CN103283011A - 成膜装置 - Google Patents

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Abstract

一种成膜装置，具备：L/UL室；H室，与L/UL室连通；SP室，与H室连通，并且被分割为独立的第一空间和第二空间；成膜单元，分别配置在第一空间及第二空间中；真空排气装置，独立设置在L/UL室、H室、第一空间及第二空间中，并用于分别真空排气这些的内部；四条线路，由贯通L/UL室及H室，并配置在第一空间及第二空间中的各去路和回路构成；运送装置，将被处理体沿着去路或回路运送；以及移动机构，在第一空间及第二空间的内部，将运送装置从去路向回路移动。

Description

成膜装置
技术领域
本发明涉及一种直列式成膜装置，特别涉及一种改善基板的运送系统，谋求省空间化，并且提高生产效率的成膜装置。 
本申请基于2011年4月11日在日本申请的特愿2011-087583号主张优先权，在此援用其内容。 
背景技术
例如，在加工用于等离子显示器或液晶显示器的大型玻璃基板时，需要在真空下，通过升温至期望温度的加热工序、溅射、CVD或蚀刻等加工方法，进行多层成膜的各种成膜工序。 
以往以来，实用地提供有各种成膜装置。在以水平状态使基板成膜的成膜装置中，若基板大型化，则随之具备装置也被大型化的问题。因此，在近几年中，正在开发使基板大致直立并进行成膜等的立式的成膜装置。 
图5是表示现有成膜装置的基本结构的图。 
现有成膜装置100具备：基板装卸室120；连结在一线路（直线）上的第一至第三的三个真空处理室（指加热室和成膜室）200、220、240；以及在大气侧与真空处理室200、220、240之间运送基板托盘的L/UL(Load/Unload：装入/取出)室140。 
另外，在L/UL室140及真空处理室200、220、240内，设置有第一运送路径（去路）160和第二运送路径180（回路）的两条运送路径160、180。第一运送路径160为将基板托盘从L/UL室140向各真空处理室200、220、240运送的去路。第二运送路径180为将基板托盘从各真空处理室200、220、240经过加热室向L/UL室140运送的回路。 
进一步，成膜装置100的最后部的第三真空处理室240具备移载机构（未图示），该移载机构将基板托盘从第一运送路径（去路）160向第二运送路径（回路）180，相对于两条运送路径160、180横向移动并移载。该移载机构具有暂且抬起第一运送路径160上的基板托盘并向第二运送路径180移载的机构。 
此外，在L/UL室140安装有真空排气装置300。在加热室安装有加热装置和真空 排气装置300。在各真空处理室200、220、240分别安装有溅射装置等的成膜单元210、230、250和真空排气300。 
对这种现有成膜装置100的基本动作进行说明。 
在基板装卸室120中，若在基板托盘上载置基板，则该基板托盘被运送到L/UL室140，该L/UL室140被真空排气，并被高真空化后，向准备在真空处理室200内的成为去路的第一运送路径160运送。 
在基板托盘（基板载体）在第一运送路径160被运送的同时，在真空处理室200、220、240中，实施对被载置的基板加热和成膜等的真空处理。 
在真空处理室240基板被真空处理后，基板托盘通过未图示的移载机构被移载到成为回路的第二运送路径180，并且在真空处理室200、220、240中，分别进行成膜等的真空处理。基板托盘以载置被真空处理的基板的状态，经过L/UL室140，在基板装卸室120卸下基板。 
但是，通常在L/UL室中，除运送基板载体以外，还进行真空排气和开放大气压。因此，真空处理装置的生产节奏受由该L/UL室的排气、通气时间引起的影响。 
然而，在现有成膜装置中，在L/UL室的基板更换口，仅设置有单一基板托盘。因此，在基板装卸部，基板托盘在进行未处理基板的载置或处理基板的卸下期间，L/UL室中不能进行基板的进入或取出的滞留时间变长，对生产节奏产生不良影响，从而具备基板的真空处理效率低下的问题。 
另外，在直列式成膜装置中，保持基板的基板托盘以一列在连续设置的真空室内被运送。因此，根据现有例的装置为了增大生产量，即真空处理量，需要提高基板托盘的运送速度或增设装置。但是，由于通常基板托盘以可能范围的高速度被运送，因此进一步提高运送速度是困难的。因此，剩余方法为增设装置，但装置的增设不仅正比地增大装置成本，而且与其相应还有增大装置的占有面积的问题。 
专利文献1：日本特开2005-340425号公报 
发明内容
本发明是鉴于这种现有实情而产生，其目的在于提供一种谋求省空间化，并且改善基板的运送系统，从而提高生产效率的成膜装置。 
本发明的第一方式所涉及的成膜装置可具备：L/UL室；H室，与所述L/UL室连通；SP室，与所述H室连通，并且被分割为独立的第一空间和第二空间；成膜单元，分别配置在所述第一空间及所述第二空间中；真空排气装置，独立设置在所述L/UL室、所述H室、所述第一空间及所述第二空间中，并用于分别真空排气这些的内部； 四条线路，由贯通所述L/UL室及所述H室，并配置在所述第一空间及所述第二空间中的各去路和回路构成；运送装置，将被处理体沿着所述去路从所述L/UL室通过所述H室，分别运送到所述第一空间及所述第二空间的内部，以及沿着所述回路从所述第一空间及所述第二空间的内部，通过所述H室向所述L/UL室运送所述被处理体；以及移动机构，在所述第一空间及所述第二空间的内部，将所述运送装置从所述去路移动到所述回路。 
本发明的第二方式所涉及的成膜装置，在所述第一方式中，还可以是，所述L/UL室经由两个门阀连接在RT机构上，所述RT机构具备第一RT机构、第二RT机构和第三RT机构，在所述第三RT机构和所述第一RT机构之间，处理运送到所述第一空间的被处理体，并在所述第三RT机构和所述第二RT机构之间，处理运送到所述第二空间的被处理体。 
本发明的第三方式所涉及的成膜装置，在所述第一或第二方式中，所述运送装置还可以立式运送所述被处理体。 
本发明的第四方式所涉及的成膜装置，在所述第一至第三方式的任一方式中，所述成膜单元还可为溅射用阴极。 
本发明的第五方式所涉及的成膜装置，在所述第一至第三方式的任一方式中，所述成膜单元还可为CVD用平行平板型的电极。 
本发明的第六方式所涉及的成膜装置，在所述第一至第五方式的任一方式中，还可以是，所述运送装置在其下部具备圆柱形的滑动轴，所述线路为具备引导所述运送装置的U字形槽的多个辊，所述滑动轴或辊的一方的至少接触部由包括硅、铝、氧及氮的块体构成，所述滑动轴或辊的另一方的至少接触部由不锈钢构成。 
根据本发明的一方式，能够提供一种谋求省空间化，并且改善基板的运送系统，从而提高生产效率的成膜装置。 
附图说明
图1是示意性地表示本发明的成膜装置的一结构例的剖视图。 
图2是表示搭载基板的托盘的一例的立体图。 
图3是表示托盘的下部支撑机构的一例的立体图。 
图4是表示托盘的上部支撑机构的一例的剖视图。 
图5是示意性地表示现有成膜装置的一结构例的剖视图。 
具体实施方式
下面，关于本发明的实施方式所涉及的成膜装置进行说明。 
图1是示意性地表示本发明的成膜装置的一结构例的剖视图，是从上方观察成膜装置的图。在图1中，纸张纵深方向是重力方向。在图1所示成膜装置中，安装基板（被处理体）的托盘以立起状态（基板的被处理面与重力方向平行的状态）被运送。因此，图1的成膜装置1是立式运送方式的装置。 
如图1所示，本发明的实施方式所涉及的成膜装置1依次配置有L/UL室(Load/Unload：装入/取出室)10、H室（加热室）20、SP室（利用溅射方法的成膜室）30。另外，L/UL室10的前面配设有POS机构（向托盘安装和从托盘卸下的基板（被处理体）的装卸室）40和RT机构（具备旋转模式的托盘的移动机构）50。 
各室间经由并列配设的两个门阀被连通。在RT机构50和L/UL室10之间设置有两个门阀61。同样，在L/UL室10和加热室20之间设置有两个门阀62。在加热室20和成膜室30之间设置有两个门阀63。 
成膜室30被分割为独立的第一空间30A和第二空间30B。与此同时，分别独立设置有真空排气装置12、22、32（32A、32B），用于分别真空排气L/UL室10、加热室20及成膜室30的所述第一空间30A以及所述第二空间30B的内部。即，在构成成膜室30的独立的第一空间30A和第二空间30B，单独设置有真空排气装置32A、32B，能够对各空间内部专属地排气。 
L/UL室10在对大气压开放的状态下，在其与RT机构50之间进行托盘70的装入（搬入）和取出（搬出）。在L/UL室10，设置有用于真空排气其内部的真空排气装置12。L/UL室10在其中央部配设有隔壁11。由此，L/UL室10的室内被分割为第一空间10A和第二空间10B。第一空间10A操作向成膜室30的第一空间30A运送的基板（被处理体）2。第二空间10B操作向成膜室30的第二空间30B运送的基板（被处理体）2。 
图1是表示第一空间10A和第二空间10B通过隔壁11被完全隔开，但并没有成为相互独立的空间，互相部分连通的结构例。然而，虽然在图中未表示，但第一空间10A和第二空间10B未必一定是相互连通的空间，还可以设置隔壁11，使得第一空间10A和第二空间10B为相互独立的空间。在第一空间10A和第二空间10B为连通的结构的情况下，由于真空排气装置最少有一个就足够，因此可构建低成本的系统。 
代替上述结构，在第一空间10A和第二空间10B为独立空间的结构的情况下，在第一空间10A和第二空间10B还可以分别地设置真空排气装置。然而，通过使其具有 按照处理生产节奏时间切换第一空间10A和第二空间10B的各排气时间带的结构，也能够将真空排气装置设置为一个。进一步，由于具有能够分别进行真空处理和维护等的作业的优点，因此也可以为相互独立的空间的结构。 
L/UL室10经由两个门阀61，与配设在所述L/UL室10的前面（前段）的RT机构50及POS机构40连接。 
门阀61的一个用于将经由第一POS机构40A及第一RT机构51A的托盘70A（70）向L/UL室搬入搬出。门阀61的另一个用于将经由第二POS机构40B及第二RT机构51B的托盘70B（70），向L/UL室搬入搬出。 
POS机构40由第一POS机构40A和第二POS机构40B构成，向托盘70安装从外部运送来的基板（被处理体）2，并且从托盘70卸下并向外部运出已处理的基板2。 
所述RT机构50由第一RT机构51A、第二RT机构51B和第三RT机构51C构成，将在POS机构40中被安装在托盘70上的基板2向L/UL室10运送，并且向POS机构40运送在L/UL室10被卸载的已处理的托盘70。 
在第一POS机构40A及第一RT机构51A中，操作向L/UL室10的第一空间10A运送的基板2。在第二POS机构40B及第二RT机构51B中，操作向L/UL室10的第二空间10B运送的基板2。 
在L/UL室10中，从RT机构50运送托盘70时，被开放在大气压中，但运送后门阀61被关闭，并被真空排气装置12排气，成为高真空状态，之后打开被配设在L/UL室10与加热室20之间的门阀62，运送托盘70。向加热室20运送托盘70后，L/UL室10与相邻的加热室20的门阀62被关闭，并再次回到大气压中，进行下一个托盘70的运送。此时，L/UL室10与加热室20的门阀62被关闭后，L/UL室10被开放在大气压中。因此，加热室20的内部空间总是保持高真空状态。 
在加热室（H室）20设置有加热装置23，并将基板2升温至适合成膜的温度。在加热室20设置有用于使其内部真空排气的真空排气装置22。加热室20同样，也在其中间部配设有具备反射（反射板的）功能的隔壁21，并且加热室内被分割为第一空间20A和第二空间20B。第一空间20A操作向成膜室30的第一空间30A运送的基板（被处理体）2，并且第二空间20B操作向成膜室30的第二空间30B运送的基板（被处理体）2。 
在图1中，表示第一空间20A和第二空间20B通过隔壁21被完全隔开，但并没有成为相互独立的空间，（虽然在图中未表示，但在隔壁21的上部或下部中）互相部分连通的结构例。然而，虽然在图中未表示，但第一空间20A和第二空间20B未必一定是相互连通的空间，还可以设置隔壁21，使得第一空间20A和第二空间20B为相 互独立的空间。在第一空间20A和第二空间20B为连通的结构的情况下，由于真空排气装置最少有一个就足够，因此可构建低成本的系统。与此相比，虽然在做成独立空间的结构的情况下，需要分别地设置分别真空排气各空间的最少一个真空排气装置，但由于具有能够分别进行真空处理和维护等的作业的优点，因此还可以为相互独立的空间的结构。 
成膜室（SP室）30经由两个门阀63，连接在加热室（H室）20上。 
门阀63的一个用于向成膜室30的第一空间30A搬入搭载有在加热室（H室）20被热处理的基板（被处理体）2的托盘70A（70），或者用于从成膜室30的第一空间30A向加热室（H室）20搬出成膜后的托盘70A（70）。同样，门阀63的另一个用于向成膜室30的第二空间30B搬入搭载有在加热室（H室）20被热处理的基板（被处理体）2的托盘70B（70），或者用于从成膜室30的第二空间30B向加热室（H室）20搬出成膜后的托盘70B（70）。 
在成膜室（SP室）30中，通过成膜单元33，基板2被成膜处理。 
特别是，在本发明的实施方式所涉及的成膜装置1中，成膜装置30被分割为独立的第一空间30A和第二空间30B，并且为了真空排气各内部，在各空间每个配置真空排气装置32及成膜单元33。即，真空排气装置32A和成膜单元33A为第一空间30A用，真空排气装置32B和成膜单元33B为第二空间30B用。 
本发明的实施方式所涉及的成膜装置在独立的第一空间30A和第二空间30B中，能够分别进行成膜处理。因此，能够对两块基板（被处理体）同时（并行）进行成膜处理，可谋求提高生产效率。另外，由于使成膜室30分割为独立的两个空间，因此无需增设装置，能够谋求装置的低成本化、省空间化。进一步，由于第一空间30A和第二空间30B为相互独立的空间，因此能够在一空间进行真空处理（例如，成膜处理）的同时，另一空间进行维护处理（例如，靶的交换）的作业。因此，本发明的实施方式所涉及的成膜装置在其运用上具有高的自由度，可实现灵活的运转状况。 
作为成膜单元33，并不特别限定，例如，可列举具备溅射用靶的阴极或CVD用平行平板型的电极。 
在这种成膜装置1中，作为被处理体的基板2在搭载在运送装置上并被运送的同时，实施加热和成膜等的处理。 
运送基板2的运送装置具备保持基板2的托盘70（载体）和运送保持基板2的托盘70的线路80。另外，运送装置立式运送基板2。 
在此，使基板2立置（立式运送）的理由，主要是伴随大型液晶显示器和等离子显示器的普及，由基板自身的大型化、薄型化引起。由于在基板2为卧置的情况下， 成膜装置自身的设置面积随之大型化，因此通过成为立式，实现谋求省空间化的宗旨。另外，在卧置的情况下，因为由基板2的自重引起的弯曲而难以保持平坦性，成为难以均匀成膜的缘故。 
进一步，还具有使基板卧置在支撑台上，并通过向下溅射成膜的方法，但在这种情况下，因为在成膜面上附着异物，从而等于向膜中掺进，具有降低膜特性或装置特性的可能性，因此最好控制采用。 
在本发明的实施方式所涉及的成膜装置1中，所述成膜室30中，在所述第一空间30A及所述第二空间30B具有四条（去路的线路与回路的线路作为一组时为两组）由各去路和回路构成的线路80，并且该四条线路80全部被配置为贯通所述L/UL室10及所述加热室20。 
在本发明的实施方式所涉及的成膜装置1中，成膜室30的第一空间30A及第二空间30B中分别设置有从L/UL室10经加热室20向所述第一空间30A及第二空间30B运送托盘70的成为去路的第一线路81A、81B和从成膜室30的第一空间30A及第二空间30B经加热室20向L/UL室10运送托盘70的成为回路的第二线路82A、82B。这些第一线路81A、81B及第二线路82A、82B全部被配置成贯通所述L/UL室10及所述加热室20。 
另外，成膜装置1具备移动机构（未图示），该移动机构使托盘70从第一线路81A、81B（去路）向第二线路82A、82B（回路）相对于线路横向移动并移载。该移动机构具有暂且抬起第一线路81A、81B上的托盘70，并向第二线路82A、82B移载的机构。 
图2是表示托盘70的概要结构的立体图。 
如图2所示，托盘70具备由铝等构成的框状的框架71、沿着框架71的上边设置的磁铁72、沿着框架71的下边设置的圆柱状的滑动轴73、承载基板2的载荷并且用于保持基板2的水平度的基板承载体74、用于使基板2保持在托盘70上的夹75和用于覆盖基板2的周边的非成膜区域的掩膜76。 
线路80具备支撑托盘70的载荷且构成为能够运送托盘70的下部支撑机构84以及构成为能够非接触支撑托盘70的上部的上部支撑机构88。托盘70构成为通过下部支撑机构84及上部支撑机构88能够以保持为大致铅垂的状态移动。 
图3是表示下部支撑机构84的结构的立体图。 
如图3所示，下部支撑机构84具备马达85和辊86。 
辊86具备引导托盘70的U字状的槽部86a。构成为通过驱动马达85，辊86旋转，从而托盘70在辊86上水平移动。具体来讲，构成为设置在托盘70的下部的滑动轴73与辊86的槽部86a配合，从而托盘70能够水平移动。 
另外，图4是表示上部支撑机构88的说明图。 
如图4所示，在上部支撑机构88上设置有多个磁铁89。而且，在托盘70的上部也设置有磁铁72，并且配置成使磁铁89和磁铁72在铅垂方向对置并且使磁铁89、72彼此互相吸附。 
通过如此构成，磁铁89、72彼此互相吸附，能够将托盘70保持为铅垂状态。总之，通过铅垂保持基板，能够抑制伴随基板2的大型化而成膜装置1的设置面积的增大，并且能够回避由大型基板2的弯曲引起的影响。 
特别是，在本实施方式的成膜装置1中，滑动轴73或下部支撑机构84的辊86的一方的至少接触部由包括硅（Si）、铝（Al）、氧（O）及氮（N）的块体构成，并优选滑动轴73或辊86的另一方的至少接触部由SUS（不锈钢）构成。 
通过以上述材料构成滑动轴73或辊86的接触部，能够抑制滑动轴73和辊86的磨损，并且除可减低由磨损引起的灰尘的产生以外，还能够谋求装置的长寿命化。 
本发明的实施方式所涉及的成膜装置1，通过沿着第一线路（去路）81A、81B移动的托盘（运送装置）70，基板（被处理体）2从所述L/UL室10通过所述加热室20，分别向成膜室30的第一空间30A及第二空间30B的内部运送，并在成膜室30进行成膜。之后，载置所述基板2的运送装置分别在所述第一空间30A及所述第二空间30B的内部，通过移动装置从第一线路（去路）81A、81B向第二线路（回路）82A、82B移动。之后，沿着第二线路82A、82B，从所述第一空间30A及所述第二空间30B的内部，通过所述加热室20向所述L/UL室10运送。 
在本发明的实施方式中，通过如所述分别设置去路和回路，能够提高基板的运送效率。另外，能够在短时间进行L/UL室10中的基板的装入和取出，并能够缩短生产节奏。由此，本发明的实施方式所涉及的成膜装置，能够提高生产效率。 
下面，基于图1对利用本发明的实施方式所涉及的成膜装置1，在基板2上成膜时的动作进行说明。 
此外，在下面的说明中，对在成膜室30的第一空间30A实施成膜处理的基板2的移动进行了说明，但对于在第二空间30B实施成膜处理的基板2，也与第一空间30A的情况相同。 
首先，基板2以水平状态从别处运送来到成膜装置1的POS机构40的前面。之后，在横倒（使放平）状态的托盘（未图示）上搭载基板2后，立起托盘使之成铅垂状态。如POS机构40所示的托盘70（2）是该立起状态。此时，基板2为与托盘70的基板承载体74抵接的状态，并且基板2由夹75被保持在托盘70上。（参见图2） 
搭载有基板2的托盘70经由RT机构50的第一RT机构51A，向第三RT机构51C 运送。在第三RT机构51C中，使托盘70为能够向L/UL室10的第一空间10A运送的方向。 
而且，将L/UL室10的门阀61为开状态后，使托盘70载置在成为去路的第一线路81A上，从而通过第一线路81A向L/UL室10的第一空间10A运送托盘70。 
另外，如后述，在L/UL室10中，由于载置有被成膜处理的基板2的托盘70，由第二线路82A（回路）被运送来，因此向RT机构50运送该托盘70。 
若托盘70被运送至L/UL室10，则使门阀61为关状态，之后通过真空排气装置12对室内排气，从而使L/UL室10为真空状态。L/UL室10内成为真空状态后，使L/UL室10与邻接的加热室20的门阀62为开状态，并通过第一线路81A向加热室20的第一空间20A运送托盘70。 
在L/UL室10中，运送托盘70后，使L/UL室10与加热室20的门阀62为关状态，从而再次回到大气压中，并进行下一个托盘70的运送。此时，由于L/UL室10在其与加热室20的门阀62关闭后，被开放在大气压中，因此加热室20的高真空可被保持。 
若托盘70被运送至加热室20，则使门阀62为关状态。 
之后，利用加热装置63加热基板2至适合成膜的温度。完成基板2的加热后，使加热室20与成膜室30的门阀63为开状态，并由第一线路81A将托盘70向成膜室30运送。另外，搭载有在成膜室30被成膜处理的基板2的托盘70，由第二线路82A（回路）运送。 
运送托盘70后，使加热室20与成膜室30的门阀63为关状态。 
在成膜室30中，通过成膜单元33，基板2被成膜处理。在此，在该成膜装置1中，关于在成膜室30的成膜工序采用使托盘70固定静止并进行成膜的固定成膜方式。另外，由于在基板2的周边配置有掩膜76（参见图2），因此构成为仅成膜基板2的需要区域。 
在此，该成膜装置1中成膜室30被分割为独立的第一空间30A和第二空间30B，在各空间每个配置有成膜单元33，并且在所述第一空间30A及所述第二空间30B配设有四条由各去路和回路构成的线路。即，在成膜室30中，分别在第一空间30A和第二空间30B配设托盘70，能够同时（并行）成膜搭载在各托盘70上的基板2。 
若完成成膜则通过移动机构（省略图示），使所述托盘70相对于线路横向移动，从成为去路的第一线路81A向成为回路的第二线路82A移载。 
之后，托盘70在第二线路82A被运送，并从成膜室30经加热室20被引导向L/UL室10。 
使成膜室30与加热室20的门阀63为开状态，并向加热室20的第一空间20A运送托盘70。 
另外，在成膜室30，搭载有成膜前的基板2的托盘70，从加热室20通过第一线路81A（去路）运送。 
若托盘70被运送至加热室20，则使门阀63为关状态。 
使加热室20与L/UL室10的门阀62为开状态，并向L/UL室10的第一空间10A运送托盘70。另外，在加热室20，搭载有成膜前的基板2的托盘70，从L/UL室10通过第一线路81A运送。 
若托盘70被运送至L/UL室10，则使门阀62为关状态。 
从加热室20向L/UL室10运送托盘70时，L/UL室10通过真空排气装置12被维持在高真空下，但运送托盘70后，L/UL室10与加热室20的门阀62被关闭，之后L/UL室10被开放在大气压中。若L/UL室10回到大气压中，则托盘70向RT机构的第三RT部51C运送。此时，由于L/UL室10在其与加热室20的门阀62关闭后被开放在大气压中，因此加热室20的高真空可被保持。 
被运送至RT机构51C的托盘70，从第三RT部51C经由第一RT部51A向POS机构40的第一POS机构41A运送。 
之后，在POS机构40（第一POS机构41A），已成膜的基板2从托盘70拆卸，被运出至外部。 
如此，在本发明的实施方式中，通过分别设置去路和回路，能够提高基板的运送效率。另外，能够在短时间进行L/UL室的被处理体的装入和取出，并能够缩短生产节奏。 
另外，在本发明的实施方式所涉及的成膜装置中，由于能够在成膜室的独立的第一空间和第二空间分别进行成膜处理，因此能够对两块基板同时（并行）进行成膜处理，并能够提高生产效率。另外，由于将成膜室分割为独立的两个空间，因此无需增设装置，能够谋求装置的低成本化、省空间化。 
其结果，本发明的实施方式所涉及的成膜装置，能够在谋求省空间化的同时，改良基板的运送系统，从而提高生产效率。 
在本发明的实施方式所涉及的成膜装置中，SP室被分割为第一空间和第二空间，并在各空间每个配置有成膜单元。由于能够在独立的第一空间和第二空间分别进行成膜处理，因此能够对两块基板（被处理体）同时（并行）进行成膜处理，并能够提高生产效率。另外，由于将SP室分割为独立的两个空间，因此无需增设装置，能够谋求装置的低成本化、省空间化。 
另外，在本发明的实施方式所涉及的成膜装置中，由各去路和回路构成的四条线路被配置成贯通所述L/UL室、H室及SP室，并且被处理体沿着所述去路从所述L/UL室通过所述H室，分别运送到所述第一空间及所述第二空间的内部，并在SP室成膜后，由于所述被处理体在所述第一空间及所述第二空间的内部，通过移动机构从去路向回路移动，并沿着回路从所述第一空间及所述第二空间的内部，通过所述H室向所述L/UL室运送，因此通过分别设置去路和回路，能够提高被处理体的运送效率。另外，能够在短时间进行L/UL室内的被处理体的装入和取出，并能够缩短生产节奏。 
以上，对本发明的实施方式所涉及的成膜装置进行了说明，但本发明并不限定于此，在不脱离本发明的宗旨的范围内，能够进行适当变更。 
产业上的可利用性 
本发明能够广泛应用在立式运送基板的直列式成膜装置中。 
符号说明 
1              成膜装置 
2              基板（被处理体） 
10             L/UL室 
20             加热室（H室） 
30             成膜室（SP室） 
40             POS机构 
50             RT机构 
70             托盘 
81A、81B      第一线路（去路） 
82A、82B      第一线路（回路） 。

Claims (6)

1.一种成膜装置，其特征在于，具备：
L/UL室；
H室，与所述L/UL室连通；
SP室，与所述H室连通，并且被分割为独立的第一空间和第二空间；
成膜单元，分别配置在所述第一空间及所述第二空间中；
真空排气装置，独立设置在所述L/UL室、所述H室、所述第一空间及所述第二空间中，并用于分别真空排气这些的内部；
四条线路，由贯通所述L/UL室及所述H室，并配置在所述第一空间及所述第二空间中的各去路和回路构成；
运送装置，将被处理体沿着所述去路从所述L/UL室通过所述H室，分别运送到所述第一空间及所述第二空间的内部，以及沿着所述回路从所述第一空间及所述第二空间的内部，通过所述H室向所述L/UL室运送所述被处理体；以及
移动机构，在所述第一空间及所述第二空间的内部，将所述运送装置从所述去路移动到所述回路。
2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，
所述L/UL室经由两个门阀连接在RT机构上，
所述RT机构具备第一RT机构、第二RT机构和第三RT机构，
在所述第三RT机构和所述第一RT机构之间，处理运送到所述第一空间的被处理体，
在所述第三RT机构和所述第二RT机构之间，处理运送到所述第二空间的被处理体。
3.根据权利要求1或2所述的成膜装置，其特征在于，
所述运送装置立式运送所述被处理体。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的成膜装置，其特征在于，
所述成膜单元为溅射用阴极。
5.根据权利要求1至3中任意一项所述的成膜装置，其特征在于，
所述成膜单元为CVD用平行平板型的电极。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的成膜装置，其特征在于，
所述运送装置在其下部具备圆柱形的滑动轴，
所述线路为具备引导所述运送装置的U字形槽的多个辊，
所述滑动轴或所述辊的一方的至少接触部由包括硅、铝、氧及氮的块体构成，
所述滑动轴或所述辊的另一方的至少接触部由不锈钢构成。
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