CN101855384A - 真空处理装置及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种真空处理装置(1)，其串联连接多个对于被处理基板(S)进行规定处理的处理室，其中，在所述真空处理装置中设有遍及真空处理装置的多个处理室间设置的第一基板输送路(15)、和相对于第一基板输送路(15)并排设置且输送基板并同时进行各处理室内的规定处理的第二基板输送路(16)，并且，在多个处理室中至少两个处理室设置有用于在第一基板输送路及第二基板输送路间使基板移动的输送路变更构件(17)。

Description

真空处理装置及基板处理方法
技术领域
本发明涉及真空处理装置及基板处理方法。
背景技术
目前，作为在等离子显示器用等大型基板上成膜的真空处理装置，有所谓的纵型输送式真空处理装置(例如参照专利文献1)。该装置是具备三个成膜室、基板载体、负荷锁定室的纵型真空处理装置，其构成为，在负荷锁定室内及三个成膜室内设置去路、回路这两个输送路径，并且，在最后部的成膜室具备使基板载体相对于这些输送路径横移动，从作为去路的第一输送路径向作为回路的第二输送路径移载的移载机构。即，该装置中，对每个成膜处理设置真空处理室，在基板上层叠三层膜。
专利文献1：(日本)特开2005-340425号公报(参照其权利要求1及图1)
在上述成膜构件中，若在两个输送路径之间安装加热装置，在最后部的真空处理室具备移载机构，则可实现省空间化、低成本化。
但是，伴随基板的进一步大型化，期望更省空间且紧凑的装置。另外，上述成膜装置中，由于处理路线为一个路线，因此不能在中间处理室进行路线变更。因此，存在如下问题：在各成膜室的成膜时间不同的情况下，在成膜时间长的成膜室的工作中，其它成膜室发生等待时间，作为装置整体存在工作率降低的情况。另外，由于在最后部的成膜室具备移载机构，所以基板未输送至该最后部的成膜室时，基板载体不能变更输送路径。由此，不能使基板载体从去路向回路移动，即使其它成膜室没有异常，在对最后部的成膜室进行维护时，也会存在不能使装置工作的问题。
发明内容
因此，本发明的课题鉴于上述现有技术的问题点，提供一种更紧凑的真空处理装置。另外，提供一种工作性高且功能性优异的真空处理装置。另外，本发明的其它课题是提供使用该真空处理装置，不延长生产节拍时间而可以处理基板的基板处理方法。
本发明的真空处理装置，其串联连接多个对基板进行规定处理的处理室，其特征在于，在所述真空处理装置中设有遍及真空处理装置的多个处理室间设置的第一基板输送路、相对于第一基板输送路并排设置且输送基板的同时对基板进行各处理室内的规定处理的第二基板输送路，并且，在所述多个处理室中的至少两个处理室设置有用于在第一基板输送路及第二基板输送路之间使基板移动的输送路变更构件。
本发明的真空处理装置中，通过在至少两个处理室设置输送路变更构件，在设有该输送路变更构件的处理室中，即使在输送基板时基板处于第一基板输送路上，也可以使其在进行规定处理的第二基板输送路移动，因此，可进行多次相同的处理。因此，由于不需要设置多个进行相同处理的处理室，所以本发明的装置紧凑。另外，例如在按A膜、B膜、A膜的顺序形成3层的情况下，在现有的纵型输送式真空处理装置中，需要按A膜用处理室、B膜用处理室及A膜用处理室的顺序连接的三个成膜室，但本申请中只要有A膜用处理室和B膜用处理室这两个成膜处理室即可。
优选在所述处理室中串联连接的最后部的处理室和最后部的处理室以外的至少一个成膜处理室设置有所述输送路变更构件。
不仅最后部的处理室，而且在不是最后部的成膜处理室也设置所述输送路变更构件，由此，对于相同膜可在一个成膜处理室形成，因此，在实施形成多个相同膜的成膜方法的情况下，不需要对一个真空处理装置设置多个成膜处理室。该情况下，由于构成成膜处理室需要大型的电源或成膜构件等，因此，只要能够省略成膜处理室，则就可以更紧凑且实用程序少，进而低成本化。
优选的是，所述真空处理装置具备负荷锁定室、加热室、第一成膜处理室、第二成膜处理室，在第一成膜处理室和第二成膜处理室设有所述输送路变更构件，并且，第一成膜处理室和第二成膜处理室形成彼此不同的膜。根据这样的构成，可通过两个成膜处理室形成三层的膜。
本发明的基板处理方法，其使用真空处理装置、在各处理室对基板进行规定处理，所述真空处理装置串联连接多个对基板进行规定处理的处理室，且设有遍及该多个处理室间设置的第一基板输送路、和相对于第一基板输送路并排设置且输送所述基板的同时对各处理室内的基板进行规定处理的第二基板输送路，并且，在所述多个处理室中至少两个处理室设置有用于使基板在第一基板输送路及第二基板输送路之间移动的输送路变更构件，其特征在于，该基板处理方法具有：在一处理室对第一基板进行规定处理的第一基板处理工序；在一处理室对第二基板进行规定处理的第二基板处理工序；在其它处理室对在所述第一基板处理工序中进行了规定处理的第一基板及第三基板分别进行规定处理的其它基板处理工序；在一处理室对在所述其它基板处理工序中进行了规定处理的第三基板进行规定处理的第三基板处理工序，所述其它基板处理工序在所述第二基板处理工序中进行，并且，在所述其它基板处理工序中，通过设于所述其它处理室的输送路变更构件使被搬入到所述其它处理室内的第一基板及第三基板的至少之一在所述第一基板输送路及所述第二基板输送路之间移动。
根据本发明的基板处理方法，在一个处理室内对一个基板进行规定处理期间，可在其它的处理室对剩余的两个基板进行成膜，因此，生产节拍时间无浪费，可高工作率地进行多层成膜。
该情况下，具体而言，所述其它基板处理工序具备：所述第一基板经由第一基板输送路被搬入所述其它处理室，之后利用所述输送路变更构件从所述第一基板输送路向所述第二基板输送路移动后，进行规定处理，在规定处理结束后，经由所述第二基板输送路从所述其它处理室搬出的工序；所述第三基板经由所述第一基板输送路被搬入所述其它处理室内，之后利用所述输送路变更构件从所述第一基板输送路向所述第二基板输送路移动后，进行规定处理，在规定处理结束后，经由所述第二基板输送路搬入所述一处理装置的工序。或者，所述其它基板处理工序具备：所述第一基板经由第一基板输送路被搬入所述其它处理室内，利用所述输送路变更构件从所述第一基板输送路向所述第二基板输送路移动后，进行规定处理，在规定处理结束后，利用所述输送路变更构件从所述二基板输送路向所述第一具备输送路移动的工序；所述第三基板经由所述第二基板输送路被搬入所述其它处理室内，进行规定处理，在规定处理结束后，经由所述第二基板输送路搬入所述一处理装置的工序。根据这样的方法，可不延长生产节拍时间而进行成膜。
另外，本发明的其它的基板处理方法，其使用真空处理装置、在各处理室对基板进行规定处理，所述真空处理装置串联连接多个对基板进行规定处理的处理室，且设有遍及该多个处理室间设置的第一基板输送路、和相对于第一基板输送路并排设置且输送所述基板的同时对各处理室内的基板进行规定处理的第二基板输送路，并且，在所述多个处理室中的至少两个处理室设置有用于使基板在第一基板输送路及第二基板输送路之间移动的输送路变更构件，将基板搬入最前部的处理室，经由第一基板输送路及第二基板输送路将基板搬入各处理室，其特征在于，在规定的处理室，利用输送路变更构件在第一基板输送路及第二基板输送路之间移动两次以上，同时，在该规定的处理室进行两次以上的规定处理。根据本发明的基板处理方法，使用上述真空处理装置，利用输送路变更构件在第一基板输送路及第二基板输送路之间移动两次以上，由此，可在同一处理室进行两次规定处理。
本发明的真空处理装置，由于处理室少，所以更紧凑。而且由于在两个以上的处理室设有输送路变更构件，所以可以实施各种成膜方法，因此，实现机械性优异且工作性优异这样优异的效果。另外，根据使用了本发明的真空处理装置的基板处理方法，使用更紧凑的装置，实现不延长生产节拍时间而能够成膜这样优异的效果。
附图说明
图1是表示本发明的真空处理装置1的构成的示意图；
图2是使用本发明的成膜方法成膜的基板的剖面示意图；
图3是表示用于说明本发明的成膜方法的(a)时序图和(b)基板输送路径的示意图；
图4是用于说明本发明的成膜方法的基板的输送路径的示意图；
图5是用于说明本发明的成膜方法的时序图，(a)表示第一成膜方法的情况，(b)表示第二成膜方法的情况，(c)表示第三成膜方法的情况；
图6是表示用于说明第二成膜方法的(a)时序图和(b)基板输送路径的示意图；
图7是用于说明本发明第二成膜方法的基板的输送路径的示意图；
图8是表示用于说明第三成膜方法的(a)时序图和(b)基板输送路径的示意图。
符号说明
1真空处理装置
2基板载体
11负荷锁定室
12加热室
13第一成膜室
14第二成膜室
15第一输送路
16第二输送路
17路径变更构件
S基板
具体实施方式
图1是表示本发明的纵型真空处理装置的构成的示意剖面图。纵型真空处理装置1是通过框状的基板载体2大致垂直地保持基板S，同时对基板S进行处理的纵型输送式的真空处理装置，按顺序具备负荷锁定室11、加热室12、第一成膜室13、第二成膜室14。在各室间设有门阀10，各室可分别独立地在真空中进行处理。
在纵型真空处理装置1中，从负荷锁定室11直至第二成膜室14设置有输送基板的彼此平行的第一输送路15及第二输送路16。第二输送路16设置于在第一成膜室13及第二成膜室14设置的成膜构件131及141侧。第一输送路15及第二输送路16上分别铺设有两个轨道，基板载体2通过在基板载体底部设置的车轮在该轨道上移动。该情况下，在基板载体2的下面设有齿条，并且，在负荷锁定室11、加热室12、第一成膜室13、及第二成膜室14设有通过电动机的旋转力旋转的小齿轮，因此，使该齿条和小齿轮啮合，将电动机的驱动力传递给基板载体2，输送基板载体2。
负荷锁定室11的构成为，设有未图示的真空泵，可将负荷锁定室11内真空排气至规定的真空度，且可保持该真空度。
加热室12的构成为，设有未图示的真空泵，可将加热室12内真空排气至规定的真空度，且可保持该真空度，并且，可通过加热装置121将第二输送路16或第一输送路15上的基板升温至规定的温度。
在第一成膜室13及第二成膜室14设有未图示的真空泵，可将第一成膜室13及第二成膜室14内真空排气至规定的真空度，且可保持该真空度。另外，在第一成膜室13设有成膜构件131，在第二成膜室14设有成膜构件141。作为成膜构件，可使用公知的成膜构件，例如在通过溅射法成膜的情况下，可设置靶材及溅射气体导入构件进行成膜。另外，在通过CVD法成膜的情况下，可设置成膜气体导入构件来进行成膜。由这些成膜构件131及141成膜的是处于第二输送路16上的成膜位置132及142的基板S，第一输送路15上的基板未成膜。
另外，在第一成膜室13及第二成膜室14设有可使基板载体2在第一输送路15及第二输送路16间移动的路径变更构件17。路径变更构件17未详细图示，但例如构成为，可由设于基板载体2的外框的保持部支承基板载体2，使基板载体2在第一输送路15及第二输送路16间平行移动，变更输送路。
本发明的纵型真空处理装置中，利用上述构成的基板载体2在各第一输送路15及第二输送路16上输送基板S，可在各室内对基板S进行规定的处理。另外，在第一成膜室，即使基板S处于第一输送路15上的情况下，通过路径变更构件17也可以使基板S在第二输送路16上移动，可进行规定的处理，因此，在进行多次同一成膜的成膜方法中，可省略进行同一成膜的成膜室。即，现有的真空处理装置中，由于仅在最后部的处理室设置了路径变更构件，因此，从最前部的负荷锁定室至最后部的第二成膜室使得基板在第二输送路上通过，结束一连串的处理工序后，通过路径变更构件变更为第一输送路，会在第一输送路上移动。基板在移动到第一输送路后不返回第二输送路，因此，例如不能在中途再一次返回第二输送路，重复同一成膜工序。因此，需要成膜方法的处理工序的数量的处理室。但是，本申请中，由于在中途的处理室也设置有路径变更构件17，所以即使第一输送路15上有基板S，在要进行规定的处理时，也可以通过路径变更构件17使基板在第二输送路16移动，可进行规定的处理。因此，可以以比成膜工序数少的处理室数形成同一膜，因此，本发明的真空处理装置1与目前相比，为更紧凑的装置结构。
下面，对使用了本发明的纵型真空处理装置的成膜方法进行说明。
如果使用本发明的纵型真空处理装置1，则在第二输送路16上输送，从负荷锁定室11搬入，在第一成膜室13及第二成膜室14成膜后，在第二成膜室14通过路径变更构件17向第一输送路15移动，使得第二成膜室14、第一成膜室13、加热室12及负荷锁定室11通过并取出基板，由此，可以在基板S上形成两层膜。
另外，如果使用本发明的纵型真空处理装置1，则也可以形成图2所示的3层膜。图2是成膜后的基板S的剖面示意图，在基板S上按顺序成膜第一膜31、第二膜32、第三膜33。第一膜31和第三膜33为同一膜，仅第二膜32是不同的膜。另外，第二膜32与第一膜31及第三膜33相比，需要的成膜时间长。例如图中，第二膜32与第一膜31及第三膜33相比，膜厚较厚，因此，成膜时间长。使用图3对使用真空处理装置1形成这样的3层膜构造的方法进行详细说明。
图3(a)是使用本发明的真空处理装置1形成3层膜时的时序图，图3(b)是表示在真空处理装置1内的基板S的输送路径的示意图。在时序图中，纵轴表示基板S1的位置，横轴表示时间。另外，在此，对于负荷锁定室11省略。
在t＝0，基板S1从第一输送路15被搬入加热室12，在t＝t1加热至规定的温度时，经由第一输送路15搬入第一成膜室13。其次，在t＝t2～t3间，基板S1在第一成膜室13通过路径变更构件17从第一输送路15向第二输送路16移动，在t＝t3～t4间成膜第一膜31。之后，基板S1在t＝t4～t5被搬入第二成膜室14，从t＝t5开始第二膜32的成膜。在t＝t6成膜结束后，基板S1在t＝t6～t7通过路径变更构件17从第二输送路16移动到第一输送路15后，经由第一输送路15从第二成膜室14搬运到第一成膜室13。在第一成膜室13，基板S1在t＝t8～t9通过路径变更构件17从第一输送路15向第二输送路16移动，从t＝t9开始第三膜33的成膜。当在t＝t10结束成膜时，基板S1在t＝t10～t11向加热室12被搬出。通过这样的成膜方法，在基板上，在t＝t3～t4间形成第一膜31，在t＝t5～t6形成比第一膜31及第三膜33厚的第二膜32，在t＝t9～t10形成与第一膜相同的第三膜。
这样，如果使用本发明的纵型真空处理装置1，则在成膜与第一模31相同的第三膜33的情况下，可以不设置用于成膜第三膜的成膜室而在同一第一成膜室13中在基板S上成膜3层膜。因此，本真空处理装置1中，即使在成膜3层的情况下，成膜室不需要具备三个三个，只要具备两个即可，因此，可以紧凑，并且可以低成本地制作。
在上述中，仅关注一片基板S1进行了说明，但使用图4及图5(a)也包含其它基板的动作，对本发明的第一成膜方法进行详细说明。
图4是在每时间(1)～(11)显示用于说明使用了本发明的纵型真空处理装置的成膜方法的加热室12、第一成膜室13、第二成膜室14的基板S1～S5的输送路径的示意图。另外，图4(1)之后，省略表示基板的参照符号和表示处理室的参照符号以外的部分。另外，图5(a)是与图4相对应，表示基板S1～S5的输送状态的时序图，与图4(1)～(11)相对应的部位标注(1)～(11)。下面，以图4为中心进行说明。
图4(1)中，具体而言，基板S3为下述状态，全部在第一成膜室13成膜第一膜31，设于第二输送路16的第二成膜室14的成膜位置142并成膜第二膜32。基板S2为下述状态，全部在第一成膜室13成膜第一膜13，且在第二成膜室14成膜第二膜32，之后，设于第二输送路16的第一成膜室13的成膜位置132，成膜第三膜33。基板S1经由第一输送路从负荷锁定室11被输送到加热室12，在加热室12加热至规定的温度并保持。
若基板S1的加热和对基板S2的第三膜33的成膜结束，则使加热室12和第一成膜室13之间的门阀开放，基板S2被搬入加热室12，且基板S1被搬入第一成膜室13(参照图4(2))。
其次，由于基板S2成膜第一膜31～第三膜33，因此，从加热室12直接向负荷锁定室11搬出。基板S1通过路径变更构件17从第一输送路15向第二输送路16移动，设置在成膜位置132。设于成膜位置132的基板S1开始第一膜31的成膜(参照图4(3))。
在基板S1的成膜中，从图4(1)的时刻起对于第二膜32的成膜中的基板S3的成膜结束时，基板S3通过路径变更构件17从第二输送路16的成膜位置142向第一输送路15移动(参照图4(4))。
基板S1的成膜结束时，使第二成膜室14和第一成膜室13之间的门阀开放，基板S3经由第一输送路15被搬入第一成膜室13，且基板S1经由第二输送路16被搬入第二成膜室14(参照图4(5))。
之后，将基板S1设于第二成膜室14的成膜位置142，开始成膜。基板S3通过路径变更构件17从第一输送路15向第二输送路16移动，设置在成膜位置132，在第一成膜室13中，在基板S3上开始第三膜33的成膜。在对于该基板S3的第三膜33的成膜中，基板S4从负荷锁定室11经由第一输送路15被输送到加热室12(参照图4(6))。
基板S4的加热和对于基板S3的第三膜33的成膜结束时，使加热室12和第一成膜室13之间的门阀开放，基板S3经由第二输送路16向加热室12被搬出，且基板S4经由第一输送路被搬入第一成膜室13(参照图4(7))。
基板S3成膜至第一膜31～第三膜33，因此，从加热室12被直接向负荷锁定室13搬出。基板S4通过路径变更构件17从第一输送路15向第二输送路16移动，设于成膜位置132，开始对于基板S4的第一膜31的成膜。在对于基板S1的第二膜32的成膜结束时，通过路径变更构件17将基板S1从第二输送路16的成膜位置142向第一输送路15移动(参照图4(8))。
之后，结束对于基板S4的成膜时，使第二成膜室14和第一成膜室13之间的门阀开放，基板S4经由第二输送路16被搬入第二成膜室14，且基板S1经由第一输送路15被搬入第一成膜室13(参照图4(9))。
基板S1通过路径变更构件17在第一成膜室13从第一输送路15向第二输送路16移动，设置在成膜位置132，开始第三膜33的成膜。基板S4设置在第二成膜室14的成膜位置142，开始成膜。在对于该基板S1的第三膜33的成膜中，从负荷锁定室11经由第一输送路15将基板S5输送到加热室12(参照图4(10))。
最后，当基板S5的加热和对于基板S1的第三膜33的成膜结束时，使加热室12和第一成膜室13之间的门阀开放，基板S1经由第二输送路16向加热室12被搬出，且基板S5经由第一输送路15被搬入第一成膜室13。基板S5通过路径变更构件17从第一输送路15向第二输送路16移动(参照图4(11))。之后，基板S1成膜第一膜31～第三膜33，因此，从加热室12被直接向负荷锁定室11搬出。另外，不仅基板S1～S3，而且对于基板S4及S5，也与基板S1～S3相同，可以成膜3层。
这样，本发明的纵型真空处理装置由于可通过路径变更构件17变更基板输送路，所以是纵型输送方式的装置，并且在对于基板S1～S5由第二成膜室14在基板上对成膜时间长的第二膜32进行成膜期间，可以在第一成膜室内在其它基板上成膜第一膜31及第三膜33。因此，可以不延长生产节拍时间而使用由两个成膜室构成的处理装置成膜3层构造的膜。
下面，使用图6对使用了本发明的纵型真空处理装置的第二成膜方法进行说明。
第二成膜方法与上述第一成膜方法的基板S的输送路径不同，但可同样形成图2所示的膜。图6(a)是表示使用本发明的装置形成3层膜时的时序图及图6(b)是表示基板输送路径的示意图。在时序图中，纵轴表示基板S的位置，横轴表示时间。另外，在此，对于负荷锁定室11省略。
在t＝0，基板S1从第二输送路16被搬入加热室12，当加热至规定的温度时，在t＝t1～t2，基板S1经由第二输送路16被搬入第一成膜室13。其次，从t＝t2起，基板S1在第一成膜室13成膜第一膜31。在t＝t3成膜结束后，基板S1在t＝t3～t4从第一成膜室13向第二成膜室14输送，从t＝t4开始第二膜32的成膜。在t＝t5结束成膜后，基板S1在t＝t5～t6通过路径变更构件17从第二输送路16移动到第一输送路15后，从第二成膜室14输送到第一成膜室13。其次，基板S1在t＝t7～t8，在第一成膜室13通过路径变更构件17从第一输送路15向第二输送路16移动，从t＝t8开始第三膜33的成膜。在t＝t9结束成膜时，在t＝t9～t10通过路径变更构件17从第二输送路16向第一输送路15移动后，在t＝t10～t11基板S1向加热室12被搬出。
通过这样的成膜方法，在基板上在t＝t2～t3形成第一膜31，在t＝t4～t5形成比第一膜及第三膜厚的第二膜32，在t＝t8～t9形成与第一膜相同的第三膜33。
使用图7及图5(b)，也包含其它基板的动作对该膜的形成方法进行详细说明。
图7是在每时间(1)～(11)显示用于说明使用了本发明的纵型真空处理装置的成膜方法的加热室12、第一成膜室13、第二成膜室14的基板S1～S5的基板的输送路径的示意图。另外，图7(1)之后，省略表示基板的参照符号和表示处理室的参照符号以外的部分。另外，图5(b)是与图7相对应，是表示基板S1～S5的输送及成膜状态的时序图，与图7(1)～(11)相对应的部位标注(1)～(11)。下面，以图7为中心进行说明。
图7(1)中，基板S3为下述状态，全部在第一成膜室13成膜第一膜31后，设于第二输送路16的第二成膜室14的成膜位置142并成膜第二膜32。基板S2为下述状态，全部在第一成膜室13成膜第一膜31，且在第二成膜室14成膜第二膜32，之后，在第一成膜室13成膜第三膜33，通过路径变更构件17从第二输送路16向第一输送路移动。基板S1经由第二输送路16从负荷锁定室11被输送到加热室12，在加热室12加热至规定的温度并保持。
基板S1的加热和基板S2的移动结束时，使加热室12和第一成膜室13之间的门阀开放，基板S2经由第一输送路15向加热室12被搬出，且基板S1经由第二输送路16向第一成膜室13被搬入(参照图7(2))。
其次，将基板S1设置于成膜位置132，开始第一膜31的成膜。基板S2成膜第一膜31～第三膜33，因此，从加热室12被直接向负荷锁定室11搬出。在基板S1的成膜中，从图7(1)的时刻起对于第二膜32的成膜中的基板S3的成膜结束时，基板S3通过路径变更构件17从第二输送路16的成膜位置142向第一输送路15移动(参照图7(3))。
基板S1的成膜结束时，使第二成膜室14和第一成膜室13之间的门阀开放，基板S3经由第一输送路15被搬入第一成膜室13，且基板S1经由第二输送路16被搬入第二成膜室14(参照图7(4))。
之后，将基板S1设于第二成膜室14的成膜位置142，开始成膜。基板S3通过路径变更构件17从第一输送路15向第二输送路16移动，设置在成膜位置132，开始第三膜33的成膜。在对于该基板S1的第二膜32的成膜中，基板S4从负荷锁定室11经由第一输送路16被输送到加热室12(参照图7(5))。
对于基板S3的第三膜33的成膜结束时，基板S3通过路径变更构件17从第二输送路16向第一输送路15移动(参照图7(6))。
基板S3的路径变更和基板S4的加热结束时，使加热室12和第一成膜室13之间的门阀开放，基板S3经由第一输送路15被向加热室12搬出，且基板S4经由第二输送路被搬入第一成膜室13，开始成膜。另外，对于基板S1的第二膜32的成膜结束时，基板S1通过路径变更构件17从第二输送路16向第一输送路15移动(参照图7(7))。
基板S3成膜第一膜31～第三膜33，因此，从加热室12经由第一输送路15被直接向负荷锁定室11搬出。对于基板S4的第一膜31的成膜结束时，使第二成膜室14和第一成膜室13之间的门阀开放，基板S4经由第二输送路16被搬入第二成膜室14，在成膜位置142开始成膜。且基板S1经由第一输送路15被搬入第一成膜室13(参照图7(8))。
基板S1通过路径变更构件17在第一成膜室13从第一输送路15向第二输送路16移动，设于成膜位置132，开始第三膜33的成膜。在对于基板S4的第二膜32的成膜中，基板S5从负荷锁定室11经由第二输送路16被输送至加热室12，开始加热(参照图7(9))。
对于基板S1的第三膜33的成膜结束时，通过路径变更构件17，基板S1在第一成膜室13从第二输送路16向第一输送路15移动(参照图7(10))。
最后，结束基板S5的加热和基板S1的移动时，使加热室12和第一成膜室13之间的门阀开放，基板S1经由第一输送路15向加热室12被搬出，且基板S5经由第二输送路16被搬入第一成膜室13。基板S4通过路径变更构件17从第二输送路16向第一输送路15移动(参照图7(11))。之后，基板S1成膜了第一膜31～第三膜33，因此，从加热室12向负荷锁定室11被搬出。另外，不仅基板S1～S3，而且对于基板S4及S5，也与基板S1～S3相同，可以成膜3层。
这样，本发明的纵型真空处理装置由于可通过路径变更构件17变更基板输送路，所以是纵型输送方式的装置，并且在第二成膜室14于基板上对成膜时间长的第二膜32进行成膜期间，可以在第一成膜室，在其它基板上成膜第一膜31及第三膜33。因此，可以不延长生产节拍时间而使用由两个成膜室构成的处理装置成膜3层构造的膜。
另外，作为第三成膜方法，在第二成膜方法中，从第二输送路16搬入基板并进行成膜，但即使从第一输送路15搬入基板，同样也可以使用图1所示的处理装置进行3层成膜。使用图8对这一点进行说明。
图8(a)是表示使用本发明的装置形成3层膜时的时序图及图8(b)是表示基板的输送路径的示意图。在时序图中，纵轴表示基板S的位置，横轴表示时间。另外，在此也省略负荷锁定室11。
在t＝0，基板S1从第一输送路15被搬入加热室12，当加热至规定的温度时，在t＝t1～t2，经由第一输送路15被搬入第一成膜室13。其次，在t＝t2～t3，在第一成膜室13通过路径变更构件17将基板S1从第一输送路15向第二输送路16移动，从t＝t3起开始第一膜31的成膜。在t＝t4成膜结束时，基板S1通过路径变更构件17从第二输送路16向第一输送路15移动。移动结束后，在t＝t5～t6，基板S1从第一成膜室13向第二成膜室14输送，在t＝t6～t7通过路径变更构件17从第一输送路15向第二输送路16移动，从t＝t7开始第二膜32的成膜。在t＝t8结束成膜后，基板S1在t＝t8～t9从第二成膜室14被输送向第一成膜室13。接着，在t＝9，在第一成膜室13对基板S1开始第三膜33的成膜。在t＝10结束成膜时，基板S1在t＝t10～t11经由第二输送路16向加热室12被搬出。
通过这样的成膜方法，在基板上，在t＝t3～t4形成第一膜31，在t＝t7～t8形成比第一膜及第三膜厚的第二膜32，在t＝t9～t10形成与第一膜相同的第三膜33。
另外，图8中，表示其它基板输送路径的图省略，但如图5(c)所示，即使在该情况下，也可以以与图5(a)所示的第一成膜方法及图5(b)所示的第二成膜方法相同的生产节拍时间进行成膜。
即，本发明的各成膜方法中，通过在第一成膜室13也设置路径变更构件17，第一输送路15上的基板S也在第二输送路16移动，因此，可以在第一成膜室13进行两次成膜。该情况下，第二膜32的成膜时间长，因此，在第二膜32成膜中，可成膜第一膜31及第三膜33，因此，成膜工序中浪费的时间少。
另外，本发明的真空处理装置1中，加热构件设置于加热室12，但也可以在未设置路径变更构件17的室的第一输送路15及第二输送路16之间设置加热构件。
另外，上述实施方式中，在真空处理装置1的第一成膜室13及第二成膜室14设置有路径变更构件17，但只要在最后部的处理室和在成膜工序中进行两次相同处理的处理室分别设置路径变更构件17即可。例如即使不进行成膜处理，在实施两次等离子曝光工序这样的成膜方法的情况下，只要在真空处理装置1设置等离子发生室，在该等离子发生室设置路径变更构件17即可。
在上述的本发明的各成膜方法中，基板的搬入·搬出的时机可以根据成膜方法、膜的种类等、装置构成来变更。
另外，在基板上有选择地仅要成膜1层的情况下，将基板S从负荷锁定室11在第二输送路16上输送，仅在第一成膜室13进行成膜，通过路径变更构件17使基板S从第二输送路向第一输送路15移动，通过第一成膜室13、加热室12及负荷锁定室11取出基板S，由此，也可以在基板S上形成一层膜。因此，根据本发明的纵型真空处理装置1，可以根据成膜工序使装置的动作变化。另外，在设置两室第二成膜室的情况下，即使一第二成膜室在维护中，也可以由第一成膜室13侧的第二成膜室进行成膜，可以通过该成膜室的路径变更构件17使基板S从第二输送路向第一输送路15移动，由此继续运转。
实施例1
本实施例中，在图1所示的纵型真空处理装置1中，利用与图5相同的成膜方法在基板上进行了成膜。作为成膜构件131，将Mo靶材以与设于成膜位置132的基板对向的方式进行设置，同时，作为溅射气体，向第一成膜室内导入Ar气体。作为成膜构件141，将Al靶材以与设于成膜位置142的基板对向的方式设置，同时，作为溅射气体，向第二成膜室内导入Ar气体。作为基板，使用2200mm×2400mm×t0.7mm的玻璃基板。
首先，将基板S1从第一输送路15搬入加热室12，在加热至规定的温度(约100℃)后，将基板S1经由第一输送路15搬入了第一成膜室13。其次，将基板S1在第一成膜室13通过路径变更构件17从第一输送路15向第二输送路16移动后，导入溅射气体，开始Mo膜的成膜。经过了约10秒后，结束成膜，进行第一成膜室的排气。其次，将基板S1向第二成膜室14搬入，导入溅射气体，开始Al膜的成膜。在经过约50秒并结束了Al膜的成膜后，将基板S1通过路径变更构件17从第二输送路16向第一输送路15移动后，进行第二成膜室14内部的排气。其次，将基板S1从第二成膜室14向第一成膜室13输送。在第一成膜室13，将基板S1通过路径变更构件17从第一输送路15向第二输送路16移动，导入溅射气体，再次开始Mo膜的成膜。经过了约10秒后，结束成膜，进行排气后，将基板S1向加热室12搬出。通过这样的成膜方法，在基板上形成作为第一膜31的Mo膜、作为第二膜32的Al膜、作为第三膜33的Mo膜。各膜的厚度分别为约50nm、约300nm、约50nm。另外，对于其它基板，也可以在基板上分别成膜3层构造的膜。
实施例2
本实施例中，除在第一成膜室中在作为溅射气体的Ar气体中适量混入了N2气体这一点以外，与实施例1同样地进行成膜。在基板上形成作为第一膜31的氮化Mo膜、作为第二膜32的Al膜、作为第三膜的氮化Mo膜。各膜的厚度分别为约50nm、约300nm、约50nm。该情况下，由于在成膜前进行的溅射压力调节的时间可以使基板移动，所以成膜中生产节拍时间相同。
产业上的可利用性
根据本发明的纵型真空处理装置，即使对于大型的基板也可以进行处理，因此，在显示器制造领域可加以利用。

Claims (7)

1.一种真空处理装置，其串联连接多个对基板进行规定处理的处理室，其特征在于，
在所述真空处理装置中设有遍及真空处理装置的多个处理室间设置的第一基板输送路、相对于第一基板输送路并排设置且输送基板的同时对基板进行各处理室内的规定处理的第二基板输送路，并且，在所述多个处理室中的至少两个处理室设置有用于在第一基板输送路及第二基板输送路之间使基板移动的输送路变更构件。
2.如权利要求1所述的真空处理装置，其特征在于，在所述处理室中串联连接的最后部的处理室和最后部的处理室以外的至少一个处理室设置有所述输送路变更构件。
3.如权利要求1或2所述的真空处理装置，其特征在于，所述真空处理装置具备负荷锁定室、加热室、第一成膜处理室、第二成膜处理室，在第一成膜处理室和第二成膜处理室设有所述输送路变更构件，并且，第一成膜处理室和第二成膜处理室形成彼此不同的膜。
4.一种基板处理方法，其使用真空处理装置、在各处理室对基板进行规定处理，所述真空处理装置串联连接多个对基板进行规定处理的处理室，且设有遍及该多个处理室间设置的第一基板输送路、和相对于第一基板输送路并排设置且输送所述基板的同时对各处理室内的基板进行规定处理的第二基板输送路，并且，在所述多个处理室中至少两个处理室设置有用于使基板在第一基板输送路及第二基板输送路之间移动的输送路变更构件，其特征在于，该基板处理方法具有：
在一处理室对第一基板进行规定处理的第一基板处理工序；
在一处理室对第二基板进行规定处理的第二基板处理工序；
在其它处理室对在所述第一基板处理工序中进行了规定处理的第一基板及第三基板分别进行规定处理的其它基板处理工序；
在一处理室对在所述其它基板处理工序中进行了规定处理的第三基板进行规定处理的第三基板处理工序，
所述其它基板处理工序在所述第二基板处理工序中进行，
并且，在所述其它基板处理工序中，通过设于所述其它处理室的输送路变更构件使被搬入到所述其它处理室内的第一基板及第三基板的至少之一在所述第一基板输送路及所述第二基板输送路之间移动。
5.如权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，
所述其它基板处理工序具备：
所述第一基板经由第一基板输送路被搬入所述其它处理室，之后利用所述输送路变更构件从所述第一基板输送路向所述第二基板输送路移动后，进行规定处理，在规定处理结束后，经由所述第二基板输送路从所述其它处理室搬出的工序；
所述第三基板经由所述第一基板输送路被搬入所述其它处理室内，之后利用所述输送路变更构件从所述第一基板输送路向所述第二基板输送路移动后，进行规定处理，在规定处理结束后，经由所述第二基板输送路搬入所述一处理装置的工序。
6.如权利要求4所述的基板处理方法，其特征在于，
所述其它基板处理工序具备：
所述第一基板经由第一基板输送路被搬入所述其它处理室内，利用所述输送路变更构件从所述第一基板输送路向所述第二基板输送路移动后，进行规定处理，在规定处理结束后，利用所述输送路变更构件从所述二基板输送路向所述第一基板输送路移动的工序；
所述第三基板经由所述第二基板输送路向所述其它处理室内被搬入，进行规定处理，在规定处理结束后，经由所述第二基板输送路搬入所述一处理装置的工序。
7.一种基板处理方法，其使用真空处理装置、在各处理室对基板进行规定处理，所述真空处理装置串联连接多个对基板进行规定处理的处理室，且设有遍及该多个处理室间设置的第一基板输送路、和相对于第一基板输送路并排设置且输送所述基板的同时对各处理室内的基板进行规定处理的第二基板输送路，并且，在所述多个处理室中的至少两个处理室设置有用于使基板在第一基板输送路及第二基板输送路之间移动的输送路变更构件，其特征在于，
在规定的处理室，利用输送路变更构件在第一基板输送路及第二基板输送路之间移动两次以上，同时，在该规定的处理室进行两次以上的规定处理。
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