JP2013131367A - イオン注入装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板の搬送に関する設備のコストを低減することができるとともに、単位時間当たりの処理数、処理面積を向上させることができるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】イオン注入室1が、帯状のイオンビームが照射されるイオンビーム照射部12と、前記イオンビームの短辺方向に対して前記基板トレイの短手方向が横切るように当該基板トレイTを搬送する第1搬送機構H1と、を具備し、前記ロードロック室2内に設けられており、複数の基板トレイTを保持可能であるとともに、前記基板トレイTを長手方向に移動させて前記第1搬送機構H1上へと搬送する第2搬送機構H2を備えた。
【選択図】図1
【解決手段】イオン注入室1が、帯状のイオンビームが照射されるイオンビーム照射部12と、前記イオンビームの短辺方向に対して前記基板トレイの短手方向が横切るように当該基板トレイTを搬送する第1搬送機構H1と、を具備し、前記ロードロック室2内に設けられており、複数の基板トレイTを保持可能であるとともに、前記基板トレイTを長手方向に移動させて前記第1搬送機構H1上へと搬送する第2搬送機構H2を備えた。
【選択図】図1
Description
本発明は基板に対してイオン注入を行うための装置に関するものである。
半導体基板等の特性を所望のものに調節する場合、例えばイオンビームを基板に対して照射してイオンを注入する事が行われている。イオンビームが基板に対して照射されるイオン注入室は高い真空度を保つ必要があるため、大気圧中にある基板をイオン注入室に搬入する前に、イオン注入室に隣接して設けられるロードロック室において、大気圧から真空へと減圧した後にイオン注入室内に基板を搬入すること事が行われている。
より具体的には特許文献1に示されるような、300×300mm程度の大きさを有する基板に対してイオン注入を行うためのイオン注入装置では、ロードロック室が真空に減圧されると、ロードロック室の外壁に形成された基板を搬出するための搬出口のシャッタが開放され、その後、イオン注入室内に設けられている真空搬送用ロボットによりロードロック室内から基板が取り出される。そして、前記真空搬送用ロボットは、前記注入室内に設けられている搬送用ベルトコンベアにロードロック室から取り出した基板を載置するように構成されている。このように、ロードロック室に1枚ずつ基板を搬入して減圧し、減圧が完了する度に一枚ずつ搬送ロボットによりイオン注入室内のベルトコンベアに載置して、1枚ずつ基板に対してイオンを連続注入できるように構成されている。
ところで、太陽電池用基板のようにイオン注入により特性の調整が行われていなかったものについても、次世代の太陽電池基板においては細かな特性調整を行うためにイオン注入の適用が研究されている。
しかしながら、上述したような一般の基板に対して用いられているイオン注入装置をそのまま用いようとすると太陽電池用基板等に対する要求から以下のような問題が生じる。
まず、太陽電池用基板は今までイオン注入が施されていた基板に対してサイズが小さく、例えば150×150mm程度の大きさを有するものが多く、単純に上述したイオン注入装置を用いると、単位時間当たりにイオン注入できる基板の面積が小さくなってしまい、スループットが低下することになる。
さらに、太陽電池用基板は通常の基板に比べて単価を低く設定したいという要求が強く、製造設備についても従来のイオン注入装置程はコストをかける事が難しい。
これらの点を言い換えると、イオン注入装置としての値段は抑えるとともに、スループットを従来よりも向上させることができ、最終製品である太陽電池について性能は向上させるとともに、価格も抑えられることがイオン注入装置に対して求められている。
本発明は上述したような問題点を一挙に解決することを目的としたものであり、イオン注入装置における特に基板の搬送に関する設備のコストを低減することができるとともに、単位時間当たりの処理数、処理面積を向上させることができるイオン注入装置を提供する。
すなわち、本発明のイオン注入装置は、複数の基板を保持する基板トレイが搬入口から搬入され、所定圧力に減圧された後で、搬出口から前記基板トレイが搬出されるロードロック室と、前記ロードロック室から搬出された前記基板トレイに保持されている基板に対してイオンビームが照射されるイオン注入室と、を備え、前記基板トレイが、長尺状に形成されており、その長手方向に沿って前記複数の基板が1列又は複数列並べて保持されており、前記イオン注入室が、帯状のイオンビームが照射されるイオンビーム照射部と、前記イオンビームの短辺方向に対して前記基板トレイの短手方向が横切るように当該基板トレイを第1搬送方向に搬送する第1搬送機構と、を具備し、前記ロードロック室が、その室内に複数の基板トレイを保持可能であるとともに、前記第1搬送機構に対して前記基板トレイの長手方向が横切るように当該基板トレイを第2搬送方向に搬送する第2搬送機構を備えたことを特徴とする。
このようなものであれば、複数の基板を基板トレイにおいて列に並べて保持させるとともに、前記第1搬送機構により帯状のイオンビームの短辺方向に対して前記基板トレイの短手方向が横切るように移動させるので、複数枚の基板に対して同時にイオンビームを照射してイオン注入を行うことができる。しかも、イオンビームの短辺方向に対して基板トレイを短手方向が横切るようにしているので、基板トレイの長手方向を横切らせる場合に比べてイオンビームの照射時間も短くすることができる。従って、従来に比べて単位時間当たりの基板に対するイオンビームの照射面積及び処理量を構造させることができ、スループットを高めることができる。
さらに、前記ロードロック室は内部に複数の基板トレイを保持できるので、複数の基板トレイに対して一度に減圧を行うことができ、従来のようにイオン注入を行う基板に対して一枚ずつ減圧を繰り返すのに比べて処理時間を短縮することができる。また、前記ロードロック室内に設けられた第2搬送機構により前記基板トレイを前記イオン注入室内の前記第1搬送機構まで移動させるようにしているので、高価な真空用ロボットにより基板をピックアップして第1搬送機構に載置する必要が無いので、イオン注入装置の製造コストを低減することができる。加えて、第2搬送機構は、前記基板トレイを長手方向に移動させることにより前記第1搬送機構まで搬送するように構成されているので、移動の際に振動等が生じても姿勢変化を生じにくくすることができる。従って、第2搬送機構に精密な動作を要求しなくても、基板トレイに保持されている基板が大きくずれたり、はずれたりすることがなく、安価に構成することができる。
加えて、前記第1搬送機構では基板トレイは短手方向に移動するように構成されているのに対して、前記第2搬送機構では基板トレイを長手方向に移動するように構成されており、それぞれの移動方向を異ならせているので、前記第1搬送機構に対して基板トレイを供給する前記第2搬送機構及び前記ロードロック室を複数設けることがしやすい。つまり、イオンビーム照射部の処理能力等に応じて前記第2搬送機構及び前記ロードロック室の数を増減させることで、所望のスループットを達成することができる。
前記ロードロック室の容積を必要最小限にするとともに、前記第2搬送機構の構造を簡単なものにして製造コストを低減できるようにするには、前記第2搬送機構が、基板トレイを上下方向に並べて保持する基板トレイ保持部と、前記基板トレイ保持部を上下方向に移動させて、当該基板トレイ保持部に保持されている基板トレイのうちの一つを前記搬出口の高さに合わせる上下位置設定機構と、前記搬出口の高さに設けられており、前記搬出口の高さに合わされた基板トレイに対して接触して水平平面内を前記長手方向に移動させるローラ機構と、から構成されたものであればよい。このようなものであれば、例えば多関節の真空用ロボット等により基板トレイを前記イオン注入室内に搬入する場合、非常に多くの箇所についてシールを施さねばならず製造コストが高騰していたところを、ローラ機構や上下位置設定機構等の回転用シールのみを施せばよく製造コストを抑えることができる。
イオン注入される基板のスループットをより高めやすくするには、前記ロードロック室が一対設けられており、一方のロードロック室から前記イオン注入室に基板トレイが搬出されている間に、他方のロードロック室に対して基板トレイが搬入されて、内部が減圧されるように構成されているものであればよい。このようなものであれば、一方のロードロック室から前記イオン注入室内に基板トレイが搬入されている間に時間のかかる減圧処理を行うことができるので、途切れなく基板トレイをイオン注入室内に搬入することができるので、減圧に関する待ち時間を無くし、スループットを向上できる。
前記ロードロック室での処理能力の向上に合わせて、イオン注入の終了した基板を滞りなく取り出せるようにするには、イオンビームが照射された基板トレイが前記第1搬送機構から搬入され、大気圧まで戻された後で前記基板トレイが外部へと搬出されるアンロードロック室を1対更に備え、一方のアンロードロック室から外部に基板トレイが搬出されている間に、他方のアンロードロック室に対して基板トレイが搬入されて、内部が大気圧に戻されるように構成されているものであればよい。
イオン注入装置において基板トレイを使い回せるようにして、よりスループットを向上させられるようにするには、前記アンロードロック室から基板トレイを搬出し、イオンビームが照射された基板を取り出す基板取り出し部と、空になった基板トレイに対してイオンビームの照射されていない基板を充填し、前記ロードロック室に搬入する基板充填部と、を更に備えたものであればよい。
前記第1搬送機構を安価に構成するための具体例としては、前記第1搬送機構が、前記基板トレイを短手方向に移動させるベルトコンベアを備えたものであるが挙げられる。
このように本発明によれば、前記基板トレイを前記第1搬送機構まで搬送する第2搬送機構が前記ロードロック室内に設けられているので、高価な真空用ロボットを用いることなく、製造コストを低減することができる。また、帯状のイオンビームの短辺方向に対して前記基板トレイの短手方向が横切るように前記第1搬送機構は駆動するので、複数の基板に同時にイオンビームを照射することができ、単位時間当たりの処理枚数を増加させてスループットを向上させることができる。
本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。
本実施形態のイオン注入装置100は、太陽電池用の小型基板Sに対してイオン注入を行うためのものであり、複数の基板Sを一列に並べて基板トレイTで保持し、この基板トレイTごとイオンビームを横切らせることで、複数の基板Sに対して同時にイオン注入を行うようにしてある。
図1に示すイオン注入装置100は、基板トレイTが、基板トレイ充填部5、ロードロック室2、イオン注入室1、アンロードロック室3、基板取り出し部4、の順番で循環するように構成してある。各部における動作について簡単に説明すると、まず、前記基板充填部5において、空の基板トレイTに対してイオン注入前の基板Sが充填される。次に、前記ロードロック室2内に大気圧中にある基板トレイTを複数収容した後に、所定圧力まで減圧する。そして、前記イオン注入室1内に基板トレイTが搬入されて、イオンビームが照射された後、前記アンロードロック室3に収容された後大気圧まで戻される。最後に前記基板取り出し部4において、イオン注入の済んだ基板Sが基板トレイTから取り出されてカセットに収容されるとともに、空になった基板トレイTは前記基板充填部5で再度使用される。
各部の構成について簡単に説明すると、前記イオン注入室1は、一方向にのみ第1搬送機構H1により基板トレイTが搬送されるようにしてあり、その搬送途中に設けられたイオンビーム照射部から照射される帯状のイオンビーム(リボン状のイオンビーム)を基板トレイTが横切ることで、イオン注入が行われるようにしてある。
このイオン注入室1に対して対称となるように前記基板トレイ充填部5、前記ロードロック室2、前記アンロードロック室3、基板取り出し部4が設けてあり、基板トレイTの循環ループが2つ形成されるようにしてある。すなわち、イオン注入室1以外はそれぞれ1対ずつ設けてあることになる。また、本実施形態のイオン注入装置100は、各部への基板トレイTの搬入、搬出に関する制御を司る制御機構(図示しない)を備えている。なお、以下の説明では、イオン注入室1における基板トレイTの搬送方向である第1搬送方向をX軸方向、水平面内においてX軸に垂直な方向であり、ロードロック室2から第1搬送機構H1へと基板トレイTが搬送される方向である第2搬送方向をY軸と定義して説明に用いることとする。ここで、図1から明らかなように、第2搬送方向は第1搬送方向に対して交差するように設定してある。すなわち、同一平面内において第1搬送方向と第2搬送方向とが同方向とならないようにしてある。
各部について詳述する。
前記基板トレイTは、図2に示すように長尺状をなす概略平直方体形状のものであり、その表面に太陽電池用の基板Sと、マスクMとを収容する凹部T1が長手方向に一列に並べて形成してあるものである。より具体的には、前記凹部T1は表面側から視て概略正方形上のものであり、中央部に前記基板Sと略同形状の正方形の深穴と、前記深穴と中心を同じくする正方形状の浅穴とから構成してあり、前記深穴には基板Sが収容され、浅穴にマスクMを収容するようにしてある。すなわち、前記凹部T1には、まず基板Sが収容され、その基板Sの上部にマスクMにより蓋がされるようにしてある。図1に示しているように、この基板トレイTは、ロードロック室2からイオン注入室1に移動する場合は、基板Sの並んでいる長手方向(長尺方向)に移動させられ、イオン注入が行われるイオン注入室1内では、基板Sの短手方向(短尺方向)に移動させられるようにしてある。
前記基板トレイ充填部5は、図1に示すようにイオン注入室1の第1搬送機構H1に対して線対称となるように両側にそれぞれ設けてあり、大気圧中において空の基板Sに対してイオン注入を行う基板S及びマスクMを充填するロボットである。このロボットは、後述するロードロック室2に対して基板Sが充填された基板トレイTの搬入も行うように構成してある。このロボットに関しては大気圧中で用いられるものであるので、真空中で用いられるロボットほどは精密なシールなどは施されていない安価なものを用いている。
前記ロードロック室2は、図3に示すように概略直方体形状の部屋であり、基板トレイTが6枚搬入されると、搬入口24と搬出口25の両方のシャッタを閉じたうえで、大気圧から前記イオン注入室1の気圧である所低圧力まで減圧するものである。そして、このロードロック室2は、その内部に複数の基板トレイTを保持可能であり、一度に複数枚の基板トレイTが収容された状態で一気に減圧するものであるとともに、前記基板トレイTを長手方向に移動させて前記第1搬送機構H1上へと搬送する第2搬送機構H2を備えている。より具体的には、前記基板充填部5から基板トレイTが搬入される際には、図4に示すように基板トレイTの短手方向をX軸方向に沿って移動させて搬入し、搬出する際は図5に示すように前記基板トレイTの長手方向をY軸方向に沿って移動させるように設置してある。
前記第2搬送機構H2は、図3に示すように片持ち棚状の基板トレイTを上下方向に並べて保持する基板トレイ保持部21と、前記基板トレイ保持部21を下側から上下方向に移動させて、当該基板トレイ保持部21に保持されている基板トレイTのうちの一つを前記搬出口25の高さに合わせる上下位置設定機構22と、前記搬出口25の高さに設けられており、前記搬出口25の高さに合わされた基板トレイTに対して接触して水平平面内を前記長手方向に移動させる2つのローラ231を備えたローラ機構23と、から構成してある。
前記基板トレイ保持部21は、ローラ機構23における2つのローラ231の設置間隔よりも短い長さ寸法を有した概略平直方体形状の基板トレイ載置棚211が上下方向に6枚等間隔で設けてある。そして、最下部に設けてある2つのローラ231と略同じ長さ寸法を有する概略平直方体形状のベース板212と、前記基板トレイ載置棚211のロードロック室2の搬入口24とは反対側の側面を連結する背板213により棚状を形成してある。
前記上下位置設定機構22は、図示しない駆動装置により、前記ベース板212に接続されたシャフトのロードロック室2内における突出量を変更することで前記基板トレイ保持部21の高さを変更するものである。すべての基板トレイ載置棚211に基板トレイTが載置されている場合には、図3に示すように前記シャフトの室内への突出量を最大にしてある。
前記ローラ機構23は、前記基板トレイTの長手方向の長さ寸法と略同じ間隔で設けられた2つのローラ231と各ローラ231をそれぞれ回転させるモータと、から構成してある。図4に示すように各ローラ231に前記基板トレイTが接触した状態で各ローラ231を回転させることにより、前記イオン注入室1と連通する前記搬出口25を通して、前記第1搬送機構H1上に基板トレイTを搬出するものである。そして、1枚の基板トレイTが搬出されると、5に示すように、その上の基板トレイ載置棚211に載置されている基板トレイTを前記ローラ231に接触するように、前記上下位置設定機構22が前記基板トレイ保持部21の高さを一段下げるようにしてある。この動作は、すべての基板トレイTがロードロック室2内からイオン注入室1へと搬出されるまで繰り返される。
前記イオン注入室1は、図1及び図4に示すようにイオンビームの照射に適した高真空の状態に保たれた部屋であり、帯状のイオンビームが照射されるイオンビーム照射部と、前記イオンビームの短辺方向に対して前記基板トレイTの短手方向が横切るように当該基板トレイTを搬送する第1搬送機構H1と、をその内部に備えたものである。
図1に示すように前記イオンビーム照射部は、前記第1搬送機構H1において略中央部において長辺方向がY軸方向に沿うようにイオンビームを照射するものである。このイオンビーム照射部は、例えば、直下を基板トレイTが横切る際にのみイオンビームを照射するようにしてもよいし、常時イオンビームを照射しているものであってもよい。
前記第1搬送機構H1は、図1及び図4に示すように基板トレイTの短手方向をX軸方向に沿って移動さえる1対のベルトコンベア11と、前記ベルトコンベア11の一端に設けられ、前記ロードロック室2から基板トレイTが搬入される際にY軸方向への移動を補助する搬入補助ローラ111と、前記ベルトコンベア11のもう一端に設けられ、前記アンロードロック室3への基板Sを搬入するために基板トレイTの長手方向をY軸方向に沿って移動させるための搬出補助ローラ112とを備えている。
前記ベルトコンベア11、搬入補助ローラ111、搬出補助ローラ112、前記ロードロック室2のローラ機構23の上端は略同じ高さに設定してあり、前記基板トレイTを移動させる際に大きな段差が生じないように構成してある。
前記アンロードロック室3は、図3、図4、図5、図6、図7に示してあるロードロック室2と同じ構造を有するものであり、基板トレイTの搬入及び搬出に関する移動方向が前記ロードロック室2とは逆向きになっているものである。そして、基板トレイTが6枚収容されると、前記イオン注入室1と連通する搬入口24のシャッタを閉じたうえで、室内を大気圧に開放するようにしてある。
前記基板取り出し部4は、図1に示すように前記アンロードロック室3から一枚ずつ基板トレイTを取り出し、前記基板トレイTに保持されており、イオン注入の済んだ基板Sを取り出してカセットに収容するロボットである。すべての基板Sを基板トレイTから取り出し終えるとこのロボットは隣接する基板充填部5側に空の基板トレイTを載置し、再び使用される準備も行う。
このように構成されたイオン注入装置100において、それぞれ1対ずつ設けられた前記ロードロック室2、及び、前記アンロードロック室3における基板トレイTの搬入、搬出に関する動作について説明する。なお、この動作の説明におけるロードロック室2、アンロードロック室3について区別が必要な場合は、図1においてイオン注入室1の上側にあるものには第1を、下側にあるものについては第2を付与して区別することとする。また、図8に示す1周期分のタイミングチャートを参照しながら説明を行う。
図8に示すように各ロードロック室2は、一方のロードロック室2から前記イオン注入室1に基板トレイTが搬出されている間に、他方のロードロック室2に対して基板トレイTが搬入されて、内部が減圧されるように構成してある。つまり、いずれかのロードロック室2から常に基板トレイTがイオン注入室1に搬入できるように、段取りと搬出のタイミングが交互となるようにしてある。
同様に各アンロードロック室3は、前記イオン注入室1から一方のアンロードロック室3に基板トレイTが搬入されている間に、他方のアンロードロック室3の大気解放、基板トレイTの外部への搬出、減圧の工程が行われているように構成してある。つまり、いずれかのアンロードロック室3には、イオン注入室1から常に基板トレイTが搬入されるようにしてある。
また、図8に示すように、第1ロードロック室2から基板トレイTが搬出されているタイミングと、第1アンロードロック室3に基板Sが搬入されるタイミングと、は同期するようにしてあり、イオン注入室1内において前記基板トレイTが滞留しないようにしてある。第2ロードロック室2及び第2アンロードロック室3についても同様である。
このように本実施形態のイオン注入装置100によれば、ロードロック室2内に第2搬送機構H2が設けてあるので、前記ロードロック室2内から基板トレイTを取り出し、前記イオン注入室1内の第1搬送機構H1に基板トレイTを載置するための真空ロボットを用いる必要がない。したがって、真空雰囲気中での使用を前提とした高度なシール等を施したロボットを用いる必要がないので、イオン注入装置100の搬送にかかわる部分に関して製造コストを低減することができる。
また、前記基板トレイTを長尺状の板体として、その長尺方向に一列に並べて基板Sを保持するようにして、一度のイオンビームの照射で複数の基板Sにイオン注入が行えるようにしていること、及び、帯状のイオンビームの短辺方向に対して基板トレイTの短手方向が横切るように第1搬送機構H1の搬送方向を定めてあるので、単位時間当たりの処理数、処理面積を多くして、スループットを向上させることができる。
さらに、前記ロードロック室2には複数枚の基板トレイTを収容可能であるため、一度に減圧を行うことができ、一枚ずつ減圧する場合に比べて処理時間を短縮することができる。また、第2搬送機構H2は、基板トレイTを長手方向に移動させて第1搬送機構H1まで搬送するように構成してあるので、前記ロードロック室2と前記イオン注入室1との間にわずかな段差等があったとしても姿勢変化が生じにくく、保持されている基板Sを安全に搬入することができる。
その他の実施形態について説明する。
前記実施形態では、ロードロック室及びアンロードロック室が1対ずつ設けてあったが、更に複数設けても構わないし、1つであっても構わない。すなわち、イオン注入に係る時間に基づいて、前記イオン注入室内に導入するべき基板トレイの数に合わせて決めればよい。
前記実施形態では、太陽電池用の基板に対してイオン注入を行うものであったがその他の用途に用いても構わない。例えば、太陽電池用基板のようにそれほどイオン注入中等にそれほど清浄度を保つ必要が無く、前記ロードロック室内にローラ等の駆動機構を設けても問題が生じにくい用途であるのが好ましい。
その他本発明の趣旨に反しない限りにおいて、様々な変形や実施形態の組み合わせを行っても構わない。
100・・・イオン注入装置
1 ・・・イオン注入室
H1 ・・・第1搬送機構
12 ・・・イオンビーム照射部
2 ・・・ロードロック室
H2 ・・・第2搬送機構
21 ・・・基板トレイ保持部
22 ・・・上下位置設定機構
23 ・・・ローラ機構
3 ・・・アンロードロック室
T ・・・基板トレイ
S ・・・基板
1 ・・・イオン注入室
H1 ・・・第1搬送機構
12 ・・・イオンビーム照射部
2 ・・・ロードロック室
H2 ・・・第2搬送機構
21 ・・・基板トレイ保持部
22 ・・・上下位置設定機構
23 ・・・ローラ機構
3 ・・・アンロードロック室
T ・・・基板トレイ
S ・・・基板
Claims (6)
- 複数の基板を保持する基板トレイが搬入口から搬入され、所定圧力に減圧された後で、搬出口から前記基板トレイが搬出されるロードロック室と、
前記ロードロック室から搬出された前記基板トレイに保持されている基板に対してイオンビームが照射されるイオン注入室と、を備え、
前記基板トレイが、長尺状に形成されており、その長手方向に沿って前記複数の基板が1列又は複数列並べて保持されており、
前記イオン注入室が、帯状のイオンビームが照射されるイオンビーム照射部と、前記イオンビームの短辺方向に対して前記基板トレイの短手方向が横切るように当該基板トレイを第1搬送方向に搬送する第1搬送機構と、を具備し、
前記ロードロック室が、その室内に複数の基板トレイを保持可能であるとともに、前記第1搬送機構に対して前記基板トレイの長手方向が横切るように当該基板トレイを第2搬送方向に搬送する第2搬送機構を備えたことを特徴とするイオン注入装置。 - 前記第2搬送機構が、基板トレイを上下方向に並べて保持する基板トレイ保持部と、
前記基板トレイ保持部を上下方向に移動させて、当該基板トレイ保持部に保持されている基板トレイのうちの1つを前記搬出口の高さに合わせる上下位置設定機構と、
前記搬出口の高さに設けられており、前記搬出口の高さに合わされた基板トレイに対して接触して水平平面内を前記長手方向に移動させるローラ機構と、から構成された請求項1記載のイオン注入装置。 - 前記ロードロック室が一対設けられており、一方のロードロック室から前記イオン注入室に基板トレイが搬出されている間に、他方のロードロック室に対して基板トレイが搬入されて、内部が減圧されるように構成されている請求項1又は2記載のイオン注入装置。
- イオンビームが照射された基板トレイが前記第1搬送機構から搬入され、大気圧まで戻された後で前記基板トレイが外部へと搬出されるアンロードロック室を1対更に備え、
一方のアンロードロック室から外部に基板トレイが搬出されている間に、他方のアンロードロック室に対して基板トレイが搬入されて、内部が大気圧に戻されるように構成されている請求項1、2又は3記載のイオン注入装置。 - 前記アンロードロック室から基板トレイを搬出し、イオンビームが照射された基板を取り出す基板取り出し部と、
空になった基板トレイに対してイオンビームの照射されていない基板を充填し、前記ロードロック室に搬入する基板充填部と、を更に備えた請求項4記載のイオン注入装置。 - 前記第1搬送機構が、前記基板トレイを短手方向に移動させるベルトコンベアを備えたものである請求項4又は5記載のイオン注入装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011279518A JP2013131367A (ja) | 2011-12-21 | 2011-12-21 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011279518A JP2013131367A (ja) | 2011-12-21 | 2011-12-21 | イオン注入装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013131367A true JP2013131367A (ja) | 2013-07-04 |
Family
ID=48908768
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011279518A Pending JP2013131367A (ja) | 2011-12-21 | 2011-12-21 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2013165131A (ja) * | 2012-02-09 | 2013-08-22 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | イオン注入方法、搬送容器及びイオン注入装置 |
-
2011
- 2011-12-21 JP JP2011279518A patent/JP2013131367A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2013165131A (ja) * | 2012-02-09 | 2013-08-22 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | イオン注入方法、搬送容器及びイオン注入装置 |
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