KR101885124B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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마사토시 오노다
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닛신 이온기기 가부시기가이샤
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Abstract

대형화된 홀더를 안정적으로 지지하고, 그리고 홀더의 대형화에 의한 락 챔버의 대용량화를 방지하고, 상기 락 챔버의 분위기 전환 시간을 단축화한다.
기판이 처리되는 처리실과, 기판을 수용하는 락 챔버와, 처리실 및 락 챔버 사이에서 기판이 반송되는 반송실과, 처리실에 마련되고, 각각 다른 기판을 유지하는 2개의 홀더와, 2개의 홀더를 기판 수취 위치 및 기판 처리 위치 사이에서 이동시키고, 그리고 기판 수취 위치에 있어서 2개의 홀더를 상하로 정렬된 상태로 하는 홀더 이동 기구와, 락 챔버에 수용된 기판을 상하로 정렬된 상태에서 기판 수취 위치에 있는 2개의 홀더에 일괄 반송하는 기판 반송 기구를 구비하고 있다. 또한, 홀더 이동 기구가, 2개의 홀더를 이동시키는 직동 기구와, 2개의 홀더를 회전시키는 회전 기구를 구비하고 있다. 그리고, 직동 기구가, 홀더의 이동 방향에서의 양단보다도 안쪽에서 홀더를 지지하고 있다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 처리실 내에 있어서 기판에 예를 들면 이온 주입 등의 처리를 실시하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
종래의 기판 처리 장치로는, 특허문헌 1에 나타내는 바와 같이 기립한 기판에 이온 빔을 조사(照射)하는 처리실과, 상기 처리실에 인접하여 마련되고, 기판을 수평으로 눕힌 상태로 수용하는 락 챔버(진공예비실)를 구비한 것이 있다. 이 기판 처리 장치는 처리실에 마련된 2개의 평판형상을 이루는 홀더(플래튼)를 처리실에 마련된 홀더 이동 기구에 의해 교대로 왕복 이동시킴으로써 홀더에 유지된 기판에 이온 주입하도록 구성되어 있다.
구체적으로 설명하면, 이 홀더 이동 기구는 처리실 내에 마련된 볼 스크류 및 상기 볼 스크류에 조은 볼 너트로 이루어지는 직동(直動) 기구와, 홀더를 수평상태와 기립 상태 사이에서 회전시키는 회전 기구로 구성되어 있다.
홀더 지지 암은 볼 너트에 장착되어 볼 스크류와 수직으로 연장되는 근원 암(root arm)과, 이 근원 암의 선단(先端)에서 볼 스크류와 평행으로 연장되는 지지 암을 구비한 L형인 것으로, 이 홀더 지지 암의 선단에 상기 홀더의 옆가장자리가 장착되어 있다. 한편, 홀더면은 상기 근원 암과 지지 암에 의해 형성되는 면과 동일한 높이로 설정되어 있다.
이러한 구성에 의해 기판을 락 챔버로부터 처리실에 이하와 같이 이동시킨다.
우선, 상기 회전 기구에 의해 홀더 지지 암을 눕힌 상태, 즉 홀더를 수평상태로 한 후, 상기 직동 기구에 의해 홀더를 상기 락 챔버에 진입시켜서 수평상태에 있는 기판을 홀더에 홀드시킨다. 다음으로, 기판을 유지한 홀더를 후퇴시켜 처리실 내로 꺼낸다. 그 후, 상기 회전 기구에 의해 홀더 지지 암을 회전시켜 기립시킴으로써 홀더 및 이것에 홀드된 기판을 기립시킨다. 그리고, 그 자세를 유지한 채, 상기 직동 기구에 의해 기판을 이온 빔이 조사되는 이온 빔 조사 영역까지 이동시킨다. 이온 빔이 조사된 기판은 상기와 반대의 순서로 락 챔버 내로 되돌린다.
이 구성으로부터 명백하듯이, 홀더는 그 옆가장자리(즉 볼 스크류에 의한 이동 방향과 수직한 끝가장자리)가 홀더 지지 암의 선단에서 한쪽으로 지지되어 있다. 나아가, 상기 홀더 지지 암을 지지하는 볼 너트는 상기 홀더의 이동 방향에 있어서 홀더의 바깥쪽에 위치하게 된다.
그런데, 최근 유리 기판의 치수가 대형화되고 있어, 제10세대(기판 사이즈 2850㎜×3050㎜)에 이르고 있다. 또한, 기판의 대형화에 관계없이, 기판 처리 장치의 스루풋(throughpu) 향상의 요구를 만족시킬 필요가 있다.
상술한 특허문헌 1의 기판 처리 장치는 2장의 기판을 상하로 겹쳐서 반송하는 방식이기 때문에, 장치 치수를 작게 하면서 스루풋을 향상시킬 수 있다고 생각된다.
그러나, 상술한 종래의 구성에서는 기판의 대형화에 따라 기판을 유지하는 홀더가 대형화되기 때문에, 예를 들면 다음과 같은 문제가 생긴다.
(1) 종래의 구성에서는 락 챔버와 처리실 사이에서, 기판을 도중에 넘겨주지 않고 그 자세를 바꾸면서 단일 홀더로 유지 이동시키므로 홀더의 지지 구조가 복잡하여 무리가 있는 것이 되어(예를 들면, 기판을 락 챔버 내에도 삽입할 수 있게 하기 위해, 홀더 지지 암을 전술한 L형 등의 긴 형상으로 하여 상기 홀더 지지 암으로 홀더의 옆가장자리를 한쪽으로 지지하고 있다.), 그 때문에, 기판 및 홀더의 대형화, 중량화에 의해 상기 홀더 지지 암이나 이것을 이동시키는 상기 직동 기구, 회전 기구 등에 무리한 힘이 작용하기 쉬워진다.
구체적으로 설명하면, 상기 볼 너트가 L형의 홀더 지지 암을 통하여 홀더를 그 이동 방향에서의 바깥쪽에서 지지하는 구성이 되기 때문에, 홀더가 대형화되어 중량이 늘어나면 홀더가 기립 자세, 수평 자세 중 어느 자세인 경우에도 볼 너트에 항상 큰 모멘트(moment)가 작용하게 되어 홀더의 지지가 불안정해지거나, 볼 너트 이동의 원활성이 손상될 우려가 생긴다.
(2) 대형화된 홀더를 락 챔버에 진입 가능하도록 구성해야 하기 때문에, 락 챔버의 용적을 크게 할 필요가 있다.
(3) 락 챔버는 처리실을 대기압 분위기로 되돌리지 않고 기판을 처리실과 대기중의 사이에서 출납하기 위한 것으로, 기판 교환시에 진공 분위기에서 대기압 분위기, 대기압 분위기에서 진공 분위기로 변경된다. 상기한 바와 같이, 락 챔버의 용적이 커지면 락 챔버의 분위기를 전환하는데에 시간이 걸린다.
일본국 공개특허공보 평10-135146호
그러므로, 본 발명은 상기 문제점을 해결하고자 실시된 것으로, 대형화된 홀더를 안정적으로 지지하고, 그리고 홀더의 대형화에 의한 락 챔버의 대용량화를 방지하고, 상기 락 챔버의 분위기 전환 시간을 단축화하는 것을 그 주된 과제로 하는 것이다.
즉 본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 진공 분위기에서 기판이 처리되는 처리실과, 대기압 분위기 또는 진공 분위기로 전환되어 상기 기판을 수용하는 락 챔버와, 상기 처리실 및 상기 락 챔버 사이에 마련되고, 진공 분위기에서 상기 처리실 및 상기 락 챔버 사이에서 상기 기판이 반송되는 반송실과, 상기 처리실에 마련되며, 각각 다른 기판을 유지하는 2개의 홀더와, 상기 2개의 홀더를, 상기 반송실로부터 반송된 상기 기판을 받는 수취(受取) 위치와, 상기 기판이 처리되는 처리 위치 사이에서 이동시키고, 그리고 상기 수취 위치에 있어서 상기 2개의 홀더를 상하로 정렬된 상태로 하는 홀더 이동 기구와, 상기 반송실에 마련되며, 상기 락 챔버에 수용된 상기 기판을 상하로 정렬된 상태에서, 상기 수취 위치에 있는 2개의 홀더에 일괄 반송하는 기판 반송 기구를 구비하고, 상기 홀더 이동 기구가, 상기 2개의 홀더를 각 홀더마다 소정의 축방향으로 설정된 서로 다른 이동 경로를 따라 이동시키는 직동 기구와, 상기 2개의 홀더를 상기 소정의 축방향 둘레로 회전시키는 회전 기구를 구비하고, 상기 직동 기구가 상기 홀더의 상기 소정 축방향에서의 양단(兩端)보다도 안쪽에서 상기 홀더를 지지하고 있는 것을 특징으로 한다.
이러한 기판 처리 장치는 요컨대, 종래와 같이 홀더 및 홀더 지지 암에 의해 기판을 락 챔버에서 처리실까지 도중에 넘겨주지 않고 반송하는 것이 아니라, 중간적으로 마련한 기판 반송 기구에 의해 락 챔버에 수용한 기판을 처리실에 마련한 홀더로 반송하도록 구성한 것이다.
따라서, 기판 반송 기구에는 기판의 자세를 바꾸지 않고 락 챔버와 반송실 사이에서 기판을 반송하는 기능만을 부여하면 되어, 그 구조도 당연히 심플하면서 소형으로 할 수 있다. 그리고, 이렇게 기판을 락 챔버에 출납하는 기판 반송 기구의 구조를 심플하면서 소형화할 수 있다는 것은 락 챔버의 대용량화를 최소한으로 억제할 수 있는 것으로 이어져서, 예를 들면 락 챔버 분위기의 전환 시간을 단축할 수 있게 된다.
한편, 홀더 이동 기구는 홀더를 처리실 내에서만 움직이면 되게 되어서 그 결과로서 홀더 이동 기구를 구성하는 상기 직동 기구가, 상기 축방향에서의 홀더의 양단보다도 안쪽에서 홀더를 지지하도록 하고 있다. 여기서, "상기 축방향에서의 홀더의 양단보다도 안쪽에서 홀더를 지지한다"는 것은, 직동 기구에 설정된 홀더 지지 부분 중 적어도 일부가 홀더의 양단보다도 실질적으로 안쪽, 즉 본 발명의 효과를 동등하게 발휘할 수 있는 범위에서 안쪽에 있다는 것이다(지지 부분이 약간 바깥쪽에 있어도 무방하다). 그리고, 이러한 구성에 의하면 상기 지지 부분을 홀더에 가급적 가깝게 할 수 있어서 홀더를 안정적으로 지지할 수 있게 된다.
상기 회전 기구가, 상기 2개의 홀더를 개별로 회전시키는 것이 바람직하다.
이렇게 2개의 홀더를 개별로 회전시키는 것이면, 종래와 같이 2개의 홀더 및 직동 기구를 한번에 회전시키는 구성에 비교하여 구동력을 작게 할 수 있다. 이것은 홀더가 대형화되었을 경우에 특히 유효하다.
상기 회전 기구가, 상기 홀더를 회전시켜서, 상기 기판을, 예를 들면 수평상태인 도복(倒伏) 위치와, 상기 기판이 예를 들면 연직상태인 기립 위치 사이에서 자세 변경시키는 것으로서, 한쪽 홀더를 상기 도복 위치로 했을 때에, 상기 한쪽 홀더가 다른쪽 홀더의 회전축과 간섭되지 않도록, 상기 2개 홀더의 회전축을 상하로 어긋나게 한 것이 바람직하다.
이것이라면, 2개의 홀더를 개별로 회전킨 경우에 일어날 수 있는 한쪽 홀더와 다른쪽 홀더의 회전축과의 간섭을 간단한 구성에 의해 해소할 수 있다.
2개 홀더의 회전축이 상하로 어긋나 있음으로써, 예를 들면 도복 위치에 있는 2개의 홀더에 어긋남 없이 기판을 유지시켜도, 그들 홀더가 기립 위치로 회전하면 기판의 위치가 어긋난다. 이렇기 때문에, 상기 한쪽 홀더를 기립 위치로 했을 때의 기판의 상하방향의 위치와, 상기 다른쪽 홀더를 기립 위치로 했을 때의 기판의 상하방향의 위치를 일치시키는 기판위치 보정 기구를 구비하는 것이 바람직하다.
이것이면, 한쪽 홀더에 유지된 기판과, 다른쪽 홀더에 유지된 기판에서, 예를 들면 이온 주입 등의 상하방향의 처리 위치를 일치시킬 수 있다.
상기 기판위치 보정 기구가, 상기 락 챔버에 마련된 기판 스테이지에 마련되고, 상하 2개의 기판이 각각 얹어지는 상측 스테이지면 및 하측 스테이지면 중 적어도 한쪽을 다른쪽에 대하여 상대 이동시켜서, 상기 상측 스테이지면 및 하측 스테이지면의 어긋남량을, 상기 2개 홀더의 회전에 의해 생기는 상기 기판위치의 어긋남량과 동일하게 하는 것이 바람직하다.
이렇게 기판 스테이지에 기판위치 보정 기구를 마련함으로써 기판 반송 기구나 홀더 등에 마련하는 경우와 비교하여 구조를 간단히 할 수 있다.
락 챔버는 진공 분위기와 대기압 분위기로 전환되어서 내부에서 대류가 생기기 때문에, 락 챔버에 기판위치 보정 기구를 마련한 경우에는 기판위치 보정 기구가 파티클 발생원이 될 우려가 있다. 또한, 기판위치 보정 기구의 분만큼 용량이 커지기 때문에 락 챔버의 분위기 전환 시간이 길어져서 스루풋에 악영향을 끼친다.
이렇기 때문에, 상기 기판위치 보정 기구가 상기 기판 반송 기구에 마련되고, 상하 2개의 기판이 각각 얹어지는 상측 반송면 및 하측 반송면 중 적어도 한쪽을 다른쪽에 대하여 상대 이동시켜서, 상기 상측 반송면 및 하측 반송면의 어긋남량을, 상기 2개 홀더의 회전에 의해 생기는 상기 기판위치의 어긋남량과 동일하게 하는 것이 바람직하다.
이렇게 기판 반송 기구에 기판위치 조정 기구를 마련함으로써 락 챔버의 용량을 작게 할 수 있고, 락 챔버의 분위기 전환 시간을 짧게 하여 스루풋을 향상시킬 수 있다.
상기 기판위치 보정 기구가, 상기 홀더, 상기 회전 기구 또는 상기 홀더와 상기 회전 기구 사이에 마련되고, 상하 2개의 기판을 각각 유지하는 상측 홀더 및 하측 홀더 중 적어도 한쪽을 다른쪽에 대하여 상대 이동시켜서, 상기 상측 홀더 및 하측 홀더의 어긋남량을, 상기 2개 홀더의 회전에 의해 생기는 상기 기판위치의 어긋남량과 동일하게 하는 것이 바람직하다.
이렇게 상기 홀더, 상기 회전 기구 또는 상기 홀더와 상기 회전 기구 사이에 기판위치 조정 기구를 마련함으로써 락 챔버의 용량을 작게 할 수 있고, 락 챔버의 분위기 전환 시간을 짧게 하여 스루풋을 향상시킬 수 있다. 여기서, 기판위치 보정 기구가 상기 회전 기구의 동력을 이용하는 구성으로 함으로써 새로운 동력을 마련할 필요가 없다.
이렇게 구성한 본 발명에 의하면, 대형화된 홀더를 안정적으로 지지하고, 그리고 홀더의 대형화에 의한 락 챔버의 대용량화를 방지하고, 상기 락 챔버의 분위기 전환 시간을 단축화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 한 실시형태에서의 기판 처리 장치의 구성을 나타내는 모식도이다.
도 2는 동 실시형태의 홀더 이동 기구의 구성을 모식적으로 나타내는 정면도 및 측면도이다.
도 3은 동 실시형태의 홀더 이동 기구의 구성을 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 4는 동 실시형태의 2개 홀더의 도복 위치 및 기립 위치를 나타내는 모식도이다.
도 5는 동 실시형태의 기판위치 보정 기구를 기판 반송 기구에 마련한 경우의 모식도이다.
도 6은 동 실시형태의 기판위치 보정 기구를 기판 스테이지에 마련한 경우의 모식도이다.
도 7은 동 실시형태의 기판위치 보정 기구를 홀더에 마련한 경우의 모식도이다.
도 8은 동 실시형태의 기판의 처리 위치와 퇴피 위치를 나타내는 모식도이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시형태에서의 슬라이더의 지지 부분을 나타내는 모식도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시형태에서의 슬라이더의 지지 부분을 나타내는 모식도이다.
이하에, 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 한 실시형태에 대해서 도면을 참조하여 설명한다.
본 실시형태에 따른 기판 처리 장치(100)는 진공 챔버 내에 있어서, 플랫 패널 디스플레이 등에 이용되는 대형 기판(W)에 이온 빔(IB)을 조사하여 처리하는 것이다. 여기서, 본 실시형태에서의 기판(W)이란, 예를 들면 유리 기판, 배향막 첨부 유리 기판, 반도체 기판, 그 외에 이온 빔이 조사되는 기판을 포함하는 것이다. 또한, 기판(W)의 형상은, 본 실시형태에서는 대략 직사각형상의 박판(薄板)이지만, 원형상을 이루는 것이어도 된다.
구체적으로 이 기판 처리 장치(100)는 도 1에 도시하는 바와 같이 진공 챔버의 내부에, 진공 분위기에서 기판(W)에 이온 빔(IB)이 조사되어서 처리되는 처리실(S1)과, 대기압 분위기 또는 진공 분위기로 전환되어, 처리실(S1)을 진공 분위기로 유지한 상태에서 기판(W)이 출납되고, 그리고 상기 기판(W)을 수용하는 락 챔버(S2)와, 처리실(S1) 및 락 챔버(S2) 사이에 그들에 인접하여 마련되며, 진공 분위기에서 처리실(S1) 및 락 챔버(S2) 사이에서 기판(W)이 반송되는 반송실(S3)을 구비하고 있다. 각 방(S1∼S3)의 접속 부분에는 게이트 밸브 등의 진공 밸브가 마련되어 있고, 각 방(S1∼S3)을 개별로 진공상태로 유지할 수 있도록 구성되어 있다. 한편, 처리실(S1)에는 이온원으로부터 인출전극에 의해 인출되며, 분석 전자석 및 분석 슬릿 등의 질량 분석계를 통과한 예를 들면 띠형상의 이온 빔(IB)이 도입된다.
그리고, 처리실(S1)에는 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이 각각 다른 기판(W)을 유지하는 2개의 홀더(21, 22)와, 상기 2개의 홀더(21, 22)를 이동시키는 홀더 이동 기구(3)가 마련되어 있다.
2개의 홀더(21, 22)는 서로 동일 형상을 이루는 것이며, 홀더 이동 기구(3)에 의해 개별로 이동 가능하도록 구성되어 있다.
홀더 이동 기구(3)는 도 1에 도시하는 바와 같이 2개의 홀더(21, 22)를, 반송실(S3)로부터 반송된 기판(W)을 받는 수취 위치(P1)와, 기판(W)이 처리되는 처리 위치(P2) 사이에서 이동시키고, 그리고 수취 위치(P1)에 있어서 2개의 홀더(21, 22)를 상하로 정렬된 상태로 하는 것이다.
구체적으로 홀더 이동 기구(3)는 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이 2개의 홀더(21, 22)를, 홀더(21, 22)마다 소정의 축방향을 따라 이동시키는 직동 기구(31)와, 2개의 홀더(21, 22)를 소정의 축방향 둘레로 회전시키는 회전 기구(32)를 구비하고 있다. 한편, 본 실시형태의 소정의 축방향이란, 도 1에 도시하는 바와 같이 이온 빔을 횡단하는 좌우 방향을 따른 축방향이다.
직동 기구(31)는 상기 소정의 축방향으로 설정된 서로 평행이며 다른 이동 경로를 따라 각 홀더(21, 22)를 직진 이동시키는 것이다.
구체적으로 직동 기구(31)는 한쪽 홀더(21)의 이동 경로를 규정하는 제1가이드 레일(31a)과, 상기 제1가이드 레일(31a) 위를 슬라이드하고, 한쪽 홀더(21)를 지지하는 제1슬라이더(31b)와, 상기 제1슬라이더(31b)를 제1가이드 레일(31a) 위에서 이동시키는 도시하지 않은 액추에이터(actuator)와, 다른쪽 홀더(22)의 이동 경로를 규정하는 제2가이드 레일(31c)과, 상기 제2가이드 레일(31c) 위를 슬라이드하고, 다른쪽 홀더(22)를 지지하는 제2슬라이더(31d)와, 상기 제2슬라이더(31d)를 제2가이드 레일(31c) 위에서 이동시키는 도시하지 않은 액추에이터를 구비하고 있다.
제1가이드 레일(31a) 및 제2가이드 레일(31c)은 상기 소정의 축방향(좌우 방향)을 따라 서로 평행하게 마련되어 있고, 본 실시형태에서는 단일 레일 부재(301)의 서로 대향하는 대향면(전후 측면)에 각각 형성되어 있다.
제1슬라이더(31b)는 한쪽 홀더(21)의 아래쪽에서 상기 한쪽 홀더(21)를 지지하는 것이며, 제2슬라이더(31d)는 다른쪽 홀더(22)의 아래쪽에서 상기 다른쪽 홀더(22)를 지지하는 것이다. 보다 구체적으로 설명하면, 각 슬라이더(31b, 31d)는 각각 블록 형상을 이루는 것이며, 그 상단면(上端面)에 마련한 지지 부분(X1, X2)에서 홀더(21, 22)를 회전 가능하도록 유지하는 윗쪽이 열린 コ자형의 지지 테두리(32a)(상세한 것은 후술한다.)의 밑변부를 지지한다. 즉, 홀더(21, 22)를 지지하기 위해 직동 기구(31)에 설정된 지지 부분(X1, X2)은 각 홀더(21, 22)의 상기 축방향에서의 양단(좌우 양단)보다도 실질적으로 안쪽 아래쪽에 배치되어 있다.
회전 기구(32)는 2개의 홀더(21, 22)를 개별로 회전시키는 것이며, 도 3에 도시하는 바와 같이 기판(W)이 수평상태가 되는 도복 위치(Q1)와, 기판(W)이 연직상태가 되는 기립 위치(Q2) 사이에서 각 홀더(21, 22)를 90°회전시키도록 구성되어 있다. 한편, 기판은 도복 위치에서 반드시 수평일 필요는 없고, 예를 들면 락 챔버에서의 기판 유지 자세가 약간 비스듬해져 있으면, 거기에 맞추어 경사져 있어도 무방하다. 또한, 기판은 기립 위치에서 반드시 연직일 필요는 없고, 예를 들면 이온 빔의 조사 각도에 맞춰서 경사져 있어도 무방하다.
구체적으로 회전 기구(32)는 도 2 및 도 3에 도시하는 바와 같이 홀더(21, 22)마다 마련되어 있고, 홀더(21, 22)를 상기 소정의 축방향을 따라 마련된 회전축(4)에 의해 회전 가능하도록 지지하는 지지 테두리(32a)와, 상기 지지 테두리(32a)의 아래쪽에 마련된 모터 등의 액추에이터(32b)와, 상기 액추에이터(32b)의 구동력을 상기 회전축(4)에 전달함으로써 상기 홀더(21, 22)를 회전시키는 전달 링크(32c)를 구비하고 있다. 회전축(4)은 홀더(21, 22)의 좌우측면에 각각 접속되어 있고, 지지 테두리(32a)는 정면에서 봤을 때 대략 상방향 コ자 형상을 이루며, 홀더(21, 22)의 좌우양측의 회전축(4)을 지지하는 좌우측벽을 가진다.
이 회전 기구(32)에 의해, 본 실시형태의 홀더(21, 22)는 도 3 및 도 4에 도시하는 바와 같이 기판(W)을 받을 때의 도복 위치(Q1)와, 기판(W)에 이온 빔(IB)이 주입되는 기립 위치(Q2) 사이에서 최단 회전 각도로 회전한다. 예를 들면, 기립 위치(Q2)가, 기판이 수직이 되는 수직 위치인 경우에는, 회전 기구(32)는 홀더(21, 22)를 도복 위치(Q1)와 기립 위치(Q2) 사이에서 90도 회전시킨다.
한편, 본 실시형태에서는 회전 기구(32)의 지지 테두리(32a) 하벽(下壁)의 하부면에 직동 기구(31)의 슬라이더(31b, 31d)가 고정되어 있다. 즉, 직동 기구(31)는 회전 기구(32)의 아래쪽에서 회전 기구(32)를 지지함으로써 홀더(21, 22)를 지지하는 구성으로 되어 있다.
이렇게 구성된 홀더 이동 기구(3)에 의해, 2개의 홀더(21, 22)가 함께 도복 위치(Q1)가 되는 수취 위치(P1)에 있어서, 상기 2개의 홀더(21, 22)는 상하로 정렬된 상태가 된다. 이렇기 때문에, 한쪽 홀더(21)를 도복 위치(Q1)로 했을 때에, 상기 한쪽 홀더(21)가 다른쪽 홀더(22)의 회전축(4)과 간섭되지 않도록, 2개의 홀더(21, 22)의 회전축(4)이 상하방향으로 어긋나 있다. 구체적으로는 수취 위치(P1)에 있어서, 위쪽에 위치하는 한쪽 홀더(21)의 회전축(4)이 아래쪽에 위치하는 다른쪽 홀더(22)의 회전축(4)보다도 위쪽으로 어긋나 있다.
또한, 반송실(S3)에는 락 챔버(S2)에 수용된 기판(W)을 처리실(S1)의 수취 위치(P1)에 있는 2개의 홀더(21, 22)에 반송하는 기판 반송 기구(5)가 마련되어 있다.
이 기판 반송 기구(5)는 락 챔버(S2)의 기판 스테이지(7)에 수용된 2개의 기판(W)을 상하로 정렬된 상태로 수취 위치(P1)에 있는 2개의 홀더(21, 22)에 일괄 반송하는 것이다. 구체적으로 기판 반송 기구(5)는 상하 2개의 기판(W) 중 상측의 기판(W)을 반송하는 상측 핸드(51)와, 하측의 기판(W)을 반송하는 하측 핸드(52)와, 상측 핸드(51) 및 하측 핸드(52)를 락 챔버(S2) 및 처리실(S1) 사이에서 이동시키는 핸드 구동장치(53)을 구비하고 있다. 본 실시형태에서 상측 핸드(51) 및 하측 핸드(52)는 공통의 핸드 지지부(54)에 의해 일체 형성되어 있다.
다음으로, 기판 반송 기구(5) 및 홀더 이동 기구(3)의 동작에 대해서 설명한다.
우선, 홀더 이동 기구(3)에 의해 수취 위치(P1)로 된 2개의 홀더(21, 22)는 함께 도복 위치(Q1)로 되어 상하로 정렬된 상태로 되어 있다. 이 상태에서, 기판 반송 기구(5)에 의해 각 홀더(21, 22)에 1장의 기판(W)이 반송되어서 얹어진다.
다음으로, 회전 기구(32)에 의해 2개의 홀더(21, 22)가 도복 위치(Q1)에서 기립 위치(Q2)로 회전된다. 그 후, 2개의 홀더(21, 22)를 직동 기구(31)에 의해, 1개씩 교대로 이동 경로를 따라 처리 위치(P2)까지 왕복 이동시킨다. 이로인해, 각 기판(W)에 이온 빔(IB)이 조사되어서 이온 주입 처리가 실시된다. 여기서 말하는 처리 위치(P2)란, 도 8에 도시하는 바와 같이 축방향으로 소정의 폭이 있고, 도 8(a)에 도시하는 바와 같이 기판(W)에 설정된 이온 주입 영역의 한쪽 옆가장자리가 이온 빔(IB)을 쬐는 위치에서, 동 도면 (b)에 도시하는 바와 같이 상기 이온 주입 영역의 다른쪽 옆가장자리가 이온 빔(IB)을 쬐는 위치까지의 범위를 말한다. 한편, 여기서의 직동 기구(31)는 동 도면 (c)에 도시하는 바와 같이 이 처리 위치(P2)를 넘어, 수취 위치(P1)의 반대측에 설정된 퇴피 위치(처리 완료 위치)(P3)까지 기판(W)을 유지한 홀더(21, 22)를 이동 가능하도록 구성하고 있지만, 처리 위치(P2)까지만 이동할 수 있는 구성도 무방하다.
그리고 처리 종료 후, 2개의 홀더(21, 22)를 직동 기구(31) 및 회전 기구(32)에 의해 수취 위치(P1)까지 이동시켜서, 기판 반송 기구(5)에 의해 처리 완료 기판(W)을 처리실(S1)로부터 락 챔버(S2)에 반송한다.
본 실시형태의 기판 처리 장치(100)에서는 2개의 홀더(21, 22)의 회전축(4)이 상하방향으로 어긋나 있기 때문에, 도 4에 도시하는 바와 같이 기립 위치(Q2)에 있는 각 홀더(21, 22)에 유지된 기판(W)에 대한 처리 높이(이온 빔의 빔 센터의 위치)를 동일하게 하기 위해서는 도복 위치(Q1)에 있는 각 홀더(21, 22)에 유지된 기판(W)을 전후방향(홀더(21, 22)에 대한 반송방향)을 따라 소정량 어긋하게 할 필요가 있다. 여기서 소정량이란, 2개 홀더(21, 22)의 회전축(4)의 상하방향의 어긋남량과, 2개 홀더(21, 22)의 회전축(4)의 전후방향(홀더(21, 22)에 대한 반송방향)의 어긋남량 합계이다.
이렇기 때문에, 본 실시형태의 기판 처리 장치(100)는 한쪽 홀더(21)를 기립 위치(Q2)로 했을 때의 기판(W)의 상하방향의 위치와, 상기 다른쪽 홀더(22)를 기립 위치(Q2)로 했을 때의 기판(W)의 상하방향의 위치를 일치시키는 기판위치 보정 기구(6)를 구비하고 있다.
구체적으로 기판위치 보정 기구(6)로는, 이하와 같이 (1) 반송실(S3)에 마련하는 경우, (2) 락 챔버(S2)에 마련하는 경우, (3) 처리실(S1)에 마련하는 경우를 생각할 수 있다.
(1) 반송실(S3)에 마련하는 경우
반송실(S3)에 마련하는 경우로는 반송실(S3) 내의 기판 반송 기구(5)에 마련하는 것을 생각할 수 있다.
구체적으로는 도 5에 도시하는 바와 같이 상하 2개의 기판(W)이 각각 얹어지는 상측 핸드(51)의 반송면(상측 반송면) 및 하측 핸드(52)의 반송면(하측 반송면) 중 적어도 한쪽을 다른쪽에 대하여 상대 이동시키는 구성으로 하여, 상측 반송면 및 하측 반송면의 어긋남량을, 2개 홀더(21, 22)의 도복 위치(Q1)에서 기립 위치(Q2)로의 회전에 의해 생기는 기판(W)의 위치의 어긋남량과 동일하게 한다.
도 5에 도시하는 일례는 상측 반송면을 하측 반송면에 대하여 전후방향으로 상대 이동시킴으로써 위치 보정하는 것이며, 하측 핸드(52)를 지지하는 핸드 지지부(54)에 마련된 예를 들면 진공용 서보 모터(servomotor) 등의 액추에이터(6a1)와, 상기 핸드 지지부(54) 및 상측 핸드(51) 사이에 마련된 전후방향으로 연장되는 직선 가이드 기구(6a2)와, 상기 액추에이터(6a1)의 구동력을 상기 상측 핸드(51)에 전달하여, 상기 상측 핸드(51)를 직선 가이드 기구(6a2)에 의해 직선 이동시키는 타이밍 벨트 등의 전달부(6a3)를 구비하고 있다. 한편, 액추에이터(6a1)에서의 전력공급은 도시하지 않는 케이블 베어(등록상표) 등에 의해 실시한다.
이 기판위치 보정 기구(6)에 의한 기판(W) 위치의 보정 동작에 대해서 설명한다.
기판 반송 기구(5)가 락 챔버(S2)의 기판 스테이지(7)로부터 2장의 기판(W)을 꺼낼 때는 상측 핸드(51) 및 하측 핸드(52)는 상하로 동일한 위치이며, 상기 2개의 핸드(51, 52)에 얹어지는 2개의 기판(W)은 상하로 동일한 위치이다. 그리고, 기판 반송 기구(5)가 2개의 기판(W)을 락 챔버(S2)에서 처리실(S1)로 반송하는 사이에, 기판위치 보정 기구(6)가 상측 핸드(51)를 하측 핸드(52)에 대하여 상대 이동시켜서 기판(W)의 위치를 보정한다. 이 상태에서 처리실(S1)의 수취 위치(P1)에 있는 2개의 홀더(21, 22)에 2장의 기판(W)을 넘겨준다. 이로인해, 기판(W)을 받은 2개의 홀더(21, 22)가 기립 위치(Q2)로 회전한 경우, 상기 홀더(21, 22)에 유지된 기판(W)의 처리 높이(각 기판(W)에 조사되는 이온 빔(IB)의 빔 센터의 높이)가 동일하게 된다. 한편, 처리 완료된 기판(W)을 홀더(21, 22)로부터 락 챔버(S2)의 기판 스테이지(7)에 수용할 경우에는, 기판위치 보정 기구(6)는 상기와 반대의 동작을 실시하여, 락 챔버(S2)의 기판 스테이지(7)에 처리 완료 기판(W)을 수용할 때에는 상측 핸드(51) 및 하측 핸드(52)는 상하로 동일한 위치이다.
(2) 락 챔버(S2)에 마련하는 경우
락 챔버(S2)에 마련하는 경우로는 락 챔버(S2) 내의 기판 스테이지(7)에 마련하는 것을 생각할 수 있다.
구체적으로는 도 6에 도시하는 바와 같이 상하 2개의 기판(W)이 각각 얹어지는 상측 스테이지(71)의 얹어지는 면(상측 스테이지면) 및 하측 스테이지(72)의 얹어지는 면(하측 스테이지면) 중 적어도 한쪽을 다른쪽에 대하여 상대 이동시키는 구성으로 하여, 상측 스테이지면 및 하측 스테이지면의 어긋남량을, 2개의 홀더(21, 22)의 도복 위치(Q1)에서 기립 위치(Q2)로의 회전에 의해 생기는 기판(W) 위치의 어긋남량과 동일하게 한다.
도 6에 도시하는 일례는 하측 스테이지면을 상측 스테이지면에 대하여 넘겨주는 방향으로 상대 이동시킴으로써 위치 보정하는 것이며, 서보 모터 등의 액추에이터(6b1)와, 하측 스테이지(72)의 하측에 마련된 넘겨주는 방향으로 연장되는 직선 가이드 기구(6b2)와, 상기 액추에이터(6b1)의 구동력을 하측 스테이지(72)에 전달하여, 상기 하측 스테이지(72)를 직선 가이드 기구(6b2)에 의해 직선 이동시키는 링크부(6b3)를 구비하고 있다.
이 기판위치 보정 기구(6)에 의한 기판(W)의 위치의 보정 동작에 대해서 설명한다.
진공 챔버의 외부(대기중)에서 락 챔버(S2)의 기판 스테이지(7)로 기판이 수용될 때는, 상측 스테이지(71) 및 하측 스테이지(72)는 상하로 동일한 위치이다. 그 후, 락 챔버(S2)의 대기압 분위기 또는 진공 분위기의 상태에 있어서, 기판위치 보정 기구(6)가 하측 스테이지(72)를 상측 스테이지(71)에 대하여 상대 이동시켜서 기판(W)의 위치를 보정한다. 그 후, 기판 반송 기구(5)의 핸드(51, 52)가 상측 스테이지(71) 및 하측 스테이지(72) 위의 기판(W)을 받아, 처리실(S1)의 수취 위치(P1)에 있는 2개의 홀더(21, 22)에 2장의 기판(W)을 넘겨준다. 한편, 기판 반송 기구(5)의 상측 핸드(51) 및 하측 핸드(52)는 상기 상측 스테이지(71) 및 하측 스테이지(72)의 어긋남량을 합쳐서 길이가 설정되어 있다. 이로인해, 기판(W)을 받은 2개의 홀더(21, 22)가 기립 위치(Q2)로 회전한 경우, 상기 홀더(21, 22)에 유지된 기판(W)에 대한 처리 높이(각 기판(W)에 조사되는 이온 빔(IB)의 빔 센터의 높이)가 동일하게 된다. 한편, 처리 완료된 기판(W)을 홀더(21, 22)에서 락 챔버(S2)의 기판 스테이지(7)로 수용할 경우에는, 기판위치 보정 기구(6)는 상기와 반대의 동작을 실시하여, 락 챔버(S2)의 기판 스테이지(7)에 처리 완료 기판(W)을 수용한 후에 상측 스테이지(71) 및 하측 스테이지(72)는 상하로 동일한 위치가 된다.
(3) 처리실(S1)에 마련하는 경우
처리실(S1)에 마련하는 경우로는 처리실(S1) 내의 홀더(21, 22) 및 회전 기구(32) 사이에 마련하는 것을 생각할 수 있다.
구체적으로는 도 7에 도시하는 바와 같이 상하 2개의 기판(W)을 각각 유지하는 상측 홀더(21) 및 하측 홀더(22) 중 적어도 한쪽을 다른쪽에 대하여 상대 이동시키는 구성으로 하여, 2개의 홀더(21, 22)의 도복 위치(Q1)에서 기립 위치(Q2)로의 회전에 의해 생기는 기판(W)의 위치의 어긋남량을 보정하여, 기립 위치(Q2)에 있는 2개의 홀더(21, 22)에 유지된 기판(W)의 상하방향의 높이 위치를 일치시킨다.
도 7에 도시하는 일례는 상측 홀더(21)를 하측 홀더(22)에 대하여 상대 이동시킴으로써 위치 보정하는 것이며, 상측 홀더(21)이 도복 위치(Q1)에서 기립 위치(Q2)로 회전하는 사이에 상측 홀더(21)가 회전축(4)에 대하여 하측으로 들어가고, 기립 위치(Q2)에서 도복 위치(Q1)로 회전하는 사이에 상측 홀더(21)가 회전축(4)에 대하여 반송 방향으로 연장되도록 구성되어 있다.
보다 상세하게는, 기판위치 보정 기구(6)는 회전축(4)의 홀더측 단부(端部)에 접속되며, 회전축(4)과 함께 회전하는 회전 베이스(6c1)와, 상기 회전축(4)에 고정된 고정 톱니바퀴(6c2)와, 상기 회전 베이스(6c1)에 회전 자유롭게 접속된 링크 암(6c3)에 고정되며, 상기 고정 톱니바퀴(6c2)에 맞물려서 회전하는 유성(遊星) 톱니바퀴(6c4)와, 일단(一端)이 상기 링크 암(6c3)에 접속되고, 타단(他端)이 상측 홀더(21)에 접속된 종동(從動)링크(6c5)와, 상기 회전 베이스(6c1) 및 상기 홀더(21) 사이에 마련된 직선 가이드 기구(6c6)를 구비하고 있다. 한편, 종동 링크(6c5)는 신축 링크이며, 링크 암(6c3)에 일단부가 고정된 제1링크 요소(6c51)와, 상기 제1링크 요소(6c51)의 타단부에 회전 자유롭게 연결되고, 그리고 홀더(21)에 회전 자유롭게 연결된 제2링크 요소(6c52)를 구비하고 있다.
이 기판위치 보정 기구(6)에 의한 기판(W)의 위치의 보정 동작에 대해서 설명한다.
기판 반송 기구(5)가 수취 위치(P1)에 있는 2개의 홀더(21, 22)에 2장의 기판을 반송할 때는, 2개의 홀더는 상하로 동일한 위치이며, 상기 2개의 홀더(21, 22)에 얹어지는 2개의 기판(W)은 상하로 동일한 위치이다.
그리고, 회전 기구(32)가 각 홀더(21, 22)를 도복 위치(Q1)에서 기립 위치(Q2)로 회전시킨다. 이때, 상측 홀더(21)의 회전 기구(32)가 상측 홀더(21)의 회전축(4)을 회전시키면, 그것에 따라 고정 톱니바퀴(6c2) 및 회전 베이스(6c1)가 회전하고, 고정 톱니바퀴(6c2)의 둘레를 유성 톱니바퀴(6c4)가 회전 이동한다. 이 유성 톱니바퀴(6c4)의 회전 이동에 의해 링크 암(6c3)이 회전하고, 그리고 링크 암(6c3)에 고정된 종동 링크(6c5)의 제1링크 요소(6c51)가 회전해서 종동 링크(6c5)가 신축하여 상측 홀더(21)가 직선 가이드 기구(6c6)를 따라 슬라이드 이동한다. 본 실시형태에서는 상측 홀더(21)가 도복 위치(Q1)에서 기립 위치(Q2)로 회전함에 따라 종동 링크(6c5)가 수축하고, 홀더가 기립 위치에서 도복 위치로 회전함에 따라 종동 링크가 신전(伸展)한다. 이로인해, 기판(W)을 받은 2개의 홀더(21, 22)가 도복 위치(Q1)에서 기립 위치(Q2)로 회전한 경우, 상기 홀더(21, 22)에 유지된 기판(W)의 처리 높이(각 기판(W)에 조사되는 이온 빔(IB)의 빔 센터의 높이)가 동일하게 된다. 또한, 기립 위치(Q2)에서 도복 위치(Q1)로 회전한 경우, 상기 홀더(21, 22)에 유지된 기판(W)은 상하로 동일한 위치가 된다.
<본 실시형태의 효과>
이렇게 구성한 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치(100)에 의하면, 처리실(S1) 및 락 챔버(S2) 사이에 반송실(S3)을 마련하고, 상기 반송실(S3)에 마련한 기판 반송 기구(5)에 의해 락 챔버(S2)에 수용한 기판(W)을 처리실(S1)에 마련한 홀더(21, 22)로 반송하도록 구성하고 있으므로, 락 챔버(S2)에 홀더(21, 22)를 진입시킬 필요가 없어서 홀더(21, 22)의 대형화에 의한 락 챔버(S2)의 대용량화를 방지할 수 있고, 락 챔버(S2)의 분위기 전환 시간을 단축할 수 있다.
또한, 직동 기구(31)가 홀더(21, 22) 소정의 축방향에서의 양단보다도 안쪽 아래에서 홀더(21, 22)를 지지하고 있으므로, 홀더(21, 22)의 지지 부분을 홀더(21, 22)와 가깝게 할 수 있어서 홀더(21, 22)를 안정적으로 지지할 수 있게 된다.
나아가 기판위치 보정 기구(6)를 구비하고 있으므로, 2개의 홀더(21, 22)의 회전축(4)이 상하로 어긋난 구성이어도, 한쪽 홀더(21)에 유지된 기판(W)과, 다른쪽 홀더(22)에 유지된 기판(W)에서, 예를 들면 이온 주입 등의 상하방향의 처리 위치를 일치시킬 수 있다.
여기서, 기판위치 보정 기구(6)를 락 챔버(S2)의 기판 스테이지(7)에 마련하는 경우에는 기판 반송 기구(5)나 홀더(21, 22) 등에 마련하는 경우와 비교하여 구조를 간단히 할 수 있다. 또한, 기판위치 보정 기구(6)를 반송실(S3)의 기판 반송 기구(5)에 마련하는 경우에는 락 챔버(S2)의 용량을 작게 할 수 있고, 락 챔버(S2)의 분위기 전환 시간을 짧게 하여 스루풋을 향상시킬 수 있다. 나아가, 기판위치 보정 기구(6)를 처리실(S1)의 홀더(21, 22)와 회전 기구(32) 사이에 마련하는 경우에는 락 챔버(S2)의 용량을 작게 할 수 있고, 락 챔버(S2)의 분위기 전환 시간을 짧게 하여 스루풋을 향상시킬 수 있다. 이때, 본 실시형태에서는 기판위치 보정 기구(6)가 회전 기구(32)의 동력을 이용하는 구성으로 하고 있으므로, 새로운 동력을 마련할 필요가 없어서 장치구성을 간단화 또는 소형화할 수 있다.
<그 밖의 변형 실시형태>
한편, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니다.
예를 들면, 도 9에 도시하는 바와 같이 슬라이더(31b(31d))를 2개로 분리해서 홀더(21(22))의 양옆가장자리부 아래쪽에 마련해도 된다. 또한, 도 10에 도시하는 바와 같이 슬라이더(31b(31d))의 일부가 홀더(21(22))의 양옆가장자리부보다도 바깥쪽에 있어도 된다. 단, 지지 부분(X1(X2))은 홀더(21(22))의 양옆가장자리부보다도 실질적으로 안쪽에 있으면 된다. 이 도 10을 보면, 엄밀하게는 지지 부분(X1)은 홀더(21)의 약간 바깥쪽에 있지만, 지지 부분(X1)은 홀더(21)의 양옆가장자리를 유지하는 지지 테두리(32a)의 밑변부를 지지하고 있기 때문에 실질적으로 홀더(21)의 안쪽이다.
또한, 상기 실시형태의 2개의 홀더는 복수의 기판을 수용한 트레이를 유지하는 것이어도 된다. 이것이라면, 복수의 기판에 일괄하여 처리할 수 있다.
또한, 상기 실시형태에서는 2개의 락 챔버를 가지는 것이었지만, 1개의 락 챔버를 가지는 것이어도 되고, 3개 이상의 락 챔버를 가지는 것이어도 된다.
나아가, 기판위치 보정 기구를 처리실에 마련하는 경우에는, 홀더 및 회전 기구 사이에 개재시켜서 마련하는 경우 이외에, 홀더 자체에 마련하는 구성으로 해도 되고, 회전 기구 자체에 마련하는 구성으로 해도 된다. 또한, 직동 기구 자체에 마련하는 구성으로서도 된다. 여기서, 2개의 홀더를 이동시키는 직동 기구가 각 홀더마다 마련되어 있고 각 가이드 레일이 다른 부재에 의해 구성되어 있는 경우는, 상기 가이드 레일을 상대 이동시킴으로써 기판위치를 보정하도록 구성해도 된다.
그 외에, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않고, 그 취지를 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능하다.
100: 기판 처리 장치 W: 기판 S1: 처리실
S2: 락 챔버 S3: 반송실 21: 상측 홀더
22: 하측 홀더 P1: 수취 위치 P2: 처리 위치
3: 홀더 이동 기구 5: 기판 반송 기구 31: 직동 기구
32: 회전 기구 Q1: 도복 위치 Q2: 기립 위치
4: 회전축 6: 기판위치 보정 기구 7: 기판 스테이지
71: 상측 스테이지 72: 하측 스테이지 51: 상측 핸드
52: 하측 핸드

Claims (7)

  1. 진공 분위기에서 기판이 처리되는 처리실과,
    대기압 분위기 또는 진공 분위기로 전환되어, 상기 기판을 수용하는 락 챔버와,
    상기 처리실 및 상기 락 챔버 사이에 마련되어, 진공 분위기에서 상기 처리실 및 상기 락 챔버 사이에서 상기 기판이 반송되는 반송실과,
    상기 처리실에 마련되고, 각각 다른 기판을 유지하는 2개의 홀더와,
    상기 2개의 홀더를, 상기 반송실로부터 반송된 상기 기판을 받는 수취(受取) 위치와, 상기 기판이 처리되는 처리 위치 사이에서 이동시키고, 그리고 상기 수취 위치에 있어서 상기 2개의 홀더를 상하로 정렬된 상태로 하는 홀더 이동 기구와,
    상기 반송실에 마련되고, 상기 락 챔버에 수용된 상기 기판을 상하로 정렬된 상태에서, 상기 수취 위치에 있는 2개의 홀더에 일괄 반송하는 기판 반송 기구를 구비하고,
    상기 홀더 이동 기구가,
    상기 2개의 홀더를, 홀더마다 소정의 축방향으로 설정된 서로 다른 이동 경로를 따라 이동시키는 직동(直動) 기구와,
    상기 2개의 홀더를, 상기 소정의 축방향 둘레로 회전시키는 회전 기구를 구비하고,
    상기 직동 기구는, 적어도 그 일부가 상기 홀더의 상기 소정의 축방향에서의 양단(兩端)보다도 안쪽에서 상기 홀더를 지지하고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 회전 기구가, 상기 2개의 홀더를 개별로 회전시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 회전 기구가, 상기 홀더를 회전시켜서 상기 기판을 도복(倒伏) 위치와 기립 위치 사이에서 자세 변경시키는 것이며,
    한쪽 홀더를 상기 도복 위치로 했을 때에, 상기 한쪽 홀더가 다른쪽 홀더의 회전축과 간섭되지 않도록, 상기 2개 홀더의 회전축이 상하로 어긋나 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 한쪽 홀더를 기립 위치로 했을 때의 기판의 상하방향의 위치와, 상기 다른쪽 홀더를 기립 위치로 했을 때의 기판의 상하방향의 위치를 일치시키는 기판위치 보정 기구를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 기판위치 보정 기구가, 상기 락 챔버에 마련된 기판 스테이지에 마련되고, 상하 2개의 기판이 각각 얹어지는 상측 스테이지면 및 하측 스테이지면 중 한쪽을 다른쪽에 대하여 상대 이동시켜서, 상기 상측 스테이지면 및 하측 스테이지면의 어긋남량을, 상기 2개 홀더의 회전에 의해 생기는 상기 기판의 위치의 어긋남량과 동일하게 하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 기판위치 보정 기구가, 상기 기판 반송 기구에 마련되고, 상하 2개의 기판이 각각 얹어지는 상측 반송면 및 하측 반송면 중 한쪽을 다른쪽에 대하여 상대 이동시켜서, 상기 상측 반송면 및 하측 반송면의 어긋남량을, 상기 2개 홀더의 회전에 의해 생기는 상기 기판의 위치의 어긋남량과 동일하게 하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 기판위치 보정 기구가, 상기 홀더, 상기 회전 기구 또는 상기 홀더와 상기 회전 기구 사이에 마련되고, 상하 2개의 기판을 각각 유지하는 상측 홀더 및 하측 홀더 중 한쪽을 다른쪽에 대하여 상대 이동시켜서, 상기 상측 홀더 및 하측 홀더의 어긋남량을, 상기 2개 홀더의 회전에 의해 생기는 상기 기판의 위치의 어긋남량과 동일하게 하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112239069A (zh) * 2019-07-19 2021-01-19 亚智科技股份有限公司 牙叉式基板运输装置及其方法
JP7163944B2 (ja) * 2020-09-15 2022-11-01 日新イオン機器株式会社 基板保持装置およびイオン注入装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006236811A (ja) 2005-02-25 2006-09-07 Nissin Ion Equipment Co Ltd イオンビーム照射装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63175326A (ja) * 1987-01-14 1988-07-19 Nissin Electric Co Ltd イオン処理装置
JP3239779B2 (ja) * 1996-10-29 2001-12-17 日新電機株式会社 基板処理装置および基板処理方法
KR19980033262U (ko) * 1996-12-06 1998-09-05 박병재 자동차 프론트사이드멤버 보강구조
JP4083306B2 (ja) * 1998-08-28 2008-04-30 松下電器産業株式会社 プラズマ処理後におけるリンス方法
JP2005505146A (ja) * 2001-10-12 2005-02-17 ユナキス・バルツェルス・アクチェンゲゼルシャフト 構造エレメントの製造方法および超真空ｃｖｄ反応装置
WO2005022602A2 (en) * 2003-08-29 2005-03-10 Crossing Automation, Inc. A method and apparatus for semiconductor processing
US8668422B2 (en) * 2004-08-17 2014-03-11 Mattson Technology, Inc. Low cost high throughput processing platform
JP2008172160A (ja) * 2007-01-15 2008-07-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
DE102007052182B4 (de) * 2007-10-31 2009-07-02 Grenzebach Maschinenbau Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Umsetzen stoßempfindlicher Glasplatten in Reinsträumen
JP5423205B2 (ja) * 2008-08-29 2014-02-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP5037551B2 (ja) * 2009-03-24 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 基板交換機構及び基板交換方法
JP4766156B2 (ja) * 2009-06-11 2011-09-07 日新イオン機器株式会社 イオン注入装置
JP5603333B2 (ja) * 2009-07-14 2014-10-08 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理装置
JP5525399B2 (ja) * 2010-09-16 2014-06-18 東京エレクトロン株式会社 搬送装置、基板処理システム及び姿勢制御機構
JP5387622B2 (ja) * 2011-06-17 2014-01-15 株式会社安川電機 搬送ロボット
JP2013069874A (ja) * 2011-09-22 2013-04-18 Tokyo Electron Ltd 基板処理システム、基板搬送方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5993625B2 (ja) * 2012-06-15 2016-09-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板反転装置、および、基板処理装置
JP6094256B2 (ja) * 2013-02-22 2017-03-15 日新イオン機器株式会社 イオンビーム照射装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006236811A (ja) 2005-02-25 2006-09-07 Nissin Ion Equipment Co Ltd イオンビーム照射装置

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