JP3704064B2 - 液処理装置および液処理方法 - Google Patents
液処理装置および液処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3704064B2 JP3704064B2 JP2001204170A JP2001204170A JP3704064B2 JP 3704064 B2 JP3704064 B2 JP 3704064B2 JP 2001204170 A JP2001204170 A JP 2001204170A JP 2001204170 A JP2001204170 A JP 2001204170A JP 3704064 B2 JP3704064 B2 JP 3704064B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- liquid
- processing
- developer
- nozzle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Weting (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Spray Control Apparatus (AREA)
Description
【発明が属する技術分野】
本発明は、例えば液晶表示装置(LCD)ガラス基板等の基板に対して現像処理等の液処理を行う液処理装置と液処理方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
LCDの製造においては、LCDガラス基板(以下「LCD基板」という)にレジスト膜を形成した後に、回路パターンに対応してこのレジスト膜を露光し、さらにこれを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィー技術を用いて、LCD基板に所定の回路パターンを形成している。ここで、例えば、現像処理については、特開平11−87210号公報に、水平姿勢で一方向に搬送される基板の表面に現像液を塗布して基板上に液層を形成し、所定時間保持することで現像反応を進行させ、その後に基板の搬送方向と直交する方向の端面の一方を持ち上げて基板を傾斜姿勢に変換して現像液を流し落とし、さらに基板を傾斜姿勢で搬送しながらリンス液を基板に供給する処理方法および処理装置が開示されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近時、LCD基板は大型化の要求が強く、一辺が1mにも及ぶような巨大なものまで出現するに至っている。LCD基板の現像処理において、LCD基板を傾斜姿勢とすることによってLCD基板上から現像液を液切りした場合には、速やかにLCD基板に純水を供給して現像液残渣を洗い流し、現像反応を停止させなければ、現像むらや線幅均一性が悪化する問題を生ずる。
【0004】
ところが、このような大型のLCD基板にリンス液を供給するために、LCD基板を傾斜姿勢で高速に搬送することは、LCD基板に掛かる機械的な負荷や搬送装置の負荷、LCD基板を高速搬送した場合のLCD基板の停止条件等の種々の理由によって困難である。例えば、LCD基板を高速搬送した場合にはその後にLCD基板が所定位置で停止せずにオーバーランして破損したり、LCD基板を急停止させた際にLCD基板に大きな負荷が掛かってLCD基板が損傷するおそれがある。一方、LCD基板の搬送速度を徐々に遅くした場合には、現像装置のフットプリントが必然的に大きくなる問題がある。
【0005】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、大型の基板であっても基板全体で均一な液処理を行うことができる液処理装置と液処理方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決する手段】
本発明の第1の観点によれば、基板に対して所定の液処理を施す液処理装置であって、
略水平姿勢に保持された基板に第1の処理液を塗布する第1液処理部と、前記第1の処理液が塗布された基板から前記第1の処理液を除去する第2液処理部と、前記第1液処理部から前記第2液処理部へ前記第1の処理液の塗布された基板を略水平姿勢で一方向に搬送する基板搬送機構と、を具備し、
前記第2液処理部は、前記第1の処理液が塗布された基板の一端を持ち上げて前記基板 を傾斜姿勢に変換することによって前記基板に塗布された第1の処理液を液切りする基板傾斜機構と、前記基板傾斜機構によって傾斜姿勢に保持された基板から前記第1の処理液の残渣を流し出す第2の処理液を前記基板に吐出する処理液吐出ノズルと、前記処理液吐出ノズルを前記基板傾斜機構によって傾斜姿勢に保持された基板の表面に沿って斜めに移動させるノズル移動機構と、を有することを特徴とする液処理装置、が提供される。
【0007】
この第1の観点による液処理装置では、処理液吐出ノズルから基板へ第2の処理液を吐出させながら処理液吐出ノズルを所定速度、好ましくは高速で移動させることによって基板から第1の処理液の残渣が除去される。こうして、第1の処理液が基板に接している時間が基板全体で均等化され、第1の処理液による基板の均一な処理を行うことができる。
【0008】
本発明の第2の観点によれば、基板に対して所定の液処理を施す液処理装置であって、
略水平姿勢に保持された基板に第1の処理液を塗布する第1液処理部と、前記第1の処理液が塗布された基板から前記第1の処理液を除去する第2液処理部と、前記第1液処理部から前記第2液処理部へ基板を略水平姿勢で一方向に搬送する基板搬送機構と、を具備し、
前記第1液処理部は、前記基板搬送機構による基板搬送方向の前方から後方に向けて前記基板に第1の処理液を塗布する第1処理液供給機構を有し、
前記第2液処理部は、前記第1の処理液が塗布された基板の搬送方向前方側を持ち上げて前記基板を傾斜姿勢に変換することによって前記基板に塗布された第1の処理液を液切りする基板傾斜機構と、前記基板傾斜機構によって傾斜姿勢に保持された基板から前記第1の処理液の残渣を流し出すための第2の処理液を前記基板の上方端から下方端へと前記第2の処理液の供給位置を移動させながら前記基板に供給する第2処理液供給機構とを有し、
前記第1処理液供給機構は、
前記第1の処理液を吐出する第1処理液吐出ノズルと、
前記第1処理液吐出ノズルを略水平に前記基板の表面に沿って所定速度で移動させる第1ノズル移動機構と、
を具備することを特徴とする液処理装置、が提供される。
【0009】
また、本発明の第3の観点によれば、基板に対して所定の液処理を施す液処理装置であって、
略水平姿勢に保持された基板に第1の処理液を塗布する第1液処理部と、
前記第1の処理液が塗布された基板から前記第1の処理液を除去する第2液処理部と、
前記第1液処理部から前記第2液処理部へ基板を略水平姿勢で一方向に搬送する基板搬送機構と、
を具備し、
前記第1液処理部は、
前記基板搬送機構による基板搬送方向の前方から後方に向けて前記基板に第1の処理液を塗布する第1処理液吐出ノズルを有し、
前記第2液処理部は、
前記第1の処理液が塗布された基板の搬送方向前方側を持ち上げて前記基板を傾斜姿勢に変換することによって前記基板に塗布された第1の処理液を液切りする基板傾斜機構と、
前記基板傾斜機構によって傾斜姿勢に保持された基板から前記第1の処理液の残渣を流し出すための第2の処理液を前記基板の上方端から下方端へと前記第2の処理液の供給位置を移動させながら前記基板に吐出する第2処理液吐出ノズルと、
前記第2処理液吐出ノズルを前記基板の表面に沿って斜めに所定速度で移動させる第2ノズル移動機構と、
を有することを特徴とする液処理装置、が提供される。
【0010】
上記第2の観点および第3の観点による液処理装置では、基板に塗布された第1の処理液が第1の処理液の塗布が開始された部分から除去され始めることによって、第1の処理液が基板に接している時間が基板全体で均等化され、第1の処理液による基板の均一な処理を行うことができる。
【0011】
本発明の第4の観点によれば、略水平姿勢で一方向に搬送される基板に所定の液処理を施す液処理方法であって、
基板に第1の処理液を塗布する第1液処理領域へ基板を略水平姿勢で搬送する第1工程と、前記基板を停止させた状態において前記第1の処理液を吐出するノズルを前記基板上で移動させることによって、前記基板の搬送方向の前方から後方に向けて前記第1の処理液を前記基板に塗布する第2工程と、前記第1の処理液が塗布された基板を前記基板から第1の処理液を除去する第2液処理領域へ略水平姿勢で搬送する第3工程と、前記基板の搬送方向前方側を持ち上げて前記基板を所定角度傾斜させることによって前記基板から前記第1の処理液を液切りする第4工程と、前記基板を所定角度傾斜した状態に保持して、前記基板から前記第1の処理液を流し出す第2の処理液を前記基板の上方端から下方端へと前記第2の処理液の供給位置を移動させながら前記基板に供給する第5工程と、を有することを特徴とする液処理方法、が提供される。
【0012】
本発明の第5の観点によれば、略水平姿勢で一方向に搬送される基板に所定の液処理を施す液処理方法であって、
基板に第1の処理液を塗布する第1液処理領域へ基板を略水平姿勢で搬送する第1工程と、
前記基板に前記第1の処理液を塗布する第2工程と、
前記第1の処理液が塗布された基板を前記基板から第1の処理液を除去する第2液処理領域へ略水平姿勢で搬送する第3工程と、
前記基板の搬送方向前方側を持ち上げて前記基板を所定角度傾斜させることによって前記基板から前記第1の処理液を液切りする第4工程と、
前記基板を所定角度傾斜した状態に保持して、前記基板から前記第1の処理液を流し出すための第2の処理液を吐出するノズルを、前記基板の表面に沿ってその上方端から下方端へと斜めに所定速度で移動させながら、前記第2の処理液を前記基板に供給する第5工程と、
を有することを特徴とする液処理方法、が提供される。
【0013】
本発明の第6の観点によれば、露光処理が施された基板に対して現像処理を施す液処理装置であって、
略水平姿勢に保持された基板に現像液を塗布する第1液処理部と、前記現像液が塗布された基板から前記現像液を除去する第2液処理部と、前記第1液処理部から前記第2液処理部へ基板を略水平姿勢で一方向に搬送する基板搬送機構と、を具備し、
前記第2液処理部は、前記現像液が塗布された基板の搬送方向前方側を持ち上げて前記基板を傾斜姿勢に変換することによって前記基板に塗布された現像液を液切りする基板傾斜機構と、前記現像液を洗い流すリンス液を吐出するリンスノズルと、前記リンス液が前記基板傾斜機構によって傾斜姿勢に保持された基板の上方端から下方端へと前記第2の処理液の供給位置を移動させながら前記基板に吐出されるように、前記リンスノズルを前記基板の表面に沿って斜めに所定速度で移動させるリンスノズル移動機構と、を有することを特徴とする液処理装置、が提供される。
【0014】
この第6の観点による液処理装置では、基板に塗布された現像液が現像液の塗布が開始された部分から除去され始めることによって、現像液が基板に接している時間が基板全体で均等化される。こうして、現像むらの発生を防止し、高い線幅均一性を得ることができる。
【0015】
本発明の第7の観点によれば、露光処理が施された基板の現像処理を行う液処理方法であって、
基板に現像液を塗布する第1液処理領域へ基板を略水平姿勢で搬送する第1工程と、前記基板を停止させた状態において前記現像液を吐出するノズルを前記基板上で移動させることによって、前記基板の搬送方向の前方から後方に向けて前記現像液を前記基板に塗布する第2工程と、前記現像液が塗布された基板を前記基板から現像液を除去する第2液処理領域へ略水平姿勢で搬送する第3工程と、前記基板の搬送方向前方側を持ち上げて前記基板を所定角度傾斜させることによって前記基板から前記現像液を液切りする第4工程と、前記基板を所定角度傾斜した状態に保持して、前記基板から前記現像液を洗い流すリンス液を前記基板の上方端から下方端へと前記リンス液の供給位置を移動させながら前記基板に供給する第5工程と、を有することを特徴とする液処理方法、が提供される。
【0016】
このような本発明の液処理装置と液処理方法によれば、処理液が基板に接している時間を基板全体で均等化することができるために、基板の液処理を基板全体で均一に行うことができる。こうして、高い品質の基板を得ることができる。また、基板を高速搬送しないために、処理安全性が高められ、基板の破損や損傷が抑制され、基板の搬送を停止する際に必要なスペースも広くならない。さらに、第1の処理液を基板に塗布する場合や、第1の処理液を第2の処理液で流し出す場合、あるいは現像液をリンス液で洗い流す場合等において、処理液を基板に供給するノズルを移動させることで、第1液処理部と第2液処理部での液処理を短時間で行うことができ、スループットを向上させることが可能となる。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。ここで、本実施の形態においては、本発明を露光処理が施されたLCD基板の現像処理を行う現像処理ユニット(DEV)に適用した場合を例として説明することとする。図1は、本発明の一実施形態である現像処理ユニット(DEV)を具備し、レジスト膜の形成から現像までの処理を連続して行うレジスト塗布・現像処理システムの概略構成を示す平面図である。
【0018】
このレジスト塗布・現像処理システム100は、複数のLCD基板Gを収容するカセットCを載置するカセットステーション(搬入出部)1と、LCD基板Gにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理ステーション(処理部)2と、露光装置4との間でLCD基板Gの受け渡しを行うためのインターフェイスステーション(インターフェイス部)3とを備えており、処理ステーション2の両端にそれぞれカセットステーション1およびインターフェイスステーション3が配置されている。なお、図1において、レジスト塗布・現像処理システム100の長手方向をX方向、平面上においてX方向と直交する方向をY方向とする。
【0019】
カセットステーション1は、カセットCをY方向に並べて載置できる載置台9と、処理ステーション2との間でLCD基板Gの搬入出を行うための搬送装置11を備えており、この載置台9と外部との間でカセットCの搬送が行われる。また、搬送装置11は搬送アーム11aを有し、カセットCの配列方向であるY方向に沿って設けられた搬送路10上を移動可能であり、搬送アーム11aによりカセットCと処理ステーション2との間でLCD基板Gの搬入出が行われる。
【0020】
処理ステーション2は、基本的にX方向に伸びるLCD基板G搬送用の平行な2列の搬送ラインA・Bを有しており、搬送ラインAに沿ってカセットステーション1側からインターフェイスステーション3に向けてスクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21、第1の熱的処理ユニットセクション26、レジスト処理ユニット23および第2の熱的処理ユニットセクション27が配列されている。また、搬送ラインBに沿ってインターフェイスステーション3側からカセットステーション1に向けて第2の熱的処理ユニットセクション27、現像処理ユニット(DEV)24、i線UV照射ユニット(i−UV)25および第3の熱的処理ユニットセクション28が配列されている。スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21の上の一部にはエキシマUV照射ユニット(e−UV)22が設けられている。なお、エキシマUV照射ユニット(e−UV)22はスクラバ洗浄に先立ってLCD基板Gの有機物を除去するために設けられ、i線UV照射ユニット(i−UV)25は現像の脱色処理を行うために設けられる。
【0021】
上記スクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21は、その中でLCD基板Gが略水平姿勢で搬送されつつ洗浄処理および乾燥処理が行われるようになっている。現像処理ユニット(DEV)24も、後に詳細に説明するように、LCD基板Gが略水平に搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液洗浄、および乾燥処理が行われるようになっている。これらスクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21および現像処理ユニット(DEV)24では、LCD基板Gの搬送は例えばコロ搬送またはベルト搬送により行われ、LCD基板Gの搬入口および搬出口は相対向する短辺に設けられている。また、i線UV照射ユニット(i−UV)25へのLCD基板Gの搬送は、現像処理ユニット(DEV)24の搬送機構と同様の機構により連続して行われる。
【0022】
レジスト処理ユニット23には、略水平に保持されたLCD基板Gにレジスト液を滴下させて、LCD基板Gを所定の回転数で回転させることによってレジスト液をLCD基板G全体に拡げ、レジスト膜を形成するレジスト塗布処理装置(CT)23aと、LCD基板G上に形成されたレジスト膜を減圧乾燥する減圧乾燥装置(VD)23bと、LCD基板Gの四辺をスキャン可能な溶剤吐出ヘッドによりLCD基板Gの周縁に付着した余分なレジストを除去する周縁レジスト除去装置(ER)23cとがその順に配置されている。レジスト処理ユニット23内には、これらレジスト塗布処理装置(CT)23a、減圧乾燥装置(VD)23b、周縁レジスト除去装置(ER)23cの間でLCD基板Gを搬送する搬送アームが設けられている。
【0023】
図2の第1の熱的処理ユニットセクション26の側面図に示すように、第1の熱的処理ユニットセクション26は、LCD基板Gに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された2つの熱的処理ユニットブロック(TB)31・32を有しており、熱的処理ユニットブロック(TB)31はスクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21側に設けられ、熱的処理ユニットブロック(TB)32はレジスト処理ユニット23側に設けられている。これら2つの熱的処理ユニットブロック(TB)31・32の間に第1の搬送装置33が設けられている。
【0024】
熱的処理ユニットブロック(TB)31は、下から順にLCD基板Gの受け渡しを行うパスユニット(PASS)61、LCD基板Gに対して脱水ベーク処理を行う2つの脱水ベークユニット(DHP)62・63、LCD基板Gに対して疎水化処理を施すアドヒージョン処理ユニット(AD)64が4段に積層された構成を有しており、また、熱的処理ユニットブロック(TB)32は、下から順にLCD基板Gの受け渡しを行うパスユニット(PASS)65、LCD基板Gを冷却する2つのクーリングユニット(COL)66・67、LCD基板Gに対して疎水化処理を施すアドヒージョン処理ユニット(AD)68が4段に積層されて構成を有している。
【0025】
第1の搬送装置33は、パスユニット(PASS)61を介してのスクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21からのLCD基板Gの受け取り、上記熱的処理ユニット間のLCD基板Gの搬入出、およびパスユニット(PASS)65を介してのレジスト処理ユニット23へのLCD基板Gの受け渡しを行う。
【0026】
第1の搬送装置33は、上下に延びるガイドレール91と、ガイドレール91に沿って昇降する昇降部材92と、昇降部材92上を旋回可能に設けられたベース部材93と、ベース部材93上を前進後退可能に設けられ、LCD基板Gを保持する基板保持アーム94とを有している。そして、昇降部材92の昇降はモーター95によって行われ、ベース部材93の旋回はモーター96によって行われ、基板保持アーム94の前後動はモーター97によって行われる。このように第1の搬送装置33は、上下動、前後動、旋回動可能であり、熱的処理ユニットブロック(TB)31・32のいずれのユニットにもアクセスすることができる。
【0027】
第2の熱的処理ユニットセクション27は、LCD基板Gに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された2つの熱的処理ユニットブロック(TB)34・35を有しており、熱的処理ユニットブロック(TB)34はレジスト処理ユニット23側に設けられ、熱的処理ユニットブロック(TB)35は現像処理ユニット(DEV)24側に設けられている。そして、これら2つの熱的処理ユニットブロック(TB)34・35の間に第2の搬送装置36が設けられている。
【0028】
図3の第2の熱的処理ユニットセクション27の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック(TB)34は、下から順にLCD基板Gの受け渡しを行うパスユニット(PASS)69とLCD基板Gに対してプリベーク処理を行う3つのプリベークユニット(PREBAKE)70・71・72が4段に積層された構成となっており、熱的処理ユニットブロック(TB)35は、下から順にLCD基板Gの受け渡しを行うパスユニット(PASS)73、LCD基板Gを冷却するクーリングユニット(COL)74、LCD基板Gに対してプリベーク処理を行う2つのプリベークユニット(PREBAKE)75・76が4段に積層された構成となっている。
【0029】
第2の搬送装置36は、パスユニット(PASS)69を介してのレジスト処理ユニット23からのLCD基板Gの受け取り、上記熱的処理ユニット間のLCD基板Gの搬入出、パスユニット(PASS)73を介しての現像処理ユニット(DEV)24へのLCD基板Gの受け渡し、および後述するインターフェイスステーション3の基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)44に対するLCD基板Gの受け渡しおよび受け取りを行う。なお、第2の搬送装置36は、第1の搬送装置33と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック(TB)34・35のいずれのユニットにもアクセス可能である。
【0030】
第3の熱的処理ユニットセクション28は、LCD基板Gに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された2つの熱的処理ユニットブロック(TB)37・38を有しており、熱的処理ユニットブロック(TB)37は現像処理ユニット(DEV)24側に設けられ、熱的処理ユニットブロック(TB)38はカセットステーション1側に設けられている。そして、これら2つの熱的処理ユニットブロック(TB)37・38の間に第3の搬送装置39が設けられている。
【0031】
図4の第3の熱的処理ユニットセクション28の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック(TB)37は、下から順に、LCD基板Gの受け渡しを行うパスユニット(PASS)77、LCD基板Gに対してポストベーク処理を行う3つのポストベークユニット(POBAKE)78・79・80が4段に積層された構成を有している。また、熱的処理ユニットブロック(TB)38は、下から順に、ポストベークユニット(POBAKE)81、LCD基板Gの受け渡しおよび冷却を行うパス・クーリングユニット(PASS・COL)82、LCD基板Gに対してポストベーク処理を行う2つのポストベークユニット(POBAKE)83・84が4段に積層された構成を有している。
【0032】
第3の搬送装置39は、パスユニット(PASS)77を介してのi線UV照射ユニット(i−UV)25からのLCD基板Gの受け取り、上記熱的処理ユニット間のLCD基板Gの搬入出、パス・クーリングユニット(PASS・COL)82を介してのカセットステーション1へのLCD基板Gの受け渡しを行う。なお、第3の搬送装置39も第1の搬送装置33と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック(TB)37・38のいずれのユニットにもアクセス可能である。
【0033】
処理ステーション2では、以上のように2列の搬送ラインA・Bを構成するように、かつ基本的に処理の順になるように各処理ユニットおよび搬送装置が配置されており、これら搬送ラインA・B間には空間40が設けられている。そして、この空間40を往復動可能にシャトル(基板載置部材)41が設けられている。このシャトル41はLCD基板Gを保持可能に構成されており、シャトル41を介して搬送ラインA・B間でLCD基板Gの受け渡しが行われる。シャトル41に対するLCD基板Gの受け渡しは、上記第1から第3の搬送装置33・36・39によって行われる。
【0034】
インターフェイスステーション3は、処理ステーション2と露光装置4との間でLCD基板Gの搬入出を行う搬送装置42と、バッファーカセットを配置するバッファーステージ(BUF)43と、冷却機能を備えた基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)44とを有しており、タイトラー(TITLER)と周辺露光装置(EE)とが上下に積層された外部装置ブロック45が搬送装置42に隣接して設けられている。搬送装置42は搬送アーム42aを備え、この搬送アーム42aにより処理ステーション2と露光装置4との間でLCD基板Gの搬入出が行われる。
【0035】
このように構成されたレジスト塗布・現像処理システム100においては、まず、カセットステーション1の載置台9に配置されたカセットC内のLCD基板Gが、搬送装置11により処理ステーション2のエキシマUV照射ユニット(e−UV)22に直接搬入され、スクラブ前処理が行われる。次いで、搬送装置11により、LCD基板Gがスクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21に搬入され、スクラブ洗浄される。スクラブ洗浄処理後、LCD基板Gは例えばコロ搬送により第1の熱的処理ユニットセクション26に属する熱的処理ユニットブロック(TB)31のパスユニット(PASS)61に搬出される。
【0036】
パスユニット(PASS)61に配置されたLCD基板Gは、最初に、熱的処理ユニットブロック(TB)31の脱水ベークユニット(DHP)62・63のいずれかに搬送されて加熱処理され、次いで熱的処理ユニットブロック(TB)32のクーリングユニット(COL)66・67のいずれかに搬送されて冷却された後、レジストの定着性を高めるために熱的処理ユニットブロック(TB)31のアドヒージョン処理ユニット(AD)64、および熱的処理ユニットブロック(TB)32のアドヒージョン処理ユニット(AD)68のいずれかに搬送され、そこでHMDSによりアドヒージョン処理(疎水化処理)される。その後、LCD基板Gは、クーリングユニット(COL)66・67のいずれかに搬送されて冷却され、さらに熱的処理ユニットブロック(TB)32のパスユニット(PASS)65に搬送される。このような一連の処理を行う際のLCD基板Gの搬送処理は、全て第1の搬送装置33によって行われる。
【0037】
パスユニット(PASS)65に配置されたLCD基板Gは、レジスト処理ユニット23の搬送アームによりレジスト処理ユニット23内へ搬入される。LCD基板Gは、レジスト塗布処理装置(CT)23aにおいてレジスト液がスピン塗布された後に減圧乾燥装置(VD)23bに搬送されて減圧乾燥され、さらに周縁レジスト除去装置(ER)23cに搬送されてLCD基板G周縁の余分なレジストが除去される。そして、周縁レジスト除去終了後、LCD基板Gは搬送アームによりレジスト処理ユニット23から、第2の熱的処理ユニットセクション27に属する熱的処理ユニットブロック(TB)34のパスユニット(PASS)69に受け渡される。
【0038】
パスユニット(PASS)69に配置されたLCD基板Gは、第2の搬送装置36により、熱的処理ユニットブロック(TB)34のプリベークユニット(PREBAKE)70・71・72および熱的処理ユニットブロック(TB)35のプリベークユニット(PREBAKE)75・76のいずれかに搬送されてプリベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック(TB)35のクーリングユニット(COL)74に搬送されて所定温度に冷却される。そして、第2の搬送装置36により、さらに熱的処理ユニットブロック(TB)35のパスユニット(PASS)73に搬送される。
【0039】
その後、LCD基板Gは第2の搬送装置36によりインターフェイスステーション3のエクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)44へ搬送され、インターフェイスステーション3の搬送装置42により外部装置ブロック45の周辺露光装置(EE)に搬送されて周辺レジスト除去のための露光が行われ、次いで搬送装置42により露光装置4に搬送されてそこでLCD基板G上のレジスト膜が露光されて所定のパターンが形成される。場合によってはバッファーステージ(BUF)43上のバッファーカセットにLCD基板Gを収容してから露光装置4に搬送される。
【0040】
露光終了後、LCD基板Gはインターフェイスステーション3の搬送装置42により外部装置ブロック45の上段のタイトラー(TITLER)に搬入されてLCD基板Gに所定の情報が記された後、エクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)44に載置される。LCD基板Gは、第2の搬送装置36により、エクステンション・クーリングステージ(EXT・COL)44から第2の熱的処理ユニットセクション27に属する熱的処理ユニットブロック(TB)35のパスユニット(PASS)73へ搬送される。
【0041】
パスユニット(PASS)73から現像処理ユニット(DEV)24まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより、LCD基板Gはパスユニット(PASS)73から現像処理ユニット(DEV)24へ搬入され、そこで現像処理が施される。この現像処理工程については後に詳細に説明することとする。
【0042】
現像処理終了後、LCD基板Gは現像処理ユニット(DEV)24から連続する搬送機構、例えばコロ搬送によりi線UV照射ユニット(i−UV)25に搬送され、LCD基板Gに対して脱色処理が施される。その後、LCD基板Gはi線UV照射ユニット(i−UV)25内のコロ搬送機構により第3の熱的処理ユニットセクション28に属する熱的処理ユニットブロック(TB)37のパスユニット(PASS)77に搬出される。
【0043】
パスユニット(PASS)77に配置されたLCD基板Gは、第3の搬送装置39により熱的処理ユニットブロック(TB)37のポストベークユニット(POBAKE)78・79・80および熱的処理ユニットブロック(TB)38のポストベークユニット(POBAKE)81・83・84のいずれかに搬送されてポストベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック(TB)38のパス・クーリングユニット(PASS・COL)82に搬送されて所定温度に冷却された後、カセットステーション1の搬送装置11によって、カセットステーション1に配置されている所定のカセットCに収容される。
【0044】
次に、現像処理ユニット(DEV)24の構造について詳細に説明する。図5は現像処理ユニット(DEV)24の概略構造を示す側面図、図6は概略平面図である。現像処理ユニット(DEV)24は、導入ゾーン24a、第1の現像液供給ゾーン24b、第2の現像液供給ゾーン24c、液切り/リンスゾーン24d、リンスゾーン24e、乾燥ゾーン24fから構成されており、導入ゾーン24aは熱的処理ユニットブロック(TB)35のパスユニット(PASS)73に隣接し、乾燥ゾーン24fはi線UV照射ユニット(i−UV)25に隣接している。
【0045】
パスユニット(PASS)73とi線UV照射ユニット(i−UV)25の間には、モータ等の駆動によってコロ17を回転させることによってコロ17上のLCD基板Gを所定方向へ搬送するコロ搬送機構14が設けられており、このコロ搬送機構14を動作させることによって、LCD基板Gをパスユニット(PASS)73から現像処理ユニット(DEV)24を通ってi線UV照射ユニット(i−UV)25に向けて搬送することができるようになっている。コロ17はLCD基板Gに撓み等が生じ難いように、LCD基板Gの搬送方向およびこの搬送方向に垂直な方向に所定数設けられる。
【0046】
なお、図6ではこのコロ搬送機構14は図示していない。また、現像処理ユニット(DEV)24では、コロ搬送機構14を、例えば、LCD基板Gの搬送速度が異なる領域に分割し、領域ごとに独立して駆動することが好ましい。例えば、LCD基板Gは、パスユニット(PASS)73と導入ゾーン24aは第1モータの駆動によって搬送され、第1の現像液供給ゾーン24bと液切り/リンスゾーン24dの間では第2モータの駆動によって搬送され、リンスゾーン24eと乾燥ゾーン24fでは第3モータの駆動によって搬送されるようにする。このようなコロ搬送機構14の分割駆動は、例えば、現像処理ユニット(DEV)24を構成するゾーンごとに行うこともできる。
【0047】
コロ搬送機構14については、後に示す図7に詳細な構成が示されている。図7(a)〜(c)は、液切り/リンスゾーン24dに設けられた基板傾斜機構110(後に詳細に説明する)の構成を示す平面図と側面図であるが、図7(a)〜(c)に示されるように、コロ搬送機構14は、LCD基板Gの搬送方向(X方向)に延在し、モータ15によってX軸回りに回転する枢軸18aと、枢軸18aに固定されてX軸回りに回転する第1歯車18bと、LCD基板Gの幅方向(Y方向)に長く、コロ17が所定間隔で取り付けられた枢軸19aと、枢軸19aの一端に第1歯車18bと噛み合うように取り付けられ、第1歯車18bのX軸回りの回転をY軸回りの回転に変換する第2歯車19bと、枢軸19aの他端に取り付けられ、第2歯車19bの回転によって枢軸19aを介して回転する第3歯車19b´と、X軸回りに回転自在な枢軸18a´と、第3歯車19b´と噛み合うようにして枢軸18a´に取り付けられ、第3歯車19b´のY軸回りの回転をX軸回りの回転に変換する第4歯車18b´と、を有している。
【0048】
コロ搬送機構14においては、枢軸19aを回転させるための駆動部が枢軸18a、第1歯車18b、第2歯車19b、モータ15から構成されている。なお、第3歯車19b´、第4歯車18b´は枢軸19aがスムーズに回転するように枢軸19aを支持する役割を担っている。
【0049】
パスユニット(PASS)73は昇降自在な昇降ピン16を具備している。LCD基板Gを保持した第2の搬送装置36の基板保持アーム94がパスユニット(PASS)73内に進入した状態で昇降ピン16を上昇させると、LCD基板Gは基板保持アーム94から昇降ピン16に受け渡される。続いて、基板保持アーム94をパスユニット(PASS)73から退出させた後に昇降ピン16を降下させると、LCD基板Gはパスユニット(PASS)73内のコロ17上に載置される。第1モータ15aを駆動することによって、LCD基板Gはパスユニット(PASS)73から導入ゾーン24aへ搬出される。
【0050】
導入ゾーン24aは、パスユニット(PASS)73と第1の現像液供給ゾーン24bとの間の緩衝領域として設けられているものであり、この導入ゾーン24aは、第1の現像液供給ゾーン24bからパスユニット(PASS)73へ現像液が飛散する等して、パスユニット(PASS)73が汚染されるのを防止する。
【0051】
第1の現像液供給ゾーン24bは、導入ゾーン24aから搬送されてきたLCD基板Gに最初の現像液の液盛り(パドル形成)を行うゾーンであり、LCD基板Gに対して現像液を塗布する主現像液吐出ノズル51aと副現像液吐出ノズル51b(以下「現像ノズル51a・51b」という)の2本のノズルと、X方向に延在するガイドレール59と、ガイドレール59と嵌合しているスライドアーム58と、スライドアーム58をガイドレール59に沿ってX方向へ移動させる図示しない駆動機構と、スライドアーム58に取り付けられた図示しない昇降機構とを有しており、現像ノズル51a・51bはこの昇降機構に取り付けられている。
【0052】
現像ノズル51a・51bには図示しない現像液供給源から現像液が供給されるようになっており、例えば、昇降機構によって現像ノズル51a・51bとLCD基板Gとの間隔を調整した後に、LCD基板Gの搬送方向とは逆の方向に現像ノズル51a・51bを移動させながら現像ノズル51a・51bから現像液をLCD基板Gに吐出することで、LCD基板Gに現像液を塗布することができる。
【0053】
現像ノズル51a・51bとしては、LCD基板Gの幅方向(Y方向)に長く(図6参照)、その下端には長手方向に沿ってスリット状の吐出口が形成され、そのスリット状の吐出口から略帯状に現像液を吐出することができる構造のものが好適に用いられる。現像ノズル51a・51bには、スリット状の吐出口に代えて複数の円形吐出口が所定間隔で複数形成されているものを用いることもできる。
【0054】
第1の現像液供給ゾーン24bで現像液が液盛りされたLCD基板Gを液切り/リンスゾーン24dへ搬送する間に、LCD基板G上から現像液がこぼれ落ちる場合がある。第2の現像液供給ゾーン24cでは、こうしてLCD基板の搬送途中にLCD基板Gからこぼれ落ちる現像液によって現像反応が進まなくなることを防止するために、新たにLCD基板Gに現像液を補充する。
【0055】
第2の現像液供給ゾーン24cには、現像ノズル51a・51bと同様の構造を有する現像液補充ノズル51cが、その長手方向がY方向となるとなるようにして固定して設けられている。現像液補充ノズル51cからは、コロ搬送機構14によって搬送されるLCD基板G上に所定量の現像液がY方向に長い略帯状に吐出される。なお、この第2の現像液供給ゾーン24cは必須なものではない。
【0056】
LCD基板Gにおける現像反応は、第1の現像液供給ゾーン24bから液切り/リンスゾーン24dに搬送される間に行われる。液切り/リンスゾーン24dにおいては、LCD基板Gを傾斜姿勢に変換してLCD基板G上の現像液を流し落とし、さらにLCD基板Gを傾斜姿勢に保持した状態でリンス液吐出ノズル52からLCD基板Gの表面にリンス液例えば純水を吐出して、LCD基板G上の現像液を洗い流す。
【0057】
液切り/リンスゾーン24dには、LCD基板Gを傾斜姿勢に変換することによってLCD基板Gに塗布された現像液を液切りする基板傾斜機構110と、基板傾斜機構110によって傾斜姿勢に保持されたLCD基板の表面に現像液を洗い流すリンス液(純水)を供給するリンス液供給機構60と、基板傾斜機構110によって傾斜姿勢に保持されたLCD基板Gから流れ落ちる現像液を回収する現像液回収容器47と、リンス液供給機構60から供給されるリンス液等を回収するリンス液回収容器49と、が設けられている。
【0058】
図7(a)は基板傾斜機構110の概略構造を示す平面図であり、図7(b)は基板傾斜機構110を動作させていない状態を示す概略側面図であり、図7(c)は基板傾斜機構110を動作させてLCD基板Gを傾斜姿勢に保持した状態を示す概略側面図である。
【0059】
基板傾斜機構110は、LCD基板Gの裏面の所定位置に当接するコロ101とコロ101を連結する軸部材102aとからなる支持部材と、軸部材102aを保持するフレーム部材103と、フレーム部材103の一端を昇降させる昇降機構106と、フレーム部材103の一端を上昇させた際にコロ101によって斜めに支持されたLCD基板Gが滑り落ちないようにLCD基板Gの下端となる端面を支持するガイドピン104とを有している。軸部材102aとフレーム部材103との間は、軸部材102aの両端部に取り付けられた連結治具102bによって連結されている。
【0060】
コロ101は軸部材102aにY方向に所定間隔で複数取り付けられており、また、コロ101が取り付けられた軸部材102aはX方向に所定間隔でフレーム部材103に取り付けられている。こうしてコロ101がLCD基板Gの裏面に当接してLCD基板Gを支持した際に、LCD基板Gに大きな撓みが生じないようになっている。コロ101は軸部材102a回りに回転自在となっており、LCD基板Gを姿勢変換する際には、LCD基板Gとコロ101との摩擦力によってLCD基板Gの移動に応じてコロ101が回転する。こうして、LCD基板Gの裏面に擦り傷等が付くことが防止される。
【0061】
LCD基板Gは、LCD基板Gの裏面がコロ17の上端に接した状態で、コロ搬送機構14によって液切り/リンスゾーン24dへ搬入され、さらにリンスゾーン24eへ搬出されるために、液切り/リンスゾーン24dにおいてLCD基板Gを搬送する際には、コロ101がLCD基板Gの搬送を阻害しないように、コロ101の上端がコロ17の上端と同じ位置かまたはコロ17の上端よりも低い位置に保持される。
【0062】
フレーム部材103において昇降機構106が取り付けられていない別の一端は軸部材105によって支持されている。フレーム部材103はこの軸部材105回りに回動自在となっており、昇降機構106によってフレーム部材103の一端を持ち上げた際には、フレーム部材103が回動して所定角度で傾斜した状態に保持される。フレーム部材103を傾斜させると、コロ17に支持されていたLCD基板Gは、コロ101によって支持されて傾斜姿勢に変換される。
【0063】
ガイドピン104は、液切り/リンスゾーン24dにおいてLCD基板Gを搬送する際には、LCD基板Gの搬送を阻害しないように、ガイドピン104の上端が搬送されるLCD基板Gの裏面よりも下方に位置するように配置される。また、ガイドピン104は、昇降機構106によってフレーム部材103を傾斜させる際に上方へ突出してLCD基板Gの下方端面を支持し、LCD基板Gの滑り落ちを防止する。
【0064】
昇降機構106は、LCD基板Gの搬送方向前方側(リンスゾーン24e側)を持ち上げるようにフレーム部材103を回動させる。第1の現像液供給ゾーン24bにおいて、LCD基板Gの搬送方向前方側から現像液をLCD基板Gに塗布した場合には、LCD基板Gにおいて現像液の塗布が開始された端面側を持ち上げてLCD基板Gから現像液を流し落とすことによって、現像液がLCD基板Gに接している時間をLCD基板G全体で均一化することができる。こうして、現像むらの発生を抑制し、線幅均一性を高めることができる。
【0065】
このような基板傾斜機構110によるLCD基板Gの傾斜角度はθは、10度以上であることが好ましい。傾斜角度θが10度未満では現像液の液切り時間が1秒を超えてしまい、基板面内での現像時間差が大きすぎ、現像むらが発生するおそれがある。一方、傾斜角度θが10度以上であればこのような不都合が生じないが、15度を超えて傾けても液切り速度は0.6〜0.7秒程度で安定してしまい効果が飽和するので15度以下が好ましい。もちろん15度以上であってもよい。
【0066】
基板傾斜機構110によってLCD基板Gを傾斜させた際にLCD基板Gから流れ落ちる現像液は現像液回収容器47へ回収される。現像液回収容器47に回収された濃度の高い現像液は、回収ラインへと送液されてリサイクルされる。現像液回収容器47には蓋体48が移動可能に設けられており、リンス液が混入した濃度の薄い現像液やリンス液が現像液回収容器47へ混入しないようになっている。
【0067】
リンス液供給機構60は、傾斜姿勢に保持されたLCD基板Gの現像液残渣を洗い流すリンス液例えば純水を吐出するリンス液吐出ノズル52と、リンス液吐出ノズル52を傾斜姿勢に保持されたLCD基板Gの表面に沿って斜めに所定速度で移動させるリンスノズル移動機構85を有している。リンスノズル移動機構85は、LCD基板Gの傾斜角度θと同じ角度で配置されたガイドレール86と、ガイドレール86と嵌合し、かつリンス液吐出ノズル52を保持するノズル保持アーム87と、ノズル保持アーム87をガイドレール86に沿って移動させる駆動機構88と、を有している。
【0068】
基板傾斜機構110によって傾斜姿勢に保持されたLCD基板Gの上方端から下方端へとLCD基板Gの表面に沿ってリンス液吐出ノズル52を移動させながら、リンス液吐出ノズル52からリンス液をLCD基板Gに吐出することによって、LCD基板Gの現像液残渣を除去することができる。リンス液吐出ノズル52の移動は高速、例えば、500mm/秒で行うことができるために、LCD基板Gの現像液残渣を短時間で除去することが可能である。
【0069】
リンス液吐出ノズル52からは、LCD基板Gの現像液残渣を効率的に除去するために、所定の高い吐出圧でリンス液を吐出するものが好適に用いられる。また、リンス液吐出ノズル52の1回の移動でLCD基板G全体にリンス液を吐出できるように、リンス液吐出ノズル52は、LCD基板Gの幅方向(Y方向)に長く、略帯状にリンス液を吐出するものを用いることが好ましい。リンス液吐出ノズル52からはスプレー状にリンス液を吐出させてもよい。
【0070】
リンス液吐出ノズル52から吐出されるリンス液は吐出圧が高く、しかもLCD基板が傾斜姿勢で保持されているために、LCD基板Gから跳ね返って第2の現像液供給ゾーン24cへと飛散するおそれがある。このリンス液の第2の現像液供給ゾーン24cへの飛散を防止するために、第2の現像液供給ゾーン24cと液切り/リンスゾーン24dとの間には、LCD基板Gの水平搬送を阻害しない高さに隔壁板46を設けることが好ましい。リンス液吐出ノズル52から吐出されるリンス液は液切り/リンスゾーン24dに設けられたリンス液回収容器49に回収され、排液ラインを通じて廃棄される。
【0071】
液切り/リンスゾーン24dでは、基板傾斜機構110による液切りからリンス液による現像液残渣の除去までの処理を短時間で行うことができるために、LCD基板G全体で現像反応の進行を均等に停止させることができる。こうして、現像むらの発生を抑制し、線幅均一性を高めることが可能となる。また、基板傾斜機構110による液切りからリンス液による現像液残渣の除去までの処理を行う際には、第1の現像液供給ゾーン24bでの現像液の塗布方向を考慮して、LCD基板Gにおいて現像液の塗布が開始された側を持ち上げて現像液をLCD基板Gから流し落とすように現像液の液切りを行うことによって、さらに現像精度を向上させることができる。
【0072】
リンスゾーン24eには、純水等のリンス液をLCD基板Gに向けて吐出するリンスノズル53が取り付けられている。リンスゾーン24eにおいては、LCD基板Gを所定速度で搬送しながらLCD基板Gの表面と裏面にリンス液を吐出して、LCD基板Gに付着している現像液の徹底除去およびLCD基板Gの洗浄が行われる。なお、リンスノズル53は、LCD基板Gの幅よりも長い形状を有しており、LCD基板Gの幅方向全体にリンス液を吐出することができるようになっている。
【0073】
リンスゾーン24eを通過したLCD基板Gが搬送される乾燥ゾーン24fには、所定の風圧で窒素ガス等の乾燥ガスを噴射するエアーノズル(エアーナイフ)54が設けられている。乾燥ゾーン24fにおいては、LCD基板Gを所定速度で搬送しながらLCD基板Gの表面と裏面に乾燥ガスを噴射して、LCD基板Gに付着したリンス液を吹き飛ばしてLCD基板Gを乾燥する。なお、エアーノズル54は、LCD基板Gの幅よりも長い形状を有しており、LCD基板Gの幅方向全体に乾燥ガスを吐出することができるようになっている。乾燥処理が終了したLCD基板Gは、コロ搬送機構14により、i線UV照射ユニット(i−UV)25に搬送される。
【0074】
次に、現像処理ユニット(DEV)24における現像処理工程について説明する。図8は現像処理工程の概略を示す説明図(フローチャート)である。パスユニット(PASS)73に搬入されたLCD基板Gは、コロ搬送機構14によって、導入ゾーン24aを通過して第1の現像液供給ゾーン24bに搬入される(ステップ1)。このパスユニット(PASS)73から第1の現像液供給ゾーン24bへのLCD基板Gの搬送速度は、例えば65mm/秒とする。
【0075】
第1の現像液供給ゾーン24bにおいては、LCD基板Gを所定位置で停止させた状態として(ステップ2)、現像ノズル51a・51bを、例えば、240mm/秒という高速で、基板搬送方向の前方から後方へ向けて移動させながらLCD基板Gの表面に現像液を塗布する(ステップ3)。LCD基板Gを停止させた状態とすることで、現像ノズル51a・51bの駆動制御が容易となる。また、安定して現像液をLCD基板状に液盛りすることができる。
【0076】
第1の現像液供給ゾーン24bにおける液盛りが終了したLCD基板Gを、コロ搬送機構14を動作させて、例えば、46mm/秒の搬送速度で第2の現像液供給ゾーン24cへ搬送する(ステップ4)。LCD基板Gが第2の現像液供給ゾーン24cを通過する際には、現像液補充ノズル51cからLCD基板G上に現像液が補充され、LCD基板Gの搬送時にLCD基板Gからこぼれ落ちる現像液が補充される(ステップ5)。
【0077】
第2の現像液供給ゾーン24cに搬送されたLCD基板Gはさらに液切り/リンスゾーン24dに搬送され(ステップ6)、そこでLCD基板Gを基板傾斜機構110によって傾斜姿勢に変換してLCD基板G上の現像液を流し落とす(ステップ7)。こうしてLCD基板Gから流し落とされた現像液は、現像液回収容器47に回収され、回収ラインへ送液される。
【0078】
LCD基板Gが所定の傾斜角度θに到達するとほぼ同時に、リンス液吐出ノズル52からリンス液例えば純水をLCD基板Gに向けて吐出させながら、リンス液吐出ノズル52をLCD基板Gの表面に沿って、例えば、500mm/秒の速度で移動させる(ステップ8)。このとき現像液回収容器47にリンス液が混入しないように、現像液回収容器47の開口部を蓋体48によって閉塞する。
【0079】
このステップ7においては、LCD基板Gを傾斜姿勢へ変換する際の動作時間を短くすることが好ましい。また、LCD基板Gが所定角度の傾斜姿勢に保持された後には速やかにリンス液吐出ノズル52からのリンス液の供給を開始して現像反応を停止させるステップ8を行うことが好ましい。例えば、ステップ7においてLCD基板Gの傾斜姿勢保持時間が長い場合には、現像液が流れ落ちた跡やLCD基板Gが部分的に現像液をはじく部分ができることによって、現像むらが発生しやすくなる。しかし、ステップ7の後速やかにステップ8を行うことで、現像むらの発生を防止することができる。
【0080】
ステップ7とステップ8の処理は、昇降機構106による動作とリンス液吐出ノズル52の高速移動によって、短時間で行うことができるために、LCD基板G全体で現像反応を均一に停止させることができる。液切り/リンスゾーン24dにおけるステップ7とステップ8という一連の処理は、第1の現像液供給ゾーン24bにおける現像液の塗布方向に関係なく、LCD基板Gにおける現像むらの発生の抑制と線幅均一性の向上に効果を奏する。その上で、第1の現像液供給ゾーン24bでの現像液の塗布方向を考慮してLCD基板Gにおいて現像液の塗布が開始された側を持ち上げて現像液をLCD基板Gから流し落とすようにステップ7の処理を行うことで、さらに現像精度を向上させることができる。
【0081】
続いて、LCD基板Gはリンスゾーン24eに搬送され(ステップ9)、そこでLCD基板Gを所定速度で搬送しながらLCD基板Gの表面と裏面にリンス液を吐出して、LCD基板Gに付着している現像液の徹底除去と洗浄を行う(ステップ10)。このようなリンス処理が行われつつリンスゾーン24eを通過したLCD基板Gは乾燥ゾーン24fに搬送される(ステップ11)。乾燥ゾーン24fでは、LCD基板Gを所定速度で搬送しながら、エアーノズル54による乾燥処理が行われる(ステップ12)。乾燥処理が終了したLCD基板Gは、コロ搬送機構14により、i線UV照射ユニット(i−UV)25に搬送され(ステップ13)、そこで所定の紫外線照射処理が施される。
【0082】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。例えば、液切り/リンスゾーン24dにおける一連の処理は、第1の現像液供給ゾーン24bにおける現像液の塗布方向に関係なく、LCD基板Gにおける現像むらの発生の抑制に効果を奏することから、第1の現像液供給ゾーン24bにおける現像液の塗布方向は、基板搬送方向の逆方向としなければならないわけではない。
【0083】
また、基板傾斜機構110は、基板搬送方向の前方側を持ち上げることでLCD基板Gを傾斜姿勢としたが、基板搬送方向の後方側を持ち上げることでLCD基板Gを傾斜姿勢としてもよい。この場合には、第1の現像液供給ゾーン24bでは基板搬送方向の後方側から前方へ向けて現像液を塗布し、第2の現像液供給ゾーン24cを設けず、搬送経路を短くすることが好ましい。
【0084】
昇降機構106は、フレーム部材103の一端を、液切り/リンスゾーン24dの上方から引っ張り上げてもよいし、LCD基板Gの搬送面の下方から持ち上げてもよい。また、フレーム部材103の両端の高さ位置を調節することができる昇降機構を用いて、コロ17に支持されたLCD基板G全体を略水平姿勢のままコロ101で支持して持ち上げた後に、所定角度に傾斜させてもよい。本発明はLCD基板Gに限定して適用されるものではなく、他のLCD以外の他の用途に用いられるガラス基板等や、セラミックス基板等の液処理にも適用できる。
【0085】
【発明の効果】
上述の通り、本発明の液処理装置と液処理方法によれば、処理液が基板に接している時間を基板全体で均等化することができるために、基板の液処理を基板全体で均一に行うことができる。こうして、高い品質の基板を得ることができるという優れた効果が得られる。また、基板を高速搬送しないために、処理安全性が高められ、基板の破損や損傷が抑制され、搬送を停止させるためのスペースも広くならない。さらに、処理液を基板に供給するノズルを移動させることで、第1液処理部と第2液処理部での液処理を短時間で行うことができ、スループットを向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の液処理装置の一実施形態である現像処理ユニットを具備するレジスト塗布・現像処理システムの概略平面図。
【図2】 図1に示したレジスト塗布・現像処理システムの第1の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。
【図3】 図1に示したレジスト塗布・現像処理システムの第2の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。
【図4】 図1に示したレジスト塗布・現像処理システムの第3の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。
【図5】 本発明の一実施形態である現像処理ユニットの概略構造を示す側面図。
【図6】 本発明の一実施形態である現像処理ユニットの概略構造を示す平面図。
【図7】 現像処理ユニットが有する液切り/リンスゾーンに設けられた基板傾斜機構を示す説明図。
【図8】 現像処理工程の概略を示す説明図(フローチャート)。
【符号の説明】
1;カセットステーション
2;処理ステーション
3;インターフェイスステーション
14;コロ搬送機構
17;コロ
24;現像処理ユニット(DEV)
24a;導入ゾーン
24b;第1の現像液供給ゾーン
24c;第2の現像液供給ゾーン
24d;液切り/リンスゾーン
24e;リンスゾーン
24f;乾燥ゾーン
47;現像液回収容器
49;リンス液回収容器
51a;主現像液吐出ノズル
51b;副現像液吐出ノズル
51c;現像液補充ノズル
52;リンス液吐出ノズル
53;リンスノズル
54;エアーノズル(エアーナイフ)
60;リンス液供給機構
85;リンスノズル移動機構
86;ガイドレール
87;ノズル保持アーム
88;駆動機構
100;レジスト塗布・現像処理システム(処理装置)
101;コロ
102a;軸部材
103;フレーム部材
104;ガイドピン
106;昇降機構
110;基板傾斜機構
G……LCD基板
Claims (18)
- 基板に対して所定の液処理を施す液処理装置であって、
略水平姿勢に保持された基板に第1の処理液を塗布する第1液処理部と、
前記第1の処理液が塗布された基板から前記第1の処理液を除去する第2液処理部と、
前記第1液処理部から前記第2液処理部へ前記第1の処理液の塗布された基板を略水平姿勢で一方向に搬送する基板搬送機構と、
を具備し、
前記第2液処理部は、
前記第1の処理液が塗布された基板の一端を持ち上げて前記基板を傾斜姿勢に変換することによって前記基板に塗布された第1の処理液を液切りする基板傾斜機構と、
前記基板傾斜機構によって傾斜姿勢に保持された基板から前記第1の処理液の残渣を流し出す第2の処理液を前記基板に吐出する処理液吐出ノズルと、
前記処理液吐出ノズルを前記基板傾斜機構によって傾斜姿勢に保持された基板の表面に沿って斜めに移動させるノズル移動機構と、
を有することを特徴とする液処理装置。 - 基板に対して所定の液処理を施す液処理装置であって、
略水平姿勢に保持された基板に第1の処理液を塗布する第1液処理部と、
前記第1の処理液が塗布された基板から前記第1の処理液を除去する第2液処理部と、
前記第1液処理部から前記第2液処理部へ基板を略水平姿勢で一方向に搬送する基板搬送機構と、
を具備し、
前記第1液処理部は、
前記基板搬送機構による基板搬送方向の前方から後方に向けて前記基板に第1の処理液を塗布する第1処理液供給機構を有し、
前記第2液処理部は、
前記第1の処理液が塗布された基板の搬送方向前方側を持ち上げて前記基板を傾斜姿勢に変換することによって前記基板に塗布された第1の処理液を液切りする基板傾斜機構と、
前記基板傾斜機構によって傾斜姿勢に保持された基板から前記第1の処理液の残渣を流し出すための第2の処理液を前記基板の上方端から下方端へと前記第2の処理液の供給位置を移動させながら前記基板に供給する第2処理液供給機構とを有し、
前記第1処理液供給機構は、
前記第1の処理液を吐出する第1処理液吐出ノズルと、
前記第1処理液吐出ノズルを略水平に前記基板の表面に沿って所定速度で移動させる第1ノズル移動機構と、
を具備することを特徴とする液処理装置。 - 前記第2処理液供給機構は、
前記第2の処理液を吐出する第2処理液吐出ノズルと、
前記第2処理液吐出ノズルを前記基板の表面に沿って斜めに所定速度で移動させる第2ノズル移動機構と、
を具備することを特徴とする請求項2に記載の液処理装置。 - 基板に対して所定の液処理を施す液処理装置であって、
略水平姿勢に保持された基板に第1の処理液を塗布する第1液処理部と、
前記第1の処理液が塗布された基板から前記第1の処理液を除去する第2液処理部と、
前記第1液処理部から前記第2液処理部へ基板を略水平姿勢で一方向に搬送する基板搬送機構と、
を具備し、
前記第1液処理部は、
前記基板搬送機構による基板搬送方向の前方から後方に向けて前記基板に第1の処理液を塗布する第1処理液吐出ノズルを有し、
前記第2液処理部は、
前記第1の処理液が塗布された基板の搬送方向前方側を持ち上げて前記基板を傾斜姿勢に変換することによって前記基板に塗布された第1の処理液を液切りする基板傾斜機構と、
前記基板傾斜機構によって傾斜姿勢に保持された基板から前記第1の処理液の残渣を流し出すための第2の処理液を前記基板の上方端から下方端へと前記第2の処理液の供給位置を移動させながら前記基板に吐出する第2処理液吐出ノズルと、
前記第2処理液吐出ノズルを前記基板の表面に沿って斜めに所定速度で移動させる第2ノズル移動機構と、
を有することを特徴とする液処理装置。 - 前記第2処理液吐出ノズルからは、鉛直方向に前記第2の処理液が吐出されることを特徴とする請求項3または請求項4に記載の液処理装置。
- 前記第2処理液吐出ノズルは、前記基板搬送機構による基板の搬送方向と直交する方向に長い形状を有し、前記基板に対して前記第2の処理液を略帯状に吐出することを特徴とする請求項3から請求項5のいずれか1項に記載の液処理装置。
- 前記基板傾斜機構によって傾斜姿勢に変換される基板から流れ落ちる第1の処理液を回収する処理液回収手段をさらに具備することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の液処理装置。
- 前記処理液回収手段は、
前記基板から流れ落ちる第1の処理液を捕集する回収容器と、
前記回収容器の上面を開閉する移動可能な蓋体と、
前記回収容器に捕集された第1の処理液を所定場所へ送液する回収ラインと、
を具備することを特徴とする請求項7に記載の液処理装置。 - 前記第1液処理部と前記第2液処理部との間での処理液の相互飛散を防止する隔壁板が前記第1液処理部と前記第2液処理部との間に設けられていることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の液処理装置。
- 前記基板傾斜機構は、
前記基板の裏面の所定位置に当接して前記基板を支持する支持部材と、
前記基板が傾斜姿勢に変換される際の前記基板の滑り落ちを防止するために前記基板の下端となる端面を支持するガイドピンと、
前記支持部材を保持するフレーム部材と、
前記フレーム部材を傾斜させる駆動機構と、
を有することを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の液処理装置。 - 略水平姿勢で一方向に搬送される基板に所定の液処理を施す液処理方法であって、
基板に第1の処理液を塗布する第1液処理領域へ基板を略水平姿勢で搬送する第1工程と、
前記基板を停止させた状態において前記第1の処理液を吐出するノズルを前記基板上で移動させることによって、前記基板の搬送方向の前方から後方に向けて前記第1の処理液を前記基板に塗布する第2工程と、
前記第1の処理液が塗布された基板を前記基板から第1の処理液を除去する第2液処理領域へ略水平姿勢で搬送する第3工程と、
前記基板の搬送方向前方側を持ち上げて前記基板を所定角度傾斜させることによって前記基板から前記第1の処理液を液切りする第4工程と、
前記基板を所定角度傾斜した状態に保持して、前記基板から前記第1の処理液を流し出す第2の処理液を前記基板の上方端から下方端へと前記第2の処理液の供給位置を移動させながら前記基板に供給する第5工程と、
を有することを特徴とする液処理方法。 - 前記第5工程においては、前記第2の処理液を吐出するノズルから前記第2の処理液を吐出させながら、前記ノズルを前記基板の表面に沿って斜めに所定速度で移動させることを特徴とする請求項11に記載の液処理方法。
- 略水平姿勢で一方向に搬送される基板に所定の液処理を施す液処理方法であって、
基板に第1の処理液を塗布する第1液処理領域へ基板を略水平姿勢で搬送する第1工程と、
前記基板に前記第1の処理液を塗布する第2工程と、
前記第1の処理液が塗布された基板を前記基板から第1の処理液を除去する第2液処理領域へ略水平姿勢で搬送する第3工程と、
前記基板の搬送方向前方側を持ち上げて前記基板を所定角度傾斜させることによって前記基板から前記第1の処理液を液切りする第4工程と、
前記基板を所定角度傾斜した状態に保持して、前記基板から前記第1の処理液を流し出すための第2の処理液を吐出するノズルを、前記基板の表面に沿ってその上方端から下方端へと斜めに所定速度で移動させながら、前記第2の処理液を前記基板に供給する第5工程と、
を有することを特徴とする液処理方法。 - 前記第5工程においては、前記第2の処理液を吐出するノズルとして、前記基板の搬送方向と直交する方向に長い形状を有し、前記基板に対して前記第2の処理液を略帯状に吐出するノズルが用いられることを特徴とする請求項12または請求項13に記載の液処理方法。
- 前記第4工程においては、前記基板の傾斜角度を10度以上とすることを特徴とする請求項11から請求項14のいずれか1項に記載の液処理方法。
- 露光処理が施された基板に対して現像処理を施す液処理装置であって、
略水平姿勢に保持された基板に現像液を塗布する第1液処理部と、
前記現像液が塗布された基板から前記現像液を除去する第2液処理部と、
前記第1液処理部から前記第2液処理部へ基板を略水平姿勢で一方向に搬送する基板搬送機構と、
を具備し、
前記第2液処理部は、
前記現像液が塗布された基板の搬送方向前方側を持ち上げて前記基板を傾斜姿勢に変換することによって前記基板に塗布された現像液を液切りする基板傾斜機構と、
前記現像液を洗い流すリンス液を吐出するリンスノズルと、
前記リンス液が前記基板傾斜機構によって傾斜姿勢に保持された基板の上方端から下方端へと前記第2の処理液の供給位置を移動させながら前記基板に吐出されるように、前記リンスノズルを前記基板の表面に沿って斜めに所定速度で移動させるリンスノズル移動機構と、
を有することを特徴とする液処理装置。 - 前記第1液処理部は、
前記現像液を吐出する現像ノズルと、
前記基板搬送機構による基板搬送方向の前方から後方に向けて前記基板に前記現像液が塗布されるように前記現像ノズルを略水平に前記基板の表面に沿って所定速度で移動させる現像ノズル移動機構と、
を具備することを特徴とする請求項16に記載の液処理装置。 - 露光処理が施された基板の現像処理を行う液処理方法であって、
基板に現像液を塗布する第1液処理領域へ基板を略水平姿勢で搬送する第1工程と、
前記基板を停止させた状態において前記現像液を吐出するノズルを前記基板上で移動させることによって、前記基板の搬送方向の前方から後方に向けて前記現像液を前記基板に塗布する第2工程と、
前記現像液が塗布された基板を前記基板から現像液を除去する第2液処理領域へ略水平姿勢で搬送する第3工程と、
前記基板の搬送方向前方側を持ち上げて前記基板を所定角度傾斜させることによって前記基板から前記現像液を液切りする第4工程と、
前記基板を所定角度傾斜した状態に保持して、前記基板から前記現像液を洗い流すリンス液を前記基板の上方端から下方端へと前記リンス液の供給位置を移動させながら前記基板に供給する第5工程と、
を有することを特徴とする液処理方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001204170A JP3704064B2 (ja) | 2001-07-05 | 2001-07-05 | 液処理装置および液処理方法 |
TW091112240A TW569288B (en) | 2001-06-19 | 2002-06-06 | Substrate processing apparatus, liquid processing apparatus and liquid processing method |
CNB02141002XA CN1262888C (zh) | 2001-06-19 | 2002-06-19 | 基片处理装置、液处理装置和液处理方法 |
KR1020020034344A KR100869553B1 (ko) | 2001-06-19 | 2002-06-19 | 기판처리장치, 액처리장치 및 액처리방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001204170A JP3704064B2 (ja) | 2001-07-05 | 2001-07-05 | 液処理装置および液処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003017401A JP2003017401A (ja) | 2003-01-17 |
JP3704064B2 true JP3704064B2 (ja) | 2005-10-05 |
Family
ID=19040677
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001204170A Expired - Fee Related JP3704064B2 (ja) | 2001-06-19 | 2001-07-05 | 液処理装置および液処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3704064B2 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3788789B2 (ja) * | 2003-01-22 | 2006-06-21 | 東京応化工業株式会社 | 基板の現像方法及び現像装置 |
JP3897114B2 (ja) * | 2003-06-10 | 2007-03-22 | 東京応化工業株式会社 | 基板の現像装置 |
JP4309782B2 (ja) * | 2004-02-27 | 2009-08-05 | シャープ株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
JP4537109B2 (ja) * | 2004-04-16 | 2010-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理装置および現像処理方法 |
EP2637061B1 (en) * | 2004-06-09 | 2018-07-18 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and method for producing a device |
JP2006013156A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Hoya Corp | 基板処理装置及び基板処理方法並びにパターン形成方法 |
JP2008028247A (ja) | 2006-07-24 | 2008-02-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP5188926B2 (ja) * | 2008-10-16 | 2013-04-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP5449116B2 (ja) * | 2010-12-08 | 2014-03-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置、これを備える現像塗布システム、および現像方法 |
JP5655554B2 (ja) * | 2010-12-27 | 2015-01-21 | 大日本印刷株式会社 | 現像処理装置および現像処理方法 |
JP2013080808A (ja) * | 2011-10-04 | 2013-05-02 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
CN107179654B (zh) * | 2016-03-11 | 2020-12-01 | 上海和辉光电股份有限公司 | Oled面板的显影方法、oled面板以及制造设备 |
JP6845027B2 (ja) * | 2017-01-26 | 2021-03-17 | 株式会社Screenホールディングス | 現像方法および現像装置 |
-
2001
- 2001-07-05 JP JP2001204170A patent/JP3704064B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003017401A (ja) | 2003-01-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101052949B1 (ko) | 현상처리장치 및 현상처리방법 | |
JP4643684B2 (ja) | 液処理装置および液処理方法 | |
JP4678658B2 (ja) | 塗布装置 | |
JP4040025B2 (ja) | 塗布膜形成装置 | |
JP3704064B2 (ja) | 液処理装置および液処理方法 | |
JP3894104B2 (ja) | 現像方法及び現像装置及び現像液再生装置 | |
JP3741655B2 (ja) | 液処理方法および液処理装置 | |
JP4652250B2 (ja) | 現像処理装置、現像処理方法、コンピュータ読取可能な記憶媒体 | |
JP3930278B2 (ja) | 液処理装置および液処理方法 | |
JP3818858B2 (ja) | 液処理装置 | |
JP4353530B2 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP4447757B2 (ja) | 塗布装置 | |
JP2002334918A (ja) | 処理装置 | |
JP3935333B2 (ja) | 液処理装置および液処理方法 | |
JP3898471B2 (ja) | 洗浄処理装置および現像処理装置 | |
JP3957569B2 (ja) | 液処理装置 | |
JP5188926B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
TW541620B (en) | Development processing apparatus | |
JP2002043210A (ja) | 現像処理装置 | |
JP5063817B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2003092241A5 (ja) | ||
JP3752136B2 (ja) | 現像処理装置および現像処理方法 | |
JP4153014B2 (ja) | 液処理方法 | |
JP3962560B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP3356989B2 (ja) | 処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050329 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050526 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050705 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050721 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110729 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110729 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140729 Year of fee payment: 9 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |