JP4657991B2 - 加熱・冷却処理装置、基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、加熱・冷却処理装置、基板処理装置および基板処理方法に関し、例えば液晶表示装置（ＬＣＤ）に代表されるＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）用ガラス基板等の被処理基板に対して、レジスト塗布や露光後の現像処理などの後に加熱処理および冷却処理を施すための加熱・冷却処理装置、基板処理装置および基板処理方法に関する。

液晶表示装置（ＬＣＤ）に代表されるＦＰＤの製造工程においては、被処理基板であるＦＰＤ用基板に、所定の膜を成膜した後、フォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターンを形成している。このフォトリソグラフィー技術では、被処理基板であるＦＰＤ用基板に、主な工程として、洗浄処理→脱水ベーク→アドヒージョン（疎水化）処理→レジスト塗布→プリベーク→冷却→露光→現像→ポストベーク→冷却という一連の処理が施され、レジスト層に所定の回路パターンが形成される。

従来、このような処理は、各処理を行う処理ユニットを搬送路の両側にプロセスフローを意識した形態で配置し、搬送路を走行可能な中央搬送装置により各処理ユニットへのＦＰＤ基板の搬入出を行うプロセスブロックを一または複数配置してなる処理システムにより行われてきた。このような処理システムにおいて、例えば、レジスト塗布後の加熱処理や冷却処理、現像後の加熱処理や冷却処理などは、加熱処理ユニットや冷却処理ユニットが上下に積層された熱的処理ユニットにて行われていた（例えば、特許文献１）。そして、積層された熱的処理ユニットにおけるＦＰＤ基板の受渡しは、所謂搬送ロボットにより行われてきた。

また、上記のように、積層型の熱的処理ユニットにおいて、加熱処理ユニットや冷却処理ユニットは、それぞれ独立してＦＰＤ基板を一枚ずつ、枚葉処理するように構成されていた（例えば、特許文献２、特許文献３）。
特開２００２−３３４９１８号公報（図１、図４、図５など） 特開２００１−１９６２９９号公報（図６など） 特開平１０−２２９０３７号公報（図２など）

特許文献１のように、熱的処理ユニットを積層することは、特にＦＰＤ基板の大型化が進む状況の下ではフットプリントを減少させるメリットが大きいため、現在もなお、このような積層型の熱的処理ユニットが採用されている。しかし、スループット向上の観点から、搬送装置は大型の基板を水平方向に高速かつ高精度に移動させており、これに加えてさらに上下方向にも搬送ロボットを用いて高速かつ高精度に移動させることには限界がある。また、近年ではＦＰＤ基板がますます大型化し、例えば長辺の長さが２ｍを超えるようになっており、搬送ロボットによるＦＰＤ基板のハンドリングが次第に困難になりつつあるという課題があった。

従って、本発明は、熱的処理ユニットのフットプリントを抑えることができ、搬送ロボットを使用することなくＦＰＤ基板の大型化にも対応可能な加熱・冷却処理装置を提供することを目的とするものである。

上記課題を解決するため、本発明の第１の観点は、被処理基板に対して加熱処理および冷却処理を行う加熱・冷却処理装置であって、
加熱手段を備え、被処理基板を加熱する加熱処理室と、
前記加熱処理室内で、複数の被処理基板を上昇および／または下降させる第１の昇降装置と、
前記加熱処理室に隣接して設けられ、加熱処理後の被処理基板を冷却する冷却処理室と、
前記冷却処理室内で、複数の被処理基板を上昇および／または下降させる第２の昇降装置と、
前記加熱処理室と前記冷却処理室との間に形成され、被処理基板を受渡しする開口部と、を備え、
前記第１及び第２の昇降装置が別々に駆動されることを特徴とする、加熱・冷却処理装置を提供する。

この加熱・冷却処理装置によれば、加熱処理室内および冷却処理室内に、複数の被処理基板を上昇および／または下降させる昇降装置を備えたので、複数の被処理基板を所定速度で上昇または下降させながら連続的に加熱処理および冷却処理することが可能になる。従って、加熱処理室内および冷却処理室内では、被処理基板が重畳された状態となり、加熱・冷却処理のための装置のフットプリントを小さくすることができる。しかも、加熱処理室と冷却処理室との間に被処理基板の受渡しを行う開口部を備えたことにより、加熱処理から冷却処理への移行がスムーズに行われ、被処理基板への加熱処理および冷却処理を連続的に行うことが可能になる。

また、搬送ロボットを使用しないため、被処理基板の大型化にも対応可能である。さらに、一連の処理の流れの中で被処理基板を連続的に加熱・冷却処理できることから、十分なスループットも維持できる。

上記第１の観点において、前記昇降装置は、被処理基板をパレットに載置した状態で上昇および／または下降させることが好ましい。これにより、被処理基板の破損等を防止し、確実に昇降させることが可能になる。

また、前記昇降装置は、被処理基板の搬送経路の両側に対向配備され、前記パレットに係合してこれを支持する複数のパレット支持部を循環変位させる一対のベルト駆動機構を備えていることが好ましい。このようなベルト駆動機構によって、被処理基板が載置されたパレットを連続的に、かつ確実に昇降させることが可能となる。

また、前記パレット支持部には複数のローラが設けられており、前記加熱処理室の昇降装置のパレット支持部のローラと、前記冷却処理室の昇降装置のパレット支持部のローラとを、前記開口部を介して連動させることにより、被処理基板を前記パレットに載置した状態で前記加熱処理室から前記冷却処理室に搬送する搬送機構を備えていることが好ましい。これにより、加熱処理から冷却処理への移行をスムーズかつ連続的に行うことができる。

また、前記加熱処理室と前記冷却処理室との間で前記パレットを循環搬送するパレット循環機構を備えていることが好ましい。これにより、被処理基板を載置した状態のパレットと、空のパレットとを前記加熱処理室と前記冷却処理室との間で循環させて使用することができる。

また、前記パレットには、載置される被処理基板の裏面に当接してこれを支持するとともに、回転駆動して被処理基板を水平移動させる支持ローラが配設されていることが好ましい。この場合、前記支持ローラの周囲には、被処理基板を引き寄せる吸引孔が設けられていることが好ましい。また、前記パレットには、被処理基板の裏面側に向けて気体を吹き付ける気体吹き出し孔が設けられていることが好ましい。これらの機構によって、パレットに被処理基板を確実に保持して搬送することができる。

また、上記第１の観点の加熱・冷却処理装置は、被処理基板に対して複数の液処理を含む一連の処理を行う基板処理装置において、前記複数の液処理に付随する熱的処理を行う熱的処理ユニットとして組み込まれるものであることが好ましい。これにより、複数の液処理を含む一連の処理の流れの中で、付随する熱的処理を、被処理基板の流れを止めることなく行うことができる。

本発明の第２の観点は、被処理基板に対して複数の液処理を含む一連の処理を行う基板処理装置であって、上記第１の観点の加熱・冷却処理装置を備えたことを特徴とする、基板処理装置を提供する。

本発明の第３の観点は、基板処理装置において、被処理基板に対して加熱処理および冷却処理行う基板処理方法であって、
加熱手段を備えた加熱処理室で、被処理基板を上昇および／または下降させながら加熱する加熱処理工程と、
前記加熱処理工程後の被処理基板を、冷却手段を備えた冷却処理室内に搬送する搬送工程と、
前記冷却処理室内で、被処理基板を上昇および／または下降させながら冷却する冷却処理工程と、を備え、
前記加熱処理工程及び前記冷却処理工程が、別々の昇降装置を用いて行われることを特徴とする、基板処理方法を提供する。

上記第３の観点の基板処理方法において、前記加熱処理工程および前記冷却処理工程を、被処理基板をパレット上に載置した状態で行うことが好ましい。

また、前記加熱処理室と前記冷却処理室との間で前記パレットを循環使用することが好ましい。

また、本発明の第４の観点は、コンピュータ上で動作し、実行時に、上記第３の観点の基板処理方法が行なわれるように前記基板処理装置を制御することを特徴とする、制御プログラムを提供する。

また、本発明の第５の観点は、コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に、上記第３の観点の基板処理方法が行なわれるように前記基板処理装置を制御するものであることを特徴とする、コンピュータ記憶媒体を提供する。

本発明の加熱・冷却処理装置によれば、複数の被処理基板を順次昇降させながら加熱処理と冷却処理を行うので、これらの熱的処理のための装置のフットプリントを小さくすることができる。また、搬送ロボットを使用しないため、被処理基板の大型化にも対応可能である。さらに、一連の処理の流れの中で被処理基板を止めずに連続的に加熱・冷却処理できることから、十分なスループットも維持できる。

以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。ここでは、本発明を、ＬＣＤ用ガラス基板（以下、単に「基板」と記す）Ｇの表面にレジスト膜を形成する装置および方法に適用した場合について説明することとする。図１は本発明の基板処理装置の一実施形態に係るレジスト塗布現像処理装置１００を示す平面図である。

このレジスト塗布現像処理装置１００は、複数の基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション（搬入出部）１と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理ステーション（処理部）２と、露光装置４との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイスステーション（インターフェイス部）３と、レジスト塗布現像処理装置１００の各構成部を制御する制御部２０１と、を備えており、処理ステーション２の両端にそれぞれカセットステーション１およびインターフェイスステーション３が配置されている。なお、図１において、レジスト塗布現像処理装置１００の長手方向をＸ方向、平面上においてＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。

カセットステーション１は、カセットＣと処理ステーション２との間で基板Ｇの搬入出を行うための搬送装置１１を備えており、このカセットステーション１において外部に対するカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送装置１１は搬送アーム１１ａを有し、カセットＣの配列方向であるＹ方向に沿って設けられた搬送路１０上を移動可能であり、搬送アーム１１ａによりカセットＣと処理ステーション２との間で基板Ｇの搬入出が行われる。

処理ステーション２は、基本的にＸ方向に伸びる基板Ｇ搬送用の平行な２列の搬送ラインＡ、Ｂを有しており、搬送ラインＡに沿ってカセットステーション１側からインターフェイスステーション３に向けてスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１、第１の熱的処理ユニットセクション２６、レジスト処理ユニット２３および第２の熱的処理ユニットセクション２７が配列されている。また、搬送ラインＢに沿ってインターフェイスステーション３側からカセットステーション１に向けて第２の熱的処理ユニットセクション２７、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５および第３の熱的処理ユニット２８が配列されている。スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１の上の一部にはエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２が設けられている。なお、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２はスクラバ洗浄に先立って基板Ｇの有機物を除去するために設けられ、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５は現像の脱色処理を行うために設けられる。

上記スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１は、その中で基板Ｇが従来のように回転されることなく、略水平に搬送されつつ洗浄処理および乾燥処理を行うようになっている。上記現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４も、その中で基板Ｇが回転されることなく、略水平に搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液洗浄、および乾燥処理を行うようになっている。なお、これらスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１および現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、基板Ｇの搬送は例えばコロ搬送またはベルト搬送により行われ、基板Ｇの搬入口および搬出口は相対向する短辺に設けられている。また、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５への基板Ｇの搬送は、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の搬送機構と同様の機構により連続して行われる。

レジスト処理ユニット２３は、図２にその内部の平面図に示すように、カップ５０内で基板Ｇをスピンチャック５１により回転させつつ図示しないノズルからレジスト液を滴下させて塗布するレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａ、基板Ｇ上に形成されたレジスト膜を減圧容器５２内で減圧乾燥する減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂ、およびステージ５４に載置された基板Ｇの四辺をスキャン可能な溶剤吐出ヘッド５３により基板Ｇの周縁に付着した余分なレジストを除去する周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃがその順に配置されており、ガイドレール５５にガイドされて移動する一対のサブアーム５６により基板Ｇがこれらの間を略水平に搬送される。このレジスト処理ユニット２３は、相対向する短辺に基板Ｇの搬入口５７および搬出口５８が設けられており、ガイドレール５５はこれら搬入口５７および搬出口５８から外側に延びてサブアーム５６により基板Ｇの受け渡しが可能となっている。

第１の熱的処理ユニットセクション２６は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１，３２を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１はスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２はレジスト処理ユニット２３側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１，３２の間に第１の搬送装置３３が設けられている。図３の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６１、基板Ｇに対して脱水ベーク処理を行う２つの脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６２，６３、基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４が４段に積層されて構成されており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６５、基板Ｇを冷却する２つのクーリングユニット（ＣＯＬ）６６，６７、基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６８が４段に積層されて構成されている。第１の搬送装置３３は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６１を介してのスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１からの基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間の基板Ｇの搬入出、およびパスユニット（ＰＡＳＳ）６５を介してのレジスト処理ユニット２３への基板Ｇの受け渡しを行う。

第１の搬送装置３３は、上下に延びるガイドレール９１と、ガイドレールに沿って昇降する昇降部材９２と、昇降部材９２上を旋回可能に設けられたベース部材９３と、ベース部材９３上を前進後退可能に設けられ、基板Ｇを保持する基板保持アーム９４とを有している。そして、昇降部材９２の昇降はモータ９５によって行われ、ベース部材９３の旋回はモータ９６によって行われ、基板保持アーム９４の前後動はモータ９７によって行われる。第１の搬送装置３３はこのように上下動、前後動、旋回動可能に設けられているので、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１，３２のいずれのユニットにもアクセス可能である。

第２の熱的処理ユニットセクション２７は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４，３５を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４はレジスト処理ユニット２３側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４，３５の間に第２の搬送装置３６が設けられている。図４の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６９、基板Ｇに対してプリベーク処理を行う３つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７０，７１，７２が４段に積層されて構成されており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）７３、基板Ｇを冷却するクーリングユニット（ＣＯＬ）７４、基板Ｇに対してプリベーク処理を行う２つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７５，７６が４段に積層されて構成されている。第２の搬送装置３６は、パスユニット（ＰＡＳＳ）６９を介してのレジスト処理ユニット２３からの基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間の基板Ｇの搬入出、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３を介しての現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４への基板Ｇの受け渡し、および後述するインターフェイスステーション３の基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に対する基板Ｇの受け渡しおよび受け取りを行う。なお、第２の搬送装置３６は、第１の搬送装置３３と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４，３５のいずれのユニットにもアクセス可能である。

第３の熱的処理ユニットセクション２８は、図５に示すように、加熱処理室３８と冷却処理室３９とが隣接して配置された加熱・冷却処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ・ＣＯＬ）３７を備えている。加熱処理室３８と冷却処理室３９とは、仕切り壁８０により仕切られている。この仕切り壁８０には、上部開口８０ａおよび下部開口８０ｂが設けられている。なお、加熱・冷却処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ・ＣＯＬ）３７には、相対向する短辺にそれぞれ基板Ｇを搬入する搬入口８３と、基板Ｇを搬出する搬出口８４が設けられている。

加熱処理室３８には、加熱手段としての発熱部７７と、基板ＧをパレットＰに載せた状態で上昇させる昇降装置（図５では図示を省略）が配備されている。なお、昇降装置の構成については、図６〜図１１を参照しながら後で詳述する。

冷却処理室３９には、冷却手段としての送風装置７８と、該送風装置７８からの冷風を排気する排気装置７９と、基板ＧをパレットＰに載せた状態で下降させる昇降装置（図５では、図示を省略）が設けられている。図示のように、排気装置７９は送風装置７８に略対向する位置に配備されているので、冷却処理室３９内には送風装置７８から排気装置７９へと向かう一方向の流れが交互に、かつ多段階（図５では６段）に形成される。このような送風装置７８と排気装置７９の配置により、加熱処理された基板Ｇを下降させながら効率良く冷却することができる。

図６は、加熱処理室３８に配備された昇降装置８１と、冷却処理室３９に配備された昇降装置８２の要部斜視図である。なお、図６では、加熱処理室３８における基板搬送路８５の片側に配備された昇降装置８１のベルト駆動装置１０１ａと、冷却処理室３９における基板搬送路８５の片側に配備された昇降装置８２のベルト駆動装置１０１ｃのみを図示している。また、図７は加熱処理室３８内に配備された昇降装置８１の側面図であり、図８は冷却処理室３９内に配備された昇降装置８２の側面図である。

加熱処理室３８の昇降装置８１は、図７に示すように、基板搬送路８５を間に挟み込むように対向して配備された一対のベルト駆動装置１０１ａ，１０１ｂによって構成されている。ベルト駆動装置１０１ａと１０１ｂとは、基板搬送路８５を中心に対称な構造をしている。
ベルト駆動装置１０１ａ，１０１ｂは、それぞれ４カ所の回転軸１０２，１０３，１０４，１０５に張架された２本のベルト１０６，１０６を有している。これらの回転軸１０２〜１０５は図示しない駆動装置と連結されており、ベルト１０６を例えば図７中、矢印で示す方向に所定速度で回動させる。

２本のベルト１０６の外周には、パレットＰを支持するパレット支持部１０７が１７カ所に均等に突設されている。ここで、パレットＰは、図９に示すように、矩形をした枠体であり、基板Ｇを当該枠体の中に嵌め込むようにして載置する。基板Ｇは、パレットＰに設けられた支持部１３１により支持される。この状態で基板Ｇは、パレットＰとともに加熱・冷却処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ・ＣＯＬ）３７を移動する。

図７（ｂ）に拡大して示すように、ベルト１０６に突設された各パレット支持部１０７のパレット載置面には、複数のパレットローラ１０８が一列に設けられており、このパレットローラ１０８が矩形の枠体であるパレットＰに当接することにより、パレットＰを支持できるようになっている。一つのパレット支持部１０７に配備された各パレットローラ１０８は、ベルト１１２により連結されており（図１０参照）、一方向に連動して回転駆動するように構成されている。パレットローラ１０８は、昇降時には非回転状態に固定されているが、パレットＰが最上段となる位置まで上昇するとモータ１０９（図１０参照）の駆動を受けて回転し、隣接する冷却処理室３９の昇降装置８２のベルト駆動装置１０１ｃの最上段のパレット支持部１０７と連携し、昇降装置８１から昇降装置８２へのパレットＰの受渡しが行われる。この昇降装置８１，８２間のパレット受渡し機構については、後述する。

図７に示すように、昇降装置８１において、対向配備されたベルト駆動装置１０１ａおよびベルト駆動装置１０１ｂのベルト１０６の回動に伴い、パレットＰの枠部に両側のパレット支持部１０７のパレットローラ１０８が下から当接し、基板Ｇを載置した状態のパレットＰをすくい上げるようにして上昇させる。一つのパレットＰが上昇すると、次のパレットＰが昇降装置８１の下方の基板搬送路８５に移送され、パレットＰとは反対側から搬送されてきた基板Ｇを受取り、そして次のパレット支持部１０７により両側からすくい上げられる。このようにして次々にパレットＰが上昇していく。

冷却処理室３９の昇降装置８２は、図８に示すように、基板搬送路８５を間に挟み込むように対向して配備された一対のベルト駆動装置１０１ｃ，１０１ｄによって構成されている。この昇降装置８２は、加熱処理室３８の昇降装置８１とは逆の方向にベルト１０６，１０６が回転し、基板Ｇを載置したパレットＰを下降させる点以外は、基本的に昇降装置８１と同様の構成であるため、昇降装置８１と同じ構成については、同一の符号を付して説明を省略する。

次に、昇降装置８１と昇降装置８２との間で行われるパレットＰの受渡し機構について、図１０および図１１を参照しながら説明を行う。なお、図１０には、昇降装置８１と昇降装置８２の最上段の片側（つまり、ベルト駆動機構１０１ａおよび１０１ｃ側）のパレット支持部１０７のみを図示するとともに、説明の便宜上、パレット支持部１０７の内部構造を示している。図１１は図１０の要部拡大図である。

加熱処理室３８と冷却処理室３９との間の仕切り壁８０には、前記したように上部開口８０ａが形成されており、この上部開口８０ａを介してパレットＰに載置された基板Ｇの受渡しが行われる。そして、加熱処理室３８側の上部開口８０ａの近傍には、モータ１０９と、このモータ１０９に連結されたマグネチックカプラー１１０とが配備されている。また、各パレット支持部１０７の端部のパレットローラ１０８にも、マグネチックカプラー１１１が連結されている。これらのマグネチックカプラー１１０，１１１は、例えば図１１に示すように、円柱体の周面に、永久磁石のＮ極とＳ極とが交互に配置された部材である。パレット支持部１０７のパレットローラ１０８には、ベルト１１２が連結されており、パレット支持部１０７上の各パレットローラ１０８を同じ方向に同期して回転させるように構成されている。

また、冷却処理室３９においては、仕切り壁８０とは反対側に同様の駆動機構、つまりモータ１０９と、このモータ１０９に連結されるマグネチックカプラー１１０とが配備されている。また、昇降装置８２における各パレット支持部１０７の端部のパレットローラ１０８にも、マグネチックカプラー１１１が連結されている。パレット支持部１０７に配備された各パレットローラ１０８には、ベルト１１２が連結されており、パレット支持部１０７上の各パレットローラ１０８を同じ方向に同期して回転させるように構成されている。

そして、加熱処理室３８の昇降装置８１において、任意のパレット支持部１０７が最上位の受け渡しポジションに位置した状態となり、他方の冷却処理室３９の昇降装置８２において、同様に任意のパレット支持部１０７が最上位の受け渡しポジションに位置した状態になると、各モータ１０９，１０９に連結された各マグネチックカプラー１１０，１１０と、パレット支持部１０７の端部のパレットローラ１０８に連結されたマグネチックカプラー１１１，１１１とが接近するように配置されている。

加熱処理室３８および冷却処理室３９内で、それぞれマグネチックカプラー１１０と１１１が接近した状態で、モータ１０９，１０９を作動させると、これに連結されたマグネチックカプラー１１０，１１０が回転し、磁力によりパレット支持部１０７側のマグネチックカプラー１１１，１１１も随伴して回転する。これにより、ベルト１１２，１１２が回転して、加熱処理室３８の昇降装置８１の最上位のパレット支持部１０７の各パレットローラ１０８と、冷却処理室３９の昇降装置８２の最上位のパレット支持部１０７の各パレットローラ１０８と、が同期して一方向、つまり加熱処理室３８から冷却処理室３９へ向かう方向に回転する。この回転によって、加熱処理室３８の昇降装置８１の最上位のパレット支持部１０７に支持されている基板Ｇを載置した状態のパレットＰが、上部開口８０ａを通過して冷却処理室３９の昇降装置８２の最上位のパレット支持部１０７へ受渡され、基板ＧがパレットＰごと搬送される。このような構成とすることにより、１つのモータ１０９によって、所定位置に到達したパレット支持部１０７のパレットローラ１０８を動作させることが可能であり、１つのパレット支持部１０７毎に１つのモータを設ける場合と比較して装置の構造を簡素化できるとともに、装置の稼働信頼性の向上を図ることができる。

再び図５から図８を参照するに、加熱処理室３８および冷却処理室３９の下部には、複数のローラ１２０ａを備え、パレットＰを水平に搬送するパレット循環装置１２０が設けられている。これにより、空のパレットＰを冷却処理室３９から下部開口８０ｂを介して加熱処理室３８に向けて循環させる。なお、このパレット循環装置１２０は、図１２に示すとおり、加熱処理室３８および冷却処理室３９に、それぞれ、モータ１２７に連結されたマグネチックカプラー１２８と、該マグネチックカプラー１２８と連動するローラ側のマグネチックカプラー１２９と、このローラ側のマグネチックカプラー１２９に連結された端部のローラ１２０ａと、複数のローラ１２０ａを同時に駆動させるローラ駆動ベルト１３０と、を備えている。このパレット循環装置１２０における受渡し機構は、上部開口８０ａを介して昇降装置８１から昇降装置８２へパレットＰを受け渡す受渡し機構（図１０および図１１参照）と同様の機構であるため、説明を省略する。

また、加熱処理室３８の下部には、基板Ｇを搬送する搬送手段としてのコロ搬送装置１２１が設けられている。このコロ搬送装置１２１は、パレットＰの枠部に当接してこれを押し上げるパレット押上げ部１２３と、複数のコロ１２２とを備え、これらのコロ１２２の回転によって基板Ｇをｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５の側から受取る。
コロ搬送装置１２１に配備された複数のコロ１２２は、図示しない軸心変位機構によってパレット押上げ部１２３に対する上下の突出量を調節できるようになっている。また、コロ搬送装置１２１は、図示しない昇降機構により全体として上下に昇降できるように構成されている。

同様に、冷却処理室３９の下部には、基板Ｇを搬送する搬送手段としてのコロ搬送装置１２４が設けられている。このコロ搬送装置１２４は、パレットＰの枠部に当接してこれを支持するパレット当接部１２６と、複数のコロ１２５とを備え、これらのコロ１２５の回転により基板Ｇをカセットステーション１の搬送装置１１に引き渡す。
コロ搬送装置１２４に配備された複数のコロ１２５は、図示しない軸心変位機構によってパレット当接部１２６に対する上下の突出量を調節できるようになっている。また、コロ搬送装置１２４は、図示しない昇降機構により全体として上下に昇降できるように構成されている。

図１３は、以上のような構成の加熱・冷却処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ・ＣＯＬ）３７において、加熱処理室３８の昇降装置８１に基板Ｇを受渡す際の手順を示している。
まず、図１３（ａ）の如く、空のパレットＰがパレット循環装置１２０のローラ１２０ａの回転によって冷却処理室３９から下部開口８０ｂを介して加熱処理室３８に搬送される。次に、図１３（ｂ）に示すように、図示しない昇降機構を備えたコロ搬送装置１２１が上昇してきて、横方向に延設されたパレット押上げ部１２３がパレットＰの枠部に下から当接する。この際、コロ搬送装置１２１のコロ１２２はパレットＰの枠内に挿入され、コロ１２２の上部がパレットＰよりも少し高い状態にセットされる。

次に、図１３（ｃ）のように、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５の側から搬入口８３を介して基板Ｇが加熱処理室３８内に搬入されると、コロ搬送装置１２１のコロ１２２が回転して基板Ｇを受取る。そして、コロ搬送装置１２１に設けられた図示しない前記軸心変位機構によりパレット押上げ部１２３に対してコロ１２２のみを図１３（ｃ）に矢印で示すように下降させると、コロ１２２上に支持されていた基板Ｇが下降し、図１３（ｄ）に示すようにパレットＰの枠内の支持部１３１（図９参照）に載置される。

次に、図１３（ｅ）に示すように、図示しない昇降機構によってコロ搬送装置１２１を上昇させることにより、基板Ｇを載置した状態のパレットＰを昇降装置８１のベルト駆動装置１０１ａ，１０１ｂの最下位のパレット支持部１０７の位置まで上昇させる。そして、基板Ｇを載置した状態のパレットＰが、最下位のパレット支持部１０７に受け渡される。

以上のようにして、基板Ｇを載置した状態のパレットＰは昇降装置８１に受渡され、加熱処理室３８内を所定速度で上昇していく。再び図５を参照すると、加熱処理室３８内には、前記したように発熱部７７が配備されており、パレットＰはその上昇過程で所定時間かけて加熱される。基板Ｇを載置した状態のパレットＰが加熱処理室３８の上部に到達すると、前記受渡し機構（図１０および図１１参照）によって、昇降装置８１のベルト駆動機構１０１ａ，１０１ｂのパレット支持部１０７から、仕切り壁８０の上部開口８０ａを介して冷却処理室３９の昇降装置８２のベルト駆動機構１０１ｃ，１０１ｄの最上位のパレット支持部１０７に搬送される。そして、基板Ｇを載置した状態のパレットＰは、昇降装置８２のベルト駆動機構１０１ｃ，１０１ｄにより支持されつつ、冷却処理室３９内を所定速度で下降する。

このように、複数枚の基板Ｇを鉛直方向に移動させながら次々に加熱処理および冷却処理することによって、加熱処理および冷却処理に要するスペースが小さくてすみ、従来の積層型の熱的処理ユニットに比べてもさらにフットプリントを小さくできる。また、搬送ロボットを必要とせずに、基板Ｇの処理を連続的に行うことができるので、高いスループットを維持できる。

そして、冷却処理室３９内で、基板Ｇを載置したパレットＰが、昇降装置８２のベルト駆動機構１０１ｃ，１０１ｄの下部に到達すると、コロ搬送装置１２４は、図示しない昇降機構により、昇降装置８２のベルト駆動装置１０１ｃ，１０１ｄの最下位のパレット支持部１０７の位置まで上昇し、基板Ｇを載置したパレットＰをパレット当接部１２６により支持して受け取る。次に、コロ搬送装置１２４を所定位置（基板搬送位置）まで下降させると、前記軸芯変位機構によってパレット当接部１２６に対して相対的にコロ１２５を上昇させる。これにより基板Ｇはコロ１２５により持ち上げられ、パレットＰから浮き上がった状態となるので、この状態でコロ１２５を回転させることにより、搬出口８４を介して基板Ｇをカセットステーション１の搬送装置１１に向けて搬出することができる。

一方、基板Ｇを放した空のパレットＰは、パレット循環装置１２０によって仕切り壁８０の下部開口８０ｂを介して加熱処理室３８に戻される。このように、パレットＰは、基板Ｇを載置した状態と載置しない空の状態を交互にとりながら、加熱処理室３８および冷却処理室３９内を循環する。パレットＰを用いることにより、基板Ｇを安定的に支持した状態で昇降移動させることが可能になり、基板Ｇの破損を防ぐことができる。

再び図１〜図４を参照するに、上記スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１およびエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２への基板Ｇの搬入は、カセットステーション１の搬送装置１１によって行われる。また、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１の基板Ｇは上述したように例えばコロ搬送により熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のパスユニット（ＰＡＳＳ）６１に搬出され、そこで図示しないピンが突出されることにより持ち上げられた基板Ｇが第１の搬送装置３３により搬送される。

また、レジスト処理ユニット２３への基板Ｇの搬入は、第１の搬送装置３３により基板Ｇがパスユニット（ＰＡＳＳ）６５に受け渡された後、一対のサブアーム５６により搬入口５７から行われる。レジスト処理ユニット２３では、サブアーム５６により基板Ｇが搬出口５８を通って熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のパスユニット（ＰＡＳＳ）６９まで搬送され、そこで突出されたピン（図示せず）上に基板Ｇが搬出される。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４への基板Ｇの搬入は、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３において図示しないピンを突出させて基板Ｇを上昇させた状態から下降させることにより、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより行われる。ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５の基板Ｇは、例えばコロ搬送により加熱・冷却処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ・ＣＯＬ）３７に受渡される。さらに全ての処理が終了した後の基板Ｇは、加熱・冷却処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ・ＣＯＬ）３７の冷却処理室３９からコロ搬送されてカセットステーション１の搬送装置１１に受渡される。

処理ステーション２では、以上のように２列の搬送ラインＡ，Ｂを構成するように、かつ基本的に処理の順になるように各処理ユニットおよび搬送装置が配置されており、これら搬送ラインＡ，Ｂの間には、空間部４０が設けられている。

インターフェイスステーション３は、処理ステーション２と露光装置４との間での間で基板Ｇの搬入出を行う搬送装置４２と、バッファーカセットを配置するバッファステージ（ＢＵＦ）４３と、冷却機能を備えた基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４とを有しており、タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とが上下に積層された外部装置ブロック４５が搬送装置４２に隣接して設けられている。搬送装置４２は搬送アーム４２ａを備え、この搬送アーム４２ａにより処理ステーション２と露光装置４との間で基板Ｇの搬入出が行われる。

レジスト塗布現像処理装置１００の各構成部は、制御部２０１により制御される構成となっている。制御部２０１は、ＣＰＵを備えたコントローラ２０２を備えており、このコントローラ２０２には、工程管理者がレジスト塗布現像処理装置１００を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、レジスト塗布現像処理装置１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェイス２０３が接続されている。

また、コントローラ２０２には、レジスト塗布現像処理装置１００で実行される加熱処理や冷却処理などの各種処理をコントローラ２０２の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウエア）や処理条件データ等が記録されたレシピが格納された記憶部２０４が接続されている。

そして、必要に応じて、ユーザーインターフェイス２０３からの指示等にて任意のレシピを記憶部２０４から呼び出してコントローラ２０２に実行させることで、コントローラ２０２の制御下で、レジスト塗布現像処理装置１００で所望の処理が行われる。また、前記制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体、例えばＣＤ−ＲＯＭ、ハードディスク、フレキシブルディスク、フラッシュメモリなどに格納された状態のものを利用したり、あるいは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。

このように構成されたレジスト塗布現像処理装置１００においては、まず、カセットステーション１に配置されたカセットＣ内の基板Ｇが、搬送装置１１により処理ステーション２のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２に直接搬入され、スクラブ前処理が行われる。次いで、搬送機構１１により、基板ＧがエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２の下に配置されたスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１に搬入され、スクラブ洗浄される。このスクラブ洗浄では、基板Ｇが従来のように回転されることなく略水平に搬送されつつ、洗浄処理および乾燥処理を行うようになっている。スクラブ洗浄処理後、基板Ｇは例えばコロ搬送により第１の熱的処理ユニットセクション２６に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のパスユニット（ＰＡＳＳ）６１に搬出される。

パスユニット（ＰＡＳＳ）６１に配置された基板Ｇは、図示しないピンが突出されることにより持ち上げられ、第１の熱的処理ユニットセクション２６に搬送されて以下の一連の処理が行われる。すなわち、最初に、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１の脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６２，６３のいずれかに搬送されて加熱処理され、次いで熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のクーリングユニット（ＣＯＬ）６６，６７のいずれかに搬送されて冷却された後、レジストの定着性を高めるために熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６４、および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６８のいずれかに搬送され、そこでＨＭＤＳによりアドヒージョン処理（疎水化処理）され、その後、上記クーリングユニット（ＣＯＬ）６６，６７のいずれかに搬送されて冷却され、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のパスユニット（ＰＡＳＳ）６５に搬送される。この際に搬送処理は全て第１の搬送装置３３によって行われる。なお、アドヒージョン処理を行わない場合もあり、その場合には、基板Ｇは、脱水ベークおよび冷却の後、直ちにパスユニット（ＰＡＳＳ）６５に搬送される。

その後、パスユニット（ＰＡＳＳ）６５に配置された基板Ｇがレジスト処理ユニット２３のサブアーム５６によりレジスト処理ユニット２３内へ搬入される。そして、基板Ｇはまずその中のレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａに搬送され、そこで基板Ｇに対するレジスト液のスピン塗布が実施され、次いでサブアーム５６により減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂに搬送されて減圧乾燥され、さらにサブアーム５６により周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃに搬送されて基板Ｇ周縁の余分なレジストが除去される。そして、周縁レジスト除去終了後、基板Ｇはサブアーム５６によりレジスト処理ユニット２３から搬出される。このように、レジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａの後に減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂを設けるのは、これを設けない場合には、レジストを塗布した基板Ｇをプリベーク処理した後や現像処理後のポストベーク処理した後に、リフトピン、固定ピン等の形状が基板Ｇに転写されることがあるが、このように減圧乾燥装置（ＶＤ）により加熱せずに減圧乾燥を行うことにより、レジスト中の溶剤が徐々に放出され、加熱して乾燥する場合のような急激な乾燥が生じず、レジストに悪影響を与えることなくレジストの乾燥を促進させることができ、基板上に転写が生じることを有効に防止することができるからである。

このようにして塗布処理が終了し、サブアーム５６によりレジスト処理ユニット２３から搬出された基板Ｇは、第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のパスユニット（ＰＡＳＳ）６９に受け渡される。パスユニット（ＰＡＳＳ）６９に配置された基板Ｇは、第２の搬送装置３６により、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７０，７１，７２および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７５，７６のいずれかに搬送されてプリベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のクーリングユニット（ＣＯＬ）７４に搬送されて所定温度に冷却される。そして、第２の搬送装置３６により、さらに熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３に搬送される。

その後、基板Ｇは第２の搬送装置３６によりインターフェイスステーション３のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４へ搬送され、インターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて周辺レジスト除去のための露光が行われ、次いで搬送装置４２により露光装置４に搬送されてそこで基板Ｇ上のレジスト膜が露光されて所定のパターンが形成される。場合によってはバッファステージ（ＢＵＦ）４３上のバッファーカセットに基板Ｇを収容してから露光装置４に搬送される。

露光終了後、基板Ｇはインターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の上段のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入されて基板Ｇに所定の情報が記された後、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に載置され、そこから再び処理ステーション２に搬入される。すなわち、基板Ｇは第２の搬送装置３６により、第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のパスユニット（ＰＡＳＳ）７３に搬送される。そして、パスユニット（ＰＡＳＳ）７３においてピンを突出させて基板Ｇを上昇させた状態から下降させることにより、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４からパスユニット（ＰＡＳＳ）７３まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより基板Ｇが現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へ搬入され、現像処理が施される。この現像処理では、基板Ｇが従来のように回転されることなく、例えばコロ搬送により略水平に搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液除去、および乾燥処理を行うようになっており、これにより、従来、回転タイプの現像処理ユニットを３台使用していたのと同じ処理能力をより少ないスペースで実現することができる。

現像処理終了後、基板Ｇは現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４から連続する搬送機構、例えばコロ搬送によりｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送され、基板Ｇに対して脱色処理が施される。その後、基板Ｇはｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５内の搬送機構、例えばコロ搬送により第３の熱的処理ユニットセクション２８の加熱・冷却処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ・ＣＯＬ）３７に搬送される。

加熱・冷却処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ・ＣＯＬ）３７に搬送された基板Ｇは、前述のように加熱処理室３８内でポストベーク処理され、その後、冷却処理室３９内で所定温度に冷却される。

この際、加熱処理室３８内に設けられた発熱部７７による発熱量や、冷却処理室３９内の送風装置７８による送風量、排気装置７９による排気量、さらに昇降装置８１および昇降装置８２の昇降速度などは、制御部２０１のコントローラ２０２によって所定の条件に制御される。これらの制御は、例えば記憶部２０４に保存されていたレシピをコントローラ２０２によって読み出し、コントローラ２０２から、加熱・冷却処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ・ＣＯＬ）３７の各構成部に制御信号を送出することにより実行される。また、加熱・冷却処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ・ＣＯＬ）３７の各構成部の作動状況は、コントローラ２０２を介して監視され、ユーザーインターフェイス２０３におけるディスプレイなどの表示装置に表示される。

加熱・冷却処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ・ＣＯＬ）３７での加熱および冷却処理が終了した後、基板Ｇは、カセットステーション１の搬送装置１１によって、カセットステーション１に配置されている所定のカセットＣに収容される。

以上のように、本実施形態のレジスト塗布・現像処理装置１００の第３の熱的処理ユニットセクション２８の加熱・冷却処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ・ＣＯＬ）３７において、加熱処理室３８内では基板Ｇを上昇させつつ所定時間かけて加熱し、また冷却処理室３９内では基板Ｇを下降させつつ所定時間かけて冷却するようにしたので、基板間で均一な加熱・冷却処理が可能になるとともに、複数枚の基板Ｇを鉛直方向に移動させながら次々に加熱処理および冷却処理できるため、その分省スペース化を図ることができ、フットプリントを小さくすることができる。

また、加熱・冷却処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ・ＣＯＬ）３７内では、パレットＰを用いることにより、基板Ｇを安定的に支持した状態で昇降移動させることが可能になり、大きな熱変化が基板Ｇに加えられる加熱・冷却処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ・ＣＯＬ）３７において基板Ｇの破損を確実に防止できる。しかも、このパレットＰは簡単な構造であり、しかも循環使用が可能である。

さらに、熱的処理を、搬送ロボットによる基板Ｇの搬送を行わずに、基板Ｇの処理の流れの中で行うことができるので、高いスループットを維持できる。

図１４（ａ）は、加熱冷却処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ・ＣＯＬ）３７において使用可能なパレットの別の態様を示す斜視図であり、同図（ｂ）は、その一部を拡大して示している。このパレットＰ_１は、矩形をした箱形をなし、その表面には例えば空気などの気体を基板Ｇの裏面へ向けて吹き出すことにより、基板Ｇを浮上させるための多数の気体吹き出し孔１４０が設けられている。これらの気体吹き出し孔１４０は、パレットＰ_１の側部に設けられた接続口１４０ａに連通しており、この接続口１４０ａは、図示しない気体供給機構に着脱自在に接続できるように構成されている。

また、パレットＰ_１の長辺の両縁部には、支持ローラ１４２が約１００ｍｍピッチで複数個（本実施形態では片側７個ずつ）直列的に配設されている。各支持ローラ１４２は、パレットＰ_１上に基板Ｇを保持する際に、基板Ｇの下面に当接してこれを支持するとともに、パレットＰ_１に着脱自在に構成されたローラ駆動機構１４３により回転して基板Ｇを水平方向に移動させ、パレットＰ_１から他の部材へ、あるいは他の部材からパレットＰ_１への基板Ｇの受渡しを行なう。

また、図１４（ｂ）に示すように、各支持ローラ１４２の周囲には、基板Ｇが支持ローラ１４２によって確実に搬送されるように、基板Ｇの裏面側両縁部の前記支持ローラ１４２との当接部周囲を負圧にして基板ＧをパレットＰ_１側へ引付けるための吸引孔１４４が、例えば６個ずつ設けられている。各吸引孔１４４は、パレットＰ_１の側部に設けられた接続口１４４ａに連通しており、この接続口１４４ａは、図示しない真空ポンプなどの吸引機構に着脱自在に接続できるように構成されている。

図１５（ａ）〜（ｅ）は、図１４に示したパレットＰ_１を用い、加熱処理室３８の昇降装置８１に基板Ｇを受渡す際の手順を示している。本実施形態では、支持ローラ１４２を具備したパレットＰ_１を用いることにより、コロ搬送装置１２１のコロ１２２が不要になる点以外は、図５〜図８に示すものと同様の昇降装置８１，８２において基板Ｇをパレット搬送できる。

まず、図１５（ａ）の如く、パレットＰ_１がパレット循環装置１２０のローラ１２０ａの回転によって冷却処理室３９から下部開口８０ｂを介して加熱処理室３８に搬送される。次に、図１５（ｂ）に示すように、パレットＰ_１が基板Ｇの受取位置に到達すると、支持ローラ１４２を駆動するためのモータなどを備えたローラ駆動機構１４３と、基板Ｇを浮上させるためにパレットＰ_１表面の気体吹き出し孔１４０から気体を噴出させるための図示しない気体供給機構と、基板Ｇを支持ローラ１４２に確実に接触させるため支持ローラ１４２の周囲の吸引孔１４４を介して基板Ｇを吸引するための図示しない吸引機構が、それぞれパレットＰ_１に接続される。

次に、図１５（ｃ）に示すように、ｉ線ＵＶユニット（ｉ−ＵＶ）２５の側から搬入口８３を介して基板Ｇが加熱処理室３８内に搬入されると、気体吹き出し孔１４０から気体を吹き出させて基板Ｇを浮上させつつ、吸引孔１４４を介して基板Ｇ裏面の縁部を吸引しながら支持ローラ１４２を回転駆動させて基板Ｇを受け取る。そして、図１５（ｄ）に示すように、パレットＰ_１が基板Ｇを受取り、基板ＧがパレットＰ_１に支持されると、支持ローラ１４２の回転を停止し、気体吹き出し孔１４０からの気体の吹き出しおよび吸引孔１４４からの吸引を停止する。そして、支持ローラ１４２を駆動するローラ駆動機構、気体供給機構および吸引機構をパレットＰ_１から取り外す。

次に、図１５（ｅ）に示すように、図示しない昇降機構によってパレット押上げ部材１５０を上昇させてパレットＰ_１を下方から持ち上げる。このパレット押上げ部材１５０は、図５〜図８に示す実施形態のコロ搬送装置１２１におけるパレット押上げ部１２３に相当する部材である。そして、パレット押上げ部材１５０をさらに上昇させ、基板Ｇを載置した状態のパレットＰ_１を昇降装置８１のベルト駆動機構１０１ａ，１０１ｂの最下位のパレット支持部１０７の位置まで上昇させる。このようにして、基板Ｇを載置した状態のパレットＰ_１が最下位のパレット支持部１０７に受渡される。

基板Ｇを載置した状態のパレットＰ_１は、昇降装置８１に受渡され、加熱処理室３８内を所定速度で上昇していく。以降はパレットＰを使用する場合と同様に、加熱処理室３８内および冷却処理室３９内において基板Ｇのパレット搬送が行なわれる。
すなわち、パレットＰ_１に載置された基板Ｇは、その上昇過程で所定時間かけて加熱される。基板Ｇを載置した状態のパレットＰ_１は、加熱処理室３８の上部に到達すると、前記受渡し機構（図１０および図１１参照）によって、昇降装置８１のベルト駆動機構１０１ａ，１０１ｂのパレット支持部１０７から、仕切り壁８０の上部開口８０ａを介して冷却処理室３９の昇降装置８２のベルト駆動機構１０１ｃ，１０１ｄの最上位のパレット支持部１０７に搬送される。そして、基板Ｇを載置した状態のパレットＰ_１は、昇降装置８２のベルト駆動機構１０１ｃ，１０１ｄにより支持されつつ、冷却処理室３９内を所定速度で下降する。

以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明はこのような形態に限定されるものではない。例えば、上記説明においては、塗布膜としてレジスト膜を取り上げたが、塗布膜はこれに限定されるものではなく、反射防止膜や感光性を有さない有機膜等の絶縁膜や、カラーフィルタ用の色彩レジスト膜などであってもよい。

また、本発明は、ＬＣＤ用のガラス基板の処理に限らず、例えば発光ダイオード（ＬＥＤ）ディスプレイ、エレクトロルミネセンス（Electro Luminescence；ＥＬ）ディスプレイ、蛍光表示管（Vacuum Fluorescent Display；ＶＦＤ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等に使用する各種ＦＰＤ用基板に塗布膜の形成を行う場合にも同様に適用できる。

また、上記実施形態では、第３の熱的処理ユニットセクション２８に昇降式の加熱・冷却処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ・ＣＯＬ）３７を配備して現像処理後のポストベーク処理と冷却処理を行うようにしたが、加熱・冷却を行う処理であれば第３の熱的処理ユニットセクション２８に限らず、例えば第１の熱的処理ユニットセクションにおける脱水ベーク処理およびその後の冷却処理や、第２の熱的処理ユニットセクションにおけるプリベーク処理およびその後の冷却処理にも適用できる。

本発明は、ＦＰＤ用基板等の大型基板に、レジスト膜等の塗布膜を形成後や現像後に、熱的処理を行う場合に好適に利用できる。

本発明の一実施形態であるレジスト塗布装置を具備するレジスト塗布現像処理装置の概略平面図。 レジスト処理ユニットの内部を示す平面図。 図１に示したレジスト塗布現像処理装置の第１の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。 図１に示したレジスト塗布現像処理装置の第２の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。 加熱・冷却処理装置の概略構成を示す模式図。 昇降装置の説明に供する要部斜視図。 加熱処理装置における昇降装置の説明に供する側面図。 冷却処理装置における昇降装置の説明に供する側面図。 パレットの説明に供する斜視図。 上部開口を介して行われる加熱処理室から冷却処理室への基板の受渡し機構の説明に供する図面。 受渡し機構の説明に供する要部拡大図。 下部開口を介して行われる冷却処理室から加熱処理室へのパレットの受渡し機構の説明に供する図面。 コロ搬送装置の動作説明に供する模式図。 別の態様のパレットの説明に供する図面であり、（ａ）は全体斜視図、（ｂ）は要部拡大図。 別の実施形態にかかるコロ搬送装置の動作説明に供する模式図。

符号の説明

１……カセットステーション
２……処理ステーション
３……インターフェイスステーション
２１……スクラブ洗浄処理ユニット（液処理ユニット）
２３……レジスト処理ユニット（液処理ユニット）
２４……現像処理ユニット（液処理ユニット）
２６……第１の熱的処理ユニットセクション
２７……第２の熱的処理ユニットセクション
２８……第３の熱的処理ユニットセクション
３１，３２，３４，３５……熱的処理ユニットブロック
３３……第１の搬送装置
３６……第２の搬送装置
３７……加熱・冷却処理ユニット（ＰＯＢＡＫＥ・ＣＯＬ）
３８……加熱処理室
３９……冷却処理室
４０……空間
７７……発熱部
７８……送風装置
７９……排気装置
８０……仕切り壁
８１，８２……昇降装置
１００……レジスト塗布現像処理装置（処理装置）
１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃ，１０１ｄ……ベルト駆動機構
２０１……制御部
２０２……コントローラ
２０３……ユーザーインターフェイス
２０４……記憶部
Ｇ……基板
Ｐ……パレット

Claims (15)

1. 被処理基板に対して加熱処理および冷却処理を行う加熱・冷却処理装置であって、
   加熱手段を備え、被処理基板を加熱する加熱処理室と、
   前記加熱処理室内で、複数の被処理基板を上昇および／または下降させる第１の昇降装置と、
   前記加熱処理室に隣接して設けられ、加熱処理後の被処理基板を冷却する冷却処理室と、
   前記冷却処理室内で、複数の被処理基板を上昇および／または下降させる第２の昇降装置と、
   前記加熱処理室と前記冷却処理室との間に形成され、被処理基板を受渡しする開口部と、を備え、
   前記第１及び第２の昇降装置が別々に駆動されることを特徴とする、加熱・冷却処理装置。
2. 前記第１及び第２の昇降装置は、被処理基板をパレットに載置した状態で上昇および／または下降させることを特徴とする、請求項１に記載の加熱・冷却処理装置。
3. 前記第１及び第２の昇降装置は、被処理基板の搬送経路の両側に対向配備され、前記パレットに係合してこれを支持する複数のパレット支持部を循環変位させる一対のベルト駆動機構を備えていることを特徴とする、請求項２に記載の加熱・冷却処理装置。
4. 前記パレット支持部には複数のローラが設けられており、前記加熱処理室の昇降装置のパレット支持部のローラと、前記冷却処理室の昇降装置のパレット支持部のローラとを、前記開口部を介して連動させることにより、被処理基板を前記パレットに載置した状態で前記加熱処理室から前記冷却処理室に搬送する搬送機構を備えていることを特徴とする、請求項３に記載の加熱・冷却処理装置。
5. 前記加熱処理室と前記冷却処理室との間で前記パレットを循環搬送するパレット循環機構を備えたことを特徴とする、請求項４に記載の加熱・冷却処理装置。
6. 前記パレットには、載置される被処理基板の裏面に当接してこれを支持するとともに、回転駆動して被処理基板を水平移動させる支持ローラが配設されていることを特徴とする、請求項２から請求項５のいずれか１項に記載の加熱・冷却処理装置。
7. 前記支持ローラの周囲には、被処理基板を引き寄せる吸引孔が設けられていることを特徴とする、請求項２から請求項６のいずれか１項に記載の加熱・冷却処理装置。
8. 前記パレットには、被処理基板の裏面側に向けて気体を吹き付ける気体吹き出し孔が設けられていることを特徴とする、請求項２から請求項７のいずれか１項に記載の加熱・冷却処理装置。
9. 被処理基板に対して複数の液処理を含む一連の処理を行う基板処理装置において、前記複数の液処理に付随する熱的処理を行う熱的処理ユニットとして組み込まれることを特徴とする、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の加熱・冷却処理装置。
10. 被処理基板に対して複数の液処理を含む一連の処理を行う基板処理装置であって、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の加熱・冷却処理装置を備えたことを特徴とする、基板処理装置。
11. 基板処理装置において、被処理基板に対して加熱処理および冷却処理行う基板処理方法であって、
    加熱手段を備えた加熱処理室で、被処理基板を上昇および／または下降させながら加熱する加熱処理工程と、
    前記加熱処理工程後の被処理基板を、冷却手段を備えた冷却処理室内に搬送する搬送工程と、
    前記冷却処理室内で、被処理基板を上昇および／または下降させながら冷却する冷却処理工程と、を備え、
    前記加熱処理工程及び前記冷却処理工程が、別々の昇降装置を用いて行われることを特徴とする、基板処理方法。
12. 前記加熱処理工程および前記冷却処理工程を、被処理基板をパレット上に載置した状態で行うことを特徴とする、請求項１１に記載の基板処理方法。
13. 前記加熱処理室と前記冷却処理室との間で前記パレットを循環使用することを特徴とする、請求項１１または請求項１２に記載の基板処理方法。
14. コンピュータ上で動作し、実行時に、請求項１１から請求項１３のいずれか１項に記載された基板処理方法が行なわれるように前記基板処理装置を制御することを特徴とする、制御プログラム。
15. コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に、請求項１１から請求項１３のいずれか１項に記載された基板処理方法が行なわれるように前記基板処理装置を制御するものであることを特徴とする、コンピュータ記憶媒体。
    

Images