JP4796040B2 - 基板処理装置、基板処理方法、および基板製造方法 - Google Patents
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前記第1、第2のパスユニット上方に配置され被処理基板に熱処理を施す処理部を複数積層してなる第1の熱処理部と、被処理基板をコロ搬送で搬送するコロ搬送機構を内部に備えるとともに、コロにて搬送される被処理基板に対して現像処理を施す現像処理部と、前記現像処理部へ被処理基板を受け渡すまたは前記現像処理部から被処理基板を受け取る第3のパスユニットと、前記現像処理部の外部に配置され、被処理基板を搬送する非自走の第3の搬送機構と、前記第3のパスユニットの上方に配置され被処理基板に熱処理を施す処理部を複数積層してなる第2の熱処理部とを具備し、前記第2の搬送機構は、前記第1、第2のパスユニットおよび前記第1の熱処理部に対して被処理基板を搬入出自在であり、前記第3の搬送機構は、前記第3のパスユニットおよび前記第2の熱処理部に対して被処理基板を搬入出自在であることを特徴とする基板処理装置を提供する。
を具備し、前記第2の搬送機構は、前記第1、第2のパスユニットおよび前記第1の熱処理部に対して被処理基板を搬入出自在であり、前記第3の搬送機構は、前記第3のパスユニットおよび前記第2の熱処理部に対して被処理基板を搬入出自在であり、前記第1の熱処理部および前記第2の熱処理部とは別の熱処理部をさらに具備し、前記第3の搬送機構が前記別の熱処理部に対して被処理基板を搬入出自在であることを特徴とする基板処理装置を提供する。
図1は本発明の第1の実施形態に係るLCDガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図である。
図7は本発明の第2の実施形態に係るLCDガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図である。上記第1の実施形態では、基板Gをカセットステーション1におけるY方向の一方の端部から処理ステーション2に搬入し、他方の端部から搬出しているが、本実施形態のレジスト塗布現像処理装置100′ではカセットステーション1の中央から基板Gの搬出入を行えるような処理ステーション2′を備えている。具体的には、処理ステーション2′は、上記第3の熱的処理ユニットセクション28に代えて、カセットステーション1のY方向中央に対応する部分に熱的処理ユニットブロック(TB)38と同様のユニットが積層された熱的処理ユニットブロック(TB)38′を配置し、搬送ラインBの終点に熱的処理ユニットブロック(TB)37と同様のユニットが積層された熱的処理ユニットブロック(TB)37′を配した第3の熱的処理ユニットセクション28′を設け、第3の搬送装置39′を空間部40のカセットステーション1側端部に設け、基板Gの処理ステーション2′に対する搬入出をいずれも熱的処理ユニットブロック(TB)38′のパス・クーリングユニット(PASS・COL)を介して第3の搬送装置39′により行うようにしたものである。なお、基板Gの搬入出の形態が第1の実施形態とは異なっている関係上、本実施形態では、搬入口が第3の搬送装置39′に対応して空間部40側に設けられたスクラブ洗浄処理ユニット(SCR)21′およびキシマUV照射ユニット(e−UV)22′が第1の実施形態と同様に積層して設けられている。また、i線UV照射ユニット(i−UV)25から熱的処理ユニットブロック(TB)37′までの基板Gの搬送は、例えばコロ搬送によって行われる。
図8は本発明の第3の実施形態に係るLCDガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図である。本実施形態のレジスト塗布現像処理装置100″では、第1および第2の実施形態のシャトル41とは異なる形態のシャトル41′を有し、かつ空間部40のカセットステーション1側端部に、カセットステーション1の搬送装置11とシャトル41′との間の基板Gの受け渡しを行う受渡機構110を有している。他は第1の実施形態と同様に構成されている。
一方、受渡機構110は、図10に示すように、基板Gを支持するための支持部131と、支持部131を昇降可能なシリンダ132と、シリンダ132を回転させることにより支持部131に支持された基板Gを回転させる回転機構133とを有している。そして、支持部131は、シリンダ132のピストン134の上端に取り付けられた十字状部材135と、十字状部材135の4つの端部から上方に突出した基板Gを支持する4つの支持ピン136とを有する。
この例のシャトル41″は、図12に示すように、基板Gを支持するベース部材141と、ベース部材141に対して着脱自在に設けられ、ベース部材141の上方の空間を覆うカバー部材142とを有している。基板Gの搬送時には、図12の(a)に示すように、このカバー部材142により基板Gが密閉空間に存在することとなる。カバー部材142の側壁はベース部材141の周囲を囲むようになっており、ベース部材141とカバー部材142とは図示しないロック機構により(a)の状態でロックされるようになっている。各搬送装置とシャトル41″との間の基板Gの受け渡しに際しては、ロック機構を外した状態で、図12の(b)に示すように、シャトル41″の受け渡しポジションに設けられた複数、例えば4本のシリンダ143(2本のみ図示)により、カバー部材142を上昇させる。このように、カバー部材142によりベース部材141上の基板G存在領域を密閉空間とするので、シャトル41″による基板Gの搬送時に基板Gにパーティクル等が付着することを防止することができる。また、シャトル41″にはカバー部材142開閉用のシリンダが設けられていないので、エア配管の煩雑さを回避することができる。
2……処理ステーション
3……インターフェイスステーション
21……スクラブ洗浄処理ユニット(液処理ユニット)
23……レジスト処理ユニット(液処理ユニット)
24……現像処理ユニット(液処理ユニット)
26……第1の熱的処理ユニットセクション
27……第2の熱的処理ユニットセクション
28……第3の熱的処理ユニットセクション
31,32,34,35,37,38……熱的処理ユニットブロック
33……第1の搬送装置
36……第2の搬送装置
39……第3の搬送装置
40……空間
41,41′,41″……シャトル
100,100′,100″……レジスト塗布現像処理装置(処理装置)
G……LCDガラス基板
Claims (16)
- 被処理基板をコロにて搬送するコロ搬送機構を内部に備えるとともに被処理基板を前記コロ搬送機構にて搬送しつつ処理を施す複数の処理部を内部に備えた第1の処理部と、
被処理基板を非コロ搬送で搬送する第1の非コロ搬送機構を内部に備えるとともに、前記第1の非コロ搬送機構にて搬送される被処理基板に対して処理を施す複数の処理部を内部に備えた第2の処理部と、
前記第1の処理部で処理された被処理基板を受け取る第1のパスユニットおよび前記第2の処理部へ被処理基板を受け渡す第2のパスユニットを備え、前記第1、第2のパスユニットそれぞれの上方に被処理基板を温調するクーリング部を介して配置された、被処理基板に対して熱処理を施す熱処理部と、
前記第2の処理部の外部に設けられ、前記第2の処理部で処理された被処理基板を非コロ搬送で搬送する第2の非コロ搬送機構と、
前記第1のパスユニットと前記第2のパスユニットとの間に配置され、前記第1、第2のパスユニット、前記クーリング部および前記熱処理部に対して被処理基板を非コロ搬送で搬送する第3の非コロ搬送機構と
を具備したことを特徴とする基板処理装置。 - 被処理基板をコロにて搬送するコロ搬送機構を内部に備えるとともに被処理基板を前記コロ搬送機構にて所定方向に沿って搬送しつつ処理を施す複数の処理部を内部に備えた第1の処理部と、
前記所定の方向と平行な方向に沿って配置され、被処理基板を非コロ搬送で搬送する第1の非コロ搬送機構を内部に備えるとともに、前記第1の非コロ搬送機構にて搬送される被処理基板に処理を施す複数の処理部を内部に備えた第2の処理部と、
前記第1の処理部へ被処理基板を受け渡す第1のパスユニットおよび前記第2の処理部で処理された被処理基板を受け取る第2のパスユニットを備え、前記第1、第2のパスユニットそれぞれの上方に被処理基板を温調する第1のクーリング部を介して配置された、被処理基板に対して熱処理を施す第1の熱処理部と、
前記第2の処理部へ被処理基板を受け渡す第3のパスユニットを備え、前記第3のパスユニットの上方に被処理基板を温調する第2のクーリング部を介して配置された、被処理基板に対して熱処理を施す第2の熱処理部と、
前記第1のパスユニットと前記第2のパスユニットとの間に配置され、前記第1、第2のパスユニット、前記第1のクーリング部および前記第1の熱処理部に対して被処理基板を非コロ搬送で搬送する第2の非コロ搬送機構と、
前記第3のパスユニット、前記第2のクーリング部、及び前記第2の熱処理部に対して被処理基板を非コロ搬送で搬送する第3の非コロ搬送機構と、
前記第1の処理部と前記第2の処理部との間に配置され、前記第2の非コロ搬送機構および前記第3の非コロ搬送機構に対して被処理基板を非コロ搬送で搬送する第4の非コロ搬送機構と
を具備したことを特徴とする基板処理装置。 - 被処理基板をコロにて搬送するコロ搬送機構を内部に備えるとともに被処理基板を前記コロ搬送機構にて所定の方向に沿って搬送しつつ液処理を施す複数の処理部を内部に備えた液処理部と、
前記所定の方向と平行な方向に沿って配置され、被処理基板を非コロ搬送で搬送する第1の非コロ搬送機構を内部に備えるとともに、前記第1の非コロ搬送機構にて搬送される被処理基板に対してレジスト処理を施す複数の処理部を内部に備えたレジスト処理部と、
前記液処理部へ被処理基板を受け渡す第1のパスユニットおよび前記レジスト処理部で処理された被処理基板を受け取る第2のパスユニットを備え、前記第1、第2のパスユニットそれぞれの上方に被処理基板を温調するクーリング部を介して配置された、被処理基板に対して熱処理を施す熱処理部と、
前記第1のパスユニットと前記第2のパスユニットとの間に配置され、前記第1、第2のパスユニット、前記クーリング部および前記熱処理部に対して被処理基板を非コロ搬送で搬送する第2の非コロ搬送機構と、
を具備したことを特徴とする基板処理装置。 - 被処理基板をコロにて搬送するコロ搬送機構を内部に備えるとともに被処理基板を前記コロ搬送機構にて搬送しつつ被処理基板に対して洗浄処理を施す洗浄処理部と、
被処理基板を搬送する第1の搬送機構を内部に備えるとともに、前記第1の搬送機構にて搬送される被処理基板に対してレジストを塗布する処理を施すレジスト塗布処理部と、
前記洗浄処理部で洗浄された被処理基板を受け取る第1のパスユニットと、
前記レジスト塗布処理部へ被処理基板を受け渡す第2のパスユニットと、
前記洗浄処理部および前記レジスト塗布処理部の外部であって、前記第1のパスユニットと前記第2のパスユニットとの間に配置され、被処理基板を搬送する非自走の第2の搬送機構と、
前記第1、第2のパスユニット上方に配置され被処理基板に熱処理を施す処理部を複数積層してなる第1の熱処理部と、
被処理基板をコロ搬送で搬送するコロ搬送機構を内部に備えるとともに、コロにて搬送される被処理基板に対して現像処理を施す現像処理部と、
前記現像処理部へ被処理基板を受け渡すまたは前記現像処理部から被処理基板を受け取る第3のパスユニットと、
前記現像処理部の外部に配置され、被処理基板を搬送する非自走の第3の搬送機構と、
前記第3のパスユニットの上方に配置され被処理基板に熱処理を施す処理部を複数積層してなる第2の熱処理部と
を具備し、
前記第2の搬送機構は、前記第1、第2のパスユニットおよび前記第1の熱処理部に対して被処理基板を搬入出自在であり、前記第3の搬送機構は、前記第3のパスユニットおよび前記第2の熱処理部に対して被処理基板を搬入出自在であることを特徴とする基板処理装置。 - 被処理基板をコロ搬送で搬送するコロ搬送機構を内部に備えるとともに、コロにて搬送される被処理基板に対して現像処理を施す現像処理部と、
前記現像処理部へ被処理基板を受け渡すまたは前記現像処理部から被処理基板を受け取るパスユニットと、
前記現像処理部の外部に配置され、被処理基板を搬送する非自走の搬送機構と、
前記パスユニットの上方に配置され被処理基板に熱処理を施す処理部を複数積層してなる熱処理部と
を具備し、
前記搬送機構は、前記パスユニットおよび前記熱処理部に対して被処理基板を搬入出自在であることを特徴とする基板処理装置。 - 前記パスユニットの上方に配置された熱処理部とは別の熱処理部に対して被処理基板を搬入出可能であることを特徴とする請求項5に記載の基板処理装置。
- 被処理基板をコロにて搬送する第1のコロ搬送機構を内部に備えるとともに被処理基板を前記第1のコロ搬送機構にて搬送しつつ被処理基板に対して洗浄処理を施す洗浄処理部と、
被処理基板を搬送する第1の搬送機構を内部に備えるとともに、前記第1の搬送機構にて搬送される被処理基板に対してレジストを塗布する処理を施すレジスト塗布処理部と、
前記洗浄処理部で洗浄された被処理基板を受け取る第1のパスユニットと、
前記レジスト塗布処理部へ被処理基板を受け渡す第2のパスユニットと、
前記洗浄処理部および前記レジスト塗布処理部の外部であって、前記第1のパスユニットと前記第2のパスユニットとの間に配置され、被処理基板を搬送する非自走の第2の搬送機構と、
前記第1、第2のパスユニットの上方に配置され被処理基板に熱処理を施す処理部を複数積層してなる第1の熱処理部と、
被処理基板をコロ搬送で搬送する第2のコロ搬送機構を内部に備えるとともに、前記第2のコロ搬送機構のコロにて搬送される被処理基板に対して現像処理を施す現像処理部と、
前記現像処理部へ被処理基板を受け渡すまたは前記現像処理部から被処理基板を受け取る第3のパスユニットと、
前記現像処理部の外部に配置され、被処理基板を搬送する非自走の第3の搬送機構と、
前記第3のパスユニットの上方に配置され被処理基板に熱処理を施す処理部を複数積層してなる第2の熱処理部と
を具備し、
前記第2の搬送機構は、前記第1、第2のパスユニットおよび前記第1の熱処理部に対して被処理基板を搬入出自在であり、前記第3の搬送機構は、前記第3のパスユニットおよび前記第2の熱処理部に対して被処理基板を搬入出自在であり、
前記第1の熱処理部および前記第2の熱処理部とは別の熱処理部をさらに具備し、前記第3の搬送機構が前記別の熱処理部に対して被処理基板を搬入出自在であることを特徴とする基板処理装置。 - 前記現像処理部に隣接して、被処理基板に紫外線を照射して処理を施す紫外線処理部をさらに具備し、
前記紫外線処理部には、被処理基板が前記現像処理部から連続する前記コロ搬送機構にて搬送されることを特徴とする請求項4から請求項7のいずれか1項に記載の基板処理装置。 - 被処理基板を複数収納可能なカセットを複数配置することが可能であり、前記カセットに対して被処理基板を搬入出自在に構成され、所定方向に自走可能である第4の搬送機構が設けられたカセット配置部をさらに具備することを特徴とする請求項4から請求項8のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 前記第4の搬送機構が自走する前記所定方向と直交する方向に自走可能であり、被処理基板を支持して搬送する別の搬送機構を有することを特徴とする請求項9に記載の基板処理装置。
- 前記第4の搬送機構と前記別の搬送機構とは、被処理基板を受け渡し可能に構成されていることを特徴とする請求項10に記載に基板処理装置。
- 前記第4の搬送機構と前記第3の搬送機構とは、前記別の熱処理部を介して受け渡し自在に構成されていることを特徴とする請求項9から請求項11のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 被処理基板をコロにて搬送するコロ搬送機構を内部に備えるとともに被処理基板を搬入出する搬入出口を有するコロ搬入出部、前記コロ搬入出部の上方に配置され被処理基板を温調するクーリング部、および前記クーリング部の上方に配置され前記クーリング部より高い温度にて被処理基板に熱処理を施す熱処理部を備えた第1の処理部と、
被処理基板を搬入出する搬入出口を有する搬入出部、前記搬入出部の上方に配置され被処理基板を温調するクーリング部、および前記クーリング部の上方に配置され前記クーリング部より高い温度にて被処理基板に熱処理を施す熱処理部を備えた第2の処理部と
を具備し、
前記第1の処理部と前記第2の処理部との間であって各処理部外に配置され、前記第1の処理部および前記第2の処理部に対して被処理基板を搬入出自在に構成された非自走の第1の搬送機構をさらに具備することを特徴とする基板処理装置。 - 前記第1の搬送機構から被処理基板を受け渡し可能に構成され、自走して被処理基板を搬送する第2の搬送機構をさらに具備することを特徴とする請求項13に記載の基板処理装置。
- 請求項1から請求項14のいずれかに記載の基板処理装置を使用して、被処理基板を順次処理することを特徴とする基板処理方法。
- 請求項1から請求項14のいずれかに記載の基板処理装置を使用して、被処理基板を製造することを特徴とする基板製造方法。
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