TWI640659B - 基板處理系統及基板處理方法 - Google Patents

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日商斯庫林集團股份有限公司
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Abstract

本發明的基板處理系統係具備有：鍍覆裝置，係具有用以搬運第一基板之第一搬運部，並在靜止的狀態下對第一基板的表面施予鍍覆處理後，藉由第一搬運部搬出第一基板；以及前段裝置，係具有用以搬運第二基板之第二搬運部，並與第一搬運部所為之第一基板的搬出對應地藉由第二搬運部將第二基板作為第一基板搬運至鍍覆裝置；並且，因應鍍覆處理的時間控制第二搬運部將第二基板搬運至鍍覆裝置之時序。

Description

基板處理系統及基板處理方法
本發明係有關於一種基板處理系統及基板處理方法，係用以對半導體基板、光罩(photomask)用玻璃基板、液晶顯示用玻璃基板、電漿顯示用玻璃基板、FED(Field Emission Display；場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、配線基板等各種基板(以下簡稱為「基板」)的表面施予鍍覆處理。
在半導體裝置或液晶顯示裝置等之電子零件或用以搭載電子零件之配線基板等之製造步驟中，已提案有一種對基板的表面施予鍍覆處理之技術。在例如日本特開2015-187306號公報所揭示的裝置中，搬入被基板固持具所保持的基板，並在對基板的表面施予包含鍍覆處理之一連串的表面處理之後，搬出基板固持具。在此，為了執行上述表面處理，係依步驟順序配置有前水洗槽、前處理槽、清洗(rinse)槽、第一鍍覆槽、清洗槽、第二鍍覆槽、清洗槽以及鼓風(blow)槽等處理槽。接著，基板搬運固持具一邊保持基板固持具一邊依序搬運至各個處理槽，將基板固持具垂直地插入至處理槽並進行上述表面處理。
在上述習知技術中，在對一片基板結束一連串的表面處理(搬入處理、前處理處理、水洗處理、鍍覆處理、清洗處理、鼓風處理以及搬出處理等)為止之前，無法對下一個基板執行表面處理，在生產量(throughput)方面存在改善的餘地。作為用以解決此問題的對策之一，考慮採用連續表面處理方法。亦即，藉由輸送帶等搬運機構連續性地搬運基板，並在沿著搬運機構的搬運路徑依處理順序配置的處理槽中執行一連串的表面處理，藉此提升生產量。
然而，在該連續表面處理方法中，需要以固定速度搬運基板，為了變更例如鍍覆處理的時間，需要藉由變更用以執行其他處理之處理槽的尺寸俾使其他處理的製程時間配合鍍覆處理。如此，變得難以彈性地對應鍍覆處理的時間而缺乏泛用性。
本發明有鑑於上述課題而研創，其目的在於提供一種能彈性地對應鍍覆處理的時間的變更並以優異的生產量進行鍍覆處理之基板處理系統及基板處理方法。
本發明的一實施形態為一種基板處理系統，係具備有：鍍覆裝置，係具有用以搬運第一基板之第一搬運部，並在靜止的狀態下對第一基板的表面施予鍍覆處理後，藉由第一搬運部搬出第一基板；以及前段裝置，係具有用以搬運第二基板之第二搬運部，並與第一搬運部所為之第一基板的搬出對應地藉由第二搬運部將第二基板作為第一基板搬運至鍍覆裝置；並且，因應鍍覆處理的時間控制第二搬運部將第二基板搬運至鍍覆裝置之時序(timing)。
此外，本發明的另一實施形態為一種基板處理方法，係具備有：在藉由鍍覆裝置在靜止的狀態下對第一基板的 表面施予鍍覆處理後將第一基板從鍍覆裝置搬出之步驟；以及藉由前段裝置將第二基板作為第一基板搬運至鍍覆裝置之步驟；並且，因應鍍覆處理的時間控制將第二基板搬運至鍍覆裝置之時序。
在以此種方式所構成的發明中，當結束鍍覆裝置對於基板(第一基板)的鍍覆處理時，搬出該基板並將下一個基板(第二基板)搬運至鍍覆裝置，連續性地進行鍍覆處理，而獲得優異的生產量。此外，即使變更鍍覆處理的時間，亦能與此對應地控制用以將基板搬運至鍍覆裝置之時序，並能彈性地對應鍍覆處理的時間，而能獲得高的泛用性。
如上所述，依據本發明，不僅能藉由進行連續性地處理而獲得優異的生產量，亦能藉由基板朝鍍覆裝置的搬運時序控制而彈性地對應鍍覆處理的時間的變更，而能獲得高的泛用性。
1‧‧‧基板處理系統
11‧‧‧第一處理裝置列
11A‧‧‧裝載室
11B‧‧‧前處理室
11C、12B、13A、13C‧‧‧水洗室
11D、13B‧‧‧鍍覆室
12‧‧‧第二處理裝置列
12A、12C‧‧‧移送室
13‧‧‧第三處理裝置列
13D‧‧‧乾燥室
13E‧‧‧卸載室
14‧‧‧索引裝置
14a‧‧‧匣載置部
14b‧‧‧搬運機器人
15、16‧‧‧處理裝置列
20‧‧‧致動器
21‧‧‧CPU
22‧‧‧記憶體
31、41、51、61、81‧‧‧輥搬運部
32‧‧‧移載部
33‧‧‧支撐銷
34、74‧‧‧致動器
42‧‧‧藥液供給部
43‧‧‧藥液噴出噴嘴
44‧‧‧藥液槽
45、55、642、645‧‧‧泵
46、56、643、646‧‧‧閥
52‧‧‧洗淨液供給部
53‧‧‧洗淨液噴出噴嘴
54‧‧‧洗淨液槽
62‧‧‧框體
63‧‧‧升降部
64‧‧‧鍍覆液供給部
64A‧‧‧第一鍍覆液供給部
64B‧‧‧第二鍍覆液供給部
65‧‧‧陽極區塊
66‧‧‧陰極區塊
67‧‧‧陰極區塊升降部
68‧‧‧給電部
69‧‧‧隔膜
71、75、611‧‧‧搬運輥
72‧‧‧Y方向搬運部
73‧‧‧X方向搬運部
76‧‧‧框架
82、83‧‧‧氣刀
91‧‧‧攪拌器
92‧‧‧攪拌器驅動部
612‧‧‧旋轉軸
621、624、625‧‧‧貫通孔
622‧‧‧隙縫
623‧‧‧切口
631‧‧‧支承板
632‧‧‧升降機構
633‧‧‧支承板的表面
634‧‧‧凹部
641‧‧‧第一鍍覆液槽
644‧‧‧第二鍍覆液槽
651‧‧‧陽極電極
652‧‧‧連結構件
653‧‧‧支撐板
661‧‧‧陰極電極
664‧‧‧鍍覆液槽
C‧‧‧基板收納匣(匣)
H1‧‧‧鍍覆處理位置
H2、H3‧‧‧高度位置
P1、P11‧‧‧搬運機器人
P2、PA‧‧‧接取裝置
P3、PB‧‧‧前處理裝置
P4、P6、P8、PC、PH、PF、PK‧‧‧水洗裝置
P5、P7、PD、PJ‧‧‧鍍覆裝置
P9、PL‧‧‧乾燥裝置
P10、PM‧‧‧移出裝置
P12‧‧‧輸送帶裝置
PE、PG‧‧‧移送裝置
RA、RA1‧‧‧儲留空間
RA2‧‧‧第二儲留空間
S‧‧‧基板
S1‧‧‧基板的表面
S2‧‧‧基板的背面
SP‧‧‧被鍍覆區域
圖1係顯示本發明的基板處理系統的第一實施形態之俯視圖。
圖2A係示意性地顯示第一處理裝置列及第二處理裝置列的構成之圖。
圖2B係示意性地顯示第二處理裝置列的構成之圖。
圖2C係示意性地顯示第二處理裝置列及第三處理裝置列的構成之圖。
圖3係顯示圖1的基板處理系統的電性構成之方塊圖。
圖4係示意性地顯示移送裝置的構成之立體圖。
圖5係示意性地顯示構成第一處理裝置列之鍍覆裝置的構成之分解組裝立體圖。
圖6係示意性地顯示圖5的鍍覆裝置中之支承板(backup plate)相對於搬運輥之升降動作之圖。
圖7係示意性地顯示圖5的鍍覆裝置所為之鍍覆動作之圖。
圖8係示意性地顯示用以構成第三處理裝置列之鍍覆裝置的構成之分解組裝立體圖。
圖9係示意性地顯示圖8的鍍覆裝置所為之鍍覆動作之圖。
圖10係示意性地顯示鍍覆裝置的另一構成之圖。
圖11係示意性地顯示鍍覆裝置的另一構成之圖。
圖12係示意性地顯示鍍覆裝置的其他另一構成之圖。
圖13係顯示本發明的基板處理系統的第二實施形態之俯視圖。
圖14係顯示本發明的基板處理系統的第三實施形態之俯視圖。
圖1係顯示本發明的基板處理系統的第一實施形態之俯視圖。此外，在圖1及後續說明的各圖中，為了使系統各部的配置關係明確，將圖1中之從左側朝向右側之水平方向稱為「+X方向」，將反方向稱為「-X方向」。此外，將與X方向正交之水平方向中的基板處理系統1的背面側稱為「+Y方向」，將基板處理系統1的正面側稱為「-Y方向」。再者，將鉛直方向中的上方向及下方向分別稱為「+Z方向」及「-Z方向」。
如圖1所示，基板處理系統1係具備有索引(indexer)裝置14以及俯視觀視「」狀地連結至該索引裝置14之第一 處理裝置列11、第二處理裝置列12及第三處理裝置列13。第一處理裝置列11係構成為依序將接取裝置PA、前處理裝置PB、水洗裝置PC、鍍覆裝置PD排列於(+X)方向，一邊將從索引裝置14接取的基板S搬運至(+X)方向一邊藉由各個接取裝置PA、前處理裝置PB、水洗裝置PC、鍍覆裝置PD進行期望的處理。此外，第二處理裝置列12係構成為依序將移送裝置PE、水洗裝置PF、移送裝置FG排列於(+Y)方向，一邊將從第一處理裝置列11接取的基板S搬運至(+Y)方向一邊藉由各個移送裝置PE、水洗裝置PF、移送裝置FG進行期望的處理。此外，第三處理裝置列13係構成為依序將水洗裝置PH、鍍覆裝置PJ、水洗裝置PK、乾燥裝置PL、移出裝置PM排列於(-X)方向，一邊將從第二處理裝置列12接取的基板S搬運至(-X)方向一邊藉由各個水洗裝置PH、鍍覆裝置PJ、水洗裝置PK、乾燥裝置PL、移出裝置PM進行期望的處理。再者，已到達移出裝置PM之基板S係被索引裝置14從第三處理裝置列13搬出。此外，在本實施形態中，上述基板S的表面及背面係分別相當於本發明的「一主面」及「另一主面」。
索引裝置14係具備有：匣(cassette)載置部14a，係載置已收容有基板S之基板收納匣C(以下亦簡稱為「匣C」)；以及搬運機器人14b，係相對於已載置於該匣載置部14a之匣C將基板S搬出及搬入。索引裝置14係藉由搬運機器人14b將成為鍍覆處理對象之基板S從基板收納匣C依序取出並搬運至第一處理裝置列11(裝載(loading))。此外，索引裝置14係藉由搬運機器人14b將已接受包含鍍覆處理之一連串的處理之基板S從第三處理裝置列13返回至例如原本的匣C(卸 載(unloading))。
圖2A係示意性地顯示第一處理裝置列及第二處理裝置列的構成之圖，圖2B係示意性地顯示第二處理裝置列的構成之圖，圖2C係示意性地顯示第二處理裝置列及第三處理裝置列的構成之圖。此外，圖3係顯示基板處理系統的電性構成之方塊圖。如圖2A所示，在第一處理裝置列11中，從基板S的搬運方向(+X)中的上游側(索引裝置14側)依序設置有裝載室11A、前處理室11B、水洗室11C以及鍍覆室11D。
於裝載室11A設置有用以從搬運機器人14b接取未處理的基板S之接取裝置PA。該接取裝置PA係具備有：輥搬運部31，係由複數個搬運輥所構成；以及移載部32，係從搬運機器人14b接取未處理的基板S並傳遞至輥搬運部31。移載部32係由複數個支撐銷33以及汽缸(air cylinder)等致動器(actuator)34所構成，該致動器34係在突出於搬運輥的上方之接取位置與退避至搬運輥的下方之退避位置之間將支撐銷33予以升降驅動。此外，致動器34係因應來自用以控制基板處理系統1整體之控制部20的上升指令而作動，並在已將支撐銷33設置於接取位置的狀態下以水平姿勢從搬運機器人14b接取基板S。之後，致動器34係因應來自控制部20的下降指令而作動並使支撐銷33位移至退避位置，藉此將基板S移載至搬運輥上。接著，輥搬運部31係因應來自控制部20的輥驅動指令而作動，並將基板S搬運至前處理室11B。
於前處理室11B設置有用以進行前處理之前處理裝置PB，該前處理係用以去除在對基板S施予鍍覆處理之前附 著於基板S的表面S1之有機物及氧化物等。該前處理裝置PB係具備有：輥搬運部41，係由複數個搬運輥所構成；以及藥液供給部42，係將用以進行前處理之藥液供給至被輥搬運部41搬運的基板S的表面S1。藥液供給部42係具備有配置於搬運輥的上方之複數個藥液噴出噴嘴43、藥液槽44、泵(pump)45以及閥46。此外，輥搬運部41係因應來自控制部20的前處理指令而作動，並以將表面S1朝向上方的水平姿勢將基板S朝(+X)方向搬運。
此外，與該基板S的水平搬運並行，泵45作動且閥46開啟，儲留於藥液槽44的藥液係經由泵45及閥46供給至各個藥液噴出噴嘴43，並從各個藥液噴出噴嘴43朝往水洗室11C搬運之基板S的表面S1噴出。藉此，對朝(+X)方向搬運之基板S的表面S1供給藥液，將附著於該表面S1之有機物成分及氧化物成分在鍍覆處理前予以去除，也就是執行所謂的前處理。此外，在本實施形態中，雖然在前處理室11B內回收處理完畢的藥液並返回至藥液槽44再利用以謀求降低運轉成本，但亦可採用用畢拋棄的方式。
於位於前處理裝置PB的下游側之水洗室11C設置有用以進行水洗處理之水洗裝置PC，該水洗處理係使用水作為洗淨液從已接受前處理之基板S洗淨並去除藥液。該水洗裝置PC係具備有：輥搬運部51，係由複數個搬運輥所構成；以及洗淨液供給部52，係將水(洗淨液)供給至被輥搬運部51搬運的基板S的表面S1。洗淨液供給部52係具備有配置於搬運輥的上方之複數個洗淨液噴出噴嘴53、洗淨液槽54、泵55以及閥56。此外，輥搬運部51係因應來自控制部20的水洗處理指令而作動，並以將表面S1朝向 上方的水平姿勢將基板S朝(+X)方向搬運。
此外，與該基板S的水平搬運並行，閥56開啟且泵55作動，儲留於洗淨液槽54的水係經由泵55及閥56供給至各個洗淨液噴出噴嘴53，並從各個洗淨液噴出噴嘴53朝往鍍覆室11D搬運之基板S的表面S1噴出。藉此，對朝(+X)方向搬運之基板S的表面S1供給水作為洗淨液，將殘留於基板S之藥液在鍍覆處理前予以水洗並去除。此外，在本實施形態中，雖然在水洗室11C內回收處理完畢的洗淨液並返回至洗淨液槽54再利用以謀求降低運轉成本，但亦可採用用畢拋棄的方式。此外，亦可構成為於每次進行一定次數水洗處理後，進行洗淨液的替換。這些點於後述說明的其他水洗裝置中亦同樣。
於搬運方向(+X)中，於位於水洗裝置PC的下游側之鍍覆室11D設置有鍍覆裝置PD，該鍍覆裝置PD係用以在鍍覆處理位置(後述說明之圖7中的元件符號H1)進行鍍覆處理。該鍍覆裝置PD係具備有：輥搬運部61，係由複數個搬運輥所構成；框體62，係配置於鍍覆處理位置；升降部63，係使被輥搬運部61搬運至鍍覆處理位置的下方位置之基板S上升至鍍覆處理位置，並藉由框體62與基板S的表面S1形成用以儲留鍍覆液之儲留空間RA(參照圖7)；以及鍍覆液供給部64，係將鍍覆液供給至儲留空間RA。接著，在已藉由升降部63從下方支撐基板S的背面S2(參照圖6及圖7)的狀態下，藉由鍍覆液進行鍍覆處理。此外，在鍍覆處理後，藉由升降部63使基板S下降並返回至輥搬運部61，並藉由輥搬運部61將基板S搬運至第二處理裝置列12。此外，關於鍍覆裝置PD的詳細構成及動作係容 後述。
如圖2B所示，在第二處理裝置列12中，從基板S的搬運方向(+Y)中之上游側依序設置有移送室12A、水洗室12B以及移送室12C。於移送室12A設置有移送裝置PE。該移送裝置PE係將基板S的搬運方向從(+X)方向切換至(+Y)方向，並將基板S搬運至水洗室12B。此外，關於移送裝置PE的構成，將於後面與移送裝置PG一起說明。
於水洗室12B係設置有水洗裝置PF，該水洗裝置PF係具有與先前所說明的水洗裝置PC相同的構成。亦即，水洗裝置PF係具備有：輥搬運部51，係由複數個搬運輥所構成；以及洗淨液供給部52，係將水(洗淨液)供給至被輥搬運部51搬運之基板S的表面S1。此外，一邊藉由輥搬運部51以表面S1朝向上方之水平姿勢將基板S搬運至(+X)方向，一邊藉由泵55將儲留於洗淨液槽54的水經由閥56供給至各個洗淨液噴出噴嘴53，藉此從各個洗淨液噴出噴嘴53噴出至被搬運至移送室12C之基板S的表面S1，將殘留於基板S的鍍覆液予以水洗並去除。
於移送室12C設置有與移送裝置PE同樣之移送裝置PG。該移送裝置PG係接取已經過水洗處理之基板S，將基板S的搬運方向從(+Y)方向切換至(-X方向)並將基板S搬運至第三處理裝置列13。
圖4係示意性地顯示移送裝置的構成之立體圖。移送裝置PG係具備有：Y方向搬運部72，係由複數個搬運輥71所構成，用以將基板S搬運至(+Y)方向；X方向搬運部73，係在搬運方向(+Y)的下游端被搬運輥71圍繞的狀態下所設置，用以將基板S搬運至(-X)方向；以及汽缸等 致動器74(圖2B、圖2C、圖3)，係使X方向搬運部73升降。如同圖所示，在Y方向搬運部72中，搬運輥71係繞著與X方向平行的旋轉軸旋轉驅動，並可一邊從下方支撐基板S一邊朝(+Y)方向搬運。此外，在本實施形態中，搬運輥71所為之基板S的搬運路徑係比第一處理裝置列11及第三處理裝置列13中的基板S的搬運路徑還低。
另一方面，在X方向搬運部73中，搬運輥75係被框架(frame)76以繞著與Y方向平行的旋轉軸旋轉自如之方式樞軸支撐，藉由旋轉驅動各個搬運輥75，可一邊從下方支撐基板S一邊搬運至(+Y)方向。此外，框架76係連結至致動器74，框架76係因應來自控制部20的升降指令而升降，藉此可將X方向搬運部73在鉛直方向Z中移動至退避位置與移送位置，該退避位置係退避至比搬運輥71所為之基板S的搬運路徑還下方之位置，該移送位置係與第三處理裝置列13中的基板S的搬運路徑相同之位置。此外，在移送裝置PG中，從水洗裝置PF接取基板S時，在X方向搬運部73已定位至退避位置的狀態下，藉由Y方向搬運部72將基板S搬運至與第三處理裝置列13相對向的位置。接著，致動器74作動，使X方向搬運部73上升至移送位置。在上升途中，基板S係從Y方向搬運部72移載至X方向搬運部73。之後，基板S係被X方向搬運部73的搬運輥75移送至第三處理裝置列13。
此外，與上述移送裝置PG同樣地，移送裝置PE具備有Y方向搬運部72、X方向搬運部73以及致動器74等。此外，如圖2A及圖2B所示，在移送裝置PE中，從鍍覆裝置PD接取基板S時，將X方向搬運部73定位至移送位 置，並藉由X方向搬運部73將該基板S引入至移送室12A內。接著，致動器74作動，使X方向搬運部73下降至退避位置。在下降途中，基板S係從X方向搬運部73移載至Y方向搬運部72。之後，基板S係被Y方向搬運部72搬運至水洗室12B。
接著，參照圖2C說明第三處理裝置列13的構成。第三處理裝置列13係從基板S的搬運方向(-X)中的上游側(移送裝置PG側)依序設置有水洗室13A、鍍覆室13B、水洗室13C、乾燥室13D以及卸載室13E。於水洗室13A設置有水洗裝置PH，該水洗裝置PH係具有與先前所說明的水洗裝置PC、PF相同的構成。亦即，水洗裝置PH係具備有：輥搬運部51，係由複數個搬運輥所構成；以及洗淨液供給部52，係將水(洗淨液)供給至被輥搬運部51搬運之基板S的表面S1。接著，一邊藉由輥搬運部51以將表面S1朝向上方的水平姿勢將基板S搬運至(-X)方向，一邊藉由泵55將儲留於洗淨液槽54的水經由閥56供給至各個洗淨液噴出噴嘴53，藉此從各個洗淨液噴出噴嘴53朝往鍍覆室13B搬運之基板S的表面S1噴出，並將從第二處理裝置列12送來的基板S予以水洗。
於搬運方向(-X)中位於水洗裝置PH的下游側之鍍覆室13B設置有鍍覆裝置PJ，該鍍覆裝置PJ係用以在鍍覆處理位置進行鍍覆處理。該鍍覆裝置PJ係除了將隔膜(membrane)(電解隔離膜)設置於框體62內之點以及除了第一鍍覆液供給部64A(參照圖3)外還追加了用以供給其他鍍覆液之第二鍍覆液供給部64B(參照圖3)之點之外，基本上具有與鍍覆裝置PD同樣的構成。此外，鍍覆裝置P1的詳 細構成及動作亦容後述。
於相對於鍍覆裝置PJ設置於搬運方向(-X)的下游側之水洗室13C設置有水洗裝置PK，該水洗裝置PK係具有與先前所說明的水洗裝置PC、PF、PH相同的構成。亦即，水洗裝置PK係具備有：輥搬運部51，係由複數個搬運輥所構成；以及洗淨液供給部52，係將水(洗淨液)供給至被輥搬運部51搬運之基板S的表面S1。此外，一邊藉由輥搬運部51以將表面S1朝向上方的水平姿勢將基板S搬運至(-X)方向，一邊藉由泵55將儲留於洗淨液槽54的水經由閥56供給至各個洗淨液噴出噴嘴53，藉此從各個洗淨液噴出噴嘴53朝往乾燥室13D搬運之基板S的表面S1噴出，並將殘留於基板S的鍍覆液予以水洗並去除。
於乾燥室13D設置有用以使已接受一連串的濕式處理(前處理、水洗處理以及鍍覆處理)之基板S乾燥之乾燥裝置PL。該乾燥裝置PL係具備有：輥搬運部81，係由複數個搬運輥所構成；氣刀(air knife)82、83，係分別與被輥搬運部81搬運之基板S的表面S1及背面S2相對向配置；以及氣體供給部84(圖3)，係將高壓氣體供給至氣刀82、83。這些氣刀82、83係藉由輥搬運部81將高壓氣體噴吹至朝卸載室13E搬運之基板S的表面S1及背面S2，並在乾燥室13D中藉由高壓氣體的噴吹去除洗淨液並使基板S乾燥。
於卸載室13E設置有移出裝置PM，該移出裝置PM係用以將施予過鍍覆處理的基板S移出至搬運機器人14b。該移出裝置PM基本上係構成為與接取裝置PA同樣，並執行下述移出動作。亦即，在使支撐銷33退避至退避位置的 狀態下，輥搬運部31係接取從乾燥室13D搬運而至的基板S，並移動至移出位置(已退避的支撐銷33的正上方位置)。接著，致動器34作動而使支撐銷33上升，藉此將基板S從下方撐起並將基板S從輥搬運部31抬起。接著，搬運機器人14b係保持該基板S並返回至匣C。
接著，參照圖2A、圖3、圖5至圖7詳細說明鍍覆裝置PD的構成，再參照圖2C、圖3、圖8及圖9詳細說明鍍覆裝置PJ的構成。圖5係示意性地顯示構成第一處理裝置列之鍍覆裝置的構成之分解組裝立體圖。此外，圖6係示意性地顯示圖5的鍍覆裝置中之支承板相對於搬運輥之升降動作之圖。此外，圖7係示意性地顯示圖5的鍍覆裝置所為之鍍覆動作之圖。
在鍍覆裝置PD中，輥搬運部61係因應來自控制部20的搬運指令而作動，以將基板S的表面S1朝向上方的水平姿勢搬運基板S，並定位至框體62的下方的正下方。如圖5所示，該框體62係被製作成與基板S的被鍍覆區域SP對應的形狀及尺寸。此外，如圖7所示，框體62係以框體62的下表面的高度位置與鍍覆處理位置H1一致之方式固定配置於輥搬運部61的上方，且在基板S的搬運及定位時之上下方向Z中的基板S的表面S1的高度位置H2(圖7)係成為比鍍覆處理位置H1還低。
此外，如圖5所示，框體62係製作成與基板S的被鍍覆區域SP對應的形狀及尺寸。此外，藉由升降部63使基板S朝上方向(+Z)移動，藉此基板S的表面S1中之圍繞被鍍覆區域SP的周邊區域係抵接至框體62的下表面。藉此，形成有略立方體形狀的儲留空間RA(參照圖7(c))，而 可將鍍覆液儲留於該儲留空間RA。
在本實施形態中，為了在將基板S維持於水平姿勢的狀態下使基板S上升並均勻地抵接至框體62，且即使在使鍍覆液儲留於儲留空間RA的狀態下基板S的中央部亦不會翹曲，升降部63係以下述方式構成。亦即，升降部63係具備有：支承板631，係作為可於上下方向升降的升降構件而發揮作用；以及升降機構632(圖3)，係使支承板631於上下方向Z升降。如圖6的(a)欄位所示，支承板631係具有比基板S稍大的平面尺寸。並且，為了避免與輥搬運部61的搬運輥611之間的干擾，且一邊從下方支撐基板S一邊使基板S升降，於板表面633設置有特殊形狀的凹部634。亦即，凹部634係具有使旋轉軸612密合地進入的形狀，該旋轉軸612係用以將搬運輥611及搬運輥611相互地連結並旋轉驅動。
在藉由輥搬運部61搬運基板S時，升降機構632係因應來自控制部20的下降指令使支承板631下降，並以支承板631的表面成為搬運輥611的最上方位置之方式，亦即以支承板631的表面成為比支撐基板S的背面S2並搬運的位置還低的位置(圖7中的高度位置H3)之方式，將支承板631定位至板下降位置。藉此，防止基板S的搬運中支承板631與基板S之間的干擾。另一方面，在進行鍍覆處理時，升降機構632係因應來自控制部20的上升指令使支承板631上升，並以表面633中之除了凹部634以外的表面區域整體支撐基板S的背面S2，且如圖6的(b)欄位所示，藉由進一步的上升使基板S從搬運輥611上升。藉此，抵接至框體62的下表面而可形成儲留空間RA。
於框體62的側壁的一部分設置有複數個貫通孔621，該複數個貫通孔621係在從框體62的下表面朝上方離開的位置於水平方向排列地設置，用以將鍍覆液供給至儲留空間RA。此外，在框體62的側壁中，於複數個貫通孔621與框體62的下表面之間設置有隙縫(slit)622，且於框體62的下方四個角落部分設置有切口623。這些乃是為了使鍍覆液在儲留空間RA內良好地循環而設置；各個貫通孔621係作為用以將鍍覆液從鍍覆液供給部64供給至儲留空間RA之供給部位而發揮作用；另一方面，隙縫622及切口623係作為用以從儲留空間RA排出鍍覆液之排出部而發揮作用。
如圖2A所示，鍍覆液供給部64係具備有用以儲留鍍覆液之第一鍍覆液槽641、泵642以及閥643。此外，因應來自控制部20的鍍覆處理指令，泵642作動且閥643開啟，儲留於第一鍍覆液槽641的鍍覆液係經由泵642及閥643被壓送至各個貫通孔621並被供給至儲留空間RA。此外，鍍覆液係從儲留空間RA經由隙縫622及切口623而排出。藉此，鍍覆液可在儲留空間RA內恆常地交換並儲留於儲留空間RA，而可進行鍍覆處理。此外，被排出的鍍覆液係在鍍覆室11D被補集並返回至第一鍍覆液槽641以供再利用。
為了使用儲留於儲留空間RA的鍍覆液將基板S的被鍍覆區域SP予以電解鍍覆，設置有陽極區塊65、兩個陰極區塊66、陰極區塊升降部67(圖3)以及給電部68(圖3)。如圖7所示，陽極區塊65為藉由連結構件652將具有與被鍍覆區域SP相同程度的平面尺寸之陽極電極651以垂吊狀 態固定於支撐板653之構造體。此外，陽極電極651係以與被鍍覆區域SP平行地相面對並與儲留空間RA內的鍍覆液接液之方式安裝於框體62。
另一方面，如圖7所示，各個陰極區塊66係具有下述構造：除了陰極電極661的下表面之外以絕緣性材料覆蓋陰極電極661整體，避免陰極電極661與來自框體62的鍍覆液接液。此外，各個陰極區塊66係與陰極區塊升降部67(圖3)連接。因此，陰極區塊升降部67係因應來自控制部20的升降指令而作動，藉此各個陰極區塊66係在給電位置(圖7中的(c)欄位及(d)欄位所示的位置)與從給電位置朝上方離開的退避位置(圖7中的(a)欄位及(b)欄位所示的位置)之間升降移動。在此，所謂「給電位置」係指陰極電極661的下表面位於基板S的表面周緣區域(表面S1中之與被鍍覆區域SP鄰接之表面區域)且與從被鍍覆區域SP延伸設置於基板S的表面周緣部之電極(未圖示)電性地接觸之位置。
給電部68係藉由未圖示之配線而與陽極電極651及陰極電極661電性地連接。此外，在陽極電極651與儲留空間RA內的鍍覆液接液且陰極區塊66被定位至給電位置的狀態下，給電部68係因應來自控制部20的給電指令於陽極電極651與陰極電極661之間流通電流，藉此可執行鍍覆處理。
圖8係示意性地顯示用以構成第三處理裝置列之鍍覆裝置的構成之分解組裝立體圖。圖9係示意性地顯示圖8的鍍覆裝置所為之鍍覆動作之圖。
在鍍覆裝置PJ中，在框體62的內部，於比陽極區塊 65還下方的位置設置有隔膜69，藉此如圖9中的(c)欄位及(d)欄位所示，框體62的內部係被區分成上方區域與下方區域。此外，在框體62的側壁中之與上述下方區域對應的部分中，與鍍覆裝置PD同樣地，於框體62的側壁設置有貫通孔621、隙縫622以及切口623。此外，具有與鍍覆裝置PD的鍍覆液供給部64相同構成之第一鍍覆液供給部64A係連接至貫通孔621，並可將從第一鍍覆液供給部64A所供給的第一鍍覆液儲留於被基板S的被鍍覆區域SP與隔膜69夾著的第一儲留空間RA1。
另一方面，在框體62的側壁中之與上述上方區域對應的部分中，於一者的側壁的水平方向排列地設置有複數個貫通孔624，並於與該一者的側壁相對向之另一者的側壁的水平方向排列地設置有複數個貫通孔625。此外，這些貫通孔624、625係連接至第二鍍覆液供給部64B。
如圖2C所示，第二鍍覆液供給部64B係具備有用以儲留第二鍍覆液之第二鍍覆液槽664、泵645以及閥646。此外，因應來自控制部20的鍍覆處理指令，泵645作動且閥646開啟，儲留於第二鍍覆液槽644的第二鍍覆液係經由泵645及閥646被壓送至各個貫通孔624，並被供給至被陽極區塊65與隔膜69夾著的第二儲留空間RA2。此外，各個貫通孔625係連接至第二鍍覆液槽644，從各個貫通孔625排出的第二鍍覆液係返回至第二鍍覆液槽644以供再利用。如此，第二鍍覆液不會於鍍覆處理排出至鍍覆室13B，且不會產生第一鍍覆液與第二鍍覆液的混合，而可執行鍍覆處理。此外，針對其他構成，由於與鍍覆裝置PD相同，因此對相同構成賦予相同符號並省略說明。
在上述構成的基板處理系統1中，如圖3所示，控制部20係具備有CPU(Central Processing Unit；中央處理器(亦即中央資訊處理裝置))21以及記憶體22等。此外，CPU21係執行預先準備的控制程式，並控制系統各部一邊控制在各個接取裝置PA、前處理裝置PB、水洗裝置PC、鍍覆裝置PD、移送裝置PE、水洗裝置PF、移送裝置PG、水洗裝置PH、鍍覆裝置PJ、水洗裝置PK、乾燥裝置PL、移出裝置PM中之基板S的搬運、停止搬運以及搬運速度，一邊執行包含鍍覆處理之一連串的處理。在以下中，著眼於一片基板S，說明在基板處理系統1所進行的處理。
成為鍍覆處理對象之基板S係被搬運機器人14b從基板收納匣C取出並搬運至第一處理裝置列11的接取裝置PA(裝載處理)。此外，基板S係被接取裝置PA搬運至前處理裝置PB，並藉由藥液從基板S去除有機物成分和氧化物成分(前處理)。接著，基板S係從前處理裝置PB被搬運至水洗裝置PC，在水洗裝置PC進行水洗處理後，被搬運至鍍覆裝置PD。
如下述詳細說明般，在鍍覆裝置PD中，在基板S於鍍覆處理位置靜止的狀態下進行鍍覆處理，在此期間，不進行輥搬運部61所為之基板S的搬運。亦即，在鍍覆裝置PD中可接收基板S之時序，水洗裝置PC係需要搬運基板S。而且，根據鍍覆處理的時間(製程時間)，上述時序會不同。因此，在本實施形態中，在上述基板S的搬運前，控制部20的CPU21係依據在鍍覆裝置PD中對基板S所執行的鍍覆處理的時間，決定用以從水洗裝置PC搬運基板S之時序，並因應該時序控制水洗裝置PC的輥搬運部51。 更具體而言，在水洗裝置PC內，切換基板S的搬運及停止搬運並使基板S往復移動，藉此控制上述時序。此外，在已變更時序之情形中，雖然基板S滯留於水洗裝置PC的時間會變化，然而在本實施形態中，會因應時間的變化控制每個單位時間從洗淨液噴出噴嘴53噴出的洗淨液的量。因此，適切地進行水洗處理後，基板S被搬運至鍍覆裝置PD。
如此，在本實施形態中，鍍覆裝置PD及設置於鍍覆裝置PD的輥搬運部61係分別相當於本發明的「鍍覆裝置」及「第一搬運部」的一例，藉由該鍍覆裝置PD進行鍍覆處理之基板S係相當於本發明的「第一基板」。另一方面，位於基板S的搬運方向(+X)中的鍍覆裝置PD的上游側亦即前段之水洗裝置PC以及設置於水洗裝置PC的輥搬運部51係分別相當於本發明的「前段裝置」及「第二搬運部」的一例，從該水洗裝置PC被搬運至鍍覆裝置PD之基板S係相當於本發明的「第二基板」，洗淨液及洗淨液供給部52係分別相當於本發明的「處理液」及「處理液供給部」的一例。
當在上述時序中基板S從水洗裝置PC被搬運至鍍覆室11D時，如圖7所示，在鍍覆裝置PD中，裝置各部係作動並執行鍍覆處理。首先，輥搬運部61係作動，將從水洗裝置PC搬運而至的基板S搬運至搬運方向(+X)(圖7中的(a)欄位)。此時，不進行鍍覆液的供給及給電，且支承板631係被定位至板下降位置(高度位置H3)而避免與基板S之間的干擾。此外，當基板S移動至鍍覆處理位置的鉛直下方時，輥搬運部61停止搬運基板S，該基板S被定位。 接著，支承板631係藉由升降機構632而上升(圖7中的(b)欄位)。藉此，在基板S的背面S2被支承板631的表面633整體支撐的狀態下，基板S從搬運輥611被抬起並抵接至框體62的下表面而形成儲留空間RA(圖7中的(c)欄位)。此外，各個陰極區塊66係藉由陰極區塊升降部67下降至給電位置，完成經由陰極電極661朝向被鍍覆區域SP的給電準備。
接著，泵642作動且閥643開啟，第一鍍覆液槽641內的鍍覆液係從各個貫通孔621係被供給儲留空間RA。在該儲留空間RA中，雖然鍍覆液係經由隙縫622及切口623排出，但是鍍覆液的供給係在鍍覆處理中持續進行，且在鍍覆處理中鍍覆液填滿陽極電極651與被鍍覆區域SP之間，且該鍍覆液會流動。此外，由於藉由支承板631從下方支撐基板S的背面S2整體，因此上下方向Z中的陽極電極651與被鍍覆區域SP之間的間隔係在被鍍覆區域SP的面內中變成大致均勻。在維持此種適合鍍覆處理的狀態下，給電部68係於陽極電極651與陰極電極661之間流動電流，藉此執行鍍覆處理(圖7中的(d)欄位)。結果，於被鍍覆區域SP形成期望的鍍覆層。
此外，當結束鍍覆處理時，給電部68停止給電且鍍覆液供給部64停止供給鍍覆液後，支承板631係下降至板下降位置(高度位置H3)。在此下降移動中，已接受鍍覆處理的基板S係被移載至輥搬運部61的搬運輥611。接著，基板S係藉由輥搬運部61搬運至第二處理裝置列12的移送室12A。
在該移送室12A中，藉由移送裝置PE將基板S的搬 運方向從(+X)方向轉換至(+Y)方向並搬運至水洗室12B。接著，在水洗室12B中，藉由水洗裝置PF將殘留於基板S的鍍覆液予以水洗並去除後，搬運至移送室12C。在該移送室12C中，藉由移送裝置PG將基板S的搬運方向進一步地從(+Y)方向轉換至(-X)方向並搬運至第三處理裝置列13。
在第三處理裝置列13中，在水洗裝置PH進行過水洗處理後，搬運至鍍覆裝置PJ。在此，在鍍覆裝置PJ中，與鍍覆裝置PD同樣地，在將基板S於鍍覆處理位置靜止的狀態下進行鍍覆處理。因此，需要適切地設定用以將基板S從水洗裝置PH搬運至鍍覆裝置PJ之時序。因此，在本實施形態中，控制部20的CPU21進行運轉，並據此控制水洗裝置PH的輥搬運部51。如此，在本實施形態中，在第三處理裝置列13側亦與第一處理裝置列11側同樣地，鍍覆裝置PJ及設置於鍍覆裝置PJ的輥搬運部61係分別相當於本發明的「鍍覆裝置」及「第一搬運部」的一例，藉由該鍍覆裝置PJ進行鍍覆處理之基板S係相當於本發明的「第一基板」。另一方面，在基板S的搬運方向(+X)中，位於鍍覆裝置PJ的上游側亦即位於前段之水洗裝置PH以及設置於水洗裝置PH之輥搬運部51係分別相當於本發明的「前段裝置」及「第二搬運部」的一例，從該水洗裝置PH搬運至鍍覆裝置PJ之基板S相當於本發明的「第二基板」。
當在上述時序中基板S從水洗裝置PH搬運至鍍覆室13B時，如圖9所示，在鍍覆裝置PJ中，裝置各部係動作並執行鍍覆處理。具體而言，除了使用第一鍍覆液及第二 鍍覆液之點以外，基本上與第一處理裝置列11側的鍍覆裝置PD同樣地執行鍍覆處理。亦即，在支承板631已定位至板下降位置(高度位置H3)的狀態下，藉由輥搬運部61將基板S搬運至搬運方向(-X)(圖9中的(a)欄位)。接著，當基板S移動至鍍覆處理位置的鉛直下方時，輥搬運部61停止搬運基板S後，藉由升降機構632將支承板631上升(圖9中的(b)欄位)。藉此，在基板S的背面S2被支承板631的表面633整體支撐的狀態下，基板S係從搬運輥611被抬起並抵接至框體62的下表面而形成儲留空間RA1(圖9中的(c)欄位)。此外，各個陰極區塊66係藉由陰極區塊升降部67下降至給電位置，完成經由陰極電極661朝向被鍍覆區域SP的給電準備。
接著，在第一鍍覆液供給部64A中，泵642作動且閥643開啟，第一鍍覆液槽641內的鍍覆液係從各個貫通孔621供給至儲留空間RA1，且與第一處理裝置列11側的鍍覆裝置PD同樣地，隔膜69與被鍍覆區域SP之間被流動的鍍覆液填滿。此外，在第二鍍覆液供給部64B中亦同樣地，泵642作動且閥643開啟，第二鍍覆液槽644內的鍍覆液係從各個貫通孔624供給至儲留空間RA2，且從儲留空間RA2經由各個貫通孔625排出的第二鍍覆液係返回至第二鍍覆液槽644。因此，第二鍍覆液係一邊於陽極區塊65與隔膜69之間流動一邊填滿第二儲留空間RA2。在該鍍覆裝置PJ中，雖然於陽極電極651與被鍍覆區域SP之間配置有隔膜69，但是上下方向Z中的陽極電極651與被鍍覆區域SP之間的間隔係在被鍍覆區域SP的面內中變得大致均勻。此外，在維持此種適合鍍覆處理的狀態下，給 電部68係於陽極電極651與陰極電極661之間流動電流，藉此執行鍍覆處理(圖9中的(d)欄位)。結果，於被鍍覆區域SP形成期望的鍍覆層。
此外，當結束鍍覆處理時，給電部68停止給電且鍍覆液供給部64停止供給鍍覆液後，支承板631係下降至板下降位置(高度位置H3)。在此下降移動中，已接受鍍覆處理的基板S係被移載至輥搬運部61的搬運輥611。接著，基板S係藉由輥搬運部61搬運至水洗室13C。
在水洗室13C中，藉由水洗裝置PK將殘留於基板S的鍍覆液予以水洗並去除後，搬運至乾燥室13D並藉由乾燥裝置PL進行乾燥處理將基板S乾燥，並搬運至卸載室13E。接著，在卸載室13E中，藉由移出裝置PM將已接受包含鍍覆處理之一連串的處理之基板S移載至搬運機器人14b，並藉由該搬運機器人14b返回至匣C。
在上述般所構成的實施形態中，能獲得下述作用功效。
(1)當結束鍍覆裝置PD(PJ)對於基板S的鍍覆處理時，該基板S係搬出至下一個處理裝置PE(PK)；另一方面，已接受水洗處理的基板S係被搬運至鍍覆裝置PD(PJ)並接受鍍覆處理。如此，鍍覆處理係連續性地進行，而能謀求提升產能。此外，即使鍍覆處理的時間變更，由於亦因應鍍覆處理的時間變更以其前段的水洗裝置PC(PH)控制用以將基板S搬運至鍍覆裝置PD(PJ)之時序，因此能適切且無間斷地將基板S搬運至鍍覆裝置PD(PJ)並執行鍍覆處理。如此，能彈性地對應鍍覆處理的時間而能獲得高的泛用性。
(2)在水洗裝置PC、PH內，由於切換基板S的搬運及停止搬運並使基板S往復移動藉此控制上述時序，因此能 高精度地控制上述時序，並能將基板S適切地搬運至鍍覆裝置PD、PJ。
(3)雖然水洗裝置PC、PH係一邊藉由輥搬運部51搬運基板S一邊從洗淨液噴出噴嘴53噴出洗淨液並執行水洗處理，但是可控制每單位時間從洗淨液噴出噴嘴53噴出的洗淨液的量。因此，能適切地進行水洗處理。尤其是在已變更用以將基板S搬運至鍍覆裝置PD、PJ之時序的情形中，雖然基板S滯留於水洗裝置PC、PH之時間會變化，但能將與此因應的洗淨液的量供給至基板S而謀求水洗處理的適度化。
(4)用以構成輥搬運部61之複數個搬運輥611係一邊支撐基板S的背面S2亦即基板S中之與被鍍覆區域SP相反側的主面，一邊將基板S搬運至框體62的下方位置(鍍覆處理的鉛直下方位置)。因此，不論基板S的尺寸為何，皆能將基板S穩定地搬運至用以進行鍍覆處理的位置。此外，藉由升降機構632，支承板631係在從下方支撐基板S的背面S2的狀態下上升並將基板S從搬運輥611抬起，並抵接至框體62的下表面而形成儲留空間RA。接著，由於藉由儲留於該儲留空間RA的鍍覆液執行鍍覆處理，因此鍍覆液的重量係施加至基板S的被鍍覆區域SP。然而，由於基板S係被升降部63的支承板631從下方支撐，因此可在鍍覆裝置PD中抑制基板S的翹曲，而能良好地進行對於被鍍覆區域SP的鍍覆處理。此作用功效在鍍覆裝置PJ中亦同樣。
(5)從儲留空間RA經由隙縫622及切口623排出鍍覆液，並從鍍覆液供給部64經由貫通孔621將鍍覆液供給至 儲留空間RA、RA1。因此，能有效率地將新鮮的鍍覆液供給至儲留空間RA內，並能在鍍覆裝置PD中以高品質穩定良好地進行鍍覆處理。該作用功效在鍍覆裝置PJ中亦相同。
此外，本發明並未限定於上述實施形態，只要未逸離本發明的精神範圍，除了上述實施形態之外亦可進行各種變更。例如，在上述第一實施形態中，為了控制上述時序，雖然以不變更輥搬運部51對於基板S的搬運速度之方式進行搬運及停止搬運或者往復移動，但是亦可以變更搬運速度之方式進行控制。此外，亦可因應搬運速度的變更控制每單位時間從洗淨液噴出噴嘴53噴出的洗淨液的量。
此外，在上述第一實施形態中，雖然因應在鍍覆裝置PD(PJ)的鍍覆處理的時間控制來自位於鍍覆裝置PD(PJ)的前段之水洗裝置PC(PH)的基板S的搬運時序，但搬運時序控制並未限定於此。例如亦可控制用以從水洗裝置PC(PH)的前段(從鍍覆裝置PD(PJ)觀看時為前前段)的前處理裝置PB(移送裝置PG)搬運基板S之時序來取代上述時序控制或者與上述時序控制一起進行控制。如此，使搬運時序控制分散至複數個處理裝置，藉此能在各個處理裝置中進行穩定的基板處理。在此情形中，前處理裝置PB以及設置於前處理裝置PB之輥搬運部41係分別相當於本發明的「前前段裝置」及「第三搬運部」的一例。此外，移送裝置PG係相當於本發明的「前前段裝置」的一例，設置於移送裝置PG之Y方向搬運部72或X方向搬運部73係相當於本發明的「第三搬運部」的一例。
此外，在上述第一實施形態中，雖然於框體62的側壁 設置鍍覆液供給用的貫通孔621，但鍍覆液的供給路徑並未限定於此，可任意設置。此外，針對從儲留空間RA之排出，雖然亦於框體62的側壁設置貫通孔621或切口623，但鍍覆液的排出路徑亦未限定於此，可任意設置。例如如圖10所示，亦可在基板S的表面S1從框體62的下表面離開至下方並定位的狀態下，經由陽極區塊65將鍍覆液供給至儲留空間RA(第二實施形態)。在該第二實施形態中，鍍覆液係從儲留空間RA的上方被供給至儲留空間RA，且儲留空間RA內的鍍覆液係從形成於框體62的下表面與被鍍覆區域SP之間的間隙排出。在第二實施形態中，由於鍍覆液係在水平面內從基板S等向性地排出，因此不易在儲留空間RA內局部地滯留鍍覆液，而能更良好地進行鍍覆處理。此外，鍍覆處理後的排出速度亦快，能縮短在鍍覆裝置PD的處理時間。
此外，在上述實施形態中，雖然各個鍍覆裝置PD、PJ係使以水平姿勢搬運而至的基板S直接上升並在被鍍覆區域SP與框體62之間形成儲留空間RA、RA1，但是如圖11所示般，亦可構成為將基板S變換成傾斜姿勢並進行鍍覆處理(第三實施形態)。在該第三實施形態中，如圖11所示，支承板631的表面631a係相對於水平面傾斜數度地設置。此外，與此對應地，框體62、陽極區塊65及各個陰極區塊66亦以相同的角度傾斜地設置。此外，由於其他構成基本上與上述第一實施形態相同，因此針對相同的構成附上相同的元件符號並省略說明。
在該第三實施形態中，如圖11中的(a)欄位所示，當基板S被輥搬運部61以水平姿勢搬運而至時，如下述般執 行鍍覆處理。在基板S移動至框體62的鉛直下方的時間點，輥搬運部61停止搬運基板S而定位。接著，藉由升降機構632使支承板631上升(圖11中的(b)欄位)。藉此，以支承板631的表面633整體支撐基板S的背面S2，一邊使基板S相對於水平面傾斜數度一邊將基板S從搬運輥611抬起，並抵接至同樣處於傾斜數度的狀態的框體62的下表面而形成儲留空間RA(圖11中的(c)欄位)。接著，與上述第一實施形態同樣地，使各個陰極區塊66下降至給電位置後，將第一鍍覆液槽641內的鍍覆液連續地供給至儲留空間RA。在此，在第三實施形態中，由於使基板S傾斜，因此如圖11中的(d)欄位所示，供給至儲留空間RA的鍍覆液係沿著被鍍覆區域SP流動至傾斜方向(圖11的右下方向)，並從儲留空間RA排出。因此，由於在儲留空間RA內不會產生鍍覆液的滯留，且鍍覆液被連續地供給至被鍍覆區域SP而促進在被鍍覆區域SP中的鍍覆反應，因此能更良好地進行鍍覆處理。
當結束鍍覆處理時，雖然給電部68停止給電且鍍覆液供給部64停止供給鍍覆液，但是於停止供給後能在短時間內將鍍覆液從儲留空間RA排出。因此，縮短在鍍覆裝置PD的工作時間(tact time)。此外，在此，雖然對於鍍覆裝置PD採用傾斜構造，但是亦可對於鍍覆裝置PJ採用上述傾斜構造，且能獲得同樣的作用功效。
此外，為了謀求鍍覆處理的提升，如上所述期望促進在被鍍覆區域SP的鍍覆反應，例如如圖12所示，亦可於儲留空間RA配置攪拌器91，並藉由攪拌器驅動部92使攪拌器91作動，並攪拌在被鍍覆區域SP附近的鍍覆液(第四 實施形態)。不用說，亦可將此種攪拌器91應用於鍍覆裝置PJ。
此外，在上述實施形態中，雖然一邊以支承板631從下方支撐基板S一邊朝框體62移動並形成儲留空間RA、RA1，但亦可構成為使框體62下降並形成儲留空間RA、RA1。在此情形中，雖然亦可僅以搬運輥611支撐基板S的背面S2，但是較佳為使支承板631的表面633上升至抵接至基板S的背面S2的位置，並以支承板631與搬運輥611支撐基板S。此外，亦可為使框體62及支承板631雙方移動並形成儲留空間RA、RA1。重點在於，只要以使基板S對於框體62相對性地上升並以框體62與被鍍覆區域SP形成用以儲留鍍覆液之儲留空間RA、RA1之方式構成即可；此外，只要以由支承板631及搬運輥611的至少一者進行從基板S的下方支撐基板S之方式構成即可。
此外，在圖1所示的基板處理系統1中，雖然將索引裝置14、接取裝置PA、前處理裝置PB、水洗裝置PC、鍍覆裝置PD、移送裝置PE、水洗裝置PF、移送裝置PG、水洗裝置PH、鍍覆裝置PJ、水洗裝置PK、乾燥裝置PL、移出裝置PM連結成俯視觀看為口形狀，但是處理裝置的排列構造及處理裝置的數量等可為任意。例如如圖13所示，亦可將用以進行裝載處理之搬運機器人P1、用以從搬運機器人接取基板之接取裝置P2、用以進行前處理之前處理裝置P3、用以進行水洗處理之水洗裝置P4、用以進行鍍覆處理之鍍覆裝置P5、用以進行水洗處理之水洗裝置P6、用以進行鍍覆處理之鍍覆裝置P7、用以進行水洗處理之水洗裝置P8、用以進行乾燥處理之乾燥裝置P9、用以進行基板的 移出之移出裝置P10以及用以進行已被移出的基板的卸載處理之搬運機器人P11配置成直線狀。此外，如圖14所示，亦可以下述方式構成：將已將搬運機器人P1、接取裝置P2、前處理裝置P3、水洗裝置P4、鍍覆裝置P5、水洗裝置P6排列之處理裝置列15與已將鍍覆裝置P7、水洗裝置P8、乾燥裝置P9、移出裝置P10、搬運機器人P11排列之處理裝置列16予以積層配置，並設置有用以將基板從水洗裝置P6搬運至鍍覆裝置P7之輸送帶裝置P12。藉由採用此種積層構造，能降低基板處理系統1的底面積(footprint)。
此外，在上述實施形態中，雖然因應在鍍覆裝置PD、PJ的鍍覆處理的時間控制基板S朝向鍍覆裝置PD、PJ的搬運時序，但亦可以下述方式控制搬運時序。亦可在無法將輥搬運部51對於基板S的搬運速度保持一定並執行洗淨處理且在洗淨處理結束的時間點將基板S搬運至鍍覆裝置PD、PJ之情形中，在水洗裝置待機並調整搬運時序。此外，亦可無須因應鍍覆處理的時間變更在水洗裝置中的基板S的搬運速度並使基板S停止，而是直接搬運至鍍覆裝置PD、PJ，並因應其速度變更來變更每單位時間的洗淨液的供給量。例如，在鍍覆處理耗費較長時間之情形中，亦可在水洗裝置中一邊緩慢地搬運基板S一邊減少每單位時間的洗淨液的供給量。
本發明能應用於所有用以對基板的表面施予鍍覆處理之基板處理系統及基板處理方法。

Claims (11)

  1. 一種基板處理系統，係具備有：鍍覆裝置，係具有用以搬運第一基板之第一搬運部，並在靜止的狀態下對前述第一基板的表面施予鍍覆處理後，藉由前述第一搬運部搬出前述第一基板；以及前段裝置，係具有用以搬運第二基板之第二搬運部，並與前述第一搬運部所為之前述第一基板的搬出對應地藉由前述第二搬運部將前述第二基板搬運至前述鍍覆裝置；前述第二搬運部係可在朝向前述鍍覆裝置之搬運方向中往復移動前述第二基板；因應前述鍍覆處理的時間在前述前段裝置內使前述第二基板往復移動，控制前述第二搬運部將前述第二基板搬運至前述鍍覆裝置之時序。
  2. 如請求項1所記載之基板處理系統，其中前述前段裝置係具備有：噴嘴，係對被前述第二搬運部搬運的前述第二基板噴出處理液；以及處理液供給部，係對前述噴嘴供給前述處理液；前述基板處理系統係可控制每單位時間從前述噴嘴噴出之前述處理液的量。
  3. 一種基板處理系統，係具備有：鍍覆裝置，係具有用以搬運第一基板之第一搬運部，並在靜止的狀態下對前述第一基板的表面施予鍍覆處理後，藉由前述第一搬運部搬出前述第一基板；以及前段裝置，係具有用以搬運第二基板之第二搬運部，並與前述第一搬運部所為之前述第一基板的搬出對應地藉由前述第二搬運部將前述第二基板搬運至前述鍍覆裝置；因應前述鍍覆處理的時間切換在前述前段裝置內之前述第二基板的搬運及停止搬運，控制前述第二搬運部將前述第二基板搬運至前述鍍覆裝置之時序；前述前段裝置係具備有：噴嘴，係對被前述第二搬運部搬運的前述第二基板噴出處理液；以及處理液供給部，係對前述噴嘴供給前述處理液；前述基板處理系統係可控制每單位時間從前述噴嘴噴出之前述處理液的量。
  4. 一種基板處理系統，係具備有：鍍覆裝置，係具有用以搬運第一基板之第一搬運部，並在靜止的狀態下對前述第一基板的表面施予鍍覆處理後，藉由前述第一搬運部搬出前述第一基板；前段裝置，係具有用以搬運第二基板之第二搬運部，並與前述第一搬運部所為之前述第一基板的搬出對應地藉由前述第二搬運部將前述第二基板搬運至前述鍍覆裝置；以及前前段裝置，係具備有用以將前述第二基板搬運至前述前段裝置之第三搬運部；前述基板處理系統係因應前述鍍覆處理的時間控制前述第二搬運部將前述第二基板搬運至前述鍍覆裝置之時序；前述基板處理系統係因應前述鍍覆處理的時間控制前述第三搬運部將前述第二基板搬運至前述前段裝置之時序。
  5. 一種基板處理系統，係具備有：鍍覆裝置，係具有用以搬運第一基板之第一搬運部，並在靜止的狀態下對前述第一基板的表面施予鍍覆處理後，藉由前述第一搬運部搬出前述第一基板；以及前段裝置，係具有用以搬運第二基板之第二搬運部，並與前述第一搬運部所為之前述第一基板的搬出對應地藉由前述第二搬運部將前述第二基板搬運至前述鍍覆裝置；前述基板處理系統係因應前述鍍覆處理的時間控制前述第二搬運部將前述第二基板搬運至前述鍍覆裝置之時序；前述鍍覆裝置係具備有：框體，係具有將前述第一基板的一主面中之被鍍覆區域圍繞之形狀；升降部，係使前述基板相對於前述框體相對性地上升，並藉由前述框體與前述被鍍覆區域形成用以儲留鍍覆液之儲留空間；供給部，係對前述儲留空間供給鍍覆液；陰極電極，係電性連接至前述被鍍覆區域；以及陽極電極，係與儲留於前述儲留空間的鍍覆液接液；前述第一搬運部係在將前述被鍍覆區域朝向上方的狀態下一邊支撐前述基板的另一主面一邊將前述基板搬運至前述框體的下方位置；一邊以前述升降部及前述第一搬運部中的至少一者從下方支撐前述基板的另一主面，一邊於前述陰極電極與前述陽極電極之間流通電流並進行前述鍍覆處理。
  6. 如請求項4或5所記載之基板處理系統，其中切換在前述前段裝置內之前述第二基板的搬運及停止搬運，並控制前述時序。
  7. 如請求項4或5所記載之基板處理系統，其中前述第二搬運部係可在朝向前述鍍覆裝置之搬運方向中往復移動前述第二基板；在前述前段裝置內使前述第二基板往復移動並控制前述時序。
  8. 一種基板處理方法，係具備有：在藉由具有用以搬運第一基板之第一搬運部的鍍覆裝置在靜止的狀態下對前述第一基板的表面施予鍍覆處理後將前述第一基板從前述鍍覆裝置搬出之步驟；以及藉由具有可在朝向前述鍍覆裝置之搬運方向中往復移動第二基板之第二搬運部的前段裝置將前述第二基板搬運至前述鍍覆裝置之步驟；因應前述鍍覆處理的時間而在前述前段裝置內藉由前述第二搬運部使前述第二基板往復移動並且控制將前述第二基板搬運至前述鍍覆裝置之時序。
  9. 一種基板處理方法，係具備有：在藉由具有用以搬運第一基板之第一搬運部的鍍覆裝置在靜止的狀態下對前述第一基板的表面施予鍍覆處理後將前述第一基板從前述鍍覆裝置搬出之步驟；以及藉由具有可在朝向前述鍍覆裝置之搬運方向中往復移動第二基板之第二搬運部以及用以噴出處理液之噴嘴的前段裝置將前述第二基板搬運至前述鍍覆裝置之步驟；因應前述鍍覆處理的時間而切換在前述前段裝置內之由前述第二搬運部所為之前述第二基板的搬運及停止搬運並且控制將前述第二基板搬運至前述鍍覆裝置之時序，且控制每單位時間從前述前段裝置之前述噴嘴噴出之前述處理液的量。
  10. 一種基板處理方法，係具備有：在藉由具有用以搬運第一基板之第一搬運部的鍍覆裝置在靜止的狀態下對前述第一基板的表面施予鍍覆處理後將前述第一基板從前述鍍覆裝置搬出之步驟；藉由具有可在朝向前述鍍覆裝置之搬運方向中往復移動第二基板之第二搬運部的前段裝置將前述第二基板搬運至前述鍍覆裝置之步驟；以及藉由具有第三搬運部的前前段裝置將前述第二基板搬運至前述前段裝置之步驟；因應前述鍍覆處理的時間控制藉由前述第二搬運部將前述第二基板搬運至前述鍍覆裝置之時序以及藉由前述第三搬運部將前述第二基板搬運至前述前段裝置之時序。
  11. 一種基板處理方法，係具備有：藉由具有用以搬運第一基板之第一搬運部、具有將前述第一基板的一主面中之被鍍覆區域圍繞之形狀的框體、使前述第一基板相對於前述框體相對性地上升並藉由前述框體與前述被鍍覆區域形成用以儲留鍍覆液之儲留空間的升降部、對前述儲留空間供給鍍覆液的供給部、電性連接至前述被鍍覆區域的陰極電極以及與儲留於前述儲留空間的鍍覆液接液的陽極電極的鍍覆裝置的前述第一搬運部，在將前述被鍍覆區域朝向上方的狀態下，一邊支撐前述第一基板的另一主面一邊將前述第一基板搬運至前述框體的下方位置，且一邊以前述升降部及前述第一搬運部中的至少一者從下方支撐前述第一基板的另一主面一邊於前述陰極電極與前述陽極電極之間流通電流並進行鍍覆處理後，將前述第一基板從前述鍍覆裝置搬出之步驟；以及藉由具有可在朝向前述鍍覆裝置之搬運方向中往復移動第二基板之第二搬運部的前段裝置將前述第二基板搬運至前述鍍覆裝置之步驟；因應前述鍍覆處理的時間控制將前述第二基板搬運至前述鍍覆裝置之時序。
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