JP3441321B2 - 基板処理方法及び装置 - Google Patents
基板処理方法及び装置Info
- Publication number
- JP3441321B2 JP3441321B2 JP32528896A JP32528896A JP3441321B2 JP 3441321 B2 JP3441321 B2 JP 3441321B2 JP 32528896 A JP32528896 A JP 32528896A JP 32528896 A JP32528896 A JP 32528896A JP 3441321 B2 JP3441321 B2 JP 3441321B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processing
- main surface
- substrates
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Weting (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示器用ガラ
ス角型基板、半導体ウエハ、光ディスク、プリント基板
等の各種基板に所定の処理液を供給した後、洗浄処理す
る基板処理方法及び装置に関する。
ス角型基板、半導体ウエハ、光ディスク、プリント基板
等の各種基板に所定の処理液を供給した後、洗浄処理す
る基板処理方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】基板洗浄のような基板処理方法として、
例えば、所定の方向に並列された複数の搬送ローラによ
って基板をほぼ水平に支持しつつ基板を所定の方向に搬
送させるとともに、基板の両主面に、低圧又は高圧の純
水や、超音波が付与された純水などの洗浄液を吹き付け
て基板を洗浄する洗浄工程と、洗浄工程後の基板をエア
ーナイフ方式やスピンドライ方式によって乾燥させる乾
燥工程とを有するものが知られている。
例えば、所定の方向に並列された複数の搬送ローラによ
って基板をほぼ水平に支持しつつ基板を所定の方向に搬
送させるとともに、基板の両主面に、低圧又は高圧の純
水や、超音波が付与された純水などの洗浄液を吹き付け
て基板を洗浄する洗浄工程と、洗浄工程後の基板をエア
ーナイフ方式やスピンドライ方式によって乾燥させる乾
燥工程とを有するものが知られている。
【０００３】また、上述の洗浄工程に先立ち、基板と洗
浄液との接触角を低減させるとともに、基板の主面に付
着した有機物や油分を除去する目的で、オゾンを含む純
水であるオゾン水や少量の電解質を含んだ純水を電気分
解して得られる電解イオン水など、活性化した水である
機能水を基板の主面に供給する機能水処理工程が設けら
れる場合がある。
浄液との接触角を低減させるとともに、基板の主面に付
着した有機物や油分を除去する目的で、オゾンを含む純
水であるオゾン水や少量の電解質を含んだ純水を電気分
解して得られる電解イオン水など、活性化した水である
機能水を基板の主面に供給する機能水処理工程が設けら
れる場合がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
機能水処理工程において、接触角の低減、有機物及び油
分の除去の目的を充分に達成するためには、後の洗浄工
程や乾燥工程において１枚の基板を処理する時間（処理
タクト）よりも長い時間機能水処理工程に滞留させる必
要があるので、以下のような問題が発生する。
機能水処理工程において、接触角の低減、有機物及び油
分の除去の目的を充分に達成するためには、後の洗浄工
程や乾燥工程において１枚の基板を処理する時間（処理
タクト）よりも長い時間機能水処理工程に滞留させる必
要があるので、以下のような問題が発生する。
【０００５】例えば、基板処理装置を、機能水処理室、
洗浄処理室及び乾燥処理室の順に直列配置した構造と
し、各処理室の内部を、上述のように複数の搬送ローラ
によって基板を一定の速度で搬送するローラ搬送方式と
すると、機能水処理に要する時間は、洗浄処理や乾燥処
理に要する時間よりも大きいので、機能水処理室の基板
の搬送方向にそった長さ寸法が長くなり、その結果、基
板処理装置の装置長が増大するという問題が発生する。
洗浄処理室及び乾燥処理室の順に直列配置した構造と
し、各処理室の内部を、上述のように複数の搬送ローラ
によって基板を一定の速度で搬送するローラ搬送方式と
すると、機能水処理に要する時間は、洗浄処理や乾燥処
理に要する時間よりも大きいので、機能水処理室の基板
の搬送方向にそった長さ寸法が長くなり、その結果、基
板処理装置の装置長が増大するという問題が発生する。
【０００６】一方、基板処理装置を、機能水処理室、洗
浄処理室及び乾燥処理室をユニットとして適宜配置した
構造とし、上述の各処理室に対して基板をそれぞれ搬出
入する搬送ロボットを設けたロボット搬送方式とする
と、基板洗浄装置の全体の処理タクトが機能水処理の処
理タクトに支配され、その結果、装置全体としての処理
タクトが増大して基板の処理速度が低下するという問題
が発生する。
浄処理室及び乾燥処理室をユニットとして適宜配置した
構造とし、上述の各処理室に対して基板をそれぞれ搬出
入する搬送ロボットを設けたロボット搬送方式とする
と、基板洗浄装置の全体の処理タクトが機能水処理の処
理タクトに支配され、その結果、装置全体としての処理
タクトが増大して基板の処理速度が低下するという問題
が発生する。
【０００７】本発明の目的は、上述のような点に鑑み、
機能水処理室のような所定の処理液を供給する処理液供
給部の占有面積を低減させ、機能水処理のような長時間
を要する処理液供給工程における基板の処理タクトを向
上させた基板処理方法および装置を提供することにあ
る。
機能水処理室のような所定の処理液を供給する処理液供
給部の占有面積を低減させ、機能水処理のような長時間
を要する処理液供給工程における基板の処理タクトを向
上させた基板処理方法および装置を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の基板処理方法は、複数の基板を収納可能
なカセットから一枚ずつ取り出された基板の主面に所定
の処理液を供給する処理液供給工程と、処理液供給工程
後の基板の主面に洗浄液を供給する洗浄液供給工程とを
含む基板処理方法において、処理液供給工程が、カセッ
トから取り出された基板を複数積層した状態で所定時間
だけ蓄積させるとともに、この積層された状態の複数の
基板の主面にそれぞれ同時に処理液を接触させる蓄積処
理工程を含み、蓄積処理工程が、バッファ部で複数の基
板を複数積層した状態でそれぞれほぼ水平に支持しつつ
鉛直方向に沿って移動させるとともに、処理槽に貯留さ
れた処理液に複数の基板を順次浸漬させる浸漬工程と、
浸漬工程に先立ちバッファ部に基板を一枚ずつ搬入する
搬入工程と、浸漬工程後の基板を一枚ずつバッファ部か
ら搬出する搬出工程とを含むことを特徴とする。
め、請求項１の基板処理方法は、複数の基板を収納可能
なカセットから一枚ずつ取り出された基板の主面に所定
の処理液を供給する処理液供給工程と、処理液供給工程
後の基板の主面に洗浄液を供給する洗浄液供給工程とを
含む基板処理方法において、処理液供給工程が、カセッ
トから取り出された基板を複数積層した状態で所定時間
だけ蓄積させるとともに、この積層された状態の複数の
基板の主面にそれぞれ同時に処理液を接触させる蓄積処
理工程を含み、蓄積処理工程が、バッファ部で複数の基
板を複数積層した状態でそれぞれほぼ水平に支持しつつ
鉛直方向に沿って移動させるとともに、処理槽に貯留さ
れた処理液に複数の基板を順次浸漬させる浸漬工程と、
浸漬工程に先立ちバッファ部に基板を一枚ずつ搬入する
搬入工程と、浸漬工程後の基板を一枚ずつバッファ部か
ら搬出する搬出工程とを含むことを特徴とする。
【０００９】
【００１０】また、請求項２の基板処理方法は、洗浄液
供給工程後の基板の主面に付着した洗浄液を除去して乾
燥させる乾燥工程をさらに備えたことを特徴とする。
供給工程後の基板の主面に付着した洗浄液を除去して乾
燥させる乾燥工程をさらに備えたことを特徴とする。
【００１１】また、請求項３の基板処理方法は、処理液
供給工程において基板の主面に供給される処理液が、活
性化した水である機能水、基板の主面をエッチングする
エッチング液、基板の主面に形成され所定のパターンが
焼き付けられたレジスト膜を現像する現像液、基板の主
面に形成されたレジスト膜を剥離する剥離液のいずれか
であることを特徴とする。
供給工程において基板の主面に供給される処理液が、活
性化した水である機能水、基板の主面をエッチングする
エッチング液、基板の主面に形成され所定のパターンが
焼き付けられたレジスト膜を現像する現像液、基板の主
面に形成されたレジスト膜を剥離する剥離液のいずれか
であることを特徴とする。
【００１２】また、請求項４の基板処理装置は、複数の
基板を収納可能なカセットから一枚ずつ取り出された基
板の主面に所定の処理液を供給する処理液供給部と、処
理液供給部で処理液が供給された基板の主面に洗浄液を
供給する洗浄液供給部とを有する基板処理装置におい
て、処理液供給部は、複数の基板を積層するとともに、
この積層された複数の基板の主面にそれぞれ処理液を同
時に接触させた状態で複数の基板をほぼ水平に支持する
基板支持手段と、基板支持手段で支持された複数の基板
を鉛直方向に沿って移動させる基板移動手段と、基板支
持手段に基板を受け渡す基板搬入手段と、基板支持手段
から基板を受け取る基板搬出手段とを有することを特徴
とする。
基板を収納可能なカセットから一枚ずつ取り出された基
板の主面に所定の処理液を供給する処理液供給部と、処
理液供給部で処理液が供給された基板の主面に洗浄液を
供給する洗浄液供給部とを有する基板処理装置におい
て、処理液供給部は、複数の基板を積層するとともに、
この積層された複数の基板の主面にそれぞれ処理液を同
時に接触させた状態で複数の基板をほぼ水平に支持する
基板支持手段と、基板支持手段で支持された複数の基板
を鉛直方向に沿って移動させる基板移動手段と、基板支
持手段に基板を受け渡す基板搬入手段と、基板支持手段
から基板を受け取る基板搬出手段とを有することを特徴
とする。
【００１３】また、請求項５の基板処理装置は、処理液
供給部により処理液が供給された基板の主面に付着した
洗浄液を除去して乾燥させる乾燥部を有することを特徴
とする。
供給部により処理液が供給された基板の主面に付着した
洗浄液を除去して乾燥させる乾燥部を有することを特徴
とする。
【００１４】また、請求項６の基板処理装置は、処理液
供給部と洗浄液供給部と乾燥部とを含む複数の処理部が
所定方向に沿って直列に配置されるとともに、複数の処
理部内で基板をほぼ水平に支持しつつ所定方向に沿って
搬送する水平搬送手段を有することを特徴とする。
供給部と洗浄液供給部と乾燥部とを含む複数の処理部が
所定方向に沿って直列に配置されるとともに、複数の処
理部内で基板をほぼ水平に支持しつつ所定方向に沿って
搬送する水平搬送手段を有することを特徴とする。
【００１５】また、請求項７の基板処理装置は、処理液
供給部と洗浄液供給部と乾燥部とを含む複数の処理部が
所定方向に沿って配置されるとともに、所定方向に沿っ
て往復移動して複数の処理部に対して基板を搬入又は搬
出する基板搬送手段を有することを特徴とする。
供給部と洗浄液供給部と乾燥部とを含む複数の処理部が
所定方向に沿って配置されるとともに、所定方向に沿っ
て往復移動して複数の処理部に対して基板を搬入又は搬
出する基板搬送手段を有することを特徴とする。
【００１６】また、請求項８の基板処理装置は、処理液
供給部において基板の主面に供給される処理液が、活性
化した水である機能水、基板の主面をエッチングするエ
ッチング液、基板の主面に形成され所定のパターンが焼
き付けられたレジスト膜を現像する現像液、基板の主面
に形成されたレジスト膜を剥離する剥離液のいずれかで
あることを特徴とする。
供給部において基板の主面に供給される処理液が、活性
化した水である機能水、基板の主面をエッチングするエ
ッチング液、基板の主面に形成され所定のパターンが焼
き付けられたレジスト膜を現像する現像液、基板の主面
に形成されたレジスト膜を剥離する剥離液のいずれかで
あることを特徴とする。
【００１７】
〔第１実施形態〕図１は、本発明の基板処理装置の第１
実施形態である基板洗浄装置の平面構造を示す図であ
る。この基板洗浄装置は、複数の基板を収納するカセッ
トから基板を１枚ずつ連続的に取り出すローダ部１０
と、活性化した水である機能水を処理液として基板の少
なくとも一方の主面に供給する機能水処理部２０と、処
理後の基板の主面に洗浄液である純水を供給して洗浄す
る洗浄処理部５０と、洗浄後の基板を乾燥させる乾燥処
理部６０と、処理後の基板をカセットに再び収納するア
ンローダ部７０とを備える。
実施形態である基板洗浄装置の平面構造を示す図であ
る。この基板洗浄装置は、複数の基板を収納するカセッ
トから基板を１枚ずつ連続的に取り出すローダ部１０
と、活性化した水である機能水を処理液として基板の少
なくとも一方の主面に供給する機能水処理部２０と、処
理後の基板の主面に洗浄液である純水を供給して洗浄す
る洗浄処理部５０と、洗浄後の基板を乾燥させる乾燥処
理部６０と、処理後の基板をカセットに再び収納するア
ンローダ部７０とを備える。
【００１８】ローダ部１０は、図示を省略しているが、
複数の基板を積層した状態で収納するカセットを載置す
るためのステージと、カセット中の基板を取り出して機
能水処理部２０の後述する処理槽２１（図２参照）に一
枚ずつ供給する搬送ロボットＴＲとを備える。
複数の基板を積層した状態で収納するカセットを載置す
るためのステージと、カセット中の基板を取り出して機
能水処理部２０の後述する処理槽２１（図２参照）に一
枚ずつ供給する搬送ロボットＴＲとを備える。
【００１９】機能水処理部２０は、複数の基板を蓄積し
た状態で、複数の基板の主面にそれぞれ同時に機能水を
供給して基板処理を行う部分である。
た状態で、複数の基板の主面にそれぞれ同時に機能水を
供給して基板処理を行う部分である。
【００２０】図２は、機能水処理部２０の構造と動作を
説明する図である。機能水処理部２０は、ローダ部１０
側に設けた搬送ロボットＴＲから受け取った基板ＷＡに
機能水処理を施す処理槽２１と、この処理槽２１の下部
側の基板出口３８から漏れ出す機能水ＦＷを受けるトレ
ー部２２と、このトレー部２２に溜まった機能水ＦＷを
一時的に貯留するタンク２３と、タンク２３に溜まった
機能水ＦＷを処理槽２１に還流させる循環ポンプ２４
と、機能水ＦＷの状態を調整するためオゾン水や電解イ
オン水などをタンク２３に適宜供給する濃度調整部２５
とを備える。処理槽２１は、基板ＷＡを複数積層した状
態で蓄積しつつ基板ＷＡの両主面に機能水ＦＷを接触さ
せるバッファ部として機能する。処理槽２１内部には、
基板支持手段である一対の基板支持ベルト３１が対向し
て配置されており、搬送ロボットＴＲから基板入口３２
を介して受け取った基板ＷＡを処理槽２１内で支持しつ
つ徐々に降下させる。
説明する図である。機能水処理部２０は、ローダ部１０
側に設けた搬送ロボットＴＲから受け取った基板ＷＡに
機能水処理を施す処理槽２１と、この処理槽２１の下部
側の基板出口３８から漏れ出す機能水ＦＷを受けるトレ
ー部２２と、このトレー部２２に溜まった機能水ＦＷを
一時的に貯留するタンク２３と、タンク２３に溜まった
機能水ＦＷを処理槽２１に還流させる循環ポンプ２４
と、機能水ＦＷの状態を調整するためオゾン水や電解イ
オン水などをタンク２３に適宜供給する濃度調整部２５
とを備える。処理槽２１は、基板ＷＡを複数積層した状
態で蓄積しつつ基板ＷＡの両主面に機能水ＦＷを接触さ
せるバッファ部として機能する。処理槽２１内部には、
基板支持手段である一対の基板支持ベルト３１が対向し
て配置されており、搬送ロボットＴＲから基板入口３２
を介して受け取った基板ＷＡを処理槽２１内で支持しつ
つ徐々に降下させる。
【００２１】図３は、一対の基板支持ベルト３１、３１
をＢ−Ｂ矢視側から見た場合の図面である。各基板支持
ベルト３１は、上下一対のローラ３３、３３、３４、３
４に掛け渡されて垂直方向に延びている。各基板支持ベ
ルト３１の表面には、水平方向に延びる複数のリブ３１
ａが垂直方向に一定間隔で形成されており、各基板支持
ベルト３１の対向する高さ位置に設けた一対のリブ３１
ａによって、処理槽２１中に搬入された基板ＷＡの両端
が支持される。各基板支持ベルト３１は、互いに反対方
向にそれぞれ回転する一対のローラ３３、３３にそれぞ
れ駆動されて、基板ＷＡを支持する面が徐々に降下する
ので、これに伴って一対の対向するリブ３１ａに支持さ
れた基板ＷＡも徐々に降下する。この結果、積層された
最下層の基板ＷＡは、水平搬送用のローラ３５に受け渡
される。なお、ローラ３５は、その回転軸に固設された
プーリー３６と、図示を省略するベルトに駆動されて回
転するので、基板ＷＡを水平方向に搬送して処理槽２１
外に送り出すことができる。
をＢ−Ｂ矢視側から見た場合の図面である。各基板支持
ベルト３１は、上下一対のローラ３３、３３、３４、３
４に掛け渡されて垂直方向に延びている。各基板支持ベ
ルト３１の表面には、水平方向に延びる複数のリブ３１
ａが垂直方向に一定間隔で形成されており、各基板支持
ベルト３１の対向する高さ位置に設けた一対のリブ３１
ａによって、処理槽２１中に搬入された基板ＷＡの両端
が支持される。各基板支持ベルト３１は、互いに反対方
向にそれぞれ回転する一対のローラ３３、３３にそれぞ
れ駆動されて、基板ＷＡを支持する面が徐々に降下する
ので、これに伴って一対の対向するリブ３１ａに支持さ
れた基板ＷＡも徐々に降下する。この結果、積層された
最下層の基板ＷＡは、水平搬送用のローラ３５に受け渡
される。なお、ローラ３５は、その回転軸に固設された
プーリー３６と、図示を省略するベルトに駆動されて回
転するので、基板ＷＡを水平方向に搬送して処理槽２１
外に送り出すことができる。
【００２２】図２に戻って機能水処理部２０の動作を簡
単に説明すると、ローダ部１０に設けた搬送ロボットＴ
Ｒによって、基板入口３２から処理槽２１上部に逐次搬
入された基板ＷＡは、基板支持ベルト３１に設けられた
リブ３１ａに支持されて処理槽２１内を降下し、機能水
ＦＷ中に浸漬される。基板ＷＡは、機能水ＦＷ中を徐々
に降下し処理槽２１下部でローラ３５に受け渡される。
この間、基板ＷＡは機能水ＦＷ中で所定時間（機能水Ｆ
Ｗ中における基板ＷＡの移動距離／基板ＷＡの搬送速
度）保持されることになり、これによって基板ＷＡが表
面処理される。機能水処理が終わってローラ３５に逐次
受け渡された基板ＷＡは、ローラ３５上を水平搬送され
て、スリット状の基板出口３８から逐次搬出される。
単に説明すると、ローダ部１０に設けた搬送ロボットＴ
Ｒによって、基板入口３２から処理槽２１上部に逐次搬
入された基板ＷＡは、基板支持ベルト３１に設けられた
リブ３１ａに支持されて処理槽２１内を降下し、機能水
ＦＷ中に浸漬される。基板ＷＡは、機能水ＦＷ中を徐々
に降下し処理槽２１下部でローラ３５に受け渡される。
この間、基板ＷＡは機能水ＦＷ中で所定時間（機能水Ｆ
Ｗ中における基板ＷＡの移動距離／基板ＷＡの搬送速
度）保持されることになり、これによって基板ＷＡが表
面処理される。機能水処理が終わってローラ３５に逐次
受け渡された基板ＷＡは、ローラ３５上を水平搬送され
て、スリット状の基板出口３８から逐次搬出される。
【００２３】図１に戻って、機能水処理部２０に隣接す
る洗浄処理部５０は、図示を省略するが、搬送ローラを
備えており、基板ＷＡを水平方向に等速度で搬送する。
この搬送経路上には、低圧または高圧の純水を供給する
ノズルや、超音波が付与された純水を吹き付けるノズル
が配置されており、機能水処理部２０で機能水処理を終
了した基板ＷＡの主面に付着した機能水を洗い落としつ
つ、基板ＷＡの主面の汚れも除去することができる。
る洗浄処理部５０は、図示を省略するが、搬送ローラを
備えており、基板ＷＡを水平方向に等速度で搬送する。
この搬送経路上には、低圧または高圧の純水を供給する
ノズルや、超音波が付与された純水を吹き付けるノズル
が配置されており、機能水処理部２０で機能水処理を終
了した基板ＷＡの主面に付着した機能水を洗い落としつ
つ、基板ＷＡの主面の汚れも除去することができる。
【００２４】洗浄処理部５０に隣接する乾燥処理部６０
は、洗浄処理後の基板ＷＡの主面に付着した純水を高圧
のエアノズルで液切りするエアーナイフを備えており、
洗浄処理後の基板ＷＡ上の純水を押し流して液切り乾燥
させる。
は、洗浄処理後の基板ＷＡの主面に付着した純水を高圧
のエアノズルで液切りするエアーナイフを備えており、
洗浄処理後の基板ＷＡ上の純水を押し流して液切り乾燥
させる。
【００２５】以下、図１〜図３に示す第１実施形態の基
板洗浄装置の動作について説明する。まず、ローダ部１
０で、搬送ロボットＴＲによって、複数の基板ＷＡが収
納されたカセット中から基板ＷＡが１枚ずつ取り出さ
れ、機能水処理部２０の基板入口３２から処理槽２１上
部に搬入される。このように搬送ロボットＴＲはローダ
部１０のカセットから複数の基板ＷＡを順次機能水処理
部２０の処理槽２１上部に搬入する。処理槽２１上部に
搬入された基板ＷＡは、基板支持ベルト３１のリブ３１
ａに支持されて、機能水ＦＷ中を徐々に降下しつつ機能
水処理を終了し、処理槽２１下部でローラ３５に受け渡
され、基板出口３８から搬出される。次に、洗浄処理部
５０で、純水による基板ＷＡの洗浄が行われる。最後
に、乾燥処理部６０で、洗浄処理後の基板ＷＡの液切り
によって基板ＷＡを乾燥させた後、アンローダ部７０の
カセットに基板が収納される。このように、第１実施形
態の基板洗浄装置では、処理槽２１中に複数の基板ＷＡ
を投入し、これらを積層した状態で機能水処理を行うの
で、機能水処理のために要する装置面積をほぼ一枚の基
板大きさに対応する小さなものとすることができ、機能
水処理のために確保すべき領域を増大させることなく、
基板ＷＡの処理タクトを低減させることができる。
板洗浄装置の動作について説明する。まず、ローダ部１
０で、搬送ロボットＴＲによって、複数の基板ＷＡが収
納されたカセット中から基板ＷＡが１枚ずつ取り出さ
れ、機能水処理部２０の基板入口３２から処理槽２１上
部に搬入される。このように搬送ロボットＴＲはローダ
部１０のカセットから複数の基板ＷＡを順次機能水処理
部２０の処理槽２１上部に搬入する。処理槽２１上部に
搬入された基板ＷＡは、基板支持ベルト３１のリブ３１
ａに支持されて、機能水ＦＷ中を徐々に降下しつつ機能
水処理を終了し、処理槽２１下部でローラ３５に受け渡
され、基板出口３８から搬出される。次に、洗浄処理部
５０で、純水による基板ＷＡの洗浄が行われる。最後
に、乾燥処理部６０で、洗浄処理後の基板ＷＡの液切り
によって基板ＷＡを乾燥させた後、アンローダ部７０の
カセットに基板が収納される。このように、第１実施形
態の基板洗浄装置では、処理槽２１中に複数の基板ＷＡ
を投入し、これらを積層した状態で機能水処理を行うの
で、機能水処理のために要する装置面積をほぼ一枚の基
板大きさに対応する小さなものとすることができ、機能
水処理のために確保すべき領域を増大させることなく、
基板ＷＡの処理タクトを低減させることができる。
【００２６】〔第２実施形態〕図４は、第２実施形態の
基板洗浄装置の平面構造を示す図である。この基板処理
装置は、複数の基板を収納する３つのカセットＣＡを載
置するカセットステージ８０と、オゾン水や電解イオン
水などの活性化した水である機能水を基板の主面に供給
する機能水処理部１２０と、処理後の基板の主面に洗浄
液である純水を供給して洗浄する洗浄処理部５０と、洗
浄後の基板を乾燥させる乾燥処理部１６０と、カセット
ステージ８０上のカセットから基板を１枚ずつ連続的に
取り出して機能水処理部１２０に受け渡すとともに、乾
燥処理後の基板を乾燥処理部１６０から取り出してカセ
ットＣＡに収納する搬送ロボットＴＲとを備える。
基板洗浄装置の平面構造を示す図である。この基板処理
装置は、複数の基板を収納する３つのカセットＣＡを載
置するカセットステージ８０と、オゾン水や電解イオン
水などの活性化した水である機能水を基板の主面に供給
する機能水処理部１２０と、処理後の基板の主面に洗浄
液である純水を供給して洗浄する洗浄処理部５０と、洗
浄後の基板を乾燥させる乾燥処理部１６０と、カセット
ステージ８０上のカセットから基板を１枚ずつ連続的に
取り出して機能水処理部１２０に受け渡すとともに、乾
燥処理後の基板を乾燥処理部１６０から取り出してカセ
ットＣＡに収納する搬送ロボットＴＲとを備える。
【００２７】なお、第２実施形態の基板洗浄装置は、ロ
ーラ搬送方式の第１実施形態の基板洗浄装置をロボット
搬送方式の基板洗浄装置に変更したものであり、同一部
分には同一符号を付して重複説明を省略する。
ーラ搬送方式の第１実施形態の基板洗浄装置をロボット
搬送方式の基板洗浄装置に変更したものであり、同一部
分には同一符号を付して重複説明を省略する。
【００２８】まず、機能水処理部１２０の構造を図５に
示す。図５（ａ）は、機能水処理部１２０内の平面構造
を示し、図５（ｂ）は、図５（ａ）の機能水処理部１２
０のＡ−Ａ矢視側面構造を示す。機能水処理部１２０
は、搬送ロボットＴＲから受け取った基板ＷＡに機能水
処理を施す処理槽１２１を備える。処理槽１２１内部に
は、４組の支持ロッド１３１、２３１が配置されてい
る。これらの支持ロッド１３１、２３１は、処理槽１２
１上部に設けた駆動部１３３によって、上端部が駆動さ
れて上下動及び回転が可能となっており、処理槽１２１
下部に設けた支持部材１３４によって、下端部が案内さ
れて位置合わせが行われている。支持ロッド１３１、２
３１には、水平方向に延びる突起１３１ａ、２３１ａが
等間隔でそれぞれ形成されており、４本の支持ロッド１
３１の回転及び上下動と、残りの４本の支持ロッド２３
１の回転及び上下動とのタイミングを適宜調節すること
により、基板ＷＡを処理槽１２１内で段階的に徐々に降
下にさせることができる。具体的に説明すると、搬送ロ
ボットＴＲによって基板入口１３２から搬入された基板
ＷＡは、上昇する外側の支持ロッド２３１の第１段目の
突起２３１ａに受け渡されて処理槽１２１内に支持され
る。この支持ロッド２３１に支持された基板ＷＡは、支
持ロッド２３１とともに降下して、基板ＷＡ内側に９０
゜回転して待機する内側の基板支持ロッド１３１の突起
１３１ａに受け渡される。基板を受け渡した支持ロッド
２３１は、さらに降下した後、基板ＷＡ外側に９０゜回
転して突起２３１ａを退避させて上昇する。次に基板Ｗ
Ａを支持ロッド１３１とともに降下させて、再度基板Ｗ
Ａ内側に９０゜回転して待機する支持ロッド２３１の第
２段目の突起２３１ａに受け渡す。以上のような動作を
繰返すことにより、基板ＷＡは徐々に降下する。
示す。図５（ａ）は、機能水処理部１２０内の平面構造
を示し、図５（ｂ）は、図５（ａ）の機能水処理部１２
０のＡ−Ａ矢視側面構造を示す。機能水処理部１２０
は、搬送ロボットＴＲから受け取った基板ＷＡに機能水
処理を施す処理槽１２１を備える。処理槽１２１内部に
は、４組の支持ロッド１３１、２３１が配置されてい
る。これらの支持ロッド１３１、２３１は、処理槽１２
１上部に設けた駆動部１３３によって、上端部が駆動さ
れて上下動及び回転が可能となっており、処理槽１２１
下部に設けた支持部材１３４によって、下端部が案内さ
れて位置合わせが行われている。支持ロッド１３１、２
３１には、水平方向に延びる突起１３１ａ、２３１ａが
等間隔でそれぞれ形成されており、４本の支持ロッド１
３１の回転及び上下動と、残りの４本の支持ロッド２３
１の回転及び上下動とのタイミングを適宜調節すること
により、基板ＷＡを処理槽１２１内で段階的に徐々に降
下にさせることができる。具体的に説明すると、搬送ロ
ボットＴＲによって基板入口１３２から搬入された基板
ＷＡは、上昇する外側の支持ロッド２３１の第１段目の
突起２３１ａに受け渡されて処理槽１２１内に支持され
る。この支持ロッド２３１に支持された基板ＷＡは、支
持ロッド２３１とともに降下して、基板ＷＡ内側に９０
゜回転して待機する内側の基板支持ロッド１３１の突起
１３１ａに受け渡される。基板を受け渡した支持ロッド
２３１は、さらに降下した後、基板ＷＡ外側に９０゜回
転して突起２３１ａを退避させて上昇する。次に基板Ｗ
Ａを支持ロッド１３１とともに降下させて、再度基板Ｗ
Ａ内側に９０゜回転して待機する支持ロッド２３１の第
２段目の突起２３１ａに受け渡す。以上のような動作を
繰返すことにより、基板ＷＡは徐々に降下する。
【００２９】外側の基板支持ロッド２３１の第２段目に
受け渡された基板ＷＡには、スリットノズル１２５から
の機能水が供給される。スリットノズル１２５は、図示
を省略する機構によって、基板ＷＡ上方から退避可能で
あるとともに、基板ＷＡの長辺方向に沿って移動可能と
なっており、基板支持ロッド２３１に支持された基板Ｗ
Ａの上側主面の全領域に亘って機能水ＦＷを均一に薄く
盛ることができる。このように、機能水ＦＷを盛った基
板ＷＡは、機能水で表面処理されながら徐々に降下して
処理槽２１下部でローラ３５に受け渡される。機能水処
理が終わり支持ロッド２３１の最下段の突起２３１ａか
らローラ３５に受け渡された基板ＷＡは、ローラ３５上
を水平搬送されて、スリット状の基板出口１３８から搬
出される。その後、基板ＷＡは、水平搬送され、洗浄処
理部５０で、純水による基板ＷＡの洗浄を行い、図示を
省略するシャトル搬送部によって乾燥処理部１６０まで
移送され、この乾燥処理部１６０で、水洗後の基板ＷＡ
を回転させるスピンドライによって基板ＷＡ表面を乾燥
させる。乾燥処理部１６０で乾燥処理を終了した基板Ｗ
Ａは、搬送ロボットＴＲによって乾燥処理部１６０から
取り出され、再度カセットＣＡ中に収容される。
受け渡された基板ＷＡには、スリットノズル１２５から
の機能水が供給される。スリットノズル１２５は、図示
を省略する機構によって、基板ＷＡ上方から退避可能で
あるとともに、基板ＷＡの長辺方向に沿って移動可能と
なっており、基板支持ロッド２３１に支持された基板Ｗ
Ａの上側主面の全領域に亘って機能水ＦＷを均一に薄く
盛ることができる。このように、機能水ＦＷを盛った基
板ＷＡは、機能水で表面処理されながら徐々に降下して
処理槽２１下部でローラ３５に受け渡される。機能水処
理が終わり支持ロッド２３１の最下段の突起２３１ａか
らローラ３５に受け渡された基板ＷＡは、ローラ３５上
を水平搬送されて、スリット状の基板出口１３８から搬
出される。その後、基板ＷＡは、水平搬送され、洗浄処
理部５０で、純水による基板ＷＡの洗浄を行い、図示を
省略するシャトル搬送部によって乾燥処理部１６０まで
移送され、この乾燥処理部１６０で、水洗後の基板ＷＡ
を回転させるスピンドライによって基板ＷＡ表面を乾燥
させる。乾燥処理部１６０で乾燥処理を終了した基板Ｗ
Ａは、搬送ロボットＴＲによって乾燥処理部１６０から
取り出され、再度カセットＣＡ中に収容される。
【００３０】なお、上記実施形態において、スリットノ
ズル１２５に替えて、複数のノズルを基板ＷＡの短辺方
向に沿って配置しても良い。
ズル１２５に替えて、複数のノズルを基板ＷＡの短辺方
向に沿って配置しても良い。
【００３１】また、上記実施形態において、乾燥処理部
１６０ではスピンドライ処理を行っているが、スピンド
ライに替えて、エアーナイフによる液切り乾燥処理を行
ってもよい。
１６０ではスピンドライ処理を行っているが、スピンド
ライに替えて、エアーナイフによる液切り乾燥処理を行
ってもよい。
【００３２】〔第３実施形態〕図６は、第３実施形態の
基板洗浄装置の構造を示す図である。この第３実施形態
の基板処理装置は、第１実施形態の基板洗浄装置の変形
例であるが、図１及び図２に示す機能水処理部の構造が
異なる。
基板洗浄装置の構造を示す図である。この第３実施形態
の基板処理装置は、第１実施形態の基板洗浄装置の変形
例であるが、図１及び図２に示す機能水処理部の構造が
異なる。
【００３３】図示を省略するローダ部の搬送ロボットに
よって取り出された基板ＷＡは、基板入口２３２から処
理槽２２１に搬入される。基板入口２３２のすぐ外側に
は、スリット状のノズル２２５が配置されており、基板
ＷＡの水平搬送に伴って基板ＷＡ上に機能水ＦＷが液盛
りされる。処理槽２２１中に搬入された基板ＷＡは、基
板支持ベルト３１とともに垂直搬送されて、処理槽２２
１上部に達する。この状態で、リフタヘッド９０ととも
にハンド９１を上昇させて、ハンド９１を処理槽２２１
上部の基板出口２３８の正面まで上昇させる。さらに、
ハンド９１を水平移動させて処理槽２２１中に挿入し、
わずかに上昇させることによって最上層の基板ＷＡをハ
ンド９１側に移載する。今度は、ハンド９１を逆方向に
移動させて、基板ＷＡを両端で支持する搬送ローラ３５
の位置まで基板ＷＡを降下させ、基板ＷＡを搬送ローラ
３５に受け渡す。その後は、基板ＷＡを水平搬送しつ
つ、洗浄処理部５０で、純水による基板ＷＡの洗浄を行
い、乾燥処理部６０で、水洗後の基板ＷＡの水切りによ
って基板ＷＡを乾燥させる。
よって取り出された基板ＷＡは、基板入口２３２から処
理槽２２１に搬入される。基板入口２３２のすぐ外側に
は、スリット状のノズル２２５が配置されており、基板
ＷＡの水平搬送に伴って基板ＷＡ上に機能水ＦＷが液盛
りされる。処理槽２２１中に搬入された基板ＷＡは、基
板支持ベルト３１とともに垂直搬送されて、処理槽２２
１上部に達する。この状態で、リフタヘッド９０ととも
にハンド９１を上昇させて、ハンド９１を処理槽２２１
上部の基板出口２３８の正面まで上昇させる。さらに、
ハンド９１を水平移動させて処理槽２２１中に挿入し、
わずかに上昇させることによって最上層の基板ＷＡをハ
ンド９１側に移載する。今度は、ハンド９１を逆方向に
移動させて、基板ＷＡを両端で支持する搬送ローラ３５
の位置まで基板ＷＡを降下させ、基板ＷＡを搬送ローラ
３５に受け渡す。その後は、基板ＷＡを水平搬送しつ
つ、洗浄処理部５０で、純水による基板ＷＡの洗浄を行
い、乾燥処理部６０で、水洗後の基板ＷＡの水切りによ
って基板ＷＡを乾燥させる。
【００３４】以上、実施例に即してこの発明を説明した
が、この発明は、上記実施形態に限定されるものではな
い。例えば、図１に示すようなコンベア方式の基板洗浄
装置の機能水処理部２０として、図５や図６に示すよう
な機能水の液盛りを行うタイプの構造を採用することも
できる。
が、この発明は、上記実施形態に限定されるものではな
い。例えば、図１に示すようなコンベア方式の基板洗浄
装置の機能水処理部２０として、図５や図６に示すよう
な機能水の液盛りを行うタイプの構造を採用することも
できる。
【００３５】また、上記実施形態の基板洗浄装置は、機
能水処理部と純水による洗浄処理部との２つの処理部に
分かれるが、さらにＵＶ処理部を機能水処理部の前段に
設けることもできる。
能水処理部と純水による洗浄処理部との２つの処理部に
分かれるが、さらにＵＶ処理部を機能水処理部の前段に
設けることもできる。
【００３６】また、上記実施形態では機能水処理部によ
る律速を防止するためにこれをバッファ部としている
が、基板の主面にエッチング液を供給して基板の主面
（基板の主面に形成された酸化膜や金属膜などの被膜を
含む）をエッチングするエッチング処理、基板の主面に
現像液を供給して基板の主面に形成され所定のパターン
が焼き付けられたレジスト膜を現像する現像処理、基板
の主面に剥離液を供給して基板の主面に形成されたレジ
スト膜を剥離する剥離処理において上記実施形態の処理
槽２１、１２１、２２１のようなバッファ部を設けるこ
とができる。つまり、特定処理工程が他の洗浄処理等の
工程に比較して処理液を接触させるべき時間が比較的長
くて律速工程となる場合、この特定工程を処理液を貯留
するなどしたバッファ部で行うこととし、このバッファ
部に基板を積層して蓄積しつつ最初に投入した基板から
順にバッファ部外に取り出すことにより、基板処理のた
めに確保すべき領域を増大させることなく、基板の処理
タクトを低減させることができる。
る律速を防止するためにこれをバッファ部としている
が、基板の主面にエッチング液を供給して基板の主面
（基板の主面に形成された酸化膜や金属膜などの被膜を
含む）をエッチングするエッチング処理、基板の主面に
現像液を供給して基板の主面に形成され所定のパターン
が焼き付けられたレジスト膜を現像する現像処理、基板
の主面に剥離液を供給して基板の主面に形成されたレジ
スト膜を剥離する剥離処理において上記実施形態の処理
槽２１、１２１、２２１のようなバッファ部を設けるこ
とができる。つまり、特定処理工程が他の洗浄処理等の
工程に比較して処理液を接触させるべき時間が比較的長
くて律速工程となる場合、この特定工程を処理液を貯留
するなどしたバッファ部で行うこととし、このバッファ
部に基板を積層して蓄積しつつ最初に投入した基板から
順にバッファ部外に取り出すことにより、基板処理のた
めに確保すべき領域を増大させることなく、基板の処理
タクトを低減させることができる。
【００３７】また、図１の基板洗浄理装置では、ローダ
部１０、機能水処理部２０、洗浄処理部５０、乾燥処理
部６０及びアンローダ部７０を一直線上に直列に配置し
ているが、これらの順番を変更しないで、ローダ部１０
及びアンローダ部７０を隣接させ、図７のように、機能
水処理部２０、洗浄処理部５０及び乾燥処理部６０をＵ
字状に配置することも可能である。
部１０、機能水処理部２０、洗浄処理部５０、乾燥処理
部６０及びアンローダ部７０を一直線上に直列に配置し
ているが、これらの順番を変更しないで、ローダ部１０
及びアンローダ部７０を隣接させ、図７のように、機能
水処理部２０、洗浄処理部５０及び乾燥処理部６０をＵ
字状に配置することも可能である。
【００３８】
【発明の効果】請求項１に係る基板処理方法によると、
洗浄液供給工程に先立つ、処理液供給工程において、カ
セットから一枚ずつ取り出された基板は複数積層された
状態で所定時間だけ蓄積させるとともに、この積層され
た状態の複数の基板の主面にそれぞれ同時に処理液を接
触させることにより、処理液供給工程において所定処理
を施す処理槽の占有面積を小さくできるとともに、処理
液供給工程における基板の処理タクトを向上できる。
洗浄液供給工程に先立つ、処理液供給工程において、カ
セットから一枚ずつ取り出された基板は複数積層された
状態で所定時間だけ蓄積させるとともに、この積層され
た状態の複数の基板の主面にそれぞれ同時に処理液を接
触させることにより、処理液供給工程において所定処理
を施す処理槽の占有面積を小さくできるとともに、処理
液供給工程における基板の処理タクトを向上できる。
【００３９】また、バッファ部に一枚ずつ搬入された複
数の基板を、複数積層した状態でそれぞれほぼ水平に支
持しつつ鉛直方向に移動させるとともに、処理槽に貯留
された処理液に複数の基板を順次浸漬させた後、バッフ
ァ部から基板を一枚ずつ搬出することにより、簡易な方
法で複数の基板の主面に同時に処理液を接触させること
ができる。
数の基板を、複数積層した状態でそれぞれほぼ水平に支
持しつつ鉛直方向に移動させるとともに、処理槽に貯留
された処理液に複数の基板を順次浸漬させた後、バッフ
ァ部から基板を一枚ずつ搬出することにより、簡易な方
法で複数の基板の主面に同時に処理液を接触させること
ができる。
【００４０】請求項２に係る基板処理方法によると、洗
浄液供給工程後の基板の主面に付着した洗浄液を除去し
て乾燥させることができる。
浄液供給工程後の基板の主面に付着した洗浄液を除去し
て乾燥させることができる。
【００４１】請求項３に係る基板処理方法によると、処
理液供給工程において、活性化した水である機能水を基
板の主面に供給する機能水処理、基板の主面をエッチン
グするエッチング処理、基板の主面に形成され所定のパ
ターンが焼き付けられたレジスト膜を現像する現像処
理、基板の主面に形成されたレジスト膜を剥離する剥離
処理のいずれかの処理の処理タクトを向上させることが
できる。
理液供給工程において、活性化した水である機能水を基
板の主面に供給する機能水処理、基板の主面をエッチン
グするエッチング処理、基板の主面に形成され所定のパ
ターンが焼き付けられたレジスト膜を現像する現像処
理、基板の主面に形成されたレジスト膜を剥離する剥離
処理のいずれかの処理の処理タクトを向上させることが
できる。
【００４２】請求項４に係る基板処理装置によると、カ
セットから一枚ずつ取り出された基板を基板搬入手段に
よって処理液供給部の基板支持手段に搬入した後、基板
支持手段によって複数の基板を積層させるとともに、複
数の基板の主面にそれぞれ処理液を同時に接触させつ
つ、基板移動手段によって複数の基板を鉛直方向に移動
させ、そして、基板搬出手段によって処理液供給部から
基板を搬出することにより、処理液供給部の占有面積を
小さくできるとともに、処理液供給部における基板の処
理タクトを向上できる。
セットから一枚ずつ取り出された基板を基板搬入手段に
よって処理液供給部の基板支持手段に搬入した後、基板
支持手段によって複数の基板を積層させるとともに、複
数の基板の主面にそれぞれ処理液を同時に接触させつ
つ、基板移動手段によって複数の基板を鉛直方向に移動
させ、そして、基板搬出手段によって処理液供給部から
基板を搬出することにより、処理液供給部の占有面積を
小さくできるとともに、処理液供給部における基板の処
理タクトを向上できる。
【００４３】請求項５に係る基板処理装置によると、乾
燥部において、処理液供給部で処理液が供給された基板
の主面に付着した洗浄液を除去して乾燥させることがで
きる。
燥部において、処理液供給部で処理液が供給された基板
の主面に付着した洗浄液を除去して乾燥させることがで
きる。
【００４４】請求項６に係る基板処理装置によると、基
板処理装置が処理液供給部と洗浄液供給部と乾燥部とを
含む複数の処理部が所定方向に沿って直列に配置される
構成であり、複数の処理部内で基板をほぼ水平に支持し
つつ所定方向に沿って搬送する水平搬送手段を有する場
合において、処理液供給部の占有面積を小さくすること
ができるので、基板処理装置の所定方向に沿った長さ寸
法を短くすることができる。
板処理装置が処理液供給部と洗浄液供給部と乾燥部とを
含む複数の処理部が所定方向に沿って直列に配置される
構成であり、複数の処理部内で基板をほぼ水平に支持し
つつ所定方向に沿って搬送する水平搬送手段を有する場
合において、処理液供給部の占有面積を小さくすること
ができるので、基板処理装置の所定方向に沿った長さ寸
法を短くすることができる。
【００４５】請求項７に係る基板処理装置によると、基
板処理装置が処理液供給部と洗浄液供給部と乾燥部とを
含む複数の処理部が所定方向に沿って配置される構成で
あり、所定方向に沿って往復移動して複数の処理部に対
して基板を搬入又は搬出する基板搬送手段を有する場合
において、処理液供給部の基板の処理タクトを向上する
ことができるので、処理液供給部において処理タクトの
律速による基板処理装置全体の処理タクトの低下を防止
できる。
板処理装置が処理液供給部と洗浄液供給部と乾燥部とを
含む複数の処理部が所定方向に沿って配置される構成で
あり、所定方向に沿って往復移動して複数の処理部に対
して基板を搬入又は搬出する基板搬送手段を有する場合
において、処理液供給部の基板の処理タクトを向上する
ことができるので、処理液供給部において処理タクトの
律速による基板処理装置全体の処理タクトの低下を防止
できる。
【００４６】請求項８に係る基板処理装置によると、処
理液供給部において、活性化した水である機能水を基板
の主面に供給する機能水処理、基板の主面をエッチング
するエッチング処理、基板の主面に形成され所定のパタ
ーンが焼き付けられたレジスト膜を現像する現像処理、
基板の主面に形成されたレジスト膜を剥離する剥離処理
のいずれかの処理の処理タクトを向上させることができ
る。
理液供給部において、活性化した水である機能水を基板
の主面に供給する機能水処理、基板の主面をエッチング
するエッチング処理、基板の主面に形成され所定のパタ
ーンが焼き付けられたレジスト膜を現像する現像処理、
基板の主面に形成されたレジスト膜を剥離する剥離処理
のいずれかの処理の処理タクトを向上させることができ
る。
【図１】第１実施形態の基板処理装置の平面構造を説明
する図である。
する図である。
【図２】図１の装置の機能水処理部の構造を説明する図
である。
である。
【図３】図２の処理槽内に配置される基板搬送機構を説
明する図である。
明する図である。
【図４】第２実施形態の基板処理装置の平面構造を説明
する図である。
する図である。
【図５】図４の装置の機能水処理部の構造を説明する図
である。
である。
【図６】第３実施形態の基板処理装置の平面構造を説明
する図である。
する図である。
【図７】図１の装置の変形例を説明する図である。
１０ ローダ部
２０、１２０ 機能水処理部
２１、１２１ 処理槽
３１ 基板支持ベルト
３３、３４、３５ ローラ
５０ 洗浄処理部
６０、１６０ 乾燥処理部
７０ アンローダ部
１３１、２３１ 基板支持ロッド
ＣＡ カセット
ＦＷ 機能水
ＷＡ 基板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７２Ｂ
21/306 Ｊ
(56)参考文献 特開 平７−176507（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−161673（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−250324（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−249582（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−111427（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−253950（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−237817（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/304
B08B 3/04
H01L 21/027
H01L 21/306
Claims (8)
- 【請求項１】 複数の基板を収納可能なカセットから一
枚ずつ取り出された基板の主面に所定の処理液を供給す
る処理液供給工程と、処理液供給工程後の基板の主面に
洗浄液を供給する洗浄液供給工程とを含む基板処理方法
において、 処理液供給工程は、カセットから取り出された基板を複
数積層した状態で所定時間だけ蓄積させるとともに、こ
の積層された状態の複数の基板の主面にそれぞれ同時に
処理液を接触させる蓄積処理工程を含み、 前記蓄積処理工程は、バッファ部で複数の基板を複数積
層した状態でそれぞれほぼ水平に支持しつつ鉛直方向に
沿って移動させるとともに、処理槽に貯留された処理液
に複数の基板を順次浸漬させる浸漬工程と、浸漬工程に
先立ちバッファ部に基板を一枚ずつ搬入する搬入工程
と、浸漬工程後の基板を一枚ずつバッファ部から搬出す
る搬出工程とを含むことを特徴とする基板処理方法。 - 【請求項２】 洗浄液供給工程後の基板の主面に付着し
た洗浄液を除去して乾燥させる乾燥工程をさらに備えた
ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。 - 【請求項３】 処理液供給工程において基板の主面に供
給される処理液が、活性化した水である機能水、基板の
主面をエッチングするエッチング液、基板の主面に形成
され所定のパターンが焼き付けられたレジスト膜を現像
する現像液、基板の主面に形成されたレジスト膜を剥離
する剥離液のいずれかであることを特徴とする請求項１
又は請求項２に記載の基板処理方法。 - 【請求項４】 複数の基板を収納可能なカセットから一
枚ずつ取り出された基板の主面に所定の処理液を供給す
る処理液供給部と、処理液供給部で処理液が供給された
基板の主面に洗浄液を供給する洗浄液供給部とを有する
基板処理装置において、 処理液供給部は、複数の基板を積層するとともに、この
積層された複数の基板の主面にそれぞれ処理液を同時に
接触させた状態で複数の基板をほぼ水平に支持する基板
支持手段と、 基板支持手段で支持された複数の基板を鉛直方向に沿っ
て移動させる基板移動手段と、 基板支持手段に基板を受け渡す基板搬入手段と、 基板支持手段から基板を受け取る基板搬出手段と、 を有することを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項５】 処理液供給部により処理液が供給された
基板の主面に付着した洗浄液を除去して乾燥させる乾燥
部を有することを特徴とする請求項４に記載の基板処理
装置。 - 【請求項６】 処理液供給部と洗浄液供給部と乾燥部と
を含む複数の処理部が所定方向に沿って直列に配置され
るとともに、複数の処理部内で基板をほぼ水平に支持し
つつ所定方向に沿って搬送する水平搬送手段を有するこ
とを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。 - 【請求項７】 処理液供給部と洗浄液供給部と乾燥部と
を含む複数の処理部が所定方向に沿って配置されるとと
もに、所定方向に沿って往復移動して複数の処理部に対
して基板を搬入又は搬出する基板搬送手段を有すること
を特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。 - 【請求項８】 処理液供給部において基板の主面に供給
される処理液が、活性化した水である機能水、基板の主
面をエッチングするエッチング液、基板の主面に形成さ
れ所定のパターンが焼き付けられたレジスト膜を現像す
る現像液、基板の主面に形成されたレジスト膜を剥離す
る剥離液のいずれかであることを特徴とする請求項４か
ら請求項７のいずれかに記載の基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32528896A JP3441321B2 (ja) | 1996-12-05 | 1996-12-05 | 基板処理方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32528896A JP3441321B2 (ja) | 1996-12-05 | 1996-12-05 | 基板処理方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10172946A JPH10172946A (ja) | 1998-06-26 |
| JP3441321B2 true JP3441321B2 (ja) | 2003-09-02 |
Family
ID=18175149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32528896A Expired - Fee Related JP3441321B2 (ja) | 1996-12-05 | 1996-12-05 | 基板処理方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3441321B2 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4564186B2 (ja) * | 2001-02-16 | 2010-10-20 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
| JP4796040B2 (ja) * | 2001-03-09 | 2011-10-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、および基板製造方法 |
| JP4619562B2 (ja) * | 2001-03-27 | 2011-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| JP2002329661A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Yoshitake Ito | 基板処理装置及び基板処理方法及び基板の製造方法 |
| JP2005142590A (ja) * | 2005-01-28 | 2005-06-02 | Yoshitake Ito | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法 |
| JP2008053738A (ja) * | 2007-09-04 | 2008-03-06 | Yoshitake Ito | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法 |
| JP4643630B2 (ja) * | 2007-11-27 | 2011-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| JP2008109158A (ja) * | 2007-12-28 | 2008-05-08 | Yoshitake Ito | 基板処理装置、基板処理方法、基板の製造方法及び電子機器 |
| JP2008166820A (ja) * | 2007-12-28 | 2008-07-17 | Yoshitake Ito | 基板処理装置、基板処理方法、基板の製造方法及び電子機器 |
| JP2008124502A (ja) * | 2008-02-01 | 2008-05-29 | Yoshitake Ito | 基板処理装置及び基板処理方法及び基板の製造方法及び電子機器 |
| US9214372B2 (en) | 2008-08-28 | 2015-12-15 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Substrate processing system, carrying device and coating device |
| US8919756B2 (en) | 2008-08-28 | 2014-12-30 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Substrate processing system, carrying device, and coating device |
| JP5227701B2 (ja) * | 2008-08-28 | 2013-07-03 | 東京応化工業株式会社 | 基板処理システム |
| CN102806212B (zh) * | 2012-07-26 | 2014-10-29 | 江阴迪林生物电子技术有限公司 | 芯片在线清洗设备 |
| KR101489230B1 (ko) * | 2013-08-27 | 2015-02-04 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마 공정이 행해진 웨이퍼의 다단계 세정 장치 |
-
1996
- 1996-12-05 JP JP32528896A patent/JP3441321B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10172946A (ja) | 1998-06-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3441321B2 (ja) | 基板処理方法及び装置 | |
| JP4040025B2 (ja) | 塗布膜形成装置 | |
| JP3450138B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3360001B2 (ja) | 処理装置 | |
| JP4372984B2 (ja) | 塗布装置及び塗布方法 | |
| KR20080093376A (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR101069494B1 (ko) | 도포막형성장치 | |
| US7065900B2 (en) | Docking-type system and method for transferring and treating substrate | |
| US20040194814A1 (en) | Apparatus and process for stripping resist | |
| JP3887549B2 (ja) | 基板搬送装置 | |
| JP2003017401A (ja) | 液処理装置および液処理方法 | |
| JP4452033B2 (ja) | 基板の搬送装置及び搬送方法 | |
| JP3100839B2 (ja) | 基板表面処理装置 | |
| JP2003100581A (ja) | 液処理装置および液処理方法 | |
| TWI640659B (zh) | 基板處理系統及基板處理方法 | |
| KR101287197B1 (ko) | 평판표시소자 제조 공정용 식각 장비 및 이를 이용한 제조방법 | |
| JPH08139153A (ja) | 枚葉式基板処理装置、基板搬送装置及びカセット | |
| KR100330720B1 (ko) | 기판처리장치 | |
| JP2914949B1 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3346823B2 (ja) | 基板ウェット処理装置 | |
| JP3197304B2 (ja) | 基板液処理装置及び基板液処理方法 | |
| JP3999552B2 (ja) | 処理装置 | |
| JP3677201B2 (ja) | 洗浄処理装置 | |
| JPH08340035A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3295620B2 (ja) | 処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080620 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090620 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090620 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090620 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100620 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100620 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |