＲ、ＴＥＬは搬送機構ＴＤＲ、ＴＤＬと基板Ｗを相互に搬送できる。
載置部ＰＡＲは、搬送機構ＴＡＲの側方で、かつ、搬送機構ＴＢＲと向かい合う位置に配置されている。よって、搬送機構ＴＡＲと搬送機構ＴＢＲは、載置部ＰＢを介して基板Ｗを搬送できるのみならず、載置部ＰＡＲを介して基板Ｗを相互に搬送できる。同様に、載置部ＰＡＬは、搬送機構ＴＡＬの側方で、かつ、搬送機構ＴＢＬと向かい合う位置に配置されている。よって、搬送機構ＴＡＬと搬送機構ＴＢＬは、載置部ＰＢを介して基板Ｗを搬送できるのみならず、載置部ＰＡＬを介して基板Ｗを相互に搬送できる。したがって、前部熱処理ブロックＢＡと前部中継ブロックＢＢとの間において、基板を柔軟に搬送できる。
同様に、搬送機構ＴＥＲと搬送機構ＴＤＲは、載置部ＰＤ１、ＰＤ３を介して基板Ｗを搬送できるのみならず、載置部ＰＥＲを介して基板Ｗを相互に搬送できる。搬送機構ＴＥＬと搬送機構ＴＤＬは、載置部ＰＤ２、ＰＤ４を介して基板Ｗを搬送できるのみならず、載置部ＰＥＬを介して基板Ｗを相互に搬送できる。よって、後部熱処理ブロックＢＥと後部中継ブロックＢＤとの間において、基板を柔軟に搬送できる。
搬送機構ＴＡＲ、ＴＡＬと搬送機構ＴＣ１−ＴＣ４は、搬送機構ＴＢを使用せずに、基板Ｗを相互に搬送できる。よって、前部熱処理ブロックＢＡと液処理ブロックＢＣとの間でので、基板Ｗを効率良く搬送できる。
搬送機構ＴＥＲ、ＴＥＬと搬送機構ＴＣ１−ＴＣ４は、搬送機構ＴＤを使用せずに、基板Ｗを相互に搬送できる。よって、後部熱処理ブロックＢＥと液処理ブロックＢＣとの間でので、基板Ｗを効率良く搬送できる。
搬送機構ＴＣの数は、他のブロックＢＡ、ＢＢ、ＢＤ、ＢＥよりも多い（具体的には、他のブロックＢＡ、ＢＢ、ＢＤ、ＢＥの倍に相当する）。よって、液処理ブロックＢＣにおける基板Ｗの搬送能力を効果的に向上させることができる。
液処理ユニットＳＣは、液処理ユニットＳＣ１−ＳＣ４を備え、液処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２は、塗膜材料を基板Ｗに塗布する塗布ユニットであり、ＳＣ３、ＳＣ４は現像液を基板Ｗに供給する現像ユニットである。よって、基板Ｗに塗布処理および現像処理を好適に行うことができる。
次に、図面を参照してこの発明の実施例２を説明する。なお、実施例１と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。
＜基板処理装置１の概要＞
図２３（ａ）は、処理部と他の機器との接続の一例を示す側面図である。図２３（ａ）では、処理部１７の前面１７ｆはインデクサ部１１と接続している。処理部１７の背面１７ｂはインターフェースブロックＢＦと接続している。インターフェースブロックＢＦと処理部１７は、基板Ｗを相互に搬送可能である。インターフェースブロックＢＦは、さらに、露光機ＥＸＰと接続している。インターフェースブロックＢＦと露光機ＥＸＰも、基板Ｗを相互に搬送可能である。インデクサ部１１と処理部１７とインターフェースブロックＢＦと露光機ＥＸＰは、この順番で後方ＸＢに向かって１列に並ぶ。インターフェースブロックＢＦは、本発明におけるインターフェース部の例である。
本実施例２では、インターフェースブロックＢＦは、基板処理装置１の要素である（すなわち、基板処理装置１の内部に設けられる内部機器である）。
図２３（ａ）の場合、基板処理装置１と露光機ＥＸＰは、例えば、次のように動作する。すなわち、インデクサ部１１は、処理部１７に基板Ｗを搬送する。具体的には、インデクサ部１１は、前部載置部Ｐｆを介して、処理部１７に基板Ｗを供給する。処理部１７は、基板Ｗに処理を行う。この際、処理部１７から後部載置部Ｐｂを介してインターフェースブロックＢＦに基板Ｗを搬送し、さらにインターフェースブロックＢＦから露光機ＥＸＰに基板Ｗを搬送し、露光機ＥＸＰで基板Ｗを露光処理する。処理部１７による処理が終了すると、処理部１７から前部載置部Ｐｆを介してインデクサ部１１に基板Ｗを搬送する。
図２３（ｂ）は、実施例２に係る処理部と他の機器との接続の他の一例を示す側面図である。図２３（ｂ）では、背面１７ｂがインデクサ部１１と接続している。前面１７ｆはインターフェースブロックＢＦと接続している。インターフェースブロックＢＦは、さらに、露光機ＥＸＰと接続している。インデクサ部１１と処理部１７とインターフェースブロックＢＦと露光機ＥＸＰは、この順番で前方ＸＦに向かって１列に並ぶ。この場合、 基板処理装置１と露光機ＥＸＰは、例えば、次のように動作する。すなわち、インデクサ部１１は、処理部１７に基板Ｗを搬送する。具体的には、インデクサ部１１は、後部載置部Ｐｂを介して、処理部１７に基板Ｗを供給する。処理部１７は、基板Ｗに処理を行う。
この際、処理部１７から前部載置部Ｐｆを介してインターフェースブロックＢＦに基板Ｗを搬送し、さらにインターフェースブロックＢＦから露光機ＥＸＰに基板Ｗを搬送し、露光機ＥＸＰで基板Ｗを露光処理する。処理部１７による処理が終了すると、処理部１７から後部載置部Ｐｂを介してインデクサ部１１に基板Ｗを搬送する。
このように、本実施例２に係る基板処理装置１によれば、前面１７ｆおよび背面１７ｂのいずれも、インデクサ部１１に接続可能である。よって、処理部１７とインデクサ部１１の配置の自由度を高めることができる。
前面１７ｆおよび背面１７ｂのいずれも、インターフェースブロックＢＦと接続可能である。よって、処理部１７の前にインターフェースブロックＢＦを配置することも可能であり、かつ、処理部１７の後にインターフェースブロックＢＦを配置することも可能である。すなわち、処理部１７とインターフェースブロックＢＦの配置の自由度も高めることができる。
＜基板処理装置１の全体構造＞
図２４は、実施例２に係る基板処理装置１の平面図である。図２５は、図２４における矢視ａ−ａの側面図である。図２６は、図２４における矢視ｂ−ｂの側面図である。なお、図２４乃至２６では、便宜上、処理部１７の前面１７ｆがインデクサ部１１と接続し、かつ、処理部１７の背面１７ｂがインターフェースブロックＢＦと接続している例を示す。実施例２に係る基板処理装置１は、基板Ｗに反射防止膜、レジスト膜および保護膜を形成し、かつ、基板Ｗを現像する。
処理部１７は、２つの熱処理ブロックＢＨと２つの中継ブロックＢＴと１つの液処理ブロックＢＣとを備えている。ブロックＢＨ、ＢＴ、ＢＣの配置は、実施例１と同様である。処理部１７の前端部に位置する熱処理ブロックＢＨを「前部熱処理ブロックＢＡ」と呼び、処理部１７の後端部に位置する熱処理ブロックＢＨを「後部熱処理ブロックＢＥ」と呼ぶ。また、前部熱処理ブロックＢＡと液処理ブロックＢＣとの間に配置される中継ブロックＢＴを「前部中継ブロックＢＢ」と呼び、後部熱処理ブロックＢＥと液処理ブロックＢＣとの間に配置される中継ブロックＢＴを「後部中継ブロックＢＤ」と呼ぶ。
＜前部熱処理ブロックＢＡの構造＞
図２４−２７を参照する。図２７は、前部熱処理ブロックＢＡをインデクサ部１１から見た正面図である。
前部熱処理ブロックＢＡは、上下方向に並ぶ２つの階層を含む階層構造を有する。具体的には、搬送スペースＡＡは、２つの分割搬送スペースＡＡ１、ＡＡ２に区分されている。分割搬送スペースＡＡ１、ＡＡ２は、互いに上下方向Ｚに並ぶ。分割搬送スペースＡＡ１、ＡＡ２は、この順番で下から上に向かって並ぶ。
搬送機構ＴＡは、搬送機構ＴＡ１と搬送機構ＴＡ２を備える。搬送機構ＴＡ１は、分割搬送スペースＡＡ１に設置され、搬送機構ＴＡ２は分割搬送スペースＡＡ２に設置されている。各搬送機構ＴＡ１、ＴＡ２は、互いに上下方向Ｚに並ぶように配置されている。
前部熱処理ブロックＢＡは、熱処理ユニットとして、加熱ユニットＨＰａＡ、ＨＰｂＡ、ＨＰｃＡと疎水化処理ユニットＡＨＰを備える。前部熱処理ブロックＢＡは、載置部ＳＰＡ、ＲＰＡを備えている。載置部ＳＰＡ、ＲＰＡはそれぞれ、前部載置部Ｐｆに相当する。各要素ＨＰａＡ、ＨＰｂＡ、ＨＰｃＡ、ＡＨＰ、ＳＰＡ、ＲＰＡはそれぞれ、分割搬送スペースＡＡ１、ＡＡ２の側方に配置されている。以下では、各要素の符号に、設置場所を示す記号を適宜に付す。設置場所を示す記号は、高さ位置（階層）を示す数字（例えば、１、２）と、右方ＹＲ、左方ＹＬのいずれかを示す「Ｒ」／「Ｌ」とを組み合わせたものである。高さ位置を示す数字「１」／「２」はそれぞれ、分割搬送スペースＡＡ１／ＡＡ２と同じ高さを意味する。例えば、載置部ＳＰＡ１Ｒは、分割搬送スペースＡＡ１の右方ＹＲに設置される載置部ＳＰＡであり、加熱ユニットＨＰａＡ２Ｌは、分割搬送スペースＡＡ２の左方ＹＬに設置される加熱ユニットＨＰａＡである。
各加熱ユニットＨＰａＡ、ＨＰｂＡ、ＨＰｃＡはそれぞれ、基板Ｗを加熱する。疎水化処理ユニットＡＨＰは、基板Ｗと塗膜との密着性を高める疎水化処理を行う。具体的には、密着強化処理ユニットＡＨＰは、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ：Ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）を含む処理ガスを基板Ｗに供給しつつ、基板Ｗを温調する。
加熱ユニットＨＰａＡは、実施例１で説明したプレート２１とチャンバー２３とシャッター２４の他に、ローカル搬送機構２５を備えている（図２４参照）。ローカル搬送機構２５は、基板Ｗを横方向Ｙに搬送し、基板Ｗをプレート２１上に載置する。他の加熱ユニットＨＰｂＡ、ＨＰｃＡおよび疎水化処理ユニットＡＨＰも同様に、ローカル搬送機構２５を備えている。
載置部ＳＰＡ、ＲＰＡは、実施例１の載置部ＰＡと同じ構造を有する。載置部ＳＰＡは、例えば、専ら後方ＸＢに向かう基板Ｗを載置するために使用され、載置部ＲＰＡは、例えば、専ら前方ＸＦに向かう基板Ｗを載置するために使用される。
搬送機構ＴＡ１、ＴＡ２はそれぞれ、ガイド軸部３１と駆動機構３２とハンド３３とを備えている。
搬送機構ＴＡ１は、分割搬送スペースＡＡ１の右方ＹＲに設置される各要素ＨＰａＡ１Ｒ、ＨＰｂＡ１Ｒ、ＨＰｃＡ１Ｒ、ＡＨＰ１Ｒ、ＳＰＡ１Ｒ、ＲＰＡ１Ｒと、分割搬送スペースＡＡ１の左方ＹＬに設置される各要素ＨＰａＡ１Ｌ、ＨＰｂＡ１Ｌ、ＨＰｃＡ１ＬＲ、ＡＨＰ１Ｒ、ＳＰＡ１Ｒ、ＲＰＡ１Ｒにアクセスする。
搬送機構ＴＡ２は、分割搬送スペースＡＡ２の右方ＹＲに設置される各要素ＨＰａＡ２Ｒ、ＨＰｂＡ２Ｒ、ＨＰｃＡ２Ｒ、ＡＨＰ２Ｒ、ＳＰＡ２Ｒ、ＲＰＡ２Ｒと、分割搬送スペースＡＡ２の左方ＹＬに設置される各要素ＨＰａＡ２Ｌ、ＨＰｂＡ２Ｌ、ＨＰｃＡ２ＬＲ、ＡＨＰ２Ｒ、ＳＰＡ２Ｒ、ＲＰＡ２Ｒにアクセスする。
＜前部中継ブロックＢＢの構造＞
図２４−２６、２８を参照する。図２８は、前部中継ブロックＢＢをインデクサ部１１から見た正面図である。
前部中継ブロックＢＢは、載置部ＳＰＢ、ＲＰＢと冷却載置部ＰＣＰＢと冷却ユニットＣＰＢとを備えている。冷却ユニットＣＰＢは、熱処理ユニットの一態様であり、基板Ｗを冷却する。冷却載置部ＰＣＰＢは、基板Ｗを載置するとともに冷却する。冷却載置部ＰＣＰＢは、載置部の一態様であるとともに熱処理ユニットの一態様でもある。冷却載置部ＰＣＰＢは、プレート２６と、プレート２６の熱を奪う吸熱機器（不図示）を備えている。冷却載置部ＰＣＰＢは、載置部ＳＰＢ、ＲＰＢと同様に、水平方向に開放されている。
載置部ＳＰＢ、ＲＰＢと冷却載置部ＰＣＰＢと冷却ユニットＣＰＢとは、前部中継ブロックＢＢの横方向Ｙ中央において、互いに上下方向に積層されている。
液処理ブロックＢＣは後述するように分割搬送スペースＡＣ１、ＡＣ２、…、ＡＣ８を有し、要素ＳＰＢ、ＲＰＢ、ＰＣＰＢ、ＣＰＢとは、液処理ブロックＢＣの分割搬送スペースＡＣ１、ＡＣ２、…、ＡＣ８のそれぞれと向かい合う高さに配置されている。以下では、各要素ＳＰＢ、ＲＰＢ、ＰＣＰＢ、ＣＰＢの符号に、高さ位置（階層）を示す数字（例えば、１、２、…、８）を付す。高さ位置を示す数字「ｊ」は、液処理ブロックＢＣの分割搬送スペースＡＣｊと同じ高さを意味する。例えば、要素ＲＰＢ８、ＳＰＢ８、ＣＰＢ８はいずれも、分割搬送スペースＡＣ８と向かい合う位置に配置されている。
なお、分割搬送スペースＡＣ１−ＡＣ４の全体と分割搬送スペースＡＡ１とが、同等の高さであり、分割搬送スペースＡＣ５−ＡＣ８の全体と分割搬送スペースＡＡ２とが、同等の高さである。
前部中継ブロックＢＢは、インバッファ部Ｂｆ−ｉｎとアウトバッファ部Ｂｆ−ｏｕｔを備える。インバッファ部Ｂｆ−ｉｎは、基板処理装置１内において熱処理や液処理などの如何なる処理も行われていない基板Ｗを蓄積する。アウトバッファ部Ｂｆ−ｏｕｔは、基板処理装置１内において一連の処理が完了した基板Ｗを蓄積する。インバッファ部Ｂｆ−ｉｎおよびアウトバッファ部Ｂｆ−ｏｕｔがそれぞれ蓄積可能な基板Ｗの数は、例えば５０枚である。
インバッファ部Ｂｆ−ｉｎは、搬送スペースＡＢＲ（搬送機構ＴＢＲ）の右方ＹＲに配置されている。アウトバッファ部Ｂｆ−ｏｕｔは、搬送スペースＡＢＬ（搬送機構ＴＢＬ）の左方ＹＬに配置されている。
搬送機構ＴＢＲ、ＴＢＬはそれぞれ、各要素ＳＰＢ、ＲＰＢ、ＰＣＰＢ、ＣＰＢにアクセスする。搬送機構ＴＢＲは、さらに、インバッファ部Ｂｆ−ｉｎにアクセスする。搬送機構ＴＢＬは、さらに、インバッファ部Ｂｆ−ｏｕｔにアクセスする。
＜液処理ブロックＢＣの構造＞
図２４−２６、２９を参照する。図２９は、液処理ブロックＢＣをインデクサ部１１から見た正面図である。
液処理ブロックＢＣは、上下方向に並ぶ８つの階層を含む階層構造を有する。具体的には、搬送スペースＡＣは、８つの分割搬送スペースＡＣ１、ＡＣ２、…、ＡＣ８に区分されている。分割搬送スペースＡＣ１、ＡＣ２、…、ＡＣ８は、互いに上下方向Ｚに並ぶ。分割搬送スペースＡＣ１、ＡＣ２、…、ＡＣ８は、下から上に向かってこの順番で並ぶ。
搬送機構ＴＣは、搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２、…、ＴＣ８を含む。搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２、…、ＴＣ８はそれぞれ、分割搬送スペースＡＣ１、ＡＣ２、…、ＡＣ８に設置されている。
液処理ユニットＳＣは、液処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２、…、ＳＣ８を含む。液処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２、…、ＳＣ８はそれぞれ、分割搬送スペースＡＣ１、ＡＣ２、…、ＡＣ８の側方に設置されている。
液処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２、…、ＳＣ６は、塗布ユニットである。より詳しくは、液処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２は反射防止膜用塗布ユニット（ＢＡＲＣ）であり、液処理ユニットＳＣ３、ＳＣ４はレジスト膜用塗布ユニット（ＲＥＳＩＳＴ）であり、液処理ユニットＳＣ５、ＳＣ６は保護膜用塗布ユニット（ＴＡＲＣ）である。反射防止膜用塗布ユニットＳＣ１、ＳＣ２は、基板Ｗに反射防止膜材料を塗布する。レジスト膜用塗布ユニットＳＣ３、ＳＣ４は、基板Ｗにレジスト膜材料を塗布する。保護膜用塗布ユニットＳＣ５、ＳＣ６は、基板Ｗに保護膜材料塗布する。液処理ユニットＳＣ７、ＳＣ８は、現像ユニット（ＤＥＶ）である。
なお、実施例２では、図２４、２５に示すように、２つの液処理ユニットＳＣが搬送機構ＴＣの右方ＹＲに配置され、２つの液処理ユニットＳＣが搬送機構ＴＣの左方ＹＬに配置されている。搬送機構ＴＣの右方ＹＲに設置される２つ液処理ユニットＳＣは、ノズル４３／５３およびチャンバー４４／５４を共用している。搬送機構ＴＣの左方ＹＬに設置される２つ液処理ユニットＳＣも、同様に、ノズル４３／５３およびチャンバー４４／５４を共用している。
搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２、…、ＴＣ８はそれぞれ、液処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２、…、ＳＣ８にアクセスする。
＜後部中継ブロックＢＤの構造＞
図２４−２６、３０を参照する。図３０は、後部中継ブロックＢＤをインデクサ部１１から見た正面図である。
後部中継ブロックＢＤは、載置部ＳＰＤ、ＲＰＤと冷却載置部ＰＣＰＤと冷却ユニットＣＰＤを備えている。載置部ＳＰＤ、ＲＰＤと冷却載置部ＰＣＰＤと冷却ユニットＣＰＤとは、後部中継ブロックＢＤの横方向Ｙ中央において、互いに上下方向に積層されている。
要素ＳＰＤ、ＲＰＤ、ＰＣＰＤ、ＣＰＤは、液処理ブロックＢＣの分割搬送スペースＡＣ１、ＡＣ２、…、ＡＣ８のそれぞれと向かい合う高さ位置に配置されている。以下では、各要素ＳＰＤ、ＲＰＤ、ＰＣＰＤ、ＣＰＤの符号に、高さ位置（階層）を示す数字（例えば、１、２、…、８）を付す。高さ位置を示す数字「ｊ」は、その要素が液処理ブロックＢＣの分割搬送スペースＡＣｊと向かい合うことを意味する。
搬送機構ＴＤＲ、ＴＤＬはそれぞれ、各要素ＳＰＤ、ＲＰＤ、ＰＣＰＤ、ＣＰＤにアクセスする。
なお、搬送機構ＴＤＲの右方ＹＲや搬送機構ＴＤＬの左方ＹＬには、インバッファ部Ｂｆ−ｉｎやアウトバッファ部Ｂｆ−ｏｕｔが設置されていない。このため、後部中継ブロックＢＤの右側部や左側部に、例えば、液処理ブロックＢＣに処理液を供給するためのポンプ等を設置できる。
＜後部熱処理ブロックＢＥの構造＞
図２４−２６、３１を参照する。図３１は、後部熱処理ブロックＢＥをインデクサ部１１から見た正面図である。
後部熱処理ブロックＢＥは、前部熱処理ブロックＢＡと同様に、２つの階層を含む階層構造を有する。具体的には、搬送スペースＡＥは、分割搬送スペースＡＥ１、ＡＥ２に区分されている。
搬送機構ＴＥは、搬送機構ＴＥ１と搬送機構ＴＥ２を備える。搬送機構ＴＥ１は、分割搬送スペースＡＥ１に設置され、搬送機構ＴＥ２は分割搬送スペースＡＥ２に設置されている。
後部熱処理ブロックＢＥは、熱処理ユニットとして、加熱ユニットＨＰａＥ、ＨＰｂＥと、冷却ユニットＣＰＥとを備えている。後部熱処理ブロックＢＥは、載置部ＳＰＥ、ＲＰＥを備えている。載置部ＳＰＥ、ＲＰＥはそれぞれ、後部載置部Ｐｂに相当する。さらに、後部熱処理ブロックＢＥは、エッジ露光ユニットＥＥＷを備えている。エッジ露光ユニットＥＥＷは、基板Ｗ上のレジスト膜の周縁部を露光する。
各要素ユニットＨＰａＥ、ＨＰｂＥ、ＣＰＥ、ＳＰＥ、ＲＰＥ、ＥＥＷはそれぞれ、分割搬送スペースＡＥ１、ＡＥ２の側方に配置されている。以下では、各要素の符号に、設置場所を示す記号を適宜に付す。設置場所を示す記号は、高さ位置（階層）を示す数字（例えば、１、２）と、右方ＹＲ、左方ＹＬのいずれかを示す「Ｒ」／「Ｌ」とを組み合わせたものである。高さ位置を示す数字「１」／「２」はそれぞれ、要素が分割搬送スペースＡＥ１／ＡＥ２と向かい合うことを意味する。
＜インターフェースブロックＢＦの構造＞
図２４−２６、３２、３３を参照する。図３２は、インターフェースブロックＢＦの前部をインデクサ部１１から見た正面図である。図３３は、インターフェースブロックＢＦの後部をインデクサ部１１から見た正面図である。
インターフェースブロックＢＦの前部（処理部１７側）には、載置部ＳＰＦ１、ＲＰＦ１、ＳＰＦ２、ＲＰＦ２と搬送機構ＴＦＲ、ＴＦＬと露光前洗浄ユニットＢＳＲ、ＢＳＬと露光後洗浄処理ユニットＳＯＲ、ＳＯＬが設置されている。
露光前洗浄ユニットＢＳＲ、ＢＳＬは、露光処理前の基板Ｗを洗浄し、乾燥する。露光前洗浄処理ユニットＢＳＲ、ＢＳＬは、例えば、基板Ｗの裏面や端部を洗浄する。露光後洗浄処理ユニットＳＯＲ、ＳＯＬは、露光処理後の基板Ｗを洗浄し、乾燥する。例えば、露光前洗浄処理ユニットＢＳＲ、ＢＳＬと露光後洗浄処理ユニットＳＯＲ、ＳＯＬはそれぞれ、基板Ｗを回転させる基板回転機構や、基板Ｗに洗浄液を供給する洗浄液供給機構や、基板Ｗを洗浄するためのブラシ等の洗浄具など（いずれも不図示）を備える。
載置部ＳＰＦ１、ＲＰＦ１、ＳＰＦ２、ＲＰＦ２は、インターフェースブロックＢＦの横方向Ｙ中央に配置されている。載置部ＳＰＦ１、ＲＰＦ１、ＳＰＦ２、ＲＰＦ２は、互いに上下方向Ｚに並ぶ。載置部ＳＰＦ１、ＲＰＦ１は、後部熱処理ブロックＢＥの分割搬送スペースＡＥ１と向かい合う位置に配置されている。載置部ＳＰＦ２、ＲＰＦ２は、後部熱処理ブロックＢＥの分割搬送スペースＡＥ２と向かい合う位置に配置されている。
搬送機構ＴＦＲは、載置部ＳＰＦ１、ＲＰＦ１、ＳＰＦ２、ＲＰＦ２の右方ＹＲに配置される。露光前洗浄ユニットＢＳＲと露光後洗浄処理ユニットＳＯＲは、搬送機構ＴＦＲの右方ＹＲに配置されている。露光前洗浄ユニットＢＳＲと露光後洗浄処理ユニットＳＯＲは、互いに上下方向Ｚに並ぶ。
搬送機構ＴＦＬは、載置部ＳＰＦ１、ＲＰＦ１、ＳＰＦ２、ＲＰＦ２の左方ＹＬに配置される。露光前洗浄ユニットＢＳＬと露光後洗浄処理ユニットＳＯＬは、搬送機構ＴＦＬの左方ＹＬに配置されている。露光前洗浄ユニットＢＳＬと露光後洗浄処理ユニットＳＯＬは、互いに上下方向Ｚに並ぶ。
インターフェースブロックＢＦの後部（露光機ＥＸＰ側）には、冷却載置部ＰＣＰＦと載置部ＲＰＦＢと搬送機構ＢＨＵと露光後加熱処理ユニットＰＥＢＲ、ＰＥＢＬと送りバッファ部ＳＢｆと戻りバッファ部ＲＢｆが設置されている。
露光後加熱処理ユニットＰＥＢＲ、ＰＥＢＬは、熱処理ユニットの一態様であり、露光処理後の基板Ｗを加熱する露光後加熱処理（Post Exposure Bake）を行う。送りバッファ部ＳＢｆは、露光機ＥＸＰに搬送する前の基板Ｗを蓄積する。戻りバッファ部ＲＢｆは、露光機ＥＸＰから返ってきた基板Ｗを蓄積する。
冷却載置部ＰＣＰＦと載置部ＲＰＦＢは、インターフェースブロックＢＦの横方向Ｙ中央に配置されている。冷却載置部ＰＣＰＦと載置部ＲＰＦＢは、互いに上下方向Ｚに並ぶ。搬送機構ＢＨＵは、冷却載置部ＰＣＰＦおよび載置部ＲＰＦＢの右方ＹＲに配置される。
送りバッファ部ＳＢｆと戻りバッファ部ＲＢｆは、インターフェースブロックＢＦの横方向Ｙ中央で、冷却載置部ＰＣＰＦおよび載置部ＲＰＦＢの上方に配置されている。送りバッファ部ＳＢｆと戻りバッファ部ＲＢｆは、互いに上下方向Ｚに並ぶ。
露光後加熱処理ユニットＰＥＢＲは、送りバッファ部ＳＢｆおよび戻りバッファ部ＲＢｆの右方ＹＲに配置されている。複数の露光後加熱処理ユニットＰＥＢＲは、互いに上下方向Ｚに並ぶ。露光後加熱処理ユニットＰＥＢＬは、送りバッファ部ＳＢｆおよび戻りバッファ部ＲＢｆの左方ＹＬに配置されている。複数の露光後加熱処理ユニットＰＥＢＬは、互いに上下方向Ｚに並ぶ。
搬送機構ＴＦＲは、載置部ＳＰＦ１、ＲＰＦ１と露光前洗浄ユニットＢＳＲと露光後洗浄処理ユニットＳＯＲと冷却載置部ＰＣＰＦと載置部ＲＰＦＢと露光後加熱処理ユニットＰＥＢＲと送りバッファ部ＳＢｆと戻りバッファ部ＲＢｆにアクセスする。
搬送機構ＴＦＬは、載置部ＳＰＦ２、ＲＰＦ２と露光前洗浄ユニットＢＳＬと露光後洗浄処理ユニットＳＯＬと冷却載置部ＰＣＰＦと載置部ＲＰＦＢと露光後加熱処理ユニットＰＥＢＬと送りバッファ部ＳＢｆと戻りバッファ部ＲＢｆにアクセスする。
搬送機構ＢＨＵは、載置部ＳＰＦ１、ＲＰＦ１、ＳＰＦ２、ＲＰＦ２にアクセスする。搬送機構ＢＨＵは、さらに、液浸露光を行う露光機ＥＸＰに基板Ｗを搬送し、露光機ＥＸＰから基板Ｗを受け取る。
＜処理ユニットと載置部と搬送機構の配置＞
図３４（ａ）−３４（ｄ）、３５（ａ）−３５（ｄ）を参照する。図３４（ａ）−３４（ｄ）は、図２５における矢視ａ−ａ、ｂ−ｂ、ｃ−ｃ、ｄ−ｄの平面図である。図３５（ａ）−３４（ｄ）は、図２５における矢視ｅ−ｅ、ｆ−ｆ、ｇ−ｇ、ｈ−ｈの平面図である。
図３４（ａ）−３４（ｄ）、３５（ａ）−３５（ｄ）に示すように、処理ユニット、載置部および搬送機構と処理部１７の前面１７ｆとの相対的な位置関係は、処理ユニット、載置部および搬送機構と処理部１７の背面１７ｂとの相対的な位置関係と、同じである。換言すれば、前から処理部１７を見たときの処理ユニット、載置部および搬送機構の各位置は、後から処理部１７を見たときの処理ユニット、載置部および搬送機構の各位置と同じである。
具体的には、ブロックＢＡの加熱ユニットＨＰａＡ、ＨＰｂＡ、ＨＰｃＡと疎水化処理ユニットＡＨＰ、ブロックＢＢの冷却ユニットＣＰＢ、ブロックＢＤの冷却ユニットＣＰＤ、ブロックＢＥの加熱ユニットＨＰａＥ、ＨＰｂＥと冷却ユニットＣＰＥを、「熱処理ユニットＨ」として同一視すると、前面１７ｆと熱処理ユニットＨの相対的な位置関係は、背面１７ｂと熱処理ユニットＨの相対的な位置関係と同じである。同様に、前面１７ｆと液処理ユニットＳＣ１−ＳＣ８の相対的な位置関係は、背面１７ｂと液処理ユニットＳＣ１−ＳＣ８の相対的な位置関係と同じである。ブロックＢＡの載置部ＳＰＡ、ＲＰＡ、ブロックＢＢの載置部ＳＰＢ、ＲＰＢと冷却載置部ＰＣＰＢ、ブロックＢＤの載置部ＳＰＤ、ＲＰＤと冷却載置部ＰＣＰＤ、ブロックＢＥの載置部ＳＰＥ、ＲＰＥを、「載置部Ｐ」として同一視すると、前面１７ｆと載置部Ｐの相対的な位置関係は、背面１７ｂと載置部Ｐの相対的な位置関係と同じである。搬送機構ＴＡ１、ＴＡ２、ＴＢＲ、ＴＢＬ、ＴＣ１―ＴＣ８、ＴＤＲ、ＴＤＬ、ＴＥ１、ＴＥ２を「搬送機構Ｔ」として同一視すると、前面１７ｆと搬送機構Ｔの相対的な位置関係は、背面１７ｂと搬送機構Ｔの相対的な位置関係と同じである。
処理ユニットＨ、ＳＣ１−ＳＣ８、載置部Ｐおよび搬送機構Ｔは、平面視で、点対称に配置されている（図３４（ａ）−３４（ｄ）、３５（ａ）−３５（ｄ）参照）。
具体的には、熱処理ユニットＨは、平面視で、処理部１７の中心点ＰＣに対して点対称に配置されている。液処理ユニットＳＣ１−ＳＣ８も、平面視で、処理部１７の中心点ＰＣの位置に配置されている。載置部Ｐも、平面視で、処理部１７の中心点ＰＣに対して点対称に配置されている。搬送機構Ｔも、平面視で、処理部１７の中心点ＰＣに対して点対称に配置されている。
処理ユニットＨ、ＳＣ１−ＳＣ８、載置部Ｐおよび搬送機構Ｔは、処理部１７の右部と処理部１７の左部とで対称に配置されている（図３４（ａ）−３４（ｄ）、３５（ａ）−３５（ｄ）参照）。
具体的には、処理ユニットＨ、ＳＣ１―ＳＣ８は、平面視で、中心面ＣＸに対して線対称に配置されている。載置部Ｐも、平面視で、中心面ＣＸに対して線対称に配置されている。搬送機構Ｔも、中心面ＣＸに対して線対称に配置されている。
ちなみに、処理ユニットＨ、ＳＣ１−ＳＣ８、載置部Ｐおよび搬送機構Ｔが処理部１７の右部と処理部１７の左部とで対称に配置されていることは、図２７−３１にも明示されている。
処理ユニットＨ、ＳＣ１−ＳＣ８、載置部Ｐおよび搬送機構Ｔは、処理部１７の前部と処理部１７の後部とで対称に配置されている（図３４（ａ）−３４（ｄ）、３５（ａ）−３５（ｄ）参照）。
具体的には、処理ユニットＨ、ＳＣ１―ＳＣ８は、平面視で、中心面ＣＹに対して線対称に配置されている。載置部Ｐも、平面視で、中心面ＣＹに対して線対称に配置されている。搬送機構Ｔも、平面視で、中心面ＣＹに対して線対称に配置されている。
ちなみに、処理ユニットＨ、ＳＣ１−ＳＣ８、載置部Ｐおよび搬送機構Ｔが処理部１７の前部と処理部１７の後部とで対称に配置されていることは、図２５−２６にも明示されている。
＜インデクサ部１１とブロックＢＡとの関係＞
図２４−２６を参照する。インデクサ用搬送機構１３と搬送機構ＴＡは基板Ｗを相互に搬送する。具体的には、載置部ＳＰＡ、ＲＰＡは、インデクサ部１１（搬送スペース１６）に対して開放されており、インデクサ用搬送機構１３は載置部ＳＰＡ、ＲＰＡにアクセス可能である。インデクサ用搬送機構１３と搬送機構ＴＡ１は、載置部ＳＰＡ１Ｒ、ＳＰＡ１Ｌ、ＲＰＡ１Ｒ、ＲＰＡ１Ｌを介して、基板Ｗを相互に搬送する。インデクサ用搬送機構１３と搬送機構ＴＡ２は、載置部ＳＰＡ２Ｒ、ＳＰＡ２Ｌ、ＲＰＡ２Ｒ、ＲＰＡ２Ｌを介して、基板Ｗを相互に搬送する。
＜前部熱処理ブロックＢＡと前部中継ブロックＢＢとの関係＞
搬送機構ＴＡと搬送機構ＴＢは、基板Ｗを相互に搬送可能である。
具体的には、搬送機構ＴＢＲは、搬送スペースＡＡの右方ＹＲに配置されている載置部ＳＰＡ１Ｒ、ＲＰＡ１Ｒ、ＳＰＡ２Ｒ、ＲＰＡ２Ｒのみならず、搬送スペースＡＡの右方ＹＲに配置されている熱処理ユニットＨＰａＡ１Ｒ、ＨＰｂＡ１Ｒ、ＨＰｃＡ１Ｒ、ＡＨＰ１Ｒ、ＨＰａＡ２Ｒ、ＨＰｂＡ２Ｒ、ＨＰｃＡ２Ｒ、ＡＨＰ２Ｒにもアクセス可能である。よって、搬送機構ＴＡ１と搬送機構ＴＢＲは、載置部ＳＰＡ１Ｒ、ＲＰＡ１Ｒを介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。搬送機構ＴＡ２と搬送機構ＴＢＲは、載置部ＳＰＡ２Ｒ、ＲＰＡ２Ｒを介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。さらに、搬送機構ＴＢＲは、搬送スペースＡＡの右方ＹＲに配置されている熱処理ユニットＨＰａＡ１Ｒ等に基板Ｗを搬送可能である。
同様に、搬送機構ＴＢＬは、搬送スペースＡＡの左方ＹＬに配置されている載置部ＳＰＡ１Ｌ、ＲＰＡ１Ｌ、ＳＰＡ２Ｌ、ＲＰＡ２Ｌのみならず、搬送スペースＡＡの左方ＹＬに配置されているユニットＨＰａＡ１Ｌ、ＨＰｂＡ１Ｌ、ＨＰｃＡ１Ｌ、ＡＨＰ１Ｌ、ＨＰａＡ２Ｌ、ＨＰｂＡ２Ｌ、ＨＰｃＡ２Ｌ、ＡＨＰ２Ｌにもアクセス可能である。よって、搬送機構ＴＡ１と搬送機構ＴＢＬは、載置部ＳＰＡ１Ｌ、ＲＰＡ１Ｌを介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。搬送機構ＴＡ２と搬送機構ＴＢＬは、載置部ＳＰＡ２Ｌ、ＲＰＡ２Ｌを介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。さらに、搬送機構ＴＢＬは、搬送スペースＡＡの左方ＹＬに配置されている熱処理ユニットＨＰａＡ１Ｌ等に基板Ｗを搬送可能である。
分割搬送スペースＡＣ１−ＡＣ４と向かい合う載置部ＳＰＢ、ＲＰＢ、冷却載置部ＰＣＰＢおよび冷却ユニットＣＰＢは、分割搬送スペースＡＡ１とも向かい合う。このような前部中継ブロックＢＢの下半分の載置部ＳＰＢ、冷却載置部ＰＣＰＢおよび冷却ユニットＣＰＢに、搬送機構ＴＡ１はアクセス可能である。よって、搬送機構ＴＡ１と搬送機構ＴＢＲ、ＴＢＬは、前部中継ブロックＢＢの下半分の載置部ＳＰＢ等を介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。
分割搬送スペースＡＣ５−ＡＣ８と向かい合う載置部ＳＰＢ、ＲＰＢ、冷却載置部ＰＣＰＢおよび冷却ユニットＣＰＢは、分割搬送スペースＡＡ２とも向かい合う。このような前部中継ブロックＢＢの上半分の載置部ＳＰＢ、冷却載置部ＰＣＰＢおよび冷却ユニットＣＰＢに、搬送機構ＴＡ２はアクセス可能である。よって、搬送機構ＴＡ２と搬送機構ＴＢＲ、ＴＢＬは、前部中継ブロックＢＢの上半分の載置部ＳＰＢ等を介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。
＜インデクサ部１１とブロックＢＡとブロックＢＢの関係＞
インデクサ用搬送機構１３と搬送機構ＴＢは、搬送機構ＴＡを使用せずに、基板Ｗを相互に搬送可能である。
具体的には、インデクサ用搬送機構１３および搬送機構ＴＢＲは、載置部ＳＰＡ１Ｒ、ＲＰＡ１Ｒ、載置部ＳＰＡ２Ｒ、ＲＰＡ２Ｒを介して、基板Ｗを相互に搬送できる。また、インデクサ用搬送機構１３および搬送機構ＴＢＬは、載置部ＳＰＡ１Ｌ、ＲＰＡ１Ｌ、載置部ＳＰＡ２Ｌ、ＲＰＡ２Ｌを介して、基板Ｗを相互に搬送できる。
＜ブロックＢＢとブロックＢＣの関係＞
搬送機構ＴＢと液処理用搬送機構ＴＣとは、基板Ｗを相互に搬送可能である。
具体的には、搬送機構ＴＣ１は、載置部ＲＰＢ１と冷却載置部ＰＣＰＢ１にアクセス可能である。搬送機構ＴＢＲ、ＴＢＬと液処理用搬送機構ＴＣ１は、載置部ＲＰＢ１または冷却載置部ＰＣＰＢ１を介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。同様に、液処理用搬送機構ＴＣ２、ＴＣ３、…、ＴＣ８はそれぞれ、同じ高さ位置に配置される載置部ＳＰＢ、ＲＰＢまたは冷却載置部ＰＣＰＢを介して、搬送機構ＴＢＲ、ＴＢＬとの間で、基板Ｗを相互に搬送可能である。
＜ブロックＢＡとブロックＢＢとブロックＢＣの関係＞
搬送機構ＴＡと搬送機構ＴＣは、搬送機構ＴＢを使用せずに、基板Ｗを相互に搬送可能である。例えば、搬送機構ＴＡ１と搬送機構ＴＣ１は、要素ＲＰＢ１、ＰＣＰＢ１を介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。
＜ブロックＢＣとブロックＢＤの関係＞
液処理ブロックＢＣと後部中継ブロックＢＤの関係は、前部中継ブロックＢＢと液処理ブロックＢＣとの関係と同じである。すなわち、搬送機構ＴＣ１、ＴＣ２、…、ＴＣ８はそれぞれ、搬送機構ＴＤＲ、ＴＤＬとの間で、基板Ｗを相互に搬送可能である。
＜ブロックＢＤとブロックＢＥの関係＞
後部中継ブロックＢＤと後部熱処理ブロックＢＥの関係は、前部中継ブロックＢＢと前部熱処理ブロックＢＡの関係と同じである。
具体的には、搬送機構ＴＤＲと搬送機構ＴＥ１は、載置部ＳＰＥ１Ｒ、ＲＰＥ１Ｒを介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。搬送機構ＴＤＲと搬送機構ＴＥ２とは、載置部ＳＰＥ２Ｒ、ＲＰＥ２Ｒを介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。同様に、搬送機構ＴＤＬと搬送機構ＴＥ１は、載置部ＳＰＥ１Ｒ、ＲＰＥ１Ｌを介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。搬送機構ＴＤＬと搬送機構ＴＥ２とは、載置部ＳＰＥ２Ｌ、ＲＰＥ２Ｌを介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。さらに、搬送機構ＴＤＲ，ＴＤＬと搬送機構ＴＥ１とは、後部中継ブロックＢＤの下半分の載置部ＳＰＤ等を介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。搬送機構ＴＤＲ，ＴＤＬと搬送機構ＴＥ２とは、後部中継ブロックＢＤの上半分の載置部ＳＰＤ等を介して、基板Ｗを相互に搬送可能である。
搬送機構ＴＤＲは、搬送スペースＡＥの右方ＹＲに配置されている加熱ユニットＨＰａＥ、ＨＰｂＥ、冷却ユニットＣＰＥおよびエッジ露光ユニットＥＥＷに基板Ｗを搬送可能である。搬送機構ＴＤＬは、搬送スペースＡＥの左方ＹＬに配置されている加熱ユニットＨＰａＥ、ＨＰｂＥ、冷却ユニットＣＰＥおよびエッジ露光ユニットＥＥＷに基板Ｗを搬送可能である。
後部熱処理ブロックＢＥの搬送機構ＴＥ１は、後部中継ブロックＢＤの下半分の載置部ＳＰＢ、冷却載置部ＰＣＰＢおよび冷却ユニットＣＰＢにアクセス可能である。後部熱処理ブロックＢＥの搬送機構ＴＥ２は、後部中継ブロックＢＤの上半分の載置部ＳＰＢ、冷却載置部ＰＣＰＢおよび冷却ユニットＣＰＢにアクセス可能である。
＜ブロックＢＣとブロックＢＤとブロックＢＥの関係＞
液処理ブロックＢＣと後部中継ブロックＢＤと後部熱処理ブロックＢＥの関係は、液処理ブロックＢＣと前部中継ブロックＢＢと前部熱処理ブロックＢＡの関係と同じである。すなわち、搬送機構ＴＣと搬送機構ＴＥとは、搬送機構ＴＤを使用せずに、基板Ｗを相互に搬送可能である。
＜後部熱処理ブロックＢＥと露光機ＥＸＰの関係＞
搬送機構ＢＨＵは、露光機ＥＸＰに基板Ｗを搬送し、露光機ＥＸＰから基板Ｗを受け取る。
＜処理部１７が基板Ｗに行う処理例＞
図３６は、基板に行う処理の手順を例示するフローチャートである。
処理部１７は、例えば、塗布処理、塗布後熱処理、現像処理、現像加熱処理をこの順番に基板Ｗに対して行う。処理部１７は、ステップＳ１１−Ｓ１９、Ｓ２１―Ｓ２５の処理、すなわち、液処理および熱処理を含む一連の処理を行う。露光機ＥＸＰは、ステップＳ２０の処理、すなわち、露光処理を基板Ｗに行う。
処理部１７の前面１７ｆがインデクサ部１１と接続している場合であっても、処理部１７の背面１７ｂがインデクサ部１１と接続している場合であっても、処理部１７は上述した一連の処理を基板Ｗに行うことができる。すなわち、処理部１７の前面１７ｆがインデクサ部１１と接続しているときに処理部１７が基板Ｗに行う処理は、処理部１７の背面１７ｂがインデクサ部１１と接続しているときに処理部１７が基板Ｗに行う処理と同じである。
以下では、前面１７ｆがインデクサ部１１と接続している場合における動作例１と、背面１７ｂがインデクサ部１１と接続している場合における動作例２を、説明する。
＜基板処理装置１の動作例１＞
動作例１は、前面１７ｆがインデクサ部１１と接続している場合における動作例である。図３７は、動作例１における基板Ｗの搬送経路を示す図である。基板は、図３７に示す載置部および処理ユニットを上から下に移動する。
図３７に示すように、動作例１では、一部の基板Ｗを第１経路に沿って搬送し、他の基板Ｗを第１経路とは異なる第２経路に沿って搬送する。以下、動作例１を、インデクサ部１１、処理部１７および露光機ＥＸＰの各動作に分けて説明する。
［インデクサ部１１の動作（基板Ｗの供給）］
インデクサ用搬送機構１３は、キャリアＣから載置部ＳＰＡ１Ｒ、ＳＰＡ２Ｒ、ＳＰＡ１Ｌ、ＳＰＡ２Ｌに基板Ｗを搬送する。
［処理部１７の動作（往路）］
第１経路の往路に関する動作と第２経路の往路に関する動作は類似しているので、便宜上、第１経路の往路に関する動作を説明し、第２経路の往路に関する動作の説明を省略する。
搬送機構ＴＢＲは、載置部ＳＰＡ１Ｒ／ＳＰＡ２Ｒから疎水化処理ユニットＡＨＰ１Ｒ／ＡＨＰ２Ｒに搬送する。疎水化処理ユニットＡＨＰ１Ｒ／ＡＨＰ２Ｒは基板Ｗに疎水化処理を行う。搬送機構ＴＢＲは、疎水化処理ユニットＡＨＰ１Ｒ／ＡＨＰ２Ｒから冷却載置部ＰＣＰＢ１に基板Ｗを搬送する。冷却載置部ＰＣＰＢ１は基板Ｗを冷却する。これらの一連の処理が、ステップＳ１１の熱処理に相当する。
搬送機構ＴＣ１は、冷却載置部ＰＣＰＢ１から液処理ユニットＳＣ１に基板Ｗを搬送する。液処理ユニットＳＣ１は、基板Ｗに反射防止膜材料を塗布する（ステップＳ１２）。搬送機構ＴＣ１は、液処理ユニットＳＣ１から載置部ＲＰＢ１に基板Ｗを搬送する。
搬送機構ＴＢＲは、載置部ＲＰＢ１から加熱ユニットＨＰａＡ１Ｒ／ＨＰａＡ２Ｒに基板Ｗを搬送する。加熱ユニットＨＰａＡ１Ｒ／ＨＰａＡ２Ｒは、基板Ｗを加熱する。搬送機構ＴＡ１は、加熱ユニットＨＰａＡ１Ｒから加熱ユニットＨＰｂＡ１Ｒに基板Ｗを搬送する。搬送機構ＴＡ２は、加熱ユニットＨＰａＡ２Ｒから加熱ユニットＨＰｂＡ２Ｒに基板Ｗを搬送する。加熱ユニットＨＰｂＡ１Ｒ／ＨＰｂＡ２Ｒは、基板Ｗを加熱する。例えば、加熱ユニットＨＰｂＡ１Ｒ／ＨＰｂＡ２Ｒが加熱する温度は、加熱ユニットＨＰａＡ１Ｒ／ＨＰａＡ１Ｒよりも高い。これによれば、基板Ｗの温度を速やかに高めることができる。搬送機構ＴＢＲは、加熱ユニットＨＰｂＡ１Ｒ／ＨＰｂＡ２Ｒから冷却載置部ＰＣＰＢ３に基板Ｗを搬送する。冷却載置部ＰＣＰＢ３は、基板Ｗを冷却する。これらの一連の処理が、ステップＳ１３の塗布後熱処理に相当する。
搬送機構ＴＣ３は、冷却載置部ＰＣＰＢ３から液処理ユニットＳＣ３に基板Ｗを搬送する。液処理ユニットＳＣ３は、基板Ｗにレジスト膜材料を塗布する（ステップＳ１４）。
搬送機構ＴＣ３は、液処理ユニットＳＣ３から載置部ＳＰＤ３に基板Ｗを搬送する。搬送機構ＴＤＲは、載置部ＳＰＤ３から加熱ユニットＨＰａＥ１Ｒ／ＨＰａＥ２Ｒに搬送する。加熱ユニットＨＰａＥ１Ｒ／ＨＰａＥ２Ｒは基板Ｗを加熱する。搬送機構ＴＤＲは、加熱ユニットＨＰａＥ１Ｒ／ＨＰａＥ２Ｒから冷却載置部ＰＣＰＤ５に基板Ｗを搬送する。冷却載置部ＰＣＰＤ５は、基板Ｗを冷却する。これらの一連の処理が、ステップＳ１５の塗布後熱処理に相当する。
搬送機構ＴＣ５は、冷却載置部ＰＣＰＤ５から液処理ユニットＳＣ５に基板Ｗを搬送する。液処理ユニットＳＣ５は、基板Ｗに保護膜材料を塗布する（ステップＳ１６）。
搬送機構ＴＣ５は、液処理ユニットＳＣ５から載置部ＳＰＤ５に基板Ｗを搬送する。搬送機構ＴＤＲは、載置部ＳＰＤ５から加熱ユニットＨＰｂＥ１Ｒ／ＨＰｂＥ２Ｒに搬送する。加熱ユニットＨＰｂＥ１Ｒ／ＨＰｂＥ２Ｒは基板Ｗを加熱する。搬送機構ＴＥ１は、加熱ユニットＨＰｂＥ１Ｒから冷却ユニットＣＰＥ１Ｒに基板Ｗを搬送する。搬送機構ＴＥ２は、加熱ユニットＨＰｂＥ２Ｒから冷却ユニットＣＰＥ２Ｒに基板Ｗを搬送する。冷却ユニットＣＰＥ１Ｒ／ＣＰＥ２Ｒは、基板Ｗを冷却する。これらの一連の処理が、ステップＳ１７の塗布後熱処理に相当する。
搬送機構ＴＥ１は、冷却ユニットＣＰＥ１Ｒからエッジ露光ユニットＥＥＷ１Ｒに基板Ｗを搬送する。搬送機構ＴＥ２は、冷却ユニットＣＰＥ２Ｒからエッジ露光ユニットＥＥＷ２Ｒに基板Ｗを搬送する。エッジ露光ユニットＥＥＷ１Ｒ／ＥＥＷ２Ｒは、基板Ｗの周縁部を露光する（ステップＳ１８）。
搬送機構ＴＦＲは、エッジ露光ユニットＥＥＷ１Ｒ／ＥＥＷ２Ｒから載置部ＳＰＦ１に基板Ｗを搬送する。
＜インターフェースブロックＢＦと露光機ＥＸＰの動作＞
搬送機構ＴＦＲは、露光前洗浄ユニットＢＳＲに基板Ｗを搬送する。露光前洗浄ユニットＢＳＲは、基板Ｗを洗浄する（ステップＳ１９）。
搬送機構ＴＦＲは、露光前洗浄ユニットＢＳＲから冷却載置部ＰＣＰＦに基板Ｗを搬送する。冷却載置部ＰＣＰＦは基板Ｗを所定の温度に調整する。
搬送機構ＢＨＵは、冷却載置部ＰＣＰＦから露光機ＥＸＰに基板Ｗを搬送する。露光機ＥＸＰは、液浸露光処理を基板Ｗに行う（ステップＳ２０）。
搬送機構ＢＨＵは、露光機ＥＸＰから載置部ＲＰＦＢに基板Ｗを搬送する。搬送機構ＴＦＲは、載置部ＲＰＦＢから露光後洗浄処理ユニットＳＯＲに基板Ｗを搬送する。露光後洗浄処理ユニットＳＯＲは、基板Ｗを洗浄する（ステップＳ２１）。
搬送機構ＴＦＲは、露光後洗浄処理ユニットＳＯＲから露光後加熱処理ユニットＰＥＢＲに基板Ｗを搬送する。露光後加熱処理ユニットＰＥＢＲは、基板Ｗを加熱する（ステップＳ２２）。
搬送機構ＴＦＲは、露光後加熱処理ユニットＰＥＢＲから載置部ＲＰＥ１Ｒ、ＲＰＥ２Ｒに基板Ｗを搬送する。
＜処理部１７の動作（復路）＞
第１経路の復路に関する動作と第２経路の復路に関する動作は類似しているので、便宜上、第１経路の復路に関する動作を説明し、第２経路の復路に関する動作の説明を省略する。
搬送機構ＴＤＲは、載置部ＲＰＥ１Ｒ／ＲＰＥ２Ｒから冷却載置部ＰＣＰＤ７に基板Ｗを搬送する。冷却載置部ＰＣＰＤ７は、基板Ｗを冷却する（ステップＳ２３）。
搬送機構ＴＣ７は、冷却載置部ＰＣＰＤ７から液処理ユニットＳＣ７に基板Ｗを搬送する。液処理ユニットＳＣ７は、基板Ｗを現像する（ステップＳ２４）。
搬送機構ＴＣ７は、液処理ユニットＳＣ７から載置部ＲＰＢ７に基板Ｗを搬送する。搬送機構ＴＢＲは、載置部ＲＰＢ７から加熱ユニットＨＰｃＡ１Ｒ／ＨＰｃＡ２Ｒに基板Ｗを搬送する。加熱ユニットＨＰｃＡ１Ｒ／ＨＰｃＡ２Ｒは、基板Ｗを加熱する。搬送機構ＴＡ１は、加熱ユニットＨＰｃＡ１Ｒから冷却ユニットＣＰＢ４に基板Ｗを搬送する。冷却ユニットＣＰＢ４は基板Ｗを冷却する。これらの一連の処理が、ステップＳ２５の塗布後熱処理に相当する。
搬送機構ＴＢＲは、冷却ユニットＣＰＢ４から載置部ＲＰＡ１Ｒ、ＲＰＡ２Ｒに基板Ｗを搬送する。
＜インデクサ部１１が処理部１７から基板Ｗを回収する動作＞
インデクサ用搬送機構１３は、載置部ＲＰＡ１Ｒ、ＲＰＡ２Ｒ、ＲＰＡ１Ｌ、ＲＰＡ２ＬからキャリアＣに基板Ｗを搬送する。
＜基板処理装置１の動作例２＞
動作例２は、背面１７ｂがインデクサ部１１と接続している場合における動作例である。図３８は、動作例２における基板Ｗの搬送経路を示す図である。図３８において、「＊」印は、動作例１と異なる経路（すなわち、基板Ｗが通る要素）を示す。
図３８に示すように、動作例２では、一部の基板Ｗを第３経路に沿って搬送し、他の基板Ｗを第３経路とは異なる第４経路に沿って搬送する。以下、動作例２を、インデクサ部１１、処理部１７および露光機ＥＸＰの各動作に分けて説明する。なお、動作例１と共通する動作の説明は、適宜に省略する。
［インデクサ部１１の動作（基板Ｗの供給）］
インデクサ用搬送機構１３は、キャリアＣから載置部ＲＰＥ１Ｒ、ＲＰＥ２Ｒ、ＲＰＥ１Ｌ、ＰＲＥ２Ｌに基板Ｗを搬送する。
［処理部１７の動作（往路）］
第３経路の往路に関する動作と第４経路の往路に関する動作は類似しているので、便宜上、第３経路の往路に関する動作を説明し、第４経路の往路に関する動作の説明を省略する。
搬送機構ＴＤＲは、載置部ＲＰＥ１Ｒ／ＲＰＥ２Ｒから載置部ＲＰＤ１に基板Ｗを搬送する。搬送機構ＴＣ１は、載置部ＲＰＤ１から載置部ＲＰＢ１に基板Ｗを搬送する。搬送機構ＴＢＲは、載置部ＲＰＢ１から疎水化処理ユニットＡＨＰ１Ｒ／ＡＨＰ２Ｒに搬送する。
疎水化処理ユニットＡＨＰ１Ｒ／ＡＨＰ２Ｒは基板Ｗに疎水化処理を行う。搬送機構ＴＢＲは、疎水化処理ユニットＡＨＰ１Ｒ／ＡＨＰ２Ｒから冷却載置部ＰＣＰＢ１に基板Ｗを搬送する。冷却載置部ＰＣＰＢ１は基板Ｗを冷却する。これらの一連の処理が、ステップＳ１１の熱処理に相当する。
ステップＳ１１の熱処理の後からステップＳ１８のエッジ露光処理までの動作は、動作例１と同じであるので、その説明を省略する。
エッジ露光処理の後、搬送機構ＴＤＲは、エッジ露光ユニットＥＥＷ１Ｒ／ＥＥＷ２Ｒから載置部ＲＰＤ５に基板Ｗを搬送する。搬送機構ＴＣ５は、載置部ＲＰＤ５から載置部ＲＰＢ５に基板Ｗを搬送する。搬送機構ＴＢＲは、載置部ＲＰＢ５から載置部ＲＰＢ３に基板Ｗを搬送する。搬送機構ＴＡ１は、載置部ＲＰＢ３から載置部ＳＰＦ１に基板Ｗを搬送する。
＜インターフェースブロックＢＦと露光機ＥＸＰの動作＞
インターフェースブロックＢＦと露光機ＥＸＰは、動作例１と同じように、ステップＳ１９、Ｓ２０、Ｓ２１、Ｓ２２の各処理を行う。ステップＳ２２の露光後加熱処理の後、搬送機構ＴＦＲは、露光後加熱処理ユニットＰＥＢＲから載置部ＲＰＡ１Ｒ／ＲＰＡ２Ｒに基板Ｗを搬送する。
＜処理部１７の動作（復路）＞
第３経路の復路に関する動作と第４経路の復路に関する動作は類似しているので、便宜上、第３経路の復路に関する動作を説明し、第４経路の復路に関する動作の説明を省略する。
搬送機構ＴＢＲは、載置部ＲＰＡ１Ｒ／ＲＰＡ２Ｒから冷却載置部ＰＣＰＢ７に基板Ｗを搬送する。冷却載置部ＰＣＰＢ７は、基板Ｗを冷却する（ステップＳ２３）。
搬送機構ＴＣ７は、冷却載置部ＰＣＰＢ７から液処理ユニットＳＣ７に基板Ｗを搬送する。液処理ユニットＳＣ７は、基板Ｗを現像する（ステップＳ２４）。
ステップＳ２４の現像処理の後からステップＳ２５の現像後熱処理までの動作は、動作例１と同じであるので、その説明を省略する。
現像後熱処理の後、搬送機構ＴＢＲは、冷却ユニットＣＰＢ４から載置部ＲＰＢ７に基板Ｗを搬送する。搬送機構ＴＣ７は、載置部ＲＰＢ７から載置部ＲＰＤ７に基板Ｗを搬送する。搬送機構ＴＤＲは、載置部ＲＰＤ７から載置部ＲＰＥ１Ｒ／ＲＰＥ２Ｒに基板Ｗを搬送する。
＜インデクサ部１１が処理部１７から基板Ｗを回収する動作＞
インデクサ用搬送機構１３は、載置部ＲＰＥ１Ｒ、ＲＰＥ２Ｒ、ＲＰＥ１Ｌ、ＲＰＥ２ＬからキャリアＣに基板Ｗを搬送する。
＜実施例２の効果＞
上述したとおり、実施例２に係る基板処理装置１によっても、実施例１と同じような効果を奏する。
前面１７ｆおよび背面１７ｂのいずれも、インターフェースブロックＢＦと接続可能であるので、処理部１７とインターフェースブロックＢＦの配置の自由度も高めることができる。
前部中継ブロックＢＢは、加熱ユニットＨＰａ、ＨＰｂ、ＨＰｃや疎水化処理ユニットＡＨＰが液処理ユニットＳＣに及ぼす熱的影響を低減できる。よって、前部中継ブロックＢＢは、液処理ユニットＳＣを効果的に保護できる。また、後部中継ブロックＢＤは、加熱ユニットＨＰａＥ、ＨＰｂＥが液処理ユニットＳＣに及ぼす影響も低減できる。後部熱処理ブロックＢＥも、液処理ユニットＳＣを効果的に保護できる。
また、実施例２に係る基板処理装置１によれば、基板Ｗに各種の処理を行うことができる。例えば、レジスト膜と反射防止膜と保護膜を基板Ｗに形成できる。
実施例２では、搬送機構ＴＡ１、ＴＡ２は上下方向Ｚに並ぶ。冷却載置部ＰＣＰＢ１−ＰＢＰＢ４や載置部ＲＰＢ１−ＲＰＢ４はそれぞれ搬送機構ＴＡ１と向かい合い、載置部ＳＰＢ５−ＳＰＢ８、ＲＰＢ５−ＲＰＢ８はそれぞれ搬送機構ＴＡ２と向かい合う。このため、搬送機構ＴＡ１と搬送機構ＴＢＲは、基板Ｗを相互に搬送でき、搬送機構ＴＡＬと搬送機構ＴＢＬは、基板Ｗを相互に好適に搬送できる。
前部中継ブロックＢＢは、インバッファ部Ｂｆ−ｉｎを備えている。よって、インデクサ部１１から処理部１７への基板Ｗの供給が停止した場合であっても、処理部１７はインバッファ部Ｂｆ−ｉｎに蓄積された基板Ｗに対して処理できる。
前部中継ブロックＢＢは、アウトバッファ部Ｂｆ−ｏｕｔを備えている。よって、処理部１７からインデクサ部１１への基板Ｗの回収が停止した場合であっても、処理部１７はアウトバッファ部Ｂｆ−ｏｕｔに基板Ｗを蓄積できる。よって、基板処理装置の生産能力が低下することを抑制できる。
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
（１）上述した実施例２では、液処理ブロックＢＣで反射防止膜材料の塗布処理（ステップＳ１２）が行われた全ての基板Ｗを、前部熱処理ブロックＢＡに搬送したが、これに限られない。例えば、実施例１の動作例３、４のように変更してもよい。具体的には、液処理ブロックＢＣで反射防止膜材料の塗布処理（ステップＳ１２）が行われた一部の基板Ｗを、熱処理ブロックＢＡ、ＢＥの一方に搬送し、液処理ブロックＢＣで反射防止膜材料の塗布処理（ステップＳ１２）が行われた他の基板Ｗを、熱処理ブロックＢＡ、ＢＥの他方に搬送し、熱処理ブロックＢＡ、ＢＥはそれぞれ、反射防止膜材料の塗布処理が行われた基板に、塗布後熱処理を行ってもよい。
レジスト膜材料の塗布処理（ステップＳ１４）が行われた後の基板Ｗの搬送、保護膜材料の塗布処理（ステップＳ１６）が行われた後の基板Ｗの搬送、現像処理（ステップＳ２４）が行われた後の基板Ｗの搬送についても、同様に変更してよい。
あるいは、疎水化処理ユニットＡＨＰを、前部熱処理ブロックＢＡのみならず、後部熱処理ブロックＢＥにも設置するように変更し、前部熱処理ブロックＢＡおよび後部熱処理ブロックＢＥで疎水化処理を並行して行ってもよい。
（２）上述した実施例１、２において、液処理ブロックＢＣの構成を適宜に変更してもよい。例えば、階層Ｋの数、液処理ユニットＳＣの数、液処理ユニットＳＣの処理内容などを適宜に変更してもよい。
図３９（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、変形実施例に係る液処理ブロックの構成を模式的に示す側面図である。
図３９（ａ）に示すように、階層Ｋ１、Ｋ２の液処理ユニットＳＣ１、ＳＣ２を反射防止膜用塗布ユニット（ＢＡＲＣ）とし、階層Ｋ３、Ｋ４の液処理ユニットＳＣ３、ＳＣ４をレジスト膜用塗布ユニット（ＲＥＳＩＳＴ）とし、階層Ｋ５−Ｋ８の液処理ユニットＳＣ５ーＳＣ８を現像ユニット（ＤＥＶ）に変更してもよい。
図３９（ｂ）に示すように、階層Ｋ１−Ｋ４の液処理ユニットＳＣ１ーＳＣ４を反射防止膜およびレジスト膜を塗布する塗布ユニット（ＲＥＳＩＳＴ／ＢＡＲＣ）とし、階層Ｋ５−Ｋ８の液処理ユニットＳＣ５ーＳＣ８を現像ユニット（ＤＥＶ）に変更してもよい。
図３９（ｃ）に示すように、階層Ｋ１−Ｋ８の液処理ユニットＳＣ１ーＳＣ８を反射防止膜およびレジスト膜を塗布する塗布ユニット（ＲＥＳＩＳＴ／ＢＡＲＣ）としてもよい。
（３）上述した実施例１、２では、載置部Ｐ、処理ユニットＨ、ＳＣ、搬送機構Ｔの配置を例示したが、これに限られない。載置部Ｐ、処理ユニットＨ、ＳＣ、搬送機構Ｔの配置を適宜に変更してもよい。
（４）上述した実施例１、２では、処理部１７は、熱処理ブロックＢＨと液処理ユニットＳＣと中継ブロックＢＴとを備えていたが、これに限られない。例えば、熱処理ブロックＢＨ、液処理ブロックＢＣ、中継ブロックＢＴの１つ、または、２つを省略してもよい。あるいは、これらのブロックＢＨ、ＢＣ、ＢＴ以外のブロックを、処理部１７が備えてもよい。
図４０を参照する。図４０は、変形実施例に係る基板処理装置の平面図である。なお、４０では、便宜上、処理部１７の前面１７ｆがインデクサ部１１と接続し、かつ、処理部１７の背面１７ｂが露光機ＥＸＰと接続している例を示す。なお、実施例と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。
図４０に示すように、処理部１７は、中継ブロックＢＴと液／熱処理ブロックＢＣＨを備えている。液／熱処理ブロックＢＣＨは、基板Ｗに液処理および熱処理を行う。中継ブロックＢＴと液／熱処理ブロックＢＣＨは、前後方向Ｘに１列に並ぶ。中継ブロックＢＴと液／熱処理ブロックＢＣＨの配列ＡｒＦ、ＡｒＢはそれぞれ、次のようになる。
配列ＡｒＦ：ＢＴ→ＢＣＨ→ＢＴ
配列ＡｒＢ：ＢＴ→ＢＣＨ→ＢＴ
一方の中継ブロックＢＴは処理部１７の前端部に位置する。一方の中継ブロックＢＴＨの前面は、処理部１７の前面１７ｆに相当し、インデクサ部１１と接続している。他方の中継ブロックＢＴは処理部１７の後端部に位置する。他方の中継ブロックＢＴの背面は、処理部１７の背面１７ｂに相当し、露光機ＥＸＰと接続している。
液／熱処理ブロックＢＣＨは、液処理ユニットＳＣと熱処理ユニットＨと搬送機構ＴＣを備える。搬送機構ＴＣは、液処理ユニットＳＣと熱処理ユニットＨに基板Ｗを搬送する。
分割搬送スペースＡＣｊの右方ＹＲには、液処理ユニットＳＣと熱処理ユニットＨが設置されている。これら液処理ユニットＳＣと熱処理ユニットＨは、前後方向Ｘに沿って１列に並び、液処理ユニットＳＣと熱処理ユニットＨはそれぞれ液処理用搬送機構ＴＣと向かい合う。同様に、分割搬送スペースＡＣｊの左方ＹＬには、液処理ユニットＳＣと熱処理ユニットＨが設置されている。これら液処理ユニットＳＣと熱処理ユニットＨも、前後方向Ｘに沿って１列に並び、液処理ユニットＳＣと熱処理ユニットＨはそれぞれ液処理用搬送機構ＴＣと向かい合う。
本変形実施例によっても、上述した実施例１、２と同様な効果をそうする。また、本変形実施例では、１つのブロックＢＣＨが、液処理および熱処理の双方を基板Ｗに行うことができるので、処理部１７を小型化できる。また、基板Ｗの搬送負担（たとえば、搬送距離や搬送時間）を軽減できる。
（５）上述した実施例１、２において、液処理ユニットＳＣが使用する処理液を適宜に変更してもよい。例えば、処理液は、洗浄液や薬液であってもよい。また、上述した実施例１、２において、基板Ｗに行う一連の処理の手順は、適宜に変更してもよい。
（６）上述した実施例１、２では、インデクサ部１１は、基板処理装置１の要素であったが、これに限られない。すなわち、インデクサ部１１は、基板処理装置１の外部機器であってもよい。また、露光機ＥＸＰは、基板処理装置１の外部装置であったが、これに限られない。露光機ＥＸＰは、基板処理装置１の要素であってもよい。
上述した実施例２では、インターフェースブロックＢＦは、基板処理装置１の要素であったが、これに限られない。すなわち、インターフェースブロックＢＦは、基板処理装置１の外部機器であってもよい。
（７）上述した実施例１、２では、処理部１７の前面１７ｆのみがインデクサ部１１と接続する例（図２（ａ）、２３（ａ）参照）と、処理部１７の背面１７ｂのみがインデクサ部１１と接続する例（図２（ｂ）、２３（ｂ）参照）を例示したが、これに限られない。例えば、処理部１７の前面１７ｆおよび背面１７ｂの両方がそれぞれ、インデクサ部１１と接続してもよい。また、この変形実施例では、処理部１７が２つのインデクサ部１１と接続してもよい。
（８）上述した実施例および各変形実施例の各構成を適宜に組み合わせるように変更してもよい。
１ … 基板処理装置
１１ … インデクサ部
１２ … キャリア載置部
１３ … インデクサ用搬送機構
ＢＨ … 熱処理ブロック
ＢＴ … 中継ブロック
ＢＡ … 前部熱処理ブロック
ＢＢ … 前部中継ブロック
ＢＢ … 第１中継ブロック
ＢＣ … 液処理ブロック
ＢＥ … 後部熱処理ブロック
ＢＦ … インターフェースブロック（インターフェース部）
Ｔ … 搬送機構
ＴＡ、ＴＡＲ、ＴＡＬ、ＴＡ１、ＴＡ２ … 前部熱処理ブロックの搬送機構
ＴＢ、ＴＢＲ、ＴＢＬ … 前部中継ブロックの搬送機構
ＴＣ、ＴＣ１、ＴＣ２、ＴＣ３、ＴＣ４ … 搬送機構
ＴＤ、ＴＤＲ、ＴＤＬ … 後部中継ブロックの搬送機構
ＴＥ、ＴＥＲ、ＴＥＬ、ＴＥ１、ＴＥ２ … 後部熱処理ブロックの搬送機構
ＴＦＲ、ＴＦＬ、ＢＨＵ … インターフェースブロックの搬送機構
ＡＡ … 前部熱処理ブロックの搬送スペース
ＡＡ１ … 前部熱処理ブロックの分割搬送スペース
ＡＡ２ … 前部熱処理ブロックの分割搬送スペース
ＡＢＲ、ＡＢＬ … 前部中継ブロックの搬送スペース
ＡＣ … 液処理ブロックの搬送スペース
ＡＣ１−ＡＣ８ … 液処理ブロックの分割搬送スペース
ＡＤＲ、ＡＤＬ … 後部中継ブロックの搬送スペース
ＡＥ … 後部熱処理ブロックの搬送スペース
ＡＥ１、ＡＥ２ … 後部熱処理ブロックの分割搬送スペース
Ｈ … 熱処理ユニット
ＨＡ、ＨＡＲ、ＨＡＬ … 前部熱処理ブロックの熱処理ユニット
ＨＰａＡ、ＨＰｂＡ、ＨＰｃＡ … 前部熱処理ブロックの加熱ユニット
ＡＨＰ … 前部熱処理ブロックの密着強化処理ユニット
Ｐ … 載置部
Ｐｆ … 前部載置部
Ｐｂ … 後部載置部
ＰＡ、ＰＡＲ、ＰＡＬ、ＳＰＡ、ＲＰＡ … 前部熱処理ブロックの載置部
ＰＢ、ＰＢ１−ＰＢ４、ＳＰＢ５ーＳＰＢ８、ＲＰＢ１ーＲＰＢ８ … 前部中継ブロックの載置部
ＰＣＰＢ１−ＰＣＰＢ８ … 前部中継ブロックの冷却載置部
ＣＰＢ１ーＣＰＢ８ … 前部中継ブロックの冷却ユニット
Ｂｆ−ｉｎ … 前部中継ブロックのインバッファ部
Ｂｆ−ｏｕｔ … 前部中継ブロックのアウトバッファ部
ＳＣ、ＳＣ１−ＳＣ８ … 液処理ユニット
Ｋ１ーＫ８ … 階層
ＰＤ、ＰＤ１ーＰＤ４、ＳＰＤ１−ＳＰＤ８、ＲＰＤ１−ＲＰＤ４ … 後部中継ブロックの載置部
ＰＣＰＤ５−ＰＣＰＤ８ … 後部中継ブロックの冷却載置部
ＣＰＤ１−ＣＰＤ８ … 後部中継ブロックの冷却ユニット
ＨＥ、ＨＥＲ、ＨＥＬ … 後部熱処理ブロックの熱処理ユニット
ＨＰａＥ、ＨＰｂＥ … 後部熱処理ブロックの加熱ユニット
ＣＰＥ … 後部熱処理ブロックの冷却ユニット
ＰＥ、ＰＥＲ、ＰＥＬ、ＳＰＥ、ＲＰＥ … 後部熱処理ブロックの載置部
Ｗ … 基板
Ｃ … キャリア
ＥＸＰ … 露光機

Claims (21)

  1. 基板処理装置であって、
    基板に処理を行う処理部を備え、
    前記処理部の前面および背面のいずれも、前記処理部に基板を供給するインデクサ部と接続可能であり、
    前記処理部の前記前面および前記背面のいずれも、インターフェース部および露光機の少なくともいずれかと接続可能であり、
    前記処理部の前記前面が前記インデクサ部と接続するときには前記処理部の前記背面は前記インターフェース部および前記露光機のいずれかと接続し、
    前記処理部の前記背面が前記インデクサ部と接続するときには前記処理部の前記前面は前記インターフェース部および前記露光機のいずれかと接続する
    基板処理装置。
  2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
    前記処理部は、前記処理部の前記前面と前記背面とを結ぶ前後方向に一列に並ぶように設置される複数のブロックを備え、
    前記処理部の前からｉ番目（但し、ｉは１以上の整数）に配置されるブロックは、
    前記処理部の後からｉ番目に配置されるブロックと
    同じ機能を有する
    基板処理装置。
  3. 請求項２に記載の基板処理装置において、
    前記ブロックは、基板を熱処理する熱処理ブロック、基板を液処理する液処理ブロック、および、前記熱処理ブロックと前記液処理ブロックの間で基板を中継する中継ブロックのいずれかであり、
    前記処理部の前記前面から前記背面に向かう液処理ブロック、熱処理ブロックおよび中継ブロックの配列は、
    前記処理部の前記背面から前記前面に向かう液処理ブロック、熱処理ブロックおよび中継ブロックの配列と、
    同じである
    基板処理装置。
  4. 基板処理装置であって、
    基板に処理を行う処理部を備え、
    前記処理部の前面および背面のいずれも、前記処理部に基板を供給するインデクサ部と接続可能であり、
    前記処理部は、前記処理部の前記前面と前記背面とを結ぶ前後方向に一列に並ぶように設置される複数のブロックを備え、
    前記処理部の前からｉ番目（但し、ｉは１以上の整数）に配置されるブロックは、
    前記処理部の後からｉ番目に配置されるブロックと
    同じ機能を有し、
    前記ブロックは、基板を熱処理する熱処理ブロック、基板を液処理する液処理ブロック、および、前記熱処理ブロックと前記液処理ブロックの間で基板を中継する中継ブロックのいずれかであり、
    前記処理部の前記前面から前記背面に向かう液処理ブロック、熱処理ブロックおよび中継ブロックの配列は、
    前記処理部の前記背面から前記前面に向かう液処理ブロック、熱処理ブロックおよび中継ブロックの配列と、
    同じである
    基板処理装置。
  5. 請求項４に記載の基板処理装置において、
    前記処理部の前記前面および前記背面のいずれも、インターフェース部および露光機の少なくともいずれかと接続可能である
    基板処理装置。
  6. 請求項３から５のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記処理部の前記前面から前記背面に向かって、熱処理ブロック、中継ブロック、液処理ブロック、中継ブロック、熱処理ブロックがこの順番で並ぶ
    基板処理装置。
  7. 請求項１から６のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記処理部の前記前面が前記インデクサ部と接続しているときに前記処理部が基板に行う処理は、前記処理部の前記背面が前記インデクサ部と接続しているときに前記処理部が基板に行う処理と同じである
    基板処理装置。
  8. 請求項１から７のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記処理部は、
    基板を載置する載置部と、
    を備え、
    載置部は、
    前記処理部の前方に開放されている前部載置部と、
    前記処理部の後方に開放されている後部載置部と、
    を含み、
    正面視における前記前部載置部の位置は、背面視における前記後部載置部の位置と、同じである
    基板処理装置。
  9. 請求項８に記載の基板処理装置において、
    前記処理部は、
    基板に処理を行う処理ユニットと、
    前記処理ユニットおよび前記載置部に基板を搬送する搬送機構と、
    を備え、
    前記処理部の前記前面と、前記処理ユニット、前記載置部および前記搬送機構との相対的な位置関係は、
    前記処理部の前記背面と、前記処理ユニット、前記載置部および前記搬送機構との相対的な位置関係と、
    同じである
    基板処理装置。
  10. 請求項９に記載の基板処理装置において、
    前記処理部における前記処理ユニット、前記載置部および前記搬送機構は、平面視で、点対称に配置されている
    基板処理装置。
  11. 請求項９または１０に記載の基板処理装置において、
    前記処理ユニット、前記載置部および前記搬送機構は、前記処理部の前部と前記処理部の後部とで対称に配置されている
    基板処理装置。
  12. 請求項９から１１のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記処理ユニット、前記載置部および前記搬送機構は、前記処理部の右部と前記処理部の左部とで対称に配置されている
    基板処理装置。
  13. 基板処理装置であって、
    基板に処理を行う処理部を備え、
    前記処理部は、
    前記処理部の前端部に配置され、基板に熱処理を行う前部熱処理ブロックと、
    前記処理部の後端部に配置され、基板に熱処理を行う後部熱処理ブロックと、
    前記前部熱処理ブロックと前記後部熱処理ブロックの間に配置され、基板に液処理を行う液処理ブロックと、
    を備え、
    前記前部熱処理ブロックおよび前記後部熱処理ブロックはそれぞれ、前記処理部に基板を供給するインデクサ部と接続可能であり、
    前記前部熱処理ブロックおよび前記後部熱処理ブロックはそれぞれ、インターフェース部および露光機の少なくともいずれかと接続可能であり、
    前記前部熱処理ブロックが前記インデクサ部と接続するときには前記後部熱処理ブロックは前記インターフェース部および前記露光機のいずれかと接続し、
    前記後部熱処理ブロックが前記インデクサ部と接続するときには前記前部熱処理ブロックは前記インターフェース部および前記露光機のいずれかと接続する
    基板処理装置。
  14. 基板処理装置であって、
    基板に処理を行う処理部を備え、
    前記処理部は、
    前記処理部の前端部に配置され、基板に熱処理を行う前部熱処理ブロックと、
    前記処理部の後端部に配置され、基板に熱処理を行う後部熱処理ブロックと、
    前記前部熱処理ブロックと前記後部熱処理ブロックの間に配置され、基板に液処理を行う液処理ブロックと、
    を備え、
    前記前部熱処理ブロックおよび前記後部熱処理ブロックはそれぞれ、前記処理部に基板を供給するインデクサ部と接続可能であり、
    前記液処理ブロックは、液処理が行われた一部の基板を前記前部熱処理ブロックに送り、かつ、液処理が行われた他の基板を前記後部熱処理ブロックに送り、
    前記前部熱処理ブロックおよび前記後部熱処理ブロックはそれぞれ、前記液処理ブロックから受け取った基板に液処理後熱処理を行う
    基板処理装置。
  15. 基板処理装置であって、
    基板に処理を行う処理部を備え、
    前記処理部は、
    前記処理部の前端部に配置され、基板に熱処理を行う前部熱処理ブロックと、
    前記処理部の後端部に配置され、基板に熱処理を行う後部熱処理ブロックと、
    前記前部熱処理ブロックと前記後部熱処理ブロックの間に配置され、基板に液処理を行う液処理ブロックと、
    を備え、
    前記前部熱処理ブロックおよび前記後部熱処理ブロックはそれぞれ、前記処理部に基板を供給するインデクサ部と接続可能であり、
    前記液処理ブロックは、前記液処理として、基板に塗膜材料を塗布する塗布処理を行い、
    前記液処理ブロックは、前記塗布処理が行われた一部の基板を前記前部熱処理ブロックに送り、かつ、前記塗布処理が行われた他の基板を前記後部熱処理ブロックに送り、
    前記前部熱処理ブロックおよび前記後部熱処理ブロックはそれぞれ、前記塗布処理が行われた基板に塗布後熱処理を行う
    基板処理装置。
  16. 基板処理装置であって、
    基板に処理を行う処理部を備え、
    前記処理部は、
    前記処理部の前端部に配置され、基板に熱処理を行う前部熱処理ブロックと、
    前記処理部の後端部に配置され、基板に熱処理を行う後部熱処理ブロックと、
    前記前部熱処理ブロックと前記後部熱処理ブロックの間に配置され、基板に液処理を行う液処理ブロックと、
    を備え、
    前記前部熱処理ブロックおよび前記後部熱処理ブロックはそれぞれ、前記処理部に基板を供給するインデクサ部と接続可能であり、
    前記液処理ブロックは、前記液処理として、基板に現像液を供給する現像処理を行い、
    前記液処理ブロックは、前記現像処理が行われた一部の基板を前記前部熱処理ブロックに送り、かつ、前記現像処理が行われた他の基板を前記後部熱処理ブロックに送り、
    前記前部熱処理ブロックおよび前記後部熱処理ブロックはそれぞれ、前記現像処理が行われた基板に現像後熱処理を行う
    基板処理装置。
  17. 請求項１３から１６のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記処理部は、
    前記前部熱処理ブロックと前記液処理ブロックとの間に配置され、基板を中継する前部中継ブロックと、
    前記液処理ブロックと前記後部熱処理ブロックとの間に配置され、基板を中継する後部中継ブロックと、
    を備え、
    前記前部熱処理ブロックは、
    基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、
    前記前部熱処理ブロックの前記熱処理ユニットに基板を搬送する搬送機構と、
    を備え、
    前記前部中継ブロックは、
    基板を載置する載置部と、
    前記前部中継ブロックの前記載置部に基板を搬送する搬送機構と、
    を備え、
    前記液処理ブロックは、
    基板に液処理を行う液処理ユニットと、
    前記液処理ユニットに基板を搬送する搬送機構と、
    を備え、
    前記後部中継ブロックは、
    基板を載置する載置部と、
    前記後部中継ブロックの前記載置部に基板を搬送する搬送機構と、
    を備え、
    前記後部熱処理ブロックは、
    基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、
    前記後部熱処理ブロックの前記熱処理ユニットに基板を搬送する搬送機構と、
    を備える
    基板処理装置。
  18. 基板処理装置であって、
    基板に処理を行う処理部を備え、
    前記処理部は、
    前記処理部の前端部に配置され、基板に熱処理を行う前部熱処理ブロックと、
    前記処理部の後端部に配置され、基板に熱処理を行う後部熱処理ブロックと、
    前記前部熱処理ブロックと前記後部熱処理ブロックの間に配置され、基板に液処理を行う液処理ブロックと、
    前記前部熱処理ブロックと前記液処理ブロックとの間に配置され、基板を中継する前部中継ブロックと、
    前記液処理ブロックと前記後部熱処理ブロックとの間に配置され、基板を中継する後部中継ブロックと、
    を備え、
    前記前部熱処理ブロックおよび前記後部熱処理ブロックはそれぞれ、前記処理部に基板を供給するインデクサ部と接続可能であり、
    前記前部熱処理ブロックは、
    基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、
    前記前部熱処理ブロックの前記熱処理ユニットに基板を搬送する搬送機構と、
    を備え、
    前記前部中継ブロックは、
    基板を載置する載置部と、
    前記前部中継ブロックの前記載置部に基板を搬送する搬送機構と、
    を備え、
    前記液処理ブロックは、
    基板に液処理を行う液処理ユニットと、
    前記液処理ユニットに基板を搬送する搬送機構と、
    を備え、
    前記後部中継ブロックは、
    基板を載置する載置部と、
    前記後部中継ブロックの前記載置部に基板を搬送する搬送機構と、
    を備え、
    前記後部熱処理ブロックは、
    基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、
    前記後部熱処理ブロックの前記熱処理ユニットに基板を搬送する搬送機構と、
    を備える
    基板処理装置。
  19. 請求項１７または１８に記載の基板処理装置において、
    前記前部中継ブロックの複数の前記載置部は、互いに上下方向に並び、
    前記前部中継ブロックの複数の前記搬送機構は、前記前部中継ブロックの前記載置部の側方に配置され、
    前記液処理ブロックの複数の前記搬送機構は、互いに上下方向に並び、
    前記後部中継ブロックの複数の前記載置部は、互いに上下方向に並び、
    前記後部中継ブロックの複数の前記搬送機構は、前記後部中継ブロックの前記載置部の側方に配置され、
    前記液処理ブロックの前記搬送機構のそれぞれが前記前部中継ブロックの少なくとも１つ以上の前記載置部と向かい合うように、前記前部中継ブロックの前記載置部は配置され、
    前記液処理ブロックの前記搬送機構のそれぞれが前記後部中継ブロックの少なくとも１つ以上の前記載置部と向かい合うように、前記後部中継ブロックの前記載置部は配置される基板処理装置。
  20. 請求項１７から１９のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記前部熱処理ブロックの複数の前記搬送機構は、上下方向および横方向のいずれかの方向に並び、
    前記前部熱処理ブロックの前記搬送機構のそれぞれが前記前部中継ブロックの少なくとも１つ以上の前記載置部と向かい合うように、前記前部中継ブロックの前記載置部は配置され、
    前記後部熱処理ブロックの複数の前記搬送機構は、前記前部熱処理ブロックの複数の前記搬送機構と同じ方向に並び、
    前記後部熱処理ブロックの前記搬送機構のそれぞれが前記後部中継ブロックの少なくとも１つ以上の前記載置部と向かい合うように、前記後部中継ブロックの前記載置部は配置される基板処理装置。
  21. 請求項１７から２０のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記前部熱処理ブロックは、基板を載置する複数の載置部を備え、
    前記前部熱処理ブロックの複数の前記載置部は、前記前部熱処理ブロックの前記搬送機の側方において、互いに上下方向に並び、
    前記前部中継ブロックの前記搬送機構のそれぞれが前記前部熱処理ブロックの少なくとも１つ以上の前記載置部と向かい合うように、前記前部熱処理ブロックの前記載置部は配置され、
    前記後部熱処理ブロックは、基板を載置する複数の載置部を備え、
    前記後部熱処理ブロックの複数の前記載置部は、前記後部熱処理ブロックの前記搬送機の側方において、互いに上下方向に並び、
    前記後部中継ブロックの前記搬送機構のそれぞれが前記後部熱処理ブロックの少なくとも１つ以上の前記載置部と向かい合うように、前記後部熱処理ブロックの前記載置部は配置される基板処理装置。
JP2015222106A 2015-11-12 2015-11-12 基板処理装置 Active JP6503280B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015222106A JP6503280B2 (ja) 2015-11-12 2015-11-12 基板処理装置
CN201611009746.4A CN107017184B (zh) 2015-11-12 2016-11-01 基板处理装置
US15/347,316 US10269598B2 (en) 2015-11-12 2016-11-09 Substrate treating apparatus
KR1020160149551A KR101946117B1 (ko) 2015-11-12 2016-11-10 기판 처리 장치
TW105136863A TWI644381B (zh) 2015-11-12 2016-11-11 基板處理裝置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015222106A JP6503280B2 (ja) 2015-11-12 2015-11-12 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017092305A JP2017092305A (ja) 2017-05-25
JP6503280B2 true JP6503280B2 (ja) 2019-04-17

Family

ID=58690316

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015222106A Active JP6503280B2 (ja) 2015-11-12 2015-11-12 基板処理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10269598B2 (ja)
JP (1) JP6503280B2 (ja)
KR (1) KR101946117B1 (ja)
CN (1) CN107017184B (ja)
TW (1) TWI644381B (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7195841B2 (ja) * 2018-09-21 2022-12-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10335415A (ja) * 1997-05-30 1998-12-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理時間の設定方法
JP4026906B2 (ja) 1997-12-22 2007-12-26 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置及び基板処理システム
JP4162420B2 (ja) * 2002-04-16 2008-10-08 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4342147B2 (ja) * 2002-05-01 2009-10-14 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2003347186A (ja) * 2002-05-23 2003-12-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4233285B2 (ja) * 2002-08-23 2009-03-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2004282002A (ja) * 2003-02-27 2004-10-07 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
KR100542630B1 (ko) * 2004-04-28 2006-01-11 세메스 주식회사 반도체 제조 설비
JP4402011B2 (ja) * 2005-05-31 2010-01-20 東京エレクトロン株式会社 基板の処理システム及び基板の処理方法
JP4515331B2 (ja) * 2005-05-30 2010-07-28 東京エレクトロン株式会社 基板の処理システム
TWI476855B (zh) 2006-05-03 2015-03-11 Gen Co Ltd 基板傳輸設備、和使用該設備的高速基板處理系統
US8636458B2 (en) 2007-06-06 2014-01-28 Asml Netherlands B.V. Integrated post-exposure bake track
JP5006122B2 (ja) 2007-06-29 2012-08-22 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
KR100892756B1 (ko) 2007-12-27 2009-04-15 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 이송 방법
TWI488247B (zh) * 2008-11-12 2015-06-11 Intevac Inc 輸送及處理基板之裝置與方法
KR101612502B1 (ko) 2008-12-18 2016-04-14 주성엔지니어링(주) 반도체 소자의 제조방법 및 제조장치
US20100162955A1 (en) 2008-12-31 2010-07-01 Lawrence Chung-Lai Lei Systems and methods for substrate processing
JP5244848B2 (ja) * 2009-05-01 2013-07-24 日東電工株式会社 偏光子の製造方法
JP5348083B2 (ja) * 2010-07-16 2013-11-20 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体
KR200485369Y1 (ko) 2012-01-24 2017-12-28 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 구동 시스템을 위한 알루미늄 코팅된 부품들 또는 세라믹 부품들
JP6058999B2 (ja) * 2012-12-11 2017-01-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 基板処理装置および基板処理方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI644381B (zh) 2018-12-11
JP2017092305A (ja) 2017-05-25
KR101946117B1 (ko) 2019-02-08
CN107017184B (zh) 2021-07-02
KR20170055917A (ko) 2017-05-22
US20170140962A1 (en) 2017-05-18
CN107017184A (zh) 2017-08-04
TW201719794A (zh) 2017-06-01
US10269598B2 (en) 2019-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4606355B2 (ja) 熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体
JP6548513B2 (ja) 基板処理装置
JP4401879B2 (ja) 基板の回収方法及び基板処理装置
JP2010219434A (ja) 基板処理装置
JP2007115831A (ja) 塗布、現像装置及びその方法
JP6099449B2 (ja) 基板処理装置
JP6503280B2 (ja) 基板処理装置
JP6811287B2 (ja) 基板処理装置
JP2004014966A (ja) 基板処理装置
JP7419966B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
TWI791927B (zh) 基板處理裝置
JP7437599B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
TW202324580A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP2006344986A (ja) 塗布、現像装置及びパターン形成方法
JP5852219B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2024017881A (ja) 基板処理システム及び基板処理方法
JP2005101079A (ja) 基板処理装置
JP4475904B2 (ja) 基板処理装置
JP2021039992A (ja) 塗布、現像装置
JP2005101081A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180626

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20181024

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181106

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181226

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190312

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190325

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6503280

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250