KR101494205B1 - 표시기판, 이의 제조방법 및 이를 갖는 표시장치 - Google Patents

표시기판, 이의 제조방법 및 이를 갖는 표시장치 Download PDF

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Abstract

표시품질을 향상시킨 표시기판, 이의 제조방법 및 이를 갖는 표시장치가 개시된다. 표시기판은 투명기판, 구동 회로부 및 화소전극을 포함한다. 구동 회로부는 상기 투명기판 상에 형성된다. 화소전극은 구동 회로부와 전기적으로 연결된 몸체 전극부 및 몸체 전극부로부터 일 방향으로 돌출된 복수의 돌출 전극부들을 포함한다. 돌출 전극부들 각각은 일 방향에 대하여 경사진 양변들을 갖는 경사 전극 및 경사 전극과 일 방향으로 연결된 직사각형 전극을 포함한다. 이와 같이, 돌출 전극부들 각각이 일 방향에 대하여 경사진 양변들을 갖는 경사 전극을 포함함에 따라, 액정들의 응답속도가 보다 증가되어 표시품질을 보다 향상시킬 수 있다.
돌출 전극부, 경사 전극, 직사각형 전극

Description

표시기판, 이의 제조방법 및 이를 갖는 표시장치{DISPLAY SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING THE DISPLAY SUBSTRATE AND DISPLAY APPARATUS HAVING THE DISPLAY SUBSTRATE}
본 발명은 표시기판, 이의 제조방법 및 이를 갖는 표시장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 액정 표시장치에 사용되는 표시기판, 이의 제조방법 및 이를 갖는 표시장치에 관한 것이다.
액정 표시장치는 광을 이용하여 영상을 표시하는 액정 표시패널, 및 상기 액정 표시패널로 광을 제공하는 백라이트 어셈블리를 포함한다.
상기 액정 표시패널은 박막 트랜지스터들과 화소전극들을 갖는 제1 기판, 상기 제1 기판과 대향하고 공통전극을 갖는 제2 기판, 및 제1 및 제2 기판들 사이에 개재된 액정층을 포함한다.
상기 화소전극들은 단위화소들 내에 각각 형성된다. 상기 화소전극들 각각은 시야각을 보다 향상시키기 위해 서로 이격되어 배치된 복수의 서브 화소전극들을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 서브 화소전극들이 서로 이격되어 배치될 경우, 상기 서브 화소전극들 사이에서 오픈 영역이 형성되고, 상기 오픈 영역은 상기 액 정 표시패널의 광 투과율을 저하시킬 수 있다.
상기 서브 화소전극들 각각은 상기 액정 표시패널의 광 투과율이 저하되는 것을 방지하기 위해 일 방향으로 돌출된 복수의 돌출 전극부들을 포함할 수 있다. 즉, 상기 서브 화소전극들 각각이 상기 돌출 전극부들을 포함할 경우, 상기 화소전극의 오픈 영역이 보다 감소되어 상기 액정 표시패널의 광 투과율의 저하를 최소화할 수 있다.
그러나, 상기 서브 화소전극들 각각이 상기 돌출 전극부들을 포함하고 있을 경우, 상기 서브 화소전극들 각각에 의한 상기 액정층 내의 액정들의 제어력이 감소될 수 있다. 즉, 상기 돌출 전극부들에 의해 상기 액정들의 응답속도가 감소될 수 있다. 상기 액정들의 응답속도의 감소는 결국 상기 액정 표시패널의 표시품질의 저하를 발생시킨다.
따라서, 본 발명에서 해결하고자 하는 기술적 과제는 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 광 투과율의 저하를 최소화하면서 액정의 응답속도를 증가시킬 수 있는 표시기판을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 표시기판을 제조하기 위한 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 표시기판을 구비하는 표시장치를 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 일 실시예에 의한 표시기판은 투명기판, 구동 회로부 및 화소전극을 포함한다.
상기 구동 회로부는 상기 투명기판 상에 형성된다. 상기 화소전극은 상기 구동 회로부와 전기적으로 연결된 몸체 전극부 및 상기 몸체 전극부로부터 일 방향으로 돌출된 복수의 돌출 전극부들을 포함한다. 상기 돌출 전극부들 각각은 상기 일 방향에 대하여 경사진 양변들을 갖는 경사 전극, 및 상기 경사 전극과 상기 일 방향으로 연결된 직사각형 전극을 포함한다.
상기 직사각형 전극은 상기 몸체 전극부 및 상기 경사 전극 사이에 배치되어, 상기 몸체 전극부 및 상기 경사 전극 각각과 연결될 수 있다. 이와 다르게, 상기 직사각형 전극은 상기 몸체 전극부와 대향하는 상기 경사 전극의 상단부와 연결될 수 있다.
또한, 상기 직사각형 전극은 상기 몸체 전극부 및 상기 경사 전극 사이에 배치되어 상기 몸체 전극부 및 상기 경사 전극의 하단부 각각과 연결된 하측 직사각형 전극과, 상기 하단부와 대향하는 상기 경사 전극의 상단부와 연결된 상측 직사각형 전극을 포함할 수 있다.
상기 하측 직사각형 전극의 높이는 상기 상측 직사각형 전극의 높이와 실질적으로 동일할 수 있다. 상기 하측 직사각형 전극의 높이는 상기 돌출 전극부의 총 길이에 대하여 15% ~ 25%의 범위를 가질 수 있다.
상기 경사 전극은 상기 몸체 전극부와 마주하고, 상기 일 방향에 대하여 경 사진 양변을 갖는 하측 경사 전극과, 상기 하측 경사 전극과 상기 일 방향으로 연결되고, 상기 일 방향에 대하여 경사진 양변을 갖는 상측 경사 전극을 포함할 수 있다. 상기 경사 전극은 중앙부의 폭이 외곽부의 폭보다 얇은 모래시계 형상을 가질 수 있다.
상기 경사 전극은 상기 일 방향을 기준으로 좌우가 대칭 형상을 갖는 사다리꼴 형상을 가질 수 있다.
상기 몸체 전극부와 대향하는 상기 돌출 전극부의 상단부의 폭은 상기 몸체 전극부와 마주하는 상기 돌출 전극부의 하단부의 폭보다 짧을 수 있다. 상기 돌출 전극부들의 하단부들 간의 이격거리는 3.0㎛ ~ 4.0㎛의 범위를 가질 수 있다.
상기 구동 회로부는 상기 투명기판 상에 형성된 게이트 배선, 상기 게이트 배선과 교차되는 데이터 배선, 및 상기 게이트 배선, 상기 데이터 배선 및 상기 몸체 전극부와 각각 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터를 포함할 수 있다.
상기한 본 발명의 일 실시예에 의한 표시기판의 제조방법으로, 우선 투명기판 상에 구동 회로부를 형성한다. 이어서, 상기 구동 회로부와 전기적으로 연결된 몸체 전극부과, 상기 몸체 전극부로부터 일 방향으로 돌출되고, 각각이 상기 일 방향에 대하여 경사진 양변들을 갖는 경사 전극 및 상기 경사 전극과 상기 일 방향으로 연결된 직사각형 전극을 포함하는 복수의 돌출 전극부들을 구비하는 화소전극을 형성한다.
상기한 본 발명의 일 실시예에 의한 표시장치는 제1 기판, 상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판, 및 상기 제1 및 제2 기판들 사이에 개재된 액정층을 포함한다.
상기 제1 기판은 투명기판, 상기 투명기판 상에 형성된 구동 회로부 및 상기 구동 회로부와 전기적으로 연결된 화소전극을 포함한다. 상기 화소전극은 상기 구동 회로부와 전기적으로 연결된 몸체 전극부, 및 상기 몸체 전극부로부터 일 방향으로 돌출된 복수의 돌출 전극부들을 포함한다. 상기 돌출 전극부들 각각은 상기 일 방향에 대하여 경사진 양변들을 갖는 경사 전극, 및 상기 경사 전극과 상기 일 방향으로 연결된 직사각형 전극을 포함한다.
상기 제2 기판은 상기 화소전극과의 사이의 영역을 복수의 도메인들로 분할하기 위한 도메인 분할홈을 갖는 공통전극을 포함할 수 있다.
상기 직사각형 전극은 상기 몸체 전극부 및 상기 경사 전극 사이에 배치되어, 상기 몸체 전극부 및 상기 경사 전극의 하단부 각각과 연결된 하측 직사각형 전극과, 상기 하단부와 대향하는 상기 경사 전극의 상단부와 연결된 상측 직사각형 전극을 포함할 수 있다. 상기 하측 및 상측 직사각형 전극들 각각의 높이는 상기 돌출 전극부의 총 길이에 대하여 15% ~ 25%의 범위를 가질 수 있다.
상기한 본 발명의 다른 실시예에 의한 표시기판은 투명기판, 구동 회로부 및 화소전극을 포함한다.
상기 구동 회로부는 상기 투명기판 상에 형성된다. 상기 화소전극은 상기 구동 회로부와 전기적으로 연결된 몸체 전극부, 및 상기 몸체 전극부로부터 일 방향으로 돌출되는 복수의 돌출 전극부들을 포함한다. 상기 돌출 전극부들 각각은 상기 몸체 전극부와 마주하고 상기 일 방향에 대하여 경사진 양변들을 갖는 하측 경사 전극, 및 상기 하측 경사 전극과 상기 일 방향으로 연결되고 상기 일 방향에 대하여 경사진 양변을 갖는 상측 경사 전극을 포함한다.
상기 하측 및 상측 경사 전극들 전체 형상은 중앙부의 폭이 외곽부의 폭보다 얇은 모래시계 형상일 수 있다.
상기 상측 및 하측 경사 전극들 각각은 상기 일 방향을 기준으로 좌우가 대칭 형상을 갖는 사다리꼴 형상을 가질 수 있다.
본 발명에 따르면, 화소전극의 돌출 전극부들 각각이 일 방향에 대하여 경사진 양변들을 갖는 경사 전극을 포함함에 따라, 상기 경사진 양변들에 의해 액정들의 응답속도가 보다 증가되어 표시품질을 보다 향상시킬 수 있다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
또한, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
<실시예 1>
도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 표시장치를 도시한 평면도이고, 도 2는 도 1의 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예에 의한 표시장치는 제1 기판(100), 상기 제1 기판(100)과 대향하는 제2 기판(200), 및 상기 제1 기판(100)과 상기 제2 기판(200) 사이에 개재된 액정층(300)을 포함한다.
상기 제1 기판(100)은 제1 투명기판(110), 구동 회로부, 게이트 절연막(140), 보호막(160) 및 화소전극(170)을 포함한다. 여기서, 상기 구동 회로부는 상기 화소전극(170)과 전기적으로 연결되며, 게이트 배선(120), 스토리지 배선(130), 데이터 배선(150) 및 박막 트랜지스터(TFT)를 포함할 수 있다.
상기 제1 투명기판(110)은 플레이트 형상을 갖고, 투명한 물질로 이루어진다. 예를 들어, 상기 제1 투명기판(110)은 유리, 석영 또는 투명한 합성수지로 이루어질 수 있다.
상기 게이트 배선(120)은 상기 제1 투명기판(110) 상에 형성되고, 제1 방향(DI1)으로 길게 연장된다. 상기 스토리지 배선(130)은 상기 게이트 배선(120)과 이격되도록 상기 제1 투명기판(110) 상에 형성되어 상기 화소전극(170)과 중첩되고, 상기 제1 방향(DI1)으로 길게 연장된다. 상기 스토리지 배선(130)의 일부는 상기 화소전극(170)과 중첩되는 영역을 넓히기 위해 상기 제1 방향(DI1)과 교차되는 방향으로 연장될 수 있다.
상기 게이트 절연막(140)은 상기 게이트 배선(120) 및 상기 스토리지 배선(130)을 덮도록 상기 제1 투명기판(110) 상에 형성된다. 상기 게이트 절연막(140)은 예를 들어, 산화 실리콘(SiOx) 또는 질화 실리콘(SiNx)을 포함할 수 있 다.
상기 데이터 배선(150)은 상기 게이트 절연막(140) 상에 형성되고, 상기 제1 방향(DI1)과 교차하는 제2 방향(DI2)으로 연장된다. 상기 제2 방향(DI2)은 상기 제1 방향(DI1)과 직교할 수 있다.
예를 들어, 상기 데이터 배선(150)은 서로 이웃하게 배치된 제1 및 제2 데이터들(152, 154)을 포함할 수 있다. 상기 제1 데이터 배선(152)은 제1 데이터 전압을 전송할 수 있고, 상기 제2 데이터 라인(154)은 상기 제1 데이터 전압보다 낮은 레벨인 제2 데이터 전압을 전송할 수 있다.
상기 박막 트랜지스터(TFT)는 상기 게이트 배선(120), 상기 데이터 배선(130) 및 상기 화소전극(170)과 각각 전기적으로 연결된다. 예를 들어, 상기 박막 트랜지스터(TFT)는 상기 제1 데이터 배선(152)과 전기적으로 연결된 제1 트랜지스터(TFT1) 및 상기 제2 데이터 배선(154)과 전기적으로 연결된 제2 트랜지스터(TFT2)를 포함할 수 있다.
상기 제1 트랜지스터(TFT1)는 제1 게이트 전극(G1), 제1 액티브 패턴(미도시), 제1 소스 전극(S1) 및 제1 드레인 전극(D1)을 포함한다. 상기 제1 게이트 전극(G1)은 상기 게이트 배선(120)과 연결되고, 상기 제1 액티브 패턴은 상기 제1 게이트 전극(G1)과 중첩되도록 상기 게이트 절연막(140) 상에 형성된다. 상기 제1 소스 전극(S1)은 상기 제1 데이터 배선(152)과 연결되고 상기 제1 액티브 패턴과 중첩되며, 상기 제1 드레인 전극(D1)은 상기 제1 소스 전극(S1)과 이격되어 상기 제1 액티브 패턴과 중첩된다. 상기 제1 드레인 전극(D1)은 상기 제2 방향(DI2)을 따라 길게 연장될 수 있다.
상기 제2 트랜지스터(TFT1)는 제2 게이트 전극(G2), 제2 액티브 패턴(미도시), 제2 소스 전극(S2) 및 제2 드레인 전극(D2)을 포함할 수 있다. 상기 제2 게이트 전극(G2)은 상기 게이트 배선(120)과 연결되고, 상기 제2 액티브 패턴은 상기 제2 게이트 전극(G2)과 중첩되도록 상기 게이트 절연막(140) 상에 형성된다. 상기 제2 소스 전극(S2)은 상기 제2 데이터 배선(154)과 연결되고 상기 제2 액티브 패턴과 중첩되며, 상기 제2 드레인 전극(D2)은 상기 제2 소스 전극(S2)과 이격되어 상기 제2 액티브 패턴과 중첩된다. 상기 제2 드레인 전극(D2)은 상기 제2 방향(DI2)을 따라 길게 연장될 수 있다.
상기 보호막(160)은 상기 데이터 배선(150) 및 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 덮도록 상기 게이트 절연막(140) 상에 형성될 수 있다. 상기 보호막(160)에는 상기 제1 드레인 전극(D1)의 일부를 노출시키는 제1 콘택홀(CH1), 및 상기 제2 드레인 전극(D2)의 일부를 노출시키는 제2 콘택홀(CH2)이 형성될 수 있다.
상기 보호막(160)은 상기 데이터 배선(150) 및 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 덮도록 상기 게이트 절연막(140) 상에 형성된 패시베이션막(162), 및 상기 패시베이션막(162) 상에 형성된 유기 절연막(164)을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 패시베이션막(162) 및 상기 유기 절연막(164) 중 어느 하나는 생략될 수 있다.
상기 화소전극(170)은 단위화소 내에 배치되어 상기 보호막(170) 상에 형성된다. 상기 화소전극(170)은 상기 보호막(170)에 형성된 콘택홀을 통해 상기 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극과 전기적으로 연결된다. 상기 화소전극(170)은 투 명한 도전성 물질로 이루어질 수 있다.
상기 화소전극(170)은 예를 들어, 상기 제1 콘택홀(CH1)을 통해 상기 제1 데이터 배선(152)과 전기적으로 연결된 하이전압 화소전극(HPX), 및 상기 제2 콘택홀(CH2)을 통해 상기 제2 데이터 배선(154)과 전기적으로 연결된 로우전압 화소전극(LPX)을 포함할 수 있다.
상기 하이전압 화소전극(HPX)은 상기 제1 방향(DI1)을 따라 상기 단위화소의 중심을 지나는 가상의 중심선을 기준으로 실질적으로 대칭되는 형상을 가질 수 있다. 일례로, 상기 하이전압 화소전극(HPX)은 상기 중심선을 기준으로 실질적으로 대칭인 V-자 형상을 가질 수 있다.
상기 로우전압 화소전극(LPX)은 상기 하이전압 화소전극(HPX)과 이격되고, 상기 하이전압 화소전극(HPX)을 감싸는 형상을 가질 수 있다. 상기 로우전압 화소전극(LPX)은 상기 중심선을 기준으로 실질적으로 대칭인 V-자 형상을 가질 수 있다.
상기 로우전압 화소전극(LPX)은 상기 하이전압 화소전극(HPX)보다 넓은 면적을 가질 수 있다. 상기 로우전압 화소전극(LPX)은 상기 제1 및 제2 방향들(DI1, DI2)의 사이에 형성된 제3 방향(DI3)을 따라 연장된 적어도 하나의 제1 화소몸체, 및 상기 제3 방향(DI3)과 직교하는 제4 방향(DI4)을 따라 연장된 적어도 하나의 제2 화소몸체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 화소몸체는 상기 하이전압 화소전극(HPX)의 하측에 배치되고, 상기 제2 화소몸체는 상기 하이전압 화소전극(HPX)의 상측에 배치될 수 있다.
상기 제1 및 제2 화소몸체들 각각은 몸체 전극부(172) 및 복수의 돌출 전극부들(174)을 포함한다. 상기 몸체 전극부(172)는 상기 제3 방향(DI3) 또는 상기 제4 방향(DI4)을 따라 연장된다. 상기 돌출 전극부들(174)은 상기 몸체 전극부(172)로부터 상기 몸체 전극부(172)의 길이방향에 대하여 직교하는 방향으로 돌출된다.
본 실시예에서, 상기 로우전압 화소전극(LPX)이 상기 몸체 전극부(172) 및 상기 돌출 전극부들(174)을 포함하는 것으로 설명하였으나, 상기 하이전압 화소전극(LPX)도 상기 로우전압 화소전극(LPX)과 동일하게 상기 몸체 전극부(172) 및 상기 돌출 전극부들(174)을 포함할 수도 있다.
이어서, 상기 제2 기판(200)은 제2 투명기판(210), 차광 패턴(미도시), 컬러필터(220) 및 공통전극(230)을 포함할 수 있다.
상기 제2 투명기판(210)은 상기 제1 기판(100)과 대향하도록 배치된다. 상기 제2 투명기판(210)은 플레이트 형상을 갖고, 투명한 물질로 이루어진다. 예를 들어 유리, 상기 제2 투명기판(210)은 유리, 석영 및 투명한 합성수지로 이루어질 수 있다.
상기 차광패턴은 상기 제1 기판(100)과 마주보는 상기 제2 투명기판(210)의 일면 상에 형성되어, 상기 게이트 배선(120), 상기 데이터 배선(150) 및 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 커버할 수 있다. 상기 차광패턴은 광의 이동을 차단하는 블랙 매트릭스(black matrix)일 수 있다.
상기 컬러필터(220)는 상기 제1 기판(100)과 마주보는 상기 제2 투명기 판(210)의 일면 상에 형성되고, 상기 화소전극(170)과 대응되는 위치에 배치된다. 상기 컬러필터(220)는 적색 컬러필터, 녹색 컬러필터 및 청색 컬러필터를 포함할 수 있다.
상기 공통전극(230)은 상기 차광패턴 및 상기 컬러필터(220) 상에 형성된다. 상기 공통전극(230)은 투명한 도전성 물질로 이루어지며, 공통전압을 외부로부터 인가받는다.
상기 공통전극(230)에는 상기 화소전극(170)과의 사이의 영역을 복수의 도메인들로 분할하기 위한 도메인 분할홈(232)을 가질 수 있다. 상기 도메인 분할홈(232)은 상기 하이전압 화소전극(HPX) 또는 상기 로우전압 화소전극(LPX)을 두 영역으로 분할하도록 상기 제3 방향(DI3) 또는 상기 제4 방향(DI4)을 따라 연장될 수 있다.
이어서, 상기 액정층(300)은 상기 제1 및 제2 기판들(100, 200) 사이에 개재된다. 상기 액정층(300)의 액정들은 상기 화소전극(170) 및 상기 공통전극(240) 사이에 전기장에 의해 배열이 변경되고, 그로 인해 광 투과율이 변경될 수 있다.
도 3은 도 1의 화소전극 중 돌출 전극부를 확대해서 도시한 평면도이다.
도 3을 참조하면, 상기 돌출 전극부들(174)은 상기 몸체 전극부(172)로부터 돌출 방향을 따라 길게 돌출된다. 여기서, 상기 돌출 방향은 도 1에서의 상기 제3 방향(DI1) 또는 상기 제4 방향(DI4)이다.
상기 돌출 전극부(174)의 돌출 길이(L)는 약 25㎛ ~ 약 27㎛의 범위를 가질 수 있고, 예를 들어, 약 26㎛일 수 있다. 상기 돌출 전극부들(174) 사이의 간 격(P)은 약 7.5㎛ ~ 약 8.5㎛의 범위를 가질 수 있고, 예를 들어, 약 8㎛일 수 있다.
상기 돌출 전극부(174)는 직사각형 전극(RE) 및 경사 전극(TE)을 포함한다. 상기 직사각형 전극(RE)은 상기 몸체 전극부(172)와 연결되고, 평면적으로 보았을 때 실질적으로 직사각형 형상을 갖는다. 상기 경사 전극(TE)은 상기 직사각형 전극(RE)과 상기 돌출 방향으로 연결되고, 상기 돌출 방향에 대하여 경사진 양변들을 갖는다. 예를 들어, 상기 경사 전극(TE)은 상기 돌출 방향을 기준으로 좌우가 실질적으로 대칭인 사다리꼴 형상을 가질 수 있다.
상기 직사각형 전극(RE)의 높이(H)는 상기 돌출 전극부(174)의 돌출 길이(L)에 대하여 약 15% ~ 약 25%의 범위를 가질 수 있고, 바람직하게 상기 돌출 길이(L)에 대하여 약 20%일 수 있다. 구체적으로 예를 들어, 상기 직사각형 전극(RE)의 높이(H)는 약 3.9㎛ ~ 약 6.5㎛의 범위를 가질 수 있고, 예를 들어, 약 5.2㎛일 수 있다.
상기 돌출 전극부들(174)의 하단부들 사이의 하단 이격거리(D1)는 노광 분해능의 한계로 인해 약 3㎛ 이상이어야 하고, 일반적으로 약 3.5㎛ 이상이어야 한다. 상기 돌출 전극부들(174)의 상단부들 사이의 상단 이격거리(D2)는 상기 하단 이격거리(D1)와 같거나 길게 형성된다.
상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)과 상기 하단 이격거리(D1)의 합은 상기 돌출 전극부들(174) 사이의 간격(P)과 동일하다. 또한, 상기 돌출 전극부(174)의 상단부에서의 폭(T2)과 상기 상단 이격거리(D2)의 합은 상기 돌출 전극 부들(174) 사이의 간격(P)과 동일하다. 그로 인해, 상기 돌출 전극부(174)의 상단부에서의 폭(T2)은 상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)과 같거나 작다.
예를 들어, 상기 하단 이격거리(D1)가 약 3.5㎛이고, 상기 돌출 전극부들(174) 사이의 간격(P)이 약 8㎛일 때, 상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)은 약 4,5㎛이다. 또한, 상기 돌출 전극부(174)의 상단부에서의 폭(T2)이 상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)보다 작은 약 3,5㎛일 때, 상기 상단 이격거리(D2)가 약 4.5㎛이다.
한편, 상기 하단 이격거리(D1)가 약 4.1㎛이고, 상기 돌출 전극부들(174) 사이의 간격(P)이 약 8.2㎛일 때, 상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)은 약 4.1㎛일 수도 있다. 즉, 상기 하단 이격거리(D1)가 약 4.0㎛ 이상일 경우에도, 상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)은 약 4.0㎛ 이상일 수 있다.
이하, 도 1 내지 도 3을 통해 설명한 제1 기판(100)의 제조방법에 대하여 설명하고자 한다.
도 1 내지 도 3을 다시 참조하면, 우선 상기 제1 투명기판(110) 상에 게이트 금속층을 형성하고, 상기 게이트 금속층을 패터닝하여 게이트 금속패턴을 형성한다. 상기 게이트 금속패턴은 상기 게이트 배선(120), 상기 스토리지 배선(130), 상기 제1 게이트 전극(G1) 및 상기 제2 게이트 전극(G2)을 포함한다.
이어서, 상기 게이트 금속패턴을 덮도록 상기 제1 투명기판(110) 상에 상기 게이트 절연막(140)을 형성한다.
이어서, 상기 게이트 절연막(140) 상에 액티브층을 형성하고, 상기 액티브층 을 패터닝하여 액티브 패턴을 형성한다. 여기서, 상기 액티브 패턴은 상기 제1 액티브 패턴 및 상기 제2 액티브 패턴을 포함한다.
이어서, 상기 액티브 패턴을 덮도록 상기 게이트 절연막(140) 상에 데이터 금속층을 형성하고, 상기 데이터 금속층을 패터닝하여 데이터 금속패턴을 형성한다. 상기 데이터 금속패턴은 상기 제1 데이터 라인(152), 제2 데이터 라인(154), 상기 제1 소스 전극(S1), 상기 제1 드레인 전극(D1), 상기 제2 소스 전극(S2) 및 상기 제2 드레인 전극(D2)을 포함한다.
이어서, 상기 데이터 금속패턴을 덮도록 상기 게이트 절연막(140) 상에 상기 보호막(160)을 형성하고, 상기 보호막(160)의 일부를 제거하여 상기 제1 드레인 전극(D1)의 일부를 노출시키는 상기 제1 콘택홀(CH1) 및 상기 제2 드레인 전극(D2)의 일부를 노출시키는 상기 제2 콘택홀(CH2)을 형성한다. 상기 보호막(160)은 상기 패시베이션막(162) 및 상기 유기 절연막(164)을 포함할 수 있다.
이어서, 상기 보호막(160) 상에 화소 금속층을 형성하고, 포토리소그래피 공정을 통해 상기 화소 금속층을 패터닝하여 상기 화소전극(170)을 형성한다.
상기 화소전극(170)은 상기 제1 콘택홀(CH1)을 통해 상기 제1 데이터 배선(152)과 전기적으로 연결된 하이전압 화소전극(HPX), 및 상기 제2 콘택홀(CH2)을 통해 상기 제2 데이터 배선(154)과 전기적으로 연결된 로우전압 화소전극(LPX)을 포함할 수 있다.
상기 로우전압 화소전극(LPX)은 상기 제3 방향(DI3) 또는 상기 제4 방향(DI4)을 따라 연장된 몸체 전극부(172), 및 상기 몸체 전극부(172)로부터 상기 몸체 전극부(172)의 길이방향에 대하여 직교하는 방향으로 돌출된 복수의 돌출 전극부들(174)을 포함한다.
상기 돌출 전극부(174)는 상기 몸체 전극부(172)와 연결된 상기 직사각형 전극(RE)과, 상기 직사각형 전극(RE)과 상기 돌출 방향으로 연결되고 상기 돌출 방향에 대하여 경사진 양변들을 갖는 상기 경사 전극(TE)을 포함한다. 여기서, 상기 돌출 전극부들(174)의 하단부들 사이의 하단 이격거리(D1)는 노광 분해능의 한계로 인해 약 3㎛ 이상으로 형성되고, 일반적으로 약 3.5㎛ 이상으로 형성된다.
본 실시예에 의하면, 상기 돌출 전극부(174)의 경사 전극(TE)은 상기 돌출 방향에 대하여 경사지게 형성된 상기 양변들에 의해 상기 액정들의 초기 방향성을 제어할 수 있고, 그로 인해 상기 액정들의 응답속도의 증가를 유도할 수 있다. 여기서, 상기 경사 전극(TE)의 양변들과 상기 돌출 방향과의 경사각도는 상기 액정들의 초기 방향성 제어력과 일반적으로 비례한다. 즉, 상기 양변들과 상기 돌출 방향과의 경사각도가 증가될수록 상기 액정들의 응답속도가 증가될 수 있다.
상기 경사 전극(TE)의 양변들과 상기 돌출 방향과의 경사각도는 상기 돌출 전극부(174)의 돌출 길이(L)가 일정하다라고 할 때, 상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)과 상기 돌출 전극부(174)의 상단부에서의 폭(T2)과 차이와 비례한다. 따라서, 상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)과 상기 돌출 전극부(174)의 상단부에서의 폭(T2)과 차이가 커질수록 상기 액정들의 초기 방향성 제어력이 증가될 수 있다.
한편, 상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)과 상기 돌출 전극 부(174)의 상단부에서의 폭(T2)과 차이가 증가되기 위해서는 상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)이 증가되거나, 또는 상기 돌출 전극부(174)의 상단부에서의 폭(T2)이 감소되어야 한다.
여기서, 상기 돌출 전극부들(174) 사이의 간격(P)이 약 8㎛으로 일정할 때, 상기 하단 이격거리(D1)는 노광 분해능의 한계로 인해 일반적으로 약 3.5㎛ 이상이어야 하므로, 상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)의 최대값은 약 4,5㎛이다. 즉, 상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)은 약 4,5㎛ 이상으로 증가될 수 없다.
또한, 상기 돌출 전극부(174)의 상단부에서의 폭(T2)이 상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)과 같거나 작은 값을 가지므로, 약 0㎛ ~ 약 4,5㎛의 범위를 가질 수 있다. 그러나, 상기 돌출 전극부(174)의 상단부에서의 폭(T2)이 너무 작은 값을 가질 경우, 상기 돌출 전극부들(174) 사이의 오픈 영역이 증가되어 광의 투과율이 감소될 수 있다. 따라서, 상기 돌출 전극부(174)의 상단부에서의 폭(T2)은 일반적으로 약 3,5㎛ 이상이어야 하므로, 약 3,5㎛ ~ 약 4,5㎛의 범위를 가질 수 있다.
위에서 설명한 것과 같이, 상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)의 최대값이 약 4,5㎛이고, 상기 돌출 전극부(174)의 상단부에서의 폭(T2)의 최소값이 약 3,5㎛이므로, 상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)과 상기 돌출 전극부(174)의 상단부에서의 폭(T2)과 차이의 최대값은 약 1㎛이다. 즉, 상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)과 상기 돌출 전극부(174)의 상단부에서의 폭(T2) 과 차이의 상한치가 한정되어 있다.
그러나 본 실시예에서와 같이, 상기 돌출 전극부(174)가 상기 직사각형 전극(RE)을 포함하고 있을 경우, 상기 돌출 전극부(174)의 돌출 길이(L)가 일정하다라고 할 때, 상기 직사각형 전극(RE)의 높이만큼 상기 경사 전극(TE)의 높이가 감소된다. 이와 같이, 상기 경사 전극(TE)의 높이가 감소될 경우, 상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)과 상기 돌출 전극부(174)의 상단부에서의 폭(T2)과 차이가 일정하다고 하더라도, 상기 경사 전극(TE)의 양변들과 상기 돌출 방향과의 경사각도는 증가되어 상기 액정들의 응답속도를 증가시킬 수 있다.
한편, 상기 직사각형 전극(RE)과 대응되는 위치에 배치된 액정들의 응답속도는 상기 직사각형 전극(RE)이 상기 몸체 전극부(172)와 연결되어 있으므로, 상기 몸체 전극부(172)에 의한 강한 전기장에 의해 일반적으로 높은 값을 가질 수 있다.
<실시예 2>
도 4는 본 발명의 실시예 2에 따른 표시장치 중 돌출 전극부(174)를 확대해서 도시한 평면도이다.
본 실시예에 의한 표시장치는 상기 돌출 전극부(174)를 제외하면, 도 1 내지 도 3을 통해 설명한 실시예 1에 의한 표시장치와 실질적으로 동일하다. 따라서, 실질적으로 동일한 구성요소들에는 동일한 참조부호를 부여하고, 상기 돌출 전극부(174) 이외의 구성요소들에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
도 4를 참조하면, 본 실시예에 의한 돌출 전극부들(174)은 상기 몸체 전극 부(172)로부터 돌출 방향을 따라 길게 돌출된다. 여기서, 상기 돌출 방향은 도 1에서의 상기 제3 방향(DI1) 또는 상기 제4 방향(DI4)이다.
상기 돌출 전극부(174)의 돌출 길이(L)는 약 25㎛ ~ 약 27㎛의 범위를 가질 수 있고, 예를 들어, 약 26㎛일 수 있다. 상기 돌출 전극부들(174) 사이의 간격(P)은 약 7.5㎛ ~ 약 8.5㎛의 범위를 가질 수 있고, 예를 들어, 약 8㎛일 수 있다.
상기 돌출 전극부(174)는 직사각형 전극(RE) 및 경사 전극(TE)을 포함한다. 상기 경사 전극(TE)은 상기 몸체 전극부(172)와 연결되고, 상기 돌출 방향에 대하여 경사진 양변들을 갖는다. 예를 들어, 상기 경사 전극(TE)은 상기 돌출 방향을 기준으로 좌우가 실질적으로 대칭인 사다리꼴 형상을 가질 수 있다. 상기 직사각형 전극(RE)은 상기 경사 전극(TE)과 상기 돌출 방향으로 연결되고, 평면적으로 보았을 때 실질적으로 직사각형 형상을 갖는다.
상기 직사각형 전극(RE)의 높이(H)는 상기 돌출 전극부(174)의 돌출 길이(L)에 대하여 약 15% ~ 약 25%의 범위를 가질 수 있고, 바람직하게 상기 돌출 길이(L)에 대하여 약 20%일 수 있다. 구체적으로 예를 들어, 상기 직사각형 전극(RE)의 높이(H)는 약 3.9㎛ ~ 약 6.5㎛의 범위를 가질 수 있고, 예를 들어, 약 5.2㎛일 수 있다.
상기 돌출 전극부들(174)의 하단부들 사이의 하단 이격거리(D1)는 노광 분해능의 한계로 인해 약 3㎛ 이상이어야 하고, 일반적으로 약 3.5㎛ 이상이어야 한다. 상기 돌출 전극부들(174)의 상단부들 사이의 상단 이격거리(D2)는 상기 하단 이격 거리(D1)와 같거나 길게 형성된다.
상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)과 상기 하단 이격거리(D1)의 합은 상기 돌출 전극부들(174) 사이의 간격(P)과 동일하다. 또한, 상기 돌출 전극부(174)의 상단부에서의 폭(T2)과 상기 상단 이격거리(D2)의 합은 상기 돌출 전극부들(174) 사이의 간격(P)과 동일하다. 그로 인해, 상기 돌출 전극부(174)의 상단부에서의 폭(T2)은 상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)과 같거나 작다.
한편, 상기 하단 이격거리(D1)가 약 4.1㎛이고, 상기 돌출 전극부들(174) 사이의 간격(P)이 약 8.2㎛일 때, 상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)은 약 4.1㎛일 수도 있다. 즉, 상기 하단 이격거리(D1)가 약 4.0㎛ 이상일 경우에도, 상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)은 약 4.0㎛ 이상일 수 있다.
이하, 도 1, 도 2 및 도 4를 통해 설명한 제1 기판(100)의 제조방법에 대하여 설명하고자 한다. 본 실시예에 의한 제1 기판(100)의 제조방법은 상기 화소전극(170)을 형성하는 단계를 제외하면, 도 1 내지 도 3을 통해 설명한 실시예 1에 의한 제1 기판의 제조방법과 실질적으로 동일하므로, 상기 화소전극(170)의 형성단계를 제외한 나머지 제조단계들에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
도 4를 다시 참조하면, 상기 보호막(160)을 형성한 후 상기 보호막(160) 상에 화소 금속층을 형성하고, 포토리소그래피 공정을 통해 상기 화소 금속층을 패터닝하여 상기 화소전극(170)을 형성한다.
상기 화소전극(170)은 상기 하이전압 화소전극(HPX) 및 상기 로우전압 화소전극(LPX)을 포함할 수 있다. 상기 로우전압 화소전극(LPX)은 상기 제3 방향(DI3) 또는 상기 제4 방향(DI4)을 따라 연장된 몸체 전극부(172), 및 상기 몸체 전극부(172)로부터 상기 몸체 전극부(172)의 길이방향에 대하여 직교하는 방향으로 돌출된 복수의 돌출 전극부들(174)을 포함한다.
상기 돌출 전극부(174)는 상기 몸체 전극부(172)와 연결되고 상기 돌출 방향에 대하여 경사진 양변들을 갖는 상기 경사 전극(TE), 및 상기 경사 전극(TE)과 상기 돌출 방향으로 연결된 상기 직사각형 전극(RE)을 포함한다. 여기서, 상기 돌출 전극부들(174)의 하단부들 사이의 하단 이격거리(D1)는 노광 분해능의 한계로 인해 약 3㎛ 이상으로 형성되고, 일반적으로 약 3.5㎛ 이상으로 형성된다.
본 실시예에 의하면, 상기 돌출 전극부(174)의 경사 전극(TE)은 상기 돌출 방향에 대하여 경사지게 형성된 상기 양변들에 의해 상기 액정들의 초기 방향성을 제어할 수 있고, 그로 인해 상기 액정들의 응답속도의 증가를 유도할 수 있다.
상기 경사 전극(TE)의 양변들과 상기 돌출 방향과의 경사각도는 상기 돌출 전극부(174)의 돌출 길이(L)가 일정하다라고 할 때, 상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)과 상기 돌출 전극부(174)의 상단부에서의 폭(T2)과 차이와 비례한다. 따라서, 상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)과 상기 돌출 전극부(174)의 상단부에서의 폭(T2)과 차이가 커질수록 상기 액정들의 초기 방향성 제어력이 증가될 수 있다.
본 실시예에서, 상기 돌출 전극부(174)가 상기 직사각형 전극(RE)을 포함하고 있을 경우, 상기 돌출 전극부(174)의 돌출 길이(L)가 일정하다라고 할 때, 상기 직사각형 전극(RE)의 높이(H)만큼 상기 경사 전극(TE)의 높이가 감소된다. 그로 인해, 상기 경사 전극(TE)의 양변들과 상기 돌출 방향과의 경사각도는 증가되어 상기 액정들의 응답속도를 증가시킬 수 있다.
한편, 상기 직사각형 전극(RE)과 대응되는 위치에 배치된 액정들의 응답속도는 상기 직사각형 전극(RE)이 상기 돌출 전극부(174)의 상단부에 배치됨에 따라, 상기 제2 기판(200)의 공통전극(240)에 의한 강한 전기장에 의해 일반적으로 높은 값을 가질 수 있다.
<실시예 3>
도 5는 본 발명의 실시예 3에 따른 표시장치 중 돌출 전극부를 확대해서 도시한 평면도이다.
본 실시예에 의한 표시장치는 상기 돌출 전극부(174)를 제외하면, 도 1 내지 도 3을 통해 설명한 실시예 1에 의한 표시장치와 실질적으로 동일하다. 따라서, 실질적으로 동일한 구성요소들에는 동일한 참조부호를 부여하고, 상기 돌출 전극부(174) 이외의 구성요소들에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
도 5를 참조하면, 본 실시예에 의한 돌출 전극부들(174)은 상기 몸체 전극부(172)로부터 돌출 방향을 따라 길게 돌출된다. 여기서, 상기 돌출 방향은 도 1에서의 상기 제3 방향(DI1) 또는 상기 제4 방향(DI4)이다.
상기 돌출 전극부(174)의 돌출 길이(L)는 약 25㎛ ~ 약 27㎛의 범위를 가질 수 있고, 예를 들어, 약 26㎛일 수 있다. 상기 돌출 전극부들(174) 사이의 간격(P)은 약 7.5㎛ ~ 약 8.5㎛의 범위를 가질 수 있고, 예를 들어, 약 8㎛일 수 있 다.
상기 돌출 전극부(174)는 직사각형 전극 및 경사 전극(TE)을 포함한다. 상기 직사각형 전극은 상기 경사 전극(TE)의 하측에 배치된 하측 직사각형 전극(RE1) 및 상기 경사 전극(TE)의 상측에 배치된 상측 직사각형 전극(RE2)을 포함한다.
상기 하측 직사각형 전극(RE1)은 상기 몸체 전극부(172)와 연결되고, 평면적으로 보았을 때 실질적으로 직사각형 형상을 갖는다. 상기 경사 전극(TE)은 상기 하측 직사각형 전극(RE1)과 연결되고, 상기 돌출 방향에 대하여 경사진 양변들을 갖는다. 예를 들어, 상기 경사 전극(TE)은 상기 돌출 방향을 기준으로 좌우가 실질적으로 대칭인 사다리꼴 형상을 가질 수 있다. 상기 상측 직사각형 전극(RE2)은 상기 경사 전극(TE)과 상기 돌출 방향으로 연결되고, 평면적으로 보았을 때 실질적으로 직사각형 형상을 갖는다.
상기 하측 직사각형 전극(RE1)의 높이(H1) 및 상기 상측 직사각형 전극(RE2)의 높이(H2) 각각은 상기 돌출 전극부(174)의 돌출 길이(L)에 대하여 약 15% ~ 약 25%의 범위를 가질 수 있고, 바람직하게 상기 돌출 길이(L)에 대하여 약 20%일 수 있다. 구체적으로 예를 들어, 상기 직사각형 전극(RE)의 높이(H)는 약 3.9㎛ ~ 약 6.5㎛의 범위를 가질 수 있고, 예를 들어, 약 5.2㎛일 수 있다. 상기 하측 직사각형 전극(RE1)의 높이(H1)는 상기 상측 직사각형 전극(RE2)의 높이(H2)와 실질적으로 동일할 수 있다.
상기 돌출 전극부들(174)의 하단부들 사이의 하단 이격거리(D1)는 노광 분해능의 한계로 인해 약 3㎛ 이상이어야 하고, 일반적으로 약 3.5㎛ 이상이어야 한다. 상기 돌출 전극부들(174)의 상단부들 사이의 상단 이격거리(D2)는 상기 하단 이격거리(D1)와 같거나 길게 형성된다.
상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)과 상기 하단 이격거리(D1)의 합은 상기 돌출 전극부들(174) 사이의 간격(P)과 동일하다. 또한, 상기 돌출 전극부(174)의 상단부에서의 폭(T2)과 상기 상단 이격거리(D2)의 합은 상기 돌출 전극부들(174) 사이의 간격(P)과 동일하다. 그로 인해, 상기 돌출 전극부(174)의 상단부에서의 폭(T2)은 상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)과 같거나 작다.
한편, 상기 하단 이격거리(D1)가 약 4.1㎛이고, 상기 돌출 전극부들(174) 사이의 간격(P)이 약 8.2㎛일 때, 상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)은 약 4.1㎛일 수도 있다. 즉, 상기 하단 이격거리(D1)가 약 4.0㎛ 이상일 경우에도, 상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)은 약 4.0㎛ 이상일 수 있다.
이하, 도 1, 도 2 및 도 5를 통해 설명한 제1 기판(100)의 제조방법에 대하여 설명하고자 한다. 본 실시예에 의한 제1 기판(100)의 제조방법은 상기 화소전극(170)을 형성하는 단계를 제외하면, 도 1 내지 도 3을 통해 설명한 실시예 1에 의한 제1 기판의 제조방법과 실질적으로 동일하므로, 상기 화소전극(170)의 형성단계를 제외한 나머지 제조단계들에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
도 5를 다시 참조하면, 상기 보호막(160)을 형성한 후 상기 보호막(160) 상에 화소 금속층을 형성하고, 포토리소그래피 공정을 통해 상기 화소 금속층을 패터닝하여 상기 화소전극(170)을 형성한다.
상기 화소전극(170)은 상기 하이전압 화소전극(HPX) 및 상기 로우전압 화소 전극(LPX)을 포함할 수 있다. 상기 로우전압 화소전극(LPX)은 상기 제3 방향(DI3) 또는 상기 제4 방향(DI4)을 따라 연장된 몸체 전극부(172), 및 상기 몸체 전극부(172)로부터 상기 몸체 전극부(172)의 길이방향에 대하여 직교하는 방향으로 돌출된 복수의 돌출 전극부들(174)을 포함한다.
상기 돌출 전극부(174)는 상기 몸체 전극부(172)와 연결된 상기 하측 직사각형 전극(RE1), 상기 하측 직사각형 전극(RE1)과 연결되고 상기 돌출 방향에 대하여 경사진 양변들을 갖는 상기 경사 전극(TE), 및 상기 경사 전극(TE)과 연결된 상기 상측 직사각형 전극(RE2)을 포함한다. 여기서, 상기 돌출 전극부들(174)의 하단부들 사이의 하단 이격거리(D1)는 노광 분해능의 한계로 인해 약 3㎛ 이상으로 형성되고, 일반적으로 약 3.5㎛ 이상으로 형성된다.
본 실시예에 의하면, 상기 돌출 전극부(174)의 경사 전극(TE)은 상기 돌출 방향에 대하여 경사지게 형성된 상기 양변들에 의해 상기 액정들의 초기 방향성을 제어할 수 있고, 그로 인해 상기 액정들의 응답속도의 증가를 유도할 수 있다.
상기 경사 전극(TE)의 양변들과 상기 돌출 방향과의 경사각도는 상기 돌출 전극부(174)의 돌출 길이(L)가 일정하다라고 할 때, 상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)과 상기 돌출 전극부(174)의 상단부에서의 폭(T2)과 차이와 비례한다. 따라서, 상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)과 상기 돌출 전극부(174)의 상단부에서의 폭(T2)과 차이가 커질수록 상기 액정들의 초기 방향성 제어력이 증가될 수 있다.
본 실시예에서, 상기 돌출 전극부(174)가 상기 하측 및 상측 직사각형 전극 들(RE1, RE2)을 포함하고 있을 경우, 상기 돌출 전극부(174)의 돌출 길이(L)가 일정하다라고 할 때, 상기 하측 및 상측 직사각형 전극들(RE1, RE2)의 높이들(H1, H2)의 합만큼 상기 경사 전극(TE)의 높이가 감소된다. 그로 인해, 상기 경사 전극(TE)의 양변들과 상기 돌출 방향과의 경사각도는 더욱 증가되어 상기 액정들의 응답속도를 더욱 증가시킬 수 있다.
한편, 상기 하측 직사각형 전극(RE1)과 대응되는 위치에 배치된 액정들의 응답속도는 상기 하측 직사각형 전극(RE1)이 상기 몸체 전극부(172)와 연결되어 있으므로, 상기 몸체 전극부(172)에 의한 강한 전기장에 의해 일반적으로 높은 값을 가질 수 있다.
또한, 상기 상측 직사각형 전극(RE2)과 대응되는 위치에 배치된 액정들의 응답속도는 상기 상측 직사각형 전극(RE2)이 상기 돌출 전극부(174)의 상단부에 배치됨에 따라, 상기 제2 기판(200)의 공통전극(240)에 의한 강한 전기장에 의해 일반적으로 높은 값을 가질 수 있다.
<실시예 4>
도 6은 본 발명의 실시예 4에 따른 표시장치 중 돌출 전극부를 확대해서 도시한 평면도이다.
본 실시예에 의한 표시장치는 상기 돌출 전극부(174)를 제외하면, 도 1 내지 도 3을 통해 설명한 실시예 1에 의한 표시장치와 실질적으로 동일하다. 따라서, 실질적으로 동일한 구성요소들에는 동일한 참조부호를 부여하고, 상기 돌출 전극 부(174) 이외의 구성요소들에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
도 6을 참조하면, 본 실시예에 의한 돌출 전극부들(174)은 상기 몸체 전극부(172)로부터 돌출 방향을 따라 길게 돌출된다. 여기서, 상기 돌출 방향은 도 1에서의 상기 제3 방향(DI1) 또는 상기 제4 방향(DI4)이다.
상기 돌출 전극부(174)의 돌출 길이(L)는 약 25㎛ ~ 약 27㎛의 범위를 가질 수 있고, 예를 들어, 약 26㎛일 수 있다. 상기 돌출 전극부들(174) 사이의 간격(P)은 약 7.5㎛ ~ 약 8.5㎛의 범위를 가질 수 있고, 예를 들어, 약 8㎛일 수 있다.
상기 돌출 전극부(174)는 경사 전극을 포함하고, 상기 경사 전극은 하측 경사 전극(TE1) 및 상측 직사각형 전극(TE2)을 포함한다.
상기 하측 경사 전극(TE1)은 상기 몸체 전극부(172)와 연결되고, 상기 돌출 방향에 대하여 경사진 양변들을 갖는다. 예를 들어, 상기 하측 경사 전극(TE1)은 상기 돌출 방향을 기준으로 좌우가 실질적으로 대칭인 사다리꼴 형상을 가질 수 있다.
상기 상측 경사 전극(TE2)은 상기 하측 경사 전극(TE1)과 상기 돌출 방향으로 연결되고, 상기 돌출 방향에 대하여 경사진 양변들을 갖는다. 예를 들어, 상기 상측 경사 전극(TE2)은 상기 돌출 방향을 기준으로 좌우가 실질적으로 대칭인 사다리꼴 형상을 가질 수 있다. 여기서, 상기 상측 경사 전극(TE2)의 높이는 상기 하측 경사 전극(TE1)의 높이와 실질적으로 동일할 수 있다.
상기 하측 경사 전극(TE1) 및 상기 상측 직사각형 전극(TE2)으로 구성된 상 기 경사 전극은 평면적으로 보았을 때, 중앙부의 폭이 외곽부의 폭보다 얇은 모래시계 형상을 가질 수 있다.
상기 돌출 전극부들(174)의 하단부들 사이의 하단 이격거리(D1)는 노광 분해능의 한계로 인해 약 3㎛ 이상이어야 하고, 일반적으로 약 3.5㎛ 이상이어야 한다. 상기 돌출 전극부들(174)의 상단부들 사이의 상단 이격거리(D2)는 상기 하단 이격거리(D1)와 같거나 길게 형성된다. 본 실시예에서, 상기 돌출 전극부들(174)의 중앙부들 사이의 중앙 이격거리(D3)는 상기 돌출 전극부들(174)의 상단부들 사이의 상단 이격거리(D2)보다 더 길게 형성된다.
상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)과 상기 하단 이격거리(D1)의 합과, 상기 돌출 전극부(174)의 상단부에서의 폭(T2)과 상기 상단 이격거리(D2)의 합과, 상기 돌출 전극부(174)의 중앙부에서의 폭(T3)과 상기 중앙 이격거리(D3)의 합은 모두 상기 돌출 전극부들(174) 사이의 간격(P)과 동일하다.
그로 인해, 상기 돌출 전극부(174)의 상단부에서의 폭(T2)은 상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)과 같거나 작다. 또한, 상기 돌출 전극부(174)의 중앙부에서의 폭(T3)은 상기 돌출 전극부(174)의 상단부에서의 폭(T2)보다 작다.
예를 들어, 상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)은 약 4.5㎛이고, 상기 돌출 전극부(174)의 상단부에서의 폭(T2)은 약 4.1㎛이며, 상기 돌출 전극부(174)의 중앙부에서의 폭(T3)은 3.5㎛일 수 있다.
한편, 상기 하단 이격거리(D1)가 약 4.1㎛이고, 상기 돌출 전극부들(174) 사이의 간격(P)이 약 8.2㎛일 때, 상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)은 약 4.1㎛일 수도 있다. 즉, 상기 하단 이격거리(D1)가 약 4.0㎛ 이상일 경우에도, 상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)은 약 4.0㎛ 이상일 수 있다.
이하, 도 1, 도 2 및 도 6을 통해 설명한 제1 기판(100)의 제조방법에 대하여 설명하고자 한다. 본 실시예에 의한 제1 기판(100)의 제조방법은 상기 화소전극(170)을 형성하는 단계를 제외하면, 도 1 내지 도 3을 통해 설명한 실시예 1에 의한 제1 기판의 제조방법과 실질적으로 동일하므로, 상기 화소전극(170)의 형성단계를 제외한 나머지 제조단계들에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
도 6을 다시 참조하면, 상기 보호막(160)을 형성한 후 상기 보호막(160) 상에 화소 금속층을 형성하고, 포토리소그래피 공정을 통해 상기 화소 금속층을 패터닝하여 상기 화소전극(170)을 형성한다.
상기 화소전극(170)은 상기 하이전압 화소전극(HPX) 및 상기 로우전압 화소전극(LPX)을 포함할 수 있다. 상기 로우전압 화소전극(LPX)은 상기 제3 방향(DI3) 또는 상기 제4 방향(DI4)을 따라 연장된 몸체 전극부(172), 및 상기 몸체 전극부(172)로부터 상기 몸체 전극부(172)의 길이방향에 대하여 직교하는 방향으로 돌출된 복수의 돌출 전극부들(174)을 포함한다.
상기 돌출 전극부(174)는 상기 몸체 전극부(172)와 연결된 상기 하측 경사 전극(TE1), 및 상기 하측 경사 전극(TE1)과 연결된 상기 상측 경사 전극(TE2)을 포함한다. 상기 하측 및 상측 경사 전극들(TE1, TE2)의 전체 형상은 중앙부의 폭이 외곽부의 폭보다 얇은 모래시계 형상일 수 있다. 여기서, 상기 돌출 전극부들(174)의 하단부들 사이의 하단 이격거리(D1)는 노광 분해능의 한계로 인해 약 3 ㎛ 이상으로 형성되고, 일반적으로 약 3.5㎛ 이상으로 형성된다.
본 실시예에 의하면, 상기 하측 경사 전극(TE1)의 양변들 및 상기 상측 경사 전극(TE1)의 양변들 모두가 상기 돌출 방향에 대하여 경사지게 형성됨에 따라, 상기 액정들의 초기 방향성을 제어할 수 있고, 그로 인해 상기 액정들의 응답속도의 증가를 유도할 수 있다.
또한, 상기 돌출 전극부(174)가 상기 하측 및 상측 경사 전극들(TE1, TE2)을 포함하고 있을 경우, 상기 돌출 전극부(174)의 돌출 길이(L)가 일정하고, 상기 하측 및 상측 경사 전극들(TE1, TE2)의 높이가 서로 동일하다라고 할 때, 상기 하측 및 상측 경사 전극들(TE1, TE2)의 높이가 상기 돌출 전극부(174)의 돌출 길이(L)의 반으로 감소된다. 그로 인해, 상기 하측 또는 상측 경사 전극들(TE1, TE2)의 양변들과 상기 돌출 방향과의 경사각도가 더욱 증가되어 상기 액정들의 응답속도를 더욱 증가시킬 수 있다.
<실시예 5>
도 7은 본 발명의 실시예 5에 따른 표시장치 중 돌출 전극부를 확대해서 도시한 평면도이다.
본 실시예에 의한 표시장치는 상기 돌출 전극부(174)를 제외하면, 도 1 내지 도 3을 통해 설명한 실시예 1에 의한 표시장치와 실질적으로 동일하다. 따라서, 실질적으로 동일한 구성요소들에는 동일한 참조부호를 부여하고, 상기 돌출 전극부(174) 이외의 구성요소들에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
도 7을 참조하면, 본 실시예에 의한 돌출 전극부들(174)은 상기 몸체 전극부(172)로부터 돌출 방향을 따라 길게 돌출된다. 여기서, 상기 돌출 방향은 도 1에서의 상기 제3 방향(DI1) 또는 상기 제4 방향(DI4)이다.
상기 돌출 전극부(174)의 돌출 길이(L)는 약 25㎛ ~ 약 27㎛의 범위를 가질 수 있고, 예를 들어, 약 26㎛일 수 있다. 상기 돌출 전극부들(174) 사이의 간격(P)은 약 7.5㎛ ~ 약 8.5㎛의 범위를 가질 수 있고, 예를 들어, 약 8㎛일 수 있다.
상기 돌출 전극부(174)는 직사각형 전극 및 경사 전극을 포함한다. 상기 직사각형 전극은 하측 직사각형 전극(RE1) 및 상측 직사각형 전극(RE2)을 포함하고, 상기 경사 전극은 하측 경사 전극(TE1) 및 상측 직사각형 전극(TE2)을 포함한다.
상기 하측 직사각형 전극(RE1)은 상기 몸체 전극부(172)와 연결되고, 평면적으로 보았을 때 실질적으로 직사각형 형상을 갖는다.
상기 하측 경사 전극(TE1)은 상기 하측 직사각형 전극(RE1)과 상기 돌출 방향으로 연결되고, 상기 돌출 방향에 대하여 경사진 양변들을 갖는다. 예를 들어, 상기 하측 경사 전극(TE1)은 상기 돌출 방향을 기준으로 좌우가 실질적으로 대칭인 사다리꼴 형상을 가질 수 있다.
상기 상측 경사 전극(TE2)은 상기 하측 경사 전극(TE1)과 상기 돌출 방향으로 연결되고, 상기 돌출 방향에 대하여 경사진 양변들을 갖는다. 예를 들어, 상기 상측 경사 전극(TE2)은 상기 돌출 방향을 기준으로 좌우가 실질적으로 대칭인 사다리꼴 형상을 가질 수 있다.
상기 상측 경사 전극(TE2)의 높이는 상기 하측 경사 전극(TE1)의 높이와 실질적으로 동일할 수 있다. 상기 하측 및 상측 경사 전극들(TE1, TE2)의 전체 형상은 평면적으로 보았을 때, 중앙부의 폭이 외곽부의 폭보다 얇은 모래시계 형상을 가질 수 있다.
상기 상측 직사각형 전극(RE2)은 상기 상측 경사 전극(TE)과 상기 돌출 방향으로 연결되고, 평면적으로 보았을 때 실질적으로 직사각형 형상을 갖는다.
상기 돌출 전극부들(174)의 하단부들 사이의 하단 이격거리(D1)는 노광 분해능의 한계로 인해 약 3㎛ 이상이어야 하고, 일반적으로 약 3.5㎛ 이상이어야 한다. 상기 돌출 전극부들(174)의 상단부들 사이의 상단 이격거리(D2)는 상기 하단 이격거리(D1)와 같거나 길게 형성된다. 본 실시예에서, 상기 돌출 전극부들(174)의 중앙부들 사이의 중앙 이격거리(D3)는 상기 돌출 전극부들(174)의 상단부들 사이의 상단 이격거리(D2)보다 더 길게 형성된다.
상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)과 상기 하단 이격거리(D1)의 합과, 상기 돌출 전극부(174)의 상단부에서의 폭(T2)과 상기 상단 이격거리(D2)의 합과, 상기 돌출 전극부(174)의 중앙부에서의 폭(T3)과 상기 중앙 이격거리(D3)의 합은 모두 상기 돌출 전극부들(174) 사이의 간격(P)과 동일하다.
그로 인해, 상기 돌출 전극부(174)의 상단부에서의 폭(T2)은 상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)과 같거나 작다. 또한, 상기 돌출 전극부(174)의 중앙부에서의 폭(T3)은 상기 돌출 전극부(174)의 상단부에서의 폭(T2)보다 작다.
예를 들어, 상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)은 약 4.5㎛이고, 상기 돌출 전극부(174)의 상단부에서의 폭(T2)은 약 4.1㎛이며, 상기 돌출 전극부(174)의 중앙부에서의 폭(T3)은 3.5㎛일 수 있다.
한편, 상기 하단 이격거리(D1)가 약 4.1㎛이고, 상기 돌출 전극부들(174) 사이의 간격(P)이 약 8.2㎛일 때, 상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)은 약 4.1㎛일 수도 있다. 즉, 상기 하단 이격거리(D1)가 약 4.0㎛ 이상일 경우에도, 상기 돌출 전극부(174)의 하단부에서의 폭(T1)은 약 4.0㎛ 이상일 수 있다.
상기 하측 직사각형 전극(RE1)의 높이(H1) 및 상기 상측 직사각형 전극(RE2)의 높이(H2) 각각은 상기 돌출 전극부(174)의 돌출 길이(L)에 대하여 약 15% ~ 약 25%의 범위를 가질 수 있고, 바람직하게 상기 돌출 길이(L)에 대하여 약 20%일 수 있다. 구체적으로 예를 들어, 상기 직사각형 전극(RE)의 높이(H)는 약 3.9㎛ ~ 약 6.5㎛의 범위를 가질 수 있고, 예를 들어, 약 5.2㎛일 수 있다. 상기 하측 직사각형 전극(RE1)의 높이(H1)는 상기 상측 직사각형 전극(RE2)의 높이(H2)와 실질적으로 동일할 수 있다.
한편, 본 실시예에서, 상기 하측 직사각형 전극(RE1) 및 상기 상측 직사각형 전극(RE2) 중 어느 하나는 생략될 수 있다.
이하, 도 1, 도 2 및 도 7을 통해 설명한 제1 기판(100)의 제조방법에 대하여 설명하고자 한다. 본 실시예에 의한 제1 기판(100)의 제조방법은 상기 화소전극(170)을 형성하는 단계를 제외하면, 도 1 내지 도 3을 통해 설명한 실시예 1에 의한 제1 기판의 제조방법과 실질적으로 동일하므로, 상기 화소전극(170)의 형성단계를 제외한 나머지 제조단계들에 대한 자세한 설명은 생략하기로 한다.
도 4를 다시 참조하면, 상기 보호막(160)을 형성한 후 상기 보호막(160) 상에 화소 금속층을 형성하고, 포토리소그래피 공정을 통해 상기 화소 금속층을 패터닝하여 상기 화소전극(170)을 형성한다.
상기 화소전극(170)은 상기 하이전압 화소전극(HPX) 및 상기 로우전압 화소전극(LPX)을 포함할 수 있다. 상기 로우전압 화소전극(LPX)은 상기 제3 방향(DI3) 또는 상기 제4 방향(DI4)을 따라 연장된 몸체 전극부(172), 및 상기 몸체 전극부(172)로부터 상기 몸체 전극부(172)의 길이방향에 대하여 직교하는 방향으로 돌출된 복수의 돌출 전극부들(174)을 포함한다.
상기 돌출 전극부(174)는 상기 몸체 전극부(172)와 연결된 상기 하측 직사각형 전극(RE1), 상기 하측 직사각형 전극(RE1)과 연결된 상기 하측 경사 전극(TE1), 상기 하측 경사 전극(TE1)과 연결된 상기 상측 경사 전극(TE2), 및 상기 상측 경사 전극(TE2)과 연결된 상기 상측 직사각형 전극(RE2)을 포함한다. 상기 하측 및 상측 경사 전극들(TE1, TE2)의 전체 형상은 중앙부의 폭이 외곽부의 폭보다 얇은 모래시계 형상일 수 있다. 여기서, 상기 돌출 전극부들(174)의 하단부들 사이의 하단 이격거리(D1)는 노광 분해능의 한계로 인해 약 3㎛ 이상으로 형성되고, 일반적으로 약 3.5㎛ 이상으로 형성된다.
본 실시예에 의하면, 상기 하측 경사 전극(TE1)의 양변들 및 상기 상측 경사 전극(TE1)의 양변들 모두가 상기 돌출 방향에 대하여 경사지게 형성됨에 따라, 상기 액정들의 초기 방향성을 제어할 수 있고, 그로 인해 상기 액정들의 응답속도의 증가를 유도할 수 있다.
상기 돌출 전극부(174)가 상기 하측 및 상측 경사 전극들(TE1, TE2)을 포함하고 있을 경우, 상기 하측 또는 상측 경사 전극들(TE1, TE2)의 양변들과 상기 돌출 방향과의 경사각도가 증가되어 상기 액정들의 응답속도를 증가시킬 수 있다.
본 실시예에서, 상기 돌출 전극부(174)가 상기 하측 경사 전극(TE1)의 하측에 배치된 상기 하측 직사각형 전극(RE1) 및 상기 상측 경사 전극(TE2)의 하측에 배치된 상기 상측 직사각형 전극(RE2)을 포함함에 따라, 상기 하측 및 상측 경사 전극들(TE1, TE2)의 높이들이 보다 감소될 수 있다. 그로 인해, 상기 하측 또는 상측 경사 전극들(TE1, TE2)의 양변들과 상기 돌출 방향과의 경사각도는 더욱 증가되어 상기 액정들의 응답속도를 더욱 증가시킬 수 있다.
본 발명에 따르면, 복수의 돌출 전극부들이 몸체 전극부로부터 돌출 방향으로 돌출됨에 따라, 하이픽셀 화소전극 및 로우픽셀 화소전극 사이에 형성된 오픈영역의 크기를 보다 감소하여 광의 투과율을 증가시킬 수 있다.
또한, 상기 돌출 전극부가 상기 돌출 방향에 대하여 경사진 양변들을 갖는 경사 전극을 포함함에 따라, 액정들의 초기 방향성 제어력을 증가시킬 수 있다.
또한, 상기 돌출 전극부가 상기 경사 전극과 연결된 직사각형 전극을 더 포함함에 따라, 상기 경사 전극의 양변들과 상기 돌출 방향 사이의 경사각도가 더욱 증가하여 상기 액정들의 초기 방향성 제어력을 더욱 증가시킬 수 있다.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통 상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 표시장치를 도시한 평면도이다.
도 2는 도 1의 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1의 화소전극 중 돌출 전극부를 확대해서 도시한 평면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예 2에 따른 표시장치 중 돌출 전극부를 확대해서 도시한 평면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예 3에 따른 표시장치 중 돌출 전극부를 확대해서 도시한 평면도이다.
도 6은 본 발명의 실시예 4에 따른 표시장치 중 돌출 전극부를 확대해서 도시한 평면도이다.
도 7은 본 발명의 실시예 5에 따른 표시장치 중 돌출 전극부를 확대해서 도시한 평면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 제1 기판 110 : 제1 투명기판
120 : 게이트 배선 130 : 스토리지 배선
140 : 게이트 절연막 150 : 데이터 배선
TFT : 박막 트랜지스터 160 : 보호막
170 : 화소전극 HPX : 하이전압 전극
LPX : 로우전압 전극 172 : 몸체 전극부
174 : 돌출 전극부 RE : 직사각형 전극
RE1 : 하측 직사각형 전극 RE2 : 상측 직사각형 전극
TE : 사다리꼴 전극 TE1 : 하측 사다리꼴 전극
TE2 : 상측 사다리꼴 전극 200 : 제2 기판
210 : 제2 투명기판 220 : 컬러필터
230 : 공통전극 232 : 도메인 분할홈

Claims (20)

  1. 투명기판;
    상기 투명기판 상에 형성된 구동 회로부; 및
    상기 구동 회로부와 전기적으로 연결된 몸체 전극부와, 상기 몸체 전극부로부터 일 방향으로 돌출되고, 각각이 상기 일 방향에 대하여 경사진 양변들을 갖는 경사 전극 및 상기 경사 전극과 상기 일 방향으로 연결된 직사각형 전극을 포함하는 복수의 돌출 전극부들을 구비하는 화소전극을 포함하고,
    상기 돌출 전극부들의 하단부들 간의 이격 거리는 상기 돌출 전극부들 간의 상단 이격 거리 보다 짧게 형성되고,
    상기 돌출 전극부들 각각은 하단부에서 제1 폭을 갖고, 상단부에서 상기 제1 폭보다 작은 제2 폭을 가지며,
    상기 제1 폭과 상기 하단 이격 거리의 합은 상기 제2 폭과 상기 상단 이격 거리의 합과 동일한 것을 특징으로 하는 표시기판.
  2. 제1항에 있어서, 상기 직사각형 전극은
    상기 몸체 전극부 및 상기 경사 전극 사이에 배치되어, 상기 몸체 전극부 및 상기 경사 전극 각각과 연결되는 것을 특징으로 하는 표시기판.
  3. 제1항에 있어서, 상기 직사각형 전극은
    상기 몸체 전극부와 대향하는 상기 경사 전극의 상단부와 연결되는 것을 특징으로 하는 표시기판.
  4. 제1항에 있어서, 상기 직사각형 전극은
    상기 몸체 전극부 및 상기 경사 전극 사이에 배치되어, 상기 몸체 전극부 및 상기 경사 전극의 하단부 각각과 연결된 하측 직사각형 전극; 및
    상기 하단부와 대향하는 상기 경사 전극의 상단부와 연결된 상측 직사각형 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시기판.
  5. 제4항에 있어서, 상기 하측 직사각형 전극의 높이는
    상기 상측 직사각형 전극의 높이와 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 표시기판.
  6. 제5항에 있어서, 상기 하측 직사각형 전극의 높이는
    상기 돌출 전극부의 총 길이에 대하여 15% ~ 25%의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 표시기판.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 제1항에 있어서, 상기 돌출 전극부들의 하단부들 간의 이격거리는
    3.0㎛ ~ 4.0㎛의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 표시기판.
  12. 제1항에 있어서, 상기 구동 회로부는
    상기 투명기판 상에 형성된 게이트 배선;
    상기 게이트 배선과 교차되는 데이터 배선; 및
    상기 게이트 배선, 상기 데이터 배선 및 상기 몸체 전극부와 각각 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시기판.
  13. 투명기판 상에 구동 회로부를 형성하는 단계; 및
    상기 구동 회로부와 전기적으로 연결된 몸체 전극부와, 상기 몸체 전극부로부터 일 방향으로 돌출되고, 각각이 상기 일 방향에 대하여 경사진 양변들을 갖는 경사 전극 및 상기 경사 전극과 상기 일 방향으로 연결된 직사각형 전극을 포함하는 복수의 돌출 전극부들을 구비하는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 돌출 전극부들의 하단부들 간의 이격 거리는 상기 돌출 전극부들 간의 상단 이격 거리 보다 짧게 형성되고,
    상기 돌출 전극부들 각각은 하단부에서 제1 폭을 갖고, 상단부에서 상기 제1 폭보다 작은 제2 폭을 가지며,
    상기 제1 폭과 상기 하단 이격 거리의 합은 상기 제2 폭과 상기 상단 이격 거리의 합과 동일한 것을 특징으로 하는 표시기판의 제조방법.
  14. 투명기판, 상기 투명기판 상에 형성된 구동 회로부 및 상기 구동 회로부와 전기적으로 연결된 화소전극을 갖는 제1 기판;
    상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판; 및
    상기 제1 및 제2 기판들 사이에 개재된 액정층을 포함하고,
    상기 화소전극은
    상기 구동 회로부와 전기적으로 연결된 몸체 전극부, 및
    상기 몸체 전극부로부터 일 방향으로 돌출되고, 각각이 상기 일 방향에 대하여 경사진 양변들을 갖는 경사 전극 및 상기 경사 전극과 상기 일 방향으로 연결된 직사각형 전극을 갖는 복수의 돌출 전극부들을 포함하고,
    상기 돌출 전극부들의 하단부들 간의 이격 거리는 상기 돌출 전극부들 간의 상단 이격 거리 보다 짧게 형성되고,
    상기 돌출 전극부들 각각은 하단부에서 제1 폭을 갖고, 상단부에서 상기 제1 폭보다 작은 제2 폭을 가지며,
    상기 제1 폭과 상기 하단 이격 거리의 합은 상기 제2 폭과 상기 상단 이격 거리의 합과 동일한 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 제2 기판은
    상기 화소전극과의 사이의 영역을 복수의 도메인들로 분할하기 위한 도메인 분할홈을 갖는 공통전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  16. 제14항에 있어서, 상기 직사각형 전극은
    상기 몸체 전극부 및 상기 경사 전극 사이에 배치되어, 상기 몸체 전극부 및 상기 경사 전극의 하단부 각각과 연결된 하측 직사각형 전극; 및
    상기 하단부와 대향하는 상기 경사 전극의 상단부와 연결된 상측 직사각형 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 하측 및 상측 직사각형 전극들 각각의 높이는
    상기 돌출 전극부의 총 길이에 대하여 15% ~ 25%의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 표시장치.
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
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