JP2003100581A - 液処理装置および液処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理中の基板の撓み状態の変化を抑制するこ
とができる液処理装置および液処理方法を提供する。 【解決手段】 液処理装置の一実施形態である液晶ディ
スプレイ用基板（ＬＣＤ基板）用の現像処理ユニット
（ＤＥＶ）２４は、ＬＣＤ基板Ｇを略水平方向に搬送す
るコロ１７ａ・１７ｂを有するコロ搬送機構１４と、コ
ロ搬送機構１４によって搬送されるＬＣＤ基板Ｇに現像
液を供給する現像ノズル５１とリンス液を供給するリン
スノズル５２ａ・５２ｂと、ＬＣＤ基板Ｇに乾燥ガスを
吹き付けるエアーナイフ５３ａを具備する。ＬＣＤ基板
Ｇの搬送中の姿勢が変化し難いように、ＬＣＤ基板Ｇの
中央部の高さ位置と対向する１組の端辺の高さ位置とが
異なるように断面略弓形に撓ませて搬送し、所定の処理
を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、例えば液晶ディス
プレイ（ＬＣＤ）に用いられるガラス基板等に対して現
像処理等の所定の液処理を施すために用いられる液処理
装置と液処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＣＤの製造においては、ＬＣＤガラス
基板（以下「ＬＣＤ基板」という）にレジスト膜を形成
した後に、回路パターンに対応してこのレジスト膜を露
光し、さらにこれを現像処理するという、いわゆるフォ
トリソグラフィー技術を用いてＬＣＤ基板に所定の回路
パターンを形成している。ここで、例えば、現像処理に
ついては、基板を水平姿勢で水平方向に搬送しながら、
基板の表面に現像液を塗布して基板上に現像液パドルを
形成し、この状態で所定時間保持することで現像反応を
進行させ、その後に基板を傾斜姿勢に変換して現像液を
流し出し、続いてリンス液を基板に供給して現像液残渣
を除去する洗浄（リンス）処理を行い、さらに基板に付
着したリンス液を乾燥ガスで吹き飛ばして乾燥させる方
法が知られている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、一辺の
長さが１ｍにも及ぶような大型のＬＣＤ基板を均一な水
平姿勢に保持しながら搬送することは極めて困難であ
る。例えば、現像液がＬＣＤ基板上に液盛りされて荷重
の掛かっている状態と、ＬＣＤ基板の乾燥処理時のよう
に自重以外に荷重が掛かっていない状態とでは、ＬＣＤ
基板の撓み方が異なる。このように現像処理における各
処理の経過に伴って撓み方が変化すると、ＬＣＤ基板に
現像パターンのむらが発生する問題がある。

【０００４】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、液処理中の基板の撓み状態の変化を抑制するこ
とができる液処理装置および液処理方法を提供すること
を目的とする。

【０００５】

【課題を解決する手段】本発明の第１の観点によれば、
基板に所定の液処理を施す液処理装置であって、基板を
その中央部の高さ位置と対向する１組の端辺の高さ位置
とを異ならせてその断面を特定形状の略弓形に撓ませつ
つ略水平方向に搬送する基板搬送機構と、前記基板搬送
機構によって搬送される基板に所定の処理液を供給する
処理液供給機構と、を具備することを特徴とする液処理
装置、が提供される。

【０００６】本発明の第２の観点によれば、基板に所定
の液処理を施す液処理装置であって、基板をその中央部
の高さ位置と対向する１組の端辺の高さ位置とを異なら
せてその断面を特定形状の略弓形に撓ませて保持する基
板保持手段と、前記基板保持手段を水平方向に移動させ
る搬送機構と、前記搬送機構によって搬送される前記基
板保持手段に保持された基板に所定の処理液を供給する
処理液供給機構と、を具備することを特徴とする液処理
装置、が提供される。

【０００７】本発明の第３の観点によれば、基板をその
中央部の高さ位置と対向する１組の端辺の高さ位置とを
異ならせてその断面を特定形状の略弓形に撓ませつつ略
水平方向に搬送しながら前記基板に所定の液処理を施す
液処理方法であって、前記基板に第１の処理液を塗布す
る第１工程と、前記基板に第２の処理液を供給して前記
第１の処理液を洗い流す第２工程と、前記基板の表面の
曲面形状に対応した形状を有するガス噴射口を有するガ
ス噴射ノズルを用いて、前記基板に乾燥ガスを吹き付け
て前記第２の処理液を吹き飛ばすことで前記基板を乾燥
させる第３工程と、を有することを特徴とする液処理方
法、が提供される。

【０００８】本発明の第４の観点によれば、基板をその
中央部の高さ位置と対向する１組の端辺の高さ位置とを
異ならせてその断面を特定形状の略弓形に撓ませた状態
で保持して水平方向に搬送しながら前記基板に所定の液
処理を施す液処理方法であって、前記基板に第１の処理
液を塗布する第１工程と、前記基板に第２の処理液を供
給して前記第１の処理液を洗い流す第２工程と、前記基
板の表面の曲面形状に対応した形状を有するガス噴射口
を有するガス噴射ノズルを用いて、前記基板に乾燥ガス
を吹き付けて前記第２の処理液を吹き飛ばすことで前記
基板を乾燥させる第３工程と、を有することを特徴とす
る液処理方法、が提供される。

【０００９】このような液処理装置および液処理方法に
よれば、基板を予め撓ませた状態で搬送するために、基
板への処理液の供給、基板上の処理液の除去、基板の乾
燥といった一連の液処理工程において基板の撓みの変化
が小さい。このように基板の姿勢を均一化することによ
って基板全体で均一な液処理が行われるため、処理ムラ
の発生を抑制することができる。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て添付図面を参照して詳細に説明する。ここでは、ＬＣ
Ｄ基板に対してレジスト膜の形成から現像までの処理を
連続して行うレジスト塗布・現像処理システムを例に説
明することとする。図１はレジスト塗布・現像処理シス
テム１００の概略構成を示す平面図である。

【００１１】このレジスト塗布・現像処理システム１０
０は、複数のＬＣＤ基板Ｇを収容するカセットＣを載置
するカセットステーション（搬入出部）１と、ＬＣＤ基
板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施す
ための複数の処理ユニットを備えた処理ステーション
（処理部）２と、露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの受
け渡しを行うためのインターフェイスステーション（イ
ンターフェイス部）３とを備えており、処理ステーショ
ン２の両端にそれぞれカセットステーション１およびイ
ンターフェイスステーション３が配置されている。な
お、図１において、レジスト塗布・現像処理システム１
００の長手方向をＸ方向、平面上においてＸ方向と直交
する方向をＹ方向とする。

【００１２】カセットステーション１は、カセットＣを
Ｙ方向に並べて載置できる載置台９と、処理ステーショ
ン２との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出を行うための搬送装
置１１を備えており、この載置台９と外部との間でカセ
ットＣの搬送が行われる。また、搬送装置１１は搬送ア
ーム１１ａを有し、カセットＣの配列方向であるＹ方向
に沿って設けられた搬送路１０上を移動可能であり、搬
送アーム１１ａによりカセットＣと処理ステーション２
との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出が行われる。

【００１３】処理ステーション２は、基本的にＸ方向に
伸びるＬＣＤ基板Ｇ搬送用の平行な２列の搬送ラインＡ
・Ｂを有しており、搬送ラインＡに沿ってカセットステ
ーション１側からインターフェイスステーション３に向
けてスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１、第１の
熱的処理ユニットセクション２６、レジスト処理ユニッ
ト２３および第２の熱的処理ユニットセクション２７が
配列されている。また、搬送ラインＢに沿ってインター
フェイスステーション３側からカセットステーション１
に向けて第２の熱的処理ユニットセクション２７、現像
処理ユニット（ＤＥＶ）２４、ｉ線ＵＶ照射ユニット
（ｉ−ＵＶ）２５および第３の熱的処理ユニットセクシ
ョン２８が配列されている。スクラブ洗浄処理ユニット
（ＳＣＲ）２１の上の一部にはエキシマＵＶ照射ユニッ
ト（ｅ−ＵＶ）２２が設けられている。なお、エキシマ
ＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２はスクラバ洗浄に先
立ってＬＣＤ基板Ｇの有機物を除去するために設けら
れ、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５は現像の脱
色処理を行うために設けられる。

【００１４】上記スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）
２１は、その中でＬＣＤ基板Ｇが略水平姿勢で搬送され
つつ洗浄処理および乾燥処理が行われるようになってい
る。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４も、後に詳細に説
明するように、ＬＣＤ基板Ｇが略水平に搬送されつつ現
像液塗布、現像後の洗浄処理および乾燥処理が行われる
ようになっている。これらスクラブ洗浄処理ユニット
（ＳＣＲ）２１および現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４
では、ＬＣＤ基板Ｇの搬送は、例えば、コロ搬送または
ベルト搬送により行われ、ＬＣＤ基板Ｇの搬入口および
搬出口は相対向する短辺に設けられている。また、ｉ線
ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５へのＬＣＤ基板Ｇの
搬送は、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の搬送機構と
同様の機構により連続して行われる。

【００１５】レジスト処理ユニット２３には、略水平に
保持されたＬＣＤ基板Ｇにレジスト液を滴下させて、Ｌ
ＣＤ基板Ｇを所定の回転数で回転させることによってレ
ジスト液をＬＣＤ基板Ｇ全体に拡げ、レジスト膜を形成
するレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａと、ＬＣＤ基
板Ｇ上に形成されたレジスト膜を減圧乾燥する減圧乾燥
装置（ＶＤ）２３ｂと、ＬＣＤ基板Ｇの四辺をスキャン
可能な溶剤吐出ヘッドによりＬＣＤ基板Ｇの周縁に付着
した余分なレジストを除去する周縁レジスト除去装置
（ＥＲ）２３ｃとがその順に配置されている。レジスト
処理ユニット２３内には、これらレジスト塗布処理装置
（ＣＴ）２３ａ、減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂ、周縁レ
ジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃの間でＬＣＤ基板Ｇを搬
送する搬送アームが設けられている。

【００１６】図２は第１の熱的処理ユニットセクション
２６の側面図であり、第１の熱的処理ユニットセクショ
ン２６は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニ
ットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロ
ック（ＴＢ）３１・３２を有している。熱的処理ユニッ
トブロック（ＴＢ）３１はスクラブ洗浄処理ユニット
（ＳＣＲ）２１側に設けられ、熱的処理ユニットブロッ
ク（ＴＢ）３２はレジスト処理ユニット２３側に設けら
れており、これら２つの熱的処理ユニットブロック（Ｔ
Ｂ）３１・３２の間に第１の搬送装置３３が設けられて
いる。

【００１７】熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１
は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニ
ット（ＰＡＳＳ）６１、ＬＣＤ基板Ｇに対して脱水ベー
ク処理を行う２つの脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６２
・６３、ＬＣＤ基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドヒ
ージョン処理ユニット（ＡＤ）６４が４段に積層された
構成を有している。また、熱的処理ユニットブロック
（ＴＢ）３２は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを
行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６５、ＬＣＤ基板Ｇを冷
却する２つのクーリングユニット（ＣＯＬ）６６・６
７、ＬＣＤ基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドヒージ
ョン処理ユニット（ＡＤ）６８が４段に積層されて構成
を有している。

【００１８】第１の搬送装置３３は、パスユニット（Ｐ
ＡＳＳ）６１を介してのスクラブ洗浄処理ユニット（Ｓ
ＣＲ）２１からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処
理ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、およびパスユニ
ット（ＰＡＳＳ）６５を介してのレジスト処理ユニット
２３へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行う。

【００１９】第１の搬送装置３３は、上下に延びるガイ
ドレール９１と、ガイドレールに沿って昇降する昇降部
材９２と、昇降部材９２上を旋回可能に設けられたベー
ス部材９３と、ベース部材９３上を前進後退可能に設け
られ、ＬＣＤ基板Ｇを保持する基板保持アーム９４とを
有している。そして、昇降部材９２の昇降はモータ９５
によって行われ、ベース部材９３の旋回はモータ９６に
よって行われ、基板保持アーム９４の前後動はモータ９
７によって行われる。このように第１の搬送装置３３
は、上下動、前後動、旋回動可能であり、熱的処理ユニ
ットブロック（ＴＢ）３１・３２のいずれのユニットに
もアクセスすることができる。

【００２０】第２の熱的処理ユニットセクション２７
は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが
積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック
（ＴＢ）３４・３５を有しており、熱的処理ユニットブ
ロック（ＴＢ）３４はレジスト処理ユニット２３側に設
けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は現像
処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられている。そし
て、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３
４・３５の間に第２の搬送装置３６が設けられている。

【００２１】図３は第２の熱的処理ユニットセクション
２７の側面図であり、熱的処理ユニットブロック（Ｔ
Ｂ）３４は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行う
パスユニット（ＰＡＳＳ）６９とＬＣＤ基板Ｇに対して
プリベーク処理を行う３つのプリベークユニット（ＰＲ
ＥＢＡＫＥ）７０・７１・７２が４段に積層された構成
となっている。また、熱的処理ユニットブロック（Ｔ
Ｂ）３５は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行う
パスユニット（ＰＡＳＳ）７３、ＬＣＤ基板Ｇを冷却す
るクーリングユニット（ＣＯＬ）７４、ＬＣＤ基板Ｇに
対してプリベーク処理を行う２つのプリベークユニット
（ＰＲＥＢＡＫＥ）７５・７６が４段に積層された構成
となっている。

【００２２】第２の搬送装置３６は、パスユニット（Ｐ
ＡＳＳ）６９を介してのレジスト処理ユニット２３から
のＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間の
ＬＣＤ基板Ｇの搬入出、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３
を介しての現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へのＬＣＤ
基板Ｇの受け渡し、および後述するインターフェイスス
テーション３の基板受け渡し部であるエクステンション
・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に対する
ＬＣＤ基板Ｇの受け渡しおよび受け取りを行う。なお、
第２の搬送装置３６は、第１の搬送装置３３と同じ構造
を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４
・３５のいずれのユニットにもアクセス可能である。

【００２３】第３の熱的処理ユニットセクション２８
は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが
積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック
（ＴＢ）３７・３８を有しており、熱的処理ユニットブ
ロック（ＴＢ）３７は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４
側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８
はカセットステーション１側に設けられている。そし
て、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３
７・３８の間に第３の搬送装置３９が設けられている。

【００２４】図４は第３の熱的処理ユニットセクション
２８の側面図であり、熱的処理ユニットブロック（Ｔ
Ｂ）３７は、下から順に、ＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行
うパスユニット（ＰＡＳＳ）７７、ＬＣＤ基板Ｇに対し
てポストベーク処理を行う３つのポストベークユニット
（ＰＯＢＡＫＥ）７８・７９・８０が４段に積層された
構成を有している。また、熱的処理ユニットブロック
（ＴＢ）３８は、下から順に、ポストベークユニット
（ＰＯＢＡＫＥ）８１、ＬＣＤ基板Ｇの受け渡しおよび
冷却を行うパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯ
Ｌ）８２、ＬＣＤ基板Ｇに対してポストベーク処理を行
う２つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８３・
８４が４段に積層された構成を有している。

【００２５】第３の搬送装置３９は、パスユニット（Ｐ
ＡＳＳ）７７を介してのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−Ｕ
Ｖ）２５からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理
ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、パス・クーリング
ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２を介してのカセット
ステーション１へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行う。な
お、第３の搬送装置３９も第１の搬送装置３３と同じ構
造を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３
７・３８のいずれのユニットにもアクセス可能である。

【００２６】処理ステーション２では、以上のように２
列の搬送ラインＡ・Ｂを構成するように、かつ基本的に
処理の順になるように各処理ユニットおよび搬送装置が
配置されており、これら搬送ラインＡ・Ｂ間には空間４
０が設けられている。そして、この空間４０を往復動可
能にシャトル（基板載置部材）４１が設けられている。
このシャトル４１はＬＣＤ基板Ｇを保持可能に構成され
ており、シャトル４１を介して搬送ラインＡ・Ｂ間でＬ
ＣＤ基板Ｇの受け渡しが行われる。シャトル４１に対す
るＬＣＤ基板Ｇの受け渡しは、上記第１から第３の搬送
装置３３・３６・３９によって行われる。

【００２７】インターフェイスステーション３は、処理
ステーション２と露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの搬
入出を行う搬送装置４２と、バッファーカセットを配置
するバッファーステージ（ＢＵＦ）４３と、冷却機能を
備えた基板受け渡し部であるエクステンション・クーリ
ングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４とを有しており、
タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）と
が上下に積層された外部装置ブロック４５が搬送装置４
２に隣接して設けられている。搬送装置４２は搬送アー
ム４２ａを備え、この搬送アーム４２ａにより処理ステ
ーション２と露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出
が行われる。

【００２８】このように構成されたレジスト塗布・現像
処理システム１００においては、まず、カセットステー
ション１の載置台９に配置されたカセットＣ内のＬＣＤ
基板Ｇが、搬送装置１１により処理ステーション２のエ
キシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２に直接搬入さ
れ、スクラブ前処理が行われる。次いで、搬送装置１１
により、ＬＣＤ基板Ｇがスクラブ洗浄処理ユニット（Ｓ
ＣＲ）２１に搬入され、スクラブ洗浄される。スクラブ
洗浄処理後、ＬＣＤ基板Ｇは例えばコロ搬送により第１
の熱的処理ユニットセクション２６に属する熱的処理ユ
ニットブロック（ＴＢ）３１のパスユニット（ＰＡＳ
Ｓ）６１に搬出される。

【００２９】パスユニット（ＰＡＳＳ）６１に配置され
たＬＣＤ基板Ｇは、最初に、熱的処理ユニットブロック
（ＴＢ）３１の脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６２・６
３のいずれかに搬送されて加熱処理され、次いで熱的処
理ユニットブロック（ＴＢ）３２のクーリングユニット
（ＣＯＬ）６６・６７のいずれかに搬送されて冷却され
た後、レジストの定着性を高めるために熱的処理ユニッ
トブロック（ＴＢ）３１のアドヒージョン処理ユニット
（ＡＤ）６４、および熱的処理ユニットブロック（Ｔ
Ｂ）３２のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６８の
いずれかに搬送され、そこでＨＭＤＳによりアドヒージ
ョン処理（疎水化処理）される。その後、ＬＣＤ基板Ｇ
は、クーリングユニット（ＣＯＬ）６６・６７のいずれ
かに搬送されて冷却され、さらに熱的処理ユニットブロ
ック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５に搬
送される。このような一連の処理を行う際のＬＣＤ基板
Ｇの搬送処理は、全て第１の搬送装置３３によって行わ
れる。

【００３０】パスユニット（ＰＡＳＳ）６５に配置され
たＬＣＤ基板Ｇは、レジスト処理ユニット２３の搬送ア
ームによりレジスト処理ユニット２３内へ搬入される。
ＬＣＤ基板Ｇは、レジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａ
においてレジスト液がスピン塗布された後に減圧乾燥装
置（ＶＤ）２３ｂに搬送されて減圧乾燥され、さらに周
縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃに搬送されてＬＣＤ
基板Ｇ周縁の余分なレジストが除去される。そして、周
縁レジスト除去終了後、ＬＣＤ基板Ｇは搬送アームによ
りレジスト処理ユニット２３から、第２の熱的処理ユニ
ットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック
（ＴＢ）３４のパスユニット（ＰＡＳＳ）６９に受け渡
される。

【００３１】パスユニット（ＰＡＳＳ）６９に配置され
たＬＣＤ基板Ｇは、第２の搬送装置３６により、熱的処
理ユニットブロック（ＴＢ）３４のプリベークユニット
（ＰＲＥＢＡＫＥ）７０・７１・７２および熱的処理ユ
ニットブロック（ＴＢ）３５のプリベークユニット（Ｐ
ＲＥＢＡＫＥ）７５・７６のいずれかに搬送されてプリ
ベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（Ｔ
Ｂ）３５のクーリングユニット（ＣＯＬ）７４に搬送さ
れて所定温度に冷却される。そして、第２の搬送装置３
６により、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３
５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３に搬送される。

【００３２】その後、ＬＣＤ基板Ｇは第２の搬送装置３
６によりインターフェイスステーション３のエクステン
ション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４へ
搬送され、インターフェイスステーション３の搬送装置
４２により外部装置ブロック４５の周辺露光装置（Ｅ
Ｅ）に搬送されて周辺レジスト除去のための露光が行わ
れ、次いで搬送装置４２により露光装置４に搬送されて
そこでＬＣＤ基板Ｇ上のレジスト膜が露光されて所定の
パターンが形成される。場合によってはバッファーステ
ージ（ＢＵＦ）４３上のバッファカセットにＬＣＤ基板
Ｇを収容してから露光装置４に搬送される。

【００３３】露光終了後、ＬＣＤ基板Ｇはインターフェ
イスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロ
ック４５の上段のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入さ
れてＬＣＤ基板Ｇに所定の情報が記された後、エクステ
ンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４
に載置される。ＬＣＤ基板Ｇは、第２の搬送装置３６に
より、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ
・ＣＯＬ）４４から第２の熱的処理ユニットセクション
２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５の
パスユニット（ＰＡＳＳ）７３へ搬送される。

【００３４】パスユニット（ＰＡＳＳ）７３に搬入され
たＬＣＤ基板Ｇは、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４を
介してパスユニット（ＰＡＳＳ）７３とｉ線ＵＶ照射ユ
ニット（ｉ−ＵＶ）２５との間に連続して設けられた搬
送機構、例えば、コロ搬送機構を動作させることによ
り、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へ搬入され、そこ
で現像処理が施される。この現像処理工程については後
に詳細に説明することとする。

【００３５】現像処理が終了したＬＣＤ基板Ｇは、コロ
搬送機構によって現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４から
ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送され、そ
こでＬＣＤ基板Ｇに対して脱色処理が施される。その
後、ＬＣＤ基板Ｇはｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）
２５内のコロ搬送機構により第３の熱的処理ユニットセ
クション２８に属する熱的処理ユニットブロック（Ｔ
Ｂ）３７のパスユニット（ＰＡＳＳ）７７に搬出され
る。

【００３６】パスユニット（ＰＡＳＳ）７７に配置され
たＬＣＤ基板Ｇは、第３の搬送装置３９により熱的処理
ユニットブロック（ＴＢ）３７のポストベークユニット
（ＰＯＢＡＫＥ）７８・７９・８０および熱的処理ユニ
ットブロック（ＴＢ）３８のポストベークユニット（Ｐ
ＯＢＡＫＥ）８１・８３・８４のいずれかに搬送されて
ポストベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロッ
ク（ＴＢ）３８のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ
・ＣＯＬ）８２に搬送されて所定温度に冷却された後、
カセットステーション１の搬送装置１１によって、カセ
ットステーション１に配置されている所定のカセットＣ
に収容される。

【００３７】次に、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の
構造について詳細に説明する。図５は現像処理ユニット
（ＤＥＶ）２４の概略構造を示す側面図であり、図６は
概略平面図である。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４
は、導入ゾーン２４ａ、第１の現像液供給ゾーン２４
ｂ、第２の現像液供給ゾーン２４ｃ、第１リンスゾーン
２４ｄ、第２リンスゾーン２４ｅ、乾燥ゾーン２４ｆか
ら構成されており、導入ゾーン２４ａは熱的処理ユニッ
トブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７
３に隣接し、乾燥ゾーン２４ｆはｉ線ＵＶ照射ユニット
（ｉ−ＵＶ）２５に隣接している。

【００３８】パスユニット（ＰＡＳＳ）７３とｉ線ＵＶ
照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５の間には、ＬＣＤ基板Ｇ
の裏面の中央部に当接する第１コロ（ローラ、車輪）１
７ａと、ＬＣＤ基板の裏面のＹ方向端部に当接する第２
コロ１７ｂが、所定間隔で配置され、これら第１コロ１
７ａと第２コロ１７ｂの中心をＹ方向に延在する枢軸１
３が貫通し、モータ等を駆動してこの枢軸１３を回転さ
せることによって第１コロ１７ａと第２コロ１７ｂを回
転させ、第１コロ１７ａと第２コロ１７ｂに接したＬＣ
Ｄ基板Ｇを所定方向（Ｘ方向）へ搬送するコロ搬送機構
１４が設けられている。

【００３９】後に図７を参照しながら説明するように、
現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、第１コロ１７ａ
の直径が第２コロ１７ｂの直径よりも長くなっており、
ＬＣＤ基板Ｇは、その中央部の高さ位置と対向する１組
の端辺（Ｙ方向端面）の高さ位置とが異なるように断面
略弓形に撓ませられた状態で搬送される。

【００４０】なお、図６にはコロ搬送機構１４は図示し
ていない。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、コロ
搬送機構１４をＬＣＤ基板Ｇの搬送速度が異なる領域に
分割して設け、その領域ごとに独立して駆動してもよ
い。例えば、ＬＣＤ基板Ｇが、パスユニット（ＰＡＳ
Ｓ）７３と導入ゾーン２４ａでは駆動源である第１のモ
ータ（図示せず）の駆動によって搬送され、第１の現像
液供給ゾーン２４ｂと第２の現像液供給ゾーン２４ｃで
は第２のモータ（図示せず）の駆動によって搬送され、
第１リンスゾーン２４ｄから乾燥ゾーン２４ｆの間では
第３のモータ（図示せず）の駆動によって搬送されるよ
うに、コロ搬送機構１４を構成することができる。この
ようなコロ搬送機構１４の分割駆動は、例えば、現像処
理ユニット（ＤＥＶ）２４を構成するゾーン毎に行うこ
ともできる。

【００４１】パスユニット（ＰＡＳＳ）７３は昇降自在
なリフトピン１６を具備している。ＬＣＤ基板Ｇを保持
した第２の搬送装置３６の基板保持アーム９４がパスユ
ニット（ＰＡＳＳ）７３内に進入した状態でリフトピン
１６を上昇させると、ＬＣＤ基板Ｇは基板保持アーム９
４からリフトピン１６に受け渡される。続いて、基板保
持アーム９４をパスユニット（ＰＡＳＳ）７３から退出
させた後にリフトピン１６を降下させると、ＬＣＤ基板
Ｇはパスユニット（ＰＡＳＳ）７３内の第１コロ１７ａ
および第２コロ１７ｂ上に載置される。コロ搬送機構１
４を動作させることによって、ＬＣＤ基板Ｇはパスユニ
ット（ＰＡＳＳ）７３から導入ゾーン２４ａへ搬出され
る。

【００４２】導入ゾーン２４ａは、パスユニット（ＰＡ
ＳＳ）７３と第１の現像液供給ゾーン２４ｂとの間の緩
衝領域として設けられているものであり、この導入ゾー
ン２４ａは、第１の現像液供給ゾーン２４ｂからパスユ
ニット（ＰＡＳＳ）７３へ現像液が飛散する等して、パ
スユニット（ＰＡＳＳ）７３が汚染されるのを防止す
る。

【００４３】第１の現像液供給ゾーン２４ｂは、導入ゾ
ーン２４ａから搬送されてきたＬＣＤ基板Ｇに最初の現
像液の液盛り（パドル形成）を行うゾーンであり、ＬＣ
Ｄ基板Ｇに対して現像液を塗布する主現像液吐出ノズル
５１ａと副現像液吐出ノズル５１ｂ（以下「現像ノズル
５１ａ・５１ｂ」という）の２本のノズルと、Ｘ方向に
延在するガイドレール５９と、ガイドレール５９と嵌合
しているスライドアーム５８と、スライドアーム５８を
ガイドレール５９に沿ってＸ方向へ移動させる駆動機構
（図示せず）と、スライドアーム５８に取り付けられた
昇降機構（図示せず）とを有しており、現像ノズル５１
ａ・５１ｂはこの昇降機構に取り付けられて昇降自在と
なっている。

【００４４】現像ノズル５１ａ・５１ｂには現像液供給
源（図示せず）から現像液が供給されるようになってお
り、例えば、昇降機構によって現像ノズル５１ａ・５１
ｂとＬＣＤ基板Ｇとの間隔を調整した後に、ＬＣＤ基板
Ｇの搬送方向とは逆の方向に現像ノズル５１ａ・５１ｂ
を移動させながら現像ノズル５１ａ・５１ｂから現像液
をＬＣＤ基板Ｇに吐出することで、ＬＣＤ基板Ｇに現像
液を塗布することができるようになっている。このと
き、ＬＣＤ基板Ｇ上に現像液のパドルを安定して形成す
るためには、ＬＣＤ基板Ｇはコロ搬送機構１４の動作を
停止して静止させた状態とすることが好ましい。

【００４５】現像ノズル５１ａ・５１ｂとしては、ＬＣ
Ｄ基板Ｇの幅方向（Ｙ方向）に長く（図６参照）、その
下端には長手方向に沿ってスリット状の吐出口が形成さ
れ、そのスリット状の吐出口から略帯状に現像液を吐出
することができる構造のものが好適に用いられる。現像
ノズル５１ａ・５１ｂには、スリット状の吐出口に代え
て複数の円形吐出口が所定間隔で複数形成されているも
のを用いることもできる。

【００４６】第１の現像液供給ゾーン２４ｂで現像液が
液盛りされたＬＣＤ基板Ｇを第１リンスゾーン２４ｄへ
搬送する間に、ＬＣＤ基板Ｇ上から現像液がこぼれ落ち
る場合がある。第２の現像液供給ゾーン２４ｃでは、Ｌ
ＣＤ基板Ｇの搬送途中にＬＣＤ基板Ｇからこぼれ落ちる
現像液によって現像反応が進まなくなることを防止する
ために、新たにＬＣＤ基板Ｇに現像液を補充するように
現像液を塗布する。

【００４７】第２の現像液供給ゾーン２４ｃには、現像
ノズル５１ａ・５１ｂと同様の構造を有する現像液補充
ノズル５１ｃが、その長手方向がＹ方向となるとなるよ
うに固定して設けられている。現像液補充ノズル５１ｃ
からは、コロ搬送機構１４によって搬送されるＬＣＤ基
板Ｇ上に所定量の現像液が略帯状に吐出される。なお、
この第２の現像液供給ゾーン２４ｃは必須なものではな
い。

【００４８】ＬＣＤ基板Ｇの現像反応は、第１の現像液
供給ゾーン２４ｂから第１リンスゾーン２４ｄに搬送さ
れる間に行われる。第１リンスゾーン２４ｄにおいて
は、ＬＣＤ基板Ｇの表面に純水等のリンス液を吐出し
て、ＬＣＤ基板Ｇ上の現像液を流し出す。また、第２リ
ンスゾーン２４ｅにおいては、さらにＬＣＤ基板Ｇの表
面に純水等のリンス液を吐出して、ＬＣＤ基板Ｇの現像
液残渣を除去するように精密なリンス処理を行う。

【００４９】第１リンスゾーン２４ｄにはリンスノズル
５２ａがＬＣＤ基板Ｇの裏面側と表面側に設けられ、第
２リンスゾーンにはリンスノズル５２ｂがＬＣＤ基板Ｇ
の裏面側と表面側に設けられている。リンスノズル５２
ａ・５２ｂとしては、搬送されるＬＣＤ基板Ｇ全体にリ
ンス液を吐出できるように、ＬＣＤ基板Ｇの幅方向（Ｙ
方向）に長く、略帯状にリンス液を吐出するものを用い
ることが好ましい。

【００５０】リンスノズル５２ａ・５２ｂからは、超音
波を印加した純水を吐出したり、またはガス圧によって
吐出圧を高めて純水を吐出したり、あるいはスプレー状
に純水を吐出したりすることができる。第１リンスゾー
ン２４ｄと第２リンスゾーン２４ｅは、１箇所のリンス
ゾーンとして構成することが可能である。

【００５１】第２リンスゾーン２４ｅを通過したＬＣＤ
基板Ｇが搬送される乾燥ゾーン２４ｆには、所定の風圧
で窒素ガス等の乾燥ガスを噴射するエアーナイフ５３ａ
が設けられている。乾燥ゾーン２４ｆにおいては、ＬＣ
Ｄ基板Ｇを所定速度で搬送しながらＬＣＤ基板Ｇの表面
と裏面に乾燥ガスを噴射して、ＬＣＤ基板Ｇに付着した
リンス液を吹き飛ばしてＬＣＤ基板Ｇを乾燥する。

【００５２】エアーナイフ５３ａはＬＣＤ基板Ｇの幅よ
りも長い形状を有しており、ＬＣＤ基板Ｇの幅方向全体
に乾燥ガスを略帯状に噴射することができるようになっ
ている。エアーナイフ５３ａから乾燥ガスを噴射する向
きを鉛直方向から基板搬送方向の後方側に所定角度傾け
ることで、搬送されるＬＣＤ基板Ｇの後方にリンス液を
追い込むことができ、これによって効率的に乾燥処理を
行うことができる。乾燥処理が終了したＬＣＤ基板Ｇ
は、コロ搬送機構１４によりｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ
−ＵＶ）２５に搬送される。

【００５３】現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、導
入ゾーン２４ａから乾燥ゾーン２４ｆへと、ＬＣＤ基板
Ｇは、その中央部の高さ位置と対向する１組の端辺（Ｙ
方向端）の高さ位置とが異なるように断面略弓形に撓ま
された状態で水平方向（Ｘ方向）に搬送される。図７
は、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４におけるＬＣＤ基
板Ｇの搬送時の一形態を、乾燥ゾーン２４ｆを例として
示す正面図である。

【００５４】図７に示されるように、第１コロ１７ａの
直径が第２コロ１７ｂの直径よりも長いために、ＬＣＤ
基板Ｇはその中央部がＹ方向端よりも高くなるような凸
型に撓む。なお、図７中の符号１９が示すコロは、ＬＣ
Ｄ基板ＧがＹ方向へずれないようにＬＣＤ基板ＧのＹ方
向端をブロックするガイドとしての役割を担っている。
また、図７中の符号４９が示す基台は枢軸１３を保持す
る部材である。ＬＣＤ基板Ｇを凸型に撓ませる場合に
は、第１コロ１７ａ間にＬＣＤ基板Ｇの裏面に当接する
第１コロ１７ａよりも直径の長い別のコロを設けてもよ
く、第１コロ１７ａと第２コロ１７ｂとの間にも、ＬＣ
Ｄ基板Ｇの裏面に当接するように、第１コロ１７ａより
も直径が短く、かつ、第２コロよりも直径の長いさらに
別のコロを設けてもよい。

【００５５】従来のように、ＬＣＤ基板Ｇを水平状態で
搬送しようとすると、例えば、ＬＣＤ基板Ｇに現像液が
液盛りされた状態と液盛りがされていない状態ではＬＣ
Ｄ基板Ｇに掛かる荷重が変わるために、搬送途中でＬＣ
Ｄ基板Ｇの撓み具合が変化してしまい、これによって処
理が不均一となる問題があった。しかし、図７に示すよ
うに、ＬＣＤ基板Ｇを強制的に撓ませた状態で搬送する
ことにより、搬送時のＬＣＤ基板Ｇの撓み形状の変化を
抑制することができる。これにより現像処理ユニット
（ＤＥＶ）２４での各処理をＬＣＤ基板Ｇ全体で均一に
行うことが可能となる。

【００５６】ＬＣＤ基板を凸型に撓ませた場合には、特
にリンス工程においてはリンス液と現像液がＬＣＤ基板
Ｇから流れ落ち易いために、現像液残渣を低減する処理
を行うことが可能となる。また、乾燥工程においてはＬ
ＣＤ基板Ｇからリンス液が除去し易いために、乾燥処理
の効率を高めて処理時間を短縮することが可能となる。
図７に示されるように、エアーナイフ５３ａの下面はＬ
ＣＤ基板Ｇの曲面に沿ってカーブした形状を有してい
る。このようにエアーナイフ５３ａの下面の形状をＬＣ
Ｄ基板Ｇの表面の曲面形状に対応させることで、ＬＣＤ
基板Ｇの表面に均等な圧力の乾燥ガスを吹き付けること
ができる。

【００５７】なお、リンスノズル５２ａ・５２ｂについ
ても、エアーナイフ５３ａと同様に、ＬＣＤ基板Ｇの曲
面形状に沿った形状を有するものを用いることが好まし
い。こうしてＬＣＤ基板Ｇとリンス液の吐出口との距離
を一定とすることにより、ＬＣＤ基板Ｇに同等圧力のリ
ンス液をあてて、ＬＣＤ基板Ｇを均一にリンス処理する
ことが可能となる。

【００５８】一方で、ＬＣＤ基板を凸型に撓ませた場合
には、ＬＣＤ基板Ｇに現像液を液盛りする際に現像液が
ＬＣＤ基板Ｇから流れ落ちやすくなるおそれがある。こ
のために、例えば、ＬＣＤ基板Ｇの中央部とＹ方向端と
の高さの差を、第１および第２の現像液供給ゾーン２４
ｂ・２４ｃではＬＣＤ基板Ｇから現像液が流れ落ち難い
ように小さくし、第１・第２リンスゾーン２４ｄ・２４
ｅおよび乾燥ゾーン２４ｆでは現像液やリンス液が流れ
落ちやすいように大きくしてもよい。

【００５９】上述した現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４
においては、ＬＣＤ基板Ｇを水平方向に搬送する際に第
１コロ１７ａおよび第２コロ１７ｂとＬＣＤ基板Ｇとの
間がスリップしてＬＣＤ基板Ｇが一定速度で搬送されな
くなるのを防止するために、例えば、図８の正面図に示
すように、コロ搬送機構１４にＬＣＤ基板ＧのＹ方向端
においてＬＣＤ基板Ｇを表面側から所定の圧力で押圧す
る回転自在な押圧ローラ１８を設けることも好ましい。
押圧ローラ１８は、押圧ローラ１８の中心を貫通して保
持する保持部材４６と、保持部材４６に所定の圧力を印
加するバネ４７と、Ｙ方向端に配置されたバネ４７を保
持する水平支持体４８とを有している。

【００６０】水平支持体４８は、例えば、ゾーン毎に設
けることができる。この水平支持体４８の高さ位置と、
バネ４７のバネ定数とを適宜好適な条件に設定すること
によって、押圧ローラ１８からＬＣＤ基板Ｇへ常にほぼ
一定の押圧力でＬＣＤ基板Ｇを押圧できる。したがっ
て、押圧ローラ１８を用いることによって、ＬＣＤ基板
Ｇの一部が破損したりすることはない。

【００６１】パスユニット（ＰＡＳＳ）７３やｉ線ＵＶ
照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５におけるコロ搬送機構１
４に押圧ローラ１８を設ける場合には、水平支持体４８
を押圧ローラ１８とともに昇降可能としておく。パスユ
ニット（ＰＡＳＳ）７３にＬＣＤ基板Ｇを搬入する際や
ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５からＬＣＤ基板
Ｇを搬出する際には、押圧ローラ１８を上方に退避させ
ておけばよい。

【００６２】次に、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４に
おける現像処理工程について説明する。先ずコロ搬送機
構１４を動作させて、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３に
搬入されたＬＣＤ基板Ｇを導入ゾーン２４ａを通過させ
て第１の現像液供給ゾーン２４ｂに搬入する。このパス
ユニット（ＰＡＳＳ）７３から第１の現像液供給ゾーン
２４ｂへのＬＣＤ基板Ｇの搬送速度は、例えば６５ｍｍ
／秒とする。

【００６３】第１の現像液供給ゾーン２４ｂにおいて
は、ＬＣＤ基板Ｇを所定位置で停止させて静止状態に保
持し、現像ノズル５１ａ・５１ｂを、例えば、２４０ｍ
ｍ／秒という高速で基板搬送方向の前方から後方へ向け
て移動させながらＬＣＤ基板Ｇの表面に現像液を塗布す
る。ＬＣＤ基板Ｇを停止させた状態とすることで、現像
ノズル５１ａ・５１ｂの駆動制御が容易となる。また、
安定して現像液をＬＣＤ基板上に液盛りすることができ
る。

【００６４】コロ搬送機構１４を動作させて、第１の現
像液供給ゾーン２４ｂにおいて現像液が液盛りされたＬ
ＣＤ基板Ｇを、例えば、４６ｍｍ／秒の搬送速度で第２
の現像液供給ゾーン２４ｃへ搬送する。ＬＣＤ基板Ｇが
第２の現像液供給ゾーン２４ｃを通過する際には、現像
液補充ノズル５１ｃからＬＣＤ基板Ｇ上に現像液が補充
され、ＬＣＤ基板Ｇの搬送時にＬＣＤ基板Ｇからこぼれ
落ちる現像液が補充される。

【００６５】引き続いて、ＬＣＤ基板Ｇを、例えば４６
ｍｍ／秒の搬送速度で第１リンスゾーン２４ｄに搬送す
る。第１リンスゾーン２４ｄでは、ＬＣＤ基板Ｇをこの
搬送速度で搬送しながらＬＣＤ基板Ｇの表面と裏面にリ
ンス液を吐出する。こうして、ＬＣＤ基板Ｇ上の現像液
は、吐出されたリンス液とともにＬＣＤ基板Ｇから流れ
落ちて除去される。第１リンスゾーン２４ｄを通過した
ＬＣＤ基板Ｇは第２リンスゾーン２４ｅに搬入される
が、ここでも第１リンスゾーン２４ｄと同様のリンス処
理が行われ、現像液や現像反応による溶解生成物を完全
に除去する。第２リンスゾーン２４ｅにおいては、ＬＣ
Ｄ基板Ｇの搬送速度を、例えば、第１リンスゾーン２４
ｄにおける搬送速度よりも遅い３６ｍｍ／秒として、よ
り精密なリンス処理を行うことが好ましい。

【００６６】第２リンスゾーン２４ｅを通過したＬＣＤ
基板Ｇは乾燥ゾーン２４ｆに搬入される。乾燥ゾーン２
４ｆでは、例えば４６ｍｍ／秒の搬送速度でＬＣＤ基板
Ｇを搬送しながら、エアーナイフ５３ａから窒素ガス等
の乾燥ガスが吐出されて、乾燥処理が行われる。乾燥処
理が終了したＬＣＤ基板Ｇは、コロ搬送機構１４により
ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送され、そ
こで所定の紫外線照射処理が施された後にｉ線ＵＶ照射
ユニット（ｉ−ＵＶ）２５から搬出される。

【００６７】次に、ＬＣＤ基板Ｇを断面略弓形に撓ませ
て搬送する別の形態について説明する。図９は、現像処
理ユニット（ＤＥＶ）２４におけるＬＣＤ基板Ｇの搬送
時の別の形態を、乾燥ゾーン２４ｆを例として示す正面
図である。図９に示すように、現像処理ユニット（ＤＥ
Ｖ）２４においては、ＬＣＤ基板Ｇをその中央部がＹ方
向端よりも低くなるような凹型に撓ませて、導入ゾーン
２４ａから乾燥ゾーン２４ｆへと搬送してもよい。

【００６８】ＬＣＤ基板Ｇを凹型に撓ませるためには、
ＬＣＤ基板Ｇの中央部の裏面に当接する第１コロ１７ａ
´の直径をＬＣＤ基板ＧのＹ方向端面近傍の裏面に当接
する第２コロ１７ｂ´の直径よりも短くすればよい。こ
の場合に、第１コロ１７ａ´間にＬＣＤ基板Ｇの裏面に
当接する第１コロ１７ａ´よりも直径の短い別のコロを
設けてもよく、第１コロ１７ａ´と第２コロ１７ｂ´と
の間にＬＣＤ基板Ｇの裏面に当接するように第１コロ１
７ａ´よりも直径が長く、かつ、第２コロ１７ｂ´より
も直径の短いさらに別のコロを設けてもよい。

【００６９】ＬＣＤ基板Ｇを凹型に撓ませた場合には、
ＬＣＤ基板Ｇに現像液を液盛りした際に現像液のＬＣＤ
基板Ｇ上での保持が容易となる。一方で、リンス工程や
乾燥工程においては、現像液やリンス液がＬＣＤ基板Ｇ
の中央部に滞留しやすくなるおそれがある。

【００７０】このために、乾燥ゾーン２４ｆには、乾燥
ガスを噴射するガス噴射口の形成された下面が、ＬＣＤ
基板Ｇの曲面に沿ってカーブした形状を有しているエア
ーナイフ５３ｂを設けることが好ましい。同様に、リン
スノズル５２ａ・５２ｂについても、エアーナイフ５３
ｂと同様の形状を有するものを用いることが好ましく、
この場合には、リンス液を吐出する向きを鉛直方向に対
して基板搬送方向の後方側に所定角度傾けることによっ
て、現像液やリンス液を搬送されるＬＣＤ基板Ｇの後方
に追い込んで、基板Ｇの後方から多く流れ落ちるように
するとよい。

【００７１】図１０は、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２
４の別の実施形態（以下、「現像処理ユニット（ＤＥ
Ｖ）２４´」とする）を示す側面図であり、図１１は図
１０に示される移動ステージ８５の概略斜視図である。
現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４´においては、ＬＣＤ
基板Ｇを移動ステージ８５に載置した状態で、移動ステ
ージ８５をパスユニット（ＰＡＳＳ）７３からｉ線ＵＶ
照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５へ移動させつつ現像処理
を行う。

【００７２】ＬＣＤ基板Ｇを載置する移動ステージ８５
は脚部８６によって支持され、脚部８６の下部は、パス
ユニット（ＰＡＳＳ）７３とｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ
−ＵＶ）２５との間に直線的に設けられたガイドレール
８７と嵌合している。脚部８６は、例えば、ベルト搬送
機構等の搬送機構８８によってガイドレール８７に沿っ
て移動可能となっている。つまり、搬送機構８８を駆動
することによって移動ステージ８５をパスユニット（Ｐ
ＡＳＳ）７３とｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５
との間で往復移動させることができるようになってい
る。

【００７３】移動ステージ８５がパスユニット（ＰＡＳ
Ｓ）７３またはｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５
の所定位置にあるときには、リフトピン１６が移動ステ
ージ８５を貫通して昇降できるように、移動ステージ８
５には図示しない貫通孔が形成されている。リフトピン
１６の先端が移動ステージ８５の下面よりも低い位置に
ある状態で、移動ステージ８５は移動可能となるように
搬送機構８８を制御することも好ましい。

【００７４】図１１に示すように、移動ステージ８５の
表面はその中央部がＹ方向端よりも高くなるように凸型
に形成にされており、ＬＣＤ基板Ｇを移動ステージ８５
に載置すると、移動ステージ８５の表面形状に対応して
凸型に撓まされた状態で保持される。移動ステージ８５
におけるＬＣＤ基板Ｇの保持方法の１つとして、ＬＣＤ
基板Ｇの周縁部やＬＣＤ基板Ｇに形成された複数のパタ
ーンの間隙部を真空吸着する等して保持する方法が挙げ
られる。また、移動ステージ８５の表面に所定長さ、例
えば、数ｍｍ長さの支持ピンを所定位置に配置して、Ｌ
ＣＤ基板Ｇの自重を利用して支持ピンによってＬＣＤ基
板Ｇを保持する方法や、移動ステージ８５の表面に直接
に載置する方法を用いることもできる。

【００７５】ＬＣＤ基板Ｇを凸型に撓ませて保持する場
合には、移動ステージ８５の表面の広さを、図１１に示
すように、ＬＣＤ基板Ｇの周縁部が移動ステージ８５か
らはみ出るように小さく設定すると、現像液やリンス液
がＬＣＤ基板Ｇの裏面に回り込み難くなる。移動ステー
ジ８５の表面の広さがＬＣＤ基板Ｇの大きさと同等以上
となると、移動ステージ８５の表面を伝って現像液やリ
ンス液がＬＣＤ基板Ｇの裏面に回り込み易くなる。この
ため、移動ステージ８５の表面の広さはＬＣＤ基板Ｇよ
りも小さく設定することが好ましい。

【００７６】現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４´におい
ては、ＬＣＤ基板Ｇをその中央部がＹ方向端よりも低く
なるような凹型に撓ませた状態に保持して搬送してもよ
い。図１２は移動ステージ８５の別の実施形態を示す概
略斜視図であり、移動ステージ８５´のように、その中
央部がＹ方向端よりも低くなるような凹型の表面を形成
することによって、ＬＣＤ基板Ｇを凹型に撓ませて保持
できる。

【００７７】移動ステージ８５´におけるＬＣＤ基板Ｇ
の保持方法としては、前述した真空吸着を用いる方法等
をそのまま適用することができる。また、移動ステージ
８５´の表面の広さは、ＬＣＤ基板Ｇの広さよりも狭く
することが好ましい。移動ステージ８５´がＬＣＤ基板
Ｇよりも広いと、ＬＣＤ基板Ｇから移動ステージ８５´
の表面に流れ落ちた現像液やリンス液等がＬＣＤ基板Ｇ
の裏面側に回り込んでしまうために、後にＬＣＤ基板Ｇ
の裏面の洗浄工程が必要となるからである。

【００７８】現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４´におけ
る現像処理工程は、例えば、以下のようにして行われ
る。最初に、ＬＣＤ基板Ｇをパスユニット（ＰＡＳＳ）
７３に搬入して移動ステージ８５に保持させる。次に、
移動ステージ８５をガイドレール８７に沿って移動させ
つつ、第１の現像液供給ゾーン２４ｂでは移動ステージ
８５に保持されたＬＣＤ基板Ｇに現像液を液盛りし、第
２の現像液供給ゾーン２４ｃではさらにＬＣＤ基板Ｇに
現像液を補充し、第１リンスゾーン２４ｄおよび第２リ
ンスゾーン２４ｅではリンス処理を施し、乾燥ゾーン２
４ｆでは乾燥処理を施す。これら一連の処理が終了した
ＬＣＤ基板Ｇを移動ステージ８５に載置した状態でｉ線
ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬入して、そこで
所定の紫外線照射処理を施し、ｉ線ＵＶ照射ユニット
（ｉ−ＵＶ）２５から搬出する。

【００７９】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではな
い。例えば、第１および第２の現像液供給ゾーン２４ｂ
・２４ｃにおいてはＬＣＤ基板Ｇを凹型に撓ませた状態
で処理し、第１リンスゾーン２４ｄから乾燥ゾーン２４
ｆの間においてはＬＣＤ基板Ｇを凸型に撓ませて処理し
てもよい。ＬＣＤ基板Ｇを凹型に撓ませるとＬＣＤ基板
Ｇを搬送する際の直進性が向上するので、ＬＣＤ基板Ｇ
のＹ方向を案内するガイド１９を設けなくてもよく、第
１および第２の現像液供給ゾーン２４ｂ・２４ｃにおい
てＬＣＤ基板Ｇに液盛りされた現像液がガイド１９に吸
い寄せられてＬＣＤ基板Ｇからこぼれ落ちる可能性を低
減できる。また、ＬＣＤ基板Ｇを凸型に撓ませることに
より前述したようにＬＣＤ基板Ｇから現像液やリンス液
等が落ちやすくなるために、第１リンスゾーン２４ｄと
乾燥ゾーン２４ｆとの間の処理能力を向上させることが
できる。

【００８０】現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４におい
て、第２の現像液供給ゾーン２４ｃと第１リンスゾーン
２４ｄとの間に、ＬＣＤ基板Ｇに液盛りされた現像液を
回収するための現像液回収ゾーンを設けることも好まし
い。このような現像液回収ゾーンでは、例えば、ＬＣＤ
基板Ｇ全体を所定角度に傾けてＬＣＤ基板Ｇから現像液
を流し出し、ＬＣＤ基板Ｇから流れ落ちた現像液を回収
する。こうして回収された現像液は再利用に供すること
ができる。また、図１３の概略斜視図に示すように、Ｌ
ＣＤ基板Ｇの表面形状（撓み形状）に対応した形状を有
し、ＬＣＤ基板Ｇ上に液盛りされた現像液を吸引する吸
引口が下端面に形成された現像液吸引ノズル５４を、Ｌ
ＣＤ基板Ｇの表面との距離を一定に保持しながらＬＣＤ
基板Ｇ上をＸ方向にスキャンさせることで、ＬＣＤ基板
Ｇ上から現像液を除去することもできる。こうして、現
像液吸引ノズル５４によって回収された現像液は再利用
に供することができる。

【００８１】現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４´におい
て、現像ノズル５１ａ・５１ｂ、現像液補充ノズル５１
ｃ、リンスノズル５２ａ・５２ｂ、エアーナイフ５３ａ
をＸ方向に移動可能な構成として、移動ステージ８５の
移動距離を短くすると、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２
４´のフットプリントを小さくすることが可能となる。
また、移動ステージ８５を用いた場合には、ＬＣＤ基板
Ｇの裏面周縁部を洗浄・乾燥する処理ゾーンを設けるこ
とも好ましい。本発明の液処理装置は、現像処理ユニッ
ト（ＤＥＶ）２４に限定して適用されるものではなく、
例えば、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１にも
適用することが可能である。本発明はＬＣＤ基板Ｇに限
定して適用されるものではなく、ＬＣＤ以外の他の用途
に用いられるガラス基板や、半導体ウエハ、その他のセ
ラミックス基板等の液処理にも適用することができる。

【００８２】

【発明の効果】上述の通り、本発明の液処理装置および
液処理方法によれば、基板を予め撓ませた状態で搬送す
ることによって、基板への処理液の供給、基板上の処理
液の除去、基板の乾燥といった一連の液処理工程におい
て基板の撓みの変化を抑制することができる。このよう
に基板の姿勢を均一化することによって基板全体で均一
な液処理を行うことが可能となるため、処理ムラの発生
が抑制され、高い品質の処理基板を得ることできるよう
になるという効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液処理装置の一実施形態である現像処
理ユニットを具備するレジスト塗布・現像処理システム
の概略平面図。

【図２】図１に示したレジスト塗布・現像処理システム
の第１の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。

【図３】図１に示したレジスト塗布・現像処理システム
の第２の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。

【図４】図１に示したレジスト塗布・現像処理システム
の第３の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。

【図５】現像処理ユニットの一実施形態の概略側面図。

【図６】現像処理ユニットの一実施形態の概略平面図。

【図７】現像処理ユニットにおけるＬＣＤ基板の一搬送
形態を示す正面図。

【図８】現像処理ユニットにおけるＬＣＤ基板の搬送形
態を示す別の正面図。

【図９】現像処理ユニットにおけるＬＣＤ基板の別の搬
送形態を示す正面図。

【図１０】現像処理ユニットの別の実施形態の概略側面
図。

【図１１】移動ステージの一実施形態を示す概略斜視
図。

【図１２】移動ステージの別の実施形態を示す概略斜視
図。

【図１３】ＬＣＤ基板からの現像液の除去方法の一例を
示す説明図。

【符号の説明】

１；カセットステーション ２；処理ステーション ３；インターフェイスステーション １４；コロ搬送機構 １７ａ；第１コロ １７ｂ；第２コロ １８；押圧ローラ ２４；現像処理ユニット（ＤＥＶ） ２４ａ；導入ゾーン ２４ｂ；第１の現像液供給ゾーン ２４ｃ；第２の現像液供給ゾーン ２４ｄ；第１リンスゾーン ２４ｅ；第２リンスゾーン ２４ｆ；乾燥ゾーン ５１ａ・５１ｂ；現像ノズル ５２ａ・５２ｂ；リンスノズル ５３ａ・５３ｂ；エアーナイフ ５４；現像液吸引ノズル ８５・８５´；移動ステージ ８６；脚部 ８７；ガイドレール ８８；搬送機構 Ｇ……ＬＣＤ基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ６５Ｇ 49/06 Ｇ０３Ｆ 7/30 ５０１ ５Ｆ０４６ Ｇ０３Ｆ 7/30 ５０１ Ｈ０１Ｌ 21/68 Ａ Ｈ０１Ｌ 21/68 21/30 ５６９Ｄ Ｆターム(参考） 2H096 AA28 GA24 HA30 4D075 AC78 AC82 AC84 AE16 BB57Z BB65Y BB79Y CA47 DA06 DB13 DC24 EA05 EA07 EA45 4F041 AA02 AA05 AB02 BA14 BA59 CA02 CA28 4F042 AA02 AA10 BA06 BA08 BA14 CC03 CC09 DF07 DF09 DF20 DF27 5F031 CA05 GA53 MA23 5F046 CD01 CD05 CD08 LA11 LA14 LA18

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に所定の液処理を施す液処理装置で
   あって、 基板をその中央部の高さ位置と対向する１組の端辺の高
   さ位置とを異ならせてその断面を特定形状の略弓形に撓
   ませつつ略水平方向に搬送する基板搬送機構と、 前記基板搬送機構によって搬送される基板に所定の処理
   液を供給する処理液供給機構と、 を具備することを特徴とする液処理装置。
2. 【請求項２】 前記基板搬送機構は、 前記基板の中央部の裏面に当接する回転自在な第１ロー
   ラと、 前記基板の１組の端辺近傍の裏面に当接する前記第１ロ
   ーラとは外径の異なる第２ローラと、 前記第１ローラと前記第２ローラを回転させるローラ回
   転機構と、 を具備することを特徴とする請求項１に記載の液処理装
   置。
3. 【請求項３】 前記基板搬送機構は、 前記第２ローラとの間で前記基板を所定圧力で押圧して
   挟み込む回転自在な押圧ローラをさらに具備することを
   特徴とする請求項２に記載の液処理装置。
4. 【請求項４】 前記基板搬送機構によって搬送される基
   板に乾燥ガスを噴射して前記基板を乾燥させる基板乾燥
   機構をさらに具備することを特徴とする請求項１から請
   求項３のいずれか１項に記載の液処理装置。
5. 【請求項５】 前記基板乾燥機構は、前記基板搬送機構
   によって搬送される基板の曲面形状に対応した形状を有
   するガス噴射口が形成されたガス噴射ノズルを具備する
   ことを特徴とする請求項４に記載の液処理装置。
6. 【請求項６】 前記処理液供給機構によって前記処理液
   が液盛りされた基板から、前記基板表面の処理液を吸引
   して回収する処理液回収手段をさらに具備することを特
   徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の
   液処理装置。
7. 【請求項７】 前記処理液回収手段は、前記基板搬送機
   構によって搬送される基板の曲面形状に対応した形状を
   有する処理液吸引口が形成された処理液吸引ノズルを具
   備することを特徴とする請求項６に記載の液処理装置。
8. 【請求項８】 基板に所定の液処理を施す液処理装置で
   あって、 基板をその中央部の高さ位置と対向する１組の端辺の高
   さ位置とを異ならせてその断面を特定形状の略弓形に撓
   ませて保持する基板保持手段と、 前記基板保持手段を水平方向に移動させる搬送機構と、 前記搬送機構によって搬送される前記基板保持手段に保
   持された基板に所定の処理液を供給する処理液供給機構
   と、 を具備することを特徴とする液処理装置。
9. 【請求項９】 前記基板保持手段は、 前記基板を載置する載置ステージと、 前記載置ステージに載置された基板の周縁部を吸着して
   保持する減圧吸着機構と、 を具備することを特徴とする請求項８に記載の液処理装
   置。
10. 【請求項１０】 前記載置ステージの所定位置には、基
    板の裏面に当接して基板を支持する支持ピンが設けられ
    ていることを特徴とする請求項９に記載の液処理装置。
11. 【請求項１１】 前記搬送機構によって搬送される前記
    保持手段に保持された基板に乾燥気体を噴射して前記基
    板を乾燥させる基板乾燥機構をさらに具備することを特
    徴とする請求項８から請求項１０のいずれか１項に記載
    の液処理装置。
12. 【請求項１２】 前記基板乾燥機構は、前記断面略弓形
    に撓まされた基板の曲面形状に対応した形状を有するガ
    ス噴射口を有するガス噴射ノズルを具備することを特徴
    とする請求項１１に記載の液処理装置。
13. 【請求項１３】 前記基板搬送機構によって搬送される
    基板の曲面形状に対応した形状を有する処理液吸引口が
    形成され、前記処理液供給機構によって前記処理液が液
    盛りされた基板から前記基板表面の処理液を吸引して回
    収する処理液吸引ノズルをさらに具備することを特徴と
    する請求項８から請求項１２のいずれか１項に記載の液
    処理装置。
14. 【請求項１４】 基板をその中央部の高さ位置と対向す
    る１組の端辺の高さ位置とを異ならせてその断面を特定
    形状の略弓形に撓ませつつ略水平方向に搬送しながら前
    記基板に所定の液処理を施す液処理方法であって、 前記基板に第１の処理液を塗布する第１工程と、 前記基板に第２の処理液を供給して前記第１の処理液を
    洗い流す第２工程と、 前記基板の表面の曲面形状に対応した形状を有するガス
    噴射口を有するガス噴射ノズルを用いて、前記基板に乾
    燥ガスを吹き付けて前記第２の処理液を吹き飛ばすこと
    で前記基板を乾燥させる第３工程と、 を有することを特徴とする液処理方法。
15. 【請求項１５】 基板をその中央部の高さ位置と対向す
    る１組の端辺の高さ位置とを異ならせてその断面を特定
    形状の略弓形に撓ませた状態で保持して水平方向に搬送
    しながら前記基板に所定の液処理を施す液処理方法であ
    って、 前記基板に第１の処理液を塗布する第１工程と、 前記基板に第２の処理液を供給して前記第１の処理液を
    洗い流す第２工程と、 前記基板の表面の曲面形状に対応した形状を有するガス
    噴射口を有するガス噴射ノズルを用いて、前記基板に乾
    燥ガスを吹き付けて前記第２の処理液を吹き飛ばすこと
    で前記基板を乾燥させる第３工程と、 を有することを特徴とする液処理方法。