JP2008285698A - 成膜装置 - Google Patents

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明男 野崎
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Abstract

【課題】必要とされるメンテナンスエリアが可及的に小さな成膜装置を実現する。
【解決手段】トレイ23に搭載された基板20aに膜付けを行う成膜チャンバ12と、成膜チャンバ12に送り込まれるトレイ23の進行方向が変換される第1の方向変換チャンバ10とを有する。成膜チャンバ12から送り出されたトレイ23の進行方向が変換される第2の方向変換チャンバ14を有する。各チャンバ10、12、14の間でトレイ23を循環させる無端搬送路15を有する。ゲートバルブ21を介して大気側と無端搬送路15とに連通する搬出入チャンバ16と、搬出入チャンバ16内の膜付け前の基板20aをトレイ23に搭載し、トレイ23に搭載されている膜付け後の基板20bを回収する搬出入手段とを有する。
【選択図】図1

Description

本発明は、基板の表面に所定の薄膜を形成する成膜装置に関するものである。
基板の表面に所定の薄膜を形成する成膜装置としては、真空蒸着装置、スパッタリング装置、CVD装置などの各種タイプの装置が知られている。これら成膜装置では、基板を搬送用のトレイに載せて搬送するトレイ方式が採用されることが多かった。さらには、トレイ方式の中でも、成膜用のチャンバを含む複数のチャンバがトレイの移動方向(基板の搬送方向)に沿って直列的に配置されたインライン方式が採用されることが多かった。搬送路上に設けられる成膜用のチャンバ以外のチャンバとしては、基板を加熱する加熱手段を備えたチャンバと、基板を冷却する冷却手段を備えたチャンバとが一般的である。
トレイ方式を採用した従来の成膜装置には次のような課題があった。即ち、成膜用のチャンバを含む複数のチャンバがトレイの移動方向(基板の搬送方向)に沿って直列的に配置されているので、搬送路の両側に、該搬送路の略全長に亙ってメンテナンスエリアを確保しなくてはならず、大きな専有面積を必要とする。
また、基板を加熱する手段と基板を冷却する手段とを有する成膜装置では、加熱手段及び冷却手段が同一のチャンバに設けられているので、加熱と冷却のいずれか遅い方によって生産性が規定されてしまう。
本発明の目的は、必要とされるメンテナンスエリアが小さな成膜装置を実現することである。
本発明の成膜装置は、基板をトレイに載せて搬送し、搬送される基板に膜付けを行う成膜装置である。本発明の成膜装置は、前記トレイに搭載された前記基板に膜付けを行う成膜手段を備えた成膜チャンバと、前記成膜チャンバに送り込まれる前記トレイの進行方向が変換される第1の方向変換チャンバとを有する。また、前記成膜チャンバから送り出された前記トレイの進行方向が変換される第2の方向変換チャンバを有する。さらに、前記成膜チャンバ、前記第1の方向変換チャンバ及び前記第2の方向変換チャンバの間で前記トレイを循環させる無端搬送路を有する。また、ゲートバルブを介して大気側と前記無端搬送路とに連通する搬出入チャンバを有する。さらに、前記搬出入チャンバ内の膜付け前の前記基板を前記トレイに搭載し、前記トレイに搭載されている膜付け後の前記基板を該トレイから回収する搬出入手段を有する。
必要とされるメンテナンスエリアが可及的に小さな成膜装置が実現される。
(実施形態1)
以下、本発明の成膜装置の実施形態の一例について詳細に説明する。図1は、本例の成膜装置の全体構成を示す模式的斜視図である。
図1に示すように、本例の成膜装置は、第1の方向変換チャンバ10、加熱チャンバ11、成膜チャンバ12、冷却チャンバ13及び第2の方向変換チャンバ14と、これらチャンバ間でトレイを循環させる無端搬送路15とを有する。さらに、大気側と無端搬送路15とに連通する搬出入チャンバ16を有する。上記各チャンバは、少なくとも排気手段を備えた真空チャンバである。また、無端搬送路15は、概ね矩形の搬送路(周回路)を形成している。
膜付け前の基板20aは、不図示の搬送手段によって搬出入チャンバ16に搬入される。搬出入チャンバ16の大気側及び無端搬送路15側には、それぞれゲートバルブ21、22が設けられている。従って、基板20aの搬入時には、大気側のゲートバルブ21が開放され、無端搬送路15側のゲートバルブ22が閉じられ、開放されたゲートバルブ21を通して搬出入チャンバ16内に膜付け前の基板20aが送り込まれる。その後、大気側のゲートバルブ21が閉じられ、搬出入チャンバ16内が排気され、所定圧力まで減圧される。搬出入チャンバ16内が所定圧力まで減圧されると、無端搬送路15側のゲートバルブ22が開放され、不図示の搬出入手段によって、無端搬送路15上のトレイ23に膜付け前の基板20aが搭載される。
尚、搬出入手段は、搬出入チャンバ16内または搬出入チャンバ16と無端搬送路15との間に設けられている。搬出入手段は、搬出入チャンバ16内の膜付け前の基板20aをトレイ23に搭載し、無端搬送路15上のトレイ23に搭載されている膜付け後の基板20bをトレイ23から回収して搬出入チャンバ16に戻す。
ここで、トレイ23は、少なくとも基板を1枚搭載可能であればよく、その寸法や形状は特に限定されない。例えば、2枚の基板を上下二段に搭載可能な構造を備えたトレイを使用することもできる。
いずれにしても、膜付け前の基板20aが搭載されたトレイ23は、無端搬送路15上を第1の方向変換チャンバ10に向けて移動される。第1の方向変換チャンバ10に到達したトレイ23は、該チャンバ10内において、その進行方向が90度変換される。
第1の方向変換チャンバ10内で進行方向が変換されたトレイ23は、無端搬送路15上を加熱チャンバ11に向けて移動され、加熱チャンバ11内に進入する。加熱チャンバ11内には、ランプヒータその他の加熱手段(不図示)が設けられており、進入したトレイ23に搭載されている基板20aが所定の温度に加熱される。基板20aの加熱は、基板20a(トレイ23)の進行を止めることなく行ってもよいし、基板20aを加熱チャンバ11内に所定時間だけ滞留させて行ってもよい。もっとも、成膜条件によっては加熱工程が省略される場合もある。その場合は、加熱手段を停止させればよい。
尚、基板20aの加熱前、加熱後または加熱中に、該基板20aが搭載されているトレイ23の進行方向が加熱チャンバ11内で90度変換される。
加熱チャンバ11内で進行方向が変換されたトレイ23は、無端搬送路15上を成膜チャンバ12に向けて移動され、成膜チャンバ12内に進入する。成膜チャンバ12には、基板20aの表面に所定の薄膜を形成する成膜手段(不図示)が設けられており、トレイ23に搭載された状態のままで基板20aに膜付けが行われる。尚、具体的な成膜手段は、真空蒸着、スパッタリング、CVDなどの各種タイプの成膜手段のうちから、成膜条件や目的とする膜の種類などに応じて適宜選択することができる。
基板20aへの膜付けが終了すると、トレイ23は、無端搬送路15上を冷却チャンバ13に向けて移動され、冷却チャンバ13に進入する。冷却チャンバ13には冷却手段(不図示)が設けられており、進入したトレイ23に搭載されている膜付け後の基板20bが所定の温度に冷却される。基板20bの冷却は、基板20b(トレイ23)の進行を止めることなく行ってもよいし、基板20bを冷却チャンバ13内に所定時間だけ滞留させて行ってもよい。もっとも、成膜条件によっては冷却工程が省略される場合もある。その場合は、冷却手段を停止させればよい。
尚、基板20bの冷却前、冷却後または冷却中に、該基板20bが搭載されているトレイ23の進行方向が冷却チャンバ13内で90度変換される。
冷却チャンバ13内で進行方向が変換されたトレイ23は、無端搬送路15上を第2の方向変換チャンバ14に向けて移動され、第2の方向変換チャンバ14内に進入する。第2の方向変換チャンバ14内に進入したトレイ23は、該チャンバ14内で進行方向が90度変換され、第1の方向変換チャンバ10に向けて移動される。
第2の方向変換チャンバ14から第1の方向変換チャンバ10に向けて移動される途中で、上記搬出入手段によって、トレイ23から膜付け後の基板20bが回収され、搬出入チャンバ16に移される。具体的には、膜付け後の基板20bが搭載されたトレイ23が搬出入チャンバ16と無端搬送路15との連結エリアに到達すると、上記搬出入手段によって、トレイ23から膜付け後の基板20bが回収され、搬出入チャンバ16に移される。このとき、トレイ23を一時停止させてもよく、させなくてもよい。いずれの場合も、搬出入チャンバ16の無端搬送路15側のゲートバルブ22が開放され、大気側のゲートバルブ21が閉じられ、開放されたゲートバルブ22を通して搬出入チャンバ16内に膜付け後の基板20bが送り込まれる。その後、無端搬送路15側のゲートバルブ22が閉じられ、搬出入チャンバ16内が排気され、所定圧力まで減圧される。搬出入チャンバ15内が所定圧力まで減圧されると、大気側のゲートバルブ21が開放され、上記搬送手段によって膜付け後の基板20bが回収される。
これまでは、搬出入チャンバ16に設けられたゲートバルブ21、22の動作についてのみ説明したが、無端搬送路15上にも複数のゲートバルブ30が設けられており、必要に応じて開け閉めされる。
以上のように、本例の成膜装置は、各チャンバが無端搬送路(周回路)によって繋がれているので、該搬送路に囲まれたエリアをメンテナンスエリアとすれば、搬送路及び各チャンバのメンテナンスが可能であり、従来に比べてメンテナンスエリアが縮小される。
また、加熱チャンバと冷却チャンバとが別々に設けられているので、熱と冷却のいずれか遅い方によって生産性が規定されてしまうことがない。
(実施形態2)
以下、本発明の成膜装置の実施形態の他例について、図2を参照しながら説明する。もっとも、本例の成膜装置の基本構成は、実施形態1の成膜装置と同一である。そこで、同一の構成については図2中に同一の符号を付すことで説明に代える。
本例の成膜装置が実施形態1の成膜装置と異なる点は、大気側と第1の方向変換チャンバ10とに連通する搬入チャンバ40と、大気側と第2の方向変換チャンバ14とに連通する搬出チャンバ41とを備えている点である。
換言すれば、実施形態1の成膜装置は、成膜前後の基板を1つのロード・アンロードチャンバを介して出し入れする。これに対し、本例の成膜装置は、ロードチャンバとアンロードチャンバを別々に備え、成膜前の基板をロードチャンバ(搬入チャンバ40)を介して受け入れ、成膜後の基板をアンロードチャンバ(搬出チャンバ41)を介して送り出す。以下、実施形態1の成膜装置との相違点である搬入チャンバ40及び搬出チャンバ41について詳しく説明する。
搬入チャンバ40は、ゲートバルブ51を介して大気側と連通し、ゲートバルブ52を介して第1の方向変換チャンバ10と連通している。一方、搬出チャンバ41は、ゲートバルブ61を介して大気側と連通し、ゲートバルブ62を介して第2の方向変換チャンバ14と連通している。
膜付け前の基板20aは、不図示の搬送手段によって搬入チャンバ40に搬入される。具体的には、搬入チャンバ40の大気側のゲートバルブ51が開放され、第1の方向変換チャンバ14側のゲートバルブ52が閉じられ、開放されたゲートバルブ51を通して搬入チャンバ40内に膜付け前の基板20aが送り込まれる。その後、大気側のゲートバルブ51が閉じられ、搬入チャンバ40内が排気され、所定圧力まで減圧される。搬入チャンバ40内が所定圧力まで減圧されると、第1の方向変換チャンバ14側のゲートバルブ52が開放され、不図示の搬入手段によって、第1の方向変換チャンバ10内のトレイ23に膜付け前の基板20aが搭載される。
尚、搬入手段は、搬入チャンバ40内または搬入チャンバ40と第1の方向変換チャンバ10との間に設けられている。
一方、冷却チャンバ13を通過して第2の方向変換チャンバ14に送り込まれた膜付け後の基板20bは、不図示の搬出手段によって搬出チャンバ41に送り込まれる。具体的には、搬出チャンバ41の第2の方向変換チャンバ14側のゲートバルブ62が開放され、大気側のゲートバルブ61が閉じられ、搬出手段によって、開放されたゲートバルブ62を通して搬出チャンバ41内に膜付け後の基板20bが送り込まれる。その後、第2の方向変換チャンバ14側のゲートバルブ62が閉じられ、搬出チャンバ41内が排気され、所定圧力まで減圧される。搬出チャンバ41内が所定圧力まで減圧されると、大気側のゲートバルブ61が開放され、不図示の搬送手段によって、搬出チャンバ41内から膜付け後の基板20bが回収される。
尚、搬出手段は、搬出チャンバ41内または搬出チャンバ41と第2の方向変換チャンバ14との間に設けられている。
本例の成膜装置によっても実施形態1の成膜装置と同様の作用効果が得られる他、搬入チャンバと搬出チャンバが独立している本例の成膜装置によれば、搬入工程と搬出工程のいずれか時間がかかる工程によって生産性が規定されることがない。
本発明の成膜装置の実施形態の一例を示す模式図である。 本発明の成膜装置の実施形態の他例を示す模式図である。
符号の説明
10 第1の方向変換チャンバ
11 加熱チャンバ
12 成膜チャンバ
13 冷却チャンバ
14 第2の方向変換チャンバ
15 無端搬送路
16 搬出入チャンバ
20a、20b 基板
21、22、30、51、52、61、62 ゲートバルブ
23 トレイ
40 搬入チャンバ
41 搬出チャンバ

Claims (4)

  1. 基板をトレイに載せて搬送し、搬送される基板に膜付けを行う成膜装置であって、
    前記トレイに搭載された前記基板に膜付けを行う成膜手段を備えた成膜チャンバと、
    前記成膜チャンバに送り込まれる前記トレイの進行方向が変換される第1の方向変換チャンバと、
    前記成膜チャンバから送り出された前記トレイの進行方向が変換される第2の方向変換チャンバと、
    前記成膜チャンバ、前記第1の方向変換チャンバ及び前記第2の方向変換チャンバの間で前記トレイを循環させる無端搬送路と、
    ゲートバルブを介して大気側と前記無端搬送路とに連通する搬出入チャンバと、
    前記搬出入チャンバに搬入された膜付け前の前記基板を前記トレイに搭載し、前記トレイに搭載されている膜付け後の前記基板を前記トレイから回収する搬出入手段と、
    を有することを特徴とする成膜装置。
  2. 基板をトレイに載せて搬送し、搬送される基板に膜付けを行う成膜装置であって、
    前記トレイに搭載された前記基板に膜付けを行う成膜手段を備えた成膜チャンバと、
    前記成膜チャンバに送り込まれる前記トレイの進行方向が変換される第1の方向変換チャンバと、
    前記成膜チャンバから送り出された前記トレイの進行方向が変換される第2の方向変換チャンバと、
    前記成膜チャンバ、前記第1の方向変換チャンバ及び前記第2の方向変換チャンバの間で前記トレイを循環させる無端搬送路と、
    ゲートバルブを介して大気側と前記第1の方向変換チャンバとに連通する搬入チャンバと、
    ゲートバルブを介して大気側と前記第2の方向変換チャンバとに連通する搬出チャンバと、
    前記搬入チャンバに搬入された膜付け前の前記基板を前記トレイに搭載する搬入手段と、
    前記トレイに搭載されている膜付け後の前記基板を該トレイから回収する搬出手段と、
    を有することを特徴とする成膜装置。
  3. 前記基板を加熱する加熱手段を備えたチャンバが前記無端搬送路の上に設けられていることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の成膜装置。
  4. 前記基板を冷却する冷却手段を備えたチャンバが前記無端搬送路の上に設けられていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の成膜装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2343397A1 (en) * 2009-12-15 2011-07-13 PrimeStar Solar, Inc Modular system and process for continuous deposition of a thin film layer on a substrate
KR101358641B1 (ko) * 2012-06-04 2014-02-10 주식회사 테스 박막형성방법
JP2015089962A (ja) * 2013-11-07 2015-05-11 昭和電工株式会社 インライン式成膜装置及びそれを用いた磁気記録媒体の製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2343397A1 (en) * 2009-12-15 2011-07-13 PrimeStar Solar, Inc Modular system and process for continuous deposition of a thin film layer on a substrate
KR101358641B1 (ko) * 2012-06-04 2014-02-10 주식회사 테스 박막형성방법
JP2015089962A (ja) * 2013-11-07 2015-05-11 昭和電工株式会社 インライン式成膜装置及びそれを用いた磁気記録媒体の製造方法
US10381034B2 (en) 2013-11-07 2019-08-13 Showa Denko K.K. In-line type film forming apparatus and method of manufacturing magnetic recording medium using the same

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