JP2007148184A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 表示装置の画質むらを低減する。
【解決手段】 複数本の第１配線と、前記複数本の第１配線上に、絶縁膜を介して前記複数本の第１配線と交差するように配置された第２配線とを有する表示装置であって、前記複数本の第１の配線と前記絶縁膜を介して配置されている前記複数本の第２の配線の交差領域のある箇所において、前記第１の配線と前記第２の配線の間に配置されている前記絶縁膜の厚さが、前記複数本の第１の配線と前記絶縁膜を介して配置されている前記複数本の第２の配線の交差領域のある箇所とは別の箇所の前記第１の配線と前記第２の配線の間に配置されている前記絶縁膜の厚さより厚く、前記ある箇所の前記第２配線の幅は、前記ある箇所とは別の箇所の前記第２配線の幅より広い表示装置である。
【選択図】 図７

Description

本発明は、表示装置に関し、特に、TFT液晶表示装置に適用して有効な技術に関するものである。

現在、画像や映像を表示する表示装置には、画素単位に薄膜トランジスタ（TFT）を配置したアクティブマトリクス型の液晶表示装置が広く製造、使用されている。このアクティブマトリクス型の液晶表示装置は、たとえば、ガラス基板上に複数本のゲート信号線（走査信号線とも呼ばれる）と、この複数本のゲート信号線と交差する複数本のドレイン信号線（映像信号線とも呼ばれる）を配置し、ゲート信号線とドレイン信号線との交点付近にTFT素子を配置したTFT基板と、カラーフィルタなどを設けた対向基板で液晶材料を挟持して構成されている。

このアクティブマトリクス型の液晶表示装置は、高精細なカラー表示が可能な表示装置として、たとえば、PC(Personal Computer)のディスプレイやテレビなどに広く採用されている。

アクティブマトリクス型の液晶表示装置で用いられるTFT基板についてさらに詳しく説明すると、たとえば、ガラス基板上に複数本のゲート信号線，この複数本のゲート信号線上に配置されたゲート絶縁膜、このゲート絶縁膜上に下層の複数本のゲート信号線に交差するように配置されたドレイン信号線、さらにはソース電極、アモルファスシリコン（a-Si）膜、および画素電極などが設けられている。

TFT基板を製造するときには、たとえば、まず、ガラス基板上にゲート信号線形成用の導電膜を成膜する。そして、この導電膜上に、パターン形成用のエッチングレジストを形成した後、導電膜の不要な部分を除去してゲート信号線を形成する。その後、ゲート信号線の形成手順と同様に、成膜、レジスト形成、エッチングの一連の処理を繰り返し、ドレイン信号線などを形成していく。

また、エッチングレジストを形成する工程は、従来、導電膜上に感光性のレジスト材料を塗布し、マスクを用いて露光した後、現像していた。

前述したアクティブマトリクス型の液晶表示装置に代表される液晶表示装置は、近年、大画面化が進んでおり、TFT基板および対向基板に用いられるガラス基板も大型化している。そのため、ガラス基板上に導電膜や絶縁膜を成膜したときに、厚さのばらつきが生じやすくなっている。

従来のエッチングレジストを形成する工程は、マスクを用いて露光しているが、このマスクはあらかじめ設計されたマスク寸法を用いている。このため、たとえば、ゲート信号線形成用の導電膜を成膜したときに、この導電膜の厚さにばらつきがある場合でも、ゲート信号線は、常に一定の幅で形成されるようになっている。同様に、ゲート信号線上に絶縁膜を介して形成されるドレイン信号線やソース電極なども、常に一定の幅で形成されるようになっている。この結果、たとえば、ゲート信号線上に絶縁膜を介在させてドレイン信号線を形成したときに、この絶縁膜の厚さのばらつきにより、ゲート信号線とドレイン信号線の交差領域の配線容量にばらつきが生じることがあった。ゲート信号線とドレイン信号線の交差領域は、TFT基板上の各画素に対応しており、各交差領域の配線容量にばらつきがあると、液晶表示装置に画質むらが発生するという問題があった。

このような問題に対し、従来の液晶表示装置では、たとえば、ゲート信号線とドレイン信号線の間に介在する絶縁膜を厚くすることで、各交差領域の配線容量のばらつきを許容範囲内におさめていた。

しかしながら、このように絶縁膜を厚くする方法では、絶縁膜の成膜時間、材料費が増加し、液晶表示装置（液晶表示パネル）の製造コストが増加するという問題があった。

本発明の目的は、表示装置の画質むらを低減することが可能な技術を提供することにある。

本発明の他の目的は、表示装置の製造コストを低コストに抑え、かつ、画質むらを低減することが可能な技術を提供することにある。

本発明の目的ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかになるであろう。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概略を説明すれば、以下の通りである。

（１）複数本の第１配線と、前記複数本の第１配線上に、絶縁膜を介して前記複数本の第１配線と交差するように配置された第２配線とを有する表示装置であって、前記複数本の第１の配線と前記絶縁膜を介して配置されている前記複数本の第２の配線の交差領域のある箇所において、前記第１の配線と前記第２の配線の間に配置されている前記絶縁膜の厚さが、前記複数本の第１の配線と前記絶縁膜を介して配置されている前記複数本の第２の配線の交差領域のある箇所とは別の箇所の前記第１の配線と前記第２の配線の間に配置されている前記絶縁膜の厚さより厚く、前記ある箇所の前記第２配線の幅は、前記ある箇所とは別の箇所の前記第２配線の幅より広い表示装置である。

（２）前記（１）において、前記ある箇所の前記第１配線の幅が、前記ある箇所とは別の箇所の前記第１配線の幅より狭い表示装置である。

（３）前記（１）または（２）において、前記ある箇所の第１配線と第２配線の交差面積を絶縁膜の厚さで除した値と、前記ある箇所とは別の箇所の第１配線と第２配線の交差面積を絶縁膜の厚さで除した値が等しい表示装置である。

（４）前記（１）または（２）において、前記ある箇所の交差領域の配線容量値と、前記ある箇所とは別の箇所の交差領域の配線容量値が等しい表示装置である。

（５）前記（１）から（４）のいずれかにおいて、前記ある箇所の前記絶縁膜の厚さおよび前記第２配線の幅をそれぞれＩＤ１およびＣＷ１２とし、前記ある箇所とは別の箇所の前記絶縁膜の厚さおよび前記第２配線の幅をそれぞれＩＤ２およびＣＷ２２とし、前記基板の対角に位置する２つの交差領域の距離をＬ_sub、前記ある箇所と前記ある箇所とは別の箇所の基板対角線方向の距離をＬ₁₂、誤差定数をσとすると、下記数式（１）を満たす表示装置である。

（６）前記（１）から（４）のいずれかにおいて、前記ある箇所の前記絶縁膜の厚さおよび前記第１配線の幅、ならびに前記第２配線の幅をそれぞれＩＤ１およびＣＷ１１、ならびにＣＷ１２とし、前記ある箇所とは別の箇所の前記絶縁膜の厚さおよび前記第１配線の幅、ならびに前記第２配線の幅をそれぞれＩＤ２およびＣＷ２１、ならびにＣＷ２２とし、前記基板の対角に位置する２つの交差領域の距離をＬ_sub、前記ある箇所と前記ある箇所とは別の箇所の基板対角線方向の距離をＬ₁₂、誤差定数をσとすると、下記数式（２）を満たす表示装置である。

（７）前記（１）から（４）のいずれかにおいて、前記ある箇所の交差領域の配線容量および前記第２配線の幅をそれぞれＣＣ１およびＣＷ１２とし、前記ある箇所とは別の箇所の交差領域の配線容量をＣＣ２とし、前記基板の対角に位置する２つの交差領域の距離をＬ_sub、前記ある箇所と前記ある箇所とは別の箇所の基板対角線方向の距離をＬ₁₂、誤差定数をσとすると、下記数式（３）を満たす表示装置である。

（８）複数本の第１配線と、前記複数本の第１配線上に、絶縁膜を介して前記第１配線と交差するよう配置された複数本の第２配線を有し、四角形の表示領域を構成した表示装置であって、前記表示領域における最外側の第１配線の中央における前記絶縁膜の膜厚をｔ１、該最外側の第１配線が前記表示領域における最外側の第２配線と交差する箇所における前記絶縁膜の厚さをｔ２、該第２配線が前記表示領域の反対側の最外側の第１配線と交差する箇所における前記絶縁膜の厚さをｔ３とし、前記絶縁膜の膜厚がｔ１の位置に配置されている第２配線の幅をｗ１、前記絶縁膜の膜厚がｔ２の位置における第２配線の幅をｗ２、前記絶縁膜の膜厚がｔ３の位置に配置されている第２配線の幅をｗ３とすると、ｔ１＞ｔ２＞ｔ３の関係であり、かつ、ｗ１＞ｗ２＞ｗ３の関係である表示装置である。

（９）複数本の第１配線と、前記複数本の第１の配線上に、絶縁膜を介して前記第１配線と交差するよう配置された複数本の第２配線を有し、四角形の表示領域を構成した表示装置において、前記表示領域における、最外側の第２配線の中央における絶縁膜の膜厚をｔ１、該最外側の第２配線が前記表示領域における最外側の第１配線と交差する箇所における絶縁膜の厚さをｔ２、該第１配線が前記表示領域の反対側の最外側の第２配線と交差する箇所における絶縁膜の厚さをｔ３とし、前記絶縁膜の膜厚がｔ１の位置に配置されている第２配線の幅をｗ１、前記絶縁膜の膜厚がｔ２の位置における第２配線の幅をｗ２、前記絶縁膜の膜厚がｔ３の位置に配置されている第２配線の幅をｗ３とすると、ｔ１＞ｔ２＞ｔ３の関係であり、かつ、ｗ１＞ｗ２＞ｗ３の関係である表示装置である。

（１０）複数本の第１配線と、前記複数本の第１配線上に、絶縁膜を介して前記第１配線と交差するよう配置された複数本の第２配線を有し、四角形の表示領域を構成した表示装置において、前記表示領域における最外側の第１配線と第２配線が交差する角部における絶縁膜の膜厚をｔ１、該角部から延長された第１配線が反対側の第２配線と交差する箇所における絶縁膜の厚さをｔ２、前記角部と対角の位置の箇所における絶縁膜の厚さをｔ３とし、前記絶縁膜の膜厚がt1の位置に配置されている第２配線の幅をｗ１、前記絶縁膜の膜厚がｔ２の位置における第２配線の幅をｗ２、前記絶縁膜の膜厚がｔ３の位置に配置されている第２配線の幅をｗ３とすると、ｔ１＞ｔ２＞ｔ３の関係であり、かつ、ｗ１＞ｗ２＞ｗ３の関係である表示装置である。

（１１）複数本の第１配線と、前記複数本の第１配線上に、絶縁膜を介して前記第１配線と交差するよう配置された複数本の第２配線を有し、四角形の表示領域を構成した表示装置において、前記表示領域における中心部における絶縁膜の膜厚をｔ１、該中心部の第２配線が前記表示領域の最外側の第１配線と交差する箇所における絶縁膜の厚さをｔ２、前記表示領域における角部の絶縁膜の厚さをｔ３とし、前記絶縁膜の膜厚がｔ１の位置に配置されている第２配線の幅をｗ１、前記絶縁膜の膜厚がｔ２の位置における第２配線の幅をｗ２、前記絶縁膜の膜厚がｔ３の位置に配置されている第２配線の幅をｗ３とすると、ｔ１＞ｔ２＞ｔ３の関係であり、かつ、ｗ１＞ｗ２＞ｗ３の関係である表示装置である。

（１２）前記（８）から（１１）のいずれかにおいて、前記絶縁膜の膜厚がｔ１の位置に配置されている第１配線の幅をｓ１、前記絶縁膜の膜厚がｔ２の位置における第１配線の幅をｓ２、前記絶縁膜の膜厚がｔ３の位置に配置されている第１配線の幅をｓ３とすると、ｓ１＜ｓ２＜ｓ３の関係である表示装置である。

（１３）前記（１）から（１２）のいずれかにおいて、前記第１配線および第２配線は、一対の基板で液晶材料を挟持した液晶表示パネルに配置されている表示装置である。

（１４）前記（１３）において、前記基板は、TFT(Thin Film Transistor)素子が画素単位で配置されており、前記第１配線はゲート信号線、前記第２配線はドレイン信号線である表示装置である。

本発明の表示装置は、前記手段（１）のように、前記第１配線と前記第２配線の交差領域において、各配線の間に介在する絶縁膜が厚い場合は第２配線の幅を広くし、薄い場合は第２配線の幅を狭くする。つまり、前記絶縁膜が厚い場合は交差領域の面積を広くし、薄い場合は交差領域の面積を狭くすることで、各交差領域の配線容量値のばらつきを低減する。このような構成にすることで、たとえば、従来の表示装置のように前記絶縁膜を厚くしなくても、前記絶縁膜の厚さのばらつきによる交差領域の配線容量値のばらつきを低減でき、表示装置の画質むらを低減することができる。そのため、前記絶縁膜を薄くして製造コストを低コストに抑えるとともに、画質むらを低減することができる。

なお、前記絶縁膜の厚さと第２配線の幅の関係は、表示装置上の任意の２つの交差領域について比較したときに、絶縁膜が厚いほうが交差領域の面積が広くなるような関係であればよい。

また、前記第１配線および前記第２配線は、１つの基板上に形成されている。前記基板に各配線や絶縁膜を形成する場合、たとえば、スパッタリングなどで配線形成用の導体膜や絶縁膜を成膜することが多い。そのため、ある箇所の交差領域の絶縁膜が別の箇所の交差領域の絶縁膜より厚い場合、前記ある箇所の第１配線が前記別の箇所の第１配線よりも厚いことが多い。このとき、前記手段（２）のように、前記ある箇所の第１配線の幅が、前記別の箇所の第１配線の幅よりも狭ければ、前記ある箇所の第１配線の配線抵抗と、前記別の箇所の第１配線の配線抵抗のばらつきを低減することができる。そのため、前記手段（２）のようにすることで、前記各交差領域の配線容量値のばらつきによる画質むらに加え、第１配線の配線抵抗のばらつきによる画質むらも低減できる。

なお、前記手段（１）または手段（２）のような構成にし、前記各交差領域の配線容量値のばらつきを低減する場合、具体的には、前記手段（３）または手段（４）のようにする。

また、前記手段（３）または手段（４）における「値が等しい」というのは、厳密に等しいことが好ましいが、実際には、前記基板の製造過程において若干の誤差が生じる。そのため、たとえば、前記手段（５）から手段（７）のように、各交差領域の第１配線および第２配線、ならびに絶縁膜の関係が、前記数式（１）から数式（３）のいずれかのような関係を満たすようにすることで、各交差領域の配線容量値のばらつきを画質むらに対する許容範囲内におさめる。

なお、前記数式（１）から数式（３）において、誤差定数σは、たとえば、前記第２配線を形成するときに、前記基板上のすべての領域で配線幅を等しくして形成した結果、対角に位置する２つの交差領域の各第２配線で生じる配線幅の誤差とする。

また、前記手段（１）から手段（７）のような構成を有する表示装置において、前記複数本の第１配線および前記複数本の第２配線が配置された基板は、たとえば、マザーガラスなどと呼ばれる大型のマザー基板から複数枚の前記基板を切り出して形成される。その場合、たとえば、前記絶縁膜を成膜すると、前記マザー基板上における前記基板の位置によって、絶縁膜の厚さの分布が異なる。このときの前記各交差領域における前記絶縁膜の厚さと前記第２配線の幅の関係は、たとえば、前記手段（８）から手段（１１）のような４つのパターンに大別することができる。

また、前記手段（８）から手段（１１）のような４つのパターンにおいて、前記複数本の第１配線の幅は、たとえば、前記手段（１２）のような関係になっていることが好ましい。

また、前記手段（１）から手段（１２）は、絶縁膜を介した第１配線と第２配線が交差している基板を備える表示装置であれば、どのような表示装置にも適用できるが、特に、液晶表示装置に適用することが好ましい。前記液晶表示装置は、前記手段（１３）のように一対の基板で液晶材料を挟持した液晶表示パネルを備える表示装置であり、一方の基板に、TFT素子などのスイッチング素子が設けられている。そのため、前記スイッチング素子が設けられた基板を前記手段（１）から手段（１２）のいずれかのような構成にすることで、製造コストを低コストに抑えるとともに、液晶表示装置の画質むらを低減することができる。

また、前記手段（１）から手段（１２）のいずれかのような構成を、たとえば、前記液晶表示パネルのTFT素子が設けられた基板（TFT基板）に適用する場合、前記第１配線と第２配線の組み合わせとしては、たとえば、前記手段（１４）のような組み合わせが考えられる。

以下、本発明について、図面を参照して実施の形態（実施例）とともに詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。

本発明の表示装置は、基板上に絶縁膜を介して設けられた複数本の第１配線と複数本の第２配線の各交差領域における配線容量値のばらつきを低減し、画質むらを低減するものである。また、配線容量値のばらつきを低減するために、交差領域間に配置されている絶縁膜が厚いところでは絶縁膜上に配置している第２配線の幅を広くし、交差領域間に配置されている絶縁膜が薄いところでは絶縁膜上に配置している第２配線の幅を細くするように製造しようというものである。

図１乃至図５は、本発明による実施例１の表示装置の概略構成を示す模式図である。
図１は液晶表示装置の一構成例を示す分解斜視図である。また、図２はTFT基板の概略構成を示す模式平面図である。また、図３はTFT基板の１画素の構成例を示す模式平面図である。また、図４は図３のＡ−Ａ’線断面図、図５は図３のＢ−Ｂ’線断面図である。
図１において、１はTFT基板、２は対向基板、３Ａ，３Ｂは偏光板、４はバックライトユニット、５はフレーム部材である。また、図２乃至図５において、１００は透明基板、１０１はゲート信号線、１０２はドレイン信号線、１０３は第１絶縁膜、１０４はアモルファスシリコン膜、１０５はソース電極、１０６は第２絶縁膜、１０７は画素電極（表示電極）、ＴＨはスルーホールである。

本実施例１では、本発明を適用して好ましい表示装置の一例として、液晶表示装置を例に挙げる。液晶表示装置は、たとえば、図１に示すように、TFT素子がアレイ状に配置されたTFT基板１と、TFT基板１と対向する対向基板２と、TFT基板１および対向基板２を挟むように配置された一対の偏光板３Ａ，３Ｂと、TFT基板１の下方（背面）に配置されるバックライトユニット４と、これらを一体的に保持するフレーム部材（上フレーム）５とを備える。また、このような液晶表示装置において、TFT基板１および対向基板２、ならびに偏光板３Ａ，３Ｂは、液晶表示パネルとして一体物となっている。つまり、図１では図示を省略しているが、TFT基板１と対向基板２は、環状のシール材で接着されており、各基板１，２の間には液晶材料が封入されている。また、偏光板３Ａ，３Ｂはそれぞれ、TFT基板１および対向基板２に貼り付けられている。

また、図１では図示を省略しているが、液晶表示装置は、前述した各構成要素の他に、たとえば、タイミングコントローラなどの回路を有する回路基板や、液晶駆動用のドライバICが実装されたTCP(Tape Carrier Package)またはCOF(Chip On Film)などの半導体パッケージを備えている。本実施例１の液晶表示装置では、装置が備える基本的な構成については、従来の液晶表示装置と同じでよいので、詳細な説明は省略する。

TFT基板１は、TFT素子を画素単位で配置した基板であり、たとえば、図２に示すように、ガラス基板などの透明基板１００上に、ゲート信号線１０１およびドレイン信号線１０２がそれぞれ複数本設けられている。このとき、ゲート信号線１０１とドレイン信号線１０２は、互いに直交する方向に延在している。そして、２本の隣接するゲート信号線１０１と２本の隣接するドレイン信号線１０２で囲まれた領域に対応して１つの画素が形成されている。なお、ゲート信号線１０１は走査信号線とも呼ばれ、ドレイン信号線１０２は映像信号線とも呼ばれる。

TFT基板１の１画素の構成は、たとえば、図３乃至図５に示すようになっている。図３乃至図５に示した例では、透明基板１００の表面にゲート信号線１０１が設けられている。そして、ゲート信号線１０１上に、ゲート絶縁膜として機能する第１絶縁膜１０３を介してアモルファスシリコン（a-Si）膜１０４が設けられている。また、第１絶縁膜１０３上には、アモルファスシリコン（a-Si）膜１０４と接続されたドレイン信号線１０２およびソース電極１０５が設けられている。

また、アモルファスシリコン膜１０４およびドレイン信号線１０２、ならびにソース電極１０５の上層には、第２絶縁膜１０６を介して画素電極１０７が設けられている。このとき、画素電極１０７は、図３および図４に示すように、スルーホールＴＨによりソース電極１０５と電気的に接続されている。また、画素電極１０７は、たとえば、図３に示すように、一部がゲート信号線１０１と重なって蓄積容量コンデンサを形成している。

図６乃至図１２は、本実施例１の液晶表示装置の特徴を説明するための模式図である。
図６はTFT基板の任意の２画素の選択例を示す平面図である。また、図７は図６のＰＸ１のTFT素子の周辺およびＰＸ２のTFT素子の周辺の構成を並べて示した平面図である。また、図８は図７のＣ−Ｃ’線断面図およびＤ−Ｄ’線断面図を並べて示した図である。また、図９は図７のＥ−Ｅ’線断面図、図１０は図７のＦ−Ｆ’線断面図である。また、図１１はドレイン信号線の配線幅の定義を説明する模式断面図、図１２はゲート信号線の配線幅の定義を説明する模式断面図である。

本実施例１の液晶表示装置では、TFT基板１に、図３乃至図５に示したような構成の画素（TFT素子）が２次元アレイ状に配置されている。そこで、たとえば、図６に示すように、あるゲート信号線１０１₁とドレイン信号線１０２が交差する領域と対応する第１の画素ＰＸ１と、他のゲート信号線１０１₂とドレイン信号線１０２が交差する領域と対応する第２の画素ＰＸ２を取り上げて、本実施例１の液晶表示装置の特徴を説明する。なお、以下の説明では、ゲート信号線およびドレイン信号線の配線幅のことを、単に幅と呼ぶ。

本実施例１の液晶表示装置では、図６に示した第１の画素ＰＸ１におけるTFT素子の周辺（第１周辺領域）ＴＲ１と、第２の画素ＰＸ２におけるTFT素子の周辺（第２周辺領域）ＴＲ２が、たとえば、図７乃至図１０に示したような関係になっている。まず、第１周辺領域ＴＲ１のゲート信号線１０１₁の幅ＧＬＷ１と第２周辺領域ＴＲ２のゲート信号線１０１₂の幅ＧＬＷ２は等しいとする。

また、第１周辺領域ＴＲ１でのドレイン信号線１０２の幅ＤＬＷ１は、第２周辺領域ＴＲ２でのドレイン信号線１０２の幅ＤＬＷ２よりも広い。すなわち、第１周辺領域ＴＲ１でのゲート信号線１０１₁とドレイン信号線１０２の交差領域ＣＡ１の面積は、第２周辺領域ＴＲ２でのゲート信号線１０１₂とドレイン信号線１０２の交差領域ＣＡ２の面積よりも広くなっている。またこのとき、第１周辺領域ＴＲ１での第１絶縁膜１０３の厚さＧＩＤ１（ＧＩＤ１’）は、第２周辺領域ＴＲ２での第１絶縁膜１０３の厚さＧＤＩ２（ＧＩＤ２’）よりも厚い。

なお、ここまでの説明では、第１の画素ＰＸ１と第２の画素ＰＸ２の位置関係が、図６に示したような位置関係である場合を挙げている。しかしながら、本発明の表示装置では、基板１上に多数存在する画素の中から任意の位置関係にある２画素を選択したときに、その２つの画素における第１絶縁膜１０３の厚さとドレイン信号線１０２の幅の関係が、前記第１の画素ＰＸ１と前記第２の画素ＰＸ２と同様の関係になるようにする。

第１絶縁膜１０３の厚さのばらつきは、絶縁膜の成膜過程で生じるばらつきであり、透明基板１００が大型化するにつれて、そのばらつきは大きくなっている。そして、従来のようなマスクを使用する方法でドレイン信号線１０２を形成した場合、第１周辺領域ＴＲ１でのドレイン信号線１０２の幅ＤＬＷ１と、第２周辺領域ＴＲ２でのドレイン信号線１０２の幅ＤＬＷ２は、ほぼ同じである。そのため、第１絶縁膜１０３が厚い領域におけるゲート信号線１０１とドレイン信号線１０２の交差領域の配線容量値と、薄い領域におけるゲート信号線１０１とドレイン信号線１０２の交差領域の配線容量値の差が大きくなる傾向にある。そこで、従来の液晶表示装置では、たとえば、前記第1絶縁膜１０３を厚くして、各交差領域の配線容量値の差（ばらつき）が許容範囲内におさまるようにしていた。

一方、本実施例１の液晶表示装置では、第１絶縁膜１０３が厚い領域はドレイン信号線１０２の幅が広く、薄い領域はドレイン信号線１０２の幅が狭くなるようにする。つまり、第１絶縁膜１０３が厚い領域はゲート信号線１０１とドレイン信号線１０２の交差領域の面積が広く、薄い領域はゲート信号線１０１とドレイン信号線１０２の交差領域の面積が狭くなるようにする。このようにすることで、第１絶縁膜１０３が厚い領域におけるゲート信号線１０１とドレイン信号線１０２の交差領域の配線容量値と、薄い領域におけるゲート信号線１０１とドレイン信号線１０２の交差領域の配線容量値の差を小さくすることができる。つまり、本実施例1の液晶表示装置では、ドレイン信号線１０２の幅を制御することで各交差領域の配線容量値の差（ばらつき）を小さくする。そのため、従来の液晶表示装置よりも第1絶縁膜１０３を薄くすることができる。

なお、図９および図１０に示した例では、ドレイン信号線１０２の断面が矩形（長方形）形状であり、各ドレイン信号線の幅ＤＬＷ１，ＤＬＷ２は一義的に決まる。しかしながら、ドレイン信号線１０２は一般に、導電膜をエッチングして形成するので、たとえば、アンダーカットなどにより、図１１に示すように、断面が台形形状になる。この場合、ドレイン信号線１０２の幅ＤＬＷは、図１１に示したように下底、すなわちゲート信号線１０１と向かい合う辺の幅とする。

また、ゲート信号線１０１の断面に関しても、たとえば、図４に示した例では、断面が矩形形状になっている。しかしながら、ゲート信号線１０１も一般に、導電膜をエッチングして形成するので、たとえば、アンダーカットなどにより、図１２に示すように、断面が台形形状になる。この場合、ゲート信号線１０１の幅ＧＬＷは、図１２に示したように上底、すなわち前記ドレイン信号線１０２と向かい合う辺の幅とする。

また、ここまでの説明では、まず、第１周辺領域ＴＲ１のゲート信号線１０１₁の幅ＧＬＷ１と第２周辺領域ＴＲ２のゲート信号線１０１₂の幅ＧＬＷ２は等しいとしている。しかしながら、実際には、第１周辺領域ＴＲ１のゲート信号線１０１₁の幅ＧＬＷ１と第２周辺領域ＴＲ２のゲート信号線１０１₂の幅ＧＬＷ２が異なる場合がある。そのため、ドレイン信号線１０２の幅を決めるときには、各ゲート信号線１０１₁，１０１₂の幅ＧＬＷ１，ＧＬＷ２のばらつきも考慮して決めることが好ましい。

図１３は、本実施例１の液晶表示装置で用いるTFT基板の製造方法を説明するためのフロー図である。

本実施例１の液晶表示装置で用いるTFT基板１は、前述のように、ゲート信号線１０１上の第１絶縁膜１０３が厚い領域ではドレイン信号線１０２の幅を広くし、薄い領域ではドレイン信号線１０２の幅を狭くする。このようなTFT基板１を製造するには、たとえば、ドレイン信号線１０２やソース電極１０５を形成するための導電膜をエッチングするときに、エッチングレジストのパターンで透明基板１００上の各領域に残すドレイン信号線１０２の幅を制御すればよい。エッチングレジストのパターンでドレイン信号線の幅を制御するには、エッチングレジストを露光するときに、たとえば、CADレイアウトデータなどの数値データに基づいてパターンを直接描画する方法を用いればよい。

TFT基板１を製造するときには、まず、図１３に示すように、第１導電層の配線（第１配線）を形成する（ステップ６０１）。本実施例１の場合、第１配線はゲート信号線１０１であり、ガラス基板などの透明基板１００上に導電膜を形成した後、エッチングして形成する。

このとき、透明基板１００上に形成された各ゲート信号線１０１は、エッチング量のばらつきにより、信号線毎の幅、あるいは１本の信号線の延在方向の幅にばらつきが生じていることがある。そのため、ステップ６０１の後、形成した各第１配線（ゲート信号線１０１）の幅の分布を計測し、保持する（ステップ６０２）。

次に、ゲート信号線１０１上に層間絶縁膜（第１絶縁膜１０３）を形成し（ステップ６０３）する。そして、形成した第１絶縁膜１０３の膜厚分布を計測し、保持する（ステップ６０４）。

次に、保持しているゲート信号線１０１の幅の分布と、第１絶縁膜１０３の膜厚分布に基づいて、TFT基板１上の各領域における第２導電層の配線（第２配線）の幅を決定し、描画用データを更新する（ステップ６０５）。本実施例１の場合、第２配線はドレイン信号線１０２である。このとき、ドレイン信号線１０２の幅は、たとえば、各ゲート信号線１０１との交差領域で形成される各容量素子の配線容量値が等しくなるように決定する。

次に、図１３では省略するが、たとえば、第１絶縁膜１０３上に、半導体層として、前記アモルファスシリコン膜１０４を形成する。アモルファスシリコン膜１０４は、たとえば、ゲート信号線１０１と同様に、第１絶縁膜１０３上に成膜した後、エッチングして形成する。

次に、第１絶縁膜１０３上に、ドレイン信号線１０２およびソース電極１０５を形成する。ドレイン信号線１０２およびソース電極１０５を形成するときには、まず、第１絶縁膜１０３上に第２導電層の導電膜を成膜する（ステップ６０６）。

次に、ステップ６０６で成膜した導電膜上にレジスト膜を成膜し、レジストパターンを露光、現像する（ステップ６０７）。ステップ６０７でレジストパターンを露光するときには、直描露光機を用い、前記ステップ６０５で更新した描画用データに基づいて露光する。

次に、ステップ６０７で形成したエッチングレジストをマスクとして導電膜をエッチングして第２導電層の配線、すなわちドレイン信号線１０２およびソース電極１０５を形成する（ステップ６０８）。

そして、エッチングレジストを除去する（ステップ６０９）と、図７乃至図１０に示したように、介在する第1絶縁膜１０３の厚さに応じて幅が異なるドレイン信号線１０２を形成することができる。

その後、第２絶縁膜１０６、画素電極１０７などを形成すれば、本実施例１の液晶表示装置で用いるTFT基板１が得られる。このような手順でTFT基板１を製造すれば、第1絶縁膜１０３の成膜時間を短くするとともに材料費を低減することができる。

図１３に示した手順に沿ってゲート信号線１０１やドレイン信号線１０２などを形成する場合、ステップ６０５では、たとえば、各領域における、ゲート信号線１０１とドレイン電極１０２の交差領域の面積を第１絶縁膜１０３の厚さで除した値が等しくなるように、各領域のドレイン信号線１０２の幅を決定すればよい。つまり、図７に示した例でいえば、第１周辺領域ＴＲ１における（ＧＬＷ１×ＤＬＷ１）／ＧＩＤ１’の値と、第２周辺領域ＴＲ２における（ＧＬＷ２×ＤＬＷ２）／ＧＩＤ２’の値が等しくなるように各領域ＴＲ１，ＴＲ２のドレイン信号線１０２の幅ＤＬＷ１，ＤＬＷ２を決定すればよい。

しかしながら、上述のような方法で各領域のドレイン信号線１０２の幅を決定し、その幅に基づいてエッチングレジストを形成した場合でも、前記ステップ６０８で導電膜をエッチングするときにばらつきが生じ、形成されたドレイン信号線１０２の幅にばらつきが生じることがある。そのため、ステップ６０５でドレイン信号線１０２の幅を決定するときには、ステップ６０８で生じるエッチングによる幅のばらつきを考慮して決定することが好ましい。

図１４および図１５は、ドレイン信号線の幅の決定方法の一例を説明するための模式図である。

本実施例１のような手順でTFT基板１を形成する場合、ステップ６０８で導電膜をエッチングしてドレイン信号線１０２およびソース電極１０５を形成したときに、透明基板１００上の各領域におけるエッチング量のばらつきが生じることがある。そこで、本願発明者は、たとえば、図１４に示した、透明基板１００上の左上の画素ＰＸ（０，０）と右下の画素ＰＸ（Ｘ，Ｙ）で、ドレイン信号線１０２の幅にどの程度のばらつき（誤差）が生じるか調べてみた。なお、前記左上の画素ＰＸ（０，０）は、四角形の表示領域の１つの角にある画素である。また、前記右下の画素ＰＸ（Ｘ，Ｙ）は、前記表示領域の、前記左上の画素ＰＸ（０，０）がある角と対角に位置する角にある画素である。

ドレイン信号線１０２の幅のばらつきを調べるに当たって、画素ＰＸ（０，０）および画素ＰＸ（Ｘ，Ｙ）では、ゲート信号線１０１の幅および交差領域の第１絶縁膜１０３の厚さはほぼ同一であるとした。そして、各画素に映像信号を送るドレイン信号線１０２の幅が同一になるようにエッチングレジストを形成し、ドレイン信号線１０２およびソース電極１０５を形成した。

このとき、画素ＰＸ（０，０）および画素ＰＸ（Ｘ，Ｙ）のドレイン信号線１０２は、たとえば、図１５に示すように、同じ幅になるように形成したにもかかわらず、画素ＰＸ（Ｘ，Ｙ）のドレイン信号線１０２の幅ＤＬＷ（Ｘ，Ｙ）が、画素ＰＸ（０，０）のドレイン信号線１０２の幅ＤＬＷ（０，０）よりも広くなった。具体的には、画素ＰＸ（０，０）および画素ＰＸ（Ｘ，Ｙ）が対角方向の距離Ｌ_sub＝80cmの場合、画素ＰＸ（Ｘ，Ｙ）のドレイン信号線１０２の配線幅ＤＬＷ（Ｘ，Ｙ）のほうが2.6μm広かった。つまり、この例では、画素ＰＸ（Ｘ，Ｙ）のドレイン信号線１０２の幅ＤＬＷ（Ｘ，Ｙ）に関して、描画用データに基づく配線幅ＤＬＷ（Ｘ，Ｙ）’と実際に形成された配線幅ＤＬＷ（Ｘ，Ｙ）の間に2.6μmの誤差が現れたことを意味する。

そこで、このエッチング量のばらつきが、対角線方向に連続的に変化していると仮定すると、図１４に示した、対角方向の距離Ｌ₁₂［cm］の２つの画素ＰＸ１，ＰＸ２に関して、ゲート信号線１０１の幅および交差領域の第１絶縁膜１０３の厚さから決定したドレイン電極１０２の幅と、その幅で形成した実際のドレイン信号線１０２の幅の最大誤差は、下記数式（４）のように表すことができる。

数式（４）において、σは対角方向の距離Ｌ_subの２つの画素ＰＸ（０，０），ＰＸ（Ｘ，Ｙ）における幅の誤差である。

つまり、図１３に示したステップ６０５で描画用データを更新する際に、ゲート信号線１０１の幅および交差領域の第１絶縁膜１０３の厚さに加えて、数式（４）で表されるエッチング量のばらつきに起因する誤差を考慮し、第１の画素ＰＸ１のドレイン信号線１０２の幅ＤＬＷ１と第２の画素ＰＸ２のドレイン信号線１０２の幅ＤＬＷ２が下記数式（５）のような関係を持つように更新することで、交差領域の配線容量のばらつきをより低減することができる。

図１６乃至図１８は、本実施例１における２画素の他の選択例を示す模式平面図である。

本実施例１の表示装置では、前述のように、１つのTFT基板１上に多数存在する画素の中から任意の２画素を選択したときに、たとえば、図６に示したドレイン信号線１０２が共通でゲート信号線１０１が異なる２つの画素ＰＸ１，ＰＸ２と同様の関係が成立する。つまり、選択した２つの画素ＰＸ１，ＰＸ２が、たとえば、図１６に示すように、ゲート信号線１０１が同一でドレイン信号線１０２が異なる関係であっても成立する。また、選択した２つの画素ＰＸ１，ＰＸ２が、たとえば、図１７に示すように、ゲート信号線１０１およびドレイン信号線１０２が共に異なる関係であっても成立する。またさらに、選択した２つの画素ＰＸ１，ＰＸ２が、たとえば、図１８に示すように、隣接した画素であっても成立する。

そのため、図１３に示したステップ６０５で描画用データを更新する際には、上記の点をふまえ、任意の２画素ＰＸ１，ＰＸ２に関して、ドレイン信号線１０２の幅ＤＬＷ１，ＤＬＷ２が、下記数式（６）または数式（７）の関係を満たすように各ドレイン信号線１０２の幅を決定する。

なお、数式（７）において、ＣＣ１は第１の画素ＰＸ１の交差領域の配線容量値、ＣＣ２は第２の画素の交差領域の配線容量値である。

以上説明したように、本実施例１の液晶表示装置では、前記TFT基板１に形成するゲート信号線１０１とドレイン信号線１０２の交差領域の配線容量値のばらつきを低減することができ、画質むらを低減することができる。このとき、各交差領域の配線容量値のばらつきは、第1絶縁膜１０３の厚さのばらつきに基づいてドレイン信号線１０２の幅を変えることで低減している。そのため、第１絶縁膜１０３の厚さを、従来のように、たとえば、配線容量値のばらつきが許容範囲内におさまるような厚さまで厚くする必要がない。つまり、本実施例１の表示装置では、第１絶縁膜１０３を従来の表示装置より薄くでき、第１絶縁膜１０３の成膜時間の短縮、材料費の低減ができる。したがって、液晶表示装置の製造コストを低コストに抑え、かつ、画質むらを低減することができる。

図１９乃至図２２は、実施例１の液晶表示装置の変形例を説明するための模式図である。
図１９はストレージ線を有するTFT基板の概略構成を示す模式平面図、図２０はTFT素子の構成が異なるTFT基板の概略構成を示す模式平面図、図２１は図２０のTFT素子周辺の拡大平面図、図２２は図２１のＧ−Ｇ’線断面図である。

実施例１では、TFT基板１の構成例として、図３に示したように、ドレイン信号線１０２がゲート信号線１０１のみと交差している場合を挙げた。しかしながら、TFT基板１には種々の構成があり、たとえば、図１９に示すように、ゲート信号線１０１に沿ってストレージ線１０８が設けられているTFT基板１もある。図１９に示したTFT基板１では、ストレージ線１０８はゲート信号線１０１と同じ導電層に設けられている。また、画素電極１０７と同じ導電層には、対向電極１０９が設けられている。そして、画素電極１０７はソース電極１０５とスルーホールＴＨ１で接続されており、対向電極１０９はストレージ線１０８とスルーホールＴＨ２で接続されている。

このような構成のTFT基板１の場合、ドレイン信号線１０２は、ゲート信号線１０１およびストレージ線１０８と交差している。そのため、ドレイン信号線１０２とゲート信号線１０１の交差領域、およびドレイン信号線１０２とストレージ線１０８の交差領域のそれぞれで配線容量が構成される。この場合も、実施例１と同様の考え方で、TFT基板１上の任意の２画素ＰＸ１，ＰＸ２に関して、交差領域の面積を第１絶縁膜１０３の膜厚で除した値、あるいは配線容量値が等しくなるようにドレイン信号線１０２の幅を決定することで、各交差領域の配線容量値のばらつきを低減できる。

また、図３および図１９に示した例では、ゲート信号線１０１の上層にアモルファスシリコン膜１０４およびドレイン信号線１０２、ならびにソース電極１０５を設けてTFT素子を構成している。しかしながら、TFT素子には種々の構成があり、たとえば、図２０乃至図２２に示すように、ゲート電極１０１の下層にポリシリコン配線１１０が設けられ、ゲート信号線１０１の上層にドレイン信号線１０２およびソース電極１０５が設けられた構成の場合もある。なお、ポリシリコン配線１１０は、半導体層であり、図３に示したアモルファスシリコン膜１０４と同等の機能を持つ配線である。このとき、ドレイン信号線１０２は、スルーホールＴＨ３でポリシリコン配線１１０と接続されている。また、前記ソース電極１０５は、スルーホールＴＨ４でポリシリコン配線１１０と接続されている。

このような構成のTFT基板１の場合、ゲート信号線１０１は、図２１および図２２に示したように、上層のドレイン信号線１０２と交差すると共に、下層のポリシリコン配線１１０とも交差している。

図２０乃至図２２に示したような構成のTFT基板１では、まず、透明基板１００上に保護膜１１１を成膜した後、ポリシリコン配線１１０を形成する。そして、第３絶縁膜１１２を介在させてゲート電極１０１を形成する。このとき、ポリシリコン配線１１０は、ゲート信号線１０１などと同様にエッチングで形成するので、透明基板１００上の各領域において、図２１に示した幅Ｗ_p-Siにばらつきが生じる。また、同様に、第３絶縁膜１１２を成膜するときにも、膜厚ＧＩＤ３にばらつきが生じる。その結果、ポリシリコン配線１１０とゲート信号線１０１の交差領域ＣＡ３の配線容量値にもばらつきが生じ、画質むらが生じることがある。そこで、実施例１におけるゲート信号線１０１およびドレイン信号線１０２、ならびに第１絶縁膜１０３をそれぞれ、ポリシリコン配線１１０およびゲート信号線１０１、ならびに第３絶縁膜１１２に置き換えて考え、ゲート信号線１０１の幅を決定することで、ポリシリコン配線１１０とゲート信号線１０１の交差領域ＣＡ３の配線容量値のばらつきを低減することができる。

そしてその後、実施例１で説明したように、ゲート信号線１０１の幅および第１絶縁膜１０３の膜厚に基づいてドレイン信号線１０２の幅を決定すれば、ポリシリコン配線１１０とゲート信号線１０１の交差領域ＣＡ３の配線容量値のばらつき、およびゲート信号線１０１とドレイン信号線１０２の交差領域の配線容量値のばらつきを低減することができる。

また、詳細な説明は省略するが、図３乃至図５、図１９、図２０乃至図２２に示したような構成のTFT基板１に限らず、種々の構成のTFT基板に本実施例１の考え方を適用できることはもちろんである。

またさらに、実施例１では、TFT基板１を有する液晶表示パネルを備えた液晶表示装置を例に挙げているが、これに限らず、同様の構成、つまり基板上に絶縁膜を介して設けられた第１配線と第２配線が交差している表示パネルに、実施例１の考え方を適用することで、画質むらを低減できることはもちろんである。そのような表示装置の例としては、たとえば、プラズマディスプレイ、有機EL(Electro Luminescence)ディスプレイなどがある。

このように、TFT基板１に限らず、種々の表示パネルの基板上での第１配線と第２配線の交差領域の配線容量値のばらつきを低減する場合、前記数式（５）乃至数式（７）は、下記数式（１）乃至（３）のように一般化すればよい。

なお、数式（１）乃至数式（３）において、ＣＷ１１，ＣＷ１２，ＩＤ１，ＣＣ１はそれぞれ、第１の画素ＰＸ１の交差領域の第１配線（下層の配線）の幅，第２配線（上層の配線）の幅，絶縁膜の厚さ，交差領域の配線容量値である。また、ＣＷ２１，ＣＷ２２，ＩＤ２，ＣＣ２はそれぞれ、第２の画素ＰＸ２の交差領域の第１配線（下層の配線）の幅，第２配線（上層の配線）の幅，絶縁膜の厚さ，交差領域の配線容量値である。

図２３および図２４は、本発明による実施例２の表示装置の概略構成を示す模式図である。
図２３は任意の２画素のTFT素子周辺の拡大平面図を並べた図である。また、図２４は図２３のＨ−Ｈ’線断面図およびＪ−Ｊ’線断面図を並べた図である。

本実施例２の表示装置は、実施例１と同様の構成の液晶表示装置であり、たとえば、図３乃至図５に示したような構成の画素がアレイ状に設けられたTFT基板１を有する液晶表示パネルを備えているとする。

このとき、TFT基板１上の任意の２画素として、たとえば、図６に示したように、ドレイン信号線１０２が共通でゲート信号線１０１が異なる２つの画素ＰＸ１，ＰＸ２を選択したとする。そして、選択した２つの画素ＰＸ１，ＰＸ２のTFT素子の周辺（第１周辺領域ＴＲ１，第２周辺領域ＴＲ２）を比較すると、たとえば、図２３に示すようになっているとする。まず、第１周辺領域ＴＲ１のゲート信号線１０１₁の配線幅ＧＬＷ１が、第２周辺領域ＴＲ２のゲート信号線１０１₂の配線幅ＧＬＷ２よりも狭い。また、第１周辺領域ＴＲ１のドレイン信号線１０２の配線幅ＤＬＷ１が、第２周辺領域ＴＲ２のドレイン信号線１０２の配線幅ＤＬＷ２よりも広い。

またこのとき、第１周辺領域ＴＲ１のゲート信号線１０１₁と第２周辺領域ＴＲ２のゲート信号線１０１₂は、図２４に示すように、第１周辺領域ＴＲ１のゲート信号線１０１₁の厚さＧＬＤ１が、第２周辺領域ＴＲ２のゲート信号線１０１₂の厚さＧＬＤ２よりも厚くなっている。またさらに、第１周辺領域ＴＲ１のゲート信号線１０１₁の断面積ＧＬＷ１×ＧＬＤ１の値は、第２周辺領域ＴＲ１のゲート信号線１０１₂の断面積ＧＬＷ２×ＧＬＤ２の値と等しいとする。

ゲート信号線１０１を形成するときには一般に、透明基板１００上に導電膜を成膜し、導電膜上にエッチングレジストを形成した後、導電膜をエッチングして形成する。このとき、前記導電膜を成膜する工程では、第１絶縁膜１０３を成膜する工程と同様に、透明基板１００上の各領域で導電膜の厚さにばらつきが生じる。そのため、導電膜をエッチングするときに、あらかじめ定められた幅に基づいてエッチングレジストのパターンを形成すると、各領域のゲート信号線１０１の幅はほぼ同一となり、厚さのばらつきに応じて断面積にばらつきが生じる。そのため、各ゲート信号線１０１の配線抵抗にばらつきが生じ、画質むらが生じることがある。

そこで、ゲート信号線１０１を形成するときに、導電膜の膜厚分布を計測し、図２４に示したように、導電膜が厚い領域は幅を狭くし、薄い領域は幅を広くすることで、各ゲート信号線１０１の配線抵抗のばらつきを低減することができる。

そしてさらに、実施例１で説明した点を考慮して、各ゲート信号線１０１上にドレイン信号線１０２を形成することで、ゲート信号線１０１とドレイン信号線１０２の交差領域の配線容量値のばらつきを低減することができる。その結果、画質むらをさらに低減することができる。

図２５は、本実施例２のTFT基板の製造方法の一例を説明するためのフロー図である。

このようなTFT基板１を製造するには、たとえば、ゲート信号線１０１を形成するための導電膜をエッチングするときに、エッチングレジストのパターンで透明基板１００上の各領域に残すゲート信号線１０１の幅を制御すればよい。エッチングレジストのパターンで幅を制御するには、実施例１と同様で、前記エッチングレジストを露光するときに、たとえば、CADレイアウトデータなどの数値データに基づいてパターンを直接描画する方法を用いればよい。

本実施例２のような構成のTFT基板１を製造するときには、まず、図２５に示すように、透明基板１００上に第１導電層の導電膜を成膜する（ステップ６０１ａ）。

次に、ステップ６０１ａで形成した導電膜の膜厚分布を計測する（ステップ６０１ｂ）。

次に、計測した導電膜の膜厚分布に基づいて、透明基板１００上の各領域に形成するゲート信号線１０１の配線幅を決定し、描画用データを更新する（ステップ６０１ｃ）。ステップ６０１ｃでは、膜厚分布に基づき、各領域のゲート信号線１０１の断面積が一定になるように配線幅を決定する。またこのとき、配線幅は、たとえば、実施例１で説明したように、透明基板１００上の各領域におけるエッチング量のばらつきを考慮して決定することが好ましい。

次に、ステップ６０１ａで成膜した導電膜上にレジスト膜を成膜し、レジストパターンを露光、現像する（ステップ６０１ｄ）。ステップ６０１ｄでレジストパターンを露光するときには、直描露光機を用い、前記ステップ６０１ｃで更新した描画用データに基づいて露光する。

次に、ステップ６０１ｄで形成したエッチングレジストをマスクとして導電膜をエッチングして第１導電層の配線、すなわちゲート信号線１０１を形成する（ステップ６０１ｅ）。

そして、エッチングレジストを除去する（ステップ６０１ｆ）と、図２４に示したように、膜厚に応じて配線幅が異なるゲート信号線１０１を形成することができる。

また、手順でゲート信号線１０１を形成した後は、実施例１で説明した手順、すなわち図１３に示したステップ６０２からステップ６０９の工程を行い、第１絶縁膜１０３、アモルファスシリコン膜１０４、ドレイン信号線１０２およびソース電極１０５などを形成していけばよい。

以上説明したように、本実施例２の表示装置によれば、実施例１と同様に、表示装置の製造コストを低コストに抑え、かつ、画質むらを低減することができる。

また、本実施例２の表示装置では、ゲート信号線１０１とドレイン信号線１０２の交差領域の配線容量値のばらつきを低減できるとともに、ゲート信号線１０１の断面積（配線抵抗）のばらつきも低減することができる。そのため、表示装置の画質むらをさらに低減することができる。

なお、本実施例２では、表示装置として、実施例１と同様の液晶表示装置を例に挙げたが、これに限らず、プラズマディスプレイや有機ELディスプレイなどの表示装置にも適用できるのはもちろんである。

実施例１および実施例２では、表示装置の表示領域における任意の２箇所（２画素）の絶縁膜の厚さと第１配線の幅および第２配線の幅の関係について説明した。

実施例３は、実施例１および実施例２で説明した関係を前提とし、表示装置の表示領域の、ある特定の３箇所の絶縁膜と第１配線の幅および第２配線の幅の関係について規定した実施例である。

現在、表示装置の表示パネルに用いられる前記TFT基板１やCF基板２などの基板は、たとえば、１枚のマザーガラスから２面の基板を切り出したり、４面の表示パネルを切り出したりして製造されている。

図２６は、１枚のマザーガラスから２枚の基板を切り出す場合の絶縁膜の膜厚分布を示す模式図である。

１枚のマザーガラスから２枚の基板を切り出す、いわゆる２面取りの場合、図２６に示すように、マザーガラス７に、２個の、基板として切り出す領域７０１，７０２がある。この２個の領域７０１，７０２にはそれぞれ、たとえば、図２乃至図５に示したような構成のTFT基板１が形成される。そして、TFT基板１を形成した後、マザーガラス７から２個の領域７０１，７０２を切り出して、表示パネルを形成する。

このような２面取りの場合、マザーガラス７の各領域７０１，７０２に、複数本の第１配線（たとえばゲート信号線１０１）を形成した後、この第１配線上に絶縁膜（たとえば第１絶縁膜１０３）を成膜すると、その膜厚の分布は、たとえば、図２６に示すように、マザーガラス７上の中心Ｐを中心とする同心円ＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４で表すことができる。このとき、絶縁膜の膜厚は、中心Ｐを含む同心円ＢＬ１の内側の領域、同心円ＢＬ１の外側でありかつ同心円ＢＬ２の内側の領域、同心円ＢＬ２の外側でありかつ同心円ＢＬ３の内側の領域、同心円ＢＬ３の外側でありかつ同心円ＢＬ４の内側の領域の順に薄くなっていく。また、各領域の中でも、中心Ｐから遠ざかるにつれて、絶縁膜の膜厚はだんだんと薄くなっていく。同心円ＢＬ４の外側の領域も、中心Ｐから遠ざかるにつれて、絶縁膜の膜厚がだんだんと薄くなっていく。これは、絶縁膜を形成する際に、たとえば、プラズマCVD法により形成するためである。

図２７は、１枚のマザーガラスから４枚の基板を切り出す場合の絶縁膜の膜厚分布を示す模式図である。

１枚のマザーガラスから４枚の基板を切り出す、いわゆる４面取りの場合、図２７に示すように、マザーガラス７に、４個の、基板として切り出す領域７１１，７１２，７１３，７１４がある。この４個の領域７１１〜７１４にはそれぞれ、たとえば、図２乃至図５に示したような構成のTFT基板１が形成される。そして、TFT基板１を形成した後、マザーガラス７から４個の領域７１１〜７１４を切り出して、表示パネルを形成する。

このような４面取りの場合、マザーガラス７の４個の領域７１１〜７１４に、複数本の第１配線（たとえばゲート信号線１０１）を形成した後、この第１配線上に絶縁膜（たとえば第１絶縁膜１０３）を成膜すると、その膜厚の分布は、たとえば、図２７に示すように、マザーガラス７上の中心Ｐを中心とする同心円ＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４で表すことができる。このとき、絶縁膜の膜厚は、中心Ｐを含む同心円ＢＬ１の内側の領域、同心円ＢＬ１の外側でありかつ同心円ＢＬ２の内側の領域、同心円ＢＬ２の外側でありかつ同心円ＢＬ３の内側の領域、同心円ＢＬ３の外側でありかつ同心円ＢＬ４の内側の領域の順に薄くなっていく。また、各領域の中でも、中心Ｐから遠ざかるにつれて、絶縁膜の膜厚はだんだんと薄くなっていく。また、同心円ＢＬ４の外側の領域も、中心Ｐから遠ざかるにつれて、絶縁膜の膜厚がだんだんと薄くなっていく。

図２８は、１枚のマザーガラスから６枚の基板を切り出す場合の絶縁膜の膜厚分布を示す模式図である。

１枚のマザーガラスから６枚の基板を切り出す、いわゆる６面取りの場合、図２８に示すように、マザーガラス７に、６個の、基板として切り出す領域７２１，７２２，７２３，７２４，７２５，７２６がある。この６個の領域７２１〜７２６にはそれぞれ、たとえば、図２乃至図５に示したような構成のTFT基板１が形成される。そして、TFT基板１を形成した後、マザーガラス７から６個の領域７２１〜７２６を切り出して、表示パネルを形成する。

このような６面取りの場合、マザーガラス７の６個の領域７２１〜７２６に、複数本の第１配線（たとえばゲート信号線１０１）を形成した後、この第１配線上に絶縁膜（たとえば第１絶縁膜１０３）を成膜すると、その膜厚の分布は、たとえば、図２８に示すように、マザーガラス７上の中心Ｐを中心とする同心円ＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４で表すことができる。このとき、絶縁膜の膜厚は、中心Ｐを含む同心円ＢＬ１の内側の領域、同心円ＢＬ１の外側でありかつ同心円ＢＬ２の内側の領域、同心円ＢＬ２の外側でありかつ同心円ＢＬ３の内側の領域、同心円ＢＬ３の外側でありかつ同心円ＢＬ４の内側の領域の順に薄くなっていく。また、各領域の中でも、中心Ｐから遠ざかるにつれて、絶縁膜の膜厚はだんだんと薄くなっていく。また、同心円ＢＬ４の外側の領域も、中心Ｐから遠ざかるにつれて、絶縁膜の膜厚がだんだんと薄くなっていく。

図２９は、１枚のマザーガラスから１５枚の基板を切り出す場合の絶縁膜の膜厚分布を示す模式図である。

１枚のマザーガラスから１５枚の基板を切り出す、いわゆる１５面取りの場合、図２９に示すように、マザーガラス７に、１５個の、基板として切り出す領域７３１，７３２，７３３，７３４，７３５，７３６，７３７，７３８，７３９，７４０，７４１，７４２，７４３，７４４，７４５がある。この１５個の領域７３１〜７４５にはそれぞれ、たとえば、図２乃至図５に示したような構成のTFT基板１が形成される。そして、TFT基板１を形成した後、マザーガラス７から１５個の領域７３１〜７４５を切り出して、表示パネルを形成する。

このような１５面取りの場合、マザーガラス７の１５個の領域７３１〜７４５に、複数本の第１配線（たとえばゲート信号線１０１）を形成した後、この第１配線上に絶縁膜（たとえば第１絶縁膜１０３）を成膜すると、その膜厚の分布は、たとえば、図２８に示すように、マザーガラス７上の中心Ｐを中心とする同心円ＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４で表すことができる。このとき、絶縁膜の膜厚は、中心Ｐを含む同心円ＢＬ１の内側の領域、同心円ＢＬ１の外側でありかつ同心円ＢＬ２の内側の領域、同心円ＢＬ２の外側でありかつ同心円ＢＬ３の内側の領域、同心円ＢＬ３の外側でありかつ同心円ＢＬ４の内側の領域の順に薄くなっていく。また、各領域の中でも、中心Ｐから遠ざかるにつれて、絶縁膜の膜厚はだんだんと薄くなっていく。また、同心円ＢＬ４の外側の領域も、中心Ｐから遠ざかるにつれて、絶縁膜の膜厚がだんだんと薄くなっていく。

ここで、図２６乃至図２９に示したように、１枚のマザーガラス７から多面取りを行う場合に切り出される各領域、つまり１枚の基板における絶縁膜の膜厚の分布は、次の４つのパターンに分類されることがわかる。

１つめのパターンは、絶縁膜の膜厚の分布が、図２６に示した領域７０１、図２９に示した領域７３７，７３９のようになるパターンである。この１つめのパターンの特徴について、図３０を用いて説明する。

図３０は、１枚の基板における絶縁膜の膜厚分布の１つめのパターンを説明するための模式図である。

絶縁膜の膜厚分布の１つめのパターンを説明するにあたって、図３０に示すように、２面取りの場合におけるマザーガラス７の１つの領域７０１を例に挙げる。図３０において、１０１_１，１０１_２は、表示領域における最外に配置されているゲート信号線（第１配線）を示しており、１０２_１，１０２_２は、表示領域における最外に配置されているドレイン信号線（第２配線）を示している。つまり、この２本のゲート信号線１０１_１，１０１_２と、２本のドレイン信号線１０２_１，１０２_２に囲まれた領域が、本発明でいうところの表示領域となる。そして、この表示領域には、図示していない複数本のゲート信号線、表示領域の中央部に配置されたドレイン信号線１０２_３および図示していない複数本のドレイン信号線が配置されている。

１つめのパターンでは、図３０に示した領域７０１内の表示領域における最外側のゲート信号線１０１_２の中央部分、すなわちドレイン信号線１０２_３と交差する点Ｃ１における絶縁膜の膜厚ｔ１が一番厚くなる。そして、表示領域における点Ｃ１の延長上で最外側のドレイン信号線１０２_１と交差する点Ｃ２の絶縁膜の膜厚ｔ２は、点Ｃ１における絶縁膜の膜厚ｔ１よりも薄くなる。また、表示領域におけるドレイン信号線１０２_１が表示領域のもう一方の最外側のゲート信号線１０１_１と交差する点Ｃ３の絶縁膜の膜厚ｔ３は、点Ｃ２の絶縁膜の膜厚ｔ２よりも薄くなる。

そして、基板上に複数本の第１配線を配置し、その上に絶縁膜を配置し、さらにこの絶縁膜の上に、複数本の第１配線と交差するように複数本の第２配線を配置した本発明のような表示装置における第１配線、第２配線も含めた関係では、基板（領域７０１）の表示領域における最外側の第１配線（たとえばゲート信号線）の中央における絶縁膜（たとえば第１絶縁膜）の膜厚をｔ１、この最外側の第１配線が表示領域における最外側の第２配線（たとえばドレイン信号線）と交差する箇所における絶縁膜の厚さをｔ２、この第２配線が表示領域の反対側の最外側の第１配線と交差する箇所における絶縁膜の厚さをｔ３とし、絶縁膜の膜厚がｔ１の位置に配置されている第２配線の幅をｗ１、絶縁膜の膜厚がｔ２の位置における第２配線の幅をｗ２、絶縁膜の膜厚がｔ３の位置に配置されている第２配線の幅をｗ３とすると、ｔ１＞ｔ２＞ｔ３の関係であり、かつ、ｗ１＞ｗ２＞ｗ３の関係となるというものである。これが、１つめのパターンにおける絶縁膜の厚さと第２配線の幅の関係の特徴の１つである。

さらに、実施例２の考えを適用すれば、絶縁膜の膜厚がｔ１の位置における第１配線の幅をｓ１、絶縁膜の膜厚がｔ２の位置における第１配線の幅をｓ２、絶縁膜の膜厚がｔ３の位置に配置された第１配線の幅をｓ３とすると、ｔ１＞ｔ２＞ｔ３の関係であり、かつｗ１＞ｗ２＞ｗ３の関係であれば、ｓ１＜ｓ２＜ｓ３の関係となる。

なお、図３０には、１つめのパターンの例として２面取りの場合を挙げているが、図２９に示した１５面取りの場合における領域７３７，７３９も、同様の関係（特徴）を持つことはもちろんである。

このような関係を持つ表示パネルでは、画質むらを低減することが可能となる。

次に、２つめのパターンを説明する。２つめのパターンは、絶縁膜の膜厚の分布が、図２８に示した領域７２２，７２５、図２９に示した領域７３２，７３５，７４１，７４４のようになるパターンである。この２つめのパターンの特徴について、図３１を用いて説明する。

図３１は、１枚の基板における絶縁膜の膜厚分布の２つめのパターンを説明するための模式図である。

絶縁膜の膜厚分布の２つめのパターンを説明するにあたっては、図３１に示すように、６面取りの場合におけるマザーガラス７の１つの領域７２２を例に挙げる。図３１において、１０１_１，１０１_２は、表示領域における最外に配置されているゲート信号線（第１配線）を示しており、１０２_１，１０２_２は表示領域における最外に配置されているドレイン信号線（第２配線）を示している。つまり、この２本のゲート信号線１０１_１，１０１_２と、２本のドレイン信号線１０２_１，１０２_２に囲まれた領域が、本発明でいうところの表示領域となる。そして、この表示領域には、表示領域の中央部に配置されたゲート信号線１０１_３および図示していない複数本のゲート信号線、図示していない複数本のドレイン信号線が配置されている。

２つめのパターンでは、図３１に示した領域７２２内の表示領域における最外側のドレイン信号線１０２_２の中央部分、すなわちゲート信号線１０１_３と交差する点Ｃ１における絶縁膜の膜厚ｔ１が一番厚くなる。そして、表示領域における点Ｃ１の延長上で最外側のゲート信号線１０１_１と交差する点Ｃ２の絶縁膜の膜厚ｔ２は、点Ｃ１における絶縁膜の膜厚ｔ１よりも薄くなる。また、表示領域におけるゲート信号線１０１_１が表示領域のもう一方の最外側のドレイン信号線１０２_１と交差する点Ｃ３の絶縁膜の膜厚ｔ３は、点Ｃ２の絶縁膜の膜厚ｔ２よりも薄くなる。

そして、基板上に複数の第１配線を配置し、その上に絶縁膜を配置し、さらにこの絶縁膜の上に、複数本の第１配線と交差するように複数本の第２の配線を配置した本発明のような表示装置における第１配線、第２配線も含めた関係では、基板（領域７２２）の表示領域における最外側の第２配線（たとえばドレイン信号線）の中央における絶縁膜の膜厚をｔ１、この最外側の第２配線が表示領域における最外側の第１配線（たとえばゲート信号線）と交差する箇所における絶縁膜の厚さをｔ２、この第１配線が表示領域の反対側の最外側の第２配線と交差する箇所における絶縁膜の厚さをｔ３とし、絶縁膜の膜厚がｔ１の位置に配置されている第２配線の幅をｗ１、絶縁膜の膜厚がｔ２の位置における第２配線の幅をｗ２、絶縁膜の膜厚がｔ３の位置に配置されている第２配線の幅をｗ３とすると、ｔ１＞ｔ２＞ｔ３の関係であり、かつ、ｗ１＞ｗ２＞ｗ３の関係となるというものである。これが、２つめのパターンにおける絶縁膜の厚さと第２配線の幅の関係の特徴の１つである。

さらに、実施例２の考えを適用すれば、絶縁膜の膜厚がｔ１の位置に配置されている第１配線の幅をｓ１、絶縁膜の膜厚がｔ２の位置における第１配線の幅をｓ２、絶縁膜の膜厚がｔ３の位置に配置されている第１配線の幅をｓ３とすると、ｔ１＞ｔ２＞ｔ３の関係であり、かつ、ｗ１＞ｗ２＞ｗ３の関係であれば、ｓ１＜ｓ２＜ｓ３の関係となる。

なお、図３１には、２つめのパターンの例として６面取りの場合を挙げているが、図２９に示した１５面取りの場合における領域７３２，７３５，７４１，７４４も、同様の関係（特徴）を持つことはもちろんである。

このような関係の表示パネルでは、画質むらを低減することが可能となる。

次に、３つめのパターンを説明する。３つめのパターンは、絶縁膜の膜厚の分布が、図２７に示した領域７１１，７１２，７１３，７１４、図２８に示した領域７２１，７２３，７２４，７２６、図２９に示した領域７３１，７３３，７３４，７３６，７４０，７４２，７４３，７４５のようになるパターンである。この３つめのパターンの特徴について、図３２を用いて説明する。

図３２は、１枚の基板における絶縁膜の膜厚分布の３つめのパターンを説明するための模式図である。

絶縁膜の膜厚分布の３つめのパターンを説明するにあたっては、図３２に示すように、４面取りの場合におけるマザーガラス７の１つの領域７１１を例に挙げる。図３２において、１０１_１，１０１_２は、表示領域における最外に配置されているゲート信号線（第１配線）を示しており、１０２_１，１０２_２は表示領域における最外に配置されているドレイン信号線（第２配線）を示している。つまり、この２本のゲート信号線１０１_１，１０１_２と、２本のドレイン信号線１０２_１，１０２_２に囲まれた領域が、本発明でいうところの表示領域となる。そして、この表示領域には、図示していない複数本のゲート信号線、図示していない複数本のドレイン信号線が配置されている。

３つめのパターンでは、図３２に示した領域７１１内の表示領域における最外側のゲート信号線１０１_２とドレイン信号線１０２_２が交差する点Ｃ１（角部）における絶縁膜の膜厚ｔ１が一番厚くなる。そして、表示領域における点Ｃ１の延長上でもう一方の最外側のドレイン信号線１０２_１と交差する点Ｃ２の絶縁膜の膜厚ｔ２は、点Ｃ１における絶縁膜の膜厚ｔ１よりも薄くなる。また、表示領域における点Ｃ１とは対角に位置する点Ｃ３の絶縁膜の膜厚ｔ３は、点Ｃ２の絶縁膜の膜厚ｔ２よりも薄くなる。

そして、基板上に複数本の第１配線を配置し、その上に絶縁膜を配置し、さらにこの絶縁膜の上に、複数本の第１配線と交差するように複数本の第２配線を配置した本発明のような表示パネルにおける第１配線、第２配線も含めた関係では、基板（領域７１１）の表示領域における最外側の第１配線と第２配線が交差する箇所（すなわちある角部）における絶縁膜の膜厚をｔ１、この角部から延長された第１配線が第２配線と交差する箇所における絶縁膜の厚さをｔ２、表示領域における絶縁膜の厚さがｔ３である箇所と対角の位置の箇所における絶縁膜の厚さをｔ３とし、絶縁膜の膜厚がｔ１の位置に配置されている第２配線の幅をｗ１、絶縁膜の膜厚がｔ２の位置における第２配線の幅をｗ２、絶縁膜の膜厚がｔ３の位置に配置されている第２配線の幅をｗ３とすると、ｔ１＞ｔ２＞ｔ３の関係であり、かつ、ｗ１＞ｗ２＞ｗ３の関係となるというものである。これが、３つめのパターンにおける絶縁膜の厚さと第２配線の幅の関係の特徴の１つである。

さらに、実施例２の考えを適用すれば、絶縁膜の膜厚がｔ１の位置に配置されている第１配線の幅をｓ１、絶縁膜の膜厚がｔ２の位置における第１配線の幅をｓ２、絶縁膜の膜厚がｔ３の位置に配置されている第１配線の幅をｓ３とすると、ｔ１＞ｔ２＞ｔ３の関係であり、かつ、ｗ１＞ｗ２＞ｗ３の関係であれば、ｓ１＜ｓ２＜ｓ３の関係となる。

なお、図３２には、３つめのパターンの例として４面取りの場合の１つの領域７１１を挙げているが、４面取りの場合、残りの領域７１２〜７１４も、同様の関係（特徴）を持つ。また、４面取りの場合に限らず、図２８に示した６面取りの場合における領域７２１，７２３，７２４，７２６、図２９に示した１５面取りの場合における領域７３１，７３３，７３４，７３６，７４０，７４２，７４３，７４５も、同様の関係（特徴）を持つことはもちろんである。

このような関係の表示パネルでは、画質むらを低減することが可能となる。

最後に、４つめのパターンを説明する。４つめのパターンは、絶縁膜の膜厚の分布が、図２９に示した領域７３８のようになるパターンである。この４つめのパターンの特徴について、図３３を用いて説明する。

図３３は、１枚の基板における絶縁膜の膜厚分布の４つめのパターンを説明するための模式図である。

絶縁膜の膜厚分布の４つめのパターンを説明するにあたっては、図３３に示すように、１５面取りの場合におけるマザーガラス７の１つの領域７３８を例に挙げる。図３３において、１０１_１，１０１_２は、表示領域における最外に配置されているゲート信号線（第１配線）を示しており、１０２_１，１０２_２は表示領域における最外に配置されているドレイン信号線（第２配線）を示している。つまり、この２本のゲート信号線１０１_１，１０１_２と、２本のドレイン信号線１０２_１，１０２_２に囲まれた領域が、本発明でいうところの表示領域となる。この表示領域には、表示領域の中央部に配置されたゲート信号線１０１_３、同じく表示領域の中央部にゲート信号線１０１_３と交差するように配置されたドレイン信号線１０２_３のほか、図示していない複数本のゲート信号線および複数本のドレイン信号線が配置されている。

４つめのパターンでは、図３３に示した領域７３８内の表示領域における中心Ｃ１（すなわち、ゲート信号線１０１_３とドレイン信号線１０２_３が交差する箇所）における絶縁膜の膜厚ｔ１が一番厚くなる。そして、表示領域における点Ｃ１の延長上でゲート信号線１０１_３と交差する点Ｃ２の絶縁膜の膜厚ｔ２は、点Ｃ１における絶縁膜の膜厚ｔ１よりも薄くなる。また、表示領域における最外側のゲート信号線１０１_１とドレイン信号線１０２_２が交差する点Ｃ３（角部）の絶縁膜の膜厚ｔ３が、点Ｃ２の絶縁膜の膜厚ｔ２よりも薄くなる。

そして、基板上に複数本の第１配線を配置し、その上に絶縁膜を配置し、さらにこの絶縁膜の上に、複数本の第１配線と交差するように複数本の第２配線を配置した本発明のような表示装置における第１配線、第２配線も含めた関係では、基板（領域７３８）の表示領域における中心部（点Ｃ１）における絶縁膜の膜厚をｔ１、この中心部の第２配線が表示領域の最外側の第１配線と交差する箇所における絶縁膜の厚さをｔ２、表示領域における角部の絶縁膜の厚さをｔ３とし、絶縁膜の膜厚がｔ１の位置に配置されている第２配線の幅をｗ１、絶縁膜の膜厚がｔ２の位置における第２配線の幅をｗ２、絶縁膜の膜厚がｔ３の位置に配置されている第２配線の幅をｗ３とすると、ｔ１＞ｔ２＞ｔ３の関係であり、かつ、ｗ１＞ｗ２＞ｗ３の関係となるというものである。これが、４つめのパターンにおける絶縁膜の厚さと第２配線の幅の関係の特徴の１つである。

さらに、実施例２の考えを適用すれば、絶縁膜の膜厚がｔ１の位置に配置されている第１配線の幅をｓ１、絶縁膜の膜厚がｔ２の位置における第１配線の幅をｓ２、絶縁膜の膜厚がｔ３の位置に配置されている第１配線の幅をｓ３とすると、ｔ１＞ｔ２＞ｔ３の関係であり、かつ、ｗ１＞ｗ２＞ｗ３の関係であれば、ｓ１＜ｓ２＜ｓ３の関係となっているというものである。

なお、図３３には、４つめのパターンの例として１５面取りの場合の１つの領域７３８を挙げているが、１５面取りに限らず、たとえば、３面×３面の９面取りの場合の中央の領域でも、同様の関係（特徴）を持つことはもちろんである。

このような関係の表示パネルでは、画質むらを低減することが可能となる。
なお、実施例３で説明した関係の表示パネルは実施例１および実施例２で説明した方法と同様の方法で作製することができるものである。

以上、本発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更可能であることはもちろんである。

本発明による実施例１の表示装置の概略構成を示す模式図であり、液晶表示装置の一構成例を示す分解斜視図である。 本発明による実施例１の表示装置の概略構成を示す模式図であり、TFT基板の概略構成を示す模式平面図である。 本発明による実施例１の表示装置の概略構成を示す模式図であり、TFT基板の１画素の構成例を示す模式平面図である。 本発明による実施例１の表示装置の概略構成を示す模式図であり、図３のＡ−Ａ’線断面図である。 本発明による実施例１の表示装置の概略構成を示す模式図であり、図３のＢ−Ｂ’線断面図である。 本実施例１の液晶表示装置の特徴を説明するための模式図であり、TFT基板の任意の２画素の選択例を示す平面図である。 本実施例１の液晶表示装置の特徴を説明するための模式図であり、図６のＰＸ１のTFT素子の周辺およびＰＸ２のTFT素子の周辺の構成を並べて示した平面図である。 本実施例１の液晶表示装置の特徴を説明するための模式図であり、図７のＣ−Ｃ’線断面図およびＤ−Ｄ’線断面図を並べて示した図である。 本実施例１の液晶表示装置の特徴を説明するための模式図であり、図７のＥ−Ｅ’線断面図である。 本実施例１の液晶表示装置の特徴を説明するための模式図であり、図７のＦ−Ｆ’線断面図である。 本実施例１の液晶表示装置の特徴を説明するための模式図であり、ドレイン信号線の配線幅の定義を説明する模式断面図である。 本実施例１の液晶表示装置の特徴を説明するための模式図であり、ゲート信号線の配線幅の定義を説明する模式断面図である。 本実施例１の液晶表示装置で用いるTFT基板の製造方法を説明するためのフロー図である。 ドレイン信号線の配線幅の決定方法の一例を説明するための模式図である。 ドレイン信号線の配線幅の決定方法の一例を説明するための模式図である。 本実施例１における２画素の他の選択例を示す模式平面図である。 本実施例１における２画素の他の選択例を示す模式平面図である。 本実施例１における２画素の他の選択例を示す模式平面図である。 前記実施例１の液晶表示装置の変形例を説明するための模式図であり、ストレージ線を有するTFT基板の概略構成を示す模式平面図である。 前記実施例１の液晶表示装置の変形例を説明するための模式図であり、TFT素子の構成が異なるTFT基板の概略構成を示す模式平面図である。 前記実施例１の液晶表示装置の変形例を説明するための模式図であり、図２０のTFT素子周辺の拡大平面図である。 前記実施例１の液晶表示装置の変形例を説明するための模式図であり、図２１のＧ−Ｇ’線断面図である。 本発明による実施例２の表示装置の概略構成を示す模式図であり、任意の２画素のTFT素子周辺の拡大平面図を並べた図である。 本発明による実施例２の表示装置の概略構成を示す模式図であり、図２３のＨ−Ｈ’線断面図およびＪ−Ｊ’線断面図を並べた図である。 本実施例２のTFT基板の製造方法の一例を説明するためのフロー図である。 １枚のマザーガラスから２枚の基板を切り出す場合の絶縁膜の膜厚分布を示す模式図である。 １枚のマザーガラスから４枚の基板を切り出す場合の絶縁膜の膜厚分布を示す模式図である。 １枚のマザーガラスから６枚の基板を切り出す場合の絶縁膜の膜厚分布を示す模式図である。 １枚のマザーガラスから１５枚の基板を切り出す場合の絶縁膜の膜厚分布を示す模式図である。 １枚の基板における絶縁膜の膜厚分布の１つめのパターンを説明するための図である。 １枚の基板における絶縁膜の膜厚分布の２つめのパターンを説明するための図である。 １枚の基板における絶縁膜の膜厚分布の３つめのパターンを説明するための図である。 １枚の基板における絶縁膜の膜厚分布の４つめのパターンを説明するための図である。

符号の説明

１…TFT基板
１００…透明基板
１０１，１０１₁，１０１₂，１０１₃…ゲート信号線
１０２，１０２₁，１０２₂，１０２₃…ドレイン信号線
１０３…第１絶縁膜
１０４…アモルファスシリコン膜
１０５…ソース電極
１０６…第２絶縁膜
１０７…画素電極（表示電極）
１０８…ストレージ線
１０９…対向電極
１１０…ポリシリコン配線
１１１…保護膜
１１２…第３絶縁膜
２…対向基板
３Ａ，３Ｂ…偏光板
４…バックライトユニット
５…フレーム部材（上フレーム）
７…マザーガラス
ＴＨ，ＴＨ１，ＴＨ２，ＴＨ３，ＴＨ４…スルーホール
ＰＸ１…第１の画素
ＰＸ２…第２の画素
ＧＬＷ１，ＧＬＷ２…ゲート信号線の配線幅
ＧＬＤ１，ＧＬＤ２…ゲート信号線の厚さ
ＤＬＷ１，ＤＬＷ２…ドレイン信号線の配線幅
ＧＩＤ１，ＧＩＤ２…第１絶縁膜の厚さ
Ｗ_p-Si…ポリシリコン配線の配線幅
ＧＩＤ３…第３絶縁膜の厚さ

Claims (14)

1. 複数本の第１配線と、前記複数本の第１配線上に、絶縁膜を介して前記複数本の第１配線と交差するように配置された第２配線とを有する表示装置であって、
   前記複数本の第１の配線と前記絶縁膜を介して配置されている前記複数本の第２の配線の交差領域のある箇所において、前記第１の配線と前記第２の配線の間に配置されている前記絶縁膜の厚さが、前記複数本の第１の配線と前記絶縁膜を介して配置されている前記複数本の第２の配線の交差領域のある箇所とは別の箇所の前記第１の配線と前記第２の配線の間に配置されている前記絶縁膜の厚さより厚く、
   前記ある箇所の前記第２配線の幅は、前記ある箇所とは別の箇所の前記第２配線の幅より広いことを特徴とする表示装置。
2. 前記ある箇所の前記第１配線の幅が、前記ある箇所とは別の箇所の前記第１配線の幅より狭いことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記ある箇所の第１配線と第２配線の交差面積を絶縁膜の厚さで除した値と、前記ある箇所とは別の箇所の第１配線と第２配線の交差面積を絶縁膜の厚さで除した値が等しいことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置。
4. 前記ある箇所の交差領域の配線容量値と、前記ある箇所とは別の箇所の交差領域の配線容量値が等しいことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置。
5. 前記ある箇所の前記絶縁膜の厚さおよび前記第２配線の幅をそれぞれＩＤ１およびＣＷ１２とし、
   前記ある箇所とは別の箇所の前記絶縁膜の厚さおよび前記第２配線の幅をそれぞれＩＤ２およびＣＷ２２とし、
   前記基板の対角に位置する２つの交差領域の距離をＬ_sub、前記ある箇所と前記ある箇所とは別の箇所の基板対角線方向の距離をＬ₁₂、誤差定数をσとすると、下記数式（１）を満たすことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
   

   
6. 前記ある箇所の前記絶縁膜の厚さおよび前記第１配線の幅、ならびに前記第２配線の幅をそれぞれＩＤ１およびＣＷ１１、ならびにＣＷ１２とし、
   前記ある箇所とは別の箇所の前記絶縁膜の厚さおよび前記第１配線の幅、ならびに前記第２配線の幅をそれぞれＩＤ２およびＣＷ２１、ならびにＣＷ２２とし、
   前記基板の対角に位置する２つの交差領域の距離をＬ_sub、前記ある箇所と前記ある箇所とは別の箇所の基板対角線方向の距離をＬ₁₂、誤差定数をσとすると、下記数式（２）を満たすことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
   

   
7. 前記ある箇所の交差領域の配線容量および前記第２配線の幅をそれぞれＣＣ１およびＣＷ１２とし、
   前記ある箇所とは別の箇所の交差領域の配線容量をＣＣ２とし、
   前記基板の対角に位置する２つの交差領域の距離をＬ_sub、前記ある箇所と前記ある箇所とは別の箇所の基板対角線方向の距離をＬ₁₂、誤差定数をσとすると、下記数式（３）を満たすことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
   

   
8. 複数本の第１配線と、前記複数本の第１配線上に、絶縁膜を介して前記第１配線と交差するよう配置された複数本の第２配線を有し、四角形の表示領域を構成した表示装置であって、
   前記表示領域における最外側の第１配線の中央における前記絶縁膜の膜厚をｔ１、該最外側の第１配線が前記表示領域における最外側の第２配線と交差する箇所における前記絶縁膜の厚さをｔ２、該第２配線が前記表示領域の反対側の最外側の第１配線と交差する箇所における前記絶縁膜の厚さをｔ３とし、前記絶縁膜の膜厚がｔ１の位置に配置されている第２配線の幅をｗ１、前記絶縁膜の膜厚がｔ２の位置における第２配線の幅をｗ２、前記絶縁膜の膜厚がｔ３の位置に配置されている第２配線の幅をｗ３とすると、
   ｔ１＞ｔ２＞ｔ３の関係であり、かつ、ｗ１＞ｗ２＞ｗ３の関係であることを特徴とする表示装置。
9. 複数本の第１配線と、前記複数本の第１の配線上に、絶縁膜を介して前記第１配線と交差するよう配置された複数本の第２配線を有し、四角形の表示領域を構成した表示装置において、
   前記表示領域における、最外側の第２配線の中央における絶縁膜の膜厚をｔ１、該最外側の第２配線が前記表示領域における最外側の第１配線と交差する箇所における絶縁膜の厚さをｔ２、該第１配線が前記表示領域の反対側の最外側の第２配線と交差する箇所における絶縁膜の厚さをｔ３とし、前記絶縁膜の膜厚がｔ１の位置に配置されている第２配線の幅をｗ１、前記絶縁膜の膜厚がｔ２の位置における第２配線の幅をｗ２、前記絶縁膜の膜厚がｔ３の位置に配置されている第２配線の幅をｗ３とすると、
   ｔ１＞ｔ２＞ｔ３の関係であり、かつ、ｗ１＞ｗ２＞ｗ３の関係であることを特徴とする表示装置。
10. 複数本の第１配線と、前記複数本の第１配線上に、絶縁膜を介して前記第１配線と交差するよう配置された複数本の第２配線を有し、四角形の表示領域を構成した表示装置において、
    前記表示領域における最外側の第１配線と第２配線が交差する角部における絶縁膜の膜厚をｔ１、該角部から延長された第１配線が反対側の第２配線と交差する箇所における絶縁膜の厚さをｔ２、前記角部と対角の位置の箇所における絶縁膜の厚さをｔ３とし、前記絶縁膜の膜厚がt1の位置に配置されている第２配線の幅をｗ１、前記絶縁膜の膜厚がｔ２の位置における第２配線の幅をｗ２、前記絶縁膜の膜厚がｔ３の位置に配置されている第２配線の幅をｗ３とすると、
    ｔ１＞ｔ２＞ｔ３の関係であり、かつ、ｗ１＞ｗ２＞ｗ３の関係であることを特徴とする表示装置。
11. 複数本の第１配線と、前記複数本の第１配線上に、絶縁膜を介して前記第１配線と交差するよう配置された複数本の第２配線を有し、四角形の表示領域を構成した表示装置において、
    前記表示領域における中心部における絶縁膜の膜厚をｔ１、該中心部の第２配線が前記表示領域の最外側の第１配線と交差する箇所における絶縁膜の厚さをｔ２、前記表示領域における角部の絶縁膜の厚さをｔ３とし、前記絶縁膜の膜厚がｔ１の位置に配置されている第２配線の幅をｗ１、前記絶縁膜の膜厚がｔ２の位置における第２配線の幅をｗ２、前記絶縁膜の膜厚がｔ３の位置に配置されている第２配線の幅をｗ３とすると、
    ｔ１＞ｔ２＞ｔ３の関係であり、かつ、ｗ１＞ｗ２＞ｗ３の関係であることを特徴とする表示装置。
12. 前記絶縁膜の膜厚がｔ１の位置に配置されている第１配線の幅をｓ１、前記絶縁膜の膜厚がｔ２の位置における第１配線の幅をｓ２、前記絶縁膜の膜厚がｔ３の位置に配置されている第１配線の幅をｓ３とすると、
    ｓ１＜ｓ２＜ｓ３の関係であることを特徴とする請求項８乃至請求項１１のいずれか１項に記載の表示装置。
13. 前記第１配線および第２配線は、一対の基板で液晶材料を挟持した液晶表示パネルに配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項１２のいずれか１項に記載の表示装置。
14. 前記基板は、TFT(Thin Film Transistor)素子が画素単位で配置されており、前記第１配線はゲート信号線、前記第２配線はドレイン信号線であることを特徴とする請求項１３に記載の表示装置。

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