JP4153014B2 - 液処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、例えば液晶表示装置（ＬＣＤ）に用いられるガラス基板等の基板に対して現像処理等の液処理を行う液処理装置と液処理方法に関する。

ＬＣＤの製造においては、ＬＣＤガラス基板（以下「ＬＣＤ基板」という）にレジスト膜を形成した後に、所定の回路パターンでこのレジスト膜を露光し、さらにこれを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィー技術を用いて、ＬＣＤ基板に回路パターンを形成している。ここで、例えば、現像処理については、特許文献１に、水平姿勢で搬送される基板の表面に現像液を塗布して基板上にパドルを形成し、所定時間保持することにより現像反応を進行する方法および装置が開示されている。
特開平１１−８７２１０号公報

しかしながら、近時、ＬＣＤ基板は大型化の要求が強く、一辺が１ｍにも及ぶような巨大なものまで出現するに至っている。このような大型のＬＣＤ基板を水平姿勢で搬送しながらＬＣＤ基板の表面に現像液を塗布した場合には、現像液が最初に塗布された部分と最後に塗布された部分とでは現像液に接している時間の差が大きくなり、これによって現像反応の進行にむらが生じて、ＬＣＤ基板全体で均一な現像パターンを得ることが困難となる。

ＬＣＤ基板の搬送速度を速くすることによって現像液を短時間に塗布することができるが、ＬＣＤ基板の搬送速度を速くすると、現像反応に必要とされる時間内においてＬＣＤ基板を同じ速度で搬送するために、ＬＣＤ基板を搬送する距離を長くする必要があり、これにより装置のフットプリントが広くなるという新たな問題を生ずる。ＬＣＤ基板の搬送距離を短くするためには、現像液のパドルが形成されたＬＣＤ基板を急停止させなければならず、この場合には、ＬＣＤ基板上の現像液が加速度によってこぼれ落ちてしまい、現像反応を十分に進めることができなくなる。しかも、ＬＣＤ基板を急停止させることによってＬＣＤ基板に大きな負荷が掛かるためにＬＣＤ基板が破損するおそれが生ずる。

本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、装置のフットプリントを大きくすることなく、大型の基板であっても基板全体で均一な液処理を行うことができる液処理装置と液処理方法を提供することを目的とする。

本発明の一観点によれば、基板を略水平姿勢として液処理を行う液処理領域に搬送する工程と、前記液処理領域において、前記基板の搬送を停止しまたは前記基板の搬送速度を前記液処理領域への基板搬送速度よりも遅くする工程と、前記基板に処理液を塗布する処理液吐出ノズルを前記基板上で水平移動させながら前記処理液吐出ノズルから前記基板上に前記処理液を吐出させて前記基板に前記処理液を塗布する工程と、を有し、前記基板に処理液を塗布する工程では、前記処理液吐出ノズルが前記処理液の吐出を終了すべき前記基板の端面近傍に到達したときに前記処理液吐出ノズルからの前記処理液の吐出を中止するとともに前記処理液吐出ノズルを前記端面近傍に近接させることにより、前記基板上に塗布された処理液が前記端面からこぼれ落ちないようにすることを特徴とする液処理方法、が提供される。

本発明によれば、処理液吐出ノズルを所定の速度で移動させることによって基板上に短時間で処理液を塗布することができる。これにより、基板全体で均一な液処理を行うことが可能となる。また、処理液が塗布された基板を高速で搬送する必要がないために基板を急停止させる必要もなく、これによって基板上から処理液がこぼれ落ちて現像反応が進まなくなったり、急停止による応力によって基板に歪みが生じたり、基板がオーバーランして破損する等の問題も発生しない。さらに基板の搬送に要するスペースは従来と同等でよいために、装置のフットプリントの増大が抑制される。

以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。ここで、本実施の形態においては、本発明を露光処理が施されたＬＣＤ基板の現像処理を行う現像処理ユニット（ＤＥＶ）に適用した場合を例として説明することとする。図１は、本発明の一実施形態である現像処理ユニット（ＤＥＶ）を具備し、レジスト膜の形成から現像までの処理を連続して行うレジスト塗布・現像処理システム１００の概略構成を示す平面図である。

このレジスト塗布・現像処理システム１００は、複数のＬＣＤ基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション（搬入出部）１と、ＬＣＤ基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理ステーション（処理部）２と、露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイスステーション（インターフェイス部）３とを備えており、処理ステーション２の両端にそれぞれカセットステーション１およびインターフェイスステーション３が配置されている。なお、図１において、レジスト塗布・現像処理システム１００の長手方向をＸ方向、平面上においてＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。

カセットステーション１は、カセットＣをＹ方向に並べて載置できる載置台９と、処理ステーション２との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出を行うための搬送装置１１を備えており、この載置台９と外部との間でカセットＣの搬送が行われる。また、搬送装置１１は搬送アーム１１ａを有し、カセットＣの配列方向であるＹ方向に沿って設けられた搬送路１０上を移動可能であり、搬送アーム１１ａによりカセットＣと処理ステーション２との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出が行われる。

処理ステーション２は、基本的にＸ方向に伸びるＬＣＤ基板Ｇ搬送用の平行な２列の搬送ラインＡ・Ｂを有しており、搬送ラインＡに沿ってカセットステーション１側からインターフェイスステーション３に向けてスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１と、第１の熱的処理ユニットセクション２６と、レジスト処理ユニット２３および第２の熱的処理ユニットセクション２７が配列されている。

また、搬送ラインＢに沿ってインターフェイスステーション３側からカセットステーション１に向けて第２の熱的処理ユニットセクション２７と、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４と、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５および第３の熱的処理ユニットセクション２８が配列されている。スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１の上の一部にはエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２が設けられている。なお、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２はスクラバ洗浄に先立ってＬＣＤ基板Ｇの有機物を除去するために設けられ、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５は現像の脱色処理を行うために設けられる。

スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１は、その中でＬＣＤ基板Ｇが略水平姿勢で搬送されながら洗浄処理および乾燥処理が行われるようになっている。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４も、後に詳細に説明するように、ＬＣＤ基板Ｇが略水平に搬送されながら現像液塗布、現像後の現像液洗浄、および乾燥処理が行われるようになっている。これらスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１および現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、ＬＣＤ基板Ｇの搬送は例えばコロ搬送またはベルト搬送により行われ、ＬＣＤ基板Ｇの搬入口および搬出口は相対向する短辺に設けられている。また、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５へのＬＣＤ基板Ｇの搬送は、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の搬送機構と同様の機構により連続して行われる。

レジスト処理ユニット２３には、略水平に保持されたＬＣＤ基板Ｇにレジスト液を滴下させて、ＬＣＤ基板Ｇを所定の回転数で回転させることによってレジスト液をＬＣＤ基板Ｇ全体に拡げ、レジスト膜を形成するレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａと、ＬＣＤ基板Ｇ上に形成されたレジスト膜を減圧乾燥する減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂと、ＬＣＤ基板Ｇの四辺をスキャン可能な溶剤吐出ヘッドによりＬＣＤ基板Ｇの周縁に付着した余分なレジストを除去する周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃとがその順に配置されている。レジスト処理ユニット２３内には、これらレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａと、減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂと、周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃの間でＬＣＤ基板Ｇを搬送する搬送アームが設けられている。

第１の熱的処理ユニットセクション２６は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１・３２を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１はスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２はレジスト処理ユニット２３側に設けられている。これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１・３２の間に第１の搬送装置３３が設けられている。

図２の第１の熱的処理ユニットセクション２６の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６１と、ＬＣＤ基板Ｇに対して脱水ベーク処理を行う２つの脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６２・６３と、ＬＣＤ基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドーヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４が４段に積層された構成を有しており、また、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６５と、ＬＣＤ基板Ｇを冷却する２つのクーリングユニット（ＣＯＬ）６６・６７と、ＬＣＤ基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドーヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６８が４段に積層された構成を有している。

第１の搬送装置３３は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６１を介してのスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、およびパスユニット（ＰＡＳＳ）６５を介してのレジスト処理ユニット２３へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行う。

第１の搬送装置３３は、上下に延びるガイドレール９１と、ガイドレール９１に沿って昇降する昇降部材９２と、昇降部材９２上を旋回可能に設けられたベース部材９３と、ベース部材９３上を前進後退可能に設けられ、ＬＣＤ基板Ｇを保持する基板保持アーム９４とを有している。そして、昇降部材９２の昇降はモーター９５によって行われ、ベース部材９３の旋回はモーター９６によって行われ、基板保持アーム９４の前後動はモーター９７によって行われる。このように第１の搬送装置３３は、上下動、前後動、旋回動可能であり、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１・３２のいずれのユニットにもアクセスすることができる。

第２の熱的処理ユニットセクション２７は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４・３５を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４はレジスト処理ユニット２３側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４・３５の間に第２の搬送装置３６が設けられている。

図３の第２の熱的処理ユニットセクション２７の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６９とＬＣＤ基板Ｇに対してプリベーク処理を行う３つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７０・７１・７２が４段に積層された構成となっており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）７３と、ＬＣＤ基板Ｇを冷却するクーリングユニット（ＣＯＬ）７４と、ＬＣＤ基板Ｇに対してプリベーク処理を行う２つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７５・７６が４段に積層された構成となっている。

第２の搬送装置３６は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６９を介してのレジスト処理ユニット２３からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３を介しての現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡し、および後述するインターフェイスステーション３の基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に対するＬＣＤ基板Ｇの受け渡しおよび受け取りを行う。なお、第２の搬送装置３６は、第１の搬送装置３３と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４・３５のいずれのユニットにもアクセス可能である。

第３の熱的処理ユニットセクション２８は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７・３８を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８はカセットステーション１側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７・３８の間に第３の搬送装置３９が設けられている。

図４の第３の熱的処理ユニットセクション２８の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７は、下から順に、ＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）７７と、ＬＣＤ基板Ｇに対してポストベーク処理を行う３つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）７８・７９・８０が４段に積層された構成を有している。また、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８は、下から順に、ポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８１と、ＬＣＤ基板Ｇの受け渡しおよび冷却を行うパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２と、ＬＣＤ基板Ｇに対してポストベーク処理を行う２つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８３・８４が４段に積層された構成を有している。

第３の搬送装置３９は、パスユニット（ＰＡＳＳ）７７を介してのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、パス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２を介してのカセットステーション１へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行う。なお、第３の搬送装置３９も第１の搬送装置３３と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７・３８のいずれのユニットにもアクセス可能である。

処理ステーション２では、以上のように２列の搬送ラインＡ・Ｂを構成するように、かつ基本的に処理の順になるように各処理ユニットおよび搬送装置が配置されており、これら搬送ラインＡ・Ｂ間には空間４０が設けられている。そして、この空間４０を往復動可能にシャトル（基板載置部材）４１が設けられている。このシャトル４１はＬＣＤ基板Ｇを保持可能に構成されており、シャトル４１を介して搬送ラインＡ・Ｂ間でＬＣＤ基板Ｇの受け渡しが行われる。シャトル４１に対するＬＣＤ基板Ｇの受け渡しは、上記第１から第３の搬送装置３３・３６・３９によって行われる。

インターフェイスステーション３は、処理ステーション２と露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出を行う搬送装置４２と、バッファーカセットを配置するバッファーステージ（ＢＵＦ）４３と、冷却機能を備えた基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４とを有しており、タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とが上下に積層された外部装置ブロック４５が搬送装置４２に隣接して設けられている。搬送装置４２は搬送アーム４２ａを備え、この搬送アーム４２ａにより処理ステーション２と露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出が行われる。

このように構成されたレジスト塗布・現像処理システム１００においては、まず、カセットステーション１の載置台９に配置されたカセットＣ内のＬＣＤ基板Ｇが、搬送装置１１により処理ステーション２のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２に直接搬入され、スクラブ前処理が行われる。次いで搬送装置１１によりＬＣＤ基板Ｇがスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１に搬入され、スクラブ洗浄される。スクラブ洗浄処理後、ＬＣＤ基板Ｇは例えばコロ搬送により第１の熱的処理ユニットセクション２６に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のパスユニット（ＰＡＳＳ）６１に搬出される。

パスユニット（ＰＡＳＳ）６１に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、最初に、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１の脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６２・６３のいずれかに搬送されて加熱処理され、次いで熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のクーリングユニット（ＣＯＬ）６６・６７のいずれかに搬送されて冷却された後、レジストの定着性を高めるために熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６８のいずれかに搬送され、そこでＨＭＤＳによりアドヒージョン処理（疎水化処理）される。その後、ＬＣＤ基板Ｇは、クーリングユニット（ＣＯＬ）６６・６７のいずれかに搬送されて冷却され、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５に搬送される。このような一連の処理を行う際のＬＣＤ基板Ｇの搬送処理は、全て第１の搬送装置３３によって行われる。

パスユニット（ＰＡＳＳ）６５に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、レジスト処理ユニット２３の搬送アームによりレジスト処理ユニット２３内へ搬入される。ＬＣＤ基板Ｇは、レジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａにおいてレジスト液がスピン塗布された後に減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂに搬送されて減圧乾燥され、さらに周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃに搬送されてＬＣＤ基板Ｇ周縁の余分なレジストが除去される。そして、周縁レジスト除去終了後、ＬＣＤ基板Ｇは搬送アームによりレジスト処理ユニット２３から、第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のパスユニット（ＰＡＳＳ）６９に受け渡される。

パスユニット（ＰＡＳＳ）６９に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、第２の搬送装置３６により、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７０・７１・７２および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７５・７６のいずれかに搬送されてプリベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のクーリングユニット（ＣＯＬ）７４に搬送されて所定温度に冷却される。そして、第２の搬送装置３６により、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３に搬送される。

その後、ＬＣＤ基板Ｇは第２の搬送装置３６によりインターフェイスステーション３のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４へ搬送され、インターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて周辺レジスト除去のための露光が行われ、次いで搬送装置４２により露光装置４に搬送されてそこでＬＣＤ基板Ｇ上のレジスト膜が露光されて所定のパターンが形成される。場合によってはバッファーステージ（ＢＵＦ）４３上のバッファカセットにＬＣＤ基板Ｇを収容してから露光装置４に搬送される。

露光終了後、ＬＣＤ基板Ｇはインターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の上段のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入されてＬＣＤ基板Ｇに所定の情報が記された後、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に載置される。ＬＣＤ基板Ｇは、第２の搬送装置３６により、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４から第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３へ搬送される。

パスユニット（ＰＡＳＳ）７３から現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより、ＬＣＤ基板Ｇはパスユニット（ＰＡＳＳ）７３から現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へ搬入され、そこで現像処理が施される。この現像処理工程については後に詳細に説明することとする。

現像処理終了後、ＬＣＤ基板Ｇは現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４から連続する搬送機構、例えばコロ搬送によりｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送され、ＬＣＤ基板Ｇに対して脱色処理が施される。その後、ＬＣＤ基板Ｇはｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５内のコロ搬送機構により第３の熱的処理ユニットセクション２８に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のパスユニット（ＰＡＳＳ）７７に搬出される。

パスユニット（ＰＡＳＳ）７７に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、第３の搬送装置３９により熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）７８・７９・８０および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８１・８３・８４のいずれかに搬送されてポストベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２に搬送されて所定温度に冷却された後、カセットステーション１の搬送装置１１によって、カセットステーション１に配置されている所定のカセットＣに収容される。

次に、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の構造について詳細に説明する。図５は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の概略構造を示す側面図、図６は平面図である。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４は、導入ゾーン２４ａ、第１の現像液供給ゾーン２４ｂ、第２の現像液供給ゾーン２４ｃ、現像液除去ゾーン２４ｄ、リンスゾーン２４ｅ、乾燥ゾーン２４ｆから構成されている。導入ゾーン２４ａは熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３に隣接し、乾燥ゾーン２４ｆはｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に隣接している。

パスユニット（ＰＡＳＳ）７３とｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５の間には、モータ等の駆動によってコロ１７を回転させることによってコロ１７上のＬＣＤ基板Ｇを所定方向へ搬送するコロ搬送機構１４が設けられており、このコロ搬送機構１４を動作させることによって、ＬＣＤ基板Ｇをパスユニット（ＰＡＳＳ）７３から現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４を通ってｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に向けて搬送することができるようになっている。コロ１７はＬＣＤ基板Ｇに撓み等が生じ難いように、ＬＣＤ基板Ｇの搬送方向およびこの搬送方向に垂直な方向に所定数設けられる。なお、図６ではこのコロ搬送機構１４は図示していない。

現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、図５に示すように、コロ搬送機構１４は３つの領域に分割されて、領域ごとに独立して駆動することができるようになっている。パスユニット（ＰＡＳＳ）７３と導入ゾーン２４ａは第１モータ１５ａの駆動によってＬＣＤ基板Ｇを搬送する。また、第１の現像液供給ゾーン２４ｂおよび第２の現像液供給ゾーン２４ｃならびに現像液除去ゾーン２４ｄは第２モータ１５ｂの駆動によってＬＣＤ基板Ｇを搬送する。さらに、リンスゾーン２４ｅと乾燥ゾーン２４ｆは第３モータ１５ｃの駆動によってＬＣＤ基板Ｇを搬送する。このようなコロ搬送機構１４の分割駆動は、例えば、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４を構成するゾーン毎に行うこともできる。

パスユニット（ＰＡＳＳ）７３は昇降自在な昇降ピン１６を具備している。ＬＣＤ基板Ｇを保持した第２の搬送装置３６の基板保持アーム９４がパスユニット（ＰＡＳＳ）７３内に進入した状態で昇降ピン１６を上昇させると、ＬＣＤ基板Ｇは基板保持アーム９４から昇降ピン１６に受け渡される。続いて、基板保持アーム９４をパスユニット（ＰＡＳＳ）７３から退出させた後に昇降ピン１６を降下させると、ＬＣＤ基板Ｇはパスユニット（ＰＡＳＳ）７３内のコロ１７上に載置される。第１モータ１５ａを駆動することによって、ＬＣＤ基板Ｇはパスユニット（ＰＡＳＳ）７３から導入ゾーン２４ａへ搬出される。

導入ゾーン２４ａは、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３と第１の現像液供給ゾーン２４ｂとの間の緩衝領域として設けられているものであり、この導入ゾーン２４ａは、第１の現像液供給ゾーン２４ｂからパスユニット（ＰＡＳＳ）７３へ現像液が飛散する等して、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３が汚染されるのを防止する。

第１の現像液供給ゾーン２４ｂは、導入ゾーン２４ａから搬送されてきたＬＣＤ基板Ｇに最初の現像液の液盛り（パドル形成）を行うゾーンであり、ＬＣＤ基板Ｇに対して現像液を塗布する現像液供給機構６０が設けられている。

図７は第１の現像液供給ゾーン２４ｂの構造をＬＣＤ基板Ｇの搬送方向の上流側から見た正面図である。現像液供給機構６０は、ＬＣＤ基板Ｇに対して現像液を吐出する主現像液吐出ノズル５１ａと副現像液吐出ノズル５１ｂ（以下、現像ノズル５１ａ・５１ｂという）の２本のノズルと、これら２本のノズルを固定するノズル固定部材５５と、ノズル固定部材５５を保持するノズル保持部材５６と、ノズル保持部材５６を昇降させる昇降装置５７と、現像ノズル５１ａ・５１ｂをＸ方向にスキャンさせるノズル移動機構６０ａとを有している。

ノズル移動機構６０ａは、昇降装置５７を保持するアーチ型アーム５８と、ガイドレール５９ａと、アーチ型アーム５８をガイドレール５９ａに沿ってスキャンさせる駆動機構４６と、ガイドレール５９ａを保持するレール保持部材５９ｂと、レール保持部材５９ｂを固定するガイド固定台５９ｃとを有している。さらに、現像液供給機構６０は、昇降装置５７と駆動機構４６の動作を制御する制御機構４７を有しており、この制御機構４７は、現像ノズル５１ａ・５１ｂからの現像液の吐出量および吐出の開始および中止を制御することができるようになっている。

なお、図７には、コロ搬送機構１４の構成が並記されている。すなわち、コロ搬送機構１４は、ＬＣＤ基板Ｇの搬送方向（Ｘ方向）に延在し、第２モータ１５ｂ（図７に図示せず。図５参照）によってＸ軸回りに回転する枢軸１９と、枢軸１９に固定されてＸ軸回りに回転する第１歯車１９ａと、ＬＣＤ基板Ｇの幅方向（Ｙ方向）に長く、コロ１７が所定間隔で取り付けられた枢軸１８と、枢軸１８の一端に第１歯車１９ａと噛み合うように取り付けられ、第１歯車１９ａのＸ軸回りの回転をＹ軸回りの回転に変換する第２歯車１８ａと、枢軸１８の他端に取り付けられ、第２歯車１８ａの回転によって枢軸１８を介して回転する第３歯車１８ｂと、Ｘ軸回りに回転自在な枢軸１９´と、第３歯車１８ｂと噛み合うようにして枢軸１９´に取り付けられ、第３歯車１８ｂのＹ軸回りの回転をＸ軸回りの回転に変換する第４歯車１９ｂと、を有している。

コロ搬送機構１４においては、枢軸１８を回転させるための駆動部が枢軸１９、第１歯車１９ａ、第２歯車１８ａ、第２モータ１５ｂから構成され、第３歯車１８ｂ、枢軸１９´、第４歯車１９ｂは枢軸１８の回転をスムーズに行い、枢軸１８を支持する役割を担っている。

図８は主現像液吐出ノズル５１ａの構造を示す斜視図である。主現像液吐出ノズル５１ａは、ＬＣＤ基板Ｇの幅方向（Ｙ方向）に長い構造を有している。主現像液吐出ノズル５１ａの上部中央には主現像液吐出ノズル５１ａに現像液を送液するために現像液供給管４９ａが設けられており、その下端には長手方向に沿って形成された吐出口４９ｂから略帯状に現像液を吐出することができるようになっている。副現像液吐出ノズル５１ｂは主現像液吐出ノズル５１ａと同等の構造を有する。

現像ノズル５１ａ・５１ｂは、長手方向がＹ方向と一致するように、ノズル固定部材５５によって所定間隔で平行に保持されている。また、昇降装置５７を駆動してノズル保持部材５６を昇降させることによって現像ノズル５１ａ・５１ｂを昇降させることができ、これにより現像ノズル５１ａ・５１ｂの吐出口４９ｂとＬＣＤ基板Ｇの表面との間のギャップを調節することができるようになっている。さらにアーチ型アーム５８の両端にはガイドレール５９ａと嵌合している嵌合部５８ａが形成されており、駆動機構４６によってアーチ型アーム５８はガイドレール５９ａの長手方向であるＸ方向にスライド自在となっている。

現像液供給機構６０においては、現像ノズル５１ａ・５１ｂからＬＣＤ基板Ｇに対してＹ方向に長い略帯状の現像液を吐出させながら、現像ノズル５１ａ・５１ｂをＸ方向にスキャンさせる（つまり、アーチ型アーム５８をＸ方向にスライドさせる）ことにより、ＬＣＤ基板Ｇの表面に現像液を液盛りすることができるようになっている。

ＬＣＤ基板Ｇの全体で現像処理を均一に行うためには、ＬＣＤ基板Ｇ上にできるだけ短時間でしかも均一に、現像反応に必要な量の現像液を塗布する必要がある。２本の現像ノズル５１ａ・５１ｂを用いることにより、短時間にしかも安定して所定量の現像液を吐出させることができる。現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン速度は、１００ｍｍ／秒以上５００ｍｍ／秒以下とすることが好ましい。

現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン速度が１００ｍｍ／秒より小さい場合には、現像ノズル５１ａ・５１ｂをスキャンさせずにＬＣＤ基板Ｇの搬送速度を変えることによって、同等の処理を行うことができるために、現像ノズル５１ａ・５１ｂをスキャンさせるメリットが見出せない。一方、５００ｍｍ／秒より大きい場合には、液盛り速度が速すぎるために現像液が盛れない部分が発生したり、現像液がＬＣＤ基板Ｇからこぼれやすくなる等の不具合が発生する。現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン速度がこの範囲であればＬＣＤ基板Ｇの長さを考えても盛り始めと盛り終わりの時間差が問題にならずに現像液の液盛りを行うことができる。

また、ＬＣＤ基板Ｇへの液盛りの回数は１回に限定されず、複数回の液盛り処理を行うことも可能である。例えば、ＬＣＤ基板Ｇ上への液盛りを１回行った後に、現像ノズル５１ａ・５１ｂを上昇させ、さらに元の位置に戻し、再び液盛りの動作を行ってもよい。

図９（ａ）は、図５に示した現像ノズル５１ａ・５１ｂの配置形態をより詳細に示す側面図であり、図９（ｂ）は、現像ノズル５１ａ・５１ｂから現像液を吐出させながら現像ノズル５１ａ・５１ｂをスキャンさせた状態を示す説明図である。

現像液供給機構６０では、ＬＣＤ基板Ｇの表面に現像液を液盛りする際には、アーチ型アーム５８をＬＣＤ基板Ｇの搬送方向とは逆方向にスキャンさせる。主現像液吐出ノズル５１ａから先にＬＣＤ基板Ｇに現像液が塗布されるように、主現像液吐出ノズル５１ａが基板搬送方向の上流側に配置され、副現像液吐出ノズル５１ｂが基板搬送方向の下流側に配置されている。主現像液吐出ノズル５１ａから吐出されてＬＣＤ基板Ｇ上に液盛りされた現像液に、副現像液吐出ノズル５１ｂから現像液を吐出して現像液を補充することにより、現像反応を進めるために十分な現像液をＬＣＤ基板Ｇに供給され、これによって現像時間を短縮し、現像精度を向上させることができる。

現像ノズル５１ａ・５１ｂをスキャンさせる際に、副現像液吐出ノズル５１ｂの下端が主現像液吐出ノズル５１ａによってＬＣＤ基板Ｇ上に既に吐出された現像液を現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン方向に押し出すことがないように（図９（ｂ）参照）、副現像液吐出ノズル５１ｂとＬＣＤ基板Ｇとの間隙幅（ギャップ）Ｄは、主現像液吐出ノズル５１ａとＬＣＤ基板Ｇとの間隙幅ｄよりも広く設定することが好ましい。

例えば、間隙幅ｄを１．５ｍｍ〜２．５ｍｍ、間隙幅Ｄを３ｍｍ〜５ｍｍとする。間隙幅ｄを１．５ｍｍ未満とする場合には、主現像液吐出ノズル５１ａの位置合わせがやや困難となる。また、間隙幅ｄを２．５ｍｍ超とした場合には、現像液の吐出時に現像液に気泡が巻き込まれてこの気泡がＬＣＤ基板Ｇの表面に付着し、その部分に現像不良が生ずるおそれがある。間隙幅Ｄを５ｍｍ超とすると、ＬＣＤ基板Ｇに既に塗布された現像液が大きく撹拌されてしまい、これによって線幅均一性が低下する問題を生ずる。なお、主現像液吐出ノズル５１ａによってＬＣＤ基板Ｇ上に液盛りされた現像液の表面からの距離が１ｍｍを超えないようにすることにより、気泡の巻き込み等を防止することができる。

現像ノズル５１ａ・５１ｂは、ノズル移動機構６０ａによるスキャン時にはスキャン方向の斜め下後方に向けて現像液が吐出されるように鉛直方向に対して５度以上１５度以下の角度θで傾斜した状態に保持されている。

例えば、主現像液吐出ノズル５１ａからＬＣＤ基板Ｇに吐出された現像液が主現像液吐出ノズル５１ａのスキャン方向の前方に向けて拡がり易い場合には、主現像液吐出ノズル５１ａからＬＣＤ基板Ｇに吐出される現像液のＬＣＤ基板Ｇに対するインパクト（現像液がＬＣＤ基板Ｇにあたる勢い）は、先にＬＣＤ基板Ｇ上に塗布された現像液の上から加えられるために、直接に現像液がＬＣＤ基板Ｇに吐出される場合と比較すると弱められる。このために現像精度が低下する問題を生ずる。

主現像液吐出ノズル５１ａを所定角度θだけ傾斜させることによって、主現像液吐出ノズル５１ａから吐出された現像液が現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン方向の前方に向けて拡がり難くなる。これにより主現像液吐出ノズル５１ａから吐出される現像液のインパクトは直接にＬＣＤ基板Ｇに加えられるために、現像精度を高めることが可能となる。

副現像液吐出ノズル５１ｂからは主現像液吐出ノズル５１ａから吐出された現像液の上から新たに現像液が吐出されるために、元来、副現像液吐出ノズル５１ｂから吐出される現像液は主現像液吐出ノズル５１ａの場合と比べるとＬＣＤ基板Ｇに対して大きなインパクトは与えない。副現像液吐出ノズル５１ｂから吐出する現像液によって先にＬＣＤ基板Ｇに塗布された現像液が大きく撹拌されないように、副現像液吐出ノズル５１ｂもまた所定角度θだけ傾斜させることが好ましい。

このように、第１の現像液供給ゾーン２４ｂでは、現像ノズル５１ａ・５１ｂをスキャンさせながら現像液をＬＣＤ基板Ｇに吐出するために、ＬＣＤ基板Ｇを高速で搬送する必要がない。これによって、ＬＣＤ基板Ｇの搬送時のオーバーランや搬送の急停止によってＬＣＤ基板Ｇに歪みを生じさせたり、破損させたりする事故の発生が防止される。また、現像液供給後にＬＣＤ基板Ｇを急停止させる必要がないために、ＬＣＤ基板Ｇに液盛りされた現像液のこぼれ落ちを防止することができ、現像液を効率的に使用することが可能となる。

第１の現像液供給ゾーン２４ｂでは、ＬＣＤ基板Ｇを低速で搬送しながら、またはＬＣＤ基板Ｇを停止させて現像液の液盛りを行うことができるが、ＬＣＤ基板Ｇを停止させて現像液を塗布する方法を用いた場合には、特に安定した状態で行うことが可能であり、これによって線幅均一性を高めることができる。

第１の現像液供給ゾーン２４ｂで現像液が液盛りされたＬＣＤ基板Ｇを現像液除去ゾーン２４ｄへ搬送する間に、ＬＣＤ基板Ｇ上から現像液がこぼれ落ちる場合がある。第２の現像液供給ゾーン２４ｃでは、こうしてＬＣＤ基板の搬送途中にＬＣＤ基板Ｇから現像液がこぼれ落ちることによって現像反応が進まなくなることを防止するために、新たにＬＣＤ基板Ｇに現像液を補充することができる。

第２の現像液供給ゾーン２４ｃにおいては、主現像液吐出ノズル５１ａと同様の構造を有する現像液補充ノズル５１ｃが、その長手方向がＹ方向となるようにして、アーチ型アーム５８と同様の構造を有する不動のアーム（図示せず）に固定されている。現像液補充ノズル５１ｃからは、コロ搬送機構１４によって搬送されるＬＣＤ基板Ｇ上に所定量の現像液がＹ方向に長い略帯状に吐出され、こうして搬送時にＬＣＤ基板Ｇからこぼれ落ちた現像液が補充される。

現像液除去ゾーン２４ｄには、ＬＣＤ基板Ｇを、例えば、斜め姿勢に変換する図示しない姿勢変換機構と、ＬＣＤ基板Ｇの表面に現像液を洗い流すためのリンス液（例えば、純水）を吐出するリンス液吐出ノズル５２が設けられている。ＬＣＤ基板Ｇにおける現像反応は、第１の現像液供給ゾーン２４ｂから現像液除去ゾーン２４ｄに搬送される間に行われる。現像液除去ゾーン２４ｄにおいては、ＬＣＤ基板Ｇを斜め姿勢に変換してＬＣＤ基板Ｇ上の現像液を流し落とし、さらにＬＣＤ基板Ｇを斜め姿勢に保持した状態で、ＬＣＤ基板Ｇの上方端から下方端へとＬＣＤ基板Ｇの表面に沿ってリンス液吐出ノズル５２をスキャンさせながらＬＣＤ基板Ｇの表面に純水を吐出することにより、ＬＣＤ基板Ｇ上の現像液が洗い流される。

リンス液吐出ノズル５２は、短時間で現像液を洗い流すことができるように、例えば、５００ｍｍ／秒の速度でスキャンさせることができるようになっている。実際には、リンス液吐出ノズル５２のスキャン速度を、１００ｍｍ／秒〜３００ｍｍ／秒の間、より好ましくは２００ｍｍ／秒〜３００ｍｍ／秒の間とすることにより、現像パターンの線幅均一性が高められる。リンス液吐出ノズル５２としては、現像ノズル５１ａ・５１ｂと同様に、リンス液を膜状で吐出することができる構造のものが好適に用いられ、これによって現像ムラの発生を防止することができる。

リンスゾーン２４ｅには、純水等のリンス液をＬＣＤ基板Ｇに向けて吐出するリンスノズル５３が取り付けられている。リンスゾーン２４ｅにおいては、ＬＣＤ基板Ｇを所定速度で搬送しながらＬＣＤ基板Ｇの表面と裏面にリンス液を吐出して、ＬＣＤ基板Ｇに付着している現像液の除去と洗浄が行われる。なお、リンスノズル５３は、ＬＣＤ基板Ｇの幅よりも長い形状を有しており、ＬＣＤ基板Ｇの幅方向全体にリンス液を吐出することができるようになっている。

リンスゾーン２４ｅを通過したＬＣＤ基板Ｇが搬送される乾燥ゾーン２４ｆには、所定の風圧で窒素ガス等の乾燥ガスを噴射するエアーノズル（エアーナイフ）５４が設けられている。乾燥ゾーン２４ｆにおいては、ＬＣＤ基板Ｇを所定速度で搬送しながらＬＣＤ基板Ｇの表面と裏面に乾燥ガスを噴射して、ＬＣＤ基板Ｇに付着したリンス液を吹き飛ばしてＬＣＤ基板Ｇを乾燥する。なお、エアーノズル５４は、ＬＣＤ基板Ｇの幅よりも長い形状を有しており、ＬＣＤ基板Ｇの幅方向全体に乾燥ガスを吐出することができるようになっている。乾燥処理が終了したＬＣＤ基板Ｇは、コロ搬送機構１４により、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送される。

次に、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４における現像処理工程について説明する。図１０は現像処理工程の概略を示す説明図（フローチャート）である。パスユニット（ＰＡＳＳ）７３に搬入されたＬＣＤ基板Ｇは、コロ搬送機構１４によって、導入ゾーン２４ａを通過して第１の現像液供給ゾーン２４ｂに搬入される（ステップ１）。このパスユニット（ＰＡＳＳ）７３から第１の現像液供給ゾーン２４ｂへのＬＣＤ基板Ｇの搬送速度は、例えば６５ｍｍ／秒とする。

第１の現像液供給ゾーン２４ｂにおいては、ＬＣＤ基板Ｇを所定位置で停止させた状態として（ステップ２）、現像ノズル５１ａ・５１ｂを、例えば、２４０ｍｍ／秒という高速でスキャンさせながらＬＣＤ基板Ｇの表面に現像液を吐出し、現像液の液盛りを行う（ステップ３）。ＬＣＤ基板Ｇを停止させた状態とすることにより、現像ノズル５１ａ・５１ｂの駆動制御が容易となる。また、安定して現像液をＬＣＤ基板状に液盛りすることができる。

図１１は現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャンの形態を示す説明図である。図１１の右側から左側へ現像ノズル５１ａ・５１ｂをスキャンさせるものとし、図１１に示したＬＣＤ基板Ｇの右端を「液盛り開始端」とし、左端を「液盛り終了端」とする。現像ノズル５１ａ・５１ｂの高さ位置を昇降装置５７によって調整した後に、駆動機構４６を動作させて、現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャンを開始する。主現像液吐出ノズル５１ａが液盛り開始端から右側の所定位置、例えば、液盛り開始端の右側１ｃｍの位置（以下「吐出開始位置」という）に達したときに、主現像液吐出ノズル５１ａからの現像液の吐出を開始する（ステップ３ａ）。これにより確実に液盛り開始端から現像液を液盛りすることができる。同様に、副現像液吐出ノズル５１ｂが吐出開始位置に達したときに副現像液吐出ノズル５１ｂからの現像液の吐出を開始する（ステップ３ｂ）。

そして、ＬＣＤ基板Ｇ上で現像ノズル５１ａ・５１ｂをスキャンさせて、ＬＣＤ基板Ｇ全体に現像液を液盛りする（ステップ３ｃ）。このとき、先に図９（ａ）・（ｂ）を参照しながら説明したように、現像ノズル５１ａ・５１ｂがＬＣＤ基板Ｇ上をスキャンしているときには、現像液は現像ノズル５１ａ・５１ｂの斜め下後方に向けて吐出される。また、副現像液吐出ノズル５１ｂは、主現像液吐出ノズル５１ａによってＬＣＤ基板Ｇ上に塗布された現像液を現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン方向に掻き出すことなく、ＬＣＤ基板Ｇに現像液を塗布する。

副現像液吐出ノズル５１ｂが液盛り終了端を通過するまでＬＣＤ基板Ｇへの現像液の吐出を続けてもよいが、好ましくは、主現像液吐出ノズル５１ａが液盛り終了端に到達したら主現像液吐出ノズル５１ａからの現像液の吐出を中止し（ステップ３ｄ）、副現像液吐出ノズル５１ａが液盛り終了端に到達したら副現像液吐出ノズル５１ｂからの現像液の吐出を中止して（ステップ３ｅ）、副現像液吐出ノズル５１ｂの下端がＬＣＤ基板Ｇの液盛り終了端に近接または当接するように、現像ノズル５１ａ・５１ｂを移動させる（ステップ３ｆ）。副現像液吐出ノズル５１ｂをこのような位置へ移動させることにより、ＬＣＤ基板Ｇ上に塗布された現像液が、液盛り終了端からこぼれ落ちることが防止される。副現像液吐出ノズル５１ｂをＬＣＤ基板Ｇに当接させる場合には、この当接によってＬＣＤ基板Ｇが破損することのないようにきめ細かい制御を行う。

図１１に示した１回の液盛り作業が終了した後には、現像ノズル５１ａ・５１ｂを液盛り開始端側へ戻して、再びＬＣＤ基板Ｇに現像液を塗布することも好ましい（ステップ３ｇ）。ＬＣＤ基板Ｇへの液盛りを複数回行うことによって、現像精度を高く維持しながら、現像時間を短縮することが可能となる。

図１２はＬＣＤ基板Ｇへの液盛り条件と得られる現像パターン特性との関係を示した説明図であり、図１２（ａ）は現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン速度と線幅均一性との関係との関係を示し、図１２（ｂ）は液盛り回数と線幅との関係を示し、図１２（ｃ）は液盛り回数と線幅均一性との関係を示している。

図１２（ａ）〜（ｃ）に示す結果は、線幅８μｍまたは１０μｍの所定パターンが形成されたマスクを用いて所定条件にてＬＣＤ基板Ｇを露光処理し、次いで露光されたＬＣＤ基板Ｇを種々の条件で現像し、こうして得られたレジスト膜のパターンをＳＥＭ観察して線幅（現像パターンにおける凸部の幅）を測定することによって求められたものである。このＳＥＭ観察においては、ＬＣＤ基板Ｇ全体についての観察を行うために、ＬＣＤ基板Ｇの略中心において等角度に交わる８方向について放射状に複数の観察点を設けた。

図１２（ａ）に示す結果は、線幅１０μｍのパターンが形成されたマスクを用い、現像ノズル５１ａ・５１ｂからの現像液の吐出流量を現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン速度に関係なく一定とし、現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン速度を変えて液盛りを１回のみ行い、さらに現像時間（現像液の塗布を開始してから現像液をＬＣＤ基板Ｇから除去するまでの時間）を一定として得られたものである。なお、図１２（ａ）中の１本の棒グラフは１枚のＬＣＤ基板Ｇに対応する。

図１２（ａ）に示すように、現像ノズル５１ａ・５１ｂの液盛り回数が１回の場合には、現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン速度が速い方が、線幅均一性が向上することがわかった。これは現像液盛り開始端部での現像液の滞留量が低下し、この開始端部で起きる現像の部分的な過剰反応が抑制されるためと、ＬＣＤ基板Ｇ全体に液盛りされる時間が短いためにＬＣＤ基板Ｇ全体で均一に現像反応が進行したためと考えられる。

「現像液盛り開始端部で起きる現像の部分的な過剰反応」とは、次のことをいう。すなわち、現像液は現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャンに伴ってスキャン方向へ供給されていくが、このときに一部の現像液はスキャン方向と反対の方向に流れる。この戻り現像液は、現像液盛り開始端部においてはそれ以上流れることができずにその場に溜まる。このために、現像液盛り開始端部では現像液が過剰に供給された状態となって現像反応が他の部位より進み、過剰反応が進行する。この現像の部分的な過剰反応は、結果として、面内の線幅のばらつきを増大させる。

現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン速度を速くすることによって戻り現像液の量を低減させることができるため、現像液盛り開始端部での部分的な過剰反応が抑制される。

なお、現像ノズル５１ａ・５１ｂからの現像液の吐出流量と現像時間を一定としたために、スキャン速度が１００ｍｍ／秒の場合には平均線幅は９．９４μｍとマスクのパターンに近かったが、ＬＣＤ基板Ｇ全体で線幅のばらつきが大きくなった。一方、スキャン速度が２１０ｍｍ／秒の場合には平均線幅は９．７８μｍとマスクのパターンより少し狭くなったが、ＬＣＤ基板Ｇ全体で線幅のばらつきは小さくなった。この結果は、現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン速度が速い場合には、現像液のレジストに対するインパクトが増大し、現像反応がより促進されるために、スキャン速度が２１０ｍｍ／秒の場合に現像反応が進み過ぎたことが原因の１つと考えられる。したがって、現像ノズル５１ａ・５１ｂを高速でスキャンさせる場合には、現像時間を短くすることによって平均線幅をマスクのパターンに近づけることができ、しかも、線幅均一性を高めることができると考えられる。

図１２（ｂ）に示す結果は、線幅８μｍのパターンが形成されたマスクを用い、現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン速度を８０ｍｍ／秒、現像液吐出量を５．６Ｌ（リットル）／分とした場合および現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン速度を１６０ｍｍ／秒、現像液吐出量を９．４Ｌ／分とした場合について、現像時間を一定として、液盛り回数を変化させたときの平均線幅を示している。図１２（ｂ）に示されるように、液盛り回数が多くなると平均線幅が狭くなっている。このことは、液盛り回数が多くなると現像反応が速く進行することを示しているために、液盛り回数を多くすることにより、現像時間を短縮することが可能となるものと考えられる。

図１２（ｃ）に示す結果は、線幅８μｍのパターンが形成されたマスクを用い、現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン速度を８０ｍｍ／秒、現像液吐出量を５．６Ｌ（リットル）／分とした場合および現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン速度を１６０ｍｍ／秒、現像液吐出量を９．４Ｌ／分とした場合について、現像時間を一定として、液盛り回数を変化させたときの線幅均一性を示している。なお、図１２（ｃ）中の１本の棒グラフは１枚のＬＣＤ基板Ｇに対応する。

図１２（ｃ）に示されるように、液盛り回数が同じ場合には現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン速度が大きいほど、線幅均一性が向上する傾向がある。また、現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン速度が速い場合（１６０ｍｍ／秒）には、液盛り回数が多くなると線幅均一性が向上している。このような結果から、現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン速度が速く、かつ、液盛り回数を多くすることが、線幅均一性の向上に有効であることがわかる。

第１の現像液供給ゾーン２４ｂにおける液盛り処理が終了したＬＣＤ基板Ｇを、コロ搬送機構１４を動作させて、例えば、４６ｍｍ／秒の搬送速度で、第２の現像液供給ゾーン２４ｃへ搬送する（ステップ４）。ＬＣＤ基板Ｇが第２の現像液供給ゾーン２４ｃを通過する際に、現像液補充ノズル５１ｃからＬＣＤ基板Ｇ上に現像液を補充してもよい（ステップ５）。

第２の現像液供給ゾーン２４ｃに搬送されたＬＣＤ基板Ｇはさらに現像液除去ゾーン２４ｄに搬送され（ステップ６）、そこでＬＣＤ基板Ｇを斜め姿勢に変換してＬＣＤ基板Ｇ上の現像液を流し落とし（ステップ７）、さらにＬＣＤ基板Ｇを斜め姿勢に保持した状態でリンス液吐出ノズル５２からＬＣＤ基板Ｇの表面にリンス液例えば純水を吐出して、ＬＣＤ基板Ｇ上の現像液を洗い流す（ステップ８）。

続いて、ＬＣＤ基板Ｇはリンスゾーン２４ｅに搬送され（ステップ９）、そこでＬＣＤ基板Ｇを所定速度で搬送しながらＬＣＤ基板Ｇの表面と裏面にリンス液を吐出して、ＬＣＤ基板Ｇに付着している現像液の除去と洗浄を行う（ステップ１０）。このようなリンス処理が行われながらリンスゾーン２４ｅを通過したＬＣＤ基板Ｇは乾燥ゾーン２４ｆに搬送される（ステップ１１）。乾燥ゾーン２４ｆでは、ＬＣＤ基板Ｇを所定速度で搬送しながら、エアーノズル５４による乾燥処理が行われる（ステップ１２）。乾燥処理が終了したＬＣＤ基板Ｇは、コロ搬送機構１４により、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送され（ステップ１３）、そこで所定の紫外線照射処理が施される。

以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。例えば、第１の現像液供給ゾーン２４ｂに配置される現像液吐出ノズルは１本でもよく、３本以上であってもよい。１本の現像液吐出ノズルを用いる場合には、現像液吐出ノズルから吐出させる現像液の流量を増大させなければならないために、現像液の吐出勢いが強くなってＬＣＤ基板Ｇに吐出した現像液がＬＣＤ基板Ｇからこぼれ落ちることのないように、現像液吐出ノズルからの現像液の吐出状態、例えば、現像液の吐出方向や吐出勢いを制御する。

また、第１の現像液供給ゾーン２４ｂにおいては、ＬＣＤ基板Ｇを停止させずに、ＬＣＤ基板Ｇ上に塗布された現像液がこぼれ落ちない程度の速度で搬送しながら、ＬＣＤ基板Ｇに現像液を塗布してもよい。さらに、現像ノズル５１ａ・５１ｂのスキャン方向をＬＣＤ基板Ｇの搬送方向と逆の方向としたが、ＬＣＤ基板Ｇを停止させる場合には、ＬＣＤ基板Ｇの搬送方向と垂直な方向に現像ノズル５１ａ・５１ｂをスキャンさせてもよい。

本発明の液処理装置の一実施形態である現像処理ユニットを具備するレジスト塗布・現像処理システムの概略平面図。 図１に示したレジスト塗布・現像処理システムの第１の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。 図１に示したレジスト塗布・現像処理システムの第２の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。 図１に示したレジスト塗布・現像処理システムの第３の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。 本発明に係る現像処理ユニットの概略側面図。 図５に示す現像処理ユニットの概略平面図。 図５に示す現像処理ユニットが有する第１の現像液供給ゾーンの構造をＬＣＤ基板の搬送方向の上流側から見た正面図。 図５に示す現像処理ユニットの第１の現像液供給ゾーンに配置された主現像液吐出ノズルの構造を示す斜視図。 図５に示した主現像液吐出ノズルと副現像液吐出ノズルの配置形態および現像液の塗布形態を示す側面図。 現像処理工程の概略を示す説明図（フローチャート）。 主現像液吐出ノズルと副現像液吐出ノズルのスキャンの形態を示す説明図。 ＬＣＤ基板への液盛り条件と得られる現像パターンの線幅および線幅均一性との関係を示す説明図。

符号の説明

１；カセットステーション
２；処理ステーション
３；インターフェイスステーション
１４；コロ搬送機構
１７；コロ
２４；現像処理ユニット（ＤＥＶ）
２４ａ；導入ゾーン
２４ｂ；第１の現像液供給ゾーン
２４ｃ；第２の現像液供給ゾーン
２４ｄ；現像液除去ゾーン
２４ｅ；リンスゾーン
２４ｆ；乾燥ゾーン
５１ａ；主現像液吐出ノズル
５１ｂ；副現像液吐出ノズル
５１ｃ；現像液補充ノズル
５２；リンス液吐出ノズル
５３；リンスノズル
５４；エアーノズル（エアーナイフ）
５５；ノズル固定部材
５６；ノズル保持部材
５７；昇降装置
５８；アーチ型アーム
５９ａ；ガイドレール
６０；現像液供給機構
６０ａ；ノズル移動機構
１００；レジスト塗布・現像処理システム（処理装置）
Ｇ……ＬＣＤ基板

Claims (5)

1. 基板を略水平姿勢として液処理を行う液処理領域に搬送する工程と、
   前記液処理領域において、前記基板の搬送を停止しまたは前記基板の搬送速度を前記液処理領域への基板搬送速度よりも遅くする工程と、
   前記基板に処理液を塗布する処理液吐出ノズルを前記基板上で水平移動させながら前記処理液吐出ノズルから前記基板上に前記処理液を吐出させて前記基板に前記処理液を塗布する工程と、
   を有し、
   前記基板に処理液を塗布する工程では、前記処理液吐出ノズルが前記処理液の吐出を終了すべき前記基板の端面近傍に到達したときに前記処理液吐出ノズルからの前記処理液の吐出を中止するとともに前記処理液吐出ノズルを前記端面近傍に近接させることにより、前記基板上に塗布された処理液が前記端面からこぼれ落ちないようにすることを特徴とする液処理方法。
2. 前記処理液の塗布された基板を所定速度で搬送しながら、前記基板に処理液を塗布する固定された処理液補充ノズルから前記処理液を吐出させて、前記基板にさらに前記処理液を塗布することを特徴とする請求項１に記載の液処理方法。
3. 前記基板に処理液を塗布する工程では、前記処理液吐出ノズルから前記処理液を吐出させながら前記処理液吐出ノズルを前記基板上で水平方向に複数回略移動させて前記基板に前記処理液を塗布することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の液処理方法。
4. 前記基板に処理液を塗布する工程では、前記処理液吐出ノズルを略水平方向に移動させる際に、前記処理液吐出ノズルから前記処理液を前記処理液吐出ノズルの移動方向の斜め下後方に向けて吐出させることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の液処理方法。
5. 前記基板に処理液を塗布する工程では、前記処理液吐出ノズルとして２本のノズルを用いて前記基板に前記処理液を塗布することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の液処理方法。
   

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