JP2000294482A - 加熱処理装置および基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板の加熱処理時、基板の熱履歴を均一にす
ることができる加熱処理装置、および基板の「反り」や
「撓み」を有効に防止して基板の搬送や処理を行うこと
ができる基板処理装置を提供すること。 【解決手段】 基板Ｇを加熱する加熱プレート４２と、
この加熱プレート４２による加熱時、加熱プレート４２
と基板Ｇとの間に基板Ｇに密着した状態で介装されて、
加熱プレート４２からの熱を基板Ｇに伝熱する伝熱パレ
ット４３とにより加熱処理装置（ＨＰ）を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示基板等の
基板を加熱するための加熱処理装置、および、基板にレ
ジストを塗布し、これを露光した後現像処理する一連の
工程を実施する複数の処理ユニットからなる基板処理装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶表示装置（ＬＣＤ）の製造において
は、ガラス製の矩形のＬＣＤ基板にフォトレジスト液を
塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応して
レジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわ
ゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターンが形
成される。

【０００３】このレジスト液を塗布する工程では、矩形
のＬＣＤ基板は、レジストの定着性を高めるために、ア
ドヒージョン処理ユニットにて疎水化処理（ＨＭＤＳ処
理）され、冷却ユニットで冷却後、レジスト塗布ユニッ
トに搬入される。

【０００４】レジスト塗布ユニットでは、矩形の基板を
スピンチャック上に保持した状態で回転させながら、そ
の上方に設けられたノズルから基板の表面中心部にレジ
スト液を供給し、基板の回転による遠心力によってレジ
スト液を拡散させ、これにより、基板の表面全体にレジ
スト膜が塗布される。

【０００５】このレジスト液が塗布された基板は、周縁
の余分なレジストが除去された後、加熱処理ユニットに
搬入され、プリベーク処理が行われる。次いで、基板
は、冷却ユニットで冷却された後、露光装置に搬送さ
れ、そこで所定のパターンが露光される。そして、その
後現像処理され、ポストベーク処理が施されて、所定の
レジストパターンが形成される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このようなＬＣＤ基板
の塗布・現像工程において、加熱処理ユニットによるプ
リベーク処理およびポストベーク処理を行う際には、加
熱プレートに基板を直接載置するか、または加熱プレー
トに基板が直接接触することを避け、加熱プレートの固
定ピンに載置して加熱プレートからの輻射熱によって加
熱する、いわゆるプロキシミティー方式が採用される。

【０００７】しかしながら、上記いずれの場合でも基板
が加熱される際、その中央部が比較的速く昇温され、そ
の周辺部は中央部よりも遅く昇温される傾向がある。そ
の結果、中央部と周辺部との温度差が生じ、それに起因
して、基板の周辺部に「反り」が生じる場合がある。ま
た、近年、ＬＣＤ基板の薄型化が進み、基板自体に「撓
み」が生じやすくなっている。このような「反り」や
「撓み」が生じると、加熱プレート自体の温度均一性を
いくら向上しても、熱履歴が部分的にばらつき、処理均
一性の低下につながり、現像処理後に回路パターンの線
幅の変動を招ねくおそれがある。

【０００８】一方、熱履歴を均一にするために、基板を
降下して加熱プレートに載置する際、基板を段階的に降
下して、基板を段階的に加熱プレートに近づけ、基板の
中央部と周辺部とを徐々に加熱して、基板の面内温度が
均一になるようにして反りを防止する方法が考えられて
いる。

【０００９】しかしながら、このように面内温度がある
程度均一化されたとしても、「撓み」が生じた場合に熱
履歴を十分に均一にすることは困難である。

【００１０】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、基板の加熱処理時、基板の熱履歴を均一にす
ることができる加熱処理装置、および基板の「反り」や
「撓み」を有効に防止して基板の搬送や処理を行うこと
ができる基板処理装置を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第１の観点によれば、基板を加熱するため
の加熱処理装置であって、基板を加熱する加熱プレート
と、この加熱プレートによる加熱時、加熱プレートと基
板との間に基板に密着した状態で介装されて、加熱プレ
ートからの熱を基板に伝熱する伝熱パレットとを具備す
ることを特徴とする加熱処理装置が提供される。

【００１２】このような構成によれば、加熱プレートに
よる基板の加熱時に、伝熱パレットが基板に密着した状
態で加熱プレートと基板との間に介装されているので、
基板に「反り」や「撓み」が生じることを防止すること
ができ、また、加熱プレートの熱が伝熱パレットを介し
て基板へ速やかに伝熱されて基板を均一に加熱すること
ができ、基板の熱履歴の部分的ばらつきによる処理の不
均一を回避することができる。

【００１３】この場合に、前記パレットに基板を吸着さ
せて、基板を前記パレットに密着させるための基板吸着
手段をさらに具備することができる。これにより、基板
と伝熱パレットとを確実に密着させることができ、基板
の「反り」や「撓み」を防止する効果および基板への伝
熱効果を一層高めることができる。

【００１４】また、前記加熱プレートに前記パレットを
吸着させるためのパレット吸着手段をさらに具備するこ
とができる。これにより、加熱プレートから伝熱パレッ
トを介しての基板への伝熱を一層速やかに行うことがで
きる。

【００１５】さらに、前記加熱プレート表面から進出退
避可能に設けられ、前記パレットを昇降する第１のリフ
トピンと、前記パレットを貫通して進出退避可能に設け
られ、基板を昇降してパレットに載置するための第２の
リフトピンとをさらに具備するようにすることができ
る。これにより、パレットへの基板の載置および加熱プ
レートへのパレットの離脱を容易に行うことができる。

【００１６】さらにまた、前記パレットを、前記第１の
リフトピンに対して着脱自在に設けるようにすることが
できる。また、前記パレットは、前記第１のリフトピン
に固定されていてもよい。

【００１７】前記パレットが前記第１のリフトピンに固
定されている場合には、一つの基板の加熱処理毎に、前
記パレットを冷却する冷却手段をさらに具備することに
より、次の基板への熱影響を軽減することができる。

【００１８】さらにまた、前記第１のリフトピンが真空
吸着孔を有しており、この真空吸着孔を介して真空引き
することにより基板を前記パレットに吸着させるように
することができる。これにより、パレットが第１のリフ
トピン上にある状態で、容易に基板をパレットに吸着さ
せることができる。

【００１９】本発明の第２の観点によれば、基板に対す
るレジスト塗布処理、露光後の現像処理、およびそれら
の前後に行う熱的処理を含む一連の工程を実施する基板
処理装置であって、前記一連の工程を実施するための複
数の処理機構と、前記各処理ユニットに対する基板の搬
入出を行うための搬送機構と、基板の下面にパレットを
密着させた状態で装着するパレット装着ポートとを具備
し、前記搬送機構により、少なくとも一部の処理機構
に、このパレットが装着された状態の基板が搬入される
ことを特徴とする基板処理装置が提供される。

【００２０】このような構成によれば、パレット装着ポ
ートにおいて基板の下面にパレットを密着させた状態で
装着するので、基板搬送および処理の際に、基板に「反
り」や「撓み」が生じることを有効に防止することがで
きる。また、基板がこのようなパレットに密着された状
態で加熱処理を行うユニットに搬入された際には、この
ように基板に「反り」や「撓み」が生じることを防止す
ることができる他、加熱プレートの熱がパレットを介し
て基板へ速やかに伝熱されて基板を均一に加熱すること
ができるので、基板の熱履歴の部分的ばらつきによる処
理の不均一を回避することができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について詳細に説明する。図１は、本発
明が適用される塗布処理ユニットを備えたＬＣＤ基板の
レジスト塗布・現像処理システムを示す斜視図である。

【００２２】この塗布・現像処理システムは、複数の基
板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーシ
ョン１と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連
の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部
２と、露光装置（図示せず）との間で基板Ｇの受け渡し
を行うためのインターフェイス部３とを備えており、処
理部２の両端にそれぞれカセットステーション２および
インターフェイス部３が配置されている。

【００２３】カセットステーション１は、カセットＣと
処理部２との間でＬＣＤ基板の搬送を行うための搬送機
構１０を備えている。そして、カセットステーション１
においてカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機
構１０はカセットの配列方向に沿って設けられた搬送路
１０ａ上を移動可能な搬送アーム１１を備え、この搬送
アーム１１によりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇ
の搬送が行われる。処理部２は、前段部２ａと中段部２
ｂと後段部２ｃとに分かれており、それぞれ中央に搬送
路１２、１３、１４を有し、これら搬送路の両側に各処
理ユニットが配設されている。そして、これらの間には
中継部１５、１６が設けられている。

【００２４】前段部２ａは、搬送路１２に沿って移動可
能な主搬送装置１７を備えており、搬送路１２の一方側
には、２つの洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１ａ、２１ｂが
配置されており、搬送路１２の他方側には紫外線照射装
置（ＵＶ）および冷却装置（ＣＯＬ）が上下に重ねられ
てなる紫外線照射／冷却ユニット２５、２つの加熱処理
装置（ＨＰ）が上下に重ねられてなる加熱処理ユニット
２６、および２つの冷却装置（ＣＯＬ）が上下に重ねら
れてなる冷却ユニット２７が配置されている。

【００２５】また、中段部２ｂは、搬送路１３に沿って
移動可能な主搬送装置１８を備えており、搬送路１３の
一方側には、レジスト塗布処理ユニット（ＣＴ）２２お
よび基板Ｇの周縁部のレジストを除去する周縁レジスト
除去ユニット（ＥＲ）２３が一体的に設けられており、
搬送路１３の他方側には、２つの加熱装置（ＨＰ）が上
下に重ねられてなる加熱処理ユニット２８、加熱処理装
置（ＨＰ）と冷却処理装置（ＣＯＬ）が上下に重ねられ
てなる加熱処理／冷却ユニット２９、およびアドヒージ
ョン処理装置（ＡＤ）と冷却装置（ＣＯＬ）とが上下に
積層されてなるアドヒージョン処理／冷却ユニット３０
が配置されている。

【００２６】さらに、後段部２ｃは、搬送路１４に沿っ
て移動可能な主搬送装置１９を備えており、搬送路１４
の一方側には、３つの現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４
ａ、２４ｂ、２４ｃが配置されており、搬送路１４の他
方側には２つの加熱処理装置（ＨＰ）が上下に重ねられ
てなる加熱処理ユニット３１、および加熱処理装置（Ｈ
Ｐ）と冷却装置（ＣＯＬ）が上下に積層されてなる２つ
の加熱処理／冷却ユニット３２、３３が配置されてい
る。

【００２７】上記主搬送装置１７，１８，１９は、それ
ぞれ水平面内の２方向のＸ軸駆動機構、Ｙ軸駆動機構、
および垂直方向のＺ軸駆動機構を備えており、さらにＺ
軸を中心に回転する回転駆動機構を備えており、それぞ
れ基板Ｇを支持するアーム１７ａ，１８ａ，１９ａを有
している。

【００２８】なお、処理部２は、搬送路を挟んで一方の
側に洗浄処理ユニット２１ａ、レジスト処理ユニット２
２、現像処理ユニット２４ａのようなスピナー系ユニッ
トのみを配置しており、他方の側に加熱処理ユニットや
冷却処理ユニット等の熱系処理ユニットのみを配置する
構造となっている。

【００２９】また、中継部１５、１６のスピナー系ユニ
ット配置側の部分には、薬液供給ユニット３４が配置さ
れており、さらにメンテナンスが可能なスペース３５が
設けられている。

【００３０】インターフェイス部３は、処理部２との間
で基板を受け渡しする際に一時的に基板を保持するエク
ステンション３６と、さらにその両側に設けられた、バ
ッファーカセットを配置する２つのバッファーステージ
３７と、これらと露光装置（図示せず）との間の基板Ｇ
の搬入出を行う搬送機構３８とを備えている。搬送機構
３８はエクステンション３６およびバッファステージ３
７の配列方向に沿って設けられた搬送路３８ａ上を移動
可能な搬送アーム３９を備え、この搬送アーム３９によ
り処理部２と露光装置との間で基板Ｇの搬送が行われ
る。

【００３１】このように各処理ユニットを集約して一体
化することにより、省スペース化および処理の効率化を
図ることができる。

【００３２】このように構成される塗布・現像処理シス
テムにおいては、カセットＣ内の基板Ｇが、処理部２に
搬送され、処理部２では、まず、前段部２ａの紫外線照
射／冷却ユニット２５の紫外線照射装置（ＵＶ）で表面
改質・洗浄処理が行われ、その後そのユニットの冷却装
置（ＣＯＬ）で冷却された後、洗浄ユニット（ＳＣＲ）
２１ａ，２１ｂでスクラバー洗浄が施され、前段部２ａ
に配置された加熱処理装置（ＨＰ）の一つで加熱乾燥さ
れた後、冷却ユニット２７のいずれかの冷却装置（ＣＯ
Ｌ）で冷却される。

【００３３】その後、基板Ｇは中段部２ｂに搬送され、
レジストの定着性を高めるために、ユニット３０の上段
のアドヒージョン処理装置（ＡＤ）にて疎水化処理（Ｈ
ＭＤＳ処理）され、下段の冷却装置（ＣＯＬ）で冷却
後、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２２でレジストが塗
布され、周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）２３で基板
Ｇの周縁の余分なレジストが除去される。その後、基板
Ｇは、中段部２ｂに配置された加熱処理装置（ＨＰ）の
一つでプリベーク処理され、ユニット２９または３０の
下段の冷却装置（ＣＯＬ）で冷却される。

【００３４】その後、基板Ｇは中継部１６から主搬送装
置１９にてインターフェイス部３を介して露光装置に搬
送されてそこで所定のパターンが露光される。そして、
基板Ｇは再びインターフェイス部３を介して搬入され、
必要に応じて後段部２ｃのいずれかの加熱処理装置（Ｈ
Ｐ）でポストエクスポージャーベーク処理を行った後、
現像処理ユニット（ＤＥＶ）２４ａ，２４ｂ，２４ｃの
いずれかで現像処理され、所定の回路パターンが形成さ
れる。現像処理された基板Ｇは、後段部２ｃのいずれか
の加熱処理装置（ＨＰ）にてポストベーク処理が施され
た後、冷却装置（ＣＯＬ）にて冷却され、主搬送装置１
９，１８，１７および搬送機構１０によってカセットス
テーション１上の所定のカセットに収容される。

【００３５】次に、図２ないし図４を参照しつつ、本実
施の形態に係る加熱処理装置（ＨＰ）について説明す
る。図２は、本実施の形態に係る加熱処理装置（ＨＰ）
の断面図であり、図３は、図２に示した加熱処理装置
（ＨＰ）に用いる金属製のパレットの平面図であり、図
４は、図２に示した加熱処理装置（ＨＰ）の断面図であ
って、基板の加熱処理状態を示す。

【００３６】図２に示すように、加熱処理処理装置（Ｈ
Ｐ）には、昇降自在のカバー４１が設けられ、このカバ
ー４１の下側には、基板Ｇを加熱するための加熱プレー
ト４２がその加熱面を水平にして配置されいてる。この
加熱プレート４２には、ヒーター（図示せず）が装着さ
れており、所望の温度に設定可能となっている。

【００３７】この加熱プレート４２と基板Ｇとの間に
は、加熱プレート４２からの熱を基板Ｇに伝熱するため
の伝熱パレット４３が介在されている。この伝熱パレッ
ト４３は良熱伝導性の材料で構成されていることが好ま
しく、例えばアルミニウム等の金属で構成される。

【００３８】また、加熱プレート４２の複数の孔を通挿
して、伝熱パレット４２を昇降するための複数の第１の
リフトピン４４が昇降自在に設けられていると共に、加
熱プレート４２および伝熱パレット４３の複数の孔を通
挿して、基板Ｇを昇降するための複数の第２のリフトピ
ン４５が昇降自在に設けられている。これら第１および
第２のリフトピン４４，４５は、それぞれ、水平に延在
された支持部材４６，４７を介して、昇降機構４８によ
り昇降されるようになっている。

【００３９】これにより、昇降機構４８により第１のリ
フトピン４４が上昇されて伝熱パレット４３が上方位置
にある状態で、第２のリフトピン４５が上昇して、搬入
された基板Ｇを受け取り、次いで、図４に示すように、
第１のリフトピン４４が降下して、伝熱パレット４３を
加熱プレート４２上に載置し、その後、第２のリフトピ
ン４５が降下して、基板Ｇを伝熱パレット４３上に載置
し、加熱処理終了後、図２に示すように、第２のリフト
ピン４５が再び上昇して基板Ｇを搬出位置まで持ち上
げ、第１リフトピン４４が上昇して伝熱パレット４３を
冷却位置に持ち上げるようになっている。

【００４０】加熱プレート４２の上面には、伝熱パレッ
ト４３を吸着するためのバキューム溝５０が設けられて
おり、このバキューム溝５０には、吸引孔５１が連通さ
れて、吸引機構５２により吸引されるようになってい
る。この吸引機構５２を作動させることにより、伝熱パ
レット４３を加熱プレート４２に真空吸着させることが
できる。また、金属製のパレット４３の上面にも、図３
にも示すように、基板Ｇを吸着するための環状のバキュ
ーム溝５３が設けられており、このバキューム溝５３に
は、吸引孔５４および吸引孔５５が連通され、図４に示
すように、伝熱パレット４３が加熱プレート４２に吸着
された際に、吸引機構５６が吸引孔に連通され、この状
態で吸引機構５６を作動させることにより、基板Ｇを伝
熱パレット４３に真空吸着させ、これらを密着させるよ
うになっている。

【００４１】次に、このような加熱処理装置（ＨＰ）に
よる処理について説明する。まず、図２に示すように、
昇降機構４８により第１のリフトピン４４が上昇されて
パレット４３が上方位置にある状態で、第２のリフトピ
ン４５が上昇して、搬入された基板Ｇを受け取る。

【００４２】次いで、図４に示すように、第１のリフト
ピン４４が降下して、伝熱パレット４３が加熱プレート
４２上に載置され、吸引機構５２により吸引孔５１を介
してバキューム溝５０が吸引され、伝熱パレット４３が
加熱プレート４２に吸着される。

【００４３】その後、第２のリフトピン４５が降下し
て、基板Ｇが伝熱パレット４３上に載置され、吸引機構
５６により吸引孔５４，５５を介してバキューム溝５３
が吸引されて基板Ｇが金属製のパレット４３に真空吸着
され、基板Ｇが伝熱パレット４３に密着される。

【００４４】この状態で加熱プレート４２により基板Ｇ
の加熱処理が開始される。この場合に、伝熱パレット４
３が基板Ｇに密着させるまでの間、加熱プレート４２か
らの熱は、伝熱パレット４３によって一時的に遮断され
ているため、基板Ｇには熱による反りは生じない。そし
て、基板Ｇが伝熱パレット４３に密着された後は、基板
Ｇが伝熱パレットに拘束された状態で加熱プレート４２
に載置されているので、基板に「反り」や「撓み」が生
じることを防止することができる。また、伝熱パレット
４３が基板Ｇに密着しているので、加熱プレート４２の
熱が伝熱パレット４３を介して基板Ｇへ速やかに伝熱さ
れて基板Ｇを均一に加熱することができる。したがっ
て、基板Ｇの熱履歴の部分的ばらつきによる処理の不均
一を回避することができる。具体的には現像後の線幅の
均一化を図ることができる。

【００４５】加熱処理終了後、図２に示すように、第２
のリフトピン４５が再び上昇されて基板Ｇが搬出位置ま
で持ち上げられ、主搬送装置１８により搬出されるとと
もに、第１リフトピン４４が上昇されて伝熱パレット４
３が冷却位置に持ち上げられる。

【００４６】なお、この先行の基板Ｇへの加熱処理が終
了した後、後続の基板Ｇへの加熱処理を開始するまでの
間に、金属製のパレット４３の温度が所定温度以下まで
低下されていない場合には、温度が低下していない伝熱
パレット４３に後続の基板Ｇを載置した際に、その基板
が急激に加熱され、「反り」が生じる虞れがある。

【００４７】したがって、このような対策として、図５
に示すように、冷却手段としてファン６０を設け、先行
の基板Ｇへの加熱処理が終了した時点で、伝熱パレット
４３を冷却位置に位置させるとともにファン６０により
伝熱パレット４３を冷却し、パレット４３の温度を所定
温度以下に低下させることが有効である。なお、冷却手
段はファン６０に限らず、パレット４３上方に水冷また
はガス冷却構造の冷却板を上下動可能に設けこの冷却板
をパレット４３に接触させることや、搬送アームによっ
てパレット４３に冷却板を載置すること等、種々のもの
を採用することができる。

【００４８】また、このような熱の影響を排除するため
の他の対策としては、伝熱パレット４３を有する加熱処
理装置（ＨＰ）を複数個設け、先行の基板Ｇについて一
つの加熱処理装置（ＨＰ）を使用した後、後続の基板Ｇ
については、他の加熱処理装置を使用することが挙げら
れる。これにより、伝熱パレット４３の温度がある程度
低下してから基板Ｇを搬入することができる。

【００４９】さらに、上の例とは異なり、伝熱パレット
４３を第１のリフトピン４４に固定するのではなく、取
り外せるようにし、基板Ｇの搬入時に伝熱パレット４３
も搬入するようにするようにすることによってもこのよ
うな熱影響を排除することができる。

【００５０】伝熱パレット４３に基板Ｇを吸着させる際
には、図６に示すように、第１のリフトピン４４の内部
に吸引孔５７を設け、この吸引孔５７を介して吸引を行
って基板Ｇを伝熱パレット４３に真空吸着させることも
できる。この場合には、伝熱パレット４３の吸着溝５３
および吸着孔５４に対応する位置に第１の支持ピン４４
がくるようにすればよい。このようにすることにより、
伝熱パレット４３を加熱プレート４２に載置しない状態
でも基板Ｇを伝熱パレット４３に容易に吸着させること
ができる。そして、その後に伝熱パレット４３を下降し
て加熱プレート４２に載置しても、パレット４３が基板
Ｇを拘束しているので、加熱プレート４２からの熱で基
板Ｇが反ることがなく、基板Ｇを段階的に下降させる等
の操作は不要となる。

【００５１】上述した実施の形態では、加熱処理装置
（ＨＰ）における処理のみに伝熱パレット４３を用いた
が、この伝熱パレット４３を基板Ｇの下側に密着させた
状態で、主搬送装置１７，１８，１９により、レジスト
塗布・現像処理システムの少なくとも一部の処理装置に
搬送し処理するようにしてもよい。このようにパレット
４３に密着された状態で基板を搬送し、処理することに
より、基板Ｇに「反り」や「撓み」がほとんどない状態
で基板Ｇの搬送および処理を行うことができる。

【００５２】この場合には、システム１内に基板Ｇに放
熱パレット４３を装着するパレット装着ポートが必要で
あるが、このようなポートは種々の位置に配置すること
が可能である。例えば、図７に示すように、カセットス
テーション１にパレット装着ポート８０を配置してもよ
いし、また、図８に示すように、２段の加熱処理装置
（ＨＰ）を備えた加熱処理ユニット２８の下段の加熱処
理装置の代わりに、パレット装着ポート８１を配置する
こともできる。

【００５３】この場合に、このようにパレット４３を装
着した状態で処理可能な処理装置としては、上述の加熱
処理装置（ＨＰ）の他、例えば、冷却処理装置（ＣＯ
Ｌ）、表面洗浄ユニット（ＳＣＲ）、現像処理ユニット
（ＤＥＶ）などである。なお、周縁レジスト除去ユニッ
ト（ＥＲ）や裏面洗浄ユニット（ＳＣＲ）では、パレッ
トは処理の妨げとなるおそれがあるので、これらの処理
ユニットには、パレットを外した状態で搬入するように
構成することが好ましい。

【００５４】パレット４３を基板Ｇに装着するタイミン
グとしては、例えば、周縁レジスト除去ユニット（Ｅ
Ｒ）の処理が終了した後、または、カセットステーショ
ン１から基板Ｇを取り出す際を挙げることができる。特
に、周縁レジスト除去ユニット（ＥＲ）の処理が終了し
た後に装着することにより、次のプリベーク処理におい
て、基板Ｇを均一に熱処理することができるので好まし
く、この場合には加熱処理ユニット２８の位置のパレッ
ト装着ポート８１を設けることが好都合である。

【００５５】また、パレット４３を基板Ｇに密着した状
態でシステム内を搬送する場合には、真空吸着力が経時
的に小さくなるおそれがあるため、システム内の適宜の
位置で真空引きできるように構成することが好ましい。
この場合に、図９の平面図（ａ）および側面図（ｂ）に
示すように、パレット４３内部に吸気路９１を設け、吸
気路９１から上方に延びるように複数の基板吸着孔９２
を形成し、かつパレット４３側面に吸気口９３を設け
て、吸気口９３から適宜の吸引手段で吸引し、吸引後に
吸気路９３に蓋９４をすることにより、吸着保持力を上
昇させることができる。

【００５６】このように、基板の搬送および熱処理以外
にパレットを用いる場合には、上述したようにパレット
の「反り」や「撓み」を抑制する効果のほうが大きいか
ら、パレットには必ずしも伝熱効果を奏する必要はな
い。

【００５７】なお、このように、システム内にパレット
装着ポートを設ける場合には、前述の加熱処理装置（Ｈ
Ｐ）において加熱処理にのみパレット４３を使用する際
に、予めパレット４３と基板Ｇとを密着した状態で搬入
することが可能となり、加熱処理装置（ＨＰ）でパレッ
ト４３を装着することが不要となり、リフトピンに真空
吸着孔を設けること等が不要となる。この場合に、加熱
後、パレット４３と基板Ｇとを別々に搬送する必要があ
るが、これは主搬送装置１７，１８，１９にパレット専
用のアームを設けることにより実現することができる。
その際に、パレット４３の吸着孔が微小になっており、
そこから空気が侵入して加熱終了時に吸着力が切れるよ
うにすることにより、加熱後の搬送をスムーズに行うこ
とができる。また、パレット装着ポートに冷却機構を設
けることにより、加熱終了後のパレットをそこで冷却さ
せることが可能となる。

【００５８】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
では、レジスト塗布・現像処理システムに本発明を適用
した場合について説明したが、他の用途に用いる加熱処
理装置に対して適用可能である。また、基板としてＬＣ
Ｄ基板の場合について説明したが、液晶表示装置用のカ
ラーフィルター基板、半導体ウエハ等、他の基板に対し
て適用することもできる。

【００５９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
加熱プレートによる基板の加熱時に、伝熱パレットが基
板に密着した状態で加熱プレートと基板との間に介装さ
れているので、基板に「反り」や「撓み」が生じること
を防止することができ、また、加熱プレートの熱が伝熱
パレットを介して基板へ速やかに伝熱されて基板を均一
に加熱することができ、基板の熱履歴の部分的ばらつき
による処理の不均一を回避することができる。

【００６０】また、基板に対するレジスト塗布処理、露
光後の現像処理、およびそれらの前後に行う熱的処理を
含む一連の工程を実施する基板処理装置において、パレ
ット装着ポートにおいて基板の下面にパレットを密着さ
せた状態で装着し、これを搬送装置で少なくとも一部処
理機構へ搬送するので、基板搬送および処理の際に、基
板に「反り」や「撓み」が生じることを有効に防止する
ことができる。また、基板がこのようなパレットに密着
された状態で加熱処理を行うユニットに搬入された際に
は、このように基板に「反り」や「撓み」が生じること
を防止することができるほか、また、加熱プレートの熱
がパレットを介して基板へ速やかに伝熱されて基板を均
一に加熱することができるので、基板の熱履歴の部分的
ばらつきによる処理の不均一を回避することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明が適用されるＬＣ基板のレジスト塗布・
現像処理システムを示す平面図。

【図２】本実施の形態に係る加熱処理装置（ＨＰ）を示
す断面図。

【図３】図２に示した加熱処理装置（ＨＰ）に用いる伝
熱パレットの平面図。

【図４】図２に示した加熱処理装置（ＨＰ）の基板加熱
処理状態を示す断面図。

【図５】加熱処理装置の他の実施形態を示す断面図。

【図６】基板を伝熱パレットに吸着させる吸着機構の他
の構成を示す図。

【図７】パレット装着ポートの配置位置の一例を示す平
面図。

【図８】パレット装着ポートの配置位置の他の例を示す
側面図。

【図９】基板を伝熱パレットに吸着させる吸着機構のさ
らに他の構成を示す平面図および側面図。

【符号の説明】

２８，２９；加熱処理ユニット ４２；加熱プレート ４３；伝熱パレット ４４；第１のリフトピン ４５；第２のリフトピン ４８；昇降機構 ５０；バキューム溝 ５３；バキューム溝 ８０，８１；パレット装着ポート ＨＰ；加熱処理装置 Ｇ；ＬＣＤ基板

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板を加熱するための加熱処理装置であ
   って、 基板を加熱する加熱プレートと、 この加熱プレートによる加熱時、加熱プレートと基板と
   の間に基板に密着した状態で介装されて、加熱プレート
   からの熱を基板に伝熱する伝熱パレットとを具備するこ
   とを特徴とする加熱処理装置。
2. 【請求項２】 前記パレットに基板を吸着させて、基板
   を前記パレットに密着させるための基板吸着手段をさら
   に具備することを特徴とする請求項１に記載の加熱処理
   装置。
3. 【請求項３】 前記加熱プレートに前記パレットを吸着
   させるためのパレット吸着手段をさらに具備することを
   特徴とする請求項１または請求項２に記載の加熱処理装
   置。
4. 【請求項４】 前記加熱プレート表面から進出退避可能
   に設けられ、前記パレットを昇降する第１のリフトピン
   と、 前記パレットを貫通して進出退避可能に設けられ、基板
   を昇降してパレットに載置するための第２のリフトピン
   とをさらに具備することを特徴とする請求項１ないし請
   求項３のいずれか１項に記載の加熱処理装置。
5. 【請求項５】 前記パレットは、前記第１のリフトピン
   に対して着脱自在に設けられていることを特徴とする請
   求項４に記載の加熱処理装置。
6. 【請求項６】 前記パレットは、前記第１のリフトピン
   に固定されていることを特徴とする請求項４に記載の加
   熱処理装置。
7. 【請求項７】 一つの基板の加熱処理毎に、前記パレッ
   トを冷却する冷却手段をさらに具備することを特徴とす
   る請求項６に記載の加熱処理装置。
8. 【請求項８】 前記第１のリフトピンは真空吸着孔を有
   しており、この真空吸着孔を介して真空引きすることに
   より基板を前記パレットに吸着させることを特徴とする
   請求項４ないし請求項７のいずれか１項に記載の加熱処
   理装置。
9. 【請求項９】 基板に対するレジスト塗布処理、露光後
   の現像処理、およびそれらの前後に行う熱的処理を含む
   一連の工程を実施する基板処理装置であって、 前記一連の工程を実施するための複数の処理機構と、 前記各処理ユニットに対する基板の搬入出を行うための
   搬送機構と、 基板の下面にパレットを密着させた状態で装着するパレ
   ット装着ポートとを具備し、 前記搬送機構により、少なくとも一部の処理機構に、こ
   のパレットが装着された状態の基板が搬入されることを
   特徴とする基板処理装置。