JP2013143413A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013143413A JP2013143413A JP2012001768A JP2012001768A JP2013143413A JP 2013143413 A JP2013143413 A JP 2013143413A JP 2012001768 A JP2012001768 A JP 2012001768A JP 2012001768 A JP2012001768 A JP 2012001768A JP 2013143413 A JP2013143413 A JP 2013143413A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- vacuum
- wafer
- processing
- processed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 215
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 231
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 285
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 67
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 6
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 10
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 abstract 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 23
- 235000011194 food seasoning agent Nutrition 0.000 description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 4
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
Abstract
【解決手段】大気搬送室の後方に配置され前記被処理ウエハが搬送される真空搬送室であってその周囲に前記被処理ウエハをプラズマを用いて処理する真空処理室が連結された真空搬送室複数と、これら真空搬送室の間で搬送される間で前記被処理ウエハが載せられて収納される中間室と、前記大気搬送室の背面との間で配置されたロック室とを備え、前記カセット台状に載せられたカセット内に収納された前記被処理ウエハを前記ロック室を介し前記複数の真空処理室のいずれかに搬送して処理を施す真空処理装置であって、前記処理室内でプラズマを形成して前記処理と異なる条件で各処理室でダミーウエハを使用して行う処理の際に前記処理室内に配置されるダミーウエハの収納部を前記中間室内に配置した。
【選択図】 図1
Description
以下に、本願発明の実施例を図1乃至図3を用いて説明する。図1は本発明の実施例に係る真空処理装置の全体の構成の概略を説明する上面図である。
図4は、本発明の実施例の変形例に係る真空処理装置の全体の構成の概略を示している。本変形例では、図1で示した実施例に対し、第二の真空搬送室42に配置された真空搬送中間室32の対面に前記真空搬送中間室32と同等な機構を有した真空搬送中間室33を連結した構成である。
21 筐体
22 大気搬送ロボット
31 ロック室
32,33 真空搬送中間室
41 第一の真空搬送室
42 第二の真空搬送室
51,52 真空搬送ロボット
61,62,63 真空処理室
71,72 収納部
73 仕切板
74 載置部
81,83 第一アーム
82,84 第二アーム
101 大気側ブロック
102 真空側ブロック
Claims (5)
- 前面にカセット台を備え大気圧の内部を被処理ウエハが搬送される大気搬送室と、この大気搬送室の後方に配置され矩形状の平面形を有して減圧された内部を前記被処理ウエハが搬送される真空搬送室であってその周囲に減圧された内部に搬送されて配置された前記被処理ウエハを当該内部に形成したプラズマを用いて処理する真空処理室が連結された真空搬送室複数と、これら真空搬送室の間でこれらを連結して配置されこれら真空搬送室の間で搬送される間で前記被処理ウエハが載せられて収納される中間室と、前記真空搬送室と前記大気搬送室の背面との間でこれらを連結して配置されたロック室とを備え、前記カセット台状に載せられたカセット内に収納された前記被処理ウエハを前記ロック室を介し前記複数の真空処理室のいずれかに搬送して処理を施す真空処理装置であって、
前記処理室内でプラズマを形成して前記処理と異なる条件で各処理室でダミーウエハを使用して行う処理の際に前記処理室内に配置されるダミーウエハの収納部を前記中間室内に配置した真空処理装置。 - 請求項1に記載の真空処理装置であって、前記複数の真空搬送室が前記中間室を挟んで前後方向に並べて配置され、前記中間室内部のウエハ収納空間の下部に前記ダミーウエハを収納する真空処理装置。
- 請求項1または2に記載の真空処理装置であって、前記中間室内の収納空間が処理前のウエハ用の収納空間と処理後のウエハ用の収納空間とを含み、前記処理後のウエハ用の収納空間に前記ダミーウエハを収納する真空処理装置。
- 請求項1または2に記載の真空処理装置であって、前記中間室内部に配置され当該内部を2つの収納空間に仕切る仕切板を有し、前記2つの収納空間が前記処理前のウエハ及び前記処理後のウエハのいずれも収納する部分を有し、これら2つの収納空間の少なくとも1つの前記処理後のウエハが収納部分の下方に前記ダミーウエハを収納する部分を備えた真空処理装置。
- 請求項1及至3の何れかに記載の真空処理装置であって、前記複数の真空搬送室が前記中間室を間に挟んで連結された第一及び第二の真空搬送室を含み、前記中間室内に前記第一の真空搬送室に連結された真空処理室で使用されるダミーウエハを収納し、第二の真空搬送室に連結された別のダミーウエハ用収納室内に第二の真空搬送室に接続された処理室で使用するダミーウエハを収納する真空処理装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012001768A JP2013143413A (ja) | 2012-01-10 | 2012-01-10 | 真空処理装置 |
TW101126631A TWI474428B (zh) | 2012-01-10 | 2012-07-24 | Vacuum processing device |
US14/239,192 US20140216658A1 (en) | 2012-01-10 | 2012-08-02 | Vacuum processing device |
KR1020147002812A KR20140041820A (ko) | 2012-01-10 | 2012-08-02 | 진공처리장치 |
PCT/JP2012/069741 WO2013105295A1 (ja) | 2012-01-10 | 2012-08-02 | 真空処理装置 |
CN201280038556.9A CN103765571A (zh) | 2012-01-10 | 2012-08-02 | 真空处理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012001768A JP2013143413A (ja) | 2012-01-10 | 2012-01-10 | 真空処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013143413A true JP2013143413A (ja) | 2013-07-22 |
Family
ID=48781260
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012001768A Pending JP2013143413A (ja) | 2012-01-10 | 2012-01-10 | 真空処理装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140216658A1 (ja) |
JP (1) | JP2013143413A (ja) |
KR (1) | KR20140041820A (ja) |
CN (1) | CN103765571A (ja) |
TW (1) | TWI474428B (ja) |
WO (1) | WO2013105295A1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015122502A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-07-02 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー.リミテッド | 基板処理モジュール、これを含む基板処理装置及び基板搬送方法 |
JP2016213393A (ja) * | 2015-05-13 | 2016-12-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置およびその運転方法 |
JP2017011023A (ja) * | 2015-06-18 | 2017-01-12 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2019189939A (ja) * | 2018-04-18 | 2019-10-31 | キヤノントッキ株式会社 | 処理体収納装置と、処理体収納方法、及びこれを用いた蒸着方法 |
JP2022058860A (ja) * | 2015-10-20 | 2022-04-12 | ラム リサーチ コーポレーション | 統合バッファを備えたウエハ搬送アセンブリ |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6002532B2 (ja) * | 2012-10-10 | 2016-10-05 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置及び真空処理方法 |
JP7195841B2 (ja) * | 2018-09-21 | 2022-12-26 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP7163764B2 (ja) * | 2018-12-27 | 2022-11-01 | 株式会社Sumco | 気相成長装置 |
JP7240980B2 (ja) * | 2019-07-29 | 2023-03-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板搬送方法 |
CN211879343U (zh) * | 2020-04-10 | 2020-11-06 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种半导体加工设备 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08181183A (ja) * | 1994-12-21 | 1996-07-12 | Shinko Electric Co Ltd | 試料の搬送装置 |
JPH10107124A (ja) * | 1996-08-05 | 1998-04-24 | Kokusai Electric Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2001513592A (ja) * | 1997-07-11 | 2001-09-04 | ブルックス オートメーション インコーポレイテッド | フロントエンド拡張部及び内部基板バッファを備えた基板搬送装置を有する基板処理装置 |
JP2003059999A (ja) * | 2001-08-14 | 2003-02-28 | Tokyo Electron Ltd | 処理システム |
WO2007013424A1 (ja) * | 2005-07-25 | 2007-02-01 | Canon Anelva Corporation | 真空処理装置、半導体デバイス製造方法および半導体デバイス製造システム |
JP2007073540A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、ロードロック室ユニット、および搬送装置の搬出方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5882165A (en) * | 1986-12-19 | 1999-03-16 | Applied Materials, Inc. | Multiple chamber integrated process system |
JPH04199709A (ja) * | 1990-11-29 | 1992-07-20 | Hitachi Ltd | 連続処理装置 |
KR100269097B1 (ko) * | 1996-08-05 | 2000-12-01 | 엔도 마코토 | 기판처리장치 |
JP3824835B2 (ja) * | 2000-03-06 | 2006-09-20 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置におけるダミー基板の運用方法 |
KR100790789B1 (ko) * | 2006-07-03 | 2008-01-02 | 코닉시스템 주식회사 | 반도체 공정장치 |
JP4853374B2 (ja) * | 2007-04-27 | 2012-01-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置及びその方法並びに記憶媒体 |
KR101015228B1 (ko) * | 2008-09-09 | 2011-02-18 | 세메스 주식회사 | 반도체소자 제조를 위한 멀티챔버 시스템 및 그 시스템에서의 기판 처리 방법 |
TWI532114B (zh) * | 2009-11-12 | 2016-05-01 | Hitachi High Tech Corp | Vacuum processing device and operation method of vacuum processing device |
JP2011055001A (ja) * | 2010-12-03 | 2011-03-17 | Tokyo Electron Ltd | 搬送室および基板処理装置 |
-
2012
- 2012-01-10 JP JP2012001768A patent/JP2013143413A/ja active Pending
- 2012-07-24 TW TW101126631A patent/TWI474428B/zh active
- 2012-08-02 KR KR1020147002812A patent/KR20140041820A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-08-02 CN CN201280038556.9A patent/CN103765571A/zh active Pending
- 2012-08-02 US US14/239,192 patent/US20140216658A1/en not_active Abandoned
- 2012-08-02 WO PCT/JP2012/069741 patent/WO2013105295A1/ja active Application Filing
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08181183A (ja) * | 1994-12-21 | 1996-07-12 | Shinko Electric Co Ltd | 試料の搬送装置 |
JPH10107124A (ja) * | 1996-08-05 | 1998-04-24 | Kokusai Electric Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2001513592A (ja) * | 1997-07-11 | 2001-09-04 | ブルックス オートメーション インコーポレイテッド | フロントエンド拡張部及び内部基板バッファを備えた基板搬送装置を有する基板処理装置 |
JP2003059999A (ja) * | 2001-08-14 | 2003-02-28 | Tokyo Electron Ltd | 処理システム |
WO2007013424A1 (ja) * | 2005-07-25 | 2007-02-01 | Canon Anelva Corporation | 真空処理装置、半導体デバイス製造方法および半導体デバイス製造システム |
JP2007073540A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置、ロードロック室ユニット、および搬送装置の搬出方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015122502A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-07-02 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー.リミテッド | 基板処理モジュール、これを含む基板処理装置及び基板搬送方法 |
JP2016213393A (ja) * | 2015-05-13 | 2016-12-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置およびその運転方法 |
JP2017011023A (ja) * | 2015-06-18 | 2017-01-12 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2022058860A (ja) * | 2015-10-20 | 2022-04-12 | ラム リサーチ コーポレーション | 統合バッファを備えたウエハ搬送アセンブリ |
JP7404412B2 (ja) | 2015-10-20 | 2023-12-25 | ラム リサーチ コーポレーション | 統合バッファを備えたウエハ搬送アセンブリ |
JP2019189939A (ja) * | 2018-04-18 | 2019-10-31 | キヤノントッキ株式会社 | 処理体収納装置と、処理体収納方法、及びこれを用いた蒸着方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2013105295A1 (ja) | 2013-07-18 |
TWI474428B (zh) | 2015-02-21 |
KR20140041820A (ko) | 2014-04-04 |
TW201330158A (zh) | 2013-07-16 |
US20140216658A1 (en) | 2014-08-07 |
CN103765571A (zh) | 2014-04-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2013105295A1 (ja) | 真空処理装置 | |
KR101338229B1 (ko) | 진공 처리 장치 | |
JP5785712B2 (ja) | 真空処理装置 | |
TWI408766B (zh) | Vacuum processing device | |
JP4012190B2 (ja) | 密閉容器の蓋開閉システム及び開閉方法 | |
KR101155534B1 (ko) | 진공처리장치 | |
JP6120621B2 (ja) | 真空処理装置及びその運転方法 | |
JP2012028659A (ja) | 真空処理装置 | |
JP2011124565A (ja) | 半導体被処理基板の真空処理システム及び半導体被処理基板の真空処理方法 | |
JP2007005435A (ja) | 処理装置 | |
JP5923288B2 (ja) | 真空処理装置及び真空処理装置の運転方法 | |
JP2010034505A (ja) | 積層ロードロックチャンバおよびそれを備えた基板処理装置 | |
JPH11163075A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 | |
JP5710194B2 (ja) | 真空処理装置 | |
JP6972110B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP5892828B2 (ja) | 真空処理装置 | |
JP7115879B2 (ja) | 真空処理装置の運転方法 | |
JP6718755B2 (ja) | 真空処理装置およびその運転方法 | |
JP2005333076A (ja) | ロードロック装置、処理システム及びその使用方法 | |
JP2015191932A (ja) | 真空処理装置およびその運転方法 | |
WO2014041656A1 (ja) | 真空処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150108 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150109 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160510 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20161115 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20170116 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20170123 |