JP2007335626A - 基板処理システムおよび基板搬送方法 - Google Patents

基板処理システムおよび基板搬送方法 Download PDF

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Abstract

【課題】 半導体装置製造におけるフォトリソグラフィー処理部における各処理を高スループットで実施可能な基板処理システムおよび基板搬送方法を提供する。
【解決手段】 基板処理システム１００は、システムの全体にわたってウエハＷの搬送および各処理部との基板の受渡しを行なう第１の自動基板搬送ラインである主搬送経路２０と、フォトリソグラフィー処理部１内でのウエハＷの搬送を行なう第２の自動基板搬送ラインである副搬送経路３０とを備えている。副搬送経路３０は、主搬送経路２０とは独立した搬送系として設けられ、ＯＨＴ３１は、ループ状に形成された副搬送経路３０を周回して移動し、フォトリソグラフィー処理部１内の各処理装置にウエハＷを搬送し、各処理装置との間でウエハＷの受渡しを行なう。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体ウエハ等の被処理基板に対し、フォトリソグラフィー工程を含む処理を行なう基板処理システムおよび基板搬送方法に関する。
半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体ウエハ（以下、「ウエハ」と記すことがある）にパターン形成を行なうべく、フォトリソグラフィー工程が繰り返し行なわれる。フォトリソグラフィー工程においては、半導体ウエハの表面にレジスト膜を形成するレジスト塗布処理と、レジスト塗布後のウエハに対して露光マスクを使用して露光を行なう露光処理と、露光後のウエハを現像する現像処理とが行われる。また、露光処理の前には露光前ベーク（ＰＡＢ）処理、露光処理の後には露光後ベーク（ポストエクスポージャーベーク；ＰＥＢ）処理が行なわれる。
半導体製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程は、工場内の自動搬送システム（ＡＭＨＳ；Automated Material Handling Systems）に接続されたフォトリソグラフィー処理部において行なわれる。従来、フォトリソグラフィー処理部は、プロセス上の制約により、レジスト塗布・現像処理装置と露光処理装置とを直列的に配置し、これを一単位として前記ＡＭＨＳとの間でウエハＷを受渡しできるよう構成されてきた（例えば、特許文献１）。このような従来の装置レイアウトでは、ＡＭＨＳによりカセット搬送されてきた複数枚のウエハは、フォトリソグラフィー処理部のレジスト塗布・現像処理装置にカセット単位で受渡される。そして、レジスト塗布・現像処理装置の搬送機構によりカセットからウエハＷが一枚ずつ取出され、レジスト塗布、露光、現像などの一連の処理が行なわれる構成になっていた。
ところで、半導体装置における技術ノードの進行、すなわち微細化の進展に対応するため、最近では、二重露光などの新技術が開発されつつある。二重露光は、レジスト塗布後のウエハに対して例えば所定の線幅で露光処理した後、マスクの位置をずらして２回目の露光処理を行なうことにより線幅を微細化し、解像度を高める技術である。しかし、二重露光技術では、文字通り露光処理が２回行なわれることから、フォトリソグラフィー工程に要する時間が単純計算で２倍になり、半導体装置製造のスループットを大幅に低下させてしまうことが懸念されている。
特開２０００−１２４１２４号公報（段落００２７、図２など）
上記のように、微細化が進行する半導体装置製造の生産性を向上させるため、将来的にリソグラフィー工程におけるスループット向上が重要な課題となっている。具体的には、例えば上記二重露光技術を採用する場合には、フォトリソグラフィー工程の処理能力を現在の時間あたり１００〜１５０枚（ウエハ）から２００〜３００枚（ウエハ）へ、約２倍に増加させなければ現在と同じレベルの生産性を維持できない計算になる。
しかし、フォトリソグラフィー工程での生産性を向上させるべく、レジスト塗布・現像処理装置におけるウエハの処理枚数を増加させた場合、各装置の故障などのトラブルが増加して信頼性が低下することが予想される。二重露光プロセスにおいて、これらの装置に故障が生じた場合には、生産に与える影響は多大なものとなる。特に従来のフォトリソグラフィー処理部における装置レイアウトでは、レジスト塗布・現像処理装置と露光処理装置が一セットで隣接配置されていることから、レジスト塗布・現像処理装置に不具合が生じると高価な露光処理装置の稼働まで停止させてしまうことになり、生産コストを大幅に増大させてしまう要因になる。
また、従来の装置レイアウトでは、レジスト塗布・現像処理装置に搬送された任意のカセット内の全てのウエハについて、レジスト塗布・露光・現像の一連の処理が終了するまで、次のカセットの処理が行なわれないことから、ＡＭＨＳにおいてストッカー設備（バッファ）の配設が必須となり、ＡＭＨＳの負担が増加するとともに、仕掛かりロットの増大を招くことが懸念される。この問題は、従来のレジスト塗布・現像処理装置内でのレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）および現像処理ユニット（ＤＥＶ）の設置台数を増加させ、処理能力を増大させることにより解決できるが、この方法では装置が大型化して設置スペースが増大してしまう。
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、フォトリソグラフィー工程における各処理を高スループットで実施可能な基板処理システムおよび基板搬送方法を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明の第１の観点は、被処理基板に対しフォトリソグラフィー工程を含む処理を行なう基板処理システムであって、
被処理基板に対して個別に処理を行なう複数の処理部の間で被処理基板の搬送を行なう第１の自動基板搬送ラインと、
前記第１の自動基板搬送ラインとの間で被処理基板を受渡し可能に構成され、前記フォトリソグラフィー工程における一連の処理を行なうフォトリソグラフィー処理部の各処理装置の間で被処理基板の搬送を行なう第２の自動基板搬送ラインと、
を備えた、基板処理システムを提供する。
上記第１の観点において、前記第２の自動基板搬送ラインは、前記第１の自動基板搬送ラインから独立した循環式の自動基板搬送ラインであることが好ましい。この場合において、前記第１の自動基板搬送ライン上を移動して前記各処理部との間で被処理基板の受渡しを行なう第１の自動基板搬送装置と、前記第２の自動基板搬送ライン上を移動して前記フォトリソグラフィー処理部の各処理装置の間で被処理基板の受渡しを行なう第２の自動基板搬送装置と、を備えたものであることが好ましい。
また、前記第１の自動基板搬送装置および前記第２の自動基板搬送装置は、複数枚の被処理基板を容器に収容して搬送する容器搬送装置であってもよい。あるいは、前記第１の自動基板搬送装置は、複数枚の被処理基板を容器に収容して搬送する容器搬送装置であり、前記第２の自動基板搬送装置は、被処理基板を一枚ずつ搬送する枚葉搬送装置であってもよい。
また、前記基板処理システムは、前記第１の自動基板搬送ラインにおける被処理基板の搬送を制御する第１の制御部と、
前記第２の自動基板搬送ラインにおける被処理基板の搬送を制御する第２の制御部と、
を備えていることが好ましい。
また、前記フォトリソグラフィー処理部は、レジスト塗布処理装置、露光処理装置および現像処理装置を備えたものであってもよい。この場合、前記フォトリソグラフィー処理部において、少なくとも前記レジスト塗布処理装置と、前記現像処理装置とが、それぞれ前記第２の自動基板搬送ラインとの間で被処理基板を受渡し可能に分離して配置されていてもよい。あるいは、前記フォトリソグラフィー処理部において、前記レジスト塗布処理装置、前記露光処理装置および前記現像処理装置が、それぞれ前記第２の自動基板搬送ラインとの間で被処理基板を受渡し可能に分離して配置されていてもよい。あるいは、前記フォトリソグラフィー処理部において、前記レジスト塗布処理装置、前記露光処理装置および前記現像処理装置は、それぞれ個別に基板受渡しポートを介して前記第２の自動基板搬送ラインとの間で被処理基板を受渡可能に構成されていてもよい。
また、前記レジスト塗布処理装置の設置数に対して、前記露光処理装置の設置数が１：２の比率となるように配備することが好ましい。
また、前記露光処理装置には、露光後ベーク処理装置が隣接配置されていることが好ましい。
また、前記フォトリソグラフィー処理部は、二重露光技術によりパターン形成を行なう処理部であることが好ましい。
本発明の第２の観点は、被処理基板に対しフォトリソグラフィー工程を含む処理を行なう基板処理システムにおいて被処理基板を搬送する基板搬送方法であって、
前記基板処理システムは、被処理基板に対して個別に処理を行なう複数の処理部の間で被処理基板の搬送を行なう第１の自動基板搬送ラインと、前記第１の自動基板搬送ラインとの間で基板を受渡し可能に構成され、前記フォトリソグラフィー工程における一連の処理を行なうフォトリソグラフィー処理部に専用の循環式の第２の自動基板搬送ラインと、を備えており、
前記フォトリソグラフィー処理部では、前記第２の自動基板搬送ラインにより各処理装置の間で被処理基板の搬送を行なうようにした、基板搬送方法を提供する。
上記第２の観点において、前記フォトリソグラフィー処理部においては、少なくとも前記レジスト塗布処理装置と、前記現像処理装置とが、それぞれ前記第２の自動基板搬送ラインとの間で被処理基板を受渡し可能に分離して配置されており、
各処理装置の稼働状態に応じて前記第２の自動基板搬送ラインから被処理基板を搬入する搬入先を選択することが好ましい。
また、前記第１の自動基板搬送ラインおよび前記第２の自動基板搬送ラインでは、複数枚の被処理基板を容器に収容して搬送し、前記第２の自動基板搬送ラインと前記フォトリソグラフィー処理部の各処理装置との間では前記容器に収容した状態で被処理基板の受渡しを行なってもよい。
また、前記第１の自動基板搬送ラインでは、複数枚の被処理基板を容器に収容して搬送し、前記第２の自動基板搬送ラインでは被処理基板を一枚ずつ搬送するとともに、前記第２の自動基板搬送ラインと前記フォトリソグラフィー処理部の各処理装置との間では一枚ずつ被処理基板の受渡しを行なってもよい。
本発明の第３の観点は、コンピュータ上で動作し、実行時に、上記第２の観点の基板搬送方法が行なわれるように前記基板処理システムを制御する、制御プログラムを提供する。
本発明の第４の観点は、コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取り可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、上記第２の観点の基板搬送方法が行なわれるように前記基板処理システムを制御するものである、コンピュータ読取り可能な記憶媒体を提供する。
本発明によれば、被処理基板に対して個別に処理を行なう複数の処理部の間で被処理基板の搬送を行なう第１の自動基板搬送ラインと、この第１の自動基板搬送ラインとの間で被処理基板を受渡し可能に構成され、前記フォトリソグラフィー工程における一連の処理を行なう各処理装置の間で被処理基板の搬送を行なう第２の自動基板搬送ラインと、を別々に設けたことにより、フォトリソグラフィー処理部内における各処理装置への搬送の自由度を大きくすることができるとともに、フォトリソグラフィー工程での処理速度およびウエハ搬送速度を基板処理システムにおける他の処理部とは切り離して制御できる。従って、フォトリソグラフィー工程を高いスループットで処理することが可能であり、例えば二重露光プロセスのように、フォトリソグラフィー工程に大きな負荷がかかるような処理にも対応を図ることができる。また、第２の自動基板搬送ライン自体がバッファ機能を持つことにより、第１の自動基板搬送ライン上にストックされる仕掛かりロット数を減少させることができ、第１の自動基板搬送ラインへの負荷の増大を抑制することが可能になる。
以下、本発明の好適な実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る基板処理システム１００において、フォトリソグラフィー工程を実施するためのフォトリソグラフィー処理部１ａを中心とした搬送装置の概要を示す図面である。この基板処理システム１００は、システムの全体にわたってウエハＷの搬送および各処理部との基板の受渡しを行なう第１の自動基板搬送ラインである主搬送ライン２０と、フォトリソグラフィー処理部１ａ内でのウエハＷの搬送を行なう第２の自動基板搬送ラインである副搬送ライン３０とを備えている。
ＡＭＨＳ（Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ Ｈａｎｄｌｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍｓ）として構成された主搬送ライン２０には、例えば複数のＯＨＴ（Ｏｖｅｒｈｅａｄ Ｈｏｉｓｔ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ）２１が設けられている。各ＯＨＴ２１は、図示しないカセット内にウエハＷを収容した状態で主搬送ライン２０を移動し、フォトリソグラフィー処理部１ａをはじめとする各処理部へのウエハＷの搬送を行なえるように構成されている。
また、副搬送ライン３０は、主搬送ライン２０とは独立したＡＭＨＳとして設けられており、ＯＨＴ３１を備えている。このＯＨＴ３１は、ループ状に形成された循環式の副搬送ライン３０を周回して移動し、フォトリソグラフィー処理部１ａ内の各処理装置にウエハＷを搬送し、各処理装置との間でウエハＷの受渡しを行なう。なお、図示は省略するが、ＯＨＴ３１はＯＨＴ２１に比べて高い位置の軌道を移動するように構成されている。
フォトリソグラフィー処理部１ａは、ウエハＷ表面に所定のレジストを塗布するレジスト塗布処理装置２、レジストが塗布されたウエハＷに対して露光処理を行なう第１の露光処理装置３ａ、露光処理後のレジストを加熱処理する第１のＰＥＢ処理装置４ａ、ウエハＷに対して露光処理を行なう第２の露光処理装置３ｂ、露光処理後のレジストを加熱処理する第２のＰＥＢ処理装置４ｂ、および露光処理されたウエハＷを現像する現像処理装置５を備えている。このように、フォトリソグラフィー処理部１ａは、ウエハＷに対して露光処理を２回繰り返すことにより微細なパターンを形成する二重露光処理に適した装置レイアウトを採用している。フォトリソグラフィー処理部１ａでは、レジスト塗布処理装置２、第１の露光処理装置３ａ、第２の露光処理装置３ｂおよび現像処理装置５が分離して配置され、第１の露光処理装置３ａと第１のＰＥＢ処理装置４ａ、第２の露光処理装置３ｂと第２のＰＥＢ処理装置４ｂは隣接配置されている。第１の露光処理装置３ａは、第１のＰＥＢ処理装置４ａに隣接して配置され、第１のＰＥＢ処理装置４ａを介して副搬送ライン３０のＯＨＴ３１との間でウエハＷを受渡し可能に構成されている。同様に第２の露光処理装置３ｂは、第２のＰＥＢ処理装置４ｂに隣接して配置され、第２のＰＥＢ処理装置４ｂを介して副搬送ライン３０のＯＨＴ３１との間でウエハＷを受渡し可能に構成されている。
また、図１では図示を省略しているが、フォトリソグラフィー処理部１ａには、レジスト塗布処理装置２、第１および第２の露光処理装置３ａ，３ｂ、第１および第２のＰＥＢ処理装置４ａ，４ｂ、現像処理装置５を一つのグループとして、複数グループが設けられている。つまり、各グループ内で上記各処理装置の設置比率を維持したまま、整数倍の処理装置が配備されている。
本実施形態の基板処理システム１００においては、レジスト塗布処理装置２でレジストが塗布されたウエハＷは、第１の露光処理装置３ａまたは第２の露光処理装置３ｂのいずれに搬送してもよい。つまり、第１の露光処理装置３ａまたは第２の露光処理装置３ｂのうち、処理の余力が大きい方、つまり空いている露光処理装置を選択してウエハＷを搬入できるように構成されている。
レジスト塗布処理装置２は、例えば図２〜図４に示すように構成される。図２は、レジスト塗布処理装置２を示す概略平面図、図３その正面図、図４はその背面図である。レジスト塗布処理装置２は、搬送ステーションであるカセットステーション２１０と、複数の処理ユニットを有する処理ステーション２１１と、を具備している。
カセットステーション２１０は、被処理体としてのウエハＷを複数枚、例えば２５枚単位でウエハカセットＣＲに搭載された状態で、副搬送ライン３０からレジスト塗布処理装置２へ搬入し、またはレジスト塗布処理装置２から副搬送ライン３０へ搬出する等、ウエハカセットＣＲと処理ステーション２１１との間でウエハＷの搬入出を行なう受渡しポートである。
カセットステーション２１０においては、図２に示すように、カセット載置台２２０上に図中Ｘ方向に沿って複数（図では４個）の位置決め突起２２０ａが形成されており、この突起２２０ａの位置にウエハカセットＣＲがそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション２１１側に向けて１列に載置可能となっている。ウエハカセットＣＲにおいてはウエハＷが垂直方向（Ｚ方向）に配列されている。また、カセットステーション２１０は、カセット載置台２２０と処理ステーション２１１との間に位置するウエハ搬送機構２２１を有している。
ウエハ搬送機構２２１は、カセット配列方向（Ｘ方向）およびその中のウエハＷの配列方向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送用アーム２２１ａを有しており、このウエハ搬送用アーム２２１ａにより、いずれかのウエハカセットＣＲに対して選択的にアクセス可能となっている。また、ウエハ搬送用アーム２２１ａは、図２中に示されるθ方向に回転可能に構成されており、後述する処理ステーション２１１側の第３の処理グループＧ２３に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）およびエクステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになっている。
一方、処理ステーション２１１は、ウエハＷへ対して塗布を行う際の一連の工程を実施するための複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置に多段に配置されており、これらによりウエハＷが１枚ずつ処理される。この処理ステーション２１１は、図２に示すように、中心部にウエハ搬送路２２２ａを有しており、この中に主ウエハ搬送機構２２２が設けられ、ウエハ搬送路２２２ａの周りに全ての処理ユニットが配置された構成となっている。これら複数の処理ユニットは、複数の処理グループに分かれており、各処理グループにおいては複数の処理ユニットが垂直方向（Ｚ方向）に沿って多段に配置されている。
主ウエハ搬送機構２２２は、図４に示すように、筒状支持体２４９の内側にウエハ搬送装置２４６を上下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持体２４９は図示しないモータの回転駆動力によって回転可能となっており、それに伴ってウエハ搬送装置２４６も一体的に回転可能となっている。ウエハ搬送装置２４６は、搬送基台２４７の前後方向に移動自在な複数本の保持部材２４８を備え、これらの保持部材２４８によって各処理ユニット間でのウエハＷの受け渡しを実現している。
図２に示すように、レジスト塗布処理装置２においては、５個の処理グループＧ２１・Ｇ２２・Ｇ２３・Ｇ２４・Ｇ２５がウエハ搬送路２２２ａの周囲に配置されている。これらのうち、第１および第２の処理グループＧ２１・Ｇ２２はレジスト塗布処理装置２の正面側に並列に配置され、第３の処理グループＧ２３はカセットステーション２１０に隣接して配置され、第４の処理グループＧ２４はウエハ搬送路２２２ａを挟んで第３の処理グループＧ２３とは反対側に配置されている。また、第５の処理グループＧ２５は背面部に配置されている。
第１の処理グループＧ２１では、コータカップ（ＣＰ）内でウエハＷを図示しないスピンチャックに乗せて所定の処理を行う２台のスピナ型処理ユニットであるレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）が２段に重ねられている。また、第２の処理グループＧ２２も同様に、２台のスピナ型処理ユニットであるレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）が２段に重ねられている。
第３の処理グループＧ２３においては、図４に示すように、ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられている。すなわち、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、位置合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、ウエハＷの搬入出を行うエクステンションユニット（ＥＸＴ）、冷却処理を行うクーリングユニット（ＣＯＬ）、露光処理前にウエハＷに対して加熱処理を行う４つのホットプレートユニット（ＨＰ）が下から順に８段に重ねられている。なお、アライメントユニット（ＡＬＩＭ）の代わりにクーリングユニット（ＣＯＬ）を設け、クーリングユニット（ＣＯＬ）にアライメント機能を持たせてもよい。
第４の処理グループＧ２４においても、オーブン型の処理ユニットが多段に重ねられている。すなわち、クーリングユニット（ＣＯＬ）、クーリングプレートを備えたウエハ搬入出部であるエクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンションユニット（ＥＸＴ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、および４つのホットプレートユニット（ＨＰ）が下から順に８段に重ねられている。
なお、主ウエハ搬送機構２２２の背部側に第５の処理グループＧ２５を設ける場合に、第５の処理グループＧ２５は、案内レール２２５に沿って主ウエハ搬送機構２２２から見て側方へ移動できるようになっている。
第１の露光処理装置３ａに隣接配備された第１のＰＥＢ処理装置４ａは、例えば図５から図７に示すように構成されている。なお、第２のＰＥＢ処理装置４ｂは、第１のＰＥＢ処理装置４ａと同様の構成であるため、以下では第１のＰＥＢ処理装置４ａを例に挙げて説明し、第２のＰＥＢ処理装置４ｂの説明を省略する。
図５は、第１のＰＥＢ処理装置４ａを示す概略平面図、図６はその正面図、図７はその背面図である。第１のＰＥＢ処理装置４ａは、搬送ステーションであるカセットステーション３１０と、複数の処理ユニットを有する処理ステーション３１１と、処理ステーション３１１に隣接して設けられる図示しない露光処理装置との間でウエハＷを受け渡すためのインターフェイス部３１２と、を具備している。
カセットステーション３１０は、被処理体としてのウエハＷを複数枚、例えば２５枚単位でウエハカセットＣＲに搭載された状態で、副搬送ライン３０からこの第１のＰＥＢ処理装置４ａへ搬入し、またはこの第１のＰＥＢ処理装置４ａから副搬送ライン３０へ搬出する等、ウエハカセットＣＲと処理ステーション３１１との間でウエハＷの搬入出を行なう受渡しポートである。
カセットステーション３１０においては、図５に示すように、カセット載置台３２０上に図中Ｘ方向に沿って複数（図では４個）の位置決め突起３２０ａが形成されており、この突起３２０ａの位置にウエハカセットＣＲがそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション３１１側に向けて１列に載置可能となっている。ウエハカセットＣＲにおいてはウエハＷが垂直方向（Ｚ方向）に配列されている。また、カセットステーション３１０は、カセット載置台３２０と処理ステーション３１１との間に位置するウエハ搬送機構３２１を有している。
ウエハ搬送機構３２１は、カセット配列方向（Ｘ方向）およびその中のウエハＷの配列方向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送用アーム３２１ａを有しており、このウエハ搬送用アーム３２１ａにより、いずれかのウエハカセットＣＲに対して選択的にアクセス可能となっている。また、ウエハ搬送用アーム３２１ａは、図５中に示されるθ方向に回転可能に構成されており、後述する処理ステーション３１１側の第３の処理グループＧ３３に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）およびエクステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになっている。
一方、処理ステーション３１１は、ウエハＷへ対してＰＥＢ処理を行う際の一連の工程を実施するための複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置に多段に配置されており、これらによりウエハＷが１枚ずつ処理される。この処理ステーション３１１は、図５に示すように、中心部にウエハ搬送路３２２ａを有しており、この中に主ウエハ搬送機構３２２が設けられ、ウエハ搬送路３２２ａの周りに全ての処理ユニットが配置された構成となっている。これら複数の処理ユニットは、複数の処理グループに分かれており、各処理グループでは複数の処理ユニットが垂直方向（Ｚ方向）に沿って多段に配置されている。
主ウエハ搬送機構３２２は、図７に示すように、筒状支持体３４９の内側にウエハ搬送装置３４６を上下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持体３４９は図示しないモータの回転駆動力によって回転可能となっており、それに伴ってウエハ搬送装置３４６も一体的に回転可能となっている。ウエハ搬送装置３４６は、搬送基台３４７の前後方向に移動自在な複数本の保持部材３４８を備え、これらの保持部材３４８によって各処理ユニット間でのウエハＷの受け渡しを実現している。
図５に示すように、第１のＰＥＢ処理装置４ａにおいては、５個の処理グループＧ３１・Ｇ３２・Ｇ３３・Ｇ３４・Ｇ３５がウエハ搬送路３２２ａの周囲に実際に配置されている。これらのうち、第１および第２の処理グループＧ３１・Ｇ３２は第１のＰＥＢ処理装置４ａの正面側に並列に配置され、第３の処理グループＧ３３はカセットステーション３１０に隣接して配置され、第４の処理グループＧ３４はインターフェイス部３１２に隣接して配置されている。また、第５の処理グループＧ３５は背面部に配置されている。
第１の処理グループＧ３１および第４の処理グループＧ３４では、図６および図７に示すように、ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられている。すなわち、クーリングユニット（ＣＯＬ）、クーリングプレートを備えたウエハ搬入出部であるエクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンションユニット（ＥＸＴ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、および４つのホットプレートユニット（ＨＰ）が下から順に８段に重ねられている。
第２の処理グループＧ３２および第３の処理グループＧ３３においては、図６および図７に示すように、ウエハＷを載置台ＳＰに載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられている。すなわち、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、位置合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、ウエハＷの搬入出を行うエクステンションユニット（ＥＸＴ）、冷却処理を行うクーリングユニット（ＣＯＬ）、露光処理後のウエハＷに対して加熱処理を行う４つのホットプレートユニット（ＨＰ）が下から順に８段に重ねられている。なお、アライメントユニット（ＡＬＩＭ）の代わりにクーリングユニット（ＣＯＬ）を設け、クーリングユニット（ＣＯＬ）にアライメント機能を持たせてもよい。
主ウエハ搬送機構３２２の背部側に第５の処理グループＧ３５を設ける場合に、第５の処理グループＧ３５は、案内レール３２５に沿って主ウエハ搬送機構３２２から見て側方へ移動できるようになっている。
インターフェイス部３１２は、奥行方向（Ｘ方向）については、処理ステーション３１１と同じ長さを有している。図５、図６に示すように、このインターフェイス部３１２の正面部には、可搬性のピックアップカセットＣＲと定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、背面部には周辺露光処理装置３２３が配設され、中央部にはウエハ搬送機構３２４が配設されている。このウエハ搬送機構３２４はウエハ搬送用アーム３２４ａを有しており、このウエハ搬送用アーム３２４ａは、Ｘ方向、Ｚ方向に移動して両カセットＣＲ・ＢＲおよび周辺露光処理装置３２３にアクセス可能となっている。
なお、ウエハ搬送用アーム３２４ａはθ方向に回転可能であり、処理ステーション３１１の第４の処理グループＧ３４に属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）や、さらには隣接する露光処理装置３ａ側の図示しないウエハ受け渡し台にもアクセス可能となっている。
現像処理装置５は、例えば図８〜図１０に示すように構成される。図８は、現像処理装置５を示す概略平面図、図９はその正面図、図１０はその背面図である。現像処理装置５は、処理ステーション２１１ａの第１の処理グループＧ２１および第２の処理グループＧ２２に、レジスト塗布処理装置２の処理ステーション２１１ａにおけるレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）に代えて、レジストのパターンを現像する現像ユニット（ＤＥＶ）がそれぞれ２段に重ねられて配置されていること以外は、図２〜図４に示したレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）と同様の構成であるため、同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。
再び図１を参照するに、主搬送ライン２０のＯＨＴ２１と副搬送ライン３０のＯＨＴ３１は、ウエハハンドリングロボット４１を備えた複数のウエハ受け渡し部４０においてウエハＷを受渡すことが可能に構成されている。
主搬送ライン２０は、基板処理システム１００全体を管理する統括制御部としての第１の製造管理システム（ＭＥＳ；Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ Ｅｘｅｃｕｔｉｏｎ Ｓｙｓｔｅｍ）５０に接続されている。この第１のＭＥＳ５０は、個々の処理部や搬送系に個別に設けられた制御部（例えば、後述するＭＥＳ６０）と連携して工場における各工程に関するリアルタイム情報を基幹業務システム（図示省略）にフィードバックすると共に、工場全体の負荷等を考慮して工程に関する判断を行う。具体的には、第１のＭＥＳ５０は、例えば主搬送ライン２０における各ＯＨＴ２１の負荷を把握しながら、ＯＨＴ２１の移動、停止、待機、各処理部との間でウエハＷの受渡しなどを管理し、搬送状態を最適化する。
また、副搬送ライン３０は、第２の製造管理システム（ＭＥＳ）６０に接続されている。この第２のＭＥＳ６０は、フォトリソグラフィー処理部１ａにおける個別の制御部として機能し、フォトリソグラフィー処理部１ａの副搬送ライン３０における搬送状態や、各処理装置例えばレジスト塗布処理装置２、第１および第２の露光処理装置３ａ，３ｂ、第１および第２のＰＥＢ処理装置４ａ，４ｂおよび現像処理装置５におけるそれぞれの処理条件等の制御を行なう。より具体的には、第２のＭＥＳ６０は、例えば副搬送ライン３０における各ＯＨＴ３１の負荷を把握しながら、ＯＨＴ３１の移動、停止、待機、各処理装置との間でウエハＷの受渡しなどを管理し、搬送状態を最適化する。
図１１は、第１のＭＥＳ５０の構成を示す図である。第１のＭＥＳ５０は、ホストコンピュータを備えたコントローラ５１と、ユーザーインターフェース５２と、記憶部５３とを備えている。コントローラ５１に接続されたユーザーインターフェース５２は、工程管理者が基板処理システム１００を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、基板処理システム１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成される。コントローラ５１に接続された記憶部５３は、基板処理システム１００で実行されるウエハ搬送や各種処理をコントローラ５１の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウエア）や搬送条件データ、処理条件データ等が記録されたレシピを格納している。
そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース５２からの指示等にて任意のレシピを記憶部５３から呼び出してコントローラ５１に実行させることで、コントローラ５１の制御下で、基板処理システム１００での所望の処理が行われる。また、前記制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体、例えばＣＤ−ＲＯＭ、ハードディスク、フレキシブルディスク、フラッシュメモリなどに格納された状態のものを利用したり、あるいは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。
なお、第２のＭＥＳ６０の基本構成は、制御の対象がフォトリソグラフィー処理部１ａに限定されている点を除き、第１のＭＥＳと同様であるため、説明および図示を省略する。
以上のように構成される基板処理システム１００において、例えば他の処理部（図示せず）から主搬送ライン２０のＯＨＴ２１に受渡されたウエハＷは、いずれかのウエハ受渡し部４０において、ウエハハンドリングロボット４１によりフォトリソグラフィー処理部１ａの副搬送ライン３０上のＯＨＴ３１に受渡される。そして、副搬送ライン３０上のＯＨＴ３１は、フォトリソグラフィー処理部１ａ内の各処理装置との間でウエハの受渡しを行なう。
上述したレジスト塗布処理装置２においては、先ず、カセットステーション２１０において、ウエハ搬送機構２２１のウエハ搬送用アーム２２１ａがカセット載置台２２０上の未処理のウエハＷを収容しているウエハカセットＣＲにアクセスして１枚のウエハＷを取り出し、第３の処理グループＧ２３のエクステンションユニット（ＥＸＴ）に搬送する。
ウエハＷは、このエクステンションユニット（ＥＸＴ）から、主ウエハ搬送機構２２２のウエハ搬送装置２４６により、処理ステーション２１１に搬入される。そして、第３の処理グループＧ２３のアライメントユニット（ＡＬＩＭ）によりアライメントされた後、アドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）に搬送され、そこでレジストの定着性を高めるための疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）が施される。この処理は加熱を伴うため、その後ウエハＷは、ウエハ搬送装置２４６により、クーリングユニット（ＣＯＬ）に搬送されて冷却される。
アドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）での処理が終了してクーリングユニット（ＣＯＬ）で冷却されたウエハＷ、またはアドヒージョン処理ユニット（ＡＤ）での処理を行わないウエハＷは、引き続きウエハ搬送装置２４６によりレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）に搬送され、そこでレジストが塗布され、塗布膜が形成される。塗布処理終了後、ウエハＷは、第３または第４の処理グループＧ２３・Ｇ２４のいずれかのホットプレートユニット（ＨＰ）内でプリベーク処理され、その後いずれかのクーリングユニット（ＣＯＬ）にて冷却される。
冷却されたウエハＷは、第３の処理グループＧ２３のアライメントユニット（ＡＬＩＭ）に搬送され、第３の処理グループＧ２３のエクステンションユニット（ＥＸＴ）を介してカセットステーション２１０に戻され、いずれかのウエハカセットＣＲに収容される。
レジスト塗布処理装置２においてレジストが塗布されたウエハＷは、一旦カセットステーション２１０を介して副搬送ライン３０のＯＨＴ３１に受渡される。そして、ウエハＷを受け取ったＯＨＴ３１は、ＰＥＢ処理装置４ａのカセットステーション３１０までウエハＷを搬送し、ＰＥＢ処理装置４ａに受け渡す。ＰＥＢ処理装置４ａにおいては、先ず、カセットステーション３１０において、ウエハ搬送機構３２１のウエハ搬送用アーム３２１ａがカセット載置台３２０上のレジスト塗布済みのウエハＷを収容しているウエハカセットＣＲにアクセスして１枚のウエハＷを取り出し、第３の処理グループＧ３３のエクステンションユニット（ＥＸＴ）に搬送する。
ウエハＷは、このエクステンションユニット（ＥＸＴ）から、主ウエハ搬送機構３２２のウエハ搬送装置３４６により、処理ステーション３１１に搬入される。そして、第３の処理グループＧ３３のアライメントユニット（ＡＬＩＭ）によりアライメントされた後、第４の処理グループＧ３４のエクステンションユニット（ＥＸＴ）を介してインターフェイス部３１２に搬送される。
ウエハＷは、インターフェイス部３１２において周辺露光処理装置３２３により周辺露光されて余分なレジストが除去された後、インターフェイス部３１２に隣接して設けられた第１の露光処理装置３ａに搬送され、そこで所定のパターンにしたがってウエハＷのレジスト膜に露光処理が施される。露光後のウエハＷは、再び第１のＰＥＢ処理装置４ａのインターフェイス部３１２に戻され、ウエハ搬送機構３２４により、第４の処理グループＧ３４に属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）に搬送される。そして、ウエハＷは、ウエハ搬送装置３４６により、いずれかのホットプレートユニット（ＨＰ）に搬送されて、ＰＥＢ処理が施され、次いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）により冷却される。本実施形態では、露光処理装置（３ａ，３ｂ）に隣接してＰＥＢ処理装置（４ａ，４ｂ）を配置したので、露光処理後、ＰＥＢ処理までの時間管理を正確に行なうことができる。その後、ウエハＷは第３の処理グループＧ３３のエクステンションユニット（ＥＸＴ）を介してカセットステーション３１０に戻され、いずれかのウエハカセットＣＲに収容される。
第１の露光処理装置３ａにおいて露光されたウエハＷは、第１のＰＥＢ処理装置４ａのカセットステーション３１０を介して再び副搬送ライン３０のＯＨＴ３１に受渡される。そして、ウエハＷを受け取ったＯＨＴ３１は、次に第２のＰＥＢ処理装置４ｂのカセットステーション３１０までウエハＷを搬送し、第２のＰＥＢ処理装置４ｂに受け渡す。その後は、第２の露光処理装置３ｂ並びに第２のＰＥＢ処理装置４ｂにおいて、第１のＰＥＢ処理装置４ａおよび第１の露光処理装置３ａについて説明した手順と同様の手順で２回目の露光処理および２回目のＰＥＢ処理が行なわれる。その後、２回の露光処理が施されたウエハＷは、第２のＰＥＢ処理装置４ｂのカセットステーション３１０を介して再び副搬送ライン３０のＯＨＴ３１に受渡される。
ウエハＷを受け取ったＯＨＴ３１は、現像処理装置５のカセットステーション２１０までウエハＷを搬送し、現像処理装置５に受け渡す。現像処理装置５では、先ず、カセットステーション２１０において、ウエハ搬送機構２２１のウエハ搬送用アーム２２１ａがカセット載置台２２０上の二重露光後のウエハＷを収容しているウエハカセットＣＲにアクセスして１枚のウエハＷを取り出し、第３の処理グループＧ２３のエクステンションユニット（ＥＸＴ）に搬送する。
ウエハＷは、このエクステンションユニット（ＥＸＴ）から、主ウエハ搬送機構２２２のウエハ搬送装置２４６により、処理ステーション２１１ａに搬入される。そして、第３の処理グループＧ２３のアライメントユニット（ＡＬＩＭ）によりアライメントされた後、現像ユニット（ＤＥＶ）に搬送され、そこで露光パターンの現像が行われる。現像終了後、ウエハＷはいずれかのホットプレートユニット（ＨＰ）に搬送されてＰＥＢ処理が施され、次いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）により冷却される。このような一連の処理が終了した後、第３の処理グループＧ２３のエクステンションユニット（ＥＸＴ）を介してカセットステーション２１０に戻され、いずれかのウエハカセットＣＲに収容される。その後、現像処理が施されたウエハＷは、現像処理装置５のカセットステーション２１０を介して再び副搬送ライン３０のＯＨＴ３１に受渡される。このようにフォトリソグラフィー処理部１ａにおける一連の工程が終了し、所定のパターンが形成されたウエハＷは、いずれかのウエハ受渡し部４０においてフォトリソグラフィー処理部１ａの副搬送ライン３０上のＯＨＴ３１から主搬送ライン２０のＯＨＴ２１に受渡される。そして、主搬送ライン２０のＯＨＴ２１により他の処理部例えばエッチング処理部（図示せず）へ搬送され、前記パターンに基づいてエッチングが行なわれる。エッチング処理が終了したウエハＷについては、必要に応じて他の処理が施された後、再び主搬送ライン２０のＯＨＴ２１によってフォトリソグラフィー処理部１ａに搬送され、再度フォトリソグラフィー処理を繰り返し行なうことも可能である。
このように、本実施形態に係る基板処理システム１００では、主搬送ライン２０とは独立した搬送機構としてフォトリソグラフィー処理部１ａにおいて副搬送ライン３０を設けたことにより、フォトリソグラフィー処理部１ａ内における各処理装置への搬送の自由度を大きくすることができるとともに、フォトリソグラフィー工程での処理速度およびウエハ搬送速度を基板処理システム１００における他の処理部と切り離して制御できる。従って、フォトリソグラフィー工程を高いスループットで処理することが可能であり、例えば二重露光プロセスのように、フォトリソグラフィー工程に大きな負荷がかかるような処理にも対応を図ることができる。また、複数のＯＨＴ３１を配備した副搬送ライン３０自体がバッファ機能を有することにより、主搬送ライン２０上にストックされる仕掛かりロット数を減少させることができ、主搬送ライン２０への負荷を抑制できる。
また、上記構成では、レジスト塗布処理装置２と、露光処理装置（第１の露光処理装置３ａ，第２の露光処理装置３ｂ）と、現像処理装置５とを副搬送ライン３０に対してウエハＷを受渡し可能に並列的に配置したので、いずれかの装置に故障などの不具合が発生した場合においても、フレキシブルに同種の他の装置へウエハＷを搬送して処理を行なうことが可能である。従って、フォトリソグラフィー処理部１ａを含む基板処理システム１００の信頼性を向上させることが可能である。
また、第１の露光処理装置３ａと露光処理後のレジストを加熱処理する第１のＰＥＢ処理装置４ａ、第２の露光処理装置３ｂと露光処理後のレジストを加熱処理する第２のＰＥＢ処理装置４ｂとを、それぞれ隣接して配置したので、露光処理からＰＥＢ処理までの時間管理を正確に行なうことが可能になる。従って、高い再現性の下でＰＥＢ処理を行なうことができる。例えば、ＡｒＦレジストに代表される化学増幅型レジストを使用する場合には、ＰＥＢ処理によってレジスト中の溶解抑制剤の脱離反応が進行し、アルカリ可溶性が決定される。このため、化学増幅型レジストでは露光処理後ＰＥＢ処理までは非常に厳密な時間管理と温度管理が求められる。露光処理からＰＥＢ処理までの処理時間が一定せず、ＰＥＢ処理でウエハ面内もしくはウエハ間の温度に不均一が生じると、線幅がばらつき、エッチング精度を低下させるなどの悪影響が生じる。本実施形態では、露光処理装置とＰＥＢ処理装置が隣接配備されていることにより、露光後の時間管理がしやすく、精度の高いＰＥＢ処理が可能であることから、ＡｒＦレジストに代表される化学増幅型レジストを使用するフォトリソグラフィープロセスに特に有利に利用できる。
また、フォトリソグラフィー処理部１ａの生産性向上にとって露光処理装置の稼働率を高めることが重要であるため、露光処理装置に付帯する必要最小限の設備としてＰＥＢ処理装置のみを隣接配備しておくことにより、露光処理装置以外の装置のトラブルによって露光処理装置の稼働率を低下させるリスクが低減され、フォトリソグラフィー処理部１ａにおける信頼性を向上させることができる。
＜第２実施形態＞
図１２は、本発明の第２実施形態に係る基板処理システム１０１において、フォトリソグラフィー工程を実施するためのフォトリソグラフィー処理部１ｂを中心とした搬送装置の概要を示す図面である。本実施形態では、第２の自動基板搬送ラインとして、ウエハＷの枚葉搬送を行なうコンベア７０を配備した。
図１２に示すように、フォトリソグラフィー処理部１ｂは、ウエハＷ表面に所定のレジストを塗布するレジスト塗布処理装置２、レジストが塗布されたウエハＷに対して露光処理を行なう第１の露光処理装置３ａ、露光処理後のレジストを加熱処理する第１のＰＥＢ処理装置４ａ、ウエハＷに対して露光処理を行なう第２の露光処理装置３ｂ、露光処理後のレジストを加熱処理する第２のＰＥＢ処理装置４ｂ、および露光処理されたウエハＷを現像する現像処理装置５を備えている。フォトリソグラフィー処理部１ｂでは、レジスト塗布処理装置２、第１の露光処理装置３ａ、第２の露光処理装置３ｂおよび現像処理装置５が分離して配置され、第１の露光処理装置３ａと第１のＰＥＢ処理装置４ａ、第２の露光処理装置３ｂと第２のＰＥＢ処理装置４ｂは隣接配置されている。第１の露光処理装置３ａは、第１のＰＥＢ処理装置４ａに隣接して配置され、第１のＰＥＢ処理装置４ａを介してコンベア７０との間でウエハＷを受渡し可能に構成されている。同様に第２の露光処理装置３ｂは、第２のＰＥＢ処理装置４ｂに隣接して配置され、第２のＰＥＢ処理装置４ｂを介してコンベア７０との間でウエハＷを受渡し可能に構成されている。なお、各処理装置の基本的構成と配置は、図１に示した実施形態と同様である。
また、図１２では図示を省略しているが、フォトリソグラフィー処理部１ｂには、レジスト塗布処理装置２、第１および第２の露光処理装置３ａ，３ｂ、第１および第２のＰＥＢ処理装置４ａ，４ｂ、現像処理装置５を一つのグループとして、複数グループが設けられている。つまり、各グループ内で上記各処理装置の設置比率を維持したまま、整数倍の処理装置が配備されている。
第１の自動基板搬送ラインである主搬送ライン２０は、基板処理システム１０１の全体にわたってウエハＷの搬送および各処理部との基板の受渡しを行なう。第１実施形態（図１）と同様に、主搬送ライン２０には、例えばＯＨＴ２１が設けられている。各ＯＨＴ２１は、図示しないカセット内にウエハＷを収容した状態で主搬送ライン２０を移動し、フォトリソグラフィー処理部１ｂをはじめとする各処理部へのウエハＷの搬送を行なえるように構成されている。
コンベア７０は、ウエハＷを１枚ずつ搬送する枚葉搬送ラインである。コンベア７０は、複数箇所（図１２では４箇所）に配備されたウエハハンドリングロボット７１を介して、各処理装置の受渡しポートであるカセットステーションとの間で基板の受渡しを行なうことができるように構成されている。
本実施形態において、主搬送ライン２０のＯＨＴ２１は、レジスト塗布処理装置２のカセットステーション２１０に複数枚のウエハＷを収容したカセットを受け渡す。カセットステーション２１０には、枚葉搬入出ポートＰが設けられており、例えばレジスト塗布処理装置２における処理が終了したウエハＷは、この枚葉搬入出ポートＰに仮置きされる。そして、ウエハハンドリングロボット７１は、前記枚葉搬入出ポートＰに仮置きされたウエハＷをコンベア７０に次々に受け渡す。コンベア７０はループ状に構成されているため、循環式に１枚ずつウエハＷを移動させる。
このコンベア７０上を移動中のウエハＷは、ＩＤ番号によりコンベア７０内での次の搬送先や搬送時間などが管理される。例えば、レジスト塗布処理装置２でのレジスト塗布処理が終了し、コンベア７０に供給されたウエハＷは、ＩＤ番号により管理されて次の搬送先が第１の露光処理装置３ａまたは第２の露光処理装置３ｂから選択される。そして、ウエハハンドリングロボット７１により、第１の露光処理装置３ａまたは第２の露光処理装置３ｂでの露光処理を行なうべく、第１のＰＥＢ処理装置４ａまたは第２のＰＥＢ処理装置４ｂのカセットステーション３１０に設けられた枚葉搬入出ポートＰへ受渡される。そして、露光処理およびＰＥＢ処理が終了したウエハＷは、第１のＰＥＢ処理装置４ａまたは第２のＰＥＢ処理装置４ｂのカセットステーション３１０に設けられた枚葉搬入出ポートＰから、ウエハハンドリングロボット７１を介して再びコンベア７０へ搬送される。
その後、ウエハＷは、コンベア７０からウエハハンドリングロボット７１により現像処理装置５のカセットステーション２１０に設けられた枚葉搬入出ポートＰへ受渡される。そして、現像処理装置５において現像処理が行なわれた後、ウエハＷは、現像処理装置５のカセットステーション２１０に搬送され、カセットＣＲ内に収容される。このようにフォトリソグラフィー処理部１ｂにおける一連の工程が終了し、所定のパターンが形成されたウエハＷは、主搬送ライン２０のＯＨＴ２１に受渡される。そして、主搬送ライン２０のＯＨＴ２１により他の処理部例えばエッチング処理部（図示せず）へ搬送され、前記パターンに基づいてエッチングが行なわれる。
なお、主搬送ライン２０のＯＨＴ２１によりカセット搬送されてきたウエハＷは、レジスト塗布処理装置２、第１のＰＥＢ処理装置４ａ、第２のＰＥＢ処理装置４ｂまたは現像処理装置５のどのカセットステーションに搬入してもよい。この場合、各カセットステーションでは、カセットからウエハＷを抜き出して直接枚葉搬入出ポートＰへウエハを仮置きする受渡し動作を行なうことができる。つまり、主搬送ライン２０のＯＨＴ２１によりカセット搬送されてきたウエハＷを、各装置での処理前に一旦コンベア７０に受渡すことにより、コンベア７０をフォトリソグラフィー処理部１ｂ内でのバッファとして活用できるとともに、フォトリソグラフィー処理部１ｂにおける各装置の稼働状況に応じて第２のＭＥＳ６０の制御の下でフレキシブルな搬送を行なうことができる。
本実施形態の基板処理システム１０１では、主搬送ライン２０とは独立した搬送機構としてフォトリソグラフィー処理部１ｂにおいてコンベア７０を用いることにより、フォトリソグラフィー処理部１ｂ内における各処理装置への搬送の自由度を大きくすることができる。また、フォトリソグラフィー処理部１ｂ内の各処理装置で処理されたウエハＷを、順次コンベア７０で次工程の処理を行なう処理装置へ枚葉搬送できるので、例えばカセット単位で次の処理装置へ搬送する場合に比べて待ち時間が少なく、スループットを向上させることができる。
また、コンベア７０を設けたことにより、フォトリソグラフィー工程での処理速度およびウエハ搬送速度を基板処理システム１０１における他の処理部と切り離して制御できる。従って、フォトリソグラフィー工程を高いスループットで処理することが可能であり、二重露光プロセスのようにフォトリソグラフィー工程に大きな負荷がかかるような処理にも対応を図ることができる。また、コンベア７０がバッファ機能を有することにより、主搬送ライン２０上にストックされる仕掛かりロット数を減少させることができ、主搬送ライン２０への負荷を抑制できる。
また、第１実施形態の基板処理システム１００と同様に、第２実施形態の基板処理システム１０１においても、レジスト塗布処理装置２と、露光処理装置（第１の露光処理装置３ａ，第２の露光処理装置３ｂ）と、現像処理装置５とをコンベア７０に対してウエハＷを受渡し可能に並列的に配置したので、いずれかの装置に故障などの不具合が発生した場合においても、フレキシブルに同種の装置へウエハＷを搬送して処理を行なうことが可能である。従って、フォトリソグラフィー処理部１ｂを含む基板処理システム１０１の信頼性を向上させることが可能である。
また、第１の露光処理装置３ａと露光処理後のレジストを加熱処理する第１のＰＥＢ処理装置４ａ、第２の露光処理装置３ｂと露光処理後のレジストを加熱処理する第２のＰＥＢ処理装置４ｂとを、それぞれ隣接して配置したので、高い信頼性の下でＰＥＢ処理を行なうことができる。すなわち、露光後の時間管理がしやすく、精度の高いＰＥＢ処理が実現する。また、露光処理装置以外の装置のトラブルによって露光処理装置の稼働率を低下させるリスクが低減され、フォトリソグラフィー処理部１ｂにおける信頼性を向上させることができる。
＜第３実施形態＞
図１３は、本発明の第３実施形態にかかる基板処理システム１０２において、フォトリソグラフィー工程を実施するためのフォトリソグラフィー処理部１ｃを中心とした搬送装置の概要を示す図面である。本実施形態では、第２の自動基板搬送ラインとして副搬送ライン３０を配備し、この副搬送ライン３０に対し、ウエハＷ表面に所定のレジストを塗布する第１のレジスト塗布処理装置２ａおよび第２のレジスト塗布処理装置２ｂ、並びに、露光処理されたウエハＷを現像する第１の現像処理装置５ａおよび第２の現像処理装置５ｂを、それぞれウエハＷを直接受渡しできるように分離して並列的に配置した。
第１の現像処理装置５ａには、露光処理後のレジストを加熱処理する第１のＰＥＢ処理装置４ａを介してウエハＷに対して露光処理を行なう第１の露光処理装置３ａが直列的に配置されている。第２の現像処理装置５ｂには、第２のＰＥＢ処理装置４ｂを介して第２の露光処理装置３ｂが直列的に配置されている。第１の露光処理装置３ａは、第１のＰＥＢ処理装置４ａおよび第１の現像処理装置５ａを介して副搬送ライン３０のＯＨＴ３１との間でウエハＷを受渡し可能に構成されている。同様に第２の露光処理装置３ｂは、第２のＰＥＢ処理装置４ｂおよび第２の現像処理装置５ｂを介して副搬送ライン３０のＯＨＴ３１との間でウエハＷを受渡し可能に構成されている。なお、本実施形態では、フォトリソグラフィー処理部１ｃの装置レイアウト構成が異なる点以外は、図１に示した第１実施形態の基板処理システム１００と同様であるため、同一の構成には同一の符号を付して個々の説明は省略する。
また、図１３では図示を省略しているが、フォトリソグラフィー処理部１ｃには、第１および第２のレジスト塗布処理装置２ａ，２ｂ、第１および第２の露光処理装置３ａ，３ｂ、第１および第２のＰＥＢ処理装置４ａ，４ｂ、第１および第２の現像処理装置５ａ，５ｂを一つのグループとして、複数グループが設けられている。つまり、各グループ内で上記各処理装置の設置比率を維持したまま、整数倍の処理装置が配備されている。
基板処理システム１０２において、例えば他の処理部（図示せず）から主搬送ライン２０のＯＨＴ２１により搬送されてきたウエハＷは、いずれかのウエハ受渡し部４０においてフォトリソグラフィー処理部１ｃの副搬送ライン３０上のＯＨＴ３１に受渡される。そして、副搬送ライン３０上のＯＨＴ３１は、フォトリソグラフィー処理部１ｃ内の各処理装置との間でウエハＷの受渡しを行なう。具体的には、例えばフォトリソグラフィー処理部１ｃに搬送されてきたウエハＷは、副搬送ライン３０のＯＨＴ３１によって第１のレジスト塗布処理装置２ａまたは第２のレジスト塗布処理装置２ｂのいずれかに搬送される。この際、第２のＭＥＳ６０の制御の下で第１のレジスト塗布処理装置２ａまたは第２のレジスト塗布処理装置２ｂのどちらに搬入するか、の振り分けが行われる。従って、レジスト塗布処理装置の稼働状態に応じてフレキシブルなウエハ搬送が可能になり、フォトリソグラフィー工程のスループットを向上させることが可能になる。
次に、第１のレジスト塗布処理装置２ａまたは第２のレジスト塗布処理装置２ｂのいずれかでレジスト塗布処理がなされたウエハＷは、露光処理のため、副搬送ライン３０を介して第１の現像処理装置５ａおよび第２の現像処理装置５ｂのいずれかに搬送される。この際も、第２のＭＥＳ６０の制御の下で第１の現像処理装置５ａまたは第２の現像処理装置５ｂのどちらに搬入するか、の振り分けが行われる。従って、現像処理装置および露光処理装置の稼働状態に応じてフレキシブルなウエハ搬送が可能になり、フォトリソグラフィー工程のスループットを向上させることが可能になる。そして、レジストが塗布されたウエハＷは、露光、ＰＥＢ、現像の順に処理される。本実施形態では、現像処理装置（５ａ，５ｂ）とＰＥＢ処理装置（４ａ，４ｂ）と露光処理装置（３ａ，３ｂ）が直列的に配置されていることにより、露光処理、ＰＥＢ処理および現像処理の一連の処理を高スループットで行うことができる。
また、副搬送ライン３０がバッファ機能を有することにより、主搬送ライン２０上にストックされる仕掛かりロット数を減少させることができ、主搬送ライン２０への負荷を抑制できる。
このように、本実施形態に係る基板処理システム１０２においては、主搬送ライン２０とは独立した搬送機構としてフォトリソグラフィー処理部１ｃにおいて副搬送ライン３０を設けたことにより、フォトリソグラフィー処理部１ｃ内における各処理装置への搬送の自由度を大きくすることができるとともに、フォトリソグラフィー工程での処理速度およびウエハ搬送速度を基板処理システム１０２における他の処理部と切り離して制御できる。従って、フォトリソグラフィー工程を高いスループットで処理することが可能であり、例えば二重露光プロセスのように、フォトリソグラフィー工程に大きな負荷がかかるような処理にも対応を図ることができる。
また、上記構成では、二つのレジスト塗布処理装置（２ａ，２ｂ）と、現像処理装置（５ａ，５ｂ）とを副搬送ライン３０に対してウエハＷを直接受渡し可能に並列的に配置したので、いずれかの装置に故障などの不具合が発生した場合においても、フレキシブルに他の装置へウエハＷを搬送して処理を行なうことが可能である。従って、フォトリソグラフィー処理部１ｃを含む基板処理システム１０２全体の信頼性を向上させることが可能である。
また、第１の露光処理装置３ａと第１のＰＥＢ処理装置４ａ、第２の露光処理装置３ｂと第２のＰＥＢ処理装置４ｂとを、それぞれ隣接して配置したので、露光後の時間管理がしやすく、精度の高いＰＥＢ処理が可能である。
＜第４実施形態＞
図１４は、本発明の第４実施形態に係る基板処理システム１０３において、フォトリソグラフィー工程を実施するためのフォトリソグラフィー処理部１ｄを中心とした搬送装置の概要を示す図面である。本実施形態では、第２の自動基板搬送ラインとして、ウエハＷを１枚ずつ搬送するコンベア７０を配備し、このコンベア７０に対して、ウエハＷ表面に所定のレジストを塗布する第１のレジスト塗布処理装置２ａおよび第２のレジスト塗布処理装置２ｂ、並びに、露光処理されたウエハＷを現像する第１の現像処理装置５ａおよび第２の現像処理装置５ｂを、それぞれウエハＷを直接受渡しできるように分離して並列的に配置した。
第１の現像処理装置５ａには、露光処理後のレジストを加熱処理する第１のＰＥＢ処理装置４ａを介してウエハＷに対して露光処理を行なう第１の露光処理装置３ａが直列的に配置されている。第２の現像処理装置５ｂには、第２のＰＥＢ処理装置４ｂを介して第２の露光処理装置３ｂが直列的に配置されている。第１の露光処理装置３ａは、第１のＰＥＢ処理装置４ａおよび第１の現像処理装置５ａを介してコンベア７０との間でウエハＷを受渡し可能に構成されている。同様に第２の露光処理装置３ｂは、第２のＰＥＢ処理装置４ｂおよび第２の現像処理装置５ｂを介してコンベア７０との間でウエハＷを受渡し可能に構成されている。なお、本実施形態では、フォトリソグラフィー処理部１ｄの装置レイアウト構成が異なる点以外は、図１２に示した第２実施形態の基板処理システム１０１と同様であるため、同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。
また、図１４では図示を省略しているが、フォトリソグラフィー処理部１ｄには、第１および第２のレジスト塗布処理装置２ａ，２ｂ、第１および第２の露光処理装置３ａ，３ｂ、第１および第２のＰＥＢ処理装置４ａ，４ｂ、第１および第２の現像処理装置５ａ，５ｂを一つのグループとして、複数グループが設けられている。つまり、各グループ内で上記各処理装置の設置比率を維持したまま、整数倍の処理装置が配備されている。
基板処理システム１０３において、例えば他の処理部（図示せず）から主搬送ライン２０のＯＨＴ２１によりカセット搬送されてきたウエハＷは、例えば、第１のレジスト塗布処理装置２ａまたは第２のレジスト塗布処理装置２ｂのいずれかのカセットステーション２１０にカセットごと受け渡される。カセットステーション２１０には、枚葉搬入出ポートＰが設けられており、例えば第１のレジスト塗布処理装置２ａまたは第２のレジスト塗布処理装置２ｂでレジスト塗布処理が終了したウエハＷは、この枚葉搬入出ポートＰに仮置きされる。そして、ウエハハンドリングロボット７１は、前記枚葉搬入出ポートＰに仮置きされたウエハＷをコンベア７０に次々に受け渡す。コンベア７０はループ状に構成されているため、循環式に１枚ずつウエハＷを移動させる。
なお、主搬送ライン２０のＯＨＴ２１によりカセット搬送されてきたウエハＷは、第１のレジスト塗布処理装置２ａ、第２のレジスト塗布処理装置２ｂ、第１の現像処理装置５ａまたは第２の現像処理装置５ｂのどのカセットステーション２１０に搬入してもよい。この場合、各カセットステーション２１０では、カセットからウエハＷを抜き出して直接枚葉搬入出ポートＰへウエハを仮置きする受渡し動作を行なうことができる。つまり、主搬送ライン２０のＯＨＴ２１によりカセット搬送されてきたウエハＷを、各装置での処理前に一旦コンベア７０に受渡すことにより、コンベア７０をフォトリソグラフィー処理部１ｄ内でのバッファとして活用できるとともに、フォトリソグラフィー処理部１ｄにおける各装置の稼働状況に応じて第２のＭＥＳ６０の制御の下でフレキシブルな搬送を行なうことができる。
コンベア７０上を移動中のウエハＷは、ＩＤ番号により次の搬送先や搬送時間などが管理される。例えば、ループ状のコンベア７０上を搬送されるウエハＷは、第２のＭＥＳ６０の制御の下で第１のレジスト塗布処理装置２ａまたは第２のレジスト塗布処理装置２ｂのどちらに搬入するか、の振り分けが行われる。従って、レジスト塗布処理装置の稼働状態に応じてフレキシブルなウエハ搬送が可能になり、フォトリソグラフィー工程のスループットを向上させることが可能になる。また、第１のレジスト塗布処理装置２ａまたは第２のレジスト塗布処理装置２ｂのいずれかでレジスト塗布処理が終了した後のウエハＷは、露光処理を行なうためコンベア７０を介して第１の現像処理装置５ａおよび第２の現像処理装置５ｂのいずれかに搬送される。この際も、第２のＭＥＳ６０の制御の下で第１の現像処理装置５ａまたは第２の現像処理装置５ｂのどちらに搬入するか、の振り分けが行われる。従って、現像処理装置および露光処理装置の稼働状態に応じてフレキシブルなウエハ搬送が可能になり、フォトリソグラフィー工程のスループットを向上させることが可能になる。そして、レジストが塗布されたウエハＷは、露光、ＰＥＢ、現像の順に処理される。また、本実施形態では、現像処理装置（５ａ，５ｂ）とＰＥＢ処理装置（４ａ，４ｂ）と露光処理装置（３ａ，３ｂ）が直列的に配置されていることにより、露光処理、ＰＥＢ処理および現像処理の一連の処理を高スループットで行うことができる。
本実施形態の基板処理システム１０３では、主搬送ライン２０とは独立した搬送機構としてフォトリソグラフィー処理部１ｄにおいてコンベア７０を用いることにより、フォトリソグラフィー処理部１ｄ内における各処理装置への搬送の自由度を大きくすることができる。また、フォトリソグラフィー処理部１ｄ内の各処理装置で処理されたウエハＷを、順次コンベア７０で次工程の処理を行なう処理装置へ枚葉搬送できるので、例えばカセット単位で次の処理装置へ搬送する場合に比べて待ち時間が少なく、スループットを向上させることができる。また、コンベア７０を設けたことにより、フォトリソグラフィー工程での処理速度およびウエハ搬送速度を基板処理システム１０３における他の処理部と切り離して制御できる。従って、フォトリソグラフィー工程を高いスループットで処理することが可能であり、二重露光プロセスのようにフォトリソグラフィー工程に大きな負荷がかかるような処理にも対応を図ることができる。
また、コンベア７０がバッファ機能を有することにより、主搬送ライン２０上にストックされる仕掛かりロット数を減少させることができ、主搬送ライン２０への負荷を抑制できる。
また、上記構成では、二つのレジスト塗布処理装置（２ａ，２ｂ）と、現像処理装置（５ａ，５ｂ）とを、コンベア７０に対してウエハＷを直接受渡し可能に並列的に配置したので、いずれかの装置に故障などの不具合が発生した場合においても、フレキシブルに同種の他の装置へウエハＷを搬送して処理を行なうことが可能である。従って、フォトリソグラフィー処理部１ｄを含む基板処理システム１０３全体の信頼性を向上させることが可能である。
また、第１の露光処理装置３ａと第１のＰＥＢ処理装置４ａ、第２の露光処理装置３ｂと第２のＰＥＢ処理装置４ｂとを、それぞれ隣接して配置したので、露光後の時間管理がしやすく、精度の高いＰＥＢ処理が可能である。
以上、いくつかの実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば第１〜第４の実施形態（図１、図１２、図１３および図１４）の装置レイアウト構成において、レジスト塗布処理装置、ＰＥＢ処理装置、露光処理装置および現像処理装置の設置個数をさらに増加させる場合には、前記のとおり図１、図１２、図１３および図１４に示した各装置の設置比率を維持したまま全体の設置数を増やすことが好ましいが、例えばレジスト塗布処理装置のみの設置数を増やすなど特定の装置についてのみ増加させてもよい。
さらに、上記実施形態の基板処理システムでは、半導体ウエハにレジスト塗布・露光・現像の一連のフォトリソグラフィー工程を行う場合について説明したが、半導体ウエハ以外の他の被処理基板、例えばＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）用のガラス基板にフォトリソグラフィー工程を含む処理を行う基板処理システムにも本発明を適用することができる。
第１実施形態の基板処理システムにおけるフォトリソグラフィー処理部の装置レイアウトを示す図面。 レジスト塗布処理装置の平面図。 図２に示したレジスト塗布処理装置の正面図。 図２に示したレジスト塗布処理装置の背面図。 ＰＥＢ処理装置の平面図。 図５に示したＰＥＢ処理装置の正面図。 図５に示したＰＥＢ処理装置の背面図。 現像処理装置の平面図。 図８に示した現像処理装置の正面図。 図８に示した現像処理装置の背面図。 第１のＭＥＳの構成を示すブロック図。 第２実施形態の基板処理システムにおけるフォトリソグラフィー処理部の装置レイアウトを示す図面。 第３実施形態の基板処理システムにおけるフォトリソグラフィー処理部の装置レイアウトを示す図面。 第４実施形態の基板処理システムにおけるフォトリソグラフィー処理部の装置レイアウトを示す図面。
符号の説明
１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ；フォトリソグラフィー処理部
２；レジスト塗布処理装置
３ａ；第１の露光処理装置
３ｂ；第２の露光処理装置
４ａ；第１のＰＥＢ処理装置
４ｂ；第２のＰＥＢ処理装置
５；現像処理装置
２０；主搬送ライン
２１；ＯＨＴ
３０；副搬送ライン
３１；ＯＨＴ
４０；ウエハ受渡し部
５０；第１のＭＥＳ
６０；第２のＭＥＳ
１００，１０１，１０２，１０３；基板処理システム
Ｗ；半導体ウエハ（被処理基板）

Claims (19)

  1. 被処理基板に対しフォトリソグラフィー工程を含む処理を行なう基板処理システムであって、
    被処理基板に対して個別に処理を行なう複数の処理部の間で被処理基板の搬送を行なう第１の自動基板搬送ラインと、
    前記第１の自動基板搬送ラインとの間で被処理基板を受渡し可能に構成され、前記フォトリソグラフィー工程における一連の処理を行なうフォトリソグラフィー処理部の各処理装置の間で被処理基板の搬送を行なう第２の自動基板搬送ラインと、
    を備えた、基板処理システム。
  2. 前記第２の自動基板搬送ラインは、前記第１の自動基板搬送ラインから独立した循環式の基板搬送ラインである、請求項１に記載の基板処理システム。
  3. 前記第１の自動基板搬送ライン上を移動して前記各処理部との間で被処理基板の受渡しを行なう第１の自動基板搬送装置と、
    前記第２の自動基板搬送ライン上を移動して前記フォトリソグラフィー処理部の各処理装置の間で被処理基板の受渡しを行なう第２の自動基板搬送装置と、
    を備えた、請求項２に記載の基板処理システム。
  4. 前記第１の自動基板搬送装置および前記第２の自動基板搬送装置は、複数枚の被処理基板を容器に収容して搬送する容器搬送装置である、請求項３に記載の基板処理システム。
  5. 前記第１の自動基板搬送装置は、複数枚の被処理基板を容器に収容して搬送する容器搬送装置であり、前記第２の自動基板搬送装置は、被処理基板を一枚ずつ搬送する枚葉搬送装置である、請求項３に記載の基板処理システム。
  6. 前記第１の自動基板搬送ラインにおける被処理基板の搬送を制御する第１の制御部と、
    前記第２の自動基板搬送ラインにおける被処理基板の搬送を制御する第２の制御部と、
    を備えた、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の基板処理システム。
  7. 前記フォトリソグラフィー処理部は、レジスト塗布処理装置、露光処理装置および現像処理装置を備えた、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の基板処理システム。
  8. 前記フォトリソグラフィー処理部において、少なくとも前記レジスト塗布処理装置と、前記現像処理装置とが、それぞれ前記第２の自動基板搬送ラインとの間で被処理基板を受渡し可能に分離して配置されている、請求項７に記載の基板処理システム。
  9. 前記フォトリソグラフィー処理部において、前記レジスト塗布処理装置、前記露光処理装置および前記現像処理装置が、それぞれ前記第２の自動基板搬送ラインとの間で被処理基板を受渡し可能に分離して配置されている、請求項７に記載の基板処理システム。
  10. 前記フォトリソグラフィー処理部において、前記レジスト塗布処理装置、前記露光処理装置および前記現像処理装置は、それぞれ個別に基板受渡しポートを介して前記第２の自動基板搬送ラインとの間で被処理基板を受渡可能に構成されている、請求項７に記載の基板処理システム。
  11. 前記レジスト塗布処理装置の設置数に対して、前記露光処理装置の設置数が１：２の比率となるように配備した、請求項７から請求項１０のいずれか１項に記載の基板処理システム。
  12. 前記露光処理装置には、露光後ベーク処理装置が隣接配置された、請求項７から請求項１１のいずれか１項に記載の基板処理システム。
  13. 前記フォトリソグラフィー処理部は、二重露光技術によりパターン形成を行なう処理部である、請求項１から請求項１２のいずれか１項に記載の基板処理システム。
  14. 被処理基板に対しフォトリソグラフィー工程を含む処理を行なう基板処理システムにおいて被処理基板を搬送する基板搬送方法であって、
    前記基板処理システムは、被処理基板に対して個別に処理を行なう複数の処理部の間で被処理基板の搬送を行なう第１の自動基板搬送ラインと、前記第１の自動基板搬送ラインとの間で被処理基板を受渡し可能に構成され、前記フォトリソグラフィー工程における一連の処理を行なうフォトリソグラフィー処理部に専用の循環式の第２の自動基板搬送ラインと、を備えており、
    前記フォトリソグラフィー処理部では、前記第２の自動基板搬送ラインにより各処理装置の間で被処理基板の搬送を行なうようにした、基板搬送方法。
  15. 前記フォトリソグラフィー処理部においては、少なくとも前記レジスト塗布処理装置と、前記現像処理装置とが、それぞれ前記第２の自動基板搬送ラインとの間で被処理基板を受渡し可能に分離して配置されており、
    各処理装置の稼働状態に応じて前記第２の自動基板搬送ラインから被処理基板を搬入する搬入先を選択する、請求項１４に記載の基板搬送方法。
  16. 前記第１の自動基板搬送ラインおよび前記第２の自動基板搬送ラインでは、複数枚の被処理基板を容器に収容して搬送し、前記第２の自動基板搬送ラインと前記フォトリソグラフィー処理部の各処理装置との間では前記容器に収容した状態で被処理基板の受渡しを行なう、請求項１４または請求項１５に記載の基板搬送方法。
  17. 前記第１の自動基板搬送ラインでは、複数枚の被処理基板を容器に収容して搬送し、前記第２の自動基板搬送ラインでは被処理基板を一枚ずつ搬送するとともに、前記第２の自動基板搬送ラインと前記フォトリソグラフィー処理部の各処理装置との間では一枚ずつ被処理基板の受渡しを行なう、請求項１４または請求項１５に記載の基板搬送方法。
  18. コンピュータ上で動作し、実行時に、請求項１４から請求項１７のいずれか１項に記載の基板搬送方法が行なわれるように前記基板処理システムを制御する、制御プログラム。
  19. コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取り可能な記憶媒体であって、
    前記制御プログラムは、実行時に、請求項１４から請求項１７のいずれか１項に記載の基板搬送方法が行なわれるように前記基板処理システムを制御するものである、コンピュータ読取り可能な記憶媒体。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010010430A (ja) * 2008-06-27 2010-01-14 Murata Mach Ltd 搬送システム
JP2011253897A (ja) * 2010-06-01 2011-12-15 Tokyo Electron Ltd 基板処理システム及び基板処理方法
US8289496B2 (en) 2009-01-30 2012-10-16 Semes Co., Ltd. System and method for treating substrate
KR20170137759A (ko) 2015-04-16 2017-12-13 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 장치
KR20230124759A (ko) 2015-04-16 2023-08-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 장치

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009058125B4 (de) * 2009-12-12 2013-05-16 Bernhard Stock Transporteinrichtung zur Verteilung von verschiedenen Stückgütern und Verfahren zum Betrieb einer Transporteinrichtung
CN102332418A (zh) * 2011-09-23 2012-01-25 北京七星华创电子股份有限公司 半导体晶圆运送系统
JP5931409B2 (ja) * 2011-11-14 2016-06-08 川崎重工業株式会社 板材の搬送システム
US9558978B2 (en) * 2012-05-04 2017-01-31 Kla-Tencor Corporation Material handling with dedicated automated material handling system
US10177020B2 (en) 2015-02-07 2019-01-08 Kla-Tencor Corporation System and method for high throughput work-in-process buffer
JP6901828B2 (ja) * 2016-02-26 2021-07-14 川崎重工業株式会社 基板搬送ロボットおよび基板搬送装置
JP6697984B2 (ja) * 2016-08-31 2020-05-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理システム
JP7258028B2 (ja) * 2018-08-08 2023-04-14 ギガフォトン株式会社 リソグラフィシステムのメインテナンス管理方法、メインテナンス管理装置、及びコンピュータ可読媒体
JP7142566B2 (ja) * 2018-12-27 2022-09-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004356606A (ja) * 2003-04-03 2004-12-16 Seiko Epson Corp 製造装置及び製造方法
JP2006041485A (ja) * 2004-06-10 2006-02-09 Applied Materials Inc 小ロットサイズのリソグラフィーベイ

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3442669B2 (ja) 1998-10-20 2003-09-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR20010034990A (ko) * 2000-06-29 2001-05-07 박용석 반도체 및 평판디스플레이용 멀티기능을 갖춘 집적제조장치
JP3966211B2 (ja) * 2002-05-08 2007-08-29 株式会社ニコン 露光方法、露光装置及びデバイス製造方法
US7778721B2 (en) * 2003-01-27 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Small lot size lithography bays
US6990721B2 (en) * 2003-03-21 2006-01-31 Brooks Automation, Inc. Growth model automated material handling system
JP4584872B2 (ja) * 2006-06-15 2010-11-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理システムおよび基板搬送方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004356606A (ja) * 2003-04-03 2004-12-16 Seiko Epson Corp 製造装置及び製造方法
JP2006041485A (ja) * 2004-06-10 2006-02-09 Applied Materials Inc 小ロットサイズのリソグラフィーベイ

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010010430A (ja) * 2008-06-27 2010-01-14 Murata Mach Ltd 搬送システム
US8289496B2 (en) 2009-01-30 2012-10-16 Semes Co., Ltd. System and method for treating substrate
US9059224B2 (en) 2009-01-30 2015-06-16 Semes Co., Ltd. System and method for treating substrate
JP2011253897A (ja) * 2010-06-01 2011-12-15 Tokyo Electron Ltd 基板処理システム及び基板処理方法
US8909364B2 (en) 2010-06-01 2014-12-09 Tokyo Electron Limited Substrate processing system and substrate processing method
KR101535317B1 (ko) * 2010-06-01 2015-07-08 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
KR20170137759A (ko) 2015-04-16 2017-12-13 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 장치
US10520831B2 (en) 2015-04-16 2019-12-31 Tokyo Electron Limited Substrate processing method, substrate processing system and substrate processing apparatus
KR20230124759A (ko) 2015-04-16 2023-08-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 장치

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