JP2006293343A - 液晶表示装置及び表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 TFT液晶表示装置の画面上の画質を均一化することが可能な技術を提供する。
【解決手段】 透明基板上にTFT回路がアレイ状に配置されたTFT基板と、TFT基板のTFTが設けられた面と向かい合わせに配置された対向基板と、TFT基板と対向基板の間に充填された液晶材料とを備える液晶表示装置であって、TFT基板は、第１の領域のゲート信号線の導電膜の膜厚および幅をそれぞれＧＬＤ１およびＧＬＷ１とし、第１の領域とは異なる第２の領域のゲート信号線の導電膜の膜厚および幅をそれぞれＧＬＤ２およびＧＬＷ２としたときに、ＧＬＤ１＜ＧＬＤ２であれば、ＧＬＷ１＞ＧＬＷ２である。
【選択図】 図１２

Description

本発明は、液晶表示装置に関し、特に、大画面、または高精細な液晶表示装置に適用して有効な技術に関するものである。

従来、パーソナル・コンピュータ（Personal Computer）のディスプレイやテレビ受像器などの様々な表示装置に液晶表示装置が用いられている。

液晶表示装置は、２枚のガラス基板の間に充填された液晶材料に電界を印加し、液晶材料中の液晶分子の配向を制御することで光の透過または遮断を制御し、画像（映像）を表示する装置である。

また、液晶表示装置は、たとえば、液晶分子の配向の違いや、電界の印加方法の違いにより、さまざまな種類に分類されるが、近年は、自然色の表現能力が高く、かつ、応答速度の高速化が容易なTFT液晶表示装置が広く普及している。

TFT液晶表示装置は、ガラス基板上にTFT素子をアレイ状に配置したTFT基板と、TFT基板のTFT素子が設けられた面に対向する面上にカラーフィルタ等が配置された対向基板の間に液晶材料を充填している液晶表示装置である。

このとき、TFT基板は、たとえば、ガラス基板上にゲート信号線，データ信号線，ドレイン電極，ゲート絶縁膜，アモルファスシリコン（a-Si）膜，および画素電極が形成されており、ゲート信号線，データ信号線から分岐したドレイン電極，ソース電極，ゲート絶縁膜，およびアモルファスシリコン膜からなるTFT（Thin-Film Transistor）素子がアレイ状に配置されている。

前記TFT基板を製造するときには、たとえば、まず、ガラス基板上にゲート信号線形成用の導電膜を成膜する。そして、導電膜上に、パターン形成用のエッチングレジストを形成した後、導電膜の不要な部分を除去してゲート信号線を形成する。その後、ゲート信号線の形成手順と同様に、成膜、レジスト形成、エッチングの一連の処理を繰り返し、データ信号線等を形成していく。

また、TFT基板を製造する際の、エッチングレジストを形成する工程は、従来、導電膜上にレジスト材料を塗布し、マスクを用いた露光処理でレジストパターンを形成していた。

しかしながら、マスクを用いて露光する方法は、あらかじめ設計されたマスク寸法を用いており、たとえば、ゲート信号線形成用の導電膜を成膜したときに、膜厚にばらつきがある場合でも、ゲート信号線は、常に一定の幅で形成される。液晶表示装置は、近年、大画面化が進んでおり、前記導電膜の成膜時に、膜厚のばらつきが生じやすくなっている。そのため、従来のようにあらかじめ設計された幅でゲート信号線を形成すると、導電膜の成膜時に膜厚が薄くなっている領域のゲート信号線の断面積と、膜厚が厚くなっている領域のゲート信号線の断面積の差が大きくなる。その結果、各ゲート信号線の配線抵抗のばらつきが大きくなり、液晶表示装置で表示する画像（映像）の画質が画面内で不均一になる、言い換えると、画面内に画質が良好な領域と画質が悪い領域が生じるという問題があった。

このような問題が生じるのを避けるために、従来は、たとえば、ゲート信号線の導電膜の膜厚や幅のばらつきを考慮して、TFT基板上の全領域で、ゲート信号線の配線抵抗が一定値以下となるように、導電膜の膜厚を厚くしたり、ゲート信号線の幅を広くしたりしている。しかしながら、ゲート信号線の幅を広くすると、その分だけ開口率、すなわちバックライトの光を透過して色を表示するための面積が小さくなり、輝度が低下して前記液晶表示装置の性能が低下するという問題がある。また、導電膜を厚くすると、その分だけ成膜時間が長くなるとともに、使用する導電体材料の量が多くなる。そのため、TFT基板（液晶表示装置）の製造コストが高くなるという問題もある。

本発明が解決しようとする問題点は、背景技術で説明したように、従来のTFT液晶表示装置では、TFT基板上のゲート信号線の配線抵抗のばらつきが多く、画面上の画質が不均一になるという点である。

また、TFT基板上のゲート信号線の配線抵抗のばらつきを小さくするためにゲート信号線の幅を広くすると、開口率が小さくなり、液晶表示装置の性能が低下するという問題点もある。

本発明の目的は、TFT液晶表示装置の画面上の画質を均一化することが可能な技術を提供することにある。

本発明の他の目的は、TFT液晶表示装置の画面上の画質を均一化するとともに、輝度の低下を防ぎ、性能を向上させることが可能な技術を提供することにある。

本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかになるであろう。

本発明のTFT液晶表示装置は、透明基板上にゲート信号線，データ信号線，ソース電極，ゲート絶縁膜，アモルファスシリコン（a-Si）膜，および画素電極が設けられ、かつ、前記ゲート信号線，前記データ信号線から分岐したドレイン電極，前記ソース電極，前記ゲート絶縁膜，および前記アモルファスシリコン膜からなるTFTがアレイ状に配置されたTFT基板と、前記TFT基板の前記TFTが設けられた面と向かい合わせに配置された対向基板と、前記TFT基板と前記対向基板の間に充填された液晶材料とを備える液晶表示装置であって、前記TFT基板は、第１の領域のゲート信号線の導電膜の膜厚および幅をそれぞれＧＬＤ１およびＧＬＷ１とし、前記第１の領域とは異なる第２の領域のゲート信号線の導電膜の膜厚および幅をそれぞれＧＬＤ２およびＧＬＷ２としたときに、ＧＬＤ１＜ＧＬＤ２であれば、ＧＬＷ１＞ＧＬＷ２であることを最も主要な特徴とする。

またこのとき、第１の領域のゲート信号線の膜厚ＧＬＤ１および幅ＧＬＷ１と、第２の領域のゲート信号線の膜厚ＧＬＤ２および幅ＧＬＷ２の関係は、前述のような関係を満たしていればよいが、特に、第１の領域のゲート信号線の断面積ＧＬＤ１×ＧＬＷ１と、第２の領域のゲート信号線の断面積ＧＬＤ２×ＧＬＷ２を等しくすることが好ましい。

また、本発明の別の実施態様によれば、基板上にたとえばゲート信号線のような複数の第１の信号線と、この複数の第１の信号線の上方にたとえばゲート絶縁膜のような絶縁膜を介して交差するように配置されたたとえばデータ信号線のような複数の第２の信号線が配置され、この複数の第１の信号線と複数の第２の信号線により矩形の表示領域を形成した表示装置であって、表示領域における第１の信号線と第２の信号線が交差する任意の３箇所において、第１の箇所における第１の信号線の導電膜の膜厚をｔ１、幅をｗ１とし、第２の箇所における第１の信号線の導電膜の膜厚をｔ２、幅をｗ２とし、第３の箇所における第１の信号線の導電膜の膜厚をｔ３、幅をｗ３としたとき、膜厚の関係がｔ１＞ｔ２＞ｔ３である場合、幅の関係がｗ１＜ｗ２＜ｗ３になっている、ということを特徴とする。

これは後述する実施例にて示す製造方法により実現できるものであり、このような関係を持つ表示パネルでは、画質むらを低減することが可能となる。

なお、この場合、膜厚ｔ１と幅ｗ１の積と、膜厚ｔ２と幅ｗ２の積と、膜厚ｔ３と幅ｗ３の積が等しくなるように構成することが望ましい。

また、本発明のさらに別の実施態様をここで説明すると、本発明のＴＦＴアレイを有する液晶表示装置は、対角ＴＦＴＬ[ｃｍ]であるＴＦＴアレイ上の任意の２画素に関して、配線厚の薄い画素の幅が、配線厚の厚い画素の幅から（２．６[μｍ]÷８０[ｃｍ]）×ＴＦＴＬ[ｃｍ]を差し引いた値以上である、というものである。

さらに別の実施態様を記すと、本発明のＴＦＴアレイを有する液晶表示装置は、対角ＴＦＴＬ[ｃｍ]であるＴＦＴアレイ上の任意の２画素に関して、一方の画素の配線断面積を他方の画素の配線断面積で除した値より１を差し引いた値の絶対値が、（２．６[μｍ]÷８０[ｃｍ]）×ＴＦＴＬ[ｃｍ]を幅で除した値以下である、というものである。

さらに別の実施態様を記すと、本発明のＴＦＴアレイを有する液晶表示装置は、対角ＴＦＴＬ[ｃｍ]であるＴＦＴアレイ上の任意の２画素に関して、一方の画素の配線抵抗値を他方の画素の配線抵抗値で除した値から１を差し引いた値の絶対値が、（２．６[μｍ]÷８０[ｃｍ]）×ＴＦＴＬ[ｃｍ]を幅で除した値以下である、というものである。

本発明のTFT液晶表示装置では、TFT基板は、前述のように、第１の領域のゲート信号線の導電膜の膜厚ＧＬＤ１が前記第２の領域のゲート信号線の導電膜の膜厚ＧＬＤ２よりも薄い場合、第１の領域のゲート信号線の幅ＧＬＷ１は第２の領域のゲート信号線の導電膜の膜厚ＧＬＤ２よりも広い。そのため、第１の領域のゲート信号線の断面積ＧＬＤ１×ＧＬＷ１と、第２の領域のゲート信号線の断面積ＧＬＤ２×ＧＬＷ２の差が、従来のものに比べて小さくなり、ゲート信号線毎の配線抵抗のばらつきが低減できる。その結果、画面上の画質のばらつきを低減し、均一化することができる。

また、このようなTFT基板は、たとえば、CADレイアウトデータ等の数値データに基づいてパターンを直接描画する方法で製造することができる。このとき、透明基板上にゲート信号線形成用の導電膜を形成した後、たとえば、導電膜の膜厚分布を測定し、膜厚の薄い領域は幅を広くし、厚い領域は幅を狭くするように数値データを補正する。そして、導電膜上にエッチングレジストを形成するときに、補正した数値データに基づいてパターンを直接描画すればよい。このようにすれば、TFT基板上のすべてのゲート信号線の断面積ＧＬＤ×ＧＬＷを均一化することができる。そのため、各ゲート信号線の配線抵抗を均一化でき、画質を均一化できる。また、このような補正を行うことで、従来のように、TFT基板上の全領域で、ゲート信号線の配線抵抗が一定値以下となるように、導電膜の膜厚を厚くしたり、ゲート信号線の幅を広くしたりする必要がなくなり、液晶表示装置の性能の低下を防げる。

すなわち、本発明によれば、画面上の画質を均一化することが可能なTFT液晶表示装置を提供することができる。

以下、本発明について、図面を参照して実施の形態（実施例）とともに詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。

本発明の液晶表示装置では、TFT回路がアレイ状に配置されたTFT基板のゲート信号線について、第１の領域のゲート信号線の導電膜の膜厚および幅をそれぞれＧＬＤ１およびＧＬＷ１とし、前記第１の領域とは異なる第２の領域のゲート信号線の導電膜の膜厚および幅をそれぞれＧＬＤ２およびＧＬＷ２としたときに、ＧＬＤ１＜ＧＬＤ２であればＧＬＷ１＞ＧＬＷ２とし、第１の領域のゲート信号線の断面積ＧＬＤ１×ＧＬＷ１と、第２の領域のゲート信号線の断面積ＧＬＤ２×ＧＬＷ２がほぼ等しくなるようにすることで各ゲート信号線の配線抵抗のばらつきを小さくする。

図１乃至図５は、本発明に関わる液晶表示装置の概略構成を示す模式図である。図１は液晶表示装置全体の構成例を示す斜視図である。図２はTFT基板の概略構成を示す平面図である。図３は図２に示したTFT基板上の１画素の構成例を示す平面図である。図４は図３のＡ−Ａ’線断面図である。図５は図３のＢ−Ｂ’線断面図である。なお、図４および図５の断面図では、断面であることを表すハッチングを省略している。

本発明の液晶表示装置は、TFT液晶表示装置であり、たとえば、図１に示すように、TFT基板１と、対向基板２と、偏光板３Ａ，３Ｂと、バックライトユニット４と、フレーム５から構成される。

TFT基板１は、ガラス基板などの透明基板上にTFT回路がアレイ状に配置された基板であり、たとえば、図２に示すように、透明基板１００のｘ方向に延びる複数本のゲート信号線１０１と、ｙ方向に延びる複数本のデータ信号線１０２が設けられている。このとき、TFT基板１上の１つの画素について注目すると、たとえば、図３乃至図５に示すように、透明基板１００上にゲート信号線１０１が設けられ、ゲート信号線１０１上にゲート絶縁膜として機能する層間絶縁膜１０３を介して、データ信号線１０２，ソース電極１０４，アモルファスシリコン（a-Si）膜１０５などが設けられる。そして、ゲート信号線１０１，データ信号線１０２から分岐したドレイン電極１０２Ａ，ソース電極１０４，アモルファスシリコン膜１０５，およびゲート絶縁膜１０３によりTFT素子が構成されている。またこのとき、ソース電極１０４は、たとえば、層間絶縁膜１０６を介してITOなどの画素電極１０７と接続されている。また、透明基板１００上には、図３および図５に示したように、データ信号線１０２に沿ったシールド信号線１０８が設けられている。そして、TFT基板１上には、図３乃至図５に示したような構成の画素が、多数個、アレイ状に配置されている。

また、対向基板２は、たとえば、ガラス基板などの透明基板上にカラーフィルタが設けられた基板であり、TFT基板１のTFT素子が設けられた面と向かい合わせに配置される。このとき、図示は省略するが、TFT基板１と対向基板２は、スペーサーなどによりあらかじめ定められた間隔で保持され、TFT基板１と対向基板２の間に液晶材料が充填される。

また、TFT基板１および対向基板２を挟むように設けられた２枚の偏光板３Ａ，３Ｂは、たとえば、液晶材料に電界を印加しない状態のときにバックライトユニット４からの光が外に出ないようにするためのものである。

また、フレーム５は、TFT基板１，対向基板２，偏光板３Ａ，３Ｂ，バックライトユニット４を一体的に保持する部材である。

また、本発明の液晶表示装置では、TFT基板１のゲート信号線１０１の断面積、すなわち図３および図４に示したゲート信号線１０１の膜厚ＧＬＤと幅ＧＬＷの積ＧＬＤ×ＧＬＷが、TFT基板１上の全領域でほぼ等しくなっている。以下、液晶表示装置に用いるTFT基板１の構成に関する実施例を説明する。

図６乃至図８は、本発明による一実施例のTFT基板の概略構成を示す模式図である。図６は本実施例のTFT基板の特徴を説明するための平面図である。図７は図６のＣ−Ｃ’線断面図である。図８は図６のＤ−Ｄ’断面図である。なお、図７および図８の断面図は、断面であることを表すハッチングを省略している。また、図７および図８の断面図では、それぞれ１本のゲート信号線の周囲のみの断面を示している。

本実施例のTFT基板１は、図２乃至図５に示したような構成であり、透明基板１００上にTFT素子がアレイ状に設けられている。また、本実施例のTFT基板１を用いた液晶表示装置は、図１に示したような構成になっている。

本実施例のTFT基板１では、たとえば、図６乃至図８に示すように、あるゲート信号線（以下、第１ゲート信号線という）１０１_１の膜厚ＧＬＤ１と、第１ゲート信号線１０１_１とは異なる第２ゲート信号線１０１_２の膜厚ＧＬＤ２を比較したときに、ＧＬＤ１＜ＧＬＤ２となっていることがある。このとき、第１ゲート信号線１０１_１の幅ＧＬＷ１と第２ゲート信号線１０１_２の幅ＧＬＷ２を比較すると、図７および図８に示したように、ＧＬＷ１＞ＧＬＷ２となっている。

このとき、第１ゲート信号線１０１_１の断面積ＧＬＤ１×ＧＬＷ１と、第２ゲート信号線１０１_２の断面積ＧＬＤ２×ＧＬＷ２が等しければ、第１ゲート信号線１０１_１の配線抵抗と第２ゲート電極１０１_２の配線抵抗は等しくなる。そこで、TFT基板１上の全てのゲート信号線１０１に対して断面積ＧＬＤ×ＧＬＷが等しくなるように各ゲート信号線１０１の膜厚および幅の関係を制御できれば、全てのゲート信号線１０１の配線抵抗を等しくすることができる。そのため、TFT基板１を用いた液晶表示装置は、画面上の画質を均一化することができる。

図９乃至図１３は、本実施例のTFT基板の製造方法の一例を説明するための模式図である。図９はゲート信号線形成用の導電膜を形成する工程の平面図である。図１０は図９のＥ−Ｅ’線断面図である。図１１は従来の方法でゲート信号線を形成したときの問題点を説明する図である。図１２は従来の問題点を解決する方法の一例を示す図である。図１３は従来の問題点を解決するゲート信号線の形成手順を示すフロー図である。

本実施例のTFT基板１は、基本的には、従来と同様の手順で製造される。そのため、TFT基板１を製造する各工程や材料などの詳細な説明は省略し、特徴的な部分のみを説明する。

本実施例のTFT基板１を製造するときには、まず、図９および図１０に示すように、ガラス基板などの透明基板１００上に、ゲート電極形成用の導電膜１０１Ｚを成膜する。このとき、TFT基板１が、たとえば、パーソナル・コンピュータのディスプレイやテレビ受像器などの液晶表示装置に用いる基板であり透明基板１００の面積が広いと、導電膜１０１Ｚの膜厚が、たとえば、図１０に示すように、透明基板のｙ＝０の膜厚Ｄ_０からｙ＝Ｙの膜厚Ｄ_Ｙへと徐々に厚くなってしまうことがある。

このとき、たとえば、従来のマスクを用いて露光する方法で導電膜１０１Ｚ上にエッチングレジストを形成し、ゲート信号線１０１を形成すると、図１１に示すように、導電膜１０１Ｚの膜厚にかかわらず、あらかじめ定められた幅ＧＬＷのゲート信号線１０１_１，１０１_２が形成される。そのため、導電膜の膜厚がＧＬＤ１の領域ＰＸ１のゲート信号線１０１_１の断面積ＧＬＤ１×ＧＬＷと、導電膜の膜厚がＧＬＤ２の領域ＰＸ２のゲート信号線１０１_２の断面積ＧＬＤ２×ＧＬＷが異なり、各ゲート信号線の配線抵抗にばらつきが生じる。

そこで、エッチングレジストを形成するときには、CADレイアウトデータなどの数値データに基づいてレジスト膜にパターンを直接描画する方法を用いる。パターンを直接描画する方法を用いる場合、たとえば、透明基板１００上に導電膜１０１Ｚを形成した後、導電膜１０１Ｚの膜厚分布を測定し、導電膜が薄い領域はゲート信号線の幅を広くし、厚い領域は幅を狭くするように、数値データを補正する。そして、補正した数値データに基づいてパターンを描画し、エッチングレジストを形成する。このとき、数値データは、たとえば、図１２に示すように、領域ＰＸ１のゲート信号線１０１_１の幅をＧＬＷ１とし、領域ＰＸ２のゲート信号線１０１_２の幅をＧＬＷ２とすれば、ＧＬＷ１＞ＧＬＷ２となるように補正する。またこのとき、数値データは、たとえば、領域ＰＸ１のゲート信号線１０１_１の断面積ＧＬＤ１×ＧＬＷ１と、領域ＰＸ２のゲート信号線１０１_２の断面積ＧＬＤ２×ＧＬＷ２が等しくなるように補正することが好ましい。なお、図１２では、２つの領域ＰＸ１，ＰＸ２のみを比較した補正の例を示しているが、実際には、導電膜１０１Ｚの全ての領域で膜厚を測定し、各領域の膜厚に応じた幅に数値データを補正する。

そして、前述のような補正をした数値データに基づいて前記導電膜１０１Ｚ上にエッチングレジストを形成し、ゲート信号線１０１_１，１０１_２を形成すると、透明基板１００上の全てのゲート信号線の断面積がほぼ等しくなり、各ゲート信号線の配線抵抗のばらつきを低減することができる。

このようなゲート信号線の形成手順をまとめると、図１３に示したようになる。すなわち、まず、図１３に示したように、ガラス基板１００上にゲート信号線形成用の導電膜１０１Ｚを形成する（ステップ６０１）。次に、成膜した導電膜１０１Ｚの膜厚分布を測定する（ステップ６０２）。次に、導電膜１０１Ｚの膜厚分布に基づいて各ゲート信号線１０１の幅を決定し、描画用の数値データを補正する（ステップ６０３）。次に、導電膜１０１Ｚ上にレジスト膜を形成し、更新した数値データを用いてパターンを描画し、現像してエッチングレジストを形成する（ステップ６０４）。その後、導電膜１０１Ｚをエッチングしてゲート信号線１０１を形成し、エッチングレジストを除去する（ステップ６０５）。このようにすることで、たとえば、図１２に示したように透明基板１００上の全てのゲート信号線の断面積をほぼ等しくすることができる。

また、図１３に示したような手順でゲート信号線１０１を形成した後は、従来のTFT基板１の製造方法と同様の手順でTFT素子や画素電極１０７を形成すればよい。

以上説明したように、本実施例のTFT基板１によれば、透明基板１００上の全てのゲート信号線１０１の断面積ＧＬＤ×ＧＬＷがほぼ一定であるため、各ゲート信号線の配線抵抗のばらつきが小さい。そのため、本実施例のTFT基板１を用いた液晶表示装置は、画面上の画質のばらつきを低減することができる。

また、ゲート信号線１０１を、たとえば、図１３に示したような手順で形成することで、従来のように、TFT基板１上の全領域で、ゲート信号線１０１の配線抵抗が一定値以下となるように、導電膜の膜厚を厚くしたり、ゲート信号線の幅を広くしたりする必要がなくなり、液晶表示装置の性能の低下を防げる。

また、本実施例では、たとえば、図６乃至図８に示したように、透明基板１００上の異なるゲート信号線１０１_１，１０１_２の配線抵抗のばらつきを低減する例を示したが、これに限らず、１本のゲート信号線で膜厚にばらつきがある場合などにも、本実施例のようにすることで、配線抵抗のばらつきを低減できる。

図１４乃至図１７は、ゲート信号線の導電膜の膜厚のばらつきが生じる２つの領域の関係を示す模式図である。図１４はデータ信号線が共通でゲート信号線が異なる場合の図である。図１５はゲート信号線が共通でデータ信号線が異なる場合の図である。図１６はゲート信号線およびデータ信号線がともに異なる場合の図である。図１７はデータ信号線が共通でゲート電極が異なる場合の別の例を示す図である。

透明基板１００上の任意の２つの領域ＰＸ１，ＰＸ２のゲート信号線の導電膜の膜厚を比較したときに、膜厚が異なる場合が生じる各領域ＰＸ１，ＰＸ２の位置関係としては、たとえば、まず、図１４に示すように、データ信号線１０２が共通でゲート信号線１０１_１，１０１_２が大きく離れている位置関係が挙げられる。このとき、たとえば、透明基板１００上に形成した導電膜１０１Ｚの膜厚分布がｙ方向でばらついていれば、領域ＰＸ１と領域ＰＸ２の膜厚が異なる。

また、その他にも、たとえば、図１５に示すように、２つの領域ＰＸ１，ＰＸ２が、ゲート信号線１０１が共通でデータ信号線１０２が異なるような位置関係でも膜厚にばらつきが生じることがある。このような場合も、たとえば、図１３に示したような手順で１本のゲート信号線のｘ方向の膜厚の変化に基づいて幅を変化させるように数値データを補正してゲート信号線１０１を形成することで、１本のゲート信号線内の配線抵抗のばらつきを低減できる。

また、たとえば、図１６に示すように、２つの領域ＰＸ１，ＰＸ２が、ゲート信号線１０１_１，１０１_２およびデータ信号線１０２がともに異なるような位置関係でも膜厚にばらつきが生じることがある。このような場合も、たとえば、図１３に示したような手順で各領域ＰＸ１，ＰＸ２の導電膜の膜厚に応じた幅に数値データを補正してゲート信号線１０１_１，１０１_２を形成することで、各領域ＰＸ１，ＰＸ２のゲート信号線１０１_１，１０１_２の配線抵抗のばらつきを低減できる。

またさらに、図１４に示した例では、データ信号線１０２が同一でゲート信号線１０１_１，１０１_２が異なり、かつ、２本のゲート信号線１０１_１，１０１_２が大きく離れている位置関係になっているが、これに限らず、たとえば、図１７に示すように、２つの領域ＰＸ１，ＰＸ２が隣接している場合でも、膜厚にばらつきが生じることがある。このような場合も、たとえば、図１３に示したような手順で各領域ＰＸ１，ＰＸ２の導電膜の膜厚に応じた幅に数値データを補正してゲート信号線１０１_１，１０１_２を形成することで、各領域ＰＸ１，ＰＸ２のゲート信号線１０１_１，１０１_２の配線抵抗のばらつきを低減できる。

以上の実施例では、液晶表示装置の表示領域における任意の２箇所（２画素）のゲート信号線の導電膜の膜厚と幅の関係について説明した。

以後、前述した実施例を前提とし、液晶表示装置のある特定の３箇所のゲート信号線の導電膜の膜厚と幅の関係について説明する。

現在、液晶表示装置の表示パネルに用いられるTFT基板１や対向基板２などの基板は、たとえば、１枚のマザーガラスから２面の基板を切り出したり、４面の表示パネルを切り出したりして製造されている。

図１８は、１枚のマザーガラスから２枚の基板を切り出す場合の例えばゲート信号線を構成する導電膜の膜厚分布を示す模式図である。実際には前述したように、このような導電膜を、レジスト膜を用いて所望の形状の電極に形成する。

１枚のマザーガラスから２枚の基板を切り出す、いわゆる２面取りの場合、図１８に示すように、マザーガラス７に、２個の基板として切り出す領域７０１，７０２がある。この２個の領域７０１，７０２にはそれぞれ、たとえば、図２乃至図５に示したような構成のTFT基板１が形成される。そして、TFT基板１を形成した後、マザーガラス７から２個の領域７０１，７０２を切り出して、表示パネルを形成する。

このような２面取りの場合、マザーガラス７の各領域７０１，７０２に、複数本の第１配線（たとえばゲート信号線１０１）を形成するために、まず導電膜を成膜するが、その膜厚の分布は、たとえば、図１８に示すように、マザーガラス７上の中心Ｐを中心とする同心円ＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４で表すことができる。このとき、導電膜の膜厚は、中心Ｐを含む同心円ＢＬ１の内側の領域、同心円ＢＬ１の外側でありかつ同心円ＢＬ２の内側の領域、同心円ＢＬ２の外側でありかつ同心円ＢＬ３の内側の領域、同心円ＢＬ３の外側でありかつ同心円ＢＬ４の内側の領域の順に薄くなっていく。また、各領域の中でも、中心Ｐから遠ざかるにつれて、導電膜の膜厚はだんだんと薄くなっていく。同心円ＢＬ４の外側の領域も、中心Ｐから遠ざかるにつれて、導電膜の膜厚がだんだんと薄くなっていく。これは、金属を形成する際に、たとえば、ターゲットスパッタリング法により形成するためである。なお、基板上に絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により形成する場合にも、同様の膜厚分布が見られる。

図１９は、１枚のマザーガラスから４枚の基板を切り出す場合の導電膜の膜厚分布を示す模式図である。

１枚のマザーガラスから４枚の基板を切り出す、いわゆる４面取りの場合、図１９に示すように、マザーガラス７に、４個の基板として切り出す領域７１１，７１２，７１３，７１４がある。この４個の領域７１１〜７１４にはそれぞれ、たとえば、図２乃至図５に示したような構成のTFT基板１が形成される。そして、TFT基板１を形成した後、マザーガラス７から４個の領域７１１〜７１４を切り出して表示パネルを形成する。

このような４面取りの場合、マザーガラス７の４個の領域７１１〜７１４に、導電膜を成膜すると、その膜厚の分布は、たとえば、図１９に示すように、マザーガラス７上の中心Ｐを中心とする同心円ＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４で表すことができる。このとき、導電膜の膜厚は、中心Ｐを含む同心円ＢＬ１の内側の領域、同心円ＢＬ１の外側でありかつ同心円ＢＬ２の内側の領域、同心円ＢＬ２の外側でありかつ同心円ＢＬ３の内側の領域、同心円ＢＬ３の外側でありかつ同心円ＢＬ４の内側の領域の順に薄くなっていく。また、各領域の中でも、中心Ｐから遠ざかるにつれて、導電膜の膜厚はだんだんと薄くなっていく。また、同心円ＢＬ４の外側の領域も、中心Ｐから遠ざかるにつれて、導電膜の膜厚がだんだんと薄くなっていく。

図２０は、１枚のマザーガラスから６枚の基板を切り出す場合の導電膜の膜厚分布を示す模式図である。

１枚のマザーガラスから６枚の基板を切り出す、いわゆる６面取りの場合、図２０に示すように、マザーガラス７に、６個の基板として切り出す領域７２１，７２２，７２３，７２４，７２５，７２６がある。この６個の領域７２１〜７２６にはそれぞれ、たとえば、図２乃至図５に示したような構成のTFT基板１が形成される。そして、TFT基板１を形成した後、マザーガラス７から６個の領域７２１〜７２６を切り出して、表示パネルを形成する。

このような６面取りの場合、マザーガラス７の６個の領域７２１〜７２６に、導電膜を成膜すると、その膜厚の分布は、たとえば、図２０に示すように、マザーガラス７上の中心Ｐを中心とする同心円ＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４で表すことができる。このとき、導電膜の膜厚は、中心Ｐを含む同心円ＢＬ１の内側の領域、同心円ＢＬ１の外側でありかつ同心円ＢＬ２の内側の領域、同心円ＢＬ２の外側でありかつ同心円ＢＬ３の内側の領域、同心円ＢＬ３の外側でありかつ同心円ＢＬ４の内側の領域の順に薄くなっていく。また、各領域の中でも、中心Ｐから遠ざかるにつれて、導電膜の膜厚はだんだんと薄くなっていく。また、同心円ＢＬ４の外側の領域も、中心Ｐから遠ざかるにつれて、導電膜の膜厚がだんだんと薄くなっていく。

図２１は、１枚のマザーガラスから１５枚の基板を切り出す場合の導電膜の膜厚分布を示す模式図である。

１枚のマザーガラスから１５枚の基板を切り出す、いわゆる１５面取りの場合、図２１に示すように、マザーガラス７に、１５個の、基板として切り出す領域７３１，７３２，７３３，７３４，７３５，７３６，７３７，７３８，７３９，７４０，７４１，７４２，７４３，７４４，７４５がある。この１５個の領域７３１〜７４５にはそれぞれ、たとえば、図２乃至図５に示したような構成のTFT基板１が形成される。そして、TFT基板１を形成した後、マザーガラス７から１５個の領域７３１〜７４５を切り出して、表示パネルを形成する。

このような１５面取りの場合、マザーガラス７の１５個の領域７３１〜７４５に、導電膜を成膜すると、その膜厚の分布は、たとえば、図２１に示すように、マザーガラス７上の中心Ｐを中心とする同心円ＢＬ１，ＢＬ２，ＢＬ３，ＢＬ４で表すことができる。このとき、導電膜の膜厚は、中心Ｐを含む同心円ＢＬ１の内側の領域、同心円ＢＬ１の外側でありかつ同心円ＢＬ２の内側の領域、同心円ＢＬ２の外側でありかつ同心円ＢＬ３の内側の領域、同心円ＢＬ３の外側でありかつ同心円ＢＬ４の内側の領域の順に薄くなっていく。また、各領域の中でも、中心Ｐから遠ざかるにつれて、導電膜の膜厚はだんだんと薄くなっていく。また、同心円ＢＬ４の外側の領域も、中心Ｐから遠ざかるにつれて、導電膜の膜厚がだんだんと薄くなっていく。

ここで、図１８乃至図２１に示したように、１枚のマザーガラス７から多面取りを行う場合に切り出される各領域、つまり１枚の基板における金属の膜厚の分布は、次の４つのパターンに分類されることがわかる。

１つめのパターンは、絶縁膜の膜厚の分布が、たとえば、図１８に示した領域７０１や、図２１に示した領域７３７，７３９のようになるパターンである。この１つめのパターンの特徴について、図２２を用いて説明する。

図２２は、１枚の基板における導電膜の膜厚分布の１つめのパターンを説明するための模式図である。

導電膜の膜厚分布の１つめのパターンを説明するにあたって、図２２に示すように、２面取りの場合におけるマザーガラス７の１つの領域７０１を例に挙げる。図２２において、１０１_１，１０１_２は、表示領域における最外に配置されているゲート信号線を示しており、１０２_１，１０２_２は、表示領域における最外に配置されているデータ信号線を示している。つまり、この２本のゲート信号線１０１_１，１０１_２と、２本のデータ信号線１０２_１，１０２_２に囲まれた領域が、本発明でいうところの表示領域（本発明で言えば矩形の表示領域）となる。そして、この表示領域には、図示していない複数本のゲート信号線、表示領域の中央部に配置されたデータ信号線１０２_３および図示していない複数本のデータ信号線が配置されている。

１つめのパターンでは、図２２に示した領域７０１内の表示領域における最外側のゲート信号線１０１_２の中央部分、すなわちドレイン信号線１０２_３と交差する点Ｃ１におけるゲート信号線の導電膜の膜厚ｔ１が一番厚くなる。そして、表示領域における点Ｃ１の延長上で最外側のドレイン信号線１０２_１と交差する点Ｃ２のゲート信号線の導電膜の膜厚ｔ２は、点Ｃ１におけるゲート信号線の導電膜の膜厚ｔ１よりも薄くなる。また、表示領域におけるデータ信号線１０２_１が表示領域のもう一方の最外側のゲート信号線１０１_１と交差する点Ｃ３のゲート信号線の導電膜の膜厚ｔ３は、点Ｃ２のゲート信号線の導電膜の膜厚ｔ２よりも薄くなる。

そして、基板上に複数本のゲート信号線を配置し、その上に絶縁膜を配置し、さらにこの絶縁膜の上に、複数本のゲート信号線と交差するように複数本のデータ信号線を配置した本発明のような表示装置におけるゲート信号線の導電膜の膜厚と幅の関係では、基板（領域７０１）の表示領域における最外側のゲート信号線の中央における膜厚をｔ１、幅をｗ１、この最外側のゲート信号線が表示領域における最外側のデータ信号線と交差する箇所におけるゲート信号線の導電膜の膜厚をｔ２、幅をｗ２、このデータ信号線が表示領域の反対側の最外側のゲート信号線と交差する箇所におけるゲート信号線の導電膜の膜厚をｔ３、幅をｗ２とすると、ｔ１＞ｔ２＞ｔ３の関係であり、かつ、ｗ１＜ｗ２＜ｗ３の関係となるというものである。これが、１つめのパターンにおける導電膜、即ちゲート信号線の導電膜の膜厚と幅の関係の特徴である。

この場合、夫々の箇所の膜厚と幅の積、ｔ１×ｗ１と、ｔ２×ｗ２と、ｔ３×ｗ３が等しくなうように構成することが望ましい。

１つめのパターンの表示装置の特徴を整理すると、基板上に例えばゲート信号線のような複数の第１の信号線と、この複数の第１の信号線の上方に例えばゲート絶縁膜のような絶縁膜を介して交差するように配置された例えばデータ信号線のような複数の第２の信号線が配置され、この複数の第１の信号線と複数の第２の信号線により矩形の表示領域を形成した表示装置であって、表示領域における第１の信号線と第２の信号線が交差する任意の３箇所において、第１の箇所における第１の信号線の導電膜の膜厚をｔ１、幅をｗ１とし、第２の箇所における第１の信号線の導電膜の膜厚をｔ２、幅をｗ２とし、第３の箇所における第１の信号線の導電膜の膜厚をｔ３、幅をｗ３としたとき、膜厚の関係がｔ１＞ｔ２＞ｔ３である場合、幅の関係がｗ１＜ｗ２＜ｗ３となっており、第１の箇所は、表示領域の最も上側に配置された第１の信号線の中央部であり、第２の箇所は、最も上側の第１の信号線が表示領域の最も外側に配置された第２の信号線と交差する箇所であり、第３の箇所は、第２の箇所の第２の信号線が表示領域の最も下側に配置された第１の信号線と交差する箇所である、ということになる。

また、第１の箇所は、表示領域の最も下側に配置された第１の信号線の中央部であり、第２の箇所は、最も下側の第１の信号線が表示領域の最も外側に配置された第２の信号線と交差する箇所であり、第３の箇所は、第２の箇所の第２の信号線が表示領域の最も上側に位置する第１の信号線と交差する箇所である、という場合もある。

なお、図２２には、１つめのパターンの例として２面取りの場合を挙げているが、図２１に示した１５面取りの場合における領域７３７，７３９も、同様の関係（特徴）を持つことはもちろんである。

このような関係を持つ表示パネルでは、画質むらを低減することが可能となる。

次に、２つめのパターンを説明する。２つめのパターンは、導電膜の膜厚の分布が、図２０に示した領域７２２，７２５や、図２１に示した領域７３２，７３５，７４１，７４４のようになるパターンである。この２つめのパターンの特徴について、図２３を用いて説明する。

図２３は、１枚の基板における導電膜の膜厚分布の２つめのパターンを説明するための模式図である。

導電膜の膜厚分布の２つめのパターンを説明するにあたっては、図２３に示すように、６面取りの場合におけるマザーガラス７の１つの領域７２２を例に挙げる。図２３において、１０１_１，１０１_２は、表示領域における最外に配置されているゲート信号線を示しており、１０２_１，１０２_２は表示領域における最外に配置されているデータ信号線を示している。つまり、この２本のゲート信号線１０１_１，１０１_２と、２本のデータ信号線１０２_１，１０２_２に囲まれた領域が、本発明でいうところの表示領域となる。そして、この表示領域には、表示領域の中央部に配置されたゲート信号線１０１_３および図示していない複数本のゲート信号線、図示していない複数本のデータ信号線が配置されている。

２つめのパターンでは、図２３に示した領域７２２内の表示領域における最外側のデータ信号線１０２_２の中央部分、すなわちゲート信号線１０１_３と交差する点Ｃ１におけるゲート信号線となる導電膜の膜厚ｔ１が一番厚くなる。そして、表示領域における点Ｃ１の延長上で最外側のゲート信号線１０１_１が交差する点Ｃ２のゲート信号線の導電膜の膜厚ｔ２は、点Ｃ１におけるゲート信号線の導電膜の膜厚ｔ１よりも薄くなる。また、表示領域におけるゲート信号線１０１_１が表示領域のもう一方の最外側のデータ信号線１０２_１と交差する点Ｃ３のゲート信号線の導電膜の膜厚ｔ３は、点Ｃ２のゲート信号線の導電膜の膜厚ｔ２よりも薄くなる。

そして、基板上に複数本のゲート信号線を配置し、その上に絶縁膜を配置し、さらにこの絶縁膜の上に、複数本のゲート信号線と交差するように複数本のデータ信号線を配置した本発明のような表示装置におけるゲート信号線の導電膜の膜厚と幅の関係では、基板（領域７２２）の表示領域における最外側のデータ電極の中央におけるゲート信号線の導電膜の膜厚をｔ１、幅をｗ１、この最外側のデータ信号線が表示領域における最外側ゲート信号線と交差する箇所におけるゲート信号線の導電膜の膜厚をｔ２、幅をｗ２、このゲート信号線が表示領域の反対側の最外側のデータ信号線と交差する箇所におけるゲート信号線の導電膜の膜厚をｔ３、幅をｗ３とすると、ｔ１＞ｔ２＞ｔ３の関係であり、かつ、ｗ１＜ｗ２＜ｗ３の関係となるというものである。これが、２つめのパターンにおけるゲート信号線の導電膜の膜厚と幅の関係の特徴である。

この場合、夫々の箇所の膜厚と幅の積、ｔ１×ｗ１と、ｔ２×ｗ２と、ｔ３×ｗ３が等しくなうように構成することが望ましい。

２つめのパターンの表示装置の特徴を整理すると、基板上に例えばゲート信号線のような複数の第１の信号線と、この複数の第１の信号線の上方に例えばゲート絶縁膜のような絶縁膜を介して交差するように配置された例えばデータ信号線のような複数の第２の信号線が配置され、この複数の第１の信号線と複数の第２の信号線により矩形の表示領域を形成した表示装置であって、表示領域における第１の信号線と第２の信号線が交差する任意の３箇所において、第１の箇所における第１の信号線の導電膜の膜厚をｔ１、幅をｗ１とし、第２の箇所における第１の信号線の導電膜の膜厚をｔ２、幅をｗ２とし、第３の箇所における第１の信号線の導電膜の膜厚をｔ３、幅をｗ３としたとき、膜厚の関係がｔ１＞ｔ２＞ｔ３である場合、幅の関係がｗ１＜ｗ２＜ｗ３となっており、第１の箇所は、表示領域の最も左側に配置された第２の信号線の中央部であり、第２の箇所は、最も左側の第２の信号線が表示領域の最も上側若しくは最も下側に配置された第１の信号線と交差する箇所であり、第３の箇所は、第２の箇所の第１の信号線が表示領域の最も右側に配置された第２の信号線と交差する箇所である、ということになる。

また、第１の箇所は、表示領域の最も右側に配置された第２の信号線の中央部であり、第２の箇所は、最も右側の第２の信号線が表示領域の最も上側若しくは最も下側に配置された第１の信号線と交差する箇所であり、第３の箇所は、第２の箇所の第１の信号線が表示領域の最も左側に配置された第２の信号線と交差する箇所である、という場合もある。

なお、図２３には、２つめのパターンの例として６面取りの場合を挙げているが、図２１に示した１５面取りの場合における領域７３２，７３５，７４１，７４４も、同様の関係（特徴）を持つことはもちろんである。

このような関係の表示パネルでは、画質むらを低減することが可能となる。

次に、３つめのパターンを説明する。３つめのパターンは、導電膜の膜厚の分布が、図１９に示した領域７１１，７１２，７１３，７１４、図２０に示した領域７２１，７２３，７２４，７２６、図２１に示した領域７３１，７３３，７３４，７３６，７４０，７４２，７４３，７４５のようになるパターンである。この３つめのパターンの特徴について、図２４を用いて説明する。

図２４は、１枚の基板における導電膜の膜厚分布の３つめのパターンを説明するための模式図である。

導電膜の膜厚分布の３つめのパターンを説明するにあたっては、図２４に示すように、４面取りの場合におけるマザーガラス７の１つの領域７１１を例に挙げる。図２４において、１０１_１，１０１_２は、表示領域における最外に配置されているゲート信号線を示しており、１０２_１，１０２_２は表示領域における最外に配置されているデータ信号線を示している。つまり、この２本のゲート信号線１０１_１，１０１_２と、２本のデータ信号線１０２_１，１０２_２に囲まれた領域が、本発明でいうところの表示領域となる。そして、この表示領域には、図示していない複数本のゲート信号線、図示していない複数本のデータ信号線が配置されている。

３つめのパターンでは、図２４に示した領域７１１内の表示領域における最外側のゲート信号線１０１_２とデータ信号線１０２_２が交差する点Ｃ１（角部）におけるゲート信号線の導電膜の膜厚ｔ１が一番厚くなる。そして、表示領域における点Ｃ１の延長上でもう一方の最外側のデータ信号線１０２_１と交差する点Ｃ２のゲート信号線の導電膜の膜厚ｔ２は、点Ｃ１におけるゲート信号線の導電膜の膜厚ｔ１よりも薄くなる。また、表示領域における点Ｃ１とは対角に位置する点Ｃ３のゲート信号線の導電膜の膜厚ｔ３は、点Ｃ２のゲート信号線の導電膜の膜厚ｔ２よりも薄くなる。

そして、基板上に複数本のゲート信号線を配置し、その上に絶縁膜を配置し、さらにこの絶縁膜の上に、複数本のゲート信号線と交差するように複数本のデータ信号線を配置した本発明のような表示装置におけるゲート信号線の導電膜の膜厚と幅の関係では、基板（領域７１１）の表示領域における最外側のゲート信号線とデータ信号線が交差する箇所（すなわちある角部）におけるゲート信号線の導電膜の膜厚をｔ１、膜厚をｗ１、この角部から延長されたゲート信号線がデータ信号線と交差する箇所におけるゲート信号線の導電膜の膜厚をｔ２、幅をｗ２、表示領域におけるゲート信号線の導電膜の膜厚がｔ１である箇所と対角の位置の箇所におけるゲート信号線の導電膜の膜厚をｔ３、幅をｗ３とすると、ｔ１＞ｔ２＞ｔ３の関係であり、かつ、ｗ１＜ｗ２＜ｗ３の関係になるというものである。これが、３つめのパターンにおけるゲート信号線の導電膜の膜厚と幅の関係の特徴である。

この場合、夫々の箇所の膜厚と幅の積、ｔ１×ｗ１と、ｔ２×ｗ２と、ｔ３×ｗ３が等しくなうように構成することが望ましい。

３つめのパターンの表示装置の特徴を整理すると、基板上に例えばゲート信号線のような複数の第１の信号線と、この複数の第１の信号線の上方に例えばゲート絶縁膜のような絶縁膜を介して交差するように配置された例えばデータ信号線のような複数の第２の信号線が配置され、この複数の第１の信号線と複数の第２の信号線により矩形の表示領域を形成した表示装置であって、表示領域における第１の信号線と第２の信号線が交差する任意の３箇所において、第１の箇所における第１の信号線の導電膜の膜厚をｔ１、幅をｗ１とし、第２の箇所における第１の信号線の導電膜の膜厚をｔ２、幅をｗ２とし、第３の箇所における第１の信号線の導電膜の膜厚をｔ３、幅をｗ３としたとき、膜厚の関係がｔ１＞ｔ２＞ｔ３である場合、幅の関係がｗ１＜ｗ２＜ｗ３となっており、この３箇所は、表示領域の最も外側に配置された２本の第１の信号線と、最も外側に配置された２本の第２の信号線が交差する４箇所のうちのいずれかの３箇所である、ということになる。さらに詳しく言えば、第１の箇所と第３の箇所は、表示領域のうちの対角に位置しているということになる。

なお、図２４には、３つめのパターンの例として４面取りの場合の１つの領域７１１を挙げているが、４面取りの場合、残りの領域７１２〜７１４も、同様の関係（特徴）を持つ。また、４面取りの場合に限らず、図２０に示した６面取りの場合における領域７２１，７２３，７２４，７２６、図２１に示した１５面取りの場合における領域７３１，７３３，７３４，７３６，７４０，７４２，７４３，７４５も、同様の関係（特徴）を持つことはもちろんである。

このような関係の表示パネルでは、画質むらを低減することが可能となる。

最後に、４つめのパターンを説明する。４つめのパターンは、導電膜の膜厚の分布が、図２１に示した領域７３８のようになるパターンである。この４つめのパターンの特徴について、図２５を用いて説明する。

図２５は、１枚の基板における導電膜の膜厚分布の４つめのパターンを説明するための模式図である。

導電膜の膜厚分布の４つめのパターンを説明するにあたっては、図２５に示すように、１５面取りの場合におけるマザーガラス７の１つの領域７３８を例に挙げる。図２５において、１０１_１，１０１_２は、表示領域における最外に配置されているゲート信号線を示しており、１０２_１，１０２_２は表示領域における最外に配置されているデータ信号線を示している。つまり、この２本のゲート信号線１０１_１，１０１_２と、２本のデータ信号線１０２_１，１０２_２に囲まれた領域が、本発明でいうところの表示領域となる。この表示領域には、表示領域の中央部に配置されたゲート信号線１０１_３、同じく表示領域の中央部にゲート信号線１０１_３と交差するように配置されたデータ信号線１０２_３のほか、図示していない複数本のゲート信号線および複数本のデータ信号線が配置されている。

４つめのパターンでは、図２５に示した領域７３８内の表示領域における中心Ｃ１（すなわち、ゲート信号線１０１_３とデータ信号線１０２_３が交差する箇所）におけるゲート信号線の導電膜の膜厚ｔ１が一番厚くなる。そして、表示領域における点Ｃ１の延長上でゲート信号線１０１_３と交差する点Ｃ２のゲート信号線の導電膜の膜厚ｔ２は、点Ｃ１におけるゲート信号線の導電膜の膜厚ｔ１よりも薄くなる。また、表示領域における最外側のゲート信号線１０１_１とデータ信号線１０２_２が交差する点Ｃ３（角部）のゲート信号線の導電膜の膜厚ｔ３が、点Ｃ２のゲート信号線の導電膜の膜厚ｔ２よりも薄くなる。

そして、基板上に複数本のゲート信号線を配置し、その上に絶縁膜を配置し、さらにこの絶縁膜の上に、複数本のゲート信号線と交差するように複数本のデータ信号線を配置した本発明のような表示装置におけるゲート信号線の導電膜の膜厚と幅の関係では、基板（領域７３８）の表示領域における中心部（点Ｃ１）におけるゲート信号線の導電膜の膜厚をｔ１、幅をｗ１、この中心部におけるデータ信号線が最外側のゲート信号線と交差する箇所におけるゲート信号線の導電膜の膜厚をｔ２、幅をｗ２、表示領域における角部のゲート信号線の導電膜の膜厚をｔ３、幅をｗ３とすると、ｔ１＞ｔ２＞ｔ３の関係であり、かつ、ｗ１＜ｗ２＜ｗ３の関係となるというものである。これが、４つめのパターンにおける絶縁膜の膜厚と第２配線の幅の関係の特徴の１つである。

この場合、夫々の箇所の膜厚と幅の積、ｔ１×ｗ１と、ｔ２×ｗ２と、ｔ３×ｗ３が等しくなうように構成することが望ましい。

４つめのパターンの表示装置の特徴を整理すると、基板上に例えばゲート信号線のような複数の第１の信号線と、この複数の第１の信号線の上方に例えばゲート絶縁膜のような絶縁膜を介して交差するように配置された例えばデータ信号線のような複数の第２の信号線が配置され、この複数の第１の信号線と複数の第２の信号線により矩形の表示領域を形成した表示装置であって、表示領域における第１の信号線と第２の信号線が交差する任意の３箇所において、第１の箇所における第１の信号線の導電膜の膜厚をｔ１、幅をｗ１とし、第２の箇所における第１の信号線の導電膜の膜厚をｔ２、幅をｗ２とし、第３の箇所における第１の信号線の導電膜の膜厚をｔ３、幅をｗ３としたとき、膜厚の関係がｔ１＞ｔ２＞ｔ３である場合、幅の関係がｗ１＜ｗ２＜ｗ３となっており、第１の箇所は、表示領域の中央部の第１の信号線と第２の信号線が交差する箇所であり、第２の箇所は、最も上側若しくは最も下側の第１の信号線が、第１の箇所に交差している第２の信号線と交差する箇所であり、第３の箇所は、第２の箇所の第１の信号線が表示領域の最も外側に配置された第２の信号線と交差する箇所である、ということになる。

なお、図２５には、４つめのパターンの例として１５面取りの場合の１つの領域７３８を挙げているが、１５面取りに限らず、たとえば、３面×３面の９面取りの場合の中央の領域でも、同様の関係（特徴）を持つことはもちろんである。

このような関係の表示パネルでは、画質むらを低減することが可能となる。

なお、図２２乃至図２５に沿って説明した４通りの関係のうちのいずれか関係を有する表示パネルは、前述のような方法で作製することができるものである。

また、上述の実施例は、ゲート信号線を例に挙げて説明したものであるが、面内の配線若しくは電極の厚さにばらつきがある場合に、幅、若しくは電極幅を変えることによって調整するという発明の思想は、ゲート信号線に限らず、他の配線、電極にも応用できる。

例えば、前述した図３は各画素の構成を示したものであるが、この各画素に配置されている配線も、ゲート信号線のように大判のマザーガラスに例えばターゲットスパッタリング法により各配線、若しくは電極の基となる導電膜（金属膜）を形成して構成するので、ゲート信号線と同様に、図１８〜図２５に示した導電膜の分布となる。

図３では、例えば、データ信号線１０２についてもゲート信号線１０１において説明したのと同様な導電膜の分布となっている。そのため、図２２に示したような１つめのパターンの場合では、表示領域における最外側のゲート信号線１０１_２の中央部分、すなわちデータ信号線１０２_３と交差する点Ｃ１におけるデータ信号線の導電膜の膜厚ｔ１が一番厚くなる。そして、表示領域における点Ｃ１の延長上で最外側のデータ信号線１０２_１と交差する点Ｃ２のデータ信号線の導電膜の膜厚ｔ２は、点Ｃ１におけるデータ信号線の導電膜の膜厚ｔ１よりも薄くなる。また、表示領域におけるデータ信号線１０２_１が表示領域のもう一方の最外側のゲート信号線１０１_１と交差する点Ｃ３のデータ信号線の導電膜の膜厚ｔ３は、点Ｃ２のデータ信号線の導電膜の膜厚ｔ２よりも薄くなる。

さらに、図２３に示したような２つめのパターンの場合では、表示領域における最外側のデータ信号線１０２_２の中央部分、すなわちゲート信号線１０１_３と交差する点Ｃ１におけるデータ信号線となる導電膜の膜厚ｔ１が一番厚くなる。そして、表示領域における点Ｃ１の延長上で最外側のゲート信号線１０１_１が交差する点Ｃ２のデータ信号線の導電膜の膜厚ｔ２は、点Ｃ１におけるデータ信号線の導電膜の膜厚ｔ１よりも薄くなる。また、表示領域におけるゲート信号線１０１_１が表示領域のもう一方の最外側のデータ信号線１０２_１と交差する点Ｃ３のデータ信号線の導電膜の膜厚ｔ３は、点Ｃ２のデータ信号線の導電膜の膜厚ｔ２よりも薄くなる。

さらに、図２４に示したような３つめのパターンの場合では、表示領域における最外側のゲート信号線１０１_２とデータ信号線１０２_２が交差する点Ｃ１（角部）におけるデータ信号線の導電膜の膜厚ｔ１が一番厚くなる。そして、表示領域における点Ｃ１の延長上でもう一方の最外側のデータ信号線１０２_１と交差する点Ｃ２のデータ信号線の導電膜の膜厚ｔ２は、点Ｃ１におけるデータ信号線の導電膜の膜厚ｔ１よりも薄くなる。また、表示領域における点Ｃ１とは対角に位置する点Ｃ３のデータ信号線の導電膜の膜厚ｔ３は、点Ｃ２のデータ信号線の導電膜の膜厚ｔ２よりも薄くなる。

さらに、図２５に示したような４つめのパターンでは、表示領域における中心Ｃ１（すなわち、ゲート信号線１０１_３とデータ信号線１０２_３が交差する箇所）におけるデータ信号線の導電膜の膜厚ｔ１が一番厚くなる。そして、表示領域における点Ｃ１の延長上でゲート信号線１０１_３と交差する点Ｃ２のデータ信号線の導電膜の膜厚ｔ２は、点Ｃ１におけるデータ信号線の導電膜の膜厚ｔ１よりも薄くなる。また、表示領域における最外側のゲート信号線１０１_１とデータ信号線１０２_２が交差する点Ｃ３（角部）のデータ信号線の導電膜の膜厚ｔ３が、点Ｃ２のデータ信号線の導電膜の膜厚ｔ２よりも薄くなる。

ところで、上述の実施例では、TFT基板１の１つの画素の構成例として、図３乃至図５に示したような構成を挙げ、ゲート信号線１０１の膜厚と幅の関係、データ信号線１０２の膜厚と幅の関係について説明した。しかしながら、本発明の表示装置における各画素の構成、とくにTFTの構成は、図３乃至図５に示したような構成に限らず、別の構成であってもよいことはもちろんである。

図２６は、TFT基板上の１画素の別の構成例を示す模式平面図である。図２７は、図２６のＦ−Ｆ’線断面図である。図２８は、図２６のＧ−Ｇ’線断面図である。

本発明の液晶表示装置に用いられる液晶表示パネルのTFT基板１は、たとえば、図２６乃至図２８に示すように、ゲート信号線１０１に並行してストレージ線ＳＬが配置されている。

図２６乃至図２８に示した画素構造について簡単に説明する。図２６では２本のデータ信号線１０２と２本のゲート信号線１０１に囲まれた領域に対応して画素が構成されており、上側のゲート信号線に並行してストレージ線ＳＬが配置されている。また、ゲート信号線１０１とデータ信号線１０２の交差部に対応した箇所にはトランジスタ（TFT素子）が形成されており、このトランジスタに貫通穴ＴＨ２を介して接続されたソース信号線ＳｏＬ２、さらに貫通穴ＴＨ３を介して接続された画素電極１０７が配置されている。またさらに、画素電極１０７と入れ子状の櫛歯を形成するように共通電極ＣＴが配置されており、この共通電極ＣＴは、ゲート信号線１０１およびデータ信号線１０２さらにはストレージ信号線ＳＬの上部に重層して配置されている。また、ゲート信号線１０１およびストレージ信号線ＳＬの上部の一部分には、反射層ＲＦが重層して配置されている。

また、図２７に示した断面図は、補助容量形成部を示している。ストレージ信号線ＳＬの延長された部分ＳｔｇＬの下部には、トランジスタを形成する半導体層Ｐｓｉに接続された導電層ＳｏＬ１が配置されており、上部にはソース信号線ＳｏＬ２が配置されている。そして、ストレージ信号線ＳＬの延長された部分ＳｔｇＬと導電層ＳｏＬ１、前記延長された部分ＳｔｇＬとソース信号線ＳｏＬ２で補助容量を形成している。さらに補助容量形成部の上部に、画素電極１０７が重層して配置されている。

また、図２８の断面図は、ゲート信号線１０１およびデータ信号線１０２さらにはストレージ信号線ＳＬの断面、さらにはトランジスタ部の断面を示している。ゲート信号線１０１とストレージ信号線１０２の上部に重層するように共通電極ＣＴが配置され、かつストレージ信号線ＳＬの上部にある共通電極ＣＴの下層部分には反射層ＲＦが配置されている。また、データ信号線１０２の上部に重層するように反射層ＲＦさらには共通電極ＣＴが配置されている。トランジスタ部分はゲート信号線１０１の下部に、ゲート信号線１０１を跨ぐ形で半導体層Ｐｓｉが配置されて形成されている。

このストレージ線ＳＬについても、ゲート信号線１０１のように大判のマザーガラス７に、たとえばターゲットスパッタリング法により各配線、若しくは電極の基となる導電膜を成膜してから形成するので、ゲート信号線と同様に、図１８〜図２５に示した膜厚分布の導電膜から形成される。以下、図２６乃至図２８に示したように、各画素にはゲート信号線１０１に並行してストレージ線ＳＬが配置されている構成を前提として記す。

図２６乃至図２８に示した例では、ストレージ線ＳＬについてもゲート信号線１０１において説明したのと同様な導電膜（金属膜）の分布になっている。そのため、図２２に示したような１つめのパターンの場合では、表示領域における最外側のゲート信号線１０１_２に対応したストレージ線の中央部分、すなわちデータ信号線１０２_３と交差する点Ｃ１におけるストレージ線の導電膜の膜厚ｔ１が一番厚くなる。そして、表示領域における点Ｃ１の延長上で最外側のデータ信号線１０２_１と交差する点Ｃ２のストレージ線の導電膜の膜厚ｔ２は、点Ｃ１におけるストレージ線の導電膜の膜厚ｔ１よりも薄くなる。また、表示領域におけるデータ信号線１０２_１が表示領域のもう一方の最外側のゲート信号線１０１_１と交差する画素に対応したストレージ線がデータ信号線と交差する点Ｃ３のストレージ線の導電膜の膜厚ｔ３は、点Ｃ２のストレージ線の導電膜の膜厚ｔ２よりも薄くなる。

さらに、図２３に示したような２つめのパターンの場合では、表示領域における最外側のデータ信号線１０２_２の中央部分、すなわちストレージ線と交差する点Ｃ１におけるストレージ線となる導電膜の膜厚ｔ１が一番厚くなる。そして、表示領域における点Ｃ１の延長上で最外側のストレージ線が交差する点Ｃ２のストレージ線の導電膜の膜厚ｔ２は、点Ｃ１におけるストレージ線の導電膜の膜厚ｔ１よりも薄くなる。また、表示領域におけるストレージ線が表示領域のもう一方の最外側のデータ信号線１０２_１と交差する点Ｃ３のストレージ線の導電膜の膜厚ｔ３は、点Ｃ２のストレージ線の導電膜の膜厚ｔ２よりも薄くなる。

さらに、図２４に示したような３つめのパターンの場合では、表示領域における最外側のゲート信号線１０１_２に対応したストレージ線とデータ信号線１０２_２が交差する点Ｃ１（角部）におけるストレージ線の導電膜の膜厚ｔ１が一番厚くなる。そして、表示領域における点Ｃ１の延長上でもう一方の最外側のデータ信号線１０２_１と交差する点Ｃ２のストレージ線の導電膜の膜厚ｔ２は、点Ｃ１におけるストレージ線の導電膜の膜厚ｔ１よりも薄くなる。また、表示領域における点Ｃ１とは対角に位置する点Ｃ３のストレージ線の導電膜の膜厚ｔ３は、点Ｃ２のストレージ線の導電膜の膜厚ｔ２よりも薄くなる。

さらに、図２５に示したような４つめのパターンでは、表示領域における中心Ｃ１（すなわち、ストレージ線とデータ信号線１０２_３が交差する箇所）におけるストレージ線の導電膜の膜厚ｔ１が一番厚くなる。そして、表示領域における点Ｃ１の延長上でストレージ線と交差する点Ｃ２のストレージ線の導電膜の膜厚ｔ２は、点Ｃ１におけるストレージ線の導電膜の膜厚ｔ１よりも薄くなる。また、表示領域における最外側のストレージ線とデータ信号線１０２_２が交差する点Ｃ３（角部）のストレージ線の導電膜の膜厚ｔ３が、点Ｃ２のストレージ線の導電膜の膜厚ｔ２よりも薄くなる。

また、たとえば、図２６に示したような構成の、いわゆるＩＰＳ方式の液晶表示装置では、ＴＦＴ基板側に配置した各画素の共通電極ＣＴを接続する共通配線が、たとえば、ゲート信号線１０１に並行するようにして配置されている。よって、共通配線についても上述したストレージ線ＳＬと同様のことが言える。

なお、これまでの説明では、図１３における、成膜した導電膜の膜厚分布を測定（ステップ６０２）して、導電膜の各領域の膜厚に応じてゲート信号線の幅を決定し、描画用データを補正する（各ゲート信号線の断面積が等しくなるようにする：ステップ６０３）で意図したゲート信号線の幅と、導電膜をエッチングしてゲート信号線を形成したのち、レジストを除去（ステップ６０５）で形成されるゲート信号線の幅が一致する場合に限定される。

しかしながら、実際には、図１３におけるステップ６０５中の導電膜をエッチングするプロセスでエッチング量に面内ばらつきがあり、均一でない場合がある。以下に、エッチング量に面内ばらつきがあり、均一でない場合の膜厚と幅の関係について説明する。

図１３に示す製造工程において、ステップ６０３中で意図したゲート信号線の幅から、ステップ６０５で形成される信号線の幅がずれてしまう場合がある。

図２９は、エッチング量の面内ばらつきに関する説明をするための模式図である。

導電膜をエッチングする際のエッチング量のばらつきがどの程度であるかを調べるために、本願発明者らは、たとえば、図２９に示すように、対角の距離がＴＦＴＬ[ｃｍ]のＴＦＴアレイの頂点にある２つの画素ＰＸ１、ＰＸ２に関して、ゲート信号線の幅にどの程度のばらつきが生じるかを調べた。

このとき、対角の距離８０ｃｍの基板において、一方の角部に位置する画素ＰＸ１のゲート信号線１０１の幅をＧＬＷ１、他方の角部に位置する画素ＰＸ２のゲート信号線１０１の幅をＧＬＷ２とすると、導電膜の膜厚をほぼ同一にしたにもかかわらず、画素ＰＸ２のゲート信号線１０１の幅ＧＬＷ２が、画素ＰＸ１のゲート信号線１０１の幅ＧＬＷ１よりも２．６μｍ太く形成された。このことを、図１３を用いて説明すると、ステップ６０２で画素ＰＸ１と画素ＰＸ２のゲート信号線の導電膜の膜厚測定結果が同一であるので、ステップ６０３で決定され画素ＰＸ１と画素ＰＸ２の意図するゲート信号線の幅は同一になるにもかかわらず、ステップ６０５の導電膜をエッチングするプロセスでのエッチング量が面内にばらつきを生じてしまう結果、画素ＰＸ２のゲート信号線１０１の幅ＧＬＷ２が、画素ＰＸ１のゲート信号線１０１の幅ＧＬＷ１よりも２．６μｍ太く形成されたと認識できる。

図１３における導電膜をエッチングするプロセスのエッチング量の変化は面内において連続的に変化すると過程すると、図２９に示したＴＦＴアレイの対角位置にある画素ＰＸ１と画素ＰＸ２の位置がエッチング量の面内における差の極大値と考えられて、前述した極大値が２．６μｍと推定される。図２９に示した例おいて、画素ＰＸ１または画素ＰＸ２の一方において、図１３のステップ６０３で意図したゲート信号線の幅とステップ６０５で形成されたゲート信号線の幅が一致しているのであれば、他方において、図１３のステップ６０３で意図したゲート信号線の幅とステップ６０５で形成されたゲート信号線の幅が２．６μｍ異なっていることになる。前述した図２９の対角８０ｃｍのＴＦＴアレイの任意の画素において、図１３のステップ６０３で意図するゲート信号線の幅と、ステップ６０５で形成されるゲート信号線の幅の差の極大値が２．６μｍ以下になる。

したがって、図２９に示したＴＦＴアレイ内においてＴＦＴＬ[ｃｍ]離れた２つの画素ＰＸ１とＰＸ２のゲート信号線の幅の差は、成膜厚さがＰＸ１とＰＸ２で同一でも、最大で（２．６[μｍ]÷８０[ｃｍ]）×ＴＦＴＬ[ｃｍ]だけ異なる可能性があり、２つの画素ＰＸ１とＰＸ２の配線抵抗を一定にするように、図１３に示した製造工程にてゲート信号線を加工してもなお、形成されるゲート信号線は、最大で（２．６[μｍ]÷８０[ｃｍ]）×ＴＦＴＬ[ｃｍ]のゲート信号線の幅の差に対応した、誤差が生じてしまうことをエッチングばらつきとして考慮しなければならない。

図２６乃至図２８に示した画素構造を有する対角ＴＦＴＬ[ｃｍ]のＴＦＴアレイにおいて、たとえば、図９に示した２つの画素ＰＸ１、ＰＸ２に関して、図１０に示したように、ゲート信号線の導電膜の成膜時に、ＰＸ１よりもＰＸ２のほうが厚く成膜されている。

図３０は、エッチング量のばらつきを考慮した場合のゲート信号線の厚さと幅の関係を示す模式断面図である。

このとき、図３０に示すように、対角ＴＦＴＬ[ｃｍ]のＴＦＴアレイ上の画素ＰＸ１のゲート信号線１０１_１の導電膜の膜厚ＧＬＤ１よりも画素ＰＸ２のゲート信号線１０１_２の導電層の膜厚ＧＬＤ２が大きいことが得られていて、ＰＸ１のゲート信号線１０１_１の幅ＧＬＷ１がＰＸ２のゲート信号線１０１_２の幅ＧＬＷ２よりも大きくなるようにＣＡＤレイアウトデータを更新して、直描して配線形成した結果、幅ＧＬＷ１とＧＬＷ２の関係が、エッチング量ばらつきを考慮した下記数式（式１）関係を満たしていれば、画素ＰＸ１のゲート信号線１０１_１の配線抵抗と画素ＰＸ２のゲート信号線１０１_２の配線抵抗が一定になっていると見なす。

また、画素ＰＸ１のゲート信号線１０１_１と画素ＰＸ２のゲート信号線１０１_２の走査線断面積が同一になるようにＣＡＤレイアウトデータを更新して、直描して配線形成した場合は、形成された各ゲート信号線の断面積の関係が、エッチング量のばらつきを考慮した下記数式（式２）の関係を満たしていれば、画素ＰＸ１のゲート信号線１０１_１の配線抵抗と画素ＰＸ２のゲート信号線１０１_２の配線抵抗が一定になっていると見なす。

図３１は、ゲート信号線の配線抵抗について補足説明をするための模式図である。

これまでの説明では、ある断面におけるゲート信号線の膜厚および幅と、別の断面におけるゲート信号線の膜厚および幅の関係のみで、各ゲート信号線１０１の配線抵抗が一定であるか否かを判断している。しかしながら、実際の配線抵抗は、ある一定の長さのゲート信号線の両端の電位差と、そこに流れる電流値によって表されるものである。

そこで、本願発明者らは、図１３に示したような手順でゲート信号線を形成し、たとえば、図３１に示すように、ＴＦＴ基板１の画素ＰＸ１のゲート信号線１０１_１のゲート信号線長ＧＲＬ部分を取り出して、ゲート信号線方向に直交する２つの断面を両端とする抵抗値ＧＬＲ１と、画素ＰＸ２のゲート信号線１０１_２のゲート信号線長ＧＲＬ部分を取り出して、ゲート信号線方向に直交する２断面を両端とする抵抗値ＧＬＲ２を計測し、各抵抗値を比較してみた。

なお、前記ゲート信号線長ＧＲＬは、たとえば、図２６に示したように、１つの画素領域の両端にある２本のデータ信号線１０２の幅の２等分線位置の間の距離、言い換えると１つの画素領域の両端にある２本のデータ信号線１０２の間隙である。

前記各ゲート信号線長ＧＲＬ部分の抵抗値ＧＬＲ１，ＧＬＲ２を比較した結果、エッチング量のばらつきを考慮した下記数式（式３）の関係を満たすことが確認された。そのため、下記数式（式３）の関係を満たしていれば、画素ＰＸ１のゲート信号線１０１_１のゲート信号線長ＧＲＬ部分の抵抗値ＧＬＲ１と、画素ＰＸ２のゲート信号線１０１_２のゲート信号線長ＧＲＬ部分の抵抗値ＧＬＲ２が一定になっていると見なす。

なお、前記数式（式１）から（式３）における（２．６[μｍ]÷８０[ｃｍ]）は、本願発明者らが、対角が８０[ｃｍ]のＴＦＴ基板１でのエッチング量のばらつきによるゲート信号線の幅の差が最大で２．６[μｍ]であったことによるものである。そのため、たとえば、対角がＬsub[ｃｍ]のＴＦＴ基板１でのエッチング量のばらつきによるゲート信号線の幅の差が最大σ[μｍ]であることが知られている場合に、配線抵抗が一定であると見なす条件は、前記数式（式１）から（式３）の（２．６[μｍ]÷８０[ｃｍ]）の代わりに（σ[μｍ]÷Ｌsub[ｃｍ]）を用いた関係を満たせばよいことはもちろんである。

図３２は、ゲート信号線の幅の計測方法の一例を示す模式断面図である。図３３は、ゲート信号線の幅の計測方法の別の例を示す模式断面図である。

これまでの説明では、ゲート信号線の断面形状は理想的な形状、たとえば、図３０に示したように、矩形であるとしていたので、各ゲート信号線の幅は一意的に決まっていた。しかしながら、導電膜をエッチングしてゲート信号線を形成する場合、エッチング液を用いた等方性エッチングが一般的であり、実際に形成されるゲート信号線の断面形状は、たとえば、図３３に示すように、上辺が下辺より狭い台形形状になる。そのため、たとえば、図３３に示すように、画素ＰＸ１のゲート信号線１０１_１の幅ＧＬＷ１を台形形状の下辺長で計測したならば、画素ＰＸ２のゲート信号線１０１_２の幅ＧＬＷ２も台形形状の下辺長で計測するのはもちろんである。

また、たとえば、図３４に示しように、画素ＰＸ１のゲート信号線１０１_１の幅ＧＬＷ１を台形形状の上辺長で計測したならば、画素ＰＸ２のゲート信号線１０１_２の幅ＧＬＷ２も台形形状の上辺長で計測するのはもちろんである。

図３４は、ゲート信号線の厚さの計測方法の一例を示す模式断面図である。図３５は、ゲート信号線の厚さの計測方法の別の例を示す模式断面図である。

また、これまでの説明では、ゲート信号線は、たとえば、図３０に示したように、１つの導電膜をエッチングして形成するとしていたので、各ゲート信号線の膜厚は一意的に決まっていた。しかしながら、ゲート信号線は、たとえば、図３５に示すように、単位長さ当たりの抵抗値の小さい導電層１０１ａの上下に、たとえば、層間絶縁膜との接着力の向上を目的とした薄い接着層１０１ｂ，１０１ｃがある３層により構成される場合もある。そのため、たとえば、図３５に示すように、画素ＰＸ１のゲート信号線１０１_１の膜厚ＧＬＤ１を３層合計の厚さで計測したならば、画素ＰＸ２のゲート信号線１０１_２の膜厚ＧＬＤ２も３層合計の厚さで計測するのはもちろんである。

また、接着層１０１ｂ，１０１ｃは導電層１０１ａに比べて非常に薄いので、導電層１０１ａの膜厚をゲート信号線１０１の膜厚と見なすこともできる。このとき、たとえば、図３６に示すように、画素ＰＸ１のゲート信号線１０１_１の膜厚ＧＬＤ１を導電層１０１ａの厚さで計測したならば、画素ＰＸ２のゲート信号線１０１_２の膜厚ＧＬＤ２も導電層１０１ａの厚さで計測するのはもちろんである。

以上、配線抵抗、幅の計測方法、および配線の厚さの計測方法について、ゲート信号線１０１を例に挙げて説明したが、データ信号線１０２、ストレージ線ＳＬ、共通信号線についても同様のことが言えるのはもちろんである。

以上、本発明を、実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更可能であることはもちろんである。

本発明に関わる液晶表示装置の概略構成を示す模式図であり、液晶表示装置全体の構成例を示す斜視図である。 本発明に関わる液晶表示装置の概略構成を示す模式図であり、TFT基板の概略構成を示す平面図である。 本発明に関わる液晶表示装置の概略構成を示す模式図であり、図２に示したTFT基板上の１画素の構成例を示す平面図である。 本発明に関わる液晶表示装置の概略構成を示す模式図であり、図３のＡ−Ａ’線断面図である。 本発明に関わる液晶表示装置の概略構成を示す模式図であり、図３のＢ−Ｂ’線断面図である。 本発明による一実施例のTFT基板の概略構成を示す模式図であり、本実施例のTFT基板の特徴を説明するための平面図である。 本発明による一実施例のTFT基板の概略構成を示す模式図であり、図６のＣ−Ｃ’線断面図である。 本発明による一実施例のTFT基板の概略構成を示す模式図であり、図６のＤ−Ｄ’断面図である。 本実施例のTFT基板の製造方法の一例を説明するための模式図であり、ゲート信号線形成用の導電膜を形成する工程の平面図である。 本実施例のTFT基板の製造方法の一例を説明するための模式図であり、図９のＥ−Ｅ’線断面図である。 本実施例のTFT基板の製造方法の一例を説明するための模式図であり、従来の方法でゲート信号線を形成したときの問題点を説明する図である。 本実施例のTFT基板の製造方法の一例を説明するための模式図であり、従来の問題点を解決する方法の一例を示す図である。 本実施例のTFT基板の製造方法の一例を説明するための模式図であり、従来の問題点を解決するゲート信号線の形成手順を示すフロー図である。 ゲート信号線の導電膜の膜厚のばらつきが生じる２つの領域の関係を示す模式図であり、データ信号線が共通でゲート信号線が異なる場合の図である。 ゲート信号線の導電膜の膜厚のばらつきが生じる２つの領域の関係を示す模式図であり、ゲート信号線が共通でデータ信号線が異なる場合の図である。 ゲート信号線の導電膜の膜厚のばらつきが生じる２つの領域の関係を示す模式図であり、ゲート信号線およびデータ信号線がともに異なる場合の図である。 ゲート信号線の導電膜の膜厚のばらつきが生じる２つの領域の関係を示す模式図であり、データ信号線が共通でゲート信号線が異なる場合の別の例を示す図である。 １枚のマザーガラスから２枚の基板を切り出す場合の導電膜の膜厚分布を示す模式図である。 １枚のマザーガラスから４枚の基板を切り出す場合の導電膜の膜厚分布を示す模式図である。 １枚のマザーガラスから６枚の基板を切り出す場合の導電膜の膜厚分布を示す模式図である。 １枚のマザーガラスから１５枚の基板を切り出す場合の導電膜の膜厚分布を示す模式図である。 １枚の基板における導電膜の膜厚分布の１つめのパターンを説明するための図である。 １枚の基板における導電膜の膜厚分布の２つめのパターンを説明するための図である。 １枚の基板における導電膜の膜厚分布の３つめのパターンを説明するための図である。 １枚の基板における導電膜の膜厚分布の４つめのパターンを説明するための図である。 TFT基板上の１画素の別の構成例を示す模式平面図である。 図２６のＦ−Ｆ’線断面図である。 図２７のＧ−Ｇ’線断面図である。 エッチング量の面内ばらつきに関する説明をするための模式図である。 エッチング量のばらつきを考慮した場合のゲート信号線の厚さと幅の関係を示す模式断面図である。 ゲート信号線の配線抵抗について補足説明をするための模式図である。 ゲート信号線の幅の計測方法の一例を示す模式断面図である。 ゲート信号線の幅の計測方法の別の一例を示す模式断面図である。 ゲート信号線の厚さの計測方法の一例を示す模式断面図である。 ゲート信号線の厚さの計測方法の別の例を示す模式断面図である。

符号の説明

１…TFT基板
１００…透明基板
１０１，１０１_１，１０１_２，１０１_３…ゲート信号線
１０２，１０２_１，１０２_２，１０２_３…データ信号線
１０２Ａ…ドレイン電極
１０３，１０３ａ…層間絶縁膜（ゲート絶縁膜）
１０４…ソース電極
１０５…アモルファスシリコン（a-Si）膜
１０６，１０３ｂ…層間絶縁膜
１０７…画素電極
１０８…シールド信号線
２…対向基板
３Ａ，３Ｂ…偏光板
４…バックライトユニット
５…フレーム
７…マザーガラス
ＳＬ…ストレージ線
ＳｏＬ１…導電層
ＳｏＬ２…ソース信号線
Ｐｓｉ…半導体層
ＣＴ…共通電極
ＴＨ１，ＴＨ２，ＴＨ３…貫通穴

Claims (20)

1. 透明基板上にゲート信号線，データ信号線，ソース電極，ゲート絶縁膜，アモルファスシリコン（a-Si）膜，および画素電極が設けられ、かつ、前記ゲート信号線，前記データ信号線から分岐したドレイン電極，前記ソース電極，前記ゲート絶縁膜，および前記アモルファスシリコン膜からなるTFT(Thin-Film Transistor)がアレイ状に配置されたTFT基板と、前記TFT基板の前記TFTが設けられた面と向かい合わせに配置された対向基板と、前記TFT基板と前記対向基板の間に充填された液晶材料とを備える液晶表示装置であって、
   前記TFT基板は、第１の領域のゲート信号線の導電膜の膜厚および幅をそれぞれＧＬＤ１およびＧＬＷ１とし、前記第１の領域とは異なる第２の領域のゲート信号線の導電膜の膜厚および幅をそれぞれＧＬＤ２およびＧＬＷ２としたときに、ＧＬＤ１＜ＧＬＤ２であれば、ＧＬＷ１＞ＧＬＷ２であることを特徴とする液晶表示装置。
2. 請求項１に記載の液晶表示装置において、
   前記第１の領域のゲート信号線の断面積ＧＬＤ１×ＧＬＷ１と、前記第２の領域のゲート信号線の断面積ＧＬＤ２×ＧＬＷ２が等しいことを特徴とする液晶表示装置。
3. 基板上に複数の第１の信号線と、該複数の第１の信号線の上方に絶縁膜を介して交差するように配置された複数の第２の信号線が配置され、該複数の第１の信号線と該複数の第２の信号線により矩形の表示領域を形成した表示装置であって、
   前記表示領域における第１の信号線と第２の信号線が交差する任意の３箇所において、
   第１の箇所における第１の信号線の導電膜の膜厚をｔ１、幅をｗ１とし、
   第２の箇所における第１の信号線の導電膜の膜厚をｔ２、幅をｗ２とし、
   第３の箇所における第１の信号線の導電膜の膜厚をｔ３、幅をｗ３としたとき、
   膜厚の関係がｔ１＞ｔ２＞ｔ３である場合、
   幅の関係がｗ１＜ｗ２＜ｗ３になっていることを特徴とする表示装置。
4. 請求項３に記載の表示装置において、
   前記膜厚ｔ１と前記幅ｗ１の積と、前記膜厚ｔ２と前記幅ｗ２の積と、前記膜厚ｔ３と前記幅ｗ３の積とが等しくなるように構成していることを特徴とする表示装置。
5. 請求項３に記載の表示装置において、
   前記第１の箇所は、前記表示領域の最も上側に配置された第１の信号線の中央部であり、
   前記第２の箇所は、該最も上側の第１の信号線が前記表示領域の最も外側に配置された第２の信号線と交差する箇所であり、
   前記第３の箇所は、前記第２の箇所の前記第２の信号線が前記表示領域の最も下側に配置された第１の信号線と交差する箇所であることを特徴とする表示装置。
6. 請求項３に記載の表示装置において、
   前記第１の箇所は、前記表示領域の最も下側に配置された第１の信号線の中央部であり、
   前記第２の箇所は、該最も下側の第１の信号線が前記表示領域の最も外側に配置された第２の信号線と交差する箇所であり、
   前記第３の箇所は、前記第２の箇所の前記第２の信号線が前記表示領域の最も上側に位置する第１の信号線と交差する箇所であることを特徴とする表示装置。
7. 前記第１の箇所は、前記表示領域の最も左側に配置された第２の信号線の中央部であり、
   前記第２の箇所は、該最も左側の第２の信号線が前記表示領域の最も上側若しくは最も下側に配置された第１の信号線と交差する箇所であり、
   前記第３の箇所は、前記第２の箇所の前記第１の信号線が前記表示領域の最も右側に配置された第２の信号線と交差する箇所であることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
8. 請求項３に記載の表示装置において、
   前記第１の箇所は、前記表示領域の最も右側に配置された第２の信号線の中央部であり、
   前記第２の箇所は、該最も右側の第２の信号線が前記表示領域の最も上側若しくは最も下側に配置された第１の信号線と交差する箇所であり、
   前記第３の箇所は、前記第２の箇所の前記第１の信号線が前記表示領域の最も左側に配置された第２の信号線と交差する箇所であることを特徴とする表示装置。
9. 請求項３に記載の表示装置において、
   前記第１の箇所、前記第２の箇所、および前記第３の箇所は、
   前記表示領域の最も外側に配置された２本の第１の信号線と、最も外側に配置された２本の第２の信号線が交差する４箇所のうちのいずれかの３箇所であることを特徴とする表示装置。
10. 請求項９に記載の表示装置において、
    前記第１の箇所と前記第３の箇所は、前記表示領域のうちの対角に位置していることを特徴とする表示装置。
11. 請求項３に記載の表示装置において、
    前記第１の箇所は、前記表示領域の中央部の第１の信号線と第２の信号線が交差する箇所であり、
    前記第２の箇所は、最も上側若しくは最も下側の第１の信号線が、前記第１の箇所に交差している第２の信号線と交差する箇所であり、
    前記第３の箇所は、前記第２の箇所の前記第１の信号線が前記表示領域の最も外側に配置された第２の信号線と交差する箇所であることを特徴とする表示装置。
12. 基板上に複数の第１の信号線と、該複数の第１の信号線の上方に絶縁膜を介して交差するように配置された複数の第２の信号線が配置され、該複数の第１の信号線と該複数の第２の信号線により矩形の表示領域を形成した表示装置であって、
    前記表示領域における第１の信号線と第２の信号線が交差する任意の３箇所において、
    第１の箇所における第２の信号線の導電膜の膜厚をｔ１、幅をｗ１とし、
    第２の箇所における第２の信号線の導電膜の膜厚をｔ２、幅をｗ２とし、
    第３の箇所における第２の信号線の導電膜の膜厚をｔ３、幅をｗ３としたとき、
    膜厚の関係がｔ１＞ｔ２＞ｔ３である場合、
    幅の関係がｗ１＜ｗ２＜ｗ３になっていることを特徴とする表示装置。
13. 請求項１２に記載の表示装置において、
    前記膜厚ｔ１と前記幅ｗ１の積と、前記膜厚ｔ２と前記幅ｗ２の積と、前記膜厚ｔ３と前記幅ｗ３の積が等しくなるように構成していることを特徴とする表示装置。
14. 請求項１２に記載の表示装置において、
    前記第１の箇所は、前記表示領域の最も上側に配置された第１の信号線の中央部であり、
    前記第２の箇所は、該最も上側の第１の信号線が前記表示領域の最も外側に配置された第２の信号線と交差する箇所であり、
    前記第３の箇所は、前記第２の箇所の前記第２の信号線が前記表示領域の最も下側に配置された第１の信号線と交差する箇所であることを特徴とする表示装置。
15. 請求項１２に記載の表示装置において、
    前記第１の箇所は、前記表示領域の最も下側に配置された第１の信号線の中央部であり、
    前記第２の箇所は、該最も下側の第１の信号線が前記表示領域の最も外側に配置された第２の信号線と交差する箇所であり、
    前記第３の箇所は、前記第２の箇所の前記第２の信号線が前記表示領域の最も上側に位置する第１の信号線と交差する箇所であることを特徴とする表示装置。
16. 請求項１２に記載の表示装置において、
    前記第１の箇所は、前記表示領域の最も左側に配置された第２の信号線の中央部であり、
    前記第２の箇所は、該最も左側の第２の信号線が前記表示領域の最も上側若しくは最も下側に配置された第１の信号線と交差する箇所であり、
    前記第３の箇所は、前記第２の箇所の前記第１の信号線が前記表示領域の最も右側に配置された第２の信号線と交差する箇所であることを特徴とする表示装置。
17. 請求項１２に記載の表示装置において、
    前記第１の箇所は、前記表示領域の最も右側に配置された第２の信号線の中央部であり、
    前記第２の箇所は、該最も右側の第２の信号線が前記表示領域の最も上側若しくは最も下側に配置された第１の信号線と交差する箇所であり、
    前記第３の箇所は、前記第２の箇所の前記第１の信号線が前記表示領域の最も左側に配置された第２の信号線と交差する箇所であることを特徴とする表示装置。
18. 請求項１２に記載の表示装置において、
    前記第１の箇所、前記第２の箇所、および前記第３の箇所は、
    前記表示領域の最も外側に配置された２本の第１の信号線と、最も外側に配置された２本の第２の信号線が交差する４箇所のうちのいずれかの３箇所であることを特徴とする表示装置。
19. 請求項１８に記載の表示装置において、
    前記第１の箇所と前記第３の箇所は、前記表示領域のうちの対角に位置していることを特徴とする表示装置。
20. 請求項１２に記載の表示装置において、
    前記第１の箇所は、前記表示領域の中央部の第１の信号線と第２の信号線が交差する箇所であり、
    前記第２の箇所は、最も上側若しくは最も下側の第１の信号線が、前記第１の箇所に交差している第２の信号線と交差する箇所であり、
    前記第３の箇所は、前記第２の箇所の前記第１の信号線が前記表示領域の最も外側に配置された第２の信号線と交差する箇所であることを特徴とする表示装置。
    

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