CN102629041B - 一种3d显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种3D显示装置及其制造方法，涉及3D显示技术领域，可以将视差挡板制作在对盒成型的显示装置盒内，降低透镜的拱高，避免了增加新的工序或采用新的生产设备，从而降低了生产成本。3D液晶显示装置包括：光栅层、对盒成型的TFT阵列基板和彩膜基板，其中TFT阵列基板包括由横纵交叉的栅线和数据线划分出的多个像素单元，每个像素单元包括像素电极和TFT电路，每个像素单元的像素电极包括相互间隔的至少两个左视场像素电极和至少两个右视场像素电极；每个像素单元的TFT电路包括与左视场像素电极连接的第一子TFT电路和与右视场像素电极连接的第二子TFT电路。本发明实施例用于制造3D显示装置。

Description

一种3D显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及3D显示技术领域，尤其涉及一种3D显示装置及其制造方法。 
背景技术
3D(Three Dimensions，三维图形)显示装置与2D显示装置相比，通常需要加装特定的光栅层。目前主流的3D显示装置光栅层的实现方法主要分为两种：视差挡板法和透镜光栅法。 
视差挡板法的基本原理如图1所示。显示面板1上的左视场像素11显示左眼图像，右视场像素12显示右眼图像。在显示面板1前面放置一个视差挡板13作为光栅层，视差挡板13由相间的遮光条纹和透光条纹组成。视差挡板13的遮光条纹为观看者的左眼遮住右眼图像的光，为右眼遮住左眼图像发出的光，使观看者获得立体感觉。一般观看者的双眼距离为人的瞳距T，为60mm左右。以一般显示器为例，一个像素的宽度为P＝60μm，观看距离设为L＝300mm，那么通过图1可以粗略计算出视差挡板与显示面板发光点之间的距离H存在如下公式： 
H = L * P T 式1 
可见，按照一般情况，视差挡板与显示单元发光点之间的距离H需要在0.3mm左右。为了使视差挡板与显示单元发光点之间的距离H达到这个高度，通常需要在制作完显示装置之后，在已对盒成形的显示装置上额外制作一层视差挡板。这样一来，则必须在现有的生产方法基础上增加新的工序或采用新的生产设备，这将造成3D显示装置的生产成本变高。 
透镜光栅法就是在显示面板前面放置一个柱状透镜作为光栅层，显示面板上左视场亚像素显示左眼图像，右视场显示右眼图像，左右视场像素所发出的光经过柱透镜光栅，因为其折射作用，光线传播方向发生偏折，从而使左视场像素的光射入观看者的左眼，右视场像素 的光射入观看者的右眼，从而产生3D效果。图2是简化的柱透镜光栅3D显示结构，显示单元的发光点位于柱透镜的焦平面上，设焦距为f。H是柱透镜下表面到显示单元发光点的距离，在这里f＝H。每一视场像素的宽度为P，栅距约等于2P。透镜的折射率为n2，透镜外折射率为n1。透镜的半径为r，透镜的拱高为g。存在如下公式： 
g - r = n 1 n 2 * H 2 + P 2 - H 式2 
其中，透镜的拱高g是一个重要的参数。每一视场像素的宽度P为60μm左右，n2是一般树脂的折射率，约为1.5，n1为空气的折射率1，H一般为上玻璃的厚度，约为0.5mm，透镜的半径为r，对于完美透镜，r＝f(n2-1)。通过式2可以计算出，在现有结构下，透镜的拱高g至少在11μm以上。透镜的拱高越高意味着透镜光栅层的厚度越大，现有的构图工艺难以制作厚度较大的透镜光栅。为了适应产品规格的变化，必须在现有生产方法的基础上增加新的工序或采用新的生产设备，造成3D显示装置的生产成本变高。 
可见，现有的3D显示装置难以解决在制作光栅层的过程中，由于需要在已对盒成形的显示装置上额外制作视差挡板，或由于透镜的拱高增加而造成的生产成本变高的问题。 
发明内容
本发明的实施例提供一种3D显示装置及其制造方法，可以将视差挡板制作在对盒成型的显示装置盒内，降低透镜的拱高，避免了增加新的工序或采用新的生产设备，从而降低了生产成本。 
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案： 
本发明的一方面，提供一种3D液晶显示装置，包括：光栅层、对盒成型的TFT阵列基板和彩膜基板，其中所述光栅层包括视差挡板或透镜光栅，所述彩膜基板包括透明基板和彩膜，所述TFT阵列基板和所述彩膜基板之间填充有液晶，所述TFT阵列基板包括由横纵交叉的栅线和数据线划分出的多个像素单元，每个像素单元包括像素电极和TFT电路。 
每个像素单元的像素电极包括相互间隔的至少两个左视场像素 电极和至少两个右视场像素电极。 
每个像素单元的TFT电路包括与所述左视场像素电极连接的第一子TFT电路和与所述右视场像素电极连接的第二子TFT电路。 
本发明的另一方面，提供一种3D-OLED显示装置，包括：光栅层、TFT阵列基板和封装层，其中所述光栅层包括视差挡板或透镜光栅，所述TFT阵列基板包括由横纵交叉的栅线和数据线划分出的多个像素单元，每个像素单元包括电致发光EL层和控制电路，所述EL层包括金属阴极、像素电极和位于所述金属阴极和像素电极之间的有机发光材料。 
每个像素单元的像素电极包括相互间隔的至少两个左视场像素电极和至少两个右视场像素电极。 
每个像素单元的控制电路包括与所述左视场像素电极连接的第一子控制电路和与所述右视场像素电极连接的第二子控制电路。 
本发明的另一方面，提供一种3D液晶显示装置制造方法，包括： 
在下基板上通过构图工艺处理得到TFT电路和像素电极，其中，每个像素单元的像素电极包括相互间隔的至少两个左视场像素电极和至少两个右视场像素电极；每个像素单元的TFT电路包括与所述左视场像素电极连接的第一子TFT电路和与所述右视场像素电极连接的第二子TFT电路。 
在上基板上形成光栅层、彩膜，所述光栅层包括视差挡板或透镜光栅。 
将所述上基板和下基板对盒，并在盒中填充液晶。 
本发明的另一方面，提供一种3D-OLED显示装置制造方法，包括： 
在下基板上通过构图工艺处理得到控制电路。 
在形成有控制电路的所述下基板上形成EL层，其中，所述EL层包括金属阴极、像素电极和位于所述金属阴极和像素电极之间的有机发光材料，每个像素单元的像素电极包括相互间隔的至少两个左视场像素电极和至少两个右视场像素电极；每个像素单元的控制电路包 括与所述左视场像素电极连接的第一子控制电路和与所述右视场像素电极连接的第二子控制电路。 
在封装层上形成光栅层，所述光栅层包括视差挡板或透镜光栅。 
将所述形成有光栅层的封装层覆盖在所述下基板上。 
本发明实施例提供的3D显示装置及其制造方法，通过将现有技术中一个像素单元内的用以显示某一特定视场的亚像素电极变为相互间隔的多个左视场像素电极和右视场像素电极，大幅度减小了单视场像素电极的宽度。单视场像素电极宽度的减小可以降低光栅层的厚度，当光栅层为视差挡板时，视差挡板厚度的减小使得视差挡板可以直接制作在显示装置的盒内而无需在已对盒成形的显示装置上额外制作一层视差挡板，当光栅层为透镜光栅时，透镜光栅厚度的减小可以使柱状透镜的拱高降低。这样一来，采用现有的制作工艺就可以满足产品的生产要求，避免了增加新的工序或采用新的生产设备，从而降低了生产成本。 
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 
图1为现有技术中视差挡板法的原理示意图； 
图2为现有技术中透镜光栅法的原理示意图； 
图3为本发明实施例提供的一种3D液晶显示装置的结构示意图； 
图4为本发明实施例提供的一种3D液晶显示装置的TFT阵列基板的结构示意图； 
图5为本发明实施例提供的一种3D液晶显示装置与现有液晶显示装置的像素显示效果对比图； 
图6为本发明实施例提供的另一3D液晶显示装置的结构示意 图； 
图7为本发明实施例提供的另一3D液晶显示装置的结构示意图； 
图8为本发明实施例提供的另一3D液晶显示装置的结构示意图； 
图9为本发明实施例提供的显示装置的TFT阵列基板的结构示意图； 
图10a为本发明实施例提供的一种3D-OLED显示装置的结构示意图； 
图10b为本发明实施例提供的一种3D-OLED显示装置的TFT阵列基板的结构示意图； 
图11为本发明实施例提供的另一3D-OLED显示装置的结构示意图； 
图12为本发明实施例提供的另一3D-OLED显示装置的结构示意图； 
图13为本发明实施例提供的另一3D-OLED显示装置的结构示意图； 
图14为本发明实施例提供的一种3D液晶显示装置制造方法的流程示意图； 
图15为本发明实施例提供的一种3D-OLED显示装置制造方法的流程示意图。 
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。 
本发明实施例提供的3D液晶显示装置，如图3所示，包括。 
光栅层31、对盒成型的TFT阵列基板32和彩膜基板33，其中 光栅层31包括视差挡板或透镜光栅，彩膜基板33包括透明基板331和彩膜332，TFT阵列基板32和彩膜基板33之间填充有液晶，TFT阵列基板32如图4所示，包括由横纵交叉的栅线41和数据线42划分出的多个像素单元43，每个像素单元43包括像素电极431和TFT电路432。 
每个像素单元43的像素电极431包括相互间隔的至少两个左视场像素电极4311和至少两个右视场像素电极4312。 
每个像素单元43的TFT电路432包括与左视场像素电极4311连接的第一子TFT电路4321和与右视场像素电极4312连接的第二子TFT电路4322。即，所有的左视场像素电极4311均与第一子TFT电路4321连接，所有的右视场像素电极4312均与第二子TFT电路4322连接。其中，各个左视场像素电极4311可以通过任何可以实现电路导通的结构连接于第一子TFT电路4321之上，各个右视场像素电极4312可以通过任何可以实现电路导通的结构连接于第二子TFT电路4322之上。 
本发明实施例提供的3D液晶显示装置，通过将现有技术中一个像素单元内的用以显示某一特定视场的亚像素电极变为相互间隔的多个左视场像素电极和右视场像素电极，大幅度减小了单视场像素电极的宽度。单视场像素电极宽度的减小可以降低光栅层的厚度，当光栅层为视差挡板时，视差挡板厚度的减小使得视差挡板可以直接制作在显示装置的盒内而无需在已对盒成形的显示装置上额外制作一层视差挡板，当光栅层为透镜光栅时，透镜光栅厚度的减小可以使柱状透镜的拱高降低。这样一来，采用现有的制作工艺就可以满足产品的生产要求，避免了增加新的工序或采用新的生产设备，从而降低了生产成本。 
需要说明的是，相互间隔的至少两个左视场像素电极4311和至少两个右视场像素电极4312均为细长的条状电极。这些相互间隔的至少两个左视场像素电极4311和至少两个右视场像素电极4312可以平行于栅线41，也可以平行于数据线42。示例性的，在本发明实施例提供的3D液晶显示装置中，以相互间隔的至少两个左视场像素电极4311和至少两个右视场像素电极4312平行于数据线42为例进行 说明。 
在本发明实施例中，透明基板可以是用于封装液晶显示装置的透明材料基板。例如，透明基板可以是玻璃基板或透明树脂基板。 
进一步地，如图4所示，本发明实施例提供的3D液晶显示装置中，在每个像素单元43中，所有的左视场像素电极4311构成第一梳状结构，所有的右视场像素电极4312构成第二梳状结构，第一梳状结构与第二梳状结构相互交叉设置；即所有的左视场像素电极4311和所有的右视场像素电极4312可以整体上为相互间隔的梳状结构。优选地，左视场像素电极4311、右视场像素电极4312的宽度相等；在本实施例中，二者的宽度均为a，a可以为1-20μm。当然，左视场像素电极4311、右视场像素电极4312的宽度也可以不相等。优选地，在每个像素单元43中，左视场像素电极4311与右视场像素电极4312的个数相等，此时可以实现更好的显示效果。在图4所示实施例中，在每个像素单元43中，左视场像素电极4311和右视场像素电极4312均为8个。 
在本发明实施例中，原本的两个相邻像素单元中的块状单视场亚像素电极变更为了在同一个像素单元中的相互对插的梳状的左视场像素电极和右视场像素电极。当两个视场像素显示不同颜色时，如果忽略两个视场像素电极之间存在的微小电场对液晶产生的影响，本发明实施例提供的双视场液晶显示装置与现有液晶显示装置的像素显示效果对比可以如图5所示。可以清楚地发现，相对于现有技术，本发明实施例提供的液晶显示装置大幅度减小了单视场像素电极的宽度。由于这样一种像素结构中的单边视场像素电极的宽度要远小于现有技术中的亚像素电极结构，因此可以将这样一种像素结构命名为“微像素结构”。
进一步地，如图4所示，第一子TFT电路4321的栅极441和第二子TFT电路4322的栅极451可以与同一条栅线41连接；第一子TFT电路4321的源极442和第二子TFT电路4322的源极452可以分别与一个像素单元两端的数据线421和422连接；第一子TFT电路4321的漏极443可以与左视场像素电极4311连接，第二子TFT电路4322的漏极453可以与右视场像素电极4312连接。 
这样一来，同一视场像素电极共用同一条数据线、栅线和同一个TFT，使得像素开口率有限的降低，从而避免了液晶显示装置开口率大幅度下降的问题。 
更近一步地，当光栅层31为视差挡板时，视差挡板可以位于透明基板331和TFT阵列基板32之间，视差挡板可以位于彩膜332的上方或下方，且与彩膜332的距离为1-100μm。具体的，视差挡板可以位于透明基板331和TFT阵列基板32之间，视差挡板也可以位于TFT阵列基板32的透明基板321和TFT阵列层322之间。 
当光栅层31为透镜光栅时，透镜光栅可以位于透明基板331的上方。 
当光栅层31为视差挡板，且视差挡板位于彩膜332的上方时，如图3所示，视差挡板与彩膜332之间可以设有厚度为1-100μm的透明层34。 
其中，透明层34可以是使用任意一种透光材料形成的透明薄膜，具体的，可以采用塑料薄膜或有机硅橡胶薄膜形成透明层。透明层34主要用于在光栅层31和彩膜332之间隔出一定高度，透明层34的厚度即为视差挡板与显示单元发光点之间的距离H。 
当光栅层31为视差挡板，且视差挡板位于彩膜332的下方时，如图6所示。 
视差挡板可以直接位于TFT阵列基板32的上表面。 
由于TFT阵列基板上表面发光点到视差挡板的距离通常包括彩膜厚度、阵列厚度和液晶取向膜厚度，这些厚度之和通常为4-7μm。这样一来，在没有透明层作为隔垫物的情况下，也可以满足挡板和彩膜发光点的距离H在1-100μm的范围之内，从而简化了流程，节约了成本。 
在本发明实施例中，若令一个像素的宽度P为2μm，人的瞳距T为60mm，观看距离仍设为L＝300mm。通过式1可以计算得到视差挡板与显示单元发光点之间的距离H为10μm。显然，此距离可以在显示装置的盒内制作得到。 
当光栅层31为透镜光栅时，该透镜光栅可以包括液晶透镜或柱 透镜光栅。 
进一步地，当光栅层31为液晶透镜时，如图7所示，液晶透镜70包括上电极71和下电极72，上电极71和下电极72之间填充有液晶形成液晶层73，液晶的盒厚g即为柱状透镜的拱高。采用这样一种结构，可以通过控制电极上的电压分布，控制不同位置液晶分子的偏转，使其产生柱状透镜的作用。这样一来，当上电极71和下电极72未通电时，液晶分子不发生偏转，显示装置能够进行2D状态的显示；当上电极71和下电极72通电时，液晶分子发生偏转，显示装置能够进行3D状态的显示。 
当光栅层31为柱透镜光栅时，如图8所示，柱透镜光栅80可以通过先在透明基板331上沉积一层透明的光刻胶，然后再利用灰阶曝光掩膜版进行曝光显影，利用不同的曝光量得到，透镜的拱高为g。 
在本发明实施例中，若令一个像素的宽度P为10μm，n2是一般树脂的折射率，约为1.5，n1为空气的折射率1，H一般为透明基板的厚度，约为0.5mm，透镜的半径为r＝f(n2-1)。通过式2可以计算出透镜的拱高约为5μm。显然，上述结构可以实现显示装置厚度的降低。 
进一步地，如图9所示，光栅层31的中心线与显示装置的显示区域40的中心线重合于直线m。 
当光栅层31为视差挡板时，视差挡板中心处的狭缝中心线与显示屏中心处的左视场像素电极和右视场像素电极之间的狭缝重合。此外，视差挡板的狭缝个数为左视场像素电极和右视场像素电极个数之和的一半。 
本发明实施例提供的3D-OLED显示装置，如图10a所示。包括： 
光栅层101、TFT阵列基板102和封装层103，其中光栅层101包括视差挡板或透镜光栅，TFT阵列基板102如图10b所示，包括由横纵交叉的栅线104和数据线105划分出的多个像素单元106，每个像素单元106包括EL层107和控制电路108。 
如图10a所示，EL层107包括金属阴极109、像素电极100和位于金属阴极109和像素电极100之间的有机发光材料110。 
每个像素单元106的像素电极100包括相互间隔的至少两个左视场像素电极1001和至少两个右视场像素电极1002。 
每个像素单元106的控制电路108包括与左视场像素电极1001连接的第一子控制电路1081和与右视场像素电极1002连接的第二子控制电路1082。 
本发明实施例提供的3D-OLED显示装置，通过将现有技术中一个像素单元内的用以显示某一特定视场的亚像素电极变为相互间隔的多个左视场像素电极和右视场像素电极，大幅度减小了单视场像素电极的宽度。单视场像素电极宽度的减小可以降低光栅层的厚度，当光栅层为视差挡板时，视差挡板厚度的减小使得视差挡板可以直接制作在显示装置的盒内而无需在已对盒成形的显示装置上额外制作一层视差挡板，当光栅层为透镜光栅时，透镜光栅厚度的减小可以使柱状透镜的拱高降低。这样一来，采用现有的制作工艺就可以满足产品的生产要求，避免了增加新的工序或采用新的生产设备，从而降低了生产成本。 
需要说明的是，相互间隔的至少两个左视场像素电极1001和至少两个右视场像素电极1002均为细长的条状电极。这些相互间隔的至少两个左视场像素电极1001和至少两个右视场像素电极1002可以平行于栅线104，也可以平行于数据线105。示例性的，在本发明实施例提供的3D-OLED显示装置中，以相互间隔的至少两个左视场像素电极1001和至少两个右视场像素电极1002平行于数据线105为例进行说明。 
由于在OLED显示装置中，可能存在多个TFT电路，本发明实施例中所涉及到的控制电路是指用于控制像素电极的部分TFT电路。具体的，控制电路可以包括用于控制像素电极通断电的开关管TFT电路和用于控制像素电极电位变化的驱动管TFT电路。 
进一步地，如图10b所示，在每个像素单元106中，所有的左视场像素电极1001构成第一梳状结构，所有的右视场像素电极1002构成第二梳状结构，第一梳状结构与第二梳状结构相互交叉设置；即所有的左视场像素电极1001和所有的右视场像素电极1002整体上为相互间隔的梳状结构。优选地，左视场像素电极1001、右视场像素电 极1002的宽度相等；在本实施例中，二者的宽度均为b，b可以为1-20μm。当然，左视场像素电极1001、右视场像素电极1002的宽度也可以不相等。优选地，在每个像素单元106中，左视场像素电极1001与右视场像素电极1002的个数相等，此时可以实现更好的显示效果。在图10b所示实施例中，在每个像素单元106中，左视场像素电极1001和右视场像素电极1002均为8个。(在本实施例中，图10b中的第一子控制电路1081和第二子控制电路1082仅为示意，并不代表二者的真实结构；比如811、812和813(或者821、822和823)并非一定为一个TFT(开关管或驱动管)栅极、源极、漏极，而可能属于不同的TFT)。 
第一子控制电路1081开关管的栅极811和第二子控制电路1082开关管的栅极821可以与同一条栅线104连接；第一子控制电路1081开关管的源极812和第二子控制电路1082开关管的源极822可以分别与一个像素单元两端的数据线1051和1052连接；第一子控制电路1081驱动管的漏极813可以与左视场像素电极1001连接，第二子控制电路1082驱动管的漏极813可以与右视场像素电极1002连接。第一子控制电路的开关管与驱动管的连接关系，以及第二控制电路的开关管与驱动管的连接关系，可以根据现有技术在满足OLED驱动条件的前提下任意设定，此处不赘述。 
这样一来，同一视场像素电极共用同一条数据线、栅线和同一个子控制电路，使得像素开口率有限的降低，从而避免了液晶显示装置开口率大幅度下降的问题。 
更近一步地，当光栅层101为视差挡板时，视差挡板可以位于封装层103的上方或下方，且与EL层107的距离为1-100μm。 
当光栅层31为透镜光栅时，透镜光栅可以位于封装层103的上方。 
当光栅层31为视差挡板，且视差挡板位于封装层103的下方时，如图11所示，视差挡板与像素电极100之间可以设有厚度为1-100μm的透明层1011。 
其中，透明层1011可以是真空层或气体层，也可以采用透明隔垫物(比如塑料薄膜)作为透明层。具体的，可以采用塑料薄膜或有 机硅橡胶薄膜形成透明层。透明层1011主要用于在光栅层101和EL层107之间隔出一定高度，透明层1011的厚度即为视差挡板与显示单元发光点之间的距离H。 
当光栅层31为视差挡板，且视差挡板位于封装层103的上方时，如图10a所示。 
视差挡板可以直接位于封装层103的上表面，视差挡板与显示单元发光点之间的距离为H。 
当光栅层31为透镜光栅时，该透镜光栅可以包括液晶透镜或柱透镜光栅。 
进一步地，当光栅层101为液晶透镜时，如图12所示，液晶透镜120包括上电极121和下电极122，上电极121和下电极122之间填充有液晶形成液晶层123，液晶的盒厚g即为柱状透镜的拱高。可以参考图7所述实施例，当采用这样一种结构，可以通过控制电极上的电压分布，控制不同位置液晶分子的偏转，使其产生柱状透镜的作用。这样一来，当上电极121和下电极122未通电时，液晶分子不发生偏转，显示装置能够进行2D状态的显示；当上电极121和下电极122通电时，液晶分子发生偏转，显示装置能够进行3D状态的显示。 
当光栅层101为柱透镜光栅时，如图13所示，可以参考图8所述实施例，柱透镜光栅130可以通过先在封装层103上沉积一层透明的光刻胶，然后再利用灰阶曝光掩膜版进行曝光显影，利用不同的曝光量得到，透镜的拱高为g。 
进一步地，光栅层101的中心线与显示装置的显示区域的中心线重合。 
当光栅层101为视差挡板时，视差挡板中心处的狭缝中心线与显示屏中心处的左视场像素电极和右视场像素电极之间的狭缝重合。此外，视差挡板的狭缝个数为左视场像素电极和右视场像素电极个数之和的一半。 
具体的，上述3D-OLED显示装置中的像素电极和控制电路的结构及连接关系可以参照前述3D液晶显示装置中的像素电极和TFT电路(并结合现有技术中OLED显示的自身特点)，各种结构所产生的 有益效果已在双视场液晶显示装置作了详尽的描述，此处不做赘述。 
本发明实施例提供的3D液晶显示装置制造方法，如图14所示，包括： 
S1401、在下基板上通过构图工艺处理得到TFT电路和像素电极，其中，每个像素单元的像素电极包括相互间隔的至少两个左视场像素电极和至少两个右视场像素电极；每个像素单元的TFT电路包括与左视场像素电极连接的第一子TFT电路和与右视场像素电极连接的第二子TFT电路。即，所有的左视场像素电极4311均与第一子TFT电路4321连接，所有的右视场像素电极4312均与第二子TFT电路4322连接。其中，各个左视场像素电极4311可以通过任何可以实现电路导通的结构连接于第一子TFT电路4321之上，各个右视场像素电极4312可以通过任何可以实现电路导通的结构连接于第二子TFT电路4322之上。 
S1402、在上基板上形成光栅层、彩膜，光栅层包括视差挡板或透镜光栅。 
S1403、将上基板和下基板对盒，并在盒中填充液晶。 
本发明实施例提供的3D液晶显示装置制造方法，通过将现有技术中一个像素单元内的用以显示某一特定视场的亚像素电极变为相互间隔的多个左视场像素电极和右视场像素电极，大幅度减小了单视场像素电极的宽度。单视场像素电极宽度的减小可以降低光栅层的厚度，当光栅层为视差挡板时，视差挡板厚度的减小使得视差挡板可以直接制作在显示装置的盒内而无需在已对盒成形的显示装置上额外制作一层视差挡板，当光栅层为透镜光栅时，透镜光栅厚度的减小可以使柱状透镜的拱高降低。这样一来，采用现有的制作工艺就可以满足产品的生产要求，避免了增加新的工序或采用新的生产设备，从而降低了生产成本。 
需要说明的是，相互间隔的至少两个左视场像素电极和至少两个右视场像素电极均为细长的条状电极。这些相互间隔的至少两个左视场像素电极和至少两个右视场像素电极可以平行于栅线，也可以平行于数据线。示例性的，在本发明实施例提供的3D液晶显示装置中，以相互间隔的至少两个左视场像素电极和至少两个右视场像素电极 平行于数据线为例进行说明。 
进一步地，在每个像素单元中，所有的左视场像素电极构成第一梳状结构，所有的右视场像素电极构成第二梳状结构，第一梳状结构与第二梳状结构相互交叉设置；即所有的左视场像素电极和所有的右视场像素电极可以整体上为相互间隔的梳状结构。 
左视场像素电极、右视场像素电极的宽度可以为1-20μm。 
第一子TFT电路的栅极和第二子TFT电路的栅极可以与同一条栅线连接；第一子TFT电路的源极和第二子TFT电路的源极可以分别与一个像素单元两端的数据线连接；第一子TFT电路的漏极可以与左视场像素电极连接，第二子TFT电路的漏极可以与右视场像素电极连接。 
这样一来，同一视场像素电极共用同一条数据线、栅线和同一个TFT，使得像素开口率有限的降低，从而避免了液晶显示装置开口率大幅度下降的问题。 
更近一步地，当光栅层为视差挡板时，视差挡板可以位于上基板彩膜的上方或下方，且与彩膜的距离为1-100μm。 
当光栅层为透镜光栅时，透镜光栅可以位于透明基板的上方。 
当光栅层为视差挡板，且视差挡板位于彩膜的上方时，步骤S1402具体可以包括： 
在上基板上形成彩膜后，在该彩膜上形成厚度为1-100μm的透明层； 
在该透明层上形成视差挡板。 
其中，透明层可以是使用任意一种透光材料形成的透明薄膜，具体的，可以采用塑料薄膜或有机硅橡胶薄膜形成透明层。透明层主要用于在光栅层和彩膜之间隔出一定高度，透明层的厚度即为视差挡板与显示单元发光点之间的距离H。 
当光栅层为视差挡板，且视差挡板位于彩膜的下方时，视差挡板可以直接位于TFT阵列基板的上表面。 
当光栅层为透镜光栅时，该透镜光栅可以包括液晶透镜或柱透镜 光栅。 
进一步地，当光栅层为液晶透镜时，液晶透镜包括上电极和下电极，上电极和下电极之间填充有液晶形成液晶层。采用这样一种结构，可以通过控制电极上的电压分布，控制不同位置液晶分子的偏转，使其产生柱状透镜的作用。这样一来，当上电极和下电极未通电时，液晶分子不发生偏转，显示装置能够进行2D状态的显示；当上电极和下电极通电时，液晶分子发生偏转，显示装置能够进行3D状态的显示。 
当光栅层为柱透镜光栅时，柱透镜光栅可以通过先在透明基板上沉积一层透明的光刻胶，然后再利用灰阶曝光掩膜版进行曝光显影，利用不同的曝光量得到。 
在本发明实施例中，光栅层的中心线与显示装置的显示区域的中心线重合。 
本发明实施例提供的3D-OLED显示装置制造方法，如图15所示，包括： 
S1501、在下基板上通过构图工艺处理得到控制电路。 
S1502、在形成有控制电路的下基板上形成EL层，其中，EL层包括金属阴极、像素电极和位于金属阴极和像素电极之间的有机发光材料，每个像素单元的像素电极包括相互间隔的至少两个左视场像素电极和至少两个右视场像素电极；每个像素单元的控制电路包括与左视场像素电极连接的第一子控制电路和与右视场像素电极连接的第二子控制电路。 
S1503、在封装层上形成光栅层，光栅层包括视差挡板或透镜光栅。 
S1504、将形成有光栅层的封装层覆盖在下基板上。 
本发明实施例提供的3D-OLED显示装置制造方法，通过将现有技术中一个像素单元内的用以显示某一特定视场的亚像素电极变为相互间隔的多个左视场像素电极和右视场像素电极，大幅度减小了单视场像素电极的宽度。单视场像素电极宽度的减小可以降低光栅层的厚度，当光栅层为视差挡板时，视差挡板厚度的减小使得视差挡板可 以直接制作在显示装置的盒内而无需在已对盒成形的显示装置上额外制作一层视差挡板，当光栅层为透镜光栅时，透镜光栅厚度的减小可以使柱状透镜的拱高降低。这样一来，采用现有的制作工艺就可以满足产品的生产要求，避免了增加新的工序或采用新的生产设备，从而降低了生产成本。 
需要说明的是，相互间隔的至少两个左视场像素电极和至少两个右视场像素电极均为细长的条状电极。这些相互间隔的至少两个左视场像素电极和至少两个右视场像素电极可以平行于栅线，也可以平行于数据线。示例性的，在本发明实施例提供的3D-OLED显示装置中，以相互间隔的至少两个左视场像素电极和至少两个右视场像素电极平行于数据线为例进行说明。 
由于在OLED显示装置中，可能存在多个TFT电路，本发明实施例中所涉及到的控制电路是指用于控制像素电极的部分TFT电路。具体的，控制电路可以包括用于控制像素电极通断电的开关管TFT电路和用于控制像素电极电位变化的驱动管TFT电路。 
进一步地，在每个像素单元中，所有的左视场像素电极构成第一梳状结构，所有的右视场像素电极构成第二梳状结构，第一梳状结构与第二梳状结构相互交叉设置；即所有的左视场像素电极和所有的右视场像素电极整体上为相互间隔的梳状结构。优选地，左视场像素电极、右视场像素电极的宽度相等；在本实施例中，二者的宽度可以为1-20μm。当然，左视场像素电极、右视场像素电极的宽度也可以不相等。优选地，在每个像素单元中，左视场像素电极与右视场像素电极的个数相等，此时可以实现更好的显示效果。 
第一子控制电路开关管的栅极和第二子控制电路开关管的栅极可以与同一条栅线连接；第一子控制电路开关管的源极和第二子控制电路开关管的源极可以分别与一个像素单元两端的数据线连接；第一子控制电路驱动管的漏极可以与左视场像素电极连接，第二子控制电路驱动管的漏极可以与右视场像素电极连接。 
这样一来，同一视场像素电极共用同一条数据线、栅线和同一个控制，使得像素开口率有限的降低，从而避免了液晶显示装置开口率大幅度下降的问题。 
更近一步地，当光栅层为视差挡板时，视差挡板可以位于封装层的上方或下方，且与EL层的距离为1-100μm。 
当光栅层为透镜光栅时，透镜光栅可以位于封装层的上方。 
当光栅层为视差挡板，且视差挡板位于封装层的下方时，在形成有控制电路的所述下基板上形成EL层后，3D-OLED显示装置制造方法还可以包括： 
在EL层上形成厚度为1-100μm的透明层。 
其中，透明层可以是真空层或气体层，也可以采用透明隔垫物(比如塑料薄膜)作为透明层。具体的，可以采用塑料薄膜或有机硅橡胶薄膜形成透明层。透明层主要用于在光栅层和EL层之间隔出一定高度，透明层的厚度即为视差挡板与显示单元发光点之间的距离H。 
当光栅层为视差挡板，且视差挡板位于封装层的上方时，视差挡板可以直接位于封装层的上表面。 
当光栅层为透镜光栅时，该透镜光栅可以包括液晶透镜或柱透镜光栅。 
进一步地，当光栅层为液晶透镜时，液晶透镜包括上电极和下电极，上电极和下电极之间填充有液晶形成液晶层。当采用这样一种结构，可以通过控制电极上的电压分布，控制不同位置液晶分子的偏转，使其产生柱状透镜的作用。这样一来，当上电极和下电极未通电时，液晶分子不发生偏转，显示装置能够进行2D状态的显示；当上电极和下电极通电时，液晶分子发生偏转，显示装置能够进行3D状态的显示。 
当光栅层为柱透镜光栅时，柱透镜光栅可以通过先在封装层上沉积一层透明的光刻胶，然后再利用灰阶曝光掩膜版进行曝光显影，利用不同的曝光量得到。 
在本发明实施例中，光栅层的中心线与显示装置的显示区域的中心线重合。 
需要说明的是，本发明实施例提供的双视场OLED显示装置制造方法中涉及到的上基板均可以是指用于封装OLED显示装置的封装层。 
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。 

Claims (32)

1.一种3D液晶显示装置，包括：光栅层、对盒成型的TFT阵列基板和彩膜基板，其中所述光栅层包括视差挡板或透镜光栅，所述彩膜基板包括透明基板和彩膜，所述TFT阵列基板和所述彩膜基板之间填充有液晶，所述TFT阵列基板包括由横纵交叉的栅线和数据线划分出的多个像素单元，每个像素单元包括像素电极和TFT电路，其特征在于，
每个像素单元的像素电极包括相互间隔的至少两个左视场像素电极和至少两个右视场像素电极；
每个像素单元的TFT电路包括与所述左视场像素电极连接的第一子TFT电路和与所述右视场像素电极连接的第二子TFT电路。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在每个像素单元中，所有的所述左视场像素电极构成第一梳状结构，所有的所述右视场像素电极构成第二梳状结构，所述第一梳状结构与所述第二梳状结构相互交叉设置。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述左视场像素电极、右视场像素电极的宽度为1-20μm。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一子TFT电路的栅极和所述第二子TFT电路的栅极与同一条栅线连接；所述第一子TFT电路的源极和所述第二子TFT电路的源极分别与一个像素单元两端的数据线连接；所述第一子TFT电路的漏极与所述左视场像素电极连接，所述第二子TFT电路的漏极与所述右视场像素电极连接。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
当所述光栅层为视差挡板时，所述视差挡板位于所述彩膜的上方或下方，且与所述彩膜的距离为1-100μm；
当所述光栅层为透镜光栅时，所述透镜光栅位于所述透明基板的上方。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，当所述光栅层为视差挡板，且所述视差挡板位于所述彩膜的上方时，所述视差挡板与所述彩膜之间设有厚度为1-100μm的透明层。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述透镜光栅包括液晶透镜或柱透镜光栅。
8.根据权利要求1-7任一所述的显示装置，其特征在于，所述光栅层的中心线与所述显示装置的显示区域的中心线重合。
9.一种3D-OLED显示装置，包括：光栅层、TFT阵列基板和封装层，其中所述光栅层包括视差挡板或透镜光栅，所述TFT阵列基板包括由横纵交叉的栅线和数据线划分出的多个像素单元，每个像素单元包括电致发光EL层和控制电路，所述EL层包括金属阴极、像素电极和位于所述金属阴极和像素电极之间的有机发光材料，其特征在于，
每个像素单元的像素电极包括相互间隔的至少两个左视场像素电极和至少两个右视场像素电极；
每个像素单元的控制电路包括与所述左视场像素电极连接的第一子控制电路和与所述右视场像素电极连接的第二子控制电路。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，在每个像素单元中，所有的所述左视场像素电极构成第一梳状结构，所有的所述右视场像素电极构成第二梳状结构，所述第一梳状结构与所述第二梳状结构相互交叉设置。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述左视场像素电极、右视场像素电极的宽度为1-20μm。
12.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述第一子控制电路开关管的栅极和所述第二子控制电路开关管的栅极与同一条栅线连接；所述第一子控制电路驱动管开关管的源极和所述第二子控制电路驱动管开关管的源极分别与一个像素单元两端的数据线连接；所述第一子控制电路驱动管的漏极与所述左视场像素电极连接，所述第二子控制电路驱动管的漏极与所述右视场像素电极连接。
13.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，
当所述光栅层为视差挡板时，所述视差挡板位于所述封装层的上方或下方，且与所述EL层的距离为1-100μm；
当所述光栅层为透镜光栅时，所述透镜光栅位于所述封装层的上方。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，当所述视差挡板位于所述封装层的下方时，所述视差挡板与所述像素电极之间设有厚度为1-100μm的透明层。
15.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，所述透镜光栅包括液晶透镜或柱透镜光栅。
16.根据权利要求9-15任一所述的显示装置，其特征在于，所述光栅层的中心线与所述显示装置的显示区域的中心线重合。
17.一种3D液晶显示装置制造方法，其特征在于，包括：
在下基板上通过构图工艺处理得到TFT电路和像素电极，其中，每个像素单元的像素电极包括相互间隔的至少两个左视场像素电极和至少两个右视场像素电极；每个像素单元的TFT电路包括与所述左视场像素电极连接的第一子TFT电路和与所述右视场像素电极连接的第二子TFT电路；
在上基板上形成光栅层、彩膜，所述光栅层包括视差挡板或透镜光栅；
将所述上基板和下基板对盒，并在盒中填充液晶。
18.根据权利要求17所述的制造方法，其特征在于，在每个像素单元中，所有的所述左视场像素电极构成第一梳状结构，所有的所述右视场像素电极构成第二梳状结构，所述第一梳状结构与所述第二梳状结构相互交叉设置。
19.根据权利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述左视场像素电极、右视场像素电极的宽度为1-20μm。
20.根据权利要求17所述的制造方法，其特征在于，所述第一子TFT电路的栅极和所述第二子TFT电路的栅极与同一条栅线连接；所述第一子TFT电路的源极和所述第二子TFT电路的源极分别与一个像素单元两端的数据线连接；所述第一子TFT电路的漏极与所述左视场像素电极连接，所述第二子TFT电路的漏极与所述右视场像素电极连接。
21.根据权利要求17所述的制造方法，其特征在于，
当所述光栅层为视差挡板时，所述视差挡板位于所述上基板彩膜的上方或下方，且与所述彩膜的距离为1-100μm；
当所述光栅层为透镜光栅时，所述透镜光栅位于所述上基板所包含的透明基板的上方。
22.根据权利要求21所述的制造方法，其特征在于，当所述光栅层为视差挡板，且所述视差挡板位于所述彩膜的上方时，在上基板上形成光栅层、彩膜包括：
在上基板上形成彩膜后，在所述彩膜上形成厚度为1-100μm的透明层；
在所述透明层上形成所述视差挡板。
23.根据权利要求21所述的制造方法，其特征在于，所述透镜光栅包括液晶透镜或柱透镜光栅。
24.根据权利要求17-23任一所述的制造方法，其特征在于，所述光栅层的中心线与所述显示装置的显示区域的中心线重合。
25.一种3D-OLED显示装置制造方法，其特征在于，包括：
在下基板上通过构图工艺处理得到控制电路；
在形成有控制电路的所述下基板上形成EL层，其中，所述EL层包括金属阴极、像素电极和位于所述金属阴极和像素电极之间的有机发光材料，每个像素单元的像素电极包括相互间隔的至少两个左视场像素电极和至少两个右视场像素电极；每个像素单元的控制电路包括与所述左视场像素电极连接的第一子控制电路和与所述右视场像素电极连接的第二子控制电路；
在封装层上形成光栅层，所述光栅层包括视差挡板或透镜光栅；
将所述形成有光栅层的封装层覆盖在所述下基板上。
26.根据权利要求25所述的制造方法，其特征在于，在每个像素单元中，所有的所述左视场像素电极构成第一梳状结构，所有的所述右视场像素电极构成第二梳状结构，所述第一梳状结构与所述第二梳状结构相互交叉设置。
27.根据权利要求25所述的制造方法，其特征在于，所述左视场像素电极、右视场像素电极的宽度为1-20μm。
28.根据权利要求25所述的制造方法，其特征在于，所述第一子控制电路开关管的栅极和所述第二子控制电路开关管的栅极与同一条栅线连接；所述第一子控制电路开关管的源极和所述第二子控制电路开关管的源极分别与一个像素单元两端的数据线连接；所述第一子控制电路驱动管的漏极与所述左视场像素电极连接，所述第二子控制电路驱动管的漏极与所述右视场像素电极连接。
29.根据权利要求25所述的制造方法，其特征在于，
当所述光栅层为视差挡板时，所述视差挡板位于所述封装层的上方或下方，且与所述EL层的距离为1-100μm；
当所述光栅层为透镜光栅时，所述透镜光栅位于所述封装层的上方。
30.根据权利要求29所述的制造方法，其特征在于，当所述视差挡板位于所述封装层的下方时，在形成有控制电路的所述下基板上形成EL层后，还包括：
在所述EL层上形成厚度为1-100μm的透明层。
31.根据权利要求29所述的制造方法，其特征在于，所述透镜光栅包括液晶透镜或柱透镜光栅。
32.根据权利要求25-31任一所述的制造方法，其特征在于，所述光栅层的中心线与所述显示装置的显示区域的中心线重合。
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