JP2001513592A - フロントエンド拡張部及び内部基板バッファを備えた基板搬送装置を有する基板処理装置 - Google Patents

フロントエンド拡張部及び内部基板バッファを備えた基板搬送装置を有する基板処理装置

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Abstract

(57)【要約】 基板搬送装置チャンバ(31)に連結される複数の基板処理モジュール(14)を有する基板処理装置(10)。該基板搬送チャンバ(31)は、ハウジング(13)と基板搬送機構(22)とを有する。該ハウジング(13)は、該基板処理モジュール(14)のための該メイン搬送チャンバへの出入り口を有する実質的に閉じたメイン搬送チャンバ(31)を形成する。該搬送機構(22)は、基板保持体(29)を可動に該搬送チャンバ(31)に配設されて有する。該ハウジング(13)は、フロントエンド(28)拡張部(30)を含んでそれは装填ロック(16)に連結される。該フロントエンド(28)拡張部(30)は整列器(32)と、冷却器(36)と、バッファ(34)とを有して該ハウジング(13)に直接連結されて、該メイン搬送チャンバ(31)の一部にある該フロントエンド(28)拡張部(30)に配設される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板処理に関し、より詳しくは、基板搬送装置による基板の移動に
関する。
【0002】
【従来の技術】
米国特許第5,013,385号及び第5,512,320号は、メイン真空搬送チャンバを有す
る基板搬送装置に装着される基板処理モジュールを開示している。基板冷却モジ
ュールをメイン搬送チャンバの外側の基板搬送装置の側部に装着することは、公
知技術である。基板整列器をメイン搬送チャンバの外側の基板搬送装置に装着す
ることは、公知技術である。基板バッファをメイン搬送チャンバの外の雰囲気的
装填/除去部分に提供することは公知技術である。基板処理モジュール内部でモ
ジュールの清掃動作の間、モジュールの基板チャックをカバーするために基板を
使用することも、公知技術である。
【0003】
【課題を解決するための手段】
本発明の一実施例によると、主要部分及び基板処理モジュールを含む基板処理
装置が提供される。主要部分はフレームと、フレームに連結された基板搬送機構
を有する。フレームは、実質的に閉じたメイン環境チャンバを形成する。基板搬
送機構は、可動アームアセンブリをメインチャンバの内部に配設されて有し、又
基板保持体を可動アームアセンブリに連結されて有する。基板搬送機構は基板を
基板処理モジュールに挿入し、又、基板処理モジュールから基板を除去する。主
要部はさらに、基板バッファステーションをメインチャンバに配設されて含み、
そこで複数の基板を保持し、複数の基板がバッファステーションにおいてメイン
チャンバ内部に蓄えられる。
【0004】 本発明の1つの方法によって、基板処理装置内の基板を移動する方法が提供さ れる。基板はダミーの、即ち清掃動作基板を含む。基板処理装置は、実質的に閉
じたメイン搬送チャンバを有して該チャンバは基板処理モジュールに連結され、
又ロボットを有して基板を搬送チャンバと基板処理モジュールとの間で移動させ
る。該方法は、清掃動作基板を基板処理モジュールの第1のものに挿入する行程 と、第1基板処理モジュールの清掃動作を実行し、その間、該清掃動作基板は第1
のモジュール内部にある行程と、清掃動作基板を第1の基板処理モジュールから 除去する行程と、そして、清掃動作基板を搬送チャンバに配設されたバッファス
テーションに蓄積する行程と、を含む。蓄積行程は、バッファステーション内で
少なくとも一つの他の基板とともに、清掃動作基板を蓄積する。別の方法におい
ては、ダミー基板は、清掃の後バッファステーションに蓄積されるよりむしろ、
メイン搬送チャンバから外に移動されてもよい。それに加えて、該方法は、ダミ
ー基板が第1の基板処理モジュールに挿入される前に、ダミー基板をバッファス テーションに蓄積する行程を含んでもよい。
【0005】 本発明の他の実施例によると、基板処理装置のための基板搬送装置が提供され
る。該基板搬送装置は、フレームと、搬送機構と、基板バッファステーションと
、を含む。該フレームは、メイン搬送チャンバと2つのアクセス経路とを画定し て、該経路は該メイン搬送チャンバ及び該フレーム上の装填ロック装着領域との
間に配設される。搬送機構は該フレームに連結されて基板保持体を有し、該保持
体は該メイン搬送チャンバにおいて可動に配設される。基板バッファステーショ
ンは、メイン搬送チャンバ内部でフレームに連結される。基板バッファステーシ
ョンは、直接該2つのアクセス経路の間に配設される。基板は、直接バッファス テーションの2つのアクセス経路の間に蓄積されて、アクセス経路を通る基板動 作は干渉されない。
【0006】 本発明の他の方法に従うと、基板処理装置の基板処理モジュールの清掃方法が
提供される。基板処理装置は、基板処理モジュールに連結されるメイン搬送チャ
ンバ及びロボットを有し、該ロボットは該メイン搬送チャンバ及び基板処理モジ
ュールの間で基板を移動する。該方法は、基板処理モジュールのうちの1つにお いて第1清掃動作を実行しながら1つの基板が該モジュールの内部にある行程と 、清掃された基板処理モジュールから該基板を除去する行程と、該基板をメイン
搬送チャンバに収容しながら同時に該清掃された基板処理モジュールが他の基板
を処理する行程と、引き続いて該基板を基板処理モジュールのうちの1台に挿入 して第2清掃動作を実行する行程と、を含む。第1清掃動作において使われる基板
は、多数の基板処理モジュール清掃動作の間メイン搬送チャンバから移動されな
い。
【0007】 本発明の他の実施例に従うと、基板処理装置のための基板搬送装置が提供され
、該装置は、ハウジング、基板搬送機構と、少なくとも一つの基板ハンドラを選
択的に直接ハウジングに連結する手段と、を含む。該ハウジングは、実質的に閉
じたメイン搬送チャンバを画定し、該チャンバは該ハウジングの横方向側面に配
設される該メイン搬送チャンバに入る出入り口を有する。該基板搬送機構は、該
ハウジングに連結され、該メイン搬送チャンバにおいて可動に配設される基板保
持体を有する。該保持体は、該基板搬送機構によって該ハウジングの出入り口を
通って可動である。選択的に連結する手段は、該基板ハンドラをハウジングに、
ハウジング上の2つの異なる選択的な位置に連結し得る。該基板ハンドラは、該 メイン搬送チャンバ内部において2つの異なる選択的な位置の一つに配設される 。
【0008】 本発明の他の実施例に従うと、基板処理装置のための基板搬送装置が提供され
、該装置はハウジングと、該ハウジングに連結した基板搬送機構と、を含む。該
ハウジングは、実質的に閉じたメイン搬送チャンバ画定し、該チャンバは、該ハ
ウジングの横方向側面にあるメイン搬送チャンバに入る出入り口を有する。該基
板搬送機構は、該メイン搬送チャンバに可動に配設される基板保持体を有する。
該支持体は、該ハウジングにおいて該出入口を通して該基板搬送機構によって可
動である。該フレームは、フロントエンド拡張部を有し、ほぼ外側に約80度で
くさび形に広がる。少なくとも1つの基板アクセス経路が、該ハウジング上の装
填ロック装着領域から該搬送チャンバの中心領域に入って、該フロントエンド拡
張部を通して伸びる。
【0009】
【発明の実施の形態】
前述の利点及び他の特徴を有した本発明は、以下の説明の中で添付の図面と関
連して、説明される。 図1を参照すると、本発明の特徴を取り入れてた基板処理装置10の略上部平面 図が示されている。本発明は図に示される一つの実施例を参照して後述されるが
、本発明は多くの他の実施例に表現され得ると理解されるべきである。それに加
えて、どんな好適なサイズ、形又は要素又は材料のタイプが使われてもよい。
【0010】 装置10は、主要部12と、基板処理モジュール14と、基板装填ロックモジュール
16と、雰囲気部分17とを含む。該雰囲気部分17は、基板のカセットを保持する手
段及び装填ロック16に基板を出入りさせるロボット(図示せず)を含む。他の実
施例において、どんな好適な基板装填システムでも、その制御が手動及び/又は
自動コンピュータ制御であっても、使用可能であり、装填ロック16に基板を装填
する。図2を同様に参照すると、主要部12の斜視図が示されている。カバー24が 、説明のために上げられている。通常動作の間、カバー24は閉じていてフレーム
18の上に密封されている。主要部12は、ハウジング13及び基板搬送機構22を有す
る基板搬送装置である。ハウジング13は、ドア部分20を有する多数の横の開口を
有するフレーム18を有する。モジュール14、16は、ドア部分20に連結されている
。ドア部分20は、可動ドア機構23付きの出入り口21を有して該出入口を開閉する
。基板処理モジュール14及び装填ロックモジュール16は、公知技術である。基板
Sは、半導体ウェーハ、フラットパネルディスプレイ基板又は他のタイプの基板 であってもよい。基板搬送機構22は、モジュール14、16の中の基板Sを移動する ために提供される。基板搬送機構22は、駆動部分25と、可動アーム部分27と、2 つの基板保持体29と、を有する。保持体29は、出入り口21を通してモジュール14
、16の中に及びそこから外に移動され得て、基板Sをモジュール14、16の内外に 移動する。類似した基板搬送機構は、PCT公開公報第 WO 94/23911号に示され
ており、ここで全体として本願明細書に引用されている。しかし、基板搬送機構
のどんな適切なタイプでも使用され得る。該ハウジング13は、可動の頂部カバー
24と、カバー動作クランク26とを含む。該ハウジング13のフロントエンド28は、
拡張部30を有する。「フロントエンド」の術語は、単に記述的な目的のためにの
み用いられる。該拡張部は、該ハウジングのどんな側面にも配設されることがで
き、経路からや装填ロックから間隔を置いて配設されてもよく、及び/又は複式
拡張部を含んでも良い。該部分30は、基板保持バッファ32と2基の基板ハンドラ を保持する。本実施例において示されるのは、基板ハンドラのうちの1つは基板 整列器32であり、他の基板ハンドラは基板冷却器36である。他の実施例では該基
板ハンドラは、基板脱ガス/プレヒータと、結合型基板ヒータ/冷却器と、マル
チ基板ヒータと、冷却器又はヒータ/冷却器と、又は、他のどんな適切な種類の
基板ハンドラと、を含んでも良い。フロント拡張部30は、ほぼ外側に広がるくさ
び形形状を有し、図1の角度Cとして見られるようにフレーム18の前方に向かって
ほぼ約80度の経路で延びている。しかし、どんな適切な角度Cでもよく、どのよ うな異なったフロントエンド拡張部の形状が提供されても良い。80度のくさび形
は、すぐ近くの基板処理モジュール14のなす角が、図示されたように配設される
べく選ばれた。これは、全ての基板処理モジュールを能率的な位置に配設し、主
要部12と間隔を置いて配設するよう方向付けるのを助ける。フロント拡張部30は
、好ましくはフレーム18の残りと一体的に形成され、フレームの残りから着脱不
可能である。しかし、他の実施例においてはフロント拡張部が分離している部品
であって、フレーム18の残りと取り外し自在に連結されていてもよい。要望され
ることは、フロント拡張部30がメインチャンバ31と一体となったチャンバを有し
、その2つのチャンバ間に可動ドアを必要としないことである。他の実施例にお
いては、例えば基板ハンドラ32、36及び/又はバッファ34がメインチャンバ31内
にあり、フロント拡張部30は提供される必要はないものである。フロント拡張部
30の一般的な長さDは十分に短く、搬送機構22の可動アーム部分27を拡張部30を 通って装填ロック16に通す。しかし、一般的な長さDは十分に長く整列器32、バ ッファ34及び冷却器36を装着する。ハウジング13は、そこにおいて、メイン搬送
チャンバ31を形成する。メイン搬送チャンバ31は、そこにおいて、可動アーム部
分27を有して、出入り口21はチャンバ31の外側の周辺部にある。チャンバ31は、
実質的に閉じた環境として維持される。出入り口21のドアは、一時的に開いてモ
ジュール14、16で基板を出し入れする。好ましくは、メインチャンバ31は、真空
に維持される。しかし、メインチャンバ31は、代わりに不活性ガスで満たされて
もよい。図3を同様に参照すると、フロント拡張部30は、メインチャンバ31の一 部であるフロントエンドチャンバ31aを有する。フレーム18は、2つの装填ロック
領域90、91をそのフロントエンドに有する。フロントエンドチャンバ31aは、2つ
の基板アクセス経路Eを、装填ロック16からメインチャンバ31の中心領域にまで 形成する。バッファ34は、フロントエンドチャンバ31aにおいて、直接2つのアク
セス経路E、Fの間に配設される。他の実施例において、バッファ34はフロントエ
ンドチャンバ3la配設されてもよいが、しかし、直接2つアクセス経路E、Fの間に
ではない。例えば、アクセス経路のうちの1つだけがチャンバ31aに提供されるか
、又は、2つのアクセス経路が互いに隣接してバッファがそのアクセス経路の1 にのみ隣接して配設されている様な場合である。
【0011】 バッファ34は、直接整列器32と冷却器36との間に配設される。バッファは一つ
以上の基板を保持して機構22が基板をモジュール14、16のうちの1台に移動させ るのを待機し得る。しかし、バッファ34は提供されなくてもよい。図4を同様に 参照すると、バッファ34の斜視図が示されている。本実施例では、バッファ34は
間隔を置いて積み重ねられた6つの基板を保持する構成になっている。しかし、 他の実施例において、バッファは6つ前後の基板を保持しても良い。本実施例に おいて、バッファ34は2つの間隔を置かれたスタンド92、93を有する固定バッフ ァステーションが示されている。カンチレバー支持アーム94は、互いの方へスタ
ンド92、93から内部に延びる。支持アーム94は、頂部サイド上のスタンドオフを
有してその上に基板を支持する。他の実施例において、他の構成が提供されてバ
ッファに基板を蓄積してもよい。バッファは例えばエレベータを使って可動であ
ってもよい。しかし、好適な実施例においてバッファは固定であり、バッファは
必要ならアクセスを容易にする。基板搬送機構22は、可動アーム部分27及び保持
体29を垂直に移動する。したがって、図4に示すように、基板搬送機構22は基板 をバッファ34の基板保持領域の6つの異なるレベルから、基板を出し入れする。 保持体29は、単に2つのスタンド93,94の間に延びて基板を取り上げたり置いたり
する。バッファ34は、2つのアクセス経路E、Fの外に配設され、そして、整列器3
2と冷却器36の正常な動作を妨害しないことが同じように重要である。整列器32 は、周知技術のように、基板を整列させる。本実施例では、整列器32はモジュー
ル式のドロップインユニットであり、フレーム18の上部表面38の穴を通してフレ
ーム18の中に挿入される。4本のネジ40は、それから整列器32の装着フランジ41 をフレーム18に固定するのに使われる。整列器32は、可動部分即ち基板保持体32
'を有してチャンバ31aに配設される。基板は支持体32'上に配設され、支持体32'
によって廻転されて基板は方向付けられ整列させられる。整列器の可動支持体は
チャンバ31に配設されているので、整列器は基板をメイン搬送チャンバ31から移
動せずに整列し得る。クランク26は、フレーム18にプレート42によって装着され
る。プレート42は、バッファ34の上に配設される。プレート42は、フレーム18か
ら除去して、ユーザが簡単にバッファにアクセスすることができる。他の実施例
においては、バッファ及び/又は1以上の基板ハンドラはチャンバ31に配設され
得るが、必ずしもチャンバ拡張部31aでなくてもよい。しかし、フロント拡張部3
0の使用がより好ましい。なぜなら、それはバッファ及び2つの基板ハンドラを有
する主要部12の底面積を少なくすることが出来、それは、以前には可能でなかっ
たからである。この小さな底面積は、従来技術に比べて、装置10をより工場のフ
ロアにおいて狭い場所で設置することが出来、製造業者がコストを下げ得て、又
は装置10を多数配設することができる。チャンバ拡張部31a及び/又はチャンバ3
1のどんな他の部分も、2以上の基板ハンドラを有してもよい。
【0012】 図5Aを同様に参照すると、冷却器36は、トップユニット44と、底部ユニット46
と、を含む。底部ユニット46はスタンドオフ50を有する伝熱プレート48と、冷却
剤通過路52とを含む。プレート48は、排出バルブ54によって、真空供給源に連結
される。プレート48は、又、埋め戻しバルブ56及び充填バルブ58を通して不活性
ガス供給源60に連結される。埋め戻しバルブ56及び充填バルブ58は、導管57を両
者の間に有して、ガス計測領域を形成する。導管62、64は、伝熱プレート48の上
部表面に延びる。
【0013】 トップユニット即ちポペット機構44は、上部表面38の穴66を通してフレーム18
に挿入されるモジュール式ドロップインユニットである。4本のネジは、装着フ ランジ68をフレーム18に固定するために使われる。装着フランジ68は整列器の装
着フランジ41と同じサイズ及び形である。フレーム18、整列器32及び冷却器36は
、フレーム18が整列器32か冷却器36を2つの場所A及びB(図1参照)で受容し得る
ように造られる。したがって、主要部12は2つの整列器又は2つの冷却器を有し得
るが、そうでなければ整列器及び冷却器は反対側に配設されてもよい。このモジ
ュール式構造によって、製造業者は装置10を特定の要求事項に比較的容易に合わ
せて設定し得る。冷却器及び/又は整列器が主要部12に不必要な場合、封止プレ
ート(図示せず)は、冷却器及び/又は整列器の中にあるフレーム18に連結され
さえすればよい。他の重要な利点は、ドロップインアセンブリであるがゆえに、
整列器32の頂部及び冷却器36のトップユニット44は容易に主要部12の頂部側から
4つの装着ネジを除去することにより除去し得る。これは整列器及び冷却器の速 くて簡単なアクセスを可能にし、ウェーハが破壊された場合にそのウェーハを掃
き出す。トップユニット44は、カバー70と、フレーム72と、移動支持体74とを含
む。フレーム72は、静止状態でフレーム18に連結される。移動支持体74は、駆動
部分76及び下方支持体78を有する。図5Bを同様に参照すると、例えば水力学又は
排気駆動式を使って駆動部分76は、移動支持体74をフレーム72に相対的に上下に
移動し得る。図5Aは、サポート74が上向き位置で、基板を装填するか又は取り外
している。図5Bは、下向き位置で、基板を冷却している。下方支持体78は、基板
支持アーム80、シール82及び通過口84を有する。図5Aに示されるように、上向き
位置において基板Sは搬送機構22によって、支持体80の上に装填されるか又はア ーム80から除去され得る。図5Bに示されるように、下位置において搬送機構22は
、空洞84を通してモジュール16に延びる。下方支持体78が下って移動するとき
、シール82は下方ユニット46の上部表面に係合して小さい閉塞チャンバ86を形成
する。基板Sは、チャンバ86内のスタンドオフ50に配設される。不活性ガスは、 次に、チャンバ86に導入されて基板Sのガス補助冷却を行う。他の実施例では、 他の種類の冷却器が提供されてもよく、あるいは、フロント拡張部30においては
全く冷却器必要でないか、あるいは、別の分離型冷却モジュールがフレーム18に
装着されてもよく、あるいは、冷却器が必要ないこともある。
【0014】 公知技術では、基板処理チャンバは定期的に清掃動作を実行する必要がある。
例えば、CVD(化学的蒸気処理)基板処理モジュールやPVD(物理的蒸気処理)基
板処理モジュールは、スパッタリングを使用し、周期的な清掃が必要となる 。 この行程はダミー、テストあるいは犠牲基板として既知である清掃動作基板をモ
ジュールの基板チャック上に配設する行程と、清掃動作を実行する行程とを含む
。CVDモジュールの清掃動作は、非常な高温度を使用する行程を含んでCVDチャン
バを焼いて清掃し、それは自己清掃オーブンに類似する。清掃動作基板は、基板
処理モジュールに配設され、清掃動作の間、モジュール内の基板チャックを保護
する。
【0015】 本発明は、バッファ34を使って清掃動作間において、清掃動作基板を蓄積する
。好適な実施例において、バッファ34は、主要部12に直接連結される処理モジュ
ール14のそれぞれの清掃動作基板を保持する。好ましくは、各清掃動作基板は、
モジュール14のうちの1台についてのみ使用される。したがって、各清掃動作基 板が交換されるべきときをそれぞれのモジュール14が何回清掃動作を経たかに基
づいて比較的容易に計算できる。しかし、他の実施例において、清掃動作基板の
数はモジュール14の総数未満でもよく、そして、清掃動作基板が1以上のモジュ
ール14で使われても良い。
【0016】 図6を、ここで参照すると、清掃動作基板を移動する方法が描かれている。清 掃動作基板は、最初、主要部12に装填される。初期装填は、マニュアルでもコン
ピュータ制御を備えたロボットによっての移動でも良い。基板は直接、基板処理
モジュール14のうちの1台に、例えば装置10の開始時に挿入され得るか、そうで なければ必要な時までバッファ34に蓄積され得る。基板がブロック100に示され るように清掃のために基板処理モジュールに挿入された後、ブロック102に示さ れるように清掃動作は実行される。清掃動作が完了すると、基板はブロック104 に示されるように、モジュールから除去され、ブロック106に示されるようにバ ッファ34に蓄積される。新たに清掃された基板処理モジュールは、それ後、ブロ
ック108に示されるように、基板処理に使われる。基板処理モジュールが再び清 掃される必要があるときは、行程100-108は、ブロック110に示されるように、繰
り返される。この同じ行程は、周期的な清掃が必要となる各々の基板処理モジュ
ールに対して繰り返される。もちろん、いくつかの処理モジュールは、異なるダ
ミー/清掃基板について同時に清掃され得る。単一のダミー/清掃基板は、又、 多数の基板処理モジュールを清掃するために用いてもよい。
【0017】 バッファ34は、清掃動作基板を蓄積するだけでなく、通常処理基板を、モジュ
ール14、整列器32及び/又は冷却器36の中の処理基板の配設の間に蓄積するため
に用いても良い。「通常処理基板」という術語は、少なくとも一部が最終的には
最終製品に使われる基板を意味する。「清掃動作基板」の術語は、通常処理基板
以外の基板を意味する。この種の清掃動作基板は、必ずしも処理モジュール清掃
の使用に限られなく、追加的及び/又は代替機能にも使われ得る。図4に示すよ うに、バッファ34は清掃動作基板Scoと通常処理基板Spとを、保持し得る。基板 処理Spは空の保持領域に蓄積され得て、通常その領域にある清掃動作基板は清掃
動作に使用される。代替的に、バッファ34は清掃動作基板の総数のための保持領
域に加えて、通常処理基板のために予め指定した保持領域を有し得る。したがっ
て、バッファは清掃動作基板及び通常処理基板を同時に保持し得る。
【0018】 ここで図7を参照すると、多様なステーションの中の取り得る基板の移動経路 が模式回路図に示されている。上記したように、バッファ34は提供されなくても
よい。したがって、バッファは点線で示される。装置10は、又、操作可能状態で
装置10'に直列に連結され得る。Gは、基板が装置10において、主要部12から離れ
ずに取り得る全ての動作を示す。装置コンピュータ制御部を適切にプログラムす
るだけで、固定的連結線Gにおけるどんな適切な基板の経路をも提供され得る。 例えば、処理基板は、第1基板処理モジュールで処理されて、整列器へ移って、 次の処理のため第2処理モジュールへ移され得る。他の例では、処理基板は、第1
基板処理モジュールで処理されて冷却のため冷却器に移され、次に他の基板処理
モジュール又は整列器に移され、あるいは他のモジュール又は、単に装填ロック
に戻される。基板動作のバリエーションは、多数可能である。しかし、本発明で
は、基板は整列器32、バッファ34及び冷却器36へ移動可能であり、しかも、チャ
ンバ31から離れないで可能である。付加的な、あるいは、より少ないステーショ
ンがチャンバ31内部に提供され得る。したがって、付加的なあるいは少ない経路
と動作シーケンスがチャンバ31において提供され得る。
【0019】 図8を参照すると、基板ハンドラの他の実施例がメイン搬送チャンバ31内部に 配設されているが、拡張部においてではないことが示されている。ハンドラ120 は、基板のための二重の熱伝導ユニットである。ハンドラ120は、可動基板支持 部122、底部熱伝導部材124、頂部熱伝導部材126及び駆動部128を有する。駆動部
128は、支持部122を上下に移動する。支持部122の底は、支持アーム130を有して
、その上に基板S1を支持する。支持部122の頂部は、スタンドオフ132を有してそ
の上に第2の基板S2を支持する。支持部122は、上向き位置において示される。こ
の位置において基板保持体29は、直接支持アーム130に基板S1を配設し得るか、 あるいは、支持アーム130から基板S1を除去し得る。第2の基板S2は、支持部122 及び頂部熱伝導部材126により形成される閉じたチャンバ134に、配設される。支
持部122が駆動部128によって、下位置の方へ動かされると、基板S1は支持部122 及び底部熱伝導部材124によって形成されるチャンバ136中に、封止される。下位
置において、第2の基板S2は、基板保持体29によってスタンドオフ132に挿入され
、あるいは、そこから除去され得る。2つの熱伝導部材は、両方とも冷却プレー トか、加熱プレートか、加熱冷却プレート一体型でもよい。他の実施例では、基
板ハンドラ29は2つの基板を同時に移動して熱伝導を供給するように形と大きさ を設計されても良い。熱伝導ユニットは、各々、結合型ヒータ/冷却器ユニット
であってもよい。しかし、この実施例のユニークな特徴の1つは、多数の基板が 単一のユニットにおいて冷却及び/又は加熱し得ることであり、それにより基板
を該ユニットに基板保持体29をメイン搬送チャンバから離さずに挿入し得る。ユ
ニット120は、直接ハウジング13に連結され、可動支持部122は少なくとも部分的
にはメイン搬送チャンバ内部に配設される。1つの基板はユニット120に挿入され
るかあるいはそこから除去され得て、同時に他の基板はユニット120に留まる。
【0020】 前述の説明は本発明の単なる例示であることが理解されるべきである。多様な
実施例及び変更態様が、本発明から逸脱することなく当業者によって考案され得
る。それゆえ、本発明は、添付の請求項の範囲内にある全ての実施例、変更態様
及び自由度を含むものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の特徴を取り入れた基板処理装置の平面図である。
【図2】 図1に示される装置の主要部分の斜視図である。
【図3】 2つの装填ロックに装着され図2に示される主要部分のフロントエ ンドの概略図である。
【図4】 図2に示される主要部分内部のバッファステーションの部分的切り
欠き斜視図である。
【図5A】 冷却器が上部位置にある時の模式断面図である。
【図5B】 冷却器が下部位置にある時の模式断面図である。
【図6】 清掃動作基板を移動する方法のブロック図である。
【図7】 搬送機構によって、多様な位置への可能な動作を示している流れ図
である。
【図8】 メイン搬送チャンバ内の基板ハンドラの他の実施例の概略図である
【符号の説明】
12 主要部分 14 基板処理モジュール 16 基板装填ロックモジュール 28 フロントエンド 30 フロント拡張部 32 整列器 36 冷却器
【手続補正書】特許協力条約第19条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成12年1月7日(2000.1.7)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【請求項4】 請求項47に記載の基板処理装置であって、前記基板ヒー
タは結合型の基板ヒータ・冷却器の一部であることを特徴とする装置。
【手続補正書】特許協力条約第34条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成12年1月7日(2000.1.7)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0010
【補正方法】変更
【補正内容】
【0010】 装置10は、主要部12と、基板処理モジュール14と、基板装填ロックモジュール
16と、雰囲気部分17とを含む。該雰囲気部分17は、基板のカセットを保持する手
段及び装填ロック16に基板を出入りさせるロボット(図示せず)を含む。他の実
施例において、どんな好適な基板装填システムでも、その制御が手動及び/又は
自動コンピュータ制御であっても、使用可能であり、装填ロック16に基板を装填
する。図2を同様に参照すると、主要部12の斜視図が示されている。カバー24が 、説明のために上げられている。通常動作の間、カバー24は閉じていてフレーム
18の上に密封されている。主要部12は、ハウジング13及び基板搬送機構22を有す
る基板搬送装置である。ハウジング13は、ドア部分20を有する多数の横の開口を
有するフレーム18を有する。モジュール14、16は、ドア部分20に連結されている
。ドア部分20は、可動ドア機構23付きの出入り口21を有して該出入口を開閉する
。基板処理モジュール14及び装填ロックモジュール16は、公知技術である。基板
Sは、半導体ウェーハ、フラットパネルディスプレイ基板又は他のタイプの基板 であってもよい。基板搬送機構22は、モジュール14、16の中の基板Sを移動する ために提供される。基板搬送機構22は、駆動部分25と、可動アーム部分27と、2 つの基板保持体29と、を有する。保持体29は、出入り口21を通してモジュール14
、16の中に及びそこから外に移動され得て、基板Sをモジュール14、16の内外に 移動する。類似した基板搬送機構は、PCT公開公報第 WO 94/23911号に示され
ており、ここで全体として本願明細書に引用されている。しかし、基板搬送機構
のどんな適切なタイプでも使用され得る。該ハウジング13は、可動の頂部カバー
24と、カバー動作クランク26とを含む。該ハウジング13のフロントエンド28は、
拡張部30を有する。「フロントエンド」の術語は、単に記述的な目的のためにの
み用いられる。該拡張部は、該ハウジングのどんな側面にも配設されることがで
き、経路からや装填ロックから間隔を置いて配設されてもよく、及び/又は複式
拡張部を含んでも良い。該部分30は、基板保持バッファ34と2基の基板ハンドラ を保持する。本実施例において示されるのは、基板ハンドラのうちの1つは基板 整列器32であり、他の基板ハンドラは基板冷却器36である。他の実施例では該基
板ハンドラは、基板脱ガス/プレヒータと、結合型基板ヒータ/冷却器と、マル
チ基板ヒータと、冷却器又はヒータ/冷却器と、又は、他のどんな適切な種類の
基板ハンドラと、を含んでも良い。フロント拡張部30は、ほぼ外側に広がるくさ
び形形状を有し、図1の角度Cとして見られるようにフレーム18の前方に向かって
ほぼ約80度の経路で延びている。しかし、どんな適切な角度Cでもよく、どのよ うな異なったフロントエンド拡張部の形状が提供されても良い。80度のくさび形
は、すぐ近くの基板処理モジュール14のなす角が、図示されたように配設される
べく選ばれた。これは、全ての基板処理モジュールを能率的な位置に配設し、主
要部12と間隔を置いて配設するよう方向付けるのを助ける。フロント拡張部30は
、好ましくはフレーム18の残りと一体的に形成され、フレームの残りから着脱不
可能である。しかし、他の実施例においてはフロント拡張部が分離している部品
であって、フレーム18の残りと取り外し自在に連結されていてもよい。要望され
ることは、フロント拡張部30がメインチャンバ31と一体となったチャンバを有し
、その2つのチャンバ間に可動ドアを必要としないことである。他の実施例にお
いては、例えば基板ハンドラ32、36及び/又はバッファ34がメインチャンバ31内
にあり、フロント拡張部30は提供される必要はないものである。フロント拡張部
30の一般的な長さDは十分に短く、搬送機構22の可動アーム部分27を拡張部30を 通って装填ロック16に通す。しかし、一般的な長さDは十分に長く整列器32、バ ッファ34及び冷却器36を装着する。ハウジング13は、そこにおいて、メイン搬送
チャンバ31を形成する。メイン搬送チャンバ31は、そこにおいて、可動アーム部
分27を有して、出入り口21はチャンバ31の外側の周辺部にある。チャンバ31は、
実質的に閉じた環境として維持される。出入り口21のドアは、一時的に開いてモ
ジュール14、16で基板を出し入れする。好ましくは、メインチャンバ31は、真空
に維持される。しかし、メインチャンバ31は、代わりに不活性ガスで満たされて
もよい。図3を同様に参照すると、フロント拡張部30は、メインチャンバ31の一 部であるフロントエンドチャンバ31aを有する。フレーム18は、2つの装填ロック
領域90、91をそのフロントエンドに有する。フロントエンドチャンバ31aは、2つ
の基板アクセス経路Eを、装填ロック16からメインチャンバ31の中心領域にまで 形成する。バッファ34は、フロントエンドチャンバ31aにおいて、直接2つのアク
セス経路E、Fの間に配設される。他の実施例において、バッファ34はフロントエ
ンドチャンバ3la配設されてもよいが、しかし、直接2つアクセス経路E、Fの間に
ではない。例えば、アクセス経路のうちの1つだけがチャンバ31aに提供されるか
、又は、2つのアクセス経路が互いに隣接してバッファがそのアクセス経路の1 にのみ隣接して配設されている様な場合である。
【手続補正書】
【提出日】平成12年2月15日(2000.2.15)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,ML,MR, NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,KE,L S,MW,SD,SZ,UG,ZW),EA(AM,AZ ,BY,KG,KZ,MD,RU,TJ,TM),AL ,AM,AT,AU,AZ,BA,BB,BG,BR, BY,CA,CH,CN,CU,CZ,DE,DK,E E,ES,FI,GB,GE,GH,HU,IL,IS ,JP,KE,KG,KP,KR,KZ,LC,LK, LR,LS,LT,LU,LV,MD,MG,MK,M N,MW,MX,NO,NZ,PL,PT,RO,RU ,SD,SE,SG,SI,SK,SL,TJ,TM, TR,TT,UA,UG,UZ,VN,YU,ZW Fターム(参考) 4K029 DA01 KA01 KA09 4K030 GA12 KA26 KA28 5F031 CA02 CA11 DA01 DA17 FA01 FA07 FA12 FA15 GA43 HA28 MA04 MA09 NA05 PA03 5F045 AF19 DQ17 EB08 EJ02 EJ10 EN04 HA24

Claims (50)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板処理装置であって フレームと、前記フレームに連結される基板搬送機構とを有する主要部を含み
    、前記フレームは実質的に閉じたメイン環境チャンバを形成し、前記基板搬送機
    構は前記メインチャンバに配設される可動アームアセンブリと前記可動アームア
    センブリに配設される基板保持体とを有し、 前記フレームに連結される基板処理モジュールを含み、前記基板搬送機構は前
    記基板処理モジュールへ基板を挿入し又前記基板処理モジュールから基板を除去
    する装置であって、 前記主要部分は、更に基板バッファステーションを前記メインチャンバ内に配
    設されて含んで複数の基板を保持し、そして複数の基板は前記バッファステーシ
    ョンの前記メインチャンバの内部に蓄えられることを特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の装置であって、前記バッファステーション
    が静止状態で前記フレームに結合されて複数の基板を積み重ねられた形態で保持
    することを特徴とする装置。
  3. 【請求項3】 請求項2に記載の装置であって、前記主要部分が前記主要部
    分に連結される2つの装填ロックと前記メインチャンバとの間に2つのアクセス 経路を有し、前記バッファステーションは前記2つのアクセス経路の間に直接配
    設されていることを特徴とする装置。
  4. 【請求項4】 請求項2に記載の装置であって、前記基板搬送機構は基板保
    持体を垂直に移動させて、基板を前記バッファステーションの異なるレベルから
    挿入及び除去することを特徴とする装置。
  5. 【請求項5】 請求項1に記載の装置であって、前記フレームは、前記バッ
    ファステーションの上方に直接配設されるカバー動作機構を備えた可動カバーを
    有することを特徴とする装置。
  6. 【請求項6】 請求項1に記載の装置であって、前記主要部分は装填ロック
    に装着される拡張部を有するフロントエンドを有しており、前記バッファステー
    ションは、前記拡張部に配設される基板ハンドラユニットに隣接する前記拡張部
    に配設されることを特徴とする請求項1に記載の装置。
  7. 【請求項7】 前記基板ハンドラユニットが基板整列器であることを特徴と
    する請求項6に記載の装置。
  8. 【請求項8】 前記ハンドラユニットが基板冷却器であることを特徴とする
    請求項6に記載の装置。
  9. 【請求項9】 前記拡張部が2つの基板ハンドラユニットを含むことを特徴
    とする請求項6に記載の装置。
  10. 【請求項10】 基板処理装置内で基板を移動する方法であり、前記基板は
    清掃動作基板を含んでおり、前記基処理装置は少なくとも一つの基板処理モジュ
    ールに連結される実質的に閉じた搬送チャンバと、前記搬送チャンバと前記少な
    くとも一つの前記基板処理モジュールとの間で該基板を移動させるロボットとを
    含み、その方法が、 前記少なくとも一つの基板処理モジュールの第1に前記清掃動作基板を挿入す
    る行程と、 前記第1の基板処理モジュールにおいて清掃動作を実行して同時に前記清掃動
    作基板は前記第1のモジュールにある行程と、 前記第1の基板処理モジュールから前記清掃動作基板を除去する行程と、 前記清掃動作基板を前記搬送チャンバに配設されるバッファステーションに蓄
    積する行程とを含み、前記蓄積行程においては少なくとも一つの他の基板ととも
    に前記清掃動作基板を前記バッファステーションに蓄積することを特徴とする方
    法。
  11. 【請求項11】 請求項10に記載の方法であって、前記清掃動作基板を前
    記バッファステーションに蓄積する行程が、前記メイン搬送チャンバに直接連結
    される基板処理モジュールの総数以上の、前記バッファステーションの全基板総
    数を蓄積することを含むことを特徴とする方法。
  12. 【請求項12】 請求項10に記載の方法であって、基板を蓄積する行程を
    更に含み、該基板は清掃動作中には前記基板処理モジュール内に配設されておら
    ず、前記基板は前記基板処理モジュールの1において処理された後、一時的に、
    前記バッファステーションに配設されることを特徴とする方法。
  13. 【請求項13】 請求項12に記載の方法であって、前記蓄積行程は前記清
    掃動作基板及び他の基板を同時に前記バッファステーションに蓄積し、該基板は
    それぞれの清掃動作中にはいかなる前記基板処理モジュールにも配設されていな
    いことを特徴とする方法。
  14. 【請求項14】 請求項10に記載の方法であって、それぞれの前記基板処
    理モジュールの清掃の間、前記清掃動作基板を前記第1の基板処理モジュールに のみに挿入し他のいかなる基板処理モジュールにも挿入しない行程を更に含む方
    法。
  15. 【請求項15】 請求項14に記載の方法であって、各基板処理モジュール
    はそれぞれの清掃動作基板を前記バッファの中に蓄えて、それぞれの清掃動作基
    板はその該当する基板処理モジュールの中にのみ挿入されそれ以外の他のいかな
    る基板処理モジュールにも挿入されないことを特徴とする方法。
  16. 【請求項16】 請求項10に記載の方法であって、前記基板処理モジュー
    ルで処理されるべき基板を前記搬送チャンバに、前記バッファステーションのす
    ぐそばの入り口の経路に沿って挿入する行程を更に含む方法。
  17. 【請求項17】 請求項10に記載の方法であって、前記バッファステーシ
    ョンのそばの整列器に基板を整列させる行程を更に含む方法。
  18. 【請求項18】 請求項17に記載の方法であって、基板を前記バッファス
    テーションのそばに配設される冷却器で冷却する行程を更に含む方法。
  19. 【請求項19】 請求項10に記載の方法であって、基板を前記バッファス
    テーションのそばに配設される冷却器で冷却する行程を更に含む方法。
  20. 【請求項20】 基板処理装置のための基板搬送装置であって、 フレームを含み、該フレームはメイン搬送チャンバ及び2つのアクセス経路を
    画定し、該2つのアクセス経路は前記メイン搬送チャンバと前記フレーム上の装
    填ロック装着領域との間にあり、 搬送機構を含み、該搬送機構は前記フレームに連結されて、前記メイン搬送チ
    ャンバに可動に配設される基板保持体とを有し、 前記メイン搬送チャンバ内部の前記フレームに連結される基板バッファステー
    ションを含み、前記基板バッファステーションは2つのアクセス経路の間に直接
    配設され、そこにおいて、基板は前記バッファステーションの前記2つのアクセ
    ス経路の間に直接蓄積され得て基板のアクセス経路を通る動作を干渉しないこと
    を特徴とする基板搬送装置。
  21. 【請求項21】 請求項20に記載の基板搬送装置であって、前記アクセス
    経路のうちの1つは、前記フレームに装着される整列器を有して基板を該アクセ
    ス経路において整列させ、前記整列器は前記バッファステーションに隣接して配
    設されることを特徴とする装置。
  22. 【請求項22】 請求項20に記載の基板搬送装置であって、前記アクセス
    経路のうちの1つが前記フレームに装着される冷却器を有して基板を冷却し、前
    記冷却器は前記バッファステーションに隣接して配設されることを特徴とする装
    置。
  23. 【請求項23】 請求項20に記載の基板搬送装置であって、前記フレーム
    に前記2つのアクセス経路で装着される2つの基板ハンドラユニットを更に含ん
    で、基板を前記バッファステーションの隣りに移動することを特徴とする装置。
  24. 【請求項24】 請求項23に記載の基板搬送装置であって、前記2つの基
    板ハンドラユニットが前記フレームに前記2つのアクセス経路で相互交換可能に
    装着されていて、そこにおいて、前記フレーム上の前記2つの基板ハンドラユニ ットが選択可能な構成であることを特徴とする装置。
  25. 【請求項25】 請求項24に記載の基板搬送装置であって、前記2つの基
    板ハンドラユニットは整列器と冷却器とを含むことを特徴とする装置。
  26. 【請求項26】 請求項20に記載の基板搬送装置であって、前記フレーム
    は、前記フレーム前方へ約80度の経路に沿って延びるフロントエンド拡張部を
    有して、前記バッファステーションと2つのアクセス経路が前記フロントエンド
    拡張部に配設されることを特徴とする装置。
  27. 【請求項27】 基板処理装置の基板処理モジュールの清掃方法であって、
    前記基板処理装置は前記基板処理モジュールに連結されるメイン搬送チャンバと
    ロボットを有し、該ロボットは基板を前記メイン搬送チャンバと前記基板処理モ
    ジュールとの間で移動する清掃方法が、 前記基板処理モジュールのうちの1つにおいて第1清掃動作を、基板を前記モ
    ジュール内部に配設して実行する行程と、 前記基板を、清掃された前記基板処理モジュールから除去する行程と、 前記メイン搬送チャンバ内部に前記基板を蓄積し同時に前記清掃された基板処
    理モジュールが他の基板を処理する行程と、 引き続いて、前記基板を前記基板処理モジュールのうちの1台に挿入して第2
    清掃動作を実行する行程と、を含み、そこにおいて、前記第1清掃動作に使われ
    た前記基板は、前記メイン搬送チャンバから、前記基板に関する複数の基板処理
    モジュールの清掃動作の間、移動されないことを特徴とする清掃方法。
  28. 【請求項28】 請求項27に記載の方法であって、前記基板はその清掃動
    作の間、前記基板処理モジュールのうちの1台にのみ挿入され、そして、他のい
    かなる処理モジュールにもそれぞれの清掃動作の間、挿入されることがないこと
    を特徴とする方法。
  29. 【請求項29】 請求項27に記載の方法であって、前記蓄積行程は前記基
    板を、前記メイン搬送チャンバ内部に配設される固定型複式基板保持バッファに
    蓄積する行程を含むことを特徴とする方法。
  30. 【請求項30】 請求項29に記載の方法であって、前記蓄積行程は複式基
    板を前記バッファの中に保持し、1つの基板が前記バッファから提供されてそれ
    ぞれの基板処理モジュールの清掃動作に使用されることを特徴とする方法。
  31. 【請求項31】 請求項29に記載の方法であって、前記蓄積行程は、前記
    バッファ内の前記基板を、それらの清掃動作の間、どんな前記基板処理モジュー
    ルの中にも配設されていない他の基板とともに蓄積することを特徴とする方法。
  32. 【請求項32】 基板処理装置のための基板搬送装置であって、 ハウジングを含み、それが実質的に閉じたメイン搬送チャンバを画定し、該チ
    ャンバは前記ハウジングの横方向側面に配設されて前記メイン搬送チャンバに通
    じる出入り口を有し、 基板搬送機構を含み、該機構は前記ハウジングに連結されかつ、前記メイン搬
    送チャンバに可動に配設された基板保持体を有し、前記保持体は前記ハウジング
    の前記出入り口を通して前記基板搬送機構によって可動であり、 選択可能状態で少なくとも1つの基板ハンドラを直接に前記ハウジングの2つ
    の異なった2者択一的な場所に連結する手段を含み、前記基板ハンドラは前記メ
    イン搬送チャンバ内部に配設されることを特徴とする基板搬送装置。
  33. 【請求項33】 前記基板ハンドラが基板整列器であることを特徴とする請
    求項32に記載の基板搬送装置。
  34. 【請求項34】 基板ハンドラが基板冷却器であることを特徴とする請求項
    32に記載の基板搬送装置。
  35. 【請求項35】 請求項32に記載の基板搬送装置であって、前記選択的連
    結手段は、前記2つの基板ハンドラを前記2つの異なる場所に連結する手段を含
    むことを特徴とする装置。
  36. 【請求項36】 請求項35に記載の基板搬送装置であって、前記2つの基
    板ハンドラは異なる種類の基板ハンドラであり、前記ハウジングに前記異なる場
    所で相互交換可能な状態で装着可能であって、異なった構成を提供できることを
    特徴とする装置。
  37. 【請求項37】 基板処理装置のための基板搬送装置であって、 ハウジングを含み、該ハウジングは実質的に閉じたメイン搬送チャンバを画定
    し、該チャンバは前記ハウジングの横方向の側面に配設され前記メイン搬送チャ
    ンバに入る出入り口を有し、 基板搬送機構を含み、該基板搬送機構は前記ハウジングに連結されて、基板保
    持体を前記メイン搬送チャンバ内に可動に配設されて有し、前記保持体は前記基
    板搬送機構によって前記ハウジングの前記出入り口を通して可動であり、 そこにおいて、前記フレームはフロントエンド拡張部を有してほぼ外側に約8
    0度の経路に沿ってくさび形に延びており、そして、少なくとも一つの基板アク
    セス経路が前記ハウジングの装填ロック装着領域から前記メイン搬送チャンバの
    中心領域に、前記フロントエンド拡張部を通って延びることを特徴とする基板搬
    送装置。
  38. 【請求項38】 請求項37に記載の基板搬送装置であって、前記フロント
    エンド拡張部のフロントエンドは間隔をおいた2つの装填ロック領域を有するこ
    とを特徴とする装置。
  39. 【請求項39】 請求項37に記載の基板搬送装置であって、少なくとも一
    つの基板ハンドラユニットを更に含み、該ユニットは、前記ハウジングに前記フ
    ロントエンド拡張部で前記基板アクセス経路において直接連結されることを特徴
    とする装置。
  40. 【請求項40】 請求項39に記載の基板搬送装置であって、前記フロント
    エンド拡張部が、2つの間隔を置かれた基板アクセス経路を有し、そして、前記
    2つの基板アクセス経路が前記ハウジングによって前記メイン搬送チャンバの一
    部として単一に形成されことを特徴とする装置。
  41. 【請求項41】 請求項37に記載の基板搬送装置であって、基板バッファ
    ステーションを前記フロントエンド拡張部に配設されて更に含むことを特徴とす
    る装置。
  42. 【請求項42】 請求項41に記載の基板搬送装置であって、前記バッファ
    ステーションが複数の基板を保持するように大きさと形を設定されたことを特徴
    とする装置。
  43. 【請求項43】 基板処理装置の基板を移動する方法であって、前記基板処
    理装置は、搬送チャンバを有し、該チャンバは出入り口によって少なくとも一つ
    の基板処理チャンバへ連結されており、そして又、ロボットを有し該ロボットは
    前記搬送チャンバと前記基板処理チャンバの間で基板を移動させ、該方法は、 ダミー基板を前記搬送チャンバに配設されるバッファステーションに蓄積する
    行程を含み、前記蓄積行程は、前記ダミー基板を前記バッファステーションの少
    なくとも1つの他の基板とともに同時に蓄積する行程を含み、 前記ダミー基板を前記バッファステーションから前記基板処理チャンバへ前記
    ロボットによって移動し、同時に前記少なくとも一つの他の基板が前記バッファ
    ステーションに残されることを特徴とする方法。
  44. 【請求項44】 請求項43に記載の方法であって、前記基板処理チャンバ
    を清掃する行程を更に含み、同時に前記ダミー基板は前記基板処理チャンバ内部
    に配設されることを特徴とする方法。
  45. 【請求項45】 基板処理装置の基板を移動する方法であって、前記基板処
    理装置は、真空搬送チャンバを出入り口によって基板処理チャンバに連結されて
    有し、そして、ロボットを有して基板を前記搬送チャンバと前記基板処理チャン
    バの間で移動し、該方法は、 ダミー基板を前記基板処理チャンバから前記ロボットによって前記搬送チャン
    バに配設された基板バッファステーションに移動する行程と、 前記ダミー基板を、すでに前記バッファステーションにある少なくとも一つの
    他の基板とともに前記基板バッファステーションに蓄積する行程とを含み、そこ
    において、前記ロボットは前記真空搬送チャンバ内部の前記バッファステーショ
    ンの異なったレベルにアクセスして、前記バッファステーションの中に及びそこ
    から個別に前記基板を移動することを特徴とする方法。
  46. 【請求項46】 基板処理装置であって、基板搬送装置と、前記基板搬送装
    置に連結した基板処理チャンバとを有し、前記基板搬送装置は、 メイン搬送チャンバを形成しているハウジングと、 前記ハウジングに連結されて、基板保持体を前記メイン搬送チャンバに可動に
    配設して有するロボットと、 直接前記ハウジングに連結されて、可動の部分を前記メイン搬送チャンバ内部
    に配設されて有する基板冷却器と、を含み、前記冷却器は少なくとも2つの冷却
    用領域を有して基板を冷却する装置であって、 1つの基板は前記ロボットによって、前記冷却器から除去しされ得て直接前記
    メイン搬送チャンバに移されて同時に他の基板は前記冷却器の中に残ることを特
    徴とする装置。
  47. 【請求項47】 基板処理装置であって、基板搬送装置と、前記基板搬送装
    置に連結された基板処理チャンバとを有し、前記基板搬送装置は、 メイン搬送チャンバを形成しているハウジングと、 前記ハウジングに連結されて、基板保持体を前記メイン搬送チャンバに可動に
    配設されて有するロボットと、 直接前記ハウジングに連結されて、前記メイン搬送チャンバ内部に配設された
    る可動部分を有する基板ヒータと、を含む装置であって、 前記ロボットは前記基板保持体上の基板を前記可動部分に移動することができ
    しかも、前記基板保持体を前記メイン搬送チャンバから移動しないことを特徴と
    する装置。
  48. 【請求項48】 請求項47に記載の基板処理装置であって、前記基板ヒー
    タが寸法と形態を設定されて、複数の基板を保持し、そして、前記ロボットが前
    記基板を一度に前記ヒータの中へ又そこから挿入及び除去することを特徴とする
    装置。
  49. 【請求項49】 請求項47に記載の基板処理装置であって、前記基板ヒー
    タは結合型の基板ヒータ・冷却器の一部であることを特徴とする装置。
  50. 【請求項50】 基板処理装置であって、基板搬送装置と、前記基板搬送装
    置に連結された基板処理チャンバとを有し、前記基板搬送装置は、 メイン搬送チャンバを形成しているハウジングと、 前記ハウジングに連結され、メイン搬送チャンバに可動に配設される基板保持
    体を有するロボットと、 前記ハウジングに連結されて、可動の部分を前記メイン搬送チャンバ内部に配
    設されて有する基板整列器と、を含み、 前記整列器は基板を前記メイン搬送チャンバから移動させずに整列させること
    ができることを特徴とする装置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006501632A (ja) * 2001-12-04 2006-01-12 ブルックス オートメーション インコーポレイテッド 独立して変更可能な一体的なロードロックを有する基板処理装置
JP2008263063A (ja) * 2007-04-12 2008-10-30 Ulvac Japan Ltd 加熱装置および基板処理装置
JP2010157736A (ja) * 2008-12-29 2010-07-15 Kc Tech Co Ltd 原子層蒸着装置
WO2013105295A1 (ja) * 2012-01-10 2013-07-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置

Families Citing this family (78)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5879461A (en) * 1997-04-21 1999-03-09 Brooks Automation, Inc. Metered gas control in a substrate processing apparatus
US6073366A (en) * 1997-07-11 2000-06-13 Asm America, Inc. Substrate cooling system and method
US5882413A (en) * 1997-07-11 1999-03-16 Brooks Automation, Inc. Substrate processing apparatus having a substrate transport with a front end extension and an internal substrate buffer
US6079928A (en) * 1997-08-08 2000-06-27 Brooks Automation, Inc. Dual plate gas assisted heater module
US6530732B1 (en) * 1997-08-12 2003-03-11 Brooks Automation, Inc. Single substrate load lock with offset cool module and buffer chamber
US6688375B1 (en) * 1997-10-14 2004-02-10 Applied Materials, Inc. Vacuum processing system having improved substrate heating and cooling
US6083566A (en) * 1998-05-26 2000-07-04 Whitesell; Andrew B. Substrate handling and processing system and method
US6231289B1 (en) 1998-08-08 2001-05-15 Brooks Automation, Inc. Dual plate gas assisted heater module
US6957690B1 (en) 1998-09-10 2005-10-25 Asm America, Inc. Apparatus for thermal treatment of substrates
US6108937A (en) * 1998-09-10 2000-08-29 Asm America, Inc. Method of cooling wafers
US6322312B1 (en) 1999-03-18 2001-11-27 Applied Materials, Inc. Mechanical gripper for wafer handling robots
US6440261B1 (en) * 1999-05-25 2002-08-27 Applied Materials, Inc. Dual buffer chamber cluster tool for semiconductor wafer processing
US6318945B1 (en) 1999-07-28 2001-11-20 Brooks Automation, Inc. Substrate processing apparatus with vertically stacked load lock and substrate transport robot
US6949143B1 (en) * 1999-12-15 2005-09-27 Applied Materials, Inc. Dual substrate loadlock process equipment
EP1124252A2 (en) * 2000-02-10 2001-08-16 Applied Materials, Inc. Apparatus and process for processing substrates
KR100462237B1 (ko) * 2000-02-28 2004-12-17 주성엔지니어링(주) 기판 냉각장치를 가지는 반도체 소자 제조용 클러스터 장비
US6620723B1 (en) 2000-06-27 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques
US7964505B2 (en) * 2005-01-19 2011-06-21 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of tungsten materials
US7732327B2 (en) 2000-06-28 2010-06-08 Applied Materials, Inc. Vapor deposition of tungsten materials
US6551929B1 (en) 2000-06-28 2003-04-22 Applied Materials, Inc. Bifurcated deposition process for depositing refractory metal layers employing atomic layer deposition and chemical vapor deposition techniques
US7405158B2 (en) * 2000-06-28 2008-07-29 Applied Materials, Inc. Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques
US7101795B1 (en) * 2000-06-28 2006-09-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques to form a nucleation layer
JP2002043229A (ja) * 2000-07-25 2002-02-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
US20020083897A1 (en) * 2000-12-29 2002-07-04 Applied Materials, Inc. Full glass substrate deposition in plasma enhanced chemical vapor deposition
US6765178B2 (en) 2000-12-29 2004-07-20 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
US6825447B2 (en) * 2000-12-29 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for uniform substrate heating and contaminate collection
US6609869B2 (en) 2001-01-04 2003-08-26 Asm America Transfer chamber with integral loadlock and staging station
US6951804B2 (en) * 2001-02-02 2005-10-04 Applied Materials, Inc. Formation of a tantalum-nitride layer
US6660126B2 (en) 2001-03-02 2003-12-09 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US6878206B2 (en) * 2001-07-16 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US6734020B2 (en) * 2001-03-07 2004-05-11 Applied Materials, Inc. Valve control system for atomic layer deposition chamber
US20020137346A1 (en) * 2001-03-12 2002-09-26 Applied Materials. Inc. Workpiece distribution and processing in a high throughput stacked frame
US7211144B2 (en) * 2001-07-13 2007-05-01 Applied Materials, Inc. Pulsed nucleation deposition of tungsten layers
US20070009658A1 (en) * 2001-07-13 2007-01-11 Yoo Jong H Pulse nucleation enhanced nucleation technique for improved step coverage and better gap fill for WCVD process
JP4821074B2 (ja) * 2001-08-31 2011-11-24 東京エレクトロン株式会社 処理システム
US7049226B2 (en) * 2001-09-26 2006-05-23 Applied Materials, Inc. Integration of ALD tantalum nitride for copper metallization
US6936906B2 (en) * 2001-09-26 2005-08-30 Applied Materials, Inc. Integration of barrier layer and seed layer
JP4027072B2 (ja) * 2001-10-18 2007-12-26 松下電器産業株式会社 減圧プラズマ処理装置及びその方法
US7780785B2 (en) 2001-10-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus for atomic layer deposition
US6916398B2 (en) * 2001-10-26 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition
US6729824B2 (en) 2001-12-14 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Dual robot processing system
US6620670B2 (en) 2002-01-18 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Process conditions and precursors for atomic layer deposition (ALD) of AL2O3
US6911391B2 (en) * 2002-01-26 2005-06-28 Applied Materials, Inc. Integration of titanium and titanium nitride layers
US6998014B2 (en) * 2002-01-26 2006-02-14 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for plasma assisted deposition
US6899507B2 (en) * 2002-02-08 2005-05-31 Asm Japan K.K. Semiconductor processing apparatus comprising chamber partitioned into reaction and transfer sections
US6827978B2 (en) * 2002-02-11 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Deposition of tungsten films
US6833161B2 (en) * 2002-02-26 2004-12-21 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode
US7439191B2 (en) * 2002-04-05 2008-10-21 Applied Materials, Inc. Deposition of silicon layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications
US6720027B2 (en) 2002-04-08 2004-04-13 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of a variable content titanium silicon nitride layer
US6846516B2 (en) * 2002-04-08 2005-01-25 Applied Materials, Inc. Multiple precursor cyclical deposition system
US20030194825A1 (en) * 2002-04-10 2003-10-16 Kam Law Deposition of gate metallization for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications
US6869838B2 (en) * 2002-04-09 2005-03-22 Applied Materials, Inc. Deposition of passivation layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications
US7279432B2 (en) 2002-04-16 2007-10-09 Applied Materials, Inc. System and method for forming an integrated barrier layer
US6827546B2 (en) * 2002-08-19 2004-12-07 Brooks-Pri Automation, Inc. Modular frame for a wafer fabrication system
US20040053514A1 (en) * 2002-08-27 2004-03-18 Ali Shajii Apparatus for cooling a substrate through thermal conduction in the viscous regime
US6821563B2 (en) 2002-10-02 2004-11-23 Applied Materials, Inc. Gas distribution system for cyclical layer deposition
US20040065255A1 (en) * 2002-10-02 2004-04-08 Applied Materials, Inc. Cyclical layer deposition system
US6769861B2 (en) 2002-10-08 2004-08-03 Brooks Automation Inc. Apparatus for alignment and orientation of a wafer for processing
US6990430B2 (en) * 2002-12-20 2006-01-24 Brooks Automation, Inc. System and method for on-the-fly eccentricity recognition
WO2004113585A2 (en) * 2003-06-18 2004-12-29 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of barrier materials
US8403613B2 (en) * 2003-11-10 2013-03-26 Brooks Automation, Inc. Bypass thermal adjuster for vacuum semiconductor processing
US10086511B2 (en) 2003-11-10 2018-10-02 Brooks Automation, Inc. Semiconductor manufacturing systems
US20070269297A1 (en) 2003-11-10 2007-11-22 Meulen Peter V D Semiconductor wafer handling and transport
DE102004019732A1 (de) * 2004-04-20 2005-11-17 Sse Sister Semiconductor Equipment Gmbh Vorrichtung und Verfahren für die Bearbeitung eines Substrats in der Halbleitertechnik sowie System, das eine Vorrichtung für die Bearbeitung eines Substrats umfasst
DE102004020466A1 (de) * 2004-04-26 2005-11-17 Applied Films Gmbh & Co. Kg Verfahren zum Beschichten von Substraten in Inline-Anlagen
WO2007064148A1 (en) * 2005-11-29 2007-06-07 Semes Co., Ltd. System and method for producing carbon nanotubes
US20070241351A1 (en) * 2006-04-14 2007-10-18 Applied Materials, Inc. Double-sided nitride structures
US7575982B2 (en) * 2006-04-14 2009-08-18 Applied Materials, Inc. Stacked-substrate processes for production of nitride semiconductor structures
US8821637B2 (en) * 2007-01-29 2014-09-02 Applied Materials, Inc. Temperature controlled lid assembly for tungsten nitride deposition
JP2008192642A (ja) * 2007-01-31 2008-08-21 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
DE102009037290A1 (de) * 2009-04-24 2010-11-11 Singulus Technologies Ag Transporteinrichtung mit einem auslenkbaren Dichtrahmen
CN101642909A (zh) * 2009-06-26 2010-02-10 东莞宏威数码机械有限公司 多级机械传输模块用腔体
US9202733B2 (en) 2011-11-07 2015-12-01 Persimmon Technologies Corporation Robot system with independent arms
US9401296B2 (en) 2011-11-29 2016-07-26 Persimmon Technologies Corporation Vacuum robot adapted to grip and transport a substrate and method thereof with passive bias
US9696097B2 (en) * 2014-08-01 2017-07-04 Applied Materials, Inc. Multi-substrate thermal management apparatus
JP6802726B2 (ja) * 2017-02-14 2020-12-16 株式会社Screenホールディングス 基板搬送装置、それを備える基板処理装置および基板搬送方法
CN112912796A (zh) 2018-10-23 2021-06-04 Asml荷兰有限公司 检查设备
TW202230583A (zh) * 2020-12-22 2022-08-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理系統及微粒去除方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0294647A (ja) * 1988-09-30 1990-04-05 Kokusai Electric Co Ltd ウェーハ処理装置
JPH05275519A (ja) * 1992-03-27 1993-10-22 Toshiba Corp 多室型基板処理装置
JPH05304197A (ja) * 1992-04-27 1993-11-16 Hitachi Ltd マルチチャンバシステム
JPH0647642A (ja) * 1992-01-21 1994-02-22 Applied Materials Inc 絶縁型静電チャックと励起方法
JPH06140492A (ja) * 1992-10-28 1994-05-20 Fujitsu Ltd クラスタ装置
JPH0729958A (ja) * 1993-07-14 1995-01-31 Hitachi Ltd 半導体製造装置
JPH07122619A (ja) * 1993-10-22 1995-05-12 Tokyo Electron Ltd 半導体ウエハの搬送方法
JPH07288275A (ja) * 1994-04-19 1995-10-31 Tokyo Electron Ltd ハンドリングアーム
JPH0846013A (ja) * 1994-05-23 1996-02-16 Tokyo Electron Ltd マルチチャンバ処理システム用搬送装置

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4293249A (en) * 1980-03-03 1981-10-06 Texas Instruments Incorporated Material handling system and method for manufacturing line
US5013385A (en) * 1986-04-18 1991-05-07 General Signal Corporation Quad processor
US5002010A (en) * 1989-10-18 1991-03-26 Varian Associates, Inc. Vacuum vessel
JP2926798B2 (ja) * 1989-11-20 1999-07-28 国際電気株式会社 連続処理エッチング方法及びその装置
US5310410A (en) * 1990-04-06 1994-05-10 Sputtered Films, Inc. Method for processing semi-conductor wafers in a multiple vacuum and non-vacuum chamber apparatus
JP2644912B2 (ja) * 1990-08-29 1997-08-25 株式会社日立製作所 真空処理装置及びその運転方法
JPH05275511A (ja) * 1991-03-01 1993-10-22 Tokyo Electron Ltd 被処理体の移載システム及び処理装置
US5223001A (en) * 1991-11-21 1993-06-29 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Vacuum processing apparatus
JP2598353B2 (ja) * 1991-12-04 1997-04-09 アネルバ株式会社 基板処理装置、基板搬送装置及び基板交換方法
US5516732A (en) * 1992-12-04 1996-05-14 Sony Corporation Wafer processing machine vacuum front end method and apparatus
EP0608620B1 (en) * 1993-01-28 1996-08-14 Applied Materials, Inc. Vacuum Processing apparatus having improved throughput
US5474410A (en) * 1993-03-14 1995-12-12 Tel-Varian Limited Multi-chamber system provided with carrier units
DE69415517T3 (de) * 1993-04-16 2005-03-17 Brooks Automation, Inc., Lowell Handhabungseinrichtung mit gelenkarm
US5525160A (en) * 1993-05-10 1996-06-11 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Film deposition processing device having transparent support and transfer pins
EP0634787B1 (en) * 1993-07-15 1997-05-02 Applied Materials, Inc. Subsrate tray and ceramic blade for semiconductor processing apparatus
WO1995016800A1 (en) * 1993-12-17 1995-06-22 Brooks Automation, Inc. Apparatus for heating or cooling wafers
KR960002534A (ko) * 1994-06-07 1996-01-26 이노우에 아키라 감압·상압 처리장치
JP3288200B2 (ja) * 1995-06-09 2002-06-04 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
JPH09107013A (ja) * 1995-10-09 1997-04-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板受け渡し装置
US5647724A (en) * 1995-10-27 1997-07-15 Brooks Automation Inc. Substrate transport apparatus with dual substrate holders
US5882413A (en) * 1997-07-11 1999-03-16 Brooks Automation, Inc. Substrate processing apparatus having a substrate transport with a front end extension and an internal substrate buffer
US6530732B1 (en) * 1997-08-12 2003-03-11 Brooks Automation, Inc. Single substrate load lock with offset cool module and buffer chamber

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0294647A (ja) * 1988-09-30 1990-04-05 Kokusai Electric Co Ltd ウェーハ処理装置
JPH0647642A (ja) * 1992-01-21 1994-02-22 Applied Materials Inc 絶縁型静電チャックと励起方法
JPH05275519A (ja) * 1992-03-27 1993-10-22 Toshiba Corp 多室型基板処理装置
JPH05304197A (ja) * 1992-04-27 1993-11-16 Hitachi Ltd マルチチャンバシステム
JPH06140492A (ja) * 1992-10-28 1994-05-20 Fujitsu Ltd クラスタ装置
JPH0729958A (ja) * 1993-07-14 1995-01-31 Hitachi Ltd 半導体製造装置
JPH07122619A (ja) * 1993-10-22 1995-05-12 Tokyo Electron Ltd 半導体ウエハの搬送方法
JPH07288275A (ja) * 1994-04-19 1995-10-31 Tokyo Electron Ltd ハンドリングアーム
JPH0846013A (ja) * 1994-05-23 1996-02-16 Tokyo Electron Ltd マルチチャンバ処理システム用搬送装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006501632A (ja) * 2001-12-04 2006-01-12 ブルックス オートメーション インコーポレイテッド 独立して変更可能な一体的なロードロックを有する基板処理装置
KR100996973B1 (ko) 2001-12-04 2010-11-26 브룩스 오토메이션 인코퍼레이티드 기판 처리 장치
JP2008263063A (ja) * 2007-04-12 2008-10-30 Ulvac Japan Ltd 加熱装置および基板処理装置
JP2010157736A (ja) * 2008-12-29 2010-07-15 Kc Tech Co Ltd 原子層蒸着装置
US8968476B2 (en) 2008-12-29 2015-03-03 K.C. Tech Co., Ltd. Atomic layer deposition apparatus
WO2013105295A1 (ja) * 2012-01-10 2013-07-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置
JP2013143413A (ja) * 2012-01-10 2013-07-22 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置

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