JP5419708B2 - 真空処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
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Description
また、前記真空処理装置が、ロードロック室と、加熱室と、第1成膜処理室と、第2成膜処理室とを備え、第1成膜処理室と第2成膜処理室とに、前記搬送路変更手段が設けられると共に、第1成膜処理室と第2成膜処理室とは、互いに異なる膜が形成されるように構成されている。かかる構成によれば、2つの成膜処理室により、3層の膜を形成することが可能である。
ここで、前記第1成膜処理室において、前記第1の基板搬送路を介して搬送された第1の基板を前記第1の基板搬送路及び前記第2の基板搬送路間で移動させる第一移動工程と、前記第1の基板に対して所定の処理を行う第一基板処理工程と、前記第2の基板搬送路を介して前記第一基板処理工程で所定の処理がなされた第1の基板が搬送された前記第2成膜処理室において、前記第1の基板に対して所定の処理を行う第二基板処理工程と、前記第2成膜処理室において所定の処理がなされた第1の基板を前記第1の基板搬送路及び前記第2の基板搬送路間で移動させる第二移動工程と、前記第1の基板搬送路を介して前記第二基板処理工程で所定の処理がなされた第1の基板が搬送された前記第1成膜処理室において、前記第1の基板を前記第1の基板搬送路及び前記第2の基板搬送路間で移動させる第三移動工程と、前記第1の基板に対して所定の処理を行う第三基板処理工程と、前記第三基板処理工程で所定の処理がなされた第1の基板を前記第2の基板搬送路を介して前記第1成膜処理室から搬出する工程とを具備することが好ましい。
また、前記第1成膜処理室において、前記第2の基板搬送路を介して搬送された第1の基板に対して所定の処理を行う第一基板処理工程と、前記第2の基板搬送路を介して前記第一基板処理工程で所定の処理がなされた第1の基板が搬送された前記第2成膜処理室において、前記第1の基板に対して所定の処理を行う第二基板処理工程と、前記第2成膜処理室において所定の処理がなされた第1の基板を前記第1の基板搬送路及び前記第2の基板搬送路間で移動させる第一移動工程と、前記第1の基板搬送路を介して前記第二基板処理工程で所定の処理がなされた第1の基板が搬送された前記第1成膜処理室において、前記第1の基板を前記第1の基板搬送路及び前記第2の基板搬送路間で移動させる第二移動工程と、前記第1の基板に対して所定の処理を行う第三基板処理工程と、前記第三基板処理工程で所定の処理がなされた第1の基板を前記第1の基板搬送路及び前記第2の基板搬送路間で移動させる第三移動工程と、前記第三基板処理工程で所定の処理がなされた第1の基板を前記第1の基板搬送路を介して前記第1成膜処理室から搬出する工程とを具備することが好ましい。
また、前記第1成膜処理室において、前記第1の基板搬送路を介して搬送された第1の基板に対して前記第1の基板搬送路及び前記第2の基板搬送路間で移動させる第一移動工程と、前記第1の基板に対して所定の処理を行う第一基板処理工程と、前記第一基板処理工程で所定の処理がなされた第1の基板を前記第1の基板搬送路及び前記第2の基板搬送路間で移動させる第二移動工程と、前記第1の基板搬送路を介して前記第一基板処理工程で所定の処理がなされた第1の基板が搬送された前記第2成膜処理室において、前記第1の基板を前記第1の基板搬送路及び前記第2の基板搬送路間で移動させる第三移動工程と、前記第1の基板に対して所定の処理を行う第二基板処理工程と、前記第2の基板搬送路を介して前記第二基板処理工程で所定の処理がなされた第1の基板が搬送された前記第1成膜処理室において、前記第1の基板に対して所定の処理を行う第三基板処理工程と、前記第三基板処理工程で所定の処理がなされた第1の基板を前記第2の基板搬送路を介して前記第1成膜処理室から搬出する工程とを具備することが好ましい。
2 基板キャリア
11 ロードロック室
12 加熱室
13 第1成膜室
14 第2成膜室
15 第1搬送路
16 第2搬送路
17 経路変更手段
S 基板
(図7(8)参照)。
Claims (6)
- 基板に対し所定の処理を行う処理室が直列に複数接続されてなる真空処理装置において、
前記真空処理装置には、真空処理装置の複数の処理室間にわたって設けられた第1の基板搬送路と、第1の基板搬送路に対して並列に設けられ、基板を搬送すると共に各処理室での所定の処理が基板に対して行われる第2の基板搬送路とが設けられ、かつ、前記複数の処理室のうち、少なくとも2つの処理室に、基板を第1の基板搬送路及び第2の基板搬送路間で移動させるための搬送路変更手段が設けられ、
前記真空処理装置が、ロードロック室と、加熱室と、第1成膜処理室と、第2成膜処理室とを備え、第1成膜処理室と第2成膜処理室とに、前記搬送路変更手段が設けられると共に、第1成膜処理室と第2成膜処理室とは、互いに異なる膜が形成されるように構成されていることを特徴とする真空処理装置。 - 前記処理室のうち、直列に接続された最後部の処理室と、最後部の処理室以外の少なくとも1つの処理室とに前記搬送路変更手段が設けられたことを特徴とする請求項1に記載の真空処理装置。
- 基板に対し所定の処理を行う処理室が直列に複数接続されており、この複数の処理室間にわたって設けられた第1の基板搬送路と、第1の基板搬送路に対して並列に設けられ、前記基板を搬送すると共に各処理室での基板に対して所定の処理が行われる第2の基板搬送路とが設けられ、かつ、前記複数の処理室のうち、少なくとも2つの処理室に、基板を第1の基板搬送路及び第2の基板搬送路間で移動させるための搬送路変更手段が設けられて、前記処理室は、ロードロック室と、加熱室と、第1成膜処理室と、第2成膜処理室とであり、第1成膜処理室と第2成膜処理室とに、前記搬送路変更手段が設けられると共に、第1成膜処理室と第2成膜処理室とは、互いに異なる膜が形成されるように構成されている真空処理装置を用いて、各処理室において基板に対し所定の処理を行う基板処理方法であって、
所定の成膜処理室において、2回以上、基板を搬送路変更手段により第1の基板搬送路及び第2の基板搬送路間を移動させると共に、この所定の成膜処理室で前記基板に対して2回以上所定の処理を行うことを特徴とする基板処理方法。 - 前記第1成膜処理室において、前記第1の基板搬送路を介して搬送された第1の基板を前記第1の基板搬送路及び前記第2の基板搬送路間で移動させる第一移動工程と、前記第1の基板に対して所定の処理を行う第一基板処理工程と、前記第2の基板搬送路を介して前記第一基板処理工程で所定の処理がなされた第1の基板が搬送された前記第2成膜処理室において、前記第1の基板に対して所定の処理を行う第二基板処理工程と、前記第2成膜処理室において所定の処理がなされた第1の基板を前記第1の基板搬送路及び前記第2の基板搬送路間で移動させる第二移動工程と、前記第1の基板搬送路を介して前記第二基板処理工程で所定の処理がなされた第1の基板が搬送された前記第1成膜処理室において、前記第1の基板を前記第1の基板搬送路及び前記第2の基板搬送路間で移動させる第三移動工程と、前記第1の基板に対して所定の処理を行う第三基板処理工程と、前記第三基板処理工程で所定の処理がなされた第1の基板を前記第2の基板搬送路を介して前記第1成膜処理室から搬出する工程とを具備することを特徴とする、請求項3記載の基板処理方法。
- 前記第1成膜処理室において、前記第2の基板搬送路を介して搬送された第1の基板に対して所定の処理を行う第一基板処理工程と、前記第2の基板搬送路を介して前記第一基板処理工程で所定の処理がなされた第1の基板が搬送された前記第2成膜処理室において、前記第1の基板に対して所定の処理を行う第二基板処理工程と、前記第2成膜処理室において所定の処理がなされた第1の基板を前記第1の基板搬送路及び前記第2の基板搬送路間で移動させる第一移動工程と、前記第1の基板搬送路を介して前記第二基板処理工程で所定の処理がなされた第1の基板が搬送された前記第1成膜処理室において、前記第1の基板を前記第1の基板搬送路及び前記第2の基板搬送路間で移動させる第二移動工程と、前記第1の基板に対して所定の処理を行う第三基板処理工程と、前記第三基板処理工程で所定の処理がなされた第1の基板を前記第1の基板搬送路及び前記第2の基板搬送路間で移動させる第三移動工程と、前記第三基板処理工程で所定の処理がなされた第1の基板を前記第1の基板搬送路を介して前記第1成膜処理室から搬出する工程とを具備する、請求項3記載の基板処理方法。
- 前記第1成膜処理室において、前記第1の基板搬送路を介して搬送された第1の基板に対して前記第1の基板搬送路及び前記第2の基板搬送路間で移動させる第一移動工程と、前記第1の基板に対して所定の処理を行う第一基板処理工程と、前記第一基板処理工程で所定の処理がなされた第1の基板を前記第1の基板搬送路及び前記第2の基板搬送路間で移動させる第二移動工程と、前記第1の基板搬送路を介して前記第一基板処理工程で所定の処理がなされた第1の基板が搬送された前記第2成膜処理室において、前記第1の基板を前記第1の基板搬送路及び前記第2の基板搬送路間で移動させる第三移動工程と、前記第1の基板に対して所定の処理を行う第二基板処理工程と、前記第2の基板搬送路を介して前記第二基板処理工程で所定の処理がなされた第1の基板が搬送された前記第1成膜処理室において、前記第1の基板に対して所定の処理を行う第三基板処理工程と、前記第三基板処理工程で所定の処理がなされた第1の基板を前記第2の基板搬送路を介して前記第1成膜処理室から搬出する工程とを具備することを特徴とする、請求項3記載の基板処理方法。
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JP5596853B2 (ja) * | 2011-04-11 | 2014-09-24 | 株式会社アルバック | 成膜装置 |
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WO2017074484A1 (en) * | 2015-10-25 | 2017-05-04 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for vacuum deposition on a substrate and method for masking the substrate during vacuum deposition |
KR102359244B1 (ko) | 2016-11-21 | 2022-02-08 | 한국알박(주) | 막 증착 방법 |
JP6902379B2 (ja) * | 2017-03-31 | 2021-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム |
KR101958411B1 (ko) | 2018-08-28 | 2019-03-14 | 한국알박(주) | 막 증착 장치 및 방법 |
WO2022079311A1 (de) * | 2020-10-16 | 2022-04-21 | Fhr Anlagenbau Gmbh | Verfahren und vorrichtung zum beschichten von einzelnen substraten in einer doppelzügigen/doppelstöckigen inline-vakuum-beschichtungsanlage |
JPWO2022196063A1 (ja) * | 2021-03-15 | 2022-09-22 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05171441A (ja) * | 1991-12-17 | 1993-07-09 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | スパッタリング装置 |
JP2005340425A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001135704A (ja) * | 1999-11-09 | 2001-05-18 | Sharp Corp | 基板処理装置及び基板搬送用トレイの搬送制御方法 |
JP4754791B2 (ja) * | 2004-08-04 | 2011-08-24 | 株式会社アルバック | 真空処理装置 |
EP2009685A4 (en) * | 2006-04-19 | 2013-05-22 | Ulvac Inc | VERTICAL SUBSTRATE TRANSPORT DEVICE AND FILM DEPOSITION EQUIPMENT |
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2008
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05171441A (ja) * | 1991-12-17 | 1993-07-09 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | スパッタリング装置 |
JP2005340425A (ja) * | 2004-05-26 | 2005-12-08 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置 |
Also Published As
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