CN105177514B - 基板处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供有利于生产效率提高和设置面积缩小的基板处理装置。基板处理装置具备：处理基板的第一面和第二面的处理部、调整基板的温度的温度调整部、使温度调整部移动的驱动部、和输送基板的输送部，处理部进行的基板的第一面的处理在第一配置中进行，该第一配置是指基板配置在第一位置且温度调整部配置在基板的第二面的一侧，处理部进行的基板的第二面的处理在第二配置中进行，该第二配置是指基板配置在第二位置且温度调整部配置在基板的第一面的一侧，为了当在第一配置中第一面被处理后在第二配置中处理第二面，输送部将基板从第一位置沿输送路径输送至第二位置，在输送部将基板从第一位置输送至第二位置时，驱动部使温度调整部临时地从输送路径退避。

Description

基板处理装置

技术领域

本发明涉及处理基板的基板处理装置。

背景技术

存在处理基板的两个面中的双方的基板处理装置。在专利文献1中，记载了在基板W1的一个面W1a和另一个面W1b形成膜的成膜装置。该成膜装置具备第一成膜部E1、第二成膜部E2和支架旋转部E3。当在第一成膜部E1中在基板W1的一个面W1a形成第一被膜F1后，基板W1从第一成膜部E1被取出并移动至支架旋转部E3。在支架旋转部E3中，保持基板W1的支架载置部件41旋转180度。旋转后的基板W1返回第一成膜部E1，在第一成膜部E1中，在基板W1的另一个面W1b形成第一被膜F1。然后，基板W1经由支架旋转部E3移动至第二成膜部E2，在第二成膜部E2中，在基板W1的另一个面W1b，与第一被膜F1重叠地形成第二被膜F2。然后，基板W1从第二成膜部E2被取出并移动至支架旋转部E3，在支架旋转部E3中，保持基板W1的支架载置部件41旋转180度。旋转后的基板W1返回第二成膜部E2，在第二成膜部E2中，在基板W1的一个面W1a的第一被膜F1上重叠地形成第二被膜F2。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014－28999号公报

发明内容

发明要解决的课题

在专利文献1记载的成膜装置中，将在第一成膜部E1(或第二成膜部E2)中在一个面W1a形成了膜的基板从第一成膜部E1(或第二成膜部E2)取出并使其旋转，之后返回第一成膜部E1(或第二成膜部E2)，并在该基板的另一个面W1b形成膜。因此，由于基板的移动、旋转、移动的这种操作而阻碍了生产效率的提高。另外，在专利文献1记载的成膜装置中，当在基板W1的一个面W1a或另一个面W1b上与第一被膜F1重叠地形成第二被膜F2的情况下，需要第一成膜部E1和第二成膜部E2，因此，成膜装置的设置面积可能变大，另外，在专利文献1记载的成膜装置中，在同时进行针对一个基板W1的一个面W1a和另一个基板W2的一个面W2a的膜的形成的情况下，使用两个成膜部E1、E2来进行，因此，成膜装置的设置面积可能变大。

本发明的目的在于提供一种有利于生产效率的提高和设置面积的缩小的基板处理装置。

用于解决课题的手段

本发明的第一技术方案涉及基板处理装置，该基板处理装置具备：处理部，该处理部处理基板的第一面和第二面；温度调整部，该温度调整部调整所述基板的温度；驱动部，该驱动部使所述温度调整部移动；和输送部，该输送部输送所述基板，由所述处理部进行的所述基板的所述第一面的处理在第一配置中进行，所述第一配置是所述基板配置在第一位置并且所述温度调整部配置在所述基板的所述第二面的一侧的配置方式，由所述处理部进行的所述基板的所述第二面的处理在第二配置中进行，所述第二配置是所述基板配置在第二位置并且所述温度调整部配置在所述基板的所述第一面的一侧的配置方式，为了当在所述第一配置中所述第一面被处理之后在所述第二配置中处理所述第二面，所述输送部将所述基板从所述第一位置沿着输送路径输送至所述第二位置，在所述输送部将所述基板从所述第一位置输送至所述第二位置时，所述驱动部使所述温度调整部从所述输送路径临时地退避。

本发明的第二技术方案涉及基板处理装置，该基板处理装置具备：处理部，该处理部处理基板的第一面和第二面；和温度调整部，该温度调整部调整所述基板的温度，所述基板包含第一基板和第二基板，由所述处理部进行的所述第一基板的所述第一面的处理在第一配置中进行，所述第一配置是所述第一基板配置在第一位置并且所述温度调整部配置在所述第一基板的所述第二面的一侧的配置方式，由所述处理部进行的所述第一基板的所述第二面的处理和所述第二基板的所述第一面的处理在第二配置中进行，所述第二配置是所述第一基板配置在第二位置、所述第二基板配置在所述第一位置、并且所述温度调整部配置在所述第一基板和所述第二基板之间的配置方式。

发明的效果

根据本发明，提供了一种有利于生产效率的提高和设置面积的缩小的基板处理装置。

附图说明

图1是表示本发明的一个实施方式的基板处理装置的结构的剖视图。

图2是表示本发明的一个实施方式的基板处理装置的结构的剖视图。

图3是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。

图4是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。

图5是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。

图6是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。

图7是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。

图8是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。

图9是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。

图10是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。

图11是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。

图12是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。

图13是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。

图14是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。

图15是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。

图16是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。

图17是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。

图18是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。

图19是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。

图20是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。

图21是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。

图22是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。

图23是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。

图24是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。

图25是例示地表示本发明的一个实施方式的基板处理装置中的多个基板的连续的处理的图。

图26是表示本发明的一个实施方式的基板处理装置的结构的剖视图。

具体实施方式

以下，参照附图，通过其例示的实施方式来说明本发明。

图1、2是表示本发明的一个实施方式的基板处理装置1的结构的剖视图。在此，图1是用第一平面切断基板处理装置1的剖视图，图2是用与所述第一平面正交的第二平面切断基板处理装置1的剖视图。典型地，所述第一平面是水平面，所述第二平面是铅垂面。基板处理装置1具备：处理部P，该处理部P处理基板SUB的第一面S1和第二面S2；温度调整部TA，该温度调整部TA调整基板SUB的温度；驱动部DR，该驱动部DR使温度调整部TA移动；和输送部CNV1，该输送部CNV1输送基板SUB。此外，第一平面是指在图1、2所示的例子中与XY平面平行的平面，第二平面是指在图1、2所示的例子中与XZ平面平行的平面。

基板处理装置1能够构成为：在基板SUB的第一面S1被处理部P处理后，基板SUB的第二面S2被处理部P处理。此外，优选地，基板处理装置1构成为：在第一基板SUB1的第一面S1被处理部P处理后，第一基板SUB1的第二面S2和第二基板SUB2的第一面S1同时地被处理。在此，第一基板SUB1和第二基板SUB2等是为了将彼此不同的基板SUB相互区别而使用的表达方式。

处理部P能够包含：第一处理部P1，该第一处理部P1配置成处理基板SUB(SUB1、SUB2……)的第一面S1；第二处理部P2，该第二处理部P2配置成处理基板SUB(SUB1、SUB2……)的第二面S2。第一处理部P1和第二处理部P2能够以相互相对的方式配置。在基板处理装置1构成为溅射装置的情况下，第一处理部P1能够包含一个或多个阴极C1、C2，第二处理部P2能够包含一个或多个阴极C3、C4。阴极C1例如保持一个或多个溅射靶T11、T12并对其给予电位。阴极C2例如保持一个或多个溅射靶T21、T22并对其给予电位。阴极C3例如保持一个或多个溅射靶T31、T32并对其给予电位。阴极C4例如保持一个或多个溅射靶T41、T42并对其给予电位。

在第一处理部P1由一个阴极C1或C2构成，第二处理部P2由一个阴极C3或C4构成的情况下，阴极C1或C2、和阴极C3或C4也可以构成为能够沿与图1的X轴的方向平行的方向移动。或者，在第一处理部P1由一个阴极C1或C2构成，第二处理部P2由一个阴极C3或C4构成的情况下，基板SUB也可以构成为通过未图示的移动机构沿与图1的X轴的方向平行的方向移动。

由处理部P(第一处理部P1)进行的基板SUB的第一面S1的处理能够在第一配置中进行，所述第一配置是SUB基板配置在第一位置L1且温度调整部TA配置在基板SUB的第二面S2的一侧的配置方式。在第一配置中，温度调整部TA以与基板SUB的第二面S2接触的状态或与基板SUB的第二面S2相对的状态调整基板SUB的温度。由处理部P(第二处理部P2)进行的基板SUB的第二面S2的处理能够在第二配置中进行，所述第二配置是基板SUB配置在第二位置L2且温度调整部TA配置在基板SUB的第一面S1的一侧的配置方式。在第二配置中，温度调整部TA以与基板SUB的第一面S1接触的状态或与基板SUB的第一面S1相对的状态调整基板SUB的温度。

在此，对基板SUB的温度的调整能够是以下情况中的任意一个，例如：将基板SUB的温度维持在规定的温度范围内；将基板SUB的温度维持在上限温度以下；将基板SUB的温度维持在下限温度以上；对基板SUB进行冷却；和，对基板SUB进行加热。在基板处理装置1构成为溅射装置等等离子处理装置的情况下，典型地，温度调整部TA能够构成为冷却基板SUB的冷却部。在该情况下，基板SUB能够是例如树脂基板等。温度调整部TA也可以构成为加热基板SUB的加热部。在该情况下，基板SUB能够是例如金属基板、硅基板或玻璃基板等。

温度调整部TA能够包含例如在第一配置中与基板SUB的第二面S2接触或相对、在第二配置中与基板SUB的第一面S1接触或相对的温度调整板。温度调整板的温度能够由加热设备和/或冷却设备控制。

为了当在第一配置中基板SUB的第一面S1被处理后在第二配置中处理基板SUB的第二面S2，输送部CNV1将基板SUB从第一位置L1沿着输送路径(在图1、2中，输送路径沿着Y轴)输送至第二位置L2。在输送部CNV1将基板SUB从第一位置L1输送至第二位置L2时，驱动部DR使温度调整部TA从输送部CNV1的基板SUB的输送路径临时地退避。输送部CNV1的结构没有特别地限定，输送部CNV1例如能够由齿条和小齿轮或直线电动机或伸缩缸等构成。

输送部CNV1的基板SUB的输送路径的方向D1能够是与第一位置L1中的基板SUB的第一面S1交叉(例如，正交)的方向(Y轴方向)。在一例中，输送部CNV1的基板SUB的输送路径的方向D1能够是与第一位置L1中的基板SUB的第一面S1交叉的方向并且是水平方向。当驱动部DR使温度调整部TA退避时和使退避后的温度调整部TA返回原来的位置时使温度调整部TA移动的方向D2能够是与输送部CNV1的基板SUB的输送路径交叉的方向，例如是铅垂方向(Z轴方向)。方向D2是铅垂方向的这种结构有利于基板处理装置1的设置面积(占地面积)的减少。

当配置在第一位置L1的第一基板SUB1的第一面S1被处理部P(第一处理部P1)处理后，能够由处理部P同时地处理第一基板SUB1的第二面S2和第二基板SUB2的第一面S1。第一基板SUB1的第二面S2和第二基板SUB2的第一面S1的同时处理在如下状态下进行，该状态为：第一基板SUB1配置在第二位置L2，第二基板SUB2配置在第一位置L1，温度调整部TA配置在第一基板SUB1和第二基板SUB2之间。

基板处理装置1还能够具备：第一推压部件M1，该第一推压部件M1将配置在第一位置L1的基板SUB向温度调整部TA推压；第二推压部件M2，该第二推压部件M2将配置在第二位置L2的基板SUB向温度调整部TA推压。在此，第一推压部件M1能够作为用于处理基板SUB的第一面S1的一部分的掩模(mask)发挥作用，第二推压部件M2能够作为用于处理基板SUB的第二面S2的一部分的掩模发挥作用。

基板处理装置1能够构成为：在处理室200中，基板SUB的第一面S1和第二面S2被处理部P处理。基板处理装置1还能够具备分别与处理室200连接的装载室(装载锁定室)100和卸载室(装载锁定室)300。装载室100具有第一阀110和第二阀120。卸载室300具有第三阀310和第四阀320。

第一阀110是在将基板SUB从外部环境(例如，大气环境)搬入装载室100中时打开的阀。第二阀120是在将基板SUB从装载室100输送至处理室200中时打开的阀。第三阀310是在将基板SUB从处理室200输送至卸载室300中时打开的阀。第四阀320是在将基板SUB从卸载室300搬出至外部环境(例如，大气环境)时打开的阀。

基板处理装置1还能够具备第二输送部CNV2。第二输送部CNV2沿着与第一位置L1中的基板SUB的第一面S1平行的方向(X轴方向)，将应处理的基板SUB从处理室200外输送至处理室200中。另外，第二输送部CNV2沿着与第一位置L1中的基板SUB的第一面S1平行的方向(X轴方向)，将处理完毕的基板SUB从处理室200中输送至处理室200外。第二输送部CNV2的结构没有特别地限定，第二输送部CNV2也能够例如由齿条和小齿轮或直线电动机等构成。

输送部CNV1和第二输送部CNV2能够构成为通过输送保持基板SUB的基板支架SH来输送基板SUB。

以下，参照图3～图25例示地说明基板处理装置1中的多个基板SUB的连续的处理。此外，在图3～图25中，为了提高可视性，省略了输送部CNV1和第二输送部CNV2的图示。

首先，在图3所示的工序中，装载室100中的压力变成与外部环境(例如，大气环境)的压力相等，第一基板SUB1通过第一阀110被搬入装载室100中。然后，第一阀110被关闭，装载室100中被减压。接下来，在图4所示的工序中，第一基板SUB1被第二输送部CNV2从装载室100通过第二阀120输送至处理室200，然后，第二阀120被关闭。

接下来，在图5所示的工序中，第一基板SUB1被输送部CNV1沿着输送路径(沿着方向D1的输送路径)输送到第一位置L1。在此，第一位置L1是第一基板SUB1等基板SUB的第二面S2与温度调整部TA接触的位置。接下来，在图6所示的工序中，配置在第一位置L1的第一基板SUB1被推压部件M1向温度调整部TA推压。在该例中，第一推压部件M1作为用于处理第一基板SUB1的第一面S1的一部分的掩模发挥作用。在该状态下，由第一处理部P1对溅射靶T11、T21进行溅射，由被溅射的粒子在第一基板SUB1的第一面S1形成第一膜(例如，NiCr膜)。

接下来，在图7所示的工序中，通过使阴极C1、C2旋转，溅射靶T12、T22与第一基板SUB1的第一面S1相对地配置。在该状态下，由第一处理部P1对溅射靶T12、T22进行溅射，由被溅射的粒子在形成于第一基板SUB1的第一面S1的第一膜(例如，NiCr膜)的上面形成第二膜(例如，Cu膜)。

接下来，在图8所示的工序中，第一推压部件M1被从第一基板SUB1隔离。另外，在图9所示的工序中，装载室100中的压力变成与外部环境(例如，大气环境)的压力相等，第二基板SUB2通过第一阀110被搬入装载室100中。然后，第一阀110被关闭，装载室100中被减压。另外，通过使阴极C1、C2旋转，溅射靶T11、T21与第一基板SUB1的第一面S1相对地配置。

接下来，在图10所示的工序中，温度调整部TA被驱动部DR沿着与方向D2平行的方向驱动，从输送部CNV1的第一基板SUB1的输送路径退避。接下来，在图11所示的工序中，第一基板SUB1被输送部CNV1沿着输送路径(沿着方向D1的输送路径)从第一位置L1输送至第二位置L2。接下来，在图12所示的工序中，温度调整部TA被驱动部DR沿着与方向D2平行的方向驱动，返回原来的位置(即，输送部CNV1的输送路径上的位置)。

接下来，在图13所示的工序中，第二基板SUB2被第二输送部CNV2从装载室100通过第二阀120输送至处理室200，然后，第二阀120被关闭。接下来，在图14所示的工序中，第二基板SUB2被输送部CNV1沿着输送路径(沿着方向D1的输送路径)输送到第一位置L1。此外，在上述的说明中，在图12所示的工序中，由驱动部DR将温度调整部TA返回原来的位置(即，输送部CNV1的输送路径上的位置)，但也可以不在图12的工序、图13的工序中由驱动部DR将温度调整部TA返回原来的位置(即，输送部CNV1的输送路径上的位置)，而是在图14的工序中，由驱动部DR将温度调整部TA沿着与方向D2平行的方向驱动，并返回原来的位置(即，输送部CNV1的输送路径上的位置)。

接下来，在图15所示的工序中，配置在第一位置L1的第二基板SUB2被第一推压部件M1向温度调整部TA推压。另外，配置在第二位置L2的第一基板SUB1被第二推压部件M2向温度调整部TA推压。在该例中，第二推压部件M2作为用于处理第一基板SUB1的第二面S2的一部分的掩模发挥作用。在该状态下，通过在第一基板SUB1的第二面S2和第二基板SUB2的第一面S1同时地溅射来形成第一膜(例如，NiCr膜)。具体来说，由第二处理部P2对溅射靶T31、T41进行溅射，由被溅射的粒子在第一基板SUB1的第二面S2形成第一膜(例如，NiCr膜)。另外，同时，由第一处理部P1对溅射靶T11、T21进行溅射，由被溅射的粒子在第二基板SUB2的第一面S1形成第一膜(例如，NiCr膜)。

接下来，在图16所示的工序中，通过使阴极C3、C4旋转，溅射靶T32、T42与第一基板SUB1的第二面S2相对地配置。同样地，通过使阴极C1、C2旋转，溅射靶T12、T22与第二基板SUB2的第一面S1相对地配置。在该状态下，通过在形成于第一基板SUB1的第二面S2和第二基板SUB2的第一面S1的第一膜的上面同时地溅射来形成第二膜(例如，Cu膜)。接下来，在图17所示的工序中，第二推压部件M2被从第一基板SUB1隔离，第一推压部件M1被从第二基板SUB2隔离。

接下来，在图18所示的工序中，第一基板SUB1被第二输送部CNV2从处理室200通过第三阀310输送至卸载室300，然后，第三阀310被关闭。接下来，在图19所示的工序中，温度调整部TA被驱动部DR沿着与方向D2平行的方向驱动，从输送部CNV1的第一基板SUB1的输送路径退避。在图20所示的工序中，装载室100中的压力变成与外部环境(例如，大气环境)的压力相等，第三基板SUB3通过第一阀110被搬入装载室100中。然后，第一阀110被关闭，装载室100中被减压。

接下来，在图21所示的工序中，第二基板SUB2被输送部CNV1沿着输送路径(沿着方向D1的输送路径)从第一位置L1输送至第二位置L2。接下来，在图22所示的工序中，温度调整部TA被驱动部DR沿着与方向D2平行的方向驱动，返回原来的位置(即，输送部CNV1的输送路径上的位置)。另外，卸载室300中的压力变成与外部环境(例如，大气环境)的压力相等，第一基板SUB1被从卸载室300中通过第四阀320搬出至外部环境。

接下来，在图23所示的工序中，通过使阴极C3、C4旋转，溅射靶T31、T41与第二基板SUB2的第二面S2相对地配置。同样地，通过使阴极C1、C2旋转，溅射靶T11、T21与温度调整部TA相对地配置。

接下来，在图24所示的工序中，第三基板SUB3被第二输送部CNV2从装载室100通过第二阀120输送至处理室200，然后，第二阀120被关闭。接下来，在图25所示的工序中，第三基板SUB3被输送部CNV1沿着输送路径(沿着方向D1的输送路径)输送到第一位置L1。另外，配置在第一位置L1的第三基板SUB3被第一推压部件M1向温度调整部TA推压。另外，配置在第二位置L2的第二基板SUB2被第二推压部件M2向温度调整部TA推压。

在该状态下，通过对第二基板SUB2的第二面S2和第三基板SUB3的第一面S1同时地溅射来形成第一膜(例如，NiCr膜)。具体来说，由第二处理部P2对溅射靶T31、T41进行溅射，由被溅射的粒子在第二基板SUB2的第二面S2形成第一膜(例如，NiCr膜)。另外，同时，由第一处理部P1对溅射靶T11、T21进行溅射，由被溅射的粒子在第三基板SUB3的第一面S1形成第一膜(例如，NiCr膜)。此外，通过使阴极C3、C4旋转，溅射靶T32、T42与第二基板SUB2的第二面S2相对地配置。同样地，通过使阴极C1、C2旋转，溅射靶T12、T22与第三基板SUB3的第一面S1相对地配置。在该状态下，通过在形成于第二基板SUB2的第二面S2和第三基板SUB3的第一面S1的第一膜的上面同时地溅射来形成第二膜(例如，Cu膜)。

通过反复进行以上的处理，多个基板SUB被连续地处理，此时，一个基板SUB的第一面S1和另外的基板SUB的第二面S2同时地被处理。另外，在本实施方式中，能够不使基板SUB旋转180度地处理基板SUB的两个面(第一面、第二面)。由此能够提高生产效率。另外，在本实施方式中，在一个处理室200中，能够对以夹着温度控制部TA的方式配置的两块基板SUB同时地进行处理。因此，根据本实施方式，与在将两块基板相互隔离的空间中进行处理的结构相比，能够缩小基板处理装置的设置面积。

在图26中，示出了图1至图25所示的基板处理装置1的变形例。图26所示的基板处理装置1与图1至图25所示的基板处理装置1的共同点在于，驱动部DR在使温度调整部TA退避时和使退避了的温度调整部TA返回原来的位置时使温度调整部TA移动的方向D2是与输送部CNV1的基板SUB的输送路径(方向D1)交叉的方向。但是，图26所示的基板处理装置1与图1至图25所示的基板处理装置1的不同点在于，方向D2(第二方向)是与水平方向中的一个方向D1(第一方向)交叉的、水平方向中的另一个方向(X轴方向)。方向D2是水平方向的这种结构有利于基板处理装置1的高度的减小。

方向D2只要是能够使温度调整部TA退避至不妨碍由输送部CNV1进行的基板SUB的输送的位置并使其返回原来的位置的方向即可。此外，驱动部DR使温度调整部TA移动的路径既可以是直线路径，也可以是例如圆弧状的路径等曲线路径。或者，驱动部DR使温度调整部TA移动的路径也可以包含两个以上的直线路径。

附图标记的说明

1：基板处理装置、P：处理部、P1：第一处理部、P2：第二处理部、C1－C4：阴极、T11－T42：溅射靶、TA：温度调整部、DR：驱动部、CNV1：输送部、CNV2：第二输送部、100：装载室、200：处理室、300：卸载室、SUB：基板、S1：第一面、S2：第二面、M1：第一推压部件、M2：第二推压部件、L1：第一位置、L2：第二位置、SH：基板支架。

Claims (12)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：

处理部，所述处理部处理基板的第一面和第二面；

温度调整部，所述温度调整部调整所述基板的温度；

驱动部，所述驱动部使所述温度调整部移动；和

输送部，所述输送部输送所述基板，

由所述处理部进行的所述基板的所述第一面的处理在第一配置中进行，所述第一配置是所述基板配置在第一位置并且所述温度调整部配置在所述基板的所述第二面的一侧的配置方式，

由所述处理部进行的所述基板的所述第二面的处理在第二配置中进行，所述第二配置是所述基板配置在第二位置并且所述温度调整部配置在所述基板的所述第一面的一侧的配置方式，

为了当在所述第一配置中所述第一面被处理之后在所述第二配置中处理所述第二面，所述输送部将所述基板从所述第一位置沿着输送路径输送至所述第二位置，

在所述输送部将所述基板从所述第一位置输送至所述第二位置时，所述驱动部使所述温度调整部从所述输送路径临时地退避，

所述处理部包含：第一处理部，所述第一处理部配置成处理所述基板的所述第一面；和第二处理部，所述第二处理部配置成处理所述基板的所述第二面，所述第一处理部和所述第二处理部相互相对地配置，

所述基板包含第一基板和第二基板，

当配置在所述第一位置的所述第一基板的第一面被所述处理部处理后，在所述第一基板配置在所述第二位置、所述第二基板配置在所述第一位置、所述温度调整部配置在所述第一基板和所述第二基板之间的状态下，由所述处理部同时地处理所述第一基板的第二面和所述第二基板的第一面。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

从所述第一位置到所述第二位置的所述输送路径的方向是与所述第一位置中的所述基板的所述第一面交叉的方向。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

所述驱动部使所述温度调整部从所述输送路径临时地退避的方向是与所述输送路径的方向交叉的方向。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

从所述第一位置到所述第二位置的所述输送路径的方向是水平方向，所述驱动部使所述温度调整部从所述输送路径临时地退避的方向是铅垂方向。

5.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

从所述第一位置到所述第二位置的所述输送路径的方向是水平方向中的第一方向，所述驱动部使所述温度调整部从所述输送路径临时地退避的方向是水平方向中的第二方向，所述第二方向是与所述第一方向交叉的方向。

6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，还具有：

第一推压部件，所述第一推压部件将配置在所述第一位置的所述基板向所述温度调整部推压；

第二推压部件，所述第二推压部件将配置在所述第二位置的所述基板向所述温度调整部推压。

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，

所述第一推压部件作为用于处理所述基板的所述第一面的一部分的掩模发挥作用，所述第二推压部件作为用于处理所述基板的所述第二面的一部分的掩模发挥作用。

8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

由所述处理部进行的所述基板的处理在腔室之中进行，

所述基板处理装置还具有第二输送部，所述第二输送部沿着与所述第一位置中的所述基板的所述第一面平行的方向，将应处理的所述基板从所述腔室之外输送至所述腔室之中，并沿着与所述第一位置中的所述基板的所述第一面平行的方向，将处理完毕的所述基板从所述腔室之中输送至所述腔室之外。

9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述处理部通过溅射在基板上形成膜。

10.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述温度调整部构成为对所述基板进行冷却或加热。

11.一种基板处理装置，其特征在于，具有：

处理部，所述处理部处理基板的第一面和第二面；和

温度调整部，所述温度调整部调整所述基板的温度，

所述基板包含第一基板和第二基板，

所述处理部包含：第一处理部，所述第一处理部配置成处理所述基板的所述第一面；和第二处理部，所述第二处理部配置成处理所述基板的所述第二面，所述第一处理部和所述第二处理部相互相对地配置，

由所述处理部进行的所述第一基板的所述第一面的处理在第一配置中进行，所述第一配置是所述第一基板配置在第一位置并且所述温度调整部配置在所述第一基板的所述第二面的一侧的配置方式，

由所述处理部进行的所述第一基板的所述第二面的处理和所述第二基板的所述第一面的处理同时地在第二配置中进行，所述第二配置是所述第一基板配置在第二位置、所述第二基板配置在所述第一位置、并且所述温度调整部配置在所述第一基板和所述第二基板之间的配置方式。

12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，

所述温度调整部构成为对所述基板进行冷却或加热。