TWI498992B - 成膜裝置 - Google Patents

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Tetsuhiro Ohno
Hiroki Oozora
Shigemitsu Sato
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Description

成膜裝置
本發明係關於一種線內式之成膜裝置，尤其係關於一種改良基板之搬送系統、實現省空間化並且提高生產效率之成膜裝置。
本申請案係於2011年4月11日基於在日本申請之日本專利特願2011-087583號而主張優先權，其內容引用於此。
例如為了加工用於電漿顯示器或液晶顯示器之大型玻璃基板，必需於真空條件下以升溫至所期望之溫度之加熱步驟、或濺鍍、CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)、或者蝕刻等加工方法成膜複數層之各種成膜步驟。
先前以來，各種成膜裝置供於實際應用。以水平狀態將基板成膜之成膜裝置中，具有若基板大型化，則伴隨此裝置亦大型化之問題。因此，近年來，開發有一種使基板大致直立而進行成膜等之縱型方式之成膜裝置。
圖5係表示先前之成膜裝置之基本構成之圖。
先前之成膜裝置100包含：基板裝卸室120、連結於1條線路(路線)上之第一至第三之3個真空處理室(係指加熱室及成膜室)200、220、240、及於大氣側與真空處理室200、220、240間搬送基板托盤之L/UL(Load/Unload，裝載/卸載)室140。
又，於L/UL室140內及各真空處理室200、220、240內，設置有第一搬送路徑(去路)160與第二搬送路徑180(返路)之兩個搬送路徑160、180。第一搬送路徑160成為基板托盤自L/UL室140向各真空處理室200、220、240搬送之去路。第二搬送路徑180成為基板托盤自各真空處理室200、220、240經由加熱室而向L/UL室140搬送之返路。
進而，成膜裝置100之最後側部之第三真空處理室240包含移載機構(未圖示)，該移載機構使基板托盤自第一搬送路徑(去路)160向第二搬送路徑(返路)180相對於兩個搬送路徑160、180於橫方向上移動而移載。該移載機構包含將第一搬送路徑160上之基板托盤暫時提昇而移載至第二搬送路徑180之機構。
再者，於L/UL室140安裝有真空排氣裝置300。於加熱室安裝有加熱裝置及真空排氣裝置300。於各真空處理室200、220、240分別安裝有濺鍍裝置等之成膜單元210、230、250及真空排氣裝置300。
對此種先前之成膜裝置100之基本動作進行說明。
於基板裝卸室120，若由基板托盤載置基板，則將該基板托盤搬送至L/UL室140，該L/UL室140經真空排氣、高真空化之後，搬送至真空處理室200內準備之成為去路之第一搬送路徑160。
基板托盤(基板載體)一邊於第一搬送路徑160上搬送，一邊於真空處理室200、220、240中對所載置之基板進行加熱及成膜等真空處理。
於真空處理室240中對基板進行真空處理之後，基板托盤藉由未圖示之移載機構而移載至成為返路之第二搬送路徑18，於真空處理室200、220、240中分別完成成膜等真空處理。基板托盤以載置經真空處理之基板之狀態經由L/UL室140而於基板裝卸室120中拆卸基板。
然而，一般而言，L/UL室中，除基板載體之搬送以外，還進行真空排氣與大氣壓開放。因此，真空處理裝置之產距更受到該L/UL室之排氣、排放時間之影響。
然而，先前之成膜裝置中，於L/UL室之基板更換口僅配置單個基板托盤。因此，於基板裝卸部中，基板托盤進行未處理基板之載置或者處理基板之拆卸時，存在如下問題：L/UL室中無法進行基板之裝載或卸載之滯留時間變長，間歇中產生不良影響而導致基板之真空處理效率降低。
又，線內式之成膜裝置中，保持基板之基板托盤於連設之真空室內以一行搬送。因此，為了藉由先前例之裝置使生產量即真空處理量增大，而必需提高基板托盤之搬送速度、或者增設裝置。然而，通常基板托盤以可能之範圍之高速度被搬送，因此難以進一步提高搬送速度。因此，剩餘之方法為裝置之增設，裝置之增設存在除了成比例地增大裝置成本以外，裝置之佔有面積亦相應地增大之問題。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2005-340425號公報
本發明係鑒於此種先前之情況而完成者，其目的在於提供一種實現省空間化、並且改良基板之搬送系統且提高生產率之成膜裝置。
本發明之第1態樣之成膜裝置亦可包含：L/UL室；H室，其與上述L/UL室連通；SP室，其與上述H室連通，且劃分成獨立之第一空間與第二空間；成膜單元，其分別配置於上述第一空間及上述第二空間；真空排氣裝置，其獨立地設置於上述L/UL室、上述H室、上述第一空間及上述第二空間，且用以分別對該等之內部進行真空排氣；4條線路，其等貫通上述L/UL室及上述H室，包含配置於上述第一空間及上述第二空間之各個去路與返路；搬送裝置，其將被處理體沿著上述去路自上述L/UL室通過上述H室而分別運送至上述第一空間及上述第二空間之內部，及沿著上述返路自上述第一空間及上述第二空間之內部通過上述H室向上述L/UL室運送上述被處理體；及移動機構，其於上述第一空間及上述第二空間之內部使上述搬送裝置自上述去路向上述返路移動。
本發明之第2態樣之成膜裝置亦可為於上述第1態樣中，上述L/UL室經由兩個門閥而與RT機構連接；上述RT機構包含第1RT機構、第2RT機構及第3RT機構；於上述第3RT機構與上述第1RT機構之間，處理向上述第一空間搬送之被處理體；於上述第3RT機構與上述第2RT機構之間，處理向上述第二空間搬送之被處理體。
本發明之第3態樣之成膜裝置亦可為於上述第1或第2態樣中，上述搬送裝置對上述被處理體進行縱型搬送。
本發明之第4態樣之成膜裝置亦可為於上述第1至第3態樣之任一者中，上述成膜單元為濺鍍用之陰極。
本發明之第5態樣之成膜裝置亦可為於上述第1至第3態樣之任一者中，上述成膜單元為CVD用之平行平板型之電極。
本發明之第6態樣之成膜裝置亦可為於上述第1至第5態樣之任一者中，上述搬送裝置中，於其下部包含圓柱狀之滑動軸；上述線路為包含導引上述搬送裝置之U字狀之槽的複數個輥；上述滑動軸或輥之一者之至少接觸部包含含有矽、鋁、氧及氮之塊體；上述滑動軸或輥之另一者之至少接觸部包含不鏽鋼。
根據本發明一態樣，可提供一種實現省空間化、並且改良基板之搬送系統、提高生產率之成膜裝置。
以下，對本發明之實施形態之成膜裝置進行說明。
圖1係示意性地表示本發明之成膜裝置之一構成例之剖面圖，係自上方觀察成膜裝置之圖。圖1中，圖紙深度方向為重力方向。圖1所示之成膜裝置中，裝設基板(被處理體)之托盤以立起之狀態(使基板之被處理面與重力方向平行之狀態)搬送。因此，圖1之成膜裝置1為縱型搬送方式之裝置。
如圖1所示，本發明之實施形態之成膜裝置1係依序配置有L/UL室(Load/Unload，裝載/卸載室)10、H室(加熱室)20、SP室(使用濺鍍法(sputter)之成膜室)30而成。又，於L/UL室10之近前配置有POS機構(裝設於托盤/自托盤裝卸之基板(被處理體)之裝卸室)40與RT機構(包含旋轉馬達之托盤之移動機構)50。
各室間經由並列配置之兩個門閥而連通。於RT機構50與L/UL室10之間設置有兩個門閥61。同樣地，於L/UL室10與加熱室20之間設置有兩個門閥62。於加熱室20與成膜室30之間設置有兩個門閥63。
成膜室30劃分成獨立之第一空間30A與第二空間30B。並且，分別獨立設置用以對L/UL室10、加熱室20及成膜室30之上述第一空間30A及第二空間30B之內部分別進行真空排氣之真空排氣裝置12、22、32(32A、32B)。即，於構成成膜室30之獨立之第一空間30A與第二空間30B個別地設置可對各者之空間內專屬地排氣之真空排氣裝置32A、32B。
L/UL室10以向大氣壓開放之狀態而與RT機構50之間進行托盤70之裝載(搬入)與卸載(搬出)。於L/UL室10設置有用以對其內部進行真空排氣之真空排氣裝置12。L/UL室10中，於其中央部配置有隔離壁11。藉此，L/UL室10之室內被劃分成第一空間10A與第二空間10B。第一空間10A處理向成膜室30之第一空間30A搬送之基板(被處理體)2。第二空間10B處理向成膜室30之第二空間30B搬送之基板(被處理體)2。
圖1表示第一空間10A與第二空間10B未藉由隔離壁11完全隔離成為相互獨立之空間、而相互一部分連通的構成例。然而，圖中雖未表示，但第一空間10A與第二空間10B並非必需為相互連通之空間，亦能以第一空間10A與第二空間10B成為相互獨立之空間之方式設置隔離壁11。於第一空間10A與第二空間10B連通之構成之情形時，真空排氣裝置最少只要一個即可，因此可構築低成本之系統。
於使用將第一空間10A與第二空間10B設為獨立之空間之構成來代替上述構成之情形時，亦可於第一空間10A與第二空間10B個別地設置真空排氣裝置。然而，藉由包含根據處理間歇時間切換第一空間10A與第二空間10B之各排氣時間帶之機構而亦可將真空排氣裝置設為1個。進而，具有可個別地進行真空處理與保養等作業之優點，因此亦可為設為相互獨立之空間之構成。
L/UL室10經由兩個門閥61而與配置於上述L/UL室10之近前(前段)之RT機構50及POS機構40連接。
門閥61之一者用於將經由第一POS機構40A及第一RT機構51A之托盤70A(70)向L/UL室10搬入搬出之情形。門閥61之另一者用於將經由第二POS機構40B及第二RT機構51B之托盤70B(70)向L/UL室10搬入搬出之情形。
POS機構40包含第一POS機構40A與第二POS機構40B，將自外部運送而來之基板(被處理體)2安裝於托盤70，並且將完成處理之基板2自托盤70卸除而向外部運出。
上述RT機構50包含第一RT機構51A、第二RT機構51B及第三RT機構51C，將於POS機構40中安裝於托盤70之基板2搬送至L/UL室10，並且將於L/UL室10中卸載之完成處理之托盤70向POS機構40搬送。
第一POS機構40A及第一RT機構51A處理向L/UL室10之第一空間10A搬送之基板2。第二POS機構40B、及第二RT機構51B處理向L/UL室10之第二空間10B搬送之基板2。
L/UL室10中，自RT機構50搬送托盤70時向大氣壓開放，搬送後門閥61關閉，藉由真空排氣裝置12排氣，成為真空狀態之後，打開配置於與加熱室20之間之門閥62而搬送托盤70。向加熱室20搬送托盤70之後，與相鄰之加熱室20之門閥62被關閉，再次恢復為大氣壓，進行下一托盤70之搬送。此時，L/UL室10在與加熱室20之門閥62被關閉之後，向大氣壓開放。因此，加熱室20之內部空間一直保持高真空狀態。
於加熱室(H室)20設置有加熱裝置23，並升溫至適合使基板2成膜之溫度。於加熱室20中設置有用以對其內部進行真空排氣之真空排氣裝置22。加熱室20亦同樣地，於其中央部配置有具備反射器(反射板之)功能之隔離壁21，加熱室內劃分成第一空間20A與第二空間20B。第一空間20A處理向成膜室30之第一空間30A搬送之基板(被處理體)2，第二空間20B處理向成膜室30之第二空間30B搬送之基板(被處理體)2。
於圖1中，表示第一空間20A與第二空間20B並未藉由隔離壁21完全隔離而成為相互獨立之空間，(圖中雖未表示，於隔離壁21之上部或下部中)相互一部分連通之構成例。然而，圖中雖未表示，第一空間20A與第二空間20B並非必需為相互連通之空間，亦能以第一空間20A與第二空間20B成為相互獨立之空間之方式設置隔離壁21。於第一空間20A與第二空間20B連通之構成之情形時，真空排氣裝置最少只要一個即可，因此可構築低成本之系統。相對於此，於為設為獨立之空間之構成之情形時，對各個空間分別進行真空排氣之真空排氣裝置必需個別地設置最少一個，因具有可個別地真空處理與保養等作業，故而亦可為設為相互獨立之空間的構成。
成膜室(SP室)30經由兩個門閥63而與加熱室(H室)20連接。
門閥63之一者將搭載有於加熱室(H室)20中進行熱處理之基板(被處理體)2之托盤70A(70)向成膜室30之第一空間30A搬入，或者自成膜室30之第一空間30A將成膜後之托盤70A(70)向加熱室(H室)20搬出之情形。同樣地，門閥63之另一者用於將搭載有於加熱室(H室)20中進行熱處理之基板(被處理體)2的托盤70B(70)向成膜室30之第二空間30B搬入，或者自成膜室30之第二空間30B將成膜後之托盤70B(70)向加熱室(H室)20搬出之情形。
成膜室(SP室)30中，藉由成膜單元33對基板2進行成膜處理。
尤其本發明之實施形態之成膜裝置1中，成膜室30劃分成獨立之第一空間30A與第二空間30B，為了對各自之內部進行真空排氣，真空排氣裝置32及成膜單元33針對各空間之每一個進行配置。即，真空排氣裝置32A與成膜單元33A用於第一空間30A，真空排氣裝置32B與成膜單元33B用於第二空間30B。
本發明之實施形態之成膜裝置中，於獨立之第一空間30A與第二空間30B可分別進行成膜處理。因此，可對2片基板(被處理體)同時(同一時間)進行成膜處理，從而實現生產率之提高。又，因將成膜室30劃分成獨立之兩個空間，故而亦可無需增設裝置而實現裝置之低成本化、省空間化。進而，因第一空間30A與第二空間30B設為相互獨立之空間，可同時於一者進行真空處理(例如成膜處理)、並且於另一者進行保養處理(例如靶材更換)之作業。因此，本發明之實施形態之成膜裝置中，其運用具有高自由度，可實現軟性之運轉狀況。
作為成膜單元33，雖無特別限定，但例如可列舉濺包含鍍用之靶材之陰極或CVD用之平行平板型之電極。
於此種成膜裝置1中，作為被處理體之基板2一邊搭載於搬送裝置而搬送、一邊實施加熱或成膜等處理。
搬送基板2之搬送裝置包含保持基板2之托盤70(載體)與搬送保持有基板2之托盤70的線路80。又，搬送裝置對基板2進行縱型搬送。
此處，將基板2設為縱置(縱型搬送)之原因主要為伴隨大型之液晶顯示器及電漿顯示器普及，基板本身大型化、薄型化。主旨為於將基板橫置之情形時，成膜裝置本身之設置面積伴隨其而大型化，因此藉由設為縱型而實現省空間化。又，其原因在於，於橫置之情形時，產生基板2之自重所致之撓曲而難以保持平坦性，均一之成膜變得困難。
進而，其原因在於，亦存在於支持台上將基板橫置、利用向下濺鍍而成膜之方法，但於此情形時，存在於成膜面附著異物，並混入至膜中，同時降低膜特性或元件特性之虞，因此較佳為控制採用。
本發明之實施形態之成膜裝置1中，於上述成膜室30中，於上述第一空間30A及上述第二空間30B存在4條(將去路之線路與返路之線路設為1組之情形為2組)包含各個去路與返路之線路80，該4條線路80全部以貫通上述L/UL室10及上述加熱室20之方式配置。
本發明之實施形態之成膜裝置1中，於成膜室30之第一空間30A及第二空間30B分別設置有成為托盤70自L/UL室10經過加熱室20而搬送至上述第一空間30A及上述第二空間30B之去路的第一線路81A、81B，及成為自成膜室30之第一空間30A及第二空間30B經過加熱室20而搬送至L/UL室10之返路的第二線路82A、82B。該等第一線路81A、81B及第二線路82A、82B全部貫通上述L/UL室10及上述加熱室20而配置。
又，成膜裝置1包含移動機構(未圖示)，該移動機構使托盤70自第一線路81A、81B(去路)向第二線路82A、82B(返路)相對於線路於橫方向移動而移載。該移動機構包含將第一線路81A、81B上之托盤70暫時提昇而向第二線路82A、82B移載之機構。
圖2係表示托盤70之概略構成之立體圖。
如圖2所示，托盤70包含：包含鋁等之框狀之框架71，以沿著框架71之上邊之方式設置之磁鐵72，以沿著框架71之下邊之方式設置之圓柱狀之滑動軸73，用以承受基板2之負重、且保持基板2之水平度之基板座74，用以使基板2保持於托盤70之夾具75，及用以覆蓋基板2之周緣之非成膜區域之遮罩76。
線路80包含：下部支持機構84，其構成為可一邊支持托盤70之負重一邊搬送托盤70；及上部支持機構88，其構成為能以非接觸支持托盤70之上部。托盤70藉由下部支持機構84及上部支持機構88而構成為能以保持為大致垂直之狀態下移動。
圖3係表示下部支持機構84之構成之立體圖。
如圖3所示，下部支持機構84包含馬達85與輥86。
輥86包含導引托盤70之U字狀之槽部86a。構成為藉由馬達85驅動，輥86旋轉，托盤70於輥86上水平移動。具體而言，構成為設置於托盤70之下部之滑動軸73與輥86之槽部86a卡合，托盤70可水平移動。
又，圖4係表示上部支持機構88之構成之說明圖。
如圖4所示，於上部支持機構88設置有複數個磁鐵89。而且，於托盤70之上邊亦安裝有磁鐵72，以磁鐵89與磁鐵72於垂直方向對向之方式、且以相互之磁鐵89、72相吸附之方式配置。
藉由如此構成，磁鐵89、72彼此相吸附，從而可將托盤70保持為垂直狀態。即，藉由將基板2垂直保持，可抑制伴隨基板2之大型化之成膜裝置1之設置面積的增大，且可避免大型基板2之撓曲所致之影響。
尤其本實施形態之成膜裝置1中，較佳為滑動軸73或下部支持機構84之輥86之一者之至少接觸部包含含有矽(Si)、鋁(Al)、氧(O)及氮(N)之塊體，滑動軸73或輥86之另一者之至少接觸部包含SUS(不鏽鋼)。
滑動軸73或輥86之接觸部藉由上述般之材料構成，藉此可抑制滑動軸73與輥86之磨耗，除了可降低磨耗所致之粉末之產生以外，還可實現裝置之長壽命化。
本發明之實施形態之成膜裝置1中，藉由沿著第一線路(去路)81A、81B移動之托盤(搬送裝置)70，基板(被處理體)2自上述L/UL室10通過上述加熱室20分別運送至成膜室30之第一空間30A及第二空間30B之內部，於成膜室30成膜。其後，載置上述基板2之搬送裝置分別於上述第一空間30A及上述第二空間30B之內部藉由移動裝置自第一線路(去路)81A、81B移動至第二線路(返路)82A、82B。其後，沿著第二線路82A、82B自上述第一空間30A及上述第二空間30B之內部通過上述加熱室20而向上述L/UL室10運送。
本發明之實施形態中，藉由如上所述分別設置去路與返路而可提高基板之搬送效率。又，能以短時間進行L/UL室10中之基板之裝載及卸載，從而可縮短間歇。藉此本發明之實施形態之成膜裝置中，可提高生產率。
其次，使用本發明之實施形態之成膜裝置1，根據圖1對在基板2成膜時之動作進行說明。
再者，以下說明中，對在成膜室30之第一空間30A實施成膜處理之基板2之移動進行說明，對於在第二空間30B實施成膜處理之基板2與第一空間30A之情形相同。
首先，基板2自別處開始以水平狀態搬送至成膜裝置1之POS機構40之前為止。其後，於設為放倒(方平)之狀態之托盤(未圖示)搭載基板2之後，以將托盤變為垂直狀態之方式立起。POS機構40中所示之托盤70(2)為該立起之狀態者。此時，基板2設為與托盤70之基板座74抵接之狀態，基板2係利用夾具75而保持於托盤70。(參照圖2)。
搭載有基板2之托盤70經由RT機構50之第一RT機構51A而向第三RT機構51C搬送。第三RT機構51C中，使托盤70成為可向L/UL室10之第一空間10A搬送之方向。
接下來，使L/UL室10之門閥61為打開狀態之後，將托盤70載置於成為去路之第一線路81A，利用第一線路81A將托盤70向L/UL室10之第一空間10A搬送。
又，如後述般，L/UL室10中，載置經成膜處理之基板2之托盤70利用第二線路82A(返路)搬送而來，因此將該托盤70向RT機構50搬送。
若將托盤70向L/UL室10搬送，則將門閥61設為關閉狀態，其後利用真空排氣裝置12對室內進行排氣，使L/UL室10為真空狀態。L/UL室10內成為真空狀態之後，使與相鄰之加熱室20之門閥62為打開狀態，利用第一線路81A將托盤70向加熱室20之第一空間20A搬送。
L/UL室10中，搬送托盤70之後使與加熱室20之門閥62為關閉狀態，再次恢復為大氣壓，進行下一托盤70之搬送。此時，L/UL室10於將與加熱室20之門閥62關閉之後，向大氣壓開放，因此加熱室20之高真空得以保持。
若將托盤70向加熱室20搬送，則使門閥62為關閉狀態。
其後，利用加熱裝置63將基板2加熱至適合成膜之溫度。若基板2之加熱完成，則使與成膜室30之門閥63為打開狀態，利用第一線路81A將托盤70向成膜室30搬送。又，搭載在成膜室30進行成膜處理之基板2之托盤70於第二線路82A(返路)進行搬送。
搬送托盤70之後，使與成膜室30之門閥63為關閉狀態。
成膜室30中，藉由成膜單元33對基板2進行成膜處理。此處，該成膜裝置1中，成膜室30中之成膜步驟採用使托盤70固定靜止進行成膜之固定成膜方式。又，因於基板2之周緣配置有遮罩76(參照圖2)，故而構成為僅於基板2之必要之區域成膜。
此處，該成膜裝置1中，成膜室30劃分成獨立之第一空間30A與第二空間30B，針對各空間之每一個配置有成膜單元33，並且於上述第一空間30A及上述第二空間30B分別配置有4條各個包含去路與返路之線路。即，於成膜室30中，於第一空間30A與第二空間30B之各者配置有托盤70，可同時(同一時間)對搭載於各者之托盤70之基板2進行成膜。
若成膜完成，則藉由移動機構(省略圖示)使上述托盤70相對於線路橫向移動，自成為去路之第一線路81A移載至成為返路之第二線路82A。
其後，托盤70於第二線路82A進行搬送，自成膜室30經過加熱室20而導向L/UL室10。
使與加熱室20之門閥63為打開狀態，將托盤70向加熱室20之第一空間20A搬送。
又，於成膜室30中，搭載成膜前之基板2之托盤70自加熱室20於第一線路81A(去路)進行搬送。
若將托盤70向加熱室20搬送，則使門閥63為關閉狀態。
使與L/UL室10之門閥62為關閉狀態，將托盤70向L/UL室10之第一空間10A搬送。又，於加熱室20中，搭載成膜前之基板2之托盤70自L/UL室10於第一線路81A(去路)進行搬送。
若將托盤70向L/UL室10搬送，則使門閥62為關閉狀態。
將托盤70自加熱室20向L/UL室10搬送時，L/UL室10藉由真空排氣裝置12而維持高真空，但搬送托盤70之後，與加熱室20之門閥62關閉，其後，L/UL室10向大氣壓開放。若L/UL室10恢復為大氣壓，則托盤70搬送至RT機構50之第三RT部51C。此時，L/UL室10關閉與加熱室20之門閥62之後向大氣壓開放，因此保持加熱室20之高真空。
向RT機構51C搬送之托盤70自第三RT部51C經由第一RT部51A而向POS機構40之第一POS機構40A搬送。
其後，於POS機構40(第一POS機構40A)中，將完成成膜之基板2自托盤70卸除並向外部運出。
如此，本發明之實施形態中，藉由分別設置去路與返路而可提高基板之搬送效率。又，能以短時間進行L/UL室中之被處理體之裝載及卸載，從而可縮短間歇。
又，本發明之實施形態之成膜裝置中，可於成膜室中於獨立之第一空間與第二空間分別進行成膜處理，因此可對2片基板同時(同一時間)進行成膜處理，從而可提高生產率。又，因將成膜室劃分成獨立之兩個空間，故而無需增設裝置而可實現裝置之低成本化、省空間化。
其結果為，本發明之實施形態之成膜裝置可實現省空間化，並且改良基板之搬送系統，提高生產率。
本發明之實施形態之成膜裝置中，SP室劃分成獨立之第一空間與第二空間，針對各空間之每一個配置成膜單元。因於獨立之第一空間與第二空間分別進行成膜處理，故而可對2片基板(被處理體)同時(同一時間)進行成膜處理，從而可提高生產率。又，因將SP室劃分成獨立之兩個空間，故而無需增設裝置而可實現裝置之低成本化、省空間化。
又，本發明之實施形態之成膜裝置中，各個包含去路與返路之4條線路貫通上述L/UL室、H室及SP室而配置，被處理體沿著上述去路自上述L/UL室通過上述H室分別運送至上述第一空間及上述第二空間之內部，於SP室成膜之後，上述被處理體於上述第一空間及上述第二空間之內部藉由移動機構自去路移至返路，沿著返路自上述第一空間及上述第二空間之內部通過上述H室而向上述L/UL室運送，因此藉由分別設置去路與返路而可提高被處理體之搬送效率。又，能以短時間進行L/UL室中之被處理體之裝載及卸載，從而可縮短間歇。
以上，對本發明之實施形態之成膜裝置進行了說明，但本發明並不限定於此，可於不脫離發明之主旨之範圍內進行適當變更。
[產業上之可利用性]
本發明可廣泛應用於對基板進行縱型搬送之線內式之成膜裝置。
1．．．成膜裝置
2．．．基板(被處理體)
10．．．L/UL室
10A．．．第一空間
10B．．．第二空間
11．．．隔離壁
12．．．真空排氣裝置
20．．．H室
20A．．．第一空間
20B．．．第二空間
21．．．隔離壁
22．．．真空排氣裝置
23．．．加熱裝置
30．．．SP室
30A．．．第一空間
30B．．．第二空間
32．．．真空排氣裝置
32A．．．真空排氣裝置
32B．．．真空排氣裝置
33．．．成膜單元
33A．．．成膜單元
33B．．．成膜單元
40．．．POS機構
40A．．．第一POS機構
40B．．．第二POS機構
50．．．RT機構
51A．．．第一RT機構
51B．．．第二RT機構
51C．．．第三RT機構
61．．．門閥
62．．．門閥
63．．．門閥
70．．．托盤
70A．．．托盤
70B．．．托盤
80．．．線路
81A．．．第一線路
81B．．．第一線路
82A．．．第二線路
82B．．．第二線路
圖1係示意性地表示本發明之成膜裝置之一構成例之剖面圖。
圖2係表示搭載有基板之托盤之一例之立體圖。
圖3係表示托盤之下部支持機構之一例之立體圖。
圖4係表示托盤之上部支持機構之一例之剖面圖。
圖5係示意性地表示先前之成膜裝置之一構成例之剖面圖。
1．．．成膜裝置
2．．．基板(被處理體)
10．．．L/UL室
10A．．．第一空間
10B．．．第二空間
11．．．隔離壁
12．．．真空排氣裝置
20．．．H室
20A．．．第一空間
20B．．．第二空間
21．．．隔離壁
22．．．真空排氣裝置
23．．．加熱裝置
30．．．SP室
30A．．．第一空間
30B．．．第二空間
32．．．真空排氣裝置
32A．．．真空排氣裝置
32B．．．真空排氣裝置
33．．．成膜單元
33A．．．成膜單元
33B．．．成膜單元
40．．．POS機構
40A．．．第一POS機構
40B．．．第二POS機構
50．．．RT機構
51A．．．第一RT機構
51B．．．第二RT機構
51C．．．第三RT機構
61．．．門閥
62．．．門閥
63．．．門閥
70．．．托盤
70A．．．托盤
70B．．．托盤
80．．．線路
81A．．．第一線路
81B．．．第一線路
82A．．．第二線路
82B．．．第二線路

Claims (6)

  1. 一種成膜裝置，其特徵在於包含：L/UL室；H室，其與上述L/UL室連通；SP室，其與上述H室連通，且劃分成獨立之第一空間與第二空間；成膜單元，其分別配置於上述第一空間及上述第二空間；真空排氣裝置，其獨立地設置於上述L/UL室、上述H室、上述第一空間及上述第二空間，且用以分別對該等之內部進行真空排氣；4條線路，其貫通上述L/UL室及上述H室，包含配置於上述第一空間及上述第二空間之各個去路與返路；搬送裝置，其將被處理體沿著上述去路自上述L/UL室通過上述H室而分別運送至上述第一空間及上述第二空間之內部，及沿著上述返路自上述第一空間及上述第二空間之內部通過上述H室而向上述L/UL室運送上述被處理體；及移動機構，其於上述第一空間及上述第二空間之內部使上述搬送裝置自上述去路向上述返路移動；上述第一空間及上述第二空間分別與上述H室連通，且並列而配置。
  2. 如請求項1之成膜裝置，其中上述L/UL室經由兩個門閥而與RT機構連接； 上述RT機構包含第1RT機構、第2RT機構及第3RT機構；於上述第3RT機構與上述第1RT機構之間，處理向上述第一空間搬送之被處理體；於上述第3RT機構與上述第2RT機構之間，處理向上述第二空間搬送之被處理體。
  3. 如請求項1或2之成膜裝置，其中上述搬送裝置對上述被處理體進行縱型搬送。
  4. 如請求項1或2之成膜裝置，其中上述成膜單元為濺鍍用之陰極。
  5. 如請求項1或2之成膜裝置，其中上述成膜單元為CVD用之平行平板型之電極。
  6. 如請求項1或2之成膜裝置，其中上述搬送裝置中，於其下部包含圓柱狀之滑動軸；上述線路為包含導引上述搬送裝置之U字狀之槽之複數個輥；上述滑動軸或上述輥之一者之至少接觸部包含含有矽、鋁、氧、及氮之塊體；上述滑動軸或上述輥之另一者之至少接觸部包含不鏽鋼。
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