JP3629434B2 - 処理装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明が属する技術分野】
本発明は、例えば液晶表示装置（ＬＣＤ）ガラス基板等の被処理基板に対してレジスト塗布および露光後の現像処理、ならびにそれらの前後に行う熱的処理のような複数の処理を施す処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＣＤの製造においては、被処理基板であるＬＣＤガラス基板に、所定の膜を成膜した後、フォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターンを形成する。
【０００３】
このフォトリソグラフィー技術では、被処理基板であるＬＣＤ基板は、主な工程として、洗浄処理→脱水ベーク→アドヒージョン（疎水化）処理→レジスト塗布→プリベーク→露光→現像→ポストベークという一連の処理を経てレジスト層に所定の回路パターンを形成する。
【０００４】
従来、このような処理は、各処理を行う処理ユニットを搬送路の両側にプロセスフローを意識した形態で配置し、搬送路を走行可能な中央搬送装置により各処理ユニットへの被処理基板の搬入出を行うプロセスブロックを一または複数配置してなる処理システムにより行われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近時、ＬＣＤ基板は大型化の要求が強く、一辺が１ｍにも及ぶような巨大なものまで出現するに至り、上述のような平面的な配置を有する処理システムではフットプリントが極めて大きなものとなってしまい、省スペースの観点からフットプリントの縮小が強く求められている。
【０００６】
フットプリントを小さくするためには、処理ユニットを上下方向に重ねることが考えられるが、現行の処理システムにおいては、スループット向上の観点から搬送装置は大型の基板を水平方向に高速かつ高精度に移動させており、これに加えて高さ方向にも高速かつ高精度に移動させることには自ずから限界がある。また、基板の大型化にともない処理ユニットも大型化しており、レジスト塗布処理ユニットや現像処理ユニット等のスピナー系のユニットは重ねて設けることは極めて困難である。
【０００７】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、スループットを低下させることなく、かつ装置構成上の問題を伴うことなくフットプリントを小さくすることができる、複数の処理ユニットを備えた処理装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決する手段】
上記課題を解決するために、本発明の第１の観点では、被処理基板に対して複数の液処理を含む一連の処理を行う処理装置であって、被処理基板が略水平に搬送されつつ第１の液処理が行われる第１の液処理ユニットと、被処理基板が略水平に搬送されつつ第２の液処理が行われる第２の液処理ユニットと、第１の液処理後に所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約して設けられた第１の熱的処理ユニットセクションと、第２の液処理後に所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約して設けられた第２の熱的処理ユニットセクションと、前記第１の液処理ユニットから搬出された被処理基板を前記第１の熱的処理ユニットセクションへ搬送する第１の搬送装置と、前記第２の液処理ユニットから搬出された被処理基板を前記第２の熱的処理ユニットセクションへ搬送する第２の搬送装置とを具備することを特徴とする処理装置を提供する。
【０００９】
本発明の第２の観点では、被処理基板に対して複数の液処理を含む一連の処理を行う処理装置であって、前記一連の処理に対応して各々被処理基板に対して所定の処理を施す複数の処理ユニットを備えた処理部と、処理前の被処理基板および／または処理後の被処理基板が収納される収納容器を載置し、前記処理部に対して被処理基板を搬入出する搬入出部とを具備し、前記処理部は、被処理基板が略水平に搬送されつつ第１の液処理が行われる第１の液処理ユニットと、被処理基板が略水平に搬送されつつ第２の液処理が行われる第２の液処理ユニットと、第１の液処理後に熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが垂直方向に積層されて構成された第１の熱的処理ユニットセクションと、第２の液処理後に熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが垂直方向に積層されて構成された第２の熱的処理ユニットセクションと、前記第１の液処理ユニットから搬出された被処理基板を前記第１の熱的処理ユニットセクションへ搬送する第１の搬送装置と、前記第２の液処理ユニットから搬出された被処理基板を前記第２の熱的処理ユニットセクションへ搬送する第２の搬送装置とを有することを特徴とする処理装置が提供される。
【００１０】
これら処理装置において、前記第１および第２の熱的処理ユニットセクションは、それぞれ第１および第２の搬送装置に隣接して設けられた、複数の熱的処理ユニットが垂直方向に積層して構成された熱的処理ユニットセクションを有することが好ましい。
【００１１】
本発明の第３の観点では、被処理基板に対して洗浄、レジスト塗布および露光後の現像を含む一連の処理を行う処理装置であって、前記一連の処理に対応して各々被処理基板に対して所定の処理を施す複数の処理ユニットを備えた処理部と、処理前の被処理基板および／または処理後の被処理基板を収納する収納容器を載置し、前記処理部に対して被処理基板を搬入出する搬入出部と、処理部と露光装置との間の被処理基板の受け渡しを行うインターフェイス部とを具備し、前記処理部は、被処理基板が略水平に搬送されつつ洗浄液による洗浄処理および乾燥処理が行われる洗浄処理ユニットと、被処理基板が略水平に搬送されつつレジスト液の塗布を含むレジスト処理が行われるレジスト処理ユニットと、被処理基板が略水平に搬送されつつ、現像液塗布、現像後の現像液除去、および乾燥処理を行う現像処理ユニットと、前記洗浄処理ユニットから搬出された被処理基板に対し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約された第１の熱的処理ユニットセクションと、前記レジスト処理ユニットから搬出された被処理基板に対し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約された第２の熱的処理ユニットセクションと、前記現像処理ユニットから搬出された被処理基板に対し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約された第３の熱的処理ユニットセクションと、前記洗浄処理ユニットから搬出された被処理基板を前記第１の熱的処理ユニットセクションへ搬送するとともに、前記第１の熱的処理ユニットセクションからの被処理基板を前記レジスト処理ユニットへ搬送する第１の搬送装置と、前記レジスト処理ユニットから搬出された被処理基板を前記第２の熱的処理ユニットセクションへ搬送するとともに、前記第２の熱的処理ユニットセクションからの被処理基板を前記インターフェイス部へ搬送する第２の搬送装置と、前記現像処理ユニットから搬出された被処理基板を前記第３の熱的処理ユニットセクションへ搬送するとともに、前記第３の熱的処理ユニットセクションからの被処理基板を前記搬入出部へ搬送する第３の搬送装置とを具備することを特徴とする処理装置を提供する。
【００１２】
この本発明の第３の観点の処理装置において、前記第１、第２および第３の熱的処理ユニットセクションは、それぞれ、第１、第２および第３の搬送装置に隣接して設けられた、複数の熱的処理ユニットが垂直方向に積層して構成された熱的処理ユニットセクションを有することが好ましく、また、前記洗浄処理ユニットと前記レジスト処理ユニットとの間に基板受け渡し部が設けられ、前記第１の搬送装置は、この受け渡し部に対して被処理基板を受け渡すように構成されることが好ましい。さらに、前記処理部における各処理ユニットは、被処理基板の搬送ラインが２列となるように構成され、被処理基板は、前記インターフェイス部でＵターンするように搬送されて処理されるように構成することが好ましい。さらにまた、前記第３の搬送装置は、前記現像処理ユニットから搬出された被処理基板を前記第１の搬送装置を介して受け取るように構成することができる。
【００１３】
本発明によれば、洗浄処理、レジスト処理、現像処理のような液処理を行う複数の液処理ユニットをその中で被処理基板が略水平に搬送されつつ所定の液処理が行われるように構成し、従来のような処理ユニットの間の中央搬送路およびその中央搬送路を走行する中央搬送装置をなくすることができるのでその分省スペース化を図ることができ、また、各液処理ユニット毎に、その後の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットを集約して設けたので、複数の処理ユニットを被処理基板の処理の流れに沿って配置しつつ極力省スペースを図ることができる。したがって、装置全体のフットプリントを小さくしつつ、スループットを高く維持することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図、図２はその装置の一方（図１の矢印Ａ）の側面から見た状態を示す側面図、図３はその装置の他方（図１の矢印Ｂ）の側面から見た状態を示す側面図である。
【００１５】
このレジスト塗布現像処理装置１００は、複数のＬＣＤガラス基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション（搬入出部）１と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理ステーション（処理部）２と、露光装置４との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイスステーション（インターフェイス部）３とを備えており、処理ステーション２の両端にそれぞれカセットステーション１およびインターフェイスステーション３が配置されている。なお、図１において、レジスト塗布現像処理装置１００の長手方向をＸ方向、平面上においてＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。
【００１６】
カセットステーション１は、カセットＣと処理ステーション２との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出を行うための搬送装置１１を備えており、このカセットステーション１において外部に対するカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送装置１１は搬送アーム１１ａを有し、カセットＣの配列方向であるＹ方向に沿って設けられた搬送路１０上を移動可能であり、搬送アーム１１ａによりカセットＣと処理ステーション２との間で基板Ｇの搬入出が行われる。
【００１７】
処理ステーション２は、基本的にＸ方向に沿って伸びる平行な２列のライン２ａ，２ｂを有しており、一方のライン２ａ側にカセットステーション１側からインターフェイスステーション３に向けてスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１およびレジスト処理ユニット２３が配列され、他方のライン２ｂのインターフェイスステーション３側には現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４が設けられている。また、上記ライン２ａにおけるスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１およびレジスト処理ユニット２３の間の部分から上記ライン２ｂの現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４下流側の部分にかけて第１の熱的処理ユニットセクション２６が設けられ、ライン２ａのインターフェイスステーション３側の部分には第２の熱的処理ユニットセクション２７が設けられ、ライン２ｂのカセットステーション１側には第３の熱的処理ユニットセクション２８が設けられている。さらに、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１の上の一部にはエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２が設けられ、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の下流側に隣接してｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５が設けられている。なお、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２はスクラブ洗浄に先立って基板Ｇの有機物を除去するためのものであり、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５は現像の脱色処理を行うためのものである。
【００１８】
上記スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１は、その中で基板Ｇが従来のように回転されることなく、略水平に搬送されつつ洗浄処理および乾燥処理を行うようになっている。このスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１では、基板Ｇの搬送は例えばコロ搬送またはベルト搬送により行われ、基板Ｇの搬入口および搬出口は相対向する短辺に設けられている。また、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１への基板Ｇの搬入はカセットステーション１の搬送装置１１により行われる。なお、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１の上に設けられたエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２もカセットステーション１側に搬入口が設けられ、搬送装置１１により基板Ｇが搬入される。
【００１９】
上記現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４も、その中で基板Ｇが回転されることなく、略水平に搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液洗浄、および乾燥処理を行うようになっている。この現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４においても、基板Ｇの搬送は例えばコロ搬送またはベルト搬送により行われ、基板Ｇの搬入口および搬出口は相対向する短辺に設けられている。また、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５への基板Ｇの搬送は、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の搬送機構と同様の機構により連続して行われる。
【００２０】
レジスト処理ユニット２３は、図４のその内部の平面図に示すように、カップ５０内で基板Ｇをスピンチャック５１により回転させつつ図示しないノズルからレジスト液を滴下させて塗布するレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａ、基板Ｇ上に形成されたレジスト膜を減圧容器５２内で減圧乾燥する減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂ、およびステージ５４に載置された基板Ｇの四辺をスキャン可能な溶剤吐出ヘッド５３により基板Ｇの周縁に付着した余分なレジストを除去する周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃがその順に配置されており、ガイドレール５５にガイドされて移動する一対のサブアーム５６により基板Ｇがこれらの間を略水平に搬送される。このレジスト処理ユニット２３は、相対向する短辺に基板Ｇの搬入口５７および搬出口５８が設けられており、ガイドレール５５はこれら搬入口５７および搬出口５８から外側に延びてサブアーム５６により基板Ｇの受け渡しが可能となっている。
【００２１】
第１の熱的処理ユニットセクション２６は、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１およびレジスト処理ユニット２３の間に設けられた基板の受け渡しを行う受け渡しブロック（ＰＢ）３１と、上記他方のラインのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５の下流側に設けられた、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２，３３とを有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２はｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に隣接して設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３３はカセットステーション１側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２，３３の間に第１の搬送装置３４が設けられている。
【００２２】
第２の熱的処理ユニットセクション２７は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５，３６を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５はレジスト処理ユニット２３側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３６はインターフェイスステーション３側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５，３６の間に第２の搬送装置３７が設けられている。
【００２３】
第３の熱的処理ユニットセクション２８は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８，３９を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８は現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３９はカセットステーション１側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８，３９の間に第３の搬送装置４０が設けられている。
【００２４】
第１の熱的処理ユニットセクション２６の受け渡しブロック（ＰＢ）３１は、図２に示すように、下から順にスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１からの基板Ｇが受け渡されるエクステンションユニット（ＥＸＴ）６１と、レジスト処理装置２３に基板Ｇを搬入するために基板Ｇが受け渡されるエクステンションユニット（ＥＸＴ）６２と、基板Ｇを冷却するクーリングユニット（ＣＯＬ）６３が３段積層して構成されている。一方、第１の熱的処理ユニットセクション２６の熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２は、図３に示すように、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うエクステンションユニット（ＥＸＴ）６４、クーリングユニット（ＣＯＬ）６５、基板Ｇに対して脱水ベーク処理を行う脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６６、基板Ｇに対して疎水化処理（アドヒージョン処理）を施すアドーヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６７が４段積層して構成されており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３３は、下から順に２つの脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６８，６９、およびアドーヒージョン処理ユニット（ＡＤ）７０が３段積層して構成されており、さらにその上に第３の熱的処理ユニットセクション２８の熱的処理ユニットブロック３８にも共通に設けられたパスユニット（ＰＡＳＳ）７１が設けられている（図３参照）。
【００２５】
第２の熱的処理ユニットセクション２７の熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５は、図２に示すように、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うエクステンションユニット（ＥＸＴ）７２、基板Ｇに対してプリベーク処理を行う２つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７３，７４が３段積層して構成されており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３６も図２に示すように、下から順に基板Ｇの受け渡しおよび冷却を行う２つのエクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴ・ＣＯＬ）７５，７６、２つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７７，７８が４段積層して構成されている。
【００２６】
第３の熱処理ユニットセクション２８の熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８は、図３に示すように、基板Ｇに対してポストベーク処理を行う３つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）７９，８０，８１が３段積層して構成され、その上に上述したパスユニット（ＰＡＳＳ）７１が設けられており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３９も図３に示すように、下から順にエクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴ・ＣＯＬ）８２、および３つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８３，８４，８５が４段積層して構成されている。
【００２７】
上記第１の搬送装置３４は、受け渡しブロック（ＰＢ）３１および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２，３３の各ユニットにアクセス可能に構成されており、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１から搬出されてエクステンションユニット（ＥＸＴ）６１に受け渡された基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間の基板Ｇの搬入出、およびエクステンションユニット（ＥＸＴ）６２への基板Ｇの受け渡し、さらにはｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５から搬出されてエクステンションユニット（ＥＸＴ）６４に受け渡された基板Ｇのパスユニット（ＰＡＳＳ）７１への搬送を行う。
【００２８】
第２の搬送装置３７は、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５，３６の各ユニットにアクセス可能に構成されており、レジスト処理ユニット２３から搬出されてエクステンションユニット（ＥＸＴ）７２に受け渡された基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間の基板Ｇの搬入出、およびエクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴ・ＣＯＬ）７５または７６への基板Ｇの受け渡しを行う。
【００２９】
第３の搬送装置４０は、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８，３９の各ユニットにアクセス可能に構成されており、パスユニット（ＰＡＳＳ）７１に受け渡された基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間の基板Ｇの搬入出、エクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴ・ＣＯＬ）８２を介してのカセットステーション１への基板Ｇの受け渡しを行う。
【００３０】
上記第１から第３の搬送装置３４，３７，４０はいずれも、図５に示す構造を有している。すなわち、これら搬送装置は、上下に延びるガイドレール９１と、ガイドレールに沿って昇降する昇降部材９２と、昇降部材９２上を旋回可能に設けられたベース部材９３と、ベース部材９３上を前進後退可能に設けられ、基板Ｇを保持する基板保持アーム９４とを有している。そして、昇降部材９２の昇降はモーター９５によって行われ、ベース部材９３の旋回はモーター９６によって行われ、基板保持アーム９４の前後動はモーター９７によって行われる。これら搬送装置はこのように上下動、前後動、旋回動可能に設けられているので、各ユニットにアクセス可能である。
【００３１】
インターフェイスステーション３は、処理ステーション２と露光装置４との間での間で基板Ｇの搬入出を行う搬送装置４１と、インターフェイスステーション３からの基板Ｇを現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へ受け渡すためのエクステンションユニット（ＥＸＴ）とバッファーカセットを配置するバッファーステージ（ＢＵＦ）とが積層されたステージ部４２とを有している。搬送装置４１はＹ方向に沿って設けられた搬送路４３上を移動可能な搬送アーム４１ａを備え、この搬送アーム４１ａが搬送路４３を移動するとともに、旋回および前後動することにより処理ステーション２と露光装置４との間で基板Ｇの搬入出が行われる。また、タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とが上下に積層された外部装置ブロック４４が搬送装置４１に隣接して設けられている。
【００３２】
なお、上記パスユニット（ＰＡＳＳ）７１は、例えば図６に示すような移動ステージ９８を有し、この移動ステージ９８をレール９９に沿って移動させることにより、第１の搬送装置３４のアクセス範囲と第３の搬送装置４０のアクセス範囲との間で基板Ｇを搬送するように構成される。また、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１の基板Ｇは上述したように例えばコロ搬送により受け渡しブロック（ＰＢ）３１のエクステンションユニット（ＥＸＴ）６１に搬出され、そこで図示しないピンが突出されることにより持ち上げられた基板Ｇが第１の搬送装置３４により搬送される。また、レジスト処理ユニット２３への基板Ｇの搬入は、第１の搬送装置３４により基板Ｇがエクステンションユニット（ＥＸＴ）６２に受け渡された後、一対のサブアーム５６により搬入口５７から行われる。レジスト処理ユニット２３では、サブアーム５６により基板Ｇが搬出口５８を通って熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のエクステンションユニット（ＥＸＴ）７２まで搬送され、そこで突出されたピン（図示せず）上に基板Ｇが搬出される。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４への基板Ｇの搬入は、インターフェイスステーション３のステージ部４２のエクステンションユニット（ＥＸＴ）において図示しないピンを突出させて基板を上昇させた状態から下降させることにより、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４から延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより行われる。ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５の基板Ｇは例えばコロ搬送により熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のエクステンションユニット（ＥＸＴ）６４に搬出され、そこで図示しないピンが突出されることにより持ち上げられた基板Ｇが第１の搬送装置３４により搬送される。
【００３３】
このように構成されたレジスト塗布現像処理装置１００においては、まず、カセットステーション１に配置されたカセットＣ内の基板Ｇが、搬送装置１１により処理ステーション２のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２に直接搬入され、スクラブ前処理が行われる。次いで、搬送装置１１により、基板ＧがエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２の下に配置されたスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１に搬入され、スクラブ洗浄される。このスクラブ洗浄では、基板Ｇが従来のように回転されることなく略水平に搬送されつつ、洗浄処理および乾燥処理を行うようになっており、これにより、従来、回転タイプのスクラブ洗浄処理ユニットを２台使用していたのと同じ処理能力をより少ないスペースで実現することができる。スクラブ洗浄処理後、基板Ｇは例えばコロ搬送により第１の熱的処理ユニットセクション２６に属する受け渡しブロック（ＰＢ）３１のエクステンションユニット（ＥＸＴ）６１に搬出される。
【００３４】
エクステンションユニット（ＥＸＴ）６１に配置された基板Ｇは、図示しないピンが突出されることにより持ち上げられ、第１の熱的処理ユニットセクション２６の各熱的処理ユニットに順次搬送されて以下の一連の処理が行われる。すなわち、まず最初に、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２の脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６６および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３３の脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６８，６９のいずれかに搬送されて加熱処理され、次いで受け渡しブロック（ＰＢ）３１のクーリングユニット（ＣＯＬ）６３および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のクーリングユニット（ＣＯＬ）６５のいずれかに搬送されて冷却された後、レジストの定着性を高めるために熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６７および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３３のアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）７０のいずれかに搬送され、そこでＨＭＤＳによりアドヒージョン処理（疎水化処理）され、その後、上記クーリングユニット（ＣＯＬ）６３，６５のいずれかに搬送されて冷却され、受け渡しブロック（ＰＢ）３１のエクステンションユニット（ＥＸＴ）６２に搬送される。この際に搬送処理は全て第１の搬送装置３４によって行われる。なお、アドヒージョン処理を行わない場合もあり、その場合には、基板Ｇは、脱水ベークおよび冷却の後、直ちにエクステンションユニット（ＥＸＴ）６２に搬送される。
【００３５】
その後、エクステンションユニット（ＥＸＴ）６２に配置された基板Ｇがレジスト処理ユニット２３のサブアーム５６によりレジスト処理ユニット２３内へ搬入される。そして、基板Ｇはまずその中のレジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａに搬送され、そこで基板Ｇに対するレジスト液のスピン塗布が実施され、次いでサブアーム５６により減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂに搬送されて減圧乾燥され、さらにサブアーム５６により周縁レジスト除去装置（ＥＲ）２３ｃに搬送されて基板Ｇ周縁の余分なレジストが除去される。そして、周縁レジスト除去終了後、基板Ｇはサブアーム５６によりレジスト処理ユニット２３から搬出される。このように、レジスト塗布処理装置（ＣＴ）２３ａの後に減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂを設けるのは、これを設けない場合には、レジストを塗布した基板Ｇをプリベーク処理した後や現像処理後のポストベーク処理した後に、リフトピン、固定ピン等の形状が基板Ｇに転写されることがあるが、このように減圧乾燥装置（ＶＤ）により加熱せずに減圧乾燥を行うことにより、レジスト中の溶剤が徐々に放出され、加熱して乾燥する場合のような急激な乾燥が生じず、レジストに悪影響を与えることなくレジストの乾燥を促進させることができ、基板上に転写が生じることを有効に防止することができるからである。
【００３６】
このようにして塗布処理が終了し、サブアーム５６によりレジスト処理ユニット２３から搬出された基板Ｇは、第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のエクステンションユニット（ＥＸＴ）７２に受け渡される。エクステンションユニット（ＥＸＴ）７２に配置された基板Ｇは、第２の搬送装置３７により、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３５のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７３，７４および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３６のプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７７，７８のいずれかに搬送されてプリベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３６のエクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴ・ＣＯＬ）７５，７６のいずれかに搬送されて所定温度に冷却されつつ待機される。
【００３７】
エクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴ・ＣＯＬ）７５，７６のいずれかに載置された基板Ｇは、インターフェイスステーション３の搬送装置４１により露光装置４に搬送されてそこで基板Ｇ上のレジスト膜が露光されて所定のパターンが形成される。この場合に、基板Ｇを直接に露光装置４に搬送してもよいし、ステージ部４２のバッファーステージ（ＢＵＦ）上のバッファカセットに基板Ｇを収容してから露光装置４に搬送してもよい。
【００３８】
露光終了後、基板Ｇはインターフェイスステーション３の搬送装置４１により外部装置ブロック４４の下段の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて周辺レジスト除去のための露光が行われ、次いで上段のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入されて基板Ｇに所定の情報が記された後、ステージ部４２の下段のエクステンションユニット（ＥＸＴ）に載置され、そこから再び処理ステーション２に搬入され、所定の処理が行われる。すなわち、ステージ部４２の下段のエクステンションユニット（ＥＸＴ）が基板を受け取る際にはピンを突出させておき、ピン上に基板Ｇを受け取った後に下降させて、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４からステージ部４２の下段のエクステンションユニット（ＥＸＴ）まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより、基板Ｇが現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４へ搬入され、現像処理が施される。この現像処理では、基板Ｇが従来のように回転されることなく、例えばコロ搬送により略水平に搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液除去、および乾燥処理を行うようになっており、これにより、従来、回転タイプの現像処理ユニットを３台使用していたのと同じ処理能力をより少ないスペースで実現することができる。
【００３９】
現像処理終了後、基板Ｇは現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４から連続する搬送機構、例えばコロ搬送によりｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５に搬送され、基板Ｇに対して脱色処理が施される。その後、基板Ｇはｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５内の搬送機構、例えばコロ搬送により第１の熱的処理ユニットセクション２６に属する熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２のエクステンションユニット（ＥＸＴ）６４に搬出される。
【００４０】
エクステンションユニット（ＥＸＴ）６４に配置された基板Ｇは、第１の搬送装置３４により、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３３のパスユニット（ＰＡＳＳ）７１に搬送され、その中の移動ステージ９８により熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８側に移動され、第３の搬送装置４０により熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３８のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）７９，８０，８１および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３９のポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８３，８４，８５のいずれかに搬送されてポストベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３９のエクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴ・ＣＯＬ）８２に搬送されて所定温度に冷却された後、カセットステーション１の搬送装置１１によって、カセットステーション１に配置されている所定のカセットＣに収容される。
【００４１】
以上のように、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１、レジスト処理ユニット２３、および現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４をその中で基板Ｇが略水平に搬送されつつ所定の液処理が行われるように構成し、従来のような処理ユニットの間の中央搬送路およびその中央搬送路を走行する中央搬送装置をなくすることができるのでその分省スペース化を図ることができ、また、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１、レジスト処理ユニット２３、および現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４各液処理ユニット毎に、その後の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットを集約して第１から第３の熱的処理ユニットセクション２６，２７，２８を設け、しかもこれらを熱的処理ユニットを複数段積層した熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）で構成したので、複数の処理ユニットを被処理基板の処理の流れに沿って配置しつつ極力省スペースを図ることができる。したがって、装置全体のフットプリントを小さくしつつ、スループットを高く維持することができる。また、これら処理ユニットを処理の順に、平行な２列のラインとなるように配置し、基板Ｇをこの２列のラインに沿って流しながら一連の処理を行うようにしたので、このことによってもフットプリント減少効果を高くすることができる。しかも、このように各処理ユニットを２列のラインにしたことにより、両側面から全ての処理ユニットのメンテナンスを行うことができるので、メンテナンス性が極めて高い。さらに、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１および現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４では、基板Ｇを回転させずに水平方向に搬送しながら処理を行ういわゆる平流し方式であるので、従来基板Ｇを回転させる際に多く発生していたミストを減少させることが可能となる。
【００４２】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
図７は本発明の第２の実施形態に係るＬＣＤガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図である。上記第１の実施形態では、基板Ｇをカセットステーション１におけるＹ方向の一方の端部から処理ステーション２に搬入し、他方の端部から搬出しているが、本実施形態のレジスト塗布現像処理装置２００ではカセットステーション１の中央から基板Ｇの搬入出を行えるような処理ステーション２′を備えており、さらに、処理ユニットの配置が第１の実施形態とは多少異なっている。
【００４３】
具体的には、処理ステーション２′は、第１の実施形態とは異なり、搬入口が第３の搬送装置４０側に形成されたスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１′を有し、また、スクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１′に対向した位置にエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２′が設けられている。そして、カセットステーション１からの基板Ｇの搬入を第３の熱的処理ユニットセクション２８の熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３９のエクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴ／ＣＯＬ）８２を介して第３の搬送装置４０により行うようになっている。また、第１の実施形態の第１の熱的処理ユニットセクション２６とは異なる構成の第１の熱的処理ユニットセクション２６′を有している。すなわち、第１の熱処理ユニットセクションおよびその近傍を示す模式的側面図である図８に示すように、受け渡しブロック（ＰＢ）３１′は、第１の実施形態の受け渡しブロック（ＰＢ）３１と実質的に同じ位置に設けられ、２つのエクステンションユニット（ＥＸＴ）６１，６２が２段積層して構成されており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２′は第１の実施形態１の熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３２と実質的に同じ位置に設けられ、下から順に基板Ｇの受け渡しを行うエクステンションユニット（ＥＸＴ）６４、２つのクーリングユニット（ＣＯＬ）６５，８６、アドーヒージョン処理ユニット（ＡＤ）６７が４段積層して構成されており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３３′は第１の実施形態の熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３３とは異なり、受け渡しブロック（ＰＢ）３１′に対向した位置に設けられ、下から順に３つの脱水ベークユニット（ＤＨＰ）８７，８８，８９、およびアドーヒージョン処理ユニット（ＡＤ）９０が４段積層して構成されている。また、第１の実施形態の熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３３の位置には、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５′が設けられており、その上に熱的処理ユニットブロック３８にも共通に設けられたパスユニット（ＰＡＳＳ）７１が設けられている。他の構成は第１の実施形態とほぼ同じである。なお、図８では、便宜上、受け渡しブロック（ＰＢ）３１′を下方に、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３３′を上方に記載している。他の構成については第１の実施形態と実質的に同一であるため、同じ符号を付して説明を省略する。
【００４４】
本実施形態においても基本的に第１の実施形態とほぼ同様のフローで処理が行われ、第１の実施形態と同様の効果が奏される。また、本実施形態においては、カセットステーション１のほぼ中央から基板の搬入出が行えるので、カセットステーションとして、図示したような構造ではなく、例えば搬送装置がＹ方向に移動できないタイプのものが指定されたとしても対応可能であり、汎用性の高いものとなる。また、エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２′および熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３３′をライン２ａとは反対側に配置したので、メンテナンス性は多少低下するが、Ｘ方向の装置長さを多少短くすることができる。
【００４５】
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。
図９は本発明の第３の実施形態に係るＬＣＤガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図である。本実施形態のレジスト塗布現像処理装置３００では、熱的処理ユニットセクションの配置の形態が上記第１の実施形態とは異なる処理ステーション２″を有し、また、第１および第２の実施形態におけるインターフェイスステーション３とは異なる構造のインターフェイスステーション３′を有している。なお、スクラブ洗浄処理ユニット、レジスト処理ユニット、現像処理ユニット、エキシマＵＶ照射ユニット、ｉ線ＵＶ照射ユニットは、第１の実施形態のものと実質的に同一の構造を有し、実質的に同様に配置されているので、これらについては図１と同じ番号を付して説明を省略する。
【００４６】
第１の熱的処理ユニットセクション１２６は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）１３１，１３２を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）１３１はスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）１３２はレジスト処理ユニット２３側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）１３１，１３２の間に第１の搬送装置１３３が設けられている。
【００４７】
第２の熱的処理ユニットセクション１２７は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）１３４，１３５を有しており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）１３４はレジスト処理ユニット２３の搬出口側に設けられ、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）１３５はインターフェイスステーション３′側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）１３４，１３５の間に第２の搬送装置１３６が設けられている。また、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４の搬入口側にはエクステンションユニット（ＥＸＴ）１３７が設けられており、基板Ｇを現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４に搬入する際に、第２の搬送装置１３６は基板Ｇをこのエクステンションユニット（ＥＸＴ）１３７に搬送するようになっている。
【００４８】
第３の熱的処理ユニットセクション１２８は、基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された１つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）１３８を有しており、この熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）１３８はカセットステーション１側に設けられている。そして、この熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）１３８とｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５との間に第３の搬送装置１３９が設けられている。
【００４９】
上記第１から第３の熱的処理ユニットセクション１２６，１２７，１２８の熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）１３１，１３２，１３４，１３５，１３８は、図１０のように構成されている。すなわち、第１の熱的処理ユニットセクション１２６の熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）１３１は、図１０の（ａ）に示すように、下から順に２つの脱水ベークユニット（ＤＨＰ）１６１，１６２、エクステンションユニット（ＥＸＴ）１６３、２つのアドーヒージョン処理ユニット（ＡＤ）１６４，１６５が５段積層して構成されており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）１３２は、図１０の（ｂ）に示すように、下から順にクーリングユニット（ＣＯＬ）１６６、エクステンションユニット（ＥＸＴ）１６７、２つのクーリングユニット（ＣＯＬ）１６８，１６９が４段積層して構成されている。第２の熱的処理ユニットセクション１２７の熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）１３４は、図１０の（ｃ）に示すように、下から順にプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）１７０、エクステンションユニット（ＥＸＴ）１７１、４つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）１７２，１７３，１７４，１７５が６段積層して構成されており、熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）１３５は、図１０の（ｄ）に示すように、２つのエクステンションクーリングユニット（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１７６，１７７が２段積層して構成されている。第３の熱的処理ユニットセクション１２８の熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）１３８は、図１０の（ｅ）に示すように、下から順にポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）１７８、エクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１７９、４つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）１８０，１８１，１８２，１８３が６段積層して構成されている。
【００５０】
上記第１の搬送装置１３３は、エクステンションユニット（ＥＸＴ）１６３を介してのスクラブ洗浄処理ユニット（ＳＣＲ）２１からの基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間の基板Ｇの搬入出、およびエクステンションユニット（ＥＸＴ）１６７を介してのレジスト処理ユニット２３への基板Ｇの受け渡しを行う。また、第２の搬送装置１３６は、エクステンションユニット（ＥＸＴ）１７１を介してのレジスト処理ユニット２３からの基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間の基板Ｇの搬入出、エクステンションユニット（ＥＸＴ）１３７を介しての現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４への基板Ｇの受け渡し、およびエクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１７６または１７７を介しての後述するインターフェイスステーション３′への基板Ｇの受け渡しおよび受け取りを行う。さらに、第３の搬送装置１３９は、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５からの基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間の基板Ｇの搬入出、エクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１７９を介してのカセットステーション１への基板Ｇの受け渡しを行う。なお、これら搬送装置も第１の実施形態の搬送装置と同様、図５に示す構造を有している。
【００５１】
インターフェイスステーション３′は、処理ステーション２″と露光装置４との間で基板Ｇの搬入出を行う搬送装置１４１と、バッファーカセットを配置するバッファーステージ（ＢＵＦ）１４２とを有しており、タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とが上下に積層された外部装置ブロック１４３が搬送装置１４１に隣接して設けられている。搬送装置１４１は搬送アーム１４１ａを備え、この搬送アーム１４１ａにより処理ステーション２″と露光装置４との間で基板Ｇの搬入出が行われる。
【００５２】
本実施形態においても基本的に上記第１の実施形態と同様の手順で処理が行われる。本実施形態では熱的処理ユニットセクションの配置が第１の実施形態よりも基板Ｇの流れに忠実であるから、よりスループットを高めることができる。
【００５３】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず本発明の思想の範囲内で種々の変形が可能である。例えば、装置レイアウトはあくまでも例示であり、これに限るものではない。処理に関しても上記のようにレジスト塗布現像処理装置による処理に限られるものではなく、液処理と熱的処理を行う他の装置に適用することも可能である。さらに被処理基板としてＬＣＤ基板を用いた場合について示したが、これに限らずカラーフィルター等の他の被処理基板の処理の場合にも適用可能であることはいうまでもない。
【００５４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、洗浄処理、レジスト処理、現像処理のような液処理を行う複数の液処理ユニットをその中で被処理基板が略水平に搬送されつつ所定の液処理が行われるように構成し、従来のような処理ユニットの間の中央搬送路およびその中央搬送路を走行する中央搬送装置をなくすることができるのでその分省スペース化を図ることができ、また、各液処理ユニット毎に、その後の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットを集約して設けたので、複数の処理ユニットを被処理基板の処理の流れに沿って配置しつつ極力省スペースを図ることができる。したがって、装置全体のフットプリントを小さくしつつ、スループットを高く維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤガラス基板のレジスト塗布現像処理装置の一方の側面から見た状態を示す側面図。
【図３】本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤガラス基板のレジスト塗布現像処理装置の他方の側面から見た状態を示す側面図。
【図４】本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤ基板のレジスト塗布現像処理装置のレジスト処理ユニットの内部を示す平面図。
【図５】本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤ基板のレジスト塗布現像処理装置に用いられる第１から第３の搬送装置の構造を説明するための模式図。
【図６】本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤ基板のレジスト塗布現像処理装置に用いたパスユニットの構造を説明する模式図。
【図７】本発明の第２の実施形態に係るＬＣＤガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図。
【図８】本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤ基板のレジスト塗布現像処理装置の第１の熱処理ユニットセクションおよびその近傍を示す模式的側面図。
【図９】本発明の第３の実施形態に係るＬＣＤガラス基板のレジスト塗布現像処理装置を示す平面図。
【図１０】本発明の第３の実施形態に係るＬＣＤ基板のレジスト塗布現像処理装置の各熱的処理ユニットブロックの構成を説明するための模式図。
【符号の説明】
１……カセットステーション
２，２′，２″……処理ステーション
３，３′……インターフェイスステーション
２１……スクラブ洗浄処理ユニット（液処理ユニット）
２３……レジスト処理ユニット（液処理ユニット）
２４……現像処理ユニット（液処理ユニット）
２６，２６′，１２６……第１の熱的処理ユニットセクション
２７，１２７……第２の熱的処理ユニットセクション
２８，１２８……第３の熱的処理ユニットセクション
３２，３３，３５，３６，３８，３９，１３１，１３２，１３４，１３５，１３８……熱的処理ユニットブロック
３４，１３３……第１の搬送装置
３７，１３６……第２の搬送装置
４０，１３９……第３の搬送装置
１００，２００，３００……レジスト塗布現像処理装置（処理装置）
Ｇ……ＬＣＤガラス基板

Claims (8)

1. 被処理基板に対して複数の液処理を含む一連の処理を行う処理装置であって、
   被処理基板が略水平に搬送されつつ第１の液処理が行われる第１の液処理ユニットと、
   被処理基板が略水平に搬送されつつ第２の液処理が行われる第２の液処理ユニットと、
   第１の液処理後に所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約して設けられた第１の熱的処理ユニットセクションと、
   第２の液処理後に所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約して設けられた第２の熱的処理ユニットセクションと、
   前記第１の液処理ユニットから搬出された被処理基板を前記第１の熱的処理ユニットセクションへ搬送する第１の搬送装置と、
   前記第２の液処理ユニットから搬出された被処理基板を前記第２の熱的処理ユニットセクションへ搬送する第２の搬送装置と
   を具備することを特徴とする処理装置。
2. 被処理基板に対して複数の液処理を含む一連の処理を行う処理装置であって、
   前記一連の処理に対応して各々被処理基板に対して所定の処理を施す複数の処理ユニットを備えた処理部と、
   処理前の被処理基板および／または処理後の被処理基板が収納される収納容器を載置し、前記処理部に対して被処理基板を搬入出する搬入出部と
   を具備し、
   前記処理部は、
   被処理基板が略水平に搬送されつつ第１の液処理が行われる第１の液処理ユニットと、
   被処理基板が略水平に搬送されつつ第２の液処理が行われる第２の液処理ユニットと、
   第１の液処理後に熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが垂直方向に積層されて構成された第１の熱的処理ユニットセクションと、
   第２の液処理後に熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが垂直方向に積層されて構成された第２の熱的処理ユニットセクションと、
   前記第１の液処理ユニットから搬出された被処理基板を前記第１の熱的処理ユニットセクションへ搬送する第１の搬送装置と、
   前記第２の液処理ユニットから搬出された被処理基板を前記第２の熱的処理ユニットセクションへ搬送する第２の搬送装置と
   を有することを特徴とする処理装置。
3. 前記第１および第２の熱的処理ユニットセクションは、それぞれ第１および第２の搬送装置に隣接して設けられた、複数の熱的処理ユニットが垂直方向に積層して構成された熱的処理ユニットセクションを有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の処理装置。
4. 被処理基板に対して洗浄、レジスト塗布および露光後の現像を含む一連の処理を行う処理装置であって、
   前記一連の処理に対応して各々被処理基板に対して所定の処理を施す複数の処理ユニットを備えた処理部と、
   処理前の被処理基板および／または処理後の被処理基板を収納する収納容器を載置し、前記処理部に対して被処理基板を搬入出する搬入出部と、
   処理部と露光装置との間の被処理基板の受け渡しを行うインターフェイス部とを具備し、
   前記処理部は、
   被処理基板が略水平に搬送されつつ洗浄液による洗浄処理および乾燥処理が行われる洗浄処理ユニットと、
   被処理基板が略水平に搬送されつつレジスト液の塗布を含むレジスト処理が行われるレジスト処理ユニットと、
   被処理基板が略水平に搬送されつつ、現像液塗布、現像後の現像液除去、および乾燥処理を行う現像処理ユニットと、
   前記洗浄処理ユニットから搬出された被処理基板に対し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約された第１の熱的処理ユニットセクションと、
   前記レジスト処理ユニットから搬出された被処理基板に対し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約された第２の熱的処理ユニットセクションと、
   前記現像処理ユニットから搬出された被処理基板に対し、所定の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットが集約された第３の熱的処理ユニットセクションと、
   前記洗浄処理ユニットから搬出された被処理基板を前記第１の熱的処理ユニットセクションへ搬送するとともに、前記第１の熱的処理ユニットセクションからの被処理基板を前記レジスト処理ユニットへ搬送する第１の搬送装置と、
   前記レジスト処理ユニットから搬出された被処理基板を前記第２の熱的処理ユニットセクションへ搬送するとともに、前記第２の熱的処理ユニットセクションからの被処理基板を前記インターフェイス部へ搬送する第２の搬送装置と、
   前記現像処理ユニットから搬出された被処理基板を前記第３の熱的処理ユニットセクションへ搬送するとともに、前記第３の熱的処理ユニットセクションからの被処理基板を前記搬入出部へ搬送する第３の搬送装置と
   を具備することを特徴とする処理装置。
5. 前記第１、第２および第３の熱的処理ユニットセクションは、それぞれ、第１、第２および第３の搬送装置に隣接して設けられた、複数の熱的処理ユニットが垂直方向に積層して構成された熱的処理ユニットセクションを有することを特徴とする請求項４に記載の処理装置。
6. 前記洗浄処理ユニットと前記レジスト処理ユニットとの間に基板受け渡し部が設けられ、前記第１の搬送装置は、この受け渡し部に対して被処理基板を受け渡すことを特徴とする請求項４または請求項５に記載の処理装置。
7. 前記処理部における各処理ユニットは、被処理基板の搬送ラインが２列となるように構成され、被処理基板は、前記インターフェイス部でＵターンするように搬送されて処理されることを特徴とする請求項４から請求項６のいずれか１項に記載の処理装置。
8. 前記第３の搬送装置は、前記現像処理ユニットから搬出された被処理基板を前記第１の搬送装置を介して受け取ることを特徴とする請求項４から請求項７のいずれか１項に記載の処理装置。

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