TWI385748B - 真空處理裝置、真空處理方法、及電腦可讀取記憶媒體 - Google Patents

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Description

真空處理裝置、真空處理方法、及電腦可讀取記憶媒體
本發明係關於在具有基板輸送單元之真空輸送室連接複數個真空處理室而構成，並且能有效利用該複數個真空處理室的真空處理裝置、使用該真空處理裝置的真空處理方法、及儲存著使該真空處理裝置執行該真空處理方法之電腦程式的電腦可讀取記憶媒體。
製造半導體元件時，對半導體基板之半導體晶圓(以下稱「晶圓」)進行包含蝕刻處理、成膜處理、灰化處理等既定之真空處理。就進行該等處理的裝置而言，吾人知道有所謂多室式真空處理裝置，此種裝置係複數個真空處理室連接到可維持真空的共通輸送室，而該真空輸送室及大氣環境氣氛輸送室二者經由形成真空預備室的預備腔室所連接。
將該種真空處理裝置顯示於圖1。此裝置中，載具10內之晶圓由常壓環境氣氛之輸送室11的第1輸送臂12所承接，被第1輸送臂12輸送至常壓環境氣氛之真空預備室13。接著，將真空預備室13排氣到既定之減壓後，晶圓由第2輸送臂14從真空預備室13經由真空輸送室15送入任一個真空處理室16，在此，對晶圓施加既定之真空處理。然後，晶圓由第2輸送臂14經由真空輸送室15輸送至真空環境氣氛之真空預備室13，並將真空預備室13加壓到常壓後，晶圓由第1輸送臂12經由輸送室11送回載具10。
在此，第2輸送臂14具有兩支固持臂。藉此，能以一支固持臂送出於該真空處理室16經處理的晶圓，接著將事先由另一支固持臂所固持之未處理的晶圓送入該真空處理室16；然後可將一支固持臂上之晶圓輸送至進行下一處理處理的其他真空處理室16。
此種真空處理裝置中，由於沿真空輸送室15之輸送路徑的長邊方向設有真空處理室16，因此設於該真空處理裝置之真空處理室16的個數依真空輸送室15之輸送路徑的長度而定。如圖所示，目前之真空處理裝置中，最多設置例如6個真空處理室16；且為了製造半導體元件，於各處理室進行蝕刻處理、成膜處理、灰化處理等一連串之處理。
再者，上述之真空處理裝置中，除蝕刻處理等以外，也要求將進行臂清洗(arm cleaning)處理的模組、為消除附著在晶圓W之附著物而進行使該附著物汽化之除氣處理(degassing process)等處理的模組、及暫置晶圓W的區域，設置成使得第2輸送臂14可接近到該等模組等。
臂清洗處理係為清洗第2輸送臂14之晶圓固持區所進行。由於當第2輸送臂14進入真空處理室16，真空處理室16內之殘留處理氣體會附著到第2輸送臂14，因此第2輸送臂14反複出入於真空處理室16時，該輸送臂將有膜沉積形成。由於該膜剝落時有時會附著到晶圓，因此沉積在第2輸送臂14之膜會成為微粒污染的原因。為防止此情況，清洗第2輸送臂14係有效用，因此進行臂清洗處理之模組成為必要。
又，第2輸送臂14從真空處理室16取出經處理之晶圓W後，於將真空處理室16之內部清洗處理時等，暫置晶圓W的區域成為必要。如上述，於第2輸送臂14的兩支固持臂中，其中一支固持於該真空處理室16經處理的晶圓W，另一支固持應處理的晶圓W(未處理的晶圓W)。在此，於清洗真空處理室16等，無法將未處理的晶圓W送入真空處理室16。如此一來，第2輸送臂14也無法將經處理的晶圓W送往下一個真空處理室16，其結果，第2輸送臂14必須於固持著兩片晶圓之狀態下待機，直到清洗處理結束。此時，若能將未處理的晶圓W暫置於上述之區域，由於能不必等待清洗處理結束而將經處理的晶圓W送往下一處理之真空處理室16，因此可抑制處理量的降低。根據此原因，暫置晶圓W的區域(以下有時稱緩衝模組)係屬必要。
然而，由於係將進行半導體元件之製造處理的模組優先連接於真空輸送室15，因此目前之真空處理裝置中，欲確保供作使用於半導體元件製造處理前後之附屬模組的空間，即確保臂清洗模組、除氣處理模組與緩衝模組等的空間，實為困難。
為應付此困難，亦可考慮將真空輸送室15加大，以將可連接在真空輸送室15的模組數增加，連接附屬模組。但是，由於此種結構會造成裝置的佔有面積(Foot Print)變大，第2輸送臂14之移動區變大，因此產生該第2輸送臂14之處理量降低的問題。又，將真空輸送室15加大，而將其所連接的模組數增加時，必須大幅改變裝置整體及第2輸送臂14的規格，也有設計等花費工夫與時間的問題。而且，亦可考慮在真空預備室13設置附屬模組，但是將真空預備室13選擇性維持在減壓及常壓時，複雜的壓力調整成為必要，有時因該壓力調整也會產生處理量降低的問題。
又，臂清洗模組及緩衝模組並非如上述經常地使用，而於既定之時機使用，甚至有時長期不使用。因此，從設計裝置或輸送程式的觀點，用以製造半導體元件之一連串處理較佳係使用現有的裝置，而以現有的輸送程式實施之。根據此種要求，本發明人等一面將現有之裝置結構或程式規格的改變抑制到最小限度，一面研究可追加附屬模組的結構。
再者，專利文獻1中，有人提出藉由在例如真空輸送室設置緩衝部，可不必將裝置的佔有面積加大，而於該緩衝部進行用以實施晶圓W之除氣處理或既定測定的簡單處理。然而，由於該結構係於真空輸送室之輸送單元的移動區設置緩衝部，因此輸送單元無法沿真空輸送室之長邊方向滑動，欲將晶圓W輸送到連接於真空輸送室的所有真空處理室時，必須在不同區域各設置兩個輸送單元。如此一來，由於必須在真空輸送室設置緩衝部及兩個輸送單元，因此不同於現有之真空處理裝置的規格成為必要，且必須使裝置的佔有面積大到一定程度。從而，依該文獻1所揭示的結構，也無法解決本發明之課題。
【專利文獻1】日本特開2002-324829號公報
本發明係有鑒於此種情況所設計，其目的為：提供一種真空處理裝置、使用該真空處理裝置的真空處理方法、及儲存著使該真空處理裝置執行該真空處理方法之程式的電腦可讀取記憶媒體；該真空處理裝置可一面抑制裝置之佔有面積增大，一面追加進行對基板輸送單元之處理、對基板之處理、及基板之待機的附屬模組。
為達成上述目的，本發明之第1態樣提供一種真空處理裝置，包含：真空預備室，內部壓力可切換成常壓及減壓而送入送出基板；複數個真空處理室，對基板進行各種處理；真空輸送室，連接真空預備室及複數個真空處理室，並具有於真空預備室及複數個真空處理室間輸送基板的基板輸送機構、形成於底部或頂棚部的凹部；附屬模組，對基板輸送機構進行既定處理；及升降機構，於附屬模組被收納至凹部俾於不妨礙基板輸送機構輸送基板的第1位置、與基板輸送機構可送入送出基板於附屬模組的第2位置間，移動附屬模組。
本發明之第2態樣之真空處理裝置，係於第1態樣之真空處理裝置中，對基板輸送機構進行之既定處理，為該基板輸送機構之用以固持基板的固持臂的清洗處理、固持臂的靜電消除處理、及固持臂的位置調整處理之其中之一。
本發明之第3態樣提供一種真空處理裝置，包含：真空預備室，內部壓力可切換成常壓及減壓而送入送出基板；複數個真空處理室，對基板進行各種處理；真空輸送室，連接真空預備室及複數個真空處理室，並具有於真空預備室及複數個真空處理室間輸送基板的基板輸送機構、形成於底部或頂棚部的凹部；附屬模組，可收納基板而構成，俾於對所收納之基板進行既定處理；及升降機構，於附屬模組被收納至凹部俾於不妨礙基板輸送機構輸送基板的第1位置、與基板輸送機構可送入送出基板於附屬模組的第2位置間，移動附屬模組。
本發明之第4態樣之真空處理裝置，係於第3態樣之真空處理裝置中，附屬模組包含：蓋體，於氣密式堵塞凹部的第3位置、與突出至真空輸送室內的第4位置間，利用升降機構升降自如；及載置部，載置有基板，於由凹部及蓋體所分隔之空間載置晶圓在載置部的第5位置、與可在基板輸送機構及載置部間傳遞基板的第6位置之間，利用升降機構升降自如。
本發明之第5態樣之真空處理裝置，係於第4態樣之真空處理裝置中，載置部係與蓋體形成一體而升降。
本發明之第6態樣之真空處理裝置，係於第3態樣之真空處理裝置中，附屬模組包含：蓋體，於氣密式堵塞凹部的第3位置、與突出至真空輸送室內的第4位置間，利用升降機構升降自如；載置部，配置於由凹部及氣密式堵塞該凹部的蓋體所分隔之空間，載置基板；及傳遞部，以可任意升降之方式構成俾於可在載置部與基板輸送機構間傳遞基板。
本發明之第7態樣之真空處理裝置，係於第4至6態樣之任一項真空處理裝置中，附屬模組包含對基板進行處理的處理部。
本發明之第8態樣之真空處理裝置，係於第7態樣之真空處理裝置中，對基板進行處理之處理部為調整基板之溫度的溫度調整部。
本發明之第9態樣之真空處理裝置，係於第8態樣之真空處理裝置中，附屬模組包含將基板加熱的加熱部。
本發明之第10態樣之真空處理裝置，係於第8態樣之真空處理裝置中，附屬模組包含將基板冷卻的冷卻部。
本發明之第11態樣之真空處理裝置，係於第8態樣之真空處理裝置中，溫度調整部包含：調溫流體之流道，形成於凹部的側壁；氣體供應部，對由凹部及氣密式堵塞該凹部之蓋體所分隔的空間供應氣體；及排氣部，將空間排氣成減壓。
本發明之第12態樣之真空處理裝置，係於第11態樣之真空處理裝置中，於附屬模組藉由將附著在基板之附著物汽化，以消除該附著物。
本發明之第13態樣之真空處理裝置，係於第1至12態樣之任一項真空處理裝置中，基板輸送機構包含：基座，於真空輸送室中，沿著設在該真空輸送室的導軌以可移動之方式所設置；基板之固持臂，以可在水平方向轉動自如並進退自如之方式設於基座上；且形成在真空輸送室底部之凹部配置於不與導軌干擾的區域，俾於基座可位於不與凹部干擾的位置。
本發明之第14態樣提供一種真空處理方法，係於第1態樣之真空處理裝置所進行的真空處理方法；包含：將附屬模組收納至凹部的步驟；基板輸送機構將基板送入複數個真空處理室之其中一真空處理室的步驟；於一真空處理室對基板進行既定之真空處理的步驟；使附屬模組從凹部往真空輸送室突出，並使基板輸送機構進入該附屬模組的步驟；及於附屬模組對基板輸送機構進行既定之處理的步驟。
本發明之第15態樣之真空處理方法，係於第14態樣之真空處理方法中，在對基板輸送機構進行既定處理的步驟，進行該基板輸送機構之用以固持基板的固持臂的清洗處理、固持臂的靜電消除處理、及固持臂的位置調整處理之其中之一。
本發明之第16態樣提供一種真空處理方法，係於第3態樣之真空處理裝置所進行的真空處理方法；包含：將附屬模組收納至凹部的步驟；將基板送入複數個真空處理室之其中一真空處理室的步驟；於一真空處理室對基板進行既定之真空處理的步驟；使附屬模組從凹部往真空輸送室突出，並將基板送入該附屬模組的步驟；及將已送入基板之附屬模組收納至凹部的步驟。
本發明之第17態樣之真空處理方法，係於第16態樣之真空處理方法中，將基板送入附屬模組的步驟在清洗複數個真空處理室中的任意之真空處理室時所進行。
本發明之第18態樣之真空處理方法，係於第16態樣之真空處理方法中，更包含在收納至凹部的附屬模組對基板進行既定之真空處理的步驟。
本發明之第19態樣之真空處理方法，係於第18態樣之真空處理方法中，在附屬模組對基板進行既定之真空處理的步驟中，調整基板之溫度。
本發明之第20態樣之真空處理方法，係於第18態樣之真空處理方法中，在附屬模組對基板進行既定之真空處理的步驟中，藉由使附著於基板之附著物汽化，以消除該附著物。
本發明之第21態樣提供一種電腦可讀取記憶媒體，儲存著使第1態樣之真空處理裝置執行真空處理方法的電腦程式；電腦程式中組合有步驟俾於執行：將附屬模組收納至凹部的步驟；基板輸送機構將基板送入複數個真空處理室之其中一真空處理室的步驟；於一真空處理室對基板進行既定之真空處理的步驟；使附屬模組從凹部往真空輸送室突出，並使基板輸送機構進入該附屬模組的步驟；及於附屬模組對基板輸送機構進行既定之處理的步驟。
本發明之第22態樣提供一種電腦可讀取記憶媒體，儲存著使第3態樣之真空處理裝置執行真空處理方法的電腦程式；電腦程式中組合有步驟俾於執行：將附屬模組收納至凹部的步驟；將基板送入複數個真空處理室之其中一真空處理室的步驟；於一真空處理室對基板進行既定之真空處理的步驟；使附屬模組從凹部往真空輸送室突出，並將基板送入該附屬模組的步驟；及將已送入基板之附屬模組收納至凹部的步驟。
依本發明，由於在真空輸送室之底部或頂棚部形成凹部，對於可進行對基板輸送機構之處理、基板之待機、對基板之處理等的附屬模組，不使用時將其收納至凹部俾於不妨礙基板輸送機構所為之基板輸送，欲使用時則使其突出至真空輸送室內，因此可一面抑制裝置之佔有面積增大，一面追加附屬模組。
又，藉由以形成於真空輸送室之底部或頂棚部的凹部、與堵塞該凹部之開口部的蓋體形成分隔空間，並在此進行基板之待機或基板之處理，可一面抑制裝置之佔有面積增大，一面追加進行基板之待機或基板處理的功能。
 實施發明之最佳形態
以下，一邊參照附加圖式，一邊說明本發明之未限定例示實施形態。附加之所有圖式中，相同或對應之構件或零件標註相同或對應之參照符號，並省略重複的說明。又，圖式並非以顯示構件或零件間之相對比例為目的，因此具體的尺寸應按照以下未限定的實施形態，由熟悉本技藝之士決定。
圖2係顯示真空處理裝置2之整體結構的俯視圖。如圖所示，真空處理裝置2包含：裝載、卸載晶圓W之裝載模組(Loader Module)即第1輸送室21；真空預備室22、23；真空輸送室即第2輸送室3；及真空處理室31A～31F。又，真空處理裝置2中，於第1輸送室21之前面(圖2中之-Y方向)設有載置著收納晶圓W之載具C的載入埠24。於第1輸送室21之正面壁設有閘門GT，閘門GT連接著載置於載入埠24的載具C，而與該載具C之蓋部一起開闔。
又，於第1輸送室21之外側壁設有調整晶圓W之方向及偏心的對準室25。於真空預備室22、23各設有未圖示之真空泵與洩氣閥(leak valve)。藉此，真空預備室22、23可選擇性維持在常壓及減壓。亦即，藉由此種結構，排除常壓下之第1輸送室21及真空預備室22、23間的壓力差、與減壓下之第2輸送室3及真空預備室22、23間的壓力差；因此容許將晶圓W輸送於第1輸送室21與第2輸送室3之間。又，圖2中之「G」顯示於真空預備室22、23及第1輸送室21間、真空預備室22、23及第2輸送室3間、與第2輸送室3及各真空處理室31A～31F間，發揮可開闔之分隔板之作用的閘閥。
而且，於第1輸送室21設有第1輸送臂26。第1輸送臂26為於載具C及真空預備室22、23間、與第1輸送室21及對準室25間送入送出晶圓W，在例如載具C之排列方向(圖2中之X方向)以可任意移動、升降，並可繞著鉛直軸轉動自如，且可沿X方向及Y方向進退自如之方式所構成。
第2輸送室3具有沿Y方向(圖2)延伸的細長之六角形的平面形狀。第2輸送室3的六個側壁中，於-Y方向(圖2)側之兩個側壁各氣密式連接有真空預備室22、23。於第2輸送室3之朝向-X方向的側壁(以下因應需要稱左壁)氣密式連接有例如真空處理室31A、31B；於朝向+X方向的側壁(以下因應需要稱右壁)氣密式連接有例如真空處理室31E、31F。而且，於第2輸送室3之Y方向側的兩個側壁各氣密式連接有真空處理室31C、31D。例如真空處理室31A～31F可為成膜裝置、退火裝置、蝕刻裝置等。
於該第2輸送室3設有為基板輸送單元之第2輸送臂32(32A、32B)。此第2輸送臂32於真空預備室22、23及各真空處理室31A～31F間送入送出晶圓W。該等第2輸送臂32A、32B如圖2～圖6所示，具有可繞著鉛直軸轉動自如，且可任意伸縮式的多關節臂、與安裝在該多關節臂之前端，且平面呈大致U字形的固持臂33，而配置於共通之基座34上。於此基座34之±X方向之外緣附近的背面，設有往下方延伸的支持部35(圖3)。該支持部35於下端連接到移動機構36。藉由此移動機構36，基座34甚至第2輸送臂32可沿向Y方向延伸之導軌37而滑動。
參照圖2及圖3，於第2輸送室3之底部30沿左壁及右壁各形成有沿Y方向延伸，且具有細長之四角形之平面形狀的第1凹部38。導軌37設於該第1凹部38內。藉由此種結構，第2輸送臂32可於第2輸送室3之接近真空預備室22、23的起始位置(圖2所示位置)、與第2輸送室3之接近真空處理室31C、31D的位置間，沿±Y方向滑動。
而且，於第2輸送室3設有可大致沿垂直方向移動的附屬模組。在第2輸送室3之底部30，於第2輸送臂32位在起始位置時的空出區域，即第2輸送室3之+Y方向側的區域，且於比兩個第1凹部38內側之區域，形成具有例如四角形之平面形狀的第2凹部41，其內部收納有附屬模組。於該附屬模組，可進行第2輸送臂32之處理、晶圓W之暫置、及晶圓W之處理等。具體而言，對第2輸送臂32進行之處理包含：固持臂33的清洗(臂清洗)、靜電之消除、位置調整、溫度調整等。又，對晶圓W進行之處理包含：附著在晶圓W之附著物的除氣、晶圓W之溫度調整、於真空處理室31A～31F對晶圓W進行真空處理前之該晶圓W的預熱、進行真空處理後之晶圓W的冷卻等。
接著，作為該附屬模組之一例，一邊參照圖4～圖7，一邊說明進行臂清洗的清洗模組4。該清洗模組4使用於清洗第2輸送臂32A、32B的晶圓固持區。圖中之「40」為清洗模組4的框體。框體40形成例如平面形狀呈四角形之扁平的中空角柱形狀，具有第2輸送臂32之固持臂33可進入框體40之內部的大小。又，框體40具有朝真空預備室22、23形成開口的開口42。第2輸送臂32之固持臂33通過該開口42，可往框體40內進入或者從框體40內退出。
於該框體40內部之進入框體40內的固持臂33上方設有清洗氣體供應部43(圖6)，用以朝固持臂33吹送例如異丙醇等之清洗氣體。該清洗氣體供應部43為供應清洗氣體到固持臂33之晶圓固持區，包含：沿固持臂33之兩支臂部延伸的清洗氣體供應管43a、沿該清洗氣體供應管43a之長邊方向隔開既定間隔所設置的複數個噴嘴部43b、及用以供應清洗氣體到該清洗氣體供應管43a的清洗氣體供應路徑43c(圖7)。清洗氣體供應路徑43c以可任意伸縮之方式構成，另一端貫通凹部41之底部，經由閥V1連接於清洗氣體供應源44。
參照圖7，於框體40之底部例如中央部形成有清洗氣體的排氣口45a。於排氣口45a連接有圍住排氣口45a，並往框體40之下方延伸的排氣伸縮囊45。此排氣伸縮囊45之另一端連接於形成在凹部41之底部的排氣口46a。排氣口46a連接於排氣路徑46，此排氣路徑46之另一端經由閥V2連接於真空排氣單元47。
此種框體40藉由設在凹部41之升降機構48，於該框體40被收納在凹部41的收納位置、與第2輸送室3內固持臂33可往框體40進入或者從框體40退出的處理位置(對第2輸送臂32進行處理的位置)間，以可任意升降之方式構成。作為升降機構48，可使用空壓缸或電動致動器等。又，圖6及圖7中之「49」為升降導軌。又，框體40位於收納位置時，係被收納在凹部41俾於框體40之頂面不妨礙第2輸送臂32之基座34的移動。
再參照圖2，於該真空處理裝置2設有由例如電腦構成的控制部100，此控制部100包含由程式及中央處理器(CPU，Center Processing Unit)構成之資料處理部100a、記憶部100b；程式中組裝有命令(各步驟)，俾於從控制部100傳送控制信號到真空處理裝置2的結構零件等，進行後述之輸送順序。該程式儲存於例如軟碟、光碟、硬碟、磁光碟(MO，Magnet Optical Disk)等之電腦記憶媒體101a，並經由輸入輸送裝置101安裝到控制部100的記憶部100b。又，為進行閘閥G之開闔、第2輸送臂32之驅動、清洗模組4之升降、清洗模組4之既定處理等，以控制部100傳送控制信號到第2輸送室3的各部。
接著，說明真空處理裝置2之晶圓W的移動過程。首先，將收納著多數片晶圓W之密閉型載具C載置於載入埠24，第1輸送臂26將晶圓W從載具C送入第1輸送室21。其次，常壓環境氣氛之真空預備室22、23的閘閥G打開，第1輸送臂26將晶圓W送入真空預備室22、23內。再來，將真空預備室22、23排氣到既定之減壓後，閘閥G打開，第2輸送臂32將晶圓W送往第2輸送室3。然後，晶圓W由第2輸送臂32輸送到真空處理室31A～31F的其中之一，於真空處理室31A～31F對晶圓W進行既定之真空處理。
如上述，於真空處理室31A～31F內對晶圓W進行既定之處理後，該晶圓W由第2輸送臂32從真空處理室31A～31F被送出，並送入減壓下之真空預備室22、23內。接著，將真空預備室22、23內加壓到常壓後，第1輸送臂26將晶圓W從真空預備室22、23通過第1輸送室21送回既定之載具C。
接下來，說明依本發明之實施形態的臂清洗處理。該臂清洗處理係第2輸送臂32於真空預備室22、23及真空處理室31A～31F間輸送晶圓W多數次後所進行。例如，臂清洗處理於事先設定之既定時間點，或者於維修時進行。
首先，使第2輸送臂32(32A、32B)位於起始位置，並使清洗模組4從收納位置上升到處理位置。其次，使第2輸送臂32A之固持臂33進入清洗模組4的框體40內，打開閥V1而供應清洗氣體到清洗氣體供應管43a；另一方面，打開V2利用真空排氣單元47將框體40排氣。藉此，將清洗氣體從上方側吹送到固持臂33，以清洗氣體使附著在固持臂33的成膜成分剝離而除去，將成膜成分與清洗氣體一起自排氣口45a經由排氣伸縮囊45及排氣路徑46從真空處理裝置2排出。如上述結束第2輸送臂32A之固持臂33的清洗後，同樣也對第2輸送臂32B之固持臂33進行清洗處理。如上所述，結束第2輸送臂32A、32B的清洗處理後，將第2輸送臂32送回起始位置，使清洗模組4下降以收納於凹部41。
由於此種臂清洗處理於既定之時間點清洗固持臂33的晶圓固持區，因此即使真空處理室31A～31F之殘留處理氣體附著在第2輸送臂32，也能抑制膜沉積於第2輸送臂32。從而，可抑制形成於第2輸送臂32之膜成為微粒污染的原因。
又，清洗模組4被收納於真空處理裝置2中的第2輸送室3之底部30之輸送區的空出部分，亦即第2輸送臂32位於起始位置時空出部分所形成的凹部41。因此，可不增加第2輸送室3甚至真空處理裝置2的佔有面積，而追加清洗模組4。
又，藉由改變第2輸送室3之底部30的構造，可追加清洗模組4；且由於無須改變第2輸送臂32、真空預備室22、23、真空處理室31A～31F等真空處理裝置2之其他部分的結構，故可將系統變更抑制在最小限度，裝置的設計變得較容易。此時，如上述將第2輸送室3於Y方向伸長而形成，並將第2輸送臂32可沿Y方向移動而構成的情況下，由於在輸送區形成第2輸送臂32未位在的空出區域，因此在該空出區域設置清洗模組4係空間的有效活用。
又，清洗模組4於不使用時被收納至凹部41俾於不妨礙第2輸送臂32所為之晶圓W輸送。藉此，不使用清洗模組4時，可進行如以往之晶圓W輸送。因此，可將輸送程式的變更抑制在最小限度，可輕易準備因應於具有清洗模組4之真空處理裝置2的程式。
清洗模組4如圖8所示，亦可設於形成在第2輸送室3之頂棚部39的凹部50之內部而構成。此例中，清洗模組4於其頂面與設在凹部50之頂棚部的升降機構51連接；且藉由該升降機構51，清洗模組4於被收納至凹部50俾於不妨礙第2輸送臂32所為之晶圓輸送的收納位置、與第2輸送室3內的處理位置間升降而構成。圖8中之「52」為升降導軌，其他結構則與圖4所示之真空處理裝置2相同。
接著，說明於附屬模組對固持臂33進行之處理的其他實例。首先，固持臂33之靜電消除處理係於例如附屬模組的框體內設置離化器(ionizer)，以該離化器對進入框體40的固持臂33進行靜電消除處理。例如，可構成離化器俾於對插入框體40的固持臂33供應離子氣體，或者使固持臂33接觸到離化器。藉由如上述消除固持臂33之靜電，可防止微粒的吸附，或者抑制製造於晶圓W上之元件(製造過程之元件、或未完成之元件)的絕緣破壞。
又，固持臂33之位置調整處理係藉由在例如附屬模組的框體內設置位置檢測部以掌握進入框體40之固持臂33的位置資料，並依據該位置資料將位置調整指令從控制部100輸出到基板輸送單元的驅動機構所進行。作為位置檢測部，為進行位置檢測，可使用將固持臂33攝影的電荷耦合元件攝影機(CCD camera，charge-coupled device camera)、或光學性進行固持臂33之位置檢測的感測器。藉由如上述進行固持臂33之位置調整，可對真空處理室31A～31F及真空預備室22、23正確地將晶圓W送入送出，而於送入送出晶圓W時，可抑制使晶圓W掉落，或者碰撞至晶圓W的事故發生。
進而，將固持臂33加熱、冷卻之調溫處理係藉由在例如框體內設置溫度調整器以將插入框體內的固持臂33予以加熱、冷卻，而將固持臂33調整到既定溫度。例如，可構成溫度調整器俾於對進入框體40的固持臂33吹送經溫度調整之鈍性氣體，或者使固持臂33接觸到經溫度調整之平板。藉由如上述進行固持臂33之溫度調整，將未處理之晶圓預熱至處理溫度附近，或者將經處理之晶圓冷卻，以縮短其他單元進行晶圓之加熱或冷卻所需的時間，可使處理量提高。該等靜電消除處理及調溫處理中，供應氣體到框體內時，為因應框體之升降，較佳係與清洗模組4同樣地設置可任意伸縮的氣體供應路徑與排氣伸縮囊。
接下來，參照圖9說明該實施形態之其他實例。此例中，作為附屬模組，設有載置多數片(例如13片)晶圓W的緩衝模組6。該緩衝模組6包含形成具有例如四角形之平面形狀的扁平而中空之角柱狀的框體60。此框體60具有朝真空預備室22、23形成開口的開口61。緩衝模組6位於第2輸送室3內時，第2輸送臂32之固持臂33通過該開口61，可往框體60內進入或者從框體60內退出。又，於框體60內部在上下方向隔開既定間隔而設有複數個固持部62，用以固持晶圓W之背面周緣部。該固持部62相當於載置晶圓W的載置部。如上述所構成之框體60藉由設在第2凹部41之升降機構63，於框體60被收納在凹部41的收納位置、與第2輸送室3內固持臂33往緩衝模組6內送入或者從其送出晶圓W的輸送位置間，以可任意升降之方式構成。緩衝模組6位於收納位置時，框體60被收納在凹部41內俾於框體60不妨礙第2輸送臂32之基座34的移動。圖中之「64」為升降導軌。
此種緩衝模組6使用於對例如真空處理室31A～31F之內部進行清洗處理時。例如，清洗真空處理室31A時，先使第2輸送臂32位於起始位置。此時，該第2輸送臂32之其中一支輸送臂32A固持於該真空處理室31A經處理的晶圓W，另一支輸送臂32B固持接著送入真空處理室31A之未處理的晶圓W。
然後，使緩衝模組6上升到輸送位置，將第2輸送臂32B所固持之未處理的晶圓W送入緩衝模組6的固持部62。接著，使緩衝模組6下降到收納位置後，將於第2輸送臂32A之已處理的晶圓W輸送到進行下一處理的真空處理室31B。再來，結束真空處理室31A之清洗時，使第2輸送臂32B位於起始位置後，使緩衝模組6上升到輸送位置，第2輸送臂32再承接緩衝模組6所載置之未處理的晶圓W。接著，使緩衝模組6下降以收納於凹部41內後，將晶圓W送入真空處理室31A。
如上述，即使為清洗真空處理室31A～31F之內部而無法將晶圓W送入該真空處理室31A～31F時，依然可將第2輸送臂32所固持之未處理的晶圓W暫置於緩衝模組6。因此，由於第2輸送臂32之其中一支空出，故可將於已進行清洗之真空處理室31A～31F經處理的晶圓W輸送到下一處理的真空處理室31A～31F。藉此，第2輸送臂32將不必再於固持著清洗對象之真空處理室31A～31F在處理前後的兩片晶圓W之狀態下，直到該清洗結束為止不能進行輸送而待機，可防止處理量之降低。
此例中，也可將緩衝模組6收納於形成在第2輸送室3之頂棚部39的凹部50之內部而設置，並使其於凹部50內的收納位置、與第2輸送室3內的輸送位置間升降而構成。
接著，一邊參照圖10～圖13，一邊說明本發明之其他實施形態。此實施形態之附屬模組包含：可將凹部41之上部開口氣密式堵塞的蓋體7、於由凹部41及蓋體7所形成之分隔空間S載置晶圓W的載置部；並於分隔空間S對晶圓W進行處理。圖中之「71」為設在蓋體7之底面，作為載置部的晶圓W之固持構件。該固持構件71如圖10所示，包含：與蓋體7相對的底板72、蓋體7及底板72間的複數根(例如3根)支柱73a～73c。於此支柱73a～73c各形成有固持部74a～74c，用以將晶圓W於上下方向隔開既定間隔而固持，且該等固持部74a～74c固持晶圓W之周緣。
該等蓋體7及固持構件71藉由設在固持構件71之底板72底面的共通之升降機構75，形成一體而以可任意升降之方式構成。因此，蓋體7及固持構件71可位於：蓋體7將凹部41氣密式堵塞的位置、與蓋體7及固持構件71上升至第2輸送室3內，第2輸送臂32往固持構件71送入或者從其送出晶圓W的輸送位置。
圖10中之「75a」為升降導軌，「76」係作為密封構件的O型環圈，供作蓋體7將凹部41之上部開口氣密式堵塞用。又，蓋體7位在將凹部41堵塞的位置時，蓋體7之頂面不妨礙第2輸送臂32之基座34的移動，而基座34可於蓋體7之上方移動。
進而，該實施形態中，於例如凹部41之側壁41a內形成有調溫流體的流道41b，將已調整至既定溫度的調溫流體從調溫流體供應部77循環供應到流道41b。又，於凹部41連接有氣體供應路徑78a，用以將鈍性氣體(或N2 氣體)供應到由凹部41及蓋體7所形成之分隔空間S內；該氣體供應路徑78a之另一端經由閥V3連接於氣體供應源78。而且，於凹部41設置用以將分隔空間S內之環境氣氛真空排氣的排氣路徑79a，此排氣路徑79a之另一端經由閥V4連接有真空排氣單元79。調溫流體的流道41b、與氣體供應路徑78a及氣體供應源78構成之氣體供應部，構成溫度調整器。
此種結構中，於分隔空間S進行晶圓W之調溫處理，例如於真空處理室31A～31F進行真空處理前對晶圓W進行預熱處理。以下，一邊參照圖11A～圖13，一邊說明該預熱處理。首先，如圖11A所示，蓋體7將凹部41之上部開口氣密式堵塞以形成分隔空間S，而真空排氣單元79(圖10)通過排氣路徑79a將該分隔空間S真空排氣成與第2輸送室3相同之壓力。且此時，使已調整至既定溫度的調溫流體流入流道41b。
接下來，使第2輸送臂32位於起始位置後，如圖11B所示，使蓋體7及固持構件71上升至輸送位置，第2輸送臂32將晶圓W送入固持構件71。然後，使蓋體7及固持構件71下降，蓋體7將凹部41之上部開口堵塞以形成分隔空間S。此時，將分隔空間S由真空排氣單元79(圖10)通過排氣路徑79a排氣，並將已調整至既定溫度的調溫流體供應到流道41b。
再來，停止分隔空間S之排氣，並如圖12A所示，從氣體供應源78(圖10)通過氣體供應路徑78a將鈍性氣體以既定流量供應到分隔空間S，而例如將分隔空間S加壓到大氣壓程度之壓力。藉此，由於凹部41被調溫流體加熱至既定溫度，該熱由鈍性氣體傳導到晶圓W，而將晶圓W加熱至既定溫度例如200℃左右。
進行該加熱處理例如30秒左右後，停止對分隔空間S供應鈍性氣體及調溫流體，並如圖12B所示，分隔空間S由真空排氣單元79(圖10)通過排氣路徑79a所排氣，而分隔空間S成為具有與第2輸送室3相同程度之壓力(減壓)。然後，如圖13所示，使蓋體7及固持構件71上升至輸送位置，第2輸送臂32將經加熱之晶圓W從固持構件71送出。
依此種結構，由於藉著設置將凹部41之上部開口氣密式堵塞的蓋體7，而以凹部41及蓋體7形成分隔空間S，並於此分隔空間S對晶圓W進行處理，可使用凹部41作為處理腔室之一部分，因此能一面抑制習知之真空處理裝置2的佔有面積增大，一面追加處理晶圓W的功能。又，由於除在第2輸送室3追加處理晶圓W的功能以外，其他結構，亦即真空處理室31A～31F或第2輸送臂32等並無須改變，故可一面將系統變更抑制在最小限度，一面追加上述功能。
此時，由於將分隔空間S氣密式構成，且設置將氣體供應至分隔空間S的氣體供應部(氣體供應路徑78a及氣體供應源78)、與將分隔空間S排氣成減壓的真空排氣單元79，故分隔空間S可獨立於第2輸送室3而進行壓力調整及氣體的供應/排出。因此，該附屬模組中，除晶圓W之預熱處理外，也可對在真空處理室31A～31F經真空處理之晶圓W進行冷卻處理，或者進行晶圓W之除氣處理等，能提高於附屬模組進行之處理的自由度。又，作為溫度調整器，亦可使用帕耳帖元件等。
接著，一邊參照圖14，一邊說明該實施形態之其他實例。此例中，藉由使蓋體8滑動，凹部41之上部開口形成可任意開闔式。在此，由於，凹部41之上部開口係例如長邊為500mm左右之大小，因此作為蓋體8可使用例如鐘擺型閥，但亦可使用閘閥作為蓋體8。圖中之「81」為蓋體8之移動機構。本實施形態所形成之附屬模組中，除了固持構件71係與蓋體8各成一體而設置，僅固持構件71藉升降機構75以可任意升降之方式構成以外，與上述之圖10所示的附屬模組相同而構成。
此例中，首先，蓋體8閉闔凹部41之上部開口，真空排氣單元79將由凹部41及蓋體8所形成之分隔空間S真空排氣成與第2輸送室3相同之壓力(減壓)後，使蓋體8滑動以打開凹部41之上部開口。接著，升降機構75使固持構件71上升至輸送位置，第2輸送臂32將晶圓W送入固持構件71。再來，使固持構件71下降到凹部41內之既定位置後，使蓋體8滑動以閉闔凹部41之上部開口，並從氣體供應源將鈍性氣體(或N2 氣體)供應到分隔空間S。藉此，流動於形成在凹部41側壁41a之流道41b的調溫流體之熱經由鈍性氣體傳導至晶圓W，將晶圓W預熱。進行該加熱既定時間後，停止對分隔空間S供應鈍性氣體，並將分隔空間S排氣成與第2輸送室3相同之壓力(減壓)。然後，打開蓋體8，使固持構件71上升至輸送位置，第2輸送臂32將經處理之晶圓W送出。
圖10及圖14所示之例中，也可藉蓋體7、8將形成在第2輸送室3之頂棚部39的凹部50之下方開口氣密式堵塞，將固持構件71於凹部50內的收納位置、與第2輸送室3內的輸送位置間以可任意升降之方式構成；且可於凹部50及蓋體7、8所形成之分隔空間S，對晶圓W進行既定之處理。又，亦可使固持構件71及蓋體7各成一體而升降。
接下來，一邊參照圖15，一邊說明本發明之再另外的實施形態。此實施形態中，附屬模組同樣包含：可將凹部41之上部開口氣密式堵塞的蓋體82、於由凹部41及蓋體82所形成之分隔空間S載置晶圓W的載置部84；並於分隔空間S對晶圓W進行處理而構成。
蓋體82藉由升降機構83，於蓋體82將凹部41之上部開口氣密式堵塞的位置、與比第2輸送室3內之輸送位置較上方的位置(圖15中以實線所示之蓋體82的位置)間，以可任意升降之方式構成。在此，蓋體82位於將凹部41堵塞的位置時，蓋體82不妨礙第2輸送臂32之基座34的移動，而基座34之底面可於蓋體82之上方移動。圖15中之「83a」為升降導軌。
於凹部41之內部設有晶圓W的載置部84，此載置部84內建有加熱部例如加熱器85。圖中之「86」為供應既定之電力至加熱器85的電力供應部。此實施形態中，加熱器85及電力供應部86構成溫度調整器。又，於載置部84設有升降桿87，用以將晶圓W載置到載置部84，並從載置部84舉升晶圓W。該升降桿87藉由升降機構87a，於第2輸送室3內將晶圓W從第2輸送臂32承接或者送往第2輸送臂32的輸送位置、與載置晶圓W到載置部84的載置位置(此時升降桿87之上端變成低於載置部84之頂面)間，以可任意升降之方式構成。
而且，於分隔空間S例如載置部84之上方設有氣體供應路徑88a，用以將氣體供應至分隔空間S；該氣體供應路徑88a之另一端經由閥V5連接於氣體供應源88。又，於凹部41設有排氣路徑89a以將分隔空間S排氣成減壓，該排氣路徑89a之另一端經由閥V6連接於真空排氣單元89。
該實施形態中，於由凹部41與蓋體82形成之分隔空間S，可進行晶圓W的除氣處理及表面處理、退火處理及蝕刻處理等之真空處理等。換言之，凹部41與蓋體82構成對基板進行真空處理的處理腔室。
於此實施形態進行除氣處理時，首先，蓋體82將凹部41之上部開口氣密式堵塞以形成分隔空間S，真空排氣單元79將該分隔空間S排氣成與第2輸送室3相同之壓力(減壓)。此時，以加熱器85將載置部84加熱至既定溫度。
接著，藉由使第2輸送臂32位於起始位置，並使蓋體82上升，再使以固持臂33固持晶圓W的第2輸送臂32移動到輸送位置，並使升降桿87上升到輸送位置，而升降桿87從第2輸送臂32承接晶圓W。此時，蓋體82比起輸送位置位於較上方。又，蓋體82之升降機構83於升降桿87位於輸送位置時，設在不妨礙第2輸送臂32及升降桿87間之晶圓W傳遞的位置。然後，例如將升降桿87降到載置位置，藉此將晶圓W載置到載置部84後，將蓋體82降下而氣密式堵塞凹部41之上部開口，以蓋體82及凹部41形成分隔空間S。
其後，經由氣體供應路徑88a供應既定之氣體到分隔空間S，使載置部84之熱傳導至晶圓W，以將晶圓W加熱到既定溫度。藉此，將附著在晶圓W之附著物汽化而消除。由於分隔空間S被排氣成減壓，並供應處理氣體，故附著物之汽化成分與處理氣體一起往外部排出，可抑制汽化成分再附著於晶圓W。進行該除氣處理例如30秒左右後，將分隔空間S調整到與第2輸送室3相同之壓力，再使蓋體82上升至輸送位置的上方，使升降桿87上升至輸送位置，以將除氣後之晶圓W傳遞到第2輸送臂32。
此種結構中，亦由於藉著設置氣密式堵塞凹部41的蓋體82而以凹部41及蓋體82形成分隔空間S，並於此分隔空間S對晶圓W進行處理，可使用凹部41作為處理腔室之一部分，因此能一面抑制習知之真空處理裝置的佔有面積增大，一面追加處理晶圓W的功能。又，由於除在第2輸送室3追加處理晶圓W的功能以外，其他結構，亦即真空處理室31A～31F或第2輸送臂32等並無須改變，故可一面將系統變更抑制在最小限度，一面追加上述功能。
進而，此實施形態中，也可藉由供應調溫流體到載置部84，調整載置部84之溫度，使載置部84之熱傳導至晶圓W以進行晶圓W的預熱處理或冷卻處理。又，與圖10所示之結構同樣地，亦可於凹部41之壁部形成調溫流體的流道，使已調整至既定溫度的調溫流體流至該流道，以將位在分隔空間S之晶圓W進行溫度調整。甚至，也可不設置載置部84，而一面於凹部41以升降桿87固持晶圓W，一面進行既定之處理。
如上所述，一邊參照上述之實施形態，一邊說明本發明；但本發明不限於所揭示之實施形態，在所請求之本發明的範圍內可進行各種之變形或變更。例如，本發明亦可適用於第2輸送臂32不會滑動的結構。又，緩衝模組6、設在蓋體7之底面的固持構件71、及設於凹部41內的載置部84的結構，也不限上述之例，可適當改變。又，本發明亦可適用於處理例如平面顯示器(FPD，Flat Panel Display)基板等之真空處理裝置。
本國際申請案依據於2007年12月28日申請之日本專利申請案2007-339987號而主張優先權，並於此援用2007-339987號之全部內容。
2．．．真空處理裝置
3．．．第2輸送室
4．．．清洗模組
6．．．緩衝模組
7、8．．．蓋體
10．．．載具
11．．．輸送室
12．．．第1輸送臂
13．．．真空預備室
14．．．第2輸送臂
15．．．真空輸送室
16．．．真空處理室
21．．．第1輸送室
22、23．．．真空預備室
24．．．載入埠
25．．．對準室
26．．．第1輸送臂
30．．．底部
31A～31F．．．真空處理室
32(32A、32B)．．．第2輸送臂
33．．．固持臂
34．．．基座
35．．．支持部
36．．．移動機構
37．．．導軌
38．．．第1凹部
39．．．頂棚部
40．．．框體
41．．．第2凹部
41a．．．側壁
41b．．．流道
42．．．開口
43．．．清洗氣體供應部
43a．．．清洗氣體供應管
43b．．．噴嘴部
43c．．．清洗氣體供應路徑
44．．．清洗氣體供應源
45．．．排氣伸縮囊
45a．．．排氣口
46．．．排氣路徑
46a．．．排氣口
47．．．真空排氣單元
48．．．升降機構
49．．．升降導軌
50．．．凹部
51．．．升降機構
52．．．升降導軌
60．．．框體
61．．．開口
62．．．固持部
63．．．升降機構
64．．．升降導軌
71．．．固持構件
72．．．底板
73a-73c．．．支柱
74a-74c．．．固持部
75．．．升降機構
75a．．．升降導軌
76．．．O型環圈
77．．．調溫流體供應部
78．．．氣體供應源
78a．．．氣體供應路徑
79．．．真空排氣單元
79a．．．排氣路徑
81．．．移動機構
82‧‧‧蓋體
83‧‧‧升降機構
83a‧‧‧升降導軌
84‧‧‧載置部
85‧‧‧加熱器
86‧‧‧電力供應部
87‧‧‧升降桿
87a‧‧‧升降機構
88‧‧‧氣體供應源
88a‧‧‧氣體供應路徑
89‧‧‧真空排氣單元
89a‧‧‧排氣路徑
100‧‧‧控制部
100a‧‧‧資料處理部
100b‧‧‧記憶部
101‧‧‧輸入輸送裝置
101a‧‧‧電腦記憶媒體
C‧‧‧載具
G‧‧‧閘閥
GT‧‧‧閘門
S‧‧‧分隔空間
V1、V2、V3、V4、V5、V6‧‧‧閥
W‧‧‧半導體晶圓
圖1係顯示習知之真空處理裝置的俯視圖。
圖2係顯示依本發明之一實施形態之真空處理裝置的俯視圖。
圖3係顯示設於真空處理裝置之第2輸送室之一例的剖面圖。
圖4係顯示第2輸送室之一例的剖面圖。
圖5係顯示第2輸送室之一例之主要部的立體圖。
圖6係顯示第2輸送室之一例之主要部的立體圖。
圖7係顯示第2輸送室之一例之主要部的剖面圖。
圖8係顯示真空處理裝置之其他實例的剖面圖。
圖9係顯示真空處理裝置之又其他實例的剖面圖。
圖10係顯示真空處理裝置之又其他實例的剖面圖。
圖11A、11B係用以說明圖10所示真空處理裝置之作用的程序圖。
圖12A、12B係用以說明圖10所示真空處理裝置之作用的程序圖。
圖13係用以說明圖10所示真空處理裝置之作用的程序圖。
圖14係顯示真空處理裝置之又其他實例的剖面圖。
圖15係顯示真空處理裝置之又其他實例的剖面圖。
2．．．真空處理裝置
3．．．第2輸送室
4．．．清洗模組
21．．．第1輸送室
22、23．．．真空預備室
24．．．載入埠
25．．．對準室
26．．．第1輸送臂
30．．．底部
31A～31F．．．真空處理室
32A、32B．．．第2輸送臂
33．．．固持臂
34．．．基座
37．．．導軌
38．．．第1凹部
41．．．第2凹部
100．．．控制部
100a．．．資料處理部
100b．．．記憶部
101．．．輸入輸送裝置
101a．．．電腦記憶媒體
C．．．載具
G．．．閘閥
GT．．．閘門
W．．．半導體晶圓

Claims (22)

  1. 一種真空處理裝置，包含：真空預備室，內部壓力可切換成常壓及減壓，並送入送出基板；複數個真空處理室，對該基板進行各種處理；真空輸送室，連接該真空預備室及該複數個真空處理室，並具有於該真空預備室及該複數個真空處理室間輸送該基板的基板輸送機構、形成於底部或頂棚部的凹部，該基板輸送機構具有固持該基板的固持臂；附屬模組，對該基板輸送機構進行既定處理；及升降機構，於該附屬模組被收納至該凹部俾於不妨礙該基板輸送機構輸送該基板的第1位置、與該固持臂可進出該附屬模組的第2位置間，移動該附屬模組。
  2. 如申請專利範圍第1項之真空處理裝置，其中，對該基板輸送機構進行之該既定處理，為該固持臂的清洗處理、該固持臂的靜電消除處理、及該固持臂的位置調整處理之其中之一。
  3. 如申請專利範圍第1項之真空處理裝置，其中，該基板輸送機構包含：基座，於該真空輸送室中，沿著設在該真空輸送室的導軌以可移動之方式設置；該固持臂以可在水平方向轉動自如並進退自如之方式設於該基座上；且形成在該真空輸送室底部之凹部，配置於不與該導軌干擾的區域，俾使該基座可位於不與該凹部干擾的位置。
  4. 一種真空處理裝置，包含：真空預備室，內部壓力可切換成常壓及減壓，並送入送出基板；複數個真空處理室，對該基板進行各種處理； 真空輸送室，連接該真空預備室及該複數個真空處理室，並具有於該真空預備室及該複數個真空處理室間輸送該基板的基板輸送機構、形成於底部或頂棚部的凹部；附屬模組，可收納該基板俾對所收納之該基板進行既定處理；及升降機構，於該附屬模組被收納至該凹部俾於不妨礙該基板輸送機構輸送該基板的第1位置、與該基板輸送機構可送入送出該基板於該附屬模組的第2位置間，移動該附屬模組。
  5. 如申請專利範圍第4項之真空處理裝置，其中，該附屬模組包含：蓋體，於氣密式堵塞該凹部的第3位置、與突出至該真空輸送室內的第4位置間，利用該升降機構升降自如；及載置部，載置有該基板，於由該凹部及該蓋體所分隔之空間載置該晶圓在該載置部的第5位置、與可在該基板輸送機構及該載置部間傳遞該基板的第6位置之間，利用該升降機構升降自如。
  6. 如申請專利範圍第5項之真空處理裝置，其中，該載置部係與該蓋體形成一體而升降。
  7. 如申請專利範圍第4項之真空處理裝置，其中，該附屬模組包含：蓋體，於氣密式堵塞該凹部的第3位置、與突出至該真空輸送室內的第4位置間，利用該升降機構升降自如；載置部，配置於由該凹部及氣密式堵塞該凹部的該蓋體所分隔之空間，載置該基板；及傳遞部，以升降自如之方式構成俾於可在該載置部與該基板輸送機構間傳遞該基板。
  8. 如申請專利範圍第5項之真空處理裝置，其中，該附屬模組包含對該基板進行處理的處理部。
  9. 如申請專利範圍第8項之真空處理裝置，其中，對該基板進行處理之處理部為調整該基板之溫度的溫度調整部。
  10. 如申請專利範圍第9項之真空處理裝置，其中，該附屬模組包含將該基板加熱的加熱部。
  11. 如申請專利範圍第9項之真空處理裝置，其中，該附屬模組包含將該基板冷卻的冷卻部。
  12. 如申請專利範圍第9項之真空處理裝置，其中，該溫度調整部包含：調溫流體之流道，形成於該凹部的壁部；氣體供應部，對由該凹部及氣密式堵塞該凹部之該蓋體所分隔的空間供應氣體；及排氣部，將該空間排氣成減壓。
  13. 如申請專利範圍第12項之真空處理裝置，其中，於該附屬模組藉由使附著在該基板之附著物汽化，以消除該附著物。
  14. 一種真空處理方法，係於申請專利範圍第1項之真空處理裝置進行；包含以下步驟：將該附屬模組收納至該凹部；該基板輸送機構將該基板送入該複數個真空處理室之其中一真空處理室；於該一真空處理室對該基板進行既定之真空處理；使該附屬模組從該凹部往該真空輸送室突出，並使該基板輸送機構進入該附屬模組；及於該附屬模組對該基板輸送機構進行既定之處理。
  15. 如申請專利範圍第14項之真空處理方法，其中，在對該基板輸送機構進行既定處理的步驟，進行該基板輸送機構之用以固持該基板的固持臂的清洗處理、該固持臂的靜電消除處理、及該固持臂的位置調整處理之其中之一。
  16. 一種真空處理方法，係於申請專利範圍第4項之真空處理裝置進行；包含以下步驟：將該附屬模組收納至該凹部；將該基板送入該複數個真空處理室之其中一真空處理室；於該一真空處理室對該基板進行既定之真空處理；使該附屬模組從該凹部往該真空輸送室突出，並將該基板送入該附屬模組；及將已送入該基板之該附屬模組收納至該凹部。
  17. 如申請專利範圍第16項之真空處理方法，其中，將該基板送入該附屬模組的步驟。在清洗該複數個真空處理室中的任意之真空處理室時所進行。
  18. 如申請專利範圍第16項之真空處理方法，其中，更包含在收納至該凹部的該附屬模組中，對該基板進行既定之真空處理的步驟。
  19. 如申請專利範圍第18項之真空處理方法，其中，於該附屬模組中，對該基板進行既定之真空處理的步驟調整該基板之溫度。
  20. 如申請專利範圍第18項之真空處理方法，其中，於該附屬模組對該基板進行既定之真空處理的步驟中，藉由使附著在該基板之附著物汽化，以消除該附著物。
  21. 一種電腦可讀取記憶媒體，儲存著使申請專利範圍第1項之真 空處理裝置執行真空處理方法的電腦程式；該電腦程式中組合有步驟俾於執行以下步驟：將該附屬模組收納至該凹部；該基板輸送機構將該基板送入該複數個真空處理室之其中一真空處理室；於該一真空處理室對該基板進行既定之真空處理；使該附屬模組從該凹部往該真空輸送室突出，並使該基板輸送機構進入該附屬模組；及於該附屬模組對該基板輸送機構進行既定之處理。
  22. 一種電腦可讀取記憶媒體，儲存著使申請專利範圍第4項之真空處理裝置執行真空處理方法的電腦程式；該電腦程式中組合有步驟俾於執行以下步驟：將該附屬模組收納至該凹部；將該基板送入該複數個真空處理室之其中一真空處理室；於該一真空處理室對該基板進行既定之真空處理；使該附屬模組從該凹部往該真空輸送室突出，並將該基板送入該附屬模組；及將已送入該基板之該附屬模組收納至該凹部。
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