TW202015161A - 基板處理裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明之基板處理裝置具備裝載部、第1處理部、第1搬送機構、第2處理部、第2搬送機構、第1載置部、第2載置部及控制部。第1搬送機構反覆執行包含3個進接動作(具體而言為第1進接動作、第2進接動作及第3進接動作)之第1循環動作。第2搬送機構反覆執行包含3個進接動作(具體而言為第4進接動作、第5進接動作及第6進接動作)之第2循環動作。
Description
本發明係關於一種對基板進行處理之基板處理裝置。基板例如為半導體晶圓、液晶顯示器用基板、有機EL(Electroluminescence,電致發光)用基板、FPD(Flat Panel Display,平板顯示器)用基板、光顯示器用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板及太陽電池用基板。
日本專利特開2009-010291號公報揭示有一種基板處理裝置。以下,藉由劃括號來表示日本專利特開2009-010291號公報中所記載之符號。基板處理裝置(1)具備搬送機構(TID)、搬送機構(T1)、搬送機構(T2)及搬送機構(TIFA)。搬送機構(TID、T1、T2、TIFA)分別搬送基板。
基板處理裝置(1)具備載置部(PASS1)、載置部(PASS2)及載置部(PASS5)。載置部(PASS1、PASS2、PASS5)分別供載置基板。搬送機構(TID)與搬送機構(T1)經由載置部(PASS1)交接基板。搬送機構(T1)與搬送機構(T2)經由載置部(PASS2)交接基板。搬送機構(T2)與搬送機構(TIFA)經由載置部(PASS5)交接基板。
基板處理裝置(1)具備塗佈處理單元(31)、熱處理單元(41)、邊緣曝光單元(EEW)、顯影處理單元(DEV)及熱處理單元(42)。塗佈處理單元(31)、熱處理單元(41)、邊緣曝光單元(EEW)、顯影處理單元(DEV)、熱處理單元(42)分別對基板進行處理。搬送機構(T1)將基板搬送至塗佈處理單元(31)及熱處理單元(41)。搬送機構(T2)將基板搬送至邊緣曝光單元(EEW)、顯影處理單元(DEV)及熱處理單元(42)。
搬送機構(T1)反覆執行一系列動作(以下稱作「循環動作」)。搬送機構(T1)之循環動作至少包含以下4個進接動作。
・第1進接動作:向載置部(PASS1)進接
・第2進接動作:向載置部(PASS2)進接
・第3進接動作:向塗佈處理單元(31)進接
・第4進接動作:向熱處理單元(41)進接
搬送機構(T2)反覆執行一系列動作(以下稱作「循環動作」)。搬送機構(T2)之循環動作至少包含以下5個進接動作。
・第5進接動作:向載置部(PASS2)進接
・第6進接動作:向載置部(PASS5)進接
・第7進接動作:向邊緣曝光單元(EEW)進接
・第8進接動作:向顯影處理單元(DEV)進接
・第9進接動作:向熱處理單元(42)進接
基板處理裝置(1)具備搬送空間(A1)及搬送空間(A2)。搬送空間(A1)配置於塗佈處理單元(31)及熱處理單元(41)之側方。搬送機構(T1)設置於搬送空間(A1)。搬送空間(A2)配置於邊緣曝光單元(EEW)、顯影處理單元(DEV)及熱處理單元(42)之側方。搬送機構(T2)設置於搬送空間(A2)。載置部(PASS2)橫跨搬送空間(A1)及搬送空間(A2)而配置。
[發明所欲解決之問題]
要求進一步提高基板處理裝置之處理量(單位時間可處理之基板之數量)。然而,就日本專利特開2009-010291號公報所示之基板處理裝置(1)之構成而言,難以進一步提高處理量。
又,要求進一步減小基板處理裝置之佔據面積(設置面積)。然而,就日本專利特開2009-010291號公報所示之基板處理裝置(1)之構成而言,難以進一步減小基板處理裝置(1)之佔據面積。
本發明係鑒於上述情況而完成者,以提供可提高處理量之基板處理裝置為第1目的。進而,以提供可減小基板處理裝置之佔據面積之基板處理裝置為第2目的。
[解決問題之技術手段]
本發明為了達成此種目的而採用如下構成。
即,本發明係一種基板處理裝置,其具備:裝載部,其自載具搬出基板;第1處理部,其對基板進行處理;第1搬送機構,其將基板搬送至上述第1處理部;第2處理部,其對基板進行與上述第1處理部不同之處理;第2搬送機構,其將基板搬送至上述第2處理部;第1載置部,其載置在上述裝載部與上述第1搬送機構之間被搬送之基板;第2載置部,其載置在上述第1搬送機構與上述第2搬送機構之間被搬送之基板;及控制部,其控制上述裝載部、上述第1處理部、上述第1搬送機構、上述第2處理部及上述第2搬送機構;且按照上述控制部之控制,上述第1搬送機構反覆執行包含3個進接動作之第1循環動作,上述第1循環動作中所包含之上述進接動作中之一個係向上述第1載置部進接之第1進接動作,上述第1循環動作中所包含之上述進接動作中之另一個係向上述第1處理部進接之第2進接動作,上述第1循環動作中所包含之上述進接動作之其餘一個係向上述第2載置部進接之第3進接動作,按照上述控制部之控制,上述第2搬送機構反覆執行包含2個或3個進接動作之第2循環動作,上述第2循環動作中所包含之上述進接動作中之一個係向上述第2載置部進接之第4進接動作,上述第2循環動作中所包含之上述進接動作中之另一個係向上述第2處理部進接之第5進接動作。
經由第1載置部,於裝載部與第1搬送機構之間搬送基板。經由第2載置部,於第1搬送機構與第2搬送機構之間搬送基板。第1搬送機構將基板搬送至第1處理部。第2搬送機構將基板搬送至第2處理部。第1處理部與第2處理部分別對基板進行處理。第2處理部對基板進行之處理與第1處理部對基板進行之處理不同。
此處,第1搬送機構按照控制部之控制,反覆執行第1循環動作。第1循環動作包含3個進接動作。即,第1循環動作中所包含之進接動作之數量為3個。第1循環動作中所包含之進接動作具體而言為第1進接動作、第2進接動作及第3進接動作。如此,第1循環動作中所包含之進接動作之數量相對較少。因此,第1搬送機構單位時間可執行之第1循環動作之次數相對較多。換言之,第1搬送機構單位時間可搬送之基板之片數相對較多。總之,第1搬送機構搬送基板之效率(以下適當稱作「搬送效率」)相對較高。
第2搬送機構按照控制部之控制,反覆執行第2循環動作。第2循環動作僅由2個或3個進接動作構成。即,第2循環動作中所包含之進接動作之數量為2個或3個。第2循環動作中所包含之進接動作具體而言為第4進接動作與第5進接動作。如此,第2循環動作中所包含之進接動作之數量相對較少。因此,第2搬送機構之搬送效率相對較高。
如上所述,第1搬送機構及第2搬送機構之各搬送效率相對較高,故而基板處理裝置單位時間可處理之基板之片數相對較多。如此,基板處理裝置可適宜地提高處理量。
於上述基板處理裝置中,較佳為上述第1進接動作包含拿取上述第1載置部上之基板且將基板載置於上述第1載置部之上述第1搬送機構之動作,上述第2進接動作包含將基板搬入至上述第1處理部且自上述第1處理部搬出基板之上述第1搬送機構之動作,上述第3進接動作包含拿取上述第2載置部上之基板且將基板載置於上述第2載置部之上述第1搬送機構之動作,上述第4進接動作包含拿取上述第2載置部上之基板且將基板載置於上述第2載置部之上述第2搬送機構之動作,上述第5進接動作包含將基板搬入至上述第2處理部且自上述第2處理部搬出基板之上述第2搬送機構之動作。據此,第1搬送機構及第2搬送機構可將自裝載部供給之基板搬送至第1處理部及第2處理部。進而,第1搬送機構及第2搬送機構可將於第1處理部及第2處理部中經處理之基板移回至裝載部。
於上述基板處理裝置中,較佳為上述第1處理部配置於上述第2搬送機構可搬送基板之第2區域之外,上述第2處理部配置於上述第1搬送機構可搬送基板之第1區域之外。第1處理部配置於第2搬送機構之第2區域之外。因此,第1搬送機構可不與第2搬送機構干涉地向第1處理部進接。同樣地,第2處理部配置於第1搬送機構之第1區域之外。因此,第2搬送機構可不與第1搬送機構干涉地向第2處理部進接。
於上述基板處理裝置中,較佳為上述第1區域於俯視下為大致圓形,上述第2區域於俯視下為大致圓形。由於第1區域於俯視下為大致圓形,故而第1搬送機構可高效率地進行第1循環動作中所包含之3個進接動作。即,第1搬送機構可高效率地進行第1循環動作。由此,第1搬送機構之搬送效率更高。同樣地,由於第2區域於俯視下為大致圓形,故而第2搬送機構可高效率地進行第2循環動作中所包含之2個或3個進接動作。即,第2搬送機構可高效率地進行第2循環動作。由此,第2搬送機構之搬送效率更高。
於上述基板處理裝置中,較佳為上述第1載置部配置於上述裝載部與上述第1搬送機構之間,上述第2載置部配置於上述第1搬送機構與上述第2搬送機構之間,上述第1處理部配置於上述第1搬送機構之側方,上述第2處理部配置於上述第2搬送機構之側方。第1載置部配置於裝載部與第1搬送機構之間。因此,裝載部與第1搬送機構可容易地向第1載置部進接。第2載置部配置於第1搬送機構與第2搬送機構之間。因此,第1搬送機構與第2搬送機構可容易地向第2載置部進接。第1處理部配置於第1搬送機構之側方。因此,第1搬送機構可容易地向第1處理部進接。第2處理部配置於第2搬送機構之側方。因此,第2搬送機構可容易地向第2處理部進接。
於上述基板處理裝置中,較佳為上述第1搬送機構、上述第2搬送機構及上述第2載置部於俯視下呈三角配置。據此,第1搬送機構、第2搬送機構及第2載置部於俯視下分別位於三角形之各頂點。因此,可使第1搬送機構與第2搬送機構之間隔距離變小。由此,可使基板處理裝置之設置面積(佔據面積)變小。
於上述基板處理裝置中,較佳為上述第1搬送機構具備:第1支柱,其固定地設置,且於上下方向上延伸;第1升降部,其被支持於上述第1支柱,且可於上下方向上移動;第1旋轉部,其被支持於上述第1升降部,且可繞與上下方向平行之第1軸線旋轉;及第1保持部,其被支持於上述第1旋轉部,且保持基板;且上述第1旋轉部被設置為無法於水平方向上移動,上述第1處理部具備將基板逐片進行處理之複數個第1處理單元,上述第1處理單元各者於側視下配置於與上述第1軸線重疊之位置,上述第2搬送機構具備:第2支柱,其固定地設置,且於上下方向上延伸;第2升降部,其被支持於上述第2支柱,且可於上下方向上移動;第2旋轉部,其被支持於上述第2升降部,且可繞與上下方向平行之第2軸線旋轉;及第2保持部,其被支持於上述第2旋轉部,且保持基板;且上述第2旋轉部被設置為無法於水平方向上移動,上述第2處理部具備將基板逐片進行處理之複數個第2處理單元,上述第2處理單元各者於側視下配置於與上述第2軸線重疊之位置。第1支柱被設置為固定。第1旋轉部被設置為無法於水平方向上移動。因此,第1搬送機構可分別於短時間內進行第1-第3進接動作。進而,各第1處理單元於側視下配置於與第1軸線重疊之位置。因此,第1搬送機構可容易地進接各第1處理單元。同樣地,第2支柱被設置為固定。第2旋轉部被設置為無法於水平方向上移動。因此,第2搬送機構可分別於短時間內進行第4、第5進接動作。進而,各第2處理單元於側視下配置於與第2軸線重疊之位置。因此,第2搬送機構可容易地進接各第2處理單元。
於上述基板處理裝置中,較佳為上述第1處理單元及上述第2處理單元中之一者係對基板進行熱處理之熱處理單元,上述熱處理單元以排列於上下方向之方式配置。由於熱處理單元以排列於上下方向之方式配置,故而第1搬送機構及第2搬送機構中之任一者均可容易地進接各熱處理單元。例如,於第1處理單元為熱處理單元之情形時,第1搬送機構可容易地進接各熱處理單元。例如,於第2處理單元為熱處理單元之情形時,第2搬送機構可容易地進接熱處理單元。
於上述基板處理裝置中,較佳為於俯視下,上述第1軸線與上述第2軸線之間之距離為基板半徑之5倍以下。據此,可使第1搬送機構與第2搬送機構之間隔距離變小。由此,可使基板處理裝置之設置面積(佔據面積)變小。
於上述基板處理裝置中,較佳為上述第2載置部於俯視下配置於不與將上述第1軸線與上述第2軸線相連之假想直線重疊之位置。據此,可適宜地使第1搬送機構與第2搬送機構之間隔距離變小。
於上述基板處理裝置中,較佳為於俯視下,上述第1軸線與上述第2載置部之間之距離和上述第2軸線與上述第2載置部之間之距離大致相等。據此,第1搬送機構及第2搬送機構可分別容易地進接第2載置部。
於上述基板處理裝置中,較佳為上述第2載置部具有:第1部分,其於俯視下與上述第1處理部重疊;及第2部分,其於俯視下與上述第2處理部重疊。即,第2載置部於俯視下,配置於與第1處理部和第2處理部之兩者重疊之位置。其結果,可適宜地兼顧使第1搬送機構與第2搬送機構之間隔距離變小、以及第1搬送機構及第2搬送機構可容易地進接第2載置部。
於上述基板處理裝置中,較佳為上述第2載置部進而具有第3部分,該第3部分於俯視下不與上述第1處理部及上述第2處理部重疊。第1搬送機構及第2搬送機構可分別更容易地進接第2載置部。
於上述基板處理裝置中,較佳為上述第2載置部之上述第3部分於俯視下與供設置上述第1搬送機構及上述第2搬送機構之搬送空間重疊。第1搬送機構及第2搬送機構可分別更容易地進接第2載置部。
於上述基板處理裝置中,較佳為上述基板處理裝置具備:複數個第1槽,其等配置於上述第1搬送機構之側方,且於上下方向上排列成1行;及複數個第2槽,其等配置於上述第2搬送機構之側方,且於上下方向上排列成1行;且上述第1槽之至少一個係用於設置上述第1處理部之處理用第1槽,上述第1槽之另一個係用於設置上述第2載置部之載置用第1槽,上述第2槽之至少一個係用於設置上述第2處理部之處理用第2槽,上述第2槽之另一個係用於設置上述第2載置部之載置用第2槽,上述載置用第2槽配置於與上述載置用第1槽相同之高度位置,上述第2載置部橫跨上述載置用第1槽與上述載置用第2槽而設置。可有效運用第1槽之一部分與第2槽之一部分,適宜地設置第2載置部。
於上述基板處理裝置中,較佳為上述基板處理裝置具備:第3處理部,其對基板進行與上述第1處理部及上述第2處理部不同之處理;第3搬送機構,其將基板搬送至上述第3處理部;及第3載置部,其供載置在上述第2搬送機構與上述第3搬送機構之間被搬送之基板;且上述控制部進而對上述第3處理部與上述第3搬送機構進行控制,上述第2循環動作包含3個上述進接動作,除上述第4進接動作及上述第5進接動作以外之上述第2循環動作中所包含之上述進接動作之其餘一個係向上述第3載置部進接之第6進接動作,按照上述控制部之控制,上述第3搬送機構反覆執行包含2個或3個進接動作之第3循環動作,上述第3循環動作中所包含之上述進接動作中之一個係向上述第3載置部進接之第7進接動作,上述第3循環動作中所包含之上述進接動作中之另一個係向上述第3處理部進接之第8進接動作。
經由第3載置部,於第2搬送機構與第3搬送機構之間搬送基板。第3搬送機構將基板搬送至第3處理部。第3處理部對基板進行處理。第3處理部對基板進行之處理與第1處理部對基板進行之處理不同,且與第2處理部對基板進行之處理不同。
此處,第2搬送機構之第2循環動作包含3個進接動作。即,第2循環動作中所包含之進接動作之數量為3個。第2循環動作中所包含之進接動作具體而言為第4進接動作、第5進接動作及第6進接動作。如此,第2循環動作中所包含之進接動作之數量相對較少。因此,第2搬送機構之搬送效率相對較高。
按照控制部之控制,第3搬送機構反覆執行第3循環動作。第3循環動作僅由2個或3個進接動作構成。第3循環動作中所包含之進接動作之數量為2個或3個。第3循環動作中所包含之進接動作為第7進接動作與第8進接動作。如此,第3循環動作中所包含之進接動作之數量相對較少。因此,第3搬送機構之搬送效率相對較高。
如上所述,第1搬送機、第2搬送機構及第3搬送機構之各搬送效率較高,故而基板處理裝置可適宜地提高處理量。
於上述基板處理裝置中,較佳為上述第6進接動作包含拿取上述第3載置部上之基板且將基板載置於上述第3載置部之上述第2搬送機構之動作,上述第7進接動作包含拿取上述第3載置部上之基板且將基板載置於上述第3載置部之上述第3搬送機構之動作,於上述第8進接動作中,包含將基板搬入至上述第3處理部且自上述第3處理部搬出基板之上述第3搬送機構之動作。據此,第1搬送機構、第2搬送機構及第3搬送機構可將自裝載部供給之基板搬送至第1處理部、第2處理部及第3處理部。進而,第1搬送機構、第2搬送機構及第3搬送機構可將於第1處理部、第2處理部及第3處理部中經處理之基板移回至裝載部。
於上述基板處理裝置中,較佳為上述第1處理部及上述第2處理部中之一者係將基板之周緣部曝光之邊緣曝光處理部,上述第1處理部及上述第2處理部中之另一者係對基板進行熱處理之熱處理部,上述第3處理部係對基板進行液體處理之液體處理部。第1處理部及第2處理部與第3處理部相比配置於靠近裝載部之位置。因此,可於相對靠近裝載部之位置配置邊緣曝光處理部及熱處理部。換言之,第3處理部與第1處理部及第2處理部相比配置於遠離裝載部之位置。因此,可於距裝載部相對較遠之位置配置液體處理部。
於上述基板處理裝置中,較佳為按照由上述控制部進行之控制,上述第1搬送機構、上述第2搬送機構及上述第3搬送機構將自上述裝載部供給之基板依序搬送至上述邊緣曝光處理部、上述液體處理部及上述熱處理部,按照由上述控制部進行之控制,上述第1搬送機構與上述第2搬送機構將自上述熱處理部搬出之基板移回至上述裝載部,而不交遞至上述第3搬送機構。第3搬送機構不搬送自熱處理部搬出之基板。即,第3搬送機構不與熱處理後之基板接觸。第3搬送機構僅將熱處理前之基板搬送至液體處理部。因此,第3搬送機構不會自熱處理後之基板受到熱影響。由此,被搬送至液體處理部之基板不會自第3搬送機構受到熱影響。其結果,可適宜地防止液體處理部中之液體處理之品質被損害。
於上述基板處理裝置中,較佳為具備將上述第3處理部與上述第2處理部隔開之隔熱空間。可有效地減少第3處理部自第2處理部受到之熱影響。
於上述基板處理裝置中,較佳為上述第3處理部具備第3長處理部及第3短處理部,上述第3搬送機構配置於上述第3長處理部與第3短處理部之間,上述第3長處理部、上述第3搬送機構及上述第3短處理部排列於寬度方向,與上述寬度方向正交之前後方向上之上述第3短處理部之長度較上述前後方向上之第3長處理部之長度小,上述基板處理裝置具備保修空間,上述保修空間與上述第3短處理部排列於上述前後方向。基板處理裝置具備保修空間,故而可適宜地將基板處理裝置予以保修。
於上述基板處理裝置中,較佳為上述基板處理裝置具備:第1區塊,其收容上述第1處理部、上述第1搬送機構、上述第2處理部、上述第2搬送機構及上述第2載置部;及第2區塊,其連接於上述第1區塊,收容上述第3處理部及上述第3搬送機構;且上述第1區塊於前視、俯視及側視下為大致矩形,上述第2區塊於前視、俯視及側視下為大致矩形。第1處理部及第2處理部設置於第1區塊。第3處理部設置於第2區塊。藉此,可將第1處理部及第2處理部適宜地與第3處理部隔開。
於上述基板處理裝置中,較佳為上述基板處理裝置具備:第1框架,其被設置作為上述第1區塊之骨架,支持上述第1搬送機構、上述第2搬送機構、上述第1處理部、上述第2處理部及上述第2載置部;及第2框架,其被設置作為上述第2區塊之骨架,支持上述第3搬送機構與上述第3處理部;且上述第2框架連結於上述第1框架。可利用第1框架及第2框架適宜地構成第1區塊及第2區塊。
又,本發明係一種基板處理裝置,其具備:第1處理部,其對基板進行處理;第2處理部,其對基板進行處理;搬送空間,其形成於上述第1處理部及上述第2處理部之側方;第1搬送機構,其設置於上述搬送空間,且將基板搬送至上述第1處理部;第2搬送機構,其設置於上述搬送空間,且將基板搬送至上述第2處理部;及載置部,其供載置在上述第1搬送機構與上述第2搬送機構之間被搬送之基板;且上述載置部具有於俯視下與上述第1處理部重疊之第1部分、及與上述第2處理部重疊之第2部分。
經由載置部,於第1搬送機構與第2搬送機構之間搬送基板。第1搬送機構將基板搬送至第1處理部。第2搬送機構將基板搬送至第2處理部。第1處理部與第2處理部分別對基板進行處理。
載置部配置於與第1處理部和第2處理部之兩者重疊之位置。因此,可使第1搬送機構與第2搬送機構之間隔距離變小。其結果,可減少基板處理裝置之佔據面積。
於上述基板處理裝置中,較佳為上述載置部具有於俯視下與上述搬送空間重疊之第3部分。第1搬送機構及第2搬送機構可分別容易地進接載置部。
以下,參照圖式說明本發明之基板處理裝置。
[第1實施形態]
<基板處理裝置之概要>
圖1係第1實施形態之基板處理裝置之概念圖。第1實施形態之基板處理裝置1對基板(例如半導體晶圓)W進行一系列處理。
基板W例如為半導體晶圓、液晶顯示器用基板、有機EL(Electroluminescence)用基板、FPD(Flat Panel Display)用基板、光顯示器用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板及太陽電池用基板。基板W具有俯視下大致圓形狀。
基板處理裝置1具備裝載部11。裝載部11自載具C搬出基板W。進而,裝載部11將基板W搬入至載具C。載具C收容複數片基板W。載具C例如為FOUP(front opening unified pod,前開式晶圓盒)。
基板處理裝置1具備第1處理部34、第2處理部37及第3處理部64。第1處理部34、第2處理部37及第3處理部64分別對基板W進行處理。第1處理部34對基板W進行之處理與第2處理部37對基板W進行之處理不同。第1處理部34對基板W進行之處理與第3處理部64對基板W進行之處理不同。第2處理部37對基板W進行之處理與第3處理部64對基板W進行之處理不同。
第1處理部34例如為將基板W之周緣部曝光之邊緣曝光處理部。第1處理部34對基板W進行之處理例如為將基板W之周緣部曝光之邊緣曝光處理。
第2處理部37例如為對基板W進行熱處理之熱處理部。第2處理部37對基板W進行之處理例如為熱處理。由第2處理部37進行之熱處理包含將基板W加熱之加熱處理。
第3處理部64例如為對基板W進行液體處理之液體處理部。第3處理部64對基板W進行之處理例如為液體處理。由第3處理部64進行之液體處理係例如對基板W供給顯影液,使基板W顯影之顯影處理。
基板處理裝置1具備第1搬送機構46、第2搬送機構48及第3搬送機構68。第1搬送機構46、第2搬送機構48及第3搬送機構68分別搬送基板W。第1搬送機構46將基板W搬送至第1處理部34。第1搬送機構46不將基板W搬送至第2處理部37及第3處理部64。第2搬送機構48將基板W搬送至第2處理部37。第2搬送機構48不將基板W搬送至第1處理部34及第3處理部64。第3搬送機構68將基板W搬送至第3處理部64。第3搬送機構68不將基板W搬送至第1處理部34及第2處理部37。
基板處理裝置1具備第1載置部21、第2載置部41及第3載置部51。第1載置部21、第2載置部41及第3載置部51分別供載置基板W。第1載置部21供載置在裝載部11與第1搬送機構46之間被搬送之基板W。第2載置部41供載置在第1搬送機構46與第2搬送機構48之間被搬送之基板W。第3載置部51供載置在第2搬送機構48與第3搬送機構68之間被搬送之基板W。
基板處理裝置1具備控制部81。控制部81例如設置於裝載部11。控制部81控制基板處理裝置1。具體而言,控制部81控制裝載部11、第1處理部34、第2處理部37、第3處理部64、第1搬送機構46、第2搬送機構48及第3搬送機構68。
控制部81係藉由執行各種處理之中央運算處理裝置(CPU(Central Processing Unit,中央處理器))、成為運算處理之作業區域之RAM(Random-Access Memory,隨機存取記憶體)、及固定磁碟等記憶媒體等實現。記憶媒體中記憶有用於對基板W進行處理之處理配方(處理程式)、或用於識別各基板W之資訊等各種資訊。
圖2係模式性地表示第1-第3循環動作之圖。按照控制部81之控制,第1搬送機構46反覆執行第1循環動作。按照控制部81之控制,第2搬送機構48反覆執行第2循環動作。按照控制部81之控制,第3搬送機構68反覆執行第3循環動作。
第1搬送機構46之第1循環動作包含3個進接動作。第1循環動作中所包含之3個進接動作如下。
・向第1載置部21進接之第1進接動作
・向第1處理部34進接之第2進接動作
・向第2載置部41進接之第3進接動作
此處,第1進接動作包含第1搬送機構46拿取第1載置部21上之基板W之動作、及第1搬送機構46將基板W載置於第1載置部21之動作。第2進接動作包含第1搬送機構46將基板W搬入至第1處理部34之動作、及第1搬送機構46自第1處理部34搬出基板W之動作。第3進接動作包含第1搬送機構46拿取第2載置部41上之基板W之動作、第1搬送機構46包含將基板W載置於第2載置部41之動作。
第2搬送機構48之第2循環動作包含3個進接動作。第2循環動作中所包含之3個進接動作如下。
・向第2載置部41進接之第4進接動作
・向第2處理部37進接之第5進接動作
・向第3載置部51進接之第6進接動作
此處,第4進接動作包含第2搬送機構48拿取第2載置部41上之基板W之動作、及第2搬送機構48將基板W載置於第2載置部41之動作。第5進接動作包含第2搬送機構48將基板W搬入至第2處理部37之動作、及第2搬送機構48自第2處理部37搬出基板W之動作。第6進接動作包含第2搬送機構48拿取第3載置部51上之基板W之動作、及第2搬送機構48將基板W載置於第3載置部51之動作。
第3搬送機構68之第3循環動作包含2個進接動作。第3循環動作中所包含之2個進接動作如下。
・向第3載置部51進接之第7進接動作
・向第3處理部64進接之第8進接動作
此處,第7進接動作包含第3搬送機構68拿取第3載置部51上之基板W之動作、及第3搬送機構68將基板W載置於第3載置部51之動作。第8進接動作包含第3搬送機構68將基板W搬入至第3處理部64之動作、及第3搬送機構68自第3處理部64搬出基板W之動作。
基板處理裝置1例如以如下方式動作。按照由控制部81進行之控制,第1搬送機構46、第2搬送機構48及第3搬送機構68將自裝載部11供給之基板W依序搬送至第1處理部(邊緣曝光處理部)34、第3處理部(液體處理部)64及第2處理部(熱處理部)37。其後,第1搬送機構46與第2搬送機構48將基板W自第2處理部37搬送至裝載部11。此處,第1搬送機構46與第2搬送機構48將自第2處理部(熱處理部)37搬出之基板W移回至裝載部11,而不交遞至第3搬送機構68。以下,更詳細地說明基板處理裝置1之動作例。
參照圖2、3。圖3係模式性地表示基板之搬送路徑之圖。
裝載部11自載具C搬出基板W。裝載部11將基板W載置於第1載置部21。藉此,裝載部11將基板W自載具C搬送至第1載置部21。
第1搬送機構46拿取第1載置部21上之基板W(第1進接動作)。第1搬送機構46將基板W搬入至第1處理部34(第2進接動作)。藉此,第1搬送機構46將基板W自第1載置部21搬送至第1處理部34。第1處理部34對基板W進行處理(邊緣曝光處理)。第1搬送機構46自第1處理部34搬出基板W(第2進接動作)。第1搬送機構46將基板W放置於第2載置部41(第3進接動作)。藉此,第1搬送機構46將基板W自第1處理部34搬送至第2載置部41。
第2搬送機構48拿取第2載置部41上之基板W(第4進接動作)。第2搬送機構48將基板W載置於第3載置部51(第6進接動作)。藉此,第2搬送機構48將基板W自第2載置部41搬送至第3載置部51。
第3搬送機構68拿取第3載置部51上之基板W(第7進接動作)。第3搬送機構68將基板W搬入至第3處理部64(第8進接動作)。藉此,第3搬送機構68將基板W自第3載置部51搬送至第3處理部64。第3處理部64對基板W進行處理(液體處理)。第3搬送機構68自第3處理部64搬出基板W(第8進接動作)。第3搬送機構68將基板W載置於第3載置部51(第7進接動作)。藉此,第3搬送機構68將基板W自第3處理部64搬送至第3載置部51。
第2搬送機構48拿取第3載置部51上之基板W(第6進接動作)。第2搬送機構48將基板W搬入至第2處理部37(第5進接動作)。藉此,第2搬送機構48將基板W自第3載置部51搬送至第2處理部37。第2處理部37對基板W進行處理(熱處理)。第2搬送機構48自第2處理部37搬出基板W(第5進接動作)。第2搬送機構48將基板W載置於第2載置部41(第4進接動作)。藉此,第2搬送機構48將基板W自第2處理部37搬送至第2載置部41。
第1搬送機構46拿取第2載置部41上之基板W(第3進接動作)。第1搬送機構46將基板W載置於第1載置部21(第1進接動作)。藉此,第1搬送機構46將基板W自第2載置部41搬送至第1載置部21。
裝載部11拿取第1載置部21上之基板W。裝載部11將基板W搬入至載具C。藉此,裝載部11將基板W自第1載置部21搬送至載具C。
此處,基板處理裝置1可同時對複數個基板W進行處理。於基板處理裝置1同時對複數個基板W進行處理之情形時,於1次第1進接動作中,進行如下動作:第1搬送機構46拿取第1載置部21上之基板W;及第1搬送機構46將基板W載置於第1載置部21。於第2-第8進接動作中亦相同。
<第1實施形態之主要效果>
根據上述基板處理裝置1,發揮以下效果。
基板處理裝置1具備3個處理部(34、37、64)。基板處理裝置1針對各處理部(34、37、64),個別地具備搬送機構(46、48、68)。與第1處理部34對應地設置有第1搬送機構46,與第2處理部37對應地設置有第2搬送機構48,與第3處理部64對應地設置有第3搬送機構68。因此,第1搬送機構46搬送基板W之處理部之數量為1個。因此,可適宜地防止第1搬送機構46之第1循環動作中所包含之進接動作之數量成為4個以上。同樣地,第2搬送機構48搬送基板W之處理部之數量為1個。因此,可適宜地防止第2搬送機構48之第2循環動作中所包含之進接動作之數量成為4個以上。第3搬送機構68搬送基板W之處理部之數量為1個。因此,可適宜地防止第3搬送機構68之第3循環動作中所包含之進接動作之數量成為4個以上。
具體而言,第1循環動作中所包含之進接動作之數量為3個。第1循環動作中所包含之進接動作之數量相對較少。因此,第1搬送機構46單位時間可執行之第1循環動作之次數相對較多。換言之,第1搬送機構46單位時間可搬送之基板W之片數相對較多。總之,第1搬送機構46搬送基板W之效率(以下適當地稱作「搬送效率」)相對較高。
第2循環動作中所包含之進接動作之數量為3個。第2循環動作中所包含之進接動作之數量相對較少。因此,第2搬送機構48之搬送效率相對較高。
第3循環動作中所包含之進接動作之數量為2個。第3循環動作中所包含之進接動作之數量相對較少。因此,第3搬送機構68之搬送效率相對較高。
如上所述,第1搬送機構46、第2搬送機構48及第3搬送機構68之各搬送效率相對較高,故而基板處理裝置1單位時間可處理之基板W之片數相對較多。由此,可適宜地提高基板處理裝置1之處理量。
第1進接動作包含拿取第1載置部21上之基板W動作、及將基板W載置於第1載置部21之動作。第2進接動作包含將基板W搬入至第1處理部34之動作、及自第1處理部34搬出基板W之動作。第3進接動作包含拿取第2載置部41上之基板W之動作、及將基板W載置於第2載置部41之動作。第4進接動作包含拿取第2載置部41上之基板W之動作、及將基板W載置於第2載置部41之動作。第5進接動作包含將基板W搬入至第2處理部37之動作、及自第2處理部37搬出基板W之動作。第6進接動作包含拿取第3載置部51上之基板W之動作、及將基板W載置於第3載置部51之動作。第7進接動作包含拿取第3載置部51上之基板W之動作、及將基板W載置於第3載置部51之動作。第8進接動作包含將基板W搬入至第3處理部64之動作、及自第3處理部64搬出基板W之動作。因此,第1、第2、第3搬送機構46、48、68可將自裝載部11供給之基板W搬送至第1、第2、第3處理部34、37、64。進而,第1、第2、第3搬送機構46、48、68可將於第1、第2、第3處理部34、37、64中經處理之基板W移回至裝載部11。
第1搬送機構46、第2搬送機構48及第3搬送機構68將自裝載部11供給之基板W依序搬送至第1處理部(邊緣曝光處理部)34、第3處理部(液體處理部)64及第2處理部(熱處理部)37。進而,第1搬送機構46與第2搬送機構48將自第2處理部(熱處理部)37搬出之基板W移回至裝載部11,而不交遞至第3搬送機構68。因此,第3搬送機構68不搬送自第2處理部(熱處理部)37搬出之基板W。即,第3搬送機構68不與熱處理後之基板W接觸。第3搬送機構68僅搬送熱處理前之基板W。因此,第3搬送機構68不會自熱處理後之基板W受到熱影響。由此,第3搬送機構68可不對基板W帶來熱影響地將基板W搬送至第3處理部(液體處理部)64。例如,第3搬送機構68可不使基板W之溫度發生變化地將基板W搬送至第3處理部(液體處理部)64。由此,可適宜地防止第3處理部(液體處理部)64中之處理品質被損害。
以下,進一步詳細地說明基板處理裝置1之構造。
<基板處理裝置1之整體構造>
圖4係第1實施形態之基板處理裝置1之俯視圖。基板處理裝置1具備裝載部11、第1區塊31及第2區塊61。第1區塊31連接於裝載部11。第2區塊61連接於第1區塊31。第1區塊31收容第1處理部34、第2處理部37、第2載置部41、第1搬送機構46及第2搬送機構48。第2區塊61收容第3處理部64與第3搬送機構68。第1載置部21橫跨裝載部11與第1區塊31而設置。第3載置部51橫跨第1區塊31與第2區塊61而設置。
裝載部11、第1區塊31及第2區塊61以於水平方向上排列成一行之方式配置。第1區塊31配置於裝載部11與第2區塊61之間。
此處,將裝載部11、第1區塊31及第2區塊61排列之方向稱作「前後方向X」。將前後方向X中之自第2區塊61朝向裝載部11之方向稱作「前方」。將與前方相反之方向稱作「後方」。將與前後方向X正交之水平方向稱作「寬度方向Y」或「側方」。將「寬度方向Y」之一方向適當地稱作「右方」。將與右方相反之方向稱作「左方」。將垂直之方向稱作「上下方向Z」。上下方向Z與前後方向X正交,且與寬度方向Y正交。於各圖中,作為參考,適當地示出前、後、右、左、上、下。
以下,對基板處理裝置1之各部進行說明。
<裝載部11>
參照圖4-7。圖5係表示基板處理裝置1左部之構成之左側視圖。圖6係表示寬度方向Y上之基板處理裝置1中央部之構成之左側視圖。圖7係表示基板處理裝置1右部之構成之右側視圖。
裝載部11具備載具載置部12A、12B。載具載置部12A、12B以排列於寬度方向Y之方式配置。載具載置部12A配置於載具載置部12B之右方。載具載置部12A、12B分別載置1個載具C。
於將載具載置部12A上之載具C與載具載置部12B上之載具C加以區分之情形時,將載具載置部12A上之載具C記載為「載具CA」,將載具載置部12B上之載具C記載為「載具CB」。
裝載部11具備搬送空間13。搬送空間13配置於載具載置部12A、12B之後方。
裝載部11具備裝載用搬送機構14A、14B。裝載用搬送機構14A、14B設置於搬送空間13。裝載用搬送機構14A、14B以排列於寬度方向Y之方式配置。裝載用搬送機構14B配置於裝載用搬送機構14A之左方。裝載用搬送機構14A配置於載具載置部12A之後方。裝載用搬送機構14B配置於載具載置部12B之後方。
裝載用搬送機構14A具備支柱15a、升降部15b、旋轉部15c及保持部15d、15e。保持部15e被示於圖7中。支柱15a於上下方向Z上延伸。支柱15a固定地設置。即,支柱15a無法移動。升降部15b支持於支柱15a。升降部15b無法相對於支柱15a於上下方向Z上移動。升降部15b無法於水平方向上移動。旋轉部15c支持於升降部15b。旋轉部15c可相對於升降部15b旋轉。旋轉部15c之旋轉軸線與上下方向Z平行。旋轉部15c無法於水平方向上移動。保持部15d、15e支持於旋轉部15c。保持部15d、15e可相對於旋轉部15c於水平方向上進退移動。保持部15d、15e可獨立地進退移動。保持部15d、15e分別與基板W接觸。保持部15d、15e分別將1片基板W以水平姿勢予以保持。
裝載用搬送機構14B具有與裝載用搬送機構14A大致相同之構造。即,裝載用搬送機構14B具備支柱15a、升降部15b、旋轉部15c及保持部15d、15e。
如此,於本說明書中,當不同要素具有相同之構造時,藉由對該構造標註共通之符號而省略詳細之說明。
裝載用搬送機構14A可進接載具CA與第1載置部21。
裝載用搬送機構14A可自載具CA搬出基板W,且可將基板W搬入至載具CA。裝載用搬送機構14A可將基板W載置於第1載置部21,且可拿取第1載置部21上之基板W。裝載用搬送機構14A無法進接載具CB。
裝載用搬送機構14B可進接載具CB與第1載置部21。
裝載用搬送機構14B可自載具CB搬出基板W,且可將基板W搬入至載具CB。裝載用搬送機構14B可將基板W載置於第1載置部21,且可拿取第1載置部21上之基板W。裝載用搬送機構14B無法進接載具CA。
裝載用搬送機構14A、14B由控制部81控制。按照由控制部81進行之控制,裝載用搬送機構14A交替地進行向載具CA之進接動作與向第1載置部21之進接動作。按照由控制部81進行之控制,裝載用搬送機構14B交替地進行向載具CB之進接動作與向第1載置部21之進接動作。藉此,裝載部11自載具C搬出基板W,且將自載具C搬出之基板W交遞至第1搬送機構46。進而,裝載部11自第1搬送機構46承接基板W,且將自第1搬送機構46承接之基板W搬入至載具C。
<第1區塊31>
參照圖4-8。圖8係表示第1區塊31之構成(具體而言為第2處理部37與第2搬送機構48)之前視圖。第1區塊31具有大致箱形狀。第1區塊31於俯視、側視及前視下為大致矩形。
第1區塊31具有第1框架32。第1框架32被設置作為第1區塊31之骨架(骨格)。第1框架32劃定第1區塊31之形狀。第1框架32例如為金屬製。
第1框架32支持第1處理部34、第2處理部37、第2載置部41、第1搬送機構46及第2搬送機構48。
基板處理裝置1具備搬送空間45。搬送空間45形成於第1區塊31。搬送空間45形成於第1處理部34及第2處理部37之側方。更具體而言,搬送空間45形成於寬度方向Y上之第1區塊31之中央部。搬送空間45於前後方向X延伸。搬送空間45自第1區塊31之前部延伸至第1區塊31之後部。搬送空間45與裝載部11之搬送空間13相接。搬送空間45與第1處理部34排列於寬度方向Y。搬送空間45與第2處理部37排列於寬度方向Y。
第1搬送機構46與第2搬送機構48設置於搬送空間45。第1搬送機構46配置於裝載部11之後方。第2搬送機構48配置於第1搬送機構46之後方。第1搬送機構46與第2搬送機構48以排列於前後方向X之方式配置。第1搬送機構46配置於裝載部11與第2搬送機構48之間。
第1處理部34配置於第1搬送機構46之側方。更詳細而言,第1處理部34與第1搬送機構46排列於寬度方向Y。第1處理部34配置於第1搬送機構46之右方之位置及第1搬送機構46之左方之位置。將配置於第1搬送機構46之右方之位置之第1處理部34稱作「第1右處理部34R」。將配置於第1搬送機構46之左方之位置之第1處理部34稱作「第1左處理部34L」。第1右處理部34R、第1搬送機構46及第1左處理部34L於寬度方向Y排列成1行。第1搬送機構46配置於第1右處理部34R與第1左處理部34L之間。
第2處理部37配置於第2搬送機構48之側方。更詳細而言,第2處理部37與第2搬送機構48排列於寬度方向Y。第2處理部37配置於第2搬送機構48之右方之位置及第2搬送機構48之左方之位置。將配置於第2搬送機構48之右方之位置之第2處理部37稱作「第2右處理部37R」。將配置於第2搬送機構48之左方之位置之第2處理部37稱作「第2左處理部37L」。第2右處理部37R、第2搬送機構48及第2左處理部37L於寬度方向Y排列成1行。第2搬送機構48配置於第2右處理部37R與第2左處理部37L之間。
第1處理部34與第2處理部37排列於前後方向X。第2處理部37配置於第1處理部34之後方。第2處理部37於俯視下,配置於不與第1處理部34重疊之位置。第2右處理部37R配置於第1右處理部34R之後方。第1右處理部34R與第2右處理部37R沿著搬送空間45排列於前後方向X。第2左處理部37L配置於第1左處理部34L之後方。第1左處理部34L與第2左處理部37L沿著搬送空間45排列於前後方向X。
第2載置部41配置於第1搬送機構46與第2搬送機構48之間。第2載置部41相對於第1搬送機構46配置於左方且後方。第2載置部41相對於第2搬送機構48配置於左方且前方。
第2載置部41、第1搬送機構46及第2搬送機構48於俯視下呈三角配置。具體而言,第2載置部41、第1搬送機構46及第2搬送機構48於俯視下分別位於假想三角形(具體而言為銳角三角形)之各頂點。
第2載置部41於俯視下,配置於與第1處理部34及第2處理部37重疊之位置。具體而言,第2載置部41具有於俯視下與第1處理部34重疊之第1部分41a、及於俯視下與第2處理部37重疊之第2部分41b。更詳細而言,第2載置部41之第1部分41a於俯視下與第1左處理部34L重疊。第2載置部41之第2部分41b於俯視下與第2左處理部37L重疊。
進而,第2載置部41朝搬送空間45伸出。具體而言,第2載置部41具有於俯視下與搬送空間45重疊之第3部分41c。第2載置部41之第3部分41c於俯視下不與第1處理部34及第2處理部37重疊。第2載置部41之第3部分41c與第1左處理部34L及第2左處理部37L相比朝向搬送空間45突出。
第2載置部41配置於距第1搬送機構46及第2搬送機構48大致等距離之位置。具體而言,於俯視下,第1搬送機構46與第2載置部41之間之距離和第2搬送機構48與第2載置部41之間之距離大致相等。
第1處理部34具備將基板W逐片進行處理之複數個(例如2個)第1處理單元35。第1處理單元35為邊緣曝光處理單元。各第1處理單元35對1片基板W進行邊緣曝光處理。1個第1處理單元35配置於第1搬送機構46之右方。配置於第1搬送機構46之右方之第1處理單元35屬於第1右處理部34R。剩餘之1個第1處理單元35配置於第1搬送機構46之左方。配置於第1搬送機構46之左方之第1處理單元35屬於第1左處理部34L。
各第1處理單元35具備旋轉保持部36a及光照射部36b。旋轉保持部36a將1片基板W以水平姿勢予以保持。旋轉保持部36a可使所保持之基板W旋轉。基板W之旋轉軸線與上下方向Z大致平行。光照射部36b對保持於旋轉保持部36a之基板W之周緣部照射光。因光照射部36b所照射之光,基板W之周緣部被曝光。
第2處理部37具備將基板W逐片進行處理之複數個(例如9個)第2處理單元38。第2處理單元38為熱處理單元。各第2處理單元38對1片基板W進行熱處理。熱處理單元以排列於上下方向Z之方式配置。
參照圖7、8。5個第2處理單元38配置於第2搬送機構48之右方。配置於第2搬送機構48之右方之所有第2處理單元38屬於第2右處理部37R。屬於第2右處理部37R之所有第2處理單元38以於上下方向Z上排列成1行之方式配置。
參照圖5、8。剩餘之4個第2處理單元38配置於第2搬送機構48之左方。配置於第2搬送機構48之左方之所有第2處理單元38屬於第2左處理部37L。屬於第2左處理部37L之所有第2處理單元38以於上下方向Z上排列成1行之方式配置。
參照圖4、8。各第2處理單元38具備第1平板39a及第2平板39b。第1平板39a將1片基板W以水平姿勢予以載置。第2平板39b將1片基板W以水平姿勢予以載置。第1平板39a與第2平板39b以排列於寬度方向Y之方式配置。第1平板39a配置於與第2平板39b相比靠近搬送空間45之位置。各第2處理單元38具備未圖示之局部搬送機構。局部搬送機構於第1平板39a與第2平板39b之間搬送基板W。各第2處理單元38進而具備未圖示之調溫機器。調溫機器安裝於第2平板39b。調溫機器調節第2平板39b之溫度。調溫機器例如為加熱器。因此,第2平板39b可將載置於第2平板39b上之基板W加熱為特定之溫度。
參照圖5、8。第2載置部41具有複數個(例如2個)平板42a、42b。各平板42a、42b將1片基板W以水平姿勢予以載置。平板42a、42b以排列於上下方向Z之方式配置。平板42b配置於平板42a之下方。平板42b於俯視下與平板42a重疊。
參照圖5、7、8。基板處理裝置1具備槽43a-43j及槽44a-44j。槽43a-43c、43f-43h支持第1處理部34。槽43a-43c、43f-43h作為用於設置第1處理部34之架部或撐條發揮功能。槽44a-44h、44j支持第2處理部37。槽44a-44h、44j作為用於設置第2處理部37之架部或撐條發揮功能。槽43i、44i支持第2載置部41。槽43i、44i作為用於設置第2載置部41之架部或撐條發揮功能。槽43a-43j、44a-44j具有大致相同之形狀及構造。
於不區分槽43a-43j之情形時,稱作「槽43」。於不區分槽44a-44j之情形時,稱作「槽44」。
槽43配置於第1搬送機構46之側方。槽43與第1搬送機構46排列於寬度方向Y。槽43a-43e配置於第1搬送機構46之右方之位置。槽43f-43j配置於第1搬送機構46之左方之位置。槽44配置於第2搬送機構48之側方。槽44與第2搬送機構48排列於寬度方向Y。槽44a-44e配置於第2搬送機構48之右方之位置。槽44f-44j配置於第2搬送機構48之左方之位置。
參照圖7。槽43a-43e於上下方向Z上排列成1行。槽43a、43b、43c、43d、43e依序自上至下配置。槽43a於槽43a-43e之中配置於最高位置。槽43e於槽43a-43e之中配置於最低位置。
參照圖5。槽43f-43j於上下方向Z上排列成1行。槽43f、43g、43h、43i、43j依序自上至下配置。槽43f於槽43f-43j之中配置於最高位置。槽43j於槽43f-43j之中配置於最低位置。
參照圖7、8。槽44a-44e於上下方向Z上排列成1行。槽44a、44b、44c、44d、44e依序自上至下配置。槽44a於槽44a-44e之中配置於最高位置。槽44e於槽44a-44e之中配置於最低位置。
參照圖5、8。槽44f-44j於上下方向Z上排列成1行。槽44f、44g、44h、44i、44j依序自上至下配置。槽44f於槽44f-44j之中配置於最高位置。槽44j於槽44f-44j之中配置於最低位置。
槽43與槽44排列於前後方向X。槽44配置於槽43之後方。具體而言,槽43a與槽44a排列於前後方向X。槽44a配置於槽43a之後方。槽44a配置於與槽43a相同之高度位置。同樣地,槽43b-43e與槽44b-44e排列於前後方向X。槽44b-44e分別配置於槽43b-43e之後方。槽44b-44e分別配置於與槽43b-43e相同之高度位置。槽43f-43j與槽44f-44j排列於前後方向X。槽44f-44j分別配置於槽43f-43j之後方。槽44f-44j分別配置於與槽43f-43j相同之高度位置。
參照圖5、7。1個第1處理單元35具有相當於3個於上下方向Z上連續之槽43之大小。屬於第1右處理部34R之第1處理單元35橫跨槽43a-43c而設置。將槽43a、43b隔開之水平壁部、及將槽43b、43c隔開之水平壁部被省略。屬於第1左處理部34L之第1處理單元35橫跨槽43f-43h而設置。將槽43f、43g隔開之水平壁部、及將槽43g、43h隔開之水平壁部被省略。
槽43d、43e、43j空出。第1處理單元35及第2載置部41均未設置於槽43d、43e、43j。
參照圖5、7、8。1個第2處理單元38具有相當於1個槽44之大小。第2處理單元38於槽44a-44h、44j各設置有1個。
第2載置部41橫跨槽43i與槽44i而設置。第2載置部41橫跨槽43i與槽44i而設置。將槽43i與槽44i隔開之垂直之壁部被省略。第2載置部41之第1部分41a收容於槽43i內。第2載置部41之第2部分41b收容於槽44i內。第2載置部41之第3部分41c自槽43i及槽44i鼓出。
槽43f-43j係本發明中之第1槽之示例。尤其是,第1槽中之3個(具體而言為槽43f-43h)係本發明中之處理用第1槽之示例。第1槽之另一個(具體而言為槽43i)係本發明中之載置用第1槽之示例。槽44f-44j係本發明中之第2槽之示例。尤其是,第2槽中之4個(具體而言為槽44f-44h、44j)係本發明中之處理用第2槽之示例。第2槽之另一個(具體而言為槽44i)係本發明中之載置用第2槽之示例。
參照圖6、9。圖9係第1區塊31之俯視圖。第1搬送機構46具備第1支柱47a、47b、第1升降部47c、第1旋轉部47d及第1保持部47e、47f。第1支柱47a、47b於上下方向Z上延伸。第1支柱47a、47b以排列於寬度方向Y之方式配置。第1支柱47a、47b被設置為固定。因此,第1支柱47a、47b無法移動。具體而言,第1支柱47a、47b被固定於第1框架32。第1支柱47a、47b無法相對於第1框架32移動。第1升降部47c支持於第1支柱47a、47b。第1升降部47c無法相對於第1支柱47a、47b移動。第1升降部47c可於上下方向Z上移動。第1升降部47c無法於水平方向上移動。第1旋轉部47d支持於第1升降部47c。第1旋轉部47d可相對於第1升降部47c旋轉。第1旋轉部47d可繞第1軸線A1旋轉。第1軸線A1與上下方向Z平行。第1旋轉部47d無法於水平方向上移動。第1軸線A1無法於水平方向上移動。第1保持部47e、47f支持於第1旋轉部47d。第1保持部47e、47f可相對於第1旋轉部47d於水平方向上進退移動。第1保持部47e、47f可獨立地進退移動。第1保持部47e、47f分別與基板W接觸。第1保持部47e、47f分別將1片基板W以水平姿勢予以保持。
參照圖6、8、9。第2搬送機構48具備第2支柱49a、49b、第2升降部49c、第2旋轉部49d及第2保持部49e、49f。第2支柱49a、49b於上下方向Z上延伸。第2支柱49a、49b以排列於寬度方向Y之方式配置。第2支柱49a、49b被設置為固定。因此,第2支柱49a、49b無法移動。具體而言,第2支柱49a、49b被固定於第1框架32。第2支柱49a、49b無法相對於第1框架32移動。第2升降部49c支持於第2支柱49a、49b。第2升降部49c可相對於第2支柱49a、49b移動。第2升降部49c可於上下方向Z上移動。第2升降部49c無法於水平方向上移動。第2旋轉部49d支持於第2升降部49c。第2旋轉部49d可相對於第2升降部49c旋轉。第2旋轉部49d可繞第2軸線A2旋轉。第2軸線A2與上下方向Z平行。第2旋轉部49d無法於水平方向上移動。第2軸線A2無法於水平方向上移動。第2保持部49e、49f支持於第2旋轉部49d。第2保持部49e、49f可相對於第2旋轉部49d於水平方向上進退移動。第2保持部49e、49f可獨立地進退移動。第2保持部49e、49f分別與基板W接觸。第2保持部49e、49f分別將1片基板W以水平姿勢予以保持。
參照圖5、7。各第1處理單元35於側視下,配置於與第1軸線A1重疊之位置。即,所有第1處理單元35於側視下均與第1軸線A1重疊。各第2處理單元38於側視下配置於與第2軸線A2重疊之位置。即,所有第2處理單元38於側視下均與第2軸線A2重疊。
參照圖9。圖9表示連結第1軸線A1與第2軸線A2之假想直線L。假想直線L於俯視下與前後方向X平行。第2載置部41於俯視下,配置於不與假想直線L重疊之位置。第2載置部41於俯視下,配置於假想直線L之左方。
於俯視下,第1軸線A1與第2軸線A2之間之距離D1為基板W之半徑r之5倍以下。於俯視下,第1軸線A1與第2軸線A2之間之距離D1為基板W之半徑r之4倍以上。
於俯視下,第2載置部41配置於距第1軸線A1及第2軸線A2大致等距離之位置。具體而言,於俯視下,第1軸線A1與第2載置部41之距離和第2軸線A2與第2載置部41之距離大致相等。
將載置於第2載置部41之基板W之中心點稱作「點P1」。於俯視下,第1軸線A1與點P1之間之距離D2和第2軸線A2與點P1之間之距離D3大致相等。例如,距離D2與距離D3之差為基板W之半徑r以下。
於俯視下,第1軸線A1配置於距第2載置部41及第1處理部34大致等距離之位置。具體而言,於俯視下,第1軸線A1與第2載置部41之距離和第1軸線A1與第1處理部34之距離大致相等。
將載置於旋轉保持部36a之基板W之中心點稱作「點P2」。於俯視下,第1軸線A1與點P1之距離D2和第1軸線A1與點P2之距離D4大致相等。距離D2與距離D4之差為基板W之半徑r以下。
於俯視下,第2軸線A2配置於距第2載置部41及第2處理部37大致等距離之位置。具體而言,於俯視下,第2軸線A2與第2載置部41之距離和第2軸線A2與第2處理部37之距離大致相等。
將載置於第1平板39a之基板W之中心點稱作「點P3」。於俯視下,第2軸線A2與點P1之距離D3和第2軸線A2與點P3之距離D5大致相等。距離D3與距離D5之差為基板W之半徑r以下。
參照圖4、9。基板處理裝置1進而具備空間E。空間E形成於第1區塊31。空間E配置於第2處理部37之後方。空間E配置於搬送空間45之側方。
空間E包含空間E1、E2。空間E1形成於第2右處理部37R之後方且搬送空間45之右方。空間E2形成於第2左處理部37L之後方且搬送空間45之左方。
<第2區塊61>
參照圖4-7、10。圖10係表示第2區塊61之構成之後視圖。第2區塊61具有大致箱形狀。第2區塊61於俯視、側視及前視下為大致矩形。
第2區塊61具有第2框架62。第2框架62被設置作為第2區塊61之骨架(skeleton)。第2框架62劃定第2區塊61之形狀。第2框架62例如為金屬製。
第2框架62連結於第1框架32。第2框架62支持第3處理部64與第3搬送機構68。
基板處理裝置1具備搬送空間67。搬送空間67形成於第2區塊61。搬送空間67形成於第3處理部64之側方。更具體而言,搬送空間67形成於寬度方向Y上之第2區塊61之中央部。搬送空間67於前後方向X上延伸。搬送空間67自第2區塊61之前部延伸至第2區塊61之後部。搬送空間67與搬送空間45相接。搬送空間67與第3處理部64排列於寬度方向Y。
第3搬送機構68設置於搬送空間67。第3搬送機構68配置於第2搬送機構48之後方。第1搬送機構46、第2搬送機構48及第3搬送機構68以於前後方向X上排列成1行之方式配置。第2搬送機構48配置於第1搬送機構46與第3搬送機構68之間。
第3處理部64配置於第3搬送機構68之側方。更詳細而言,第3處理部64與第3搬送機構46排列於寬度方向Y。第3處理部64配置於第3搬送機構68之右方之位置及第3搬送機構68之左方之位置。將配置於第3搬送機構68之右方之位置之第3處理部64稱作「第3右處理部64R」。將配置於第3搬送機構68之左方之位置之第3處理部64稱作「第3左處理部64L」。第3右處理部64R、第3搬送機構68及第3左處理部64L排列於寬度方向Y。第3搬送機構68配置於第3右處理部64R與第3左處理部64L之間。
前後方向X上之第3右處理部64R之長度G1較前後方向X上之第3左處理部64L之長度G2小。前後方向X上之第3右處理部64R之長度G1較佳為較前後方向X上之第3左處理部64L之長度G2小500[mm]以上。即,長度G1與長度G2之差較佳為為500[mm]以上。長度G2例如為長度G1之約1.5倍。
第3右處理部64R係本發明中之第3短處理部之示例。第3左處理部64L係本發明中之第3長處理部之示例。
基板處理裝置1具備空間F。空間F形成於第2區塊61。空間F與第3右處理部64R排列於前後方向X。空間F配置於第3右處理部64R之前方。空間F配置於第3搬送空間67之側方。空間F與第3搬送空間67排列於寬度方向Y。空間F配置於搬送空間67之右方。空間F配置於第3搬送機構68之側方。空間F與第3搬送機構68排列於寬度方向Y。空間F配置於第3搬送機構68之右方。空間F、搬送空間67及第3左處理部64L排列於寬度方向Y。空間F隔著搬送空間67與第3左處理部64L相向。搬送空間67配置於空間F與第3左處理部64L之間。空間F較佳為具有可供人(例如基板處理裝置1之操作員)進入之程度之大小。
空間F係本發明中之保修空間之示例。
第2處理部37與第3處理部64排列於前後方向X。第3處理部64配置於第2處理部37之後方。第2右處理部37R與第3右處理部64R排列於前後方向X。第3右處理部64R配置於第2右處理部37R之後方。第1右處理部34R、第2右處理部37R及第3右處理部64R於前後方向X上排列成1行。第2左處理部37L與第3左處理部64L排列於前後方向X。第3左處理部64L配置於第2左處理部37L之後方。第1左處理部34L、第2左處理部37L及第3左處理部64L於前後方向X上排列成1行。
空間E與空間F配置於第2處理部37與第3處理部64之間。空間E1與空間F配置於第2右處理部37R與第3右處理部64R之間。第2右處理部37R、空間E1、空間F及第3右處理部64R排列於前後方向X。第2右處理部37R、空間E1、空間F及第3右處理部64R依序排列成一行。空間E2配置於第2左處理部37L與第3左處理部64L之間。第2左處理部37L、空間E2及第3左處理部64L排列於前後方向X。第2左處理部37L、空間E2及第3左處理部64L依序排列成一行。
空間E與空間F係本發明中之隔熱空間之示例。空間F係本發明中之保修空間之示例,且係本發明中之隔熱空間之示例。即,空間F兼作為本發明中之保修空間及隔熱空間。
基板處理裝置1具有檢驗口71及蓋部72。檢驗口71形成於第2區塊61。檢驗口71係形成於第2區塊61之右壁部之開口。檢驗口71較佳為大至可供作業者通過之程度。蓋部72安裝於第2區塊61。蓋部72安裝於第2區塊61之右壁部。蓋部72可相對於第2區塊61旋動。蓋部72可使檢驗口71開閉。
第3處理部64具備將基板W逐片進行處理之複數個(例如10個)第3處理單元65。各第3處理單元65對1片基板W進行液體處理。更詳細而言,各第3處理單元65對1片基板W進行顯影處理。
參照圖7。4個第3處理單元65配置於第3搬送機構68之右方。配置於第3搬送機構68之右方之所有第3處理單元65屬於第3右處理部64R。
屬於第3右處理部64R之第3處理單元65於前後方向X及上下方向Z上呈矩陣狀配置。2個第3處理單元65配置於第3右處理部64R之上段。剩餘之2個第3處理單元65配置於第3右處理部64R之下段。配置於第3右處理部64R之上段之2個第3處理單元65以排列於前後方向X之方式配置。配置於第3右處理部64R之下段之2個第3處理單元65以排列於前後方向X之方式配置。配置於第3右處理部64R之下段之2個第3處理單元65於俯視下與配置於第3右處理部64R之上段之2個第3處理單元65重疊。
參照圖5。6個第3處理單元65配置於第3搬送機構68之左方。配置於第3搬送機構68之左方之所有第3處理單元65均屬於第3左處理部64L。
屬於第3左處理部64L之第3處理單元65於前後方向X及上下方向Z上呈矩陣狀配置。3個第3處理單元65配置於第3左處理部64L之上段。剩餘之3個第3處理單元65配置於第3左處理部64L之下段。配置於第3左處理部64L之上段之3個第3處理單元65以排列於前後方向X之方式配置。配置於第3左處理部64L之下段之3個第3處理單元65以排列於前後方向X之方式配置。配置於第3左處理部64L之下段之3個第3處理單元65於俯視下與配置於第3左處理部64L之上段之3個第3處理單元65重疊。
各第3處理單元65具備旋轉保持部66a、噴嘴66b及承杯66c。旋轉保持部66a將1片基板W以水平姿勢予以保持。旋轉保持部66a可使所保持之基板W旋轉。基板W之旋轉軸線與上下方向Z大致平行。噴嘴66b將處理液噴出至基板W。處理液例如為顯影液。噴嘴66b以可移動至處理位置與退避位置之方式設置。處理位置係保持於旋轉保持部66a之基板W之上方之位置。處理位置係於俯視下與保持於旋轉保持部66a之基板W重疊之位置。退避位置係於俯視下不與保持於旋轉保持部66a之基板W重疊之位置。承杯66c配置於旋轉保持部66a之周圍。承杯66c將處理液回收。
基板處理裝置1具備複數個腔室(殼體)72a-72d。腔室72a-72d配置於搬送空間67之側方。
參照圖7、10。腔室72a、72b配置於搬送空間67之右方之位置。腔室72a、72b以排列於上下方向Z之方式配置。腔室72b配置於腔室72a之下方。腔室72a收容配置於第3右處理部64R之上段之2個第3處理單元65。腔室72b收容配置於第3右處理部64R之下段之2個第3處理單元65。
參照圖5、10。腔室72c、72d配置於搬送空間67之左方之位置。腔室72c、72d以排列於上下方向Z之方式配置。腔室72d配置於腔室72c之下方。腔室72c收容配置於第3左處理部64L之上段之3個第3處理單元65。腔室72d收容配置於第3左處理部64L之下段之3個第3處理單元65。
參照圖4、6、10。第3搬送機構68具備第3支柱69a、69b、第3升降部69c、第3水平移動部69d、第3旋轉部69e及第3保持部69f、69g。第3支柱69a、69b於上下方向Z上延伸。第3支柱69a、69b以排列於前後方向X之方式配置。第3支柱69a、69b配置於與第3右處理部64R相比靠近第3左處理部64L之位置。第3支柱69a配置於搬送空間67之左前部。第3支柱69b配置於搬送空間67之左後部。第3支柱69a、69b被設置為固定。因此,第3支柱69a、69b無法移動。具體而言,第3支柱69a、69b固定於第2框架62。第3支柱69a、69b無法相對於第2框架62移動。第3升降部69c於前後方向X上延伸。第3升降部69c支持於第3支柱69a、69b。第3升降部69c無法相對於第3支柱69a、69b移動。第3升降部69c可於上下方向Z上移動。第3升降部69c無法於水平方向上移動。第3水平移動部69d支持於第3升降部69c。第3水平移動部69d可相對於第3升降部69c移動。第3水平移動部69d可於水平方向(具體而言為前後方向X)上移動。第3旋轉部69e支持於第3水平移動部69d。因此,第3旋轉部69e可於水平方向(具體而言為前後方向X)上移動。第3旋轉部69e可相對於第3水平移動部69d旋轉。第3旋轉部69e之旋轉軸線與上下方向Z平行。第3旋轉部69e之旋轉軸線可於前後方向X上移動。第3保持部69f、69g支持於第3旋轉部69e。第3保持部69f、69g可相對於第3旋轉部69e於水平方向上進退移動。第3保持部69f、69g可獨立地進退移動。第3保持部69f、69g分別與基板W接觸。第3保持部69f、69g分別將1片基板W以水平姿勢予以保持。
<第1載置部21與第3載置部51>
第1載置部21配置於裝載部11與第1搬送機構46之間。第1載置部21橫跨裝載部11與第1區塊31而配置。第1載置部21橫跨裝載部11之搬送空間13與第1區塊31之搬送空間45而配置。第1載置部21之一部分配置於裝載部11之搬送空間13。第1載置部21之剩餘部分配置於第1區塊31之搬送空間45。
第1載置部21配置於裝載用搬送機構14A與裝載用搬送機構14B之間。第1載置部21配置於裝載用搬送機構14A之後方且左方。第1載置部21配置於裝載用搬送機構14B之後方且右方。第1載置部21配置於距裝載用搬送機構14A、14B大致等距離之位置。具體而言,於俯視下,裝載用搬送機構14A與第1載置部21之間之距離和裝載用搬送機構14B與第1載置部21之間之大致距離相等。
第1載置部21與第1搬送機構46排列於前後方向X。第1載置部21配置於第1搬送機構46之前方。第1載置部21、第1搬送機構46及第2搬送機構48於前後方向X上排列成1行。如圖9所示,第1載置部21於俯視下配置於與假想直線L重疊之位置。
第3載置部51配置於第2搬送機構48與第3搬送機構68之間。第3載置部51橫跨第1區塊31與第2區塊61而配置。第3載置部51橫跨第1區塊31之搬送空間45與第2區塊61之搬送空間67而配置。第3載置部51之一部分配置於第1區塊31之搬送空間45。第3載置部51之剩餘部分配置於第2區塊61之搬送空間67。
第3載置部51配置於第2搬送機構48之後方。第1搬送機構46、第2搬送機構48及第3載置部51於前後方向X上排列成一行。如圖9所示,第3載置部51於俯視下配置於與假想直線L重疊之位置。
第3載置部51配置於第3搬送機構68之前方。第2搬送機構48、第3載置部51及第3搬送機構68於前後方向X上排列成一行。
參照圖6。第1載置部21具有複數個平板22a、22b。各平板22a、22b將1片基板W以水平姿勢予以載置。平板22a、22b以排列於上下方向Z之方式配置。平板22b配置於平板22a之下方。平板22b於俯視下與平板22a重疊。
第3載置部51具有複數個平板52a、52b。各平板52a、52b將1片基板W以水平姿勢予以載置。平板52a、52b以排列於上下方向Z之方式配置。平板52b配置於平板52a之下方。平板52b於俯視與平板52a重疊。
<搬送機構>
參照圖4。將第1、第2、第3搬送機構46、48、68可進接之載置部及處理部彙總至下文。進而,將各第1、第2、第3搬送機構46、48、68無法進接之載置部及處理部彙總至下文。
第1搬送機構46可進接第1載置部21。第1搬送機構46可進接第1載置部21之平板22a、22b。第1搬送機構46可進接各第1處理單元35。第1搬送機構46可進接各第1處理單元35之旋轉保持部36a。第1搬送機構46可進接第2載置部41。第1搬送機構46可進接第2載置部41之平板42a、42b。
第2搬送機構48可進接第2載置部41。第2搬送機構48可進接第2載置部41之平板42a、42b。第2搬送機構48可進接各第2處理單元38。第2搬送機構48可進接各第2處理單元38之第1平板39a。第2搬送機構48可進接第3載置部51。第2搬送機構48可進接第3載置部51之平板52a、52b。
第3搬送機構68可進接第3載置部51。第3搬送機構68可進接第3載置部51之平板52a、52b。第3搬送機構68可進接各第3處理單元65。第3搬送機構68可進接各第3處理單元65之旋轉保持部66a。
圖4係以一點鏈線表示第1搬送機構46可搬送基板W之第1區域B1。第1搬送機構46無法將基板W搬送至第1區域B1之外。基板W係藉由第1搬送機構46於第1區域B1內移動。第1區域B1於俯視下為大致圓形。第1區域B1之中心於俯視下與第1軸線A1大致一致。第1載置部21、第1處理部34及第2載置部41配置於第1區域B1內。第2處理部37之第1平板39a之至少一部分配置於第1區域B1之外。如此,第2處理部37實質上配置於第1搬送機構46之第1區域B1之外。即,第1搬送機構46無法進接第2處理部37。同樣地,第3處理部64於俯視下配置於第1區域B1之外。即,第1搬送機構46無法進接第3處理部64。第3載置部51於俯視下配置於第1區域B1之外。即,第1搬送機構46無法進接第3載置部51。
圖4係以一點鏈線表示第2搬送機構48可搬送基板W之第2區域B2。第2區域B2於俯視下為大致圓形。第2區域B2之中心於俯視下與第2軸線A2大致一致。第2載置部41、第2處理部37及第3載置部51配置於第2區域B2內。第1處理部34之旋轉保持部36a配置於第2搬送機構48之第2區域B2之外。即,第2搬送機構48無法進接第1處理部34。同樣地,第3處理部64於俯視下配置於第2區域B2之外。即,第2搬送機構48無法進接第3處理部64。第1載置部21於俯視下配置於第2區域B2之外。即,第2搬送機構48無法進接第1載置部21。
圖4係以一點鏈線表示第3搬送機構68可搬送基板W之第3區域B3。第3區域B3於俯視下於前後方向X上較長。於俯視下,前後方向X上之第3區域B3之長度較寬度方向Y上之第3區域B3之長度大。第3載置部51與第3處理部64配置於第3區域B3內。第1處理部34及第2處理部37配置於第3搬送機構68之第3區域B3之外。即,第3搬送機構68無法進接第1處理部34及第2處理部37。同樣地,第1載置部21及第2載置部41配置於第3區域B3之外。即,第3搬送機構68無法進接第1載置部21及第2載置部41。
<第1實施形態之其他效果>
第1實施形態之主要效果如上所述。以下,說明第1實施形態之其他效果。
第1處理部34配置於第2區域B2之外。因此,第1搬送機構46可不與第2搬送機構48干涉地進接第1處理部34。
第1處理部34配置於第3區域B3之外。因此,第1搬送機構46可不與第3搬送機構68干涉地進接第1處理部34。
第2處理部37配置於第1區域B1之外。由此,第2搬送機構48可不與第1搬送機構46干涉地進接第2處理部37。
第2處理部37配置於第3區域B3之外。由此,第2搬送機構48可不與第3搬送機構68干涉地進接第2處理部37。
第3處理部64配置於第1區域B1之外。由此,第3搬送機構68可不與第1搬送機構46干涉地進接第3處理部64。
第3處理部64配置於第2區域B2之外。由此,第3搬送機構68可不與第2搬送機構48干涉地進接第3處理部64。
第1載置部21配置於第2區域B2及第3區域B3之外。由此,第1搬送機構46可不與第2搬送機構48及第3搬送機構68干涉地進接第1載置部21。
第2載置部41配置於第3區域B3之外。由此,第1搬送機構46與第2搬送機構48可不與第3搬送機構68干涉地進接第2載置部41。
第3載置部51配置於第1區域B1之外。由此,第2搬送機構48與第3搬送機構68可不與第1搬送機構46干涉地進接第3載置部51。
第1區域B1於俯視下為大致圓形。因此,第1搬送機構46可高效率地進行第1進接動作、第2進接動作及第3進接動作。由此,第1搬送機構46可高效率地進行第1循環動作。即,第1搬送機構46之搬送效率更高。
第2搬送機構48之第2區域B2於俯視下為大致圓形。因此,第2搬送機構48可高效率地進行第4進接動作、第5進接動作及第6進接動作。由此,第2搬送機構48可高效率地進行第2循環動作。即,第2搬送機構48之搬送效率更高。
第1搬送機構46配置於裝載部11與第2搬送機構48之間。因此,可於裝載部11與第1搬送機構46之間適宜地搬送基板W,且可於第1搬送機構46與第2搬送機構48之間適宜地搬送基板W。具體而言,第1搬送機構46配置於裝載部11之後方。因此,可於裝載部11與第1搬送機構46之間適宜地搬送基板W。第2搬送機構48配置於第1搬送機構46之後方。因此,可於第1搬送機構46與第2搬送機構48之間適宜地搬送基板W。
第2搬送機構48配置於第1搬送機構46與第3搬送機構68之間。具體而言,第3搬送機構68配置於第2搬送機構48之後方。因此,可於第2搬送機構48與第3搬送機構68之間適宜地搬送基板W。
第1載置部21配置於裝載部11與第1搬送機構46之間。因此,裝載部11與第1搬送機構46可容易地進接第1載置部21。第2載置部41配置於第1搬送機構46與第2搬送機構48之間。因此,第1搬送機構46與第2搬送機構48可容易地進接第2載置部41。第3載置部51配置於第2搬送機構48與第3搬送機構68之間。因此,第2搬送機構48與第3搬送機構68可容易地進接第3載置部51。
第1處理部34配置於第1搬送機構46之側方。因此,第1搬送機構46可容易地進接第1處理部34。第2處理部37配置於第2搬送機構48之側方。因此,第2搬送機構48可容易地進接第2處理部37。第3處理部64配置於第3搬送機構68之側方。因此,第3搬送機構68可容易地進接第3處理部64。
第1搬送機構46配置於第1右處理部34R與第1左處理部34L之間。因此,第1搬送機構46可容易地進接第1右處理部34R與第1左處理部34L。第2搬送機構48配置於第2右處理部37R與第2左處理部37L之間。因此,第2搬送機構48可容易地進接第2右處理部37R與第2左處理部37L。第3搬送機構68配置於第3右處理部64R與第3左處理部64L之間。因此,第3搬送機構68可容易地進接第3右處理部64R與第3左處理部64L。
第1搬送機構46、第2搬送機構48及第2載置部41於俯視下呈三角配置。據此,可使第1搬送機構46與第2搬送機構48之間隔距離變小。由此,可使基板處理裝置1之設置面積(佔據面積)變小。
第2載置部41配置於第1搬送機構46之側方且後方之位置。第2載置部41配置於第2搬送機構48之側方且前方之位置。據此,可使前後方向X上之第1搬送機構46與第2搬送機構48之間隔距離變小。由此,可使基板處理裝置1之設置面積(佔據面積)變小。
第1旋轉部47d被設置為無法於水平方向上移動。因此,第1搬送機構46可高效率地進行第1進接動作、第2進接動作及第3進接動作。由此,第1搬送機構46可高效率地進行第1循環動作。
各第1處理單元35於側視下配置於與第1搬送機構46之第1軸線A1重疊之位置。因此,第1搬送機構46可容易地進接第1處理部34。
第2旋轉部49d被設置為無法於水平方向上移動。因此,第2搬送機構48可高效率地進行第4進接動作、第5進接動作及第6進接動作。由此,第2搬送機構48可高效率地進行第2循環動作。
各第2處理單元38於側視下,配置於與第2搬送機構48之第2軸線A2重疊之位置。因此,第2搬送機構48可容易地進接第2處理部37。
第2處理單元38為熱處理單元。熱處理單元以排列於上下方向Z之方式配置。因此,第2搬送機構48可容易地進接各熱處理單元。
屬於第2右處理部37R之5個第2處理單元38以於上下方向Z上排列成1行之方式配置於第2搬送機構48之右方之位置。由此,第2搬送機構48可容易地進接配置於第2搬送機構48之右方之各第2處理單元38。此處,第2處理單元38為熱處理單元。由此,第2搬送機構48可容易地進接配置於第2搬送機構48之右方之各熱處理單元。
屬於第2左處理部37L之4個第2處理單元38以於上下方向Z上排列成1行之方式配置於第2搬送機構48之左方之位置。由此,第2搬送機構48可容易地進接配置於第2搬送機構48之左方之各熱處理單元。
於俯視下,第1軸線A1與第2軸線A2之間之距離D1為基板W之半徑r之5倍以下。因此,可使第1搬送機構46與第2搬送機構48之間隔距離變小。由此,可使基板處理裝置1之設置面積變小。
第2載置部41於俯視下,配置於不與將第1軸線A1與第2軸線A2相連之假想直線L重疊之位置。因此,可適宜地使第1搬送機構46與第2搬送機構48之間隔距離變小。
於俯視下,第1軸線A1與第2載置部41之間之距離和第2軸線A2與第2載置部41之間之距離大致相等。因此,第1搬送機構46及第2搬送機構48可分別容易地進接第2載置部41。
第2載置部41具有於俯視下與第1處理部34重疊之第1部分41a、及於俯視下與第2處理部37重疊之第2部分41b。因此,可使第1搬送機構46與第2搬送機構48之間隔距離變小。其結果,可減少基板處理裝置1之佔據面積。進而,第1搬送機構46及第2搬送機構48可分別容易地進接第2載置部41。
第2載置部41具有於俯視下不與第1處理部34及第2處理部37重疊之第3部分41c。因此,第1搬送機構46及第2搬送機構48可分別更容易地進接第2載置部41。
第2載置部41之第3部分41c於俯視下與供設置第1搬送機構46及第2搬送機構48之搬送空間45重疊。因此,第1搬送機構46及第2搬送機構48可分別更容易地進接第2載置部41。
基板處理裝置1具備槽43a-43c及43f-43h,故而可適宜地設置第1處理部34(具體而言為第1處理單元35)。
基板處理裝置1具備槽44a-44h、44j,故而可適宜地設置第2處理部37(具體而言為第2處理單元38)。
基板處理裝置1具備槽43i及槽44i,故而可適宜地設置第2載置部41。
槽43f-43j配置於第1搬送機構46之側方。槽43f-43j於上下方向Z上排列成1行。第1處理部34(第1左處理部34L)設置於槽43f-43h。第2載置部41設置於槽43i。槽44f-44j配置於第2搬送機構48之側方。槽44f-44j於上下方向Z上排列成1行。第2處理部37(第2左處理部37L)設置於槽44f-44h、44j。第2載置部41亦設置於槽44i。槽44i配置於與槽43i相同之高度位置。第2載置部41橫跨槽43i與槽44i而設置。如此,可有效運用槽43a-43j之一部分及槽44a-44j之一部分,適宜地設置第2載置部41。
槽43f-43j排列於上下方向Z。槽43i於槽43f-43j之中並非配置於最高位置且並非配置於最低位置。換言之,槽43i於槽43f-43j之中配置於除最高位置及最低位置以外之位置。槽44f-44j排列於上下方向Z。槽44i於槽44f-44j之中並非配置於最高位置且並非配置於最低位置。換言之,槽44i於槽44f-44j之中配置於除最高位置及最低位置以外之位置。因此,第1搬送機構46可更容易地進接第2載置部41。具體而言,可使向第2載置部41進接時之第1搬送機構46之升降量變小。同樣地,第2搬送機構48可更容易地進接第2載置部41。
第1處理部34為邊緣曝光處理部。第2處理部37為熱處理部。第3處理部64為液體處理部。因此,可於相對靠近裝載部11之位置設置邊緣曝光處理部及熱處理部。可於距裝載部11相對較遠之位置設置液體處理部。
基板處理裝置1具備將第3處理部64與第2處理部37隔開之空間E、F。因此,可有效地減少第3處理部64自第2處理部37受到之熱影響。
基板處理裝置1具備空間F。因此,可適宜地將基板處理裝置1予以保修。
前後方向X上之第3右處理部64R之長度G1較前後方向X上之第3左處理部64L之長度G2小。空間F與第3右處理部64R排列於前後方向X。由此,可容易地確保空間F。
第1區塊31收容第1處理部34及第2處理部37。第2區塊61收容第3處理部64。即,熱處理部(第2處理部37)與液體處理部(第3處理部64)未收容於相同之區塊。由此,可分別適宜地配置熱處理部(第2處理部37)與液體處理部(第3處理部64)。
基板處理裝置1具備第1框架32。因此,可利用第1框架32適宜地構成第1區塊31。
基板處理裝置1具備第2框架62。因此,可利用第2框架62適宜地構成第2區塊61。
[第2實施形態]
參照附圖對第2實施形態之基板處理裝置1進行說明。再者,對與第1實施形態相同之構成標註相同符號,藉此省略詳細之說明。
<基板處理裝置之概要>
圖11A、11B分別為第2實施形態之基板處理裝置1之俯視圖。第2實施形態之基板處理裝置1具有階層構造。基板處理裝置1具備上階層90T及下階層90B。下階層90B配置於上階層90T之下方。下階層90B於俯視下與上階層90T重疊。
上階層90T及下階層90B分別具備第1搬送機構46、第2搬送機構48、第3搬送機構68、第1處理部34、第2處理部37、第3處理部64、第1載置部21、第2載置部41及第3載置部51。上階層90T與下階層90B分別同時執行基板W之搬送及針對基板W之處理。
<裝載部11>
參照圖11A、11B、12、13、14。圖12係表示基板處理裝置1左部之構成之左側視圖。圖13係表示寬度方向Y上之基板處理裝置1中央部之構成之左側視圖。圖14係表示基板處理裝置1右部之構成之右側視圖。裝載部11除具備載具載置部12A、12B以外,進而具備載具載置部12C、12D。載具載置部12C配置於載具載置部12A之上方。載具載置部12D配置於載具載置部12B之上方。載具載置部12C、12D分別載置1個載具C。
將載具載置部12C上之載具C適當地記載為「載具CC」。將載具載置部12D上之載具C適當地記載為「載具CD」。
裝載用搬送機構14A向載置於載具載置部12A、12C載具CA、CC進接。裝載用搬送機構14B向載置於載具載置部12B、12D之載具CB、CD進接。
圖11A所示之裝載用搬送機構14A與圖11B所示之裝載用搬送機構14A為同一物體。圖11A所示之裝載用搬送機構14B與圖11B所示之裝載用搬送機構14B為同一物體。
<第1區塊31>
參照圖11A、11B、12、13、14、15。圖15係表示第1區塊31之構成(具體而言為第2處理部37與第2搬送機構48)之前視圖。基板處理裝置1具備2台第1搬送機構46。2台第1搬送機構46以排列於上下方向Z之方式配置。將上方之第1搬送機構46記載為「第1上搬送機構46T」,將下方之第1搬送機構46記載為「第1下搬送機構46B」。
基板處理裝置1具備2台第2搬送機構48。2台第2搬送機構48以排列於上下方向Z之方式配置。將上方之第2搬送機構48記載為「第2上搬送機構48T」,將下方之第2搬送機構48記載為「第2下搬送機構48B」。
參照圖13、15。基板處理裝置1具備間隔壁91。間隔壁91設置於第1區塊31之搬送空間45。間隔壁91具有水平之板形狀。間隔壁91將搬送空間45分離成上搬送空間45T及下搬送空間45B。上搬送空間45T配置於下搬送空間45B之上方。第1上搬送機構46T與第2上搬送機構48T配置於上搬送空間45T。第1下搬送機構46B與第2下搬送機構48B配置於下搬送空間45B。
參照圖11A、11B。第1處理部34配置於第1上搬送機構46T之側方及第1下搬送機構46B之側方。將配置於第1上搬送機構46T之側方之第1處理部34稱作「第1上處理部34T」。將配置於第1下搬送機構46B之側方之第1處理部34稱作「第1下處理部34B」。
第2處理部37配置於第2上搬送機構48T之側方及第2下搬送機構48B之側方。將配置於第2上搬送機構48T之側方之第2處理部37稱作「第2上處理部37T」。將配置於第2下搬送機構48B之側方之第2處理部37稱作「第2下處理部37B」。
第2載置部41配置於第1上搬送機構46T與第2上搬送機構48T之間、及第1下搬送機構46B與第2下搬送機構48B之間。將配置於第1上搬送機構46T與第2上搬送機構48T之間之第2載置部41稱作「第2上載置部41T」。將配置於第1下搬送機構46B與第2下搬送機構48B之間之第2載置部41稱作「第2下載置部41B」。
參照圖12、14。第1上處理部34T配置於間隔壁91之上方。第1上搬送機構46T向第1上處理部34T進接。第1下處理部34B配置於間隔壁91之下方。第1下搬送機構46B向第1下處理部34B進接。
參照圖12、14、15。第2上處理部37T配置於間隔壁91之上方。第2上搬送機構48T向第2上處理部37T進接。第2下處理部37B配置於間隔壁91之下方。第2下搬送機構48B向第2下處理部37B進接。
參照圖15。第2上載置部41T配置於間隔壁91之上方。第1上搬送機構46T與第2上搬送機構48T向第2上載置部41T進接。第2上載置部41T供載置在第1上搬送機構46T與第2上搬送機構48T之間被搬送之基板W。第2下載置部41B配置於間隔壁91之下方。第1下搬送機構46B與第2下搬送機構48B向第2下載置部41B進接。第2下載置部41B供載置在第1下搬送機構46B與第2下搬送機構48B之間被搬送之基板W。
<第2區塊61>
參照圖11A、11B、12、13、14、16。圖16係表示第2區塊61之構成之後視圖。基板處理裝置1具備2台第3搬送機構68。2台第3搬送機構68以排列於上下方向Z之方式配置。將上方之第3搬送機構68記載為「第3上搬送機構68T」,將下方之第3搬送機構68記載為「第3下搬送機構68B」。
參照圖13、16。基板處理裝置1具備間隔壁92。間隔壁92設置於搬送空間67。間隔壁92具有水平之板形狀。間隔壁92將搬送空間67分離成上搬送空間67T與下搬送空間67B。上搬送空間67T配置於下搬送空間67B之上方。第3上搬送機構68T配置於上搬送空間67T。第3下搬送機構68B配置於下搬送空間67B。
參照圖11A、11B。第3處理部64配置於第3上搬送機構68T之側方及第3下搬送機構68B之側方。將配置於第3上搬送機構68T之側方之第3處理部64稱作「第3上處理部64T」。將配置於第3下搬送機構68B之側方之第3處理部64稱作「第3下處理部64B」。
參照圖12、14、16。第3上處理部64T配置於間隔壁92之上方。第3上搬送機構68T向第3上處理部64T進接。第3下處理部64B配置於間隔壁92之下方。第3下搬送機構68B向第3下處理部64B進接。
<第1載置部21>
參照圖11A、11B。第1載置部21配置於裝載部11與第1上搬送機構46T之間、及裝載部11與第1下搬送機構46B之間。將配置於裝載部11與第1上搬送機構46T之間之第1載置部21稱作「第1上載置部21T」。將配置於裝載部11與第1下搬送機構46B之間之第1載置部21稱作「第1下載置部21B」。
第1上載置部21T橫跨裝載部11之搬送空間13與第1區塊31之上搬送空間45T而配置。第1下載置部21B橫跨裝載部11之搬送空間13與第1區塊31之下搬送空間45B而配置。裝載用搬送機構14A向第1上載置部21T及第1下載置部21B進接。裝載用搬送機構14B向第1上載置部21T及第1下載置部21B進接。第1上搬送機構46T向第1上載置部21T進接。第1下搬送機構46B向第1下載置部21B進接。第1上載置部21T供載置在裝載部11(即裝載用搬送機構14A、14B)與第1上搬送機構46T之間被搬送之基板W。第1下載置部21B供載置在裝載部11(即裝載用搬送機構14A、14B)與第1下搬送機構46B之間被搬送之基板W。
<第3載置部51>
第3載置部51配置於第2上搬送機構48T與第3上搬送機構68T之間、及第2下搬送機構48B與第3下搬送機構68B之間。將配置於第2上搬送機構48T與第3上搬送機構68T之間之第3載置部51稱作「第3上載置部51T」。將配置於第2下搬送機構48B與第3下搬送機構68B之間之第3載置部51稱作「第3下載置部51B」。第3上載置部51T橫跨第1區塊31之上搬送空間45T與第2區塊61之上搬送空間67T而配置。第3下載置部51B橫跨第1區塊31之下搬送空間45B與第2區塊61之下搬送空間67B而配置。第2上搬送機構48T與第3上搬送機構68T向第3上載置部51T進接。第2下搬送機構48B與第3下搬送機構68B向第3下載置部51B進接。第3上載置部51T供載置在第2上搬送機構48T與第3上搬送機構68T之間被搬送之基板W。第3下載置部51B供載置在第2下搬送機構48B與第3下搬送機構68B之間被搬送之基板W。
上階層90T包含第1上搬送機構46T、第2上搬送機構48T、第3上搬送機構68T、第1上載置部21T、第2上載置部41T、第3上載置部51T、第1上處理部34T、第2上處理部37T及第3上處理部64T。下階層90B包含第1下搬送機構46B、第2下搬送機構48B、第3下搬送機構68B、第1下載置部21B、第2下載置部41B、第3下載置部51B、第1下處理部34T、第2下處理部37B及第3下處理部64B。
<控制部81>
控制部81(例如參照圖1)對裝載部11、第1處理部34、第1搬送機構46、第2處理部37、第2搬送機構48、第3處理部64及第3搬送機構68進行控制。
<各搬送機構之循環動作>
圖17係模式性地表示搬送機構之循環動作之圖。
裝載用搬送機構14A反覆執行包含下述2個進接動作之循環動作。
・向載具CA、CC之進接動作
・向第1載置部21(第1上載置部21T及第1下載置部21B)之進接動作
裝載用搬送機構14B反覆執行包含下述2個進接動作之循環動作。
・向載具CB、CD之進接動作
・向第1載置部21(第1上載置部21T及第1下載置部21B)之進接動作
第1上搬送機構46T反覆執行包含下述3個進接動作之第1循環動作。
・向第1上載置部21T進接之第1進接動作
・向第1上處理部34T進接之第2進接動作
・向第2上載置部41T進接之第3進接動作
第1下搬送機構46B反覆執行包含下述3個進接動作之第1循環動作。
・向第1下載置部21B進接之第1進接動作
・向第1下處理部34B進接之第2進接動作
・向第2下載置部41B進接之第3進接動作
第2上搬送機構48T反覆執行包含下述3個進接動作之第2循環動作。
・向第2上載置部41T進接之第4進接動作
・向第2上處理部37T進接之第5進接動作
・向第3上載置部51T進接之第6進接動作
第2下搬送機構48B反覆執行包含下述3個進接動作之第2循環動作。
・向第2下載置部41B進接之第4進接動作
・向第2下處理部37B進接之第5進接動作
・向第3下載置部51B進接之第6進接動作
第3上搬送機構68T反覆執行包含下述2個進接動作之第3循環動作。
・向第3上載置部51T進接之第7進接動作
・向第3上處理部64T進接之第8進接動作
第3下搬送機構68B反覆執行包含下述2個進接動作之第3循環動作。
・向第3下載置部51B進接之第7進接動作
・向第3下處理部64B進接之第8進接動作
<動作例>
圖18係模式性地表示基板之搬送路徑之圖。基板處理裝置1例如以如下方式動作。
<裝載部11之動作(1)>
裝載部11將基板W交替地搬送至第1上載置部21T與第1下載置部21B。
具體而言,於裝載用搬送機構14A之1個循環動作中,裝載用搬送機構14A自載具CA、CC之任一個搬出基板W,且將基板W載置於第1上載置部21T。於裝載用搬送機構14A之下一循環動作中,裝載用搬送機構14A自載具CA、CC之任一個搬出基板W,且將基板W載置於第1下載置部21B。
<第1區塊31及第2區塊61之動作>
上階層90T中之動作與下階層90B中之動作類似。因此,以下說明上階層90T中之動作,省略下階層90B中之動作之說明。關於下階層90B中之動作,於以下說明中,相當於將第1、第2、第3上搬送機構46T、48T、68T分別改稱作第1、第2、第3下搬送機構46B、48B、68B,將第1、第2、第3上載置部21T、41T、51T分別改稱作第1、第2、第3下載置部21B、41B、51B,將第1、第2、第3上處理部34T、37T、64T分別改稱作第1、第2、第3下處理部34B、37B、64B。
第1上搬送機構46T拿取第1上載置部21T上之基板W(第1進接動作)。第1上搬送機構46T將基板W搬入至第1上處理部34T(第2進接動作)。第1上處理部34T對基板W進行處理(邊緣曝光處理)。第1上搬送機構46T自第1上處理部34T搬出基板W(第2進接動作)。第1上搬送機構46T將基板W載置於第2上載置部41T(第3進接動作)。
第2上搬送機構48T拿取第2上載置部41T上之基板W(第4進接動作)。第2上搬送機構48T將基板W載置於第3上載置部51T(第6進接動作)。
第3上搬送機構68T拿取第3上載置部51T上之基板W(第7進接動作)。第3上搬送機構68T將基板W搬入至第3上處理部64T(第8進接動作)。第3上處理部64T對基板W進行處理(液體處理)。第3上搬送機構68T自第3上處理部64T搬出基板W(第8進接動作)。第3上搬送機構68T將基板W載置於第3上載置部51T(第7進接動作)。
第2上搬送機構48T拿取第3上載置部51T上之基板W(第6進接動作)。第2上搬送機構48T將基板W搬入至第2上處理部37T(第5進接動作)。第2上處理部37T對基板W進行處理(熱處理)。第2上搬送機構48T自第2上處理部37T搬出基板W(第5進接動作)。第2上搬送機構48T將基板W載置於第2上載置部41T(第4進接動作)。
第1上搬送機構46T拿取第2上載置部41T上之基板W(第3進接動作)。第1上搬送機構46T將基板W載置於第1上載置部21T(第1進接動作)。
<裝載部11之動作(2)>
裝載部11交替地自第1上載置部21T與第1下載置部21B拿取基板W。
具體而言,於裝載用搬送機構14B之1個循環動作中,裝載用搬送機構14B拿取第1上載置部21T上之基板W,且將基板W搬入至載具CB、CD之任一個。於裝載用搬送機構14B之下一循環動作中,裝載用搬送機構14B拿取第1下載置部21B上之基板W,且將基板W搬入至載具CB、CD之任一個。
<第2實施形態之效果>
根據第2實施形態,亦發揮與第1實施形態相同之效果。例如,第1搬送機構46(46T、46B)之各第1循環動作包含3個進接動作。第2搬送機構48(48T、48B)之各第2循環動作包含3個進接動作。第3搬送機構68(68T、68B)之各第3循環動作包含2個進接動作。因此,可適宜地提高基板處理裝置1之處理量。
第2載置部41(41T、41B)具有於俯視下與第1處理部34(34T、34B)重疊之第1部分41a、及於俯視下與第2處理部37(37T、37B)重疊之第2部分41b。因此,可使第1搬送機構46與第2搬送機構48之間隔距離變小。進而,第1搬送機構46及第2搬送機構48可分別容易地進接第2載置部41。
進而,根據第2實施形態,發揮以下效果。與第1處理部34對應地設置有2個第1搬送機構46(46T、46B)。與第2處理部37對應地設置有2個第2搬送機構48(48T、48B)。與第3處理部64對應地設置有2個第3搬送機構68(68T、68B)。因此,可使基板處理裝置1之處理量倍增。
第1上搬送機構46T與第1下搬送機構46B以排列於上下方向Z之方式配置。因此,可適宜地抑制基板處理裝置1之設置面積(佔據面積)增大。
第2上搬送機構48T與第2下搬送機構48B以排列於上下方向Z之方式配置。因此,可適宜地抑制基板處理裝置1之設置面積(佔據面積)增大。
第3上搬送機構68T與第3下搬送機構68B以排列於上下方向Z之方式配置。因此,可適宜地抑制基板處理裝置1之設置面積(佔據面積)增大。
上階層90T與下階層90B以排列於上下方向Z之方式配置。因此,可適宜地抑制基板處理裝置1之設置面積(佔據面積)增大。
本發明並不限於上述實施形態,可以如下方式變化而實施。
(1)於上述第1實施形態及第2實施形態中,第2載置部41於俯視下,配置於不與將第1軸線A1與第2軸線A2相連之假想直線L重疊之位置。但,並不限定於此。亦可為將第2載置部41配置於俯視下與將第1軸線A1與第2軸線A2相連之假想直線L重疊之位置。
圖19係變化實施形態之基板處理裝置1之俯視圖。再者,對與第1實施形態相同之構成標註相同符號,藉此省略詳細之說明。第2載置部41配置於不與第1處理部34重疊之位置。第2載置部41配置於不與第2處理部37重疊之位置。第2載置部41全部配置於搬送空間45。第2載置部41配置於與將第1軸線A1與第2軸線A2相連之假想直線L重疊之位置。第1搬送機構46、第2載置部41及第2搬送機構48於前後方向X上排列成1行。
(2)於上述第1實施形態及第2實施形態中,處理部之數量為3個(具體而言為第1-第3處理部34、37、64)。但,並不限定於此。例如,處理部之數量亦可為2個。例如,處理部之數量亦可為4個以上。
例如,於省略第3處理部64之情形時,可省略第3載置部51。進而,可省略第6進接動作。其結果,第2搬送機構48之第2循環動作包含2個進接動作。即,第2循環動作中所包含之進接動作之數量為2個。具體而言,第2循環動作中所包含之2個進接動作如下。
・向第2載置部41進接之第4進接動作
・向第2處理部37進接之第5進接動作
(3)於上述第1實施形態及第2實施形態中,基板處理裝置1未連接於將基板W曝光之曝光機。但,並不限定於此。例如,亦可將曝光機連接於基板處理裝置1。
例如,亦可將曝光機連接於第2區塊61之後部。於此情形時,基板處理裝置1亦可具備供載置在第3搬送機構68與曝光機之間被搬送之基板W之第4載置部。於本變化實施形態中,第3搬送機構68反覆執行包含下述3個進接動作之第3循環動作。
・向第3載置部51進接之第7進接動作
・向第3處理部64進接之第8進接動作
・向第4載置部進接之第9進接動作
於本變化實施形態中,第3循環動作中所包含之進接動作之數量為3個。因此,第3搬送機構68之搬送效率依然較高。由此,可提高基板處理裝置1之處理量。
或者,第3搬送機構68亦可直接將基板W搬送至曝光機。於本變化實施形態中,第3搬送機構68反覆執行包含下述3個進接動作之第3循環動作。
・向第3載置部51進接之第7進接動作
・向第3處理部64進接之第8進接動作
・向曝光機進接之第9進接動作
於本變化實施形態中,第3循環動作中所包含之進接動作之數量為3個。因此,第3搬送機構68之搬送效率依然較高。由此,可提高基板處理裝置1之處理量。
(4)於上述第1實施形態及第2實施形態中,基板處理裝置1不具備用於將基板W搬送至曝光機之接口部。但,並不限定於此。例如,基板處理裝置1亦可具備接口部。
例如,接口部連接於第2區塊61之後部。於此情形時,基板處理裝置1亦可具備供載置在第3搬送機構68與接口部之間被搬送之基板W之第4載置部。於本變化實施形態中,第3搬送機構68反覆執行包含下述3個進接動作之第3循環動作。
・向第3載置部51進接之第7進接動作
・向第3處理部64進接之第8進接動作
・向第4載置部進接之第9進接動作
於本變化實施形態中,第3循環動作中所包含之進接動作之數量為3個。因此,第3搬送機構68之搬送效率依然較高。由此,可提高基板處理裝置1之處理量。
(5)於上述第1實施形態及第2實施形態中,第1處理部34為邊緣曝光處理部,第2處理部37為熱處理部。但,並不限定於此。第1處理部34亦可為熱處理部。第2處理部亦可為邊緣曝光處理部。
於上述第1實施形態及第2實施形態中,第1處理單元35為邊緣曝光處理單元,第2處理單元38為熱處理單元。但,並不限定於此。第1處理單元35亦可為熱處理單元。第2處理單元38亦可為邊緣曝光處理單元。
(6)於上述第1實施形態及第2實施形態中,第3處理部64所進行之液體處理為顯影處理。但,並不限定於此。第3處理部64所進行之液體處理例如亦可為塗佈處理。塗佈處理係將塗膜材料塗佈於基板W,於基板W形成塗膜之處理。塗膜例如為抗蝕膜或抗反射膜。第3處理部64所進行之液體處理例如亦可為清洗處理。清洗處理係對基板W供給清洗液之處理。
(7)於上述第1實施形態中,第1搬送機構46具備2個第1支柱47a、47b。但,並不限定於此。例如亦可省略第1支柱47a、47b中之一個。同樣地,於上述第1實施形態中,第2搬送機構48具備2個第2支柱49a、49b。但,並不限定於此。例如,亦可省略第2支柱49a、49b中之一個。
(8)於上述第1實施形態及第2實施形態中,第1處理部34配置於搬送空間45之右方之位置及搬送空間45之左方之位置。但,並不限定於此。例如亦可將第1處理部34配置於搬送空間45之右方之位置及搬送空間45之左方之位置中之僅任一位置。關於第2處理部37與第3處理部64,亦可同樣地予以變更。
(9)於上述第1實施形態及第2實施形態中,第2處理單元38亦可進而具備安裝於第1平板39a且調節第1平板39a之溫度之調溫機器。例如,第1平板39a亦可調整基板W之溫度。例如,第1平板39a亦可將經第2平板39b加熱之基板W冷卻。
或者,第2處理單元38亦可進而具備安裝於局部搬送機構且調節局部搬送機構之溫度之調溫機器。例如,局部搬送機構亦可調整基板W之溫度。例如,局部搬送機構亦可將經第2平板39b加熱之基板W冷卻。
(10)於上述第1實施形態及第2實施形態中,第2載置部41於俯視下,配置於與第1左處理部34L及第2左處理部37L重疊之位置。但,並不限定於此。亦可為第2載置部41於俯視下,配置於與第1右處理部34R及第2右處理部37R重疊之位置。
(11)於上述第1實施形態及第2實施形態中,空間F配置於第3右處理部64R之前方之位置。但,並不限定於此。空間F亦可配置於第3右處理部64R之後方之位置。空間F亦可配置於第3右處理部64R前方之位置及後方之位置。
(12)於上述第1實施形態及第2實施形態中,前後方向X上之第3右處理部64R之長度G1較前後方向X上之第3左處理部64L之長度G2小。但,並不限定於此。長度G2亦可較長度G1小。於本變化實施形態之情形時,第3右處理部64R為本發明中之第3長處理部之示例。第3左處理部64L為本發明中之第3短處理部之示例。於本變化實施形態中,空間F與第3左處理部64L排列於前後方向X。於本變化實施形態中,亦可適當地變更空間F之配置。
(13)於上述第1實施形態中,未詳細敍述裝載部11之動作。以下,例示裝載部11之動作。例如,裝載部11亦可自載具載置部12A上之載具CA搬出基板W,且將基板W搬入至載具載置部12B上之載具CB。於此情形時,亦可為於將載具載置部12A上之載具CA內之所有基板W搬出後,將載具載置部12A上之載具CA搬送至載具載置部12B。裝載部11亦可不將基板W搬入至載具載置部12A上之載具CA。裝載部11亦可不自載具載置部12B上之載具CB搬出基板W。
(14)亦可將於上述實施例及上述(1)至(13)中所說明之各變化實施例之各構成以適當組合之方式予以變更。
本發明可不脫離其思想或本質而以其他具體之形式實施,因此,作為表示發明之範圍者,應當參照所附加之申請專利範圍而非以上說明。
1:基板處理裝置
11:裝載部
12A:載具載置部
12B:載具載置部
12C:載具載置部
12D:載具載置部
13:搬送空間
14A:裝載用搬送機構
14B:裝載用搬送機構
15a:支柱
15b:升降部
15c:旋轉部
15d、15e:保持部
21:第1載置部
21B:第1下載置部
21T:第1上載置部
22a、22b:平板
31:第1區塊
32:第1框架
34:第1處理部
34B:第1下處理部
34L:第1左處理部
34T:第1上處理部
34R:第1右處理部
35:第1處理單元
36a:旋轉保持部
36b:光照射部
37:第2處理部
37B:第2下處理部
37L:第2左處理部
37R:第2右處理部
37T:第2上處理部
38:第2處理單元
39a:第1平板
39b:第2平板
41:第2載置部(載置部)
41a:第1部分
41b:第2部分
41c:第3部分
41B:第2下載置部
41T:第2上載置部
42a、42b:平板
43:槽
44:槽
44a-44e:槽
43f-43j:槽(第1槽)
43f-43h:槽(處理用第1槽)
43i:槽(載置用第1槽)
44a-44e:槽
44f-44j:槽(第2槽)
44f-44h、44j :槽(第2槽,處理用第2槽)
44i:槽(載置用第2槽)
45:搬送空間
45B:下搬送空間
45T:上搬送空間
46:第1搬送機構
46B:第1下搬送機構
46T:第1上搬送機構
47a、47b:第1支柱
47c:第1升降部
47d:第1旋轉部
47e、47f:第1保持部
48:第2搬送機構
48B:第2下搬送機構
48T:第2上搬送機構
49a、49b:第2支柱
49c:第2升降部
49d:第2旋轉部
49e、49f:第2保持部
51:第3載置部
51T:第3上載置部
51B:第3下載置部
52a、52b:平板
61:第2區塊
62:第2框架
64:第3處理部
64B:第3下處理部
64L:第3左處理部(第3長處理部)
64R:第3右處理部(第3短處理部)
64T:第3上處理部
65:第3處理單元
66a:旋轉保持部
66b:噴嘴
66c:承杯
67:搬送空間
67B:下搬送空間
67T:上搬送空間
68:第3搬送機構
68B:第3下搬送機構
68T:第3上搬送機構
69a、69b:第3支柱
69c:第3升降部
69d:第3水平移動部
69e:第3旋轉部
69f、69g:第3保持部
71:檢驗口
72:蓋部
72a:腔室
72b:腔室
72c:腔室
72d:腔室
81:控制部
90B:下階層
90T:上階層
91:間隔壁
92:間隔壁
A1:第1軸線
A2:第2軸線
B1:第1區域
B2:第2區域
B3:第3區域
C:載具
CA:載具
CB:載具
CC:載具
CD:載具
D1:第1軸線A1與第2軸線A2之間之距離
D2:俯視下第1軸線A1與點P1之間之距離
D3:俯視下第2軸線A2與點P1之間之距離
D4:俯視下第1軸線A1與點P2之間之距離
D5:俯視下第2軸線A2與點P3之距離
E:空間(隔熱空間)
E1:空間(隔熱空間)
E2:空間(隔熱空間)
F:空間(隔熱空間、保修空間)
G1:前後方向上之第3右處理部之長度
G2:前後方向上之第3左處理部之長度
L:假想直線
P1:載置於第2載置部之基板之中心點
P2:載置於第1處理部(旋轉保持部36a)之基板之中心點
P3:載置於第2處理部(第1平板39a)之基板之中心點
r:基板半徑
W:基板
X:前後方向
Y:寬度方向
Z:上下方向
為了說明發明而圖示出目前被認為較佳為之若干個方式,但要理解發明並不限定於如圖示之構成及對策。
圖1係第1實施形態之基板處理裝置之概念圖。
圖2係模式性地表示第1-第3循環動作之圖。
圖3係模式性地表示基板之搬送路徑之圖。
圖4係第1實施形態之基板處理裝置之俯視圖。
圖5係表示基板處理裝置左部之構成之左側視圖。
圖6係表示寬度方向上之基板處理裝置中央部之構成之左側視圖。
圖7係表示基板處理裝置右部之構成之右側視圖。
圖8係表示第1區塊之構成之前視圖。
圖9係第1區塊之俯視圖。
圖10係表示第2區塊之構成之後視圖。
圖11A、11B分別為第2實施形態之基板處理裝置之俯視圖。
圖12係表示基板處理裝置左部之構成之左側視圖。
圖13係表示寬度方向上之基板處理裝置中央部之構成之左側視圖。
圖14係表示基板處理裝置右部之構成之右側視圖。
圖15係表示第1區塊之構成之前視圖。
圖16係表示第2區塊之構成之後視圖。
圖17係模式性地表示搬送機構之循環動作之圖。
圖18係模式性地表示基板之搬送路徑之圖。
圖19係變化實施形態之基板處理裝置之俯視圖。
21:第1載置部
34:第1處理部
37:第2處理部
41:第2載置部(載置部)
46:第1搬送機構
48:第2搬送機構
51:第3載置部
64:第3處理部
68:第3搬送機構
Claims (25)
- 一種基板處理裝置,其具備: 裝載部,其自載具搬出基板; 第1處理部,其對基板進行處理; 第1搬送機構,其將基板搬送至上述第1處理部; 第2處理部,其對基板進行與上述第1處理部不同之處理; 第2搬送機構,其將基板搬送至上述第2處理部; 第1載置部,其載置在上述裝載部與上述第1搬送機構之間被搬送之基板; 第2載置部,其載置在上述第1搬送機構與上述第2搬送機構之間被搬送之基板;及 控制部,其控制上述裝載部、上述第1處理部、上述第1搬送機構、上述第2處理部及上述第2搬送機構;且 按照上述控制部之控制,上述第1搬送機構反覆執行包含3個進接動作之第1循環動作, 上述第1循環動作中所包含之上述進接動作中之一個係向上述第1載置部進接之第1進接動作, 上述第1循環動作中所包含之上述進接動作中之另一個係向上述第1處理部進接之第2進接動作, 上述第1循環動作中所包含之上述進接動作之其餘一個係向上述第2載置部進接之第3進接動作, 按照上述控制部之控制,上述第2搬送機構反覆執行包含2個或3個進接動作之第2循環動作, 上述第2循環動作中所包含之上述進接動作中之一個係向上述第2載置部進接之第4進接動作, 上述第2循環動作中所包含之上述進接動作中之另一個係向上述第2處理部進接之第5進接動作。
- 如請求項1之基板處理裝置,其中 上述第1進接動作包含拿取上述第1載置部上之基板且將基板載置於上述第1載置部之上述第1搬送機構之動作, 上述第2進接動作包含將基板搬入至上述第1處理部且自上述第1處理部搬出基板之上述第1搬送機構之動作, 上述第3進接動作包含拿取上述第2載置部上之基板且將基板載置於上述第2載置部之上述第1搬送機構之動作, 上述第4進接動作包含拿取上述第2載置部上之基板且將基板載置於上述第2載置部之上述第2搬送機構之動作, 上述第5進接動作包含將基板搬入至上述第2處理部且自上述第2處理部搬出基板之上述第2搬送機構之動作。
- 如請求項1之基板處理裝置,其中 上述第1處理部配置於上述第2搬送機構可搬送基板之第2區域之外, 上述第2處理部配置於上述第1搬送機構可搬送基板之第1區域之外。
- 如請求項3之基板處理裝置,其中 上述第1區域於俯視下為圓形, 上述第2區域於俯視下為圓形。
- 如請求項1之基板處理裝置,其中 上述第1載置部配置於上述裝載部與上述第1搬送機構之間, 上述第2載置部配置於上述第1搬送機構與上述第2搬送機構之間, 上述第1處理部配置於上述第1搬送機構之側方, 上述第2處理部配置於上述第2搬送機構之側方。
- 如請求項5之基板處理裝置,其中 上述第1搬送機構、上述第2搬送機構及上述第2載置部於俯視下呈三角配置。
- 如請求項5之基板處理裝置,其中 上述第1搬送機構具備: 第1支柱,其固定地設置,且於上下方向延伸; 第1升降部,其被支持於上述第1支柱,且可於上下方向移動; 第1旋轉部,其被支持於上述第1升降部,且可繞與上下方向平行之第1軸線旋轉;及 第1保持部,其被支持於上述第1旋轉部,且保持基板;且 上述第1旋轉部被設置為無法於水平方向移動, 上述第1處理部具備將基板逐片進行處理之複數個第1處理單元, 上述第1處理單元各者於側視下配置於與上述第1軸線重疊之位置, 上述第2搬送機構具備: 第2支柱,其固定地設置,且於上下方向延伸; 第2升降部,其被支持於上述第2支柱,且可於上下方向移動; 第2旋轉部,其被支持於上述第2升降部,且可繞與上下方向平行之第2軸線旋轉;及 第2保持部,其被支持於上述第2旋轉部,且保持基板;且 上述第2旋轉部被設置為無法於水平方向移動, 上述第2處理部具備將基板逐片進行處理之複數個第2處理單元, 上述第2處理單元各者於側視下配置於與上述第2軸線重疊之位置。
- 如請求項7之基板處理裝置,其中 上述第1處理單元及上述第2處理單元中之一者係對基板進行熱處理之熱處理單元, 上述熱處理單元以排列於上下方向之方式配置。
- 如請求項7之基板處理裝置,其中 於俯視下,上述第1軸線與上述第2軸線之間之距離為基板半徑之5倍以下。
- 如請求項7之基板處理裝置,其中 上述第2載置部於俯視下配置於不與將上述第1軸線與上述第2軸線相連之假想直線重疊之位置。
- 如請求項10之基板處理裝置,其中 於俯視下,上述第1軸線與上述第2載置部之間之距離和上述第2軸線與上述第2載置部之間之距離相等。
- 如請求項1之基板處理裝置,其中 上述第2載置部具有: 第1部分,其於俯視下與上述第1處理部重疊;及 第2部分,其於俯視下與上述第2處理部重疊。
- 如請求項12之基板處理裝置,其中 上述第2載置部進而具有第3部分,該第3部分於俯視下不與上述第1處理部及上述第2處理部重疊。
- 如請求項13之基板處理裝置,其中 上述第2載置部之上述第3部分於俯視下與供設置上述第1搬送機構及上述第2搬送機構之搬送空間重疊。
- 如請求項1之基板處理裝置,其中 上述基板處理裝置具備: 複數個第1槽,其等配置於上述第1搬送機構之側方,且於上下方向排列成1行;及 複數個第2槽,其等配置於上述第2搬送機構之側方,且於上下方向上排列成1行;且 上述第1槽之至少一個係用於設置上述第1處理部之處理用第1槽, 上述第1槽之另一個係用於設置上述第2載置部之載置用第1槽, 上述第2槽之至少一個係用於設置上述第2處理部之處理用第2槽, 上述第2槽之另一個係用於設置上述第2載置部之載置用第2槽, 上述載置用第2槽配置於與上述載置用第1槽相同之高度位置, 上述第2載置部橫跨上述載置用第1槽與上述載置用第2槽而設置。
- 如請求項1之基板處理裝置,其中 上述基板處理裝置具備: 第3處理部,其對基板進行與上述第1處理部及上述第2處理部不同之處理; 第3搬送機構,其將基板搬送至上述第3處理部;及 第3載置部,其載置在上述第2搬送機構與上述第3搬送機構之間被搬送之基板;且 上述控制部進而對上述第3處理部與上述第3搬送機構進行控制, 上述第2循環動作包含3個上述進接動作, 除上述第4進接動作及上述第5進接動作以外之上述第2循環動作中所包含之上述進接動作之其餘一個係向上述第3載置部進接之第6進接動作, 按照上述控制部之控制,上述第3搬送機構反覆執行包含2個或3個進接動作之第3循環動作, 上述第3循環動作中所包含之上述進接動作中之一個係向上述第3載置部進接之第7進接動作, 上述第3循環動作中所包含之上述進接動作中之另一個係向上述第3處理部進接之第8進接動作。
- 如請求項16之基板處理裝置,其中 上述第6進接動作包含拿取上述第3載置部上之基板且將基板載置於上述第3載置部之上述第2搬送機構之動作, 上述第7進接動作包含拿取上述第3載置部上之基板且將基板載置於上述第3載置部之上述第3搬送機構之動作, 於上述第8進接動作中,包含將基板搬入至上述第3處理部且自上述第3處理部搬出基板之上述第3搬送機構之動作。
- 如請求項16之基板處理裝置,其中 上述第1處理部及上述第2處理部中之一者係將基板之周緣部曝光之邊緣曝光處理部, 上述第1處理部及上述第2處理部中之另一者係對基板進行熱處理之熱處理部, 上述第3處理部係對基板進行液體處理之液體處理部。
- 如請求項18之基板處理裝置,其中 按照由上述控制部進行之控制,上述第1搬送機構、上述第2搬送機構及上述第3搬送機構將自上述裝載部供給之基板依序搬送至上述邊緣曝光處理部、上述液體處理部及上述熱處理部, 按照由上述控制部進行之控制,上述第1搬送機構與上述第2搬送機構將自上述熱處理部搬出之基板移回至上述裝載部,而不交遞至上述第3搬送機構。
- 如請求項18之基板處理裝置,其具備: 將上述第3處理部與上述第2處理部隔開之隔熱空間。
- 如請求項16之基板處理裝置,其中 上述第3處理部具備: 第3長處理部、及 第3短處理部, 上述第3搬送機構配置於上述第3長處理部與第3短處理部之間, 上述第3長處理部、上述第3搬送機構及上述第3短處理部排列於寬度方向, 與上述寬度方向正交之前後方向上之上述第3短處理部之長度,小於上述前後方向上之第3長處理部之長度, 上述基板處理裝置具備保修空間, 上述保修空間與上述第3短處理部排列於上述前後方向。
- 如請求項16之基板處理裝置,其中 上述基板處理裝置具備: 第1區塊,其收容上述第1處理部、上述第1搬送機構、上述第2處理部、上述第2搬送機構及上述第2載置部;及 第2區塊,其連接於上述第1區塊,收容上述第3處理部及上述第3搬送機構;且 上述第1區塊於前視、俯視及側視下為矩形, 上述第2區塊於前視、俯視及側視下為矩形。
- 如請求項22之基板處理裝置,其中 上述基板處理裝置具備: 第1框架,其被設置作為上述第1區塊之骨架,支持上述第1搬送機構、上述第2搬送機構、上述第1處理部、上述第2處理部及上述第2載置部;及 第2框架,其被設置作為上述第2區塊之骨架,支持上述第3搬送機構與上述第3處理部;且 上述第2框架連結於上述第1框架。
- 一種基板處理裝置,其具備: 第1處理部,其對基板進行處理; 第2處理部,其對基板進行處理; 搬送空間,其形成於上述第1處理部及上述第2處理部之側方; 第1搬送機構,其設置於上述搬送空間,且將基板搬送至上述第1處理部; 第2搬送機構,其設置於上述搬送空間,且將基板搬送至上述第2處理部;及 載置部,其載置在上述第1搬送機構與上述第2搬送機構之間被搬送之基板;且 上述載置部具有於俯視下 與上述第1處理部重疊之第1部分、及 與上述第2處理部重疊之第2部分。
- 如請求項24之基板處理裝置,其中 上述載置部具有於俯視下與上述搬送空間重疊之第3部分。
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US20040035360A1 (en) * | 2002-05-17 | 2004-02-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing apparatus |
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JP4459831B2 (ja) * | 2005-02-01 | 2010-04-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置 |
JP4444154B2 (ja) * | 2005-05-02 | 2010-03-31 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
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JP5293719B2 (ja) * | 2010-10-01 | 2013-09-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置のデータ取得方法及びセンサ用基板 |
JP2013143413A (ja) | 2012-01-10 | 2013-07-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置 |
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JP6007171B2 (ja) * | 2013-12-26 | 2016-10-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム、基板搬送方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
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KR102000017B1 (ko) * | 2017-07-21 | 2019-07-18 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
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JP7185461B2 (ja) * | 2018-09-21 | 2022-12-07 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および、基板処理装置の制御方法 |
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