JPH11293459A - 多層成膜装置 - Google Patents
多層成膜装置Info
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- JPH11293459A JPH11293459A JP9428198A JP9428198A JPH11293459A JP H11293459 A JPH11293459 A JP H11293459A JP 9428198 A JP9428198 A JP 9428198A JP 9428198 A JP9428198 A JP 9428198A JP H11293459 A JPH11293459 A JP H11293459A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】各プロセス室間にゲートバルブを設けずにコン
タミネーションを防止でき、高品質な成膜処理ができる
多層成膜装置を提供する。 【解決手段】上面に基板Ｓを保持した基板ホルダＨを取
り入れるロードロック室１０と、ロードロック室１０と
開閉可能なゲートバルブ１８を介して連結され、基板ホ
ルダＨを所定方向に搬送する搬送装置１９を設けた搬送
室１１と、搬送室１１の上部に搬送装置１９の搬送方向
に複数個並べて設けられ、基板ホルダＨによって閉じら
れる下端開口部を有する成膜プロセス室１３〜１５と、
搬送装置１９によって搬送された基板ホルダＨを上昇さ
せて成膜プロセス室１３〜１５の下端開口部を閉じる昇
降装置２５〜２７と、を備える。
タミネーションを防止でき、高品質な成膜処理ができる
多層成膜装置を提供する。 【解決手段】上面に基板Ｓを保持した基板ホルダＨを取
り入れるロードロック室１０と、ロードロック室１０と
開閉可能なゲートバルブ１８を介して連結され、基板ホ
ルダＨを所定方向に搬送する搬送装置１９を設けた搬送
室１１と、搬送室１１の上部に搬送装置１９の搬送方向
に複数個並べて設けられ、基板ホルダＨによって閉じら
れる下端開口部を有する成膜プロセス室１３〜１５と、
搬送装置１９によって搬送された基板ホルダＨを上昇さ
せて成膜プロセス室１３〜１５の下端開口部を閉じる昇
降装置２５〜２７と、を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は基板に多層の成膜処
理を行なう多層成膜装置に関するものである。
理を行なう多層成膜装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、セラミックフィルタ、セラミック
発振子、半導体ウエハーなどの電子部品において、基板
に電極膜などを形成する場合、基板材料と電極材料との
密着性が悪いと、基板に直接電極膜を形成できない。そ
こで、基板上に密着性のよい中間電極膜を形成し、その
中間電極膜の上に最終の電極膜を形成することが行なわ
れている。また、他の電子部品では、基板上に導電膜〜
絶縁膜〜導電膜〜絶縁膜というように、多層の膜を形成
するものが知られている。
発振子、半導体ウエハーなどの電子部品において、基板
に電極膜などを形成する場合、基板材料と電極材料との
密着性が悪いと、基板に直接電極膜を形成できない。そ
こで、基板上に密着性のよい中間電極膜を形成し、その
中間電極膜の上に最終の電極膜を形成することが行なわ
れている。また、他の電子部品では、基板上に導電膜〜
絶縁膜〜導電膜〜絶縁膜というように、多層の膜を形成
するものが知られている。
【０００３】このような多層の成膜処理を行なう場合、
図１のような多層成膜装置が知られている。この成膜装
置には、一端側に基板取り入れ用のロードロック室１が
設けられ、このロードロック室１は入口ゲートバルブ２
を介して成膜プロセス室３と接続されている。プロセス
室３は複数の室３ａ〜３ｃに別れており、各室３ａ〜３
ｃの間には仕切４が設けられている。基板Ｓは図示しな
い搬送装置によって一端のプロセス室３ａから他端のプ
ロセス室３ｃに向かって搬送される。各プロセス室３ａ
〜３ｃがスパッタ装置の場合、プロセス室３ａ〜３ｃの
上部にはターゲット５が設けられ、基板Ｓは図示しない
基板ホルダによってターゲット５と対向するように保持
される。すべての成膜処理が終了した基板Ｓは、出口ゲ
ートバルブ６を介して基板取り出し用のロードロック室
７へ取り出される。
図１のような多層成膜装置が知られている。この成膜装
置には、一端側に基板取り入れ用のロードロック室１が
設けられ、このロードロック室１は入口ゲートバルブ２
を介して成膜プロセス室３と接続されている。プロセス
室３は複数の室３ａ〜３ｃに別れており、各室３ａ〜３
ｃの間には仕切４が設けられている。基板Ｓは図示しな
い搬送装置によって一端のプロセス室３ａから他端のプ
ロセス室３ｃに向かって搬送される。各プロセス室３ａ
〜３ｃがスパッタ装置の場合、プロセス室３ａ〜３ｃの
上部にはターゲット５が設けられ、基板Ｓは図示しない
基板ホルダによってターゲット５と対向するように保持
される。すべての成膜処理が終了した基板Ｓは、出口ゲ
ートバルブ６を介して基板取り出し用のロードロック室
７へ取り出される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような多層成膜
装置の場合、各プロセス室３ａ〜３ｃで基板Ｓを停止さ
せて複数段階の処理を行い、基板Ｓに多層の成膜を行な
うようになっている。ところが、隣接するプロセス室３
ａ〜３ｃの間には簡易な仕切４が設けられているに過ぎ
ないので、雰囲気が混じり合い、隣のプロセス室に影響
を及ぼす（コンタミネーションの発生）という問題があ
った。そこで、各プロセス室３ａ〜３ｂの間にゲートバ
ルブを設けることも考えられるが、これではコスト上昇
を招くばかりか、各プロセス室３ａ〜３ｃの間で搬送装
置が分断されるので、搬送方法が制約を受けるという欠
点がある。また、プロセス室内に搬送装置が配置されて
いるので、搬送装置に膜が付着しやすく、頻繁なメンテ
ナンスが必要となるという欠点があった。
装置の場合、各プロセス室３ａ〜３ｃで基板Ｓを停止さ
せて複数段階の処理を行い、基板Ｓに多層の成膜を行な
うようになっている。ところが、隣接するプロセス室３
ａ〜３ｃの間には簡易な仕切４が設けられているに過ぎ
ないので、雰囲気が混じり合い、隣のプロセス室に影響
を及ぼす（コンタミネーションの発生）という問題があ
った。そこで、各プロセス室３ａ〜３ｂの間にゲートバ
ルブを設けることも考えられるが、これではコスト上昇
を招くばかりか、各プロセス室３ａ〜３ｃの間で搬送装
置が分断されるので、搬送方法が制約を受けるという欠
点がある。また、プロセス室内に搬送装置が配置されて
いるので、搬送装置に膜が付着しやすく、頻繁なメンテ
ナンスが必要となるという欠点があった。
【０００５】そこで、本発明の目的は、各プロセス室間
にゲートバルブを設けずにコンタミネーションを防止で
き、高品質な成膜処理ができる多層成膜装置を提供する
ことにある。また、他の目的は、搬送系に膜が付着する
のを防止でき、かつ連続的な搬送系を採用できる多層成
膜装置を提供することにある。
にゲートバルブを設けずにコンタミネーションを防止で
き、高品質な成膜処理ができる多層成膜装置を提供する
ことにある。また、他の目的は、搬送系に膜が付着する
のを防止でき、かつ連続的な搬送系を採用できる多層成
膜装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明は、基板または基板を保持し
た基板ホルダを取り入れ又は取り出すためのロードロッ
ク室と、ロードロック室と開閉可能なゲートバルブを介
して連結され、基板を保持した基板ホルダを所定方向に
搬送する搬送装置を設けた搬送室と、搬送室の外部に、
上記搬送装置の搬送方向に複数個並べて設けられ、基板
ホルダによって閉じられる開口部を有するプロセス室
と、搬送装置によって搬送された基板ホルダを移動さ
せ、基板ホルダによってプロセス室の開口部を閉じる開
閉装置と、を備えたことを特徴とする多層成膜装置を提
供する。
め、請求項１に記載の発明は、基板または基板を保持し
た基板ホルダを取り入れ又は取り出すためのロードロッ
ク室と、ロードロック室と開閉可能なゲートバルブを介
して連結され、基板を保持した基板ホルダを所定方向に
搬送する搬送装置を設けた搬送室と、搬送室の外部に、
上記搬送装置の搬送方向に複数個並べて設けられ、基板
ホルダによって閉じられる開口部を有するプロセス室
と、搬送装置によって搬送された基板ホルダを移動さ
せ、基板ホルダによってプロセス室の開口部を閉じる開
閉装置と、を備えたことを特徴とする多層成膜装置を提
供する。
【０００７】取り入れ用のロードロック室に基板を保持
した基板ホルダを取り入れ、ロードロック室を閉じ、次
にゲートバルブを開いて基板ホルダを搬送室に入れた
後、ゲートバルブを閉じる。搬送室に入った基板ホルダ
は搬送装置によって搬送室内を運ばれ、プロセス室の近
傍で停止する。ここで、開閉装置によって基板ホルダを
移動させ、プロセス室の開口部を基板ホルダによって閉
じる。つまり、基板ホルダがプロセス室の蓋の役割を持
つ。基板への所定の成膜処理を終了した後、開閉装置に
よって基板ホルダを移動させ、プロセス室から取り出
す。取り出された基板ホルダは、搬送装置によって次の
プロセス室の近傍へ運ばれ、停止する。以後、同様の動
作を繰り返すことで、基板に多層成膜される。多層成膜
された基板を保持した基板ホルダは、取り出し用のロー
ドロック室を介して外部へ取り出される。
した基板ホルダを取り入れ、ロードロック室を閉じ、次
にゲートバルブを開いて基板ホルダを搬送室に入れた
後、ゲートバルブを閉じる。搬送室に入った基板ホルダ
は搬送装置によって搬送室内を運ばれ、プロセス室の近
傍で停止する。ここで、開閉装置によって基板ホルダを
移動させ、プロセス室の開口部を基板ホルダによって閉
じる。つまり、基板ホルダがプロセス室の蓋の役割を持
つ。基板への所定の成膜処理を終了した後、開閉装置に
よって基板ホルダを移動させ、プロセス室から取り出
す。取り出された基板ホルダは、搬送装置によって次の
プロセス室の近傍へ運ばれ、停止する。以後、同様の動
作を繰り返すことで、基板に多層成膜される。多層成膜
された基板を保持した基板ホルダは、取り出し用のロー
ドロック室を介して外部へ取り出される。
【０００８】上記のように、本発明では成膜処理中、各
プロセス室が独立しているので、隣接するプロセス室の
雰囲気が混じり合うことがなく、コンタミネーションの
発生を防止できる。また、各プロセス室と搬送室とが分
離されているので、搬送装置に膜が付着せず、頻繁なメ
ンテナンスを省略できる。さらに、各プロセス室の間に
ゲートバルブを設ける必要がなく、基板ホルダがプロセ
ス室の蓋として兼用されるので、コストを低減できると
ともに、各プロセス室の間で搬送装置が分断されず、搬
送室の内部に連続した搬送装置を配置することができ
る。
プロセス室が独立しているので、隣接するプロセス室の
雰囲気が混じり合うことがなく、コンタミネーションの
発生を防止できる。また、各プロセス室と搬送室とが分
離されているので、搬送装置に膜が付着せず、頻繁なメ
ンテナンスを省略できる。さらに、各プロセス室の間に
ゲートバルブを設ける必要がなく、基板ホルダがプロセ
ス室の蓋として兼用されるので、コストを低減できると
ともに、各プロセス室の間で搬送装置が分断されず、搬
送室の内部に連続した搬送装置を配置することができ
る。
【０００９】複数のプロセス室は、請求項２のように成
膜プロセス室のみで構成されてもよいし、請求項３のよ
うに成膜プロセス室と成膜予備室とで構成してもよい。
この場合、成膜予備室としては、成膜のためのマスクを
取り付けたり、あるいはアニール（熱処理）などに用い
たりすることができる。成膜プロセス室を請求項４のよ
うにスパッタ室とした場合には、多層成膜をスパッタ処
理で行なうことができる。また、スパッタ装置以外に、
蒸着装置などの他の成膜装置であってもよい。
膜プロセス室のみで構成されてもよいし、請求項３のよ
うに成膜プロセス室と成膜予備室とで構成してもよい。
この場合、成膜予備室としては、成膜のためのマスクを
取り付けたり、あるいはアニール（熱処理）などに用い
たりすることができる。成膜プロセス室を請求項４のよ
うにスパッタ室とした場合には、多層成膜をスパッタ処
理で行なうことができる。また、スパッタ装置以外に、
蒸着装置などの他の成膜装置であってもよい。
【００１０】本発明の成膜装置は、請求項５のように、
搬送室の一端側に取り入れ用ロードロック室が設けら
れ、他端側に取り出し用ロードロック室が設けられ、搬
送装置が搬送室の一端側から他端側へ基板ホルダを直列
に搬送するインライン式成膜装置であってもよい。イン
ライン式成膜装置の場合、請求項６のように開閉装置が
搬送装置から基板ホルダを持ち上げ、基板ホルダで成膜
プロセス室の下端開口部を閉じるものが、機構上簡単で
あり、望ましい。
搬送室の一端側に取り入れ用ロードロック室が設けら
れ、他端側に取り出し用ロードロック室が設けられ、搬
送装置が搬送室の一端側から他端側へ基板ホルダを直列
に搬送するインライン式成膜装置であってもよい。イン
ライン式成膜装置の場合、請求項６のように開閉装置が
搬送装置から基板ホルダを持ち上げ、基板ホルダで成膜
プロセス室の下端開口部を閉じるものが、機構上簡単で
あり、望ましい。
【００１１】また、搬送装置が片面に複数の基板を支持
して搬送室の中を旋回するターンテーブルを備えたロー
タリ式成膜装置であってもよい。ロータリ式成膜装置の
場合、請求項７のように、搬送装置が、その上に複数の
基板を載置して搬送室の中を旋回するターンテーブルと
このターンテーブルを回転駆動する駆動手段とを備え、
上記ターンテーブルが基板ホルダを兼ねるようにすれ
ば、個々の基板ホルダが不要となり、構成が非常に簡単
となる。
して搬送室の中を旋回するターンテーブルを備えたロー
タリ式成膜装置であってもよい。ロータリ式成膜装置の
場合、請求項７のように、搬送装置が、その上に複数の
基板を載置して搬送室の中を旋回するターンテーブルと
このターンテーブルを回転駆動する駆動手段とを備え、
上記ターンテーブルが基板ホルダを兼ねるようにすれ
ば、個々の基板ホルダが不要となり、構成が非常に簡単
となる。
【００１２】
【発明の実施の形態】図２，図３は本発明にかかる多層
成膜装置の第１実施例を示し、インライン式成膜装置の
例を示す。１０は取り入れ用ロードロック室、１１は搬
送室、１２は取り出し用ロードロック室、１３，１４，
１５は成膜プロセス室である。この実施例では、プロセ
ス室１３〜１５はスパッタ室として構成されている。ロ
ードロック室１０，１２、搬送室１１、プロセス室１３
〜１５は共に高真空度（例えば１０-4〜１０-3Ｐａ程
度）に保たれるよう、各室には排気手段が接続されてい
る。なお、プロセス室１３〜１５内には例えばアルゴン
ガスなどの不活性ガスが導入され、例えば０．５〜２Ｐ
ａ程度の圧力に調整されている。
成膜装置の第１実施例を示し、インライン式成膜装置の
例を示す。１０は取り入れ用ロードロック室、１１は搬
送室、１２は取り出し用ロードロック室、１３，１４，
１５は成膜プロセス室である。この実施例では、プロセ
ス室１３〜１５はスパッタ室として構成されている。ロ
ードロック室１０，１２、搬送室１１、プロセス室１３
〜１５は共に高真空度（例えば１０-4〜１０-3Ｐａ程
度）に保たれるよう、各室には排気手段が接続されてい
る。なお、プロセス室１３〜１５内には例えばアルゴン
ガスなどの不活性ガスが導入され、例えば０．５〜２Ｐ
ａ程度の圧力に調整されている。
【００１３】上面に基板Ｓを保持した基板ホルダＨは、
入口ゲートバルブ１６を介して取り入れ用ロードロック
室１０に挿入される。ロードロック室１０はホルダＨを
支持して搬送室１１方向へ移送する移送手段１７を備え
ている。この移送手段１７としては、ベルトコンベア、
ラック・ピニオン機構、プッシャなどの公知の手段を用
いることができる。
入口ゲートバルブ１６を介して取り入れ用ロードロック
室１０に挿入される。ロードロック室１０はホルダＨを
支持して搬送室１１方向へ移送する移送手段１７を備え
ている。この移送手段１７としては、ベルトコンベア、
ラック・ピニオン機構、プッシャなどの公知の手段を用
いることができる。
【００１４】ロードロック室１０と搬送室１１とは開閉
可能な取り入れ側ゲートバルブ１８を介して連結されて
いる。搬送室１１内には、基板Ｓを保持した基板ホルダ
Ｈを取り入れ用ロードロック室１０側から取り出し用ロ
ードロック室１２側へ向かって直列に搬送する搬送装置
１９が配置されている。この実施例では、搬送装置１９
としてベルトコンベアを用いているが、ラック・ピニオ
ン送り方式、ねじ送り方式、チェーン送り方式など任意
の方式を採用できる。
可能な取り入れ側ゲートバルブ１８を介して連結されて
いる。搬送室１１内には、基板Ｓを保持した基板ホルダ
Ｈを取り入れ用ロードロック室１０側から取り出し用ロ
ードロック室１２側へ向かって直列に搬送する搬送装置
１９が配置されている。この実施例では、搬送装置１９
としてベルトコンベアを用いているが、ラック・ピニオ
ン送り方式、ねじ送り方式、チェーン送り方式など任意
の方式を採用できる。
【００１５】搬送室１１の天井部には、複数のプロセス
室１３〜１５が下端開口部１３ａを下方に向けて、かつ
搬送装置１９の搬送方向に並んだ状態で設置されてい
る。上記下端開口部１３ａは全ての基板ホルダＨによっ
て閉じられるよう共通形状を有している。プロセス室１
３〜１５の天井部には、図３に示すように背面に陰極電
極２０を接合したターゲット２１が絶縁材２２を介して
取り付けられている。陰極電極２０には高圧電源２３の
陰極が接続されている。プロセス室１３〜１５の側壁部
下面にはＯリング２４が取り付けられており、基板ホル
ダＨによってプロセス室１３〜１５の下端開口部１３ａ
を閉じた時、下端開口部１３ａを密閉できるようになっ
ている。
室１３〜１５が下端開口部１３ａを下方に向けて、かつ
搬送装置１９の搬送方向に並んだ状態で設置されてい
る。上記下端開口部１３ａは全ての基板ホルダＨによっ
て閉じられるよう共通形状を有している。プロセス室１
３〜１５の天井部には、図３に示すように背面に陰極電
極２０を接合したターゲット２１が絶縁材２２を介して
取り付けられている。陰極電極２０には高圧電源２３の
陰極が接続されている。プロセス室１３〜１５の側壁部
下面にはＯリング２４が取り付けられており、基板ホル
ダＨによってプロセス室１３〜１５の下端開口部１３ａ
を閉じた時、下端開口部１３ａを密閉できるようになっ
ている。
【００１６】搬送室１１内であって、かつ各プロセス室
１３〜１５の下方には、流体圧シリンダなどの昇降装置
（開閉装置）２５〜２７が配置されている。これら昇降
装置２５〜２７は、図３に示すように搬送装置１９を構
成する一対のベルト１９ａの中間位置に配置されたピス
トン２５ａ〜２７ａを具備している。なお、１９ｂはベ
ルト１９ａを支えるアイドルプーリである。ピストン２
５ａ〜２７ａを上昇させることにより、ベルト１９ａ上
の基板ホルダＨの下面中央部を持ち上げ、プロセス室１
３〜１５の下端開口部１３ａを閉じる位置まで上昇させ
る（図３に二点鎖線で示す）。
１３〜１５の下方には、流体圧シリンダなどの昇降装置
（開閉装置）２５〜２７が配置されている。これら昇降
装置２５〜２７は、図３に示すように搬送装置１９を構
成する一対のベルト１９ａの中間位置に配置されたピス
トン２５ａ〜２７ａを具備している。なお、１９ｂはベ
ルト１９ａを支えるアイドルプーリである。ピストン２
５ａ〜２７ａを上昇させることにより、ベルト１９ａ上
の基板ホルダＨの下面中央部を持ち上げ、プロセス室１
３〜１５の下端開口部１３ａを閉じる位置まで上昇させ
る（図３に二点鎖線で示す）。
【００１７】各プロセス室１３〜１５によって多層成膜
された基板Ｓを保持した基板ホルダＨは、搬送装置１９
によって搬送室１１の終端部まで搬送され、ここでゲー
トバルブ２８を開くことにより、取り出し用ロードロッ
ク室１２へ取り出される。取り出し用ロードロック室１
２も取り入れ用ロードロック室１０と同様の構造を有し
ており、ホルダＨを支持して出口方向へ移送する移送装
置２９と、出口ゲートバルブ３０とを備えている。
された基板Ｓを保持した基板ホルダＨは、搬送装置１９
によって搬送室１１の終端部まで搬送され、ここでゲー
トバルブ２８を開くことにより、取り出し用ロードロッ
ク室１２へ取り出される。取り出し用ロードロック室１
２も取り入れ用ロードロック室１０と同様の構造を有し
ており、ホルダＨを支持して出口方向へ移送する移送装
置２９と、出口ゲートバルブ３０とを備えている。
【００１８】ここで、上記構成よりなる多層成膜装置の
動作を説明する。まず、ゲートバルブ１８を閉じた状態
で、ロードロック室１０の入口ゲートバルブ１６を開
き、基板Ｓを保持した基板ホルダＨを１枚だけ挿入す
る。次に入口ゲートバルブ１６を閉じ、ロードロック室
１０を所定の真空度に減圧した後、ゲートバルブ１８を
開き、基板ホルダＨを搬送室１１へ搬入する。ゲートバ
ルブ１８を閉じた後、基板ホルダＨは搬送装置１９によ
って１番目のプロセス室１３の下方まで運ばれ、ここで
昇降装置２５によって搬送装置１９から持ち上げられ、
プロセス室１３の下端開口部１３ａを閉じる。プロセス
室１３の下端開口部１３ａを閉じた後、基板Ｓに対して
成膜処理を行なう。成膜処理の終了後、昇降装置２５が
基板ホルダＨを降下させて下端開口部１３ａを開くとと
もに、基板ホルダＨを搬送装置１９の上に載置する。こ
こで、搬送装置１９は基板ホルダＨを２番目のプロセス
室１４の下方まで運び、上記と同様の動作を行なう。
動作を説明する。まず、ゲートバルブ１８を閉じた状態
で、ロードロック室１０の入口ゲートバルブ１６を開
き、基板Ｓを保持した基板ホルダＨを１枚だけ挿入す
る。次に入口ゲートバルブ１６を閉じ、ロードロック室
１０を所定の真空度に減圧した後、ゲートバルブ１８を
開き、基板ホルダＨを搬送室１１へ搬入する。ゲートバ
ルブ１８を閉じた後、基板ホルダＨは搬送装置１９によ
って１番目のプロセス室１３の下方まで運ばれ、ここで
昇降装置２５によって搬送装置１９から持ち上げられ、
プロセス室１３の下端開口部１３ａを閉じる。プロセス
室１３の下端開口部１３ａを閉じた後、基板Ｓに対して
成膜処理を行なう。成膜処理の終了後、昇降装置２５が
基板ホルダＨを降下させて下端開口部１３ａを開くとと
もに、基板ホルダＨを搬送装置１９の上に載置する。こ
こで、搬送装置１９は基板ホルダＨを２番目のプロセス
室１４の下方まで運び、上記と同様の動作を行なう。
【００１９】３番目のプロセス室１５で成膜処理が終了
した基板ホルダＨは、搬送装置１９によって取り出し側
ゲートバルブ２８前まで運ばれる。ここでゲートバルブ
２８が開かれ、基板ホルダＨは取り出し用ロードロック
室１２へ取り出される。ロードロック室１２へ基板ホル
ダＨを取り出した後、ゲートバルブ２８を閉じ、ロード
ロック室１２を大気圧まで昇圧した後、出口ゲートバル
ブ３０を開いて基板ホルダＨを取り出す。なお、取り入
れ側ゲートバルブ１８と取り出し側ゲートバルブ２８は
同期して開閉され、搬送室１１への新たな基板ホルダＨ
の搬入と、搬送室１１からの処理済みの基板ホルダＨの
搬出が同期して行なわれる。
した基板ホルダＨは、搬送装置１９によって取り出し側
ゲートバルブ２８前まで運ばれる。ここでゲートバルブ
２８が開かれ、基板ホルダＨは取り出し用ロードロック
室１２へ取り出される。ロードロック室１２へ基板ホル
ダＨを取り出した後、ゲートバルブ２８を閉じ、ロード
ロック室１２を大気圧まで昇圧した後、出口ゲートバル
ブ３０を開いて基板ホルダＨを取り出す。なお、取り入
れ側ゲートバルブ１８と取り出し側ゲートバルブ２８は
同期して開閉され、搬送室１１への新たな基板ホルダＨ
の搬入と、搬送室１１からの処理済みの基板ホルダＨの
搬出が同期して行なわれる。
【００２０】上記のようにして基板Ｓは多層成膜処理が
行なわれている間中、基板ホルダＨで保持されているの
で、基板Ｓに傷が付いたり、不純物が付着するのを防止
できる。また、成膜処理の間、各プロセス室１３〜１５
は基板ホルダＨによって閉じられているので、完全に独
立した処理空間を確保でき、コンタミネーションの発生
を防止できる。また、プロセス室１３〜１５と搬送室１
１との間も遮蔽されるので、搬送装置１９に膜が付着す
るのが防止され、メンテナンス回数を削減できる。さら
に、搬送室１１内に連続的に搬送装置１９を設けること
ができるので、搬送方法に制約がなく、ベルトコンベア
などの簡易な搬送装置を用いることができる。
行なわれている間中、基板ホルダＨで保持されているの
で、基板Ｓに傷が付いたり、不純物が付着するのを防止
できる。また、成膜処理の間、各プロセス室１３〜１５
は基板ホルダＨによって閉じられているので、完全に独
立した処理空間を確保でき、コンタミネーションの発生
を防止できる。また、プロセス室１３〜１５と搬送室１
１との間も遮蔽されるので、搬送装置１９に膜が付着す
るのが防止され、メンテナンス回数を削減できる。さら
に、搬送室１１内に連続的に搬送装置１９を設けること
ができるので、搬送方法に制約がなく、ベルトコンベア
などの簡易な搬送装置を用いることができる。
【００２１】図４〜図６は本発明にかかる多層成膜装置
の第２実施例を示し、ロータリ式成膜装置の例を示す。
この多層成膜装置は、円筒状の搬送室４０を備えてお
り、この搬送室４０の外周部に取り入れ用および取り出
し用を兼ねるロードロック室４１が設けられている。ロ
ードロック室４１には、外部との間を仕切る入口／出口
ゲートバルブ４２と、搬送室４０との間を仕切る取り入
れ／取り出し用ゲートバルブ４３とが設けられている。
ロードロック室４１の構成は、図２の実施例と同様であ
るため、詳しい説明は省略する。
の第２実施例を示し、ロータリ式成膜装置の例を示す。
この多層成膜装置は、円筒状の搬送室４０を備えてお
り、この搬送室４０の外周部に取り入れ用および取り出
し用を兼ねるロードロック室４１が設けられている。ロ
ードロック室４１には、外部との間を仕切る入口／出口
ゲートバルブ４２と、搬送室４０との間を仕切る取り入
れ／取り出し用ゲートバルブ４３とが設けられている。
ロードロック室４１の構成は、図２の実施例と同様であ
るため、詳しい説明は省略する。
【００２２】搬送室４０の内部には円板状のターンテー
ブル４４が設けられ、このターンテーブル４４を回転駆
動するモータ４５がターンテーブル４４の下側に配置さ
れている（図５参照）。モータ４５は支持板４６の上に
載置されており、支持板４６は昇降シリンダ４７によっ
て上下に昇降される。ターンテーブル４４は基板ホルダ
を兼ねており、その上にはロードロック室４１から送り
込まれた基板Ｓが周方向に一定間隔で載置される。
ブル４４が設けられ、このターンテーブル４４を回転駆
動するモータ４５がターンテーブル４４の下側に配置さ
れている（図５参照）。モータ４５は支持板４６の上に
載置されており、支持板４６は昇降シリンダ４７によっ
て上下に昇降される。ターンテーブル４４は基板ホルダ
を兼ねており、その上にはロードロック室４１から送り
込まれた基板Ｓが周方向に一定間隔で載置される。
【００２３】搬送室４０の天井部には、円周方向に複数
のプロセス室４８〜５０が下端開口部４８ａを下方に向
けて設置されている。上記下端開口部４８ａの下面に
は、ターンテーブル４４によって密閉できるようＯリン
グ５１が装着されている。上記プロセス室４８〜５０と
ロードロック室４１は、搬送室４０の円周方向に同一角
度間隔（等ピッチ）で設置されている。
のプロセス室４８〜５０が下端開口部４８ａを下方に向
けて設置されている。上記下端開口部４８ａの下面に
は、ターンテーブル４４によって密閉できるようＯリン
グ５１が装着されている。上記プロセス室４８〜５０と
ロードロック室４１は、搬送室４０の円周方向に同一角
度間隔（等ピッチ）で設置されている。
【００２４】上記構成の多層成膜装置の動作を説明す
る。ロードロック室４１の入口／出口ゲートバルブ４２
と取り入れ／取り出し用ゲートバルブ４３とを交互に開
き、基板Ｓをロードロック室４１を介して搬送室４０に
１枚ずつ搬入する。搬送室４０に搬入された基板Ｓは、
ターンテーブル４４上に載置されて１ピッチ分だけ回転
し、最初のプロセス室４８の下方まで運ばれる。ここで
昇降シリンダ４７によってターンテーブル４４とモータ
４５とが一体に持ち上げられ、ターンテーブル４４によ
って全てのプロセス室４８〜５０の下端開口部４８ａを
閉じる。プロセス室４８〜５０の下端開口部４８ａを閉
じた後、基板Ｓに対して成膜処理を行なう。成膜処理の
終了後、昇降シリンダ４７がターンテーブル４４を降下
させて下端開口部４８ａを開くとともに、ターンテーブ
ル４４を１ピッチ分だけ回転させ、基板Ｓを次のプロセ
ス室の下方に運ぶ。以後、同様の動作を行なう。
る。ロードロック室４１の入口／出口ゲートバルブ４２
と取り入れ／取り出し用ゲートバルブ４３とを交互に開
き、基板Ｓをロードロック室４１を介して搬送室４０に
１枚ずつ搬入する。搬送室４０に搬入された基板Ｓは、
ターンテーブル４４上に載置されて１ピッチ分だけ回転
し、最初のプロセス室４８の下方まで運ばれる。ここで
昇降シリンダ４７によってターンテーブル４４とモータ
４５とが一体に持ち上げられ、ターンテーブル４４によ
って全てのプロセス室４８〜５０の下端開口部４８ａを
閉じる。プロセス室４８〜５０の下端開口部４８ａを閉
じた後、基板Ｓに対して成膜処理を行なう。成膜処理の
終了後、昇降シリンダ４７がターンテーブル４４を降下
させて下端開口部４８ａを開くとともに、ターンテーブ
ル４４を１ピッチ分だけ回転させ、基板Ｓを次のプロセ
ス室の下方に運ぶ。以後、同様の動作を行なう。
【００２５】最後のプロセス室５０で成膜処理が終了し
た基板Ｓは、ターンテーブル４４に載ってロードロック
室４１の前まで運ばれ、ロードロック室４１へ取り出さ
れる。そして、ゲートバルブ４２を介して外部へ取り出
される。なお、ロードロック室４１には、処理済みの基
板Ｓを保持する手段、未処理の基板Ｓを保持する手段、
取り入れ／取り出し装置などが設けられ、ターンテーブ
ル４４が停止している間に、処理済みの基板Ｓを搬送室
４０から取り出し、未処理の基板Ｓを搬送室４０へ取り
入れるようになっている。
た基板Ｓは、ターンテーブル４４に載ってロードロック
室４１の前まで運ばれ、ロードロック室４１へ取り出さ
れる。そして、ゲートバルブ４２を介して外部へ取り出
される。なお、ロードロック室４１には、処理済みの基
板Ｓを保持する手段、未処理の基板Ｓを保持する手段、
取り入れ／取り出し装置などが設けられ、ターンテーブ
ル４４が停止している間に、処理済みの基板Ｓを搬送室
４０から取り出し、未処理の基板Ｓを搬送室４０へ取り
入れるようになっている。
【００２６】本発明は上記実施例に限定されるものでは
ない。例えば、図４の実施例では、ターンテーブル４４
が基板ホルダを兼ねるようにしたが、ターンテーブル４
４の上に基板ホルダ（基板を含む）を別に載置するよう
にしてもよい。この場合、例えばターンテーブル４４に
複数の穴を設け、穴の上に基板ホルダを載置し、穴を介
して昇降装置のピストンで基板ホルダを持ち上げるよう
にすれば、ターンテーブル４４を昇降させる必要がな
い。図４の実施例では、ロードロック室４１が取り入れ
用および取り出し用を兼ねるようにしたが、取り入れ用
および取り出し用のロードロック室を個別に設けてもよ
い。さらに、上記実施例ではプロセス室がスパッタ室の
例を示したが、スパッタ以外の成膜装置に適用できるこ
とは勿論である。
ない。例えば、図４の実施例では、ターンテーブル４４
が基板ホルダを兼ねるようにしたが、ターンテーブル４
４の上に基板ホルダ（基板を含む）を別に載置するよう
にしてもよい。この場合、例えばターンテーブル４４に
複数の穴を設け、穴の上に基板ホルダを載置し、穴を介
して昇降装置のピストンで基板ホルダを持ち上げるよう
にすれば、ターンテーブル４４を昇降させる必要がな
い。図４の実施例では、ロードロック室４１が取り入れ
用および取り出し用を兼ねるようにしたが、取り入れ用
および取り出し用のロードロック室を個別に設けてもよ
い。さらに、上記実施例ではプロセス室がスパッタ室の
例を示したが、スパッタ以外の成膜装置に適用できるこ
とは勿論である。
【００２７】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
多層成膜装置は、基板ホルダがプロセス室の開口部を閉
じる蓋としての役割を有するので、各プロセス室を閉じ
るためのゲートバルブなどを別に設ける必要がなく、構
成が簡素となる。成膜処理中、各プロセス室は基板ホル
ダによって閉鎖され、独立した室を構成するので、隣接
するプロセス室の雰囲気が混じり合うことがなく、コン
タミネーションの発生を防止できる。そのため、高品質
の成膜処理を行なうことができる。また、プロセス室と
搬送室とが分離されているので、搬送装置に膜が付着せ
ず、頻繁なメンテナンスを省略できる。各プロセス室の
間で搬送装置が分断されず、搬送室の内部に連続した搬
送装置を配置することができるので、搬送系が簡素とな
る。また、基板は基板ホルダに保持された状態で複数の
プロセス室の間を搬送されるので、基板が保護され、傷
や不純物が付着しにくい。
多層成膜装置は、基板ホルダがプロセス室の開口部を閉
じる蓋としての役割を有するので、各プロセス室を閉じ
るためのゲートバルブなどを別に設ける必要がなく、構
成が簡素となる。成膜処理中、各プロセス室は基板ホル
ダによって閉鎖され、独立した室を構成するので、隣接
するプロセス室の雰囲気が混じり合うことがなく、コン
タミネーションの発生を防止できる。そのため、高品質
の成膜処理を行なうことができる。また、プロセス室と
搬送室とが分離されているので、搬送装置に膜が付着せ
ず、頻繁なメンテナンスを省略できる。各プロセス室の
間で搬送装置が分断されず、搬送室の内部に連続した搬
送装置を配置することができるので、搬送系が簡素とな
る。また、基板は基板ホルダに保持された状態で複数の
プロセス室の間を搬送されるので、基板が保護され、傷
や不純物が付着しにくい。
【図１】従来例の多層成膜装置の概略構造図である。
【図２】本発明にかかる多層成膜装置の第１実施例の概
略構造図である。
略構造図である。
【図３】図２の多層成膜装置のIII −III 線拡大断面図
である。
である。
【図４】本発明にかかる多層成膜装置の第２実施例の斜
視図である。
視図である。
【図５】図４の多層成膜装置の昇降装置の拡大図であ
る。
る。
【図６】図４の多層成膜装置のプロセス室の拡大断面図
である。
である。
１０ 取り入れ用ロードロック室 １１ 搬送室 １２ 取り出し用ロードロック室 １３〜１５ プロセス室 １９ 搬送装置 １６，１８，２８，３０ ゲートバルブ ２５〜２７ 昇降装置 Ｈ 基板ホルダ Ｓ 基板
Claims (7)
- 【請求項１】基板または基板を保持した基板ホルダを取
り入れ又は取り出すためのロードロック室と、ロードロ
ック室と開閉可能なゲートバルブを介して連結され、基
板を保持した基板ホルダを所定方向に搬送する搬送装置
を設けた搬送室と、搬送室の外部に、上記搬送装置の搬
送方向に複数個並べて設けられ、基板ホルダによって閉
じられる開口部を有するプロセス室と、搬送装置によっ
て搬送された基板ホルダを移動させ、基板ホルダによっ
てプロセス室の開口部を閉じる開閉装置と、を備えたこ
とを特徴とする多層成膜装置。 - 【請求項２】上記プロセス室は成膜プロセス室であるこ
とを特徴とする請求項１に記載の多層成膜装置。 - 【請求項３】上記プロセス室は成膜プロセス室と成膜予
備室とからなることを特徴とする請求項１に記載の多層
成膜装置。 - 【請求項４】上記成膜プロセス室はスパッタ室であるこ
とを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の多
層成膜装置。 - 【請求項５】上記搬送室の一端側に取り入れ用ロードロ
ック室が設けられ、他端側に取り出し用ロードロック室
が設けられ、搬送装置は、搬送室の一端側から他端側へ
基板ホルダを直列に搬送することを特徴とする請求項１
ないし４のいずれかに記載の多層成膜装置。 - 【請求項６】上記開閉装置は、搬送装置から基板ホルダ
を持ち上げ、基板ホルダで成膜プロセス室の下端開口部
を閉じることを特徴とする請求項５に記載の多層成膜装
置。 - 【請求項７】上記搬送装置は、片面に複数の基板を支持
して搬送室の中を旋回するターンテーブルとこのターン
テーブルを回転駆動する駆動手段とを備え、上記ターン
テーブルは基板ホルダを兼ねることを特徴とする請求項
１ないし４のいずれかに記載の多層成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9428198A JPH11293459A (ja) | 1998-04-07 | 1998-04-07 | 多層成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9428198A JPH11293459A (ja) | 1998-04-07 | 1998-04-07 | 多層成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11293459A true JPH11293459A (ja) | 1999-10-26 |
Family
ID=14105884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9428198A Pending JPH11293459A (ja) | 1998-04-07 | 1998-04-07 | 多層成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11293459A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004040089A (ja) * | 2002-05-21 | 2004-02-05 | Otb Group Bv | 基板処理装置 |
| JP2008520837A (ja) * | 2004-11-18 | 2008-06-19 | インテバック・インコーポレイテッド | ウエハファブ |
| WO2009084437A1 (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Tokyo Electron Limited | 真空処理装置、真空処理方法、およびコンピュータ可読記憶媒体 |
| WO2011065478A1 (ja) * | 2009-11-26 | 2011-06-03 | 株式会社ニコン | 基板処理装置及び表示素子の製造方法 |
| US8206551B2 (en) | 2004-11-18 | 2012-06-26 | Intevac, Inc. | Processing thin wafers |
| JP2013014795A (ja) * | 2011-06-30 | 2013-01-24 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置とリチウムイオン二次電池の製造方法 |
| KR101243949B1 (ko) * | 2011-05-04 | 2013-03-13 | 주식회사 테라세미콘 | 인라인 열처리 장치 |
| JP2013108159A (ja) * | 2011-11-24 | 2013-06-06 | Showa Shinku:Kk | 蒸着装置 |
| KR101411421B1 (ko) * | 2007-09-21 | 2014-07-01 | 호재혁 | 반입/반출챔버, 이송챔버, 이를 포함하는 진공처리시스템 |
| JP2015002292A (ja) * | 2013-06-17 | 2015-01-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 化合物半導体膜成膜用基板の移載装置および移載方法、ならびに化合物半導体膜の成膜システムおよび成膜方法 |
| WO2016013401A1 (ja) * | 2014-07-22 | 2016-01-28 | 住友化学株式会社 | 半導体製造装置及び半導体の製造方法 |
| WO2019201709A1 (en) * | 2018-04-20 | 2019-10-24 | Agc Glass Europe | Precision positioning device |
-
1998
- 1998-04-07 JP JP9428198A patent/JPH11293459A/ja active Pending
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4578784B2 (ja) * | 2002-05-21 | 2010-11-10 | オーテーベー、ソーラー、ベスローテン、フェンノートシャップ | 基板処理装置 |
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| US8354001B2 (en) | 2004-11-18 | 2013-01-15 | Intevac, Inc. | Processing thin wafers |
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| WO2009084437A1 (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Tokyo Electron Limited | 真空処理装置、真空処理方法、およびコンピュータ可読記憶媒体 |
| KR101172701B1 (ko) | 2007-12-28 | 2012-08-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 진공 처리 장치, 진공 처리 방법 및, 컴퓨터 가독 기억 매체 |
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| CN102666323A (zh) * | 2009-11-26 | 2012-09-12 | 株式会社尼康 | 基板处理装置以及显示元件的制造方法 |
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| JP5887935B2 (ja) * | 2009-11-26 | 2016-03-16 | 株式会社ニコン | 基板処理装置、表示素子の製造方法および基板処理方法 |
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