JP5483556B2 - 基板処理装置、基板移動方法、基板搬送装置、及び基板処理モジュールの清掃方法 - Google Patents

基板処理装置、基板移動方法、基板搬送装置、及び基板処理モジュールの清掃方法 Download PDF

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Description

本発明は、基板処理に関し、より詳しくは、基板搬送装置による基板の移動に関する。
米国特許第5,013,385号及び第5,512,320号は、メイン真空搬送チャンバを有する基板搬送装置に装着される基板処理モジュールを開示している。基板冷却モジュールをメイン搬送チャンバの外側の基板搬送装置の側部に装着することは、公知技術である。基板整列器をメイン搬送チャンバの外側の基板搬送装置に装着することは、公知技術である。基板バッファをメイン搬送チャンバの外の雰囲気的装填（ロード）／除去（アンロード）部分に設けることは公知技術である。基板処理モジュール内部でモジュールの清掃動作の間、モジュールの基板チャックをカバーするために基板を使用することも、公知技術である。
米国特許第5,013,385号 米国特許第5,512,320号
本発明の一実施形態によると、主要部分及び基板処理モジュールを含む基板処理装置が提供される。主要部分はフレームと、フレームに連結された基板搬送機構を有する。フレームは、実質的に閉じたメイン環境チャンバを形成する。基板搬送機構は可動アームアセンブリと基板保持体を有し、可動アームアセンブリはメインチャンバの内部に設けられ、基板保持体は可動アームアセンブリに連結されている。基板搬送機構は基板を基板処理モジュールに挿入し、基板処理モジュールから基板を除去する。主要部はさらに、基板バッファステーションを有し、基板バッファステーションはメインチャンバ内に設けられる。基板バッファステーションは複数の基板を保持することができる。よって、複数の基板がバッファステーションにおいてメインチャンバ内部に蓄えられる（保持される）。
本発明の１つの実施形態によれば、基板処理装置内の複数の基板を移動する方法が提供される。複数の基板の中にはダミーの基板、即ち清掃動作基板が含まれている。基板処理装置は、実質的に閉じたメイン搬送チャンバを有して該チャンバは基板処理モジュールに連結され、ロボットを有して基板を搬送チャンバと基板処理モジュールとの間で移動させる。この基板移動方法は、清掃動作基板を基板処理モジュールの第１のものに挿入する行程と、第１基板処理モジュールの清掃動作を実行し、その間、該清掃動作基板は第１のモジュール内部にある行程と、清掃動作基板を第１の基板処理モジュールから除去する行程と、清掃動作基板を搬送チャンバに配設されたバッファステーションに蓄積する行程と、を含む。蓄積行程は、バッファステーション内で少なくとも一つの他の基板とともに、清掃動作基板を蓄積する。別の方法においては、ダミー基板は、清掃の後バッファステーションに蓄積されるのではなく、メイン搬送チャンバから外に移動される。また、この基板移動方法は、ダミー基板が第１の基板処理モジュールに挿入される前に、ダミー基板をバッファステーションに蓄積する行程を含んでもよい。
本発明の他の実施形態によると、基板処理装置のための基板搬送装置が提供される。この基板搬送装置は、フレームと、搬送機構と、基板バッファステーションとを含む。該フレームは、メイン搬送チャンバと２つのアクセス経路とを画定して、当該経路はメイン搬送チャンバ及びフレーム上の装填ロック装着領域との間に位置する。搬送機構は該フレームに連結されて基板保持体を有し、基板保持体はメイン搬送チャンバ内に設けられる。基板保持体は可動に設けられる。基板バッファステーションは、メイン搬送チャンバ内部でフレームに連結される。基板バッファステーションは、直接上記２つのアクセス経路の間に設けられる。基板は、直接バッファステーションの２つのアクセス経路の間に蓄積されて、アクセス経路を通る基板動作は干渉されない。
本発明の他の実施形態によれば、基板処理装置の基板処理モジュールの清掃方法が提供される。基板処理装置は、基板処理モジュールに連結されるメイン搬送チャンバ及びロボットを有し、当該ロボットはメイン搬送チャンバ及び基板処理モジュールの間で基板を移動する。この清掃方法は、基板処理モジュールのうちの１つにおいて第１清掃動作を実行しながら１つの基板が該モジュールの内部にある行程と、清掃された基板処理モジュールから当該基板を除去する行程と、基板をメイン搬送チャンバに収容しながら同時に上記清掃された基板処理モジュールが他の基板を処理する行程と、その後、上記基板を基板処理モジュールのうちの１台に挿入して第２清掃動作を実行する行程とを含む。第１清掃動作において使用される基板は、複数の基板処理モジュール清掃動作の間、メイン搬送チャンバから移動されない（外に出されない）。
本発明の他の実施形態によれば、基板処理装置のための基板搬送装置が提供される。この基板搬送装置は、ハウジングと、基板搬送機構と、少なくとも一つの基板ハンドラを選択的に直接ハウジングに連結する手段とを含む。ハウジングは、実質的に閉じたメイン搬送チャンバを画定し（形成し）、当該チャンバはハウジングの横方向側面に設けられるメイン搬送チャンバに入る出入り口を有する。基板搬送機構はハウジングに連結され、基板保持体を有している。基板保持体は、メイン搬送チャンバ内において可動に設けられる。基板保持体は、基板搬送機構によってハウジングの出入り口を通ることができる（可動である）。上記選択的に連結する手段は、基板ハンドラをハウジングに、ハウジング上の２つの異なる選択的な位置に連結し得る。基板ハンドラは、メイン搬送チャンバ内部において２つの異なる選択的な位置の一つに設けられる。
本発明の他の実施形態によれば、基板処理装置のための基板搬送装置が提供される。この基板搬送装置は、ハウジングと、当該ハウジングに連結された基板搬送機構とを含む。ハウジングは実質的に閉じたメイン搬送チャンバを画定し、このメイン搬送チャンバは、ハウジングの横方向側面にあるメイン搬送チャンバに入る出入り口を有する。基板搬送機構は基板保持体を有し、この基板保持体はメイン搬送チャンバ内に可動に設けられる。支持体は、ハウジングにおいて上記出入口を通して基板搬送機構によって可動である。フレームは、フロントエンド拡張部を有し、ほぼ外側に約８０度でくさび形に広がる。少なくとも１つの基板アクセス経路が、ハウジング上の装填ロック装着領域から搬送チャンバの中心領域に入り、フロントエンド拡張部を通って延びている。
本発明の特徴を取り入れた基板処理装置の平面図である。 図１に示される装置の主要部分の斜視図である。 ２つの装填ロックに装着され図２に示される主要部分のフロントエンドの概略図である。 図２に示される主要部分内部のバッファステーションの部分的切り欠き斜視図である。 冷却器が上位置にある時の概略断面図である。 冷却器が下位置にある時の概略断面図である。 清掃動作基板を移動する方法のブロック図である。 搬送機構によって、多様な位置への可能な動作を示している流れ図である。 メイン搬送チャンバ内の基板ハンドラの他の実施例の概略図である。
前述の利点及び他の特徴を有した本発明は、以下の実施形態・実施例の記載の中で添付図面に基づいて説明される。
図１を参照すると、本発明の特徴を取り入れた基板処理装置10の概略平面図が示されている。本発明は図示される一つの実施例を参照して説明されるが、本発明は多くの他の実施例で実施され得ると理解されるべきである。また、任意の好適なサイズ、形、要素、材料のタイプが採用されてもよい。
装置10は、主要部12と、基板処理モジュール14と、基板装填ロックモジュール16と、雰囲気部分17とを含む。雰囲気部分17は、基板のカセットを保持する手段及び装填ロック16に基板を出入りさせるロボット（図示せず）を含む。他の実施例においては、装填ロック（ロードロック）16に基板を装填するための任意の好適な基板装填システムを採用することができ、その制御は手動及び／又は自動コンピュータ制御であってもよい。図２を参照すると、主要部12の斜視図が示されている。カバー24が、説明のために上げられている。通常動作の間、カバー24は閉じていてフレーム18の上に密封されている。主要部12は、ハウジング13及び基板搬送機構22を有する基板搬送装置である。ハウジング13は、ドア部分20を有する複数の横の開口を有するフレーム18を有する。モジュール14、16は、ドア部分20に連結されている。ドア部分20は、可動ドア機構23付きの出入り口21を有して該出入口を開閉する。基板処理モジュール14及び装填ロックモジュール16は、公知技術である。基板Ｓは、半導体ウェーハ、フラットパネルディスプレイ基板又は他のタイプの基板であってもよい。基板搬送機構22は、モジュール14、16の中の基板Ｓを移動するために設けられている。基板搬送機構22は、駆動部分25と、可動アーム部分27と、２つの基板保持体29とを有する。保持体29は、出入り口21を通してモジュール14、16の中に及びそこから外に移動され得て、基板Ｓをモジュール14、16の内外に移動する。類似した基板搬送機構は、ＰＣＴ国際公開公報第 WO 94/23911号に示されており、当該国際公開公報の内容の全ては本願明細書に記載されたものとする。尚、基板搬送機構は、適切なものであれば任意のタイプの基板搬送機構を使用することができる。ハウジング13は、可動の頂部カバー24と、カバー動作クランク26とを含む。ハウジング13のフロントエンド28は拡張部30を有する。「フロントエンド」という用語は、単に説明のためにのみ用いられる。拡張部30は、ハウジング13の任意の側面に設けることができ、経路からや装填ロック（ロードロック）から間隔を置いて設けられてもよく、及び／又は複数の拡張部から構成されても良い（複数の拡張部が設けられてもよい）。拡張部30は、基板保持バッファ34と２つの基板ハンドラを保持する。図示された実施例では、基板ハンドラのうちの１つは基板整列器32であり、他の基板ハンドラは基板冷却器36である。他の実施例では、基板ハンドラは任意の適切な種類の基板ハンドラであってもよい。例えば、基板ハンドラは、基板脱ガス／プレヒータであってもよく、結合型基板ヒータ／冷却器であってもよく、マルチ基板ヒータであってもよく、冷却器又はヒータ／冷却器であってもよい。フロント拡張部30は、ほぼ外側に広がるくさび形形状を有し、図１の角度Ｃとして見られるようにフレーム18の前方に向かってほぼ約80度の経路で延びている。しかし、どんな適切な角度Ｃでもよく、どのような異なったフロントエンド拡張部の形状が採用されても良い。80度のくさび形は、すぐ近くの基板処理モジュール14の角度及び位置が図示されたような角度及び位置になるように選ばれた。これは、全ての基板処理モジュールが主要部12との関係において能率的な位置及び間隔を有するのを助ける。フロント拡張部30は、好ましくはフレーム18の残りと一体的に形成され、フレーム18の当該残りから着脱不可能である。しかし、他の実施例においてはフロント拡張部が分離している部品であって、フレーム18の残りと取り外し自在に連結されていてもよい。要望されることは、フロント拡張部30がメインチャンバ31と一体となったチャンバを有し、その２つのチャンバ間に可動ドアを必要としないことである。他の実施例において、もし基板ハンドラ32、36及び／又はバッファ34がメインチャンバ31内にあれば、フロント拡張部30は設けなくてもよい。フロント拡張部30の全体的な長さＤは、搬送機構22の可動アーム部分27が拡張部30を通って装填ロック16に入ることができる程度に短い。同時に、この長さＤは、整列器32、バッファ34及び冷却器36を装着できる程度に長い。ハウジング13は、その内部に、メイン搬送チャンバ31を形成する。メイン搬送チャンバ31は、その内部に、可動アーム部分27を有して、出入り口21はチャンバ31の外側の周辺部にある。チャンバ31は、実質的に閉じた環境として維持される。出入り口21のドアは、一時的に開いてモジュール14、16で基板を出し入れすることができる。好ましくは、メインチャンバ31は真空（負圧）に維持される。あるいは、メインチャンバ31は不活性ガスで満たされてもよい。図３を参照すると、フロント拡張部30は、メインチャンバ31の一部であるフロントエンドチャンバ31aを有する。フレーム18は、２つの装填ロック領域90、91をそのフロントエンドに有する。フロントエンドチャンバ31aは、２つの基板アクセス経路Ｅ、Ｆを、装填ロック16からメインチャンバ31の中心領域にまで形成する。バッファ34は、フロントエンドチャンバ31aにおいて、直接２つのアクセス経路Ｅ、Ｆの間に配設される。他の実施例において、バッファ34はフロントエンドチャンバ3la内に設けられてもよいが、直接２つアクセス経路Ｅ、Ｆの間には位置しない。この場合、例えば、アクセス経路のうちの１つだけがチャンバ31aに設けられるか、２つのアクセス経路が互いに隣接して設けられてバッファがそのアクセス経路の１にのみ隣接する。
バッファ34は、整列器32と冷却器36との間に直接設けられる。バッファは一つ以上の基板を保持して機構22が基板をモジュール14、16のうちの１台に移動させるのを待機し得る（バッファは、機構22が基板をモジュール14、16のうちの１台に移動するの待つ間、一つ以上の基板を保持することができる）。しかし、バッファ34は設けられなくてもよい。図４を参照すると、バッファ34の斜視図が示されている。本実施例では、バッファ34は間隔を置いて積み重ねられた６つの基板を保持する構成になっている（６つの基板を所定間隔で重ねて保持する構成になっている）。しかし、他の実施例において、バッファは６つ未満もしくは７つ以上の基板を保持しても良い。本実施例において、バッファ34は２つの間隔を置かれたスタンド92、93を有する固定バッファステーションとして図示されている。カンチレバー支持アーム（cantilevered support arms）94は、互いの方へスタンド92、93から内部に延びる。支持アーム94は、頂部サイドにスタンドオフを有してその上に基板を支持する。他の実施例において、他の構成が採用されてバッファに基板を保持・蓄積してもよい。バッファは例えばエレベータを使って可動であってもよい。しかし、好適な実施例においてバッファは固定（不動）であり、バッファへのアクセスが必要な場合に当該アクセスを容易にする。基板搬送機構22は、可動アーム部分27及び保持体29を垂直に移動する。したがって、図４に示すように、基板搬送機構22は基板をバッファ34の基板保持領域の６つの異なるレベルから、基板を出し入れする。保持体29は、単に２つのスタンド93、94の間に延びて基板を取り上げたり置いたりする。バッファ34は、２つのアクセス経路Ｅ、Ｆの外に設けられ、整列器32と冷却器36の正常な動作を妨害しないことが重要である。整列器32は、当該技術分野では良く知られているように、基板を整列させる（align）ために使用される。本実施例では、整列器32はモジュール式のドロップインユニットであり、フレーム18の上部表面38の穴を通してフレーム18の中に挿入される。４本のネジ40が、整列器32の装着フランジ41をフレーム18に固定するのに使われる。整列器32は可動部分即ち基板保持体32'を有しており、この基板保持体はチャンバ31a内に位置する。基板は支持体32'上に置かれ、支持体32'によって（と共に）回転されることにより、基板が方向付けられ整列させられる。整列器の可動支持体はチャンバ31内に設けられているので、整列器は基板をメイン搬送チャンバ31から移動せず（メイン搬送チャンバ31の外に出さずに）に整列することができる。クランク26は、フレーム18にプレート42によって取付けられる。プレート42は、バッファ34の上に設けられる。プレート42をフレーム18から除去することにより、ユーザが簡単にバッファにアクセスすることができる。他の実施例においては、バッファ及び／又は１以上の基板ハンドラはチャンバ31内に設けられてもよいが、必ずしもチャンバ拡張部31a内でなくてもよい。尚、フロント拡張部30の使用が好ましい。なぜなら、それはバッファ及び2つの基板ハンドラを有する主要部12の底面積（設置面積）を小さくすることができるからである（それは、以前には可能でなかった）。底面積（設置面積）が小さくなると、従来技術に比べて、装置10を工場のフロアにおいて狭い場所で設置することができ、製造業者がコストを下げることができるか装置10を多数配置することができる。チャンバ拡張部31a及び／又はチャンバ31のどんな他の部分も、３以上の基板ハンドラを有してよい。
図５Ａを参照すると、冷却器36は、トップユニット44と、底部ユニット46と、を含む。底部ユニット46は、スタンドオフ50を有する伝熱プレート48と、冷却剤通過路52とを含む。プレート48は、排出バルブ54によって負圧・真空供給源（負圧・減圧・真空装置）に連結される。また、プレート48は、埋め戻しバルブ（backfill valve）56及び充填バルブ（charging valve）58を通して不活性ガス供給源60に連結される。埋め戻しバルブ56及び充填バルブ58は、導管57を両者の間に有して、ガス計測領域を形成する。導管62、64は、伝熱プレート48の上部表面に延びる。
トップユニット即ちポペット機構44は、上部表面38の穴66を通してフレーム18に挿入されるモジュール式ドロップインユニットである。４本のネジは、装着フランジ68をフレーム18に固定するために使われる。装着フランジ68は整列器の装着フランジ41と同じサイズ及び形状である。フレーム18、整列器32及び冷却器36は、フレーム18が整列器32か冷却器36を２つの場所Ａ及びＢ（図１参照）で受容し得る構造を有する。したがって、主要部12は２つの整列器又は２つの冷却器を有し得るが、そうでなければ整列器及び冷却器は反対側に設けられてもよい。このモジュール式構造によって、製造業者は装置10を特定の要求事項に比較的容易に合わせて製造することができる。冷却器及び／又は整列器が主要部12に不必要な場合、封止プレート（シールプレート：図示せず）は、冷却器及び／又は整列器の代わりにフレーム18に連結されさえすればよい。他の重要な利点は、ドロップインアセンブリ（drop in assembly）であるがゆえに、整列器32の頂部及び冷却器36のトップユニット44は容易に主要部12の頂部側から４つの装着ネジを除去することにより取り外すことができる。これは整列器及び冷却器の速くて簡単なアクセスを可能にし、ウェーハが破壊・破損された場合に当該ウェーハを素早く取り除くことができる。トップユニット44は、カバー70と、フレーム72と、移動支持体74とを含む。フレーム72は、静止状態でフレーム18に連結される（固定される）。移動支持体74は、駆動部分76及び下方支持体78を有する。図５Ｂを参照すると、例えば油圧装置又は空気圧駆動装置を使用して駆動部分76をフレーム72に対して上下移動することができ、これにより、移動支持体74を上下移動することができる。図５Ａは、サポート74が上位置で、基板を装填するか（loading）又は取り外している（unloading）。図５Ｂは、下位置で、基板を冷却している。下部支持体78は、基板支持アーム80、シール82及び通過口84を有する。図５Ａに示されるように、上位置において基板Ｓは搬送機構22によって、支持体80の上に装填されるか又はアーム80から除去され得る。図５Ｂに示されるように、下位置において搬送機構22は、空洞８４を通してモジュール16に延びる。下部支持体78が下方に移動するとき、シール82は下方ユニット46の上部表面に係合して小さい閉塞チャンバ86を形成する。基板Ｓは、チャンバ86内のスタンドオフ50に置かれる。その後、不活性ガスがチャンバ86に導入されて基板Ｓのガス補助冷却（ガスを使用した冷却）を行う。他の実施例では、他の種類の冷却器が採用されてもよい。この場合、別の冷却器モジュールがフレーム18に取り付けられてもよい。あるいは、フロント拡張部30においては全く冷却器を設けなくてもよい。これは、冷却器が必要ない場合である。
公知技術では、基板処理チャンバには定期的に清掃動作を実行する必要がある。例えば、CVD（化学蒸着法）基板処理モジュールやPVD（物理蒸着法）基板処理モジュールは、スパッタリングを使用し、周期的な清掃が必要となる。
この行程はダミー基板、テスト基板あるいは犠牲基板として既知である清掃動作基板をモジュールの基板チャックに設ける行程と、清掃動作を実行する行程とを含む。CVDモジュールの清掃動作は、非常な高温度を使用する行程を含んでCVDチャンバを焼いて（ベイキング）清掃する。これは自己清掃オーブン（self-cleaning oven）に類似する。清掃動作基板は、基板処理モジュール内に置かれ、清掃動作の間、モジュール内の基板チャックを保護する。
清掃動作と清掃動作の間、本発明では、バッファ34を使って清掃動作基板を保管・保持する。好適な実施例において、バッファ34は、主要部12に直接連結される処理モジュール14のそれぞれの清掃動作基板を保持する。好ましくは、各清掃動作基板は、モジュール14のうちの１台についてのみ使用される。したがって、各清掃動作基板が交換されるべきときをそれぞれのモジュール14が何回清掃動作を経たかに基づいて比較的容易に計算できる。しかし、他の実施例において、清掃動作基板の数はモジュール14の総数未満でもよく、そして、清掃動作基板が１以上のモジュール14で使われても良い。
図６を参照すると、清掃動作基板を移動する方法が示されている。清掃動作基板は、最初、主要部12に装填される。初期装填（基板の移動）は、マニュアルで行われても良いし、コンピュータ制御されるロボットによって行われても良い。基板は直接、基板処理モジュール14のうちの１台に、例えば装置10の開始時に挿入され得るか、そうでなければ必要な時までバッファ34に蓄積（保管・保持）され得る。ブロック100に示されるように基板が清掃のために基板処理モジュールに挿入された後、ブロック102に示されるように清掃動作が実行される。清掃動作が完了すると、ブロック104に示されるように、基板はモジュールから除去され、ブロック106に示されるようにバッファ34に蓄積される。新たに清掃された基板処理モジュールは、それ後、ブロック108に示されるように、基板処理に使われる。基板処理モジュールが再び清掃される必要があるときは、行程100−108が、ブロック110に示されるように、繰り返される。この同じ行程は、周期的な清掃が必要となる各々の基板処理モジュールに対して繰り返される。もちろん、いくつかの処理モジュールは、異なるダミー/清掃基板により同時に清掃され得る。また、単一のダミー／清掃基板を、複数の基板処理モジュールを清掃するために用いてもよい。
バッファ34は、清掃動作基板を蓄積するだけでなく、通常処理基板を、モジュール14、整列器32及び／又は冷却器36の中の処理基板の配設の間に蓄積するために用いても良い。「通常処理基板」という用語は、少なくとも一部が最終的には最終製品に使われる基板を意味する。「清掃動作基板」の用語は、通常処理基板以外の基板を意味する。この種の清掃動作基板は、必ずしも処理モジュール清掃のためだけに使用されるのではなく、追加的及び／又は代替な用途にも使われ得る。図４に示すように、バッファ34は清掃動作基板Scoと通常処理基板Spとを保持し得る。基板処理Spは空の保持領域に蓄積され得て、通常その領域にある清掃動作基板は清掃動作に使用される。尚、バッファ34は清掃動作基板の総数のための保持領域に加えて、通常処理基板のために予め指定した保持領域を有し得る。したがって、バッファは清掃動作基板及び通常処理基板を同時に保持し得る。
ここで図７を参照すると、多様なステーションの中の取り得る基板の移動経路が概略的に示されている。上記したように、バッファ34は設けなくてもよい。したがって、バッファは点線で示される。また、装置10は装置10'に直列に連結され得る。Ｇは、基板が装置10において、主要部12から離れずに取り得る全ての動作を示す。装置のコンピュータ制御部を適切にプログラムするだけで、実線連結ラインＧにおける任意の適切な基板の経路を提供することができる。
例えば、処理基板は、第１基板処理モジュールで処理されて、整列器へ移って、次の処理のため第２処理モジュールへ移され得る。他の例では、処理基板は、第１基板処理モジュールで処理されて冷却のため冷却器に移され、他の基板処理モジュールに移されるか、整列器に移されて他のモジュールへ移されるか、単に装填ロックに戻される。基板動作のバリエーションは、多数可能である。しかし、本発明では、基板は整列器32、バッファ34及び冷却器36へ移動可能であり、この移動の際に基板はチャンバ31から離れない。上記したものより多くのあるいはより少ないステーションがチャンバ31内部に設けられ得る。したがって、より多くのあるいは少ない経路と動作シーケンスがチャンバ31において提供され得る。
図８を参照すると、基板ハンドラの他の実施例がメイン搬送チャンバ31内に設けられている（拡張部内には設けられていない）。基板ハンドラ120は、基板のための二重の熱伝導ユニット（dual heat transfer unit）である。ハンドラ120は、可動基板支持部122、底部熱伝導部材124、頂部熱伝導部材126及び駆動部128を有する。駆動部128は支持部122を上下に移動する。支持部122の底は支持アーム130を有して、その上に基板Ｓ1を支持する。支持部122の頂部は、スタンドオフ132を有してその上に第２の基板Ｓ2を支持する。図８において、支持部122は上位置にある。この位置において基板保持体29は、直接支持アーム130に基板Ｓ１を載置し得るか、支持アーム130から基板Ｓ1を除去し得る。第２の基板Ｓ2は、支持部122及び頂部熱伝導部材126により形成される閉じたチャンバ134に設けられている。支持部122が駆動部128によって下位置へ動かされると、基板Ｓ１は支持部122及び底部熱伝導部材124によって形成されるチャンバ136中に封止される。下位置において、第２の基板Ｓ2は基板保持体29によってスタンドオフ132に挿入され、あるいは、そこから除去され得る。２つの熱伝導部材は、両方とも冷却プレートか、加熱プレートか、加熱冷却プレート一体型でもよい。他の実施例では、基板ハンドラ29は２つの基板を同時に移動して熱伝導を供給するような形状と大きさを有しても良い。熱伝導ユニットは、各々、結合型ヒータ／冷却器ユニットであってもよい。しかし、この実施例のユニークな特徴の１つは、複数の基板が単一のユニットにおいて冷却及び／又は加熱され得ることであり、それにより基板をユニットに基板保持体29をメイン搬送チャンバから離さずに挿入し得る。ユニット120は、直接ハウジング13に連結され、可動支持部122は少なくとも部分的にはメイン搬送チャンバ内部に設けられる。１つの基板はユニット120に挿入されるかあるいはそこから除去され得て、その際に他の基板はユニット120に留まる。
前述の説明は本発明の単なる例示であることが理解されるべきである。他の実施例及び変形例が、本発明から逸脱することなく当業者によって考案され得る。それゆえ、本発明は、特許請求の範囲内にある全ての実施例及び変形例・変更態様を含むものである。
１２ 主要部分
１４ 基板処理モジュール
１６ 基板装填ロックモジュール
２８ フロントエンド
３０ フロント拡張部
３２ 整列器
３６ 冷却器

Claims (46)

  1. 基板処理装置であって、
    前記基板処理装置は、フレームと、前記フレームに連結される基板搬送機構とを有する主要部を含み、前記フレームは閉じられたメイン環境チャンバを形成し、前記基板搬送機構は前記メイン環境チャンバに設けられる可動アームアセンブリと前記可動アームアセンブリに設けられる基板保持体とを有し、
    前記基板処理装置はさらに、前記フレームに連結された基板処理モジュールと、前記フレームに接続された複数の充填ロックとを含み、前記基板搬送機構は前記基板処理モジュールへ基板を挿入することができると共に前記基板処理モジュールから基板を除去することができ、さらに、前記基板を基板アクセス経路に沿って前記充填ロックへ出し入れすることができ、
    前記充填ロックの各々はモジュール式の基板処理ステーションを有し、当該モジュール式の基板処理ステーションの各々は前記メイン環境チャンバ内の対応する充填ロックの近傍に設けられ、前記モジュール式の基板処理ステーションの各々は他のモジュール式の処理ステーションと交換可能なモジュールユニットであり、よって、前記メイン環境チャンバ内の前記モジュール式の基板処理ステーションの各々はユニットとして前記他のモジュール式の基板処理ステーションのいずれとも交換することができ、
    前記主要部は更に基板バッファステーションを有し、前記基板バッファステーションは前記メイン環境チャンバ内に設けられて複数の基板を保持することができ、前記複数の基板は前記メイン環境チャンバ内の前記基板バッファステーションに所定配置で重ねられて蓄えられ、前記基板バッファステーションが前記基板アクセス経路から所定距離隔てられた位置で前記フレームに固定されることにより前記基板が前記基板アクセス経路に沿って移動する際に前記基板バッファステーションは前記基板に干渉することがなく、前記メイン環境チャンバ内に設けられる前記モジュール式の基板処理ステーションが前記基板バッファステーションの近傍の前記アクセス経路のそれぞれに沿って設けられ、基板がたった１つの可動アームアッセンブリの基板保持体により前記基板バッファステーション、前記モジュール式の基板処理ステーション及び前記充填ロックに挿入されることができ且つ前記基板バッファステーション、前記モジュール式の基板処理ステーション及び前記充填ロックから取り出されることができることを特徴とする基板処理装置。
  2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、前記基板バッファステーションは前記複数の基板を積み重ねた状態で保持する棚を有することを特徴とする基板処理装置。
  3. 請求項２に記載の基板処理装置であって、前記主要部が前記主要部分に連結される２つの装填ロックと前記メイン環境チャンバとの間に２つのアクセス経路を有し、前記基板バッファステーションは前記２つのアクセス経路の間に直接設けられていることを特徴とする基板処理装置。
  4. 請求項２に記載の基板処理装置であって、前記基板搬送機構は前記基板保持体を垂直に移動させて、基板を前記バッファステーションの異なるレベルへ出し入れすることを特徴とする基板処理装置。
  5. 請求項１に記載の基板処理装置であって、前記フレームは、前記基板バッファステーションの上方に設けられるカバー動作機構を備えた可動カバーを有することを特徴とする基板処理装置。
  6. 請求項１に記載の基板処理装置であって、前記主要部は装填ロックに取り付けられる拡張部を備えたフロントエンドを有しており、前記基板バッファステーションは、前記拡張部に設けられる少なくとも１つのモジュール式の基板処理ステーションに隣接するように前記拡張部内に設けられることを特徴とする基板処理装置。
  7. 前記少なくとも１つのモジュール式の基板処理ステーションが基板整列器であることを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 前記少なくとも１つのモジュール式の基板処理ステーションが基板冷却器であることを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
  9. 前記拡張部が２つのモジュール式の基板処理ステーションユニットを含むことを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
  10. 基板処理装置内で複数の基板を移動させる基板移動方法であって、前記複数の基板は清掃動作基板を含んでおり、前記基処理装置は少なくとも１つの基板処理モジュールに連結される閉じられた搬送チャンバと、当該搬送チャンバに連結された２つの充填ロックと、ロボットとを含み、前記ロボットは、前記搬送チャンバと前記２つの充填ロックと前記少なくとも１つの基板処理モジュールとの間で前記基板を移動させるロボットであり、前記少なくとも１つの基板処理モジュールはそれぞれのアクセス経路に沿って設けられており、前記充填ロックの各々はモジュール式の基板処理ステーションを有し、当該モジュール式の基板処理ステーションの各々はメイン環境チャンバ内の対応する充填ロックの近傍に設けられており、前記モジュール式の基板処理ステーションの各々は他のモジュール式の処理ステーションと交換可能なモジュールユニットであり、よって、前記搬送チャンバ内のモジュール式の基板処理ステーションの各々はユニットとして他のモジュール式の基板処理ステーションのいずれとも交換することができ、前記基板移動方法は、
    前記少なくとも１つの基板処理モジュールの第１の基板処理モジュールに前記清掃動作基板を挿入する行程と、
    前記清掃動作基板が前記第１の基板処理モジュール内にある間、前記第１の基板処理モジュールにおいて第１の清掃動作を実行する行程と、
    前記第１の基板処理モジュールから前記清掃動作基板を除去する行程と、
    前記搬送チャンバ内に設けられたバッファステーションに前記清掃動作基板を蓄積する行程とを含み、前記バッファステーションは前記少なくとも１つのアクセス経路から所定距離隔てられており、前記基板が前記１つのアクセス経路に沿って移動する際に前記バッファステーションが前記基板の移動に干渉せず、前記バッファステーションは前記モジュール式の基板処理ステーション同士の間に設けられ、前記搬送チャンバ内に設けられる前記モジュール式の基板処理ステーションが前記バッファステーションの近傍のそれぞれのアクセス経路に位置し、
    前記蓄積行程においては、同時に少なくとも１つの他の基板とともに前記清掃動作基板を前記バッファステーションに所定積み上げ配置で蓄積し、前記モジュール式の基板処理ステーション、前記少なくとも１つの充填ロック及び前記バッファステーションは前記ロボットのたった１つのアームアッセンブリの保持体によりアクセス可能であることを特徴とする基板移動方法。
  11. 請求項１０に記載の基板移動方法であって、前記清掃動作基板を前記バッファステーションに蓄積する行程が、前記メイン搬送チャンバに直接連結される基板処理モジュールの総数以上の基板を、前記バッファステーションに蓄積することを含むことを特徴とする基板移動方法。
  12. 請求項１０に記載の基板移動方法であって、前記基板処理モジュールの１において処理された基板を一時的に前記バッファステーションに蓄積する行程を更に含み、当該蓄積される基板は清掃動作中に前記基板処理モジュール内に位置していない基板であることを特徴とする基板移動方法。
  13. 請求項１２に記載の基板移動方法であって、前記蓄積行程は前記清掃動作基板及び他の基板を同時に前記バッファステーションに蓄積し、当該他の基板は清掃動作中にいずれの前記基板処理モジュール内にも位置していない基板であることを特徴とする基板移動方法。
  14. 請求項１０に記載の基板移動方法であって、前記基板処理モジュールの清掃の間、前記清掃動作基板を前記第１の基板処理モジュールにのみに挿入し他のいかなる基板処理モジュールにも挿入しない行程を更に含む基板移動方法。
  15. 請求項１４に記載の基板移動方法であって、各基板処理モジュールは清掃動作基板を前記バッファの中に蓄え、各清掃動作基板は対応する基板処理モジュールの中にのみ挿入されそれ以外の他のいかなる基板処理モジュールにも挿入されないことを特徴とする基板移動方法。
  16. 請求項１０に記載の基板移動方法であって、前記基板処理モジュールで処理されるべき基板を前記搬送チャンバに、前記バッファステーション近傍の入り口の経路に沿って挿入する行程を更に含む基板移動方法。
  17. 請求項１０に記載の基板移動方法であって、前記モジュール式の基板処理ステーションの少なくとも１つは整列器を含み、前記基板移動方法は前記バッファステーション近傍の前記整列器内に基板を整列させる行程を更に含む基板移動方法。
  18. 請求項１７に記載の基板移動方法であって、前記モジュール式の基板処理ステーションの前記少なくとも１つ以外の基板処理ステーションは冷却器を含み、前記基板移動方法は前記バッファステーション近傍に設けられた前記冷却器により基板を冷却する行程を更に含む基板移動方法。
  19. 請求項１０に記載の基板移動方法であって、前記モジュール式の基板処理ステーションの少なくとも１つは冷却器を含み、前記基板移動方法は前記バッファステーション近傍に設けられた前記冷却器により基板を冷却する行程を更に含む基板移動方法。
  20. 基板処理装置のための基板搬送装置であって、
    前記基板搬送装置はフレームと充填ロックを含み、当該フレームはメイン搬送チャンバ及び２つのアクセス経路を画定し、前記２つのアクセス経路は前記フレーム上の装填ロック装着領域と前記メイン搬送チャンバとの間にあり、
    前記充填ロックの各々は、前記メイン搬送チャンバ内に設けられたモジュール式の基板処理ステーションを有し、当該モジュール式の基板処理ステーションの各々はメイン搬送チャンバ内の対応する充填ロックの近傍に設けられ、前記モジュール式の基板処理ステーションの各々は他のモジュール式の処理ステーションと交換可能なモジュールユニットであり、よって、前記メイン搬送チャンバ内の前記モジュール式の基板処理ステーションはユニットとして前記他のモジュール式の基板処理ステーションのいずれとも交換することができ、
    前記基板搬送装置は搬送機構を含み、当該搬送機構は前記フレームに連結されて、前記メイン搬送チャンバに可動に設けられる基板保持体を有し、
    前記基板搬送装置は前記メイン搬送チャンバ内部の前記フレームに連結される基板バッファステーションを含み、前記基板バッファステーションは２つのアクセス経路の間に直接設けられ、前記基板は前記基板バッファステーションの前記２つのアクセス経路の間に直接蓄積され、当該蓄積は所定の積み上げ配置でなされ、前記基板がアクセス経路を通る際に前記基板バッファステーションが前記基板の移動に干渉せず、前記メイン搬送チャンバ内に設けられる前記モジュール式の基板処理ステーションが前記２つのアクセス経路のそれぞれに設けられ、前記モジュール式の基板処理ステーション、前記充填ロック装着領域及び前記基板バッファステーションは前記搬送機構の前記基板保持体によりアクセス可能であることを特徴とする基板搬送装置。
  21. 請求項２０に記載の基板搬送装置であって、前記モジュール式の基板処理ステーションの少なくとも１つは整列器を含み、前記２つのアクセス経路のうちの１つは、前記フレームに装着される前記整列器を有して基板を該アクセス経路において整列させ、前記整列器は前記基板バッファステーションに隣接して設けられることを特徴とする基板搬送装置。
  22. 請求項２０に記載の基板搬送装置であって、前記モジュール式の基板処理ステーションの少なくとも１つは冷却器を含み、前記２つのアクセス経路のうちの１つが前記フレームに装着される前記冷却器を有して基板を冷却し、前記冷却器は前記基板バッファステーションに隣接して設けられることを特徴とする基板搬送装置。
  23. 請求項２０に記載の基板搬送装置であって、モジュール式の基板処理ステーションが前記２つのアクセス経路の各々において前記フレームに装着されることを特徴とする基板搬送装置。
  24. 請求項２３に記載の基板搬送装置であって、前記モジュール式の基板処理ステーションの各々が前記２つのアクセス経路おいて前記フレームに相互交換可能に装着されており、前記フレームに装着された前記モジュール式の基板処理ステーションの各々は選択可能な構成を有していることを特徴とする基板搬送装置。
  25. 請求項２４に記載の基板搬送装置であって、前記モジュール式の基板処理ステーションの１つは整列器を含み、前記モジュール式の基板処理ステーションの他の基板処理ステーションは冷却器を含むことを特徴とする基板搬送装置。
  26. 請求項２０に記載の基板搬送装置であって、前記フレームは、前記フレーム前方へ８０度の経路に沿って延びるフロントエンド拡張部を有しており、前記基板バッファステーションと２つのアクセス経路が前記フロントエンド拡張部に位置することを特徴とする基板搬送装置。
  27. 基板処理装置内の複数の基板処理モジュールの清掃方法であって、前記基板処理装置は、前記基板処理モジュールに連結されるメイン搬送チャンバと、当該メイン搬送チャンバに連結された少なくとも１つの充填ロックと、ロボットとを有し、該ロボットは基板を前記メイン搬送チャンバと前記少なくとも１つの充填ロックと前記基板処理モジュールとの間でそれぞれのアクセス経路に沿って移動し、前記少なくとも１つの充填ロックの各々は前記メイン環境チャンバ内の対応する充填ロックの近傍に設けられたモジュール式の基板処理ステーションを有し、前記モジュール式の基板処理ステーションの各々は他のモジュール式の処理ステーションと交換可能なモジュールユニットであり、よって、前記メイン搬送チャンバ内のモジュール式の基板処理ステーションはユニットとして前記他のモジュール式の基板処理ステーションのいずれとも交換することができ、前記清掃方法は、
    基板が前記複数の基板処理モジュールのうちの１つに内にある間に、当該基板処理モジュールにおいて第１清掃動作を実行する行程と、
    前記基板を、清掃された前記基板処理モジュールから除去する行程と、
    前記清掃された基板処理モジュールが他の基板を処理する間に、前記メイン搬送チャンバ内部に前記基板を所定積み上げ配置で蓄積する行程と、
    前記基板を前記複数の基板処理モジュールのうちの１つに挿入して第２清掃動作を実行する行程とを含み、
    前記第１清掃動作に使われた前記基板は、前記基板に関する複数回の基板処理モジュールの清掃動作の間、前記メイン搬送チャンバから外に出されず、前記第１清掃動作に使われた前記基板は、前記メイン搬送チャンバ内に設けられる前記モジュール式の基板処理ステーションが前記基板バッファステーションの近傍の前記アクセス経路のそれぞれに設けられることができるように、前記アクセス経路から所定距離隔てられて前記メイン搬送チャンバ内に設けられたバッファステーションに置かれ、前記所定距離隔てられたことにより前記基板が前記アクセス経路に沿って移動する際に前記バッファステーションが前記基板の移動に干渉せず、前記モジュール式の基板処理ステーション、前記少なくとも１つの充填ロック及び前記バッファステーションは前記ロボットのたった１つのアームアッセンブリの保持体によりアクセス可能であることを特徴とする清掃方法。
  28. 請求項２７に記載の清掃方法であって、前記基板は、前記複数の基板処理モジュールのうちの清掃動作をしている１つの基板処理モジュールにのみ挿入され、清掃動作中の他のいかなる基板処理モジュールにも挿入されることがないことを特徴とする清掃方法。
  29. 請求項２７に記載の清掃方法であって、前記蓄積行程は前記基板を、前記メイン搬送チャンバ内部に設けられる固定型複数基板保持バッファに蓄積する行程を含むことを特徴とする清掃方法。
  30. 請求項２９に記載の清掃方法であって、前記蓄積行程は複数の基板を前記バッファの中に保持し、１つの基板が前記バッファから提供されてそれぞれの基板処理モジュールの清掃動作に使用されることを特徴とする清掃方法。
  31. 請求項２９に記載の清掃方法であって、前記蓄積行程は、前記バッファ内に前記基板を、清掃動作中の前記基板処理モジュールの中に入っていない他の基板とともに蓄積することを特徴とする清掃方法。
  32. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
    前記フレームはハウジングを含み、前記ハウジングの横方向側面には前記メイン環境チャンバに通じる出入り口が形成されており、
    前記基板保持体は、前記基板搬送機構によって前記ハウジングの前記出入り口を通ることができ、
    前記基板処理装置は、
    前記モジュール式の基板処理ステーションの各々を、前記充填ロックに対応する前記フレームの２つの異なった交換可能な２者択一的な場所に選択可能に直接連結する手段を含み、前記モジュール式の基板処理ステーションは前記メイン環境チャンバ内部に設けられることを特徴とする基板処理装置。
  33. 前記モジュール式の基板処理ステーションの少なくとも１つが基板整列器であることを特徴とする請求項３２に記載の基板処理装置。
  34. 前記モジュール式の基板処理ステーションの少なくとも１つが基板冷却器であることを特徴とする請求項３２に記載の基板処理装置。
  35. 請求項３２に記載の基板処理装置であって、前記選択可能に連結する手段は、２つのモジュール式の基板処理ステーションを前記２つの異なる場所に連結する手段を含むことを特徴とする基板処理装置。
  36. 請求項３５に記載の基板処理装置であって、前記２つのモジュール式の基板処理ステーションは異なる種類の基板処理ステーションであり、前記ハウジングに前記異なる場所で相互交換可能な状態で装着可能であって、異なった構成を提供できることを特徴とする基板処理装置。
  37. 基板処理装置の基板を移動する基板移動方法であって、前記基板処理装置は搬送チャンバを有し、当該搬送チャンバは出入り口によって少なくとも１つの基板処理チャンバ及び少なくとも１つの充填ロックへ連結されており、前記基板処理装置はロボットをさらに有し、当該ロボットは前記搬送チャンバと前記少なくとも１つの充填ロックと前記基板処理チャンバの間でそれぞれのアクセス経路に沿って基板を移動させるものであり、前記少なくとも１つの充填ロックの各々は、メイン環境チャンバ内の対応する充填ロックの近傍に設けられたモジュール式の基板処理ステーションを有し、前記モジュール式の基板処理ステーションの各々は他のモジュール式の処理ステーションと交換可能なモジュールユニットであり、よって、前記搬送チャンバ内のモジュール式の基板処理ステーションがユニットとして前記他のモジュール式の基板処理ステーションのいずれとも交換することができ、前記基板移動方法は、
    ダミー基板を前記搬送チャンバに設けられるバッファステーションに所定積み上げ配置で蓄積する行程を含み、前記バッファステーションは、前記搬送チャンバ内に設けられる前記モジュール式の基板処理ステーションが前記基板バッファステーションの近傍のアクセス経路に沿って設けられることができるように前記搬送チャンバ内に設けられ、前記バッファステーションは前記アクセス経路から所定距離隔てられて、前記基板が前記アクセス経路に沿って移動する際に前記バッファステーションが前記基板の移動に干渉せず、前記モジュール式の基板処理ステーション、前記少なくとも１つの充填ロック及び前記バッファステーションは前記ロボットのたった１つのアームアッセンブリの保持体によりアクセス可能であり、前記蓄積行程は、前記ダミー基板を少なくとも１つの他の基板と同時に前記バッファステーションに蓄積する行程を含み、
    前記基板移動方法はさらに、前記少なくとも１つの他の基板が前記バッファステーションに残っている間、前記ダミー基板を前記バッファステーションから前記基板処理チャンバへ前記ロボットによって移動する行程を含むことを特徴とする基板移動方法。
  38. 請求項３７に記載の基板移動方法であって、前記ダミー基板が前記基板処理チャンバ内部にあるとき、前記基板処理チャンバを清掃する行程を更に含むことを特徴とする基板移動方法。
  39. 基板処理装置の基板を移動する基板移動方法であって、前記基板処理装置は真空搬送チャンバを有し、前記真空搬送チャンバは出入り口によって基板処理チャンバと少なくとも１つの充填ロックに連結され、前記基板処理装置はさらにロボットを有し、前記ロボットは前記基板を前記搬送チャンバと前記少なくとも１つの充填ロックと前記基板処理チャンバの間でアクセス経路に沿って移動し、前記少なくとも１つの充填ロックの各々はメイン環境チャンバ内の対応する充填ロックの近傍に設けられたモジュール式の基板処理ステーションを有し、前記モジュール式の基板処理ステーションの各々は他のモジュール式の処理ステーションと交換可能なモジュールユニットであり、よって、前記搬送チャンバ内のモジュール式の基板処理ステーションが前記他のモジュール式の基板処理ステーションのいずれとも交換することができ、前記基板移動方法は、
    ダミー基板を前記基板処理チャンバから前記ロボットによって前記搬送チャンバに設けられた基板バッファステーションに移動する行程と、
    前記ダミー基板を、すでに前記基板バッファステーションにある少なくとも１つの他の基板とともに前記基板バッファステーションに所定の積上げ配置で蓄積する行程とを含み、前記ロボットは前記真空搬送チャンバ内部の前記基板バッファステーションの前記所定積上げ配置の異なったレベルにアクセスして、前記基板バッファステーションの中に及びそこから個別に前記基板を移動させ、前記基板バッファステーションは、前記真空搬送チャンバ内に設けられる前記モジュール式の基板処理ステーションが前記基板バッファステーション近傍のアクセス経路上に設けられるように前記真空搬送チャンバ内に配置され、前記基板バッファステーションは前記アクセス経路から所定距離隔てられ、前記基板が前記アクセス経路に沿って移動する際に前記基板バッファステーションが前記基板の移動に干渉せず、前記モジュール式の基板処理ステーション、前記少なくとも１つの充填ロック及び前記基板バッファステーションは前記ロボットのたった１つのアームアッセンブリの保持体によりアクセス可能であることを特徴とする基板移動方法。
  40. 請求項１に記載の基板処理装置であって、前記モジュール式の基板処理ステーションの少なくとも１つは直接前記フレームに連結された基板冷却器であり、
    前記基板冷却器の可動の部分は前記メイン環境チャンバ内部に位置し、前記基板冷却器は少なくとも２つの冷却用領域を有して基板を冷却し、
    １つの基板は前記基板搬送機構によって前記基板冷却器から除去されて、直接前記メイン環境チャンバに移され、他の基板は前記基板冷却器の中に残ることを特徴とする基板処理装置。
  41. 請求項１に記載の基板処理装置であって、前記モジュール式の基板処理ステーションの少なくとも１つは、
    直接前記フレームに連結されて、前記メイン環境チャンバ内部に配設されたる可動部分を有する基板ヒータであり、
    前記基板搬送機構は、前記基板保持体を前記メイン環境チャンバから移動させることなく、前記基板保持体上の基板を前記可動部分に移動させることができ、
    前記基板ヒータは、複数の基板を保持する寸法と形態に設定されて、前記基板搬送機構が前記基板を一度に前記基板ヒータの中へ挿入し又そこから取り出すことを特徴とする基板処理装置。
  42. 請求項４１に記載の基板処理装置であって、前記基板ヒータは結合型の基板ヒータ・冷却器の一部であることを特徴とする基板処理装置。
  43. 請求項３７に記載の基板移動方法であって、前記基板移動方法は、基板を垂直可動ポペット上へ配設することにより前記基板を取り扱う行程と、前記ポペットを垂直に対向する２つのサブチャンバの間で移動させる行程とをさらに含み、前記サブチャンバのうちの１つの方へ前記ポペットが移動する時、そのサブチャンバは雰囲気に対して封止されることを特徴とする基板移動方法。
  44. 請求項３７に記載の基板移動方法であって、
    前記基板移動方法は装填ロックモジュールを用意する行程を含み、当該モジュールの垂直可動部材は前記搬送チャンバ内に位置し、前記垂直可動部材は垂直方向に動くことにより、前記搬送チャンバに連通している第１サブチャンバ及び第２サブチャンバと選択的に係合して前記第１チャンバ及び第２チャンバを選択的に封止し、
    前記基板移動方法はさらに、前記装填ロックモジュールに対して、外部環境と連通する外側の第１ゲートバルブ及び装置を取り扱う器具と連通する最も内側の第２ゲートバルブとを提供する行程を含み、
    前記基板移動方法はさらに、第１の基板を前記垂直可動部材上の第１の保持手段上に配し、前記垂直可動部材を移動することにより、前記第１の基板を前記第１及び第２サブチャンバのうちの１つに移動する行程を含み、
    前記基板移動方法はさらに、前記搬送チャンバ、及び、前記第１の基板が配設されていない前記第１もしくは第２サブチャンバを真空化する行程を含むことを特徴とする基板移動方法。
  45. 請求項１に記載の基板処理装置であって、前記基板処理装置はロックモジュールをさらに含み、前記ロックモジュールは、
    第１ゲートバルブ及びこれの反対側に設けられた第２ゲートバルブを有するロックチャンバを備えており、
    前記ロックチャンバの内部には垂直可動部材が設けられており、
    前記メイン環境チャンバは、前記垂直可動部材によって分離される上部サブチャンバと下部サブチャンバとに連通しており、
    前記垂直可動部材が、前記上部サブチャンバ及び下部サブチャンバの各々の開口部を覆うことができる大きさを有し且つ前記垂直可動部材が動かされる方向の前記サブチャンバを封止することができることを特徴とする基板処理装置。
  46. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
    前記メイン環境チャンバは複数の側面によって画定される多角形形状を有し、前記複数の側面の各々は前記メイン環境チャンバの外側及び内側の境界の間で基板を選択的に通過させ得るゲートバルブを有し、
    前記基板処理装置は、
    選択的に真空状態で連通する前記メイン環境チャンバの前記複数の側面のうちの１つと結合した少なくとも１つの基板処理モジュールと、
    選択的に真空状態で連通する前記メイン環境チャンバの前記複数の側面のうちの１つと結合した少なくとも１つの装填ロックモジュールと、
    前記装填ロックモジュールに付随して設けられ、基板を外部環境から前記装填ロックモジュールの中へ移動させる第１ゲートバルブと、
    前記メイン環境チャンバに付随して設けられた第２ゲートバルブを備え、
    前記充填ロックモジュールは、所定の高さを有するメインロックチャンバによって分離される上部サブチャンバ及び下部サブチャンバを有し、垂直可動部材を含む前記メインロックチャンバは第１の表面及びこれの反対側に位置する第２の表面を有し、当該第１及び第２の表面の各々は前記上部及び下部のサブチャンバのうちの１つに付随して設けられており、前記垂直可動部材が上下の位置間を動くことによって、前記上部サブチャンバ又は前記下部サブチャンバのうちの１つと封止係合がなされることを特徴とする基板処理装置。
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Families Citing this family (83)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5879461A (en) * 1997-04-21 1999-03-09 Brooks Automation, Inc. Metered gas control in a substrate processing apparatus
US5882413A (en) * 1997-07-11 1999-03-16 Brooks Automation, Inc. Substrate processing apparatus having a substrate transport with a front end extension and an internal substrate buffer
US6073366A (en) 1997-07-11 2000-06-13 Asm America, Inc. Substrate cooling system and method
US6079928A (en) * 1997-08-08 2000-06-27 Brooks Automation, Inc. Dual plate gas assisted heater module
US6530732B1 (en) * 1997-08-12 2003-03-11 Brooks Automation, Inc. Single substrate load lock with offset cool module and buffer chamber
US6688375B1 (en) * 1997-10-14 2004-02-10 Applied Materials, Inc. Vacuum processing system having improved substrate heating and cooling
US6083566A (en) * 1998-05-26 2000-07-04 Whitesell; Andrew B. Substrate handling and processing system and method
US6231289B1 (en) 1998-08-08 2001-05-15 Brooks Automation, Inc. Dual plate gas assisted heater module
US6108937A (en) * 1998-09-10 2000-08-29 Asm America, Inc. Method of cooling wafers
US6957690B1 (en) 1998-09-10 2005-10-25 Asm America, Inc. Apparatus for thermal treatment of substrates
US6322312B1 (en) 1999-03-18 2001-11-27 Applied Materials, Inc. Mechanical gripper for wafer handling robots
US6440261B1 (en) 1999-05-25 2002-08-27 Applied Materials, Inc. Dual buffer chamber cluster tool for semiconductor wafer processing
US6318945B1 (en) 1999-07-28 2001-11-20 Brooks Automation, Inc. Substrate processing apparatus with vertically stacked load lock and substrate transport robot
US6949143B1 (en) * 1999-12-15 2005-09-27 Applied Materials, Inc. Dual substrate loadlock process equipment
EP1124252A2 (en) * 2000-02-10 2001-08-16 Applied Materials, Inc. Apparatus and process for processing substrates
KR100462237B1 (ko) * 2000-02-28 2004-12-17 주성엔지니어링(주) 기판 냉각장치를 가지는 반도체 소자 제조용 클러스터 장비
US6620723B1 (en) * 2000-06-27 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques
US7405158B2 (en) * 2000-06-28 2008-07-29 Applied Materials, Inc. Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques
US7732327B2 (en) 2000-06-28 2010-06-08 Applied Materials, Inc. Vapor deposition of tungsten materials
US7964505B2 (en) * 2005-01-19 2011-06-21 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of tungsten materials
US6551929B1 (en) 2000-06-28 2003-04-22 Applied Materials, Inc. Bifurcated deposition process for depositing refractory metal layers employing atomic layer deposition and chemical vapor deposition techniques
US7101795B1 (en) * 2000-06-28 2006-09-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques to form a nucleation layer
JP2002043229A (ja) * 2000-07-25 2002-02-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
US20020083897A1 (en) * 2000-12-29 2002-07-04 Applied Materials, Inc. Full glass substrate deposition in plasma enhanced chemical vapor deposition
US6765178B2 (en) 2000-12-29 2004-07-20 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
US6825447B2 (en) * 2000-12-29 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for uniform substrate heating and contaminate collection
US6609869B2 (en) 2001-01-04 2003-08-26 Asm America Transfer chamber with integral loadlock and staging station
US6951804B2 (en) * 2001-02-02 2005-10-04 Applied Materials, Inc. Formation of a tantalum-nitride layer
US6878206B2 (en) 2001-07-16 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US6660126B2 (en) 2001-03-02 2003-12-09 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US6734020B2 (en) * 2001-03-07 2004-05-11 Applied Materials, Inc. Valve control system for atomic layer deposition chamber
US20020137346A1 (en) * 2001-03-12 2002-09-26 Applied Materials. Inc. Workpiece distribution and processing in a high throughput stacked frame
US20070009658A1 (en) * 2001-07-13 2007-01-11 Yoo Jong H Pulse nucleation enhanced nucleation technique for improved step coverage and better gap fill for WCVD process
US7211144B2 (en) * 2001-07-13 2007-05-01 Applied Materials, Inc. Pulsed nucleation deposition of tungsten layers
JP4821074B2 (ja) * 2001-08-31 2011-11-24 東京エレクトロン株式会社 処理システム
US7049226B2 (en) * 2001-09-26 2006-05-23 Applied Materials, Inc. Integration of ALD tantalum nitride for copper metallization
US6936906B2 (en) * 2001-09-26 2005-08-30 Applied Materials, Inc. Integration of barrier layer and seed layer
JP4027072B2 (ja) * 2001-10-18 2007-12-26 松下電器産業株式会社 減圧プラズマ処理装置及びその方法
US7780785B2 (en) 2001-10-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus for atomic layer deposition
US6916398B2 (en) 2001-10-26 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition
US6719517B2 (en) * 2001-12-04 2004-04-13 Brooks Automation Substrate processing apparatus with independently configurable integral load locks
US6729824B2 (en) 2001-12-14 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Dual robot processing system
US6620670B2 (en) 2002-01-18 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Process conditions and precursors for atomic layer deposition (ALD) of AL2O3
US6998014B2 (en) * 2002-01-26 2006-02-14 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for plasma assisted deposition
US6911391B2 (en) 2002-01-26 2005-06-28 Applied Materials, Inc. Integration of titanium and titanium nitride layers
US6899507B2 (en) * 2002-02-08 2005-05-31 Asm Japan K.K. Semiconductor processing apparatus comprising chamber partitioned into reaction and transfer sections
US6827978B2 (en) * 2002-02-11 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Deposition of tungsten films
US6833161B2 (en) * 2002-02-26 2004-12-21 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode
US7439191B2 (en) * 2002-04-05 2008-10-21 Applied Materials, Inc. Deposition of silicon layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications
US6720027B2 (en) 2002-04-08 2004-04-13 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of a variable content titanium silicon nitride layer
US6846516B2 (en) * 2002-04-08 2005-01-25 Applied Materials, Inc. Multiple precursor cyclical deposition system
US6869838B2 (en) * 2002-04-09 2005-03-22 Applied Materials, Inc. Deposition of passivation layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications
US20030194825A1 (en) * 2002-04-10 2003-10-16 Kam Law Deposition of gate metallization for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications
US7279432B2 (en) 2002-04-16 2007-10-09 Applied Materials, Inc. System and method for forming an integrated barrier layer
US6827546B2 (en) * 2002-08-19 2004-12-07 Brooks-Pri Automation, Inc. Modular frame for a wafer fabrication system
US20040053514A1 (en) * 2002-08-27 2004-03-18 Ali Shajii Apparatus for cooling a substrate through thermal conduction in the viscous regime
US20040065255A1 (en) * 2002-10-02 2004-04-08 Applied Materials, Inc. Cyclical layer deposition system
US6821563B2 (en) 2002-10-02 2004-11-23 Applied Materials, Inc. Gas distribution system for cyclical layer deposition
US6769861B2 (en) 2002-10-08 2004-08-03 Brooks Automation Inc. Apparatus for alignment and orientation of a wafer for processing
AU2003301074A1 (en) * 2002-12-20 2004-07-22 Brooks Automation, Inc. System and method for on-the-fly eccentricity recognition
JP2007523994A (ja) * 2003-06-18 2007-08-23 アプライド　マテリアルズ　インコーポレイテッド バリヤ物質の原子層堆積
US20070269297A1 (en) 2003-11-10 2007-11-22 Meulen Peter V D Semiconductor wafer handling and transport
US8403613B2 (en) * 2003-11-10 2013-03-26 Brooks Automation, Inc. Bypass thermal adjuster for vacuum semiconductor processing
US10086511B2 (en) 2003-11-10 2018-10-02 Brooks Automation, Inc. Semiconductor manufacturing systems
DE102004019732A1 (de) * 2004-04-20 2005-11-17 Sse Sister Semiconductor Equipment Gmbh Vorrichtung und Verfahren für die Bearbeitung eines Substrats in der Halbleitertechnik sowie System, das eine Vorrichtung für die Bearbeitung eines Substrats umfasst
DE102004020466A1 (de) * 2004-04-26 2005-11-17 Applied Films Gmbh & Co. Kg Verfahren zum Beschichten von Substraten in Inline-Anlagen
WO2007064148A1 (en) * 2005-11-29 2007-06-07 Semes Co., Ltd. System and method for producing carbon nanotubes
US20070241351A1 (en) * 2006-04-14 2007-10-18 Applied Materials, Inc. Double-sided nitride structures
US7575982B2 (en) * 2006-04-14 2009-08-18 Applied Materials, Inc. Stacked-substrate processes for production of nitride semiconductor structures
US20080206987A1 (en) * 2007-01-29 2008-08-28 Gelatos Avgerinos V Process for tungsten nitride deposition by a temperature controlled lid assembly
JP2008192642A (ja) * 2007-01-31 2008-08-21 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP5192719B2 (ja) * 2007-04-12 2013-05-08 株式会社アルバック 加熱装置および基板処理装置
TWI465599B (zh) 2008-12-29 2014-12-21 K C Tech Co Ltd 原子層沉積裝置
DE102009037290A1 (de) * 2009-04-24 2010-11-11 Singulus Technologies Ag Transporteinrichtung mit einem auslenkbaren Dichtrahmen
CN101642909A (zh) * 2009-06-26 2010-02-10 东莞宏威数码机械有限公司 多级机械传输模块用腔体
US9202733B2 (en) 2011-11-07 2015-12-01 Persimmon Technologies Corporation Robot system with independent arms
US9401296B2 (en) 2011-11-29 2016-07-26 Persimmon Technologies Corporation Vacuum robot adapted to grip and transport a substrate and method thereof with passive bias
JP2013143413A (ja) * 2012-01-10 2013-07-22 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置
US9696097B2 (en) 2014-08-01 2017-07-04 Applied Materials, Inc. Multi-substrate thermal management apparatus
JP6802726B2 (ja) * 2017-02-14 2020-12-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板搬送装置、それを備える基板処理装置および基板搬送方法
KR20210079296A (ko) 2018-10-23 2021-06-29 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 검사 장치
WO2020214785A1 (en) * 2019-04-18 2020-10-22 Lam Research Corporation High density, controlled integrated circuits factory
TW202230583A (zh) * 2020-12-22 2022-08-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理系統及微粒去除方法

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4293249A (en) * 1980-03-03 1981-10-06 Texas Instruments Incorporated Material handling system and method for manufacturing line
US5013385A (en) * 1986-04-18 1991-05-07 General Signal Corporation Quad processor
JP2545591B2 (ja) * 1988-09-30 1996-10-23 国際電気株式会社 ウェーハ処理装置
US5002010A (en) * 1989-10-18 1991-03-26 Varian Associates, Inc. Vacuum vessel
JP2926798B2 (ja) * 1989-11-20 1999-07-28 国際電気株式会社 連続処理エッチング方法及びその装置
US5310410A (en) * 1990-04-06 1994-05-10 Sputtered Films, Inc. Method for processing semi-conductor wafers in a multiple vacuum and non-vacuum chamber apparatus
JP2644912B2 (ja) * 1990-08-29 1997-08-25 株式会社日立製作所 真空処理装置及びその運転方法
JPH05275511A (ja) * 1991-03-01 1993-10-22 Tokyo Electron Ltd 被処理体の移載システム及び処理装置
US5223001A (en) * 1991-11-21 1993-06-29 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Vacuum processing apparatus
JP2598353B2 (ja) * 1991-12-04 1997-04-09 アネルバ株式会社 基板処理装置、基板搬送装置及び基板交換方法
US5315473A (en) * 1992-01-21 1994-05-24 Applied Materials, Inc. Isolated electrostatic chuck and excitation method
JP3176118B2 (ja) * 1992-03-27 2001-06-11 株式会社東芝 多室型基板処理装置
JP2688555B2 (ja) * 1992-04-27 1997-12-10 株式会社日立製作所 マルチチャンバシステム
JPH06140492A (ja) * 1992-10-28 1994-05-20 Fujitsu Ltd クラスタ装置
US5516732A (en) * 1992-12-04 1996-05-14 Sony Corporation Wafer processing machine vacuum front end method and apparatus
DE69304038T2 (de) * 1993-01-28 1996-12-19 Applied Materials Inc Vorrichtung für ein Vakuumverfahren mit verbessertem Durchsatz
KR100261532B1 (ko) * 1993-03-14 2000-07-15 야마시타 히데나리 피처리체 반송장치를 가지는 멀티챔버 시스템
JP2761438B2 (ja) * 1993-04-16 1998-06-04 ブルックス オートメーション インコーポレイテッド 搬送装置
JP3196131B2 (ja) * 1993-10-22 2001-08-06 東京エレクトロン株式会社 半導体ウエハの搬送方法
US5525160A (en) * 1993-05-10 1996-06-11 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Film deposition processing device having transparent support and transfer pins
JPH0729958A (ja) * 1993-07-14 1995-01-31 Hitachi Ltd 半導体製造装置
DE69402918T2 (de) * 1993-07-15 1997-08-14 Applied Materials Inc Substratfangvorrichtung und Keramikblatt für Halbleiterbearbeitungseinrichtung
EP0733130A4 (en) * 1993-12-17 1997-04-02 Brooks Automation Inc APPARATUS FOR HEATING OR COOLING TABLETS
JPH07288275A (ja) * 1994-04-19 1995-10-31 Tokyo Electron Ltd ハンドリングアーム
JPH0846013A (ja) * 1994-05-23 1996-02-16 Tokyo Electron Ltd マルチチャンバ処理システム用搬送装置
KR960002534A (ko) * 1994-06-07 1996-01-26 이노우에 아키라 감압·상압 처리장치
JP3288200B2 (ja) * 1995-06-09 2002-06-04 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
JPH09107013A (ja) * 1995-10-09 1997-04-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板受け渡し装置
US5647724A (en) * 1995-10-27 1997-07-15 Brooks Automation Inc. Substrate transport apparatus with dual substrate holders
US5882413A (en) * 1997-07-11 1999-03-16 Brooks Automation, Inc. Substrate processing apparatus having a substrate transport with a front end extension and an internal substrate buffer
US6530732B1 (en) * 1997-08-12 2003-03-11 Brooks Automation, Inc. Single substrate load lock with offset cool module and buffer chamber

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