JP2004146625A - ベーキング方法及びベーキング装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ベーキングにおいて必要最小限の台数のホットプレートで多種類の多面取りパターンに対応すること。
【解決手段】タクトタイムの周期で搬送されてきた４面取りパターンの基板Ｇは、最初に４面取りパターンに対応する支持ピン配置パターンを有するホットプレートを備えるベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９０に搬入され、そこでタクトタイムよりも短い第１の処理時間をかけて第１（初期）ベーキングを受けて、基板上のレジスト液膜をピン転写を起こさなくなる状態まで乾かしてから、空き状態の別のベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９２，９４，１００，１０２へ移送され、そこでレジスト膜中の余剰溶媒をほぼ完全に蒸発させるまで第２の処理時間をかけて第２（残りの）ベーキングを受ける。
【選択図】　　図１２

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ホットプレート加熱方式でフォトレジストをベーキングする技術に係り、特に多面取り型の被処理基板上のレジスト膜をベーキングするベーキング方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、ＬＣＤや半導体デバイス等の製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、レジスト塗布後の露光前にプリベークが行なわれ、露光・現像後にポストベークが行なわれる。プリベークは、被処理基板（ガラス基板、半導体ウエハ等）上に塗布されたレジスト膜中に残留する溶媒を蒸発させ、レジスト膜と基板の密着性を強化するためのもので、レジスト材料が反応しない比較的低い温度で行なわれる。ポストベークは、現像液やリンス液を蒸発させ、レジスト膜パターンの硬化や基板との密着性をより強化するためのもので、レジスト耐熱性以下の温度で行なわれる。
【０００３】
従来より、ベーキングの一方式として、基板裏面とホットプレート表面との間に１ｍｍ以下のギャップ（プロキシミティギャップ）を設けて、ホットプレート表面からの放射熱により基板を加熱するプロキシミティ方式が知られている。プロキシミティ方式は、プロキシミティギャップを形成するために、ホットプレート表面にたとえばピン状のスペーサまたは固定ピンを設ける。
【０００４】
ところで、フラットパネルディスプレイの分野では、１枚の基板から複数枚のパネルを取る多面取りがよく行なわれている。多面取りでは、あるサイズの基板から取れるパネルの枚数は多面取りのパターン次第で任意に選択できる。たとえば、５５０ｍｍ×６５０ｍｍのＬＣＤ用のマザーガラス基板から６面取りで１２．１型の液晶パネルを６枚取ったり、４面取りで１４．１型の液晶パネルを４枚取ったりすることができる。
【０００５】
しかしながら、多面取り型の基板にあっては、フォトリソグラフィー工程において上記のようなプロキシミティ方式のベーキングを行う場合に問題が生じる。すなわち、ホットプレートにおいて、プロキシミティギャップを形成するための固定ピンの配置パターンをたとえば６面取りパターンに合わせた場合、つまり６面取りパターンの基板に対してパネル領域（製品領域）以外の部分に固定ピンが接触するようなピン配置パターンとした場合、異なる面取りパターンたとえば４面取りパターンの基板に対しては一部の固定ピンがパネル領域に接触することになる。このように固定ピンがパネル領域に接触した状態でベーキングを行うと、該固定ピンの形状がレジストに転写することがある。具体的には、プリベークの処理後にレジストの膜厚がピン形状に応じて変化したり、ポストベークの処理後にレジストパターンの線幅がピン形状に応じて変化するといった形でピンの転写が生じる。このようなピンの転写は、プロキシミティギャップ形成用の固定ピンだけでなく、基板の搬入出時に基板をホットプレート上で昇降させるためのリフトピンでも起こり得る。
【０００６】
この問題に対して、本出願人は、複数種類の多面取りパターンにそれぞれ対応した支持ピン配置パターンを有する複数種類の交換型ホットプレートをベーキング装置に用意しておいて、処理対象の基板に対してその面取りパターンに対応する支持ピン配置パターンのホットプレートを選択して使用する技法を特許文献１で開示している。かかる技法によれば、所与の多面取りパターンを有する基板に対して、ホットプレート側の支持ピン（固定ピン、リフトピン等）が基板の製品領域に接触するのを回避し、上記のようなピン転写の問題を解消することができる。
【０００７】
【特許文献１】
特開２０００−１２４１２７号公報
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、実際の製造ラインでは、フォトリソグラフィー工程の全体で一定のタクトタイムが決められ、ベーキング装置がタクトタイムをキープするには複数台のホットプレートを一定の時間差を置いて並列稼動させるのが通例となっている。たとえば、ベーキング工程の所要時間が１８０秒であるのにタクトタイムが６０秒に設定されている場合は、６０秒の時間差を置いて３台のホットプレートを並列運転させることになる。したがって、上記のように多種類の多面取りパターンに対応するには、設定または使用される多面取りパターンの種類の数をＮとすると、３×Ｎ台のホットプレートを用意しなければならず、装置コストやスペースが倍増するだけでなく、ホットプレートの管理や運用が煩雑化するという問題があった。
【０００９】
本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、必要最小限の台数のホットプレートで多種類の多面取りパターンに対応できるようにしたベーキング方法およびベーキング装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明のベーキング方法は、多面取り型の被処理基板上のレジスト膜をベーキングするベーキング方法であって、予め設定された複数の多面取りパターンにそれぞれ対応させて、基板の製品領域以外の部分に接触して前記基板を支持するための支持部材を有するホットプレートを複数種類用意し、所望の多面取りパターンを有する前記基板に対して、最初に当該多面取りパターンに対応する第１のホットプレートによる第１のベーキングを第１の処理時間をかけて行い、引き続き別の多面取りパターンに対応する第２のホットプレートによる第２のベーキングを第２の処理時間をかけて行う方法とした。
【００１１】
また、本発明のベーキング装置は、多面取り型の被処理基板上のレジスト膜をベーキングするベーキング装置であって、予め設定された複数の多面取りパターンにそれぞれ対応して設けられた、基板の製品領域以外の部分に接触して前記基板を支持するための支持部材を有する複数種類のホットプレートと、所望の多面取りパターンを有する前記基板について、最初に前記基板を当該多面取りパターンに対応する第１のホットプレートに搬入し、第１の処理時間をかけて前記第１のホットプレートによる第１のベーキングが行われた後に前記基板を前記第１のホットプレートから搬出し、次いで前記基板を別の多面取りパターンに対応する第２のホットプレートに搬入し、第２の処理時間をかけて前記第２のホットプレートによる第２のベーキングが行われた後に前記基板を前記第２のホットプレートから搬出する搬送手段とを有する構成とした。
【００１２】
本発明では、所望の多面取りパターンを有する基板に対して、第１のホットプレートでは、支持部材が基板の製品領域以外の部分に接触して基板を支持した状態で第１（初期）のベーキングが行われるので、基板上のレジスト膜に転写等の悪影響を与えることなく一定の段階まで熱処理を施すことができる。そして、第２のホットプレートでは、第２（残り）のベーキングに際して支持部材が基板の製品領域の部分に接触しても、基板上のレジスト膜は先の第１のベーキングによって転写等の悪影響を受けない状態になっているため、何等支障はなく、最終段階までの熱処理を安全に遂行することができる。したがって、種々の多面取りパターンに対してホットプレートを必要最小限の台数用意するだけで、所与のタクトタイムに対応することができる。
【００１３】
本発明において、所与のタクトタイムに対応するために、好ましくは、第１のホットプレートによる第１のベーキングを所定のタクトタイムの周期で繰り返し行うようにしてよい。装置的には、搬送手段が、所定のタクトタイムの周期で、第１のホットプレートに対する基板の搬入と基板の搬出とを繰り返し行うようにしてよい。この場合、第１の処理時間はタクトタイムよりも短い時間に設定されてよい、
【００１４】
また、所与のタクトタイムに対応するために、好ましくは、第２のホットプレートを複数台用意し、タクトタイムに対応する時間差でそれら複数台の第２のホットプレートに第２のベーキングを並列的に行わせるようにしてよい。装置的には、搬送手段がタクトタイムに対応する時間差でそれら複数台の第２のホットプレートに対する基板の搬入を順次行って、それら複数台の第２のホットプレートが時間差で並列的に第２の処理時間をかけて第２のベーキングを行うようにしてよい。この場合、搬送手段は、タクトタイムに対応する時間差でそれら複数台の第２のホットプレートから基板の搬出を順次行ってよい。
【００１５】
また、第２のホットプレートを複数台用意し、それら複数台の第２のホットプレートに第２のベーキングを時間分割して順次行わせることも可能である。
【００１６】
また、ホットプレートの設置台数に余裕がある場合は、第１のホットプレートを複数台用意し、タクトタイムに相当する時間差でそれら複数台の第１のホットプレートに第１のベーキングを並列的に行わせることも可能である。装置的には、搬送手段が、タクトタイムに対応する時間差でそれら複数台の第１のホットプレートに対する基板の搬入を順次行って、それら複数台の第１のホットプレートが時間差で並列的に第１の処理時間をかけて第１のベーキングを行うようにしてよい。この場合、搬送手段が、タクトタイムに対応する時間差で複数台の第１のホットプレートから基板の搬出を順次行うようにしてよい。
【００１７】
本発明のベーキング装置において、好ましくは、支持部材が、ホットプレートの上面に固定されている複数の固定ピンと、ホットプレートに形成された貫通孔を貫通して昇降移動可能に設けられた複数のリフトピンとを含むものであってよい。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。
【００１９】
図１に、本発明のレジスト塗布方法および装置を適用できる一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システム１０は、クリーンルーム内に設置され、たとえばＬＣＤ用のガラス基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の各処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置１２で行われる。
【００２０】
この塗布現像処理システム１０は、中心部に横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６を配置し、その長手方向（Ｘ方向）両端部にカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とを配置している。
【００２１】
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４は、システム１０のカセット搬入出ポートであり、基板Ｇを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットＣを水平方向たとえばＹ方向に４個まで並べて載置可能なカセットステージ２０と、このステージ２０上のカセットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２２とを備えている。搬送機構２２は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム２２ａを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００２２】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、システム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向きの一対のラインＡ，Ｂに各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。より詳細には、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向う上流部のプロセスラインＡには、洗浄プロセス部２４と、第１の熱的処理部２６と、塗布プロセス部２８と、第２の熱的処理部３０とを横一列に配置している。一方、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側へ向う下流部のプロセスラインＢには、第２の熱的処理部３０と、現像プロセス部３２と、脱色プロセス部３４と、第３の熱的処理部３６とを横一列に配置している。このライン形態では、第２の熱的処理部３０が、上流側のプロセスラインＡの最後尾に位置するとともに下流側のプロセスラインＢの先頭に位置しており、両ラインＡ，Ｂ間に跨っている。
【００２３】
両プロセスラインＡ，Ｂの間には補助搬送空間３８が設けられており、基板Ｇを１枚単位で水平に載置可能なシャトル４０が図示しない駆動機構によってライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっている。
【００２４】
上流部のプロセスラインＡにおいて、洗浄プロセス部２４は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２を含んでおり、このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内のカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０と隣接する場所にエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１を配置している。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内の洗浄部は、ＬＣＤ基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でラインＡ方向に搬送しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すようになっている。
【００２５】
洗浄プロセス部２４の下流側に隣接する第１の熱的処理部２６は、プロセスラインＡに沿って中心部に縦型の搬送機構４６を設け、その前後両側に複数のユニットを多段に積層配置している。たとえば、図２に示すように、上流側の多段ユニット部（ＴＢ）４４には、基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０、脱水ベーク用の加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳ）５０は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２側から基板Ｇを受け取るためのユニットである。また、下流側の多段ユニット部（ＴＢ）４８には、基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）６０、冷却ユニット（ＣＬ）６２，６４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）６６が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳ）６０は、塗布プロセス部２８側へ基板Ｇを渡すためのユニットである。
【００２６】
図２に示すように、搬送機構４６は、鉛直方向に延在するガイドレール６８に沿って昇降移動可能な昇降搬送体７０と、この昇降搬送体７０上でθ方向に回転または旋回可能な旋回搬送体７２と、この旋回搬送体７２上で基板Ｇを支持しながら前後方向に進退または伸縮可能な搬送アームまたはピンセット７４とを有している。昇降搬送体７０を昇降駆動するための駆動部７６が垂直ガイドレール６８の基端側に設けられ、旋回搬送体７２を旋回駆動するための駆動部７８が昇降搬送体７０に取り付けられ、搬送アーム７４を進退駆動するための駆動部８０が回転搬送体７２に取り付けられている。各駆動部７６，７８，８０はたとえば電気モータ等で構成され、コントローラ（図示せず）によって制御される。
【００２７】
上記のように構成された搬送機構４６は、高速に昇降ないし旋回運動して両隣の多段ユニット部（ＴＢ）４４，４８の中の任意のユニットにアクセス可能であり、補助搬送空間３８側のシャトル４０とも基板Ｇを受け渡しできるようになっている。
【００２８】
第１の熱的処理部２６の下流側に隣接する塗布プロセス部２８は、図１に示すように、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）８１とエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８２とをプロセスラインＡに沿って一列に配置している。図示省略するが、塗布プロセス部２８内には、これらのユニット（ＣＴ）８１、（ＥＲ）８２に基板Ｇを工程順に１枚ずつ搬入・搬出するための搬送装置が設けられており、各ユニット（ＣＴ）８１、（ＥＲ）８２内では基板１枚単位で各処理が行われるようになっている。
【００２９】
塗布プロセス部２８の下流側に隣接する第２の熱的処理部３０は、上記第１の熱的処理部２６と同様の構成を有しており、両プロセスラインＡ，Ｂの間に縦型の搬送機構８４を設け、プロセスラインＡ側（最後尾）に一方の多段ユニット部（ＴＢ）８５を設け、プロセスラインＢ側（先頭）に他方の多段ユニット部（ＴＢ）８６を設けている。
【００３０】
たとえば、図３に示すように、プロセスラインＡ側の多段ユニット部（ＴＢ）８５には、隣の減圧乾燥ユニット（ＥＲ）８２から基板Ｇを受け取るためのパスユニット（ＰＡＳＳ）８８が最下段に置かれ、その上にプリベーク用のベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９０，９２，９４がたとえば３段積みに重ねられている。また、プロセスラインＢ側の多段ユニット部（ＴＢ）８６には、隣の後述する現像プロセス部３２の現像ユニット（ＤＥＶ）に基板を渡すためのパスユニット（ＰＡＳＳ）９６が最下段に置かれ、その上に冷却ユニット（ＣＯＬ）９８がたとえば１段重ねられ、その上にプリベーク用のベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）１００，１０２がたとえば２段積みに重ねられている。
【００３１】
第２の熱的処理部３０における搬送機構８４は、第１の熱的処理部２６における搬送機構４６と同様の構成を有しており、両多段ユニット部（ＴＢ）８５，８６のそれぞれのパスユニット（ＰＡＳＳ）８８，９６を介して塗布プロセス部２８および現像プロセス部３２と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０や後述するインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。
【００３２】
下流部のプロセスラインＢにおいて、現像プロセス部３２は、基板Ｇを水平姿勢で搬送しながら一連の現像処理工程を行う、いわゆる平流し方式の現像ユニット（ＤＥＶ）１０４を含んでいる。現像プロセス部３２の下流側には脱色プロセス部３４を挟んで第３の熱的処理部３６が配置される。脱色プロセス部３４は、基板Ｇの被処理面にｉ線（波長３６５ｎｍ）を照射して脱色処理を行うためのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）１０６を備えている。
【００３３】
第３の熱的処理部３６は、上記第１の熱的処理部２６や第２の熱的処理部３０と同様の構成を有しており、プロセスラインＢに沿って縦型の搬送機構１０８とその前後両側に一対の多段ユニット部（ＴＢ）１１０，１１２を設けている。
【００３４】
たとえば、図４に示すように、上流側の多段ユニット部（ＴＢ）１１０には、最下段にパスユニット（ＰＡＳＳ）１１４が置かれ、その上にたとえば３段積みにポストベーク用のベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）１１６，１１８，１２０が重ねられている。また、下流側の多段ユニット部（ＴＢ）１１２には、最下段にポストベーク用のベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）１２２が置かれ、その上に基板受け渡しおよび冷却用のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）１２４が１段重ねられ、その上にポストベーク用のベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）１２６，１２８が２段積みに重ねられている。
【００３５】
第３の熱的処理部３６における搬送機構１０４は、第１の熱的処理部２６における搬送機構４６と同様の構成を有しており、両多段ユニット部（ＴＢ）１１０，１１２のパスユニット（ＰＡＳＳ）１１４およびパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）１２２を介してそれぞれｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）１０６およびカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。
【００３６】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８は、隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行うための搬送装置１３０を有し、その周囲にバッファ・ステージ（ＢＵＦ）１３２、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１３４および周辺装置１３６を配置している。バッファ・ステージ（ＢＵＦ）１３２には定置型のバッファカセット（図示せず）が置かれる。エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１３４は、冷却機能を備えた基板受け渡し用のステージであり、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇをやりとりする際に用いられる。周辺装置１３６は、たとえばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とを上下に積み重ねた構成であってよい。搬送装置１３０は、基板Ｇを保持できる手段としてたとえば搬送アーム１３０ａを有し、隣接する露光装置１２や各ユニット（ＢＵＦ）１３２、（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１３４、（ＴＩＴＬＥＲ／ＥＥ）１３６と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００３７】
図５に、この塗布現像処理システムにおける処理の手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４において、搬送機構２２が、ステージ２０上の所定のカセットＣの中から１つの基板Ｇを取り出し、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６の洗浄プロセス部２４のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１に搬入する（ステップＳ１）。
【００３８】
エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１内で基板Ｇは紫外線照射による乾式洗浄を施される（ステップＳ２）。この紫外線洗浄では主として基板表面の有機物が除去される。紫外線洗浄の終了後に、基板Ｇは、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２によって洗浄プロセス部２４のスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２へ移される。
【００３９】
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２では、上記したように基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でプロセスラインＡ方向に平流しで搬送しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより、基板表面から粒子状の汚れを除去する（ステップＳ３）。そして、洗浄後も基板Ｇを平流しで搬送しながらリンス処理を施し、最後にエアーナイフ等を用いて基板Ｇを乾燥させる。
【００４０】
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内で洗浄処理の済んだ基板Ｇは、第１の熱的処理部２６の上流側多段ユニット部（ＴＢ）４４内のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０に搬入される。
【００４１】
第１の熱的処理部２６において、基板Ｇは搬送機構４６により所定のシーケンスで各ユニットを回される。たとえば、基板Ｇは、最初にパスユニット（ＰＡＳＳ）５０から加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４の１つに移され、そこで脱水処理を受ける（ステップＳ４）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ５）。しかる後、基板Ｇはアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６に移され、そこで疎水化処理を受ける（ステップＳ６）。この疎水化処理の終了後に、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ７）。最後に、基板Ｇは下流側多段ユニット部（ＴＢ）４８に属するパスユニット（ＰＡＳＳ）６０に移される。
【００４２】
このように、第１の熱的処理部２６内では、基板Ｇが、搬送機構４６を介して上流側の多段ユニット部（ＴＢ）４４と下流側の多段ユニット部（ＴＢ）４８との間で任意に行き来できるようになっている。なお、第２および第３の熱的処理部３０，３６でも同様の基板搬送動作を行えるようになっている。
第１の熱的処理部２６で上記のような一連の熱的または熱系の処理を受けた基板Ｇは、下流側多段ユニット部（ＴＢ）４８内のパスユニット（ＰＡＳＳ）６０から下流側隣の塗布プロセス部２８のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８１へ移される。
【００４３】
基板Ｇはレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８１でたとえばスピンコート法により基板上面（被処理面）にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣のエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８２で基板周縁部の余分（不要）なレジストを取り除かれる（ステップＳ８）。
【００４４】
上記のようなレジスト塗布処理を受けた基板Ｇは、エッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）７２から隣の第２の熱的処理部３０の上流側多段ユニット部（ＴＢ）８５に属するパスユニット（ＰＡＳＳ）８８に受け渡される。
【００４５】
第２の熱的処理部３０内で、基板Ｇは、後述するように所定のシーケンスで搬送機構８４によりベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９０〜９４、１００，１０２を回されてレジスト塗布後のプリベーキングを受け（ステップＳ９）、最後に冷却ユニット（ＣＯＬ）９８で一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ１０）。しかる後、基板Ｇは下流側多段ユニット部（ＴＢ）８６側のパスユニット（ＰＡＳＳ）９６を経由して、あるいは経由せずにインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１３４へ受け渡される。
【００４６】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８において、基板Ｇは、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１３４から周辺装置１３６の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる（ステップＳ１１）。
【００４７】
露光装置１２では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると（ステップＳ１１）、先ず周辺装置１３６のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される（ステップＳ１２）。しかる後、基板Ｇはエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１３４に戻される。インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８における基板Ｇの搬送および露光装置１２との基板Ｇのやりとりは搬送装置１３０によって行われる。
【００４８】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６では、第２の熱的処理部３０において搬送機構８４がエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１３４より露光済の基板Ｇを受け取り、プロセスラインＢ側の多段ユニット部（ＴＢ）８６内のパスユニット（ＰＡＳＳ）９６を介して現像プロセス部３２へ基板Ｇを受け渡す。
【００４９】
現像プロセス部３２では、第２の熱的処理部３０のパスユニット（ＰＡＳＳ）９６から受け取った基板Ｇを現像ユニット（ＤＥＶ）１０４に搬入する。現像ユニット（ＤＥＶ）１０４において基板ＧはプロセスラインＢの下流に向って平流し方式で搬送され、その搬送中に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理工程が行われる（ステップＳ１３）。
【００５０】
現像プロセス部３２で現像処理を受けた基板Ｇは下流側隣の脱色プロセス部３４へ搬入され、そこでｉ線照射による脱色処理を受ける（ステップＳ１４）。脱色処理の済んだ基板Ｇは、第３の熱的処理部３６の上流側多段ユニット部（ＴＢ）９８内のパスユニット（ＰＡＳＳ）１１４に受け渡される。
【００５１】
第３の熱的処理部３６において、基板Ｇは、最初にパスユニット（ＰＡＳＳ）１１４からベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）１１８〜１２２，１２６，１２８に送られてポストベーキングを受ける（ステップＳ１５）。次に、基板Ｇは、パスクーリング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）１２４に移され、そこで所定の基板温度に冷却される（ステップＳ１６）。第３の熱的処理部３６における基板Ｇの搬送は搬送機構１０８によって行われる。
【００５２】
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側では、搬送機構２２が、第３の熱的処理部３６のパスクーリング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）１２４から塗布現像処理の全工程を終えた基板Ｇを受け取り、受け取った基板Ｇをいずれか１つのカセットＣに収容する（ステップＳ１）。
【００５３】
この塗布現像処理システム１０においては、たとえば第２の熱的処理部３０に本発明を適用することができる。以下、図６〜図１３を参照して本発明を第２の熱的処理部３０に適用した一実施形態を説明する。以下の実施形態では、基板Ｇが多面取り型のマザーガラス基板であり、たとえばロット単位で基板Ｇ上に任意の多面取りが設定されるものとする。
【００５４】
図６に、第２の熱的処理部３０に設けられるプリベーク用のベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）の基本構成を示す。この実施形態によるベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）は、プロキシミティ方式のベーキングユニットであり、ユニット筐体１３８の中にホットプレート１４０を一定の高さ位置でほぼ水平に固定配置し、このホットプレート１４０の上面を覆うための昇降可能なカバー１４２を設けている。ホットプレート１４０は熱伝導率の高い金属たとえばアルミニウムからなり、プレートの中にはたとえば発熱抵抗体からなるヒータ（図示せず）が内蔵されている。
【００５５】
ホットプレート１４０の上面には、プロキシミティギャップを形成するためのスペーサまたは支持部材として複数の固定ピン１４４が離散的に配置されている。これらの固定ピン１４４は、基板Ｇの裏面に接触して基板Ｇをほぼ水平に支持するようになっている。ベーキング工程において、固定ピン１４４上の基板Ｇは、ホットプレート１４０の上面からの放射熱によってプリベーク用の所定温度たとえば１００〜１２０゜Ｃに加熱される。このようなプロキシミティ方式のベーキングは、基板裏面へのパーティクルの付着や基板の帯電を防止することができる。固定ピン１４４の高さつまりプロキシミティギャップは、たとえば０．２〜１ｍｍの範囲内に設定されてよい。
【００５６】
ホットプレート１４０には上下に貫通する貫通孔１４０ａが離散的な配置パターンで複数箇所に形成されており、各貫通孔１４０ａには基板Ｇの搬入出時に基板Ｇを昇降可能に支持するための支持部材としてリフトピン１４６が上下方向に移動可能に設けられている。これらのリフトピン１４６は、水平ベース部材１４８を介して昇降機構１５０に結合されている。昇降機構１５０の昇降駆動により、リフトピン１４６を退避用の最下位位置（図６に示す位置）と基板受け渡し用の最上位位置との間で昇降移動させるようになっている。
【００５７】
この実施形態では、第２の熱的処理部３０に設けられる５台のベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９０，９２，９４，１００，１０２のいずれも図６に示すような基本構造を有するが、ホットプレート１４０における支持ピン（固定ピン１４４、リフトピン１４６）の配置パターンが各ユニット毎に異なる。すなわち、これら５台のベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９０，９２，９４，１００，１０２のホットプレート１４０は５種類の多面取りパターンにそれぞれ対応する支持ピン配置パターンを有している。
【００５８】
たとえば、ベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９０では、図７に示すように、ホットプレート１４０の支持ピン配置パターンが４面取りパターンに対応している。より詳細には、４面取りパターンの基板Ｇは、４個の液晶パネル（セル）領域Ｓをスクライブライン用の帯状の空き領域Ｅを介してマトリクス状に配置している。また、基板Ｇの各辺周縁部にもマージン用の帯状の空き領域Ｆを設けている。このような４面取りパターンの基板Ｇに対して、ベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９０では、ホットプレート１４０に設けられる全ての固定ピン１４４およびリフトピン１４６が液晶パネル領域Ｓ以外の部分（Ｅ，Ｆ）に接触して基板Ｇを水平に支持するように、固定ピン１４４およびリフトピン１４６のそれぞれのピン配置パターンが設定されている。
【００５９】
一方、ベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９２では、図８に示すように、ホットプレート１４０の支持ピン配置パターンが６面取りパターンに対応している。つまり、６個の液晶パネル領域Ｓをマトリクス状に配置している６面取りパターンの基板Ｇに対して、ベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９２では、ホットプレート１４０に設けられる全ての固定ピン１４４およびリフトピン１４６が液晶パネル領域Ｓ以外の部分（Ｅ，Ｆ）に接触して基板Ｇを水平に支持するように、固定ピン１４４およびリフトピン１４６のそれぞれのピン配置パターンが設定されている。
【００６０】
また、ベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９４では、図９に示すように、ホットプレート１４０の支持ピン配置パターンが９面取りパターンに対応している。つまり、９個の液晶パネル領域Ｓをマトリクス状に配置している９面取りパターンの基板Ｇに対して、ベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９４では、ホットプレート１４０の全ての固定ピン１４４およびリフトピン１４６が液晶パネル領域Ｓ以外の部分（Ｅ，Ｆ）に接触して基板Ｇを水平に支持するように、固定ピン１４４およびリフトピン１４６のそれぞれのピン配置パターンが設定されている。
【００６１】
図示省略するが、同様に、ベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）１００ではホットプレート１４０の支持ピン配置パターンがたとえば１２面取りパターンに対応して、ベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）１０２ではホットプレート１４０の支持ピン配置パターンがたとえば１５面取りパターンに対応している。
【００６２】
図１０に、第２の熱的処理部３０を統括制御するための制御部の構成例を示す。この実施形態では、シーケンスコントローラ１５２が、塗布現像処理システム１０の全体を統括制御するホストコンピュータ１５４からの各種設定値やコマンド等を基に、さらには第２の熱的処理部３０内の各部から送られてくる各種のセンサ信号や状態通報信号等を基に、搬送機構４６および各ユニット８８〜１０２の動作を所定のシーケンスで統括制御する。設定入力部１５６からは、ホストコンピュータ１５４に対して、この塗布現像処理システム１０に搬入される各被処理基板について面取りパターンの種類がたとえばロット単位で設定入力される。シーケンスコントローラ１５２は、ホストコンピュータ１５４からの設定値やコマンド等を通じて、塗布プロセス部２８よりパスユニット（ＰＡＳＳ）８８に搬入される基板Ｇの面取りパターンの種類を把握または識別することができる。
【００６３】
次に、図１１のフローチャートを参照して、第２の熱的処理部３０における全体の処理または動作の手順を説明する。
【００６４】
上記のように、塗布プロセス部２８で被処理面（上面）にレジスト液を塗布されたばかりの基板Ｇが、上流側多段ユニット部（ＴＢ）８５内のパスユニット（ＰＡＳＳ）８８に搬入される（ステップＡ１）。一例として、当該ロットでパスユニット（ＰＡＳＳ）８８に搬入されてくる基板Ｇが４面取りパターンのマザーガラス基板であるとする。この場合、搬送機構８４は、パスユニット（ＰＡＳＳ）８８にアクセスしてその基板Ｇを受け取ると、その受け取った基板Ｇを４多面取りパターンに対応するベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９０へ移送する（ステップＡ２）。
【００６５】
ベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９０では、リフトピン１４６が基板受け渡し位置で搬送機構８４の搬送アーム７４より基板Ｇを受け取り、次いで退避位置まで降下して、基板Ｇをホットプレート１４０の固定ピン１４４の上に移載する。この際、いずれのリフトピン１４６および固定ピン１４４も基板Ｇの液晶パネル領域Ｓ以外の部分（Ｅ，Ｆ）に接して基板Ｇを支持する。ベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９０は、ホットプレート１４０の上面の温度をプリベーク用の設定温度に維持しており、基板Ｇが固定ピン１４４の上に載置された時から、第１（初期）のプリベークを開始する（ステップＢ１）。この第１（初期）プリベークの処理時間は、基板Ｇ上に塗布されたレジスト液がピン転写を起こさなくなる程度に乾くのに必要な時間（たとえば２０秒）よりは長く、かつシステムのタクトタイム（たとえば６０秒）よりは短い時間に設定されてよく、たとえば３０秒に設定される。この処理時間の計時は、システムコンローラ１５２のタイマ機能か、あるいはベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９０側のコントローラ（図示せず）のタイマ機能によって行なわれる。
【００６６】
こうして、設定時間（３０秒）が経過して第１（初期）ベーキングが終了すると（ステップＡ３）、搬送機構８４がベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９０から基板Ｇを搬出し（ステップＡ４）、次いで基板Ｇを空き状態の別のベーキングユニットたとえば（ＰＲＥＢＡＫＥ）９２に搬入する（ステップＡ５）。
【００６７】
このベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９２でも、リフトピン１４６が基板受け渡し用の高さ位置で搬送機構８４の搬送アーム７４より基板Ｇを受け取り、次いで退避位置まで降下して、基板Ｇをホットプレート１４０の固定ピン１４４の上に載置する。ここで、リフトピン１４６および固定ピン１４４は６面取りパターンに対応する支持ピン配置パターンで各位置に配置されているため、中には基板Ｇの液晶パネル領域Ｓに接するものもある。しかし、基板Ｇ上のレジスト液膜は上記のような第１（初期）プリベークを施されており、この時点ではピン転写を起こさない状態に乾いているので、基板Ｇの液晶パネル領域Ｓに一部の支持ピン（１４４，１４６）が接触しても何等問題はない。
【００６８】
こうして、６面取りパターン対応のベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９２において４面取りパターンの基板Ｇに対する第２（残りの）プリベークが実施される（ステップＢ２）。この第２（残りの）プリベークの処理時間は、たとえば完全プリベークに必要な所要加熱時間（１８０秒）から第１（初期）プリベークの処理時間（３０秒）を差し引いた残存時間（１５０秒）に設定されてよい。
【００６９】
この例では、ベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９２で第２（残りの）プリベークを開始してから数十秒経過後に、塗布プロセス部２８よりタクトタイム（６０秒）の周期でレジスト液を塗布されたばかりの４面取りパターンの基板Ｇがパスユニット（ＰＡＳＳ）８８に搬入されてくる（ステップＡ１）。搬送機構８４は、パスユニット（ＰＡＳＳ）８８よりこの新規の基板Ｇを受け取り、この時点で空き状態になっている４面取りパターン対応のベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９０へ搬入する（ステップＡ２）。ベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９０は、この搬入された基板Ｇに対して、上記と同じ条件で第１（初期）プリベークを実施する（ステップＢ１）。
【００７０】
そして、この第１（初期）プリベークが終了すると、搬送機構８４は、ベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９０より基板Ｇを搬出して（ステップＡ４）、空き状態になっている別のベーキングユニットたとえば（ＰＲＥＢＡＫＥ）９４に搬入する（ステップＡ５）。ベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９４内では、ホットプレート１４０が９面取りパターンに対応した支持ピン配置パターンを有しており、リフトピン１４６および固定ピン１４４の中には基板Ｇの液晶パネル領域Ｓに接するものもある。しかし、この場合でも、基板Ｇ上のレジスト液膜は第１（初期）プリベークを施されており、ピン転写を起こさなくなる程度まで乾いているので、基板Ｇの液晶パネル領域Ｓに一部の支持ピン（１４４，１４６）が接触しても何等問題はない。
【００７１】
上記のように、塗布プロセス部２８よりタクトタイム（６０秒）の周期で第２の熱的処理部３０に搬入されてきた４面取りパターンの基板Ｇは、最初に４面取りパターン対応のベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９０に搬入され、そこでタクトタイムよりも短い処理時間の第１（初期）ベーキングを受けて、基板上のレジスト液膜をピン転写を起こさなくなる状態まで乾かしてから、空き状態の別のベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９２，９４，１００，１０２へ移送され、そこでレジスト膜中の余剰溶媒をほぼ完全に蒸発させるまで第２（残りの）ベーキングを受ける。
【００７２】
これにより、第１ベーキングの処理時間と第２ベーキングの処理時間とを足し合わせた全ベーキング処理時間（１８０秒）がタクトタイム（６０秒）より長く、しかも４面取りパターン対応のベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９０が１台しか設けられていなくても、このベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９０と他のベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９２，９４，１００，１０２とを上記のような所定のシーケンスで並列稼動させることで、ピン転写を回避しつつ各基板Ｇ上のレジスト膜に十全なプリベークの熱処理を施すことができるとともに、ベーキング工程に要求されるタクトタイム（６０秒）をキープすることができる。
【００７３】
こうして、タクトタイムの周期（６０秒）で、４面取りパターン対応のベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９０以外のベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９２，９４，１００，１０２のいずれかで第２（残りの）ベーキングが終了する（ステップＡ６）。そうすると、搬送機構８４が当該ベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）から基板Ｇを搬出し（ステップＡ７）、その基板Ｇを冷却ユニット（ＣＯＬ）６０に搬入する（ステップＡ８）。冷却ユニット（ＣＯＬ）６０では、タクトタイム（６０秒）よりも短い処理時間をかけて基板を一定の温度まで冷却する（ステップＣ１）。この冷却処理が終了すると（ステップＡ９）、搬送機構８４は冷却ユニット（ＣＯＬ）６０から処理済みの基板Ｇを搬出し、その処理済みの基板Ｇを下流側多段ユニット（ＴＢ）８６のパスユニット（ＰＡＳＳ）９６あるいはインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１３４へ搬送する（ステップＡ１０）。
【００７４】
図１２に、上記のような４面取りパターンの基板Ｇに対する第２の熱的処理部３０におけるプリベーク処理の手順をブロック形式で示す。第２（残りの）ベーキング▲５▼（ステップＢ２）は、４面取りパターン対応のベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９０以外のベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９２，９４，１００，１０２のいずれかを１台用いて行うことができるが、複数台用いて時間分割方式で行なうことも可能である。たとえば、４面取りパターン対応のベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９０で第１ベーキングを終えた基板Ｇを、最初に６面取りパターン対応のベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９２により所定時間たとえば５０秒の第２ベーキングを行い、次いで９面取りパターン対応のベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９４に移して残り時間たとえば１００秒の第２ベーキングを行うことも可能である。また、第２（残りの）ベーキング▲５▼（ステップＢ２）のために、ベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９２，９４，１００，１０２の全部を稼動させることは必ずしも必要ではなく、たとえばその中の１台を休ませておくこともできる。
【００７５】
この実施形態における第２の熱的処理部３０では、４面取りパターン以外の他の多面取りパターンの基板Ｇについても上記と同様の手順（図１１）で処理または動作が行なわれる。
【００７６】
図１３に、６面取りパターンの基板Ｇに対する第２の熱的処理部３０におけるプリベーク処理の手順をブロック形式で示す。この場合は、塗布プロセス部２８よりタクトタイム（６０秒）の周期で第２の熱的処理部３０に搬送されてきた６面取りパターンの基板Ｇは、最初に６面取りパターン対応のベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９２に搬入され、そこでタクトタイムよりも短い処理時間の第１（初期）ベーキングを受けて、基板上のレジスト液膜をピン転写を起こさなくなる状態まで乾かしてから、空き状態の別のベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９０，９４，１００，１０２へ移送され、そこでレジスト膜中の余剰溶媒をほぼ完全に蒸発させるまで第２（残りの）ベーキングを受ける。したがって、４面取りパターンの基板の場合と同様に、ピン転写を回避しつつ各基板Ｇ上のレジスト膜に十全なプリベークの熱処理を施すことができるとともに、ベーキング工程に要求されるタクトタイム（６０秒）を保証することができる。
【００７７】
同様の要領で、１２面取りパターンの基板Ｇについては、最初に１２面取りパターン対応のベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）１００で第１（初期）ベーキングが行なわれ、引き続き別のベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９０，９２，９４，１０２で第２のベーキングが行なわれる。また、１５面取りパターンの基板Ｇについては、最初に１５面取りパターン対応のベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）１０２で第１（初期）ベーキングが行なわれ、引き続き別のベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）９０，９２，９４，１００で第２のベーキングが行なわれる。
【００７８】
上記した実施形態における多面取りパターンの種類（４面取り、６面取り、９面取り、１２面取り、１５面取り）は一例であり、任意の種類の多面取りバターンを設定し、各種の多面取りバターンに対応するベーキングユニットを設けることが可能である。
【００７９】
また、上記した実施形態では、各種類の多面取りパターンに対してそれと対応するベーキングユニットを１台だけ充てる構成により、必要最小限の台数のホットプレートで多種類の多面取りパターンに対応できるようにしている。すなわち、設定または使用される多面取りパターンの種類の数をＮとすると、Ｎ台のホットプレート１４０で済ますようにしている。しかし、ホットプレートの台数を増やすことになるが、同種のホットプレート１４０ないしベーキングユニットを複数台設ける構成も可能である。その場合、タクトタイムに対応する時間差で並列的に複数台の同種のホットプレート１４０ないしベーキングユニットに第１（初期）ベーキングを行わせることも可能であり、あるいは同種のホットプレート１４０ないしベーキングユニットに第１（初期）ベーキングと第２（残りの）ベーキングを別々に行わせることも可能である。
【００８０】
この実施形態の塗布現像処理システム１０においては、上記した第２の熱的処理部３０と同様に、第３の熱的処理部３２にも本発明を適用することができる。
【００８１】
第３の熱的処理部３２において、ポストベーク用のベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）１１６〜１２２，１２６，１２８は第２の熱的処理部３０におけるプリベーク用の各ベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）と同様の基本構成（図６）を有し、かつそれぞれのホットプレート１４０が個別の多面取りパターンに対応する支持ピン配置パターンを有するものであってよい。もっとも、ポストベーク用の加熱温度および加熱時間は独自の値に設定されてよい。
【００８２】
たとえば、ベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）１１６のホットプレート１４０は４面取りパターンに対応し、ベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）１１８のホットプレート１４０は６面取りパターンに対応し、ベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）１２０のホットプレート１４０は９面取りパターンに対応し、ベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）１２２のホットプレート１４０は１２面取りパターンに対応し、ベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）１２６のホットプレート１４０は１５面取りパターンに対応するものであってよい。ベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）１２８はスペア用とし、そのホットプレート１４０は任意の面取りパターンに対応するものであってよい。
【００８３】
これらのベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）１１６〜１２０，１２２，１２６，１２８と搬送機構１０８が、第２の熱的処理部３０の場合と同様の制御部（図１０）の下で同様の手順（図１１）にしたがって各々の処理または動作を行うことができる。これにより、第３の熱的処理部３２においても、ピン転写の問題を回避しつつ各基板Ｇ上のレジスト膜に十全なポストベークの熱処理を施すことができるとともに、ポストベーキング工程にも要求されるタクトタイム（６０秒）をキープすることができる。
【００８４】
本発明のベーキング方法および装置は、上記のようなプリベークやポストベークに限定されるものではなく、フォトリソグラフィー工程において基板上のレジスト膜を加熱処理する任意のアプリケーション（たとえば現像前ベーク等）に適用可能である。本発明における被処理基板はＬＣＤ用のガラス基板に限らず、フラットパネルディスプレイ用の各種基板や、半導体ウエハ、ＣＤ基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。
【００８５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のベーキング方法またはベーキング装置によれば、必要最小限の台数のホットプレートで多種類の多面取りパターンに対応することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の塗布方法および塗布装置が適用可能な塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムにおける第１の熱的処理部の構成を示す側面図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムにおける第２の熱的処理部の構成を示す側面図である。
【図４】図１の塗布現像処理システムにおける第３の熱的処理部の構成を示す側面図である。
【図５】図１の塗布現像処理システムにおける処理手順を示すフローチャートである。
【図６】一実施形態のベーキングユニットの基本構成を示す縦断面図である。
【図７】実施形態のベーキングユニットにおいて４面取りパターンの基板とこれに対応するホットプレート上の支持ピン配置パターンを模式的に示す斜視図である。
【図８】実施形態のベーキングユニットにおいて６面取りパターンの基板とこれに対応するホットプレート上の支持ピン配置パターンを模式的に示す斜視図である。
【図９】実施形態のベーキングユニットにおいて９面取りパターンの基板とこれに対応するホットプレート上の支持ピン配置パターンを模式的に示す斜視図である。
【図１０】実施形態において第２の熱的処理部を制御するための制御部の構成を示すブロック図である。
【図１１】実施形態において第２の熱的処理部における処理または動作の手順を示すフローチャートである。
【図１２】実施形態において４面取りパターンの基板に対する第２の熱的処理部におけるプリベーク処理の手順をブロック形式で示す図である。
【図１３】実施形態において６面取りパターンの基板に対する第２の熱的処理部におけるプリベーク処理の手順をブロック形式で示す図である。
【符号の説明】
３０　　第２の熱的処理部
３６　　第３の熱的処理部
８４　　搬送機構
９０，９２，９４，１００，１０２　プリベーク用ベーキングユニット
１０８　　搬送機構
１１６〜１２２，１２６，１２８　ポストベーク用ベーキングユニット
１４０　　ホットプレート
１４４　　固定ピン
１４６　　リフトピン
１５０　　昇降機構
１５２　　シーケンスコントローラ
１５４　　ホストコンピュータ
１５６　　設定入力部

Claims (15)

1. 多面取り型の被処理基板上のレジスト膜をベーキングするベーキング方法であって、
   予め設定された複数の多面取りパターンにそれぞれ対応させて、基板の製品領域以外の部分に接触して前記基板を支持するための支持部材を有するホットプレートを複数種類用意し、
   所望の多面取りパターンを有する前記基板に対して、最初に当該多面取りパターンに対応する第１のホットプレートによる第１のベーキングを第１の処理時間をかけて行い、引き続き別の多面取りパターンに対応する第２のホットプレートによる第２のベーキングを第２の処理時間をかけて行うベーキング方法。
2. 前記第１のホットプレートによる第１のベーキングを所定のタクトタイムの周期で繰り返し行う請求項１に記載のベーキング方法。
3. 前記第１の処理時間を前記タクトタイムよりも短い時間に設定する請求項２に記載のベーキング方法。
4. 前記第１のホットプレートを複数台用意し、前記タクトタイムに対応する時間差でそれら複数台の第１のホットプレートに前記第１のベーキングを並列的に行わせる請求項２または３に記載のベーキング方法。
5. 前記第２のホットプレートを複数台用意し、前記タクトタイムに対応する時間差でそれら複数台の第２のホットプレートに前記第２のベーキングを並列的に行わせる請求項２〜４のいずれか一項に記載のベーキング方法。
6. 前記第２のホットプレートを複数台用意し、前記第２の処理時間を複数の時間期間に分割し、それら複数台の第２のホットプレートに前記第２のベーキングを時間分割して順次行わせる請求項２〜５のいずれか一項に記載のベーキング方法。
7. 多面取り型の被処理基板上のレジスト膜をベーキングするベーキング装置であって、
   予め設定された複数の多面取りパターンにそれぞれ対応して設けられた、基板の製品領域以外の部分に接触して前記基板を支持するための支持部材を有する複数種類のホットプレートと、
   所望の多面取りパターンを有する前記基板について、最初に前記基板を当該多面取りパターンに対応する第１のホットプレートに搬入し、第１の処理時間をかけて前記第１のホットプレートによる第１のベーキングが行われた後に前記基板を前記第１のホットプレートから搬出し、次いで前記基板を別の多面取りパターンに対応する第２のホットプレートに搬入し、第２の処理時間をかけて前記第２のホットプレートによる第２のベーキングが行われた後に前記基板を前記第２のホットプレートから搬出する搬送手段と
   を有するベーキング装置。
8. 前記搬送手段が、所定のタクトタイムの周期で、前記第１のホットプレートに対する基板の搬入と基板の搬出とを繰り返し行う請求項７に記載のベーキング装置。
9. 前記第１のホットプレートにおいて前記第１の処理時間を前記タクトタイムよりも短い時間に設定する請求項８に記載のベーキング装置。
10. 前記第１のホットプレートが複数台備えられ、前記搬送手段が前記タクトタイムに対応する時間差でそれら複数台の第１のホットプレートに対する基板の搬入を順次行って、それら複数台の第１のホットプレートが前記時間差で並列的に前記第１の処理時間をかけて前記第１のベーキングを行う請求項８または９に記載のベーキング装置。
11. 前記搬送手段が、前記タクトタイムに対応する時間差で前記複数台の第１のホットプレートから基板の搬出を順次行う請求項１０に記載のベーキング装置。
12. 前記第２のホットプレートが複数台備えられ、前記搬送手段が前記タクトタイムに対応する時間差でそれら複数台の第２のホットプレートに対する基板の搬入を順次行って、それら複数台の第２のホットプレートが前記時間差で並列的に前記第２の処理時間をかけて前記第２のベーキングを行う請求項８〜１０のいずれか一項に記載のベーキング装置。
13. 前記搬送手段が、前記タクトタイムに対応する時間差で前記複数台の第２のホットプレートから基板の搬出を順次行う請求項１２に記載のベーキング装置。
14. 前記第２のホットプレートが複数台備えられ、それら複数台の第２のホットプレートが前記第２のベーキングを時間分割して順次行う請求項７〜１３のいずれか一項に記載のベーキング装置。
15. 前記支持部材が、前記ホットプレートの上面に固定されている複数の固定ピンと、前記ホットプレートに形成された貫通孔を貫通して昇降移動可能に設けられた複数のリフトピンとを含む請求項７〜１４のいずれか一項に記載のベーキング装置。

Images