JP6401084B2 - 基板処理装置 - Google Patents
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Description
本発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。
基板の２つの面の双方を処理する基板処理装置がある。特許文献１には、基板Ｗ１の一面Ｗ１ａおよび他面Ｗ１ｂに膜を形成する成膜装置が記載されている。該成膜装置は、第一成膜部Ｅ１、第二成膜部Ｅ２およびキャリア回転部Ｅ３を備えている。第一成膜部Ｅ１において基板Ｗ１の一面Ｗ１ａに第一被膜Ｆ１が形成された後に、基板Ｗ１は、第一成膜部Ｅ１から出されてキャリア回転部Ｅ３に移動される。キャリア回転部Ｅ３では、基板Ｗ１を保持したキャリア載置部材４１が１８０度回転される。回転された基板Ｗ１は、第一成膜部Ｅ１に戻されて、第一成膜部Ｅ１において、基板Ｗ１の他面Ｗ１ｂに第一被膜Ｆ１が形成される。その後、基板Ｗ１は、キャリア回転部Ｅ３を介して第二成膜部Ｅ２に移動され、第二成膜部Ｅ２において、基板Ｗ１の他面Ｗ１ｂに第一被膜Ｆ１に重ねて第二被膜Ｆ２が形成される。その後、基板Ｗ１は、第二成膜部Ｅ２から出されてキャリア回転部Ｅ３に移動され、キャリア回転部Ｅ３において、基板Ｗ１を保持したキャリア載置部材４１が１８０度回転される。回転された基板Ｗ１は、第二成膜部Ｅ２に戻されて、第二成膜部Ｅ２において、基板Ｗ１の一面Ｗ１ａの第一被膜Ｆ１に重ねて第二被膜Ｆ２が形成される。
特許文献１に記載された成膜装置では、第一成膜部Ｅ１（または第二成膜部Ｅ２）で一方の面Ｗ１ａに膜が形成された基板を第一成膜部Ｅ１（または第二成膜部Ｅ２）から出して回転させた後に第一成膜部Ｅ１（または第二成膜部Ｅ２）に戻して該基板の他方の面Ｗ１ｂに膜が形成される。したがって、基板の移動、回転、移動という操作のためにスループットの向上が妨げられる。また、特許文献１に記載された成膜装置では、基板Ｗ１の一面Ｗ１ａ又は他面Ｗ１ｂに、第一被膜Ｆ１に重ねて第二被膜Ｆ２を形成する場合、第一成膜部Ｅ１と第二成膜部Ｅ２が必要であるため、成膜装置の設置面積が大きくなりうる、また、特許文献１に記載された成膜装置では、１つの基板Ｗ１の一方の面Ｗ１ａと他の基板Ｗ２の一方の面Ｗ２ａとに対する膜の形成を同時に行う場合、２つの成膜部Ｅ１、Ｅ２を使ってなされるので、成膜装置の設置面積が大きくなりうる。
本発明は、スループットの向上および設置面積の縮小に有利な基板処理装置を提供することを目的とする。
本発明の第１の側面は、基板処理装置に係り、該基板処理装置は、基板の第１面および第２面を処理する処理部と、前記基板の温度を調整する温度調整部と、前記温度調整部を移動させる駆動部と、前記基板を搬送する搬送部と、を備え、前記処理部による前記基板の前記第１面の処理は、前記基板が第１位置に配置され前記温度調整部が前記基板の前記第２面の側に配置された第１配置においてなされ、前記処理部による前記基板の前記第２面の処理は、前記基板が第２位置に配置され前記温度調整部が前記基板の前記第１面の側に配置された第２配置においてなされ、前記第１配置において前記第１面が処理された後に前記第２配置において前記第２面を処理するために、前記搬送部が前記基板を前記第１位置から前記第２位置に搬送経路に沿って搬送し、前記搬送部が前記基板を前記第１位置から前記第２位置に搬送する際に、前記駆動部が前記温度調整部を前記搬送経路から一時的に退避させる。
本発明の第２の側面は、基板処理装置に係り、該基板処理装置は、基板の第１面および第２面を処理する処理部と、前記基板の温度を調整する温度調整部と、を備え、前記基板は、第１基板および第２基板を含み、前記処理部による前記第１基板の前記第１面の処理は、前記第１基板が第１位置に配置され、前記温度調整部が前記第１基板の前記第２面の側に配置された第１配置において前記第１基板が前記温度調整部に押し付けられた状態でなされ、前記処理部による前記第１基板の前記第２面の処理および前記第２基板の前記第１面の処理は、前記第１基板が第２位置に配置され、前記第２基板が前記第１位置に配置され、前記温度調整部が前記第１基板と前記第２基板との間に配置された第２配置において、前記第１基板が前記温度調整部に押し付けられ、かつ、前記第２基板が前記温度調整部に押し付けられた状態でなされる。
本発明によれば、スループットの向上および設置面積の縮小に有利な基板処理装置が提供される。
以下、添付図面を参照しながら本発明をその例示的な実施形態と通して説明する。
図１、２は、本発明の一つの実施形態の基板処理装置１の構成を示す断面図である。ここで、図１は、基板処理装置１を第１平面で切断した断面図であり、図２は、基板処理装置１を前記第１平面に直交する第２平面で切断した断面図である。典型的には、前記第１平面は水平面であり、前記第２平面は鉛直面である。基板処理装置１は、基板ＳＵＢの第１面Ｓ１および第２面Ｓ２を処理する処理部Ｐと、基板ＳＵＢの温度を調整する温度調整部ＴＡと、温度調整部ＴＡを移動させる駆動部ＤＲと、基板ＳＵＢを搬送する搬送部ＣＮＶ１とを備えている。なお、第１平面とは、図１、２に示された例では、ＸＹ平面に平行な平面であり、第２平面とは、図１、２に示された例では、ＸＺ平面に平行な平面である。
基板処理装置１は、基板ＳＵＢの第１面Ｓ１が処理部Ｐによって処理された後に、基板ＳＵＢの第２面Ｓ２が処理部Ｐによって処理されるように構成されうる。更に、基板処理装置１は、第１基板ＳＵＢ１の第１面Ｓ１が処理部Ｐによって処理された後に、第１基板ＳＵＢ１の第２面Ｓ２と第２基板ＳＵＢ２の第１面Ｓ１とが同時に処理されるように構成されることが好ましい。ここで、第１基板ＳＵＢ１および第２基板ＳＵＢ２などは、互いに異なる基板ＳＵＢを相互に区別するために用いられている表現である。
処理部Ｐは、基板ＳＵＢ（ＳＵＢ１、ＳＵＢ２・・・）の第１面Ｓ１を処理するように配置された第１処理部Ｐ１と、基板ＳＵＢ（ＳＵＢ１、ＳＵＢ２・・・）の第２面Ｓ２を処理するように配置された第２処理部Ｐ２とを含みうる。第１処理部Ｐ１および第２処理部Ｐ２は、相互に対向するよう配置されうる。基板処理装置１がスパッタリング装置として構成される場合、第１処理部Ｐ１は、１または複数のカソードＣ１、Ｃ２を含み、第２処理部Ｐ２は、１または複数のカソードＣ３、Ｃ４を含みうる。カソードＣ１は、例えば、１または複数のターゲットＴ１１、Ｔ１２を保持しつつそれらに電位を与える。カソードＣ２は、例えば、１または複数のターゲットＴ２１、Ｔ２２を保持しつつそれらに電位を与える。カソードＣ３は、例えば、１または複数のターゲットＴ３１、Ｔ３２を保持しつつそれらに電位を与える。カソードＣ４は、例えば、１または複数のターゲットＴ４１、Ｔ４２を保持しつつそれらに電位を与える。
第１処理部Ｐ１が１つのカソードＣ１又はＣ２で構成され、第２処理部Ｐ２が１つのカソードＣ３又はＣ４で構成される場合、カソードＣ１又はＣ２と、カソードＣ３又はＣ４は、図１のＸ軸の方向に平行な方向に移動可能に構成されてもよい。あるいは、第１処理部Ｐ１が１つのカソードＣ１又はＣ２で構成され、第２処理部Ｐ２が１つのカソードＣ３又はＣ４で構成される場合、基板ＳＵＢは、不図示の移動機構によって、図１のＸ軸の方向に平行な方向に移動されるように構成されてもよい。
処理部Ｐ（第１処理部Ｐ１）による基板ＳＵＢの第１面Ｓ１の処理は、ＳＵＢ基板が第１位置Ｌ１に配置され、温度調整部ＴＡが基板ＳＵＢの第２面Ｓ２の側に配置された第１配置においてなされうる。第１配置において、温度調整部ＴＡは、基板ＳＵＢの第２面Ｓ２に接触した状態または基板ＳＵＢの第２面Ｓ２に対向した状態で、基板ＳＵＢの温度を調整する。処理部Ｐ（第２処理部Ｐ２）による基板ＳＵＢの第２面Ｓ２の処理は、基板ＳＵＢが第２位置Ｌ２に配置され、温度調整部ＴＡが基板ＳＵＢの第１面Ｓ１の側に配置された第２配置においてなされうる。第２配置において、温度調整部ＴＡは、基板ＳＵＢの第１面Ｓ１に接触した状態または基板ＳＵＢの第１面Ｓ１に対向した状態で、基板ＳＵＢの温度を調整する。
ここで、基板ＳＵＢの温度を調整することは、例えば、基板ＳＵＢの温度を所定の温度範囲内に維持すること、基板ＳＵＢの温度を上限温度以下に維持すること、基板ＳＵＢの温度を下限温度以上に維持すること、基板ＳＵＢを冷却すること、および、基板ＳＵＢを加熱すること、のいずれかでありうる。基板処理装置１がスパッタリング装置などのプラズマ処理装置として構成される場合、典型的には、温度調整部ＴＡは、基板ＳＵＢを冷却する冷却部として構成されうる。この場合、基板ＳＵＢは、例えば、樹脂基板などでありうる。温度調整部ＴＡは、基板ＳＵＢを加熱する加熱部として構成されてもよい。この場合、基板ＳＵＢは、例えば、金属基板、シリコン基板またはガラス基板などでありうる。
温度調整部ＴＡは、例えば、第１配置において基板ＳＵＢの第２面Ｓ２に接触または対向し、第２配置において基板ＳＵＢの第１面Ｓ１に接触または対向する温度調整プレートを含みうる。温度調整プレートの温度は、加熱デバイスおよび／または冷却デバイスによって制御されうる。
第１配置において基板ＳＵＢの第１面Ｓ１が処理された後に第２配置において基板ＳＵＢの第２面Ｓ２を処理するために、搬送部ＣＮＶ１は、基板ＳＵＢを第１位置Ｌ１から第２位置Ｌ２に搬送経路（図１、２では、搬送経路はＹ軸に沿っている）に沿って搬送する。搬送部ＣＮＶ１が基板ＳＵＢを第１位置Ｌ１から第２位置Ｌ２に搬送する際に、駆動部ＤＲは、温度調整部ＴＡを搬送部ＣＮＶ１による基板ＳＵＢの搬送経路から一時的に退避させる。搬送部ＣＮＶ１の構成は、特に限定されないが、搬送部ＣＮＶ１は、例えば、ラックアンドピニオンまたはリニアモータまたは伸縮シリンダーなどで構成されうる。
搬送部ＣＮＶ１による基板ＳＵＢの搬送経路の方向Ｄ１は、第１位置Ｌ１における基板ＳＵＢの第１面Ｓ１に交差（例えば、直交）する方向（Ｙ軸方向）でありうる。一例において、搬送部ＣＮＶ１による基板ＳＵＢの搬送経路の方向Ｄ１は、第１位置Ｌ１における基板ＳＵＢの第１面Ｓ１に交差する方向かつ水平方向でありうる。駆動部ＤＲが温度調整部ＴＡを退避させる際および退避させた温度調整部ＴＡを元の位置に戻す際に温度調整部ＴＡを移動させる方向Ｄ２は、搬送部ＣＮＶ１による基板ＳＵＢの搬送経路と交差する方向、例えば鉛直方向（Ｚ軸方向）でありうる。方向Ｄ２が鉛直方向である構成は、基板処理装置１の設置面積（フットプリント）の低減に有利である。
処理部Ｐ（第１処理部Ｐ１）によって第１位置Ｌ１に配置された第１基板ＳＵＢ１の第１面Ｓ１が処理された後に、処理部Ｐによって第１基板ＳＵＢ１の第２面Ｓ２と第２基板ＳＵＢ２の第１面Ｓ１とが同時に処理されうる。第１基板ＳＵＢ１の第２面Ｓ２と第２基板ＳＵＢ２の第１面Ｓ１との同時処理は、第１基板ＳＵＢ１が第２位置Ｌ２に配置され、第２基板ＳＵＢ２が第１位置Ｌ１に配置され、温度調整部ＴＡが第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に配置された状態でなされる。
基板処理装置１は、更に、第１位置Ｌ１に配置される基板ＳＵＢを温度調整部ＴＡに押し付ける第１押し付け部材Ｍ１と、第２位置Ｌ２に配置される基板ＳＵＢを温度調整部ＴＡに押し付ける第２押し付け部材Ｍ１とを備えうる。ここで、第１押し付け部材Ｍ１は、基板ＳＵＢの第１面Ｓ１の一部を処理するためのマスクとして機能し、第２押し付け部材Ｍ２は、基板ＳＵＢの第２面Ｓ２の一部を処理するためのマスクとして機能しうる。
基板処理装置１は、処理チャンバー２００の中で基板ＳＵＢの第１面Ｓ１および第２面Ｓ２が処理部Ｐによって処理されるように構成されうる。基板処理装置１は、処理チャンバー２００にそれぞれ接続されたロードチャンバー（ロードロックチャンバー）１００およびアンロードチャンバー（ロードロックチャンバー）３００を更に備えうる。ロードチャンバー１００は、第１バルブ１１０および第２バルブ１２０を有する。アンロードチャンバー３００は、第３バルブ３１０および第４バルブ３２０を有する。
第１バルブ１１０は、外部環境（例えば、大気環境）からロードチャンバー１００の中に基板ＳＵＢを搬入する際に開かれるバルブである。第２バルブ１２０は、ロードチャンバー１００から処理チャンバー２００の中に基板ＳＵＢを搬送する際に開かれるバルブである。第３バルブ３１０は、処理チャンバー２００からアンロードチャンバー３００の中に基板ＳＵＢを搬送する際に開かれるバルブである。第４バルブ３２０は、アンロードチャンバー３００から外部環境（例えば、大気環境）に基板ＳＵＢを搬出する際に開かれるバルブである。
基板処理装置１は、第２搬送部ＣＮＶ２を更に備えうる。第２搬送部ＣＮＶ２は、第１位置Ｌ１における基板ＳＵＢの第１面Ｓ１に平行な方向（Ｘ軸方向）に沿って、処理すべき基板ＳＵＢを処理チャンバー２００の外から処理チャンバー２００の中に搬送する。第２搬送部ＣＮＶ２はまた、第１位置Ｌ１における基板ＳＵＢの第１面Ｓ１に平行な方向（Ｘ軸方向）に沿って、処理済みの基板ＳＵＢを処理チャンバー２００の中から処理チャンバー２００の外に搬送する。第２搬送部ＣＮＶ２の構成は、特に限定されないが、第２搬送部ＣＮＶ２は、例えば、ラックアンドピニオンまたはリニアモータなどで構成されうる。
搬送部ＣＮＶ１および第２搬送部ＣＮＶ２は、基板ＳＵＢを保持した基板ホルダＳＨを搬送することによって基板ＳＵＢを搬送するように構成されうる。
以下、図３〜図２５を参照しながら基板処理装置１における複数の基板ＳＵＢの連続的な処理を例示的に説明する。なお、図３〜図２５では、視認性を高めるために、搬送部ＣＮＶ１および第２搬送部ＣＮＶ２の図示が省略されている。
まず、図３に示される工程では、ロードチャンバー１００の中の圧力が外部環境（例えば、大気環境）の圧力と等しくされ、第１バルブ１１０を通してロードチャンバー１００の中に第１基板ＳＵＢ１が搬入される。その後、第１バルブ１１０が閉じられ、ロードチャンバー１００の中が減圧される。次いで、図４に示された工程では、第２搬送部ＣＮＶ２によって第２バルブ１２０を通してロードチャンバー１００から処理チャンバー２００に第１基板ＳＵＢ１が搬送される、その後、第２バルブ１２０が閉じられる。
次いで、図５に示された工程では、搬送部ＣＮＶ１によって第１基板ＳＵＢ１が搬送経路（方向Ｄ１に沿った搬送経路）に沿って第１位置Ｌ１まで搬送される。ここでは、第１位置Ｌ１は、第１基板ＳＵＢ１等の基板ＳＵＢの第２面Ｓ２が温度調整部ＴＡに接触する位置であるものとする。次いで、図６に示された工程では、第１位置Ｌ１に配置された第１基板ＳＵＢ１が押し付け部材Ｍ１によって温度調整部ＴＡに押し付けられる。この例では、第１押し付け部材Ｍ１は、第１基板ＳＵＢ１の第１面Ｓ１の一部を処理するためのマスクとして機能する。この状態で、第１処理部Ｐ１によって、ターゲットＴ１１、Ｔ２１をスパッタリングし、スパッタリングされた粒子によって第１基板ＳＵＢ１の第１面Ｓ１に第１膜（例えば、ＮｉＣｒ膜）が形成される。
次いで、図７に示された工程では、カソードＣ１、Ｃ２を回転させることによってターゲットＴ１２、Ｔ２２が第１基板ＳＵＢ１の第１面Ｓ１に対向して配置される。この状態で、第１処理部Ｐ１によって、ターゲットＴ１２、Ｔ２２をスパッタリングし、スパッタリングされた粒子によって第１基板ＳＵＢ１の第１面Ｓ１に形成された第１膜（例えば、ＮｉＣｒ膜）の上に第２膜（例えば、Ｃｕ膜）が形成される。
次いで、図８に示された工程では、第１基板ＳＵＢ１から第１押し付け部材Ｍ１が離隔される。また、図９に示す工程では、ロードチャンバー１００の中の圧力が外部環境（例えば、大気環境）の圧力と等しくされ、第１バルブ１１０を通してロードチャンバー１００の中に第２基板ＳＵＢ２が搬入される。その後、第１バルブ１１０が閉じられ、ロードチャンバー１００の中が減圧される。また、カソードＣ１、Ｃ２を回転させることによってターゲットＴ１１、Ｔ２１が第１基板ＳＵＢ１の第１面Ｓ１に対向して配置される。
次いで、図１０に示された工程では、駆動部ＤＲによって温度調整部ＴＡが方向Ｄ２に平行な方向に駆動され、搬送部ＣＮＶ１による第１基板ＳＵＢ１の搬送経路から退避される。次いで、図１１に示された工程では、搬送部ＣＮＶ１によって第１基板ＳＵＢ１が搬送経路（方向Ｄ１に沿った搬送経路）に沿って第１位置Ｌ１から第２位置Ｌ２に搬送される。次いで、図１２に示された工程では、駆動部ＤＲによって温度調整部ＴＡが方向Ｄ２に平行な方向に駆動され、元の位置（即ち、搬送部ＣＮＶ１による搬送経路上の位置）に戻される。
次いで、図１３に示された工程では、第２搬送部ＣＮＶ２によって第２バルブ１２０を通してロードチャンバー１００から処理チャンバー２００に第２基板ＳＵＢ２が搬送され、その後、第２バルブ１２０が閉じられる。次いで、図１４に示された工程では、搬送部ＣＮＶ１によって第２基板ＳＵＢ２が搬送経路（方向Ｄ１に沿った搬送経路）に沿って第１位置Ｌ１まで搬送される。なお、上記の説明では、図１２に示された工程において、駆動部ＤＲによって温度調整部ＴＡを元の位置（即ち、搬送部ＣＮＶ１による搬送経路上の位置）に戻しているが、図１２の工程、図１３の工程においては、駆動部ＤＲによって温度調整部ＴＡを元の位置（即ち、搬送部ＣＮＶ１による搬送経路上の位置）に戻さずに、図１４の工程において、駆動部ＤＲによって温度調整部ＴＡが方向Ｄ２に平行な方向に駆動され、元の位置（即ち、搬送部ＣＮＶ１による搬送経路上の位置）に戻されてもよい。
次いで、図１５に示された工程では、第１位置Ｌ１に配置された第２基板ＳＵＢ２が第１押し付け部材Ｍ１によって温度調整部ＴＡに押し付けられる。また、第２位置Ｌ２に配置された第１基板ＳＵＢ１が第２押し付け部材Ｍ２によって温度調整部ＴＡに押し付けられる。この例では、第２押し付け部材Ｍ２は、第１基板ＳＵＢ１の第２面Ｓ２の一部を処理するためのマスクとして機能する。この状態で、第１基板ＳＵＢ１の第２面Ｓ２および第２基板ＳＵＢ２の第１面Ｓ１に同時にスパッタリングによって第１膜（例えば、ＮｉＣｒ膜）が形成される。具体的には、第２処理部Ｐ２によって、ターゲットＴ３１、Ｔ４１をスパッタリングし、スパッタリングされた粒子によって第１基板ＳＵＢ１の第２面Ｓ２に第１膜（例えば、ＮｉＣｒ膜）が形成される。また、同時に、第１処理部Ｐ１によって、ターゲットＴ１１、Ｔ２１をスパッタリングし、スパッタリングされた粒子によって第２基板ＳＵＢ２の第１面Ｓ１に第１膜（例えば、ＮｉＣｒ膜）が形成される。
次いで、図１６に示された工程では、カソードＣ３、Ｃ４を回転させることによってターゲットＴ３２、Ｔ４２が第１基板ＳＵＢ１の第２面Ｓ２に対向して配置される。同様に、カソードＣ１、Ｃ２を回転させることによってターゲットＴ１２、Ｔ２２が第２基板ＳＵＢ２の第１面Ｓ１に対向して配置される。この状態で、第１基板ＳＵＢ１の第２面Ｓ２および第２基板ＳＵＢ２の第１面Ｓ１に形成された第１膜の上に同時にスパッタリングによって第２膜（例えば、Ｃｕ膜）が形成される。次いで、図１７に示された工程では、第１基板ＳＵＢ１から第２押し付け部材Ｍ２が離隔され、第２基板ＳＵＢ２から第１押し付け部材Ｍ１が離隔される。
次いで、図１８に示された工程では、第２搬送部ＣＮＶ２によって第３バルブ３１０を通して処理チャンバー２００からアンロードチャンバー３００に第１基板ＳＵＢ１が搬送され、その後、第３バルブ３１０が閉じられる。次いで、図１９に示された工程では、駆動部ＤＲによって温度調整部ＴＡが方向Ｄ２に平行な方向に駆動され、搬送部ＣＮＶ１による第１基板ＳＵＢ１の搬送経路から退避される。図２０に示す工程では、ロードチャンバー１００の中の圧力が外部環境（例えば、大気環境）の圧力と等しくされ、第１バルブ１１０を通してロードチャンバー１００の中に第３基板ＳＵＢ３が搬入される。その後、第１バルブ１１０が閉じられ、ロードチャンバー１００の中が減圧される。
次いで、図２１に示された工程では、搬送部ＣＮＶ１によって第２基板ＳＵＢ２が搬送経路（方向Ｄ１に沿った搬送経路）に沿って第１位置Ｌ１から第２位置Ｌ２に搬送される。次いで、図２２に示された工程では、駆動部ＤＲによって温度調整部ＴＡが方向Ｄ２に平行な方向に駆動され、元の位置（即ち、搬送部ＣＮＶ１による搬送経路上の位置）に戻される。また、アンロードチャンバー３００の中の圧力が外部環境（例えば、大気環境）の圧力と等しくされ、第４バルブ３２０を通してアンロードチャンバー３００の中に第１基板ＳＵＢ１が外部環境に搬出される。
次いで、図２３に示された工程では、カソードＣ３、Ｃ４を回転させることによってターゲットＴ３１、Ｔ４１が第２基板ＳＵＢ２の第２面Ｓ２に対向して配置される。同様に、カソードＣ１、Ｃ２を回転させることによってターゲットＴ１１、Ｔ２１が温度調整部ＴＡに対向して配置される。
次いで、図２４に示された工程では、第２搬送部ＣＮＶ２によって第２バルブ１２０を通してロードチャンバー１００から処理チャンバー２００に第３基板ＳＵＢ３が搬送され、その後、第２バルブ１２０が閉じられる。次いで、図２５に示された工程では、搬送部ＣＮＶ１によって第３基板ＳＵＢ３が搬送経路（方向Ｄ１に沿った搬送経路）に沿って第１位置Ｌ１まで搬送される。また、第１位置Ｌ１に配置された第３基板ＳＵＢ３が第１押し付け部材Ｍ１によって温度調整部ＴＡに押し付けられる。また、第２位置Ｌ２に配置された第２基板ＳＵＢ２が第２押し付け部材Ｍ２によって温度調整部ＴＡに押し付けられる。
この状態で、第２基板ＳＵＢ２の第２面Ｓ２および第３基板ＳＵＢ３の第１面Ｓ１に同時にスパッタリングによって第１膜（例えば、ＮｉＣｒ膜）が形成される。具体的には、第２処理部Ｐ２によって、ターゲットＴ３１、Ｔ４１をスパッタリングし、スパッタリングされた粒子によって第２基板ＳＵＢ２の第２面Ｓ２に第１膜（例えば、ＮｉＣｒ膜）が形成される。また、同時に、第１処理部Ｐ１によって、ターゲットＴ１１、Ｔ２１をスパッタリングし、スパッタリングされた粒子によって第３基板ＳＵＢ３の第１面Ｓ１に第１膜（例えば、ＮｉＣｒ膜）が形成される。更に、カソードＣ３、Ｃ４を回転させることによってターゲットＴ３２、Ｔ４２が第２基板ＳＵＢ２の第２面Ｓ２に対向して配置される。同様に、カソードＣ１、Ｃ２を回転させることによってターゲットＴ１２、Ｔ２２が第３基板ＳＵＢ３の第１面Ｓ１に対向して配置される。この状態で、第２基板ＳＵＢ２の第２面Ｓ２および第３基板ＳＵＢ３の第１面Ｓ１に形成された第１膜の上に同時にスパッタリングによって第２膜（例えば、Ｃｕ膜）が形成される。
以上のような処理が繰り返されることによって複数の基板ＳＵＢが連続的に処理され、この際に、１つの基板ＳＵＢの第１面Ｓ１と他の基板ＳＵＢの第２面Ｓ２とが同時に処理される。また、この実施形態では、基板ＳＵＢを１８０度回転させることなく、基板ＳＵＢの２つの面（第１面、第２面）を処理することができる。これによってスループットを向上させることができる。また、この実施形態では、１つの処理チャンバー２００の中で、温度制御部ＴＡを挟むように配置された２枚の基板ＳＵＢを同時に処理することができる。よって、この実施の形態によれば、２枚の基板を互いに離隔したスペースにおいて処理する構成に比べて、基板処理装置の設置面積を縮小することができる。
図２６には、図１乃至図２５に示された基板処理装置１の変形例が示されている。図２６に示された基板処理装置１は、駆動部ＤＲが温度調整部ＴＡを退避させる際および退避させた温度調整部ＴＡを元の位置に戻す際に温度調整部ＴＡを移動させる方向Ｄ２が、搬送部ＣＮＶ１による基板ＳＵＢの搬送経路（方向Ｄ１）と交差する方向である点で、図１乃至図２５に示された基板処理装置１と共通している。しかしながら、図２６に示された基板処理装置１は、方向Ｄ２（第２方向）は、水平方向における１つの方向Ｄ１（第１方向）と交差する、水平方向における他の１つの方向（Ｘ軸方向）である点で、図１乃至図２５に示された基板処理装置１と異なる。方向Ｄ２が水平方向である構成は、基板処理装置１の高さの低減に有利である。
方向Ｄ２は、搬送部ＣＮＶ１による基板ＳＵＢの搬送を妨げない位置に温度調整部ＴＡを退避させ、それを元の位置に戻すことができる方向であればよい。更には、駆動部ＤＲが温度調整部ＴＡを移動させる経路は、直線経路でなくてもよく、例えば、円弧状の経路などの曲線経路であってもよい。あるいは、駆動部ＤＲが温度調整部ＴＡを移動させる経路は、２以上の直線経路を含んでもよい。
１：基板処理装置、Ｐ：処理部、Ｐ１：第１処理部、Ｐ２：第２処理部、Ｃ１−Ｃ４：カソード、Ｔ１１−Ｔ４２：ターゲット、ＴＡ：温度調整部、ＤＲ：駆動部、ＣＮＶ１：搬送部、ＣＮＶ２：第２搬送部、１００：ロードチャンバー、２００：処理チャンバー、３００：アンロードチャンバー、ＳＵＢ：基板、Ｓ１：第１面、Ｓ２：第２面、Ｍ１：第１押し付け部材、Ｍ２：第２押し付け部材、Ｌ１：第１位置、Ｌ２：第２位置、ＳＨ：基板ホルダ
Claims (15)
- 基板の第１面および第２面を処理する処理部と、
前記基板の温度を調整する温度調整部と、
前記温度調整部を移動させる駆動部と、
前記基板を搬送する搬送部と、を備え、
前記処理部による前記基板の前記第１面の処理は、前記基板が第１位置に配置され前記温度調整部が前記基板の前記第２面の側に配置された第１配置においてなされ、
前記処理部による前記基板の前記第２面の処理は、前記基板が第２位置に配置され前記温度調整部が前記基板の前記第１面の側に配置された第２配置においてなされ、
前記第１配置において前記第１面が処理された後に前記第２配置において前記第２面を処理するために、前記搬送部が前記基板を前記第１位置から前記第２位置に搬送経路に沿って搬送し、
前記搬送部が前記基板を前記第１位置から前記第２位置に搬送する際に、前記駆動部が前記温度調整部を前記搬送経路から一時的に退避させる、
ことを特徴とする基板処理装置。 - 前記基板は、第１基板および第２基板を含み、
前記処理部によって前記第１位置に配置された前記第１基板の第１面が処理された後に、前記第１基板が前記第２位置に配置され、前記第２基板が前記第１位置に配置され、前記温度調整部が前記第１基板と前記第２基板との間に配置された状態で前記処理部によって前記第１基板の第２面と前記第２基板の第１面とが同時に処理される、
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。 - 前記第１位置から前記第２位置に至る前記搬送経路の方向は、前記第１位置における前記基板の前記第１面に交差する方向である、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の基板処理装置。 - 前記駆動部が前記温度調整部を前記搬送経路から一時的に退避させる方向は、前記搬送経路の方向と交差する方向である、
ことを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。 - 前記第１位置から前記第２位置に至る前記搬送経路の方向は水平方向であり、前記駆動部が前記温度調整部を前記搬送経路から一時的に退避させる方向は鉛直方向である、
ことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。 - 前記第１位置から前記第２位置に至る前記搬送経路の方向は、水平方向における第１方向であり、前記駆動部が前記温度調整部を前記搬送経路から一時的に退避させる方向は、水平方向における第２方向であり、前記第２方向は、前記第１方向と交差する方向である、
ことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。 - 前記第１位置に配置された前記基板を前記温度調整部に押し付ける第１押し付け部材と、
前記第２位置に配置された前記基板を前記温度調整部に押し付ける第２押し付け部材と、
を更に備えることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の基板処理装置。 - 前記第１押し付け部材は、前記基板の前記第１面の一部を処理するためのマスクとして機能し、前記第２押し付け部材は、前記基板の前記第２面の一部を処理するためのマスクとして機能する、
ことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。 - 前記処理部による前記基板の処理は、チャンバーの中で行われ、
前記基板処理装置は、前記第１位置における前記基板の前記第１面に平行な方向に沿って、処理すべき前記基板を前記チャンバーの外から前記チャンバーの中に搬送し、前記第１位置における前記基板の前記第１面に平行な方向に沿って、処理済みの前記基板を前記チャンバーの中から前記チャンバーの外に搬送する第２搬送部を更に備える、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の基板処理装置。 - 前記処理部は、前記基板の前記第１面を処理するように配置された第１処理部と、前記基板の前記第２面を処理するように配置された第２処理部とを含み、前記第１処理部および前記第２処理部は、相互に対向するよう配置されている、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の基板処理装置。 - 前記処理部は、スパッタリングによって基板に膜を形成する、
ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の基板処理装置。 - 前記温度調整部は、前記基板を冷却又は加熱するように構成されている、
ことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の基板処理装置。 - 基板の第１面および第２面を処理する処理部と、
前記基板の温度を調整する温度調整部と、を備え、
前記基板は、第１基板および第２基板を含み、
前記処理部による前記第１基板の前記第１面の処理は、前記第１基板が第１位置に配置され、前記温度調整部が前記第１基板の前記第２面の側に配置された第１配置において前記第１基板が前記温度調整部に押し付けられた状態でなされ、
前記処理部による前記第１基板の前記第２面の処理および前記第２基板の前記第１面の処理は、前記第１基板が第２位置に配置され、前記第２基板が前記第１位置に配置され、前記温度調整部が前記第１基板と前記第２基板との間に配置された第２配置において、前記第１基板が前記温度調整部に押し付けられ、かつ、前記第２基板が前記温度調整部に押し付けられた状態でなされる、
ことを特徴とする基板処理装置。 - 前記処理部は、前記基板の前記第１面を処理するように配置された第１処理部と、前記基板の前記第２面を処理するように配置された第２処理部とを含み、前記第１処理部および前記第２処理部は、相互に対向するよう配置されている、
ことを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。 - 前記温度調整部は、前記基板を冷却又は加熱するように構成されている、
ことを特徴とする請求項１３又は１４に記載の基板処理装置。
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