JP2000294482A - 加熱処理装置および基板処理装置 - Google Patents

加熱処理装置および基板処理装置

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JP2000294482A
JP2000294482A JP9604499A JP9604499A JP2000294482A JP 2000294482 A JP2000294482 A JP 2000294482A JP 9604499 A JP9604499 A JP 9604499A JP 9604499 A JP9604499 A JP 9604499A JP 2000294482 A JP2000294482 A JP 2000294482A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の加熱処理時、基板の熱履歴を均一にす
ることができる加熱処理装置、および基板の「反り」や
「撓み」を有効に防止して基板の搬送や処理を行うこと
ができる基板処理装置を提供すること。 【解決手段】 基板Gを加熱する加熱プレート42と、
この加熱プレート42による加熱時、加熱プレート42
と基板Gとの間に基板Gに密着した状態で介装されて、
加熱プレート42からの熱を基板Gに伝熱する伝熱パレ
ット43とにより加熱処理装置(HP)を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示基板等の
基板を加熱するための加熱処理装置、および、基板にレ
ジストを塗布し、これを露光した後現像処理する一連の
工程を実施する複数の処理ユニットからなる基板処理装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置(LCD)の製造において
は、ガラス製の矩形のLCD基板にフォトレジスト液を
塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応して
レジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわ
ゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターンが形
成される。
【0003】このレジスト液を塗布する工程では、矩形
のLCD基板は、レジストの定着性を高めるために、ア
ドヒージョン処理ユニットにて疎水化処理(HMDS処
理)され、冷却ユニットで冷却後、レジスト塗布ユニッ
トに搬入される。
【0004】レジスト塗布ユニットでは、矩形の基板を
スピンチャック上に保持した状態で回転させながら、そ
の上方に設けられたノズルから基板の表面中心部にレジ
スト液を供給し、基板の回転による遠心力によってレジ
スト液を拡散させ、これにより、基板の表面全体にレジ
スト膜が塗布される。
【0005】このレジスト液が塗布された基板は、周縁
の余分なレジストが除去された後、加熱処理ユニットに
搬入され、プリベーク処理が行われる。次いで、基板
は、冷却ユニットで冷却された後、露光装置に搬送さ
れ、そこで所定のパターンが露光される。そして、その
後現像処理され、ポストベーク処理が施されて、所定の
レジストパターンが形成される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】このようなLCD基板
の塗布・現像工程において、加熱処理ユニットによるプ
リベーク処理およびポストベーク処理を行う際には、加
熱プレートに基板を直接載置するか、または加熱プレー
トに基板が直接接触することを避け、加熱プレートの固
定ピンに載置して加熱プレートからの輻射熱によって加
熱する、いわゆるプロキシミティー方式が採用される。
【0007】しかしながら、上記いずれの場合でも基板
が加熱される際、その中央部が比較的速く昇温され、そ
の周辺部は中央部よりも遅く昇温される傾向がある。そ
の結果、中央部と周辺部との温度差が生じ、それに起因
して、基板の周辺部に「反り」が生じる場合がある。ま
た、近年、LCD基板の薄型化が進み、基板自体に「撓
み」が生じやすくなっている。このような「反り」や
「撓み」が生じると、加熱プレート自体の温度均一性を
いくら向上しても、熱履歴が部分的にばらつき、処理均
一性の低下につながり、現像処理後に回路パターンの線
幅の変動を招ねくおそれがある。
【0008】一方、熱履歴を均一にするために、基板を
降下して加熱プレートに載置する際、基板を段階的に降
下して、基板を段階的に加熱プレートに近づけ、基板の
中央部と周辺部とを徐々に加熱して、基板の面内温度が
均一になるようにして反りを防止する方法が考えられて
いる。
【0009】しかしながら、このように面内温度がある
程度均一化されたとしても、「撓み」が生じた場合に熱
履歴を十分に均一にすることは困難である。
【0010】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、基板の加熱処理時、基板の熱履歴を均一にす
ることができる加熱処理装置、および基板の「反り」や
「撓み」を有効に防止して基板の搬送や処理を行うこと
ができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第1の観点によれば、基板を加熱するため
の加熱処理装置であって、基板を加熱する加熱プレート
と、この加熱プレートによる加熱時、加熱プレートと基
板との間に基板に密着した状態で介装されて、加熱プレ
ートからの熱を基板に伝熱する伝熱パレットとを具備す
ることを特徴とする加熱処理装置が提供される。
【0012】このような構成によれば、加熱プレートに
よる基板の加熱時に、伝熱パレットが基板に密着した状
態で加熱プレートと基板との間に介装されているので、
基板に「反り」や「撓み」が生じることを防止すること
ができ、また、加熱プレートの熱が伝熱パレットを介し
て基板へ速やかに伝熱されて基板を均一に加熱すること
ができ、基板の熱履歴の部分的ばらつきによる処理の不
均一を回避することができる。
【0013】この場合に、前記パレットに基板を吸着さ
せて、基板を前記パレットに密着させるための基板吸着
手段をさらに具備することができる。これにより、基板
と伝熱パレットとを確実に密着させることができ、基板
の「反り」や「撓み」を防止する効果および基板への伝
熱効果を一層高めることができる。
【0014】また、前記加熱プレートに前記パレットを
吸着させるためのパレット吸着手段をさらに具備するこ
とができる。これにより、加熱プレートから伝熱パレッ
トを介しての基板への伝熱を一層速やかに行うことがで
きる。
【0015】さらに、前記加熱プレート表面から進出退
避可能に設けられ、前記パレットを昇降する第1のリフ
トピンと、前記パレットを貫通して進出退避可能に設け
られ、基板を昇降してパレットに載置するための第2の
リフトピンとをさらに具備するようにすることができ
る。これにより、パレットへの基板の載置および加熱プ
レートへのパレットの離脱を容易に行うことができる。
【0016】さらにまた、前記パレットを、前記第1の
リフトピンに対して着脱自在に設けるようにすることが
できる。また、前記パレットは、前記第1のリフトピン
に固定されていてもよい。
【0017】前記パレットが前記第1のリフトピンに固
定されている場合には、一つの基板の加熱処理毎に、前
記パレットを冷却する冷却手段をさらに具備することに
より、次の基板への熱影響を軽減することができる。
【0018】さらにまた、前記第1のリフトピンが真空
吸着孔を有しており、この真空吸着孔を介して真空引き
することにより基板を前記パレットに吸着させるように
することができる。これにより、パレットが第1のリフ
トピン上にある状態で、容易に基板をパレットに吸着さ
せることができる。
【0019】本発明の第2の観点によれば、基板に対す
るレジスト塗布処理、露光後の現像処理、およびそれら
の前後に行う熱的処理を含む一連の工程を実施する基板
処理装置であって、前記一連の工程を実施するための複
数の処理機構と、前記各処理ユニットに対する基板の搬
入出を行うための搬送機構と、基板の下面にパレットを
密着させた状態で装着するパレット装着ポートとを具備
し、前記搬送機構により、少なくとも一部の処理機構
に、このパレットが装着された状態の基板が搬入される
ことを特徴とする基板処理装置が提供される。
【0020】このような構成によれば、パレット装着ポ
ートにおいて基板の下面にパレットを密着させた状態で
装着するので、基板搬送および処理の際に、基板に「反
り」や「撓み」が生じることを有効に防止することがで
きる。また、基板がこのようなパレットに密着された状
態で加熱処理を行うユニットに搬入された際には、この
ように基板に「反り」や「撓み」が生じることを防止す
ることができる他、加熱プレートの熱がパレットを介し
て基板へ速やかに伝熱されて基板を均一に加熱すること
ができるので、基板の熱履歴の部分的ばらつきによる処
理の不均一を回避することができる。
【0021】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について詳細に説明する。図1は、本発
明が適用される塗布処理ユニットを備えたLCD基板の
レジスト塗布・現像処理システムを示す斜視図である。
【0022】この塗布・現像処理システムは、複数の基
板Gを収容するカセットCを載置するカセットステーシ
ョン1と、基板Gにレジスト塗布および現像を含む一連
の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部
2と、露光装置(図示せず)との間で基板Gの受け渡し
を行うためのインターフェイス部3とを備えており、処
理部2の両端にそれぞれカセットステーション2および
インターフェイス部3が配置されている。
【0023】カセットステーション1は、カセットCと
処理部2との間でLCD基板の搬送を行うための搬送機
構10を備えている。そして、カセットステーション1
においてカセットCの搬入出が行われる。また、搬送機
構10はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路
10a上を移動可能な搬送アーム11を備え、この搬送
アーム11によりカセットCと処理部2との間で基板G
の搬送が行われる。処理部2は、前段部2aと中段部2
bと後段部2cとに分かれており、それぞれ中央に搬送
路12、13、14を有し、これら搬送路の両側に各処
理ユニットが配設されている。そして、これらの間には
中継部15、16が設けられている。
【0024】前段部2aは、搬送路12に沿って移動可
能な主搬送装置17を備えており、搬送路12の一方側
には、2つの洗浄ユニット(SCR)21a、21bが
配置されており、搬送路12の他方側には紫外線照射装
置(UV)および冷却装置(COL)が上下に重ねられ
てなる紫外線照射/冷却ユニット25、2つの加熱処理
装置(HP)が上下に重ねられてなる加熱処理ユニット
26、および2つの冷却装置(COL)が上下に重ねら
れてなる冷却ユニット27が配置されている。
【0025】また、中段部2bは、搬送路13に沿って
移動可能な主搬送装置18を備えており、搬送路13の
一方側には、レジスト塗布処理ユニット(CT)22お
よび基板Gの周縁部のレジストを除去する周縁レジスト
除去ユニット(ER)23が一体的に設けられており、
搬送路13の他方側には、2つの加熱装置(HP)が上
下に重ねられてなる加熱処理ユニット28、加熱処理装
置(HP)と冷却処理装置(COL)が上下に重ねられ
てなる加熱処理/冷却ユニット29、およびアドヒージ
ョン処理装置(AD)と冷却装置(COL)とが上下に
積層されてなるアドヒージョン処理/冷却ユニット30
が配置されている。
【0026】さらに、後段部2cは、搬送路14に沿っ
て移動可能な主搬送装置19を備えており、搬送路14
の一方側には、3つの現像処理ユニット(DEV)24
a、24b、24cが配置されており、搬送路14の他
方側には2つの加熱処理装置(HP)が上下に重ねられ
てなる加熱処理ユニット31、および加熱処理装置(H
P)と冷却装置(COL)が上下に積層されてなる2つ
の加熱処理/冷却ユニット32、33が配置されてい
る。
【0027】上記主搬送装置17,18,19は、それ
ぞれ水平面内の2方向のX軸駆動機構、Y軸駆動機構、
および垂直方向のZ軸駆動機構を備えており、さらにZ
軸を中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞ
れ基板Gを支持するアーム17a,18a,19aを有
している。
【0028】なお、処理部2は、搬送路を挟んで一方の
側に洗浄処理ユニット21a、レジスト処理ユニット2
2、現像処理ユニット24aのようなスピナー系ユニッ
トのみを配置しており、他方の側に加熱処理ユニットや
冷却処理ユニット等の熱系処理ユニットのみを配置する
構造となっている。
【0029】また、中継部15、16のスピナー系ユニ
ット配置側の部分には、薬液供給ユニット34が配置さ
れており、さらにメンテナンスが可能なスペース35が
設けられている。
【0030】インターフェイス部3は、処理部2との間
で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエク
ステンション36と、さらにその両側に設けられた、バ
ッファーカセットを配置する2つのバッファーステージ
37と、これらと露光装置(図示せず)との間の基板G
の搬入出を行う搬送機構38とを備えている。搬送機構
38はエクステンション36およびバッファステージ3
7の配列方向に沿って設けられた搬送路38a上を移動
可能な搬送アーム39を備え、この搬送アーム39によ
り処理部2と露光装置との間で基板Gの搬送が行われ
る。
【0031】このように各処理ユニットを集約して一体
化することにより、省スペース化および処理の効率化を
図ることができる。
【0032】このように構成される塗布・現像処理シス
テムにおいては、カセットC内の基板Gが、処理部2に
搬送され、処理部2では、まず、前段部2aの紫外線照
射/冷却ユニット25の紫外線照射装置(UV)で表面
改質・洗浄処理が行われ、その後そのユニットの冷却装
置(COL)で冷却された後、洗浄ユニット(SCR)
21a,21bでスクラバー洗浄が施され、前段部2a
に配置された加熱処理装置(HP)の一つで加熱乾燥さ
れた後、冷却ユニット27のいずれかの冷却装置(CO
L)で冷却される。
【0033】その後、基板Gは中段部2bに搬送され、
レジストの定着性を高めるために、ユニット30の上段
のアドヒージョン処理装置(AD)にて疎水化処理(H
MDS処理)され、下段の冷却装置(COL)で冷却
後、レジスト塗布ユニット(CT)22でレジストが塗
布され、周縁レジスト除去ユニット(ER)23で基板
Gの周縁の余分なレジストが除去される。その後、基板
Gは、中段部2bに配置された加熱処理装置(HP)の
一つでプリベーク処理され、ユニット29または30の
下段の冷却装置(COL)で冷却される。
【0034】その後、基板Gは中継部16から主搬送装
置19にてインターフェイス部3を介して露光装置に搬
送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、
基板Gは再びインターフェイス部3を介して搬入され、
必要に応じて後段部2cのいずれかの加熱処理装置(H
P)でポストエクスポージャーベーク処理を行った後、
現像処理ユニット(DEV)24a,24b,24cの
いずれかで現像処理され、所定の回路パターンが形成さ
れる。現像処理された基板Gは、後段部2cのいずれか
の加熱処理装置(HP)にてポストベーク処理が施され
た後、冷却装置(COL)にて冷却され、主搬送装置1
9,18,17および搬送機構10によってカセットス
テーション1上の所定のカセットに収容される。
【0035】次に、図2ないし図4を参照しつつ、本実
施の形態に係る加熱処理装置(HP)について説明す
る。図2は、本実施の形態に係る加熱処理装置(HP)
の断面図であり、図3は、図2に示した加熱処理装置
(HP)に用いる金属製のパレットの平面図であり、図
4は、図2に示した加熱処理装置(HP)の断面図であ
って、基板の加熱処理状態を示す。
【0036】図2に示すように、加熱処理処理装置(H
P)には、昇降自在のカバー41が設けられ、このカバ
ー41の下側には、基板Gを加熱するための加熱プレー
ト42がその加熱面を水平にして配置されいてる。この
加熱プレート42には、ヒーター(図示せず)が装着さ
れており、所望の温度に設定可能となっている。
【0037】この加熱プレート42と基板Gとの間に
は、加熱プレート42からの熱を基板Gに伝熱するため
の伝熱パレット43が介在されている。この伝熱パレッ
ト43は良熱伝導性の材料で構成されていることが好ま
しく、例えばアルミニウム等の金属で構成される。
【0038】また、加熱プレート42の複数の孔を通挿
して、伝熱パレット42を昇降するための複数の第1の
リフトピン44が昇降自在に設けられていると共に、加
熱プレート42および伝熱パレット43の複数の孔を通
挿して、基板Gを昇降するための複数の第2のリフトピ
ン45が昇降自在に設けられている。これら第1および
第2のリフトピン44,45は、それぞれ、水平に延在
された支持部材46,47を介して、昇降機構48によ
り昇降されるようになっている。
【0039】これにより、昇降機構48により第1のリ
フトピン44が上昇されて伝熱パレット43が上方位置
にある状態で、第2のリフトピン45が上昇して、搬入
された基板Gを受け取り、次いで、図4に示すように、
第1のリフトピン44が降下して、伝熱パレット43を
加熱プレート42上に載置し、その後、第2のリフトピ
ン45が降下して、基板Gを伝熱パレット43上に載置
し、加熱処理終了後、図2に示すように、第2のリフト
ピン45が再び上昇して基板Gを搬出位置まで持ち上
げ、第1リフトピン44が上昇して伝熱パレット43を
冷却位置に持ち上げるようになっている。
【0040】加熱プレート42の上面には、伝熱パレッ
ト43を吸着するためのバキューム溝50が設けられて
おり、このバキューム溝50には、吸引孔51が連通さ
れて、吸引機構52により吸引されるようになってい
る。この吸引機構52を作動させることにより、伝熱パ
レット43を加熱プレート42に真空吸着させることが
できる。また、金属製のパレット43の上面にも、図3
にも示すように、基板Gを吸着するための環状のバキュ
ーム溝53が設けられており、このバキューム溝53に
は、吸引孔54および吸引孔55が連通され、図4に示
すように、伝熱パレット43が加熱プレート42に吸着
された際に、吸引機構56が吸引孔に連通され、この状
態で吸引機構56を作動させることにより、基板Gを伝
熱パレット43に真空吸着させ、これらを密着させるよ
うになっている。
【0041】次に、このような加熱処理装置(HP)に
よる処理について説明する。まず、図2に示すように、
昇降機構48により第1のリフトピン44が上昇されて
パレット43が上方位置にある状態で、第2のリフトピ
ン45が上昇して、搬入された基板Gを受け取る。
【0042】次いで、図4に示すように、第1のリフト
ピン44が降下して、伝熱パレット43が加熱プレート
42上に載置され、吸引機構52により吸引孔51を介
してバキューム溝50が吸引され、伝熱パレット43が
加熱プレート42に吸着される。
【0043】その後、第2のリフトピン45が降下し
て、基板Gが伝熱パレット43上に載置され、吸引機構
56により吸引孔54,55を介してバキューム溝53
が吸引されて基板Gが金属製のパレット43に真空吸着
され、基板Gが伝熱パレット43に密着される。
【0044】この状態で加熱プレート42により基板G
の加熱処理が開始される。この場合に、伝熱パレット4
3が基板Gに密着させるまでの間、加熱プレート42か
らの熱は、伝熱パレット43によって一時的に遮断され
ているため、基板Gには熱による反りは生じない。そし
て、基板Gが伝熱パレット43に密着された後は、基板
Gが伝熱パレットに拘束された状態で加熱プレート42
に載置されているので、基板に「反り」や「撓み」が生
じることを防止することができる。また、伝熱パレット
43が基板Gに密着しているので、加熱プレート42の
熱が伝熱パレット43を介して基板Gへ速やかに伝熱さ
れて基板Gを均一に加熱することができる。したがっ
て、基板Gの熱履歴の部分的ばらつきによる処理の不均
一を回避することができる。具体的には現像後の線幅の
均一化を図ることができる。
【0045】加熱処理終了後、図2に示すように、第2
のリフトピン45が再び上昇されて基板Gが搬出位置ま
で持ち上げられ、主搬送装置18により搬出されるとと
もに、第1リフトピン44が上昇されて伝熱パレット4
3が冷却位置に持ち上げられる。
【0046】なお、この先行の基板Gへの加熱処理が終
了した後、後続の基板Gへの加熱処理を開始するまでの
間に、金属製のパレット43の温度が所定温度以下まで
低下されていない場合には、温度が低下していない伝熱
パレット43に後続の基板Gを載置した際に、その基板
が急激に加熱され、「反り」が生じる虞れがある。
【0047】したがって、このような対策として、図5
に示すように、冷却手段としてファン60を設け、先行
の基板Gへの加熱処理が終了した時点で、伝熱パレット
43を冷却位置に位置させるとともにファン60により
伝熱パレット43を冷却し、パレット43の温度を所定
温度以下に低下させることが有効である。なお、冷却手
段はファン60に限らず、パレット43上方に水冷また
はガス冷却構造の冷却板を上下動可能に設けこの冷却板
をパレット43に接触させることや、搬送アームによっ
てパレット43に冷却板を載置すること等、種々のもの
を採用することができる。
【0048】また、このような熱の影響を排除するため
の他の対策としては、伝熱パレット43を有する加熱処
理装置(HP)を複数個設け、先行の基板Gについて一
つの加熱処理装置(HP)を使用した後、後続の基板G
については、他の加熱処理装置を使用することが挙げら
れる。これにより、伝熱パレット43の温度がある程度
低下してから基板Gを搬入することができる。
【0049】さらに、上の例とは異なり、伝熱パレット
43を第1のリフトピン44に固定するのではなく、取
り外せるようにし、基板Gの搬入時に伝熱パレット43
も搬入するようにするようにすることによってもこのよ
うな熱影響を排除することができる。
【0050】伝熱パレット43に基板Gを吸着させる際
には、図6に示すように、第1のリフトピン44の内部
に吸引孔57を設け、この吸引孔57を介して吸引を行
って基板Gを伝熱パレット43に真空吸着させることも
できる。この場合には、伝熱パレット43の吸着溝53
および吸着孔54に対応する位置に第1の支持ピン44
がくるようにすればよい。このようにすることにより、
伝熱パレット43を加熱プレート42に載置しない状態
でも基板Gを伝熱パレット43に容易に吸着させること
ができる。そして、その後に伝熱パレット43を下降し
て加熱プレート42に載置しても、パレット43が基板
Gを拘束しているので、加熱プレート42からの熱で基
板Gが反ることがなく、基板Gを段階的に下降させる等
の操作は不要となる。
【0051】上述した実施の形態では、加熱処理装置
(HP)における処理のみに伝熱パレット43を用いた
が、この伝熱パレット43を基板Gの下側に密着させた
状態で、主搬送装置17,18,19により、レジスト
塗布・現像処理システムの少なくとも一部の処理装置に
搬送し処理するようにしてもよい。このようにパレット
43に密着された状態で基板を搬送し、処理することに
より、基板Gに「反り」や「撓み」がほとんどない状態
で基板Gの搬送および処理を行うことができる。
【0052】この場合には、システム1内に基板Gに放
熱パレット43を装着するパレット装着ポートが必要で
あるが、このようなポートは種々の位置に配置すること
が可能である。例えば、図7に示すように、カセットス
テーション1にパレット装着ポート80を配置してもよ
いし、また、図8に示すように、2段の加熱処理装置
(HP)を備えた加熱処理ユニット28の下段の加熱処
理装置の代わりに、パレット装着ポート81を配置する
こともできる。
【0053】この場合に、このようにパレット43を装
着した状態で処理可能な処理装置としては、上述の加熱
処理装置(HP)の他、例えば、冷却処理装置(CO
L)、表面洗浄ユニット(SCR)、現像処理ユニット
(DEV)などである。なお、周縁レジスト除去ユニッ
ト(ER)や裏面洗浄ユニット(SCR)では、パレッ
トは処理の妨げとなるおそれがあるので、これらの処理
ユニットには、パレットを外した状態で搬入するように
構成することが好ましい。
【0054】パレット43を基板Gに装着するタイミン
グとしては、例えば、周縁レジスト除去ユニット(E
R)の処理が終了した後、または、カセットステーショ
ン1から基板Gを取り出す際を挙げることができる。特
に、周縁レジスト除去ユニット(ER)の処理が終了し
た後に装着することにより、次のプリベーク処理におい
て、基板Gを均一に熱処理することができるので好まし
く、この場合には加熱処理ユニット28の位置のパレッ
ト装着ポート81を設けることが好都合である。
【0055】また、パレット43を基板Gに密着した状
態でシステム内を搬送する場合には、真空吸着力が経時
的に小さくなるおそれがあるため、システム内の適宜の
位置で真空引きできるように構成することが好ましい。
この場合に、図9の平面図(a)および側面図(b)に
示すように、パレット43内部に吸気路91を設け、吸
気路91から上方に延びるように複数の基板吸着孔92
を形成し、かつパレット43側面に吸気口93を設け
て、吸気口93から適宜の吸引手段で吸引し、吸引後に
吸気路93に蓋94をすることにより、吸着保持力を上
昇させることができる。
【0056】このように、基板の搬送および熱処理以外
にパレットを用いる場合には、上述したようにパレット
の「反り」や「撓み」を抑制する効果のほうが大きいか
ら、パレットには必ずしも伝熱効果を奏する必要はな
い。
【0057】なお、このように、システム内にパレット
装着ポートを設ける場合には、前述の加熱処理装置(H
P)において加熱処理にのみパレット43を使用する際
に、予めパレット43と基板Gとを密着した状態で搬入
することが可能となり、加熱処理装置(HP)でパレッ
ト43を装着することが不要となり、リフトピンに真空
吸着孔を設けること等が不要となる。この場合に、加熱
後、パレット43と基板Gとを別々に搬送する必要があ
るが、これは主搬送装置17,18,19にパレット専
用のアームを設けることにより実現することができる。
その際に、パレット43の吸着孔が微小になっており、
そこから空気が侵入して加熱終了時に吸着力が切れるよ
うにすることにより、加熱後の搬送をスムーズに行うこ
とができる。また、パレット装着ポートに冷却機構を設
けることにより、加熱終了後のパレットをそこで冷却さ
せることが可能となる。
【0058】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
では、レジスト塗布・現像処理システムに本発明を適用
した場合について説明したが、他の用途に用いる加熱処
理装置に対して適用可能である。また、基板としてLC
D基板の場合について説明したが、液晶表示装置用のカ
ラーフィルター基板、半導体ウエハ等、他の基板に対し
て適用することもできる。
【0059】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
加熱プレートによる基板の加熱時に、伝熱パレットが基
板に密着した状態で加熱プレートと基板との間に介装さ
れているので、基板に「反り」や「撓み」が生じること
を防止することができ、また、加熱プレートの熱が伝熱
パレットを介して基板へ速やかに伝熱されて基板を均一
に加熱することができ、基板の熱履歴の部分的ばらつき
による処理の不均一を回避することができる。
【0060】また、基板に対するレジスト塗布処理、露
光後の現像処理、およびそれらの前後に行う熱的処理を
含む一連の工程を実施する基板処理装置において、パレ
ット装着ポートにおいて基板の下面にパレットを密着さ
せた状態で装着し、これを搬送装置で少なくとも一部処
理機構へ搬送するので、基板搬送および処理の際に、基
板に「反り」や「撓み」が生じることを有効に防止する
ことができる。また、基板がこのようなパレットに密着
された状態で加熱処理を行うユニットに搬入された際に
は、このように基板に「反り」や「撓み」が生じること
を防止することができるほか、また、加熱プレートの熱
がパレットを介して基板へ速やかに伝熱されて基板を均
一に加熱することができるので、基板の熱履歴の部分的
ばらつきによる処理の不均一を回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明が適用されるLC基板のレジスト塗布・
現像処理システムを示す平面図。
【図2】本実施の形態に係る加熱処理装置(HP)を示
す断面図。
【図3】図2に示した加熱処理装置(HP)に用いる伝
熱パレットの平面図。
【図4】図2に示した加熱処理装置(HP)の基板加熱
処理状態を示す断面図。
【図5】加熱処理装置の他の実施形態を示す断面図。
【図6】基板を伝熱パレットに吸着させる吸着機構の他
の構成を示す図。
【図7】パレット装着ポートの配置位置の一例を示す平
面図。
【図8】パレット装着ポートの配置位置の他の例を示す
側面図。
【図9】基板を伝熱パレットに吸着させる吸着機構のさ
らに他の構成を示す平面図および側面図。
【符号の説明】
28,29;加熱処理ユニット 42;加熱プレート 43;伝熱パレット 44;第1のリフトピン 45;第2のリフトピン 48;昇降機構 50;バキューム溝 53;バキューム溝 80,81;パレット装着ポート HP;加熱処理装置 G;LCD基板

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を加熱するための加熱処理装置であ
    って、 基板を加熱する加熱プレートと、 この加熱プレートによる加熱時、加熱プレートと基板と
    の間に基板に密着した状態で介装されて、加熱プレート
    からの熱を基板に伝熱する伝熱パレットとを具備するこ
    とを特徴とする加熱処理装置。
  2. 【請求項2】 前記パレットに基板を吸着させて、基板
    を前記パレットに密着させるための基板吸着手段をさら
    に具備することを特徴とする請求項1に記載の加熱処理
    装置。
  3. 【請求項3】 前記加熱プレートに前記パレットを吸着
    させるためのパレット吸着手段をさらに具備することを
    特徴とする請求項1または請求項2に記載の加熱処理装
    置。
  4. 【請求項4】 前記加熱プレート表面から進出退避可能
    に設けられ、前記パレットを昇降する第1のリフトピン
    と、 前記パレットを貫通して進出退避可能に設けられ、基板
    を昇降してパレットに載置するための第2のリフトピン
    とをさらに具備することを特徴とする請求項1ないし請
    求項3のいずれか1項に記載の加熱処理装置。
  5. 【請求項5】 前記パレットは、前記第1のリフトピン
    に対して着脱自在に設けられていることを特徴とする請
    求項4に記載の加熱処理装置。
  6. 【請求項6】 前記パレットは、前記第1のリフトピン
    に固定されていることを特徴とする請求項4に記載の加
    熱処理装置。
  7. 【請求項7】 一つの基板の加熱処理毎に、前記パレッ
    トを冷却する冷却手段をさらに具備することを特徴とす
    る請求項6に記載の加熱処理装置。
  8. 【請求項8】 前記第1のリフトピンは真空吸着孔を有
    しており、この真空吸着孔を介して真空引きすることに
    より基板を前記パレットに吸着させることを特徴とする
    請求項4ないし請求項7のいずれか1項に記載の加熱処
    理装置。
  9. 【請求項9】 基板に対するレジスト塗布処理、露光後
    の現像処理、およびそれらの前後に行う熱的処理を含む
    一連の工程を実施する基板処理装置であって、 前記一連の工程を実施するための複数の処理機構と、 前記各処理ユニットに対する基板の搬入出を行うための
    搬送機構と、 基板の下面にパレットを密着させた状態で装着するパレ
    ット装着ポートとを具備し、 前記搬送機構により、少なくとも一部の処理機構に、こ
    のパレットが装着された状態の基板が搬入されることを
    特徴とする基板処理装置。
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