JP2003017401A - 液処理装置および液処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 大型の基板であっても基板全体で均一な液処
理を行うことができる液処理装置と液処理方法を提供す
る。 【解決手段】 液処理装置の一実施形態である現像処理
ユニット（ＤＥＶ）２４は、基板Ｇに現像液を塗布する
第１の現像液供給ゾーン２４ｂと、現像液が塗布された
基板Ｇから現像液を除去する液切り／リンスゾーン２４
ｄと、基板Ｇを略水平姿勢で一方向に搬送するコロ搬送
機構１４とを有する。液切り／リンスゾーン２４ｄで
は、基板Ｇを傾斜姿勢として現像液を流し出し、その後
に傾斜姿勢に保持された基板Ｇの表面に沿ってリンス液
吐出ノズル５２を所定速度で移動させながらリンス液を
基板Ｇに供給する。液切り／リンスゾーン２４ｄでは短
時間で現像液が基板Ｇから除去できることから、現像む
らの発生が防止されて、線幅均一性が高められる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、例えば液晶表示装
置（ＬＣＤ）ガラス基板等の基板に対して現像処理等の
液処理を行う液処理装置と液処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＬＣＤの製造においては、ＬＣＤガラス
基板（以下「ＬＣＤ基板」という）にレジスト膜を形成
した後に、回路パターンに対応してこのレジスト膜を露
光し、さらにこれを現像処理するという、いわゆるフォ
トリソグラフィー技術を用いて、ＬＣＤ基板に所定の回
路パターンを形成している。ここで、例えば、現像処理
については、特開平１１−８７２１０号公報に、水平姿
勢で一方向に搬送される基板の表面に現像液を塗布して
基板上に液層を形成し、所定時間保持することで現像反
応を進行させ、その後に基板の搬送方向と直交する方向
の端面の一方を持ち上げて基板を傾斜姿勢に変換して現
像液を流し落とし、さらに基板を傾斜姿勢で搬送しなが
らリンス液を基板に供給する処理方法および処理装置が
開示されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近時、
ＬＣＤ基板は大型化の要求が強く、一辺が１ｍにも及ぶ
ような巨大なものまで出現するに至っている。ＬＣＤ基
板の現像処理において、ＬＣＤ基板を傾斜姿勢とするこ
とによってＬＣＤ基板上から現像液を液切りした場合に
は、速やかにＬＣＤ基板に純水を供給して現像液残渣を
洗い流し、現像反応を停止させなければ、現像むらや線
幅均一性が悪化する問題を生ずる。

【０００４】ところが、このような大型のＬＣＤ基板に
リンス液を供給するために、ＬＣＤ基板を傾斜姿勢で高
速に搬送することは、ＬＣＤ基板に掛かる機械的な負荷
や搬送装置の負荷、ＬＣＤ基板を高速搬送した場合のＬ
ＣＤ基板の停止条件等の種々の理由によって困難であ
る。例えば、ＬＣＤ基板を高速搬送した場合にはその後
にＬＣＤ基板が所定位置で停止せずにオーバーランして
破損したり、ＬＣＤ基板を急停止させた際にＬＣＤ基板
に大きな負荷が掛かってＬＣＤ基板が損傷するおそれが
ある。一方、ＬＣＤ基板の搬送速度を徐々に遅くした場
合には、現像装置のフットプリントが必然的に大きくな
る問題がある。

【０００５】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、大型の基板であっても基板全体で均一な液処理
を行うことができる液処理装置と液処理方法を提供する
ことを目的とする。

【０００６】

【課題を解決する手段】本発明の第１の観点によれば、
基板に対して所定の液処理を施す液処理装置であって、
略水平姿勢に保持された基板に処理液を塗布する第１液
処理部と、前記処理液が塗布された基板から前記処理液
を液切りする第２液処理部と、前記第１液処理部から前
記第２液処理部へ基板を略水平姿勢で一方向に搬送する
基板搬送機構と、を具備し、前記第１液処理部は、前記
基板搬送機構による基板搬送方向の前方から後方に向け
て前記基板に前記処理液を塗布する処理液供給機構を有
し、前記第２液処理部は、前記処理液が塗布された基板
の搬送方向の前方を持ち上げて前記基板を傾斜姿勢に変
換することによって前記基板に塗布された処理液を液切
りする基板傾斜機構を有し、前記第２液処理部は、前記
処理液が塗布された基板の搬送方向の前方を持ち上げて
前記基板を傾斜姿勢に変換することによって前記基板に
塗布された処理液を液切りする基板傾斜機構を有するこ
とを特徴とする液処理装置、が提供される。

【０００７】この第１の観点による液処理装置では、基
板に処理液を塗布する方向と基板に塗布された処理液を
液切りする際に基板から処理液が流れ落ちる方向とを同
じ方向とすることによって、処理液が基板に接している
時間が基板全体で均等化されるため、基板全体で均一な
液処理を行うことができる。

【０００８】本発明の第２の観点によれば、基板に対し
て所定の液処理を施す液処理装置であって、略水平姿勢
に保持された基板に第１の処理液を塗布する第１液処理
部と、前記第１の処理液が塗布された基板から前記第１
の処理液を除去する第２液処理部と、前記第１液処理部
から前記第２液処理部へ前記第１の処理液の塗布された
基板を略水平姿勢で一方向に搬送する基板搬送機構と、
を具備し、前記第２液処理部は、前記第１の処理液が塗
布された基板の一端を持ち上げて前記基板を傾斜姿勢に
変換することによって前記基板に塗布された第１の処理
液を液切りする基板傾斜機構と、前記基板傾斜機構によ
って傾斜姿勢に保持された基板から前記第１の処理液の
残渣を流し出す第２の処理液を前記基板に吐出する処理
液吐出ノズルと、前記処理液吐出ノズルを前記基板傾斜
機構によって傾斜姿勢に保持された基板の表面に沿って
斜めに移動させるノズル移動機構と、を有することを特
徴とする液処理装置、が提供される。

【０００９】この第２の観点による液処理装置では、処
理液吐出ノズルから基板へ第２の処理液を吐出させなが
ら処理液吐出ノズルを所定速度、好ましくは高速で移動
させることによって基板から第１の処理液の残渣が除去
される。こうして、第１の処理液が基板に接している時
間が基板全体で均等化され、第１の処理液による基板の
均一な処理を行うことができる。

【００１０】本発明の第３の観点によれば、基板に対し
て所定の液処理を施す液処理装置であって、略水平姿勢
に保持された基板に第１の処理液を塗布する第１液処理
部と、前記第１の処理液が塗布された基板から前記第１
の処理液を除去する第２液処理部と、前記第１液処理部
から前記第２液処理部へ基板を略水平姿勢で一方向に搬
送する基板搬送機構と、を具備し、前記第１液処理部
は、前記基板搬送機構による基板搬送方向の前方から後
方に向けて前記基板に第１の処理液を塗布する第１処理
液供給機構を有し、前記第２液処理部は、前記第１の処
理液が塗布された基板の搬送方向前方側を持ち上げて前
記基板を傾斜姿勢に変換することによって前記基板に塗
布された第１の処理液を液切りする基板傾斜機構と、前
記基板傾斜機構によって傾斜姿勢に保持された基板から
前記第１の処理液の残渣を流し出すための第２の処理液
を前記基板の上方端から下方端へと前記第２の処理液の
供給位置を移動させながら前記基板に供給する第２処理
液供給機構とを有することを特徴とする液処理装置、が
提供される。

【００１１】この第３の観点による液処理装置では、基
板に塗布された第１の処理液が第１の処理液の塗布が開
始された部分から除去され始めることによって、第１の
処理液が基板に接している時間が基板全体で均等化さ
れ、第１の処理液による基板の均一な処理を行うことが
できる。

【００１２】本発明の第４の観点によれば、略水平姿勢
で一方向に搬送される基板に所定の液処理を施す液処理
方法であって、 基板に第１の処理液を塗布する第１液処理領域へ基板を
略水平姿勢で搬送する第１工程と、前記基板に前記第１
の処理液を塗布する第２工程と、前記第１の処理液が塗
布された基板を前記基板から第１の処理液を除去する第
２液処理領域へ略水平姿勢で搬送する第３工程と、前記
基板の搬送方向前方側を持ち上げて前記基板を所定角度
傾斜させることによって前記基板から前記第１の処理液
を液切りする第４工程と、前記基板を所定角度傾斜した
状態に保持して、前記基板から前記第１の処理液を流し
出す第２の処理液を前記基板の上方端から下方端へと前
記第２の処理液の供給位置を移動させながら前記基板に
供給する第５工程と、を有することを特徴とする液処理
方法、が提供される。

【００１３】本発明の第５の観点によれば、露光処理が
施された基板に対して現像処理を施す液処理装置であっ
て、略水平姿勢に保持された基板に現像液を塗布する第
１液処理部と、前記現像液が塗布された基板から前記現
像液を除去する第２液処理部と、前記第１液処理部から
前記第２液処理部へ基板を略水平姿勢で一方向に搬送す
る基板搬送機構と、を具備し、前記第２液処理部は、前
記現像液が塗布された基板の搬送方向前方側を持ち上げ
て前記基板を傾斜姿勢に変換することによって前記基板
に塗布された現像液を液切りする基板傾斜機構と、前記
現像液を洗い流すリンス液を吐出するリンスノズルと、
前記リンス液が前記基板傾斜機構によって傾斜姿勢に保
持された基板の上方端から下方端へと前記第２の処理液
の供給位置を移動させながら前記基板に吐出されるよう
に、前記リンスノズルを前記基板の表面に沿って斜めに
所定速度で移動させるリンスノズル移動機構と、を有す
ることを特徴とする液処理装置、が提供される。

【００１４】この第５の観点による液処理装置では、基
板に塗布された現像液が現像液の塗布が開始された部分
から除去され始めることによって、現像液が基板に接し
ている時間が基板全体で均等化される。こうして、現像
むらの発生を防止し、高い線幅均一性を得ることができ
る。

【００１５】本発明の第６の観点によれば、露光処理が
施された基板の現像処理を行う液処理方法であって、基
板に現像液を塗布する第１液処理領域へ基板を略水平姿
勢で搬送する第１工程と、前記基板に現像液を塗布する
第２工程と、前記現像液が塗布された基板を前記基板か
ら現像液を除去する第２液処理領域へ略水平姿勢で搬送
する第３工程と、前記基板の搬送方向前方側を持ち上げ
て前記基板を所定角度傾斜させることによって前記基板
から前記現像液を液切りする第４工程と、前記基板を所
定角度傾斜した状態に保持して、前記基板から前記現像
液を洗い流すリンス液を前記基板の上方端から下方端へ
と前記リンス液の供給位置を移動させながら前記基板に
供給する第５工程と、を有することを特徴とする液処理
方法、が提供される。

【００１６】このような本発明の液処理装置と液処理方
法によれば、処理液が基板に接している時間を基板全体
で均等化することができるために、基板の液処理を基板
全体で均一に行うことができる。こうして、高い品質の
基板を得ることができる。また、基板を高速搬送しない
ために、処理安全性が高められ、基板の破損や損傷が抑
制され、基板の搬送を停止する際に必要なスペースも広
くならない。さらに、第１の処理液を基板に塗布する場
合や、第１の処理液を第２の処理液で流し出す場合、あ
るいは現像液をリンス液で洗い流す場合等において、処
理液を基板に供給するノズルを移動させることで、第１
液処理部と第２液処理部での液処理を短時間で行うこと
ができ、スループットを向上させることが可能となる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て添付図面を参照して詳細に説明する。ここで、本実施
の形態においては、本発明を露光処理が施されたＬＣＤ
基板の現像処理を行う現像処理ユニット（ＤＥＶ）に適
用した場合を例として説明することとする。図１は、本
発明の一実施形態である現像処理ユニット（ＤＥＶ）を
具備し、レジスト膜の形成から現像までの処理を連続し
て行うレジスト塗布・現像処理システムの概略構成を示
す平面図である。

【００１８】このレジスト塗布・現像処理システム１０
０は、複数のＬＣＤ基板Ｇを収容するカセットＣを載置
するカセットステーション（搬入出部）１と、ＬＣＤ基
板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施す
ための複数の処理ユニットを備えた処理ステーション
（処理部）２と、露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの受
け渡しを行うためのインターフェイスステーション（イ
ンターフェイス部）３とを備えており、処理ステーショ
ン２の両端にそれぞれカセットステーション１およびイ
ンターフェイスステーション３が配置されている。な
お、図１において、レジスト塗布・現像処理システム１
００の長手方向をＸ方向、平面上においてＸ方向と直交
する方向をＹ方向とする。

【００１９】カセットステーション１は、カセットＣを
Ｙ方向に並べて載置できる載置台９と、処理ステーショ
ン２との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出を行うための搬送装
置１１を備えており、この載置台９と外部との間でカセ
ットＣの搬送が行われる。また、搬送装置１１は搬送ア
ーム１１ａを有し、カセットＣの配列方向であるＹ方向
に沿って設けられた搬送路１０上を移動可能であり、搬
送アーム１１ａによりカセットＣと処理ステーション２
との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出が行われる。

【００２０】処理ステーション２は、基本的にＸ方向に
伸びるＬＣＤ基板Ｇ搬送用の平行な２列の搬送ラインＡ
・Ｂを有しており、搬送ラインＡに沿ってカセットステ
ーション１側からインターフェイスステーション３に向
けてスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１、第１の
熱的処理ユニットセクション２６、レジスト処理ユニッ
ト２３および第２の熱的処理ユニットセクション２７が
配列されている。また、搬送ラインＢに沿ってインター
フェイスステーション３側からカセットステーション１
に向けて第２の熱的処理ユニットセクション２７、現像
処理ユニット（ＤＥＶ）２４、ｉ線ＵＶ照射ユニット
（ｉ−ＵＶ）２５および第３の熱的処理ユニットセクシ
ョン２８が配列されている。スクラブ洗浄処理ユニット
（ＳＣＲ）２１の上の一部にはエキシマＵＶ照射ユニッ
ト（ｅ−ＵＶ）２２が設けられている。なお、エキシマ
ＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２はスクラバ洗浄に先
立ってＬＣＤ基板Ｇの有機物を除去するために設けら
れ、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５は現像の脱
色処理を行うために設けられる。

【００２１】上記スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）
２１は、その中でＬＣＤ基板Ｇが略水平姿勢で搬送され
つつ洗浄処理および乾燥処理が行われるようになってい
る。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４も、後に詳細に説
明するように、ＬＣＤ基板Ｇが略水平に搬送されつつ現
像液塗布、現像後の現像液洗浄、および乾燥処理が行わ
れるようになっている。これらスクラブ洗浄処理ユニッ
ト（ＳＣＲ）２１および現像処理ユニット（ＤＥＶ）２
４では、ＬＣＤ基板Ｇの搬送は例えばコロ搬送またはベ
ルト搬送により行われ、ＬＣＤ基板Ｇの搬入口および搬
出口は相対向する短辺に設けられている。また、ｉ線Ｕ
Ｖ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５へのＬＣＤ基板Ｇの搬
送は、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の搬送機構と同
様の機構により連続して行われる。

【００２２】レジスト処理ユニット２３には、略水平に
保持されたＬＣＤ基板Ｇにレジスト液を滴下させて、Ｌ
ＣＤ基板Ｇを所定の回転数で回転させることによってレ
ジスト液をＬＣＤ基板Ｇ全体に拡げ、レジスト膜を形成
するレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａと、ＬＣＤ基
板Ｇ上に形成されたレジスト膜を減圧乾燥する減圧乾燥
装置（ＶＤ）２３ｂと、ＬＣＤ基板Ｇの四辺をスキャン
可能な溶剤吐出ヘッドによりＬＣＤ基板Ｇの周縁に付着
した余分なレジストを除去する周縁レジスト除去装置
（ＥＲ）２３ｃとがその順に配置されている。レジスト
処理ユニット２３内には、これらレジスト塗布処理装置
（ＣＴ）２３ａ、減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂ、周縁レ
ジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃの間でＬＣＤ基板Ｇを搬
送する搬送アームが設けられている。

【００２３】図２の第１の熱的処理ユニットセクション
２６の側面図に示すように、第１の熱的処理ユニットセ
クション２６は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処
理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニッ
トブロック（ＴＢ）３１・３２を有しており、熱的処理
ユニットブロック（ＴＢ）３１はスクラブ洗浄処理ユニ
ット（ＳＣＲ）２１側に設けられ、熱的処理ユニットブ
ロック（ＴＢ）３２はレジスト処理ユニット２３側に設
けられている。これら２つの熱的処理ユニットブロック
（ＴＢ）３１・３２の間に第１の搬送装置３３が設けら
れている。

【００２４】熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１
は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニ
ット（ＰＡＳＳ）６１、ＬＣＤ基板Ｇに対して脱水ベー
ク処理を行う２つの脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６２
・６３、ＬＣＤ基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドー
ヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４が４段に積層され
た構成を有しており、また、熱的処理ユニットブロック
（ＴＢ）３２は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを
行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６５、ＬＣＤ基板Ｇを冷
却する２つのクーリングユニット（ＣＯＬ）６６・６
７、ＬＣＤ基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドーヒー
ジョン処理ユニット（ＡＤ）６８が４段に積層されて構
成を有している。

【００２５】第１の搬送装置３３は、パスユニット（Ｐ
ＡＳＳ）６１を介してのスクラブ洗浄処理ユニット（Ｓ
ＣＲ）２１からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処
理ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、およびパスユニ
ット（ＰＡＳＳ）６５を介してのレジスト処理ユニット
２３へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行う。

【００２６】第１の搬送装置３３は、上下に延びるガイ
ドレール９１と、ガイドレール９１に沿って昇降する昇
降部材９２と、昇降部材９２上を旋回可能に設けられた
ベース部材９３と、ベース部材９３上を前進後退可能に
設けられ、ＬＣＤ基板Ｇを保持する基板保持アーム９４
とを有している。そして、昇降部材９２の昇降はモータ
ー９５によって行われ、ベース部材９３の旋回はモータ
ー９６によって行われ、基板保持アーム９４の前後動は
モーター９７によって行われる。このように第１の搬送
装置３３は、上下動、前後動、旋回動可能であり、熱的
処理ユニットブロック（ＴＢ）３１・３２のいずれのユ
ニットにもアクセスすることができる。

【００２７】第２の熱的処理ユニットセクション２７
は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが
積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック
（ＴＢ）３４・３５を有しており、熱的処理ユニットブ
ロック（ＴＢ）３４はレジスト処理ユニット２３側に設
けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は現像
処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられている。そし
て、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３
４・３５の間に第２の搬送装置３６が設けられている。

【００２８】図３の第２の熱的処理ユニットセクション
２７の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック
（ＴＢ）３４は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを
行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６９とＬＣＤ基板Ｇに対
してプリベーク処理を行う３つのプリベークユニット
（ＰＲＥＢＡＫＥ）７０・７１・７２が４段に積層され
た構成となっており、熱的処理ユニットブロック（Ｔ
Ｂ）３５は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行う
パスユニット（ＰＡＳＳ）７３、ＬＣＤ基板Ｇを冷却す
るクーリングユニット（ＣＯＬ）７４、ＬＣＤ基板Ｇに
対してプリベーク処理を行う２つのプリベークユニット
（ＰＲＥＢＡＫＥ）７５・７６が４段に積層された構成
となっている。

【００２９】第２の搬送装置３６は、パスユニット（Ｐ
ＡＳＳ）６９を介してのレジスト処理ユニット２３から
のＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間の
ＬＣＤ基板Ｇの搬入出、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３
を介しての現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へのＬＣＤ
基板Ｇの受け渡し、および後述するインターフェイスス
テーション３の基板受け渡し部であるエクステンション
・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に対する
ＬＣＤ基板Ｇの受け渡しおよび受け取りを行う。なお、
第２の搬送装置３６は、第１の搬送装置３３と同じ構造
を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４
・３５のいずれのユニットにもアクセス可能である。

【００３０】第３の熱的処理ユニットセクション２８
は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが
積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック
（ＴＢ）３７・３８を有しており、熱的処理ユニットブ
ロック（ＴＢ）３７は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４
側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８
はカセットステーション１側に設けられている。そし
て、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３
７・３８の間に第３の搬送装置３９が設けられている。

【００３１】図４の第３の熱的処理ユニットセクション
２８の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック
（ＴＢ）３７は、下から順に、ＬＣＤ基板Ｇの受け渡し
を行うパスユニット（ＰＡＳＳ）７７、ＬＣＤ基板Ｇに
対してポストベーク処理を行う３つのポストベークユニ
ット（ＰＯＢＡＫＥ）７８・７９・８０が４段に積層さ
れた構成を有している。また、熱的処理ユニットブロッ
ク（ＴＢ）３８は、下から順に、ポストベークユニット
（ＰＯＢＡＫＥ）８１、ＬＣＤ基板Ｇの受け渡しおよび
冷却を行うパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯ
Ｌ）８２、ＬＣＤ基板Ｇに対してポストベーク処理を行
う２つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８３・
８４が４段に積層された構成を有している。

【００３２】第３の搬送装置３９は、パスユニット（Ｐ
ＡＳＳ）７７を介してのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−Ｕ
Ｖ）２５からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理
ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、パス・クーリング
ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２を介してのカセット
ステーション１へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行う。な
お、第３の搬送装置３９も第１の搬送装置３３と同じ構
造を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３
７・３８のいずれのユニットにもアクセス可能である。

【００３３】処理ステーション２では、以上のように２
列の搬送ラインＡ・Ｂを構成するように、かつ基本的に
処理の順になるように各処理ユニットおよび搬送装置が
配置されており、これら搬送ラインＡ・Ｂ間には空間４
０が設けられている。そして、この空間４０を往復動可
能にシャトル（基板載置部材）４１が設けられている。
このシャトル４１はＬＣＤ基板Ｇを保持可能に構成され
ており、シャトル４１を介して搬送ラインＡ・Ｂ間でＬ
ＣＤ基板Ｇの受け渡しが行われる。シャトル４１に対す
るＬＣＤ基板Ｇの受け渡しは、上記第１から第３の搬送
装置３３・３６・３９によって行われる。

【００３４】インターフェイスステーション３は、処理
ステーション２と露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの搬
入出を行う搬送装置４２と、バッファーカセットを配置
するバッファーステージ（ＢＵＦ）４３と、冷却機能を
備えた基板受け渡し部であるエクステンション・クーリ
ングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４とを有しており、
タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）と
が上下に積層された外部装置ブロック４５が搬送装置４
２に隣接して設けられている。搬送装置４２は搬送アー
ム４２ａを備え、この搬送アーム４２ａにより処理ステ
ーション２と露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出
が行われる。

【００３５】このように構成されたレジスト塗布・現像
処理システム１００においては、まず、カセットステー
ション１の載置台９に配置されたカセットＣ内のＬＣＤ
基板Ｇが、搬送装置１１により処理ステーション２のエ
キシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２に直接搬入さ
れ、スクラブ前処理が行われる。次いで、搬送装置１１
により、ＬＣＤ基板Ｇがスクラブ洗浄処理ユニット（Ｓ
ＣＲ）２１に搬入され、スクラブ洗浄される。スクラブ
洗浄処理後、ＬＣＤ基板Ｇは例えばコロ搬送により第１
の熱的処理ユニットセクション２６に属する熱的処理ユ
ニットブロック（ＴＢ）３１のパスユニット（ＰＡＳ
Ｓ）６１に搬出される。

【００３６】パスユニット（ＰＡＳＳ）６１に配置され
たＬＣＤ基板Ｇは、最初に、熱的処理ユニットブロック
（ＴＢ）３１の脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６２・６
３のいずれかに搬送されて加熱処理され、次いで熱的処
理ユニットブロック（ＴＢ）３２のクーリングユニット
（ＣＯＬ）６６・６７のいずれかに搬送されて冷却され
た後、レジストの定着性を高めるために熱的処理ユニッ
トブロック（ＴＢ）３１のアドヒージョン処理ユニット
（ＡＤ）６４、および熱的処理ユニットブロック（Ｔ
Ｂ）３２のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６８の
いずれかに搬送され、そこでＨＭＤＳによりアドヒージ
ョン処理（疎水化処理）される。その後、ＬＣＤ基板Ｇ
は、クーリングユニット（ＣＯＬ）６６・６７のいずれ
かに搬送されて冷却され、さらに熱的処理ユニットブロ
ック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５に搬
送される。このような一連の処理を行う際のＬＣＤ基板
Ｇの搬送処理は、全て第１の搬送装置３３によって行わ
れる。

【００３７】パスユニット（ＰＡＳＳ）６５に配置され
たＬＣＤ基板Ｇは、レジスト処理ユニット２３の搬送ア
ームによりレジスト処理ユニット２３内へ搬入される。
ＬＣＤ基板Ｇは、レジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａ
においてレジスト液がスピン塗布された後に減圧乾燥装
置（ＶＤ）２３ｂに搬送されて減圧乾燥され、さらに周
縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃに搬送されてＬＣＤ
基板Ｇ周縁の余分なレジストが除去される。そして、周
縁レジスト除去終了後、ＬＣＤ基板Ｇは搬送アームによ
りレジスト処理ユニット２３から、第２の熱的処理ユニ
ットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック
（ＴＢ）３４のパスユニット（ＰＡＳＳ）６９に受け渡
される。

【００３８】パスユニット（ＰＡＳＳ）６９に配置され
たＬＣＤ基板Ｇは、第２の搬送装置３６により、熱的処
理ユニットブロック（ＴＢ）３４のプリベークユニット
（ＰＲＥＢＡＫＥ）７０・７１・７２および熱的処理ユ
ニットブロック（ＴＢ）３５のプリベークユニット（Ｐ
ＲＥＢＡＫＥ）７５・７６のいずれかに搬送されてプリ
ベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（Ｔ
Ｂ）３５のクーリングユニット（ＣＯＬ）７４に搬送さ
れて所定温度に冷却される。そして、第２の搬送装置３
６により、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３
５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３に搬送される。

【００３９】その後、ＬＣＤ基板Ｇは第２の搬送装置３
６によりインターフェイスステーション３のエクステン
ション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４へ
搬送され、インターフェイスステーション３の搬送装置
４２により外部装置ブロック４５の周辺露光装置（Ｅ
Ｅ）に搬送されて周辺レジスト除去のための露光が行わ
れ、次いで搬送装置４２により露光装置４に搬送されて
そこでＬＣＤ基板Ｇ上のレジスト膜が露光されて所定の
パターンが形成される。場合によってはバッファーステ
ージ（ＢＵＦ）４３上のバッファカセットにＬＣＤ基板
Ｇを収容してから露光装置４に搬送される。

【００４０】露光終了後、ＬＣＤ基板Ｇはインターフェ
イスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロ
ック４５の上段のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入さ
れてＬＣＤ基板Ｇに所定の情報が記された後、エクステ
ンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４
に載置される。ＬＣＤ基板Ｇは、第２の搬送装置３６に
より、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ
・ＣＯＬ）４４から第２の熱的処理ユニットセクション
２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５の
パスユニット（ＰＡＳＳ）７３へ搬送される。

【００４１】パスユニット（ＰＡＳＳ）７３から現像処
理ユニット（ＤＥＶ）２４まで延長されている例えばコ
ロ搬送機構を作用させることにより、ＬＣＤ基板Ｇはパ
スユニット（ＰＡＳＳ）７３から現像処理ユニット（Ｄ
ＥＶ）２４へ搬入され、そこで現像処理が施される。こ
の現像処理工程については後に詳細に説明することとす
る。

【００４２】現像処理終了後、ＬＣＤ基板Ｇは現像処理
ユニット（ＤＥＶ）２４から連続する搬送機構、例えば
コロ搬送によりｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５
に搬送され、ＬＣＤ基板Ｇに対して脱色処理が施され
る。その後、ＬＣＤ基板Ｇはｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ
−ＵＶ）２５内のコロ搬送機構により第３の熱的処理ユ
ニットセクション２８に属する熱的処理ユニットブロッ
ク（ＴＢ）３７のパスユニット（ＰＡＳＳ）７７に搬出
される。

【００４３】パスユニット（ＰＡＳＳ）７７に配置され
たＬＣＤ基板Ｇは、第３の搬送装置３９により熱的処理
ユニットブロック（ＴＢ）３７のポストベークユニット
（ＰＯＢＡＫＥ）７８・７９・８０および熱的処理ユニ
ットブロック（ＴＢ）３８のポストベークユニット（Ｐ
ＯＢＡＫＥ）８１・８３・８４のいずれかに搬送されて
ポストベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロッ
ク（ＴＢ）３８のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ
・ＣＯＬ）８２に搬送されて所定温度に冷却された後、
カセットステーション１の搬送装置１１によって、カセ
ットステーション１に配置されている所定のカセットＣ
に収容される。

【００４４】次に、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の
構造について詳細に説明する。図５は現像処理ユニット
（ＤＥＶ）２４の概略構造を示す側面図、図６は概略平
面図である。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４は、導入
ゾーン２４ａ、第１の現像液供給ゾーン２４ｂ、第２の
現像液供給ゾーン２４ｃ、液切り／リンスゾーン２４
ｄ、リンスゾーン２４ｅ、乾燥ゾーン２４ｆから構成さ
れており、導入ゾーン２４ａは熱的処理ユニットブロッ
ク（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３に隣接
し、乾燥ゾーン２４ｆはｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−Ｕ
Ｖ）２５に隣接している。

【００４５】パスユニット（ＰＡＳＳ）７３とｉ線ＵＶ
照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５の間には、モータ等の駆
動によってコロ１７を回転させることによってコロ１７
上のＬＣＤ基板Ｇを所定方向へ搬送するコロ搬送機構１
４が設けられており、このコロ搬送機構１４を動作させ
ることによって、ＬＣＤ基板Ｇをパスユニット（ＰＡＳ
Ｓ）７３から現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４を通って
ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に向けて搬送す
ることができるようになっている。コロ１７はＬＣＤ基
板Ｇに撓み等が生じ難いように、ＬＣＤ基板Ｇの搬送方
向およびこの搬送方向に垂直な方向に所定数設けられ
る。

【００４６】なお、図６ではこのコロ搬送機構１４は図
示していない。また、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４
では、コロ搬送機構１４を、例えば、ＬＣＤ基板Ｇの搬
送速度が異なる領域に分割し、領域ごとに独立して駆動
することが好ましい。例えば、ＬＣＤ基板Ｇは、パスユ
ニット（ＰＡＳＳ）７３と導入ゾーン２４ａは第１モー
タの駆動によって搬送され、第１の現像液供給ゾーン２
４ｂと液切り／リンスゾーン２４ｄの間では第２モータ
の駆動によって搬送され、リンスゾーン２４ｅと乾燥ゾ
ーン２４ｆでは第３モータの駆動によって搬送されるよ
うにする。このようなコロ搬送機構１４の分割駆動は、
例えば、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４を構成するゾ
ーンごとに行うこともできる。

【００４７】コロ搬送機構１４については、後に示す図
７に詳細な構成が示されている。図７（ａ）〜（ｃ）
は、液切り／リンスゾーン２４ｄに設けられた基板傾斜
機構１１０（後に詳細に説明する）の構成を示す平面図
と側面図であるが、図７（ａ）〜（ｃ）に示されるよう
に、コロ搬送機構１４は、ＬＣＤ基板Ｇの搬送方向（Ｘ
方向）に延在し、モータ１５によってＸ軸回りに回転す
る枢軸１８ａと、枢軸１８ａに固定されてＸ軸回りに回
転する第１歯車１８ｂと、ＬＣＤ基板Ｇの幅方向（Ｙ方
向）に長く、コロ１７が所定間隔で取り付けられた枢軸
１９ａと、枢軸１９ａの一端に第１歯車１８ｂと噛み合
うように取り付けられ、第１歯車１８ｂのＸ軸回りの回
転をＹ軸回りの回転に変換する第２歯車１９ｂと、枢軸
１９ａの他端に取り付けられ、第２歯車１９ｂの回転に
よって枢軸１９ａを介して回転する第３歯車１９ｂ´
と、Ｘ軸回りに回転自在な枢軸１８ａ´と、第３歯車１
９ｂ´と噛み合うようにして枢軸１８ａ´に取り付けら
れ、第３歯車１９ｂ´のＹ軸回りの回転をＸ軸回りの回
転に変換する第４歯車１８ｂ´と、を有している。

【００４８】コロ搬送機構１４においては、枢軸１９ａ
を回転させるための駆動部が枢軸１８ａ、第１歯車１８
ｂ、第２歯車１９ｂ、モータ１５から構成されている。
なお、第３歯車１９ｂ´、第４歯車１８ｂ´は枢軸１９
ａがスムーズに回転するように枢軸１９ａを支持する役
割を担っている。

【００４９】パスユニット（ＰＡＳＳ）７３は昇降自在
な昇降ピン１６を具備している。ＬＣＤ基板Ｇを保持し
た第２の搬送装置３６の基板保持アーム９４がパスユニ
ット（ＰＡＳＳ）７３内に進入した状態で昇降ピン１６
を上昇させると、ＬＣＤ基板Ｇは基板保持アーム９４か
ら昇降ピン１６に受け渡される。続いて、基板保持アー
ム９４をパスユニット（ＰＡＳＳ）７３から退出させた
後に昇降ピン１６を降下させると、ＬＣＤ基板Ｇはパス
ユニット（ＰＡＳＳ）７３内のコロ１７上に載置され
る。第１モータ１５ａを駆動することによって、ＬＣＤ
基板Ｇはパスユニット（ＰＡＳＳ）７３から導入ゾーン
２４ａへ搬出される。

【００５０】導入ゾーン２４ａは、パスユニット（ＰＡ
ＳＳ）７３と第１の現像液供給ゾーン２４ｂとの間の緩
衝領域として設けられているものであり、この導入ゾー
ン２４ａは、第１の現像液供給ゾーン２４ｂからパスユ
ニット（ＰＡＳＳ）７３へ現像液が飛散する等して、パ
スユニット（ＰＡＳＳ）７３が汚染されるのを防止す
る。

【００５１】第１の現像液供給ゾーン２４ｂは、導入ゾ
ーン２４ａから搬送されてきたＬＣＤ基板Ｇに最初の現
像液の液盛り（パドル形成）を行うゾーンであり、ＬＣ
Ｄ基板Ｇに対して現像液を塗布する主現像液吐出ノズル
５１ａと副現像液吐出ノズル５１ｂ（以下「現像ノズル
５１ａ・５１ｂ」という）の２本のノズルと、Ｘ方向に
延在するガイドレール５９と、ガイドレール５９と嵌合
しているスライドアーム５８と、スライドアーム５８を
ガイドレール５９に沿ってＸ方向へ移動させる図示しな
い駆動機構と、スライドアーム５８に取り付けられた図
示しない昇降機構とを有しており、現像ノズル５１ａ・
５１ｂはこの昇降機構に取り付けられている。

【００５２】現像ノズル５１ａ・５１ｂには図示しない
現像液供給源から現像液が供給されるようになってお
り、例えば、昇降機構によって現像ノズル５１ａ・５１
ｂとＬＣＤ基板Ｇとの間隔を調整した後に、ＬＣＤ基板
Ｇの搬送方向とは逆の方向に現像ノズル５１ａ・５１ｂ
を移動させながら現像ノズル５１ａ・５１ｂから現像液
をＬＣＤ基板Ｇに吐出することで、ＬＣＤ基板Ｇに現像
液を塗布することができる。

【００５３】現像ノズル５１ａ・５１ｂとしては、ＬＣ
Ｄ基板Ｇの幅方向（Ｙ方向）に長く（図６参照）、その
下端には長手方向に沿ってスリット状の吐出口が形成さ
れ、そのスリット状の吐出口から略帯状に現像液を吐出
することができる構造のものが好適に用いられる。現像
ノズル５１ａ・５１ｂには、スリット状の吐出口に代え
て複数の円形吐出口が所定間隔で複数形成されているも
のを用いることもできる。

【００５４】第１の現像液供給ゾーン２４ｂで現像液が
液盛りされたＬＣＤ基板Ｇを液切り／リンスゾーン２４
ｄへ搬送する間に、ＬＣＤ基板Ｇ上から現像液がこぼれ
落ちる場合がある。第２の現像液供給ゾーン２４ｃで
は、こうしてＬＣＤ基板の搬送途中にＬＣＤ基板Ｇから
こぼれ落ちる現像液によって現像反応が進まなくなるこ
とを防止するために、新たにＬＣＤ基板Ｇに現像液を補
充する。

【００５５】第２の現像液供給ゾーン２４ｃには、現像
ノズル５１ａ・５１ｂと同様の構造を有する現像液補充
ノズル５１ｃが、その長手方向がＹ方向となるとなるよ
うにして固定して設けられている。現像液補充ノズル５
１ｃからは、コロ搬送機構１４によって搬送されるＬＣ
Ｄ基板Ｇ上に所定量の現像液がＹ方向に長い略帯状に吐
出される。なお、この第２の現像液供給ゾーン２４ｃは
必須なものではない。

【００５６】ＬＣＤ基板Ｇにおける現像反応は、第１の
現像液供給ゾーン２４ｂから液切り／リンスゾーン２４
ｄに搬送される間に行われる。液切り／リンスゾーン２
４ｄにおいては、ＬＣＤ基板Ｇを傾斜姿勢に変換してＬ
ＣＤ基板Ｇ上の現像液を流し落とし、さらにＬＣＤ基板
Ｇを傾斜姿勢に保持した状態でリンス液吐出ノズル５２
からＬＣＤ基板Ｇの表面にリンス液例えば純水を吐出し
て、ＬＣＤ基板Ｇ上の現像液を洗い流す。

【００５７】液切り／リンスゾーン２４ｄには、ＬＣＤ
基板Ｇを傾斜姿勢に変換することによってＬＣＤ基板Ｇ
に塗布された現像液を液切りする基板傾斜機構１１０
と、基板傾斜機構１１０によって傾斜姿勢に保持された
ＬＣＤ基板の表面に現像液を洗い流すリンス液（純水）
を供給するリンス液供給機構６０と、基板傾斜機構１１
０によって傾斜姿勢に保持されたＬＣＤ基板Ｇから流れ
落ちる現像液を回収する現像液回収容器４７と、リンス
液供給機構６０から供給されるリンス液等を回収するリ
ンス液回収容器４９と、が設けられている。

【００５８】図７（ａ）は基板傾斜機構１１０の概略構
造を示す平面図であり、図７（ｂ）は基板傾斜機構１１
０を動作させていない状態を示す概略側面図であり、図
７（ｃ）は基板傾斜機構１１０を動作させてＬＣＤ基板
Ｇを傾斜姿勢に保持した状態を示す概略側面図である。

【００５９】基板傾斜機構１１０は、ＬＣＤ基板Ｇの裏
面の所定位置に当接するコロ１０１とコロ１０１を連結
する軸部材１０２ａとからなる支持部材と、軸部材１０
２ａを保持するフレーム部材１０３と、フレーム部材１
０３の一端を昇降させる昇降機構１０６と、フレーム部
材１０３の一端を上昇させた際にコロ１０１によって斜
めに支持されたＬＣＤ基板Ｇが滑り落ちないようにＬＣ
Ｄ基板Ｇの下端となる端面を支持するガイドピン１０４
とを有している。軸部材１０２ａとフレーム部材１０３
との間は、軸部材１０２ａの両端部に取り付けられた連
結治具１０２ｂによって連結されている。

【００６０】コロ１０１は軸部材１０２ａにＹ方向に所
定間隔で複数取り付けられており、また、コロ１０１が
取り付けられた軸部材１０２ａはＸ方向に所定間隔でフ
レーム部材１０３に取り付けられている。こうしてコロ
１０１がＬＣＤ基板Ｇの裏面に当接してＬＣＤ基板Ｇを
支持した際に、ＬＣＤ基板Ｇに大きな撓みが生じないよ
うになっている。コロ１０１は軸部材１０２ａ回りに回
転自在となっており、ＬＣＤ基板Ｇを姿勢変換する際に
は、ＬＣＤ基板Ｇとコロ１０１との摩擦力によってＬＣ
Ｄ基板Ｇの移動に応じてコロ１０１が回転する。こうし
て、ＬＣＤ基板Ｇの裏面に擦り傷等が付くことが防止さ
れる。

【００６１】ＬＣＤ基板Ｇは、ＬＣＤ基板Ｇの裏面がコ
ロ１７の上端に接した状態で、コロ搬送機構１４によっ
て液切り／リンスゾーン２４ｄへ搬入され、さらにリン
スゾーン２４ｅへ搬出されるために、液切り／リンスゾ
ーン２４ｄにおいてＬＣＤ基板Ｇを搬送する際には、コ
ロ１０１がＬＣＤ基板Ｇの搬送を阻害しないように、コ
ロ１０１の上端がコロ１７の上端と同じ位置かまたはコ
ロ１７の上端よりも低い位置に保持される。

【００６２】フレーム部材１０３において昇降機構１０
６が取り付けられていない別の一端は軸部材１０５によ
って支持されている。フレーム部材１０３はこの軸部材
１０５回りに回動自在となっており、昇降機構１０６に
よってフレーム部材１０３の一端を持ち上げた際には、
フレーム部材１０３が回動して所定角度で傾斜した状態
に保持される。フレーム部材１０３を傾斜させると、コ
ロ１７に支持されていたＬＣＤ基板Ｇは、コロ１０１に
よって支持されて傾斜姿勢に変換される。

【００６３】ガイドピン１０４は、液切り／リンスゾー
ン２４ｄにおいてＬＣＤ基板Ｇを搬送する際には、ＬＣ
Ｄ基板Ｇの搬送を阻害しないように、ガイドピン１０４
の上端が搬送されるＬＣＤ基板Ｇの裏面よりも下方に位
置するように配置される。また、ガイドピン１０４は、
昇降機構１０６によってフレーム部材１０３を傾斜させ
る際に上方へ突出してＬＣＤ基板Ｇの下方端面を支持
し、ＬＣＤ基板Ｇの滑り落ちを防止する。

【００６４】昇降機構１０６は、ＬＣＤ基板Ｇの搬送方
向前方側（リンスゾーン２４ｅ側）を持ち上げるように
フレーム部材１０３を回動させる。第１の現像液供給ゾ
ーン２４ｂにおいて、ＬＣＤ基板Ｇの搬送方向前方側か
ら現像液をＬＣＤ基板Ｇに塗布した場合には、ＬＣＤ基
板Ｇにおいて現像液の塗布が開始された端面側を持ち上
げてＬＣＤ基板Ｇから現像液を流し落とすことによっ
て、現像液がＬＣＤ基板Ｇに接している時間をＬＣＤ基
板Ｇ全体で均一化することができる。こうして、現像む
らの発生を抑制し、線幅均一性を高めることができる。

【００６５】このような基板傾斜機構１１０によるＬＣ
Ｄ基板Ｇの傾斜角度はθは、１０度以上であることが好
ましい。傾斜角度θが１０度未満では現像液の液切り時
間が１秒を超えてしまい、基板面内での現像時間差が大
きすぎ、現像むらが発生するおそれがある。一方、傾斜
角度θが１０度以上であればこのような不都合が生じな
いが、１５度を超えて傾けても液切り速度は０．６〜
０．７秒程度で安定してしまい効果が飽和するので１５
度以下が好ましい。もちろん１５度以上であってもよ
い。

【００６６】基板傾斜機構１１０によってＬＣＤ基板Ｇ
を傾斜させた際にＬＣＤ基板Ｇから流れ落ちる現像液は
現像液回収容器４７へ回収される。現像液回収容器４７
に回収された濃度の高い現像液は、回収ラインへと送液
されてリサイクルされる。現像液回収容器４７には蓋体
４８が移動可能に設けられており、リンス液が混入した
濃度の薄い現像液やリンス液が現像液回収容器４７へ混
入しないようになっている。

【００６７】リンス液供給機構６０は、傾斜姿勢に保持
されたＬＣＤ基板Ｇの現像液残渣を洗い流すリンス液例
えば純水を吐出するリンス液吐出ノズル５２と、リンス
液吐出ノズル５２を傾斜姿勢に保持されたＬＣＤ基板Ｇ
の表面に沿って斜めに所定速度で移動させるリンスノズ
ル移動機構８５を有している。リンスノズル移動機構８
５は、ＬＣＤ基板Ｇの傾斜角度θと同じ角度で配置され
たガイドレール８６と、ガイドレール８６と嵌合し、か
つリンス液吐出ノズル５２を保持するノズル保持アーム
８７と、ノズル保持アーム８７をガイドレール８６に沿
って移動させる駆動機構８８と、を有している。

【００６８】基板傾斜機構１１０によって傾斜姿勢に保
持されたＬＣＤ基板Ｇの上方端から下方端へとＬＣＤ基
板Ｇの表面に沿ってリンス液吐出ノズル５２を移動させ
ながら、リンス液吐出ノズル５２からリンス液をＬＣＤ
基板Ｇに吐出することによって、ＬＣＤ基板Ｇの現像液
残渣を除去することができる。リンス液吐出ノズル５２
の移動は高速、例えば、５００ｍｍ／秒で行うことがで
きるために、ＬＣＤ基板Ｇの現像液残渣を短時間で除去
することが可能である。

【００６９】リンス液吐出ノズル５２からは、ＬＣＤ基
板Ｇの現像液残渣を効率的に除去するために、所定の高
い吐出圧でリンス液を吐出するものが好適に用いられ
る。また、リンス液吐出ノズル５２の１回の移動でＬＣ
Ｄ基板Ｇ全体にリンス液を吐出できるように、リンス液
吐出ノズル５２は、ＬＣＤ基板Ｇの幅方向（Ｙ方向）に
長く、略帯状にリンス液を吐出するものを用いることが
好ましい。リンス液吐出ノズル５２からはスプレー状に
リンス液を吐出させてもよい。

【００７０】リンス液吐出ノズル５２から吐出されるリ
ンス液は吐出圧が高く、しかもＬＣＤ基板が傾斜姿勢で
保持されているために、ＬＣＤ基板Ｇから跳ね返って第
２の現像液供給ゾーン２４ｃへと飛散するおそれがあ
る。このリンス液の第２の現像液供給ゾーン２４ｃへの
飛散を防止するために、第２の現像液供給ゾーン２４ｃ
と液切り／リンスゾーン２４ｄとの間には、ＬＣＤ基板
Ｇの水平搬送を阻害しない高さに隔壁板４６を設けるこ
とが好ましい。リンス液吐出ノズル５２から吐出される
リンス液は液切り／リンスゾーン２４ｄに設けられたリ
ンス液回収容器４９に回収され、排液ラインを通じて廃
棄される。

【００７１】液切り／リンスゾーン２４ｄでは、基板傾
斜機構１１０による液切りからリンス液による現像液残
渣の除去までの処理を短時間で行うことができるため
に、ＬＣＤ基板Ｇ全体で現像反応の進行を均等に停止さ
せることができる。こうして、現像むらの発生を抑制
し、線幅均一性を高めることが可能となる。また、基板
傾斜機構１１０による液切りからリンス液による現像液
残渣の除去までの処理を行う際には、第１の現像液供給
ゾーン２４ｂでの現像液の塗布方向を考慮して、ＬＣＤ
基板Ｇにおいて現像液の塗布が開始された側を持ち上げ
て現像液をＬＣＤ基板Ｇから流し落とすように現像液の
液切りを行うことによって、さらに現像精度を向上させ
ることができる。

【００７２】リンスゾーン２４ｅには、純水等のリンス
液をＬＣＤ基板Ｇに向けて吐出するリンスノズル５３が
取り付けられている。リンスゾーン２４ｅにおいては、
ＬＣＤ基板Ｇを所定速度で搬送しながらＬＣＤ基板Ｇの
表面と裏面にリンス液を吐出して、ＬＣＤ基板Ｇに付着
している現像液の徹底除去およびＬＣＤ基板Ｇの洗浄が
行われる。なお、リンスノズル５３は、ＬＣＤ基板Ｇの
幅よりも長い形状を有しており、ＬＣＤ基板Ｇの幅方向
全体にリンス液を吐出することができるようになってい
る。

【００７３】リンスゾーン２４ｅを通過したＬＣＤ基板
Ｇが搬送される乾燥ゾーン２４ｆには、所定の風圧で窒
素ガス等の乾燥ガスを噴射するエアーノズル（エアーナ
イフ）５４が設けられている。乾燥ゾーン２４ｆにおい
ては、ＬＣＤ基板Ｇを所定速度で搬送しながらＬＣＤ基
板Ｇの表面と裏面に乾燥ガスを噴射して、ＬＣＤ基板Ｇ
に付着したリンス液を吹き飛ばしてＬＣＤ基板Ｇを乾燥
する。なお、エアーノズル５４は、ＬＣＤ基板Ｇの幅よ
りも長い形状を有しており、ＬＣＤ基板Ｇの幅方向全体
に乾燥ガスを吐出することができるようになっている。
乾燥処理が終了したＬＣＤ基板Ｇは、コロ搬送機構１４
により、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５され
る。

【００７４】次に、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４に
おける現像処理工程について説明する。図８は現像処理
工程の概略を示す説明図（フローチャート）である。パ
スユニット（ＰＡＳＳ）７３に搬入されたＬＣＤ基板Ｇ
は、コロ搬送機構１４によって、導入ゾーン２４ａを通
過して第１の現像液供給ゾーン２４ｂに搬入される（ス
テップ１）。このパスユニット（ＰＡＳＳ）７３から第
１の現像液供給ゾーン２４ｂへのＬＣＤ基板Ｇの搬送速
度は、例えば６５ｍｍ／秒とする。

【００７５】第１の現像液供給ゾーン２４ｂにおいて
は、ＬＣＤ基板Ｇを所定位置で停止させた状態として
（ステップ２）、現像ノズル５１ａ・５１ｂを、例え
ば、２４０ｍｍ／秒という高速で、基板搬送方向の前方
から後方へ向けて移動させながらＬＣＤ基板Ｇの表面に
現像液を塗布する（ステップ３）。ＬＣＤ基板Ｇを停止
させた状態とすることで、現像ノズル５１ａ・５１ｂの
駆動制御が容易となる。また、安定して現像液をＬＣＤ
基板状に液盛りすることができる。

【００７６】第１の現像液供給ゾーン２４ｂにおける液
盛りが終了したＬＣＤ基板Ｇを、コロ搬送機構１４を動
作させて、例えば、４６ｍｍ／秒の搬送速度で第２の現
像液供給ゾーン２４ｃへ搬送する（ステップ４）。ＬＣ
Ｄ基板Ｇが第２の現像液供給ゾーン２４ｃを通過する際
には、現像液補充ノズル５１ｃからＬＣＤ基板Ｇ上に現
像液が補充され、ＬＣＤ基板Ｇの搬送時にＬＣＤ基板Ｇ
からこぼれ落ちる現像液が補充される（ステップ５）。

【００７７】第２の現像液供給ゾーン２４ｃに搬送され
たＬＣＤ基板Ｇはさらに液切り／リンスゾーン２４ｄに
搬送され（ステップ６）、そこでＬＣＤ基板Ｇを基板傾
斜機構１１０によって傾斜姿勢に変換してＬＣＤ基板Ｇ
上の現像液を流し落とす（ステップ７）。こうしてＬＣ
Ｄ基板Ｇから流し落とされた現像液は、現像液回収容器
４７に回収され、回収ラインへ送液される。

【００７８】ＬＣＤ基板Ｇが所定の傾斜角度θに到達す
るとほぼ同時に、リンス液吐出ノズル５２からリンス液
例えば純水をＬＣＤ基板Ｇに向けて吐出させながら、リ
ンス液吐出ノズル５２をＬＣＤ基板Ｇの表面に沿って、
例えば、５００ｍｍ／秒の速度で移動させる（ステップ
８）。このとき現像液回収容器４７にリンス液が混入し
ないように、現像液回収容器４７の開口部を蓋体４８に
よって閉塞する。

【００７９】このステップ７においては、ＬＣＤ基板Ｇ
を傾斜姿勢へ変換する際の動作時間を短くすることが好
ましい。また、ＬＣＤ基板Ｇが所定角度の傾斜姿勢に保
持された後には速やかにリンス液吐出ノズル５２からの
リンス液の供給を開始して現像反応を停止させるステッ
プ８を行うことが好ましい。例えば、ステップ７におい
てＬＣＤ基板Ｇの傾斜姿勢保持時間が長い場合には、現
像液が流れ落ちた跡やＬＣＤ基板Ｇが部分的に現像液を
はじく部分ができることによって、現像むらが発生しや
すくなる。しかし、ステップ７の後速やかにステップ８
を行うことで、現像むらの発生を防止することができ
る。

【００８０】ステップ７とステップ８の処理は、昇降機
構１０６による動作とリンス液吐出ノズル５２の高速移
動によって、短時間で行うことができるために、ＬＣＤ
基板Ｇ全体で現像反応を均一に停止させることができ
る。液切り／リンスゾーン２４ｄにおけるステップ７と
ステップ８という一連の処理は、第１の現像液供給ゾー
ン２４ｂにおける現像液の塗布方向に関係なく、ＬＣＤ
基板Ｇにおける現像むらの発生の抑制と線幅均一性の向
上に効果を奏する。その上で、第１の現像液供給ゾーン
２４ｂでの現像液の塗布方向を考慮してＬＣＤ基板Ｇに
おいて現像液の塗布が開始された側を持ち上げて現像液
をＬＣＤ基板Ｇから流し落とすようにステップ７の処理
を行うことで、さらに現像精度を向上させることができ
る。

【００８１】続いて、ＬＣＤ基板Ｇはリンスゾーン２４
ｅに搬送され（ステップ９）、そこでＬＣＤ基板Ｇを所
定速度で搬送しながらＬＣＤ基板Ｇの表面と裏面にリン
ス液を吐出して、ＬＣＤ基板Ｇに付着している現像液の
徹底除去と洗浄を行う（ステップ１０）。このようなリ
ンス処理が行われつつリンスゾーン２４ｅを通過したＬ
ＣＤ基板Ｇは乾燥ゾーン２４ｆに搬送される（ステップ
１１）。乾燥ゾーン２４ｆでは、ＬＣＤ基板Ｇを所定速
度で搬送しながら、エアーノズル５４による乾燥処理が
行われる（ステップ１２）。乾燥処理が終了したＬＣＤ
基板Ｇは、コロ搬送機構１４により、ｉ線ＵＶ照射ユニ
ット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送され（ステップ１３）、そ
こで所定の紫外線照射処理が施される。

【００８２】以上、本発明の実施の形態について説明し
てきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるもので
はない。例えば、液切り／リンスゾーン２４ｄにおける
一連の処理は、第１の現像液供給ゾーン２４ｂにおける
現像液の塗布方向に関係なく、ＬＣＤ基板Ｇにおける現
像むらの発生の抑制に効果を奏することから、第１の現
像液供給ゾーン２４ｂにおける現像液の塗布方向は、基
板搬送方向の逆方向としなければならないわけではな
い。

【００８３】また、基板傾斜機構１１０は、基板搬送方
向の前方側を持ち上げることでＬＣＤ基板Ｇを傾斜姿勢
としたが、基板搬送方向の後方側を持ち上げることでＬ
ＣＤ基板Ｇを傾斜姿勢としてもよい。この場合には、第
１の現像液供給ゾーン２４ｂでは基板搬送方向の後方側
から前方へ向けて現像液を塗布し、第２の現像液供給ゾ
ーン２４ｃを設けず、搬送経路を短くすることが好まし
い。

【００８４】昇降機構１０６は、フレーム部材１０３の
一端を、液切り／リンスゾーン２４ｄの上方から引っ張
り上げてもよいし、ＬＣＤ基板Ｇの搬送面の下方から持
ち上げてもよい。また、フレーム部材１０３の両端の高
さ位置を調節することができる昇降機構を用いて、コロ
１７に支持されたＬＣＤ基板Ｇ全体を略水平姿勢のまま
コロ１０１で支持して持ち上げた後に、所定角度に傾斜
させてもよい。本発明はＬＣＤ基板Ｇに限定して適用さ
れるものではなく、他のＬＣＤ以外の他の用途に用いら
れるガラス基板等や、セラミックス基板等の液処理にも
適用できる。

【００８５】

【発明の効果】上述の通り、本発明の液処理装置と液処
理方法によれば、処理液が基板に接している時間を基板
全体で均等化することができるために、基板の液処理を
基板全体で均一に行うことができる。こうして、高い品
質の基板を得ることができるという優れた効果が得られ
る。また、基板を高速搬送しないために、処理安全性が
高められ、基板の破損や損傷が抑制され、搬送を停止さ
せるためのスペースも広くならない。さらに、処理液を
基板に供給するノズルを移動させることで、第１液処理
部と第２液処理部での液処理を短時間で行うことがで
き、スループットを向上させることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液処理装置の一実施形態である現像処
理ユニットを具備するレジスト塗布・現像処理システム
の概略平面図。

【図２】図１に示したレジスト塗布・現像処理システム
の第１の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。

【図３】図１に示したレジスト塗布・現像処理システム
の第２の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。

【図４】図１に示したレジスト塗布・現像処理システム
の第３の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。

【図５】本発明の一実施形態である現像処理ユニットの
概略構造を示す側面図。

【図６】本発明の一実施形態である現像処理ユニットの
概略構造を示す平面図。

【図７】現像処理ユニットが有する液切り／リンスゾー
ンに設けられた基板傾斜機構を示す説明図。

【図８】現像処理工程の概略を示す説明図（フローチャ
ート）。

【符号の説明】

１；カセットステーション ２；処理ステーション ３；インターフェイスステーション １４；コロ搬送機構 １７；コロ ２４；現像処理ユニット（ＤＥＶ） ２４ａ；導入ゾーン ２４ｂ；第１の現像液供給ゾーン ２４ｃ；第２の現像液供給ゾーン ２４ｄ；液切り／リンスゾーン ２４ｅ；リンスゾーン ２４ｆ；乾燥ゾーン ４７；現像液回収容器 ４９；リンス液回収容器 ５１ａ；主現像液吐出ノズル ５１ｂ；副現像液吐出ノズル ５１ｃ；現像液補充ノズル ５２；リンス液吐出ノズル ５３；リンスノズル ５４；エアーノズル（エアーナイフ） ６０；リンス液供給機構 ８５；リンスノズル移動機構 ８６；ガイドレール ８７；ノズル保持アーム ８８；駆動機構 １００；レジスト塗布・現像処理システム（処理装置） １０１；コロ １０２ａ；軸部材 １０３；フレーム部材 １０４；ガイドピン １０６；昇降機構 １１０；基板傾斜機構 Ｇ……ＬＣＤ基板

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ０５Ｄ 3/00 Ｂ６５Ｇ 49/06 Ｚ ５Ｆ０３１ Ｂ６５Ｇ 49/06 Ｇ０３Ｆ 7/30 ５０１ ５Ｆ０４３ Ｇ０３Ｆ 7/30 ５０１ Ｈ０１Ｌ 21/68 Ａ ５Ｆ０４６ Ｈ０１Ｌ 21/306 21/30 ５６９Ｄ 21/68 ５０２Ｊ 21/306 Ｊ (72)発明者 篠木 武虎 東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 Ｆターム(参考） 2H096 AA27 GA21 4D075 AC02 AC11 AC77 AC84 AC88 AC93 AC94 BB65Z CA47 DA06 DB13 DC24 EA07 EA45 4F035 AA01 AA03 CA02 CA05 CB03 CB13 CB26 CD03 CD13 CD16 4F041 AA02 AA05 AB02 BA05 BA12 BA59 CA02 CA28 4F042 AA02 AA10 BA10 BA11 CC04 CC09 DF19 DF35 5F031 CA05 FA02 FA18 GA35 GA53 MA23 5F043 AA40 CC12 DD13 EE07 EE08 EE35 EE36 5F046 CD01 CD05 LA11 LA14

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に対して所定の液処理を施す液処理
   装置であって、 略水平姿勢に保持された基板に処理液を塗布する第１液
   処理部と、 前記処理液が塗布された基板から前記処理液を液切りす
   る第２液処理部と、 前記第１液処理部から前記第２液処理部へ基板を略水平
   姿勢で一方向に搬送する基板搬送機構と、 を具備し、 前記第１液処理部は、 前記基板搬送機構による基板搬送方向の前方から後方に
   向けて前記基板に前記処理液を塗布する処理液供給機構
   を有し、 前記第２液処理部は、 前記処理液が塗布された基板の搬送方向の前方を持ち上
   げて前記基板を傾斜姿勢に変換することによって前記基
   板に塗布された処理液を液切りする基板傾斜機構を有す
   ることを特徴とする液処理装置。
2. 【請求項２】 基板に対して所定の液処理を施す液処理
   装置であって、 略水平姿勢に保持された基板に第１の処理液を塗布する
   第１液処理部と、 前記第１の処理液が塗布された基板から前記第１の処理
   液を除去する第２液処理部と、 前記第１液処理部から前記第２液処理部へ前記第１の処
   理液の塗布された基板を略水平姿勢で一方向に搬送する
   基板搬送機構と、 を具備し、 前記第２液処理部は、 前記第１の処理液が塗布された基板の一端を持ち上げて
   前記基板を傾斜姿勢に変換することによって前記基板に
   塗布された第１の処理液を液切りする基板傾斜機構と、 前記基板傾斜機構によって傾斜姿勢に保持された基板か
   ら前記第１の処理液の残渣を流し出す第２の処理液を前
   記基板に吐出する処理液吐出ノズルと、 前記処理液吐出ノズルを前記基板傾斜機構によって傾斜
   姿勢に保持された基板の表面に沿って斜めに移動させる
   ノズル移動機構と、 を有することを特徴とする液処理装置。
3. 【請求項３】 基板に対して所定の液処理を施す液処理
   装置であって、 略水平姿勢に保持された基板に第１の処理液を塗布する
   第１液処理部と、 前記第１の処理液が塗布された基板から前記第１の処理
   液を除去する第２液処理部と、 前記第１液処理部から前記第２液処理部へ基板を略水平
   姿勢で一方向に搬送する基板搬送機構と、 を具備し、 前記第１液処理部は、 前記基板搬送機構による基板搬送方向の前方から後方に
   向けて前記基板に第１の処理液を塗布する第１処理液供
   給機構を有し、 前記第２液処理部は、 前記第１の処理液が塗布された基板の搬送方向前方側を
   持ち上げて前記基板を傾斜姿勢に変換することによって
   前記基板に塗布された第１の処理液を液切りする基板傾
   斜機構と、 前記基板傾斜機構によって傾斜姿勢に保持された基板か
   ら前記第１の処理液の残渣を流し出すための第２の処理
   液を前記基板の上方端から下方端へと前記第２の処理液
   の供給位置を移動させながら前記基板に供給する第２処
   理液供給機構とを有することを特徴とする液処理装置。
4. 【請求項４】 前記第１処理液供給機構は、 前記第１の処理液を吐出する第１処理液吐出ノズルと、 前記第１処理液吐出ノズルを略水平に前記基板の表面に
   沿って所定速度で移動させる第１ノズル移動機構と、 を具備することを特徴とする請求項３に記載の液処理装
   置。
5. 【請求項５】 前記第２処理液供給機構は、 前記第２の処理液を吐出する第２処理液吐出ノズルと、 前記第２処理液吐出ノズルを前記基板の表面に沿って斜
   めに所定速度で移動させる第２ノズル移動機構と、 を具備することを特徴とする請求項３または請求項４に
   記載の液処理装置。
6. 【請求項６】 前記第２処理液吐出ノズルからは、鉛直
   方向に前記第２の処理液が吐出されることを特徴とする
   請求項５に記載の液処理装置。
7. 【請求項７】 前記第２処理液吐出ノズルは、前記基板
   搬送機構による基板の搬送方向と直交する方向に長い形
   状を有し、前記基板に対して前記第２の処理液を略帯状
   に吐出することを特徴とする請求項５または請求項６に
   記載の液処理装置。
8. 【請求項８】 前記基板傾斜機構によって傾斜姿勢に変
   換される基板から流れ落ちる第１の処理液を回収する処
   理液回収手段をさらに具備することを特徴とする請求項
   ２から請求項７のいずれか１項に記載の液処理装置。
9. 【請求項９】 前記処理液回収手段は、 前記基板から流れ落ちる第１の処理液を捕集する回収容
   器と、 前記回収容器の上面を開閉する移動可能な蓋体と、 前記回収容器に捕集された第１の処理液を所定場所へ送
   液する回収ラインと、を具備することを特徴とする請求
   項８に記載の液処理装置。
10. 【請求項１０】 前記第１液処理部と前記第２液処理部
    との間での処理液の相互飛散を防止する隔壁板が前記第
    １液処理部と前記第２液処理部との間に設けられている
    ことを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項
    に記載の液処理装置。
11. 【請求項１１】 前記基板傾斜機構は、 前記基板の裏面の所定位置に当接して前記基板を支持す
    る支持部材と、 前記基板が傾斜姿勢に変換される際の前記基板の滑り落
    ちを防止するために前記基板の下端となる端面を支持す
    るガイドピンと、 前記支持部材を保持するフレーム部材と、 前記フレーム部材を傾斜させる駆動機構と、 を有することを特徴とする請求項１から請求項１０のい
    ずれか１項に記載の液処理装置。
12. 【請求項１２】 略水平姿勢で一方向に搬送される基板
    に所定の液処理を施す液処理方法であって、 基板に第１の処理液を塗布する第１液処理領域へ基板を
    略水平姿勢で搬送する第１工程と、 前記基板に前記第１の処理液を塗布する第２工程と、 前記第１の処理液が塗布された基板を前記基板から第１
    の処理液を除去する第２液処理領域へ略水平姿勢で搬送
    する第３工程と、 前記基板の搬送方向前方側を持ち上げて前記基板を所定
    角度傾斜させることによって前記基板から前記第１の処
    理液を液切りする第４工程と、 前記基板を所定角度傾斜した状態に保持して、前記基板
    から前記第１の処理液を流し出す第２の処理液を前記基
    板の上方端から下方端へと前記第２の処理液の供給位置
    を移動させながら前記基板に供給する第５工程と、 を有することを特徴とする液処理方法。
13. 【請求項１３】 前記第２工程においては、前記基板を
    停止させた状態において前記第１の処理液を吐出するノ
    ズルを前記基板上で移動させることによって、前記基板
    の搬送方向の前方から後方に向けて前記第１の処理液を
    前記基板に塗布することを特徴とする請求項１２に記載
    の液処理方法。
14. 【請求項１４】 前記第４工程においては、前記基板の
    傾斜角度を１０度以上とすることを特徴とする請求項１
    ２または請求項１３に記載の液処理方法。
15. 【請求項１５】 前記第５工程においては、前記第２の
    処理液を吐出するノズルから前記第２の処理液を吐出さ
    せながら、前記ノズルを前記基板の表面に沿って斜めに
    所定速度で移動させることを特徴とする請求項１２から
    請求項１４のいずれか１項に記載の液処理方法。
16. 【請求項１６】 前記第５工程においては、前記第２の
    処理液を吐出するノズルとして、前記基板の搬送方向と
    直交する方向に長い形状を有し、前記基板に対して前記
    第２の処理液を略帯状に吐出するノズルが用いられるこ
    とを特徴とする請求項１５に記載の液処理方法。
17. 【請求項１７】 露光処理が施された基板に対して現像
    処理を施す液処理装置であって、 略水平姿勢に保持された基板に現像液を塗布する第１液
    処理部と、 前記現像液が塗布された基板から前記現像液を除去する
    第２液処理部と、 前記第１液処理部から前記第２液処理部へ基板を略水平
    姿勢で一方向に搬送する基板搬送機構と、 を具備し、 前記第２液処理部は、 前記現像液が塗布された基板の搬送方向前方側を持ち上
    げて前記基板を傾斜姿勢に変換することによって前記基
    板に塗布された現像液を液切りする基板傾斜機構と、 前記現像液を洗い流すリンス液を吐出するリンスノズル
    と、 前記リンス液が前記基板傾斜機構によって傾斜姿勢に保
    持された基板の上方端から下方端へと前記第２の処理液
    の供給位置を移動させながら前記基板に吐出されるよう
    に、前記リンスノズルを前記基板の表面に沿って斜めに
    所定速度で移動させるリンスノズル移動機構と、 を有することを特徴とする液処理装置。
18. 【請求項１８】 前記第１液処理部は、 前記現像液を吐出する現像ノズルと、 前記基板搬送機構による基板搬送方向の前方から後方に
    向けて前記基板に前記現像液が塗布されるように前記現
    像ノズルを略水平に前記基板の表面に沿って所定速度で
    移動させる現像ノズル移動機構と、 を具備することを特徴とする請求項１７に記載の液処理
    装置。
19. 【請求項１９】 露光処理が施された基板の現像処理を
    行う液処理方法であって、 基板に現像液を塗布する第１液処理領域へ基板を略水平
    姿勢で搬送する第１工程と、 前記基板に現像液を塗布する第２工程と、 前記現像液が塗布された基板を前記基板から現像液を除
    去する第２液処理領域へ略水平姿勢で搬送する第３工程
    と、 前記基板の搬送方向前方側を持ち上げて前記基板を所定
    角度傾斜させることによって前記基板から前記現像液を
    液切りする第４工程と、 前記基板を所定角度傾斜した状態に保持して、前記基板
    から前記現像液を洗い流すリンス液を前記基板の上方端
    から下方端へと前記リンス液の供給位置を移動させなが
    ら前記基板に供給する第５工程と、 を有することを特徴とする液処理方法。
20. 【請求項２０】 前記第２工程においては、前記基板を
    停止させた状態において前記現像液を吐出するノズルを
    前記基板上で移動させることによって、前記基板の搬送
    方向の前方から後方に向けて前記現像液を前記基板に塗
    布することを特徴とする請求項１９に記載の液処理方
    法。