TWI644381B - 基板處理裝置 - Google Patents

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稲垣幸彥
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斯庫林集團股份有限公司
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Abstract

本發明之基板處理裝置具備對基板進行處理之處理部。處理部之正面及處理部之背面之任一者均可與將基板供給至處理部之移送機部連接。根據此種基板處理裝置，可提高處理部與移送機部之配置自由度。

Description

基板處理裝置
本發明係關於一種對半導體晶圓、光罩用之玻璃基板、液晶顯示裝置用之玻璃基板、光碟用之基板等(以下，簡稱作基板)進行處理之基板處理裝置。
先前，作為此種裝置，有具備對基板進行處理之處理部的基板處理裝置。處理部之正面與移送機部連接。處理部之背面與介面連接。介面部進而與曝光機連接。移送機部將基板供給至處理部。處理部對基板進行處理。移送機部於處理部與曝光機之間搬送基板(例如，揭示於日本專利特開2009-010291號公報)。
然而，於先前之裝置中，僅可將移送機部與處理部之正面連接。即，處理部與移送機部之配置自由度低下。
本發明係鑒於此種情況而完成者，目的在於提供一種可提高處理部與移送機部之配置自由度的基板處理裝置。
本發明為了達成此種目的，而採用如下構成。
即，本發明係一種基板處理裝置，上述基板處理裝置具備對基板進行處理之處理部，且上述處理部之正面及背面任一者均可與將基板供給 至上述處理部之移送機部連接。
根據本發明之基板處理裝置，由於處理部之正面可與移送機部連接，故可將移送機部配置於處理部前方。且，由於處理部之背面可與移送機部連接，故可將移送機部配置於處理部後方。如此，可提高處理部與移送機部之配置自由度。此處，處理部之正面為與處理部之背面相反之面。
因此，只要確定處理部之規格，即便尚未確定要將移送機部與處理部之正面及背面何者連接，亦可製造處理部。藉此，可縮短處理部之交貨期。
於上述發明中，較佳為上述處理部之上述正面及上述背面任一者均可與介面部及曝光機之至少任一者連接。由於處理部之正面可與介面部及曝光機之至少任一者連接，故可將介面部及曝光機之至少任一者配置於處理部前方。且，由於處理部之背面可與介面部及曝光機之至少任一者連接，故可將介面部及曝光機之至少任一者配置於處理部後方。如此，可提高處理部與介面部及曝光機之至少任一者之配置自由度。
於上述發明中，較佳為上述處理部於將上述處理部之上述正面與上述移送機部連接時對基板所進行之處理，和上述處理部於將上述處理部之上述背面與上述移送機部連接時對基板所進行的處理相同。換言之，較佳為於將上述處理部之上述正面與上述移送機部連接之情形時，上述處理部對基板進行第1處理，於將上述處理部之上述背面與上述移送機部連接之情形時，上述處理部對基板進行與上述第1處理相同之處理。無論於將移送機部配置於處理部前方之情形時，抑或將移送機部配置於處理部後方之情形時，處理部均可對基板進行相同之處理。即，即便處理部 與移送機部之配置改變，處理部對基板進行之處理亦不發生變化。因此，可進一步提高處理部與移送機部之配置自由度。
於上述發明中，較佳為上述處理部具備：載置部，其載置基板；且上述載置部包含：前部載置部，其朝上述處理部之前方開放；及後部載置部，其朝上述處理部之後方開放；且前視時上述前部載置部之位置與後視時上述後部載置部之位置相同。具體而言，較佳為自前面觀察處理部時上述載置部之相對於處理部正面之位置與自背面觀察處理部時後部載置部之相對於處理部背面的位置相同。無論於將移送機部與處理部之正面連接之情形、抑或將移送機部與處理部之背面連接之情形，移送機部均可於相同之位置將基板供給至處理部。
於上述發明中，較佳為上述處理部具備：處理單元，其對基板進行處理；及搬送機構，其將基板搬送至上述處理單元及上述載置部；且上述處理部之上述正面與上述處理單元、上述載置部、及上述搬送機構之相對位置關係，和上述處理部之上述背面與上述處理單元、上述載置部、及上述搬送機構的相對位置關係相同。換言之，較佳為上述處理單元、上述載置部及上述搬送機構之相對於上述處理部正面之各位置與上述處理單元、上述載置部及上述搬送機構之相對於上述處理部背面之各位置相同。可使通過處理部正面進入處理部之基板相關之搬送條件、與通過處理部背面進入處理部之基板相關的搬送條件實質上相等。此處，基板之搬送條件係例如基板之搬送距離、基板之搬送方向或基板之搬送時間等。藉此，無論於將處理部之正面與移送機部連接之情形時，抑或將處理部之背面與移送機部連接之情形時，均可較佳地使處理部之處理品質相等。
於上述發明中，較佳為上述處理單元、上述載置部及上述搬送機構於俯視時點對稱地配置。可較佳地使處理部之正面與處理單元、載置部、及搬送機構之相對位置關係和處理部之背面與處理單元、載置部、及搬送機構之相對位置關係一致。
於上述發明中，較佳為上述處理部前部之上述處理單元、上述載置部及上述搬送機構與上述處理部後部之上述處理單元、上述載置部及上述搬送機構對稱地配置。簡單而言，較佳為處理單元、載置部及搬送機構前後對稱地配置。若詳細而言，則較佳為上述處理單元、載置部及搬送機構在俯視及側視之至少任一者時，前後對稱地配置。自處理部正面朝向背面之方向之處理單元、載置部及搬送機構之排列與自處理部背面朝向正面之方向的處理單元、載置部及搬送機構之排列相等。因此，無論於將處理部之正面與移送機部連接之情形時，抑或將處理部之背面與移送機部連接之情形時，均可較佳地使處理部之處理品質相等。
於上述發明中，上述處理部右部之上述處理單元、上述載置部及上述搬送機構與上述處理部左部之上述處理單元、上述載置部及上述搬送機構對稱地配置。簡單而言，較佳為處理單元、載置部及搬送機構左右對稱地配置。若詳細而言，則較佳為處理單元、載置部及搬送機構在俯視及前視之至少任一者時，左右對稱地配置。處理部右部之處理單元、載置部及搬送機構以與處理部左部之處理單元、載置部及搬送機構相同之方式配置。藉此，可使處理部右部之保養與處理部左部之保養大致相等。另，「保養」指檢查、修理、維護、更換等。
於上述發明中，較佳為上述處理部具備：複數個區塊，其等以於連結上述處理部之上述正面與上述背面之前後方向排成一行之方式設置； 且配置於自上述處理部之前方算起第i(其中，i為1以上之整數)個之區塊具有與配置於自上述處理部之後方算起第i個之區塊相同之功能。無論於將處理部之正面與移送機部連接之情形時，抑或將處理部之背面與移送機部連接之情形時，均可較佳地使處理部之處理品質相等。
另，配置於自處理部前面開始第i個之區塊位於處理部之前端部。配置於自處理部後面開始第i個之區塊位於處理部之後端部。又，「功能」指處理基板之功能或搬送基板之功能等。
於上述發明中，較佳為上述區塊為以下任一者：熱處理區塊，其對基板進行熱處理；液體處理區塊，其對基板進行液體處理；及中繼區塊，其於上述熱處理區塊與上述液體處理區塊之間中繼基板；且液體處理區塊、熱處理區塊及中繼區塊之自上述處理部之上述正面朝向上述背面之排列，與液體處理區塊、熱處理區塊及中繼區塊之自上述處理部之上述背面朝向上述正面的排列相同。換言之，較佳為前後方向一方向之液體處理區塊、熱處理區塊及中繼區塊之排列與前後方向另一方向之液體處理區塊、熱處理區塊及中繼區塊之排列相同。前後方向另一方向為與前後方向一方向相反之方向。無論於將處理部之正面與移送機部連接之情形時，抑或將處理部之背面與移送機部連接之情形時，均可較佳地使處理部之處理品質相等。
於上述發明中，較佳為自上述處理部之上述正面朝向上述背面，依序排列熱處理區塊、中繼區塊、液體處理區塊、中繼區塊、熱處理區塊。根據此種構造，於熱處理區塊與液體處理區塊之間，配置有中繼區塊。中繼區塊係可較佳地提高熱處理區塊與液體處理區塊間之基板之搬送效率。又，中繼區塊可降低熱處理區塊對液體處理區塊造成之影響。 例如，中繼區塊可降低熱處理區塊對液體處理區塊造成之熱影響。
本發明係一種基板處理裝置，其係如下的基板處理裝置：上述基板處理裝置具備：處理部，其對基板進行處理，且上述處理部具備：前部熱處理區塊，其配置於上述處理部之前端部，且對基板進行熱處理；後部熱處理區塊，其配置於上述處理部之後端部，且對基板進行熱處理；及液體處理區塊，其配置於上述前部熱處理區塊與上述後部熱處理區塊之間，且對基板進行液體處理；且上述前部熱處理區塊及上述後部熱處理區塊各自可與將基板供給至上述處理部的移送機部連接。
根據本發明之基板處理裝置，由於前部熱處理區塊可與移送機部連接，故可將移送機部配置於處理部前方。由於後部熱處理區塊可與移送機部連接，故可將移送機部配置於處理部後方。如此，可提高處理部與移送機部之配置自由度。
配置於處理部前端部之前部熱處理區塊與配置於處理部後端部之後部熱處理區塊各自對基板進行熱處理。因此，無論於將移送機部配置於處理部前方之情形時，抑或將移送機部配置於處理部後方之情形時，處理部均可對基板進行相同之處理。
於上述發明中，較佳為上述液體處理區塊將已進行液體處理之一部分基板送至上述前部熱處理區塊，且將已進行液體處理之其他基板送至上述後部熱處理區塊，且前部熱處理區塊及上述後部熱處理區塊各自對基板進行液體處理後熱處理。液體處理區塊於對基板進行液體處理後，將基板分配(分散)至前部熱處理區塊及後部熱處理區塊。前部熱處理區塊與後部熱處理區塊各自自液體處理區塊接收已進行液體處理之基板。其次，前部熱處理區塊與後部熱處理區塊各自對基板並行地進行液體處 理後熱處理。液體處理後熱處理為接著液體處理而進行之熱處理。藉此，可有效地實施液體處理後熱處理。
於上述發明中，較佳為上述液體處理區塊係進行將塗膜材料塗佈於基板之塗佈處理作為上述液體處理，上述液體處理區塊將已進行上述塗佈處理之一部分基板送至上述前部熱處理區塊，將已進行上述塗佈處理之其他基板送至上述後部熱處理區塊，且前部熱處理區塊及上述後部熱處理區塊各自對基板進行塗佈後熱處理。液體處理區塊於對基板進行塗佈處理後，將基板分配(分散)至前部熱處理區塊及後部熱處理區塊。前部熱處理區塊與後部熱處理區塊分別自液體處理區塊，接收已進行塗佈處理之基板。其次，前部熱處理區塊與後部熱處理區塊分別對基板並行地進行塗佈後熱處理。塗佈後熱處理為接著塗佈處理而進行之熱處理。藉此，可有效地實施塗佈後熱處理。
於上述發明中，較佳為上述液體處理區塊係進行將顯影液供給至基板之顯影處理作為上述液體處理，上述液體處理區塊將已進行上述顯影處理之一部分基板送至上述前部熱處理區塊，將已進行上述顯影處理之其他基板送至上述後部熱處理區塊，且前部熱處理區塊及上述後部熱處理區塊分別對基板進行顯影後熱處理。液體處理區塊於對基板進行顯影處理後，將基板分配(分散)至前部熱處理區塊及後部熱處理區塊。前部熱處理區塊與後部熱處理區塊分別自液體處理區塊，接收已進行顯影處理之基板。其次，前部熱處理區塊與後部熱處理區塊分別對基板並行地進行顯影後熱處理。顯影後熱處理為接著顯影處理而進行之熱處理。藉此，可有效地實施顯影後熱處理。
於上述發明中，較佳為上述處理部具備：前部中繼區塊，其配置於 上述前部熱處理區塊與上述液體處理區塊之間，且中繼基板；及後部中繼區塊，其配置於上述液體處理區塊與上述後部熱處理區塊之間，且中繼基板；上述前部熱處理區塊具備：熱處理單元，其對基板進行熱處理；及搬送機構，其將基板搬送至上述前部熱處理區塊之上述熱處理單元；上述前部中繼區塊具備：載置部，其載置基板；及搬送機構，其將基板搬送至上述前部中繼區塊之上述載置部；上述液體處理區塊具備：液體處理單元，其對基板進行液體處理；及搬送機構，其將基板搬送至上述液體處理單元；上述後部中繼區塊具備：載置部，其載置基板；及搬送機構，其將基板搬送至上述後部中繼區塊之上述載置部；上述後部熱處理區塊具備：熱處理單元，其對基板進行熱處理；及搬送機構，其將基板搬送至上述後部熱處理區塊之上述熱處理單元。前部熱處理區塊、前部中繼區塊、液體處理區塊、後部中繼區塊、及後部熱處理區塊係自處理部前端部朝向後端部依此順序排列。當著眼於各區塊之功能時，前部熱處理區塊具有與後部熱處理區塊相同之功能。前部中繼區塊具有與後部中繼區塊相同之功能。因此，區塊之排列係自處理部之前端部觀察，自後端部觀察實質上均相同。換言之，自處理部前端部朝向後端部之方向之區塊之排列與自處理部後端部朝向前端部之方向之區塊的排列在功能上相同。因此，無論於將處理部之前端部與移送機部連接之情形時，抑或將處理部之後端部與移送機部連接之情形時，均可較佳地使處理部之熱處理及液體處理之處理品質相等。又，於前部熱處理區塊與液體處理區塊之間，配置有前部中繼區塊。前部中繼區塊可較佳地提高前部熱處理區塊與液體處理區塊間之基板之搬送效率。又，前部中繼區塊可降低前部熱處理區塊對液體處理區塊造成之影響。同樣地，於後 部熱處理區塊與液體處理區塊之間，配置有後部中繼區塊。後部中繼區塊可較佳地提高後部熱處理區塊與液體處理區塊間之基板之搬送效率。又，後部中繼區塊可降低後部熱處理區塊對液體處理區塊造成之影響。
於上述發明中，較佳為上述前部中繼區塊之複數個上述載置部相互排列於上下方向，上述前部中繼區塊之複數個上述搬送機構係配置於上述前部中繼區塊之上述載置部之側方，上述液體處理區塊之複數個上述搬送機構相互排列於上下方向，且上述後部中繼區塊之複數個上述載置部相互排列於上下方向，上述後部中繼區塊之複數個上述搬送機構配置於上述後部中繼區塊之上述載置部之側方，且以上述液體處理區塊之上述搬送機構之各者與上述前部中繼區塊之至少1個以上之上述載置部相向之方式，配置上述前部中繼區塊之上述載置部，以上述液體處理區塊之上述搬送機構之各者與上述後部中繼區塊之至少1個以上之上述載置部相向之方式，配置上述後部中繼區塊之上述載置部。上述中繼區塊具備複數個載置部。上述中繼區塊之各載置部以排列於上下方向之方式配置。液體處理區塊具備複數個搬送機構。液體處理區塊之各搬送機構以排列於上下方向之方式配置。液體處理區塊之各搬送機構分別配置於前部中繼區塊之至少任一個載置部後方。因此，液體處理區塊之各搬送機構可分別經由前部中繼區塊之載置部，將基板移交至前部中繼區塊之搬送機構，且，可自前部中繼區塊之搬送機構接收基板。同樣地，後部中繼區塊具備複數個載置部。後部中繼區塊之各載置部以排列於上下方向之方式配置。液體處理區塊之各搬送機構分別配置於後部中繼區塊之至少任一個載置部前方。因此，液體處理區塊之各搬送機構可分別經由後部中繼區塊之載置部，將基板移交至後部中繼區塊之搬送機構，且，可自後 部中繼區塊之搬送機構接收基板。
於上述發明中，較佳為上述前部熱處理區塊之複數個上述搬送機構相互排列於上下方向及橫向任一者，且以上述前部熱處理區塊之上述搬送機構之各者與上述前部中繼區塊之至少1個以上之上述載置部相向之方式，配置上述前部中繼區塊之上述載置部；上述後部熱處理區塊之複數個上述搬送機構排列於與上述前部熱處理區塊之複數個上述搬送機構相同的方向，且以上述後部熱處理區塊之上述搬送機構之各者與上述後部中繼區塊之至少1個以上之上述載置部相向之方式，配置上述後部中繼區塊之上述載置部。前部熱處理區塊具備複數個搬送機構。前部熱處理區塊之各搬送機構以排列於上下方向或橫向之方式配置。橫向為與上下方向正交，且與前後方向正交之方向。前部熱處理區塊之各搬送機構係分別配置於前部中繼區塊之至少任一個載置部前方。因此，無論於將前部熱處理區塊之複數個搬送機構排列於上下方向之情形時，抑或於排列於橫向之情形時，前部熱處理區塊之各搬送機構均可分別經由前部中繼區塊之載置部，將基板移交至前部中繼區塊之搬送機構，且，可自前部中繼區塊之搬送機構接收基板。同樣地，後部熱處理區塊具備複數個搬送機構。後部熱處理區塊之各搬送機構以排列於上下方向或橫向之方式配置。後部熱處理區塊之各搬送機構係分別配置於後部中繼區塊之至少任一個載置部後方。因此，後部熱處理區塊之各搬送機構均可分別經由後部中繼區塊之載置部，將基板移交至後部中繼區塊之搬送機構，且，可自後部中繼區塊之搬送機構接收基板。
於上述發明中，較佳為上述前部熱處理區塊具備載置基板之複數個載置部；上述前部熱處理區塊之複數個上述載置部在上述前部熱處理區 塊之上述搬送機之側方，相互排列於上下方向，且以上述前部中繼區塊之上述搬送機構之各者與上述前部熱處理區塊之至少1個以上之上述載置部相向之方式，配置上述前部熱處理區塊的上述載置部；上述後部熱處理區塊具備載置基板之複數個載置部；上述後部熱處理區塊之複數個上述載置部在上述後部熱處理區塊之上述搬送機之側方，相互排列於上下方向，且以上述後部中繼區塊之上述搬送機構之各者與上述後部熱處理區塊之至少1個以上之上述載置部相向之方式，配置上述後部熱處理區塊的上述載置部。前部熱處理區塊之各載置部以排列於上下方向之方式配置。前部中繼區塊之各搬送機構分別配置於前部熱處理區塊之至少任一個載置部後方。因此，前部熱處理區塊之搬送機構與前部中繼區塊之搬送機構可經由前部熱處理區塊之載置部相互搬送基板。因此，可提高前部熱處理區塊與前部中繼區塊間之基板搬送之可靠性。同樣地，後部熱處理區塊之各載置部以排列於上下方向之方式配置。後部中繼區塊之各搬送機構分別配置於後部熱處理區塊之至少任一個載置部前方。因此，後部熱處理區塊之搬送機構與後部中繼區塊之搬送機構可經由後部熱處理區塊之載置部相互搬送基板。因此，可提高後部熱處理區塊與後部中繼區塊間之基板搬送之可靠性。
1‧‧‧基板處理裝置
11‧‧‧移送機部
12‧‧‧載具載置部
13‧‧‧移送機用搬送機構
14‧‧‧2個手
15‧‧‧手驅動機構
16‧‧‧搬送空間
17‧‧‧處理部
17b‧‧‧背面
17ba‧‧‧開口
17f‧‧‧正面
17fa‧‧‧開口
21‧‧‧板
23‧‧‧腔室
23a‧‧‧基板搬送口
24‧‧‧擋板
25‧‧‧區域搬送機構
26‧‧‧板
27‧‧‧擱架
31‧‧‧導引軸部
32‧‧‧驅動機構
33‧‧‧手
40‧‧‧遮蔽板
41‧‧‧旋轉保持部
42‧‧‧護罩
43‧‧‧噴嘴
44‧‧‧腔室
45‧‧‧擋板
51‧‧‧旋轉保持部
52‧‧‧護罩
53‧‧‧噴嘴
54‧‧‧腔室
54a‧‧‧基板搬送口
55‧‧‧擋板
61‧‧‧驅動機構
62‧‧‧1對手
67‧‧‧控制部
a-a‧‧‧箭頭
AA‧‧‧搬送空間
AA1‧‧‧分割搬送空間
AA2‧‧‧分割搬送空間
ABL‧‧‧搬送空間
ABR‧‧‧搬送空間
AC‧‧‧搬送空間
AC1‧‧‧分割搬送空間
AC2‧‧‧分割搬送空間
AC3‧‧‧分割搬送空間
AC4‧‧‧分割搬送空間
AC5‧‧‧分割搬送空間
AC6‧‧‧分割搬送空間
AC7‧‧‧分割搬送空間
AC8‧‧‧分割搬送空間
ADL‧‧‧搬送空間
ADR‧‧‧搬送空間
AE‧‧‧搬送空間
AE1‧‧‧分割搬送空間
AE2‧‧‧分割搬送空間
AHP1L‧‧‧熱處理單元
AHP1R‧‧‧熱處理單元
AHP2L‧‧‧熱處理單元
AHP2R‧‧‧熱處理單元
b-b‧‧‧箭頭
BA‧‧‧前部熱處理區塊
BARC‧‧‧抗反射膜用塗佈單元
BB‧‧‧前部中繼區塊
BC‧‧‧液體處理區塊
BD‧‧‧後部中繼區塊
BE‧‧‧後部熱處理區塊
BF‧‧‧介面區塊
Bf-in‧‧‧輸入緩衝器部
Bf-out‧‧‧輸出緩衝器部
BH‧‧‧熱處理區塊
BHU‧‧‧搬送機構
BSL‧‧‧曝光前清洗單元
BSR‧‧‧曝光前清洗單元
BT‧‧‧中繼區塊
C‧‧‧載具
c-c‧‧‧箭頭
COAT‧‧‧塗佈處理
CPB1‧‧‧冷卻單元
CPB2‧‧‧冷卻單元
CPB3‧‧‧冷卻單元
CPB4‧‧‧冷卻單元
CPB5‧‧‧冷卻單元
CPB6‧‧‧冷卻單元
CPB7‧‧‧冷卻單元
CPB8‧‧‧冷卻單元
CPD1‧‧‧冷卻單元
CPD2‧‧‧冷卻單元
CPD3‧‧‧冷卻單元
CPD4‧‧‧冷卻單元
CPD5‧‧‧冷卻單元
CPD6‧‧‧冷卻單元
CPD7‧‧‧冷卻單元
CPD8‧‧‧冷卻單元
CPE1L‧‧‧冷卻單元
CPE1R‧‧‧冷卻單元
CPE2L‧‧‧冷卻單元
CPE2R‧‧‧冷卻單元
CX‧‧‧中心面
CY‧‧‧中心面
d-d‧‧‧箭頭
DEV‧‧‧顯影處理
DEV‧‧‧顯影單元
e-e‧‧‧箭頭
EEW1L‧‧‧邊緣曝光單元
EEW1R‧‧‧邊緣曝光單元
EEW2L‧‧‧邊緣曝光單元
EEW2R‧‧‧邊緣曝光單元
EXA‧‧‧排氣單元
EXBL‧‧‧排氣單元
EXBR‧‧‧排氣單元
EXDL‧‧‧排氣單元
EXDR‧‧‧排氣單元
EXE‧‧‧排氣單元
EXP‧‧‧曝光機
f-f‧‧‧箭頭
FA‧‧‧框架
FB‧‧‧框架
FC‧‧‧框架
FD‧‧‧框架
FE‧‧‧框架
g-g‧‧‧箭頭
H‧‧‧熱處理單元
h-h‧‧‧箭頭
HA‧‧‧熱處理單元
HAL‧‧‧熱處理單元
HAR‧‧‧熱處理單元
HE‧‧‧熱處理單元
HEL‧‧‧熱處理單元
HER‧‧‧熱處理單元
HPaA1L‧‧‧加熱單元
HPaA1R‧‧‧加熱單元
HPaA2L‧‧‧加熱單元
HPaA2R‧‧‧加熱單元
HPaE1L‧‧‧加熱單元
HPaE1R‧‧‧加熱單元
HPaE2L‧‧‧加熱單元
HPaE2R‧‧‧加熱單元
HPbA1L‧‧‧加熱單元
HPbA1R‧‧‧加熱單元
HPbA2L‧‧‧加熱單元
HPbA2R‧‧‧加熱單元
HPbE1L‧‧‧加熱單元
HPbE1R‧‧‧加熱單元
HPbE2L‧‧‧加熱單元
HPbE2R‧‧‧加熱單元
HPcA1L‧‧‧加熱單元
HPcA1R‧‧‧加熱單元
HPcA2L‧‧‧加熱單元
HPcA2R‧‧‧加熱單元
K1‧‧‧階層
K2‧‧‧階層
K3‧‧‧階層
K4‧‧‧階層
K5‧‧‧階層
K6‧‧‧階層
K7‧‧‧階層
K8‧‧‧階層
P‧‧‧載置部
PA‧‧‧載置部
PAL‧‧‧載置部
PAR‧‧‧載置部
Pb‧‧‧後部載置部
PB‧‧‧載置部
PB1‧‧‧載置部
PB2‧‧‧載置部
PB3‧‧‧載置部
PB4‧‧‧載置部
PC‧‧‧中心
PCPB1‧‧‧冷卻載置部
PCPB2‧‧‧冷卻載置部
PCPB3‧‧‧冷卻載置部
PCPB4‧‧‧冷卻載置部
PCPD5‧‧‧冷卻載置部
PCPD6‧‧‧冷卻載置部
PCPD7‧‧‧冷卻載置部
PCPD8‧‧‧冷卻載置部
PCPF‧‧‧冷卻載置部
PD‧‧‧載置部
PD1‧‧‧載置部
PD2‧‧‧載置部
PD3‧‧‧載置部
PD4‧‧‧載置部
PE‧‧‧載置部
PEBL‧‧‧曝光後加熱處理單元
PEBR‧‧‧曝光後加熱處理單元
PEL‧‧‧載置部
PER‧‧‧載置部
Pf‧‧‧前部載置部
RESIST‧‧‧抗蝕劑膜用塗佈單元
RBf‧‧‧返回緩衝器部
RPA1L‧‧‧載置部
RPA1R‧‧‧載置部
RPA2L‧‧‧載置部
RPA2R‧‧‧載置部
RPB1‧‧‧載置部
RPB2‧‧‧載置部
RPB3‧‧‧載置部
RPB4‧‧‧載置部
RPB5‧‧‧載置部
RPB6‧‧‧載置部
RPB7‧‧‧載置部
RPB8‧‧‧載置部
RPD1‧‧‧載置部
RPD2‧‧‧載置部
RPD3‧‧‧載置部
RPD4‧‧‧載置部
RPE1L‧‧‧載置部
RPE1R‧‧‧載置部
RPE2L‧‧‧載置部
RPE2R‧‧‧載置部
RPFB‧‧‧載置部
RPF1‧‧‧載置部
RPF2‧‧‧載置部
SAA‧‧‧供氣單元
SABL‧‧‧供氣單元
SABR‧‧‧供氣單元
SADL‧‧‧供氣單元
SADR‧‧‧供氣單元
SAE‧‧‧供氣單元
SBf‧‧‧傳送緩衝器部
SC‧‧‧液體處理單元
SC1‧‧‧液體處理單元
SC2‧‧‧液體處理單元
SC3‧‧‧液體處理單元
SC4‧‧‧液體處理單元
SC5‧‧‧液體處理單元
SC6‧‧‧液體處理單元
SC7‧‧‧液體處理單元
SC8‧‧‧液體處理單元
SOL‧‧‧曝光後清洗處理單元
SOR‧‧‧曝光後清洗處理單元
SPA1L‧‧‧載置部
SPA1R‧‧‧載置部
SPA2L‧‧‧載置部
SPA2R‧‧‧載置部
SPB5‧‧‧載置部
SPB6‧‧‧載置部
SPB7‧‧‧載置部
SPB8‧‧‧載置部
SPD1‧‧‧載置部
SPD2‧‧‧載置部
SPD3‧‧‧載置部
SPD4‧‧‧載置部
SPD5‧‧‧載置部
SPD6‧‧‧載置部
SPD7‧‧‧載置部
SPD8‧‧‧載置部
SPE1L‧‧‧載置部
SPE1R‧‧‧載置部
SPE2L‧‧‧載置部
SPE2R‧‧‧載置部
SPF1‧‧‧載置部
SPF2‧‧‧載置部
S1~S5‧‧‧步驟
S11~S25‧‧‧步驟
T‧‧‧搬送機構
TA‧‧‧搬送機構
TA1‧‧‧搬送機構
TA2‧‧‧搬送機構
TAL‧‧‧搬送機構
TAR‧‧‧搬送機構
TARC‧‧‧保護膜用塗佈單元
TB‧‧‧搬送機構
TBL‧‧‧搬送機構
TBR‧‧‧搬送機構
TC‧‧‧搬送機構
TC1‧‧‧搬送機構
TC2‧‧‧搬送機構
TC3‧‧‧搬送機構
TC4‧‧‧搬送機構
TC5‧‧‧搬送機構
TC6‧‧‧搬送機構
TC7‧‧‧搬送機構
TC8‧‧‧搬送機構
TD‧‧‧搬送機構
TDR‧‧‧搬送機構
TDL‧‧‧搬送機構
TE‧‧‧搬送機構
TE1‧‧‧搬送機構
TE2‧‧‧搬送機構
TEL‧‧‧搬送機構
TER‧‧‧搬送機構
TFL‧‧‧搬送機構
TFR‧‧‧搬送機構
W‧‧‧基板
W1‧‧‧基板
W2‧‧‧基板
X‧‧‧前後方向
XB‧‧‧後方
XF‧‧‧前方
Y‧‧‧橫向
YL‧‧‧左側
YR‧‧‧右側
Z‧‧‧上下方向
雖然為了說明發明而圖示出目前認為較佳之若干個形態，但應理解，發明並不限定於如圖所示之構成及對策。
圖1A係實施例1之基板處理裝置之側視圖，圖1B係實施例1之基板處理裝置之前視圖，圖1C係實施例1之基板處理裝置之後視圖。
圖2A係實施例1之處理部與其他機器之連接之一例的側視圖，圖2B 係顯示實施例1之處理部與其他機器之連接之另一例的側視圖。
圖3係實施例1之基板處理裝置1之俯視圖。
圖4係圖3之箭頭a-a之側視圖。
圖5係圖3之箭頭b-b之側視圖。
圖6係模式性地顯示搬送機構與載置部之關係之概念圖。
圖7係自移送機部觀察到之前部熱處理區塊之前視圖。
圖8係自移送機部觀察到之前部中繼區塊之前視圖。
圖9係自移送機部觀察到之液體處理區塊之前視圖。
圖10係自移送機部觀察到之後部中繼區塊之前視圖。
圖11係自移送機部觀察到之後部熱處理區塊之前視圖。
圖12A、12B、12C、12D、12E分別係圖4之箭頭a-a、b-b、c-c、d-d、e-e之俯視圖。
圖13係實施例1之基板處理裝置之控制區塊圖。
圖14係例示對基板進行之處理之順序的流程圖。
圖15係模式性地顯示動作例1中基板於區塊間移動之狀態之概念圖。
圖16係顯示動作例1之基板之搬送路徑之圖。
圖17係模式性地顯示動作例2中基板於區塊間移動之狀態之概念圖。
圖18係顯示動作例2之基板之搬送路徑之圖。
圖19係模式性地顯示動作例3中基板於區塊間移動之狀態之概念圖。
圖20係顯示動作例3之基板之搬送路徑之圖。
圖21係模式性地顯示動作例4中基板於區塊間移動之狀態之概念 圖。
圖22係顯示動作例4之基板之搬送路徑之圖。
圖23A係顯示實施例2之處理部與其他機器之連接之一例的側視圖，圖23B係顯示實施例2之處理部與其他機器之連接之另一例的側視圖。
圖24係實施例2之基板處理裝置之俯視圖。
圖25係圖24之箭頭a-a之側視圖。
圖26係圖24之箭頭b-b之側視圖。
圖27係自移送機部觀察到之前部熱處理區塊之前視圖。
圖28係自移送機部觀察到之前部中繼區塊之前視圖。
圖29係自移送機部觀察到之液體處理區塊之前視圖。
圖30係自移送機部觀察到之後部中繼區塊之前視圖。
圖31係自移送機部觀察到之後部熱處理區塊之前視圖。
圖32係自移送機部觀察到之介面區塊之前部的前視圖。
圖33係自移送機部觀察到之介面區塊之後部之前視圖。
圖34A、34B、34C、34D分別係圖25之箭頭a-a、b-b、c-c、d-d之側視圖。
圖35A、35B、35C、35D分別係圖25之箭頭e-e、f-f、g-g、h-h之側視圖。
圖36係例示對基板進行之處理之順序的流程圖。
圖37係顯示動作例1之基板之搬送路徑之圖。
圖38係顯示動作例2之基板之搬送路徑之圖。
圖39A、39B、39C分別係模式性地顯示變化實施例之液體處理區塊之構成的側視圖。
圖40係變化實施例之基板處理裝置之俯視圖。
實施例1
以下，參照圖式說明本發明之實施例1。
<基板處理裝置之概要>
圖1A係實施例1之基板處理裝置之側視圖，圖1B係實施例1之基板處理裝置之前視圖，圖1C係實施例1之基板處理裝置之後視圖。實施例1係對基板(例如，半導體晶圓)W進行處理之基板處理裝置1。另，基板W係於下文之圖3等予以圖示。
基板處理裝置1具備處理部17。處理部17之外形為大致長方體。處理部17於俯視、側視及前視任一者中均為大致矩形。處理部17具有正面17f與背面17b。正面17f為與背面17b相反之面。正面17f與背面17b為相同之形狀(例如矩形)。正面17f與背面17b具有相同之大小。
此處，將連結正面17f與背面17b之方向稱作「前後方向X」。前後方向X為水平。尤其，將自背面17b朝向正面17f之方向稱作「前方XF」，將與前方XF相反之方向稱作「後方XB」。將與前後方向X正交之水平之方向稱作「橫向Y」或簡稱作「側方」。進而，適當地將「橫向Y」之一方向稱作「右側YR」，將與右側YR相反之另一方向稱作「左側YL」。將垂直之方向稱作「上下方向Z」。上下方向Z與前後方向X正交。上下方向Z與橫向Y正交。
處理部17具備載置部P。載置部P包含：前部載置部Pf，其朝處理部17之前方XF開放；及後部載置部Pb，其朝處理部17之後方XB開放。於正面17f，形成有用以使前部載置部Pf開放之開口17fa。前部載置部Pf配 置於開口17fa之後方XB上。於背面17b，形成有用以使後部載置部Pb開放之開口17ba。後部載置部Pb配置於開口17ba之前方XF。如圖1B、圖1C所示，前部載置部Pf之相對於正面17f之位置與後部載置部Pb之相對於背面17b的位置相同。
圖2A係顯示實施例1之處理部與其他機器之連接之一例的側視圖。於圖2A中，處理部17之正面17f與移送機部11連接。移送機部11將基板W供給至處理部17。處理部17之背面17b與曝光機EXP連接。曝光機EXP對基板W進行曝光處理。移送機部11、處理部17及曝光機EXP一行地排列於前後方向X上。移送機部11、處理部17及曝光機EXP朝向後方XB依此順序排列。
於實施例1中，移送機部11為基板處理裝置1之要素。即，移送機部11為設置於基板處理裝置1內部之內部機器。曝光機EXP為設置於基板處理裝置1外部之外部機器。
於圖2A之情形時，基板處理裝置1及曝光機EXP例如以如下方式動作。即，移送機部11將基板W搬送至處理部17。具體而言，移送機部11經由前部載置部Pf，將基板W供給至處理部17。處理部17對基板W進行處理。於處理部17對基板W進行處理時，將基板W自處理部17經由後部載置部Pb搬送至曝光機EXP，且於曝光機EXP中對基板W進行曝光處理。當處理部17之處理結束時，將基板W自處理部17經由前部載置部Pf搬送至移送機部11。
圖2B係顯示實施例1之處理部與其他機器之連接之另一例的側視圖。於圖2B中，背面17b與移送機部11連接。正面17f與曝光機EXP連接。移送機部11、處理部17及曝光機EXP一行地排列於前後方向X上。 移送機部11、處理部17及曝光機EXP朝向前方XF依此順序排列。
於圖2B之情形時，基板處理裝置1及曝光機EXP例如以如下方式動作。即，移送機部11將基板W搬送至處理部17。具體而言，移送機部11經由後部載置部Pb，將基板W供給至處理部17。處理部17對基板W進行處理。於處理部17對基板W進行處理時，自處理部17經由前部載置部Pf將基板W搬送至曝光機EXP，且於曝光機EXP對基板W進行曝光處理。當處理部17之處理結束時，將基板W自處理部17經由後部載置部Pb搬送至移送機部11。
如此，根據本實施例1之基板處理裝置1，正面17f可與移送機部11連接。藉由將正面17f與移送機部11連接，可將移送機部11配置於處理部17之前方XF上。背面17b可與移送機部11連接。藉由將背面17b與移送機部11連接，可將移送機部11配置於處理部17之後方XB上。如此，由於正面17f及背面17f任一者均可與移送機部11連接，故可提高處理部17與移送機部11之配置自由度。
因此，處理部17之規格不會因處理部17之正面17f及背面17b何者與移送機部11連接而改變。因此，即便尚未決定將移送機部11連接於正面17f及背面17b何者而運用基板處理裝置1，亦可確定處理部17之規格。因此，可於決定將正面17f及背面17b何者與移送機部11連接之前，開始製造處理部17。藉此，可縮短處理部17或基板處理裝置1之交貨期。
正面17f及背面17b任一者均可與曝光機EXP連接。藉由將正面17f與曝光機EXP連接，可將曝光機EXP配置於處理部17之前方XF上。藉由將背面17b與曝光機EXP連接，可將曝光機EXP配置於處理部17之後方XB上。如此，亦可提高處理部17與曝光機EXP之配置自由度。
自前面觀察處理部17時之前部載置部Pf之相對於正面17f之位置與自背面觀察處理部17時之後部載置部Pb之相對於背面17b的位置相同。因此，前部載置部Pf之相對於與正面17f連接之移送機部11之位置與後部載置部Pb之相對於與背面17b連接之移送機部11的位置相同。因此，無論於將移送機部11與正面17f連接之情形時，抑或將移送機部11與背面17b連接之情形時，移送機部11均可於相同之位置將基板W供給至處理部17。
於以下，對基板處理裝置1之構造，進而詳細地進行說明。
<基板處理裝置1之整體構造>
圖3係實施例1之基板處理裝置1之俯視圖。圖4係圖3之箭頭a-a之側視圖。圖5係圖3之箭頭b-b之側視圖。另，於圖3至圖5中，為了方便起見，顯示將處理部17之正面17f與移送機部11連接，且將處理部17之背面17b與曝光機EXP連接之例。
處理部17具備：2個熱處理區塊BH、2個中繼區塊BT及1個液體處理區塊BC。各熱處理區塊BH對基板W進行熱處理。各中繼區塊BT中繼基板W。液體處理區塊BC對基板W進行液體處理。液體處理為將處理液供給至基板W之處理。處理液例如為塗膜材料或顯影液。液體處理例如為塗佈處理或顯影處理。
熱處理區塊BH、中繼區塊BT及液體處理區塊BC一行地排列於前後方向X上。朝向前方XF之區塊BH、BT、BC之排列ArF、及朝向後方XB之區塊BH、BT、BC之排列ArB分別如下。
排列ArF：BH→BT→BC→BT→BH
排列ArB：BH→BT→BC→BT→BH
如此，排列ArF與排列ArB相同。
一熱處理區塊BH位於處理部17之前端部。一熱處理區塊BH之正面相當於處理部17之正面17f。一熱處理區塊BH之正面與移送機部11連接。另一熱處理區塊BH位於處理部17之後端部。另一熱處理區塊BH之背面相當於處理部17之背面17b。另一熱處理區塊BH之背面與曝光機EXP連接。
配置於自處理部17前面開始第i個(其中，i為1以上之整數)之區塊具有與配置於自處理部17後面開始第i個之區塊相同之功能。
具體而言，配置於自處理部17之前面開始第1個之區塊為一熱處理區塊。配置於自處理部17之後面開始第1個之區塊為另一熱處理區塊BH。因此，配置於自處理部17前面開始第1個之區塊具有與配置於自後面開始第1個之區塊相同之功能。
配置於自處理部17前面開始第2個之區塊為一中繼區塊BT。配置於自處理部17後面開始第2個之區塊為另一中繼區塊BT。因此，配置於自處理部17前面開始第2個之區塊具有與配置於自後面開始第2個之區塊相同之功能。
配置於自處理部17前面開始第3個之區塊為配置於自處理部17之後面開始第3個之區塊本身。具體而言係液體處理區塊BC。當然，配置於自處理部17前面開始第3個之區塊具有與配置於自後面開始第3個之區塊相同之功能。
以下，為了方便起見，將位於處理部17前端部之熱處理區塊BH稱作「前部熱處理區塊BA」，將位於處理部17後端部之熱處理區塊BH稱作「後部熱處理區塊BE」。又，將配置於前部熱處理區塊BA與液體處 理區塊BC間之中繼區塊BT稱作「前部中繼區塊BB」，將配置於後部熱處理區塊BE與液體處理區塊BC間之中繼區塊BT稱作「後部中繼區塊BD」。
各區塊BA、BB、BC、BD、BE之外形分別為大致長方體。各區塊BA、BB、BC、BD、BE分別於俯視、側視及前視時為大致矩形。各區塊BA、BB、BC、BD、BE之橫向Y之長度大致相同。
區塊BA-BB係直接連接，且可相互搬送基板W。同樣地，區塊BB-BC、BC-BD、BD-BE分別直接連接，且可相互搬送基板W。然而，區塊BA不與區塊BC、BD、BE直接連接。區塊BB不與區塊BD、BE直接連接。區塊BC不與區塊BA、BE直接連接。
<移送機部11>
參照圖3至圖5。移送機部11具備：載具載置部12、移送機用搬送機構13、及搬送空間16。
載具載置部12載置載具C。載具C收容複數片基板W。載具C例如為FOUP(front opening unified pod：前開式晶圓盒)。載具C係藉由例如未圖示之外部搬送機構而被載置於載具載置部12上。
搬送空間16設置於載具載置部12之後方XB。於搬送空間16，設置有移送機用搬送機構13。移送機用搬送機構13將基板W搬送至載具C。移送機用搬送機構13進而可將基板W搬送至前部熱處理區塊BA。
例如，移送機用搬送機構13具備：2個手14，其等保持基板W；及手驅動機構15，其驅動各手14。各手14分別保持1片基板W。手驅動機構15使手14於前後方向X、橫向Y及上下方向Z上移動，且使手14以上下方向Z為中心旋轉。藉此，移送機用搬送機構13將基板W搬送至載具C及 前部熱處理區塊BA。
<前部熱處理區塊BA之構造>
參照圖3至圖7。圖6係模式性地顯示搬送機構與載置部之關係之概念圖。附有箭頭之線表示搬送機構進行存取之載置部。再者，所謂「進行存取」係指搬送機構移動至可相對於載置部/處理單元將基板W搬入或搬出之位置。圖7係自移送機部11觀察前部熱處理區塊BA之前視圖。
前部熱處理區塊BA具備：熱處理單元HA、載置部PA、搬送機構TA、及搬送空間AA。熱處理單元HA係對基板W進行熱處理。熱處理例如為加熱處理或冷卻處理。載置部PA載置基板W。載置部PA相當於上述之前部載置部Pf。搬送機構TA將基板W搬送至熱處理單元HA與載置部PA。搬送機構TA不指所有區域搬送機構(設置於每個熱處理單元，用以專門相對於1個熱處理單元搬入/搬出基板之機構)。搬送空間AA為用以設置搬送機構TA之空間。
於本說明書中，例如於簡單敍述「熱處理單元HA」時，指前部熱處理區塊BA之熱處理單元，而非指前部熱處理區塊BA以外之區塊之熱處理單元。對於其他相同名稱之構件，同樣地，亦設為藉由符號區分者。
於俯視時，搬送空間AA配置於前部熱處理區塊BA之橫向Y中央。換言之，於俯視時，搬送空間AA配置於中心面CX上。中心面CX為與前後方向X及上下方向Z平行之平面，即通過處理部17之中心PC之平面。中心面CX為假想面。於俯視時，搬送空間AA於前後方向X上延伸。搬送空間AA到達前部熱處理區塊BA之正面及背面。
前部熱處理區塊BA進而具備：供氣單元SAA，其將清潔之氣體供 給至搬送空間AA；及排氣單元EXA，其將氣體自搬送空間AA排出。供氣單元SAA配置於搬送空間AA之上部，將氣體向下方吹出。排氣單元EXA配置於搬送空間AA之下部。藉此，於搬送空間AA形成向下之氣體之流動(降流)。
搬送機構TA設置於搬送空間AA。搬送機構TA包含搬送機構TAR與搬送機構TAL。搬送機構TAR與搬送機構TAL以相互於橫向Y上排列之方式配置。
熱處理單元HA與載置部PA分別配置於搬送空間AA之兩側方。熱處理單元HA包含：2個熱處理單元HAR，其等配置於搬送空間AA之右側YR；及2個熱處理單元HAL，其等配置於搬送空間AA之左側YL。配置部PA包含：載置部PAR，其配置於搬送空間AA之右側YR；及載置部PAL，其配置於搬送空間AA之左側YL。
熱處理單元HAR及載置部PAR位於搬送機構TAR之右側YR。搬送機構TAR與2個熱處理單元HAR及1個載置部PAR相向。2個熱處理單元HAR與1個載置部PAR係以相互於上下方向Z上排列之方式配置。搬送機構TAR構成為可於上下方向Z上升降，且對熱處理單元HAR及載置部PAR進行存取。
熱處理單元HAL及載置部PAL位於搬送機構TAL之左側YL。搬送機構TAL與2個熱處理單元HAL及1個載置部PAL相向。2個熱處理單元HAL與1個載置部PAL係以相互於上下方向Z上排列之方式配置。搬送機構TAL構成為可於上下方向Z上升降，且對熱處理單元HAL及載置部PAL進行存取。
<前部中繼區塊BB之構造>
參照圖3-6、8。圖8係自移送機部11觀察前部中繼區塊BB之前視圖。
前部中繼區塊BB具備：載置部PB與搬送機構TB。載置部PB載置基板W。搬送機構TB將基板W搬送至載置部PB。
於俯視時，載置部PB配置於前部中繼區塊BB之橫向Y中央。換言之，於俯視時，載置部PB配置於中心面CX上。
複數個載置部PB係以相互於上下方向Z上排列之方式配置。更具體而言，載置部PB包含：載置部PB1、PB2、PB3、PB4。載置部PB1、PB2、PB3、PB4相互於上下方向Z上排列。載置部PB1、PB2、PB3、PB4係自下朝上依此順序排列。
搬送機構TB分別配置於載置部PB之兩側。具體而言，搬送機構TB包含：搬送機構TBR，其配置於載置部PB之右側YR；及搬送機構TBL，其配置於載置部PB之左側YL。搬送機構TBR、TBL分別與載置部PB相向。
換言之，前部中繼區塊BB具備：搬送空間ABR，其形成於載置部PB之右側YR；及搬送空間ABL，其形成於載置部PB之左側YL。於搬送空間ABR設置有搬送機構TBR。於搬送空間ABL設置有搬送機構TBL。
另，於搬送空間ABR、ABL之上部分別設置有供氣單元SABR、SABL。於搬送空間ABR、ABL之下部分別設置有排氣單元EXBR、EXBL。
搬送機構TBR、TBL分別與載置部PB相向。搬送機構TBR構成為可於上下方向Z上升降，且可對載置部PB進行存取。搬送機構TBL構成為可於上下方向Z上升降，且可對載置部PB進行存取。
<液體處理區塊BC之構造>
參照圖3-6、9。圖9係自移送機部11觀察液體處理區塊BC之前視圖。
液體處理區塊BC具備液體處理單元SC與搬送機構TC。液體處理單元SC對基板W進行液體處理。搬送機構TC將基板W搬送至液體處理單元SC。
液體處理區塊BC具有包含於上下方向Z上排列之複數個階層K1、K2、K3、K4之階層構造(參照圖9)。各階層K1、K2、K3、K4分別具有：1個搬送機構TC；及1個以上之液體處理單元SC，其供該搬送機構TC搬送基板W。階層K1、K2、K3、K4係自下朝上依此順序排列。以下，具體地進行說明。
液體處理區塊BC除了液體處理單元SC與搬送機構TC以外，亦具備搬送空間AC。於俯視時，搬送空間AC配置於液體處理區塊BC之橫向Y中央。換言之，於俯視時，搬送空間AC配置於中心面CX上。於俯視時，搬送空間AC於前後方向X上延伸。搬送空間AC到達液體處理區塊BC之正面及背面。
搬送空間AC被劃分為複數個(例如4個)分割搬送空間AC1、AC2、AC3、AC4。分割搬送空間AC1、AC2、AC3、AC4相互於上下方向Z上排列。分割搬送空間AC1、AC2、AC3、AC4自下朝上依此順序排列。
於分割搬送空間AC1、AC2、AC3、AC4之上部，分別設置有供氣單元(未圖示)，於分割搬送空間AC1、AC2、AC3、AC4之下部，分別設置有排氣單元(未圖示)。
液體處理區塊BC亦可具備複數個(例如3個)遮蔽板40。遮蔽板40設 置於在上下方向Z上相鄰之2個分割搬送空間之間，阻斷2個分割搬送空間之氣氛。例如，遮蔽板40設置於分割搬送空間AC1與分割搬送空間AC2之間、分割搬送空間AC2與分割搬送空間AC3之間、及分割搬送空間AC3與分割搬送空間AC4之間。
於分割搬送空間AC1、AC2、AC3、AC4，各設置有1個搬送機構TC。各搬送機構TC以相互於上下方向Z上排列之方式配置。
更具體而言，搬送機構TC包含搬送機構TC1、TC2、TC3、TC4。搬送機構TC1、TC2、TC3、TC4分別設置於分割搬送空間AC1、AC2、AC3、AC4。各搬送機構TC1、TC2、TC3、TC4相互於上下方向Z上排列。各搬送機構TC1、TC2、TC3、TC4係自下朝上依此順序排列。搬送機構TC1係於分割搬送空間AC1內移動，不會到達其他分割搬送空間AC2、AC3、AC4。其他搬送機構TC2、TC3、TC4亦同樣。
液體處理單元SC係分別配置於分割搬送空間AC1、AC2、AC3、AC4之側方。更具體而言，液體處理單元SC包含液體處理單元SC1、SC2、SC3、SC4。液體處理單元SC1分別配置於分割搬送空間AC1之兩側方。於本實施例1中，1個液體處理單元SC1配置於搬送機構TC1之右側YR，另一個液體處理單元SC1配置於搬送機構TC1之左側YL。同樣地，液體處理單元SC2係分別配置於分割搬送空間AC2之兩側方。液體處理單元SC3係分別配置於分割搬送空間AC3之兩側方。液體處理單元SC4係分別配置於分割搬送空間AC4之兩側方。
配置於搬送空間AC之右側YR之液體處理單元SC1、SC2、SC3、SC4相互於上下方向Z上排列。配置於搬送空間AC之左側YL之液體處理單元SC1、SC2、SC3、SC4亦相互於上下方向Z上排列。
搬送機構TC1與設置於兩側方之2個液體處理單元SC1相向。搬送機構TC1構成為可以上下方向Z為中心旋轉，且對2個液體處理單元SC1進行存取。然而，階層K1之搬送機構TC1不對設置於其他階層K2、K3、K4之液體處理單元SC2、SC3、SC4進行存取。同樣地，搬送機構TC2、TC3、TC4分別對液體處理單元SC2、SC3、SC4進行存取。
上述之分割搬送空間ACj、搬送機構TCj、液體處理單元SCj分別為構成階層Kj之要素(其中，j係1、2、3、4中之任一者)。
<後部中繼區塊BD之構造>
參照圖3-6、10。圖10係自移送機部11觀察後部中繼區塊BD之前視圖。
後部中繼區塊BD具備載置部PD與搬送機構TD。載置部PD載置基板W。搬送機構TD將基板W搬送至載置部PD。
後部中繼區塊BD具有與前部中繼區塊BB相同之構造。即，後部中繼區塊BD具備：載置部PD、搬送機構TD、搬送空間ADR、ADL、供氣單元SADR、SADL、及排氣單元EXDR、EXDL。載置部PD包含載置部PD1、PD2、PD3、PD4，搬送機構TD包含搬送機構TDR、TDL。該等後部中繼區塊BD之各要素之相對位置關係與前部中繼區塊BB之各要素之相對位置關係相同。
具體而言，關於後部中繼區塊BD之構造，設為如下者：於上述<前部中繼區塊BB之構造>之說明中，將前部中繼區塊BB改稱作後部中繼區塊BD，將搬送機構TB、TBR、TBL分別改稱作搬送機構TD、TDR、TDL，將載置部PB、PB1、PB2、PB3、PB4分別改稱作載置部PD、PD1、PD2、PD3、PD4，將搬送空間ABR、ABL改稱作搬送空間 ADR、ADL，將供氣單元SABR、SABL改稱作供氣單元SADR、SADL，將排氣單元EXBR、EXBL改稱作排氣單元EXDR、EXDL。
<後部熱處理區塊BE之構造>
參照圖3-6、11。圖11係自移送機部11觀察後部熱處理區塊BE之前視圖。
後部熱處理區塊BE具有與前部熱處理區塊BA相同之構造。即，後部熱處理區塊BE具備：熱處理單元HE、搬送機構TE、搬送空間AE、載置部PE、供氣單元SAE及排氣單元EXE。另，載置部PE相當於上述之後部載置部Pb。熱處理單元HE包含熱處理單元HER與熱處理單元HEL，載置部PE包含載置部PER與載置部PEL，搬送機構TE包含搬送機構TER與搬送機構TEL。後部熱處理區塊BE之各要素之相對位置關係與前部熱處理區塊BA之各要素之相對位置關係相同。例如，搬送機構TER與搬送機構TEL於與搬送機構TAR與搬送機構TAL排列之方向(橫向Y)相同的方向上排列。
具體而言，關於後部熱處理區塊BE之構造，設為如下者：於上述<前部熱處理區塊BA之構造>之說明中，將前部熱處理區塊BA改稱作後部熱處理區塊BE，將搬送機構TA、TAR、TAL分別改稱作搬送機構TE、TER、TEL，將熱處理單元HA、HAR、HAL分別改稱作熱處理單元HE、HER、HEL，將載置部PA、PAR、PAL分別改稱作載置部PE、PER、PEL，將搬送空間AA改稱作搬送空間AE，將供氣單元SAA改稱作供氣單元SAE，將排氣單元EXA改稱作排氣單元EXE。
<處理單元、載置部、及搬送機構之配置>
參照圖12A-12E。圖12A係圖4之箭頭a-a之俯視圖。同樣地，圖 12B-12E分別為圖4之箭頭b-b、c-c、d-d、e-e之俯視圖。
於無需特別區分熱處理單元HAR、HAL、HER、HEL之情形時，將熱處理單元HAR、HAL、HER、HEL稱作「熱處理單元H」，且視為相同。於無需特別區分液體處理單元SC1-SC4之情形時，將液體處理單元SC1-SC4稱作「液體處理單元SC」，且視為相同。於無需特別區分熱處理單元H與液體處理單元SC之情形時，將熱處理單元H與液體處理單元SC稱作「處理單元」，且視為相同。於無需特別區分載置部PAR、PAL、PB1-PB4、PD1-PD4、PER、PEL之情形時，將載置部PAR、PAL、PB1-PB4、PD1-PD4、PER、PEL稱作「載置部P」，且視為相同。於無需特別區分搬送機構TAR、TAL、TBR、TBL、TC1-TC4、TDR、TDL、TER、TEL之情形時，將搬送機構TAR、TAL、TBR、TBL、TC1-TC4、TDR、TDL、TER、TEL稱作「搬送機構T」，且視為相同。
如圖12A-12E所示，處理部17之正面17f、處理單元、載置部P、及搬送機構T之相對位置關係和處理部17之背面17b、處理單元、載置部P、及搬送機構T之相對位置關係相同。換言之，處理單元、載置部P及搬送機構T之相對於處理部17之正面17f的各位置與處理單元、載置部P及搬送機構T之相對於處理部17之背面17b的各位置相同。
具體而言，處理部17之正面17f、熱處理單元H、及液體處理單元SC之相對位置關係和處理部17之背面17b、熱處理單元H、及液體處理單元SC之相對位置關係相同。換言之，熱處理單元H及液體處理單元SC之相對於處理部17之正面17f之各位置與熱處理單元H及液體處理單元SC之相對於處理部17之背面17b的各位置相同。
處理部17之正面17f與載置部P之相對位置關係和處理部17之背面17b與載置部P之相對位置關係相同。換言之，載置部P之相對於處理部17之正面17f之各位置與載置部P之相對於處理部17之背面17b的各位置相同。
處理部17之正面17f與搬送機構T之相對位置關係和處理部17之背面17b與搬送機構T之相對位置關係相同。換言之，搬送機構T之相對於處理部17之正面17f之各位置與搬送機構T之相對於處理部17之背面17b的各位置相同。
處理單元、載置部P及搬送機構T於俯視時點對稱地配置。
具體而言，處理單元於俯視時點對稱地配置。點對稱之中心(即，對稱點)例如為俯視時之處理部17之中心PC。熱處理單元H於俯視時點對稱地配置(參照圖12C)。液體處理單元SC於俯視時點對稱地配置(參照圖12A-12E)。載置部P於俯視時點對稱地配置(參照圖12A-12E)。搬送機構T於俯視時點對稱地配置(參照圖12A-12E)。
處理部17右部之處理單元、載置部P及搬送機構T與處理部17左部之處理單元、載置部P及搬送機構T對稱地配置。簡言之，處理單元、載置部P及搬送機構T左右對稱地配置。若詳細而言，則處理單元、載置部P及搬送機構T於俯視及前視之至少任一者時左右對稱地配置。此處，處理部17之右部係例如為處理部17中，較中心面CX右側YR之部分。處理部17之左部係例如為處理部17中較中心面CX左側YL之部分。
參照圖12A-12E。處理單元於俯視時左右對稱地配置(參照圖12A-12E)。熱處理單元H於俯視時左右對稱地配置(參照圖12C)。液體處理單元SC於俯視時左右對稱地配置(參照圖12A-12E)。載置部P於俯視時左右 對稱地配置(參照圖12A-12E)。搬送機構T於俯視時左右對稱地配置(參照圖12A-12E)。如此，處理單元、載置部P及搬送機構T於俯視時左右對稱地配置。線對稱之對稱軸例如為俯視時之中心面CX。中心面CX係與前後方向X及上下方向Z平行之平面，即通過處理部17之中心PC之平面。因此，俯視時之中心面CX係相當於與前後方向X平行之直線，即通過處理部17之中心PC之直線。
參照圖7-11。處理單元於前視時左右對稱地配置(參照圖7、9、11)。熱處理單元H於前視時左右對稱地配置(參照圖7、11)。液體處理單元SC於前視時左右對稱地配置(參照圖9)。載置部P於前視時左右對稱地配置(參照圖7-11)。搬送機構T於前視時左右對稱地配置(參照圖7-11)。如此，處理單元、載置部P及搬送機構T於前視時左右對稱地配置。線對稱之對稱軸例如為前視時之中心面CX。前視時之中心面CX相當於與上下方向Z平行之直線，即通過處理部17之中心PC之直線。
處理部17前部之處理單元、載置部P及搬送機構T與處理部17後部之處理單元、載置部P及搬送機構T對稱地配置。簡言之，處理單元、載置部P及搬送機構T係前後對稱地配置。若詳細而言，則處理單元、載置部P及搬送機構T於俯視及側視之至少任一者時前後對稱地配置。此處，處理部17之前部例如為處理部17中較中心面CY前方XF之部分。處理部17之後部例如為處理部17中較中心面CY後方YL之部分。中心面CY為與前後方向X正交之平面，即通過處理部17之中心PC之平面。
參照圖12A-12E。處理單元於俯視時前後對稱地配置(參照圖12A-12E)。熱處理單元H於俯視時前後對稱地配置(參照圖12C)。液體處理單元SC於俯視時前後對稱地配置(參照圖12A-12E)。載置部P於俯視時前後 對稱地配置(參照圖12A-12E)。搬送機構T於俯視時前後對稱地配置(參照圖12A-12E)。如此，處理單元、載置部P及搬送機構T於俯視時前後對稱地配置。線對稱之對稱軸例如為俯視時之中心面CY。俯視時之中心面CY相當於與前後方向X正交之直線，即通過處理部17之中心PC之直線。
參照圖4、5。處理單元於側視時前後對稱地配置。熱處理單元H於側視時前後對稱地配置。液體處理單元SC於側視時前後對稱地配置。載置部P於側視時前後對稱地配置。搬送機構T於側視時前後對稱地配置。如此，處理單元、載置部P及搬送機構T於側視時前後對稱地配置。線對稱之對稱軸例如為側視時之中心面CY。側視時之中心面CY相當於與上下方向Z平行之直線，即通過處理部17之中心PC之直線。
<移送機部11與區塊BA之關係>
參照圖3-6。移送機部11與搬送機構TA相互搬送基板W。具體而言，載置部PA(載置部PAR及載置部PAL)對移送機部11(搬送空間16)開放。移送機用搬送機構13對載置部PA進行存取。藉此，移送機用搬送機構13與搬送機構TAR經由載置部PAR相互搬送基板W。移送機用搬送機構13與搬送機構TAL經由載置部PAL相互搬送基板W。
<前部熱處理區塊BA與前部中繼區塊BB之關係>
搬送機構TA與搬送機構TB經由前部熱處理區塊BA之載置部PA相互搬送基板W。
具體而言，搬送機構TBR與載置部PAR於前後方向X上排列。載置部PAR對搬送空間ABR開放。搬送機構TBR與載置部PAR相向。搬送機構TBR構成為可以上下方向Z為中心旋轉，且對載置部PAR進行存取。藉此，搬送機構TAR與搬送機構TBR可經由載置部PAR相互搬送基板W。
同樣地，搬送機構TBL與載置部PAL於前後方向X上排列。載置部PAL對搬送空間ABL開放。搬送機構TBL與載置部PAL相向。搬送機構TBL構成為可以上下方向Z為中心旋轉，且對載置部PAL進行存取。藉此，搬送機構TAL與搬送機構TBL可經由載置部PAL相互搬送基板W。
進而，搬送機構TA與搬送機構TB經由前部中繼區塊BB之載置部PB相互搬送基板W。
具體而言，載置部PB與搬送空間AA於前後方向X上排列。即，搬送機構TAR與載置部PB大致於前後方向上排列，搬送機構TAL與載置部PB大致於前後方向上排列。各載置部PB對搬送空間AA開放。搬送機構TAR與載置部PB相向。搬送機構TAL亦與載置部PB相向。搬送機構TAR、TAL分別於上下方向Z上升降，且以上下方向Z為中心旋轉，藉此對載置部PB1-PB4進行存取。藉此，搬送機構TAR與搬送機構TBR可經由載置部PB1-PB4相互搬送基板W。搬送機構TAL與搬送機構TBL可經由載置部PB1-PB4相互搬送基板W。
<移送機部11、區塊BA及區塊BB之關係>
移送機用搬送機構13與搬送機構TB可不使用搬送機構TA而相互搬送基板W。
具體而言，載置部PAR與移送機用搬送機構13及搬送機構TBR之兩者相向。移送機用搬送機構13與搬送機構TBR可經由載置部PAR相互搬送基板W。即，移送機用搬送機構13與搬送機構TBR可跳過搬送機構TA相互搬送基板W。
同樣地，載置部PAL與移送機用搬送機構13與搬送機構TBL之兩者相向。移送機用搬送機構13與搬送機構TBL可經由載置部PAL相互搬送 基板W。即，移送機用搬送機構13與搬送機構TBL可跳過搬送機構TA相互搬送基板W。
<區塊BB與區塊BC之關係>
搬送機構TB與搬送機構TC可相互搬送基板W。以下，具體地進行說明。
搬送空間AC與載置部PB係於前後方向X上排列。載置部PB1、PB2、PB3、PB4係分別配置於與分割搬送空間AC1、AC2、AC3、AC4相向之位置。載置部PB1、PB2、PB3、PB4分別對分割搬送空間AC1、AC2、AC3、AC4開放。各搬送機構TC1、TC2、TC3、TC4分別與載置部PB1、PB2、PB3、PB4相向。
各搬送機構TC1、TC2、TC3、TC4分別構成為可於前後方向X上移動，且對載置部PB1、PB2、PB3、PB4進行存取。藉此，搬送機構TC1與搬送機構TBR、TBL經由載置部PB1相互搬送基板W。搬送機構TC2與搬送機構TBR、TBL經由載置部PB2相互搬送基板W。搬送機構TC3與搬送機構TBR、TBL經由載置部PB3相互搬送基板W。搬送機構TC4與搬送機構TBR、TBL經由載置部PB4相互搬送基板W。
<區塊BA、區塊BB及區塊BC之關係>
搬送機構TA與搬送機構TC可不使用搬送機構TB而相互搬送基板W。
具體而言，載置部PB1與搬送機構TC1及搬送機構TAR、TAL相向。搬送機構TC1與搬送機構TAR、TAL可經由載置部PB1相互搬送基板W。即，搬送機構TC1與搬送機構TAR、TAL可跳過搬送機構TBR、TBL相互搬送基板W。
同樣地，搬送機構TC2與搬送機構TAR、TAL係可經由載置部PB2相互搬送基板W。搬送機構TC3與搬送機構TAR、TAL係可經由載置部PB3相互搬送基板W。搬送機構TC4與搬送機構TAR、TAL係可經由載置部PB4相互搬送基板W。
<區塊BC與區塊BD之關係>
液體處理區塊BC與後部中繼區塊BD之關係，和前部中繼區塊BB與液體處理區塊BC之關係相同。即，搬送機構TC與搬送機構TD經由載置部PD相互搬送基板W。具體而言，搬送機構TC1與搬送機構TDR、TDL經由載置部PD1相互搬送基板W。搬送機構TC2與搬送機構TDR、TDL經由載置部PD2相互搬送基板W。搬送機構TC3與搬送機構TDR、TDL經由載置部PD3相互搬送基板W。搬送機構TC4與搬送機構TDR、TDL經由載置部PD4相互搬送基板W。
<區塊BD與區塊BE之關係>
後部中繼區塊BD與後部熱處理區塊BE之關係，和前部中繼區塊BB與前部熱處理區塊BA之關係相同。
即，搬送機構TD與搬送機構TE經由後部中繼區塊BD之載置部PD相互搬送基板W。於本實施例中，搬送機構TDR與搬送機構TER、TEL經由載置部PD1-PD4相互搬送基板W。
再者，搬送機構TD與搬送機構TE經由後部熱處理區塊BE之載置部PE相互搬送基板W。具體而言，搬送機構TDR與搬送機構TER經由載置部PER相互搬送基板W。搬送機構TDL與搬送機構TEL經由載置部PEL相互搬送基板W。
<區塊BC、區塊BD及區塊BE之關係>
液體處理區塊BC、後部中繼區塊BD及後部熱處理區塊BE之關係，和液體處理區塊BC、前部中繼區塊BB及前部熱處理區塊BA之關係相同。即，搬送機構TC與搬送機構TE可不使用搬送機構TD而相互搬送基板W。
於本實施例中，搬送機構TC1與搬送機構TER、TEL經由載置部PD1相互搬送基板W。搬送機構TC2與搬送機構TER、TEL經由載置部PD2相互搬送基板W。搬送機構TC3與搬送機構TER、TEL經由載置部PD3相互搬送基板W。搬送機構TC4與搬送機構TER、TEL經由載置部PD4相互搬送基板W。
<後部熱處理區塊BE與曝光機EXP之關係>
搬送機構TE與曝光機EXP相互搬送基板W。具體而言，各載置部PE對曝光機EXP開放。曝光機EXP對載置部PER與載置部PEL進行存取。藉此，搬送機構TER與曝光機EXP經由載置部PER相互搬送基板W。搬送機構TEL與曝光機EXP經由載置部PEL相互搬送基板W。
<前部熱處理區塊BA之各要素之構造>
例示各要素之構造。此處，於不同之要素(例如熱處理板HA與熱處理板HE)具有同種構件之情形時，藉由對該構件標註共通之符號而省略詳細之說明。例如，於熱處理板HA具有板21，熱處理板HE具有與板21同種之板時，將熱處理板HE之板記載為「板21」。
參照圖3-5、7。熱處理單元HA具備：板21、腔室23及擋板24。熱處理板21載置基板W。於板21之內部或外部，安裝有調節板21之溫度之調溫機器(例如，加熱器等發熱機器或散熱片等吸熱機器)。板21對板21上之基板W賦予熱，或自板21上之基板W奪取熱，而將基板W調整至特 定之溫度(即進行熱處理)。腔室23收容板21。腔室23具有形成於腔室23之表面之基板搬送口23a。基板搬送口23a配置於與搬送機構TA相向之位置。換言之，基板搬送口23a配置於與搬送空間AA相接之位置。擋板24將基板搬送口23a開閉。於圖7中，封閉熱處理單元HAR之腔室23，而開放熱處理單元HAL之腔室23。
載置部PA具備供載置基板W之板26。板26設置於擱架27上。板26並未由腔室等封閉，而基本上於水平方向(前後方向X及橫向Y)上開放。因此，不僅搬送機構TA可容易地對載置部PA進行存取，移送機用搬送機構13或搬送機構TB等亦可容易地對載置部PA進行存取。
搬送機構TA具備導引軸部31、驅動機構32及一對手33。導引軸部31於上下方向Z上延伸。驅動機構32安裝於導引軸部31。驅動機構32沿著導引軸部31升降，且繞導引軸部31旋轉。再者，驅動機構32相對於導引軸部31於水平方向上進退移動(伸縮)。例如，驅動機構32亦可具備能夠伸縮之連桿機構(未圖示)。一對手33安裝於驅動機構32。各手33以水平姿勢保持1片基板W。
<前部中繼區塊BB之各要素之構造>
參照圖3-5、8。載置部PB具有與載置部PA大致相同之構造。即，載置部PB具備安裝於擱架27之板26。
搬送機構TB具有與搬送機構TA大致相同之構造。即，搬送機構TB具備導引軸部31、驅動機構32及手33。
<液體處理區塊BC之各要素之構造>
參照圖3-5、9。液體處理單元SC1、SC2對基板W進行塗佈處理。液體處理單元SC1、SC2具有大致相同之構造。具體而言，液體處理單元 SC1、SC2分別具備旋轉保持部41、護罩42、噴嘴43、腔室44、及擋板45。旋轉保持部41可旋轉地保持基板W。護罩42設置於旋轉保持部41之周圍，回收飛濺之處理液。噴嘴43將塗膜材料作為處理液噴出至基板W。塗膜材料例如為抗蝕劑膜材料。噴嘴43設置為可遍及旋轉保持部41上方之處理位置、與自護罩42上方偏移之退避位置之間而移動。腔室44收容旋轉保持部41、護罩42及噴嘴43。腔室44具有形成於腔室44之表面之基板搬送口44a。液體處理單元SC1之基板搬送口44a配置於與搬送機構TC1相向之位置。換言之，液體處理單元SC1之基板搬送口44a配置於與分割搬送空間AC1相接之位置。同樣地，液體處理單元SC2之基板搬送口44a配置於與搬送機構TC2相向之位置。擋板45將基板搬送口44a開閉。於圖9中，封閉液體處理單元SC1之腔室44，而開放液體處理單元SC2之腔室44。
液體處理單元SC3、SC4對基板W進行顯影處理。液體處理單元SC3、SC4具有大致相同之構造。液體處理單元SC3、SC4分別具備：旋轉保持部51、護罩52、噴嘴53、腔室54及擋板55。旋轉保持部51可旋轉地保持基板W。護罩52配置於旋轉保持部51之周圍，回收飛濺之處理液。噴嘴53對基板W噴出顯影液(處理液)。噴嘴53設置為可遍及旋轉保持部51上方之處理位置、與自護罩52上方偏移之退避位置之間移動。腔室54收容旋轉保持部51、護罩52及噴嘴53。腔室54具有形成於腔室54之表面之基板搬送口54a。液體處理單元SC3之基板搬送口54a配置於與搬送機構TC3相向之位置。液體處理單元SC4之基板搬送口54a配置於與搬送機構TC4相向之位置。擋板55將基板搬送口54a開閉。於圖9中，封閉液體處理單元SC3之腔室54，開放而液體處理單元SC4之腔室54。
搬送機構TC具備：驅動機構61與1對手62。驅動機構61係例如安裝於遮蔽板40。手62係安裝於驅動機構61。驅動機構61使各手62於各種方向X、Y、Z移動，且使各手62以上下方向Z為中心旋轉。各手62保持基板W。
<後部中繼區塊BD之各要素之構造>
參照圖3-5、10。載置部PD具有與載置部PA大致相同之構造。即，載置部PD具備安裝於擱架27之板26。
搬送機構TD具有與搬送機構TA大致相同之構造。即，搬送機構TD具備導引軸部31、驅動機構32及手33。
<後部熱處理區塊BE之各要素之構造>
參照圖3-5、11。熱處理單元HE具有與熱處理單元HA大致相同之構造。即，熱處理單元HE具備板21、腔室23及擋板24。
載置部PE具有與載置部PA大致相同之構造。即，載置部PE具備安裝於擱架27之板26。
搬送機構TE具有與搬送機構TA大致相同之構造。即，搬送機構TE具備導引軸部31、驅動機構32及手33。
<區塊之連接構造>
參照圖3-5、圖7-11。前部熱處理區塊BA進而具備框架FA。框架FA支持熱處理單元HA、搬送機構TA及載置部PA。框架FA具有大致箱形狀，且收容熱處理單元HA、載置部PA及搬送機構TA。框架FA具有用以使載置部PA對處理部17之前方XF開放之開口17fa(參照圖1B)。再者，框架FA具有用以使載置部PA分別對前部中繼區塊BB開放之開口(未圖示)。
同樣地，其他區塊BB、BC、BD、BE分別具備框架FB、FC、FD、 FE。各框架FB-FE分別支持區塊BB-BE之處理單元、載置部、搬送機構等。各框架FB-FE分別具有大致箱形狀，且收容區塊BB-BE之要素。各框架FB、FC、FD、FE分別具有用以使載置部PB、PD、PE對鄰接之區塊開放之開口(未圖示)。再者，框架FE具有用以使載置部PE對處理部17之後方XB開放之開口17ba(參照圖1B)。
區塊BA-BB之連接係藉由框架FA-FB之連結而實現。區塊BB-BC、BC-BD、BD-BE之連接係分別藉由框架FB-FC、FC-FD、FD-FE之連結而實現。
於製造基板處理裝置1時，首先，組裝區塊BA。例如，於框架FA安裝熱處理單元HA、搬送機構TA及載置部PA。同樣地，將區塊BB、BC、BD、BE個別地組裝。繼而，將各區塊BA、BB、BC、BD、BE相互連接，並將移送機部11連接於區塊BA。
<控制系統之構成>
圖13係基板處理裝置1之控制區塊圖。基板處理裝置1進而具備控制部67。
控制部67例如設置於處理部17。控制部67總括地控制移送機部11及處理部17。具體而言，控制移送機部11之移送機用搬送機構13之動作，且控制設置於區塊BA-BE之各搬送機構及設置於區塊BA、BC、BE之各處理單元之動作。
控制部67係藉由執行各種處理之中央運算處理裝置(CPU)、成為運算處理之作業區域之RAM(Random-Access Memory：隨機存取記憶體)、固定磁碟等記憶媒體等而實現。於記憶媒體，記憶有用以對基板W進行處理之處理程序(處理程式)、或用以識別各基板W之資訊等各種資 訊。
<處理部17對基板W進行之處理例>
圖14係例示對基板進行之處理之順序的流程圖。
處理部17例如對基板W依序進行塗佈處理、塗佈後熱處理、顯影處理、顯影後熱處理。此時，於塗佈後熱處理之後、且顯影處理之前，由曝光機EXP對基板W進行曝光處理。塗佈後熱處理為接著塗佈處理而進行之熱處理。顯影後熱處理為接著顯影處理而進行之熱處理。塗佈後熱處理與顯影後熱處理分別為本發明之液體處理後熱處理之例。
無論於將處理部17之正面17f與移送機部11連接之情形時，抑或於處理部17之背面17b與移送機部11連接之情形時，處理部17均可對基板W進行上述之一連串處理。即，處理部17於將處理部17之正面17f與移送機部11連接時對基板W所進行之處理和處理部17於將處理部17之背面17b與移送機部11連接時對基板W所進行的處理相同。
於以下，說明將正面17f與移送機部11連接時之2個動作例、與將背面17b與移送機部11連接時之2個動作例。
<基板處理裝置1之動作例1>
動作例1係將正面17f與移送機部11連接時之動作例。圖15係模式地顯示動作例1中基板W於區塊BA-BE間移動之狀態的概念圖。於圖15中，為了方便起見，於液體處理單元SC1、SC2附註意為塗佈處理之「COAT」，於液體處理單元SC3、SC4附註意為顯影處理之「DEV」。圖16係顯示動作例1之基板W之搬送路徑之圖。
如圖15、16所示，於動作例1中，沿著第1路徑搬送一部分之基板W，沿著與第1路徑不同之第2路徑搬送其他基板W。
參照圖16。第1路徑包含第1去路與第1返路。第2路徑包含第2去路與第2返路。第1去路與第2去路係基板W自移送機部11進入處理部17後自處理部17朝曝光機EXP出來之路徑。第1返路與第2返路係基板W自曝光機EXP進入處理部17後自處理部17朝移送機部11出來的基板W之路徑。
以下，分為移送機部11、處理部17及曝光機EXP之各動作說明動作例1。
[移送機部11之動作(供給基板W)]
移送機用搬送機構13自載具C搬出1片基板W，並將該基板W載置於載置部PAR上。繼而，移送機用搬送機構13自載具C搬出1片基板W，並將該基板W載置於載置部PAL上。其後，移送機用搬送機構13再次將基板W自載具C搬送至載置部PAR。如此，移送機用搬送機構13交替地將基板W逐片搬送至載置部PAR與載置部PAL。
[處理部17之動作(去路)]
由於與第1去路相關之動作和與第2去路相關之動作類似，故為了方便起見，說明與第1去路相關之動作。另，與第2去路相關之動作相當於如下者：於以下之說明中，將搬送機構TBR、TC1、TER分別改稱作搬送機構TBL、TC2、TEL，將載置部PAR、PB1、PD1、PER分別改稱作載置部PAL、PB2、PD2、PEL，將處理單元SC1、HER分別改稱作處理單元SC2、HEL。
搬送機構TBR取得載置部PAR上之基板W，並將該基板W搬送至載置部PB1。搬送機構TC1取得載置部PB1上之基板W，並將該基板W搬送至液體處理單元SC1。此處，搬送機構TC1將基板W交替地搬送至2個液體處理單元SC1。
於搬送機構TC1將基板W搬送至液體處理單元SC1時，擋板45將基板搬送口44a暫時開放。藉此，容許手62進入至腔室44內。於手62退出至腔室44之外部後，擋板45再次將基板搬送口44a封閉。藉此，液體處理單元SC1於封閉腔室44之狀態下，進行液體處理。
液體處理單元SC1對基板W塗佈塗膜材料(步驟S1)。具體而言，旋轉保持部41保持基板W。噴嘴43自退避位置移動至處理位置。旋轉保持部41使基板W旋轉，噴嘴43噴出塗膜材料。塗膜材料被塗佈於基板W之表面。塗膜材料之一部分自基板W被甩開而由護罩42回收。
當塗佈處理結束時，搬送機構TC1將基板W自液體處理單元SC1搬出。此時，腔室44亦對分割搬送空間AC1開放。然後，搬送機構TC1將該基板W搬送至載置部PD1。
另，搬送機構TC1亦可於保持自載置部PB1取得之未處理之基板W之狀態下，自液體處理單元SC1搬出已處理之基板W，繼而，將未處理之基板W搬入至液體處理單元SC1。
搬送機構TER自載置部PD1取得基板W，並搬送至熱處理單元HER。此處，搬送機構TER將基板W交替地搬送至2個熱處理單元HER。於搬送機構TER將基板W搬送至熱處理單元HER時，擋板24將基板搬送口23a暫時開放。藉此，容許搬送機構TER之手33進入至腔室23內。於手33退出至腔室23之外部後，擋板24再次將基板搬送口23a封閉。藉此，熱處理單元HER於封閉腔室23之狀態下，進行熱處理。
熱處理單元HER對基板W進行塗佈後熱處理(步驟S2)。
當塗佈後熱處理結束時，搬送機構TER將基板W自熱處理單元HER搬出。此時，腔室23亦對搬送空間AE開放。然後，搬送機構TER將該基 板W搬送至載置部PER。
以上係與第1去路相關之動作。與第1去路相關之動作和與第2去路相關之動作亦可並行地進行。
[曝光機EXP之動作]
載置部PER及載置部PEL上之基板W被搬送至曝光機EXP。曝光機EXP對基板W進行曝光處理(步驟S3)。當曝光處理結束時，將基板W自曝光機EXP搬送至載置部PER及載置部PEL。
[處理部17之動作(返路)]
由於與第1返路相關之動作和與第2返路相關之動作類似，故為了方便起見，說明與第1返路相關之動作。另，與第2返路相關之動作相當於如下者：於以下之說明中，將搬送機構TAR、TC3、TDR分別改稱作搬送機構TAL、TC4、TDL，將載置部PAR、PB3、PD3、PER分別改稱作載置部PAL、PB4、PD4、PEL，將處理單元SC3、HAR改稱作處理單元SC4、HAL。
搬送機構TDR自載置部PER搬送至載置部PD3。搬送機構TC3將基板W自載置部PD3搬送至液體處理單元SC3。此處，搬送機構TC3將基板W交替地搬送至2個液體處理單元SC3。
於搬送機構TC3將基板W搬送至液體處理單元SC3時，擋板55將基板搬送口54a暫時開放。
液體處理單元SC3對基板W供給顯影液(步驟S4)。具體而言，旋轉保持部51保持基板W。噴嘴53自退避位置移動至處理位置。噴嘴53噴出顯影液。顯影液覆蓋基板W之表面。此時，旋轉保持部51亦可使基板W旋轉。經過特定之時間後，自基板W上去除顯影液。例如，亦可藉由由 旋轉保持部51使基板W旋轉而將顯影液自基板W上甩開。或，亦可由與噴嘴53不同之噴嘴(未圖示)將清洗液供給至基板W，而將基板W上之顯影液置換為清洗液。顯影液等係由護罩52回收。
當顯影處理結束時，搬送機構TC3將基板W自液體處理單元SC3搬出。此時，腔室54亦對分割搬送空間AC3開放。然後，搬送機構TC3將該基板W搬送至載置部PB3。
搬送機構TAR自載置部PB3搬送至熱處理單元HAR。此處，搬送機構TAR將基板W交替地搬送至2個熱處理單元HAR。於搬送機構TAR將基板W搬送至熱處理單元HAR時，擋板24使熱處理單元HAR之腔室23開閉。
熱處理單元HAR對基板W進行顯影後熱處理(步驟S5)。
當顯影後熱處理結束時，搬送機構TAR將基板W自熱處理單元HAR搬出。此時，腔室23亦對搬送空間AA開放。然後，搬送機構TAR將該基板W搬送至載置部PAR。
以上係與第1返路相關之動作。與第1返路相關之動作和與第2返路相關之動作亦可並行地進行。
[移送機部11動作(回收基板W)]
移送機用搬送機構13將基板W自載置部PAR搬送至載具C。繼而，移送機用搬送機構13將基板W自載置部PAL搬送至載具C。其後，移送機用搬送機構13再次將基板W自載置部PAR搬送至載具C。如此，移送機用搬送機構13交替地自載置部PAR與載置部PAL將基板W逐片搬出。
另，繼取得載置部PAR上之基板W之動作之後，移送機用搬送機構13可接著將另一基板W載置於載置部PAR。同樣地，繼取得載置部PAL 上之基板W之動作之後，移送機用搬送機構13可接著將另一基板W載置於載置部PAL。
<基板處理裝置1之動作例2>
動作例2係將背面17b與移送機部11連接時之動作例。圖17係模式地顯示動作例2中基板W於區塊BA-BE間移動之狀態的概念圖。圖18係顯示動作例2之基板W之搬送路徑之圖。
如圖17、18所示，於動作例2中，沿著第3路徑搬送一部分之基板W，沿著與第3路徑不同之第4路徑搬送其他基板W。第3路徑包含第3去路與第3返路。第4路徑包含第4去路與第4返路。
以下，分為移送機部11、處理部17及曝光機EXP之各動作說明動作例2。另，針對與動作例1共通之動作係適當地省略說明。
[移送機部11之動作(供給基板W)]
移送機用搬送機構13將基板W自載具C搬送至載置部PER、PEL。
[處理部17之動作(去路)]
由於與第3去路相關之動作和與第4去路相關之動作類似，故為了方便起見，說明與第3去路相關之動作。
搬送機構TDR將基板W自載置部PER搬送至載置部PD1。搬送機構TC1將基板W自載置部PD1搬送至液體處理單元SC1。
液體處理單元SC1對基板W塗佈塗膜材料(步驟S1)。
當塗佈處理結束時，搬送機構TC1將基板W自液體處理單元SC1搬送至載置部PB1。此時，搬送機構TAR將基板W自載置部PB1搬送至熱處理單元HAR。
熱處理單元HAR對基板W進行塗佈後熱處理(步驟S2)。
當塗佈後熱處理結束時，搬送機構TAR將基板W自熱處理單元HAR搬送至載置部PAR。
[曝光機EXP之動作]
基板W自載置部PAR、PAL被搬送至曝光機EXP。曝光機EXP對基板W進行曝光處理(步驟S3)。當曝光處理結束時，基板W自曝光機EXP被搬送至載置部PAR、RAL。
[處理部17之動作(返路)]
由於與第3返路相關之動作和與第4返路相關之動作類似，故為了方便起見，說明與第3返路相關之動作。
搬送機構TBR自載置部PAR搬送至載置部PB3。搬送機構TC3將基板W自載置部PB3搬送至液體處理單元SC3。
液體處理單元SC3將顯影液供給至基板W(步驟S4)。
當顯影處理結束時，搬送機構TC3將基板W自液體處理單元SC3搬送至載置部PD3。搬送機構TER自載置部PD3搬送至熱處理單元HER。
熱處理單元HER對基板W進行顯影後熱處理(步驟S5)。
當顯影後熱處理結束時，搬送機構TER將基板W自熱處理單元HER搬送至載置部PER。
[移送機部11之動作(回收基板W)]
移送機用搬送機構13將基板W自載置部PER、PEL搬送至載具C。
<基板處理裝置1之動作例3>
動作例3係將正面17f與移送機部11連接時之動作例。圖19係模式性地顯示動作例3中基板W於區塊BA-BE間移動之狀態的概念圖。圖20係顯示動作例3之基板W之搬送路徑之圖。
如圖19、20所示，於動作例3中，沿著第5路徑搬送一部分之基板W，沿著與第5路徑不同之第6路徑搬送其他基板W。第5路徑包含第5去路與第5返路。第6路徑包含第6去路與第6返路。為了說明之方便起見，將沿著第5路徑搬送之基板W表記為「基板W1」，將沿著第6路徑搬送之基板W表記為「基板W2」。
以下，分為移送機部11、處理部17及曝光機EXP之各動作說明動作例3。另，針對與動作例1、2共通之動作係適當地省略說明。
[移送機部11之動作(供給基板W)]
移送機用搬送機構13將基板W1自載具C搬送至載置部PAR，並將基板W2自載具C搬送至載置部PAL。
[處理部17之動作(去路)]
搬送機構TBR將基板W1自載置部PAR搬送至載置部PB1。搬送機構TC1將基板W1自載置部PB1搬送至液體處理單元SC1。液體處理單元SC1對基板W1進行塗佈處理(步驟S1)。同樣地，搬送機構TBL將基板W2自載置部PAL搬送至載置部PB2。搬送機構TC2將基板W2自載置部PB2搬送至液體處理單元SC2。液體處理單元SC2對基板W2進行塗佈處理(步驟S1)。
當塗佈處理結束時，將基板W1搬送至前部熱處理區塊BA，將基板W2搬送至後部熱處理區塊BE。藉此，前部熱處理區塊BA對基板W1進行塗佈後熱處理，後部熱處理區塊BE對基板W2進行塗佈後熱處理。
具體而言，搬送機構TC1將基板W1自液體處理單元SC1搬送至載置部PB1。搬送機構TAL將基板W1自載置部PB1搬送至熱處理單元HAL。熱處理單元HAL對基板W1進行塗佈後熱處理(步驟S2)。另一方面，搬送 機構TC2將基板W2自液體處理單元SC2搬送至載置部PD2。搬送機構TER將基板W2自載置部PD2搬送至熱處理單元HER。熱處理單元HER對基板W2進行塗佈後熱處理(步驟S2)。
當塗佈後熱處理結束時，搬送機構TAL將基板W1自熱處理單元HAL搬送至載置部PB1。搬送機構TC1將基板W1自載置部PB1搬送至載置部PD1。搬送機構TEL將基板W1自載置部PD1搬送至載置部PEL。另一方面，搬送機構TER將基板W2自熱處理單元HER搬送至載置部PER。
[曝光機EXP之動作]
基板W1自載置部PEL被搬送至曝光機EXP。基板W2自載置部PER被搬送至曝光機EXP。基板W1、W2於曝光機EXP中接收曝光處理(步驟S3)。當曝光處理結束時，基板W1自曝光機EXP被搬送至載置部PEL。基板W2自曝光機EXP被搬送至載置部PER。
[處理部17之動作(返路)]
搬送機構TDL將基板W1自載置部PEL搬送至載置部PD3。搬送機構TC3將基板W1自載置部PD3搬送至液體處理單元SC3。液體處理單元SC3對基板W1進行顯影處理(步驟S4)。同樣地，搬送機構TDR將基板W2自載置部PER搬送至載置部PD4。搬送機構TC4將基板W2自載置部PD4搬送至液體處理單元SC4。液體處理單元SC4對基板W2進行顯影處理(步驟S4)。
當顯影處理結束時，將基板W1搬送至前部熱處理區塊BA，將基板W2搬送至後部熱處理區塊BE。藉此，前部熱處理區塊BA對基板W1進行顯影後熱處理，後部熱處理區塊BE對基板W2進行顯影後熱處理。
具體而言，搬送機構TC3將基板W1自液體處理單元SC3搬送至載置 部PB3。搬送機構TAR將基板W1自載置部PB3搬送至熱處理單元HAR。熱處理單元HAR對基板W1進行顯影後熱處理(步驟S5)。另一方面，搬送機構TC4將基板W2自液體處理單元SC4搬送至載置部PD4。搬送機構TEL將基板W2自載置部PD4搬送至熱處理單元HEL。熱處理單元HEL對基板W2進行顯影後熱處理(步驟S5)。
當顯影後熱處理結束時，搬送機構TAR將基板W1自熱處理單元HAR搬送至載置部PAR。另一方面，搬送機構TEL將基板W2自熱處理單元HEL搬送至載置部PD4。搬送機構TC4將基板W2自載置部PD4搬送至載置部PB4。搬送機構TAL將基板W2自載置部PB4搬送至載置部PAL。
[移送機部11之動作(回收基板W)]
移送機用搬送機構13將基板W1自載置部PAR搬送至載具C。移送機用搬送機構13將基板W2自載置部PAL搬送至載具C。
<基板處理裝置1之動作例4>
動作例4係將背面17b與移送機部11連接時之動作例。圖21係模式地顯示動作例4中基板W於區塊BA-BE間移動之狀態的概念圖。圖22係顯示動作例4之基板W之搬送路徑之圖。
如圖21、22所示，於動作例4中，沿著第7路徑搬送一部分之基板W，沿著與第8路徑不同之第8路徑搬送其他基板W。第7路徑包含第7去路與第7返路。第8路徑包含第8去路與第8返路。為了說明之方便起見，將沿著第7路徑搬送之基板W表記為「基板W1」，將沿著第8路徑搬送之基板W表記為「基板W2」。
以下，分為移送機部11、處理部17及曝光機EXP之各動作說明動作例4。另，針對與動作例1-3共通之動作係適當地省略說明。
[移送機部11之動作(供給基板W)]
移送機用搬送機構13將基板W1、W2自載具C搬送至載置部PER、PEL。
[處理部17之動作(去路)]
搬送機構TDR將基板W1自載置部PER搬送至載置部PD1。搬送機構TC1將基板W1自載置部PD1搬送至液體處理單元SC1。液體處理單元SC1對基板W1進行塗佈處理(步驟S1)。同樣地，搬送機構TDL將基板W2自載置部PEL搬送至載置部PD2。搬送機構TC2將基板W2自載置部PD2搬送至液體處理單元SC2。液體處理單元SC2對基板W2進行塗佈處理(步驟S1)。
當塗佈處理結束時，將基板W1搬送至後部熱處理區塊BE，將基板W2搬送至前部熱處理區塊BA。藉此，後部熱處理區塊BE對基板W1進行塗佈後熱處理，前部熱處理區塊BA對基板W2進行塗佈後熱處理。
具體而言，搬送機構TC1將基板W1自液體處理單元SC1搬送至載置部PD1。搬送機構TEL將基板W1自載置部PD1搬送至熱處理單元HEL。熱處理單元HEL對基板W1進行塗佈後熱處理(步驟S2)。另一方面，搬送機構TC2將基板W2自液體處理單元SC2搬送至載置部PB2。搬送機構TAR將基板W2自載置部PB2搬送至熱處理單元HAR。熱處理單元HAR對基板W2進行塗佈後熱處理(步驟S2)。
當塗佈後熱處理結束時，搬送機構TEL將基板W1自熱處理單元HEL搬送至載置部PD1。搬送機構TC1將基板W1自載置部PD1搬送至載置部PB1。搬送機構TAL將基板W1自載置部PB1搬送至載置部PAL。另一方面，搬送機構TAR將基板W2自熱處理單元HAR搬送至載置部PAR。
[曝光機EXP之動作]
基板W自載置部PAR、PAL被搬送至曝光機EXP，且於曝光機EXP中接收曝光處理(步驟S3)。當曝光處理結束時，基板W自曝光機EXP被搬送至載置部PAR、PAL。
[處理部17之動作(返路)]
搬送機構TBL將基板W1自載置部PAL搬送至載置部PB3。搬送機構TC3將基板W1自載置部PB3搬送至液體處理單元SC3。液體處理單元SC3將顯影液供給至基板W1(步驟S4)。同樣地，搬送機構TBR將基板W2自載置部PAR搬送至載置部PB4。搬送機構TC4將基板W2自載置部PB4搬送至液體處理單元SC4。液體處理單元SC4將顯影液供給至基板W2(步驟S4)。
當顯影處理結束時，將基板W1搬送至後部熱處理區塊BE，將基板W2搬送至前部熱處理區塊BA。藉此，後部熱處理區塊BE對基板W1進行顯影後熱處理，前部熱處理區塊BA對基板W2進行顯影後熱處理。
具體而言，搬送機構TC3將基板W1自液體處理單元SC3搬送至載置部PD3。搬送機構TER將基板W1自載置部PD3搬送至熱處理單元HER。熱處理單元HER對基板W1進行顯影後熱處理(步驟S5)。另一方面，搬送機構TC4將基板W2自液體處理單元SC4搬送至載置部PB4。搬送機構TAL將基板W2自載置部PB4搬送至熱處理單元HAL。熱處理單元HAL對基板W2進行顯影後熱處理(步驟S5)。
當顯影後熱處理結束時，搬送機構TER將基板W1自熱處理單元HER搬送至載置部PER。另一方面，搬送機構TAL將基板W2自熱處理單元HAL搬送至載置部PB4。搬送機構TC4將基板W2自載置部PB4搬送至 載置部PD4。搬送機構TEL將基板W2自載置部PD4搬送至載置部PEL。
[移送機部11之動作(回收基板W)]
移送機用搬送機構13將基板W1、W2自載置部PER、PEL搬送至載具C。
<實施例1之效果>
如上所述，由於正面17f及背面17b任一者均可與移送機部11連接，故可提高處理部17與移送機部11之配置自由度。
由於正面17f及背面17b任一者均可與曝光機EXP連接，故亦可提高處理部17與曝光機EXP之配置自由度。
於將處理部17之正面17f與移送機部11連接之情形時，處理部17進行圖14所示之一連串處理(參照動作例1、3)。於將處理部17之背面17b與移送機部11連接之情形時，處理部17亦進行圖14所示之一連串處理(參照動作例2、4)。即，處理部17於將正面17f與移送機部11連接時對基板W所進行之處理和處理部17於將背面17b與移送機部11連接時對基板W所進行的處理相同。如此，即便於將正面17f及背面17b任一者與移送機部11連接之情形時，處理部17均可對基板W進行相同之處理。因此，即便處理部17與移送機部11之配置改變，處理部17對基板W進行之處理亦不發生變化。因此，可進一步提高處理部17與移送機部11之配置自由度。
如圖12A-12E所示，正面17f、處理單元(H、SC)、載置部P、及搬送機構T之相對位置關係與背面17b、處理單元(H、SC)、載置部P、及搬送機構T之相對位置關係相同。換言之，可使通過正面17f進入處理部17之基板W相關之搬送條件、與通過背面17b進入處理部17之基板W相關之搬送條件實質上相等。此處，基板W之搬送條件係例如基板W之搬送距 離、基板W之搬送方向或基板W之搬送時間等。因此，可較佳地使將正面17f與移送機部11連接時之處理部17之處理品質、與將背面17b與移送機部11連接時之處理部17的處理品質相等。
處理單元(H、SC)、載置部P及搬送機構T於俯視時點對稱地配置。因此，可較佳地使正面17f、處理單元(H、SC)、載置部P、及搬送機構T之相對位置關係和背面17b、處理單元(H、SC)、載置部P、及搬送機構T之相對位置關係一致。
處理部17前部之處理單元(H、SC)、載置部P及搬送機構T與處理部17後部之處理單元(H、SC)、載置部P及搬送機構T對稱地配置。因此，可進一步較佳地使將正面17f與移送機部11連接時之處理部17之處理品質、與將背面17b與移送機部11連接時之處理部17的處理品質相等。
處理部17右部之處理單元(H、SC)、載置部P及搬送機構T與處理部17左部之處理單元(H、SC)、載置部P及搬送機構T對稱地配置。因此，處理部17右側面之處理單元(H、SC)、載置部P及搬送機構T之配置與處理部17左側面之處理單元(H、SC)、載置部P及搬送機構T的配置相同(參照圖12A-12E)。因此，可使處理部17右側面之保養與處理部17左側面之保養共通化。
配置於自處理部17前面開始第i個(其中，i為1以上之整數)之區塊具有與配置於自處理部17後面開始第i個之區塊相同之功能。因此，可進一步較佳地使將正面17f與移送機部11連接時之處理部17之處理品質、與將背面17b與移送機部11連接時之處理部17的處理品質相等。
區塊BH、BT、BC之排列ArF與區塊BH、BT、BC之排列ArB相同。換言之，液體處理區塊BC、熱處理區塊BH及中繼區塊BT於前方XF 上排列之順序與液體處理區塊BC、熱處理區塊BH及中繼區塊BT於後方XB上排列之順序相同。因此，可較佳地使將正面17f與移送機部11連接時之熱處理及液體處理品質、與將背面17b與移送機部11連接時之熱處理及液體處理的處理品質相等。
自處理部17之正面17f朝向背面17b，熱處理區塊BH、中繼區塊BT、液體處理區塊BC、中繼區塊BT、熱處理區塊BH依此順序排列。由於將中繼區塊BT配置於熱處理區塊BH與液體處理區塊BC之間，故可較佳地提高熱處理區塊BH與液體處理區塊BC間之基板W之搬送效率。又，中繼區塊BT可降低熱處理區塊BH對液體處理區塊BC造成之熱影響。具體而言，可由設置於中繼區塊BT之載置部P或搬送機構T較佳地阻止自熱處理單元H放出之熱或氣氛到達液體處理單元SC。此處，熱係例如自熱處理單元H之腔室23之表面散發之熱。氣氛係例如於開閉腔室23時自腔室23內流出至熱處理單元H之外部的熱處理氣體。其結果，液體處理單元SC可品質優異地進行液體處理。
處理部17之前端部與後端部任一者均配置有熱處理區塊BH。因此，無論於將移送機部11配置於處理部17之前方XF上之情形時，抑或於將移送機部11配置於處理部17之後方XB上之情形時，均可較佳地將移送機部11與處理部17連接。
於動作例3、4中，液體處理區塊BC將已進行塗佈處理之基板W1、W2分配(使其分散)至前部熱處理區塊BA及後部熱處理區塊BE。藉此，可於前部熱處理區塊BA及後部熱處理區塊BE並行地進行塗佈後熱處理。
又，液體處理區塊BC將已進行顯影處理之基板W1、W2分配(使其 分散)至前部熱處理區塊BA及後部熱處理區塊BE。藉此，可於前部熱處理區塊BA及後部熱處理區塊BE並行地進行顯影後熱處理。即，可有效地實施顯影後熱處理。
載置部PB1-PB4相互於上下方向Z上排列，搬送機構TBR、TBL配置於載置部PB1-PB4之側方。搬送機構TC1-TC4相互於上下方向Z上排列。再者，載置部PB1配置於與搬送機構TC1相向之位置。同樣地，載置部PB2、PB3、PB4分別配置於與搬送機構TC2、TC3、TC4相向之位置。其結果，搬送機構TC1、TC2、TC3、TC4分別配置於至少任一個載置部PB之後方XB上。根據此種構造，搬送機構TC1-TC4與搬送機構TBR、TBL可經由載置部PB相互搬送基板W。
載置部PD1-PD4相互於上下方向Z上排列，搬送機構TDR、TDL配置於載置部PD1-PD4之側方。再者，載置部PD1-PD4分別配置於與搬送機構TC1-TC4相向之位置。其結果，搬送機構TC1、TC2、TC3、TC4分別配置於至少任一個載置部PD之前方XF上。根據此種構造，搬送機構TC1-TC4與搬送機構TDR、TDL可經由載置部PD1-PD4相互搬送基板W。
搬送機構TAR、TAL於橫向Y上排列。載置部PB1-PB4分別配置於與搬送機構TAR、TAL之兩者相向之位置。其結果，搬送機構TAR、TAL分別配置於至少任一個載置部PB之前方XF上。根據此種構造，搬送機構TAR、TAL與搬送機構TBR、TBL可經由載置部PB相互搬送基板W。
搬送機構TER、TEL於橫向Y上排列。載置部PD1-PD4分別配置於與搬送機構TER、TEL之兩者相向之位置。其結果，搬送機構TER、 TEL分別配置於至少任一個載置部PD之後方XB上。根據此種構造，搬送機構TER、TEL與搬送機構TDR、TDL可經由載置部PD相互搬送基板W。
載置部PAR配置於搬送機構TAR之側方、且與搬送機構TBR相向之位置。搬送機構TBR配置於載置部PAR之後方XB上。因此，搬送機構TAR與搬送機構TBR不僅可經由載置部PB搬送基板W，亦可經由載置部PAR相互搬送基板W。同樣地，載置部PAL配置於搬送機構TAL之側方、且與搬送機構TBL相向之位置。搬送機構TBL配置於載置部PAL之後方XB上。因此，搬送機構TAL與搬送機構TBL不僅可經由載置部PB搬送基板W，亦可經由載置部PAL相互搬送基板W。因此，於前部熱處理區塊BA與前部中繼區塊BB之間，可靈活地搬送基板W。
載置部PER配置於搬送機構TER之側方、且與搬送機構TDR相向之位置。搬送機構TDR配置於載置部PER之前方XF上。因此，搬送機構TER與搬送機構TDR不僅可經由載置部PD搬送基板W，亦可經由載置部PER相互搬送基板W。同樣地，載置部PEL配置於搬送機構TEL之側方、且與搬送機構TDL相向之位置。搬送機構TDL配置於載置部PEL之前方XF上。因此，搬送機構TEL與搬送機構TDL不僅可經由載置部PD搬送基板W，亦可經由載置部PEL相互搬送基板W。因此，於後部熱處理區塊BE與後部中繼區塊BD之間，可靈活地搬送基板W。
搬送機構TAR、TAL與搬送機構TC1-TC4可不使用搬送機構TB而相互搬送基板W。即，搬送機構TAR、TAL與搬送機構TC1-TC4可經由載置部PB相互搬送基板W。因此，由於在前部熱處理區塊BA與液體處理區塊BC之間，故可有效地搬送基板W。
搬送機構TER、TEL與搬送機構TC1-TC4可不使用搬送機構TD而相互搬送基板W。即，搬送機構TER、TEL與搬送機構TC1-TC4可經由載置部PD相互搬送基板W。因此，由於在後部熱處理區塊BE與液體處理區塊BC之間，故可有效地搬送基板W。
液體處理區塊BC較其他區塊BA、BB、BD、BE具有更多之搬送機構。具體而言，液體處理區塊BC之搬送機構TC之數量為4台，是其他區塊BA、BB、BD、BE之一倍。因此，可使液體處理區塊BC之基板W之搬送能力有效地提高。
液體處理單元SC具備液體處理單元SC1、SC2。液體處理單元SC1、SC2為將塗膜材料塗佈於基板W之塗佈單元。因此，可較佳地對基板W進行塗佈處理。液體處理單元SC具備液體處理單元SC3、SC4。液體處理單元C3、SC4係將顯影液供給至基板W之顯影單元。因此，可對基板W較佳地進行顯影處理。
實施例2
其次，參照圖式說明本發明之實施例2。另，關於與實施例1相同之構成係藉由標註相同符號而省略詳細之說明。
<基板處理裝置1之概要>
圖23A係顯示處理部與其他機器之連接之一例的側視圖。於圖23A中，處理部17之正面17f與移送機部11連接。處理部17之背面17b與介面區塊BF連接。介面區塊BF與處理部17可相互搬送基板W。介面區塊BF進而與曝光機EXP連接。介面區塊BF與曝光機EXP亦可相互搬送基板W。移送機部11、處理部17、介面區塊BF、及曝光機EXP於前後方向X上1行地排列。移送機部11、處理部17、介面區塊BF、及曝光機EXP係 朝向後方XB依此順序排列。曝光機EXP例如藉由液浸法對基板W進行曝光處理。介面區塊BF為本發明之介面部之例。
於本實施例2中，介面區塊BF為基板處理裝置1之要素。即，為設置於基板處理裝置1之內部之內部機器。
於圖23A之情形時，基板處理裝置1與曝光機EXP例如以如下方式動作。即，移送機部11將基板W搬送至處理部17。具體而言，移送機部11經由前部載置部Pf，將基板W供給至處理部17。處理部17對基板W進行處理。於處理部17對基板W進行處理時，將基板W自處理部17經由後部載置部Pb搬送至介面區塊BF，進而將基板W自介面區塊BF搬送至曝光機EXP，且於曝光機EXP中對基板W進行曝光處理。當處理部17之處理結束時，將基板W自處理部17經由前部載置部Pf搬送至移送機部11。
圖23B係顯示實施例2之處理部與其他機器之連接之另一例的側視圖。於圖23B中，將背面17b與移送機部11連接。正面17f與介面區塊BF連接。介面區塊BF進而與曝光機EXP連接。移送機部11、處理部17、介面區塊BF、及曝光機EXP係依此順序朝向前方XF而1行地排列。於該情形時，基板處理裝置1與曝光機EXP例如以如下方式動作。即，移送機部11將基板W搬送至處理部17。具體而言，移送機部11經由後部載置部Pb，將基板W供給至處理部17。處理部17對基板W進行處理。於處理部17對基板W進行處理時，將基板W自處理部17經由前部載置部Pf搬送至介面區塊BF，進而將基板W自介面區塊BF搬送至曝光機EXP，且於曝光機EXP中對基板W進行曝光處理。當處理部17之處理結束時，將基板W自處理部17經由後部載置部Pb搬送至移送機部11。
如此，根據本實施例2之基板處理裝置1，正面17f及背面17b之任一 者均可與移送機部11連接。因此，可提高處理部17與移送機部11之配置自由度。
正面17f及背面17b之任一者均可與介面區塊BF連接。因此，可將介面區塊BF配置於處理部17之前方XF上，且亦可將介面區塊BF配置於處理部17之後方XB上。即，亦可提高處理部17與介面區塊BF之配置自由度。
<基板處理裝置1之整體構造>
圖24係實施例2之基板處理裝置1之俯視圖。圖25係圖24之箭頭a-a之側視圖。圖26係圖24之箭頭b-b之側視圖。另，於圖24至26中，為了方便起見，顯示將處理部17之正面17f與移送機部11連接，且將處理部17之背面17b與介面區塊BF連接的例。實施例2之基板處理裝置1於基板W形成抗反射膜、抗蝕劑膜及保護膜，且使基板W顯影。
處理部17具備：2個熱處理區塊BH、2個中繼區塊BT及1個液體處理區塊BC。區塊BH、BT、BC之配置與實施例1相同。將位於處理部17前端部之熱處理區塊BH稱作「前部熱處理區塊BA」，將位於處理部17後端部之熱處理區塊BH稱作「後部熱處理區塊BE」。又，將配置於前部熱處理區塊BA與液體處理區塊BC之間之中繼區塊BT稱作「前部中繼區塊BB」，將配置於後部熱處理區塊BE與液體處理區塊BC之間之中繼區塊BT稱作「後部中繼區塊BD」。
<前部熱處理區塊BA之構造>
參照圖24-27。圖27係自移送機部11觀察前部熱處理區塊BA之前視圖。
前部熱處理區塊BA具有包含於上下方向Z上排列之2個階層之階層 構造。具體而言，搬送空間AA被劃分為2個分割搬送空間AA1、AA2。分割搬送空間AA1、AA2相互於上下方向Z上排列。分割搬送空間AA1、AA2係依此順序自下朝上排列。
搬送機構TA具備搬送機構TA1與搬送機構TA2。搬送機構TA1設置於分割搬送空間AA1，搬送機構TA2設置於分割搬送空間AA2。各搬送機構TA1、TA2係以相互於上下方向Z上排列之方式配置。
前部熱處理區塊BA具備加熱單元HPaA、HPbA、HPcA及疏水化處理單元AHP作為熱處理單元。前部熱處理區塊BA具備載置部SPA、RPA。載置部SPA、RPA分別相當於前部載置部Pf。各要素HPaA、HPbA、HPcA、AHP、SPA、RPA分別配置於分割搬送空間AA1、AA2之側方。於以下，對各要素之符號適當地標註表示設置場所之記號。表示設置場所之記號係將表示高度位置之數字「1」、「2」、及表示右側YR、左側YL之「R」、「L」組合而成者。對與搬送機構TA1相向之要素標註表示高度位置之數字「1」，對與搬送機構TA2相向之要素標註表示高度位置之數字「2」。換言之，對配置於分割搬送空間AA1之側方之要素標註表示高度位置之數字「1」，對配置於分割搬送空間AA2之側方之要素標註表示高度位置之數字「2」。例如，載置部SPA1R係設置於分割搬送空間AA1之右側YR之載置部SPA，加熱單元HPaA2L係設置於分割搬送空間AA2之左側YL之加熱單元HPaA。
各加熱單元HPaA、HPbA、HPcA分別對基板W進行加熱。疏水化處理單元AHP進行提高基板W與塗膜之密接性之疏水化處理。具體而言，疏水化處理單元AHP一面將包含六甲基二矽氮烷(HMDS：Hexamethyldisilazane)之處理氣體供給至基板W，一面對基板W進行調 溫。
加熱單元HPaA除了實施例1中說明之板21、腔室23及擋板24以外，還具備區域搬送機構25(參照圖24)。區域搬送機構25於橫向Y上搬送基板W，並將基板W載置於板21上。其他加熱單元HPbA、HPcA及疏水化處理單元AHP亦同樣地具備區域搬送機構25。
載置部SPA、RPA具有與實施例1之載置部PA相同之構造。載置部SPA係例如專門用於載置朝向後方XB之基板W而使用，載置部RPA係例如專門用於載置朝向前方XF之基板W而使用。
搬送機構TA1、TA2分別具備導引軸部31、驅動機構32及手33。
搬送機構TA1對設置於分割搬送空間AA1之右側YR之各要素HPaA1R、HPbA1R、HPcA1R、AHP1R、SPA1R、RPA1R、以及設置於分割搬送空間AA1之左側YL之各要素HPaA1L、HPbA1L、HPcA1L、AHP1L、SPA1L、RPA1L進行存取。
搬送機構TA2對設置於分割搬送空間AA2之右側YR之各要素HPaA2R、HPbA2R、HPcA2R、AHP2R、SPA2R、RPA2R、以及設置於分割搬送空間AA2之左側YL之各要素HPaA2L、HPbA2L、HPcA2L、AHP2L、SPA2L、RPA2L進行存取。
<前部中繼區塊BB之構造>
參照圖24-26、28。圖28係自移送機部11觀察前部中繼區塊BB之前視圖。
前部中繼區塊BB具備載置部SPB、RPB、冷卻載置部PCPB及冷卻單元CPB。冷卻單元CPB係熱處理單元之一態樣，將基板W進行冷卻。冷卻載置部PCPB載置基板W並且將基板W進行冷卻。冷卻載置部PCPB 係載置部之一態樣且亦為熱處理單元之一態樣。冷卻載置部PCPB具備板26、與奪取板26之熱之吸熱機器(未圖示)。冷卻載置部PCPB與載置部SPB、RPB同樣地於水平方向開放。
載置部SPB、RPB、冷卻載置部PCPB及冷卻單元CPB係於前部中繼區塊BB之橫向Y中央，相互於上下方向Z上積層。
前部中繼區塊BB之要素SPB、RPB、PCPB、CPB被分類為：第1群，其位於分割搬送空間AA1之後方XB上；及第2群，其位於分割搬送空間AA2之後方XB上。屬於第1群之要素SPB、RPB、PCPB、CPB與搬送機構TA1相向。屬於第2群之要素SPB、RPB、PCPB、CPB與搬送機構TA2相向。對屬於第1群之要素SPB、RPB、PCPB、CPB標註表示高度位置之數字「1」、「2」、「3」、「4」中之任一者。對屬於第2群之要素SPB、RPB、PCPB、CPB標註表示高度位置之數字「5」、「6」、「7」、「8」中之任一者。
液體處理區塊BC係如下所述般具備於上下方向Z上排列之複數個分割搬送空間AC1、AC2、…、AC8、及設置於各分割搬送空間AC1、AC2、…、AC8之搬送機構TC1、TC2、…、TC8。以要素SPB、RPB、PCPB、CPB之至少1個以上位於各分割搬送空間AC1、AC2、…、AC8之前方XF上之方式，配置前部中繼區塊BB之要素SPB、RPB、PCPB、CPB。換言之，以要素SPB、RPB、PCPB、CPB之至少1個以上與各搬送機構TC1、TC2、…、TC8相向之方式，配置要素SPB、RPB、PCPB、CPB。標註有表示高度位置之數字「1」之要素SPB、RPB、PCPB、CPB與搬送機構TC1相向。同樣地，標註有表示高度位置之數字「2」、…、「8」之要素SPB、RPB、PCPB、CPB與搬送機構 TC2、…、TC8相向。
如圖26所示般，上下方向Z之形成有分割搬送空間AC1-AC4之範圍與上下方向Z之形成有分割搬送空間AA1之範圍同等。上下方向Z之形成有分割搬送空間AC5-AC8之範圍與上下方向Z之形成有分割搬送空間AA2之範圍同等。
前部中繼區塊BB具備：輸入緩衝器部Bf-in與輸出緩衝器部Bf-out。輸入緩衝器部Bf-in儲存於基板處理裝置1內未進行熱處理或液體處理等任何處理之基板W。輸出緩衝器部Bf-out儲存於基板處理裝置1內已完成一連串處理之基板W。輸入緩衝器部Bf-in及輸出緩衝器部Bf-out分別可儲存之基板W之數量例如為50片。
輸入緩衝器部Bf-in配置於搬送空間ABR(搬送機構TBR)之右側YR。輸出緩衝器部Bf-out配置於搬送空間ABL(搬送機構TBL)之左側YL。
搬送機構TBR、TBL可分別對各要素SPB、RPB、PCPB、CPB進行存取。搬送機構TBR進而對輸入緩衝器部Bf-in進行存取。搬送機構TBL進而對輸出緩衝器部Bf-out進行存取。
<液體處理區塊BC之構造>
參照圖24-26、29。圖29係自移送機部11觀察液體處理區塊BC之前視圖。
液體處理區塊BC具有包含於上下方向Z上排列之8個階層K1、K2、…、K8之階層構造。具體而言，搬送空間AC被劃分為8個分割搬送空間AC1、AC2、…、AC8。分割搬送空間AC1、AC2、…、AC8相互於上下方向Z上排列。分割搬送空間AC1、AC2、…、AC8係自下朝上依 此順序排列。
搬送機構TC包含搬送機構TC1、TC2、…、TC8。搬送機構TC1、TC2、…、TC8係分別設置於分割搬送空間AC1、AC2、…、AC8。
液體處理單元SC包含液體處理單元SC1、SC2、…、SC8。液體處理單元SC1、SC2、…、SC8係分別設置於分割搬送空間AC1、AC2、…、AC8之側方。
液體處理單元SC1、SC2、…、SC6為塗佈單元。更詳細而言，液體處理單元SC1、SC2為抗反射膜用塗佈單元(BARC)，液體處理單元SC3、SC4為抗蝕劑膜用塗佈單元(RESIST)，液體處理單元SC5、SC6為保護膜用塗佈單元(TARC)。抗反射膜用塗佈單元SC1、SC2對基板W塗佈抗反射膜材料。抗蝕劑膜用塗佈單元SC3、SC4對基板W塗佈抗蝕劑膜材料。保護膜用塗佈單元SC5、SC6對基板W塗佈保護膜材料。液體處理單元SC7、SC8為顯影單元(DEV)。
另，於實施例2中，如圖24、25所示般，將2個液體處理單元SC配置於搬送機構TC之右側YR，將2個液體處理單元SC係配置於搬送機構TC之左側YL。設置於搬送機構TC之右側YR之2個液體處理單元SC共用噴嘴43/53與腔室44/54。例如，設置於搬送機構TC8之右側YR之2個液體處理單元SC8共用噴嘴53與腔室54。同樣地，設置於搬送機構TC之左側YL之2個液體處理單元SC亦共用噴嘴43/53及腔室44/54。
搬送機構TC1、TC2、…、TC8係分別對液體處理單元SC1、SC2、…、SC8進行存取。
<後部中繼區塊BD之構造>
參照圖24-26、30。圖30係自移送機部11觀察後部中繼區塊BD之前 視圖。
後部中繼區塊BD具備：載置部SPD、RPD、冷卻載置部PCPD及冷卻單元CPD。載置部SPD、RPD、冷卻載置部PCPD及冷卻單元CPD係於後部中繼區塊BD之橫向Y中央，相互於上下方向Z上積層。
以要素SPD、RPD、PCPD、CPD之至少1個以上位於各分割搬送空間AC1、AC2、…、AC8之後方XB上之方式，配置後部中繼區塊BD之要素SPD、RPD、PCPD、CPD。換言之，以要素SPD、RPD、PCPD、CPD之至少1個以上與各搬送機構TC1、TC2、…、TC8相向之方式，配置要素SPD、RPD、PCPD、CPD。對與搬送機構TC1相向之要素SPD、RPD、PCPD、CPD標註表示高度位置之數字「1」。同樣地，對與搬送機構TC2、…、TC8相向之要素SPD、RPD、PCPD、CPD標註表示高度位置之數字「2」、…、「8」。
搬送機構TDR、TDL可分別對各要素SPD、RPD、PCPD、CPD進行存取。
另，於搬送機構TDR之右側YR或搬送機構TDL之左側YL，不設置緩衝器部等(例如，相當於輸入緩衝器部Bf-in或輸出緩衝器部Bf-out之構件)。因此，可於後部中繼區塊BD之右側部或左側部設置例如用以對液體處理區塊BC供給處理液之泵等。
<後部熱處理區塊BE之構造>
參照圖24-26、31。圖31係自移送機部11觀察後部熱處理區塊BE之前視圖。
後部熱處理區塊BE係與前部熱處理區塊BA同樣，具有包含2個階層之階層構造。具體而言，搬送空間AE被劃分為分割搬送空間AE1、 AE2。
搬送機構TE具備：搬送機構TE1與搬送機構TE2。搬送機構TE1設置於分割搬送空間AE1，搬送機構TE2設置於分割搬送空間AE2。
搬送空間AE1與後部中繼區塊BD之要素SPD、RPD、PCPD、CPD之第1群於前後方向X上排列。即，搬送機構TE1與屬於第1群之要素SPD、RPD、PCPD、CPD相向。搬送空間AE2與後部中繼區塊BD之要素SPD、RPD、PCPD、CPD之第2群於前後方向X上排列。即，搬送機構TE2與屬於第2群之要素SPD、RPD、PCPD、CPD相向。此處，第1群包含標註有表示高度位置之數字「1」、「2」、「3」、「4」中之任一者之要素SPD、RPD、PCPD、CPD。第2群包含標註有表示高度位置之數字「5」、「6」、「7」、「8」中之任一者之要素SPD、RPD、PCPD、CPD。
後部熱處理區塊BE具備加熱單元HPaE、HPbE、及冷卻單元CPE作為熱處理單元。後部熱處理區塊BE具備載置部SPE、RPE。載置部SPE、RPE各自相當於後部載置部Pb。進而，後部熱處理區塊BE具備邊緣曝光單元EEW。邊緣曝光單元EEW將基板W上之抗蝕劑膜之周緣部進行曝光。
各要素單元HPaE、HPbE、CPE、SPE、RPE、EEW分別配置於分割搬送空間AE1、AE2之側方。於以下，對各要素之符號適當地標註表示設置場所之記號。表示設置場所之記號係將表示高度位置之數字「1」、「2」、與表示右側YR、左側YL之「R」、「L」組合而成者。對與搬送機構TE1相向之要素標註表示高度位置之數字「1」，對與搬送機構TE2相向之要素標註表示高度位置之數字「2」。
<介面區塊BF之構造>
參照圖24-26、32。圖32係自移送機部11觀察介面區塊BF之前部之前視圖。此處，介面區塊BF之前部係介面區塊BF中之處理部17側之部分。
於介面區塊BF之前部，設置有載置部SPF1、RPF1、SPF2、RPF2、搬送機構TFR、TFL、曝光前清洗單元BSR、BSL及曝光後清洗處理單元SOR、SOL。
曝光前清洗單元BSR、BSL係清洗、乾燥曝光處理前之基板W。曝光前清洗單元BSR、BSL例如清洗基板W之背面或端部。曝光後清洗處理單元SOR、SOL清洗曝光處理後之基板W並乾燥。例如，曝光前清洗處理單元BSR、BSL與曝光後清洗處理單元SOR、SOL各自具備：使基板W旋轉之基板旋轉機構、對基板W供給清洗液之清洗液供給機構、及用以清洗基板W之刷子等清洗用具等(任一者均未圖示)。
載置部SPF1、RPF1、SPF2、RPF2配置於介面區塊BF之橫向Y中央。載置部SPF1、RPF1、SPF2、RPF2相互排列於上下方向Z。如圖26所示，載置部SPF1、RPF1配置於與後部熱處理區塊BE之分割搬送空間AE1相向之位置。載置部SPF2、RPF2配置於與後部熱處理區塊BE之分割搬送空間AE2相向之位置。
搬送機構TFR配置於載置部SPF1、RPF1、SPF2、RPF2之右側YR。曝光前清洗單元BSR與曝光後清洗處理單元SOR配置於搬送機構TFR之右側YR。曝光前清洗單元BSR與曝光後清洗處理單元SOR相互排列於上下方向Z。
搬送機構TFL配置於載置部SPF1、RPF1、SPF2、RPF2之左側 YL。曝光前清洗單元BSL與曝光後清洗處理單元SOL配置於搬送機構TFL之左側YL。曝光前清洗單元BSL與曝光後清洗處理單元SOL相互於上下方向Z上排列。
參照圖24-26、33。圖33係自移送機部11觀察介面區塊BF之後部之前視圖。此處，介面區塊BF之後部係介面區塊BF中之曝光機EXP側之部分。於介面區塊BF之後部，設置有冷卻載置部PCPF、載置部RPFB、搬送機構BHU、曝光後加熱處理單元PEBR、PEBL、傳送緩衝器部SBf及返回緩衝器部RBf。
曝光後加熱處理單元PEBR、PEBL為熱處理單元之一態樣，進行加熱曝光處理後之基板W之曝光後加熱處理(Post Exposure Bake)。傳送緩衝器部SBf儲存搬送至曝光機EXP前之基板W。返回緩衝器部RBf儲存自曝光機EXP返回來之基板W。
冷卻載置部PCPF與載置部RPFB配置於介面區塊BF之橫向Y中央。冷卻載置部PCPF與載置部RPFB相互於上下方向Z上排列。搬送機構BHU配置於冷卻載置部PCPF及載置部RPFB之右側YR。
傳送緩衝器部SBf與返回緩衝器部RBf係於介面區塊BF之橫向Y中央，配置於冷卻載置部PCPF及載置部RPFB之上方。傳送緩衝器部SBf與返回緩衝器部RBf相互於上下方向Z上排列。
曝光後加熱處理單元PEBR配置於傳送緩衝器部SBf及返回緩衝器部RBf之右側YR。複數個曝光後加熱處理單元PEBR相互於上下方向Z上排列。曝光後加熱處理單元PEBL配置於傳送緩衝器部SBf及返回緩衝器部RBf之左側YL。複數個曝光後加熱處理單元PEBL相互於上下方向Z上排列。
搬送機構TFR對載置部SPF1、RPF1、曝光前清洗單元BSR、曝光後清洗處理單元SOR、冷卻載置部PCPF、載置部RPFB、曝光後加熱處理單元PEBR、傳送緩衝器部SBf及返回緩衝器部RBf進行存取。
搬送機構TFL對載置部SPF2、RPF2、曝光前清洗單元BSL、曝光後清洗處理單元SOL、冷卻載置部PCPF、載置部RPFB、曝光後加熱處理單元PEBL、傳送緩衝器部SBf及返回緩衝器部RBf進行存取。
搬送機構BHU對冷卻載置部PCPF與載置部RPFB進行存取。搬送機構BHU進而將基板W搬送至進行液浸曝光之曝光機EXP，且自曝光機EXP接收基板W。
<處理單元、載置部、及搬送機構之配置>
參照圖34A-34D、35A-35D。圖34A-34D係圖25之箭頭a-a、b-b、c-c、d-d之俯視圖。圖35A-35D係圖25之箭頭e-e、f-f、g-g、h-h之俯視圖。
於無需特別區分區塊BA之加熱單元HPaA、HPbA、HPcA及疏水化處理單元AHP、區塊BB之冷卻單元CPB、區塊BD之冷卻單元CPD、及區塊BE之加熱單元HPaE、HPbE及冷卻單元CPE之情形時，稱作「熱處理單元H」，且視為相同。於無需特別區分液體處理單元SC1-SC8之情形時，將液體處理單元SC1-SC8稱作「液體處理單元SC」，且視為相同。於無需區分熱處理單元H與液體處理單元SC之情形時，將熱處理單元H與液體處理單元SC稱作「處理單元」，且視為相同。於無需特別區分區塊BA之載置部SPA、RPA、區塊BB之載置部SPB、RPB及冷卻載置部PCPB、區塊BD之載置部SPD、RPD及冷卻載置部PCPD、及區塊BE之載置部SPE、RPE之情形時，稱作「載置部P」，且視為相同。於無需 特別區分搬送機構BA1、TA2、TBR、TBL、TC1-TC8、TDR、TDL、TE1、TE2之情形時，稱作「搬送機構T」，且視為相同。
如圖34A-34D、35A-35D所示，處理部17之正面17f、處理單元、載置部P、及搬送機構T之相對位置關係和處理部17之背面17b、處理單元、載置部P、及搬送機構T之相對位置關係相同。換言之，處理單元、載置部P及搬送機構T之相對於處理部17之正面17f的各位置與處理單元、載置部P及搬送機構T之相對於處理部17之背面17b的各位置相同。
具體而言，處理部17之正面17f、熱處理單元H、及液體處理單元SC之相對位置關係和處理部17之背面17b、熱處理單元H、及液體處理單元SC之相對位置關係相同。換言之，熱處理單元H及液體處理單元SC之相對於處理部17之正面17f之各位置和熱處理單元H及液體處理單元SC之相對於處理部17之背面17b的各位置相同。
處理部17之正面17f與載置部P之相對位置關係和處理部17之背面17b與載置部P之相對位置關係相同。換言之，載置部P之相對於處理部17之正面17f之各位置與載置部P之相對於處理部17之背面17b的各位置相同。
處理部17之正面17f與搬送機構T之相對位置關係和處理部17之背面17b與搬送機構T之相對位置關係相同。換言之，搬送機構T之相對於處理部17之正面17f之各位置與搬送機構T之相對於處理部17之背面17b的各位置相同。
處理單元、載置部P及搬送機構T於俯視時點對稱地配置(參照圖34A-34D、35A-35D)。
具體而言，處理單元於俯視時點對稱地配置。點對稱之中心(即，對稱點)例如為俯視時之處理部17之中心PC。熱處理單元H於俯視時點對稱 地配置。液體處理單元SC於俯視時點對稱地配置。載置部P於俯視時點對稱地配置。搬送機構T於俯視時點對稱地配置。
處理部17右部之處理單元、載置部P及搬送機構T與處理部17左部之處理單元、載置部P及搬送機構T對稱地配置(參照圖34A-34D、35A-35D)。簡言之，處理單元、載置部P及搬送機構T左右對稱地配置。若詳細而言，則處理單元、載置部P及搬送機構T於俯視及前視之至少任一者時左右對稱地配置。
參照圖34A-34D、35A-35D。處理單元於俯視時左右對稱地配置。熱處理單元H於俯視時左右對稱地配置。液體處理單元SC於俯視時左右對稱地配置。載置部P於俯視時左右對稱地配置。搬送機構T於俯視時左右對稱地配置。如此，處理單元、載置部P及搬送機構T於俯視時左右對稱地配置。線對稱之對稱軸例如為俯視時之中心面CX。
參照圖27-31。處理單元於前視時左右對稱地配置。熱處理單元H於前視時左右對稱地配置。液體處理單元SC於前視時左右對稱地配置(參照圖29)。載置部P於前視時左右對稱地配置。搬送機構T於前視時左右對稱地配置。如此，處理單元、載置部P及搬送機構T於前視時左右對稱地配置。線對稱之對稱軸例如為前視時之中心面CX。
處理部17前部之處理單元、載置部P及搬送機構T與處理部17後部之處理單元、載置部P及搬送機構T對稱地配置。簡言之，處理單元、載置部P及搬送機構T係前後對稱地配置。若詳細而言，則處理單元、載置部P及搬送機構T於俯視及側視之至少任一者時前後對稱地配置。
參照圖34A-34D、35A-35D。處理單元於俯視時前後對稱地配置。熱處理單元H於俯視時前後對稱地配置。液體處理單元SC於俯視時前後 對稱地配置。載置部P於俯視時前後對稱地配置。搬送機構T於俯視時前後對稱地配置。如此，處理單元、載置部P及搬送機構T於俯視時前後對稱地配置。線對稱之對稱軸例如為俯視時之中心面CY。
參照圖25、26。處理單元於側視時前後對稱地配置。熱處理單元H於側視時前後對稱地配置。液體處理單元SC於側視時前後對稱地配置。載置部P於側視時前後對稱地配置。搬送機構T於側視時前後對稱地配置。如此，處理單元、載置部P及搬送機構T於側視時前後對稱地配置。線對稱之對稱軸例如為側視時之中心面CY。
<移送機部11與區塊BA之關係>
參照圖24-26。移送機用搬送機構13與搬送機構TA相互搬送基板W。具體而言，載置部SPA、RPA對移送機部11(搬送空間16)開放，移送機用搬送機構13可對載置部SPA、RPA進行存取。移送機用搬送機構13與搬送機構TA1經由載置部SPA1R、SPA1L、RPA1R、RPA1L相互搬送基板W。移送機用搬送機構13與搬送機構TA2經由載置部SPA2R、SPA2L、RPA2R、RPA2L相互搬送基板W。
<前部熱處理區塊BA與前部中繼區塊BB之關係>
搬送機構TA與搬送機構TB可相互搬送基板W。
具體而言，搬送機構TBR可對配置於搬送空間AA之右側YR之載置部SPA1R、RPA1R、SPA2R、RPA2R進行存取。因此，搬送機構TA1與搬送機構TBR可經由載置部SPA1R、RPA1R相互搬送基板W。搬送機構TA2與搬送機構TBR可經由載置部SPA2R、RPA2R相互搬送基板W。
同樣地，搬送機構TBL可對配置於搬送空間AA之左側YL之載置部SPA1L、RPA1L、SPA2L、RPA2L進行存取。因此，搬送機構TA1與搬 送機構TBL可經由載置部SPA1L、RPA1L相互搬送基板W。搬送機構TA2與搬送機構TBL可經由載置部SPA2L、RPA2L相互搬送基板W。
搬送機構TA1可對前部中繼區塊BB之要素SPB、RPB、PCPB、CPB之第1群進行存取。因此，搬送機構TA1與搬送機構TBR/TBL可經由前部中繼區塊BB之要素SPB、RPB、PCPB、CPB之第1群相互搬送基板W。
同樣地，搬送機構TA2可對前部中繼區塊BB之要素SPB、RPB、PCPB、CPB之第2群進行存取。因此，搬送機構TA2與搬送機構TBR/TBL可經由前部中繼區塊BB之要素SPB、RPB、PCPB、CPB之第2群相互搬送基板W。
搬送機構TBR進而可對配置於搬送空間AA之右側YR之熱處理單元HPaA1R、HPbA1R、HPcA1R、AHP1R、HPaA2R、HPbA2R、HPcA2R、AHP2R進行存取。搬送機構TBL進而可對配置於搬送空間AA之左側YL之熱處理單元HPaA1L、HPbA1L、HPcA1L、AHP1L、HPaA2L、HPbA2L、HPcA2L、AHP2L進行存取。
<移送機部11、區塊BA及區塊BB之關係>
移送機用搬送機構13與搬送機構TB可不使用搬送機構TA而相互搬送基板W。
具體而言，移送機用搬送機構13及搬送機構TBR可經由載置部SPA1R、RPA1R及載置部SPA2R、RPA2R之任一者相互搬送基板W。又，移送機用搬送機構13及搬送機構TBL可經由載置部SPA1L、RPA1L及載置部SPA2L、RPA2L之任一者相互搬送基板W。
<區塊BB與區塊BC之關係>
搬送機構TB與搬送機構TC可相互搬送基板W。
具體而言，搬送機構TC1可對和搬送機構TC1相向之載置部RPB1與冷卻載置部PCPB1進行存取。搬送機構TBR/TBL與搬送機構TC1可經由載置部RPB1或冷卻載置部PCPB1相互搬送基板W。同樣地，搬送機構TC2、TC3……、TC8係可分別經由和搬送機構TC2、TC3……、TC8相向之載置部SPB、RPB或冷卻載置部PCPB，與搬送機構TBR/TBL相互交接基板W。
<區塊BA、區塊BB及區塊BC之關係>
搬送機構TA與搬送機構TC可不使用搬送機構TB而相互搬送基板W。例如，搬送機構TA1與搬送機構TC1/TC2/TC3/TC4可經由前部中繼區塊BB之要素SPB、RPB、PCPB、CPB之第1群相互搬送基板W。搬送機構TA2與搬送機構TC5/TC6/TC7/TC8可經由前部中繼區塊BB之要素SPB、RPB、PCPB、CPB之第2群相互搬送基板W。
<區塊BC與區塊BD之關係>
液體處理區塊BC與後部中繼區塊BD之關係和前部中繼區塊BB與液體處理區塊BC之關係相同。即，搬送機構TC1、TC2、……、TC8係可分別與搬送機構TDR/TDL相互交接基板W。
<區塊BD與區塊BE之關係>
後部中繼區塊BD與後部熱處理區塊BE之關係和前部中繼區塊BB與前部熱處理區塊BA之關係相同。
具體而言，搬送機構TDR與搬送機構TE1可經由載置部SPE1R、RPE1R相互搬送基板W。搬送機構TDR與搬送機構TE2可經由載置部SPE2R、RPE2R相互搬送基板W。同樣地，搬送機構TDL與搬送機構 TE1可經由載置部SPE1L、RPE1L相互搬送基板W。搬送機構TDL與搬送機構TE2可經由載置部SPE2L、RPE2L相互搬送基板W。再者，搬送機構TDR/TDL與搬送機構TE1可經由後部中繼區塊BD之要素SPD、RPD、PCPD、CPD之第1群相互搬送基板W。搬送機構TDR/TDL與搬送機構TE2可經由後部中繼區塊BD之要素SPD、RPD、PCPD、CPD之第2群相互搬送基板W。
搬送機構TDR可將基板W搬送至配置於搬送空間AE之右側YR之加熱單元HPaE1R、HPbE1R、HPaE2R、HPbE2R、冷卻單元CPE1R、CPE2R及邊緣曝光單元EEW1R、EEW2R。搬送機構TDL可將基板W搬送至配置於搬送空間AE之左側YL之加熱單元HPaE1L、HPbE1L、HPaE2L、HPbE2L、冷卻單元CPE1L、CPE2L及邊緣曝光單元EEW1L、EEW2L。
<區塊BC、區塊BD及區塊BE之關係>
液體處理區塊BC、後部中繼區塊BD及後部熱處理區塊BE之關係和液體處理區塊BC、前部中繼區塊BB及前部熱處理區塊BA之關係相同。即，搬送機構TC與搬送機構TE可不使用搬送機構TD而相互搬送基板W。
<區塊BE與介面區塊BF之關係>
搬送機構TE與搬送機構TF可相互搬送基板W。
具體而言，搬送機構TE1可對載置部SPF1、RPF1進行存取。搬送機構TE2可對載置部SPF2、RPF2進行存取。搬送機構TFR可對載置部SPE1R、RPE1R、SPE2R、RPE2R進行存取。搬送機構TFL可對載置部SPE1L、RPE1L、SPE2L、RPE2L進行存取。因此，搬送機構TE1與搬 送機構TFR可經由載置部SPE1R、RPE1R、SPF1、RPF1搬送基板W。搬送機構TE2與搬送機構TFR可經由載置部SPE2R、RPE2R、SPF2、RPF2搬送基板W。搬送機構TE1與搬送機構TFL可經由載置部SPE1L、RPE1L、SPF1、RPF1搬送基板W。搬送機構TE2與搬送機構TFL可經由載置部SPE2L、RPE2L、SPF2、RPF2搬送基板W。
搬送機構TFR可將基板W搬送至配置於搬送空間AE之右側YR之加熱單元HPaE1R、HPbE1R、HPaE2R、HPbE2R、冷卻單元CPE1R、CPE2R及邊緣曝光單元EEW1R、EEW2R。搬送機構TFL可將基板W搬送至配置於搬送空間AE之左側YL之加熱單元HPaE1L、HPbE1L、HPaE2L、HPbE2L、冷卻單元CPE1L、CPE2L及邊緣曝光單元EEW1L、EEW2L。
<介面區塊BF與曝光機EXP之關係>
搬送機構BHU將基板W搬送至曝光機EXP，且自曝光機EXP接收基板W。
<處理部17對基板W進行之處理例>
圖36係例示對基板進行之處理之順序的流程圖。
處理部17例如對基板W依此順序進行塗佈處理、塗佈後熱處理、顯影處理、顯影後熱處理。處理部17進行步驟S11-S19、S21-S25之處理，即包含液體處理及熱處理之一連串處理。曝光機EXP對基板W進行步驟S20之處理，即曝光處理。
無論於將處理部17之正面17f與移送機部11連接之情形時，抑或於處理部17之背面17b與移送機部11連接之情形時，處理部17均可對基板W進行上述之一連串處理。即，處理部17於將處理部17之正面17f與移送 機部11連接時對基板W所進行之處理和處理部17於將處理部17之背面17b與移送機部11連接時對基板W所進行的處理相同。
於以下，說明將正面17f與移送機部11連接時之動作例1、與將背面17b與移送機部11連接時之動作例2。
<基板處理裝置1之動作例1>
動作例1係將正面17f與移送機部11連接時之動作例。圖37係顯示動作例1之基板W之搬送路徑之圖。基板於圖37所示之載置部及處理單元自上而下地移動。
如圖37所示，於動作例1中，沿著第1路徑搬送一部分之基板W，沿著與第1路徑不同之第2路徑搬送其他基板W。第1路徑包含第1去路與第1返路。第2路徑包含第2去路與第2返路。
以下，分為移送機部11、處理部17及曝光機EXP之各動作說明動作例1。
[移送機部11之動作(供給基板W)]
移送機用搬送機構13將基板W自載具C搬送至載置部SPA1R、SPA2R、SPA1L、SPA2L。
[處理部17之動作(去路)]
由於與第1去路相關之動作和與第2去路相關之動作類似，故為了方便起見，說明與第1去路相關之動作，省略與第2去路相關之動作之說明。
搬送機構TBR自載置部SPA1R/SPA2R搬送至疏水化處理單元AHP1R/AHP2R。
另，於停止自移送機部11向處理部17供給基板W時，不將基板W載 置於載置部SPA。於此種情形時，搬送機構TBR自輸入緩衝器部Bf-in搬送至疏水化處理單元AHP1R/AHP2R。於輸入緩衝器部Bf-in預先儲存有基板W。
疏水化處理單元AHP1R/AHP2R對基板W進行疏水化處理。搬送機構TBR將基板W自疏水化處理單元AHP1R/AHP2R搬送至冷卻載置部PCPB1。冷卻載置部PCPB1對基板W進行冷卻。疏水化處理單元AHP1R/AHP2R及冷卻載置部PCPB1之一連串處理相當於圖36所示之步驟S11之熱處理。
搬送機構TC1將基板W自冷卻載置部PCPB1搬送至液體處理單元SC1。液體處理單元SC1對基板W塗佈抗反射膜材料(步驟S12)。搬送機構TC1將基板W自液體處理單元SC1搬送至載置部RPB1。
搬送機構TBR將基板W自載置部RPB1搬送至加熱單元HPaA1R、HPaA2R。加熱單元HPaA1R、HPaA2R對基板W進行加熱。搬送機構TA1將基板W自加熱單元HPaA1R搬送至加熱單元HPbA1R。搬送機構TA2將基板W自加熱單元HPaA2R搬送至加熱單元HPbA2R。加熱單元HPbA1R、HPbA2R對基板W進行加熱。例如，加熱單元HPbA1R、HPbA2R進行加熱之溫度較加熱單元HPaA1R、HPaA2R高。根據此種2階段加熱，可快速地升高基板W之溫度。搬送機構TBR將基板W自加熱單元HPbA1R、HPbA2R搬送至冷卻載置部PCPB3。冷卻載置部PCPB3將基板W進行冷卻。加熱單元HPaA1R、HPbA1R、HPaA2R、HPbA2R與冷卻載置部PCPB3之一連串處理相當於圖36所示之步驟S13之塗佈後熱處理。
搬送機構TC3將基板W自冷卻載置部PCPB3搬送至液體處理單元 SC3。液體處理單元SC3對基板W塗佈抗蝕劑膜材料(步驟S14)。
搬送機構TC3將基板W自液體處理單元SC3搬送至載置部SPD3。搬送機構TDR自載置部SPD3搬送至加熱單元HPaE1R、HPaE2R。加熱單元HPaE1R、HPaE2R對基板W進行加熱。搬送機構TDR將基板W自加熱單元HPaE1R、HPaE2R搬送至冷卻載置部PCPD5。冷卻載置部PCPD5將基板W進行冷卻。加熱單元HPaE1R、HPaE2R與冷卻載置部PCPD5之一連串處理相當於圖36所示之步驟S15之塗佈後熱處理。
搬送機構TC5將基板W自冷卻載置部PCPD5搬送至液體處理單元SC5。液體處理單元SC5對基板W塗佈保護膜材料(步驟S16)。
搬送機構TC5將基板W自液體處理單元SC5搬送至載置部SPD5。搬送機構TDR自載置部SPD5搬送至加熱單元HPbE1R、HPbE2R。加熱單元HPbE1R、HPbE2R對基板W進行加熱。搬送機構TE1將基板W自加熱單元HPbE1R搬送至冷卻單元CPE1R。搬送機構TE2將基板W自加熱單元HPbE2R搬送至冷卻單元CPE2R。冷卻單元CPE1R、CPE2R將基板W進行冷卻。加熱單元HPbE1R、HPbE2R與冷卻單元CPE1R、CPE2R之一連串之處理相當於圖36所示之步驟S17之塗佈後熱處理。
搬送機構TE1將基板W自冷卻單元CPE1R搬送至邊緣曝光單元EEW1R。搬送機構TE2將基板W自冷卻單元CPE2R搬送至邊緣曝光單元EEW2R。邊緣曝光單元EEW1R、EEW2R將基板W之周緣部進行曝光(步驟S18)。
搬送機構TFR將基板W自邊緣曝光單元EEW1R、EEW2R搬送至介面區塊BF(載置部SPF1)。
<介面區塊BF與曝光機EXP之動作>
搬送機構TFR將基板W自載置部SPF1搬送至曝光前清洗單元BSR。曝光前清洗單元BSR清洗基板W(步驟S19)。
搬送機構TFR將基板W自曝光前清洗單元BSR搬送至冷卻載置部PCPF。冷卻載置部PCPF將基板W調整至特定之溫度。
搬送機構BHU將基板W自冷卻載置部PCPF搬送至曝光機EXP。曝光機EXP對基板W進行液浸曝光處理(步驟S20)。
搬送機構BHU將基板W自曝光機EXP搬送至載置部RPFB。搬送機構TFR將基板W自載置部RPFB搬送至曝光後清洗處理單元SOR。曝光後清洗處理單元SOR清洗基板W(步驟S21)。
搬送機構TFR將基板W自曝光後清洗處理單元SOR搬送至曝光後加熱處理單元PEBR。曝光後加熱處理單元PEBR對基板W進行加熱(步驟S22)。
搬送機構TFR將基板W自曝光後加熱處理單元PEBR搬送至載置部RPE1R、RPE2R。
<處理部17之動作(返路)>
由於與第1返路相關之動作和與第2返路相關之動作類似，故為了方便起見，說明與第1返路相關之動作，省略與第2返路相關之動作之說明。
搬送機構TDR將基板W自載置部RPE1R/RPE2R搬送至冷卻載置部PCPD7。冷卻載置部PCPD7將基板W進行冷卻(步驟23)。
搬送機構TC7將基板W自冷卻載置部PCPD7搬送至液體處理單元SC7。液體處理單元SC7使基板W顯影(步驟S24)。
搬送機構TC7將基板W自液體處理單元SC7搬送至載置部RPB7。搬 送機構TBR將基板W自載置部RPB7搬送至加熱單元HPcA1R、HPcA2R。加熱單元HPcA1R、HPcA2R對基板W進行加熱。搬送機構TA1將基板W自加熱單元HPcA1R搬送至冷卻單元CPB4。搬送機構TA2將基板W自加熱單元HPcA2R搬送至冷卻單元CPB5。冷卻單元CPB4、CPB5將基板W進行冷卻。加熱單元HPcA1R、HPcA2R與冷卻單元CPB4、CPB5之一連串處理相當於圖36所示之步驟S25之顯影後熱處理。
搬送機構TBR將基板W自冷卻單元CPB4、CPB5搬送至載置部RPA1R、RPA2R。
<移送機部11自處理部17回收基板W之動作>
移送機用搬送機構13將基板W自載置部RPA1R、RPA2R、RPA1L、RPA2L搬送至載具C。
另，若移送機部11自處理部17回收基板W之動作停止，則維持將基板W載置於載置部RPA1R、RPA2R、RPA1L、RPA2L不變，故而無法將新的基板W載置於載置部RPA1R、RPA2R、RPA1L、RPA2L。於此種情形時，亦可將基板W自冷卻單元CPB4/CPB5搬送至輸出緩衝器部Bf-out。藉此，將於基板處理裝置1內已進行一連串處理之基板W儲存於輸出緩衝器部Bf-out。此處，基板處理裝置1內之一連串處理係上述步驟11至S25之一連串處理。為了將基板W搬送至輸出緩衝器部Bf-out，亦可使用搬送機構TBR、TBL。
<基板處理裝置1之動作例2>
動作例2係將背面17b與移送機部11連接時之動作例。圖38係顯示動作例2之基板W之搬送路徑之圖。於圖38中，「*」記號表示與動作例1不 同之路徑(即供基板W通過之要素)
如圖38所示，於動作例2中，沿著第3路徑搬送一部分之基板W，沿著與第3路徑不同之第4路徑搬送其他基板W。第3路徑包含第3去路與第3返路。第4路徑包含第4去路與第4返路。
以下，分為移送機部11、處理部17及曝光機EXP之各動作說明動作例2。另，與動作例1共通之動作之說明係適當地省略。
[移送機部11之動作(供給基板W)]
移送機用搬送機構13將基板W自載具C搬送至載置部RPE1R、RPE2R、RPE1L、RPE2L。
[處理部17之動作(去路)]
由於與第3去路相關之動作和與第4去路相關之動作類似，故為了方便起見，說明與第3去路相關之動作，省略與第4路徑相關之動作之說明。
搬送機構TDR將基板W自載置部RPE1R/RPE2R搬送至載置部RPD1。搬送機構TC1將基板W自載置部RPD1搬送至載置部RPB1。搬送機構TBR自載置部RPB1搬送至疏水化處理單元AHP1R/AHP2R。
疏水化處理單元AHP1R/AHP2R對基板W進行疏水化處理。搬送機構TBR將基板W自疏水化處理單元AHP1R/AHP2R搬送至冷卻載置部PCPB1。冷卻載置部PCPB1對基板W進行冷卻。疏水化處理單元AHP1R/AHP2R及冷卻載置部PCPB1之一連串處理相當於圖36所示之步驟S11之熱處理。
步驟S11之熱處理後至步驟S18之邊緣曝光處理之動作與動作例相同。因此，省略步驟S11-S18之動作說明。
於邊緣曝光處理後，搬送機構TDR將基板W自邊緣曝光單元EEW1R、EEW2R搬送至載置部RPD5。搬送機構TC5將基板W自載置部RPD5搬送至載置部RPB5。搬送機構TBR將基板W自載置部RPB5搬送至載置部RPB3。搬送機構TA1將基板W自載置部RPB3搬送至載置部SPF1。
<介面區塊BF與曝光機EXP之動作>
介面區塊BF與曝光機EXP以與動作例1相同之方式，進行步驟S19、S20、S21、S22之各處理。於步驟S22之曝光後加熱處理後，搬送機構TFR將基板W自曝光後加熱處理單元PEBR搬送至載置部RPA1R、RPA2R。
<處理部17之動作(返路)>
由於與第3返路相關之動作和與第4返路相關之動作類似，故為了方便起見，說明與第3返路相關之動作，省略與第4返路相關之動作之說明。
搬送機構TBR將基板W自載置部RPA1R/RPA2R搬送至冷卻載置部PCPB7。冷卻載置部PCPB7將基板W進行冷卻(步驟23)。
搬送機構TC7將基板W自冷卻載置部PCPB7搬送至液體處理單元SC7。液體處理單元SC7使基板W顯影(步驟S24)。
步驟S24之顯影處理後至步驟S25之顯影後熱處理之動作與動作例1相同。因此，省略步驟S24-S25之動作之說明。
於顯影後熱處理後，搬送機構TBR將基板W自冷卻單元CPB4搬送至載置部RPB7。搬送機構TC7將基板W自載置部RPB7搬送至載置部RPD7。搬送機構TDR將基板W自載置部RPD7搬送至載置部 RPE1R/RPE2R。
<移送機部11自處理部17回收基板W之動作>
移送機用搬送機構13將基板W自載置部RPE1R、RPE2R、RPE1L、RPE2L搬送至載具C。
<實施例2之效果>
如上所述，藉由實施例2之基板處理裝置1，亦發揮與實施例1相同之效果。
進而，根據實施例2，由於正面17f及背面17b之任一者，均可與介面區塊BF連接。因此，可提高處理部17與介面區塊BF之配置自由度。
前部中繼區塊BB可降低加熱單元HPa、HPb、HPc或疏水化處理單元AHP對液體處理單元SC造成之熱影響。因此，前部中繼區塊BB可有效地保護液體處理單元SC。後部中繼區塊BD可降低加熱單元HPaE、HPbE、HPc對液體處理單元SC造成之影響。因此，後部熱處理區塊BE亦可進一步有效地保護液體處理單元SC。
又，根據實施例2之基板處理裝置1，可對基板W進行各種處理。例如，可將抗蝕劑膜、抗反射膜、及保護膜形成於基板W。
於實施例2中，搬送機構TA1、TA2於上下方向Z上排列。前部中繼區塊BB之要素SPB、RPB、PCPB、CPB之第1群與搬送機構TA1相向。換言之，搬送機構TA1配置於前部中繼區塊BB之要素SPB、RPB、PCPB、CPB之第1群的前方XF上。因此，搬送機構TA1與搬送機構TBR可相互搬送基板W。前部中繼區塊BB之要素SPB、RPB、PCPB、CPB之第2群與搬送機構TA2相向。換言之，搬送機構TA2配置於前部中繼區塊BB之要素SPB、RPB、PCPB、CPB之第2群的前方XF上。因此，搬送 機構TA2與搬送機構TBL可相互較佳地搬送基板W。
前部中繼區塊BB具備輸入緩衝器部Bf-in。因此，即便於停止自移送機部11向處理部17供給基板W之情形時，處理部17亦可對儲存於輸入緩衝器部Bf-in之基板W進行處理。
前部中繼區塊BB具備輸出緩衝器部Bf-out。因此，即便於停止自處理部17向移送機部11移出基板W(換言之，藉由移送機部11進行之基板W之回收)之情形時，處理部17亦可將基板W儲存於輸出緩衝器部Bf-out。因此，可抑制基板處理裝置1之生產能力下降。
本發明並不限定於上述實施形態，可如下述般變化實施。
(1)於上述實施例2中，將於液體處理區塊BC中經過抗反射膜材料之塗佈處理(步驟S12)之所有基板W搬送至前部熱處理區塊BA，但並不限定於此。例如，可如實施例1之動作例3、4般進行變更。具體而言，將於液體處理區塊BC中經過抗反射膜材料之塗佈處理(步驟S12)之一部分基板W搬送至熱處理區塊BA、BE之一者，將於液體處理區塊BC中經過抗反射膜材料之塗佈處理(步驟S12)之其他基板W搬送至熱處理區塊BA、BE之另一者。熱處理區塊BA、BE可分別對經過抗反射膜材料之塗佈處理之基板進行塗佈後熱處理。
關於經過抗蝕劑膜材料之塗佈處理(步驟S14)後之基板W之搬送，亦可同樣地進行變更。關於經過保護膜材料之塗佈處理(步驟S16)後之基板W之搬送，亦可同樣地進行變更。關於經過顯影處理(步驟S24)後之基板W之搬送，亦可同樣地進行變更。
或，亦可如下般進行變更：不僅於前部熱處理區塊BA，於後部熱處理區塊BE亦設置疏水化處理單元AHP，且於前部熱處理區塊BA及後 部熱處理區塊BE中並行地進行疏水化處理。
(2)於上述實施例1、2中，亦可適當地變更液體處理區塊BC之構成。例如，亦可變更液體處理區塊BC所具有之階層K之數量。例如，亦可變更液體處理區塊BC所具有之搬送機構TC之數量。例如，亦可變更液體處理區塊BC所具有之液體處理單元SC之數量。例如，亦可變更液體處理區塊BC所具有之液體處理單元SC之處理內容。
圖39A、39B、39C係分別模式性地顯示變化實施例之液體處理區塊之構成之側視圖。
於圖39A所示之變化實施例中，液體處理區塊BC具有8個階層K1、K2、…、K8。於各階層K1、K2、…、K8，設置有液體處理單元SC1、SC2、…、SC8。階層K1、K2之液體處理單元SC1、SC2為抗反射膜用塗佈單元(BARC)。階層K3、K4之液體處理單元SC3、SC4為抗蝕劑膜用塗佈單元(RESIST)。階層K5-K8之液體處理單元SC5-SC8為顯影單元(DEV)。
於圖39B所示之變化實施例中，階層K1之液體處理單元SC1係塗佈抗反射膜材料及抗蝕劑膜材料之塗佈單元(RESIST/BARC)。例如，於階層K1設置有複數個液體處理單元SC1，液體處理單元SC1之一部分為抗反射膜用塗佈單元(BARC)，其他液體處理單元SC1為抗蝕劑膜用塗佈單元(RESIST)。同樣地，階層K2-K4之液體處理單元SC2-SC4分別為塗佈抗反射膜材料及抗蝕劑膜材料之塗佈單元(RESIST/BARC)。階層K5-K8之液體處理單元SC5-SC8為顯影單元(DEV)。
於圖39C所示之變化實施例中，階層K1-K8之液體處理單元SC1-SC8分別為塗佈抗反射膜材料及抗蝕劑膜材料之塗佈單元 (RESIST/BARC)。例如，於階層K1設置有複數個液體處理單元SC1，液體處理單元SC1之一部分為抗反射膜用塗佈單元(BARC)，其他液體處理單元SC1為抗蝕劑膜用塗佈單元(RESIST)。
(3)於上述實施例1、2中，例示載置部P、處理單元H、SC、搬送機構T之配置，但不限定於此。亦可適當地變更載置部P、處理單元H、SC、搬送機構T之配置。
(4)於上述實施例1、2中，處理部17具備熱處理區塊BH、液體處理單元SC及中繼區塊BT，但不限定於此。例如，亦可省略熱處理區塊BH、液體處理區塊BC、中繼區塊BT之1者或2者。或，處理部17亦可具備該等區塊BH、BC、BT以外之區塊。
參照圖40。圖40係變化實施例之基板處理裝置之俯視圖。另，於圖40中，為了方便起見，顯示將處理部17之正面17f與移送機部11連接，且，將處理部17之背面17b與曝光機EXP連接之例。另，關於與實施例相同之構成，藉由標註相同之符號而省略詳細之說明。
如圖40所示，處理部17具備：2個中繼區塊BT與1個液體/熱處理區塊BCH。液體/熱處理區塊BCH對基板W進行液體處理及熱處理。中繼區塊BT與液體/熱處理區塊BCH於前後方向X上1行地排列。中繼區塊BT與液體/熱處理區塊BCH之排列ArF、ArB係分別如下所示。
排列ArF：BT→BCH→BT
排列ArB：BT→BCH→BT
一中繼區塊BT位於處理部17之前端部。一中繼區塊BT之正面相當於處理部17之正面17f，且與移送機部11連接。另一中繼區塊BT位於處理部17之後端部。另一中繼區塊BT之背面相當於處理部17之背面17b， 且與曝光機EXP連接。
液體/熱處理區塊BCH具備：液體處理單元SC、熱處理單元H、及搬送機構TC。搬送機構TC將基板W搬送至液體處理單元SC與熱處理單元H。
於分割搬送空間ACj之右側YR，設置有液體處理單元SC與熱處理單元H。該等液體處理單元SC與熱處理單元H沿著前後方向X上1行地排列。例如，將熱處理單元H、液體處理單元SC及熱處理單元H於前後方向X上依此順序排列。液體處理單元SC與熱處理單元H分別與搬送機構TC相向。同樣地，於分割搬送空間ACj之左側YL，設置有液體處理單元SC與熱處理單元H。該等液體處理單元SC與熱處理單元H亦沿著前後方向X上1行地排列。例如，將熱處理單元H、液體處理單元SC及熱處理單元H於前後方向X上依此順序排列。液體處理單元SC與熱處理單元H分別與搬送機構TC相向。
藉由本變化實施例，亦發揮與上述實施例1、2相同之效果。又，於本變化實施例中，由於1個區塊BCH可對基板W進行液體處理及熱處理之兩者，故可將處理部17小型化。又，可減輕基板W之搬送負擔(例如，搬送距離或搬送時間)。
(5)於上述實施例1、2中，亦可適當地變更液體處理單元SC所使用之處理液。例如，處理液亦可為清洗液或藥液。又，於上述實施例1、2中，對基板W進行之一連串處理之順序亦可適當地進行變更。
(6)於上述實施例1、2中，移送機部11為基板處理裝置1之要素，但不限定於此。即，移送機部11亦可為基板處理裝置1之外部機器。又，曝光機EXP為基板處理裝置1之外部裝置，但不限定於此。曝光機EXP亦可 為基板處理裝置1之要素。
於上述實施例2中，介面區塊BF為基板處理裝置1之要素，但不限定於此。即，介面區塊BF亦可為基板處理裝置1之外部機器。
(7)於上述實施例1、2中，例示僅將處理部17之正面17f與移送機部11連接之例(參照圖2A、23A)、與僅將處理部17之背面17b與移送機部11連接之例(參照圖2B、23B)，但不限定於此。例如，亦可將處理部17之正面17f與第1移送機部連接，且將處理部17之背面17b與第2移送機部連接。如此，亦可將處理部17與2個移送機部11連接。
(8)於上述實施例1中，處理部17之正面17f可與移送機部11及曝光機EXP連接，但不限定於此。例如，處理部17之正面17f亦可與移送機部11、曝光機EXP及介面部連接。同樣地，處理部17之背面17b可與移送機部11及曝光機EXP連接，但不限定於此。例如，處理部17之背面17b亦可與移送機部11、曝光機EXP及介面部連接。根據本變化實施例，可進一步提高處理部17之配置自由度。
於上述實施例2中，處理部17之正面17f與移送機部11及介面區塊BF連接，但不限定於此。例如，處理部17之正面17f可與移送機部11、介面區塊BF及曝光機EXP連接。同樣地，處理部17之背面17b與移送機部11及介面區塊BF連接，但不限定於此。例如，處理部17之背面17b可與移送機部11、介面區塊BF及曝光機EXP連接。根據本變化實施例，可進一步提高處理部17之配置自由度。
(9)於上述實施例1、2中，處理單元、載置部P及搬送機構T於俯視及前視時，左右對稱地配置，但不限定於此。亦可使處理單元、載置部P及搬送機構T僅於俯視及側視之任一者時前後對稱地配置。
(10)於上述實施例1、2中，處理單元、載置部P及搬送機構T於俯視及側視時，前後對稱地配置，但不限定於此。亦可使處理單元、載置部P及搬送機構T僅於俯視及前視之任一者時左右對稱地配置。
(11)亦可以適當地組合上述實施例及各變化實施例之各構成之方式進行變更。

Claims (23)

  1. 一種基板處理裝置，上述基板處理裝置具備對基板進行處理之處理部；且上述處理部之正面及背面之任一者均可與將基板供給至上述處理部之移送機部連接；上述處理部之上述正面及上述背面之任一者均可與於處理部和曝光機之間搬送基板之介面部及對基板進行曝光之曝光機之至少一者連接；於上述處理部之上述正面與上述移送機部連接時，上述處理部之上述背面與上述介面部及上述曝光機之任一者連接；於上述處理部之上述背面與上述移送機部連接時，上述處理部之上述正面與上述介面部及上述曝光機之任一者連接。
  2. 一種基板處理裝置，上述基板處理裝置具備對基板進行處理之處理部；且上述處理部之正面及背面之任一者均可與將基板供給至上述處理部之移送機部連接；上述處理部具備：載置基板之載置部，且上述載置部包含：前部載置部，其朝上述處理部之前方開放；及後部載置部，其朝上述處理部之後方開放；前視時之上述前部載置部之位置與後視時之上述後部載置部的位置 相同。
  3. 一種基板處理裝置，上述基板處理裝置具備對基板進行處理之處理部；且上述處理部之正面及背面之任一者均可與將基板供給至上述處理部之移送機部連接；上述處理部具備複數個區塊，該等複數個區塊係以於連結上述處理部之上述正面與上述背面之前後方向排成一行之方式設置，且配置於自上述處理部之前方算起第i個(其中，i為1以上之整數)之區塊具有與配置於自上述處理部之後方算起第i個之區塊相同之功能。
  4. 如請求項2或3之基板處理裝置，其中上述處理部之上述正面及上述背面之任一者均可與介面部及曝光機之至少任一者連接。
  5. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中上述處理部於將上述處理部之上述正面與上述移送機部連接時對基板所進行之處理，與上述處理部於將上述處理部之上述背面與上述移送機部連接時對基板所進行的處理相同。
  6. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述處理部具備：載置基板之載置部，且 上述載置部包含：前部載置部，其朝上述處理部之前方開放；及後部載置部，其朝上述處理部之後方開放；前視時之上述前部載置部之位置與後視時之上述後部載置部的位置相同。
  7. 如請求項3之基板處理裝置，其中上述處理部具備：載置基板之載置部，且上述載置部包含：前部載置部，其朝上述處理部之前方開放；及後部載置部，其朝上述處理部之後方開放；前視時之上述前部載置部之位置與後視時之上述後部載置部的位置相同。
  8. 如請求項2、6、7中任一項之基板處理裝置，其中上述處理部具備：處理單元，其對基板進行處理；及搬送機構，其將基板搬送至上述處理單元及上述載置部；且上述處理部之上述正面、上述處理單元、上述載置部、及上述搬送機構之相對位置關係，與上述處理部之上述背面、上述處理單元、上述載置部、及上述搬送機構的相對位置關係相同。
  9. 如請求項8之基板處理裝置，其中上述處理單元、上述載置部及上述搬送機構於俯視時係點對稱地配置。
  10. 如請求項8之基板處理裝置，其中上述處理部之前部之上述處理單元、上述載置部及上述搬送機構，係與上述處理部之後部之上述處理單元、上述載置部及上述搬送機構對稱地配置。
  11. 如請求項8之基板處理裝置，其中上述處理部之右部之上述處理單元、上述載置部及上述搬送機構，係與上述處理部之左部之上述處理單元、上述載置部及上述搬送機構對稱地配置。
  12. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述處理部具備複數個區塊，該等複數個區塊係以於連結上述處理部之上述正面與上述背面之前後方向排成一行之方式設置，且配置於自上述處理部之前方算起第i個(其中，i為1以上之整數)之區塊具有與配置於自上述處理部之後方算起第i個之區塊相同之功能。
  13. 如請求項2之基板處理裝置，其中上述處理部具備複數個區塊，該等複數個區塊係以於連結上述處理 部之上述正面與上述背面之前後方向排成一行之方式設置，且配置於自上述處理部之前方算起第i個(其中，i為1以上之整數)之區塊具有與配置於自上述處理部之後方算起第i個之區塊相同之功能。
  14. 如請求項3、12、13中任一項之基板處理裝置，其中上述區塊為對基板進行熱處理之熱處理區塊、對基板進行液體處理之液體處理區塊、及於上述熱處理區塊與上述液體處理區塊之間中繼基板之中繼區塊之任一者，且自上述處理部之上述正面朝向上述背面之液體處理區塊、熱處理區塊及中繼區塊之排列係與自上述處理部之上述背面朝向上述正面之液體處理區塊、熱處理區塊及中繼區塊的排列相同。
  15. 如請求項14之基板處理裝置，其中自上述處理部之上述正面朝向上述背面，依序排列熱處理區塊、中繼區塊、液體處理區塊、中繼區塊、熱處理區塊。
  16. 一種基板處理裝置，上述基板處理裝置具備對基板進行處理之處理部；上述處理部具備：前部熱處理區塊，其配置於上述處理部之前端部，且對基板進行熱處理；後部熱處理區塊，其配置於上述處理部之後端部，且對基板進行熱 處理；及液體處理區塊，其配置於上述前部熱處理區塊與上述後部熱處理區塊之間，且對基板進行液體處理；且上述前部熱處理區塊及上述後部熱處理區塊各自可與將基板供給至上述處理部之移送機部連接。
  17. 如請求項16之基板處理裝置，其中上述液體處理區塊將已進行液體處理之一部分基板送至上述前部熱處理區塊，且將已進行液體處理之其他基板送至上述後部熱處理區塊，上述前部熱處理區塊及上述後部熱處理區塊各自對基板進行液體處理後熱處理。
  18. 如請求項16之基板處理裝置，其中上述液體處理區塊係進行將塗膜材料塗佈於基板之塗佈處理作為上述液體處理，且上述液體處理區塊將已進行上述塗佈處理之一部分基板送至上述前部熱處理區塊，且將已進行上述塗佈處理之其他基板送至上述後部熱處理區塊，上述前部熱處理區塊及上述後部熱處理區塊各自對基板進行塗佈後熱處理。
  19. 如請求項16之基板處理裝置，其中上述液體處理區塊係進行將顯影液供給至基板之顯影處理作為上述 液體處理，且上述液體處理區塊將已進行上述顯影處理之一部分基板送至上述前部熱處理區塊，且將已進行上述顯影處理之其他基板送至上述後部熱處理區塊，上述前部熱處理區塊及上述後部熱處理區塊各自對基板進行顯影後熱處理。
  20. 如請求項16之基板處理裝置，其中上述處理部具備：前部中繼區塊，其配置於上述前部熱處理區塊與上述液體處理區塊之間，且中繼基板；及後部中繼區塊，其配置於上述液體處理區塊與上述後部熱處理區塊之間，且中繼基板；且上述前部熱處理區塊具備：熱處理單元，其對基板進行熱處理；及搬送機構，其將基板搬送至上述前部熱處理區塊之上述熱處理單元；上述前部中繼區塊具備：載置部，其載置基板；及搬送機構，其將基板搬送至上述前部中繼區塊之上述載置部；上述液體處理區塊具備：液體處理單元，其對基板進行液體處理；及搬送機構，其將基板搬送至上述液體處理單元； 上述後部中繼區塊具備：載置部，其載置基板；及搬送機構，其將基板搬送至上述後部中繼區塊之上述載置部；上述後部熱處理區塊具備：熱處理單元，其對基板進行熱處理；及搬送機構，其將基板搬送至上述後部熱處理區塊之上述熱處理單元。
  21. 如請求項20之基板處理裝置，其中上述前部中繼區塊之複數個上述載置部相互於上下方向上排列，上述前部中繼區塊之複數個上述搬送機構配置於上述前部中繼區塊之上述載置部之側方，上述液體處理區塊之複數個上述搬送機構相互於上下方向上排列，上述後部中繼區塊之複數個上述載置部相互於上下方向上排列，上述後部中繼區塊之複數個上述搬送機構配置於上述後部中繼區塊之上述載置部之側方，以上述液體處理區塊之上述搬送機構各者與上述前部中繼區塊之至少1個以上之上述載置部相向之方式，配置上述前部中繼區塊之上述載置部，以上述液體處理區塊之上述搬送機構各者與上述後部中繼區塊之至少1個以上之上述載置部相向之方式，配置上述後部中繼區塊之上述載置部。
  22. 如請求項20之基板處理裝置，其中上述前部熱處理區塊之複數個上述搬送機構排列於上下方向及橫向之任一方向，且以上述前部熱處理區塊之上述搬送機構各者與上述前部中繼區塊之至少1個以上之上述載置部相向之方式，配置上述前部中繼區塊之上述載置部，上述後部熱處理區塊之複數個上述搬送機構以與上述前部熱處理區塊之複數個上述搬送機構相同之方向排列，且以上述後部熱處理區塊之上述搬送機構各者與上述後部中繼區塊之至少1個以上之上述載置部相向之方式，配置上述後部中繼區塊之上述載置部。
  23. 如請求項20之基板處理裝置，其中上述前部熱處理區塊具備載置基板之複數個載置部；且上述前部熱處理區塊之複數個上述載置部係於上述前部熱處理區塊之上述搬送機之側方，相互排列於上下方向，且以上述前部中繼區塊之上述搬送機構各者與上述前部熱處理區塊之至少1個以上之上述載置部相向之方式，配置上述前部熱處理區塊之上述載置部，上述後部熱處理區塊具備載置基板之複數個載置部；且上述後部熱處理區塊之複數個上述載置部係於上述後部熱處理區塊之上述搬送機之側方，相互於上下方向上排列，以上述後部中繼區塊之上述搬送機構各者與上述後部熱處理區塊之 至少1個以上之上述載置部相向之方式，配置上述後部熱處理區塊之上述載置部。
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